KR870001518A - 컴퓨터 메모리 장치 - Google Patents

컴퓨터 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR870001518A
KR870001518A KR1019860005342A KR860005342A KR870001518A KR 870001518 A KR870001518 A KR 870001518A KR 1019860005342 A KR1019860005342 A KR 1019860005342A KR 860005342 A KR860005342 A KR 860005342A KR 870001518 A KR870001518 A KR 870001518A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
timing
word
bus
blocks
memory
Prior art date
Application number
KR1019860005342A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930009668B1 (ko
Inventor
더블유·엔지 앨반
더블유. 엔지 앨반
피·피셔 에드윈
피. 피셔 에드윈
Original Assignee
허니웰 인포오메이숀 시스템즈 인코오포레이티드
루이스 피. 엘빈저
허니웰 인포오메이숀 시스템즈 인코오포레이리드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US06/751,179 external-priority patent/US4761730A/en
Application filed by 허니웰 인포오메이숀 시스템즈 인코오포레이티드, 루이스 피. 엘빈저, 허니웰 인포오메이숀 시스템즈 인코오포레이리드 filed Critical 허니웰 인포오메이숀 시스템즈 인코오포레이티드
Publication of KR870001518A publication Critical patent/KR870001518A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930009668B1 publication Critical patent/KR930009668B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/04Addressing variable-length words or parts of words
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

컴퓨터 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리들을 병합한 메모리 서브시스템을 개략적으로 도시한 도면.
제2도 및 제3도는 각기 제1도의 메모리 서브시스템을 제1 및 제2의 구성으로 더욱 상세하게 도시한 도면.
제6도는 본 발명의 동작을 설명하는데 사용되는 타이밍도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 메모리 서브시스템
10-2A, 10-2B : 메모리 모듈장치 또는 메모리 스택
10-4A : 프로그래머블 논리 어레이 회로 10-6 : 열 타이밍 선택회로
10-6A, 10-6B, 10-6C, 10-6D : 선택기회로 10-8 : 출력워어드 시퀀서 회로
10-10 : 타이밍 회로 10-12, 10-14 : 데이타 레지스터
12-19 : 핀들

Claims (10)

  1. 서브시스템을 메모리 요구들을 수신하기 위해 싱글 워어드 버스에 연결하며 버스전송동작 사이클동안 상기 버스에 정보워어드를 전송하기 위해 상기 서브시스템을 상기 싱글워어드 버스에 연결하고, 상기 메모리 요구들이 연속동작 버스사이클에 대해 복수의 워어드 전송을 요구하는 소정의 메모리 판독동작을 특정화 하도록 부호와되는 상기 요구들주우 하나의 요구와 그리고 다중비트어드레스를 포함하여 시스템에 사용하기 위한 메모리 서브시스템에 있어서, 상기 메모리 서브시스템이 각각 단일회로 기판상에 설치된 복수의 워어드블록의 랜덤 액세스메모리 칩들을 포함하는 다수의 어드레스 가능한 싱글 워어드 와이드 메모리 스택과, 상기 어드레스 및 입력밀도 신호의 다수의 최하위 비트와 최상위 비트를 수신하기 위해 상기 다수의 스택의 상기 복수의 칩블록에 연결되고, 상기 입력밀도 신호의 작용으로서 공통스택 혹은 적어도 한쌍의 인접스택들로부터 대응하는 복수의 워어드 블록을 미리 선택하기 위해 복수의 선택 신호를 발생하도록 동작하는 디코드 수단과, 상기 다수의 최하위 비트들 중 적어도 하나와 상기 입력밀도 신호를 수신하기 위해 상기 다수의 스택의 상기 복수의 칩 블록에 연결되는 선택수단과, 상기 다수의 스택에 공통으로 연결되는 복수의 레지스터와, 판독 동작의 소정의 각 판독 종류에 대한 타이밍 신호 시퀸스를 발생하기 위해 상기 다수의 메모리 스택과 상기 선택수단 및 상기 복수의 레지스터에 연결되고, 상기 타이밍 신호 시퀸스가 제 1 구간을 형성하기 위한 지속기간을 가진 제 1 타이밍 신호와 상기 제 1 구간동안 발생하는 복수의 타이밍 신호로 포함하게 하고 상기 미리 선택된 칩블록들이 액세스에 대한 상기 제 1 타이밍 신호에 의해 조절되게 하고, 또 상기 복수의 타이밍 신호들이 상기 공통 스택내에 있거나 혹은 상기 한쌍의 인접 스택들 사이에 분포되어 있는 상기 미리 선택된 블록들로부터 직렬로 복수의 워어드를 읽어내기 위하여 상기 선택 수단에 의해 상기 단일 스택혹은 상기 한쌍의 인접 스택들내에 있는 상이한 블록칩들에 선택적으로 인가되게 하는 타이밍 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디코드 수단이 숫자에 있어 상기 다수의 어드레스 가능한 메모리 스택들 중반에 해당되는 다수의 프로그래머블 논리 어레이(PLA)회로를 포함하는데, 상기 다수의 PLA회로들 중 각각이 상기 다수의 선택신호 세트들을 발생하도록 프로그램되고, 상기 각각의 선택 신호 세트가 상기 다수의 어드레스 가능한 메모리 스택들 중 상이한 소정의 하나에 인가되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 입력 밀도 신호가 제1상태 조건에 있을 때 상기 디코드 수단 및 상기 선택 수단이 상기 각각의 스택으로부터 직렬로 상기 복수의 워어드를 읽어내기 위하여 상기 다수의 스택들중 각각 하나씩을 조절하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기입력 밀도 신호가 제2상태 조건에 있을 때 상기 디코드 수단 및 상기 선택 수단이 상기 상이한 한쌍의 인접 스택으로부터 직렬로 상기 복수의 워어드를 읽어내기 위하여 상이한 한쌍의 인접 스택을 조절하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
  5. 시스템에 사용하기 위해 싱글 워어드 버스에 연결하며, 메모리 요구들을 수신하고, 각각의 요구가 제1 및 제 2 어드레스 부분을 가진 다중 비트 어드레스를 포함하게 하는 메모리 서브시스템에 있어서, 상기 시스템이 내부 버스에 공통으로 연결되고 각각 랜덤 액세스 메모리 칩들의 복수의 워어드 블록들을 포함하는 다수의 어드레스 가능한 싱글 워어드 와이드 모듈과, 각각의 어드레스의 복수의 비트와 입력제어신호를 수신하기 위해 상기 모듈들과 상기 단일 버스에 연결되고 상기 입력 제어신호 상태의 작용으로서 상기 모듈들중의 하나나 혹은 상기 모듈들중의 인접하는 하나로부터 상기 복수의 블록들내에 있는 블록군들을 미리 선택하기 위해 상기 어드레스 비트들이 부호화되게 하는 제어수단과, 각각의 어드레스의 적어도 최하위 비트를 수신하기 위해 상기 다수의 모듈과 상기 버스에 연결된느 선택기 수단과, 상기 내부 버스에 공통으로 연결되는 다수의 레지스터와, 각각의 소정의 요구에 응답하여 상기 타이밍 신호 시퀀스를 발생하기 위해 상기 모듈 및 상기 선택기 수단과 그리고 상기 복수의 레지스터에 연결되고, 상기 타이밍 신호들중 제1 타이밍 신호가 상기 제 1 어드레스부를 기억하기 위해 상기 모듈들중 하나나 혹은 상기 모듈들중 인접하는 하나의 모듈에 대한 상기 미리 선택된 블록군의 칩들을 조절하게하고, 상기 타이밍 신호들 중 제 2 타이밍 신호 및 제3 타이밍 신호가 상기 모듈들중의 상기 복수의 블록들로 하여금 상기 하나의 모듈 혹은 상기 인접 모듈들내에 있는 상기 미리 선택된 블록군들에서 상기 복수의 레지스터까지 직렬로 워어드들을 읽어내게 하기 위하여 상기 제 2 어드레스부를 기억하도록 상기 선택기 수단을 조절하게하는 타이밍 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
  6. 서브시스템을 메모리 요구들을 수신하기 위해 싱글 워어드 버스에 연결하며 버스전송 동작 사이클동안 상기 버스에 정보 워어드를 전송하기 위해 상기 서브시스템을 상기 워어드 버스에 연결하고, 상기 메모리 요구들이 연속동작 버스사이클에 대해 복수의 워어드 전송을 요구하는 소정의 판독동작을 특정화하도록 부호화 되는 상기 요구들중 하나의 요구와 그리고 다중비트 어드레스를 포함하여 시스템에 사용하기 위한 메모리 서브시스템에 있어서, 상기 메모리 서브시스템이 단일회로 기판상에 설치된 복수의 워어드블록에 랜덤 액세스메모리 칩들을 포함하는 다수의 어드레스 가능한 싱글 워어드 와이드 메모리 어레이와, 상기 각각의 어드레스의 다수의 최하위 비트를 수신하기 위해 상기 복수의 칩블록과 상기 버스에 연결되고, 상기 다수의 최하위 비트에 응답하여 대응하는 복수의 워어드 블록을 미리 선택하기 위해 복수의 선택 신호를 발생하도록 동작하는 디코드 수단과, 상기 다수의 최하위 비트들 중 적어도 하나를 수신하기 위해 상기 복수의 칩블록에 연결되는 선택수단과, 상기 싱글 워어드 와이드 메모리 어레이에 공통으로 연결되는 복수의 레지스터와, 판독동작의 소정의 각 판독 종류에 대한 타이밍 신호 시퀀스를 발생하기 위해 상기 메모리어레이와 상기 선택수단 및 상기 복수의 레지스터에 연결되고, 상기 타이밍 신호 시퀀스가 제1구간을 형성하기 위한 지속기간을 가진 제1타이밍 신호와 상기 제1구간동안 발생하는 복수의 타이밍 신호를 포함하게 하고, 상기 미리 선택된 칩블록들이 액세스에 대한 상기 제 1타이밍 신호에 의해 조절되게 하고, 또 상기 복수의 타이밍신호들이 상기 어레이의 상기 미리 선택된 블록에서만 연속으로 복수의 워어드를 읽어내기 위하여 상기 선택수단에 의해 칩들의 상이한 블록군에 선택적으로 인가되게 하고, 상기 보수의 레지스터가 상기 복수의 워어드를 소정의 시퀀스로 상기 복수의 신호들에 의해 조절되게하는 타이밍 수단을 구비한 것을 특징으로하는 컴퓨터 메모리 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 타이밍 수단은 상기 다수의 최하위 어드레스 비트와 그리고 상기 소정 종류의 판동동작을 가리키는 상기 버스신호를 수신하도록 연결되는 제1논리 회로수단을 포함하는데, 상기 논리 회로수단이 상기 다수의 최하위 어드레스비트가 경계조건을 가리키는 값을 가질 때 출력신호를 발생하도록 동작하고, 상기 출력신호가 상기 제1타이밍 신호의 지속기간의 확장을 금지하도록 그리고 상기 제1타이밍 신호의 확장동안 발생되는 상기 복수의 타이밍신호들중 어느 하나의 발생을 금지하도록 상기 타이밍 수단을 조절하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리장치.
  8. 제7항에 있어서 상기 제 1논리 회로 수단이 상기 버스 신호가 상기 소정종류의 판독소정종류의 판독동작을 가리키지 않을 때 상기 출력신호를 발생하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 소정종류의 판독동작이 상기 미리 선택된 워어드블록내에 있는 워어드 위치로부터 적어도 한쌍의 워어드를 추출하는 것을 특징으로하는 컴퓨터 메모리 장치.
  10. 시스템에 사용하기 위해 싱글 워어드 버스에 연결하며, 메모리 요구들을 수신하고, 각각의 요구가 제1 및 제2어드레스 부분을 가진 다중비트 어드레스를 포함하게 하는 메모리 서브시스템에 있어서, 상기 서브시스템이 랜덤 액세스 메모리 칩의 복수의 워어드 블록을 포함하는 어드레스 가능한 단일 워어드 모듈과, 상기 복수의 블록내에 있는 하나의 블록군을 미리 선택하도록 부호화되는 각각의 어드레스의 복수의 최하위 비트를 수신하기 위해 상기 모듈 및 상기 버스에 연결되는 디코드 수단과, 각각의 어드레스의 적어도 하나의 최하위 비트를 수신하기 위해 상기모듈 및 상기 버스에 연결되는 선택기 수단과, 상기 모듈에 공통으로 연결되는 복수의 레지스터와, 각각 소정종류의 요구에 응답하여 타이밍신호 시퀀스를 발생하기 위해 상기 모듈 및 상기 선택기 수단과 그리고 상기 복수의 레지스터에 연결되고, 상기 타이밍 신호들중 제1타이밍 신호가 상기 제1어드레스부를 기억하도록 상기 미리 선택된 블록군의 칩들을 조절하게 하며, 상기 타이밍 신호들중 제2타이밍신호와 제3타이밍 신호기 상기 복수의 블록들중 각각으로 하여금 단지 미리 선택된 블록군에서의 워어드를 상기 복수의 레지스터에 소정의 시퀀스로 읽어내게 하기 위하여 상기 제2 어드레스부를 기억하도록 상기 선택기 수단을 조절하게 하는 타이밍 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860005342A 1985-07-02 1986-07-02 컴퓨터 메모리장치 KR930009668B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US751179 1985-07-02
US06/751,179 US4761730A (en) 1985-07-02 1985-07-02 Computer memory apparatus
US751.179 1985-07-02
US793.047 1985-10-30
US06/793,047 US4739473A (en) 1985-07-02 1985-10-30 Computer memory apparatus
US793047 1985-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870001518A true KR870001518A (ko) 1987-03-14
KR930009668B1 KR930009668B1 (ko) 1993-10-08

Family

ID=27115381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860005342A KR930009668B1 (ko) 1985-07-02 1986-07-02 컴퓨터 메모리장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4739473A (ko)
EP (1) EP0207504B1 (ko)
KR (1) KR930009668B1 (ko)
AU (1) AU580427B2 (ko)
CA (1) CA1262492A (ko)
DE (1) DE3675699D1 (ko)
ES (1) ES8801462A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568651A (en) * 1994-11-03 1996-10-22 Digital Equipment Corporation Method for detection of configuration types and addressing modes of a dynamic RAM
US5737748A (en) * 1995-03-15 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Microprocessor unit having a first level write-through cache memory and a smaller second-level write-back cache memory
US6109929A (en) * 1998-07-29 2000-08-29 Agilent Technologies, Inc. High speed stackable memory system and device
ATE394755T1 (de) * 2000-06-20 2008-05-15 Nxp Bv Datenverarbeitungsgerät
US7916574B1 (en) 2004-03-05 2011-03-29 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and memory domain translation for memory module
US8787060B2 (en) 2010-11-03 2014-07-22 Netlist, Inc. Method and apparatus for optimizing driver load in a memory package
US8516185B2 (en) 2009-07-16 2013-08-20 Netlist, Inc. System and method utilizing distributed byte-wise buffers on a memory module
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US9128632B2 (en) 2009-07-16 2015-09-08 Netlist, Inc. Memory module with distributed data buffers and method of operation
CN113722268B (zh) * 2021-09-02 2024-07-19 西安紫光国芯半导体有限公司 一种存算一体的堆叠芯片

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3796996A (en) * 1972-10-05 1974-03-12 Honeywell Inf Systems Main memory reconfiguration
US4099253A (en) * 1976-09-13 1978-07-04 Dynage, Incorporated Random access memory with bit or byte addressing capability
US4138720A (en) * 1977-04-04 1979-02-06 Burroughs Corporation Time-shared, multi-phase memory accessing system
US4174537A (en) * 1977-04-04 1979-11-13 Burroughs Corporation Time-shared, multi-phase memory accessing system having automatically updatable error logging means
US4323965A (en) * 1980-01-08 1982-04-06 Honeywell Information Systems Inc. Sequential chip select decode apparatus and method
US4563736A (en) * 1983-06-29 1986-01-07 Honeywell Information Systems Inc. Memory architecture for facilitating optimum replaceable unit (ORU) detection and diagnosis
US4628489A (en) * 1983-10-03 1986-12-09 Honeywell Information Systems Inc. Dual address RAM

Also Published As

Publication number Publication date
ES556687A0 (es) 1987-12-16
CA1262492A (en) 1989-10-24
US4739473A (en) 1988-04-19
AU580427B2 (en) 1989-01-12
EP0207504A2 (en) 1987-01-07
EP0207504B1 (en) 1990-11-22
KR930009668B1 (ko) 1993-10-08
AU5939586A (en) 1987-01-08
EP0207504A3 (en) 1988-10-12
DE3675699D1 (de) 1991-01-03
ES8801462A1 (es) 1987-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4908789A (en) Method and system for automatically assigning memory modules of different predetermined capacities to contiguous segments of a linear address range
FI83570C (fi) Minnessystem.
USRE36229E (en) Simulcast standard multichip memory addressing system
US4303993A (en) Memory present apparatus
KR920010974B1 (ko) 확장 가능한 자기형성 메모리 및 총메모리 공간의 결정방법
EP0211565A2 (en) Random access memories
KR930018594A (ko) 반도체 기억 장치
KR960008544A (ko) 다중 메모리 뱅크 선택을 위한 방법 및 장치
KR950030151A (ko) 반도체 기억장치
KR950020713A (ko) 다이나믹 반도체기억장치
KR840001731A (ko) 순차적인 워어드가 정열된 어드레스 지정장치
KR860003603A (ko) 반도체 메모리
US4296467A (en) Rotating chip selection technique and apparatus
KR970003279A (ko) 메모리회로, 메모리회로의 데이타제어회로 및 메모리회로의 어드레스지정회로
US6470417B1 (en) Emulation of next generation DRAM technology
US4796222A (en) Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi-bit chips
KR870001518A (ko) 컴퓨터 메모리 장치
JPS62237542A (ja) メモリ
US4992979A (en) Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi bit chips
KR900005454A (ko) 시리얼 입출력 반도체 메모리
US4744053A (en) ROM with mask programmable page configuration
US4731738A (en) Memory timing and control apparatus
US5034928A (en) Semiconductor memory device having two-dimensional matrix array
KR900003884A (ko) 대규모 반도체 집적회로 장치
US5231603A (en) Variable page ROM

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee