KR840001231A - 아연-니켈 합금 착물의 전착 조성물 및 이의 방법 - Google Patents
아연-니켈 합금 착물의 전착 조성물 및 이의 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명과 공지방법에서 수득한 전착물에 대한 막두께 분포 측정의 결과를 나타낸 그라프이다.
Claims (13)
10g/ℓ이상의 아연, 15g/ℓ이상의 니켈, 2Og/ℓ이의 암모니움이온 및 아연-니켈 합금 전착물의 입자미세화를 제공해주며 최소한 반광택을 제공해 주는 충분한 량의 비이온계 폴리옥시알킬화 계면활성제를 포함하며, 조의 니켈/아연의 중량비가 0.5이상이며 이의 pH가 약 4.7내지 약 8.0임을 특징으로하는 아연-니켈합금 전착용 수용성 조성물.
제1항에 있어서, 아연은 약 10내지 90g/ℓ의 량으로 존재하고, 니켈은 약 15내지 60g/ℓ의 량으로 존재하고, 암모니움이온은 약 20내지 120g/ℓ량으로 존재하고, 비이온계 폴리옥시알킬화 계면활성제는 약0.1 내지 약 200g/ℓ량으로 존재하고, 니켈/아연의 중량비는 약 0.5내지 약 10이고, 이의 pH는 약 5.0내지 약 7.0임 을 특징으로하는 상기 조성물.
제1항에 있어서, 방향족 알데히드류와 방향족 케톤류로부터 선택된 아연-니켈 전착물에 거울같은 광택을 제공해 줄 수 있는 충분한 량의 2차 광택제가 존재하는 상기 조성물.
제2항에 있어서, 방향족 알데히드류와 방향족 케톤류로부터 선택된 약 0.01내지 약 2g/ℓ량의 2차 광택제가 존재하는 상기 조성물.
제1항에 있어서, 저급알킬 카복실산과 이들의 염으로부터 선택된 약 0.5내지 25g/ℓ량의 보조 저전류 밀도 광택제가 또한 존재하는 상기 조성물.
제2항에 있어서, 저급알킬 카복실산과 이들의 염으로부터 선택된 약 0.1내지 약 10g/ℓ량의 보조 저전류 밀도 광택제가 또한 존재하는 상기 조성물.
제3항에 있어서, 저급알킬 카복실과 이들의 염으로부터 선택된 약 0.5내지 약 25g/ℓ량의 보조 저전류 밀도 광택제가 존재하는 상기 조성물.
제4항에 있어서, 저급알킬 카복실산과 이들의 염으로부터 선택된 약 1.0내지 약 10g/ℓ량의 보조 저전류 밀도 지역광택제가 존재하는 상기 조성물.
제2항에 있어서, 비이온계 폴리옥시알킬화 계면활성제가 에폭시화 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올인 상기 조성물.
제4항에 있어서, 비이온계 폴리옥시알킬화 계면활성제가 에톡실화, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올이며 2차 광택제가 벤잘아세톤인 상기 조성물.
제6항에 있어서, 비이온계 폴이옥시알킬화 계면활성제가 에톡실화 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올이며, 보조 저전류 밀도지역 광택제가 소디움아세테이트인 상기 조성물.
제8항에 있어서, 비이온계 폴리옥시알킬화 계면활성제가 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올이며, 2차 광택제가 벤잘아세톤이며, 보조저전류 밀도지역 광택제가 소디움 아세테이트인 상기 조성물.
제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항, 제11항 또는 제12항에 있어서, 음극 기질상에 원하는 아연-니켈합금 전착물의 전착을 제공하기에 충분한 기간동안 연속적으로 양극과 음극사이의 상기 수용성 조성물을 통해 전류를 통과시킴을 특징으로하는 광택 및 균일한 아연-니켈 합금 전착물의 제조방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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