KR850000780A - 층상구조로 된 무정형 프닉라이드물질에 의한 iii-v 장치의 부동화 및 절연 - Google Patents

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로버트 씨 술리반
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Abstract

내용 없음.

Description

층상구조로 된 무정형 프닉라이드물질에 의한 III-V 장치의 부동화 및 절연
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 상이한 기판 온도에서 성장한 라만스펙트럼을 나타내는 도, 제2도는 주름잡힌 판층산구조에 대한 이론적 예측에 따라 저온도에서 성장한 박막의 라만스펙트럼의 비교도, 제3도는 본 발명에 의한 절연층을 가진 인화 인듐에 대한 정상 캐패시턴스 대 전압을 나타내는 도.

Claims (95)

  1. 반도체면상에 프닉타이드 농후층의 사용.
  2. 상기 반도체는 III-V 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재이 프닉타이드 농후층의 사용.
  3. 상기 반도체는 프닉타이드로 이루어진 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  4. 상기 층은 절연체인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  5. 상기 층은 상기 반도체의 표면을 부동화하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  6. 상기 층은 상기 반도체의 표면에서의 표면상태의 밀도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  7. 상기 층은 상기 반도체의 표면에서의 전하캐리어의 재결합속도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  8. 상기 층은 상기 반도체의 포토루미네슨스를 증가시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  9. 금속절연반도체장치에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  10. 금속반도체장치에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  11. MISFET에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  12. MESFTE에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  13. 옵토전자장치에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드농후층의 사용.
  14. 발광장치에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 노후층의 사용.
  15. 수광장치에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  16. P-I-N 포토다이오우드에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  17. 애벌랜쉬 포토다이오우드에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  18. 태영전지에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  19. 레이저에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  20. 포토캐소우드에 있어서의 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  21. 상기 프닉타이드 농후층은 상기 반도체의 상이한 조성물로 된 층을 횡단하여 뻗어있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  22. 상기 프닉타이드 농후층은 절연체이며, 상기 반도체면을 부동화하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  23. 상기 반도체장치는 그 위에 침적된 프닉타이드 층을 갖춘 프닉타이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  24. 상기 반도체는 III-V 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체 장치.
  25. 상기 반도체는 프닉타이드로 이루어진 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  26. 상기 층은 절연체인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  27. 상기 층은 상기 반도체의 표면을 부동화하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  28. 상기 층은 상기 반도체의 표면 스태틱의 밀도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  29. 상기 층은 상기 반도체의 표면의 전하캐리어의 재결합속도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  30. 상기 층은 상기 반도체의 포토루미네슨스를 증가시키는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  31. 금속절연 반도체장치에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  32. 금속반도체장치에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  33. MISFET에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  34. MESFET에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  35. 옵토전자장치에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  36. 발광장치에있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  37. 수광장치에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  38. P-I-N 다이오우드에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  39. 애벌랜쉬 다이오우드에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  40. 태양전지에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  41. 레이저에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  42. 포토캐소우드에 있어서의 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  43. 상기 프닉타이드 농후층은 상기 반도체의 상이한 조성물로 된 층을 횡단하여 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  44. 상기 프닉타이드 농후층은 절연체로, 상기 반도체의 표면을 부동화하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 23 기재의 반도체장치.
  45. 상기 반도체장치 III-V 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 4 기재의 프닉타이드 농후층의 사용.
  46. 상기 층은 폴리프닉타이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 26 기재의 반도체장치.
  47. 상기 층은 폴리프닉타이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 26 기재의 반도체장치.
  48. III-V 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 47 기재의 반도체장치.
  49. 상기 프닉타이드 농후 절연층을 침전시키는 것으로 이루어지는 반도체장치의 절연방법.
  50. 상기 반도체장치는 III-V 반도체장치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 49 기재의 반도체장치의 절연방법.
  51. 폴리프닉타이드 층을 형성하기 위하여 프닉타이드 및 알칼리금속을 함께 증착함으로써 반도체 장치를 절연시키는 방법.
  52. 상기 반도체장치는 III-V 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 51 기재의 반도체 장치의 절연방법.
  53. 신규의 프닉타이드는 층상 국부질서성을 가진 무정형 프닉타이드 농후층 물질층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 신규한 프닉타이드.
  54. 상기 국부질서성을 주름잡힌 시이트상인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 53 기재의 신규한 프닉타이드.
  55. 300℃ 이하의 온도에서 기판 위에 형성된 특허청구의 범위 54 기재의 신규한 프닉타이드.
  56. 실질적으로 20℃에서 기판 위에서 형성되는 특허청구의 범위 55 기재의 신규한 프닉타이드.
  57. 상기 층은 층상 국부질서성을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52기재중 어느 1기재의 방법.
  58. 상기 층을 P2기체 종류로부터 침적에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  59. 상기 층은 스퍼터링에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  60. 상기 층은 분자비임 침적에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  61. 상기 층은 진공침적에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  62. 상기 반도체는 III-V 장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 46 기재의 반도체장치.
  63. 상기 층은 화학기체침적에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52기재중의 어느 1 기재의 방법.
  64. 상기 반도체는 GaAs인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,23,46,47,49 또는 51 기재중 어느 1 기재의 방법.
  65. 상기 반도체는 InP인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,23,46,47,49 또는 51 기재중의 어느 1 기재의 방법.
  66. 상기 반도체인 GaP인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,23,46,47,49 또는 51 기재중의 어는 1 기재의 방법.
  67. 상기 프닉타이드는 원소적인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중의 어느 1 기재의 방법.
  68. 상기 프닉타이드는 인 인것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  69. 상기 프닉타이드는 비소인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  70. 상기 프닉타이드는 안티몬인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  71. 상기 프닉타이드는 창연인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  72. 상기 프닉타이드는 층상 국부질서성을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  73. 상기 프닉타이드는 층상 주름잡힌 시이트상 국부질서성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 67 기재의 방법.
  74. 상기 프닉타이드는 알칼리금속 프닉타이드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  75. 상기 프닉타이드는 인 인것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74 기재의 방법.
  76. 상기 프닉타이드는 비소인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74 기재의 방법.
  77. 상기 프닉타이드는 안티몬인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74기재의 방법.
  78. 상기 프닉타이드는 창연인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74 기재의 방법.
  79. 상기 프닉타이드는 층상 국부질서성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74 기재의 방법.
  80. 상기 프닉타이드는 주름잡힌 시이트상 국부질서성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의범위 74 기재의 방법.
  81. 상기 알칼리금속은 칼륨인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 74 기재의 방법.
  82. 상기 프닉타이드는 식 MP15(단 M은 알칼리금속, P는 프닉타이드)를 가진 폴리프닉타아드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  83. 상기 프닉타이드는 식 MPx(단 M은 알칼리 금속, P는 15~무한대)를 가진 폴리프닉타이드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  84. MIS장치에 있어서의 특허청구의 범위 1,2,323,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1기재에 의한 방법.
  85. MISFET 장치에 있어서의 특허청구의 범위 84 기재의 방법.
  86. 상기 반도체는 금속반도체장치내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52 기재중 어느 1 기재의 방법.
  87. 상기 장치로 MESFET인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 86 기재의 방법.
  88. 상기 반도체는 옵토전자장치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1,2,3,23,24,25,46,47,48,49,50,51 또는 52기재중 어느 1 기재의 방법.
  89. 상기 장치는 발광장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  90. 상기 장치는 광검출장치인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  91. 상기 장치는 레이저인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  92. 상기 장치는 P-I-N 다이오우드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  93. 상기 장치는 애벌랜쉬 다이오우드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  94. 상기 장치는 태양전지인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
  95. 상기 장치는 포토캐소우드인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 88 기재의 방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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