KR20240083023A - 칩 간격 형성 방법 - Google Patents

칩 간격 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240083023A
KR20240083023A KR1020230165360A KR20230165360A KR20240083023A KR 20240083023 A KR20240083023 A KR 20240083023A KR 1020230165360 A KR1020230165360 A KR 1020230165360A KR 20230165360 A KR20230165360 A KR 20230165360A KR 20240083023 A KR20240083023 A KR 20240083023A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
expand
expand sheet
chip
annular member
Prior art date
Application number
KR1020230165360A
Other languages
English (en)
Inventor
도모히토 마츠다
유헤이 후지이
나오야 다케스에
다카유키 마사다
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20240083023A publication Critical patent/KR20240083023A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

[과제] 칩 간격을 양호하게 유지할 수 있는 칩 간격 형성 방법을 제공하는 것.
[해결수단] 익스팬드 시트(210)에 지지되어 있는 피가공물(201)을 구성하는 복수의 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 칩 간격 형성 방법은, 익스팬드 시트(210)를 확장하여 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성하고, 유지 테이블(30)의 유지면(31)에서 익스팬드 시트(210)의 칩(202)에 대응하는 영역을 흡인 유지하여 칩(202)의 간격을 유지한 후에, 유지면(31)으로 칩(202)을 흡인 유지한 상태에서 익스팬드 시트(210)의 확장을 해제하기 전에, 피가공물(201)의 외형보다 큰 개구를 갖는 환형 부재(60)로 피가공물(201)의 외주에 노출된 익스팬드 시트(210)를 유지면(31)에 압박하여, 환형 부재(60)보다 내측의 익스팬드 시트(210)의 이동을 규제하는 압박 단계를 구비한다.

Description

칩 간격 형성 방법{METHOD FOR FORMING CHIP SPACING}
본 발명은 칩 간격을 형성하는 칩 간격 형성 방법에 관한 것이다.
복수의 칩으로 구성된 피가공물을 익스팬드 시트에 첩착하고, 익스팬드 시트를 확장함으로써, 칩 사이의 간격을 넓히는 기술이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2021-034397호 공보
선행문헌 1에 나타내는 익스팬드 장치에 있어서, 익스팬드 시트의 확장 후는, 익스팬드 시트의 이완한 영역을 가열하여 칩의 간격을 유지한다. 그러나 익스팬드 시트의 확장을 해제하면, 유지면으로부터 익스팬드 시트가 박리되어 버려 진공 누설이 발생하여, 칩 간격을 정상적으로 유지할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 칩 간격을 양호하게 유지할 수 있는 칩 간격 형성 방법을 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하여, 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 칩 간격 형성 방법은, 익스팬드 시트에 지지되어 있는 피가공물을 구성하는 복수의 칩 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 칩 간격 형성 방법으로서, 상기 익스팬드 시트를 확장하여, 상기 칩 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 칩 간격 형성 단계와, 상기 칩 간격 형성 단계를 실시한 후, 상기 익스팬드 시트의 피가공물과 반대측에 설치된 유지 테이블의 유지면에서 상기 익스팬드 시트의 상기 칩에 대응하는 영역을 흡인 유지하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와, 상기 유지면에서 상기 칩을 흡인 유지한 상태에서, 상기 익스팬드 시트의 확장을 해제하는 확장 해제 단계와, 상기 확장 해제 단계에 의해 이완한 피가공물의 외주의 상기 익스팬드 시트를 가열하여 수축시키는 수축 단계와, 상기 확장 해제 단계 전에, 피가공물의 외형보다 큰 개구를 갖는 환형 부재로 피가공물의 외주에 노출된 상기 익스팬드 시트를 상기 유지면에 압박하여, 상기 환형 부재보다 내측의 상기 익스팬드 시트의 이동을 규제하는 압박 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 환형 부재가, 상기 유지면에 착좌하고 있는지를 검지하는 검지 단계를 더 구비하여도 좋다.
상기 환형 부재는, 피가공물과 대향하는 대향면과 연결하고, 상기 환형 부재와 상기 대향면으로 형성되는 공간에 피가공물을 수용하는 커버를 형성하여도 좋다.
상기 수축 단계에 있어서, 상기 커버로 피가공물을 덮어 수용하여도 좋다.
본 발명은 환형 부재로 익스팬드 시트를 유지면에 압박한 상태에서, 익스팬드 시트의 확장을 해제하기 때문에, 익스팬드 시트가 유지면으로부터 박리되어 칩 사이의 간격을 유지할 수 없을 우려를 저감할 수 있고, 칩 사이의 간격을 양호하게 유지할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 처리 대상의 피가공물 유닛의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치의 환형 부재의 제1 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 2에 나타낸 익스팬드 장치의 환형 부재의 제2 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 2에 나타낸 익스팬드 장치의 환형 부재의 제3 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치의 자기 센서를 설명하는 부분 단면도이다.
도 7은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치의 자기 센서를 설명하는 부분 단면도이다.
도 8은 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 도 8의 칩 간격 형성 단계 및 흡인 유지 단계를 설명하는 단면도이다.
도 10은 도 8의 압박 단계 및 검지 단계를 설명하는 단면도이다.
도 11은 도 8의 확장 해제 단계를 설명하는 단면도이다.
도 12는 도 8의 수축 단계를 설명하는 단면도이다.
도 13은 도 8의 수축 단계의 실시 후를 설명하는 단면도이다.
도 14는 변형예에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태〕
본 발명의 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 처리 대상의 피가공물 유닛(200)의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 2는 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치(1)의 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치(1)의 환형 부재(60)의 제1 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 4는 도 2에 나타낸 익스팬드 장치(1)의 환형 부재(60)의 제2 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 2에 나타낸 익스팬드 장치(1)의 환형 부재(60)의 제3 예를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 6은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치(1)의 자기 센서(114, 115)를 설명하는 부분 단면도이다. 도 7은 도 2에 나타낸 익스팬드 장치(1)의 자기 센서(114, 115)를 설명하는 부분 단면도이다.
실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 처리 대상의 피가공물 유닛(200)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 피가공물(201)과, 피가공물(201)에 첩착된 익스팬드 시트(210)와, 익스팬드 시트(210)의 외주측이 첩착된 환형 프레임(211)을 구비한다. 피가공물(201)은, 피가공물 유닛(200)에 있어서, 익스팬드 시트(210)에 지지된다.
피가공물(201)은, 실리콘, 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소 등을 기판(203)으로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼이다. 피가공물(201)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 표면(204)의 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(205)으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스(206)가 형성되어 있다. 피가공물(201)은, 표면(204)의 이면의 이면(207)측에 익스팬드 시트(210)가 첩착되고, 익스팬드 시트(210)의 외주에 환형 프레임(211)이 첩착되고, 이면(207)측으로부터 기판(203)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선이 분할 예정 라인(205)을 따라 조사되어, 기판(203)의 내부에 분할 예정 라인(205)을 따른 분할 기점인 개질층(208)이 형성되어 있다. 또한, 환형 프레임(211)은 첩착되어 있지 않아도 좋다.
피가공물(201)은, 개질층(208)을 분할 기점으로 분할 예정 라인(205)을 따라 개개의 칩(202)으로 분할된다. 칩(202)은, 기판(203)의 일부분과, 기판(203)의 표면(204)에 형성된 디바이스(206)를 구비한다.
또한, 개질층(208)이란, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위의 그것과는 다른 상태가 된 영역을 의미하고, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역, 및 이들의 영역이 혼재한 영역 등을 예시할 수 있다.
익스팬드 시트(210)는, 피가공물(201)의 외직경보다 대직경인 원판형으로 형성되고, 신축성을 갖는 수지로 구성되어, 가열되면 수축하는 열수축성을 갖는다.
또한, 본 실시형태에서는, 피가공물 유닛(200)은, 피가공물(201)의 기판(203)의 이면(207)과 익스팬드 시트(210) 사이에 원판형의 DAF(Die Attach Film)(212)가 첩착되어 있다. DAF(212)는, 칩(202)을 다른 칩 또는 기판 등에 고정하기 위한 다이 본딩용의 접착 필름이다. 본 실시형태에서는, DAF(212)는, 피가공물(201)의 외직경보다 대직경이며 또한 환형 프레임(211)의 내직경보다 소직경인 원판형으로 형성되어 있다. DAF(212)는, 개개의 칩(202)마다 분할된다. 분할 후의 칩(202)에 있어서, DAF(212)는, 칩(202)의 기판(203)의 이면(207)에 첩착되어 있다.
또한, 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)은, 본 실시형태에서는, 분할 예정 라인(205)을 따라 분할 기점인 개질층(208)이 형성되어 있지만, 본 발명에서는 이에 한정되지 않고, 분할 예정 라인(205)을 따라, 분할 기점이 되며, 피가공물(201)을 완전히 분할하지 않는 깊이의 하프 커트홈이 형성되어 있어도 좋고, 분할 예정 라인(205)을 따라, 피가공물(201)을 완전히 분할하는 깊이의 분할홈이 형성되어 개개의 칩(202)으로 분할되어 있어도 좋다. 여기서, 하프 커트홈 및 분할홈은, 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 기판(203)에 대하여, 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 분할 예정 라인(205)을 따라 조사함으로써 형성하여도 좋고, 스핀들의 선단에 장착되어 회전 중인 절삭 블레이드로 분할 예정 라인(205)을 따라 절삭함으로써 형성하여도 좋다.
실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치(1)는, 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)를 확장하여, 도 1에 나타내는 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 분할 예정 라인(205)을 따라 개개의 칩(202)으로 분할하며, DAF(212)를 칩(202)마다 분할하여, 개개의 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 장치이다. 혹은, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치(1)는, 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)를 확장하여, DAF(212)를 칩(202)마다 분할하고, 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 이미 분할 예정 라인(205)을 따라 분할된 개개의 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 장치이다. 여기서, 개개의 칩(202) 사이에 형성하는 미리 정해진 간격은, 예컨대, 개개의 칩(202) 사이가 부딪히지 않는 상태를 유지할 수 있고, 소정의 반송 유닛에 의해 개개의 칩(202)을 용이하게 추출 가능한 간격이다. 익스팬드 장치(1)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 챔버(10)와, 프레임 고정부(20)와, 유지 테이블(30)과, 확장 유닛(40)과, 가열 유닛(50)과, 환형 부재(60)와, 제어 유닛(100)과, 자기 센서(114, 115)를 구비한다.
챔버(10)는, 상자형으로 형성되고, 프레임 고정부(20)와, 유지 테이블(30)과, 확장 유닛(40)과, 가열 유닛(50)을 수용하고 있다. 챔버(10)는, 측벽(11)에 개구(12)를 마련하고, 개구(12)를 통하여, 피가공물 유닛(200)이 출납된다. 또한, 개구(12)는, 개폐 도어(13)에 의해 개폐된다.
프레임 고정부(20)는, 피가공물 유닛(200)의 환형 프레임(211)을 유지하여, 고정하는 것이다. 프레임 고정부(20)는, 프레임 지지부(21)와, 프레임 누름부(22)를 구비하고, 프레임 지지부(21)와 프레임 누름부(22) 사이에서 환형 프레임(211)을 협지한다. 프레임 지지부(21)는, 내직경이 환형 프레임(211)의 내직경보다 약간 작고 또한 피가공물(201) 및 DAF(212)의 외직경보다 크며, 외직경이 환형 프레임(211)의 외직경보다 약간 큰 원환형으로 형성되고, 상면(23)이 수평 방향과 평행으로 평탄하게 형성되어 있다. 프레임 지지부(21)는, 상면(23)에 피가공물 유닛(200)의 환형 프레임(211)이 배치된다.
또한, 프레임 지지부(21)는, 확장 유닛(40)의 승강용 실린더(42)에 의해 승강 가능하게 마련되어 있다. 프레임 지지부(21)는, 승강용 실린더(42)의 로드(45)의 선단이 부착되어, 로드(45)가 신축함으로써, 챔버(10) 내에서 승강한다. 또한, 본 실시형태에서는, 프레임 지지부(21)는, 승강용 실린더(42)에 의해 도 2에 나타내는 상면(23)이 개구(12)의 아래 가장자리와 수평 방향으로 대략 나열되는 위치로부터 상승된다.
프레임 누름부(22)는, 내직경이 프레임 지지부(21)의 내직경보다 작고 또한 피가공물(201) 및 DAF(212)의 외직경보다 크며, 외직경이 환형 프레임(211)의 외직경보다 약간 큰 원환형으로 형성되고, 하면(24)이 수평 방향과 평행으로 평탄하게 형성되어 있다. 프레임 누름부(22)는, 프레임 지지부(21)와 동축이 되는 위치에 마련되고, 본 실시형태에서는, 프레임 지지부(21)보다 상방에 배치된다. 본 실시형태에서는, 프레임 누름부(22)는, 챔버(10) 내에 있어서, 슬라이드 지지 부재(25)에 의해 승강 가능하게 지지되어 있고, 환형 프레임(211)이 프레임 지지부(21)로 가압되어 승강하여 프레임 지지부(21)와 평행 맞춤이 가능하게 되어 있다.
프레임 고정부(20)는, 승강용 실린더(42)에 의해 하방에 위치된 프레임 지지부(21)의 상면(23)에 개구(12)를 통하여 챔버(10) 내에 삽입된 피가공물 유닛(200)의 환형 프레임(211)이 배치된다. 프레임 고정부(20)는, 상면(23)에 환형 프레임(211)이 배치된 프레임 지지부(21)를 승강용 실린더(42)에 의해 상승시켜, 프레임 지지부(21)와 프레임 누름부(22) 사이에 환형 프레임(211) 및 익스팬드 시트(210)의 외주측을 끼워, 환형 프레임(211)을 유지하며, 환형 프레임(211) 및 익스팬드 시트(210)의 외주측을 끼운 위치로부터 프레임 지지부(21)와 프레임 누름부(22)가 상승한다. 또한, 본 실시형태에서는, 프레임 고정부(20)는, 익스팬드 시트(210)와의 사이를 시일하는 시일 부재(26)를 프레임 누름부(22)의 하면(24)의 전체 둘레에 걸쳐 부착하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 프레임 고정부(20)의 프레임 누름부(22)의 하면(24)의 시일 부재(26)의 내주측에는, 프레임 누름부(22)의 내부에 마련된 공급로(70), 보텍스 튜브(74), 개폐 밸브(71)를 통해, 압축 에어 공급원(72)으로부터 압축 에어가 공급되는 압축 에어 취출구(73)가 마련되어 있다. 압축 에어 취출구(73)는, 프레임 누름부(22)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있고, 압축 에어로 에어의 흐름을 형성함으로써 온풍의 열이 유지 테이블(30)에 전해지는 것을 막고 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 프레임 고정부(20)의 프레임 지지부(21)의 내주면의 셔터 플레이트(53)보다 상방측에는, 프레임 지지부(21)의 내부에 마련된 흡인로(120) 및 개폐 밸브(121)를 통해 이젝터 등의 에어 흡인원(122)과 접속한 흡인 구멍(123)이 복수 개구하고 있다. 또한, 흡인 구멍(123)은, 본 발명에서는 이러한 위치에 형성되는 것에 한정되지 않고, 프레임 고정부(20)에 의해 환형 프레임(211)이 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)보다 온풍 분사부(52)측에 형성되어 있으면, 프레임 고정부(20)의 내주면이나 상면 등 어떠한 위치에 형성되어 있어도 좋다. 프레임 지지부(21)는, 흡인로(120) 및 개폐 밸브(121)를 통해 흡인 구멍(123)이 에어 흡인원(122)에 의해 흡인됨으로써, 익스팬드 시트(210)가 가열 유닛(50)에 의해 가열되어 발생하는 미스트나 가스, 부스러기 등의 이물(시트 부스러기)을 흡인하여 포획하는 것이 가능하다.
유지 테이블(30)은, 피가공물(201)에 대응한 크기의 유지면(31)을 포함하고, 프레임 고정부(20)로 유지된 환형 프레임(211)을 포함하는 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)에 접촉하는 것이다. 유지 테이블(30)은, 두꺼운 원판형의 테이블 본체(32)와, 테이블 본체(32)를 냉각하는 냉각 유닛(33)과, 테이블 승강 유닛(34)을 구비한다.
테이블 본체(32)는, 본 실시형태에서는, 알루미늄 합금에 의해 구성되고, 외직경이 프레임 누름부(22)의 내직경보다 작게 형성되고, 프레임 누름부(22)의 내주의 프레임 누름부(22)와 동축이 되는 위치에 배치되어 있다. 테이블 본체(32)의 하면은, 외직경이 피가공물(201)의 크기인 외직경과 대응한 유지면(31)이다. 본 실시형태에서는, 테이블 본체(32)의 외직경은, DAF(212)의 외직경과 같기 때문에, 하면인 유지면(31)의 외직경이, 피가공물(201)의 크기인 외직경과 대응하고 있다. 테이블 본체(32)의 유지면(31)은, 프레임 고정부(20)에 의해 환형 프레임(211)이 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210) 및 DAF(212)를 통해 피가공물(201)의 이면(207)과 대향한다.
또한, 테이블 본체(32)의 유지면(31)에는, 테이블 본체(32) 내에 마련된 흡인로(80) 및 개폐 밸브(81)를 통해 이젝터 등의 흡인원(82)과 접속한 흡인 구멍(35)이 복수 개구하고 있다. 테이블 본체(32)는, 흡인로(80) 및 개폐 밸브(81)를 통해 흡인 구멍(35)이 흡인원(82)에 의해 흡인됨으로써, 익스팬드 시트(210) 및 DAF(212)를 통해 피가공물(201)의 이면(207)측을 유지면(31)에 흡인 유지하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서는, 냉각 유닛(33)은, 테이블 본체(32)의 상면의 중앙부에 마련되고, 테이블 본체(32) 즉 유지면(31)을 냉각하는 것이다. 본 실시형태에서는, 냉각 유닛(33)은, 테이블 본체(32)를 냉각 가능한 피스톤 쿨러이지만, 본 발명에서는, 피스톤 쿨러에 한정되지 않는다.
테이블 승강 유닛(34)은, 도시하지 않는 모터, 모터에 의해 회전하는 볼나사 등으로 구성되고, 테이블 본체(32) 및 냉각 유닛(33)을 챔버(10) 내에서 승강시킨다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32) 및 냉각 유닛(33)은, 테이블 커버(36)에 의해 덮여 있다. 테이블 커버(36)는, 테이블 본체(32)를 보랭하는 것이며, 본 실시형태에서는, 테이블 본체(32)의 외주면과 간격을 두고 외주면을 덮는 원통형의 대직경 원통부(37)와, 바깥 가장자리가 대직경 원통부(37)에 연속하고 또한 테이블 본체(32)의 상면과 간격을 두고 상면을 덮는 링형의 원환부(38)와, 원환부(38)의 안쪽 가장자리에 연속하고 또한 냉각 유닛(33)의 외주면과 간격을 두고 외주면을 덮는 원통형의 소직경 원통부(39)를 일체로 구비하고, 테이블 본체(32) 및 냉각 유닛(33)과 동축으로 배치되어 있다. 테이블 커버(36)는, 테이블 본체(32) 및 냉각 유닛(33)과 일체로 테이블 승강 유닛(34)에 의해 승강된다.
또한, 본 실시형태에서는, 유지 테이블(30)과 테이블 커버(36) 사이에는, 공급로(90), 개폐 밸브(91)를 통해, 압축 에어 공급원(92)으로부터 압축 에어가 공급되어, 유지 테이블(30)에 가열 유닛(50)에 의한 온풍이 도달하는 것을 방해하여, 유지 테이블(30)이 가열되는 것을 방지하고 있다.
확장 유닛(40)은, 프레임 고정부(20)로 유지된 환형 프레임(211)에 첩착된 익스팬드 시트(210)를 확장하는 것이다. 확장 유닛(40)은, 챔버(10)에 고정된 확장 드럼(41)과, 프레임 지지부(21)를 승강시키는 승강용 실린더(42)를 구비한다.
확장 드럼(41)은, 원통형의 드럼부(43)를 구비한다. 드럼부(43)는, 내직경이 테이블 커버(36)의 대직경 원통부(37)의 외직경보다 크고, 외직경이 프레임 누름부(22)의 내직경보다 작게 형성되어 있다. 드럼부(43)는, 테이블 본체(32)의 대직경 원통부(37)의 외주측이며 또한 프레임 누름부(22)의 내주측에 배치되고, 프레임 고정부(20) 및 유지 테이블(30)과 동축으로 배치되어 있다. 확장 드럼(41)의 하단에는, 하방에 위치하는 프레임 누름부(22)의 하면(24)과 동일 평면 상에 마련되고 또한 축심 둘레로 회전 가능하게 마련된 원기둥형의 굴림 부재(44)(확장 롤러라고도 칭해짐)가 부착되어 있다.
가열 유닛(50)은, 프레임 고정부(20)로 유지되며 익스팬드 시트(210)가 확장된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 외주 가장자리와 환형 프레임(211)의 개구(213)의 내주 가장자리 사이의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 가열하여, 수축하는 것이다. 가열 유닛(50)은, 히터 플레이트(51)와, 복수의 온풍 분사부(52)와, 셔터 플레이트(53)를 구비한다.
히터 플레이트(51)는, 원판형으로 형성되고, 프레임 지지부(21)의 내주측이며 또한 냉각 유닛(33)과 동축으로 배치되어 있다. 히터 플레이트(51)는, 상면이 수평 방향과 평행하고 또한 하방에 위치하는 프레임 지지부(21)의 상면(23)보다 하방에 배치되어 있다. 히터 플레이트(51)는, 챔버(10)에 부착된 히터 플레이트 회전용 모터(54)에 의해 축심 둘레로 회전된다.
복수의 온풍 분사부(52)는, 프레임 고정부(20)로 유지되어 익스팬드 시트(210)가 확장된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)에 대면하여, 온풍(300)(도 12 참조)을 분사하는 것이다. 복수의 온풍 분사부(52)는, 히터 플레이트(51)의 상면의 바깥 가장자리부에 둘레 방향에 등간격으로 마련되고, 프레임 고정부(20)로 유지되어 익스팬드 시트(210)가 확장된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)에 대면한다.
온풍 분사부(52)는, 상부에 개구부가 마련된 바닥을 갖는 통형의 분사부 본체(521)와, 분사부 본체(521) 내에 수용된 가열부인 코일 히터(522)와, 분사부 본체(521) 내에 공급로(523) 및 개폐 밸브(524)를 통해 에어를 공급하는 에어 공급원(525)을 구비한다. 코일 히터(522)는, 스위치가 폐쇄됨으로써 직류 전원으로부터 전력이 공급되어 발열한다. 온풍 분사부(52)는, 개폐 밸브(524)가 개방하여 에어 공급원(525)이, 분사부 본체(521) 내에 에어를 공급하고, 공급된 에어가 코일 히터(522)에 의해 가열되어, 개구부로부터 온풍(300)을 분사한다.
셔터 플레이트(53)는, 외직경이 프레임 지지부(21)의 내직경보다 약간 작은 원반형으로 형성되고, 온풍 분사부(52)의 상방이며 또한 프레임 지지부(21)의 내주측에 프레임 고정부(20) 및 냉각 유닛(33)과 동축으로 배치되어 있다. 셔터 플레이트(53)는, 외주면이 프레임 지지부(21)의 내주면에서 지지되며, 프레임 지지부(21)와 함께 승강용 실린더(42)에 의해 승강 가능하게 마련되어 있다. 또는, 셔터 플레이트(53)는, 프레임 지지부(21)가 아니라 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)에 고정되며, 승강용 실린더(57)에 의해 승강 가능하게 마련되어 있어도 좋다. 또한, 셔터 플레이트(53)는, 중앙에 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)가 삽입되는 개구(55)와, 바깥 가장자리부에 온풍 분사부(52)를 노출시키는 것이 가능한 개구부(56)를 마련하고 있다.
이와 같이 하여, 실시형태에 따른 익스팬드 장치(1)는, 프레임 고정부(20)로 유지되는 피가공물 유닛(200)의 상방에 유지 테이블(30)을 배치하고, 피가공물 유닛(200)의 하방에 가열 유닛(50)을 배치하고 있다.
승강용 실린더(57)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 실린더 고정부(57-1)와, 피스톤부(57-2)를 갖는다. 실린더 고정부(57-1)는, 히터 플레이트(51)의 상면의 중앙에 고정되어 있다. 피스톤부(57-2)는, 실린더 고정부(57-1)에 대하여 상하 방향(승강 방향)을 따라 이동 가능하게 마련되어 있다. 승강용 실린더(57)는, 실린더 고정부(57-1)에 대하여 피스톤부(57-2)를 승강 이동시킴으로써, 피스톤부(57-2)의 상방에 부착된 부재를 승강 이동시킨다. 이와 같이, 승강용 실린더(57)는, 히터 플레이트(51) 상에, 프레임 고정부(20) 및 냉각 유닛(33)과 동축으로 배치되어 있다.
환형 부재(60)는, 본 실시형태에서는, 도 3에 나타내는 제1 예, 도 4에 나타내는 제2 예, 및 도 5에 나타내는 제3 예의 것을 각각 사용할 수 있다. 제1 예의 환형 부재(60)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 상하측의 면이 평탄, 또한, 평면으로 보아 원환형으로 형성되어 있고, 개구(69)를 갖는다. 환형 부재(60)의 개구(69)는, 평면으로 본 형상이, 피가공물(201)의 평면으로 본 외측의 형상인 외형(본 실시형태에서는 피가공물(201)의 외주 가장자리의 형상) 및 DAF(212)의 평면으로 본 외측의 형상인 외형(본 실시형태에서는 DAF(212)의 외주 가장자리의 형상)보다 크고, 또한, 환형 프레임(211)의 평면으로 본 내측의 형상인 내형(본 실시형태에서는 환형 프레임(211)의 개구(213)의 내주 가장자리)보다 작다. 즉, 개구(69)는, 두께 방향으로 피가공물(201) 및 DAF(212)가 통과 가능한 크기 및 형상으로 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 개구(69)는, 원형상으로 형성되어 있고, 평면으로 보아 원형상인 피가공물(201)의 외직경 및 DAF(212)의 외직경보다 크고, 환형 프레임(211)의 개구(213)의 내직경보다 작다. 환형 부재(60)는, 본 실시형태에서는, 예컨대, 열전도율이 충분히 낮고, 게다가 충분한 강성을 갖는 재료, 예컨대 수지로 형성되어 있다.
제1 예의 환형 부재(60)는, 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)가 확장된 후에 유지 테이블(30)의 유지면(31)에 흡인 유지되고 있을 때에, 환형 부재(60)의 한쪽의 면(본 실시형태에서는 상면)에서, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 외주에 노출된 익스팬드 시트(210)를 유지면(31)에 압박함으로써, 환형 부재(60)보다 내측의 익스팬드 시트(210)의 이동을 규제하는 부재이다. 여기서, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 외주에 노출된 익스팬드 시트(210)는, 본 실시형태에서는, 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 외주 가장자리와 환형 프레임(211)의 개구(213)의 내주 가장자리 사이의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)에 상당한다. 제1 예의 환형 부재(60)는, 중앙에, 히터 플레이트(51)의 상방에 부착된 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)가 도시하지 않는 부재를 통해 접속되어 있다.
제2 예의 환형 부재(60)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1 예의 환형 부재(60)가, 또한 대향 부재(61)와 연결됨으로써, 커버(60-2)를 형성한다. 대향 부재(61)는, 평면으로 보아 개구(69)에 대응한 형상(본 실시형태에서는 원형상)의, 평판형의 부재이고, 환형 부재(60)의 개구(69)를 한쪽(본 실시형태에서는 하방)으로부터 덮도록 마련되어 있다. 대향 부재(61)는, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)과 연직 방향으로 대향한다. 대향 부재(61)는, 본 실시형태에서는, 환형 부재(60)와 동일한 재료, 즉, 열전도율이 충분히 낮고, 게다가 충분한 강성을 갖는 재료, 예컨대 수지로 형성되어 있다.
커버(60-2)는, 환형 부재(60)가 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박할 때에, 환형 부재(60)와 대향 부재(61)로 형성되고, 환형 부재(60)의 상면에 대하여 하방으로 움패어 원형상으로 형성되는 공간(62)(오목부)에, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 수용한다. 커버(60-2)의 대향 부재(61)의 중앙에는, 히터 플레이트(51)의 상방에 부착된 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)가 삽입되어 대향 부재(61)에 고정되는 개구(63)가 형성되어 있고, 대향 부재(61)의 그 외의 부분에는 개구나 구멍이 형성되어 있지 않다.
제3 예의 환형 부재(60)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제2 예의 환형 부재(60)에 있어서, 대향 부재(61) 대신에, 대향 부재(61-3)와 연결됨으로써, 커버(60-3)를 형성한다. 대향 부재(61-3)는, 대향 부재(61)와 동일한 형상 및 크기를 갖는 평판형의 부재이고, 대향 부재(61)와 동일하게 환형 부재(60)의 개구(69)를 한쪽(본 실시형태에서는 하방)으로부터 덮도록 마련되어 있다. 대향 부재(61-3)는, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)과 연직 방향으로 대향한다. 대향 부재(61-3)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 외주측 대향면(65)과, 내주측 대향면(66)을 갖는다.
외주측 대향면(65)은, 외측이 평면으로 보아 개구(69)에 대응한 형상(본 실시형태에서는 원형상)이고, 내측이 내주측 대향면(66)의 외측에 대응한 형상(본 실시형태에서는 원형상)인, 평판형의 부재(외주측 대향 부재)이고, 내주측 대향면(66)의 외주를 위요한다. 외주측 대향면(65)은, 본 실시형태에서는, 평면으로 보아 원환형으로 형성되어 있다. 외주측 대향면(65)은, 환형 부재(60)와 동일한 재료, 즉, 열전도율이 충분히 낮고, 게다가 충분한 강성을 갖는 재료, 예컨대 수지로 형성되어 있다.
내주측 대향면(66)은, 외측이 외주측 대향면(65)의 내측에 대응한 형상(본 실시형태에서는 원형상)인, 평판형의 부재(내주측 대향 부재)이고, 외주측 대향면(65)의 내주측에 마련된다. 내주측 대향면(66)은, 본 실시형태에서는, 평면으로 보아 원판형으로 형성되어 있다. 내주측 대향면(66)은, 외주측 대향면(65)보다 더욱 강성이 높은 재료로 형성되어 있고, 예컨대, 수지보다 높은 강성을 갖는 알루미늄으로 형성되어 있다.
커버(60-3)는, 커버(60-2)와 동일하게, 환형 부재(60)가 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박할 때에, 환형 부재(60)와 대향 부재(61-3)로 형성되고, 환형 부재(60)의 상면에 대하여 하방으로 움패어 원형상으로 형성되는 공간(62)(오목부)에, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 수용한다. 커버(60-3)의 대향 부재(61-3)의 중앙(내주측 대향면(66)의 중앙)에는, 커버(60-2)의 대향 부재(61)와 동일하게, 히터 플레이트(51)의 상방에 부착된 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)가 삽입되어 대향 부재(61-3)에 고정되는 개구(63)가 형성되어 있고, 대향 부재(61-3)의 그 외의 부분에는 개구나 구멍이 형성되어 있지 않다.
환형 부재(60)는, 프레임 고정부(20)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)과 셔터 플레이트(53) 사이에 마련되고, 프레임 고정부(20) 및 냉각 유닛(33)과 동축으로 배치되어 있다. 환형 부재(60)는, 승강용 실린더(57)에 의해 승강 가능하게 마련되어 있다. 환형 부재(60)는, 제2 예 및 제3 예에서는, 셔터 플레이트(53)의 상방에 마련됨으로써, 환형 부재(60)에 연결된 대향 부재(61, 61-3)가, 프레임 고정부(20)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)과 대면한다. 환형 부재(60) 및 대향 부재(61, 61-3)는, 평면으로 본 외측의 형상인 외형(본 실시형태에서는 환형 부재(60)의 외주 가장자리의 형상)이, 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 유지면(31)의 평면으로 본 외측의 형상인 외형(본 실시형태에서는 유지면(31)의 외주 가장자리의 형상)과 대략 같기 때문에, 히터 플레이트(51) 상의 온풍 분사부(52)보다 내주측에 배치되어 있다.
환형 부재(60)는, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박함으로써, 유지면(31)으로부터 익스팬드 시트(210)가 박리되어 버릴 우려를 억제하여, 유지면(31)으로부터 익스팬드 시트(210)가 박리되어 버리는 것에 따라 진공 누설이 발생할 우려를 억제하기 때문에, 이에 의해, 개개의 칩(202) 사이의 간격을 정상으로 유지하는 것을 가능하게 한다. 또한, 제2 예, 제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-2, 60-3)는, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 공간(62)에 수용하여, 덮음으로써, 익스팬드 시트(210)가 가열 유닛(50)에 의해 가열될 때에, 발생하는 시트 부스러기가 피가공물(201)에 부착되어 버릴 우려를 억제할 수 있다.
제2 예 및 제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-2, 60-3)는, 모두, 환형 부재(60) 및 대향 부재(61)가 함께, 열전도율이 충분히 낮고, 게다가 충분한 강성을 갖는 재료로 형성되어 있기 때문에, 온풍 분사부(52)에 의해 분사된 온풍(300)의 열이 유지 테이블(30)에 전해져 가열되어 버릴 우려를 억제하여, 다음의 피가공물 유닛(200)을 유지 테이블(30)에 유지하여 DAF(212)를 잡아뗄 때에, DAF(212)의 분할률을 올리기 위해 익스팬드 시트(210)의 확장 전에 유지 테이블(30)을 냉각하는 시간을 삭감할 수 있다.
제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-3)는, 내주측 대향면(66)이 외주측 대향면(65) 등보다 높은 강성을 갖기 때문에, 승강용 실린더(57)로 중앙부가 밀어 올려졌을 때에, 공간(62)(오목부)의 중앙이 위로 볼록한 형상으로 휘어 피가공물(201)에 접촉할 우려를 억제할 수 있다.
제어 유닛(100)은, 익스팬드 장치(1)의 각 구성 요소의 동작을 제어하여, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 포함하는 피가공물 유닛(200)에 대한 가공 동작을 익스팬드 장치(1)에 실시시키는 것이다. 제어 유닛(100)은, 본 실시형태에서는, 컴퓨터 시스템을 포함한다. 제어 유닛(100)이 포함하는 컴퓨터 시스템은, CPU(Central Processing Unit)와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(Read Only Memory) 또는 RAM(Random Access Memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는 컴퓨터이다. 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 제어 유닛(100)의 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라 연산 처리를 실시하여, 익스팬드 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를, 제어 유닛(100)의 입출력 인터페이스 장치를 통해 익스팬드 장치(1)의 각 구성 요소에 출력한다.
자기 센서(114, 115)는, 도 2, 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2) 내에 마련되어 있다. 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)에는, 피스톤부(57-2)의 외면부를 구성하는 실린더 튜브(111)와, 실린더 튜브(111) 내를 승강하는 피스톤 로드(112) 및 자석 부재(113)가 마련되어 있다. 자기 센서(114, 115)는, 자석 부재(113)를 검지함으로써, 실린더 튜브(111) 내에 있어서의 피스톤 로드(112) 및 자석 부재(113)의 승강을 검지하는 실린더 센서이다.
실린더 튜브(111)는, 축방향으로 연장되어 형성된 원통형의 케이스이고, 내부의 공간에, 피스톤 로드(112) 및 자석 부재(113)를 축방향을 따라 이동 가능하게 수용한다. 피스톤 로드(112)는, 축방향으로 연장되어 형성된 원기둥형의 막대이고, 실린더 튜브(111)에 대하여 축방향을 따라 이동 가능하게 마련되어 있다. 피스톤 로드(112)는, 실린더 튜브(111)의 내부의 공간에 수용되는 하방측의 일단에, 자석 부재(113)가 마련되어 있고, 실린더 튜브(111)의 외측에 배치되는 상방측의 타단에, 환형 부재(60) 또는 커버(60-2, 60-3)가 고정되어 있다. 자석 부재(113)는, 피스톤 로드(112)의 하방측의 일단에 마련되어 있고, 외주면이 실린더 튜브(111)의 내주면에 근접하여 마련되어 있다.
자기 센서(114, 115)는, 모두, 실린더 튜브(111)의 외주의 홈에 고정되고, 프레임(116)으로 덮여 마련되어 있다. 자기 센서(114, 115)는, 모두, 자석 부재(113)의 외주면이 실린더 튜브(111)를 통해 접근하는 것에 따라, 자석 부재(113)의 자석에 반응함으로써, 자석 부재(113)의 외주면이 실린더 튜브(111)를 통해 접근한 것을 검지하고, 검지한 취지의 정보를 제어 유닛(100)에 출력한다.
자기 센서(114)는, 승강용 실린더(57)에 있어서 실린더 고정부(57-1)에 대하여 피스톤 로드(112)가 상승하여, 피스톤 로드(112)의 선단에 고정된 환형 부재(60)가, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박하는 압박 위치에 위치되었을 때에, 피스톤 로드(112)의 일단에 마련된 자석 부재(113)의 외주면이 실린더 튜브(111)를 통해 접근하는 위치에 마련되어 있다. 또한, 자기 센서(115)는, 승강용 실린더(57)에 있어서 실린더 고정부(57-1)에 대하여 피스톤 로드(112)가 강하하여, 피스톤 로드(112)의 선단에 고정된 환형 부재(60)가, 셔터 플레이트(53) 상에 배치되는 퇴피 위치에 위치되었을 때에, 피스톤 로드(112)의 일단에 마련된 자석 부재(113)의 외주면이 실린더 튜브(111)를 통해 접근하는 위치에 마련되어 있다.
이에 의해, 자기 센서(114)가 자석 부재(113)를 검지함으로써, 환형 부재(60)가, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박하는 압박 위치에 위치된 취지를 검지한다. 또한, 자기 센서(115)가 자석 부재(113)를 검지함으로써, 환형 부재(60)가 셔터 플레이트(53) 상에 배치되는 퇴피 위치에 위치된 취지를 검지한다. 자기 센서(114, 115)는, 이와 같이 하여, 환형 부재(60)가, 유지면(31)에 착좌하고 있는지를 검지(검출)할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 자기 센서(114, 115)로 환형 부재(60)의 위치를 검지하지만, 본 발명에서는 이에 한정되지 않고, 자기 센서(114, 115) 대신에, 환형 부재(60)나 환형 부재(60)와 대향하는 장치 내의 대향면에, 광전 센서, 근접 센서, 배압 센서 등을 마련하고, 이들 센서에 의해 환형 부재(60)의 위치를 검지하여도 좋다.
도 8은 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 익스팬드 장치(1)에 의해 실시되는 동작 처리의 일례이고, 도 8에 나타내는 바와 같이, 칩 간격 형성 단계(1001)와, 흡인 유지 단계(1002)와, 압박 단계(1003)와, 검지 단계(1004)와, 확장 해제 단계(1005)와, 수축 단계(1006)를 구비한다.
익스팬드 장치(1)는, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 실시 전에, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하기 위한 준비 동작을 실시한다. 이 준비 동작에서는, 익스팬드 장치(1)는, 제어 유닛(100)에 가공 내용 정보가 등록되고, 가공 개시 지시를 접수한다. 익스팬드 장치(1)는, 프레임 지지부(21)를 하강하여, 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 유지면(31)을 프레임 누름부(22)의 하면(24)보다 상방에 위치시킨다. 익스팬드 장치(1)는, 개폐 밸브(71, 81, 91, 121, 524)를 폐쇄하여, 냉각 유닛(33)으로 테이블 본체(32)를 냉각하고, 스위치를 폐쇄하여 코일 히터(522)에 직류 전원으로부터의 전력을 공급하여, 코일 히터(522)를 발열한 상태에서, 개폐 도어(13)에 의해 개구(12)를 개방한다.
이 준비 동작에서는, 그리고, 익스팬드 장치(1)는, 개구(12)를 통하여, 피가공물 유닛(200)이 챔버(10) 내에 삽입되고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 챔버(10) 내에 삽입된 피가공물 유닛(200)의 환형 프레임(211)이 프레임 지지부(21)의 상면(23)에 배치된다. 익스팬드 장치(1)는, 개폐 도어(13)에 의해 개구(12)를 폐쇄하고, 개폐 밸브(71, 91)를 개방하여, 압축 에어 취출구(73)로부터 압축 에어를 취출하며, 압축 에어 공급원(92)으로부터의 압축 에어를 테이블 본체(32) 및 냉각 유닛(33)과 테이블 커버(36) 사이에 공급하여 유지 테이블(30)을 냉각한다.
이 준비 동작에서는, 그리고, 익스팬드 장치(1)는, 승강용 실린더(42)의 로드(45)를 신장하여, 프레임 지지부(21)를 상승시키며, 테이블 승강 유닛(34)에 의해 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32) 등을 하강시킨다. 또한, 승강용 실린더(42)의 로드(45)를 신장하거나, 테이블 본체(32)를 하강시키거나 중 어느 한쪽이어도 좋다. 익스팬드 장치(1)는, 하방에 위치하는 프레임 누름부(22)와 프레임 지지부(21) 사이에 환형 프레임(211) 및 익스팬드 시트(210)의 외주측을 끼워 유지하며, 유지면(31)을 시일 부재(26)의 하면과 동일 평면 상에 위치시켜, 익스팬드 시트(210)에 첩착된 DAF(212)에 근접시킨다.
이 준비 동작에서는, 그리고, 익스팬드 장치(1)는, 프레임 지지부(21)를 더욱 상승시키며, 익스팬드 시트(210)가 유지면(31)에 접촉하는 타이밍에, 테이블 승강 유닛(34)에 의해 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32) 등을 상승시킨다. 또한, 익스팬드 시트(210)가 유지면(31)에 접촉하면, DAF(212)는, 익스팬드 시트(210) 및 테이블 본체(32)를 통해 냉각 유닛(33)에 의해 냉각된다.
이상과 같은 준비 동작의 실시 후에, 익스팬드 장치(1)는, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시한다. 도 9는 도 8의 칩 간격 형성 단계(1001) 및 흡인 유지 단계(1002)를 설명하는 단면도이다. 칩 간격 형성 단계(1001)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 시트(210)를 확장하여, 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 단계이다.
칩 간격 형성 단계(1001)에서는, 프레임 누름부(22)가, 환형 프레임(211) 및 프레임 지지부(21) 등으로부터 가압되어 상승하여, 프레임 누름부(22)의 하면(24)이 굴림 부재(44)의 하단보다 상방까지 상승하고, 테이블 승강 유닛(34)에 의해 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 유지면(31)을 굴림 부재(44)의 하단과 동일 평면 상에 위치시킨다. 그렇게 하면, 도 9에 나타내는 바와 같이, 프레임 고정부(20)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)가 굴림 부재(44)에 접촉하여, 익스팬드 시트(210)가 면방향으로 확장된다. 확장의 결과, 익스팬드 시트(210)는, 방사형으로 인장력이 작용한다.
칩 간격 형성 단계(1001)에서는, 이와 같이 피가공물(201)의 이면(207)에 첩착된 익스팬드 시트(210)에 방사형으로 인장력이 작용하면, 피가공물(201)은, 분할 예정 라인(205)을 따라 개질층(208)이 형성되어 있기 때문에, 개질층(208)을 기점으로 하여, 분할 예정 라인(205)을 따라 개개의 칩(202)으로 분할된다. 또한, 칩 간격 형성 단계(1001)에서는, 피가공물(201)의 이면(207)에 첩착 된 DAF(212)는, 피가공물(201)이 개개의 칩(202)으로 분할될 때에, 익스팬드 시트(210)로부터 작용하는 확장 방향의 힘이 칩(202) 사이에 집중하여, 개개의 칩(202)마다 분할된다. 칩 간격 형성 단계(1001)에서는, 또한, 익스팬드 시트(210)로부터 작용하는 확장 방향의 힘에 의해, 분할된 개개의 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성한다.
혹은, 칩 간격 형성 단계(1001)에서는, 피가공물(201)이 먼저 분할 예정 라인(205)을 따라 분할되어 있었던 경우에도, 마찬가지로, 익스팬드 시트(210)로부터 작용하는 확장 방향의 힘에 의해, DAF(212)를 개개의 칩(202)마다 분할하여, 피가공물(201)의 이미 분할 예정 라인(205)을 따라 분할된 개개의 칩(202) 사이에 미리 정해진 간격을 형성한다.
흡인 유지 단계(1002)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 칩 간격 형성 단계(1001)를 실시한 후, 익스팬드 시트(210)의 피가공물(201)과 반대측에 설치된 유지 테이블(30)의 유지면(31)에서 익스팬드 시트(210)의 칩(202)에 대응하는 영역을 흡인 유지하여, 칩(202)의 간격을 유지하는 단계이다.
흡인 유지 단계(1002)에서는, 칩 간격 형성 단계(1001)에서의 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 높이를 유지한 상태에서, 즉, 칩 간격 형성 단계(1001)에서 칩(202)의 간격을 미리 정해진 간격을 형성한 채의 상태에서, 제어 유닛(100)은, 개폐 밸브(81)를 개방하여, 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 유지면(31)에 부압을 도입하여, 유지면(31)에서, 익스팬드 시트(210)의 피가공물(201)의 개개로 분할된 칩(202)에 대응하는 영역을 흡인 유지함으로써, 익스팬드 시트(210)를 통해 칩(202)을 흡인 유지하며, 칩(202)에 형성된 미리 정해진 간격을 유지한다.
도 10은 도 8의 압박 단계(1003) 및 검지 단계(1004)를 설명하는 단면도이다. 압박 단계(1003)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 확장 해제 단계(1005) 전에, 피가공물(201)의 외형보다 큰 개구(69)를 갖는 환형 부재(60)로 피가공물(201)의 외주에 노출된 익스팬드 시트(210)를 유지면(31)에 압박하여, 환형 부재(60)보다 내측의 익스팬드 시트(210)의 이동을 규제하는 단계이다.
압박 단계(1003)에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 흡인 유지 단계(1002)에서 익스팬드 시트(210)를 흡인 유지한 상태를 유지하면서, 승강용 실린더(57)에 의해 환형 부재(60)를 상승시킴으로써, 환형 부재(60)의 상면을, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)의 외주에 노출된 익스팬드 시트(210)의 부분(214)에 상방을 향하여 꽉 누르고, 환형 부재(60)의 상면에서, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박함으로써, 환형 부재(60)보다 내측의 익스팬드 시트(210)의 이동을 규제한다.
압박 단계(1003)에서는, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 환형 부재(60)의 상면에서, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박함으로써, 제2 예, 제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-2, 60-3)의 공간(62) 내에 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 수용하고, 공간(62) 내에 수용한 피가공물(201)을 공간(62) 외에 대하여 이격한다. 또한, 압박 단계(1003)에서는, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 환형 부재(60)의 상면에서 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박하기 직전 등에, 환형 부재(60)와 익스팬드 시트(210)의 부분(214) 사이에서 조금 간극을 두고, 제2 예, 제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-2, 60-3)의 공간(62) 내를 클린 에어로 퍼지하여도 좋다.
검지 단계(1004)은, 환형 부재(60)가, 유지면(31)에 착좌하고 있는지를 검지하는 단계이다. 검지 단계(1004)에서는, 압박 단계(1003)의 실시 후에, 자기 센서(114)가, 환형 부재(60)가 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박하는 압박 위치에 위치되어 있는 것, 즉, 유지면(31)에 착좌하고 있는 것을 검지하고, 그 취지의 정보를 제어 유닛(100)에 출력한다. 검지 단계(1004)에서는, 압박 단계(1003)의 실시 후라도, 자기 센서(114)가, 유지면(31)에 착좌하고 있는 것을 검지하지 않는 경우에는, 그 취지의 에러 정보를 제어 유닛(100)에 출력하고, 제어 유닛(100)에 의해 소정의 통지 유닛에 그 취지를 통지시킨다.
압박 단계(1003)에서는, 구체적으로는, 제어 유닛(100)은, 검지 단계(1004)에서 자기 센서(114)가 자석 부재(113)를 통과한 것을 검출한 후, 소정 높이, 환형 부재(60)를 상승시켜 유지면(31)에 착좌시킨다. 또한, 제어 유닛(100)은, 압박 단계(1003)의 실시 중에, 환형 부재(60)가 유지면에 착좌하고 있는 상태를 유지할 수 있도록, 자기 센서(114)에 의해 승강 실린더(57)를 제어하여도 좋다.
압박 단계(1003)에서는, 보다 구체적으로는, 제어 유닛(100)은, 환형 부재(60)를 상승시킬 때에, 자기 센서(114)로부터 자석 부재(113)가 자기 센서(114)를 통과하여 상승한 것을 검지한 시점부터 소정 높이 피스톤 로드(112)를 상승시켜 환형 부재(60)를 유지면에 착좌시킨다. 그 후, 제어 유닛(100)은, 자석 부재(113)가 자기 센서(114)에 접근하였는지를 검지하는 자기 센서(114)의 신호를 수신하고, 자석 부재(113)가 자기 센서(114)에 접근하였다고 검출한 경우는, 피스톤 로드(112)를 상승시켜 환형 부재(60), 커버(60-2, 60-3)가 유지면(31)에 착좌하고 있는 상태가 유지되도록 승강용 실린더(57)를 제어한다.
도 11은 도 8의 확장 해제 단계(1005)를 설명하는 단면도이다. 확장 해제 단계(1005)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블(30)의 유지면(31)에서 칩(202)을 흡인 유지한 상태에서, 익스팬드 시트(210)의 확장을 해제하는 단계이다.
확장 해제 단계(1005)는, 흡인 유지 단계(1002)에서 익스팬드 시트(210)를 흡인 유지한 상태와, 압박 단계(1003)에서 환형 부재(60)에 의해 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박한 상태를 함께 유지하면서 실시한다. 확장 해제 단계(1005)에서는, 먼저, 승강용 실린더(42)의 로드(45)를 축소하여, 프레임 지지부(21)를 프레임 누름부(22)와 함께 하강시키며, 테이블 승강 유닛(34)에 의해 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32) 등을 프레임 지지부(21)와 함께 하강시켜, 도 11에 나타내는 상태로 한다. 확장 해제 단계(1005)에서는, 프레임 지지부(21), 프레임 누름부(22) 및 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32) 등을 하강시킴으로써, 익스팬드 시트(210)가 굴림 부재(44)로부터 떨어져, 익스팬드 시트(210)가 일단 확장되어 있는 것에 기인하여, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)이 이완한다.
확장 해제 단계(1005)에서는, 흡인 유지 단계(1002)에서 익스팬드 시트(210)를 흡인 유지한 상태와, 압박 단계(1003)에서 환형 부재(60)에 의해 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박한 상태를 함께 유지하면서 실시하기 때문에, 유지면(31)으로부터 익스팬드 시트(210)가 박리되어 버릴 우려를 억제하고, 유지면(31)으로부터 익스팬드 시트(210)가 박리되어 버리는 것에 따라 진공 누설이 발생할 우려를 억제하기 때문에, 이에 의해, 개개의 칩(202) 사이의 간격을 정상으로 유지할 수 있다.
도 12는 도 8의 수축 단계(1006)를 설명하는 단면도이다. 수축 단계(1006)는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 확장 해제 단계(1005)에 의해 이완한 환형 프레임(211)의 내주 가장자리와 피가공물(201)의 외주 가장자리 사이의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 가열하여 수축시키는 단계이다.
수축 단계(1006)에서는, 개폐 밸브(71)를 폐쇄하여 압축 에어 취출구(73)로부터의 압축 에어의 취출을 정지하고, 그리고, 개폐 밸브(121)를 개방하여, 흡인 구멍(123)으로부터의 흡인을 개시하고, 개폐 밸브(524)를 개방하여, 온풍(300)을 온풍 분사부(52)로부터 분사하면서 히터 플레이트 회전용 모터(54)로 히터 플레이트(51)를 회전시킨다. 이와 같이 함으로써, 수축 단계(1006)에서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 확장 해제 단계(1005)에 의해 이완한 익스팬드 시트(210)의 부분(214)에 전체 둘레에 걸쳐 온풍(300)을 분무하여, 이완한 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 가열 수축한다.
수축 단계(1006)에서는, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 압박 단계(1003)에서의 커버(60-2, 60-3)에서의 공간(62) 내에 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 수용하고, 덮은 상태를 유지하여 실시하기 때문에, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 가열 수축할 때에 발생하는 시트 부스러기가 공간(62) 내에 침입하여 피가공물(201)에 부착되어 버릴 우려를 억제할 수 있다. 또한, 수축 단계(1006)에서는, 프레임 고정부(20)에 형성되며, 에어 흡인원(122)에 접속된 흡인 구멍(123)에 의해 시트 부스러기를 흡인하여 포획함으로써, 시트 부스러기가 피가공물(201)에 부착되어 버릴 우려를 더욱 억제할 수 있다.
도 13은 도 8의 수축 단계(1006)의 실시 후를 설명하는 단면도이다. 수축 단계(1006)의 실시 후에는, 도 13에 나타내는 바와 같이 승강용 실린더(42)의 로드(45)가 끝까지 축소하면, 개폐 밸브(81, 91, 121, 524)를 폐쇄하고, 개폐 도어(13)로 개구(12)를 개방하고, 피가공물(201)이 개개의 칩(202)으로 분할되어, DAF(212)가 개개의 칩(202)마다 분할된 피가공물 유닛(200)이 챔버(10) 밖으로 반출된다. 피가공물(201)이 개개의 칩(202)으로 분할되고, DAF(212)가 개개의 칩(202)마다 분할된 피가공물 유닛(200)은, 익스팬드 시트(210)의 확장 후, 유지 테이블(30)의 테이블 본체(32)의 유지면(31)에 흡인 유지된 상태에서 익스팬드 시트(210)가 가열 수축되어 있기 때문에, 분할된 칩(202)끼리가 스치는 것을 억제할 수 있다.
익스팬드 장치(1)는, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하기 위한 준비 동작, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 각 단계, 수축 단계(1006)의 실시 후의 동작을 반복하여, 복수의 피가공물 유닛(200)을 순서대로 연속하여, 피가공물(201)을 개개의 칩(202)으로 분할하고, DAF(212)를 개개의 칩(202)마다 분할한다.
이상과 같은 구성을 갖는 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 환형 부재(60)로 익스팬드 시트(210)를 유지면(31)에 압박한 상태에서, 익스팬드 시트(210)의 확장을 해제하기 때문에, 익스팬드 시트(210)가 유지면(31)으로부터 박리되어 칩(202) 사이의 간격을 유지할 수 없을 우려를 저감할 수 있다, 즉 칩(202) 사이의 간격을 양호하게 유지할 수 있다고 하는 작용 효과를 발휘한다.
또한, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 환형 부재(60)가 유지면(31)에 착좌하고 있는지를 검지하는 검지 단계(1004)를 더 구비하기 때문에, 환형 부재(60)로 익스팬드 시트(210)를 유지면(31)에 확실하게 압박하고 있는지의 여부를 검지할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 환형 부재(60)가, 피가공물(201)과 대향하는 대향 부재(61, 61-3)와 연결되고, 환형 부재(60)와 대향 부재(61, 61-3)로 형성되는 공간(62)에 피가공물(201)을 수용하는 커버(60-2, 60-3)를 형성한다. 또한, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 수축 단계(1006)에 있어서, 커버(60-2, 60-3)로 피가공물(201)을 덮어 수용한다. 이 때문에, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법은, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 가열 수축할 때에 발생하는 시트 부스러기가 공간(62) 내에 침입하여 피가공물(201)에 부착되어 버릴 우려를 억제할 수 있다.
〔변형예〕
본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 칩 간격 형성 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 14는 변형예에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치(1-2)의 구성예를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 14는 실시형태와 동일 부분에 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
변형예에 따른 칩 간격 형성 방법은, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법에 있어서, 익스팬드 장치(1)에 의해 실시되는 대신에, 도 14에 나타내는 익스팬드 장치(1-2)에 의해 실시되는 것으로 변경한 것이다.
변형예에 따른 칩 간격 형성 방법을 실시하는 익스팬드 장치(1-2)는, 도 14에 나타내는 바와 같이, 프레임 고정부(20)로 유지되는 피가공물 유닛(200)의 하방에 테이블 커버(36)를 구비하고 있지 않은 유지 테이블(30) 및 확장 드럼(41-2)을 배치하고, 피가공물 유닛(200)의 상방에 가열 유닛(50) 및 환형 부재(60)를 배치하고, 프레임 누름부(22)가 고정되고, 확장 드럼(41-2)이 드럼용 실린더(46)의 신장하는 로드(47)에 부착되어, 유지 테이블(30)과 함께 프레임 지지부(21)의 상면(23)보다 상승함으로써, 익스팬드 시트(210)를 확장하고, 흡인 구멍(123)이 프레임 지지부(21)의 내주면의 셔터 플레이트(53)보다 상방측 대신에 프레임 누름부(22)의 내주면의 셔터 플레이트(53)보다 하방측에 형성되어 있는 것 이외에, 익스팬드 장치(1)와 구성이 같다. 또한, 도 14는 챔버(10)를 생략하고 있다.
즉, 익스팬드 장치(1)는, 유지 테이블(30) 및 확장 드럼(41)이 장치의 상방측에 마련되고, 가열 유닛(50) 및 환형 부재(60)가 장치의 하방측에 마련되어 있는 데 대하여, 익스팬드 장치(1-2)는, 유지 테이블(30) 및 확장 드럼(41-2)이 장치의 하방측에 마련되고, 가열 유닛(50) 및 환형 부재(60)가 장치의 상방측에 마련되어 있다. 이와 같이, 익스팬드 장치(1-2)는, 익스팬드 장치(1)에 있어서, 상방측에 마련되는 구성 요소와 하방측에 마련되는 구성 요소가 상하 반전하여 마련된 것이다.
변형예에 따른 칩 간격 형성 방법의 각 단계는, 실시형태에 따른 칩 간격 형성 방법의 각 단계에 있어서, 각 구성 요소를 상하 반전한 장치로 실시하도록 변경한 것이 되기 때문에, 상하 반전하여 실시하도록 변경된 것이 되고, 그 외의 구성은 실시형태와 동일하다.
변형예에 따른 칩 간격 형성 방법의 압박 단계(1003)에서는, 흡인 유지 단계(1002)에서 익스팬드 시트(210)를 흡인 유지한 상태를 유지하면서, 승강용 실린더(57)에 의해 환형 부재(60)를 하강시킴으로써, 승강용 실린더(57)의 피스톤부(57-2)의 선단에 고정된 환형 부재(60)의 하면에서, 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 상방으로부터 유지면(31)에 압박한다.
변형예에 따른 칩 간격 형성 방법의 압박 단계(1003)에서는, 환형 부재(60)가 제2 예 또는 제3 예인 경우에는, 환형 부재(60)의 하면에서, 익스팬드 시트(210)의 부분(214)을 유지면(31)에 압박함으로써, 제2 예, 제3 예의 환형 부재(60)를 포함하여 구성되는 커버(60-2, 60-3)의 공간(62) 내에 유지 테이블(30)에 유지된 피가공물 유닛(200)의 피가공물(201)을 수용하고, 공간(62) 내에 수용한 피가공물(201)을 공간(62) 외에 대하여 이격한다.
이상과 같은 구성을 갖는 변형예에 따른 칩 간격 형성 방법은, 실시형태에 있어서, 상하 반전하여 실시하도록 변경한 것이고, 그 외의 구성은 실시형태와 동일하기 때문에, 당연히 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘하는 것이 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 또한, 실시형태 및 변형예에서는, 프레임 고정부(20)의 프레임 누름부(22)를 승강 가능하게 마련하였지만, 본 발명에서는, 프레임 고정부(20)의 프레임 누름부(22)를 챔버(10)에 고정하여도 좋다. 또한, 흡인 구멍(123)은, 프레임 고정부(20)에 의해 환형 프레임(211)이 유지된 피가공물 유닛(200)의 익스팬드 시트(210)보다 온풍 분사부(52)측에 형성되어 있으면, 프레임 고정부(20)의 내주면이나 상면 등 어떠한 위치에 형성되어 있어도 좋다. 또한, 실시형태 및 변형예에서는, 피가공물 유닛(200)은, 피가공물(201)과 DAF(212)를 구비하지만, 본 발명에서는, 이에 한정되지 않고, 피가공물(201)과 DAF(212) 중 한쪽을 구비하고, 다른 쪽을 구비하지 않아도 좋다.
30 유지 테이블
31 유지면
60 환형 부재
60-2, 60-3 커버
61, 61-3 대향면
62 공간
69, 213 개구
201 피가공물
202 칩
210 익스팬드 시트
211 환형 프레임
212 DAF
214 부분

Claims (4)

  1. 익스팬드 시트에 지지되어 있는 피가공물을 구성하는 복수의 칩 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 칩 간격 형성 방법으로서,
    상기 익스팬드 시트를 확장하여, 상기 칩 사이에 미리 정해진 간격을 형성하는 칩 간격 형성 단계와,
    상기 칩 간격 형성 단계를 실시한 후, 상기 익스팬드 시트의 피가공물과 반대측에 설치된 유지 테이블의 유지면에서 상기 익스팬드 시트의 상기 칩에 대응하는 영역을 흡인 유지하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 흡인 유지 단계와,
    상기 유지면에서 상기 칩을 흡인 유지한 상태에서, 상기 익스팬드 시트의 확장을 해제하는 확장 해제 단계와,
    상기 확장 해제 단계에 의해 이완한 피가공물의 외주의 상기 익스팬드 시트를 가열하여 수축시키는 수축 단계와,
    상기 확장 해제 단계 전에, 피가공물의 외형보다 큰 개구를 갖는 환형 부재로 피가공물의 외주에 노출된 상기 익스팬드 시트를 상기 유지면에 압박하여, 상기 환형 부재보다 내측의 상기 익스팬드 시트의 이동을 규제하는 압박 단계
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 간격 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 환형 부재가, 상기 유지면에 착좌하고 있는지를 검지하는 검지 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 간격 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 환형 부재는, 피가공물과 대향하는 대향면과 연결하여, 상기 환형 부재와 상기 대향면으로 형성되는 공간에 피가공물을 수용하는 커버를 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 간격 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 수축 단계에 있어서, 상기 커버로 피가공물을 덮어 수용하는 것을 특징으로 하는 칩 간격 형성 방법.
KR1020230165360A 2022-12-02 2023-11-24 칩 간격 형성 방법 KR20240083023A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022193479A JP2024080353A (ja) 2022-12-02 2022-12-02 チップ間隔形成方法
JPJP-P-2022-193479 2022-12-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240083023A true KR20240083023A (ko) 2024-06-11

Family

ID=91432058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230165360A KR20240083023A (ko) 2022-12-02 2023-11-24 칩 간격 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2024080353A (ko)
KR (1) KR20240083023A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024080353A (ja) 2024-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102388514B1 (ko) 확장 방법 및 확장 장치
JP2011077482A (ja) テープ拡張装置
JP5378780B2 (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
US11315833B2 (en) Wafer processing method including a test element group (TEG) cutting step
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
KR20160001636A (ko) 테이프 확장 장치
TWI653674B (zh) Wafer interval maintaining device and wafer interval maintaining method
TWI781256B (zh) 晶圓分割方法以及晶圓分割裝置
TWI735712B (zh) 分割裝置及分割方法
TW201903866A (zh) 晶圓的分割方法及分割裝置
TWI782160B (zh) 分割裝置
JP7325258B2 (ja) エキスパンド装置
KR20240083023A (ko) 칩 간격 형성 방법
KR102670207B1 (ko) 분할 장치 및 분할 방법
JP2010147316A (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
JP7437963B2 (ja) エキスパンド装置
US20210066111A1 (en) Processing method for wafer
JP2023081298A (ja) エキスパンド装置
TW202324520A (zh) 擴展裝置
TWI819486B (zh) 擴展裝置
JP3222318U (ja) 分割装置
JP2024078183A (ja) 拡張方法及び拡張装置
JP2023047339A (ja) レーザビーム式ウェハダイシング装置のためのウェハチャック
JP2024080051A (ja) 分割装置