KR20240046629A - 전기광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

본원 발명은, 선폭의 편차에 따라 용량이 흐트러져서 유니포미티가 열화(劣化)되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다. 주사선(12)과, 신호선(14)과, 저전위가 공급되는 급전선(16)과, 신호선과 주사선에 대응하여 마련된 화소 회로(110)와, 화소 회로를 구동하는 구동 회로와, 신호선에 접속된 레벨 시프트 블록(47)과, 레벨 시프트 블록에 마련된 제1 용량(44)과, 신호선 및 급전선 사이의 기생 용량에 의해 구성되는 제2 용량(50)을 가지고, 화소 회로에 대해 제1 용량 및 제2 용량의 용량 결합을 통하여 영상 신호 전압이 기록되고, 신호선이 제1 금속층에 의해 형성되고, 제1 금속층과 폭이 개략 동등한 제2 금속층에 의해 급전선이 형성되고, 제1 금속층과 제2 금속층에 의해, 제1 용량 및 제2 용량이 형성된 전기광학 장치이다.

Description

전기광학 장치 및 전자 기기{ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
본 기술은, 전기광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
발광 소자로서 유기 발광 다이오드(이하, OLED(Organic Light Emitting Diode)라고 한다) 소자 등을 이용한 전기광학 장치가 알려져 있다. 전기광학 장치에서는, 주사선과 데이터선의 교차 개소에 대해, 발광 소자나 트랜지스터 등을 포함하는 화소 회로가 화소에 대응하여 마련된다. 화소 회로에 대해, 화소의 계조(階調) 레벨에 응한 전위의 데이터 신호가 당해 트랜지스터의 게이트에 인가되면, 당해 트랜지스터는, 게이트·소스 사이의 전압에 응한 전류를 발광 소자에 대해 공급하고, 발광 소자가 계조 레벨에 응한 휘도로 발광한다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 5개의 트랜지스터와 1개의 콘덴서로 구성된 유기 EL용의 화소 회로가 기재되어 있다. 이 화소 회로에서는, 1 수평 기간 중에서 구동 트랜지스터의 임계치 보정 기간 및 영상 신호 기록을 행할 때에, 임계치 전압이나 영상 신호를 화소 내 용량뿐만 아니라, 신호선의 기생 용량에 대해 기록하고, 동작을 행하고 있다.
일본 특개2014-186125호 공보
특허문헌 1에서는, 신호선에 기록되는 영상 신호 전압이 2개의 용량에 의해 규정되어 있다. 이 2개의 용량의 값에 편차가 있으면, 영상 신호 전압도 흐트러진 것이 되어, 유니포미티(uniformity)의 균일성이 손상되는 문제가 있었다.
본 기술의 목적은, 영상 신호 전압의 값을 규정하는 용량의 편차를 저감하여 유니포미티의 균일성이 손상되는 것을 방지할 수 있는 전기광학 장치 및 전자 기기를 제공하는 것에 있다.
본 기술은, 주사선과,
신호선과,
저전위가 공급되는 급전선과,
신호선과 주사선에 대응하여 마련된 화소 회로와,
화소 회로를 구동하는 구동 회로와,
신호선에 접속된 레벨 시프트 블록과,
레벨 시프트 블록에 마련된 제1 용량과,
신호선 및 급전선 사이의 기생 용량에 의해 구성되는 제2 용량을 가지고,
화소 회로에 대해 제1 용량 및 제2 용량의 용량 결합을 통하여 영상 신호 전압이 기록되고,
신호선이 제1 금속층에 의해 형성되고,
제1 금속층과 폭이 개략 동등한 제2 금속층에 의해 급전선이 형성되고,
제1 금속층과 제2 금속층에 의해, 제1 용량 및 제2 용량이 형성된 전기광학 장치이다.
또한, 본 기술은, 상술한 전기광학 장치를 구비하는 전자기기이다.
적어도 하나의 실시 형태에 의하면, 영상 신호 전압의 값을 규정하는 용량의 편차를 억제함에 의해, 유니포미티의 균일성이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 기술 중에 기재된 어느 하나의 효과 또는 그들과 이질적인 효과라도 좋다. 또한, 이하의 설명에서의 예시된 효과에 의해 본 기술의 내용이 한정되어 해석되는 것은 아니다.
도 1은 종래의 화소 회로의 한 예의 접속도. 본 기술에 의한 화소 회로의 한 실시 형태의 접속도.
도 2는 종래의 화소 회로 및 레벨 시프트 회로의 접속도.
도 3은 종래의 화소 회로 및 레벨 시프트 회로의 레이아웃의 한 예를 도시하는 평면도.
도 4는 종래의 화소 회로 및 레벨 시프트 회로의 레이아웃의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 5는 본 기술의 제1 실시 형태의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 6은 본 기술의 제1 실시 형태의 단면도.
도 7은 본 기술의 제2 실시 형태의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 8은 본 기술의 제2 실시 형태의 단면도.
도 9는 본 기술의 제2 실시 형태의 단면도.
도 10은 본 기술의 제3 실시 형태의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 11은 본 기술의 제3 실시 형태의 단면도.
도 12는 본 기술의 제4 실시 형태의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 13은 본 기술의 제4 실시 형태의 단면도.
도 14는 본 기술의 제5 실시 형태의 레이아웃을 도시하는 평면도.
도 15는 본 기술의 제5 실시 형태의 단면도.
도 16은 본 기술의 제5 실시 형태의 단면도.
이하에 설명하는 실시 형태는, 본 기술의 알맞은 구체례이고, 기술적으로 바람직한 여러 가지 한정이 붙여져 있다. 그렇지만, 본 기술의 범위는, 이하의 설명에서 특히 본 기술을 한정하는 취지의 기재가 없는 한, 이들 실시 형태로 한정되지 않는 것으로 한다.
또한, 본 기술의 설명은, 하기한 순서를 따라 이루어진다.
<1. 종래의 구성>
<2. 본 기술의 제1 실시 형태>
<3. 본 기술의 제2 실시 형태>
<4. 본 기술의 제3 실시 형태>
<5. 본 기술의 제4 실시 형태>
<6. 본 기술의 제5 실시 형태>
<7. 변형례>
<8. 응용례>
<1. 종래의 구성>
본 기술의 한 실시 형태의 설명에 앞서 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래의 구성에 관해 설명한다. 도시하지 않지만, 전기광학 장치는, 표시 패널과, 표시 패널의 동작을 제어하는 제어 회로를 구비한다. 표시 패널은, 복수의 화소 회로와, 당해 화소 회로를 구동하는 구동 회로를 구비한다. 표시 패널이 구비하는 복수의 화소 회로 및 구동 회로는, 실리콘 기판에 형성되고, 화소 회로에는, 발광 소자의 한 예인 OLED가 이용된다.
제어 회로에는, 디지털의 화상 데이터 동기 신호에 동기하여 공급된다. 화상 데이터는, 표시 패널에서 표시해야 할 화상의 화소의 계조 레벨을 예를 들어 8비트로 규정하는 데이터이다. 또한, 동기 신호란, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 및, 도트 클록 신호를 포함하는 신호이다. 제어 회로는, 동기 신호에 의거하여, 각종 제어 신호를 생성하고, 이것을 표시 패널에 대해 공급한다. 또한, 제어 회로는 전압 생성 회로를 포함한다. 전압 생성 회로는, 표시 패널에 대해, 각종 전위를 공급한다. 또한, 제어 회로는, 화상 데이터에 의거하여, 아날로그의 화상 신호를 생성한다.
표시 패널은, 표시부와, 이것을 구동하는 구동 회로를 구비한다. 표시부에는, 행방향(횡방향)을 따라 복수의 주사선이 배치되고, 열방향(종방향)(Y)을 따라 복수의 신호선이 배치되어 있다. 복수의 주사선 및 복수의 신호선의 각 1개에 접속되는 복수의 화소 회로(110)가 매트릭스형상으로 배치되어 있다.
표시부에는, 행방향(횡방향)을 따라 복수의 주사선이 배치되고, 열방향(종방향)(Y)을 따라 복수의 신호선이 배치되어 있다. 복수의 주사선 및 복수의 신호선의 각 1개에 접속되는 복수의 화소 회로(110)가 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 1개의 주사선을 따라 연속되는 3개의 화소 회로(110)는, 각각 R(적), G(녹), B(청)의 화소에 대응하고, 이들 3화소가 컬러 화상의 1도트를 표현한다.
화소 회로(110)의 한 예에 관해 도 1을 참조하여 설명한다. 화소 회로(110)가 주사선(12) 및 신호선(14)에 대해 접속된다. i행째의 화소 회로(110)에는, P형 트랜지스터(121∼125)와, OLED(130)와, 유지 용량(132)이 포함된다. 화소 회로(110)에는, 주사 신호(Gwr(i)), 제어 신호(Gel(i), Gcmp(i), Gorst(i))가 공급된다.
구동 트랜지스터(제1 트랜지스터)(121)는, 소스가 급전선(116)에 접속되고, 드레인은 제4 트랜지스터(124)를 통하여 OLED(130)에 접속되고, OLED(130)에 흐르는 전류를 제어한다. 신호선 전위(계조 전위)를 기록하는 제2 트랜지스터(122)의 게이트가 주사선(12)에 접속되고, 드레인/소스의 일방이 신호선(14)에 접속되고, 타방이 제1 트랜지스터(121)의 게이트에 접속된다.
유지 용량(132)은 제1 트랜지스터(121)의 게이트선과 급전선(116) 사이에 접속되고, 제1 트랜지스터(121)의 소스·게이트 사이의 전압을 유지한다. 급전선(116)에는, 전원의 고전위(Vel)가 급전된다. OLED(130)의 캐소드는 공통 전극이 되고, 전원의 저전위(Vct)로 설정된다.
제3 트랜지스터(123)는, 게이트에 제어 신호(Gcmp(i))가 입력되고, 제어 신호(Gcmp(i))를 따라 제1 트랜지스터(121)의 게이트·드레인 사이를 쇼트시켜, 제1 트랜지스터(121)의 임계치의 편차를 보상한다.
OLED(130)의 점등 제어 트랜지스터(124)는, 게이트에 제어 신호(Gel(i))가 입력되어, 제1 트랜지스터(121)의 드레인과 OLED(130)의 애노드 사이의 접속을 온/오프 한다. 리셋 트랜지스터(제5 트랜지스터)(125)는, 게이트에 제어 신호(Gorst(i))가 입력되어, 제어 신호(Gorst(i))에 따라 OLED(130)의 애노드에, 급전선(16)의 전위인 리셋 전위(Vorst)를 공급한다. 이 리셋 전위(Vorst)와 공통 전위(Vct)의 차가 OLED(130)가 발광 임계치를 하회(下回)하도록 설정된다. 즉, 리셋 전위(Vorst)는, 저전위이다.
주사선 구동 회로가 i행째의 주사선(12)에 주사 신호(Gwr(i))를 공급한다. 열방향(Y)을 따라 늘어나는 신호선(14)과 급전선(16) 사이에, 도 2에 도시하는 바와 같이, 부유 용량으로 유지 용량(50)이 형성된다. 레벨 시프트 회로(40)는 신호선 구동 회로 및 디멀티플렉서를 통하여 공급되는 데이터 신호(계조 레벨)에 응하여, 예를 들어 유지 용량(50)과 레벨 시프트 회로(40) 내의 제1 유지 용량(44)이나 제2 유지 용량(41)을 이용하여 용량 결합으로, DA 컨버터로부터 입력되는 계조 전압을, 트랜지스터(121)를 구동하는 게이트 전압에 레벨 시프트하여 신호선(14)에 공급한다. 제1 유지 용량(44) 및 제2 유지 용량(41)은, 제1 용량이다. 유지 용량(50)이 제2 용량이다.
용량 결합에 관해 설명한다. 레벨 시프트 회로(40)의 1화소분의 레벨 시프트 블록(47)을 도 2에 도시한다. 레벨 시프트 블록(47)은, 1개의 신호선(14)에 관해서만 도시되어 있다. 신호선(14)의 도중(途中)에는 제1 유지 용량(44)이 접속되어 있다. 제1 유지 용량(44)의 일단(一端)을 초기 전위(Vini)로 설정하는 초기화 스위치(45)가 마련되어 있다. 초기화 스위치(45)는, 게이트에 제어 신호(/Gini)가 공급된다. 제1 유지 용량(44)의 타단(他端)을 전위(Vref)로 설정하는 초기화 스위치(43)는, 게이트에 제어 신호(Gref)가 공급된다.
또한, 제2 유지 용량(41)과 트랜스퍼 게이트(42)가 마련되어 있다. 제2 유지 용량(41)과 트랜스퍼 게이트(42)를 마련함으로써, 기록 기간 전(前)(초기화 기간 및 보정 기간 중을 포함하는 트랜스퍼 게이트(42)의 오프 기간)에 제2 유지 용량(41)에 계조 전압을 공급하여, 제2 유지 용량(41)에 계조 전압을 유지할 수 있다. 그 후의 기록 기간에서는 트랜스퍼 게이트(42)를 온 함으로써, 제1 유지 용량(44)의 전극을 제2 유지 용량(41)의 전극으로 전위 변동시킬 수 있다.
초기화 기간(트랜지스터(122, 123)가 함께 오프)에서는, 제1 유지 용량(44)의 양단의 전위는 각각 전위(Vini, Vref)로 설정된다. 이때 트랜지스터(124)는 오프, 트랜지스터(125)는 온 하고 있다. 초기화 기간 후의 보정 기간(트랜지스터(122, 123)가 함께 온)에서는, 트랜지스터(123)가 온 하고 있기 때문에 트랜지스터(121)가 다이오드 접속되어, 화소 회로(110) 내의 유지 용량(132)은 트랜지스터(121)의 임계치 전압(Vth)을 유지한다.
보정 기간 후의 기록 기간(트랜지스터(122)가 온)에서는, 트랜지스터(123)가 오프 하고, 디멀티플렉서의 트랜스퍼 게이트(34)가 온 하고, 초기화 스위치(43)도 오프 한다. 따라서, 초기화 기간 및 보정 기간에 고정되어 있던 제1 유지 용량(44)의 타단의 노드는, 전위(Vref)로부터 계조 레벨로 변화한다.
상술한 회로 구성에서, 1 수평 기간 중에 제1 트랜지스터(구동 트랜지스터)(121)의 임계치 보정 기간, 및 영상 신호 기록을 행할 때, 임계치 전압이나 영상 신호를 유지 용량(132)(용량(Cs))뿐만 아니라 신호선(14)의 유지 용량(50)(용량(Cdt))에 기록하고, 동작을 행하고 있다.
신호선(14)에 입력되는 영상 신호 전압(Vsig)은, 화소 영역 외에 배치된 레벨 시프트 블록(47)의 유지 용량(44)(용량(Crf1))과 신호선(14)의 유지 용량(50)(용량(Cdt)), 유지 용량(132)(용량(Cs)) 및 레벨 시프트 블록(47)으로부터 입력되는 입력 전압(Vdata)을 이용하여 다음 식으로 표시된다.
Vsig=Vdata×(Cdt+Cs)/(Crf1+Cdt+Cs)
여기서, Cdt>>Cs로부터 다음 식(1)을 얻을 수 있다.
Vsig=Vdata×Cdt/(Crf1+Cdt) … (1)
도 3은, 상술한 종래의 회로 구성과 대응하는 레이아웃을 모식적으로 도시하고 있다. 도 1 및 도 2 중의 소자와 대응하는 소자에 대해 동일 참조 부호를 붙여서 도시한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 금속층(1MT로 나타낸다), 제2 금속층(2MT로 나타낸다), 절연층(ISO로 나타낸다) 및 폴리실리콘 (poly로 나타낸다)의 패턴이 형성된다. 1MT 및 2MT는, 동일한 재료(알루미늄, 구리 등)이고, 서로 동등한 두께를 가지고 있다. 또한, 1MT가 형성되고 나서 2MT가 형성되도록 이루어진다.
레벨 시프트 블록(47)의 유지 용량(44)(용량(Crf1))은, 금속층 사이에 절연층을 끼운 구성인 MIM(Metal-Insulator-Metal, 층간 용량이라고 한다)로 형성된다. 한편, 유지 용량(50)(용량(Cdt))은, 동층(同層)의 신호선(14) 및 저전위가 공급되는 급전선(16) 사이의 기생 용량으로 형성된다.
신호선(14)에 기록되는 영상 신호 전압(Vsig)은, 식(1)으로 표시되기 때문에, 패널면 내에서 1MT 또는 2MT의 선폭이 흐트러졌을 때에, 유지 용량(50)(용량(Cdt))이 흐트러진다. 이에 대해, 층간 용량으로 형성되는 유지 용량(44)(용량(Crf1))은, 선폭의 편차에 의존하지 않는다. 즉, 식(1)에서 선폭의 편차가 존재하면, 용량(Cdt)이 흐트러짐에 대해, 용량(Crf1)의 변동이 작은 것이 된다. 따라서, 화면 내의 동일한 입력 전압(Vdata)에 대해 Vsig의 값이 흐트러져서, 유니포미티의 균일성이 손상된다.
도 4는, 종래의 레이아웃의 다른 예를 도시한다. 이 레이아웃에서는, 신호선(16)을 1MT에 의해 형성하고, 신호선(16)에 대해 같은 폭인 2MT(신호선(14))를 적층하여, 층간 용량으로서 유지 용량(50)(용량(Cdt))을 형성하도록 한 것이다. 이 구성에서는, 선폭의 편차에 의해, 유지 용량(44) 및 유지 용량(50)이 함께 같은 영향을 받는다.
그렇지만, 종방향(Y방향)의 사이즈가 유지 용량(44) 및 유지 용량(50) 사이에서 크게 다르기 때문에, 선폭의 편차에 기인하는 용량의 값의 변화의 비율이 다르다. 따라서, 도 4의 레이아웃에서도, 선폭의 편차에 따라, 식(1)으로 표시되는 영상 신호 전압(Vsig)의 값이 흐트러져서, 유니포미티의 균일성이 손상된다.
<2. 본 기술의 제1 실시 형태>
도 5를 참조하여 본 기술의 제1 실시 형태에 관해 설명한다. 화소 회로(110)는, 도 1에 도시하는 회로 구성과 마찬가지이고, 레벨 시프트 회로(40)(레벨 시프트 블록(47))의 회로 구성은, 도 2와 마찬가지이다. 본 기술은, 레이아웃을 궁리함에 의해, 같은 입력 전압(Vdata)에 대해 영상 신호 전압(Vsig)의 값이 흐트러져서, 유니포미티의 균일성이 손상되는 것을 방지하는 것이다.
도 5는, 본 기술의 제1 실시 형태의 레이아웃을 도시하고, 도 6은, 도 5의 A-A'선 단면도이다. 데이터선(14)으로서, 2개의 Y방향으로 평행하는 2개의 제1 데이터선(제1 금속층)(14A) 및 제2 데이터선(14B)(제3 금속층)이 마련된다. 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B) 및 급전선(16)은, 동층의 금속 예를 들어 1MT(금속 제1층)로서 형성된다. 또한, 이들 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B) 및 급전선(16)은, 동등한 폭 및 동등한 두께를 갖도록 형성하여도 좋다. 또한, 금속 재료로서 알루미늄, 구리 등의 전극 재료 중의 하나가 사용된다. 구리를 사용하는 경우, 다마신 프로세스에 의해 배선을 형성하여도 좋다. 다마신 프로세스에 의해 층간 막두께 편차가 작아지고, 본 기술의 목적 달성에는 유리하다.
제2 데이터선(14B) 및 급전선(16) 사이의 기생 용량에 의해, 유지 용량(제2 용량)(50)(Cdt)이 형성된다. 제2 데이터선(14B)에 대해 제2 트랜지스터(122)의 드레인 및 소스의 일방이 접속된다. 또한, 제1 데이터선(14A)에 대해 레벨 시프트 블록(47)의 트랜스퍼 게이트(42)의 출력측이 접속된다. 제1 데이터선(14A) 및 제2 데이터선(14B) 사이에 형성되는 기생 용량에 의해 유지 용량(제1 용량)(44)(Crf1)이 형성된다. 제1 데이터선(14A) 및 제2 데이터선(14B)의 간격 등을 설정함에 의해, 소망하는 유지 용량(44)이 형성되도록 이루어져 있다. 또한, 도 6에서의 STI(Shallow Trench Isoration)는, 전기적인 분리를 위해 소자 사이에 형성한 홈에 절연물을 매입한 부분이다.
상술한 본 기술의 제1 실시 형태에서는, 용량(Crf1 및 Cdt)이 함께 동층의 금속을 사용한 기생 용량으로서 형성되어 있다. 따라서, 데이터선(14A 및 14B), 및 급전선(16)을 형성하는 금속의 선폭이 흐트러진 경우, 이들 용량(Crf1 및 Cdt)이 같은 경향(증가 또는 감소)으로, 같은 비율로 흐트러지게 된다. 따라서, 식(1)으로 표시되는 영상 신호 전압(Vsig)의 값이 선폭의 편차에 따라 흐트러지는 정도를 작은 것으로 할 수 있다. 이리하여 유니포미티의 균일성이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
<3. 본 기술의 제2 실시 형태>
도 7, 도 8(도 7의 A-A'선 단면도) 및 도 9(도 7의 B-B'선 단면도)를 참조하여 본 기술의 제2 실시 형태에 관해 설명한다. 화소 회로(110)는, 도 1에 도시하는 회로 구성과 마찬가지이고, 레벨 시프트 회로(40)(레벨 시프트 블록(47))의 회로 구성은, 도 2와 마찬가지이다.
트랜스퍼 게이트(42)의 출력측에 제1 데이터선(14-1)(제1 금속층)이 접속된다. 제1 데이터선(14-1)은, 금속 제1층(1MT)으로서 형성된다. 제1 데이터선(14-1)상에 절연층을 개재시켜서 금속 제2층(2MT)으로서 형성된 제2 데이터선(14-2)(제3 금속층)이 적층된다. 제2 데이터선(14-2)에 대해 제1 트랜지스터(122)의 드레인 및 소스의 일방이 접속된다. 제2 데이터선(14-2)은, 제1 데이터선(14-1)에 비해 폭이 작다. 제1 데이터선(14-1) 및 제2 데이터선(14-2)에 의해 형성되는 층간 용량이 제1 용량(44)(Crf1)이다.
제2 데이터선(14-2)상에 절연층을 개재시켜서 금속 제3층(3MT)으로서 형성된 급전선(16)(제3 금속층)이 적층된다. 제2 데이터선(14-2)은, 급전선(16)에 비해 폭이 작다. 급전선(16)에 대해 제5 트랜지스터(125)의 드레인 및 소스의 일방이 접속된다. 이들 제2 데이터선(14-2) 및 급전선(16)에 의해 형성되는 층간 용량이 제2 용량(50)(Cdt)이다. 또한, 금속 제4층(4MT)의 전극이 형성된다.
제2 실시 형태에서는, 3개의 금속층으로 2개의 층간 용량(용량(44) 및 용량(50))이 형성되어 있다. 트랜지스터(122)를 가로지르는 A-A'선 단면에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 제2 데이터선(14-2)이 제1 데이터선(14-1)이나 급전선(16)보다도 굵지만, A-A'선 단면 이외의 대부분에서는, 도 9에 도시하는 B-B' 단면과 같이, 제2 데이터선(14-2)이 제1 데이터선(14-1)이나 급전선(16)보다도 가늘다. 이 때문에, 급전선(16)이나 제2 데이터선(14-2)의 선폭이 흐트러진 경우, 제1 데이터선(14-1)보다도 선폭이 좁아지지 않는 한, 용량(44)(Crf1)도 용량(50)(Cdt)도 변화하지 않는다. 한편, 데이터선(14-2)의 선폭이 흐트러진 경우, 용량(44)(Crf1) 및 용량(50)(Cdt)이 개략 같은 비율로 변화한다. 이상에 의해, 유니포미티의 균일성을 유지할 수 있다.
<4. 본 기술의 제3 실시 형태>
도 10 및 도 11(도 10의 A-A'선 단면도)을 참조하여 본 기술의 제3 실시 형태에 관해 설명한다. 제3 실시 형태는, 제1 데이터선(14A) 및 제2 데이터선(14B) 사이에 형성되는 기생 용량에 의해 유지 용량(제1 용량)(44)(Crf1)을 형성하고, 제2 데이터선(14B) 및 급전선(116) 사이의 기생 용량에 의해, 유지 용량(제2 용량)(50)(Cdt)을 형성하도록 한 것이다. 급전선(116)에는, 전원의 고전위(Vel)가 급전된다. 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B), 급전선(16) 및 급전선(116)은, 동층의 금속 예를 들어 1MT(금속 제1층)로서 형성된다. 또한, 이들 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B), 급전선(16) 및 급전선(116)은, 동등한 폭 및 동등한 두께를 갖도록 형성하여도 좋다. 또한, 금속 재료로서 알루미늄, 구리 등의 전극 재료 중의 하나가 사용된다.
상술한 본 기술의 제3 실시 형태에서는, 용량(Crf1 및 Cdt)이 함께 동층의 금속을 사용한 기생 용량으로서 형성되어 있다. 따라서, 데이터선(14A 및 14B), 및 급전선(116)을 형성하는 금속의 선폭이 흐트러진 경우, 이들 용량(Crf1 및 Cdt)이 같은 경향(증가 또는 감소)으로, 같은 비율로 흐트러지게 된다. 따라서, 식(1)으로 표시되는 영상 신호 전압(Vsig)의 값이 선폭의 편차에 따라 흐트러지는 정도를 작은 것으로 할 수 있다. 이리하여 유니포미티의 균일성이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
<5. 본 기술의 제4 실시 형태>
도 12 및 도 13 (도 12의 A-A'선 단면도)을 참조하여 본 기술의 제4 실시 형태에 관해 설명한다. 상술한 제1 실시 형태(도 5 및 도 6 참조)에서는, 제1 용량(44)(Crf1) 및 제2 용량(50)(Cdt)을 형성하기 위한 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B) 및 급전선(16)이 금속 제1층(1MT)이다. 이에 대해 제4 실시 형태는, 제1 데이터선(14A), 제2 데이터선(14B) 및 급전선(16)을 금속 제4층(4MT)에 형성하도록 한 것이다. 이러한 제4 실시 형태도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 유니포미티의 균일성을 유지할 수 있다.
<6. 본 기술의 제5 실시 형태>
도 14, 도 15(도 14의 A-A'선 단면도) 및 도 16(도 14의 B-B'선 단면도)을 참조하여 본 기술의 제5 실시 형태에 관해 설명한다. 제5 실시 형태에서는, 글라스 기판상에 트랜지스터(TFT)를 형성하고 있다. 상술한 제2 실시 형태(도 7, 도 8 및 도 9 참조)에서는, 제1 데이터선(14-1)(금속 제1층), 제2 데이터선(14-2)(금속 제2층), 급전선(16)(금속 제3층)의 상하 관계로 되어 있다. 이에 대해, 제5 실시 형태에서는, 게이트가 형성되는 절연층 아래의 절연층에 제1 데이터선(14-1)을 0MT로서 형성하고, 제2 데이터선(14-2)을 금속 제1층(1MT)으로서 형성하고, 급전선(16)을 금속 제2층(2MT)으로서 형성하도록 한 것이다. 이러한 제5 실시 형태도, 제2 실시 형태 및 제4 실시 형태와 마찬가지로, 유니포미티의 균일성을 유지할 수 있다.
<7. 변형례>
이상, 본 기술의 실시 형태에 관해 구체적으로 설명했지만, 상술한 각 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 본 기술의 기술적 사상에 의거하는 각종의 변형이 가능하다. 예를 들어 다음에 기술하는 각종의 변형이 가능하다. 또한, 다음에 기술하는 변형의 양태는, 임의로 선택된 하나 또는 복수를, 적절하게 조합시킬 수도 있다. 또한, 상술한 실시 형태의 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등은, 본 기술의 주지를 일탈하지 않는 한, 서로 조합시키는 것이 가능하다.
상술한 실시 형태에서는, 트랜지스터를 P채널형으로 통일했지만, N채널형으로 통일하여도 좋다. 또한, P채널형 및 N채널형을 적절히 조합시켜도 좋다.
상술한 실시 형태에서는, 전기광학 소자로서 발광 소자인 OLED를 예시했지만, 예를 들어 무기 발광 다이오드나 LED(Light Emitting Diode) 등, 전류에 응한 휘도로 발광하는 것이면 좋다.
<8. 응용례>
다음으로, 실시 형태 등이나 응용례에 관한 전기광학 장치를 적용한 전자 기기에 관해 설명한다. 전기광학 장치는, 화소가 소사이즈로 고정밀 표시의 용도에 적합하다. 그래서, 전자 기기로서, 헤드 마운트·디스플레이, 스마트 안경, 스마트폰, 디지털 카메라의 전자식 뷰파인더 등의 표시 장치에 적용할 수 있다.
또한, 본 기술은, 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(1)
주사선과,
신호선과,
저전위가 공급되는 급전선과,
상기 신호선과 상기 주사선에 대응하여 마련된 화소 회로와,
상기 화소 회로를 구동하는 구동 회로와,
상기 신호선에 접속된 레벨 시프트 블록과,
상기 레벨 시프트 블록에 마련된 제1 용량과,
상기 신호선 및 상기 급전선 사이의 기생 용량에 의해 구성되는 제2 용량을 가지고,
상기 화소 회로에 대해 상기 제1 용량 및 상기 제2 용량의 용량 결합을 통하여 영상 신호 전압이 기록되고,
상기 신호선이 제1 금속층에 의해 형성되고,
상기 제1 금속층과 폭이 개략 동등한 제2 금속층에 의해 상기 급전선이 형성되고,
상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층에 의해, 상기 제1 용량 및 상기 제2 용량이 형성된 전기광학 장치.
(2)
상기 제1 금속층의 폭과 개략 동등한 폭을 갖는 제3 금속층이 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층과 동층으로, 또한 평행하게 마련되고,
상기 제1 금속층 및 상기 제3 금속층의 기생 용량에 의해 상기 제1 용량이 형성되고,
상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층의 기생 용량에 의해 상기 제2 용량이 형성되도록 한 (1)에 기재된 전기광학 장치.
(3)
상기 제1 금속층의 폭과 개략 동등한 폭을 갖는 제3 금속층이 상기 제1 금속층상에 배치되고,
상기 제3 금속층의 위에 상기 제2 금속층이 배치되고,
상기 제1 금속층 및 상기 제3 금속층의 층간 용량에 의해 상기 제1 용량이 형성되고,
상기 제3 금속층 및 상기 제2 금속층의 층간 용량에 의해 상기 제2 용량이 형성되도록 한 (1) 또는 (2)에 기재된 전기광학 장치.
(4)
상기 화소 회로는,
게이트 전극, 제1 전류단, 및 제2 전류단을 구비하는 제1 트랜지스터와,
상기 제1 트랜지스터를 통하여 공급되는 전류의 크기에 응한 휘도로 발광하는 발광 소자와,
상기 신호선과, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극 사이에 접속된 제2 트랜지스터와,
상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전류단과, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극을 도통시키기 위한 제3 트랜지스터와,
상기 제1 전류단 및 발광 소자의 일방의 단자 사이에 삽입된 제4 트랜지스터와,
상기 급전선과 상기 발광 소자의 일방의 단자 사이에 삽입된 제5 트랜지스터를 갖는 (1)부터 (3)의 어느 하나에 기재된 전기광학 장치.
(5)
(1)에 기재된 전기광학 장치를 구비하는 전자 기기.
(6)
상기 전기광학 장치는,
상기 제1 금속층의 폭과 개략 동등한 폭을 갖는 제3 금속층이 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층과 동층으로, 또한 평행하게 마련되고,
상기 제1 금속층 및 상기 제3 금속층의 기생 용량에 의해 상기 제1 용량이 형성되고,
상기 제2 금속층 및 상기 제3 금속층의 기생 용량에 의해 상기 제2 용량이 형성되도록 한 (5)에 기재된 전자 기기.
(7)
상기 전기광학 장치는,
상기 제1 금속층의 폭과 개략 동등한 폭을 갖는 제3 금속층이 상기 제1 금속층상에 배치되고,
상기 제3 금속층상에 상기 제2 금속층이 배치되고,
상기 제1 금속층 및 상기 제3 금속층의 층간 용량에 의해 상기 제1 용량이 형성되고,
상기 제3 금속층 및 상기 제2 금속층의 층간 용량에 의해 상기 제2 용량이 형성되도록 한 (5) 또는 (6)에 기재된 전자 기기.
(8)
상기 전기광학 장치의 상기 화소 회로는,
게이트 전극, 제1 전류단, 및 제2 전류단을 구비하는 제1 트랜지스터와,
상기 제1 트랜지스터를 통하여 공급되는 전류의 크기에 응한 휘도로 발광하는 발광 소자와,
상기 신호선과, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극 사이에 접속된 제2 트랜지스터와,
상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 전류단과, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 전극을 도통시키기 위한 제3 트랜지스터와,
상기 제1 전류단 및 발광 소자의 일방의 단자 사이에 삽입된 제4 트랜지스터와,
상기 급전선과 상기 발광 소자의 일방의 단자 사이에 삽입된 제5 트랜지스터를 갖는 (5)부터 (7)의 어느 하나에 기재된 전자 기기.
12: 주사선
14, 14-1, 14-2, 14A, 14B: 데이터선
16: 급전선
42: 트랜스미션 게이트
44: 제1 용량
50: 제2 용량
110: 화소 회로
116: 급전선
121: 제1 트랜지스터
122: 제2 트랜지스터
123: 제3 트랜지스터
124: 제4 트랜지스터
125: 제5 트랜지스터
130: OLED
MT1: 금속 제1층
MT2: 금속 제2층
MT3: 금속 제3층
MT4: 금속 제4층
MT5: 금속 제5층

Claims (13)

  1. 주사선과,
    신호선과,
    제1의 배선 및 제2의 배선과,
    상기 주사선 및 상기 신호선에 대응하여 마련되고, 발광 소자를 갖는 화소 회로를 구비하고,
    상기 제1의 배선은 제1의 금속층을 가지고,
    상기 제2의 배선은 상기 제1의 금속층과 동층에 형성된 제2의 금속층을 가지고,
    상기 신호선은 상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층과 동층에 형성된 제3의 금속층을 가지고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 제1의 용량을 형성하고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층은 제2의 용량을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 동일 방향에 따라 연재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 동등한 폭을 갖는 것과 함께, 동등한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    제3의 용량과,
    상기 제1의 배선으로부터 공급된 전압을 상기 제3의 용량에 공급하는 제1의 트랜지스터와,
    상기 제3의 용량에 축적된 전압에 응한 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 제2의 트랜지스터와,
    상기 발광 소자의 애노드와 상기 제2의 배선 사이에 접속된 제3의 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 신호선은 입력 전압이 공급되고, 상기 입력 전압에 응한 전압을 상기 제1의 용량을 통하여 상기 제1의 배선에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 주사선과,
    신호선과,
    제1의 배선 및 제2의 배선과,
    상기 주사선 및 상기 신호선에 대응하여 마련되고, 발광 소자를 갖는 화소 회로를 구비하고,
    상기 제1의 배선은 제1의 금속층을 가지고,
    상기 제2의 배선은 상기 제1의 금속층과는 다른 층에 형성된 제2의 금속층을 가지고,
    상기 신호선은 상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층과는 다른 층에 형성된 제3의 금속층을 가지고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 제1의 용량을 형성하고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층은 제2의 용량을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 동일 방향에 따라 연재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1의 금속층의 폭은 상기 제2의 금속층의 폭보다 작고,
    상기 제1의 금속층의 폭은 상기 제3의 금속층의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 주사선과,
    신호선과,
    제1의 배선 및 제2의 배선과,
    상기 주사선 및 상기 신호선에 대응하여 마련되고, 발광 소자를 갖는 화소 회로를 구비하고,
    상기 제1의 배선은 제1의 금속층을 가지고,
    상기 제2의 배선은 상기 제1의 금속층과 동층에 형성된 제2의 금속층을 가지고,
    상기 신호선은 상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층과 동층에 형성된 제3의 금속층을 가지고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제2의 금속층은 제1의 용량을 형성하고,
    상기 제1의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 제2의 용량을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 동일 방향에 따라 연재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층은 동등한 폭을 가지는 것과 함께, 동등한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    제3의 용량과,
    상기 제1의 배선으로부터 공급된 전압을 상기 제3의 용량에 공급하는 제1의 트랜지스터와,
    상기 제3의 용량에 축적된 전압에 응한 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 제2의 트랜지스터와,
    상기 발광 소자의 애노드와 제4의 배선 사이에 접속된 제3의 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제4의 배선은 상기 제1의 금속층, 상기 제2의 금속층 및 상기 제3의 금속층과 동일 방향에 따라 연재되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 신호선은 입력 전압이 공급되고, 상기 입력 전압에 응한 전압을 상기 제2의 용량을 통해 상기 제1의 배선에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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