KR20240053566A - 저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체 - Google Patents

저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체 Download PDF

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Abstract

본 개시는 저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 제공한다. 본 개시의 열경화형 수지 조성물은 (A) 지환식 에폭시 수지; (B) 크라운 에테르 화합물의 함량이 저온 열경화형 수지 조성물의 0.05 중량% 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 3.0 중량%인 크라운 에테르 화합물; (C) 열양이온 중합 개시제; (D) 성막성 첨가 성분; (E) 도전성 입자를 포함하고, 여기서, 저온 열경화형 수지 조성물은 열경화를 적용하여 이방성 도전 필름을 제조한다.

Description

저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체{LOW-TEMPERATURE THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND CONNECTION STRUCTURE}
본 개시는 전자 부품의 접착 접속 분야에 관한 것으로, 특히 저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체에 관한 것이다.
이방성 전도성 필름은, 반도체 및 평판 디스플레이 등의 분야에서 방향성 도전 성능과 같은 장점이 있어 전자 부품을 고정하거나 회로 접속에 널리 활용되고 있으며, 예를 들면, 유리 기판에 IC 칩을 직접 실장하는 칩 패키징(COG), 연성 회로 기판의 패키징(FOG)과 같은 분야에 사용되고 있다.
반도체, 디스플레이 등의 제품이 소형화되고 박형화되면서, 전자 부품의 실장부분이 패널 디스플레이에 근접해지며, IC 칩과 유리 기판도 매우 얇아지고 있다. 접속 시 열압착으로 부품이 눌어붙거나, 대향하는 회로 기판의 열팽창차로 인해 패키징 후 회로 배선의 위치가 어긋나는 등의 문제가 발생할 수 있다. 특히 COG 패키징에서는 이방성 도전 필름의 경화 수축이나 IC 칩과 유리 기판의 열팽창 차로 인해 기판이 뒤틀려 디스플레이의 표시가 불균일해지는 문제가 발생하고 있다. 또한, 생산 원가 측면에서 원가를 절감하고 생산 효율을 향상시키기 위해서는, 비교적 낮은 저온(예를 들어,140℃ 내지 150℃)에서 단시간(예를 들어, 5초 이내)에 경화될 수 있는 이방성 도전 필름을 제조하는 접착제층 재료가 요구된다.
이방성 도전 필름의 접착제층 재료의 보관 안정성과 저온의 급속 경화를 구현하기 위한 개발의 주요 방향은 저온 경화가 가능한 양이온 경화 시스템으로, 상용되는 글리세롤 트리글리시딜 에테르(glycerol triglycidyl ether)계 화합물에 비해, 양이온 중합 반응성이 더 높은 지환식 에폭시 화합물을 사용하며, 산소에 의한 중합 반응의 저해를 방지하면서도, 동시에 반응성이 비교적 높은 양이온 중합 개시제와 배합해 사용할 경우, 비교적 낮은 경화 온도(예를 들어, 100℃ 정도)를 나타낼 수 있다. 그러나, 예를 들어 40℃ 내지 60℃ 정도의 온도에서 중합이 시작될 수도 있고, 보관 과정에서 접착제가 경화될 수도 있어 보관 안정성이 낮다는 문제도 발생하고 있다.
종합하면, 제조된 이방성 도전 필름의 접속 신뢰성을 향상시키는 보관 안정성과 저온 경화 성능을 모두 갖춘 접착제 재료가 더 제공될 필요가 있다.
이를 고려하여, 선행기술에 존재하는 상기 어느 하나 및 기타 다른 적어도 하나 이상의 결함을 극복하기 위해, 본 개시는 성막성 첨가 성분에 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물 및 열양이온 중합 개시제를 사용하여, 보관 과정 중 크라운 에테르를 이용해 개시제 양이온을 포집하여 반응을 억제함으로써 저온에서 단시간에 경화를 구현하는 동시에 보관 안정성을 향상시키는 저온 열경화형 수지 조성물을 제공하여 접속 신뢰성이 우수한 이방성 도전 필름을 성공적으로 제조한다.
또한, 본 개시는 경화된 이방성 도전 필름으로 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 이방성 도전 접속한 접속 구조체를 제공하여 저응력에서 접속 상태가 안정함은 물론 기판에 대한 뒤틀림을 감소시킨 접속 구조체를 구현한다.
상기 목적을 실현하기 위해, 본 개시의 일 측면에 따르면,
(A) 지환식 에폭시 수지;
(B) 크라운 에테르 화합물의 함량이 저온 열경화형 수지 조성물의 0.05 중량% 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 3.0 중량%인 크라운 에테르 화합물;
(C) 열양이온 중합 개시제;
(D) 성막성 첨가 성분;
(E) 도전성 입자
를 포함하고, 열경화를 적용하여 이방성 도전 필름을 제조하는 저온 열경화형 수지 조성물이 제공된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 열양이온 중합 개시제는 4차 암모늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 4차 암모늄염, 방향족 술포늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 술포늄염 중 적어도 1종 이상을 포함한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 4차 암모늄염은 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methoxybenzyl) ammonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate), 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methylbenzyl) ammonium hexafluorotetrakis (pentafluorophenyl) borate), 메틸페닐디벤질암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyldibenzylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 페닐트리벤질 암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Phenyltribenzyl ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 디메틸페닐(3,4-디메틸벤질)암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (3,4-dimethylbenzyl)ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), N,N-디에틸-N-벤질아닐리늄 보론 테트라플루오라이드(N,N-dimethyl-N-benzylanilinium boron tetrafluoride)을 포함하고; 술포늄염은 p-히드록시페닐-벤질-메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(p-Hydroxyphenyl-benzyl-methylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 트리페닐술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(triphenylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-1-나프틸메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-(2-메틸벤질)술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-(2-methylbenzyl)sulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 7-[디(p-톨릴)술포닐]-2-이소프로필티옥산텐 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트((7-[Di(p-tolyl)sulfonyl]-2-isopropylthioxanthene tetrakis(pentafluorophenyl)borate) 4-(p-tert-부틸페닐카르보닐)-4'-비스(p-톨릴)술포닐-디페닐술피드-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-(p-tert-Butylphenylcarbonyl)-4'-bis(p-tolyl)sulfonyl-diphenylsulfide-tetrakis(pentafluorophenyl)borate)를 포함한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 열양이온 중합 개시제의 함량은 지환식 에폭시 수지의 0.05 중량% 내지 30 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 15 중량%이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 크라운 에테르 화합물은, 12-크라운 4-에테르, 15-크라운 5-에테르, 18-크라운 6-에테르, 24-크라운 8-에테르, 벤조-15-크라운 5-에테르, 벤조-18-크라운 6-에테르, 벤조-12-크라운 4-에테르, 디벤조-15-크라운 5-에테르, 디벤조-18-크라운 6-에테르, 디벤조-21-크라운 7-에테르, 디벤조-24-크라운 8-에테르, 트리벤조-18-크라운 6-에테르, 4,13-디아조-18-크라운 6-에테르, 디시클로헥실-18-크라운 6-에테르, 4'-카르복시벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-카르복시벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-아미노벤조-15-크라운 5 에테르, 4'-아세틸벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-아세틸벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-니트로벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-니트로벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-브로모벤조-18-크라운 6 에테르, 4'-브로모벤조-15-크라운 5-에테르, 1-아자-15-크라운 5-에테르, 1-아자-18-크라운 6-에테르, 1-az-12-크라운 4-에테르, 4,10-디아자-15-크라운 5-에테르, 4,10-디아자-12-크라운 4-에테르, N-페닐아자-15-크라운 5-에테르, N,N'-디벤질-4,13-디아자-18-크라운 6-에테르, 2-(히드록시메틸)-15-크라운 5-에테르, 2-(히드록시메틸)-12-크라운 4-에테르, 2-(히드록시메틸)-18-크라운 6-에테르, 이코사플루오로-15-크라운 5-에테르, 디시클로헥센-18-크라운-6 에테르, 4'-포르밀벤조-15-크라운 5-에테르, 4,7,13,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8]헥세인, 비스(1,4-페닐렌)-34-크라운 10-에테르, 18-크라운-5[4-(2,4-디니트로페닐아조)페놀] 중에서 선택되는 어느 1종이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 지환식 에폭시 수지는, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타디옥산(2- (3, 4-epoxy-cyclohexyl-5, 5-spiro-3, 4-epoxy) cyclohexane-metadioxane), 3,4-에폭시-1-메틸시클로헥실-3,4-에폭시-1-메틸헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-1-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-1-methylhexanecarboxylate), 3,4-에폭시-3-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-3-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-3-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-3-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-5-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-5-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-5-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실카르복실레이트(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylcarboxylate), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 6-메틸-3,4-에폭시시클로헥실메틸-6-메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(6-Methyl-3,4-epoxycyclohexylmethyl-6-methyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 에틸렌 비스(3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트),(Ethylene bis(3,4-epoxycyclohexanecarboxylate)), 디시클로펜타디에폭시드(dicyclopentadiepoxide), 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트(Bis(3,4-epoxycyclohexylmethyl)adipate), 메틸렌비스(3,4-에폭시시클로헥산)(Methylenebis(3,4-epoxycyclohexane))중 적어도 1종 이상일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 지환식 에폭시 수지의 함량은 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 60 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 성막성 첨가 성분은 상온에서 고체인 에폭시 수지 또는 페녹시 수지를 포함하며; 에폭시 수지는 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직하며; 페녹시 수지는 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직하다.
본 개시의 실시예에 따르면, 성막성 첨가 성분의 함량은 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 70 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 도전성 입자는 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 솔더, 금속도금된 수지 입자 중에서 선택되는 적어도 1종 이상이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 도전성 입자의 함량은 50개 내지 100,000개 이하/mm2 도전막, 200개 내지 70,000개/mm2 도전막이다.
본 개시의 다른 일 측면에 따르면, 상기 저온 열경화형 수지 조성물을 열경화하여 제조된 이방성 도전 필름이 제공된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 열경화 온도는 140℃ 내지 150℃이고, 경화 시간은 5초 이내이다.
본 개시의 또 다른 일 측면에 따르면, 상기 이방성 도전 필름을 이용해 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 이방성 도전 접속하여 형성된 접속 구조체가 제공된다.
본 개시가 제공하는 저온 열경화형 수지 조성물은, 성막성 첨가 성분에 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물 및 열양이온 중합 개시제를 첨가하여, 보관 과정 중 크라운 에테르를 이용해 개시제 양이온을 포집하여 반응을 억제함으로써 저온에서 단시간에 경화를 구현하는 동시에 보관 안정성을 향상시킨다. 해당 기술에 지환식 에폭시 수지를 사용하는 경우, 40℃ 내지 60℃에서 중합되어 보관 안정성이 떨어지는 문제가 해결된다.
본 개시가 제공하는 접속 구조체는 경화 후 접속 상태가 저응력에서 안정하여 기판에 대한 뒤틀림을 감소시키고 접속 신뢰성을 크게 향상시킨다.
본 개시의 목적, 기술방안 및 장점을 보다 명확하게 이해하기 위해, 하기에서는 구체적인 실시예를 참조하여 본 개시를 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 본 개시는 이하의 실시형태에 한정되지 않는다.
본 명세서에 사용된 용어는 단지 구체적인 실시예를 설명하기 위해 사용된 것일 뿐, 본 개시를 한정하려는 것이 아니다. 본 명세서에 사용된 "포함하다”, "함유하다” 등의 용어는 특징, 단계, 동작 및/또는 구성 요소의 존재를 나타내나, 하나 이상의 기타 다른 특징, 단계, 동작 또는 구성 요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에 사용된 모든 용어(기술 및 과학 용어 포함)는 달리 정의되지 않는 한 당업자가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에 사용된 용어는 본 명세서의 문맥에 부합하는 의미로 해석되어야 하며, 이상적이거나 지나치게 정형화된 방식으로 해석되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
본 개시를 구현하는 과정에서, 저온 열경화형 수지 조성물의 성막성 첨가 성분에 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물 및 열양이온 중합 개시제를 사용하는 양이온 경화형 조성물을 발견하였고, 여기서, 크라운 에테르는 개시제 양이온을 포집하여 반응을 억제함으로써 저온에서 단시간에 경화를 구현하는 동시에 보관 안정성을 향상시키고, 상기 이방성 도전 필름을 기반으로, 비교적 낮은 응력 하에서 기판의 뒤틀림을 최대한 억제할 수 있는 접속 신뢰성이 높은 접속 구조체를 얻었다.
본 개시의 일 측면에 따르면, 본 개시의 저온 열경화형 수지 조성물은, 주요하게 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물, 열양이온 중합 개시제, 성막성 첨가 성분 및 도전성 입자를 필수 성분으로 하여 구성된다. 보다 구체적으로는,
(A) 지환식 에폭시 수지;
(B) 크라운 에테르 화합물의 함량이 저온 열경화형 수지 조성물의 0.05 중량% 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 3.0 중량%인 크라운 에테르 화합물 - 예를 들어, 0.05 중량%, 0.1 중량%, 0.2 중량%, 0.3 중량%, 1.0 중량%, 2.0 중량%, 3.0 중량%, 4.0 중량%, 5.0 중량% 등일 수 있다;
(C) 열양이온 중합 개시제;
(D) 성막성 첨가 성분;
(E) 도전성 입자 성분을 포함하는 열경화형 수지 조성물을 제공한다.
여기서, 저온 열경화형 수지 조성물은 열경화를 적용하여 이방성 도전 필름을 제조한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 본 개시가 제공하는 저온 열경화형 수지 조성물은, 성막성 첨가 성분에 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물 및 열양이온 중합 개시제를 첨가하여, 보관 과정 중 크라운 에테르를 이용해 개시제 양이온을 포집하여 반응을 억제함으로써 저온에서 단시간에 경화를 구현하는 동시에 보관 안정성을 향상시킨다. 해당 기술에 지환식 에폭시 수지를 사용하는 경우, 40℃ 내지 60℃에서 중합되어 보관 안정성이 떨어지는 문제가 해결된다. 본 개시가 제공하는 접속 구조체는 경화 후 접속 상태가 저응력에서 안정하여 기판에 대한 뒤틀림을 감소시키고 접속 신뢰성을 크게 향상시킨다.
본 개시의 실시예에 따르면, 본 개시에 사용되는 지환식 에폭시 수지는 지환식 골격에 에폭시기가 직접 연결된 구조이다. 지환식 에폭시 수지는 상온에서 액상이다. 에폭시기는 반응성의 관점에서 2관능 이상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타디옥산(2- (3, 4-epoxy-cyclohexyl-5, 5-spiro-3, 4-epoxy) cyclohexane-metadioxane), 3,4-에폭시-1-메틸시클로헥실-3,4-에폭시-1-메틸헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-1-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-1-methylhexanecarboxylate), 3,4-에폭시-3-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-3-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-3-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-3-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-5-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-5-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-5-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실카르복실레이트(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylcarboxylate), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 6-메틸-3,4-에폭시시클로헥실메틸-6-메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(6-Methyl-3,4-epoxycyclohexylmethyl-6-methyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 에틸렌 비스(3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트),(Ethylene bis(3,4-epoxycyclohexanecarboxylate)), 디시클로펜타디에폭시드(dicyclopentadiepoxide), 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트(Bis(3,4-epoxycyclohexylmethyl)adipate), 메틸렌비스(3,4-에폭시시클로헥산)(Methylenebis(3,4-epoxycyclohexane))중 적어도 1종 이상일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 지환식 에폭시 수지의 함량은 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 60 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%이다. 여기서, 지환식 에폭시 수지 함량이 저온 열경화형 수지 조성물에서 차지하는 비율은 10 중량%, 20 중량%, 30 중량%, 40 중량%, 50 중량%, 60 중량% 등일 수 있다. 지환식 에폭시 수지 함량이 저온 열경화형 수지 조성물에서 차지하는 비율이 10 중량% 미만이면 충분한 경화물을 얻을 수 없어 접속 특성이 불안정해지며; 60 중량%를 초과하면 성막성 첨가 성분이 부족해 성막성이 불충분하거나 도전성 입자의 배합량이 부족해 접속 불량 등의 상황이 발생할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 열양이온 중합 개시제는 4차 암모늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 4차 암모늄염, 방향족 술포늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 술포늄염 중 적어도 1종 이상을 포함한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 붕산염계 음이온은 BF4- 또는 (BX4)인 것이 바람직하다. 여기서, X는 적어도 2개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다.
본 개시의 실시예에 따르면, 4차 암모늄염은 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methoxybenzyl) ammonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate) 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methylbenzyl) ammonium hexafluorotetrakis (pentafluorophenyl) borate), 메틸페닐디벤질암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyldibenzylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 페닐트리벤질 암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Phenyltribenzyl ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 디메틸페닐(3,4-디메틸벤질)암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (3,4-dimethylbenzyl)ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), N,N-디에틸-N-벤질아닐리늄 보론 테트라플루오라이드(N,N-dimethyl-N-benzylanilinium boron tetrafluoride)을 포함하고; 여기서, 4차 암모늄염 화합물은 King Industries에서 제조한 제품명 "CXC-1821"인 제품일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 술포늄염은 p-히드록시페닐-벤질-메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(p-Hydroxyphenyl-benzyl-methylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 트리페닐술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(triphenylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-1-나프틸메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-(2-메틸벤질)술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-(2-methylbenzyl)sulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 7-[디(p-톨릴)술포닐]-2-이소프로필티옥산텐 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트((7-[Di(p-tolyl)sulfonyl]-2-isopropylthioxanthene tetrakis(pentafluorophenyl)borate) 4-(p-tert-부틸페닐카르보닐)-4'-비스(p-톨릴)술포닐-디페닐술피드-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-(p-tert-Butylphenylcarbonyl)-4'-bis(p-tolyl)sulfonyl-diphenylsulfide-tetrakis(pentafluorophenyl)borate)를 포함한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 열양이온 중합 개시제의 함량은 지환식 에폭시 수지의 0.05 중량% 내지 30 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 15 중량%이다. 여기서, 열양이온 중합 개시제 함량이 지환식 에폭시 수지에서 차지하는 비율은 0.05 중량%, 0.1 중량%, 0.2 중량%, 0.5 중량%, 1 중량%, 2 중량%, 5 중량%, 10 중량%, 15 중량%, 20 중량%, 30 중량% 등일 수 있다. 상기 열양이온 중합 개시제 함량이 상기 범위 내일 경우, 얻어지는 이방성 도전 필름은 저온의 단시간 경화성 및 보관 안정성이 우수하다.
본 개시의 실시예에 따르면, 지환식 에폭시 수지는 열양이온 중합 개시제와의 반응성이 양호하기 때문에 저온 경화성이 우수하고, 고내열성으로 기재에 대한 접착이 양호하다. 반응성이 우수한 특징은 경화물에 잔류하는 미경화물의 양을 감소시킬 수 있고, 고온고습 환경에서도 수축응력의 증가를 억제할 수 있어 내고온고습성을 향상시킬 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 크라운 에테르 화합물은, 12-크라운 4-에테르, 15-크라운 5-에테르, 18-크라운 6-에테르, 24-크라운 8-에테르, 벤조-15-크라운 5-에테르, 벤조-18-크라운 6-에테르, 벤조-12-크라운 4-에테르, 디벤조-15-크라운 5-에테르, 디벤조-18-크라운 6-에테르, 디벤조-21-크라운 7-에테르, 디벤조-24-크라운 8-에테르, 트리벤조-18-크라운 6-에테르, 4,13-디아조-18-크라운 6-에테르, 디시클로헥실-18-크라운 6-에테르, 4'-카르복시벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-카르복시벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-아미노벤조-15-크라운 5 에테르, 4'-아세틸벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-아세틸벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-니트로벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-니트로벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-브로모벤조-18-크라운 6 에테르, 4'-브로모벤조-15-크라운 5-에테르, 1-아자-15-크라운 5-에테르, 1-아자-18-크라운 6-에테르, 1-az-12-크라운 4-에테르, 4,10-디아자-15-크라운 5-에테르, 4,10-디아자-12-크라운 4-에테르, N-페닐아자-15-크라운 5-에테르, N,N'-디벤질-4,13-디아자-18-크라운 6-에테르, 2-(히드록시메틸)-15-크라운 5-에테르, 2-(히드록시메틸)-12-크라운 4-에테르, 2-(히드록시메틸)-18-크라운 6-에테르, 이코사플루오로-15-크라운 5-에테르, 디시클로헥센-18-크라운-6 에테르, 4'-포르밀벤조-15-크라운 5-에테르, 4,7,13,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8]헥세인, 비스(1,4-페닐렌)-34-크라운 10-에테르, 18-크라운-5[4-(2,4-디니트로페닐아조)페놀] 중에서 선택되는 어느 1종이다. 여기서, 18-크라운 6-에테르, 벤조-18-크라운 6-에테르, D 디벤조-18-크라운 6-에테르, 트리벤조-18-크라운 6-에테르, 디시클로헥실-18-크라운 6-에테르 중 어느 1종인 것이 바람직하다. 양이온 이온의 취득 용이성 및 공업 제품의 취득 용이성 관점에서, 18-크라운 6-에테르, 벤조-18-크라운 6-에테르, D 디벤조-18-크라운 6-에테르, 트리벤조-18-크라운 6-에테르, 디시클로헥실-18-크라운 6-에테르 중 어느 1종인 것이 바람직하다.
본 개시의 실시예에 따르면, 본 개시는 크라운 에테르가 갖는 분자 정공으로 유리된 암모늄 양이온 이온과 술포늄 양이온 이온을 포집하여 반응을 억제함으로써 보관 안정성을 향상시킨다. 지환식 에폭시 수지는 열양이온 중합 개시제와의 반응성이 양호하기 때문에 저온 경화성이 우수하고, 이러한 조건에서 크라운 에테르를 첨가하면 반응 활성을 억제하여 저온 열경화 효과가 우수한 동시에 저온 열경화형 수지 조성물의 안정성을 향상시켜 보관 시 쉽게 경화되는 가능성을 감소시킨다.
본 개시의 실시예에 따르면, 크라운 에테르는 소량의 첨가량으로도 기존의 경화 특성에 영향을 미치지 않으면서 보관 안정성을 향상시킬 수 있다. 크라운 에테르 화합물의 함량은 저온 열경화형 수지 조성물의 0.05 중량% 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 3.0 중량%이다. 크라운 에테르 화합물 함량이 저온 열경화형 수지 조성물에서 차지하는 비율이 0.05 중량% 미만이면 보관 안정성 향상 효과를 얻을 수 없고; 3.0 중량%를 초과하면 흡수율이 증가하거나 저온 열경화형 수지 조성물의 접속 신뢰성이 저하된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 성막성 첨가 성분은 저온 열경화형 수지 조성물을 성막화하기 위한 성분으로, 상온에서 고체인 에폭시 수지나 페녹시 수지를 필수 성분으로 사용한다．
본 개시의 실시예에 따르면, 성막성 첨가 성분은 상온에서 고체인 에폭시 수지 또는 페녹시 수지를 포함하며; 에폭시 수지는 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직하며; 페녹시 수지는 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직하다.
본 개시의 실시예에 따르면, 에폭시 수지는 성막 성능 및 가공 성능을 고려해, 비스페놀형 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 에폭시 수지는 KUKDO CEMICAL(국도화학(주))의 제품명 "YD-020" 인 제품 등일 수 있다; 페녹시 수지는 닛테츠케미컬앤머티리얼 주식회사(NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.)의 제품명 "YP-50"인 제품 등일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 추가적으로, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 부타디엔 수지, 폴리올레핀 수지 등의 성막 보조 성분을 사용할 수도 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 상온에서 고체인 에폭시 수지와 페녹시 수지는 성막성, 가공성, 접속 신뢰성이 우수하여 양이온 중합 반응을 저해하지 않기 때문에 지환식 에폭시 수지, 열양이온 중합 개시제 및 크라운 에테르 화합물이 갖는 저온의 단시간 조건에서도 경화 반응을 함께 완료할 수 있다. 또한, 고온고습 환경에서의 신뢰성 시험 후에도, 접속 구조체 접속 부위의 박리가 현저하게 억제될 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 성막성 첨가 성분의 함량은 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 70 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%이다. 예를 들어, 10 중량%, 20 중량%, 30 중량%, 40 중량%, 50 중량%, 60 중량%, 70 중량% 등일 수 있다. 성막성 첨가 성분은 상기 범위 내일 경우 충분한 성막 능력을 발휘할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 도전성 입자는 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 솔더, 금속도금된 수지 입자 중에서 선택되는 적어도 1종 이상이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 도전성 입자의 함량은 50개 내지 100,000개 이하/mm2 도전막, 200개 내지 70,000개/mm2 도전막이다. 예를 들어, 50개/mm2, 80개/mm2, 100개/mm2, 1,000개/mm2, 10,000개/mm2, 100,000개/mm2 등일 수 있다. 존재량은 광학 현미경으로 관찰하여 측정할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 도전성 입자의 평균 입경은 배선 높이의 편차에 대응될 수 있고, 도통 저항의 상승을 억제하면서 단락의 발생을 억제할 수 있다. 도전성 입자의 입경은 일반적인 입도 분포 측정 장치를 통해 측정할 수 있고, 평균 입경도 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 평균 입경은 바람직하게는 2.5μm 이상 30μm 이하이고, 보다 바람직하게는 3μm 이상 20μm 이하이다. 예를 들어, 2.5μm, 3μm, 4μm, 8μm, 10μm, 15μm, 20μm, 25μm, 30μm 등일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 저온 열경화형 수지 조성물에 존재하는 도전성 입자의 양은 도전성 입자의 포집 효율 저하 및 단락 발생을 억제할 수 있고, 도전성 입자는 Sekisui Chemical Industry Co., Ltd.의 제품명 "Mircpearl"인 제품 및 Nippon Chemical Industry Co., Ltd.의 제품명 "BRIGHT"인 제품 등일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 저온 열경화형 수지 조성물의 성분은 접속되는 회로 기판의 종류에 따라 무기 충전제, 유기 충전제, 실란 커플링제, 착색제 등을 적절히 함유할 수 있고, 적절한 목적에 따라 사용될 수도 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 무기 충전제는 실리카, 산화티탄, 수산화알루미늄 등일 수 있고, 실리카는 경화물의 흡습율과 선팽창계수를 감소시키고, 탄성계수를 증가시켜 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 산화티탄은 회로 접속 재료를 블랙이나 화이트 등으로 착색할 수 있어 회로 접속 재료가 회로 기판의 적절한 위치에 접착되었는지 용이하게 확인할 수 있다. 수산화알루미늄은 경화 후 수지 중에 잔존하는 산을 중화시키는 작용으로 회로 전극의 부식에 효과를 발휘한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 유기 충전제는 아크릴 수지, 유기실리콘 수지, 부타디엔 고무, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리비닐부티랄, 폴리아릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, NBR, SBR 등을 성분으로 함유하는 공중합체로 이루어진 마이크로 입자일 수 있고, 코어-쉘 구조의 마이크로 입자일 수도 있으며, 단독으로 사용하거나 조합하여 사용할 수 있다. 이러한 유기 충전제를 함유하는 회로 접속 재료는 접착성과 경화 후의 응력 완화, 내충격성 향상에 효과가 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 유리 기재에 대한 접착성을 향상시키기 위해 실란 커플링제를 사용할 수도 있다. 실란 커플링제는 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제, 티올계 실란 커플링제, 아민계 실란 커플링제 등일 수 있다.
본 개시의 다른 일 측면에 따르면, 상기 저온 열경화형 수지 조성물을 열경화하여 제조된 이방성 도전 필름이 제공된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 상기 이방성 도전 필름을 전자 부품의 도전 접속을 위해 사용하는 경우에는, 이방성 도전 필름을 저온에서 신속하게 경화시킬 수 있고, 보관 과정에서 안정성이 우수하여 40℃ 내지 60℃에서 보관하는 경우에 경화되는 것을 방지할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 바람직하게는, 열경화 온도는 140℃ 내지 150℃이고, 예를 들면 140℃, 142℃, 145℃, 148℃, 150℃ 등일 수 있고, 경화 시간은 5초 이내이고, 예를 들면 1초, 2초, 3초, 4초, 5초 등일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 본 개시가 제공하는 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 우선 무기 충전제를 톨루엔 등의 유기 용매에 균일하게 분산시킨 후, 분산액에 성막성 첨가 성분을 용해시키고, 여기에 지환식 에폭시 수지, 크라운 에테르 화합물, 열양이온 중합 개시제 및 도전성 입자를 혼합하여 도료로 제조한 다음, 상기 도료를 공지된 성막화 방법으로 성막하여 저온에서 열경화하여 이방성 도전 필름을 제조한다.
본 개시의 실시예에 따르면, 본 개시의 이방성 도전 필름은 단일층일 수 있고, 도전성 입자를 함유하는 층과 도전성 입자를 함유하지 않는 층의 이중층 구조일 수도 있다. 이중층 구조를 형성하여 접속 시의 입자 포집 효율을 높여 고가의 도전성 입자의 사용량을 줄이고 제조 원가를 절감할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 이방성 도전 필름의 막 두께는 회로 기판의 전극 부분을 충분히 채울 수 있는 두께로 도포될 수 있고, 동시에 전극의 크기와 개수에 따라서도 달라질 수 있다. 일반적으로, 전극 높이보다 3μmm 내지 10μmm 더 두꺼우면 된다.
본 개시의 또 다른 일 측면에 따르면, 상기 이방성 도전 필름을 이용해 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 이방성 도전 접속하여 형성된 접속 구조체가 제공된다.
본 개시의 실시예에 따르면, 제1 전자 부품은, 예를 들어 제1 회로기판의 전극부일 수 있고, 제2 전자 부품은, 예를 들어 제2 배선 회로 기판의 접속부일 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 추가적으로, 이방성 도전 필름은 IC 칩, COF, FPC 등의 제1 회로기판과 유리 회로기판, 플라스틱 회로기판, 리지드(rigid) 회로기판, 세라믹 회로기판, 폴리이미드 회로기판 등의 제2 배선회로기판을 이방성 도전 접속하는 경우, 바람직하게 적용할 수 있다. 또한, 이방성 도전 필름의 전자 부품의 접속 방법으로는 공지된 방법을 사용할 수 있다.
본 개시가 제안하는 저온 열경화형 수지 조성물, 이방성 도전 필름 및 접속 구조체는 이방성 도전 필름의 연구에 있어, 우수한 보관 안정성과 원가 경제성에 효과적인 방법을 제공하는 것으로, 전자 제품 접착 재료의 발전에 큰 의미가 있다.
본 개시의 목적, 기술방안 및 장점을 보다 명확하게 이해하기 위해, 하기에서는 구체적인 실시예를 참조하여 본 개시를 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예에 사용된 시험 재료 및 시약 등은 특별히 명시하지 않는 한 모두 상업적 출처를 통해 얻을 수 있다. 실시예에 구체적인 기술이나 조건이 명시되어 있지 않다면 모두 통상적인 방법으로 당업계의 문헌에 기재된 기술 또는 조건 또는 제품 설명서에 따라 수행할 수 있다.
비교예 1: 저온 열경화형 수지 조성물
(3,4,3',4'-디에폭시)비시클로헥세인((3,4,3',4'-diepoxy)bicyclohexane) (제품명 TTA-800, TETRA 제조)을 성분 (A); 4차 암모늄염 화합물(제품명 CXC-1821, King Industries 제조)을 성분 (C); 페녹시 수지(제품명 YP-50, 닛테츠케미컬앤머티리얼 제조)를 성분 (D)로 하고, 각 성분의 배합 비율을 표 1에 나타내었다. 또한, 평균 입경 3μm인 도전성 입자 (E)(제품명: Mircopearl, Sekisui Chemical Industry 제조, Ni 도금 수지 입자)를 사용하여 균일하게 분산시켜 저온 열경화형 수지 조성물, 즉 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 코팅 장치를 이용해 두께 50μm의 박리된 PET 필름에 접착제 조성물을 도포한 후, 50℃에서 5분간 열풍 건조하여 두께 18μm의 접착제층을 얻었다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
비교예 2: 저온 열경화형 수지 조성물
비교예 1과 대비해, 성분 (C)를 방향족 술포늄염(제품명 TR-TAG-50108, TRONLY 제조)으로 변경하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 접착제층을 얻었다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
실시예 1: 저온 열경화형 수지 조성물
비교예 1과 대비해, 성분 (B)인 18-크라운 6-에테르(제품명 18 Crown-6, Energy Chemical 제조)를 첨가하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 접착제층을 얻었다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
실시예 2: 저온 열경화형 수지 조성물
비교예 2과 대비해, 성분 (B)인 18-크라운 6-에테르(제품명 18 Crown-6, Energy Chemical 제조)를 첨가하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 접착제층을 얻었다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
실시예 3: 저온 열경화형 수지 조성물
실시예 1과 대비해, 성분 (D)를 고체 에폭시 수지(제품명 YD-020, KUKDO CEMICAL 제조)로 변경하고, 혼합하였다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
실시예 4: 저온 열경화형 수지 조성물
실시예 1과 대비해, 성분 (B)를 벤조-15 크라운-5 에테르(제품명 Benzo-15 Crown-5, Energy Chemical 제조)로 변경하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 이방성 도전 필름을 얻었다. 각 성분의 배합 비율은 표 1에 나타내었다.
상기 각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2의 저온 열경화형 수지 조성물에 대하여 성능 시험을 실시하였으며, 구체적인 시험 방법은 다음과 같다:
1. 시차 주사 열량계(DSC) 측정
각 실시예 및 비교예에서 얻은 접착제층을 시차 주사 열량계(DSC250, TA Corporation 제조)를 이용하여 측정하였다. 시료량 5mg, 측정 온도 범위 50~250℃, 승온속도 10℃/min으로 측정하였고, 발열 개시 온도, 발열 종료 온도, 발열량을 시험하였다. 결과는 표 1에 나타내었다.
2. 보관 안정성 평가
각 실시예 및 비교예에서 얻은 접착제층을 40℃의 항온 장치에 48시간 동안 방치하였다. 40℃에 방치했던 접착제층의 DSC를 측정하고, 발열량 감소율로 보관 안정성을 판단하였다. 감소율이 10% 미만인 경우 ○, 10% 이상인 경우 로 판별하고, 결과는 표 1에 나타내었다.
발열량 감소율(%) = [(40℃ 방치 전 발열량 - 40℃ 방치 후 발열량) / 40℃ 방치 전 발열량]
실시예 5: 접속 구조체 제작
IC 칩(외형: 1.6mm×15.1mm, 범프(Bump) 높이: 12μm), 유리 기판(Nippon Electric Glass 제조 OA-10G, 외형 40mm×20mm, 두께 0.5mm, 표면 ITO(인듐 주석 산화물) 배선 간격(배선 폭 22μm, 라인 간격 폭 8μm)), 각 실시예 및 비교예에서 얻은 접착제층을 2×20mm의 크기로 절단하여 유리 기판 위에 접착하고, 온도 140℃와 160℃, 압력 60MPa, 시간 5초의 접속 조건으로 가열 가압하여, 경화된 이방성 도전 필름으로 IC 칩과 유리 기판을 접속하여 접속 구조체를 얻었다.
상기 실시예 5의 접속 구조체에 대하여 성능 시험을 실시하였으며, 구체적인 시험 방법은 다음과 같다:
1. 접속 저항 측정
접속 구조체의 접속 후 접속 저항을 측정하고, 고온고습 환경에 노출시킨 후(85℃/85%RH/500시간)의 접속 저항을 측정하였다.
측정은 기능 검사기(모델: RM3545, HIOKI Corporation 제조)를 이용하여 측정하였고, 4단자법을 이용하여 1mA의 전류를 흘렸을 때의 저항값을 측정하였다. 고온고습 환경에 노출시킨 후, 접속 저항값이 10Ω 미만인 경우 ○, 10Ω 이상인 경우 로 판별하고, 결과는 표 1에 나타내었다.
※ TTA-800: 지환식 에폭시 수지(구조명: (3,4,3',4'-dicycloxyl)bicyclohexane, TETRA 제조)※ 18 Crown-6: 크라운 에테르 화합물(구조명: 18 Crown-6-Ether, Energy Chemical 제조)
※ Benzo-15Crown-5: 크라운 에테르 화합물(구조명: Benzo-15Crown-5-Ether, Energy Chemical 제조)
※ CXC-1821: 4차 암모늄염(구조명: 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트)(Dimethylphenyl(4-methoxybenzyl)ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate)
※ TR-TAG-50108: 방향족 술포늄염(구조명: p-하이드록시페닐-벤질-메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(p-hydroxyphenyl-benzyl-methylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), TRONLY 제조)
※ YP-50: 페녹시 수지(구조명: 비스페놀 A형 페녹시 수지, 닛테츠케미컬앤머티리얼 제조)
※ YD-020: 에폭시 수지(구조명: 비스페놀 A형 에폭시 수지, KOKUDO 제조)
상기 표 1에서 알 수 있듯, 실시예 1 내지 4의 저온 열경화형 수지 조성물은 크라운 에테르를 포함하여 40℃에서 48시간 방치 후에도 발열량 감소율이 10% 미만으로 보존 안정성이 우수하였다. 반면, 크라운 에테르를 사용하지 않은 비교예 1 및 2의 조성물의 경우에는, 40℃에서 48시간 방치 후 발열량이 크게 감소하여 보존 안정성이 악화되었다.
실시예 5의 경우, 실시예 1 내지 4의 저온 열경화형 수지 조성물을 사용하여 얻은 접속 구조체는 접속 온도가 140℃인 저온 접속임에도 불구하고, 고온고습에 노출된 후에도 접속 저항값이 10Ω 미만으로 저응력 하의 접속 상태가 안정함을 나타내었다. 비교예 1 및 비교예 2의 저온 열경화형 수지 조성물을 이용하여 접속 온도 140℃에서 접속 구조체를 제조한 경우에는, 크라운 에테르 화합물을 사용하지 않았기 때문에 85℃/85%rh/500시간 후, 저항값이 10Ω 이상으로 접속 상태가 불안정하였다.
종합하면, 본 개시의 저온 열경화형 수지 조성물은 보관 안정성이 우수하고, 비교적 낮은 저온(예를 들어, 140℃ 내지 150℃)에서 단시간(예를 들어, 5초 이내)에 경화될 수 있기 때문에, 경화된 이방성 도전 필름의 접속 상태는 저응력에서 안정적이다.
상술한 구체적인 실시예는 본 개시의 목적, 기술방안 및 유익한 효과를 더욱 상세하게 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 구체적인 실시예에 불과하며 본 개시를 한정하려는 것이 아니다. 본 개시의 사상 및 원칙 내에 이루어지는 모든 수정, 균등 대체, 개진 등은 본 개시의 보호 범위 내에 포함된다.

Claims (10)

  1. 저온 열경화형 수지 조성물로서,
    (A) 지환식 에폭시 수지;
    (B) 크라운 에테르 화합물의 함량이 저온 열경화형 수지 조성물의 0.05 중량% 내지 5.0 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 3.0 중량%인 크라운 에테르 화합물;
    (C) 열양이온 중합 개시제;
    (D) 성막성 첨가 성분;
    (E) 도전성 입자
    를 포함하고, 열경화를 적용하여 이방성 도전 필름을 제조하는, 저온 열경화형 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열양이온 중합 개시제는 4차 암모늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 4차 암모늄염, 방향족 술포늄 양이온과 붕산염계 음이온으로 이루어진 술포늄염 중 적어도 1종 이상을 포함하고;
    상기 4차 암모늄염은 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methoxybenzyl) ammonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate) ,디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (4-methylbenzyl) ammonium hexafluorotetrakis (pentafluorophenyl) borate), 메틸페닐디벤질암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyldibenzylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 페닐트리벤질 암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Phenyltribenzyl ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 디메틸페닐(3,4-디메틸벤질)암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Dimethylphenyl (3,4-dimethylbenzyl)ammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), N,N-디에틸-N-벤질아닐리늄 보론 테트라플루오라이드(N,N-dimethyl-N-benzylanilinium boron tetrafluoride)을 포함하는것이 바람직하고;
    상기 술포늄염은 p-히드록시페닐-벤질-메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(p-Hydroxyphenyl-benzyl-methylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 트리페닐술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(triphenylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-1-나프틸메틸술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 4-히드록시페닐-메틸-(2-메틸벤질)술포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-Hydroxyphenyl-methyl-(2-methylbenzyl)sulfonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methylphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(2-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(2-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 메틸-4-히드록시페닐[(3-티옥산틸)메틸]술포늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(Methyl-4-hydroxyphenyl[(3-thioxanthyl)methyl]sulfonium-tetrakis(pentafluorophenyl)borate), 7-[디(p-톨릴)술포닐]-2-이소프로필티옥산텐 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트((7-[Di(p-tolyl)sulfonyl]-2-isopropylthioxanthene tetrakis(pentafluorophenyl)borate) 4-(p-tert-부틸페닐카르보닐)-4'-비스(p-톨릴)술포닐-디페닐술피드-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(4-(p-tert-Butylphenylcarbonyl)-4'-bis(p-tolyl)sulfonyl-diphenylsulfide-tetrakis(pentafluorophenyl)borate)를 포함하는 것이 바람직한, 저온 열경화형 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열양이온 중합 개시제의 함량은 상기 지환식 에폭시 수지의 0.05 중량% 내지 30 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 15 중량%인, 저온 열경화형 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 크라운 에테르 화합물은, 12-크라운 4-에테르, 15-크라운 5-에테르, 18-크라운 6-에테르, 24-크라운 8-에테르, 벤조-15-크라운 5-에테르, 벤조-18-크라운 6-에테르, 벤조-12-크라운 4-에테르, 디벤조-15-크라운 5-에테르, 디벤조-18-크라운 6-에테르, 디벤조-21-크라운 7-에테르, 디벤조-24-크라운 8-에테르, 트리벤조-18-크라운 6-에테르, 4,13-디아조-18-크라운 6-에테르, 디시클로헥실-18-크라운 6-에테르, 4'-카르복시벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-카르복시벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-아미노벤조-15-크라운 5 에테르, 4'-아세틸벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-아세틸벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-니트로벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-니트로벤조-18-크라운 6-에테르, 4'-브로모벤조-18-크라운 6 에테르, 4'-브로모벤조-15-크라운 5-에테르, 1-아자-15-크라운 5-에테르, 1-아자-18-크라운 6-에테르, 1-az-12-크라운 4-에테르, 4,10-디아자-15-크라운 5-에테르, 4,10-디아자-12-크라운 4-에테르, N-페닐아자-15-크라운 5-에테르, N,N'-디벤질-4,13-디아자-18-크라운 6-에테르, 2-(히드록시메틸)-15-크라운 5-에테르, 2-(히드록시메틸)-12-크라운 4-에테르, 2-(히드록시메틸)-18-크라운 6-에테르, 이코사플루오로-15-크라운 5-에테르, 디시클로헥센-18-크라운-6 에테르, 4'-포르밀벤조-15-크라운 5-에테르, 4,7,13,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8]헥세인, 비스(1,4-페닐렌)-34-크라운 10-에테르, 18-크라운-5[4-(2,4-디니트로페닐아조)페놀] 중에서 선택되는 어느 1종이고;
    상기 지환식 에폭시 수지는, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타디옥산(2- (3, 4-epoxy-cyclohexyl-5, 5-spiro-3, 4-epoxy) cyclohexane-metadioxane), 3,4-에폭시-1-메틸시클로헥실-3,4-에폭시-1-메틸헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-1-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-1-methylhexanecarboxylate), 3,4-에폭시-3-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-3-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-3-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-3-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-5-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-5-메틸시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxy-5-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexanecarboxylate), 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실카르복실레이트(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylcarboxylate), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 6-메틸-3,4-에폭시시클로헥실메틸-6-메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트(6-Methyl-3,4-epoxycyclohexylmethyl-6-methyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate), 에틸렌 비스(3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트),(Ethylene bis(3,4-epoxycyclohexanecarboxylate)), 디시클로펜타디에폭시드(dicyclopentadiepoxide), 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트(Bis(3,4-epoxycyclohexylmethyl)adipate), 메틸렌비스(3,4-에폭시시클로헥산)(Methylenebis(3,4-epoxycyclohexane))중 적어도 1종 이상인, 저온 열경화형 수지 조성물.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 지환식 에폭시 수지의 함량은 상기 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 60 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%인, 저온 열경화형 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 성막성 첨가 성분은 상온에서 고체인 에폭시 수지 또는 페녹시 수지를 포함하며;
    상기 에폭시 수지는 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직하며;
    상기 페녹시 수지는 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 중에서 선택되는 적어도 1종 이상인 것이 바람직한, 저온 열경화형 수지 조성물.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 성막성 첨가 성분의 함량은 상기 저온 열경화형 수지 조성물의 10 중량% 내지 70 중량%, 바람직하게는 20 중량% 내지 50 중량%인, 저온 열경화형 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 입자는 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 솔더, 금속도금된 수지 입자 중에서 선택되는 적어도 1종 이상이고
    바람직하게는, 상기 도전성 입자의 함량은 50개 내지 100,000개 이하/mm2 도전막, 200개 내지 70,000개/mm2 도전막인, 저온 열경화형 수지 조성물.
  9. 이방성 도전 필름으로서,
    제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 저온 열경화형 수지 조성물을 열경화하여 제조되며;
    바람직하게는, 상기 열경화 온도는 140℃ 내지 150℃이고, 경화 시간은 5초 이내인, 이방성 도전 필름.
  10. 접속 구조체로서,
    제9항에 따른 이방성 도전 필름을 이용해서 제1 전자 부품과 제2 전자 부품을 이방성 도전 접속하여 형성된, 접속 구조체.
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JP6518100B2 (ja) * 2014-03-26 2019-05-22 積水化学工業株式会社 光硬化性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
WO2017145801A1 (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
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