KR830002640B1

KR830002640B1 - 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법

Info

Publication number: KR830002640B1
Application number: KR1019800003479A
Authority: KR
Inventors: 료오지 이마제끼; 미찌야 이노우에
Original assignee: 후지쓰후 아나크 가부시끼가이샤; 이나바 세이우에몽
Priority date: 1980-09-04
Filing date: 1980-09-04
Publication date: 1983-12-06
Also published as: KR830003755A

Abstract

내용 없음.

Description

불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법

제1도는 본 발명의 일실시예를 나타낸 블록도.

제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 후의 버블 메모리의 기억 상태의 설명도.

본 발명은 불 휘발성 메로리에 있어서 데이러 재기록시에 정전이 발생하여도 재개시 용이하게 정전을 검출할 수 있는 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법에 관한 것이다.

콤퓨터 수치 제어장치(CNC)에 있어서는 가공 프로그램을 메모리에 기억시켜 두고, 그 메모리로 부터 순차로 수치 제어 정보를 판독하여 지령대로의 수치 제어 처리를 실행한다. 이와 같은 메모리로서는 최근 자기 버블 메로리가 사용되고 있는데, 이 자기 버블 메모리는 대용량 및 불휘발성으로써, 원가가 저렴한 이점이 있으나 처리 시간이 비교적 긴 결점이 있다. 즉, 자기 버블 메모리는 페이지 단위(page units), 이를테면, 64바이트 단위로 정보의 판독/기록이 행해지지만 그 엑세스 시간은 수msec/페이지로서 비교적 길어 자기 버블메모리에 기억되어 있는 가공 프로그램의 일부를 삭제하고, 정정하고, 또 새로운 수치 제어 정보를 추가하는 편집처리에 상당한 시간을 필요로 한다. 특히, 단번에 복수의 엑세스 단위(access units)(자기 버블 메모리에서는 페이지 단위)에 걸쳐서 수치 제어 정보를 수정하는 경우에는 상당히 긴 시간이 필요하게 되며 이에 정전이 발생하면 그 대책이 문제가 된다. 그런데, 편집 처리중에 정전이 발생한 경우 그것 우연히 메모리에의 기록이 한참일 때는 기억 내용 그 자체가 혼돈되므로 페리티 비트(Parity bit)를 검사하는 등의 방법에 의하여 재개후에 정전이 발생한 사실을 검출할 수 있으나, 상기 이외의 경우, 예를들면, 수정된 기록 데이터의 준비중 메모리에 엑세스하지 않은 때에 정전이 발생한 경우에는 메모리의 기억 내용의 일부는 편집재기록 후에 데이터로 그리고 일부는 편집 재기록 전의 데이터로 되므로, 전체로서 의미가 없는 데이터로 되어 있음에도 불구하고 패리티 검사등의 방법으로써는 정전이 발생한 사실을 검출할 수가 있다. 따라서 정확하게 수정되어 있지 않은 가공 프로그램에 의하여 가공을 행하는 사태가 발생하여 가공이 허사가 되든지 또는 가공 능률을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 불 휘발성 메모리의 기억 데이터의 재기록시에 정전이 발생하여도 재개후 용이하게 정전이 검지될 수 있는 방법이 요구된다.

본 발명의 목적은 불 휘발성 메모리에 있어서, 기억데이터의 제기록시에 정전이 발생하여도 재개후에 정전의 검지가 가능한 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 정전이 발생하여도 재개후에 불 휘발성 메모리의 내용 자체에 의하여 정전을 검지할 수 있는 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 정전이 발생하여도 재개후에 잘못된 기억내용에 의하여 처리 행해지지 않도록하는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법을 제공하는데 있다.

본원 발명의 방법을 요약하면 , 자기 버블 메모리 중에 데이터의 재기록이 완전히 완료해 있는지의 여부의 판정을 행하는 표시문자 영역을 미리 설정해 놓는 단계와 데이터의 재기록에 있어서 상기 표시문자 영역에 데이터의 재기록을 행함을 나타내는 변경 개시정보를 기록하는 단계와 장치에 의하여 통상 행해지고 있는 바와 같은 데이터의 재기록을 행하는 단계와 데이터의 재록이 종료한 때에 상기 표시문자 영역에 데이터의 재기록이 종료 하였음을 나타내는 변경 종료 정보를 기록하는 단계로 구성된다.

이하 첨부 도면에 의거 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명의 일 실시예를 설명하는 블록도이고, 제2도는 수정후의 버블 메모리의 기억 상태를 설명하는 설명도이다.

도면중 예시부호 1은 자기 버블 메모리로서 가공 프로그램등을 기억하고 있다. 도면중 예시부호 10a, 10b, 10c……10n는 페이지 영역으로서 가공 프로그램은 페이지 단위로 분할되어서 그 페이지 영역(10_a)(10_b),……(10_c)에 기억되며, 이 페이지 단위로 데이터의 판독/기록이 행해진다. 그리고, 이페이지 영역 (10_a),(10_b),(10_c) ……(10_n)에는 다음에 판독할 페이지 영역의 페이지 어드레스 지침이 기억되어 있다. 예를들면 페이지 영역 (10_a),(10_b),(10_c) ……(10_n)의 페이지어드레스가 P₀,P₁,P₂,……이며, 또 페이지 영역 (10_a),(10_b),(10_c) ……(10_n)의 순서로 가공 데이터를 판독한다고 하면 페이지 영역 10a에는 페이지 어드레스 P₁이, 페이지 영역 10b에는 페이지 번지 P₂가 순차적으로 기억되어 있다. 예시부호 13은 표시문자 영역으로서 기억된 가공 프로로그램의 수정등 편집 재시전에 그 표시문자 영역의 소정의 비트(변경 개시 지시용 표시문자 비트라 한다)가 "1"로 세트되며, 편집 작업 완료후에 변경개시 지시용 표시문자 비트는 "0"에 리세트 된다.

예시부호 12는 공 페이지 정보(페이지 어드레스 P _i 과 공 페이지 인지의 여부의 대융관계)를 기억하는 공페이지 기억영역(blank page storage area)으로서 페이지 어드레스 P _i (i=0,1,2,……)의 페이지 영역에 가공 데이터와 같은 정보가 기록되어 있지 않으면 "0"가 공데이터 등의 정보가 기록되어 있으면, "1"이 기록된다. 예시부호 11은 페이지 어드레스 시이퀀스 번호의 대응관계를 기억하는 사이퀀스 번호 기억 영역이다. 그리고 상기, 표시문자 영역(13), 공 페이지 기억영역(12), 시이퀀스 어드레스 기억영역(11)의 페이지 어드레스는 각각 P _f ,P _e ,P _S 이다. 예시번호 2는 반도체메모리로서 RAM(random access Memory)에 의하여 구성되며, 자기 버블 메모리(1)로 부터 판독한 페이지 단위의 데이터, 수정 정보, 수정할 블록을 지시하는 시이퀀스 번호 등을 기억한다. 예시번호 3은 제어프로그램을 기억하는 판독 전용 제어 프로그램 메모리이고, 4는 마리크로 프로세서와 같은 CPU로써 제어프로그램 및 가공 프로그램의 지령에 의하여 소정의 편집처리, 수치 제어 처리를 실행한다.

에서번호 5는 수치 제어 장치의 조작반(operation panel)으로서 그 조작반 상에 형성된 수동 데이터 입력 스위치(MDI)로 부터 수정 정보가 인가된다. 즉, 상기 조작반(5)으로 부터 수정할 블록을 지시하는 사이퀀스 번호 SNi; 새로운 수치 데이터; 삭제, 추가, 정정을 지시하는 정보 등이 입력되어 RAM(2)에 전송 기억한다. 예시번호 6은 버블 메모리 제어기로서 상기CPU(4)로 부터의 지령에 의하여 버블 메모리(1)로부터 페이지마다 데이터를 판독하고, 버블 메모리(1)에 데이터를 기록한다. 그리고, CPU(4)로 부터 버블 메모리 제어기(6)에의 지령은 (가)판독/기록할 페이지부의 선두 페이지 어드레스, (나)판독/기록할 페지수 (다)판독/기록의 구별을 나타내는 정보 등으로써 되어 있다. 7은 직접 메모리 접근 제어기(이하 DMAC라 칭함)로서 CPU(4)로 부터의 지령에 의하여 RAM(2)로 부터 판독한 데이터를 버블 메모리 제어기(6)는, 또 버블 메모리 제어기(6)를 통하여 판독된 데이터를 RAM(2)에 각각 전송한다. 즉, RAM(2)으로부터 데이터를 판독하여 그 데이터를 버블 메모리(1)에 전송하는 경우에는 CPU(4)로부터 DMAC(7)에 RAM(2)로 부터 판독할 데이터의 바이트 수, 판독할 RAM(2)의 선두 어드레스가 지령된다. 이에 의하여 DMAC(7)는 RAM(2)의 선두 어드레스로부터 순차로 데이터를 1바이트씩 판독하여 버블 메모리제어기(6)에 전송하며, 버블 메모리 제어기(9)는 DMAC(7)로부터 버블 메모리 제어기(6)에 의하여 판독된 데이터를 RAM(2)에 전송, 기억시키는 경우에는 CPU(4)로부터 DMAC(7)과 RAM(2)에 기록할 데이터의 총바이트 수 및 기록할 선두 어드레스가 지령된다. 이에 의하여 버블 미모리 제어기(6)로 부터 출력된 데이터를 1바이트씩 RAM(2)에 기록한다. 예시번호 9는 상술한 장치들의 공통의 모선으로서 전술의 데이터, 지령의 전송은 이 모선을 통하여 행해진다.

이하 본 발명의 동작에 대하여 설명한다.

본 발명의 동작 설명에서는 재기록의 일예로서 가공 프로그램중 시이퀀스 번호(SN _i )를 갖는 블록과 시이퀀스 번호(SN _i ₊₁)의 블록 사이에 새로운 블록 정보를 기록하는 것으로 한다. 조작반(5)으로 부터 수정정보(시이퀀스 번호 SN _i , 새로운 블록 정보, 추가지시등)를 입력하여 편집 처리의 개시를 지시하면 CPU(4)는 판독전용 제어 프로그램 메모리(3)에 기억되어 있는 편집 처리 프로그램의 제어하에 놓여진다.

먼저 CPU(4)는 상기 표시문자 영역(13)의 페이스 어드레스"P _f "를 판독하고 바이트수를 버블 메모리 제어기(6)에 지령함과 동시에 DMAC(7)과 에 버블 메모리(1)로부터 판독한 데이터를 기억할 메모리(2)의 선두 어드레스 및 총 바이트 수를 지령한다. 이에 의하여 버블 메모리 제어기(6)는 페이지 어드레스 P _f 가 나타내는 표시문자 영역(13)으로 부터 그 기억 내용을 페이지 단위로 직렬적으로 판독하여 바이트 단위로 구분함과 동시에 DMAC(7)요 구하면 DMAC(7)는 버블 메모리 제어기(6)를 통하여 판독된 데이터를 지령된 RAM(2)의 선두 어두레스로 부터 순차로 1바이트씩 기억시킨다. 다음에 CPU(4)는 표시문자 영역(13)으로부터 판독한 데이터중 변경 개시 지시용 표시문자비트"1"을 세운다. 그런 다음에 제차 버블 메모리 제어기(6)에 페이지 어드레스"P _f "라 기록하고, 바이트 수를 지령함과 동시에 DMAC(7)에 RAM(2)으로 부터 판독할 바이트 수 및 선두 어드레스를 지령한다. 이에 의하여 변경 개시 지시용 표시문자 비트 "1"을 세운 데이터가 RAM(2)으로 부터 전기와 역순으로 표시문자 영역(13)에 기록된다. 이후 수정작업이 완료하지 않는 한 표시문자영역(13)의 변경개시 표시문자 비에는 "1"이 계속 선다.

다음에 CPU(4)는 버블 메모리 제어기(6)에 시이퀀스 번호 기억 영역(11)의 선두 페이지 어드레스 "P _S "와 페이지수를 지령함과 동시에 DMAC(7)에 버블 메모리(1)로부터 판독한 데이터를 기억할 선두 어드럭스와 총 바이트 수를 지령한다. 이에 의하여 시이퀀스 번호 기억 영역(11)의 내용이 판독된 후 표시문자 영역(13)의 경우와 같이 RAM(2)에 기록된다. 다음에 CPU(4)는 시이퀀스 번호 기억 영역(11)으로 부터 판독한 페이지 어드레스와 시이퀀스 번호의 대응 태이블을 사용하여 조작반(5)으로 부터 입력되어 있는시이퀀스 번호SN _i 가 기억되어 있는 페이지 어드레스를 검색한다. 페이지 어드레스가 검색되면 CPU(4)(6)는 버블 메로리 제어기(6)에 그 페이지 어드레스와 페이지 수를 지령함과 동시에 DMAC(7)에 버블 메모리(1)로 부터 판독한 데이터를 기억할 선두 어드레스와 총 바이트 수검 지령한다. 그리고, 사이퀀스 번호SN _i 와 SN _i ₊₁의 블록정보가 버블 메모리(1)의 페이지 어드레스 P₀에 기억되어 있는 것으로 한다. 이후 페이지 어드레스 P₀의 페이지 영역(10_a)으로 부터 가공 데이터가 판독되어 RAM(2)에 기록된다. 다음에 CPU(4)는 편집처리를 행하며 "SN _i 의 블록정보", "새로운 블록정보" "SN _i ₊₁의 블록정보"의 순으로 편집하여 가공 데이터를 RAM(2)내에서 바꿔 세운다. 그리고, 이들의 전 정보가 1페이지 (1페이지 영역의 용량)에 기억할 수가 있으면 CPU(4)는 버블 메모리 제어기(6)에 페이스 어드레스 "P₀"와 페이지수(1)를 지령함과 동시에 CMAC(7)에 전기 편집된 가공 데이터가 기억되어 있는 RAM(2)의 선두 어드레스와 총 바이트수를 지령하여 그 가공 데이터를 버블 메모리 제어기(6)를 통하여 버블 메모리(1)의 페이지부(10a)에 기록한다

그러나, 만약에 "SN _i 의 블록정보", "새로운 블록정보"와 "SN _i ₊₁"의 블록정보의 총 정보량이 1페이지의 용량보다 클 경우에는 이들 정보를 이를테면, 2분할하여 각각 페이지 영역(10_a)과 공 페이지에 기록하지 않으면 안된다. 따라서 먼저 CPU(4)는 공 페이지 기억 영역(12)으로 부터 버블 메모리 제어기 (6)및 DMAC(7)를 통하여 공 페이지 정보를 RAM(2)에 판독하여 공페이지를 검색한다(그리고, 공 페이지의 페이지 어드레스를 "P_x"라 한다).

다음에 편집 처리를 행하여 페이지 어드레스 P₀, SN _i 의 블록정보, 새로운 블록 정보의 1부로써 된 제1의 가공 데이터와, 페이지 어드레스"P_x" 새로운 블록 정보의 잔부, SN _i ₊₁의 블록 정보로써 된 제2의 가공 데이터를 작성하고 제1가공 데이터를 버블 메모리(1)의 페이지영역(10_a)에 기입한 다음 제2가공 데이터를 페이지 어드레스 P_x의 페이지 영역(10_n)에 기록한다(제2도 참조). 그런 다음에 공 페이지를 갱신하며, 그 갱신한 새로운 공 페이지 정보를 공 페이지 영역(12)에 기록하고, 최후에 전기와 같이 표시문자 영역(13)의 기억 내용을 판독하여 변경 개시 지시내용의 표시문자 비트를"0"에 리세트한 표시문자 영역(13)에 재기록하면 새로운 블록 정보를 추가하는 수정처리가 종료된다. 따라서, 편집 처리중에 정전등이 발생하여 수정이 완료하지 않았을 경우에는 표시문자 영역의 변경 개시 지시용의 표시문자 비트에는 "1"이 계속선다.

NC장치는 버블 메모리(1)내의 표시문자 영역(13)을 검사하는 프로그램을 미리 갖고 있어, NC장치는 장착된 버블 메모리(1)로 부터 데이터를 판독함에 있어서 상기 프로그램을 사용하여 버블 메모리(1)내의 표시문자 영역(13)을 검사하나. 이때 표시문자 영역(13)내에 아직 변경 개시정보(flag가 "1")가 있으면 이 버브 메모리(1)내에 기억된 정보는 재기록 불완전으로 판정한다. 만약 표시문자 영역(13)내에 변경종료정보(flag가 "0")가 있으면 이 버블 메모리(1)내에 기억되어 있는 정보는 완전한 것으로 판정하여 NC장치는 그후 행해지는 통상의 판독 동작을 계속하게 된다. 따라서, 정전 해조 후 또는 가공 개시에 앞서 전술의 표시문자 영역의 판독 동작과 같이 CPU(4)의 지령으로써 RAM(2)에 표시문자 영역의 데이터를 기록하고, 그 표시문자 비트를 CPU(4)가 참조함으로써 보다 용이하게 정전등이 발생한 사실을 검지할 수가 있다.

그런데, 실시예에서는 새로운 블록 정보를 추가한 경우에 대하여 설명하였지만 블록 정보의 변경, 삭제의 경우에도 적용할 수 있음은 물론이다. 또, 실시예에서는 재기록이 겨우 2페이지( 페이지10a와 공 페이지 10n)에 걸친 경우에 대하여 설명 하였으나 3페이지 이상에 걸친 경우도 있다.

또, 변경 개시 지시용 표시문자 비트가 1비트의 경우에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 이를테면 1바이트이라도 무방하다.

본원 발명은 프로세서로 부터의 지시에 따라서 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역에 기억된 데이터를 재기록하는 방법에 있어서, 데이터 재기록에 앞서 불 휘발성 메모리에 형성된 표시문자 영역에 변경 개시정보를 기록하는 단계와, 상기 불휘발성 메모리의 데이터 기억 영역중재 기록할 데이터를 기록하고 있는 데이터 기억 영역으로 부터 그 데이터를 판독하는 단계와, 상기 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역에 재기록 데이터를 기록하는 단계와, 상기 기록 단계 종료후 상기 표시문자 영역에 변경종료 정보를 기록하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는데, 구체적으로 한정하면 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역의 기억 내용을 CPU 지시에 의해 재 기록하는 방법에 있어서, 정전 발생후 재개시에 상기 표시문자 영역에 기록된 정보를 판독하고 이에 의하여 재기록중의 정전의 발생을 감지하는 단계로 구성되며, 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역의 기억 내용을 CPU의 지시에 의하여 재기록하는 방법에 있어서, 상기 변경 개시정보의 기록단계는 전기 표시문자 영역의 기억 내용을 판독하는 단계와 전기 판독된 기억 내용을 전기 변경 개시정보로 변경하는 단계와, 전기 변경된 기억 내용을 전기 표시문자 영역에 기록하는 단계를 갖고, 전기 변경 종료 정보의 기록 단계는 전기 표시문자 영역의 기억 내용을 판독하는 단계와, 전기 판독된 기억 내용인 전기 변경 개시 정보를 변경 종료 정보로 변경하는 단계와, 전기 변경 종료 정보로 변경된 기억 내용을 전기 표시문자 영역에 기입하는 단계를 구성되며 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역의 기억내용을 CPU의 지시에 의하여 재기록하는 방법에 있어서, 전기 변경 개시 정보가 논리"1",전기변경 종료 정보가 논리"0"이며, 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역의 기억 내용을 CPU의 지시에 의햐여 재기록하는 방법에 있어서 전기 불 휘발성 메모리가 자기 버블 메모리로써 구성됨을 특징으로 한다. 이상 본 발명에 의하면 불 휘발성의 기억 장치의 특정의 영역을 표시문자 영역으로 하여 기억 내용의 변경에 앞서 그 표시문자 영역에 변경 개시 정보를 기록하고, 변경 작업 완료에 의하여 변경 종료 정보를 기록하도록 하였으므로 그 표시문자 영역의 내용을 감시하는 것으로써 확실하고 용이하게 기억 내용의 변경중에 발생한 정전등을 검출할 수 있다. 따라서 불완전한 가공 프로그램에 의하여 가공이 행해지는 일은 없다.

또한 본원 발명은 NC 장치내에서 일어나고 있는 사고는 정전뿐만 아니라 예를들어 자기 버블 메모리(1)에 대한 데이터의 판독, 기록을 위한 하드웨어가 동작중에 부분 고장이 있는 경우에도 유효하다.

Claims

프로세서로 부터의 지시에 따라서 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역에 기억된 데이터를 재기록하는 방법에 있어서 데이터의 재기록에 앞서 불 휘발성 메모리에 형성된 표시문자 영역에 변경 개시 정보를 기록하는 단계와, 상기 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역중 재기록할 데이터를 기억하고 있는 데이터 기억 영역으로 부터 그 데이터를 판독하는 단계와, 상기 불 휘발성 메모리의 데이터 기억 영역에 재기록 데이터를 기록하는 단계와, 상기 기록 단계 종료후 상기 표시문자 영역에 변경 종료 정보를 기록하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법.