KR20240032634A - 검출 장치 및 검출 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 탄성 부재의 변형을 검출하는 것.
[해결 수단] 검출 장치는 탄성 부재와, 측정부와, 검출부를 갖는다. 탄성 부재는 제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 제 1 부재와 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성된다. 측정부는 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성된다. 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성된다.

Description

검출 장치 및 검출 방법{DETECTION DEVICE AND DETECTION METHOD}
본 개시는 검출 장치 및 검출 방법에 관한 것이다.
하기의 특허문헌 1에는, 「도입되는 가스에 의해 기판에의 처리를 실행하는 처리실과, 상기 처리실 내의 가스를 배기하는 배기실을 갖는 챔버와, 상기 챔버의 측벽 근방의 적어도 일부에 마련되고, 상기 처리실과 상기 배기실을 이격하는 동시에, 상기 챔버의 측벽과 평행한 벽면의 일부에 상기 처리실과 상기 배기실을 연통하는 구멍을 갖고, 상하 방향으로 구동 가능한 쉴드 부재와, 상기 챔버의 외부의 계기(計器)에 접속되는 배관과 접속되고, 수평 방향으로 구동 가능하며, 상기 쉴드 부재가 상단부에 도달했을 때에 상기 챔버의 중심 방향으로 구동되어서, 상기 중심 방향측의 단부가 상기 쉴드 부재와 접속하는 동시에, 상기 구멍을 거쳐서 상기 처리실과 상기 배관을 연통하는 중공의 중계(中繼) 부재를 갖는 기판 처리 장치」가 개시되어 있다.
또한, 이하와 같은 비특허문헌 1에는, 「CNT(카본 나노 튜브)를 수지에 매립함으로써, 고감도 변형 센서가 실현 가능한 것을 실증했다」는 점이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제 2022-28447 호 공보
스즈키 유스케 외 「카본 나노 튜브 매립 수지에 의한 변형 측정 기술」, 제 25 회 일렉트로닉스 실장 학회 춘계 강연 대회 P363-354, 2011년 3월, 일반 사단법인 일렉트로닉스 실장 학회
본 개시는 탄성 부재의 변형을 검출하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 검출 장치는 탄성 부재와, 측정부와, 검출부를 갖는다. 탄성 부재는 제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 제 1 부재와 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성된다. 측정부는 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성된다. 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성된다.
본 개시에 의하면, 탄성 부재의 변형을 검출할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 구성도이다.
도 2는 실시형태에 따른 엔드 이펙터의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 실시형태에 따른 엔드 이펙터의 패드 부분의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 실시형태에 따른 기밀성을 필요로 하는 용기의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 실시형태에 따른 탄성 부재의 전기적인 특성을 측정하는 구성의 일례를 설명하는 도면이다.
도 6은 실시형태에 따른 저항값을 측정하는 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7a는 실시형태에 따른 회전축을 시일하는 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7b는 실시형태에 따른 회전축을 시일하는 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8a는 실시형태에 따른 회전축을 시일하는 구성의 다른 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8b는 실시형태에 따른 회전축을 시일하는 구성의 다른 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 검출 처리의 흐름의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 검출 장치 및 검출 방법의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의해, 개시하는 검출 장치 및 검출 방법이 한정되는 것은 아니다.
기밀성을 필요로 하는 부품이나 장치에서는, O링 등의 탄성 부재를 거쳐서 부재간의 접합이 실행되고 있다. 탄성 부재를 거친 부재간의 접합에서는, 탄성 부재가 변형하여 부재 표면에서 기체 시일로서 기능하는 것을 이용하기 때문에, 어떠한 외력이 탄성 부재에 대해서 걸리는 것이 필요하게 된다. 외력은 탄성 부재에 대해서 수직으로 또한 균일하게 걸리는 것이 요구된다. 탄성 부재에 잘못된 외력이 걸리는 것이 발생하면, 탄성 부재는 기체 시일로서 기능하지 않고, 리크나, 이상 변형에 의한 파손, 위치 차이 등이 발생할 염려가 있다.
그러나, 부재간에 개재된 탄성 부재는, 부재가 투명한 소재로 되어 있는 등의 특수한 케이스를 제외하고, 외부로부터 관찰하는 것이 곤란하고, 어떻게 변형하고 있는지 검출하는 것은 어렵다.
그래서, 탄성 부재의 변형을 검출하는 기술이 기대되고 있다.
[실시형태]
[장치 구성]
다음에, 실시형태에 대해서 설명한다. 이하에서는, 기밀성을 필요로 하는 부품이나 장치의 예를, 기판 처리 장치를 이용하여 설명한다. 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 등의 기판을 반송하고, 기판 처리를 실시하는 장치이다. 이하에서는, 기판 처리 장치가 기판 처리로서 성막 처리를 실시하는 경우를 예로 설명한다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(200)의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 구성도이다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치(200)는 4개의 프로세스 모듈(201 내지 204)을 갖는다. 프로세스 모듈(201 내지 204) 각각은 챔버를 갖는다. 각각의 챔버는 진공 펌프에 의해 배기되어서 내부가 소정의 진공도로 보지된다. 프로세스 모듈(201 내지 204) 각각은 챔버 내에 있어서 기판 처리를 실시 가능하게 구성된다. 예를 들어, 프로세스 모듈(201 내지 204)은 챔버 내에 있어서 성막 처리를 실시 가능하게 구성되어 있다.
프로세스 모듈(201) 내지 프로세스 모듈(204)은 평면 형상이 칠각형을 이루는 진공 반송실(301)의 4개의 벽부 각각에 게이트 밸브(G)를 거쳐서 접속되어 있다. 진공 반송실(301)은 진공 펌프에 의해 배기되어서 내부가 소정의 진공도로 보지된다. 진공 반송실(301)의 다른 3개의 벽부에는 3개의 로드록실(302)이 게이트 밸브(G1)를 거쳐서 접속되어 있다. 로드록실(302)을 사이에 두고 진공 반송실(301)의 반대측에는 대기 반송실(303)이 마련되어 있다. 3개의 로드록실(302)은 게이트 밸브(G2)를 거쳐서 대기 반송실(303)에 접속되어 있다. 로드록실(302)은 대기 반송실(303)과 진공 반송실(301) 사이에서 기판(W)을 반송할 때에, 대기압과 진공과의 사이에 압력을 제어하는 것이다.
대기 반송실(303)의 로드록실(302)이 장착된 벽부와는 반대측의 벽부에는 기판(W)을 수용하는 캐리어(FOUP 등)(C)를 장착시킨 3개의 캐리어 장착 포트(305)가 마련되어 있다. 또한, 대기 반송실(303)에는, 기판(W)의 얼라인먼트를 실행하는 얼라인먼트 모듈(304)이 마련되어 있다. 대기 반송실(303) 내에는 청정 공기의 다운 플로우가 형성되도록 되어 있다.
진공 반송실(301) 내에는, 반송 기구(306)가 마련되어 있다. 반송 기구(306)는 다관절 아암으로서 구성되어 있다. 반송 기구(306)는 독립하게 이동 가능한 2개의 반송 아암(307a, 307b)을 갖고 있다. 반송 기구(306)는 반송 아암(307a, 307b)의 선단측에 기판(W)을 지지 가능한 엔드 이펙터(11)를 갖는다. 엔드 이펙터(11)에는, 기판(W)이 탑재된다. 반송 기구(306)는 프로세스 모듈(201) 내지 프로세스 모듈(204), 로드록실(302)에 대해서 기판(W)을 반송한다.
대기 반송실(303) 내에는, 반송 기구(308)가 마련되어 있다. 반송 기구(308)는 다관절 아암으로서 구성되어 있다. 반송 기구(308)는 선단측에 기판(W)을 지지 가능한 엔드 이펙터(10)를 갖는다. 반송 기구(308)는 캐리어(C), 로드록실(302), 얼라인먼트 모듈(304)에 대해서 기판(W)을 반송하도록 되어 있다.
기판 처리 장치(200)는 제어부(310)를 갖고 있다. 기판 처리 장치(200)는 제어부(310)에 의해서, 그 동작이 총괄적으로 제어된다. 제어부(310)에는, 유저 인터페이스(311)와 기억부(312)가 접속되어 있다.
유저 인터페이스(311)는 공정 관리자가 기판 처리 장치(200)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작을 실행하는 키보드 등의 조작부나, 기판 처리 장치(200)의 가동 상황을 가시화해 표시하는 디스플레이 등의 표시부로 구성되어 있다. 유저 인터페이스(311)는 각종의 조작을 접수한다. 예를 들어, 유저 인터페이스(311)는 기판 처리의 개시나 정지를 지시하는 소정 조작을 접수한다.
기억부(312)에는, 기판 처리 장치(200)에서 실행되는 각종 처리를 제어부(310)의 제어로 실현되기 위한 프로그램(소프트웨어)이나, 처리 조건, 프로세스 파라미터 등의 데이터가 저장되어 있다. 또한, 프로그램이나 데이터는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기록 매체(예를 들면, 하드 디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태의 것을 이용해도 좋다. 또는, 프로그램이나 데이터는 다른 장치로부터, 예를 들면, 전용 회선을 거쳐서 수시 전송시켜서 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
제어부(310)는 예를 들면, 프로세서, 메모리 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어부(310)는 유저 인터페이스(311)로부터의 지시 등에 기초하여 프로그램이나 데이터를 기억부(312)로부터 읽어내서 기판 처리 장치(200)의 각부를 제어함으로써, 기판(W)을 프로세스 모듈(201 내지 204)에 반송하고, 기판(W)에 대해서 기판 처리를 실행한다.
다음에, 반송 기구(308)의 엔드 이펙터(10)의 구성의 일례를 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 엔드 이펙터(10)의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
엔드 이펙터(10)는 평탄한 형상으로 되고, 상측의 면이, 기판(W)이 탑재되는 탑재면(12)으로 되어 있다. 엔드 이펙터(10)는 탑재면(12)측에 기판(W)을 보지하여 반송한다. 엔드 이펙터(10)는 반송 기구(308)의 선단부의 아암을 구성한다. 엔드 이펙터(10)는 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 엔드 이펙터(10)는 선단측이 2개로 분기하여 있다. 엔드 이펙터(10)는 분기한 각각의 선단 부분의 2개소와 분기하는 기초부 부분의 1개소의 3개소에 패드(20)가 마련되어 있다.
패드(20)는, 탄성을 갖는 수지에 의해 형성되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되어 있다. 수지의 재질의 일례로서는, 탄성이 있고, 또한 고온의 기판(W)을 보지 가능하도록, 내열 온도가 높은 폴리이미드, PEEK(폴리에테르에테르 케톤(polyetheretherketone))가 바람직하다. 수지의 재질은 폴리이미드와 같이 도전성이 없는 물질이어도 좋고, 도전성이 있는 물질이어도 좋다. 패드(20)에 전하가 모이는 경우, 기판(W)에 패드(20)가 접한 시점에서 기판(W) 상의 소자가 망가질 가능성이 있다. 따라서, 패드(20)에 전하가 모이는 경우에는, 패드(20)의 재질은 도전성이 있는 물질인 것이 바람직하다.
패드(20)는 환상으로 형성되어 있고, 중앙에 흡인구(21)가 형성되어 있다. 반송 기구(308)는 각 패드(20)의 위치까지 내부에 흡인 통로(13)가 형성되어 있다. 도 2에서는, 엔드 이펙터(10)의 내부에 형성된 흡인 통로(13)가 파선으로 나타나고 있다. 흡인 통로(13)는 흡인구(21)에 연통하여 있다. 흡인 통로(13)는 도시되지 않은 배기 장치에 접속되고 배기된다.
도 3은 실시형태에 따른 엔드 이펙터(10)의 패드(20) 부분의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3에는, 엔드 이펙터(10)의 하나의 패드(20) 부분의 단면이 도시되어 있다. 기판(W)은 엔드 이펙터(10)의 패드(20) 상에 탑재된다.
패드(20)의 흡인구(21)는 흡인 통로(13)에 연통하여 있다. 패드(20)는 배기 장치에 의해 흡인 통로(13)가 배기됨으로써, 흡인구(21)로부터 흡인하고, 기판(W)을 흡착한다. 패드(20)는 기판(W)을 흡착함으로써, 기판(W)으로부터 외력이 걸려서 변형하여 기판(W)의 하면에 밀착하고, 기체 시일로서 기능한다. 패드(20)는 흡인구(21) 및 흡인 통로(13)에 의해 형성되는 공간을 패드(20)의 외측의 공간과 기밀하게 분리한다.
엔드 이펙터(10)는 패드(20)를 기밀하게 기판(W)의 하면에 밀착시켜서, 패드(20) 및 기판(W)에 둘러싸인 공간에 의해 국소적으로 기판(W)을 진공 흡착함으로써, 기판(W)을 파지한다. 엔드 이펙터(10)는 패드(20)에 의해 기판(W)을 진공 흡착함으로써, 기판(W)을 강하게 파지할 수 있어서, 안정하여 기판(W)을 반송할 수 있다.
그런데, 기판 처리 장치(200)에서는, 기밀성을 필요로 하는 부품이나 장치가 사용되어 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(200)에서는, 프로세스 모듈(201 내지 204)이나 진공 반송실(301), 로드록실(302)에 있어서, 내부의 진공 상태를 유지하기 위해, 기밀성을 필요로 하는 용기가 사용된다. 예를 들어, 프로세스 모듈(201 내지 204)에서는, 기밀성을 필요로 하는 용기로서 챔버가 사용된다. 또한, 기판 처리 장치(200)에서는, 대기 반송실(303)에 있어서, 외부로부터의 입자의 침입을 막기 위해, 기밀성을 필요로 하는 용기가 사용된다. 또한, 엔드 이펙터(10)는 기판(W)의 흡착에 기밀성을 필요로 하기 때문에 패드(20)가 사용된다.
기밀성을 필요로 하는 부품이나 장치에서는, 탄성 부재를 거쳐서 부재간의 접합이 실행된다. 예를 들어, 챔버 등의 기밀성을 필요로 하는 용기는 탄성 부재를 거쳐서 부재간의 접합이 실행된다. 또한, 엔드 이펙터(10)는 기판(W)의 흡착에 기밀성을 필요로 하기 때문에, 패드(20)를 거쳐서 기판(W)을 흡착 보지한다.
도 4는 실시형태에 따른 기밀성을 필요로 하는 용기(40)의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다. 용기(40)는 예를 들면, 프로세스 모듈(201 내지 204)의 챔버나, 진공 반송실(301), 로드록실(302), 대기 반송실(303) 등에 있어서 사용되는 용기를 개략적으로 도시하는 것이다.
용기(40)는 제 1 부재(41)와, 제 2 부재(42)를 접합하여 구성되어 있다. 용기(40)는 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)를 접합하는 접합 부분(43)에 O링(44)이 배치되어 있다. O링(44)은 접합 부분(43)을 따라서 1주 배치되고, 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42) 사이에 개재되어 있다. O링(44)은 탄성을 갖는 수지에 의해 환상으로 형성되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되어 있다. 용기(40)는 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)를 접합하는 접합면에 O링(44)을 배치한 상태로 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)를 나사(45) 등에 의해 체결함으로써 구성되어 있다. O링(44)은 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)가 나사(45) 등에 의해 체결됨으로써, 외력이 걸려서 변형하여 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)에 밀착하고, 기체 시일로서 기능한다. 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)는 접합함으로써 용기(40) 내의 공간과 용기(40) 외의 공간의 경계를 구성한다. O링(44)은 용기(40) 내의 공간과 용기(40) 외의 공간을 기밀하게 분리한다.
패드(20), O링(44) 등의 탄성 부재를 거친 부재간의 접합에서는, 탄성 부재가 변형하여 부재 표면에서 기체 시일로서 기능하는 것을 이용하기 위해, 어떠한 외력이 탄성 부재에 대해서 걸리는 것이 필요하게 된다. 예를 들어, 도 3에서는, 기판(W)의 질량에 의한 자중, 및 진공 흡착에 의해 기판(W)을 흡인하는 힘이 패드(20)에 대한 외력에 상당한다. 또한, 예를 들어, 도 4에서는, 나사(45) 등에 의한 체결에 의해서 생기는 힘이 O링(44)에 대한 외력에 상당한다. 외력은 탄성 부재에 대해서 수직 또한 균일하게 걸리는 것이 요구된다. 탄성 부재에 잘못된 외력이 걸리는 것이 발생하면, 탄성 부재는 기체 시일로서 기능하지 않고, 리크나, 이상 변형에 의한 파손, 위치 어긋남 등이 발생하는 염려가 있다. 예를 들어, 도 3에서는, 패드(20)에 치우쳐서 외력이 걸리면, 패드(20)의 일부가 기판(W)의 하면에 밀착하지 않고 간극이 발생하여 기판(W)을 진공 흡착할 수 없게 되어서, 기판(W)의 파지 이상이 발생한다. 또한, 예를 들어, 도 4에서는, O링(44)에 치우쳐서 외력이 걸리면, O링(44)의 일부가 밀착하지 않고 간극이 발생하거나 O링(44)의 이상 변형에 의한 파손, 위치 어긋남의 발생 등에 의해, 리크가 발생하는 경우가 있다.
그런데, 패드(20), O링(44) 등의 탄성 부재는, 변형에 따라 전기적인 특성이 변화한다. 탄성 부재는 변형에 따라 전기적인 특성의 변화가 측정 가능하면, 어떠한 재료 및 구성으로 해도 좋다.
예를 들어, 탄성 부재는 수지에 함유시키는 재료에 의해서, 변형에 따른 전기적인 특성의 변화가 커지게 된다. 비특허문헌 1에는, 수지에 카본 나노 튜브를 분산시켜서 형성한 박막이 변형에 의해 전기 저항이 크게 변화하는 것이 기재되어 있다. 그래서, 카본 나노 튜브를 포함하는 수지에 의해 탄성 부재를 형성해도 좋다. 예를 들어, 수지에 카본 나노 튜브를 혼련(混鍊)하고, 성형함으로써 패드(20)나, O링(44)을 형성해도 좋다.
또한, 탄성 부재는 도전성의 부위를 포함하는 수지에 의해 형성함으로써, 변형에 의한 전기적인 특성의 변화가 커지게 된다. 그래서, 도전성의 부위를 포함하는 수지에 의해 탄성 부재를 형성해도 좋다. 예를 들어, 탄성 부재는 3D 프린터로 수지의 내부에 변형 게이지 상당 회로를 형성함으로써, 변형에 따라 저항값이 변화하도록 구성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 탄성 부재는 3D 프린터로 수지를 적층하고, 적층 중에 변형 게이지가 되는 금속을 매립함으로써, 변형에 따라 저항값이 변화하도록 구성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 탄성 부재는 도전성 수지를 직물 형상으로 가공하여 형성하는 것에 의해, 변형에 의해서 직물 형상의 접촉 면적이 변동하는 것을 이용하여, 변형에 따라 저항값이 변화하도록 구성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 탄성 부재는 표면에 금속 잉크로 변형 게이지를 인쇄함으로써, 변형에 따라 저항값이 변화하도록 구성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 탄성 부재는 수지의 표면에 Cu 박막을 포토리소그래피 및 에칭에 의해서 매립되고, Cu 박막을 변형 센서로서 이용함으로써, 변형에 따라 저항값이 변화하도록 구성할 수 있다.
패드(20), O링(44)은 복수 개소의 전기적인 특성이 측정 가능하도록 구성되어 있다. 기판 처리 장치(200)는 패드(20), O링(44)의 각각 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하고, 측정된 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 패드(20), O링(44)의 변형을 검출한다. 기판 처리 장치(200)는 본 개시의 검출 장치로서 기능한다.
도 5는 실시형태에 따른 탄성 부재(50)의 전기적인 특성을 측정하는 구성의 일례를 설명하는 도면이다. 도 5에서는, O링(44) 및 패드(20)를 탄성 부재(50)로서 도시되어 있다. 탄성 부재(50)는 환상으로 형성되어 있다. 탄성 부재(50)는 복수 개소에서 전기적인 특성이 측정 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 탄성 부재(50)는 둘레방향을 따라서 복수 개소에 간격을 두고 2개의 전극이 각각 배치되어 있다. 도 5에서는, 대칭적인 위치 관계가 되는 2개소에, 2개의 전극(51a, 51b)이 각각 배치되어 있다. 도 5에서는, 탄성 부재(50)의 2개소에 2개의 전극(51a, 51b)을 배치했을 경우를 도시하였지만, 3개소 이상으로 배치해도 좋다. 배치 개소는 동등한 간격이어도 좋고, 또한, 탄성 부재(50)의 특정 부분에서 많게 해도 좋다. 전극(51a, 51b)은 탄성 부재(50)의 표면에 접착 등에 의해 고정해도 좋고, 탄성 부재(50) 내에 매립해도 좋다. 복수 개소에 배치된 2개의 전극(51a, 51b)은 각각 배선(52)을 거쳐서 측정부(53)에 접속되어 있다.
측정부(53)는 배선(52)을 거쳐서 탄성 부재(50)의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정한다. 예를 들어, 측정부(53)는 탄성 부재(50)의 복수 개소에 각각 배치된 2개의 전극 사이에 각각 전압을 인가함으로써, 각각 2개의 전극 사이의 저항값을 측정한다. 도 5에서는, 측정부(53)는 탄성 부재(50)의 2개소에 배치된 2개의 전극(51a, 51b) 사이의 저항값을 측정한다. 측정부(53)는 측정한 저항값을 나타내는 데이터를 제어부(310)에 출력한다.
제어부(310)는 측정부(53)에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 탄성 부재(50)의 변형을 검출한다. 예를 들어, 제어부(310)에는, 측정부(53)로부터 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값의 데이터가 입력된다. 제어부(310)에는, 입력한 데이터가 나타내는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값으로부터, 탄성 부재(50)의 변형을 검출한다. 실시형태에서는, 제어부(310)가 본 개시의 검출부에 대응한다.
예를 들어, 정상적으로 변형하고 있는 경우의 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값의 정상 범위를 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 사전에 특정한다. 예를 들어, 탄성 부재(50)를 도 4에 도시된 O링(44)으로 했을 경우, 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)를 정상적으로 접합한 상태의 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값을 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 요구된다. 그리고, 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 얻어진 복수 개소의 각각의 실제의 저항값으로부터 복수 개소 각각의 저항값의 정상 범위를 특정한다. 예를 들어, 복수 개소 각각의 실제의 저항값에 대해서 마진을 고려하여 복수 개소 각각의 저항값의 정상 범위를 특정한다. 제어부(310)에는, 측정부(53)에 의해 측정된 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이 각각의 정상 범위 내인지를 판정한다. 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이 각각의 정상 범위 내인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 정상으로 검출한다. 한편, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소 중 어느 하나에서 저항값이 정상 범위 밖인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 이상으로 검출한다.
또한, 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)가 정상적으로 접합했을 경우, 탄성 부재(50)는 대략 균등하게 외력이 걸려서 대략 균등하게 변형하는 것으로 한다. 본 경우, 예를 들어, 제어부(310)는 측정부(53)에 의해 측정된 복수 개소의 저항값의 평균값을 구하고, 복수 개소의 저항값이 평균값으로부터 소정의 허용 범위 내인지를 판정한다. 허용 범위는 실험 또는 시뮬레이션 등에 의해 사전에 정한다. 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이 각각의 평균값으로부터 허용 범위 내인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 정상으로 검출한다. 한편, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 어느 하나에서 저항값이 평균값으로부터 허용 범위 밖인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 이상으로 검출한다.
제어부(310)는 검출 결과에 근거하는 정보를 출력한다. 예를 들어, 제어부(310)는 검출 결과에 기초하는 정보를 도시되지 않은 네트워크를 거쳐서 통신 가능하게 된 관리 장치 등의 외부 장치에 출력한다. 또한, 제어부(310)는 검출 결과에 기초하는 정보를 유저 인터페이스(311)에 출력한다. 예를 들어, 제어부(310)는 패드(20)의 변형의 이상을 검출했을 경우, 파지 이상의 경고를 유저 인터페이스(311)에 출력한다. 이에 의해, 예를 들어, 도 3에서는, 엔드 이펙터(10)를 이동시키기 전에 기판(W)의 파지 이상을 검출할 수 있기 때문에, 기판(W)의 낙하에 의한 파손을 억제할 수 있다. 또한, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 변형의 이상을 검출했을 경우, 경고를 유저 인터페이스(311)에 출력한다. 예를 들어, 제어부(310)는 O링(44)의 변형의 이상을 검출했을 경우, 챔버의 결합 이상의 경고를 유저 인터페이스(311)에 출력한다. 이에 의해, 도 4에서는, 진공 흡인에 의한 챔버의 리크 체크를 거치는 일 없이, 챔버가 정상적으로 결합될 수 있는지를 판정할 수 있다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 탄성 부재(50)의 변형을 검출하는 경우를 예에 설명했다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제어부(310)는 측정부(53)에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 접합 이상을 검출해도 좋다. 예를 들어, 탄성 부재(50)의 변형이 이상의 검출의 판정과 마찬가지로, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이 각각의 정상 범위 내인지를 판정하고, 복수 개소의 어느 하나에서 저항값이 정상 범위 밖인 경우, 접합 이상과 검출해도 좋다. 또한, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값의 평균값을 구하고, 복수 개소의 어느 하나에서 저항값이 평균값으로부터 허용 범위 밖인 경우, 접합 이상으로 검출해도 좋다. 제어부(310)는 접합 이상을 검출했을 경우, 경고를 유저 인터페이스(311)나 외부 장치에 출력해도 좋다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 탄성 부재(50)에 전극(51a, 51b)을 마련하여 저항값을 측정하는 경우를 예로 설명했다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 탄성 부재(50)의 저항값은 어떠한 수법으로 측정해도 좋다. 탄성 부재(50)는 마이크로파를 조사하여, 마이크로파의 반사 강도를 측정했을 경우, 저항값과 마이크로파의 반사 강도에 상관이 있다. 그래서, 마이크로파를 이용하여 탄성 부재(50)의 저항값을 측정해도 좋다. 도 6은 실시형태에 따른 저항값을 측정하는 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 6은 마이크로파를 이용하여 O링(44)의 저항값을 측정하는 경우를 도시하고 있다. O링(44)은 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42)를 접합하는 접합 부분(43)에 배치되어 있다. 제 2 부재(42)에는, 마이크로파를 송신 및 수신이 가능한 측정부(60)가 배치되어 있다. 제 2 부재(42)에는, 측정부(60)로부터 O링(44)까지 마이크로파를 전송 가능한 전송로(61)가 마련되어 있다. 측정부(60)는 전송로(61)를 거쳐서, O링(44)에 대해서 마이크로파를 조사하여, 마이크로파의 반사 강도를 검출한다. 측정부(60)는 저항값과 마이크로파의 반사 강도의 상관 정보에 기초하여, 검출한 반사 강도로부터 O링(44)의 저항값을 측정한다. 측정부(60)는 측정한 저항값을 나타내는 데이터를 제어부(310)에 출력한다. 실시형태에 따른 기판 처리 장치(200)는 도 6과 같은 구성을 접합 부분(43)을 따라서 복수 개소에 마련함으로써, O링(44)의 복수 개소의 저항값을 측정해도 좋다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 전기적인 특성으로서 저항값을 측정하는 경우를 예로 설명했다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전기적인 특성은 탄성 부재의 변형에 따라 변화하는 것이면, 어느 것이어도 좋다. 예를 들어, 전기적인 특성은 전류 값, 임피던스, 리액턴스 등으로 해도 좋다. 예를 들어, 측정부(53)는 탄성 부재(50)에 마련한 복수 개소에 전극(51a, 51b) 사이에 소정의 전압을 인가하고, 전기적인 특성으로서 전극(51a, 51b) 사이에 흐르는 전류 값을 측정해도 좋다. 또한, 예를 들어, 측정부(53)는 탄성 부재(50)에 마련한 복수 개소에 전극(51a, 51b) 사이에 교류 전압을 인가하고, 전기적인 특성으로서, 전극(51a, 51b) 사이의 임피던스, 리액턴스를 측정해도 좋다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 챔버나 엔드 이펙터(10)의 패드(20)에 본 개시의 기술을 적용했을 경우를 예로 설명했다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 개시의 기술은 회전축의 시일에 적용해도 좋다.
도 7a 및 도 7b는 실시형태에 따른 회전축(71)을 시일하는 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 7a는 단면에서의 구성을 도시하고 있다. 도 7b는 평면에서의 구성을 도시하고 있다. 도 7a 및 도 7b에는, 하우징(70)의 일부가 도시되어 있다. 도 7a에 도시되어 있다, 하우징(70)은 하측의 공간(74)과 상측의 공간(75)의 경계가 되도록 구성되어 있다. 하우징(70)의 하측의 공간(74)은 대기압으로 되어 있다. 하우징(70)의 상측의 공간(75)은 감압되어서 저압으로 되어 있다. 하우징(70)에는, 관통 구멍(70a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(70a)에는, 회전축(71)이 관통하여 있다. 회전축(71)은 모터(72)에 접속되고, 모터(72)의 구동력에 의해 회전한다. 회전축(71)은 관통 구멍(70a)에 대응하는 위치에, 오목부(71a)가 둘레방향을 따라서 형성되어 있다. 회전축(71)의 오목부(71a)에는, O링(73)이 배치되어 있다. O링(73)은 외경이 관통 구멍(70a)보다 약간 크게 형성되고, 회전축(71)의 주위의 관통 구멍(70a)의 측면과의 공간을 매립하고 있다. O링(73)은 하우징(70)과 회전축(71) 사이에 개재됨으로써 변형하고, 회전축(71)의 기체 시일로서 기능한다. O링(73)에 의해, 대기압의 공간(74)과 저압의 공간(75)을 기밀하게 분리할 수 있다. 도 7b는 회전축(71)이 회전한 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 회전축(71)은 모터(72)의 구동력에 의해 회전한다. O링(73)은 회전축(71)과 함께 회전한다. O링(73)의 외측면은 관통 구멍(70a)의 측면을 미끄럼운동한다. O링(73)은 진공 그리스로 감싸져 있고, 관통 구멍(70a)의 측면과의 사이에 윤활면이 형성된다. 그러나, 회전축(71)의 편향이나, O링(73)의 열화, 진공 그리스의 고갈 등에 의해, 정상적인 윤활이 실행되지 않고 마찰 이상이 발생했을 경우, O링(73)이 둘레방향으로 불균일하게 변형한다. O링(73)에 불균일한 변형이 발생하면, 리크 등의 이상이 발생한다. 그래서, O링(73)을 복수 개소의 전기적인 특성이 측정 가능하게 구성하고, O링(73)의 복수 개소의 전기적인 특성으로부터, O링(73)의 변형을 검출한다. 도 7a 및 도 7b의 구성에서는, O링(73)은 회전축(71)과 함께 회전한다. 이 때문에, 회전축(71)의 오목부(71a)의 둘레방향을 따른 복수 개소에 간격을 두고 2개의 전극을 배치하여 O링(73)의 복수 개소의 저항값을 측정 가능하게 구성한다. 도 7b에서는, 회전축(71)의 오목부(71a)의 대칭적인 위치 관계가 되는 2개소에, 2개의 전극(51a, 51b)을 각각 배치하여 2개소의 저항값을 측정 가능하게 구성하고 있다. 복수 개소의 2개의 전극(51a, 51b)은 회전축(71)에 슬립 링을 마련하고, 각각에 접속한 도시되지 않은 배선을 슬립 링을 거쳐서 측정부(53)에 접속하는 것으로 저항값을 측정할 수 있다. 또한, 측정부(53)를 회전축(71)에 마련해도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, O링(73)의 변형을 검출할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는, 실시형태에 따른 회전축(71)을 시일하는 구성의 다른 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 8a는 단면에서의 구성을 도시하고 있다. 도 8b는 평면에서의 구성을 도시하고 있다. 도 8a 및 도 8b의 구성은 도 7a 및 도 7b의 구성과 일부가 동일하다. 이하에서는, 주로 상이한 부분에 대해서 설명한다. 하우징(70)은 관통 구멍(70a)의 측면에, 오목부(70b)가 둘레방향을 따라서 형성되어 있다. 오목부(70b)에는, O링(73)이 배치되어 있다. 회전축(71)은 O링(73)의 구멍을 관통하여 있다. O링(73)은 내경이 회전축(71)의 직경보다 약간 작게 형성되고, 회전축(71)의 주위의 관통 구멍(70a)의 측면과의 공간을 매립하고 있다. O링(73)은 하우징(70)과 회전축(71) 사이에 개재함으로써 변형하고, 회전축(71)의 기체 시일로서 기능한다. 도 8b는 회전축(71)이 회전한 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 회전축(71)은 모터(72)의 구동력에 의해 회전한다. O링(73)은 하우징(70)의 오목부(70b)에 고정되어 있다. 회전축(71)의 측면은 O링(73)의 내측면을 미끄럼운동한다. O링(73)은 진공 그리스로 감싸져 있고, 회전축(71)의 측면과의 사이에 윤활면이 형성된다. 그러나, 회전축(71)의 편향이나, O링(73)의 열화, 진공 그리스의 고갈 등에 의해, 정상적인 윤활이 실행되지 않고 마찰 이상이 발생했을 경우, O링(73)이 둘레방향으로 불균일하게 변형한다. O링(73)에 불균일한 변형이 발생하면, 리크 등의 이상이 발생한다. 그래서, O링(73)을 복수 개소의 전기적인 특성이 측정 가능하게 구성하고, O링(73)의 복수 개소의 전기적인 특성으로부터 O링(73)의 변형을 검출한다. 도 8a 및 도 8b의 구성에서는, O링(73)은 하우징(70)의 오목부(70b)에 고정된다. 이 때문에, 하우징(70)의 오목부(70b)의 둘레방향을 따른 복수 개소에 간격을 두고 2개의 전극을 배치하여 O링(73)의 복수 개소의 저항값을 측정 가능하게 구성한다. 도 8b에서는, 하우징(70)의 오목부(70b)의 대칭적인 위치 관계가 되는 2개소에, 2개의 전극(51a, 51b)을 각각 배치하여 2개소의 저항값을 측정 가능하게 구성하여 있다. 복수 개소의 2개의 전극(51a, 51b)은 각각 접속한 도시되지 않은 배선을 측정부(53)에 접속함으로써 저항값을 측정할 수 있다. 이와 같이 구성함으로써, O링(73)의 변형을 검출할 수 있다.
또한, 상기의 실시형태에서는, 기판 처리 장치(200)에 본 개시의 기술을 적용하여 탄성 부재의 변형을 검출하는 경우를 예로 설명했다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 기술은, 탄성 부재를 거쳐서 부재간의 접합하는 구성을 갖는 장치이면, 어느 장치에 적용해도 좋다.
다음에, 실시형태에 따른 검출 방법에 의한 검출 처리의 흐름을 설명한다. 도 9는 실시형태에 따른 검출 처리의 흐름의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 9에 나타난 처리는 예를 들면, 탄성 부재(50)의 변형의 검출을 필요로 하는 소정의 타이밍에 실행된다.
측정부(53)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정한다(단계(S10)). 예를 들어, 측정부(53)는 탄성 부재(50)의 복수 개소에 각각 배치된 2개의 전극 사이에 각각 전압을 인가함으로써, 각각 2개의 전극 사이의 저항값을 측정한다.
제어부(310)는 측정부(53)에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 탄성 부재(50)의 변형을 검출한다(단계(S11)). 예를 들어, 제어부(310)에는, 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이 각각의 정상 범위 내인지를 판정한다. 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 저항값이, 각각의 정상 범위 내인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 정상으로 검출한다. 한편, 제어부(310)는 탄성 부재(50)의 복수 개소의 어느 하나에서 저항값이 정상 범위 밖인 경우, 탄성 부재(50)의 변형이 이상으로 검출한다.
제어부(310)는 검출 결과에 기초하는 정보를 출력하고(단계(S12)), 본 플로우 차트에 나타난 처리를 종료한다. 예를 들어, 제어부(310)는 검출 결과에 기초하는 정보를 도시되지 않은 네트워크를 거쳐서 통신 가능하게 된 관리 장치 등의 외부 장치에 출력한다. 또한, 제어부(310)는 검출 결과에 기초하는 정보를 유저 인터페이스(311)에 출력한다.
이상, 실시형태에 대해서 설명했다. 상기한 바와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재(예를 들면, 패드(20), O링(44), 탄성 부재(50), O링(73))와 측정부(예를 들면, 측정부(53), 측정부(60))와 검출부(예를 들면, 제어부(310))를 갖는다. 탄성 부재는 제 1 부재와 제 2 부재(예를 들면, 기판(W)과 엔드 이펙터(10), 제 1 부재(41)와 제 2 부재(42), 하우징(70)과 회전축(71))를 접합하는 접합 부분(예를 들면, 접합 부분(43))에 제 1 부재와 제 2 부재 사이에 개재하여 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성된다. 측정부는 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성된다. 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재의 변형을 검출할 수 있다.
또한, 제 1 부재 및 제 2 부재는 접합함으로써 제 1 공간과 제 2 공간(예를 들면, 흡인구(21) 및 흡인 통로(13)에 의해 형성되는 공간과 공간을 패드(20)의 외측의 공간, 용기(40) 내의 공간과 용기(40) 밖의 공간, 공간(74)과 공간(75))의 경계가 되도록 구성된다. 탄성 부재는 제 1 공간과 제 2 공간을 기밀하게 분리하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 제 1 부재, 제 2 부재 및 탄성 부재에 의해, 기밀성을 보지하고 제 1 공간과 제 2 공간으로 나눌 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(200)는 접합시의 탄성 부재의 변형량 및 양태를 검출할 수 있고, 특히 리크나 파손 등을 일으키는 비정상인 변형의 유무를 검출할 수 있다.
또한, 탄성 부재는 접합 부분을 따라서 배치된다. 측정부는 탄성 부재의 접합 부분에 따른 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 접합 부분을 따라서 배치된 탄성 부재의 변형을 검출할 수 있다.
또한, 측정부는 탄성 부재의 복수 개소의 저항값을 측정하도록 구성된다. 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값에 기초하여, 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재의 변형을 검출할 수 있다.
또한, 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값이 각각 소정의 정상 범위 내인지에 기초하여, 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출할 수 있다.
또한, 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값의 평균값을 구하고, 복수 개소의 저항값이 평균값으로부터 소정의 허용 범위 내인지에 기초하여, 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재가 대략 균등하게 변형한 상태를 정상적인 상태로서 검출할 수 있다.
또한, 검출부는 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하고, 제 1 부재와 제 2 부재의 접합 이상을 검출하도록 구성된다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 제 1 부재와 제 2 부재의 접합 이상을 검출할 수 있다.
또한, 탄성 부재는 도전성의 부위를 포함한 수지에 의해 형성되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재의 변형을 감도좋게 검출할 수 있다.
또한, 상기 탄성 부재는 카본 나노 튜브를 포함한 수지에 의해 형성되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 탄성 부재의 변형을 감도좋게 검출할 수 있다.
또한, 제 1 부재 및 제 2 부재는 접합함으로써 챔버를 구성한다. 탄성 부재는 챔버 내의 공간과 챔버 밖의 공간을 기밀하게 분리하는 시일로서 구성되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 챔버의 시일의 이상을 검출할 수 있다.
또한, 제 1 부재는 기판(W)으로 한다. 제 2 부재는 기판(W)이 탑재되는 엔드 이펙터(10)로 한다. 탄성 부재는 엔드 이펙터(10)의 기판(W)이 탑재되는 탑재면(12)에 마련되고, 엔드 이펙터(10) 내에 형성된 흡인 통로(13)와 연통하는 흡인구(21)가 형성된 패드(20)로서 구성되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 엔드 이펙터(10)에 마련한 패드(20)의 변형을 검출할 수 있고, 엔드 이펙터(10)에서의 기판(W)의 파지 이상을 검출할 수 있다.
또한, 제 1 부재는 관통 구멍(70a)이 형성된 하우징(70)으로 한다. 제 2 부재는 관통 구멍(70a)을 관통하는 회전축(71)으로 한다. 탄성 부재는 회전축(71)의 주위의 관통 구멍(70a)의 측면과의 공간을 매립하는 시일로서 구성되어 있다. 이에 의해, 기판 처리 장치(200)는 회전축(71)의 시일의 이상을 검출할 수 있다.
또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는 첨부의 특허청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
또한, 상기의 실시형태에 관해서, 추가로 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1)
제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되는 탄성 부재와,
상기 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성되는 측정부와,
상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성되는 검출부를 갖는
검출 장치.
(부기 2)
상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재는 접합함으로써 제 1 공간과 제 2 공간의 경계가 되도록 구성되고,
상기 탄성 부재는 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간을 기밀하게 분리하도록 구성되는
부기 1에 기재된 검출 장치.
(부기 3)
상기 탄성 부재는 상기 접합 부분을 따라서 배치되고,
상기 측정부는 상기 탄성 부재의 상기 접합 부분에 따른 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성되는
부기 1 또는 부기 2에 기재된 검출 장치.
(부기 4)
상기 측정부는 상기 탄성 부재의 복수 개소의 저항값을 측정하도록 구성되고,
상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성되는
부기 1 내지 부기 3 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 5)
상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값이, 각각 소정의 정상 범위 내인지에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성되는
부기 4에 기재된 검출 장치.
(부기 6)
상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값의 평균값을 구하고, 상기 복수 개소의 저항값이 상기 평균값으로부터 소정의 허용 범위 내인지에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성되는
부기 4에 기재된 검출 장치.
(부기 7)
상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재의 접합 이상을 검출하도록 구성되는
부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 8)
상기 탄성 부재는 도전성의 부위를 포함한 수지에 의해 형성된
부기 1 내지 부기 7 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 9)
상기 탄성 부재는 카본 나노 튜브를 포함한 수지에 의해 형성된
부기 1 내지 부기 7 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 10)
상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재는 접합함으로써 챔버를 구성하고,
상기 탄성 부재는 상기 챔버 내의 공간과 상기 챔버 밖의 공간을 기밀하게 분리하는 시일로서 구성된
부기 1 내지 부기 9 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 11)
상기 제 1 부재는 기판이며,
상기 제 2 부재는 상기 기판이 탑재되는 엔드 이펙터이며,
상기 탄성 부재는 상기 엔드 이펙터의 상기 기판이 탑재되는 탑재면에 마련되고, 상기 엔드 이펙터 내에 형성된 흡인 통로와 연통하는 흡인구가 형성된 패드로서 구성된
부기 1 내지 부기 9 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 12)
상기 제 1 부재는 관통 구멍이 형성된 하우징이며,
상기 제 2 부재는 상기 관통 구멍을 관통하는 회전축이며,
상기 탄성 부재는 상기 회전축의 주위의 상기 관통 구멍의 측면과의 공간을 매립하는 시일로서 구성된
부기 1 내지 부기 9 중 어느 하나에 기재된 검출 장치.
(부기 13)
제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되는 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하는 공정과,
측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하는 공정을 포함하는
검출 방법.
10: 엔드 이펙터 12: 탑재면
13: 흡인 통로 20: 패드
21: 흡인구 40: 용기
41: 제 1 부재 42: 제 2 부재
43: 접합 부분 44: O링
45: 나사 50: 탄성 부재
51a, 51b: 전극 52: 배선
53: 측정부 60: 측정부
61: 전송로 70: 하우징
70a: 관통 구멍 70b: 오목부
71: 회전축 71a: 오목부
72: 모터 73: O링
74: 공간 75: 공간
200: 기판 처리 장치 201 내지 204: 프로세스 모듈
301: 진공 반송실 302: 로드록실
303: 대기 반송실 304: 얼라인먼트 모듈
308: 반송 기구 310: 제어부
311: 유저 인터페이스 312: 기억부
W: 기판

Claims (13)

  1. 제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되는 탄성 부재와,
    상기 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성되는 측정부와,
    상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성되는 검출부를 갖는
    검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재는 접합함으로써 제 1 공간과 제 2 공간의 경계가 되도록 구성되고,
    상기 탄성 부재는 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간을 기밀하게 분리하도록 구성되는
    검출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는 상기 접합 부분을 따라서 배치되고,
    상기 측정부는 상기 탄성 부재의 상기 접합 부분에 따른 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하도록 구성되는
    검출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정부는 상기 탄성 부재의 복수 개소의 저항값을 측정하도록 구성되고,
    상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하도록 구성되는
    검출 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값이, 각각 소정의 정상 범위 내인지에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성되는
    검출 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 저항값의 평균값을 구하고, 상기 복수 개소의 저항값이 상기 평균값으로부터 소정의 허용 범위 내인지에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형이 정상적인가 아닌가를 검출하도록 구성되는
    검출 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출부는 상기 측정부에 의해 측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재의 접합 이상을 검출하도록 구성되는
    검출 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는 도전성의 부위를 포함한 수지에 의해 형성된
    검출 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는 카본 나노 튜브를 포함한 수지에 의해 형성된
    검출 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재는 접합함으로써 챔버를 구성하고,
    상기 탄성 부재는 상기 챔버 내의 공간과 상기 챔버 밖의 공간을 기밀하게 분리하는 시일로서 구성된
    검출 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 기판이며,
    상기 제 2 부재는 상기 기판이 탑재되는 엔드 이펙터이며,
    상기 탄성 부재는 상기 엔드 이펙터의 상기 기판이 탑재되는 탑재면에 마련되고, 상기 엔드 이펙터 내에 형성된 흡인 통로와 연통하는 흡인구가 형성된 패드로서 구성된
    검출 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 부재는 관통 구멍이 형성된 하우징이며,
    상기 제 2 부재는 상기 관통 구멍을 관통하는 회전축이며,
    상기 탄성 부재는 상기 회전축의 주위의 상기 관통 구멍의 측면과의 공간을 매립하는 시일로서 구성된
    검출 장치.
  13. 제 1 부재와 제 2 부재를 접합하는 접합 부분에 상기 제 1 부재와 상기 제 2 부재 사이에 개재되어서 배치되고, 탄성 변형이 가능하게 구성되는 탄성 부재의 복수 개소의 전기적인 특성을 측정하는 공정과,
    측정되는 복수 개소의 전기적인 특성에 기초하여, 상기 탄성 부재의 변형을 검출하는 공정을 포함하는
    검출 방법.
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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스즈키 유스케 외 「카본 나노 튜브 매립 수지에 의한 변형 측정 기술」, 제 25 회 일렉트로닉스 실장 학회 춘계 강연 대회 P363-354, 2011년 3월, 일반 사단법인 일렉트로닉스 실장 학회

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