KR850002417Y1 - 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템 - Google Patents

불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR850002417Y1
KR850002417Y1 KR2019850010858U KR850010858U KR850002417Y1 KR 850002417 Y1 KR850002417 Y1 KR 850002417Y1 KR 2019850010858 U KR2019850010858 U KR 2019850010858U KR 850010858 U KR850010858 U KR 850010858U KR 850002417 Y1 KR850002417 Y1 KR 850002417Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
memory
bubble
page
area
Prior art date
Application number
KR2019850010858U
Other languages
English (en)
Inventor
료오지 이마제끼
미찌야 이노우에
Original Assignee
후지쓰후아낙크 가부시끼가이샤
이나바 세이우에옹
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지쓰후아낙크 가부시끼가이샤, 이나바 세이우에옹 filed Critical 후지쓰후아낙크 가부시끼가이샤
Priority to KR2019850010858U priority Critical patent/KR850002417Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR850002417Y1 publication Critical patent/KR850002417Y1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1435Saving, restoring, recovering or retrying at system level using file system or storage system metadata
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C14/00Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템
제 1 도는 본 고안의 대상의 일예로서의 메이저루우프(Major loop) 및 마이너 루우프(Minor loop) 구성의 자기 버블 메모리의 정보 판독(read) 및 재기록 동작의 설명도.
제 2 도는 본 고안의 일 실시예의 블록도.
제 3 도는 본 고안의 일 실시예에 있어서의 재 기록후의 자기버블 메모리의 기억상태의 설명도.
본 고안은 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템에 관한 것으로, 특히 1 액세스 단위의 기억데이터(one access unit of stored data)의 재기록 동작으로 소거사이클(erase cycle)과 기록 사이클(write cycle)에 의하여 실행하는 형식의 불휘발성 메모리에 있어서, 정전시의 데이터 보호가 가능하도록 개량된 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템에 관한 것이다.
불휘발성 메모리중 1액세스 단위의 기억 데이터의 재기록 동작을 소거 사이클과 기록 사이클에 의하여 실행하는 형식의 불휘발성 메모리, 이를테면 메이저 루우프 및 마이너루우프 구성의 자기 버블 메모리가 알려져 있다. 이와 같은 자기 버블 메모리와 같은 불휘발성 메모리에 있어서는 정전에 대한 대책이 중요한 문제이다. 즉, 이와 같은 메모리에 있어서는 메모리내의 기억데이터를 재기록할때에 다음과 같은 시이퀀스를 채용한다. 즉, 먼저 재기록 할 데이터(이하 구 데이터라 칭함)를 메모리로부터 판독한다. 다음에, 그 판독한 데이터로부터 새로운 재기록 데이터를 편집하고 재기록 하기 위한 새로운 데이터를 작성한다. 그후 그 판독된 데이터를 메모리로부터 소거한다(소거 사이클). 그 후 전술의 새로운 데이터를 메모리에 기록한다(기록 사이클).
이와 같은 재기록 사이퀀스를 필요로 하는 메모리에 있어서 소거 사이클중 또는 소거사이클 후 기록 종료까지 사이에 정전이 발생하면 전술한 새로운 데이터가 소실할 가능성이 있다. 이를테면 전술의 편집을 위한 메모리가 불휘발성 메모리로써 구성되어 있으면 문제가 없으나 휘발성 메모리의 경우 전원의 차단에 의하여 데이터의 소실이 발생하게 된다. 한편 불휘발성 메모리로써 구성되어 있어도 데이터의 편집과 메모리의 소거를 병행하여 행할 경우에는 정전후의 재개시 재채 메모리 내에 구 데이터를 필요로 하는 경우가 있다.
반도체 메모리와 같이 정전이 발생하여도 재기록 동작이 극히 단시간으로써 완료하는 경우에는 정전후 축전지 등으로 부터 전원을 공급함으로써 용이하게 그리고 비교적 염가의 구성으로써 기억 내용의 소실을 막을 수가 있다.
특히 정전에 대하여 특별한 고려를 요하지 않는다.
그러나 자기버블 메모리 등과 같이 소거사이클과 기록사이클의 간격이 긴 경우에는 재기록이 완료할 때까지의 장시간동안 전원을 계속 공급하기가 곤난하며, 설령 가능하다 하여도 일반적으로 고가의 장치를 필요하게 된다. 따라서 이와 같은 불휘발성 메모리에 있어서는 정전시에 있어서 데이터의 보호가 가능하고 또한 염가로 달성할 수 있는 시스템이 요구된다.
본 고안의 목적은 1액세스 단위의 기억 데이터의 재기록 동작을 소거사이클과 기록 사이클에 의하여 실행하는 불휘발성 메모리에 있어서 정전시 데이터 보호를 가능하게 하며, 또한 염가로 달성하는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템을 제공함에 있다.
본 고안의 다른 목적은 이와 같은 불휘발성 메모리에 있어서의 소거사이클 후 정전에 대하여 데이터의 재기록의 신뢰성을 보장할 수 있는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록시스템을 제공함에 있다.
본 고안의 다른 목적은 이와 같은 불휘발성 메모리에 있어서 정전후의 재개시에 있어서의 재기록을 위한 데이터 또는 새로운 데이터를 용이하게 얻을 수 있는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템을 제공함에 있다.
본 고안의 다른 목적은 이와 같은 불휘발성 메모리에 있어서 소거사이클 후 정전에 대하여 염가로 데이터의 보호가 가능한 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템을 제공함에 있다.
본 고안의 또 다른 목적은 이와 같은 불휘발성 메모리에 있어서 소거사이클 후의 정전후의 재개시에 용이하게 기록번지를 검색할 수 있는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템을 제공함에 있다.
이하 첨부 도면에 의거 본 고안을 상세히 설명한다.
먼저 본 고안의 설명에 앞서 본 발명의 대상이 되는 불휘발성 메모리의 일예로서의 자기버블 메모리에 대하여 설명한다.
제 1 도는 메이저루우프 및 마이너루우프 구성의 자기버블 메모리의 데이터판독 및 재기록동작을 설명하는 설명도이다.
제 1 도에 있어서, m1,m2,m3……mN은 총 N개의 마이너루우프로서, 각각의 마이너루우프는 2M 버트의 버블 도메인 전송 트랙(bubble domain transfer track)에 의한 폐쇄루우프가 구성되어 있는 이를테면 T 바아패턴(T bar patterns)의 연속한 루우프이다. BG는 버블발생기, BE는 버블흡수기, MLR 은 판독전용주 라인, MLW는 기록전용주라인이다. 각 마이너루우프(m1,m2……mN)의 일단은 메이저루우프(MLR)(MLW)와 각각 접하여 트랜스퍼(TFR)로 부터의 트랜스퍼 지령에 의하여 판독전용 주라인(MLR)에 접하는 위치에 있던 마이너루우프(m1,m2……mN) 중의 버트위치의 버블도메인(도면중의 까만 동그라미)이 그 판독전용 주라인(MLR) 중에 전송되고, 또 트랜스퍼(TFW)로부터의 트랜스퍼 지령에 의하여 기록 전용 주라인(MLW)에 기록되어 있는 버블 도메인(도면중의 까만 동그라미)이 그 주라인(MLW)에 접하는 위치에 있어서 마이너루우프(m1,m2……mN)중에 전송된다.
다음에 판독처리 및 재기록 처리에 대하여 설명한다.
N 비트로써 구성된 1액세스 단위의 기억정보의 판독에 있어서, 먼저 N본의 마이너루우프들(m1,m2……mN) 중의 소정의 비트 위치의 버블 도메인이 병렬적으로 트랜스퍼 지령에 의하여 판독전용 주라인(MLR)에 전송된다. 그리고 제 1 도의 자기버블 메모리에 있어서, 1액세스 단위의 기억정보란 각 마이너 루우프 mi(i=1,2…N)에 기억되어 있는 2M 비트의 정보를 b(i,1), b(i,2)…b(i,2M-1), b(i,2M)로 하면 [b(1,j), b(2,j)…b(N,j)](단, j=1,2…2M)로 구성되는 N비트의 정보를 말한다. 그리고 이 1액세스 단위의 기억정보를 일반적으로 페이지(page)라 부른다.
다음에 판독전용 주라인(MLR)에 전송된 버블 도메인은 그 주라인(MLR)중을 순차로 1비트씩 시프트되어 직렬적으로 출력된다. 따라서 판독전용 주 라인(MLR)의 출구에 이를테면 자기 저항 효과형 버블검출기(BD)를 형성하여 두면 이 검출기(BD)에 의하여 버블의 유무가 검출되어 판독이 행해진다. 그리고 이 판독에 있어서는 마이너루우프(m1,m2……mN) 들중의 1액세스 단위의 버블 도메인이 소실하는 파괴판독과 소실하지 않는 비 파괴판독이 행해질 수 있으나 통상의 판독에 있어서는 비파괴 판독이 행해진다.
한편 정보의 재기록은 먼저 파괴 판독에 의하여 마이너루우프(m1,m2……mN)들중의 소망의 1액세스 단위의 정보를 소거한다(소거 사이클). 그런데 마이너 루우프(m1-mN)는 2M비트로써 구성되어 또 판독전용 주 라인(MLR)과 기록전용 주 라인(MLW)의 간격이 각각 M비트이므로 회전자게 2M 사이클에 의하여 각 마이너루우프(m1-mN)들중의 버블 도메인은 마치 1주 회전한다. 또 회전자게 M 사이클로써 판독전용 주 라인(MLR)에 접한 위치에 있던 마이너루우프(m1-mN)의 기억정보가 기록전용 주 라인(MLW)에 접하는 위치에 온다. 따라서 파괴 판독한 후에 있어서 회전자게의 M사이클 후에 미리 기록전용 주 라인(MLW)에 준비하여둔 N비트의 정보를 트랜스퍼(TFW)로부터의 트랜스퍼 지령에 의하여 병렬적으로 각 마이너루우프(m1-mN)에 전송함으로써 파괴판독에 의하여 파괴된 비트위치(전부 "0"의 위치)에 새로운 정보가 기록되어서(기록사이클) 재기록 처리가 종료한다.
이상으로부터 명백한 바와 같이 메이저 루우프 및 마이너 루우프 구성의 자기 버블 메모리는 N비트의 액세스 단위로 판독, 기록되며 재기록시에 있어서는 소거 사이클 후 기록사이클의 완료 할 때까지에 회전자게 M사이클의 상당이 긴 시간이 필요로 한다.
제 2 도는 본 고안에 관한 데이터 재기록 방식을 설명하는 블록도이고, 제 3 도는 재기록 후의 버블 메모리의 기억상태를 설명하는 설명도이다.
도면중 예시번호 1은 자기버블 메모리로서, 가공 프로그램 등을 기억하고 있다. 10은 데이터 기억영역이며 , 10a,10b,10c,……10n는 그 페이지 영역으로서 가공 프로그램의 데이터는 페이지 단위로 분할되어서 데이터 기억영역(10)의 그 페이지 영역(10a),(10b),(10c)……(10n)에 기억되며, 이 페이지 단위로 데이터의 판독이 행해진다. 그리고 각 페이지 영역(10a),(10b),(10c)……(10n)에는 다음에 판독할 페이지 영역의 페이지 번지(포인터)가 기억되어 있다. 이르테면 페이지 영역(10a),(10b),(10c)……(10n)에 의 페이지 번지가 P0,P1,P2……Pn이며, 또 페이지 영역(10a),(10b),(10c)……(10n)의 순서로 기억된 가공 데이터를 판독한다면 페이지 영역(10a)에는 페이지 번지(p1)가 페이지 영역(10b)에는 페이지 번지(p2)가……기억되어 있다. 예시번호 11은 세이브 영역(save area)으로서 어떤 페이지 영역의 기억데이터를 재기록할 때 전술의 소거 사이클에 앞서 그 기억데이터가 퇴피되어 이를 일시적으로 기억한다. 12는 공페이지 정보(페이지 번지 pi와 공페이지의 대응관계)를 기억하는 공 페이지 기억영역(blank page storage area)으로서 페이지 번지(pi) (i=0,1,2……) 대응의 페이지 영역에 가공 데이터 등의 정보가 기록되어 있지 않으며 "0", 가공데이터 등의 정보가 기록되어 있으면 "1"이 기록된다. 13은 페이지 번지와 시이퀀스 번호의 대응관계를 기억하는 시이퀀스 번호기 억영역이다. 그리고 세이브영역,공페이지 기억영역,시이퀀스 번호 기억의 페이지 번지는 각각 pf,pe,ps이다. 또한 예시번호 2는 RAM으로써 자기버블 메모리(1)로부터 판독한 페이지 단위의 데이터, 수정정보, 수정할 블록을 지시하는 시이퀀스 번호 등을 기억 한다. 3은 제어프로그램을 기억하는 판독 전용 제어프로그램 메모리이다. 4는 마이크로프로세서 등의 처리장치로서 제어프로그램 및 가공 프로그램의 지렁에 의하여 소정의 재기록 등의 편집처리, 수치제어 처리를 실행한다. 5는 수치 제어장치의 조작반으로서 그 조작반상에 형성된 수동 데이터 입력스위치로부터 수정정보가 입력된다. 즉, 그 조작반으로부터 수정할 블록을 지시하는 시이퀀스 번호, 새로운 수치제어 데영터, 삭제, 추가, 정정을 지시하는 정보 등이 입력되어 메모리(2)에 전송 기억된다. 6은 버블 메모리 제어기로서 프로세서(4)로부터의 지령에 의하여 자기 버블 메모리(1)로 부터 페이지 마다 데이터를 판독하며, 또 그 자기 버블 메모리(1)에 데이터를 기록한다. 그리고 프로세서(4)로부터 버블 메모리 제어기(6)에의 지령은 ① 판독/기록할 페이지 영역의 선두 페이지 번지, ② 판독/기록할 페이지수, ③ 판독/기록의 구별을 나타낸 정보 등으로써 되어 있다. 7은 직접 메모리 접근 제어기(이하 DMAC라 칭함)로서 프로세서(4)로부터의 지령에 의하여 메모리(2)로부터 판독한 데이터를 버블 메모리제어기(6)를 통하여 버블 메모리(1)에, 또 버블 제어기(6)를 통하여 판독된 데이터를 메모리(2)에 각각 전송한다. 즉, 메모리(2)로부터 데이터를 판독하여 그 데이터를 버블메모리(1)에 전송하는 경우에는 프로세서(4)로부터 DMAC(7)에 메모리(2)로부터 판독할 데이터의 바이트 수, 판독할 메모리(2)의 선두 번지가 지령된다.
이에 의하여 DMAC (7)는 메모리(2)의 선두번지로부터 순차로 데이터를 1바이트씩 판독하여 버블 메모리 제어기(6)에 전송 제어시키며, 버블 메모리제어기(6)는 전송되어온 데이터를 버블메모리(1)의 소정의 페이지 영역에 기록한다. 또 버블메모리(1)로부터 버블메모리 제어기(6)에 의하여 판독된 데이터를 메모리(2)에 전송, 기억시키는 경우에는 프로세서(4)로부터 DMAC(7)에 메모리(2)에 기록할 데이터의 층 바이트 수 및 기록할 선두번지가 지령된다. 이에 의하여 버블메모리 제어기(6)로부터 출력된 데이터를 1바이트씩 메모리(2)에 기록한다. 9는 공통 모선이다.
이하 본 고안의 시스템 동작에 대하여 설명한다.
이하의 설명에서는 가공 프로그램중 시이퀀스 번호(SNi-N)를 갖는 블록정보를 재기록하는 것으로 한다. 조작반(5)으로부터 수정정보(시이퀀스 번호 SNi, 새로운 블록정보. 정정지시 등)를 입력하여 편집(재기록)처리의 개시를 지시하면 프로세서(4)는 제어프로그램 메모리에 기억되어 있는 재기록 처리 프로그램의 제어하에 있게 된다.
먼저 프로세서(4)는 버블메모리 제어기(6)에 시이퀀스 번호 기억영역(13)의 선두 페이지 번지 "ps"와 페이지수를 지령함과 동시에 DMAC(7)에 버블메모리(1)로부터 판독한 데이터를 격납할 메모리(2)의 선두 번지와 총바이트 수를 지령한다. 버블 메모리 제어기(6)는 페이지번지(ps)가 나타낸 시이퀀스 번호 기억영역(13)으로부터 그 기억내용을 페이지 단위로 직렬적으로 판독하여 바이트단위로 구면함과 동시에 DMAC(7)에 요구를 낸다. 이에 의하여 DMAC (7)는 버블메모리 제어기(6)를 통하여 판독된 데이터를 지령된 메모리(2)의 선두번지로부터 순차로 1바이트씩 기억한다.이어서 프로세서(4)는 그 판독한 페이지번지와 시이퀀스 번호와의 대응 테이블을 사용하여 조작반(5)으로부터 입력되어 있는 시이퀀스 번호(SNi)가 기억되어 있는 페이지 번지를 검색한다. 페이지 번지가 검색되면 프로세서(4)는 버블메모리제어기(6)에 그 페이지번지와 페이지수를 지령함과 동시에 DMAC (7)에 버블메모리(1)로부터 판독한 데이터를 격납할 선두 번지와 총 바이트수를 지령한다. 그리고 시이퀀스 번호(SNi)와 시이퀀스 번호(SNi+1)의 2개의 블록정보가 버블메모리(1)의 페이지번지 "p0"에 기억되어 있는 것으로 한다.
이후 페이지번지 p0가 나타낸 페이지영역(10a)으로부터 상기 대응 테이블의 판독과 같은 순서로써 버블메로리(1)내의 가공 데이터가 판독되어 메모리(2)에 기록된다.
그런 연후에 프로세서(4)는 버블메모리 제어기(6)에 세이브 영역(11)의 페이지번지 "pf"라 기록하여 바이트수를 지령함과 동시에 DMAC (7)에 메모리(2)로 부터 판독할 바이트 수 및 페이지영역(10a)으로부터 판독한 가공 데이터를 기억하는 선두번지를 지령한다. 이에 의하여 페이지영역(10a)으로부터 판독한 가공데이터는 판독과 역순으로 세이브영역(11)에 기록된다. 즉, 페이지 영역(10a)의 기억내용은 세이브영역(11)에 퇴피된 것으로 된다.
프로세서(4)는 상기 페이지 영역(10a)의 퇴피 처리가 종료하면 제 1 도에 있어서 설명한 소거사이클에 의하여 버블 메모리의 페이지 영역(10a)의 기억내용을 파괴판독하여 소거함과 동시에 메모리(2)의 상기 가공데이터, 새로운 블록정보 등을 사용하여(SN1의 블록정보)(SN1+1의 새로운 블록정보)의 순으로 편집하여 새로운 가공 데이터를 작성한다. 그리고 프로세서(4)는 이들의 전정보가 버블메모리 1페이지에 격납할 수 가 있으면 버블메모리 제어기(6)에 페이지영역(10a)의 페이지 번지 "p0"와 총기록 바이트수를 지령하며 또 DMAC(7)에 메모리(2)로부터 판독할 총 바이트 수 및 상기 편집한 새로운 가공 데이터를 기억 하는 선두번지를 지령하며 그 새로운 가공 데이터를 페이지 영역(10a)에 기록한다(기록 사이클).
그러나 만약에(SN1의 블록)과 (SN1+1의 블록정도)의 총 정보량이 1페이지의 기억용량보다 클 경우에는 이들 정보를 이를테면 2분할하여 각각을 페이지 영역(10a)과 공(blank)의 상태의 다른 페이지영역에 기록하지 않으면 안된다. 따라서 먼저 프로세서(4)는 공 페이지 기억영역(12)으로부터 버블 메모리 제어기(6) 및 DMAC (7)를 통하여 공 페이지 정보를 메모리(2)에 판독하고 공 페이지를 검색한다(그리고 공 페이지의 페이지번지를 "pχ"로 한다).
다음에 편집처리를 행하여(페이지번지 "p0") (SN1의 블록정보), (SN1+1의 새로운 블록정도의 1부)로써된 제 1 의 가공데이터와(페이지 번지 "pχ"), (SN1+1의 새로운 블록정보의 잔부)로써된 제 2 의 가공 데이터를 작성하고 제 1 의 가공데이터를 버블 메모리(1)의 페이지 영역(10a)에, 제 2 의 가공데이터를 페이지 번지 pχ의 페이지영역(10x)에 각각 전술의 소거사이클과 기록사이클을 통하여 기록한다(제 3 도 참조). 그런연후 공 페이지 정보를 갱신하고 그 갱신한 새로운 공 페이지 정보를 공 페이지영역(12)에 기록하면 재기록처리가 종료한다.
그런데 상기 재기록처리중 정전이 발생하여도 재기록처리전에 페이지영역(10a)에 기억되어 있던 기억데이터는 페이지영역(10a) 또는 세이브영역(11)중 어느 하나에 꼭 기억되어 있으므로 기억정보가 소실하는 일은 없다. 예를 들면 페이지 영역(10a)에 기억되어 있는 기억정보가 세이브영역(11)에로의 퇴피완료전에 정전이 발생하면, 이 기억정보는 페이지 영역(10a)에 남아있다.
또 페이지영역(10a)에 기억되어 있는 기억정보가 세이브영역(11)에로의 퇴피완료후에 있어서 재기록 처리의 기록사이클 완료전에 정전이 발생하여도 그 기억정보는 세이브영역(11)에 남아있다. 따라서 후술의 정전 회복후의 재개시의 회복 처리에 의하여 세이브 영역(11)의 기억정보를 페이지영역(10a)에 회복시키면 된다. 그리고 이상의 설명에서는 블록정보를 재기록할 경우에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며 공구의 길이, 커터-오프셋량(cutter offset), 백래시량(backlash) 등의 매계변수를 기억하는 페이지 영역은 내용을 재기록할 경우에도 적용할 수 있다.
이하 제 2 도의 경우에 있어서의 회복처리에 대하여 설명한다.
수지제어장치에 있어서는 가공프로그램과 같이 급송속도, 가, 감속시간, 공구의 길이, 커터-오프셋량 등의 매개변수가 미리 자기버블 메모리(1)에 기억되어 있다. 여기서 커터-오프셋량을 재기록하고 있을 경우에 있어서 재기록 처리의 소거 사이클 완료후에 있어서 기록 사이클 완료전에 정전이 발생하였다고 한다.
이때 커터-오프셋량을 기억하고 있는 페이지영역(10a)의 내용은 소실하여 전부 "0"이 되어 있다. 그런데 조작원은 페이지영역(10a)의 내용이 전부 "0"이 되어 있는지의 여부는 알 수 없다. 따라서 전부 "0"의 비트 패턴을 금지 패턴으로 하여 재개시의 전원투입후 또는 작업개시에 앞서 순차로 페이지영역(11)을 제외한 여타의 페이지 영역(12),(13),(10a),(10b),(10c)……의 내용을 판독하며 그 내용이 금지패턴과 일치하는 지의 여부를 체크한다. 금지패턴이 검출되면 그 금지패턴이 판독된 페이지영역에 세이브영역(11)의 기억정보를 기록하여 구 정보를 회복시킨다.
이상의 처리를 제 2 도에 따라서 설명한다.
프로세서(4)는 전원 투입후 또는 작업개시에 앞서 제어프로그램의 제어에 의하여 먼저 버블메모리 제어기(6) 및 DMAC (7)를 통하여 버블 메모리(1)의 선두 페이지 영역(10a)의 내용을 메모리(2)에 판독한다.
그런후에 메모리(2)의 내용이 금지 패턴과 일치하고 있는지의 여부를 검사하여 일치하지 않으면 순차로 페이지 영역(10b),(10c)……으로 부터 기억정보를 같은 순서에 의하여 메모리(2)에 속출하여 금지패턴과 일치하는지의 여부의 검사를 행한다. 페이지번지 pi가 나타낸 페이지영역(10i)으로부터 판독한 정보가 금지 패턴과 일치하면 세이브영역(11)에 퇴피하여 있는 정보를 메모리(2)에 판독하며 그런 후에 그 정보를 페이지 번지 "pi"의 지시하는 페이지영역(10i)에 기록하면 회복처리가 종료한다.
이상의 설명에서는 세이브영역에 변경전의 구 정보를 퇴피시키는 경우에 대하여 설명하였지만 변경후의 새로운 정보를 세이브 영역(11)에 세이브 하도록 할수도 있다.
또 세이브 영역의 크기는 1액세스 단위(페이지)에 한정하지 않으며 복수 페이지로 하여 재기록량이 복수 페이지에 걸친 경우 전구정보 또는 새로운 정보를 그 세이브 영역에 세이브하도록 할 수 있다.
또한 금지 패턴을 전부 "0"의 비트패턴으로 하였지만 소거후 다른 비트패턴이 되면 그 비트패턴을 금지 패턴으로 한다.
또, 실시예에서는 판독전용 주 라인 및 기록 전용 주 라인을 갖는 자기버블 메모리에 적용한 경우에 대하여 설명하였지만 재기록 처리가 소거사이클과 기록사이클에 의하여 행해지는 다른 불휘발성메모리에 적용할 수 있음은 더 말할 나위 없다.
이상 본 고안에 의하면 재기록 처리중에 정전이 발생하여도 기억내용의 소실을 방지할 수 있으며 장치의 오동작을 없앨 수 있다.
또 정전후에 전원을 장시간 공급하는 고가의 장치를 전연 필요하지 않으므로 염가의 장치를 제공할 수 있다.

Claims (1)

  1. 제 1 데이터를 기억하기 위한 버블 메모리 데이터 기억 영역과 버블 메모리 세이브 영역을 가진 그리고 데이터 기억영역에 기억된 제 1 데이터 대신에 제 2 데이터를 기록 시키기 위하여, 설정된 패턴을 포함하고 있는 불휘발성 메모리를 위하여, 수신된 외부 수정 데이터에 동작적으로 연결된, 데이터 재기록 시스템에 있어서, 불휘발성 버블 메모리에서의 판독 및 기록 동작들을 실행하기 위하여 불휘발성 버블 메모리에 동작적으로 연결된 메모리 제어기와, 상기 불휘발성 버블 메모리로 부터 판독된 제 1 데이터와 상기 불휘발성 버블 메모리에 기록된 제 2 데이터를 기억시키기 위하여 상기 불휘발성 버블 메모리에 동작적으로 연결된 휘발성 메모리와 정전후 버블메모리 세이브 영역에 제 1 데이터를 기록하고 버블메모리 데이터 기억 영역에 기록된 제 2 데이터를 소거하기 위하여 상기 메모리 제어기를 제어하기 위하여 상기 메모리 제어기에 동작적으로 연결된 제어수단으로 구성하고 있으며, 상기 제어수단은 버블메모리 데이터 기억영역으로 부터 제 1 데이터를 판독하고 상기 데이터를 상기 휘발성 메모리에 전송하며 상기 휘발성 메모리의 제 1 데이터를 상기 버블 메모리 세이브 영역에 기록시킴에 의해, 상기 메모리제어기와 상기 휘발성메모리 사이의 제 1 및 제 2 데이터 전송을 제어하기 위하여 상기 메모리 제어기와 상기 휘발성 메모리에 동작적으로 연결된 디렉트 메모리 액세스(direct memory access) 제어기와 : 버블 메모리 데이터 기억 영역의 제 1 데이터가 설정된 패턴과 대응하는지를 판단하여 상기 디렉트 메모리 액세스 제어기를 제어하고 이때 대응하는 경우 제 1 데이터를 버블 메모리 세이브 영역에 기록하며, 외부 수정데이터에 따라 버블메모리데이터 기억영역에 기록되도록 상기 휘발성 메모리의 제 2 데이터를 형성 및 기억시키기 위하여, 외부 수정데이터를 수신하도록 동작적으로 연결되고 상기 디렉트 메모리 액세스 제어기에 동작적으로 연결된 프로세서로 구성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템.
KR2019850010858U 1980-09-04 1985-08-24 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템 KR850002417Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019850010858U KR850002417Y1 (ko) 1980-09-04 1985-08-24 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019800003481 1980-09-04
KR2019850010858U KR850002417Y1 (ko) 1980-09-04 1985-08-24 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019800003481 Division 1980-09-04 1980-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR850002417Y1 true KR850002417Y1 (ko) 1985-10-18

Family

ID=26626914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019850010858U KR850002417Y1 (ko) 1980-09-04 1985-08-24 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR850002417Y1 (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6353636B2 (ko)
US4393500A (en) Method of modifying data stored in non-volatile memory and testing for power failure occurring during modification
US4355390A (en) Method for checking data written into buffered write-read memories in numerically controlled machine tools
US4493083A (en) System for updating data in bubble memories
US4157586A (en) Technique for performing partial stores in store-thru memory configuration
US4447887A (en) Method of rewriting data in non-volatile memory, and system therefor
JPH06195258A (ja) 半導体記憶装置
JP2000112831A (ja) ディスク記録再生方法および装置
KR930022379A (ko) 메모리 카드 장치
EP0990987B1 (en) Electrical device with flash memory built-in
KR850002417Y1 (ko) 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 시스템
JPS6022438B2 (ja) 不揮発性メモリのリフレッシュ方式
JPS6330655B2 (ko)
JPH0877074A (ja) フラッシュメモリを用いた記憶装置システム
KR830002640B1 (ko) 불 휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법
JPH0817192A (ja) フラッシュメモリによる位置記憶方法
JPH0784894A (ja) 不揮発性メモリの書き込み方法
JPH02113488A (ja) 磁気バブルメモリ装置
JPS6289273A (ja) 磁気デイスク装置
JPS597152B2 (ja) 磁気バブル記憶装置
KR880000421B1 (ko) 카세트 메모리의 데이타 서입 및 독출 제어방법 및 장치
JPH10240633A (ja) メモリシステム及びメモリカード
EP0189115B1 (en) Numerical control device
US4658376A (en) Magnetic bubble file system
JP2001051910A (ja) 不揮発メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19910827

Year of fee payment: 7

EXPY Expiration of term