KR870001486A - 액정 셀 - Google Patents

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KR870001486A
KR870001486A KR1019860005003A KR860005003A KR870001486A KR 870001486 A KR870001486 A KR 870001486A KR 1019860005003 A KR1019860005003 A KR 1019860005003A KR 860005003 A KR860005003 A KR 860005003A KR 870001486 A KR870001486 A KR 870001486A
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KR1019860005003A
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페르티크 베르너
슈리그 디이터
Original Assignee
토마스 클라인
파우 데오 아돌프 쉰드링 악티엔게젤샤프트
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Abstract

내용 없음.

Description

액정 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 도체와 전극의 접속을 위한 MIM-요소를 가진 액정 셀 단면도.
제2도는 제1도에 따른 액정 셀 기판상에 있는 구조의 단면도.
제3도는 도관과 전극의 접속을 위해 전계효과 트랜지스터를 장치한 액정 셀의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제 1 기관 2 : 제 2 기관
3,4,16,18,26,28 : 도관 5 : MIM요소
6,9,17,19 : 절연층 8 : 차폐층
10,13,20,21 : 전극 16 : 전도층
22 : 트랜지스터

Claims (13)

  1. 간격내에 서로 마주 향하도록 배열되어 있으며, 그 사이가 액정물질로 채워진 셀 공간을 구성하고 있는 두개의 기판을 셀 공간 측면에 있는 적어도 한 개의 기질상에 도관, 전극 및 다른 요소를 가지고 있는 액정 셀에 있어서, 도관(3,4,16,18,26,28) 및 전극(10,20)이 서로 중첩절연된 층으로서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  2. 제1항에 있어서 도관(3,4,16,18,26,28)이 투명한 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  3. 제2항에 있어서 도관(3,4,16,18,26,28) 및 또는 전극 (10,20)이 인듐-주석-산화물로부터 만들어진 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  4. 제1항에 있어서, 도관(3,4,16,18)이 근본적으로 그것에 배열된 영상전(10,20)의 표면 내에 덮여 있는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  5. 제1항에 있어서, 도관(22,28)이 전극(20)으로서 작은 평면을 수용하는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  6. 제1항에 있어서, 전극(10)과 도관(3) 사이에 전도성 차폐층(8) 및 다른 절연층 (9)가 배열되는 것으로 특징으로하는 액정 셀.
  7. 제1항에 있어서, 도관(3)과 전극(10)의 접속을 위하여 금속-절연체-금속-요소(MIM요소)(5)가 설치되고, 두개의 기판상에 서로 나란히 놓인 도관(3,4)과 그 위에 절연층(6) 및 전극(10)이 배치되고, MIM-요소(5)가 전극(10) 및 도관(3)의 빈자리에 배열되며, 기판(1)상의 도관(3)이 다른 기판(2)의 도관에 수직하게 뻗어있는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  8. 제7항에 있어서, 경우에 따라 전극(10)이 MIM-요소(5)의 접속부(11)와 전도성 접속되고 도관(3)의 일부가 MIM-요소(12)의 다른 접속부와 전도성접속을 이루도록 전극(10), 도관(3) 및 절연층 (6)이 겹쳐진 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  9. 제1항에 있어서, 도관(16,18)과 전극(20)의 접속을 위하여 트랜지스터(22) 특히 얇은 막트랜지스터로서 구현되는 전계효과 트랜지스터가 장치되고, 기판(1)에는 서로 평행한 도관(16,18) 및 전극(20)의 서로 중첩된 두개의 교차집합이 장치되고, 도관(16)의 제1집합, 도관(18)의 제2집합 및 전극(20)이 절연층(17,18)에 의해 서로 분할되며 다른 기판(2)에는 공동전극(15)이 설치되는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  10. 제9항에 있어서, 트랜지스터(22)가 제2집합의 전극(20) 및 도관(18)의 빈자리에 배열되는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  11. 제9항에 있어서, 경우에 따라 전극(20)이 트랜지스터의 제1접속부(23)과 접속되고, 제2집합의 도관(18)의 일부가 트랜지스터(22)의 제2접속부(24)와 접속되며, 경우에 따라 제1집합의 도관(16)이 트랜지스터(22)의 제3의 접속부를 형성하도록 전극(20), 도관(16,18) 및 절연층(17,19)가 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  12. 제9항에 있어서, 도관(26,28)이 전극(20)으로서의 작은 평면을 덮고 있으며, 제2집합의 도관과 제1집합의 도관이 한 평면내에 배열된 것을 특징으로 하는 액정 셀.
  13. 제12항에 있어서, 도관(26,28)이 경우에 따라 전극당 한개의 좁은 영역(27)과 도관의 길이방향으로 폭이 증가하는 영역을 보여주는 것을 특징으로 하는 액정 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860005003A 1985-07-05 1986-06-23 액정 셀 KR870001486A (ko)

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