KR830005282A - 실리코운 중합체 조성물 및 그 제법 - Google Patents

실리코운 중합체 조성물 및 그 제법 Download PDF

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KR830005282A
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Abstract

내용 없음

Description

실리코운 중합체 조성물 및 그 제법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (24)

  1. 본문에 상술한 바와 같이 실란올이 말단에 위치한 오르가 노폴리실록산과 하기 구조식의 실릴화 폴리에테르로 이루어지는 직물처리용 실리코운 중합체 조성물.
    식중, 최소한 1개의 R은 -NH기, 암모늄기 또는 구조식,
    또는
    의 기로 구성되는 그루우프에서 선택되며, 여기에서 R로 표시되는 기는 에스테르, 아민, 아미드 또는 암모늄기를 통하여 폴리에에테르에 결합되고, 그리고 잔여의 R그루우프는 18개 이하의 탄소원자를 가진 하이드로카아본 옥시기, 히드록실기 또는 구조식,의 기로 구성되는 그루우프에서 선택되며; R1은 (CH2)y'-CH=CH로 구성되는 그루우프에서 선택된 2가의 탄화수소기 및 C2H4, C6H8, C6H10및 C10H6로 구성되는 그루우프에서 선택된 환상(環狀)의 2가기이고; A는 구조식,
    의 카타온기 또는 아니온기와 그리고 구조식,
    의 비이온기로 구성된 그루우프에서 선택된 기를 함유하는 실리콘이고, 여기에서 동일하거나 똔느 동일하지 않은 R2및 R3은 1∼18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소기이며, R4는 구조식,
    로 구성되는 그르우프에서 선택된 수소, 탄소, 산소 및 질소원자로 이루어지는 실리콘에 결합된 이온기이고, R5는 R6으로 표시되는 비이온 2가기 이거나 또는 구조식,
    으로 구성되는 그르우프에서 선택된 탄소, 수소, 산소 및 질소원자로 이루어진 기이며, R6은 포화 2가탄화수소기, 2가의 하이드로 카아본옥시기(산소 가에에테르 결합형태로된) 및 불포화 2가탄화수소기(충족되지 않은 원자가 실리콘 원자에 결합된)로 구성된 그루우프에서 선택된 1∼10개의 탄소원자를 가진 기이고, A의 충족되지 않은 원자가는 R에 의하여 충족되며, 그리고 A가 2가의 기이며 디카티온 또는 디아니온을 함유할 때에는 R대 A의 비율은 1:2이며, 그리고 R이 아니온일때에는 A는 비이온기가 되어야 하고, 는 0∼4이며, b,c 및 d는 각기 0∼1이고, b,c 및 d의 합계는 최소한 1이되어져야 하며, R은 히드록실 또는 하이드로카본옥시기 또는 구조식,의 기로 구성된 그루우프에서 선택되어야 하고, e는 0∼2이며, fx 0 또는 1이고, 그리고 f가 0일때에는 R5는 탄소-탄소결합을 통하여 실리콘원자에 결합된 2가의 하이드로가아불옥시기이고, n은 2,3 또는 4이며, x는 최소한 1에서 600까지(가급접으로 10250)이고, y은 0∼8의 정수이다.
  2. A가 하기 구조식의 기인 특허청구의 범위 1기재의 실리코운 중합체 조성물.
    식중, R2및 R3은 1-18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소이며,
    R4는 하기구조식,
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 수소, 탄소, 산소, 및 질소원자로 이루어지는 실리콘에 결합된 이온기이고, 그리고, e는 0-2의 정수임.
  3. A가 하기 구조식의 기인 특허청구의 범위 1기재의 실리코운 중합체 조성물.
    식중, R3이 1∼18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소기이며, R4는 하기 구조식,
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 수소, 탄소, 산소 및 질소로 이루어지는 실리콘에 결합된 이온기이고, 그리고 e는 0∼2의 정소이다.
  4. A가 하기 구조식의 기를 함유하는 비이온 실리콘인 특허청구의 범위 1기재의 실리코운 중합체 조성물.
    식중, R2및 R3은 각기 1∼18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소기이며, R5는 R6으로 구성되는 그루우프에서 선택된 비이온 2가기이거나 또는 하기 구조식,
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 탄소, 수소, 산소 및 질소원자로 이루어진 기이며, R6은 포화 2가탄화수소기, 2가의 하이드로카아본옥시기(산소가 에에테르 결합 형태로된) 및 불포화수소기(충족되지 않은 원자가 실리콘 원자에 결합된)로 구성된 그루우프에서 선택된 1∼10개의 탄소원자를 가진 기이고, 그리고 e는 0∼2의 정소이다.
  5. A가 하기 구조식의 기인 특허청구의 범위 1 기재의 실리코운 중합체 조성물.
    식중, R3은 1∼18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소기이며, R5는 R6으로 구성된 그루우프에서 선택된 비이온 2가기이거나, 또는 하기 구조식,
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 탄소, 수소, 산소 및 질소원자로 이루어진 기이며, R6은 포화 2가 탄화수소기, 2가의 하이드로카아본옥시기(산소가 에에테르 결합 및 불포화탄화수소기의 형태로 된)로 구성된 그루우프에서 선택된 1∼10개의 탄소원자를 가진 기이고, 그리고 e는 0∼2의 정수이다.
  6. R이 암모늄이온이고, A가 하기 구조식의 기인 특허청구의 범위 1 기재의 실리코운 중합체 조성물.
  7. R이 암모늄이온이고, A가 하기 구조식의 기인 특허청구의 범위 1 기재의 실리코온 중합체 조성물.
  8. 실릴화 폴리에에테르 대 실란올이 말다에 위치한 오르가노폴리실록산의 조성비율이 0.25:99.75∼99.75:0.25중량%로 이루어지는 특허청구의 범위 1 기재의 실리코운 중합체 조성물.
  9. 실란올이 말단에 위치한 오르가노폴리실록산은 25℃의 온도하에서, 1,000,000CS의 점도를 지닌 실란올이 말단에 위치한 디오르가노폴리실록산인 특허청구의 범위 1 기재의 실리코운 중합체 조성물.
  10. 실란올이 말단에 위치한 오르가노폴리실록산을 하기 일반구조식의 실릴화 폴리에에테르와 반응시킴으로 이루어지느 직물처리용 실리코운 중합체 조성물의 제법.
    식중, 최소한 1개의 R은 -NH기, 암모늄기 또는 구조식,또는의 기로 구성되는 구루우프에서 선택되며, 여기에서 R로 표시되는 기는 에스테르, 아민, 아미드, 또는 암모늄기를 통하여 폴리에에테르에 결합되고, 그리고 잔여의 R그루우프는 18개이하의 탄소원자를 가진 하이드로카아본옥시기, 히디록실기 또는 구조식,의 기로 구성되는 그루우프에서 선택되며; R1은 (CH2)y'-CH=CH로 구성되는 그루우프에서 선택된 2가의 탄화수소기 및 C6H4, CH6H8, C6H10및 C10H6로 구성되는 그루우프에서 선택된 환상(環狀)의 2가기이고; A는 구조식,의 카티온기 또는 아니온기와 그리고 구조식,의 비이온기로 구성된 그루우프에서 선택된 기를 함유하는 실리콘이고, 여기에서 동일하거나 또는 동일하지 않은 R2및 R3은 1∼18개의 탄소원자를 가진 1가의 탄화수소기이며, R4는 구조식,
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 수소, 탄소, 산소 및 질소원자로 이루어지는 실리콘에 결합된 이온기이고, R5는 R6으로 표시되는 비이온 2가기이거나 또는 구조식
    으로 구성되는 그루우프에서 선택된 탄소, 수소, 산소 및 질소원자로 이루어진 기이며, R6은 포화 2가 탄화수소기, 2가의 하이드로카아본옥시기(산소가 에에테르 결합형태로 된) 및 불포화 2가 탄화수소기(충족되지 않은 원자가가 실리콘원자에 결합된)로 구성된 그루우프에서 선택된 1∼10개의 탄소원자를 가진 기이고, A의 충족되지 않은 원자가는 R에 의하여 충족되며, 그리고 A가 2가지 기이며, 티카티온 또는 디아니올을 함유할 때에는 R대 A의 비율은 1:2이며, 그리고 R이 아니온일 때에는 A는 비이온기가 되어야 하고, a는 0∼4이며, b,c 및 d는 각기 0∼1이고, b,c 및 d의 합계는 최소한 1이 되어져야 하며, R은 히드록실 또는 하이드로카본옥시기 또는 구조식,의 기로 구성된 그루우프에서 선택되어야 하고, e는 0∼2이며, f는 0또는 1이고, 그리고 f가 0일때에는 R5는 탄소-탄소 결합을 통하여 실리콘원자에 결합된 2가의 하이드로카아본옥시기이고, n은 2,3 또는 4이며, x는 최소한 1에서 600까지(가급적으로 10∼250)이고, y는 0∼8의 정수이다.
  11. 실란올이 말단에 위치한 오르가노폴리실록산 및 실릴화 폴리에테르가 상승된 온도하에서 가열되는 특허청구의 범위 10기재의 실리코운 중합체 조성물의 제법.
  12. 특허청구의 범위 11 기재의 제법에 의하여 제조된 실리코운 중합체 조성물.
  13. 직물을 특허청구의 범위 1 기재의 조성물로 코우팅 처리한 후에 상기 처리된 물질을 상승된 온도하에서 경화(硬化)시킴으로써 이루어지는 직물 처리방법.
  14. 특허청구의 범위 1기재의 조성물이 진물을 코우팅 처리하기 전에 희석분내에 용해되는 특허청구의 범위 13 기재의 직물처리방법.
  15. 특허청구의 범위 1 기재의 조성물이 희석분내에 용해되어 조성물 및 희석분전체 중량을 기준으로 하여 0.25∼99.75중량%의 조성물을 함유하는 용액이 형성되는 특허청구의 범위 14기재의 직물처리방법.
  16. 희석분으로서 물이 사용되는 특허청구의 범위 14 기재의 직물처리방법.
  17. 직물이 특허청구의 범위 11 기재의 조성물에 의하여 코우팅 처리되는 특허청구의 범위 13 기재의 직물처리방법.
  18. 특허청구의 범위 11 기재의 조성물이 직물을 코우팅 처리하기 전에 희석 분내에 용해되는 특허청구의 범위 17 기재의 직물처리방법.
  19. 직물이 폴리에스테르인 특허청구의 범위 13 기재의 직물처리방법.
  20. 직물이 폴리에스테르인 특허청구의 범위 17 기재의 직물처리방법.
  21. 특허청구의 범위 13 기재의 코우팅 처리된 직물.
  22. 특허청구의 범위 17 기재의 코우팅 처리된 직물.
  23. 특허청구의 범위 19 기재의 코우팅 처리된 직물.
  24. 특허청구의 범위 20 기재의 코우팅 처리된 직물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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