JPH07168769A - 不揮発性メモリに対するデータ更新方法 - Google Patents
不揮発性メモリに対するデータ更新方法Info
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- JPH07168769A JPH07168769A JP31667993A JP31667993A JPH07168769A JP H07168769 A JPH07168769 A JP H07168769A JP 31667993 A JP31667993 A JP 31667993A JP 31667993 A JP31667993 A JP 31667993A JP H07168769 A JPH07168769 A JP H07168769A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーライト不可能な不揮発メモリに記憶
されたデータを更新する場合に、停電等に起因してデー
タが消滅して復元できなくなることを未然に防止する。 【構成】 不揮発性メモリ４内に、各データに対応して
同一データを記憶する複数のデータ領域８からなる複数
のデータブロック７を形成し、データ更新要求に応じ
て、この更新要求データに対応するデータブロック７内
の所定の手順で選択した一つのデータ領域８に記憶され
ているデータを読出して揮発性メモリ３に書込み、揮発
性メモリ３に記憶されたデータを更新し、選択されデー
タ領域８の記憶内容をクリアして、クリアされたデータ
領域８に更新後のデータを書込み、その後、選択されな
かった他の各データ領域８の記憶内容をクリアして、ク
リアされた各データ領域８に更新後のデータを書込む。
されたデータを更新する場合に、停電等に起因してデー
タが消滅して復元できなくなることを未然に防止する。 【構成】 不揮発性メモリ４内に、各データに対応して
同一データを記憶する複数のデータ領域８からなる複数
のデータブロック７を形成し、データ更新要求に応じ
て、この更新要求データに対応するデータブロック７内
の所定の手順で選択した一つのデータ領域８に記憶され
ているデータを読出して揮発性メモリ３に書込み、揮発
性メモリ３に記憶されたデータを更新し、選択されデー
タ領域８の記憶内容をクリアして、クリアされたデータ
領域８に更新後のデータを書込み、その後、選択されな
かった他の各データ領域８の記憶内容をクリアして、ク
リアされた各データ領域８に更新後のデータを書込む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト不可能な
不揮発性メモリに記憶されている各データを更新する不
揮発性メモリに対するデータ更新方法に関する。
不揮発性メモリに記憶されている各データを更新する不
揮発性メモリに対するデータ更新方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータに組込まれている記憶素子
は大きく分けて揮発性メモリ素子と、不揮発性メモリ素
子とがある。代表的な揮発性メモリ素子であるＤＲＡＭ
は大きな記憶容量を実現できるが、常時記保持動作が必
要であり、回路構成が複雑になる。また、停電等が発生
すると記憶されているデータは消滅する。
は大きく分けて揮発性メモリ素子と、不揮発性メモリ素
子とがある。代表的な揮発性メモリ素子であるＤＲＡＭ
は大きな記憶容量を実現できるが、常時記保持動作が必
要であり、回路構成が複雑になる。また、停電等が発生
すると記憶されているデータは消滅する。
【０００３】一方、不揮発性メモリ素子としてはＳＲＯ
Ｍ，ＥＥＰＲＯＭ等がある。ＳＲＯＭは記憶されている
データを後から書換えることは不可能である。ＥＥＰＲ
ＯＭは記憶避されているデータを電気的に書換えること
が可能である。しかし、この従来のＥＥＰＲＯＭにおい
ては、記憶できるデータ量に一定の限界があり、大容量
のＥＥＰＲＯＭを実現することは現在の技術では困難で
ある。
Ｍ，ＥＥＰＲＯＭ等がある。ＳＲＯＭは記憶されている
データを後から書換えることは不可能である。ＥＥＰＲ
ＯＭは記憶避されているデータを電気的に書換えること
が可能である。しかし、この従来のＥＥＰＲＯＭにおい
ては、記憶できるデータ量に一定の限界があり、大容量
のＥＥＰＲＯＭを実現することは現在の技術では困難で
ある。
【０００４】このような不都合を解消するために、近年
ＥＥＰＲＯＭの一種であるフラッシュメモリが実用化さ
れている。このフラッシュメモリを用いるによって大容
量の記憶素子を実現できる。
ＥＥＰＲＯＭの一種であるフラッシュメモリが実用化さ
れている。このフラッシュメモリを用いるによって大容
量の記憶素子を実現できる。
【０００５】このフラッシュメモリのデータ領域に既に
記録されているデータを書換える手順は次の通りであ
る。 (1) フラッシュメモリに記憶されているデータを読出
して一旦ＲＡＭ等の揮発性メモリに書込む。
記録されているデータを書換える手順は次の通りであ
る。 (1) フラッシュメモリに記憶されているデータを読出
して一旦ＲＡＭ等の揮発性メモリに書込む。
【０００６】(2) 揮発性メモリに書込まれたデータを
更新（書換）する。 (3) フラッシュメモリのデータ領域をクリアする。 (4) フラッシュメモリのクリア済みデータ領域へ更新
後のデータを書込む。
更新（書換）する。 (3) フラッシュメモリのデータ領域をクリアする。 (4) フラッシュメモリのクリア済みデータ領域へ更新
後のデータを書込む。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフラッシュメモリにおいてもまだ次のような課題があ
った。すなわち、このフラッシュメモリにおいては、既
に書込まれているデータの上から新規のデータを書込む
（オーバーライト）ことが不可能であるので、このフラ
ッシュメモリに記憶されたデータを更新するには、前述
した (1)〜(4) で示される４つの工程を順番に行う必要
がある。
たフラッシュメモリにおいてもまだ次のような課題があ
った。すなわち、このフラッシュメモリにおいては、既
に書込まれているデータの上から新規のデータを書込む
（オーバーライト）ことが不可能であるので、このフラ
ッシュメモリに記憶されたデータを更新するには、前述
した (1)〜(4) で示される４つの工程を順番に行う必要
がある。
【０００８】したがって、フラッシュメモリのデータ領
域をクリアしてからクリア済みデータ領域へ更新後のデ
ータを書込む(3)(4)の工程を実行期間中に停電等の起因
してコンピュータの電源が遮断されると、ＲＡＭ等の揮
発性メモリに記憶保持している更新済みデータが消滅す
るので、このデータは揮発性メモリとフラッシュメモリ
との両方のメモリに記憶されていないので、例えば停電
復旧時にこの消滅したデータを復元する手段はない。
域をクリアしてからクリア済みデータ領域へ更新後のデ
ータを書込む(3)(4)の工程を実行期間中に停電等の起因
してコンピュータの電源が遮断されると、ＲＡＭ等の揮
発性メモリに記憶保持している更新済みデータが消滅す
るので、このデータは揮発性メモリとフラッシュメモリ
との両方のメモリに記憶されていないので、例えば停電
復旧時にこの消滅したデータを復元する手段はない。
【０００９】このような不都合を解消するためには、コ
ンピュータに電源遮断時にＲＡＭの記憶内容を保持する
ための例えばバッテリ等からなるバックアップ電源を組
込むことが考えられる。しかし、バックアップ電源を組
込と回路構成が複雑になり、コンピュータ全体の製造費
が上昇し、フラッシュメモリを組込んだ長所が充分に発
揮できない問題がある。
ンピュータに電源遮断時にＲＡＭの記憶内容を保持する
ための例えばバッテリ等からなるバックアップ電源を組
込むことが考えられる。しかし、バックアップ電源を組
込と回路構成が複雑になり、コンピュータ全体の製造費
が上昇し、フラッシュメモリを組込んだ長所が充分に発
揮できない問題がある。
【００１０】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、データ更新時に、オーバーライト不可能な
不揮発性メモリ内に同一データを記憶する複数の領域を
形成することによって、たとえ一方の領域のデータ更新
中に停電等によって不揮発性メモリから読出したデータ
が消滅したとしても、残りの領域に記憶されているデー
タで消滅したデータを復元でき、簡単な構成でデータの
保全を図ることができ、コンピュータ全体の信頼性を向
上できる不揮発性メモリに対するデータ更新方法を提供
することを目的とする。
ものであり、データ更新時に、オーバーライト不可能な
不揮発性メモリ内に同一データを記憶する複数の領域を
形成することによって、たとえ一方の領域のデータ更新
中に停電等によって不揮発性メモリから読出したデータ
が消滅したとしても、残りの領域に記憶されているデー
タで消滅したデータを復元でき、簡単な構成でデータの
保全を図ることができ、コンピュータ全体の信頼性を向
上できる不揮発性メモリに対するデータ更新方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解消するため
に本発明の請求項１の不揮発性メモリに対するデータ更
新方法においては、不揮発性メモリ内に、各データに対
応して同一データを記憶する複数のデータ領域からなる
複数のデータブロックを形成し、データ更新要求に応じ
て、この更新要求データに対応するデータブロック内の
所定の手順で選択した一つのデータ領域に記憶されてい
るデータを読出して揮発性メモリに書込み、この揮発性
メモリに記憶されたデータを更新し、選択されデータ領
域の記憶内容をクリアして、クリアされたデータ領域に
更新後のデータを書込み、その後、選択されなかった他
の各データ領域の記憶内容をクリアして、クリアされた
各データ領域に更新後のデータを書込むようにしてい
る。
に本発明の請求項１の不揮発性メモリに対するデータ更
新方法においては、不揮発性メモリ内に、各データに対
応して同一データを記憶する複数のデータ領域からなる
複数のデータブロックを形成し、データ更新要求に応じ
て、この更新要求データに対応するデータブロック内の
所定の手順で選択した一つのデータ領域に記憶されてい
るデータを読出して揮発性メモリに書込み、この揮発性
メモリに記憶されたデータを更新し、選択されデータ領
域の記憶内容をクリアして、クリアされたデータ領域に
更新後のデータを書込み、その後、選択されなかった他
の各データ領域の記憶内容をクリアして、クリアされた
各データ領域に更新後のデータを書込むようにしてい
る。
【００１２】また、請求項２の発明においては、不揮発
性メモリ内に、各データを記憶するための複数のデータ
領域及びデータを一時記憶するための一つの作業領域を
形成し、データ更新要求に応じて、この更新要求データ
に対応するデータ領域のデータを読出して揮発性メモリ
に書込み、作業領域をクリアして、クリアされた作業領
域に揮発性メモリに記憶されたデータを書込み、揮発性
メモリに記憶されたデータを更新し、データ領域の記憶
内容をクリアして、クリアされたデータ領域に更新後の
データを書込むようにしている。
性メモリ内に、各データを記憶するための複数のデータ
領域及びデータを一時記憶するための一つの作業領域を
形成し、データ更新要求に応じて、この更新要求データ
に対応するデータ領域のデータを読出して揮発性メモリ
に書込み、作業領域をクリアして、クリアされた作業領
域に揮発性メモリに記憶されたデータを書込み、揮発性
メモリに記憶されたデータを更新し、データ領域の記憶
内容をクリアして、クリアされたデータ領域に更新後の
データを書込むようにしている。
【００１３】さらに、請求項３の発明においては、不揮
発性メモリ内に、各データを記憶するための複数のデー
タ領域及びデータを一時記憶するための一つの作業領域
を形成し、データ更新要求に応じて、この更新要求デー
タに対応するデータ領域のデータを読出して揮発性メモ
リに書込み、揮発性メモリに記憶されたデータを更新
し、作業領域をクリアして、クリアされた作業領域に更
新後のデータを書込み、データ領域の記憶内容をクリア
して、クリアされたデータ領域に更新後のデータを書込
むようにしている。
発性メモリ内に、各データを記憶するための複数のデー
タ領域及びデータを一時記憶するための一つの作業領域
を形成し、データ更新要求に応じて、この更新要求デー
タに対応するデータ領域のデータを読出して揮発性メモ
リに書込み、揮発性メモリに記憶されたデータを更新
し、作業領域をクリアして、クリアされた作業領域に更
新後のデータを書込み、データ領域の記憶内容をクリア
して、クリアされたデータ領域に更新後のデータを書込
むようにしている。
【００１４】
【作用】請求項１の発明においては、不揮発性メモリ内
に、各データに対応して同一データを記憶する複数のデ
ータ領域からなる複数のデータブロックが形成されてい
る。各データブロックの各データ領域には常時同一デー
タが記憶保持されている。
に、各データに対応して同一データを記憶する複数のデ
ータ領域からなる複数のデータブロックが形成されてい
る。各データブロックの各データ領域には常時同一デー
タが記憶保持されている。
【００１５】データ更新要求が発生した場合には、デー
タブロック内の一つのデータ領域を選択して、このデー
タ領域に対して前述した(1) 〜(4) の手順でデータ更新
が行われる。一つの選択されたデータ領域に対する書換
え処理が終了すると、選択されなかった他のデータ領域
のデータが更新後のデータに書換えられる。
タブロック内の一つのデータ領域を選択して、このデー
タ領域に対して前述した(1) 〜(4) の手順でデータ更新
が行われる。一つの選択されたデータ領域に対する書換
え処理が終了すると、選択されなかった他のデータ領域
のデータが更新後のデータに書換えられる。
【００１６】したがって、いずれか一方のデータ更新過
程で電源が遮断されたとしても他方のデータは保全され
ているので、このデータを使用できる。請求項２の発明
及び請求項３の発明においては、不揮発性メモリ内に、
各データを記憶するための複数のデータ領域及びデータ
を一時記憶するための一つの作業領域が形成されてい
る。
程で電源が遮断されたとしても他方のデータは保全され
ているので、このデータを使用できる。請求項２の発明
及び請求項３の発明においては、不揮発性メモリ内に、
各データを記憶するための複数のデータ領域及びデータ
を一時記憶するための一つの作業領域が形成されてい
る。
【００１７】データ更新要求が発生した場合には、先
ず、データ領域からデータが読取られて揮発性メモリに
書込まれる。そして、請求項２の発明においては、更新
前のデータが作業領域へ書込まれて保全される。その後
にデータ更新されて、更新後のデータがデータ領域へ書
込まれる。
ず、データ領域からデータが読取られて揮発性メモリに
書込まれる。そして、請求項２の発明においては、更新
前のデータが作業領域へ書込まれて保全される。その後
にデータ更新されて、更新後のデータがデータ領域へ書
込まれる。
【００１８】また、請求項３の発明においては、先ず、
揮発性メモリに読取られたデータが更新され、更新され
た後のデータが作業領域へ書込まれれて保全される。そ
の後に、この更新後のデータがデータ領域へ書込まれ
る。
揮発性メモリに読取られたデータが更新され、更新され
た後のデータが作業領域へ書込まれれて保全される。そ
の後に、この更新後のデータがデータ領域へ書込まれ
る。
【００１９】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る、図１は実施例の不揮発性メモリに対するデータ更新
方法を採用したコンピュータを示す概略構成図である。
る、図１は実施例の不揮発性メモリに対するデータ更新
方法を採用したコンピュータを示す概略構成図である。
【００２０】バス１に、各種情報処理を行う制御部２、
各種可変データを記憶する揮発性メリとしてのＲＡＭ
３、オーバーライト不可能な不揮発性メモリとしてのフ
ラッシュメモリ４、外部の他の機器に対するデータの送
受信を行うためのインタフェース５、各電子部品に駆動
電圧Ｖｃを供給する電源回路６等が接続されている。
各種可変データを記憶する揮発性メリとしてのＲＡＭ
３、オーバーライト不可能な不揮発性メモリとしてのフ
ラッシュメモリ４、外部の他の機器に対するデータの送
受信を行うためのインタフェース５、各電子部品に駆動
電圧Ｖｃを供給する電源回路６等が接続されている。
【００２１】前記フラッシュメモリ４内には、例えばブ
ロック番号Ｎi （i=1.2.3.…,m) が付されたｍ個のデー
タブロック７が形成されている。そして、各データブロ
ック７内にはそれぞれ領域番号Ｎij（i=1.2.3.…,m，j=
1.2.3.…,n) が付されたｎ個のデータ他領域８が形成さ
れている。したがって、領域番号Ｎijを指定すると、何
番目のデータブロック９内の何番目のデータ領域８であ
るかが特定される。そして、各データ領域８にはそれぞ
れデータＤijが記憶されている。
ロック番号Ｎi （i=1.2.3.…,m) が付されたｍ個のデー
タブロック７が形成されている。そして、各データブロ
ック７内にはそれぞれ領域番号Ｎij（i=1.2.3.…,m，j=
1.2.3.…,n) が付されたｎ個のデータ他領域８が形成さ
れている。したがって、領域番号Ｎijを指定すると、何
番目のデータブロック９内の何番目のデータ領域８であ
るかが特定される。そして、各データ領域８にはそれぞ
れデータＤijが記憶されている。
【００２２】なお、同一データブロック７に所属するｎ
個の各データ領域８には原則として同一データが記憶さ
れている。前記各データ領域８内には、図２に示すよう
に、領域番号Ｎijを記憶する領域９ａ、データＤijを記
憶する領域９ｂ，記憶されたデータＤijが正常か否かを
調べるためのチェックサムＣＨＳを記憶する領域９ｃが
形成されている。また、必要に応じて、領域９ｂに記憶
されているデータＤijのレビジョンＲv を記憶する領域
９ｄが形成される。
個の各データ領域８には原則として同一データが記憶さ
れている。前記各データ領域８内には、図２に示すよう
に、領域番号Ｎijを記憶する領域９ａ、データＤijを記
憶する領域９ｂ，記憶されたデータＤijが正常か否かを
調べるためのチェックサムＣＨＳを記憶する領域９ｃが
形成されている。また、必要に応じて、領域９ｂに記憶
されているデータＤijのレビジョンＲv を記憶する領域
９ｄが形成される。
【００２３】前記制御部２内には各種アプリケーション
プログラムが記憶されており、例えばインタフェース５
を介して外部からデータ更新指令が入力するとフラッシ
ュメモリ４の各データブロック７の各データ領域８に記
憶されている各データＤijを更新する業務を実行する。
プログラムが記憶されており、例えばインタフェース５
を介して外部からデータ更新指令が入力するとフラッシ
ュメモリ４の各データブロック７の各データ領域８に記
憶されている各データＤijを更新する業務を実行する。
【００２４】このようなコンピュータにおいて、電源が
投入されると、電源回路６から各電子部品に駆動電圧Ｖ
ｃが供給され動作状態となる。制御部２は、駆動電圧Ｖ
ｃが供給され、リセット状態が解除されると、図３に示
すフラッシュメモリ４に対する初期化処理を実行する。
また、停電発生後の停電復旧して、駆動電圧Ｖｃが供給
されてリセット状態が解除されさた場合も同一の初期化
処理を実行する。
投入されると、電源回路６から各電子部品に駆動電圧Ｖ
ｃが供給され動作状態となる。制御部２は、駆動電圧Ｖ
ｃが供給され、リセット状態が解除されると、図３に示
すフラッシュメモリ４に対する初期化処理を実行する。
また、停電発生後の停電復旧して、駆動電圧Ｖｃが供給
されてリセット状態が解除されさた場合も同一の初期化
処理を実行する。
【００２５】流れ図が開始されると、データ領域８の領
域番号Ｎijの各インデッスクｉ，ｊを１に初期設定する
（Ｐ１）。次に、各インデッスクｉ，ｊで示す領域番号
Ｎijのデータ領域８の領域９ｂに記憶されているデータ
Ｄijが正しいか否かを領域９ｃに記憶されているチェッ
クサムＣＨＳを用いて検証する（Ｐ２）。エラーチェッ
ク結果を例えばＲＡＭ３内に記憶保持する（Ｐ３）。そ
して、インデックスｊを増加して、同一データブロック
７内の次のデータ領域８を選択する（Ｐ４）。
域番号Ｎijの各インデッスクｉ，ｊを１に初期設定する
（Ｐ１）。次に、各インデッスクｉ，ｊで示す領域番号
Ｎijのデータ領域８の領域９ｂに記憶されているデータ
Ｄijが正しいか否かを領域９ｃに記憶されているチェッ
クサムＣＨＳを用いて検証する（Ｐ２）。エラーチェッ
ク結果を例えばＲＡＭ３内に記憶保持する（Ｐ３）。そ
して、インデックスｊを増加して、同一データブロック
７内の次のデータ領域８を選択する（Ｐ４）。
【００２６】増加後のインデックスｊがｎを越えていな
いことを確認すると（Ｐ５）、Ｐ２へ戻り、次に選択さ
れたデータ領域８のデータＤijに対するエラーチェック
を開始する。
いことを確認すると（Ｐ５）、Ｐ２へ戻り、次に選択さ
れたデータ領域８のデータＤijに対するエラーチェック
を開始する。
【００２７】Ｐ５にて一つのデータブロック７の全ての
データ領域８のエラー有無チェックが終了すると、エラ
ー有りと判断されたデータ領域数が予め定められた規定
個数以上の場合（Ｐ６）は、該当データブロック７を異
常と判定して、所定のエラー対策処理を行う（Ｐ７）。
データ領域８のエラー有無チェックが終了すると、エラ
ー有りと判断されたデータ領域数が予め定められた規定
個数以上の場合（Ｐ６）は、該当データブロック７を異
常と判定して、所定のエラー対策処理を行う（Ｐ７）。
【００２８】次に、インデックスｉを増加して（Ｐ
８）、次のデータブロック７の各データ領域８に対する
エラーチェックを実施する。フラッシュメモリ４の全て
のデータブロック７のデータ領域８に対するエラーチェ
ック処理が終了すると（Ｐ９）、Ｐ１０において、各デ
ータブロック７のｎ個のデータ領域８のうちデータ更新
時に採用する１個のデータ領域８を選択する。
８）、次のデータブロック７の各データ領域８に対する
エラーチェックを実施する。フラッシュメモリ４の全て
のデータブロック７のデータ領域８に対するエラーチェ
ック処理が終了すると（Ｐ９）、Ｐ１０において、各デ
ータブロック７のｎ個のデータ領域８のうちデータ更新
時に採用する１個のデータ領域８を選択する。
【００２９】原則として同一データが記憶されたｎ個の
データ領域８のうちどのデータ領域８のデータを採用す
るかの手順（アルゴリズム）は、例えば、図４（ａ）に
示すように、正常と判定された先頭の領域番号Ｎijのデ
ータ領域８を選択する。例えば図４（ａ）においては、
領域番号１番のデータ領域８が選択される。
データ領域８のうちどのデータ領域８のデータを採用す
るかの手順（アルゴリズム）は、例えば、図４（ａ）に
示すように、正常と判定された先頭の領域番号Ｎijのデ
ータ領域８を選択する。例えば図４（ａ）においては、
領域番号１番のデータ領域８が選択される。
【００３０】また、データＤijにレビジョンＲｖが付さ
れていた場合には、図４（ｂ）に示すように、正常なデ
ータＤijのうちレビジョンＲｖの新しいデータのデータ
領域８を選択する。
れていた場合には、図４（ｂ）に示すように、正常なデ
ータＤijのうちレビジョンＲｖの新しいデータのデータ
領域８を選択する。
【００３１】図３のＰ１０において、選択すべき一つの
データ領域８が決定されると、Ｐ１１において、各デー
ダブロック７の選択されなかった各データ領域８のデー
タを選択したデータ領域８に記憶されているデータに書
換える処理を実行して、一つのデータブロック７７内の
各データ領域８のデータを一致させる。
データ領域８が決定されると、Ｐ１１において、各デー
ダブロック７の選択されなかった各データ領域８のデー
タを選択したデータ領域８に記憶されているデータに書
換える処理を実行して、一つのデータブロック７７内の
各データ領域８のデータを一致させる。
【００３２】図５は一つのデータ領域８に記憶されたデ
ータＤijの書換処理を示す流れ図である。該当データ領
域８のデータを読取って一旦ＲＡＭ３へ書込む。次に、
ＲＡＭ３に書込んだデータＤijを新たに書込むべきデー
タに更新する。そして、該当データ領域８をクリアした
後、更新後のデータをこのデータ領域８へ書き込む。
ータＤijの書換処理を示す流れ図である。該当データ領
域８のデータを読取って一旦ＲＡＭ３へ書込む。次に、
ＲＡＭ３に書込んだデータＤijを新たに書込むべきデー
タに更新する。そして、該当データ領域８をクリアした
後、更新後のデータをこのデータ領域８へ書き込む。
【００３３】図３における初期処理が終了すると、コン
ピュータば通常動作状態に移行する。そして、図６に示
すデータ更新に対するメインルーンを実行するようにプ
ログラム構成されている。
ピュータば通常動作状態に移行する。そして、図６に示
すデータ更新に対するメインルーンを実行するようにプ
ログラム構成されている。
【００３４】Ｐ１２にて、例えばインタフェース５を介
してデータを指定したデータ更新要求が入力すると、該
当データに対応するデータブロック７内の採用すべきデ
ータ領域８を選択する（Ｐ１３）。この選択手法は図４
（ａ）（ｂ）で説明した通りである。
してデータを指定したデータ更新要求が入力すると、該
当データに対応するデータブロック７内の採用すべきデ
ータ領域８を選択する（Ｐ１３）。この選択手法は図４
（ａ）（ｂ）で説明した通りである。
【００３５】次に、選択されたデータ領域８に対するデ
ータ書換処理を図５の流れ図に従って実行する（Ｐ１
４）。次に、初期処理で異常と反対されたデータ領域８
及び正常であるが今回選択されなかったデータ領域８の
なかの一つのデータ領域８を指定し（Ｐ１５）、この指
定されたデータ領域８をクリアし、先に選択（採用）し
たデータ領域８に書込んだ更新後のデータを書き込む
（Ｐ１７）。
ータ書換処理を図５の流れ図に従って実行する（Ｐ１
４）。次に、初期処理で異常と反対されたデータ領域８
及び正常であるが今回選択されなかったデータ領域８の
なかの一つのデータ領域８を指定し（Ｐ１５）、この指
定されたデータ領域８をクリアし、先に選択（採用）し
たデータ領域８に書込んだ更新後のデータを書き込む
（Ｐ１７）。
【００３６】同一データブロック７に所属するｎ個のデ
ータ領域８に同一の更新後のデータが書き込まれると
（Ｐ１８）、今回のデータ更新要求に対するデータ更新
処理を終了してＰ１２へ戻り、次のデータ更新要求の入
力待ちとなる。
ータ領域８に同一の更新後のデータが書き込まれると
（Ｐ１８）、今回のデータ更新要求に対するデータ更新
処理を終了してＰ１２へ戻り、次のデータ更新要求の入
力待ちとなる。
【００３７】このように構成された不揮発性メモリに対
するデータ更新方法であれば、フラッシュメモリ４の各
データブロック７には同一データが常に複数のデータ領
域８に亘って記憶保持されている。そして、データ更新
要求が入力された場合は、複数のデータ領域８のデータ
を一度に書換えるのではなくて、順番に書換えるように
している。
するデータ更新方法であれば、フラッシュメモリ４の各
データブロック７には同一データが常に複数のデータ領
域８に亘って記憶保持されている。そして、データ更新
要求が入力された場合は、複数のデータ領域８のデータ
を一度に書換えるのではなくて、順番に書換えるように
している。
【００３８】したがって、複数のデータ領域８における
各データ更新過程におけるいずれか１つのデータ更新過
程において、停電等に起因して、更新過程のデータが消
滅したとしても、停電復旧時に、他のデータ領域８に記
憶されているデータを用いて消滅したデータを復元でき
る。
各データ更新過程におけるいずれか１つのデータ更新過
程において、停電等に起因して、更新過程のデータが消
滅したとしても、停電復旧時に、他のデータ領域８に記
憶されているデータを用いて消滅したデータを復元でき
る。
【００３９】その結果、たとえオーバーライト不可能な
フラッシュメモリ４を用いたとしても、データ更新時に
重要なデータが消滅することが未然に防止され、コンピ
ュータ全体の信頼性を向上できる。
フラッシュメモリ４を用いたとしても、データ更新時に
重要なデータが消滅することが未然に防止され、コンピ
ュータ全体の信頼性を向上できる。
【００４０】さらに、ＲＡＭ３等の揮発性メモリに対す
る停電時に備えたバックアップ電源を備える必要がない
ので、回路構成を簡素化でき、コンピュータの製造費を
低減できる。
る停電時に備えたバックアップ電源を備える必要がない
ので、回路構成を簡素化でき、コンピュータの製造費を
低減できる。
【００４１】図７は本発明の他の実施例の不揮発性メモ
リに対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概
略構成を示すプロック図である。図１の実施例と同一部
分には同一符号が付している。
リに対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概
略構成を示すプロック図である。図１の実施例と同一部
分には同一符号が付している。
【００４２】この実施例においては、フラッシュメモリ
４内に、各データＤj （j=1,2,…,m) の領域番号Ｎj が
付されたｍ個のデータ領域１０が形成されている。さら
に、このフラッシュメモリ４内には、データ更新中のデ
ータを一時記憶するための作業領域１１が設けられてい
る。
４内に、各データＤj （j=1,2,…,m) の領域番号Ｎj が
付されたｍ個のデータ領域１０が形成されている。さら
に、このフラッシュメモリ４内には、データ更新中のデ
ータを一時記憶するための作業領域１１が設けられてい
る。
【００４３】前記作業領域１１内には、図８に示すよう
に、この作業領域１１に一時記憶するデータのデータ領
域１０の領域番号Ｎj を記憶する領域１２ａ、データＤ
j を記憶する領域１２ｂ，記憶されたデータＤj が正常
か否かを調べるためのチェックサムＣＨＳを記憶する領
域１２ｃが形成されている。また、必要に応じて、領域
１２ｂに記憶されているデータＤj のレビジョンＲv を
記憶する領域１２ｄが形成される。
に、この作業領域１１に一時記憶するデータのデータ領
域１０の領域番号Ｎj を記憶する領域１２ａ、データＤ
j を記憶する領域１２ｂ，記憶されたデータＤj が正常
か否かを調べるためのチェックサムＣＨＳを記憶する領
域１２ｃが形成されている。また、必要に応じて、領域
１２ｂに記憶されているデータＤj のレビジョンＲv を
記憶する領域１２ｄが形成される。
【００４４】前記各データ領域１０の構成は図２で示し
たデータ領域の構成に順ずる。前記制御部２は、電源投
入又は停電復旧に応動して、リセット状態が解除される
と、図９に示すフラッシュメモリ４の各データ領域１０
に対する初期化処理を実行する。
たデータ領域の構成に順ずる。前記制御部２は、電源投
入又は停電復旧に応動して、リセット状態が解除される
と、図９に示すフラッシュメモリ４の各データ領域１０
に対する初期化処理を実行する。
【００４５】流れ図が開始されると、Ｑ１において、フ
ラッシュメモリ４の作業領域１１の領域１２ｂのデータ
Ｄj 及び領域１２ａの領域番号Ｎj を読出す（Ｑ１）。
同時にエラーチェックを実行する。読取った領域番号Ｎ
j からデータ領域１０を特定して、このデータ領域１０
に記憶されているデータＤj を読取る（Ｑ２）。同時に
エラーチェックを実行する。
ラッシュメモリ４の作業領域１１の領域１２ｂのデータ
Ｄj 及び領域１２ａの領域番号Ｎj を読出す（Ｑ１）。
同時にエラーチェックを実行する。読取った領域番号Ｎ
j からデータ領域１０を特定して、このデータ領域１０
に記憶されているデータＤj を読取る（Ｑ２）。同時に
エラーチェックを実行する。
【００４６】両方のデータＤの種類が一致した場合には
（Ｑ３）、各領域のレビジョンＲｖを比較する。作業領
域１１のレビジョンＲｖがデータ領域１０のレビジョン
Ｒｖより新しい場合には（Ｑ４）、この作業領域１１の
データＤi をデータ領域１０へ書込（複写）する（Ｑ
５）。すなわち、作業領域１１からデータＤi をＲＡＭ
３へ読出した後、データ領域１０をクリアして、クリア
した後に読出したデータＤi をデータ領域へ書込む。
（Ｑ３）、各領域のレビジョンＲｖを比較する。作業領
域１１のレビジョンＲｖがデータ領域１０のレビジョン
Ｒｖより新しい場合には（Ｑ４）、この作業領域１１の
データＤi をデータ領域１０へ書込（複写）する（Ｑ
５）。すなわち、作業領域１１からデータＤi をＲＡＭ
３へ読出した後、データ領域１０をクリアして、クリア
した後に読出したデータＤi をデータ領域へ書込む。
【００４７】両方のレビジョンＲｖが一致した場合は何
もしない。Ｑ１のエラーチェックにおいて、作業領域１
１にエラーが発生した場合や、データ種類が一致しない
場合は（Ｑ７）、何もしない。
もしない。Ｑ１のエラーチェックにおいて、作業領域１
１にエラーが発生した場合や、データ種類が一致しない
場合は（Ｑ７）、何もしない。
【００４８】Ｑ２のエラーチェックにおいて、該当デー
タ領域１０のデータＤにエラーが発見された場合は（Ｑ
８）、作業領域１１のデータＤをデータ領域１０へ書込
（複写）する（Ｑ９）。
タ領域１０のデータＤにエラーが発見された場合は（Ｑ
８）、作業領域１１のデータＤをデータ領域１０へ書込
（複写）する（Ｑ９）。
【００４９】すなわち、各データ領域１０には最新のレ
ビジョンＲｖのデータが記憶保持するようにしている。
そして、制御部２は外部からデータ更新要求が入力する
と図１０（ａ）に示す流れ図に従ってデータ更新処理を
実行する。
ビジョンＲｖのデータが記憶保持するようにしている。
そして、制御部２は外部からデータ更新要求が入力する
と図１０（ａ）に示す流れ図に従ってデータ更新処理を
実行する。
【００５０】Ｑ１０にてデータ更新要求が入力すると、
先ず作業領域１１をクリアする（Ｑ１１）。次に、更新
要求の指定するデータＤj が記憶さているデータ領域１
０を特定して、該当データ領域１０からデータＤj を読
出してＲＡＭ３へ格納する（Ｑ１２）。
先ず作業領域１１をクリアする（Ｑ１１）。次に、更新
要求の指定するデータＤj が記憶さているデータ領域１
０を特定して、該当データ領域１０からデータＤj を読
出してＲＡＭ３へ格納する（Ｑ１２）。
【００５１】このＲＡＭ３の更新前のデータをフラッシ
ュメモリ４の作業領域１１へ書込む。このデータ書込み
処理は前述したように、一旦作業領域１１をクリアした
後に書込む（Ｑ１３）。
ュメモリ４の作業領域１１へ書込む。このデータ書込み
処理は前述したように、一旦作業領域１１をクリアした
後に書込む（Ｑ１３）。
【００５２】次に、ＲＡＭ３のデータに対して今回のデ
ータ更新要求に対するデータ更新処理を行う（Ｑ１
４）。フラッシュメモリ４の該当データ領域１０をクリ
アした後（Ｑ１５）、更新後のデータを該当データ領域
１０へ書込む（Ｑ１６）。
ータ更新要求に対するデータ更新処理を行う（Ｑ１
４）。フラッシュメモリ４の該当データ領域１０をクリ
アした後（Ｑ１５）、更新後のデータを該当データ領域
１０へ書込む（Ｑ１６）。
【００５３】該当データ領域１０に対するデータ更新処
理が終了すると、Ｑ１０へ戻り、次のデータ更新要求の
入力待ちとなる。このように構成された不揮発性メモリ
に対するデータ更新方法であれば、フラッシュメモリ４
のｍ個のデータ領域１０に対して１個の作業領域１１が
設けられている。そして、データ更新要求が発生した場
合には、更新予定のデータを一旦作業領域１１に複写し
た後、該当データ領域１０のデータを更新するようにし
ている。
理が終了すると、Ｑ１０へ戻り、次のデータ更新要求の
入力待ちとなる。このように構成された不揮発性メモリ
に対するデータ更新方法であれば、フラッシュメモリ４
のｍ個のデータ領域１０に対して１個の作業領域１１が
設けられている。そして、データ更新要求が発生した場
合には、更新予定のデータを一旦作業領域１１に複写し
た後、該当データ領域１０のデータを更新するようにし
ている。
【００５４】したがって、データ領域１０のデータに対
する更新処理過程で停電等に起因してデータが破壊され
た場合においては、作業領域１１に記憶されている更新
前のデーダを用いて消滅したデータを復元できる。
する更新処理過程で停電等に起因してデータが破壊され
た場合においては、作業領域１１に記憶されている更新
前のデーダを用いて消滅したデータを復元できる。
【００５５】よって、図１に示した実施例とほぼ同じ効
果を得ることができる。また、この実施例においては、
データ破壊に対処するためにフラッシュメモリ４には１
つの作業領域１１のみを設けているので、図１に示した
フラッシュメモリ４に比較して、必要とする記憶容量を
大幅に低減できる。
果を得ることができる。また、この実施例においては、
データ破壊に対処するためにフラッシュメモリ４には１
つの作業領域１１のみを設けているので、図１に示した
フラッシュメモリ４に比較して、必要とする記憶容量を
大幅に低減できる。
【００５６】図１０（ｂ）は本発明の他の実施例に係わ
る不揮発性メモリに対するデータ更新方法が採用された
コンピュータにおける制御部２のデータ更新処理を示す
流れ図である。その他の部分は図７，図８，図９と同じ
である。
る不揮発性メモリに対するデータ更新方法が採用された
コンピュータにおける制御部２のデータ更新処理を示す
流れ図である。その他の部分は図７，図８，図９と同じ
である。
【００５７】Ｓ１にてデータ更新要求が入力すると、先
ず作業領域１１をクリアする（Ｓ２）。次に、更新要求
の指定するデータＤj が記憶さているデータ領域１０を
特定して、該当データ領域１０からデータＤj を読出し
てＲＡＭ３へ格納する（Ｓ３）。
ず作業領域１１をクリアする（Ｓ２）。次に、更新要求
の指定するデータＤj が記憶さているデータ領域１０を
特定して、該当データ領域１０からデータＤj を読出し
てＲＡＭ３へ格納する（Ｓ３）。
【００５８】次に、ＲＡＭ３のデータに対して今回のデ
ータ更新要求に対するデータ更新処理を行う（Ｓ４）。
このＲＡＭ３の更新後のデータをフラッシュメモリ４の
作業領域１１へ書込むＳ５）。
ータ更新要求に対するデータ更新処理を行う（Ｓ４）。
このＲＡＭ３の更新後のデータをフラッシュメモリ４の
作業領域１１へ書込むＳ５）。
【００５９】最後に、フラッシュメモリ４の該当データ
領域１０をクリアした後（Ｓ６）、更新後のデータを該
当データ領域１０へ書込む（Ｓ７）。該当データ領域１
０に対するデータ更新処理が終了すると、Ｓ１へ戻り、
次のデータ更新要求の入力待ちとなる。
領域１０をクリアした後（Ｓ６）、更新後のデータを該
当データ領域１０へ書込む（Ｓ７）。該当データ領域１
０に対するデータ更新処理が終了すると、Ｓ１へ戻り、
次のデータ更新要求の入力待ちとなる。
【００６０】このように構成された不揮発性メモリに対
するデータ更新方法であれば、データ更新要求が発生し
た場合には、データを読取って更新し、更新後のデータ
を一旦作業領域１１に複写した後に、該当データ領域１
０に書込むようにしている。
するデータ更新方法であれば、データ更新要求が発生し
た場合には、データを読取って更新し、更新後のデータ
を一旦作業領域１１に複写した後に、該当データ領域１
０に書込むようにしている。
【００６１】したがって、データ領域１０のデータに対
する更新処理過程で停電等に起因してデータが破壊され
た場合においては、作業領域１１に記憶されている更新
後のデーダを用いて消滅したデータを復元できる。よっ
て、図７に示した実施例とほぼ同じ効果を得ることがで
きる。
する更新処理過程で停電等に起因してデータが破壊され
た場合においては、作業領域１１に記憶されている更新
後のデーダを用いて消滅したデータを復元できる。よっ
て、図７に示した実施例とほぼ同じ効果を得ることがで
きる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の不揮発性メ
モリに対するデータ更新方法によれば、データ更新時
に、フラッシュメモリ等のオーバーライト不可能な不揮
発性メモリ内に同一データを記憶する複数の領域を形成
して、複数の領域のデータ書換処理時間を互いにづらせ
て実施している。
モリに対するデータ更新方法によれば、データ更新時
に、フラッシュメモリ等のオーバーライト不可能な不揮
発性メモリ内に同一データを記憶する複数の領域を形成
して、複数の領域のデータ書換処理時間を互いにづらせ
て実施している。
【００６３】したがって、たとえ一方の領域のデータ更
新中に停電等によって不揮発性メモリから読出したデー
タが消滅したとしても、残りの領域に記憶されているデ
ータで消滅したデータを復元でき、簡単な構成でデータ
の保全を図ることができ、コンピュータ全体の信頼性を
向上できる。
新中に停電等によって不揮発性メモリから読出したデー
タが消滅したとしても、残りの領域に記憶されているデ
ータで消滅したデータを復元でき、簡単な構成でデータ
の保全を図ることができ、コンピュータ全体の信頼性を
向上できる。
【図１】 本発明の一実施例に係わる不揮発性メモリに
対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概略構
成図
対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概略構
成図
【図２】 同コンピュータのデータ領域の構成を示す図
【図３】 同コンピュータの初期処理動作を示す図
【図４】 同コンピュータの動作を示す説明図
【図５】 同コンピュータのデータ書換処理動作を示す
図
図
【図６】 同コンピュータのデータ更新処理動作を示す
図
図
【図７】 本発明の他の実施例に係わる不揮発性メモリ
に対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概略
構成図
に対するデータ更新方法を適用したコンピュータの概略
構成図
【図８】 同コンピュータの作業領域の構成を示す図
【図９】 同コンピュータの初期処理動作を示す図
【図１０】 実施例方法が適用されたデータ更新処理動
作を示す図
作を示す図
２…制御部、３…ＲＡＭ、４…フラッシュメモリ、７…
データブロック、８，１０…データ領域、１１…作業領
域。
データブロック、８，１０…データ領域、１１…作業領
域。
Claims (3)
- 【請求項１】 オーバーライト不可能な不揮発性メモリ
に記憶されている各データを更新する不揮発性メモリに
対するデータ更新方法において、 前記不揮発性メモリ内に、前記各データに対応して同一
データを記憶する複数のデータ領域からなる複数のデー
タブロックを形成し、 データ更新要求に応じて、この更新要求データに対応す
るデータブロック内の所定の手順で選択した一つのデー
タ領域に記憶されているデータを読出して揮発性メモリ
に書込み、 この揮発性メモリに記憶されたデータを更新し、 前記選択されデータ領域の記憶内容をクリアして、クリ
アされたデータ領域に更新後のデータを書込み、 その後、選択されなかった他の各データ領域の記憶内容
をクリアして、クリアされた各データ領域に前記更新後
のデータを書込むことを特徴とする不揮発性メモリに対
するデータ更新方法。 - 【請求項２】 オーバーライト不可能な不揮発性メモリ
に記憶されている各データを更新する不揮発性メモリに
対するデータ更新方法において、 前記不揮発性メモリ内に、前記各データを記憶するため
の複数のデータ領域及びデータを一時記憶するための一
つの作業領域を形成し、 データ更新要求に応じて、この更新要求データに対応す
るデータ領域のデータを読出して揮発性メモリに書込
み、 前記作業領域をクリアして、クリアされた作業領域に前
記揮発性メモリに記憶されたデータを書込み、 前記揮発性メモリに記憶されたデータを更新し、 前データ領域の記憶内容をクリアして、クリアされたデ
ータ領域に更新後のデータを書込むことを特徴とする不
揮発性メモリに対するデータ更新方法。 - 【請求項３】 オーバーライト不可能な不揮発性メモリ
に記憶されている各データを更新する不揮発性メモリに
対するデータ更新方法において、 前記不揮発性メモリ内に、前記各データを記憶するため
の複数のデータ領域及びデータを一時記憶するための一
つの作業領域を形成し、 データ更新要求に応じて、この更新要求データに対応す
るデータ領域のデータを読出して揮発性メモリに書込
み、 前記揮発性メモリに記憶されたデータを更新し、 前記作業領域をクリアして、クリアされた作業領域に更
新後のデータを書込み、 前データ領域の記憶内容をクリアして、クリアされたデ
ータ領域に前記更新後のデータを書込むことを特徴とす
る不揮発性メモリに対するデータ更新方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31667993A JPH07168769A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 不揮発性メモリに対するデータ更新方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31667993A JPH07168769A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 不揮発性メモリに対するデータ更新方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07168769A true JPH07168769A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18079708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31667993A Pending JPH07168769A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 不揮発性メモリに対するデータ更新方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07168769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839568B2 (en) | 2000-11-22 | 2005-01-04 | Nec Corporation | User setting information management method and management system for portable telephone |
| US6941413B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-09-06 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | Nonvolatile memory, its data updating method, and card reader equipped with such nonvolatile memory |
| KR100970064B1 (ko) * | 2002-12-16 | 2010-07-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 차분 갱신 방법, 기록 매체 및 장치 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31667993A patent/JPH07168769A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839568B2 (en) | 2000-11-22 | 2005-01-04 | Nec Corporation | User setting information management method and management system for portable telephone |
| US6941413B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-09-06 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | Nonvolatile memory, its data updating method, and card reader equipped with such nonvolatile memory |
| KR100970064B1 (ko) * | 2002-12-16 | 2010-07-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 차분 갱신 방법, 기록 매체 및 장치 |
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