JP2002259152A

JP2002259152A - フラッシュメモリ書換方法

Info

Publication number: JP2002259152A
Application number: JP2001365881A
Authority: JP
Inventors: Masatsugu Iuchi; 勝継井内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-12-26
Filing date: 2001-11-30
Publication date: 2002-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】フラッシュメモリの内容を書換中、誤ってデ
ータが破損された場合でもシステムが支障無く動作する
ことを目的とする。【解決手段】フラッシュメモリ内のプログラムまたは
データを更新する領域Ａ１３と、工場出荷のままで更新
しない領域Ｂ１４を設け、システムのブート時ＪＵＭＰ
命令１２に従って、領域Ａ１３のデータが正常に書込さ
れていれば、領域Ａの先頭アドレス１６ａから実行し、
領域Ａ１３のデータが書換中に異常終了したと判断され
た場合は、領域Ｂの先頭アドレス１６ｂから実行するよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
書換方法に関するものであり、特にハードディスクレコ
ーダ等の情報家電製品に使用してブートプログラムある
いはデータを記憶更新するフラッシュメモリ書換方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のフラッシュメモリ書換方法は、特
開平１１−２６００７５号公報に記載されているよう
に、フラッシュメモリに記憶されているデータを書き換
える場合、消去する領域を予めランダムアクセスメモリ
に転送しておき、途中でデータの消去を中止した場合や
書換に失敗した際に、ランダムアクセスメモリに退避し
ておいたデータをフラッシュメモリの元の状態に復帰で
きるようにしたものが知られている。

【０００３】また、フラッシュメモリに記憶されている
データを書き換える場合、予めフラッシュメモリ供給電
圧を監視して、正規の電圧であれば書換を実行するよう
にして、フラッシュメモリに記憶されたデータの書換に
対する信頼性を高めたものが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフラッシュメモリ書換方法においては、フラッシュ
メモリの書換時、予めランダムアクセスメモリに退避す
るためのメモリ領域を確保しなければならず、このため
にランダムアクセスメモリの作業領域が制約されるとい
う問題点があった。

【０００５】また、上記フラッシュメモリの書換時、ラ
ンダムアクセスメモリへの領域書き込み時間が新たに発
生するという問題点があった。

【０００６】また、フラッシュメモリの書換時、予めフ
ラッシュメモリ供給電圧を監視して、正規の電圧であれ
ば書換を実行する方法では、書き換え中に停電等の電圧
低下があった場合、書換領域のデータが消去されたり間
違ったデータが書き込まれるという問題点があった。特
にフラッシュメモリにブートプログラムが書き込まれて
いる場合、フラッシュメモリの書換時にこの内容が損傷
されてしまうと、次回以降の電源投入時、システム自体
が起動しないという致命的な状態に陥ってしまう。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、フラッシュメモリ書換時に誤ってプログラムや
データが損傷しても、元に復帰することができるフラッ
シュメモリ書換方法を提供することを目的とするもので
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、フラッシュメモリの書換時、予めランダム
アクセスメモリに退避することに代えて、フラッシュメ
モリを少なくとも２つに分割して書換を行う領域と書換
をしない領域を設けるようにしたものである。

【０００９】これによりフラッシュメモリ書換時に誤っ
てプログラムやデータが損傷しても、システムが暴走す
ることなく、元に復帰することができるフラッシュメモ
リ書換方法が得られる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、プログラムあるいはデータを記憶するフラッシュメ
モリと、前記フラッシュメモリへの読出し、消去及び書
込み処理を行うフラッシュメモリ制御手段と、前記フラ
ッシュメモリの領域を少なくとも２つに分割し、プログ
ラムあるいはデータを更新できるデータ更新可能領域
と、プログラムあるいはデータを更新できないデータ更
新不可能領域とからなる構造を有し、前記データ更新可
能領域において、プログラムあるいはデータの更新に失
敗した場合、前記データ更新不可能領域のプログラムあ
るいはデータを使用する手段を有したものであり、更新
されたプログラムまたはデータが損傷された場合でも一
時的に安定したシステムが確保できるという作用があ
る。

【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
において、前記データ更新可能領域でプログラムあるい
はデータの更新に失敗した場合、損傷した領域のプログ
ラムあるいはデータを復旧処理する復旧処理手段と、復
旧後は前記復旧処理手段で復旧されたデータ更新可能領
域のプログラムあるいはデータを使用することを特徴と
したものであり、損傷した領域のプログラムまたはデー
タを自ら修復し、常に更新されたプログラムまたはデー
タを使用したシステムが確保できるという作用がある。

【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
において、プログラムあるいはデータを記憶するフラッ
シュメモリは、予め工場出荷時に分割された領域に同じ
内容のプログラムあるいはデータが書込まれていること
を特徴としたものであり、プログラムまたはデータの更
新に余分な時間が不要で、且つ信頼性の高いシステムを
確保できるという作用がある。

【００１３】また、請求項４に記載の発明は、プログラ
ムあるいはデータを記憶するフラッシュメモリと、前記
フラッシュメモリへの読出し、消去及び書込み処理を行
うフラッシュメモリ制御手段と、前記フラッシュメモリ
の領域を少なくとも２つに分割し、プログラムあるいは
データを更新できるデータ更新可能領域と、プログラム
あるいはデータを更新できないデータ更新不可能領域と
からなる構造を有し、前記データ更新可能領域のプログ
ラムを実行中に不正な処理を検知する不正処理検知手段
と、前記不正処理検知手段によって不正な処理を検知し
た場合、例外処理プログラムへ実行を移行する例外処理
移行手段と、前記例外処理プログラムによって前記デー
タ更新不可能領域のプログラムを使用することを特徴と
したものであり、更新されたプログラムに損傷があった
場合でも正常にシステムが起動できるという作用があ
る。

【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
において、前記不正な処理とは、規定されていない命令
コードをフェッチした場合、あるいはデータの参照アド
レスが規定のアドレス境界でない場合、あるいはスタッ
クが規定の範囲を超えた場合のいずれかであることを特
徴としたものであり、更新されたプログラムに損傷があ
った場合に上記不正な処理が発生することで不正箇所を
検知できるという作用がある。

【００１５】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
において、前記例外処理プログラムは、同一フラッシュ
メモリ上の前記データ更新不可能領域に、予め工場出荷
時に書込まれていることを特徴としたものであり、フラ
ッシュメモリの使用効率及び信頼性の高いシステムを提
供できるという作用がある。

【００１６】また、請求項７に記載の発明は、請求項２
において、前記データ更新不可能領域のプログラムを実
行してシステムが起動した場合、適時前記復旧処理手段
によって復旧することを特徴としたものであり、システ
ムの稼動効率を低下させることなく損傷した領域のプロ
グラムまたはデータを修復することができるという作用
がある。

【００１７】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
において、前記適時とは、システムがパワーオフの時、
あるいはシステムがパワーオンで且つ前記復旧処理手段
によって復旧ができると判断した時に行うことを特徴と
したものであり、システムの稼動効率を低下させること
なく損傷した領域のプログラムまたはデータを修復する
ことができるという作用がある。

【００１８】また、請求項９に記載の発明は、プログラ
ムあるいはデータを記憶するフラッシュメモリと、前記
フラッシュメモリへの読出し、消去及び書込み処理を行
うフラッシュメモリ制御手段と、前記フラッシュメモリ
の領域を少なくとも２つに分割し、プログラムあるいは
データを更新できるデータ更新可能領域と、プログラム
あるいはデータを更新できないデータ更新不可能領域と
からなる構造を有し、前記データ更新可能領域のプログ
ラムあるいはデータの正否を示すＴＡＧと、前記ＴＡＧ
が正しいかどうかを判定するＴＡＧ判定手段を有するこ
とを特徴としたものであり、これによってシステムが暴
走することなく信頼性の高いシステムを提供できるとい
う作用がある。

【００１９】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
９において、前記データ更新可能領域のプログラムある
いはデータを使用する前に、前記ＴＡＧ判定手段によっ
て前記ＴＡＧの値が正しければ、データ更新可能領域の
プログラムあるいはデータを使用し、正しくなければ、
データ更新不可能領域のプログラムあるいはデータを使
用することを特徴としたものであり、これによってシス
テムが暴走することなく信頼性の高いシステムを提供で
きるという作用がある。

【００２０】また、請求項１１に記載の発明は、プログ
ラムあるいはデータを記憶するフラッシュメモリと、前
記フラッシュメモリへの読出し、消去及び書込み処理を
行うフラッシュメモリ制御手段と、前記フラッシュメモ
リにプログラムあるいはデータを更新できるデータ更新
可能領域と、前記フラッシュメモリとは別の不揮発性メ
モリにプログラムあるいはデータを更新できないデータ
更新不可能領域とからなる構成を有したことを特徴とし
たものであり、メモリの容量や構成に制約されないシス
テムを提供できるという作用がある。

【００２１】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
１１において、前記不揮発性メモリは、前記データ更新
可能領域と同じ内容のプログラムあるいはデータが予め
工場出荷時に書込まれていることを特徴としたものであ
り、プログラムまたはデータの更新に余分な時間が不要
で、且つ信頼性の高いシステムを確保できるという作用
がある。

【００２２】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１におけるフラッシュメモリ書換方法について、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１
におけるフラッシュメモリのメモリマップ図であり、図
２および図３は、同フラッシュメモリの実行処理及び更
新処理を示すフローチャートである。

【００２３】図１において、システムがブート時に最初
に実行されるフラッシュメモリの先頭アドレス１５から
システムの初期化に必要な初期化プログラム１１が、書
き込まれている。領域Ａ１３は最新のプログラムまたは
データが更新される書換専用の領域であって、且つ通常
の処理で実行される領域である。

【００２４】一方、領域Ｂ１４は工場出荷時のプログラ
ムまたはデータが書込まれており、以降一切書換しない
領域であって、且つ領域Ａ１３の内容が破損された時に
一時的にシステムの復旧用として実行される領域であ
る。なお、領域Ａ１３と領域Ｂ１４には、予め工場出荷
時に同じ内容が書き込まれているものとする。

【００２５】以下、実際にハードディスクレコーダにお
いてフラッシュメモリをブート用として使用した場合の
システムについて、図２及び図３のフローチャートに基
づいて説明する。

【００２６】ハードディスクレコーダの電源を投入する
と、まず最初に初期化処理２１が実行される。次にＪＵ
ＭＰ命令１２を実行する。ＪＵＭＰ先のアドレスは、領
域Ａ１３の先頭アドレス１６ａまたは、領域Ｂ１４の先
頭アドレス１６ｂのどちらか一方が書き込まれるように
なっており、工場出荷時は領域Ａ１３の先頭アドレス１
６ａが書き込まれている。そこで、領域Ａ処理２３が実
行される。以降、次の処理２４が順次実行される。

【００２７】システムが起動中、通信回線を通して最新
のブートプログラムが送られて来た場合、図３の更新処
理関数３０が実行される。書換処理を行う直前に、ＪＵ
ＭＰ先の変更３１でＪＵＭＰ命令１２のＪＵＭＰ先のア
ドレスを領域Ｂ１４の先頭アドレス１６ｂに書き換え
る。その後、領域Ａ消去処理３２と領域Ａ書込処理３３
を実行し、最新のブートプログラムに更新する。次にベ
リファイ処理３４で更新された内容が通信回線を通して
送られてきた内容と同じかどうか、ベリファイを行う。
正常に更新されたら、ＪＵＭＰ先変更処理３１でＪＵＭ
Ｐ命令１２のＪＵＭＰ先のアドレスを、書換処理を行う
前の領域Ａ１３の先頭アドレス１６ａに書き換える。

【００２８】上記、フラッシュメモリの更新中に不測の
停電や誤って電源コードが抜かれた場合、フラッシュメ
モリの内容は、損傷し保証されなくなる。領域Ａ消去処
理３２実行中に停電が発生し処理が中断された場合、次
にハードディスクレコーダの電源を投入すると、前記同
様まず最初に初期化処理２１が実行され、次にＪＵＭＰ
命令１２を実行する。今回、ＪＵＭＰ先のアドレスは、
領域Ｂ１４の先頭アドレス１６ｂに書き換わったままに
なっているので、工場出荷時のプログラムである領域Ｂ
処理２５が実行される。その結果、正常にシステムが起
動することが可能となる。次に通信回線と接続し、最新
のブートプログラムを領域Ａ１３の内容と書き換えるた
めに、前記同様、更新処理関数３０を実行する。

【００２９】以上のように本実施の形態１によれば、フ
ラッシュメモリ更新中に発生した書き込みエラーを未然
に回避し、安定した動作を保証し、システムを最新のプ
ログラムで実行することができる。

【００３０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
おけるフラッシュメモリ書換方法について、図面を参照
しながら説明する。図４は本発明の実施の形態２におけ
るフラッシュメモリのメモリマップ図であり、図５は、
同フラッシュメモリの実行処理及び更新処理を示すフロ
ーチャートである。

【００３１】図４において、領域Ａを実行中に規定され
ていない命令コードをフェッチした場合、またはデータ
の参照アドレスが規定のアドレス境界でない場合、また
は規定したスタック領域を越えてアクセスしようとした
場合のような不正な処理が検知された場合に実行する例
外処理プログラム１７が予め記載されている。

【００３２】以下、実施の形態１と同様に図５のフロー
チャートに基づいて説明する。ハードディスクレコーダ
の電源を投入すると、まず最初に初期化処理２１が実行
される。次に領域Ａ１３の内容が正しく更新されていれ
ば、領域Ａ処理２３を実行した後、次の処理２４を実行
する。しかし、領域Ａ処理２３を実行中に前記不正な処
理が検知されると、その時点で例外処理プログラム１７
に制御が移行する。例外処理プログラム１７では、再
度、初期化処理２１を実行し、次に領域Ｂ処理２５を実
行する。次に領域Ａ１３の内容を修復するために更新フ
ラグを１に設定しておく。このようにシステムが一時的
に正常に起動したので、次の処理２４を実行する。

【００３３】ＰＯＷＥＲ判定処理４２によってシステム
の電源がＯＦＦで、且つ更新フラグ判定処理４３で更新
フラグが１であれば、領域Ａ１３の内容を修復する。領
域Ａ消去処理３２と領域Ａ書込処理３３を実行し、最新
のブートプログラムに更新する。最後に更新フラグを０
に設定した後、次の処理２４を実行する。

【００３４】以上のように本実施の形態２によれば、更
新されたプログラム内に損傷があった場合、これを例外
処理検知することで一時的にシステムを安定に起動する
ことができる。

【００３５】（実施の形態３）本発明の実施の形態３に
おけるフラッシュメモリ書換方法について、図面を参照
しながら説明する。図６は本発明の実施の形態３におけ
るフラッシュメモリのメモリマップ図であり、図７は、
同フラッシュメモリの実行処理及び更新処理を示すフロ
ーチャートである。

【００３６】図６において、領域Ａ１３の最後の空きエ
リアに、領域Ａ１３の処理プログラムが正しく更新され
たことを示す数バイトから成るＴＡＧ１８を書込むエリ
アを確保したものである。

【００３７】以下、実施の形態１と同様に図７のフロー
チャートに基づいて説明する。ハードディスクレコーダ
の電源を投入すると、まず最初に初期化処理２１が実行
される。次にＴＡＧ判定処理５１によってＴＡＧの値が
正しい値かどうかを判定する。正しいと判定した場合
は、領域Ａの処理２３を実行した後、次の処理２４に進
む。

【００３８】一方、ＴＡＧの値が正しくないと判定した
場合、領域Ｂ処理２５を実行することで一時的にシステ
ムを起動する。その後、領域Ａ消去処理３２と領域Ａ書
込処理３３を実行することで破損した領域Ａ１３の内容
を修復する。次に更新された領域Ａ１３の内容が正しい
ことを示すＴＡＧ１８を書込むＴＡＧ書込処理５２を実
行した後、次の処理２４に進む。

【００３９】つまり領域Ａ１３の内容を更新中に不測の
停電が発生した場合、ＴＡＧの内容が領域Ａ消去処理３
２で消されているため、次に電源が投入された場合は、
ＴＡＧ判定処理５１によって領域Ｂ処理２５を実行する
ことで、システムが暴走することなく、一時的に安定し
たシステムを起動することができる。

【００４０】以上のように本実施の形態３によれば、修
復されたプログラムが正しく更新されたことを示すＴＡ
Ｇをデータ更新可能領域に設けることで、一時的にシス
テムを安定に起動することができる。

【００４１】（実施の形態４）本発明の実施の形態４に
おけるフラッシュメモリ書換方法について、図１と図４
と図６を用いて説明する。

【００４２】これまで述べた実施の形態１から実施の形
態３で使用したフラッシュメモリは、データ更新可能領
域である領域Ａ１３とデータ更新不可能領域である領域
Ｂ１４の少なくとも２つの領域に分割した構成を特徴と
したものである。これを本発明の実施の形態４では、前
記データ更新不可能領域である領域Ｂ１４を別の不揮発
性メモリ上に配置する構成とする。たとえばフラッシュ
メモリの容量が不足し、領域Ａ１３と領域Ｂ１４の２つ
の領域を確保できない場合、別の不揮発性メモリに領域
Ｂ１４を確保することで、前記実施の形態１から実施の
形態３と同様なフラッシュメモリ書換方法により、同等
の処理を実現することが可能となる。

【００４３】以上のように本実施の形態４によれば、デ
ータ書換不可能領域を別の不揮発性メモリに配置するこ
とでも、まったく同等の効果を得ることができる。

【００４４】なお、本実施の形態では、ブートプログラ
ムの場合で説明したが、データの更新の場合も同様な効
果が得られる。

【００４５】さらに、本実施の形態では、更新できる領
域と、更新できない領域の２つに分割した例について説
明したが、分割領域を２つ以上にし、それぞれの領域を
複数持たせて処理しても同様な効果が得られることは言
うまでもない。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明は、フラッシュメモ
リの領域を少なくとも２つに分割し、プログラムまたは
データを更新できる領域と、更新できない領域からなる
構造を有し、前記プログラムまたはデータの更新に失敗
した場合、もう一方の更新されていない領域のプログラ
ムまたはデータを使用する構成にすることにより、プロ
グラムが暴走したり間違った処理を行ったりするような
問題のないフラッシュメモリ書換方法を得ることがで
き、安定したシステムを構築できるという効果を奏する
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるフラッシュメモ
リのメモリマップ図

【図２】実施の形態１におけるフラッシュメモリの実行
処理を示すフローチャート

【図３】実施の形態１におけるフラッシュメモリの更新
処理を示すフローチャート

【図４】本発明の実施の形態２におけるフラッシュメモ
リのメモリマップ図

【図５】実施の形態２におけるフラッシュメモリの実行
処理を示すフローチャート

【図６】本発明の実施の形態３におけるフラッシュメモ
リのメモリマップ図

【図７】実施の形態３におけるフラッシュメモリの実行
処理を示すフローチャート

【符号の説明】

１１初期化プログラム１２ＪＵＭＰ命令１３領域Ａ１４領域Ｂ１６ａ、１６ｂ各領域の先頭アドレス１７例外処理プログラム２１初期化処理２３領域Ａ処理２５領域Ｂ処理３０更新処理関数３１ＪＵＭＰ先変更処理３２領域Ａ消去処理３３領域Ａ書込処理３４ベリファイ処理４２ＰＯＷＥＲ判定処理４３更新フラグ判定処理５１ＴＡＧ判定処理５２ＴＡＧ書込み処理

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プログラムあるいはデータを記憶するフ
ラッシュメモリと、前記フラッシュメモリへの読出し、
消去及び書込み処理を行うフラッシュメモリ制御手段
と、前記フラッシュメモリの領域を少なくとも２つに分
割し、プログラムあるいはデータを更新できるデータ更
新可能領域と、プログラムあるいはデータを更新できな
いデータ更新不可能領域とからなる構造を有し、前記デ
ータ更新可能領域において、プログラムあるいはデータ
の更新に失敗した場合、前記データ更新不可能領域のプ
ログラムあるいはデータを使用する手段を備えたことを
特徴とするフラッシュメモリ書換方法。
【請求項２】請求項１において、前記データ更新可能
領域でプログラムあるいはデータの更新に失敗した場
合、損傷した領域のプログラムあるいはデータを復旧処
理する復旧処理手段と、復旧後は前記復旧処理手段で復
旧されたデータ更新可能領域のプログラムあるいはデー
タを使用することを特徴とする請求項１に記載のフラッ
シュメモリ書換方法。
【請求項３】請求項１において、プログラムあるいは
データを記憶するフラッシュメモリは、予め工場出荷時
に分割された領域に同じ内容のプログラムあるいはデー
タが書込まれていることを特徴とする請求項１に記載の
フラッシュメモリ書換方法。
【請求項４】プログラムあるいはデータを記憶するフ
ラッシュメモリと、前記フラッシュメモリへの読出し、
消去及び書込み処理を行うフラッシュメモリ制御手段
と、前記フラッシュメモリの領域を少なくとも２つに分
割し、プログラムあるいはデータを更新できるデータ更
新可能領域と、プログラムあるいはデータを更新できな
いデータ更新不可能領域とからなる構造を有し、前記デ
ータ更新可能領域のプログラムを実行中に不正な処理を
検知する不正処理検知手段と、前記不正処理検知手段に
よって不正な処理を検知した場合、例外処理プログラム
へ実行を移行する例外処理移行手段と、前記例外処理プ
ログラムによって前記データ更新不可能領域のプログラ
ムを使用することを特徴とするフラッシュメモリ書換方
法。
【請求項５】請求項４において、前記不正な処理と
は、規定されていない命令コードをフェッチした場合、
あるいはデータの参照アドレスが規定のアドレス境界で
ない場合、あるいはスタックが規定の範囲を超えた場合
のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載のフ
ラッシュメモリ書換方法。
【請求項６】請求項４において、前記例外処理プログ
ラムは、同一フラッシュメモリ上の前記データ更新不可
能領域に、予め工場出荷時に書込まれていることを特徴
とする請求項４に記載のフラッシュメモリ書換方法。
【請求項７】請求項２において、前記データ更新不可
能領域のプログラムを実行してシステムが起動した場
合、適時前記復旧処理手段によって復旧することを特徴
とする請求項２に記載のフラッシュメモリ書換方法。
【請求項８】請求項７において、前記適時とは、シス
テムがパワーオフの時、あるいはシステムがパワーオン
で且つ前記復旧処理手段によって復旧ができると判断し
た時に行うことを特徴とする請求項７に記載のフラッシ
ュメモリ書換方法。
【請求項９】プログラムあるいはデータを記憶するフ
ラッシュメモリと、前記フラッシュメモリへの読出し、
消去及び書込み処理を行うフラッシュメモリ制御手段
と、前記フラッシュメモリの領域を少なくとも２つに分
割し、プログラムあるいはデータを更新できるデータ更
新可能領域と、プログラムあるいはデータを更新できな
いデータ更新不可能領域とからなる構造を有し、前記デ
ータ更新可能領域のプログラムあるいはデータの正否を
示すＴＡＧと、前記ＴＡＧが正しいかどうかを判定する
ＴＡＧ判定手段を有することを特徴とするフラッシュメ
モリ書換方法。
【請求項１０】請求項９において、前記データ更新可
能領域のプログラムあるいはデータを使用する前に、前
記ＴＡＧ判定手段によって前記ＴＡＧの値が正しけれ
ば、データ更新可能領域のプログラムあるいはデータを
使用し、正しくなければ、データ更新不可能領域のプロ
グラムあるいはデータを使用することを特徴とする請求
項９に記載のフラッシュメモリ書換方法。
【請求項１１】プログラムあるいはデータを記憶する
フラッシュメモリと、前記フラッシュメモリへの読出
し、消去及び書込み処理を行うフラッシュメモリ制御手
段と、前記フラッシュメモリにプログラムあるいはデー
タを更新できるデータ更新可能領域と、前記フラッシュ
メモリとは別の不揮発性メモリにプログラムあるいはデ
ータを更新できないデータ更新不可能領域とからなる構
成を有したことを特徴とするフラッシュメモリ書換方
法。
【請求項１２】請求項１１において、前記不揮発性メ
モリは、前記データ更新可能領域と同じ内容のプログラ
ムあるいはデータが予め工場出荷時に書込まれているこ
とを特徴とする請求項１１に記載のフラッシュメモリ書
換方法。