KR20230169064A

KR20230169064A - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체

Info

Publication number: KR20230169064A
Application number: KR1020230176405A
Authority: KR
Inventors: 유사쿠 하시모토; 다케시 시모아오키; 마사히로 후쿠다; 고오이치로오 다나카
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2015-10-09
Filing date: 2023-12-07
Publication date: 2023-12-15
Also published as: CN113745098B; US10185220B2; US20170102616A1; JP6352230B2; TWI647740B; KR20170042483A; CN113745098A; CN106971941B; KR102635236B1; TW201725607A; CN106971941A; JP2017073522A

Abstract

현상의 진행량이 기판 상의 위치에 따라 변동되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있는 방법, 장치 및 기록 매체를 제공한다.
기판 처리 방법은, 웨이퍼를 제1 회전수로 회전시켜, 접액면을 웨이퍼의 표면에 대향시킨 상태에서, 토출구로부터 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 웨이퍼의 표면 상에 현상액의 액막을 형성하는 것과, 웨이퍼의 표면 상에 액막이 형성된 후에, 토출구로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 웨이퍼를 회전시키는 것과, 제2 회전수로 웨이퍼를 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 웨이퍼를 회전시키는 것과, 제3 회전수로 웨이퍼를 회전시킨 후에, 웨이퍼의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 웨이퍼의 표면 상에 액막을 유지하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}

본 개시는, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체에 관한 것이다.

특허문헌 1에는, 현상액의 토출구와, 토출구의 주위에 형성된 접액면을 갖는 노즐을 사용한 현상 방법이 개시되어 있다. 이 현상 방법은, 기판을 회전시켜, 접액면이 기판의 표면에 대향하도록 노즐을 배치한 상태에서, 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써 기판 상에 현상액의 액막을 형성하는 공정을 포함한다.

일본 특허 공개 제2015-53467호 공보

본 개시는, 현상의 진행량이 기판 상의 위치에 따라 변동되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있는 방법, 장치 및 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 개시에 관한 기판 처리 방법은, 기판을 제1 회전수로 회전시켜, 노즐의 토출구 주위에 형성된 접액면을 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 형성하는 것과, 기판의 표면 상에 액막이 형성된 후에, 토출구로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 기판을 회전시키는 것과, 제2 회전수로 기판을 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 기판을 회전시키는 것과, 제3 회전수로 기판을 회전시킨 후에, 기판의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 기판의 표면 상에 액막을 유지하는 것을 포함한다.

이 기판 처리 방법에 의하면, 액막의 형성 과정에 있어서, 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 공급된 현상액에 노즐의 접액면이 접촉한다. 접액면과 기판의 표면의 상대 운동에 의해, 이들 사이에 있어서는 현상액이 교반된다. 이로 인해, 접액면과 기판의 표면의 사이에 있어서의 현상의 진행 속도의 균일성이 높아진다.

액막의 형성 후에 있어서는, 기판의 회전수가 제1 회전수로부터 제2 회전수로 낮아진 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 높여진다. 기판의 회전수가 제1 회전수로부터 제2 회전수로 내려감으로써, 현상액은 기판의 회전 중심측에 모아지고, 기판의 회전수가 제2 회전수로부터 제3 회전수로 올라감으로써, 현상액은 기판의 외주측으로 확산된다. 기판의 외주측으로 확산되기 전에, 일단 기판의 회전 중심측에 모아짐으로써, 기판의 외주측으로 확산될 때의 현상액의 운동 에너지가 증가하므로, 기판의 회전 중심측의 현상액이 보다 확실하게 기판의 외주측으로 고루 퍼진다. 이에 의해, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성이 높여진다. 이로 인해, 액막의 형성 후에 있어서도 현상의 진행 속도의 균일성이 높아진다.

이와 같이, 액막의 형성 과정 및 액막의 형성 후의 양쪽에 있어서, 현상의 진행 속도의 균일성이 높아지므로, 현상의 진행량이 기판 상의 위치에 따라 변동되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 기판의 외주측으로부터 회전 중심측으로 노즐을 이동시켜도 된다. 이 경우, 기판의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 공급이, 기판의 외주측에 있어서의 현상액의 공급에 비해 이후에 행해지므로, 액막의 형성 직후에는, 기판의 회전 중심측에 근접함에 따라 현상액의 선도가 높은 상태가 된다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때에는, 선도가 낮은 외주측의 현상액이 선도가 높은 회전 중심측의 현상액에 의해 치환되게 된다. 현상액의 선도가 높아지는 것에 따라서, 현상액의 농도의 균일성도 높아지는 경향이 있으므로, 선도가 낮은 현상액을 선도가 높은 현상액에 의해 치환함으로써, 액막 중에 있어서의 현상액의 농도의 균일성이 더욱 높아진다. 이에 의해, 현상의 진행 속도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

기판의 표면 상에 액막을 형성한 후, 제2 회전수에서의 기판의 회전이 완료되기 전에, 접액면을 기판의 표면으로부터 이격시키는 것을 더 포함해도 된다. 이 경우, 제2 회전수에서의 기판의 회전이 완료되기 전에, 접액면과 기판의 표면의 사이를 넓혀 둠으로써, 액막 중의 현상액을 보다 확실하게 기판의 회전 중심측에 가까이 댈 수 있다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

접액면을 기판의 표면으로부터 이격시키는 것은, 제1 속도로, 접액면을 기판의 표면으로부터 제1 거리까지 이격시키는 것과, 접액면이 기판의 표면으로부터 제1 거리까지 이격된 상태를 유지한 후에, 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 접액면을 더욱 이격시키는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 제1 속도로, 접액면을 기판의 표면으로부터 제1 거리까지 이격시킨 후에, 접액면과 기판의 표면의 거리를 유지함으로써, 접액면과 액막의 접촉면이 축소된다. 그 후, 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 접액면을 더욱 이격시킴으로써, 접액면이 액막으로부터 이격될 때에 있어서의 현상액의 끊어짐이 억제된다. 이들의 점으로부터, 접액면이 액막으로부터 이격될 때, 접액면에 현상액이 잔류하기 어려워지므로, 액막으로부터 이격된 접액면으로부터의 드리핑의 발생이 억제된다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

제1 거리는, 현상액의 액막과 접액면의 사이에 액 기둥이 형성되는 거리여도 된다. 이 경우, 접액면을 기판의 표면으로부터 제1 거리까지 이격시키는 과정에 있어서, 현상액의 끊어짐이 방지된 상태에서, 접액면과 액막의 접촉면이 보다 확실하게 축소된다. 이로 인해, 접액면이 액막으로부터 이격될 때, 접액면에 현상액이 잔류하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 노즐의 이동 속도를 도중에 변경해도 된다. 이 경우, 노즐의 이동 속도를 변경함으로써, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다. 또한, 액막에 있어서의 「현상액의 양」이라 함은, 액막의 단위 면적당 현상액의 양을 의미한다. 이하에 있어서도 마찬가지이다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구가 기판의 회전 중심에 근접하는 것에 따라서 노즐의 이동 속도를 저하시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 기판의 회전 중심측의 현상액이 보다 확실하게 기판의 외주측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구로부터의 현상액의 토출량을 도중에 변경해도 된다. 이 경우, 토출구로부터의 현상액의 토출량을 변경함으로써, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구가 기판의 회전 중심에 근접하는 것에 따라서 토출구로부터의 현상액의 토출량을 증가시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 기판의 회전 중심측의 현상액이 보다 확실하게 기판의 외주측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구가 기판의 회전 중심으로부터 어긋나는 위치를 종점으로 하여 노즐을 이동시켜도 된다. 이 경우, 노즐의 이동을 정지시키는 위치에 따라, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 조절할 수 있다. 예를 들어, 토출구가 기판의 회전 중심에 도달하기 전에 노즐의 이동을 정지시킴으로써, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 저감시킬 수 있다. 한편, 토출구가 기판의 회전 중심을 통과할 때까지 노즐을 이동시킴으로써, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 증가시킬 수 있다. 이로 인해, 노즐의 이동을 정지시키는 위치에 따라, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 따라서, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구가 기판의 회전 중심으로부터 어긋나고, 기판의 회전 중심이 접액면을 통과하는 위치를 종점으로 하여 노즐을 이동시켜도 된다. 이 경우, 토출구가 기판의 회전 중심으로부터 어긋나는 위치에서 노즐의 이동을 정지하는 경우라도, 노즐의 접액면이 대향하는 범위는 기판의 표면의 전역에 걸친다. 이로 인해, 현상액을 보다 확실하게 기판의 회전 중심까지 도포할 수 있다. 따라서, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 액막을 형성할 때, 토출구가 기판의 회전 중심을 통과할 때까지 노즐을 이동시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 기판을 제3 회전수로 회전시킬 때, 기판의 회전 중심측의 현상액이 보다 확실하게 기판의 외주측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

본 개시에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와, 현상액의 토출구와, 토출구의 주위에 형성된 접액면을 포함하는 노즐과, 노즐을 반송하기 위한 노즐 반송 기구를 갖고, 기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 컨트롤러를 구비하고, 컨트롤러는, 기판을 제1 회전수로 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하고, 접액면을 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면을 접촉시키면서 노즐을 이동시킴으로써, 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 형성하도록 현상액 공급부를 제어하는 것과, 기판의 표면 상에 액막이 형성된 후에, 토출구로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 기판을 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것과, 제2 회전수로 기판을 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 기판을 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것과, 제3 회전수로 기판을 회전시킨 후에, 기판의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 기판의 표면 상에 액막을 유지하도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.

본 개시에 관한 기록 매체는, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다.

본 개시에 따르면, 현상의 진행량이 기판 상의 위치에 따라 변동되는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.

도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 사시도.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도.
도 3은 도 2 중의 III-III선을 따르는 단면도.
도 4는 현상 유닛의 개략 구성을 도시하는 모식도.
도 5는 노즐의 일례를 도시하는 사시도.
도 6은 현상 처리 순서의 흐름도.
도 7은 액막의 형성 중에 있어서의 기판의 상태를 도시하는 모식도.
도 8은 액막의 형성 중에 있어서의 기판의 상태를 도시하는 모식도.
도 9는 액체 농도의 조정 중에 있어서의 기판의 상태를 도시하는 모식도.
도 10은 액막으로부터 이격될 때의 노즐의 상태를 도시하는 모식도.
도 11은 린스액의 공급 중에 있어서의 기판의 상태를 도시하는 모식도.

이하, 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.

〔기판 처리 시스템〕

기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대해, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들어 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은, 예를 들어 레지스트막이다. 기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 웨이퍼(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.

〔기판 처리 장치〕

이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1∼도 3에 도시하는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 컨트롤러(100)를 구비한다.

캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내에의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들어, 캐리어 블록(4)은 웨이퍼(W)용 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하고, 전달 아암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는, 예를 들어 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.

처리 블록(5)은, 복수의 처리 모듈(14, 15, 16, 17)을 갖는다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리 모듈(14, 15, 16, 17)은, 복수의 액 처리 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있다. 처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암(A6)을 더 내장하고 있다. 액 처리 유닛(U1)은, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들어 열판 및 냉각판을 내장하고 있고, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열 처리를 행한다.

처리 모듈(14)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(14)의 액 처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반되는 각종 열 처리를 행한다.

처리 모듈(15)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용 처리액을 하층막의 위에 도포한다. 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반되는 각종 열 처리를 행한다.

처리 모듈(16)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(16)의 액 처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용 액체를 레지스트막의 위에 도포한다. 처리 모듈(16)의 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반되는 각종 열 처리를 행한다.

처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1)은, 노광 완료된 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이것을 린스액에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반되는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.

처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.

처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.

인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들어 인터페이스 블록(6)은 전달 아암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 아암(A8)은, 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시킨다.

컨트롤러(100)는, 예를 들어 이하의 순서로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 컨트롤러(100)는 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)에 반송하도록 전달 아암(A1)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)용 셀에 배치하도록 승강 아암(A7)을 제어한다.

다음으로 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15)용 셀에 배치하도록 승강 아암(A7)을 제어한다.

다음으로 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 반송하도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16)용 셀에 배치하도록 승강 아암(A7)을 제어한다.

다음으로 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17)용 셀에 배치하도록 승강 아암(A7)을 제어한다.

다음으로 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)에 반송하도록 직접 반송 아암(A6)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 송출하도록 전달 아암(A8)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여 선반 유닛(U11)으로 복귀시키도록 전달 아암(A8)을 제어한다.

다음으로 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17) 내의 각 유닛에 반송하도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 그 후 컨트롤러(100)는 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 복귀시키도록 반송 아암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(11) 내로 복귀시키도록 승강 아암(A7) 및 전달 아암(A1)을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.

또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 현상 처리용 액 처리 유닛(U1)(처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1))과, 이것을 제어 가능한 컨트롤러(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.

〔현상 유닛〕

계속해서, 처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1)에 대해 상세하게 설명한다. 처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1)으로서 현상 유닛(20)을 갖는다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 현상 유닛(20)은 회전 보유 지지부(30)와, 현상액 공급부(40)를 갖는다.

회전 보유 지지부(30)는, 기판을 보유 지지하여 회전시킨다. 예를 들어 회전 보유 지지부(30)는, 보유 지지 기구(31)와 회전 기구(32)를 갖는다. 보유 지지 기구(31)는, 수평하게 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 당해 웨이퍼(W)를 예를 들어 진공 흡착 등에 의해 보유 지지한다. 회전 기구(32)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로서 내장하고, 연직인 회전 중심 RC 주위로 보유 지지 기구(31)를 회전시킨다. 이에 의해, 회전 중심 RC 주위로 웨이퍼(W)가 회전한다.

현상액 공급부(40)는, 웨이퍼(W)의 표면 Wa에 현상액을 공급한다. 현상액은, 노광 후의 레지스트막의 제거 대상 부분을 제거하기 위한 처리액이다. 레지스트막의 제거 대상 부분은, 노광 처리 후에 있어서 현상액에 대해 가용인 부분이다. 현상액이 포지티브형인 경우에는, 노광 처리에 있어서 노광된 부분이 현상액에 대해 가용이다. 현상액이 네거티브형인 경우에는, 노광 처리에 있어서 노광되지 않은 부분이 현상액에 대해 가용이다. 포지티브형의 현상액의 구체예로서는, 알칼리 용액을 들 수 있다. 네거티브형의 현상액의 구체예로서는, 유기 용제를 들 수 있다.

현상액 공급부(40)는, 예를 들어 노즐(41)과, 탱크(44)와, 펌프(46)와, 밸브(47)와, 노즐 반송 기구(48)를 갖는다.

노즐(41)은, 웨이퍼(W)의 표면 Wa를 향해 현상액을 토출한다. 노즐(41)은, 도 5에 도시하는 바와 같이, 현상액의 토출구(42)와, 토출구(42)의 주위에 형성된 접액면(43)을 포함한다. 예를 들어 노즐(41)은, 원형의 접액면(43)을 갖고, 토출구(42)는 접액면(43)의 중앙부에 개구되어 있다. 접액면(43)의 면적은, 웨이퍼(W)의 표면 Wa의 면적에 비해 작다. 접액면(43)의 면적은, 웨이퍼(W)의 표면 Wa의 면적에 비해 예를 들어 1∼11％이고, 1∼3％여도 된다.

도 4로 되돌아가, 노즐(41)은, 관로(45)를 통해 탱크(44)에 접속되어 있다. 탱크(44)는 현상액을 수용한다. 펌프(46) 및 밸브(47)는, 관로(45)에 설치되어 있다. 펌프(46)는, 예를 들어 벨로우즈 펌프이며, 탱크(44)로부터 노즐(41)에 현상액을 압송한다. 밸브(47)는, 예를 들어 에어 오퍼레이션 밸브이며, 관로(45) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(47)를 제어함으로써, 노즐(41)로부터 현상액을 토출하는 상태와, 노즐(41)로부터 현상액을 토출하지 않는 상태의 전환이 가능하다. 또한, 펌프(46) 및 밸브(47) 중 적어도 한쪽을 제어함으로써, 노즐(41)로부터의 현상액의 토출량을 조절하는 것도 가능하다.

노즐 반송 기구(48)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 하여 노즐(41)을 반송한다. 구체적으로, 노즐 반송 기구(48)는, 노즐(41)의 접액면(43)을 하방을 향하게 한 상태에서, 웨이퍼(W)의 상방을 가로지르도록 노즐(41)을 반송한다.

노즐 반송 기구(48)는, 웨이퍼(W)의 회전 중심 RC를 통과하는 경로를 따라 노즐(41)을 반송해도 되고, 회전 중심 RC에 대해 어긋난 경로를 따라 노즐(41)을 반송해도 된다. 노즐 반송 기구(48)는, 직선 형상의 경로를 따라 노즐(41)을 반송해도 되고, 구부러진 경로를 따라 노즐(41)을 반송해도 된다.

노즐 반송 기구(48)는, 상술한 바와 같이 노즐(41)을 반송하는 것 외에, 노즐(41)을 승강시킬 수 있도록 구성되어 있어도 된다. 환언하면, 노즐 반송 기구(48)는, 전동 모터 등을 동력원으로 하여 웨이퍼(W)의 상방을 가로지르도록 노즐(41)을 반송하는 기구와, 전동 모터 등을 동력원으로 하여 노즐(41)을 승강시키기 위한 기구를 가져도 된다.

린스액 공급부(50)는, 웨이퍼(W)의 표면 Wa에 린스액을 공급한다. 린스액은, 현상액을 씻어내기 위한 처리액이며, 예를 들어 순수이다.

린스액 공급부(50)는, 예를 들어 노즐(51)과, 탱크(52)와, 펌프(54)와, 밸브(55)와, 노즐 반송 기구(56) 갖는다.

노즐(51)은 웨이퍼(W)의 표면 Wa를 향해 린스액을 토출한다. 노즐(51)은, 관로(53)를 통해 탱크(52)에 접속되어 있다. 탱크(52)는 린스액을 수용한다. 펌프(54) 및 밸브(55)는, 관로(53)에 설치되어 있다. 펌프(54)는, 예를 들어 벨로우즈 펌프이며, 탱크(52)로부터 노즐(51)에 린스액을 압송한다. 밸브(55)는, 예를 들어 에어 오퍼레이션 밸브이며, 관로(53) 내의 개방도를 조절한다. 밸브(55)를 제어함으로써, 노즐(51)로부터 린스액을 토출하는 상태와, 노즐(51)로부터 린스액을 토출하지 않는 상태로의 전환이 가능하다. 또한, 펌프(54) 및 밸브(55) 중 적어도 한쪽을 제어함으로써, 노즐(51)로부터의 린스액의 토출량을 조절하는 것도 가능하다.

노즐 반송 기구(56)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 하여 노즐(51)을 반송한다. 구체적으로, 노즐 반송 기구(56)는, 노즐(51)의 토출구를 하방을 향하게 한 상태에서, 웨이퍼(W)의 상방을 가로지르도록 노즐(51)을 반송한다.

이와 같이 구성된 현상 유닛(20)은, 상술한 컨트롤러(100)에 의해 제어된다. 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 제1 회전수로 회전시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하고, 접액면(43)을 표면 Wa에 대향시킨 상태에서, 토출구(42)로부터 표면 Wa에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 현상액의 액막을 형성하는 것과, 표면 Wa 상에 액막이 형성된 후에, 토출구(42)로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하는 것과, 제2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하는 것과, 제3 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨 후에, 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 표면 Wa 상에 액막을 유지하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.

예를 들어 컨트롤러(100)는, 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 함) 으로서, 액막 형성 제어부(111)와, 액막 조정 제어부(112)와, 액막 유지 제어부(113)와, 세정 제어부(114)와, 건조 제어부(115)를 갖는다. 액막 형성 제어부(111)는, 표면 Wa 상에 현상액의 액막을 형성하도록 회전 보유 지지부(30) 및 현상액 공급부(40)를 제어한다. 액막 조정 제어부(112)는, 웨이퍼(W)의 회전수의 변경에 의해, 표면 Wa 상에 형성된 액막의 상태를 조정하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 액막 유지 제어부(113)는, 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 유지하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 세정 제어부(114)는, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 표면 Wa 상에 린스액을 공급함으로써, 현상액을 씻어내도록 회전 보유 지지부(30) 및 린스액 공급부(50)를 제어한다. 건조 제어부(115)는, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 표면 Wa 상의 액체를 떨쳐내도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다.

이러한 컨트롤러(100)는, 예를 들어 1개 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 이 경우, 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈은, 제어용 컴퓨터의 프로세서 및 메모리 등의 협동에 의해 구성된다. 제어용 컴퓨터를 컨트롤러(100)로서 기능시키기 위한 프로그램은, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있어도 된다. 이 경우, 기록 매체는, 후술하는 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한다. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크, 메모리 카드 등을 들 수 있다.

또한, 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈을 구성하는 하드웨어는, 반드시 프로세서 및 메모리 등에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 컨트롤러(100)의 각 요소는, 그 기능에 특화된 전기 회로에 의해 구성되어 있어도 되고, 당해 전기 회로를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.

〔현상 처리 순서〕

계속해서, 기판 처리 방법의 일례로서, 도포·현상 장치(2)에 의해 실행되는 현상 처리 순서에 대해 설명한다. 이하에 설명하는 순서는, 현상 처리 전의 웨이퍼(W)가 반송 아암(A3)에 의해 현상 유닛(20) 내에 반입되고, 보유 지지 기구(31)에 의해 보유 지지된 후, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)가 반송 아암(A3)에 의해 현상 유닛(20) 외부로 반출되기 전까지의 순서이다. 이 순서는, 컨트롤러(100)가 현상 유닛(20)의 각 부를 제어함으로써 실행된다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러(100)는, 먼저 스텝 S01∼S05를 차례로 실행한다. 스텝 S01에서는, 회전 보유 지지부(30)가, 웨이퍼(W)의 회전을 개시하고, 그 회전수를 제1 회전수 ω1로 하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다(도 7의 (a) 참조). 제1 회전수 ω1은, 표면 Wa 상에 공급된 현상액을 원심력에 의해 떨쳐내는 일 없이 표면 Wa 상에 머무르게 하는 회전수이다. 이러한 제1 회전수 ω1은, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제1 회전수 ω1은, 예를 들어 40∼90rpm이고, 55∼65rpm이어도 된다.

스텝 S02에서는, 노즐(41)을 현상액의 도포 개시 위치에 배치하도록, 액막 형성 제어부(111)가 현상액 공급부(40)를 제어한다. 액막 형성 제어부(111)는, 노즐 반송 기구(48)에 의해 노즐(41)을 반송함으로써, 표면 Wa 중 현상액을 최초에 도포하는 영역에 접액면(43)을 대향시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다. 표면 Wa 중 현상액을 최초에 도포하는 영역은, 웨이퍼(W)의 외주 Wb측의 영역이어도 된다. 외주 Wb측의 영역이라 함은, 표면 Wa 내에 있어서, 외주 Wb 상의 1점측에 편심된 영역이다.

스텝 S03에서는, 탱크(44)로부터 노즐(41)에 현상액 DF를 공급하고, 노즐(41)로부터의 현상액 DF의 토출을 개시하도록, 액막 형성 제어부(111)가 현상액 공급부(40)를 제어한다(도 7의 (a) 참조).

스텝 S04에서는, 현상액 DF에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐 반송 기구(48)에 의해 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 현상액 DF의 액막 LF를 형성하도록, 액막 형성 제어부(111)가 현상액 공급부(40)를 제어한다(도 7의 (b) 및 (c) 참조). 예를 들어 액막 형성 제어부(111)는, 표면 Wa의 상방을 가로지르는 경로를 따라 노즐(41)을 이동시키도록 현상액 공급부(40)를 제어한다. 이에 의해, 표면 Wa 상에 현상액 DF이 나선 형상으로 도포되어, 액막 LF가 형성된다.

액막 형성 제어부(111)는, 웨이퍼(W)의 외주 Wb측으로부터 회전 중심 RC측으로 노즐(41)을 이동시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

액막 형성 제어부(111)는, 노즐(41)의 이동 중에, 노즐(41)의 이동 속도를 변경하도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 예를 들어 액막 형성 제어부(111)는, 토출구(42)가 회전 중심 RC에 근접하는 것에 따라서 노즐(41)의 이동 속도를 저하시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

액막 형성 제어부(111)는, 노즐(41)의 이동 중에, 토출구(42)로부터의 현상액 DF의 토출량을 변경하도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 예를 들어 액막 형성 제어부(111)는, 토출구(42)가 회전 중심 RC에 근접하는 것에 따라서 토출구(42)로부터의 현상액 DF의 토출량을 증가시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

액막 형성 제어부(111)는, 토출구(42)가 회전 중심 RC와 일치하는 위치를 종점으로 하여 노즐(41)을 이동시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 즉, 액막 형성 제어부(111)는 토출구(42)가 회전 중심 RC 상에 위치한 시점에서 노즐(41)의 이동을 정지하도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

액막 형성 제어부(111)는, 토출구(42)가 회전 중심 RC로부터 어긋나는 위치를 종점으로 하여 노즐(41)을 이동시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다. 예를 들어, 액막 형성 제어부(111)는 토출구(42)가 회전 중심 RC에 도달하기 전에 노즐(41)의 이동을 정지해도 되고(도 8의 (a) 참조), 토출구(42)가 회전 중심 RC를 통과할 때까지 노즐(41)을 이동시켜도 된다(도 8의 (b) 참조). 어느 경우에 있어서도, 액막 형성 제어부(111)는 토출구(42)가 회전 중심 RC로부터 어긋남과 함께, 회전 중심 RC가 접액면(43)을 통과하는 위치를 종점으로 해도 된다.

스텝 S05에서는, 노즐(41)로부터의 현상액 DF의 토출을 정지하도록, 액막 형성 제어부(111)가 현상액 공급부(40)를 제어한다.

다음으로, 컨트롤러(100)는 스텝 S06∼S09를 차례로 실행한다. 스텝 S06에서는, 액막 조정 제어부(112)가, 웨이퍼(W)의 회전수를 제1 회전수 ω1로부터 제2 회전수 ω2로 변경하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 제2 회전수 ω2는, 제1 회전수 ω1에 비해 낮다. 제2 회전수 ω2는, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제2 회전수 ω2는, 예를 들어 0∼20rpm이고, 5∼15rpm이어도 된다. 여기에 예시한 바와 같이, 제2 회전수 ω2는 0이어도 된다. 즉, 제1 회전수 ω1을 제2 회전수 ω2로 변경하는 것은, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키는 것도 포함한다.

스텝 S07에서는, 액막 조정 제어부(112)가, 스텝 S06의 실행 후의 상태(웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 ω2로 되어 있는 상태)를 유지하여 제1 처리 시간의 경과를 대기한다. 제1 처리 시간은, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제1 처리 시간은, 예를 들어 1∼2초이다.

스텝 S08에서는, 액막 조정 제어부(112)가, 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수 ω2로부터 제3 회전수 ω3으로 변경하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 제3 회전수 ω3은, 제1 회전수 ω1에 비해 높다. 더욱 구체적으로, 제3 회전수 ω3은, 액막 LF를 이루는 현상액 DF의 일부를 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외주 Wb측으로 이동시키는 회전수이다. 이러한 제3 회전수 ω3은, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제3 회전수 ω3은, 예를 들어 90∼200rpm이고, 80∼120rpm이어도 된다.

스텝 S09에서는, 액막 조정 제어부(112)가, 스텝 S08의 실행 후의 상태(웨이퍼(W)의 회전수가 제3 회전수 ω3으로 되어 있는 상태)를 유지하여 제2 처리 시간의 경과를 대기한다. 제2 처리 시간은, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제2 처리 시간은, 예를 들어 1∼2초이다.

스텝 S06∼S09에 의해, 액막 LF의 막 두께 및 액막 LF 중의 현상액 DF의 농도의 균일성이 높아진다. 현상액 DF의 농도라 함은, 현상액 DF 중 현상 처리에 기여하는 성분의 농도를 의미한다.

도 9를 참조하여, 스텝 S06∼S09의 실행에 의해 액막 LF에 발생하는 현상을 설명한다. 액막 LF를 형성하는 과정에 있어서, 상술한 바와 같이 노즐(41)을 웨이퍼(W)의 외주 Wb측으로부터 회전 중심 RC측으로 이동시키는 경우에는, 외주 Wb측에 있어서의 현상액의 공급이 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 공급에 선행한다. 이에 의해, 외주 Wb측에 공급된 현상액 DF는, 회전 중심 RC측에 공급된 현상액에 비해 조기에 열화되므로, 액막 LF의 형성 직후에 있어서는 회전 중심 RC에 근접함에 따라 현상액의 선도가 높은 상태가 된다. 또한, 현상액의 열화라 함은, 현상 처리의 진행 등에 기인하여 현상액의 농도가 저하되는 것을 의미하고, 현상액의 선도라 함은 현상액의 열화의 적음을 의미한다.

도 9는, 액막 LF 중에 있어서의 현상액 DF의 상태를 모식적으로 도시하기 위해, 액막 LF 중의 현상액 DF를 신선한 현상액 DF1 및 열화된 현상액 DF2로 이분하여 나타낸 것이다. 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 액막 LF의 형성 직후에 있어서는, 회전 중심 RC에 근접함에 따라 현상액의 선도가 높아진다.

상술한 스텝 S06, S07에 있어서, 제1 회전수 ω1이 제2 회전수 ω2로 변경되면, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이 현상액 DF가 회전 중심 RC측에 모인다. 이에 의해, 신선한 현상액 DF1이 회전 중심 RC측에 집중된다. 그 후, 스텝 S08, S09에 있어서, 제2 회전수 ω2가 제3 회전수 ω3으로 변경되면, 도 9의 (c) 및 (d)에 도시하는 바와 같이 현상액 DF가 외주 Wb측으로 확산되어, 여분의 현상액 DF가 외주측으로 떨쳐 내어진다. 이것에 수반하여, 신선한 현상액 DF1이 외주 Wb측으로 확산되고, 열화된 현상액 DF2가 신선한 현상액 DF1로 치환된다. 이에 의해, 액막 LF의 막 두께 및 액막 LF 중의 현상액 DF의 농도의 균일성이 높아진다.

또한, 스텝 S06은 스텝 S05에 앞서 실행되어도 된다. 스텝 S05는, 적어도 스텝 S07의 완료 전에 실행되면 된다. 즉, 제2 회전수 ω2로 웨이퍼(W)를 회전시키는 기간의 적어도 일부가, 현상액 DF1의 공급이 정지된 후로 되어 있으면 된다.

스텝 S04의 실행 후, 스텝 S07의 완료까지의 동안에, 액막 조정 제어부(112)는 노즐(41)을 상승시켜 접액면(43)을 웨이퍼(W)로부터 이격시키도록 현상액 공급부(40)를 제어하는 것을 더 실행해도 된다. 즉, 도포·현상 장치(2)에 의한 현상 처리 순서는, 웨이퍼(W) 상에 액막 LF를 형성한 후, 제2 회전수 ω2에서의 웨이퍼(W)의 회전이 완료되기 전에, 접액면(43)을 웨이퍼(W)로부터 이격시키는 것을 더 포함해도 된다. 접액면(43)을 웨이퍼(W)로부터 이격시키는 것은, 스텝 S05의 전후의 어느 쪽에서 실행되어도 되고, 스텝 S06의 전후의 어느 쪽에서 실행되어도 된다.

접액면(43)을 웨이퍼(W)로부터 이격시키는 것은, 제1 속도 V1로, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 제1 거리 D1까지 이격시키는 것과(도 10의 (a) 참조), 접액면(43)이 표면 Wa로부터 제1 거리 D1까지 이격된 상태를 유지한 후에, 제1 속도 V1에 비해 낮은 제2 속도 V2로 접액면(43)을 더욱 이격시키는 것(도 10의 (b) 참조)을 포함해도 된다. 즉, 액막 조정 제어부(112)는, 접액면(43)을 웨이퍼(W)로부터 이격시킬 때, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 제1 거리 D1까지 이격시키고, 그 상태를 유지한 후에, 제1 속도 V1에 비해 낮은 제2 속도 V2로 접액면(43)을 더욱 이격시키도록 현상액 공급부(40)를 제어해도 된다.

제1 거리 D1은, 액막 LF와 접액면(43) 사이에 액 기둥 LC가 형성되는 거리여도 된다(도 10의 (a) 참조). 이러한 거리는, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다.

도 6으로 되돌아가, 컨트롤러(100)는, 다음으로 스텝 S10, S11을 실행한다. 스텝 S10에서는, 액막 유지 제어부(113)가 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수 ω2 이하로 함으로써, 표면 Wa 상에 액막 LF를 유지하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 그 일례로서, 액막 유지 제어부(113)는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어해도 된다.

스텝 S11에서는, 액막 유지 제어부(113)가, 스텝 S10의 실행 후의 상태(웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 ω2 이하로 되어 있는 상태)를 유지하여 제3 처리 시간의 경과를 대기한다. 이 사이에, 액막 LF 중의 현상액 DF에 의해 현상이 더 진행된다. 제3 처리 시간은, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제3 처리 시간은, 예를 들어 10∼30초이고, 15∼25초여도 된다.

다음으로, 컨트롤러(100)는 스텝 S12∼S14를 차례로 실행한다. 스텝 S12에서는, 노즐 반송 기구(56)에 의해 노즐(51)을 반송하고, 웨이퍼(W)의 회전 중심 RC 상에 배치하도록, 세정 제어부(114)가 린스액 공급부(50)를 제어한다.

스텝 S13에서는, 세정 제어부(114)가 표면 Wa 상의 현상액 DF를 씻어내도록 회전 보유 지지부(30) 및 린스액 공급부(50)를 제어한다. 예를 들어 세정 제어부(114)는, 제3 회전수 ω3에 비해 높은 제4 회전수 ω4로 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어하면서, 탱크(52)로부터 노즐(51)에 린스액 CF를 보내 표면 Wa의 중앙부에 공급하도록 린스액 공급부(50)를 제어한다(도 11의 (a) 참조). 제4 회전수 ω4는, 사전의 조건 제시에 의해 적절하게 설정 가능하다. 제4 회전수 ω4는, 예를 들어 500∼2000rpm이다. 표면 Wa 상에 공급된 린스액 CF는, 원심력에 의해 외주 Wb측으로 확산되면서 현상액 DF를 씻어낸다(도 11의 (b) 참조). 그 후 세정 제어부(114)는, 린스액 CF의 공급을 정지하도록 린스액 공급부(50)를 제어한다.

스텝 S14에서는, 건조 제어부(115)가, 표면 Wa 상의 액체를 제거하도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다. 예를 들어 건조 제어부(115)는, 제4 회전수 ω4에 비해 높은 제5 회전수 ω5로 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(30)를 제어한다(도 11의 (c) 참조). 제5 회전수 ω5는, 예를 들어 1500∼3000rpm이다. 이상으로 현상 처리 순서가 완료된다.

〔본 실시 형태의 효과〕

본 실시 형태에 관한 현상 처리 순서는, 웨이퍼(W)를 제1 회전수로 회전시켜, 접액면(43)을 표면 Wa에 대향시킨 상태에서, 토출구(42)로부터 표면 Wa에 현상액을 공급하고, 현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 현상액의 액막을 형성하는 것과, 표면 Wa 상에 액막이 형성된 후에, 토출구(42)로부터의 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것과, 제2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것과, 제3 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨 후에, 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수 이하로 함으로써, 표면 Wa 상에 액막을 유지하는 것을 포함한다.

이 현상 처리 순서에 의하면, 액막의 형성 과정에 있어서, 토출구(42)로부터 표면 Wa에 공급된 현상액에 접액면(43)이 접촉한다. 접액면(43)과 표면 Wa의 상대 운동에 의해, 이들 사이에 있어서는 현상액이 교반된다. 이로 인해, 접액면(43)과 표면 Wa 사이에 있어서의 현상의 진행 속도의 균일성이 높아진다.

액막의 형성 후에 있어서는, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수로부터 제2 회전수로 낮아진 후에, 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 높아진다. 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수로부터 제2 회전수로 내려감으로써, 현상액은 웨이퍼(W)의 회전 중심 RC측으로 모이고, 웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수로부터 제3 회전수로 올라감으로써, 현상액은 웨이퍼(W)의 외주 Wb측으로 확산된다. 외주 Wb측으로 확산되기 전에, 일단 회전 중심 RC측에 모임으로써, 외주 Wb측으로 확산될 때의 현상액 운동 에너지가 증가하므로, 회전 중심 RC측의 현상액이 보다 확실하게 외주 Wb측으로 고루 퍼진다. 이에 의해, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성이 높여진 상태에서, 당해 액막이 표면 Wa 상에 유지된다. 이로 인해, 액막의 형성 후에 있어서도 현상의 진행 속도의 균일성이 높아진다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 외주 Wb측으로부터 회전 중심 RC측으로 노즐(41)을 이동시켜도 된다. 이 경우, 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 공급이, 외주 Wb측에 있어서의 현상액의 공급에 비해 이후에 행해지므로, 액막의 형성 직후에는, 회전 중심 RC에 근접함에 따라 현상액의 선도가 높은 상태가 된다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때에는, 선도가 낮은 외주 Wb측의 현상액이 선도가 높은 회전 중심 RC측의 현상액에 의해 치환되게 된다. 현상액의 선도가 높아지는 것에 따라서, 현상액의 농도의 균일성도 높아지는 경향이 있으므로, 선도가 낮은 현상액을 선도가 높은 현상액에 의해 치환함으로써, 액막 중에 있어서의 현상액의 농도의 균일성이 더욱 높아진다. 이에 의해, 현상의 진행 속도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

표면 Wa 상에 액막을 형성한 후, 제2 회전수에서의 웨이퍼(W)의 회전이 완료되기 전에, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 이격시키는 것을 더 포함해도 된다. 이 경우, 제2 회전수에서의 웨이퍼(W)의 회전이 완료되기 전에, 접액면(43)과 표면 Wa의 사이를 넓혀 둠으로써, 액막 중의 현상액을 보다 확실하게 회전 중심 RC측에 가까이 댈 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

접액면(43)을 표면 Wa로부터 이격시키는 것은, 제1 속도로, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 제1 거리까지 이격시키는 것과, 접액면(43)이 표면 Wa로부터 제1 거리까지 이격된 상태를 유지한 후에, 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 접액면(43)을 더욱 이격시키는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 제1 속도로, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 제1 거리까지 이격시킨 후에, 접액면(43)과 표면 Wa의 거리를 유지함으로써, 접액면(43)과 액막의 접촉면이 축소된다. 그 후, 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 접액면(43)을 더욱 이격시킴으로써, 접액면(43)이 액막으로부터 이격될 때에 있어서의 현상액의 끊어짐이 억제된다. 이들의 점으로부터, 접액면(43)이 액막으로부터 이격될 때, 접액면(43)에 현상액이 잔류하기 어려워지므로, 액막으로부터 이격된 접액면(43)으로부터의 드리핑의 발생이 억제된다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 더욱 높일 수 있다.

제1 거리는, 현상액의 액막과 접액면(43) 사이에 액 기둥이 형성되는 거리여도 된다. 이 경우, 접액면(43)을 표면 Wa로부터 제1 거리까지 이격시키는 과정에 있어서, 현상액의 끊어짐이 방지된 상태에서, 접액면(43)과 액막의 접촉면이 보다 확실하게 축소된다. 이로 인해, 접액면(43)이 액막으로부터 이격될 때, 접액면(43)에 현상액이 잔류하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 노즐(41)의 이동 속도를 도중에 변경해도 된다. 이 경우, 노즐(41)의 이동 속도를 변경함으로써, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)가 회전 중심 RC에 근접하는 것에 따라서 노즐(41)의 이동 속도를 저하시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주 Wb측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 회전 중심 RC측의 현상액이 보다 확실하게 외주 Wb측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)로부터의 현상액의 토출량을 도중에 변경해도 된다. 이 경우, 토출구(42)로부터의 현상액의 토출량을 변경함으로써, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)가 회전 중심 RC에 근접하는 것에 따라서 토출구(42)로부터의 현상액의 토출량을 증가시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주 Wb측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 회전 중심 RC측의 현상액이 보다 확실하게 외주 Wb측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)가 회전 중심 RC로부터 어긋나는 위치를 종점으로 하여 노즐(41)을 이동시켜도 된다. 이 경우, 노즐(41)의 이동을 정지시키는 위치에 따라, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 조절할 수 있다. 예를 들어, 토출구(42)가 웨이퍼(W)의 회전 중심에 도달하기 전에 노즐(41)의 이동을 정지시킴으로써, 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 저감시킬 수 있다. 한편, 토출구(42)가 회전 중심 RC를 통과할 때까지 노즐(41)을 이동시킴으로써, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 증가시킬 수 있다. 이로 인해, 노즐(41)의 이동을 정지시키는 위치에 따라, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양을 보다 확실하게 적정화할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)가 회전 중심 RC로부터 어긋나고, 회전 중심 RC가 접액면(43)을 통과하는 위치를 종점으로 하여 노즐(41)을 이동시켜도 된다. 이 경우, 토출구(42)가 회전 중심 RC로부터 어긋나는 위치에서 노즐(41)의 이동을 정지하는 경우라도, 노즐(41)의 접액면(43)이 대향하는 범위는 표면 Wa의 전역에 걸친다. 이로 인해, 현상액을 보다 확실하게 회전 중심 RC까지 도포할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

현상액에 접액면(43)을 접촉시키면서 노즐(41)을 이동시킴으로써, 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 토출구(42)가 회전 중심 RC를 통과할 때까지 노즐(41)을 이동시켜도 된다. 이 경우, 액막의 형성 직후에는, 액막의 외주 Wb측에 있어서의 현상액의 양에 비해, 액막의 회전 중심 RC측에 있어서의 현상액의 양이 많아진다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 제3 회전수로 회전시킬 때, 회전 중심 RC측의 현상액이 보다 확실하게 외주 Wb측으로 고루 퍼지므로, 액막의 막 두께 및 액막 중의 현상액의 농도의 균일성을 보다 확실하게 높일 수 있다.

이상, 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 개시는 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다. 예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 외주 Wb측으로부터 회전 중심 RC측으로 노즐(41)을 이동시키는 경우를 예시하였지만, 이것과는 반대로, 웨이퍼(W)의 표면 Wa 상에 액막을 형성할 때, 회전 중심 RC측으로부터 외주 Wb측으로 노즐(41)을 이동시켜도 된다.

처리 대상의 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들어 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.

실시예

계속해서, 현상 처리 순서의 실시예 및 비교예를 나타내지만, 본 발명은 여기에 나타내는 예에 한정되는 것은 아니다.

〔웨이퍼의 샘플의 준비〕

복수 매의 웨이퍼(W) 상에 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막에 스텝 앤드 리핏 방식으로 노광 처리를 실시하였다. 각 샷에 있어서의 노광 조건은, 폭 약 45㎚의 선상 패턴을 등간격으로 형성하도록 설정하였다.

〔실시예〕

노광 처리를 실시한 웨이퍼(W)에 대해 상술한 실시 형태의 현상 처리를 실시하고, 웨이퍼(W)의 표면 Wa 상에 레지스트 패턴을 형성하였다.

〔비교예 1〕

상술한 스텝 S06, S07을 생략하고, 그 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 웨이퍼(W)의 표면 Wa 상에 레지스트 패턴을 형성하였다. 즉, 비교예 1에 있어서는, 액막의 형성 후에, 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수로 저하시키는 것을 행하지 않았다.

〔비교예 2〕

상술한 스텝 S06∼S09를 생략하고, 그 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 웨이퍼(W)의 표면 Wa 상에 레지스트 패턴을 형성하였다. 즉, 비교예 2에 있어서는, 액막의 형성 후에, 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수로 저하시키는 것을 행하지 않고, 웨이퍼(W)의 회전수를 제3 회전수로 상승시키는 것도 행하지 않았다.

〔샷 사이에서의 선 폭의 변동의 평가〕

실시예, 비교예 1, 2에 의해 제작된 레지스트 패턴에 대해, 샷마다 9개소의 측정점을 설정하고, 각 측정점에 있어서 선 폭을 측정하였다. 샷마다 선 폭의 평균값을 산출함으로써 얻어지는 선 폭 데이터군을 모집단으로 하여, 표준 편차를 산출하고, 그 3배의 값을 제1 변동의 평가값으로서 산출하였다.

〔샷 내에서의 선 폭의 변동의 평가〕

실시예, 비교예 1, 2에 의해 제작된 레지스트 패턴에 대해, 샷마다 9개소의 측정점을 설정하고, 각 측정점에 있어서 선 폭을 측정하였다. 이 측정에 의해 얻어지는 모든 선 폭 데이터를 모집단으로 하여 표준 편차를 산출하고, 그 3배를 제2 변동의 평가값으로서 산출하였다.

〔변동 평가값의 비교 결과〕

비교예 1의 웨이퍼(W)는, 비교예 2의 웨이퍼(W)에 비해, 제1 변동 평가값이 약 40％ 작았다. 이 결과로부터, 액막 형성 후에 웨이퍼(W)의 회전수를 제3 회전수로 높여 액막의 상태를 조정함으로써, 현상의 진행량의 변동을 억제할 수 있는 것이 확인되었다.

실시예 1의 웨이퍼(W)는, 비교예 1의 웨이퍼(W)에 비해, 제1 변동 평가값이 약 9％ 작았다. 이 결과로부터, 액막 형성 후에 웨이퍼(W)의 회전수를 제3 회전수로 높이기 전에, 일단 제2 회전수로 저하시킴으로써, 현상의 진행량의 변동을 더욱 억제할 수 있는 것이 확인되었다.

실시예 1의 웨이퍼(W)는, 비교예 1의 웨이퍼(W)에 비해, 제2 변동 평가값이 약 5％ 작았다. 이 결과로부터, 액막 형성 후에 웨이퍼(W)의 회전수를 제3 회전수로 높이기 전에, 일단 제2 회전수로 저하시킴으로써, 현상의 진행량의 샷 내에 있어서의 변동도 더욱 억제할 수 있는 것이 확인되었다.

2 : 도포·현상 장치(기판 처리 장치)
30 : 회전 보유 지지부
40 : 현상액 공급부
41 : 노즐
42 : 토출구
43 : 접액면
48 : 노즐 반송 기구
100 : 컨트롤러
D1 : 제1 거리
DF : 현상액
LC : 액 기둥
LF : 액막
RC : 회전 중심
V1 : 제1 속도
V2 : 제2 속도
W : 웨이퍼
Wa : 표면
Wb : 외주
ω1 : 제1 회전수
ω2 : 제2 회전수
ω3 : 제3 회전수

Claims

기판을 제1 회전수로 회전시켜, 노즐의 토출구의 주위에 형성된 접액면을 상기 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 상기 토출구로부터 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 형성하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막이 형성된 후에, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 기판의 회전수를 상기 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 하는 것과,
상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수로 한 후에, 상기 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것과,
상기 제3 회전수로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수 이하로 함으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 유지하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성한 후, 상기 제2 회전수에서의 상기 기판의 회전이 완료되기 전에, 상기 접액면을 상기 기판의 표면으로부터 이격시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
제1항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 기판의 외주측으로부터 회전 중심측으로 상기 노즐을 이동시키는, 기판 처리 방법.
제1항에 있어서,
상기 접액면을 상기 기판의 표면으로부터 이격시키는 것은,
제1 속도로, 상기 접액면을 상기 기판의 표면으로부터 제1 거리까지 이격시키는 것과,
상기 접액면이 상기 기판의 표면으로부터 상기 제1 거리까지 이격된 상태를 유지한 후에, 상기 제1 속도에 비해 낮은 제2 속도로 상기 접액면을 더욱 이격시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
제3항에 있어서,
상기 제1 거리는, 상기 현상액의 액막과 상기 접액면 사이에 액 기둥이 형성되는 거리인, 기판 처리 방법.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 노즐의 이동 속도를 도중에 변경하는, 기판 처리 방법.
제5항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심에 근접하는 것에 따라서 상기 노즐의 이동 속도를 저하시키는, 기판 처리 방법.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 토출량을 도중에 변경하는, 기판 처리 방법.
제7항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심에 근접하는 것에 따라서 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 토출량을 증가시키는, 기판 처리 방법.
기판을 제1 회전수로 회전시켜, 노즐의 토출구의 주위에 형성된 접액면을 상기 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 상기 토출구로부터 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 형성하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막이 형성된 후에, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 기판의 회전수를 상기 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 하는 것과,
상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수로 한 후에, 상기 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 상기 기판을 회전시키는 것과,
상기 제3 회전수로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수 이하로 함으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 유지하는 것을 포함하고,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 기판의 외주측으로부터 회전 중심측으로 상기 노즐을 이동시키고,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심으로부터 어긋나는 위치를 종점으로 하여 상기 노즐을 이동시키는, 기판 처리 방법.
제9항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심으로부터 어긋나고, 상기 기판의 회전 중심이 상기 접액면을 통과하는 위치를 종점으로 하여 상기 노즐을 이동시키는, 기판 처리 방법.
제9항에 있어서,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심을 통과할 때까지 상기 노즐을 이동시키는, 기판 처리 방법.
기판을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와,
현상액의 토출구와, 상기 토출구의 주위에 형성된 접액면을 포함하는 노즐과, 상기 노즐을 반송하기 위한 노즐 반송 기구를 갖고, 상기 기판의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급부와,
컨트롤러를 구비하고,
상기 컨트롤러는,
상기 기판을 제1 회전수로 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하고, 상기 접액면을 상기 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 상기 토출구로부터 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 형성하도록 상기 현상액 공급부를 제어하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막이 형성된 후에, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 기판의 회전수를 상기 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 하도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수로 한 후에, 상기 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 상기 기판을 회전시키도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 제3 회전수로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수 이하로 함으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 유지하도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성한 후, 상기 제2 회전수에서의 상기 기판의 회전이 완료되기 전에, 상기 접액면을 상기 기판의 표면으로부터 이격시키도록 상기 현상액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
기판을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와,
현상액의 토출구와, 상기 토출구의 주위에 형성된 접액면을 포함하는 노즐과, 상기 노즐을 반송하기 위한 노즐 반송 기구를 갖고, 상기 기판의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급부와,
컨트롤러를 구비하고,
상기 컨트롤러는,
상기 기판을 제1 회전수로 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하고, 상기 접액면을 상기 기판의 표면에 대향시킨 상태에서, 상기 토출구로부터 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하고, 상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 형성하도록 상기 현상액 공급부를 제어하는 것과,
상기 기판의 표면 상에 상기 액막이 형성된 후에, 상기 토출구로부터의 상기 현상액의 공급이 정지된 상태에서, 상기 기판의 회전수를 상기 제1 회전수에 비해 낮은 제2 회전수로 하도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수로 한 후에, 상기 제1 회전수에 비해 높은 제3 회전수로 상기 기판을 회전시키도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 제3 회전수로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 기판의 회전수를 상기 제2 회전수 이하로 함으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 유지하도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것과,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 기판의 외주측으로부터 회전 중심측으로 상기 노즐을 이동시키도록 상기 현상액 공급부를 제어하는 것과,
상기 현상액에 상기 접액면을 접촉시키면서 상기 노즐을 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 상기 액막을 형성할 때, 상기 토출구가 상기 기판의 회전 중심으로부터 어긋나는 위치를 종점으로 하여 상기 노즐을 이동시키도록 상기 현상액 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.