KR850006807A - 박막 트랜지스터와 그 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터와 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR850006807A
KR850006807A KR1019850002098A KR850002098A KR850006807A KR 850006807 A KR850006807 A KR 850006807A KR 1019850002098 A KR1019850002098 A KR 1019850002098A KR 850002098 A KR850002098 A KR 850002098A KR 850006807 A KR850006807 A KR 850006807A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
amorphous silicon
layer
hydrogenated amorphous
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
KR1019850002098A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890004455B1 (ko
Inventor
도시히사 쓰가다 (외 3)
Original Assignee
미따 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사구소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미따 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌 세이사구소 filed Critical 미따 가쓰시게
Publication of KR850006807A publication Critical patent/KR850006807A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR890004455B1 publication Critical patent/KR890004455B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1604—Amorphous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42304—Base electrodes for bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/7317—Bipolar thin film transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/7606—Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

박막 트랜지스터와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예를 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 유리기판 4 : a-Si 의 인트린식층
5 : a-Si 층(아몰퍼스 실리콘층)
6 : Cr층 10 : 에미터전극
11 : 베어스전극 12 : 콜렉터전극
14 ; Ta 하부전극 15, 16 : 계면반응층
17, 21, 22 ; P층

Claims (19)

  1. 에미터, 제어전극, 콜렉터로 이루어진 아몰퍼스 실리콘 박막트랜지스터에 있어서, 아몰퍼스 실리콘과 금속과의 계면 반응에 의해서 형성된 도전성층을 제어전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속의 Cr,Mo,W,Ta,Ti,Ni,Pt,V,Zr,Nb,Hf,Pd,Rh,Co의 군으로부터 선택된 적어도 한가지를 함유하는 금속이고, 상기 도체층이 당해 금속과 아몰퍼스 실리콘과의 계면 반응에 의해서 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  3. 유리기판과 이 기판상에 형성된 하부 전극과, 이 하부전극으로부터 끌어낸 에미터 단자와, 상기 하부 전극상에 형성된 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 이 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층 상에 형성된 제1의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 지 제1의 진성 수소화 이몰퍼스 실리콘층 상에 형성된 금속과 아몰퍼스 실리콘과의 계면 반응층과, 이 계면에 형성된 베이스 전극과, 상기 계면 반응층 상에 형성된 제2의진성 수소화 아몰퍼스 실리콘 층과, 이 제2의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층 상에 형성된 제2의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 이 제2의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층 상에 형성된 콜렉터 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  4. 제2항에 있어서 상기 금속이 Cr,Mo,W,Ta,Ti,Ni,Pt,V,Zr,Nb,Hf,Pd,Rh,Co의 군으로부터 선택된 적어도 한가지를 함유하는 금속인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 계면 반응층은, 스트라이프 형상으로 형성되어 이루어진 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 계면 반응층은 10nm이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  7. 제4항에 있어서, 상기 계면 반응층은 상기 제1의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층상전면에 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  8. 제7항에 있어서, 상기 계면 반응층은, 10nm이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  9. 유리 기판과 이 기판상에 형성된 하부 전극과, 이 하부전극상에 형성된 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 이 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 제1의 진성 수소화아몰퍼스 실리콘층과, 이 제1의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 제1의 P형수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 이 제1의 P형 수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 금속과 아몰퍼스 실리콘과의 계면반응층과, 이 계면 반응층상에 형성된 제2의 P형 수소화아몰퍼스 실리콘과, 이 제2의 P형 수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 제2의 진성수소화 아몰퍼스 실리콘층과, 이 제2의 진성수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 제2의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층과의 제2의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘상에 형성된 금속층을 가지고, 상기하부 전극을 미터 상기 계면 반응층을 베이스, 상기 금속층을 콜렉터로한 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속이, Cr,Mo,W,Ta,Ti,Ni,Pt,V,Zr,Nb,Hf,Pd,Rh,Co의 군으로부터 선택된 적어도 한가지를 함유하는 금속인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  11. 제9항에 있어서, 상기 계면 반응층은 스트라이프 형상으로 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  12. 제11항에 있어서, 상기 계면 반응층은, 10nm이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  13. 제10항에 있어서, 상기 계면 반응층은 상기 제1의 P형 수소화 아몰퍼스 실리콘층상의 전면에 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  14. 제13항에 있어서, 상기 계면 반응층은, 10nm이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  15. 하기 공정을 포함하는 것을 특징으로하는 박막 트랜지스터의 제조방법. a) 유리 기판상에 하부 전극을 중착하는 공정. b) 하부 전극상에 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 공정. c) 제1의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층상에 제1의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 공정. d) 금속층을 전면에 형상하는 공정. e) 이 금속층과, 금속층과 아몰퍼스 실리콘층의 계면 반응층을 소망하는 형상으로 형성하는 공정. f) 계면 반응층 상에 제2의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 공정. g) 제2의 진성 수소화 아몰퍼스 실리콘층 상에 제2의 n형 수소화 아몰퍼스 실리콘층을 형성하는 공정. h) 소망의 전극 배선을 형성하는 공정.
  16. 제15항에 있어서, 상기 금속이, Cr,Mo,W,Ta,Ti,Ni,Pt,V,Zr,Nb,Hf,Pd,Rh,Co의 군으로부터 선택된 적어도 한가지를 함유하는 금속층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 계면 반응층을 10mm 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 계면 반응층을 스트라이프 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 계면 반응층을 스트라이프형상으로 형성하며, 또한 상기 금속층을 증착시키는 온도는 100~300℃인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850002098A 1984-03-30 1985-03-29 박막 트랜지스터와 그 제조방법 KR890004455B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59-60669 1984-03-30
JP59060669A JPS60206073A (ja) 1984-03-30 1984-03-30 薄膜トランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850006807A true KR850006807A (ko) 1985-10-16
KR890004455B1 KR890004455B1 (ko) 1989-11-04

Family

ID=13148960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850002098A KR890004455B1 (ko) 1984-03-30 1985-03-29 박막 트랜지스터와 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0156647B1 (ko)
JP (1) JPS60206073A (ko)
KR (1) KR890004455B1 (ko)
DE (1) DE3571725D1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774207A (en) * 1987-04-20 1988-09-27 General Electric Company Method for producing high yield electrical contacts to N+ amorphous silicon
JPS63285972A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Fujitsu Ltd バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
US6978001B1 (en) * 2001-12-31 2005-12-20 Cisco Technology, Inc. Method and system for controlling audio content during multiparty communication sessions
JP5182775B2 (ja) 2006-03-22 2013-04-17 国立大学法人大阪大学 トランジスタ素子及びその製造方法、電子デバイス、発光素子並びにディスプレイ
US8629865B2 (en) 2007-12-14 2014-01-14 Koninklijke Philips N.V. Organic light-emitting device with adjustable charge carrier injection
JP5370810B2 (ja) * 2008-09-19 2013-12-18 富士電機株式会社 トランジスタ素子およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4127861A (en) 1977-09-26 1978-11-28 International Business Machines Corporation Metal base transistor with thin film amorphous semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
EP0156647A2 (en) 1985-10-02
EP0156647A3 (en) 1987-07-29
KR890004455B1 (ko) 1989-11-04
JPS60206073A (ja) 1985-10-17
DE3571725D1 (en) 1989-08-24
EP0156647B1 (en) 1989-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4924279A (en) Thin film transistor
KR940004420B1 (ko) 박막트랜지스터
KR100415915B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
EP0239958B1 (en) Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same
GB2148592A (en) Thin film transistor with metal-diffused regions and method for making the same
US4502204A (en) Method of manufacturing insulated gate thin film field effect transistors
EP0168125A1 (en) Wiring layers in semiconductor devices
US4618873A (en) Thin film device
CN100446274C (zh) 像素电极的开关元件及其制造方法
GB1530237A (en) Method of fabricating metal semiconductor interfaces
JP2000501569A (ja) 窒化クロムを含む電極を含む電子的デバイス及びこのデバイスの製造方法
DE69120574T2 (de) Ohmscher Kontakt-Dünnschichttransistor
US4349395A (en) Method for producing MOS semiconductor device
KR850006807A (ko) 박막 트랜지스터와 그 제조방법
US4704784A (en) Method of making thin film field effect transistors for a liquid crystal display device
EP0299185A2 (en) Thin film field effect transistor
JPS60211982A (ja) 薄膜トランジスタ
JPH0546106B2 (ko)
EP0215289A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer hochsperrenden Diodenanordnung auf der Basis von a-Si:H für Bildsensorzeilen
JPS6450567A (en) Thin film transistor and manufacture thereof
JPS628569A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
US3760492A (en) Procedure for making semiconductor devices of small dimensions
JPS63292682A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JPH0451529A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR100318532B1 (ko) 비정질실리콘박막트랜지스터및그제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19931103

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee