KR20230167208A - 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법은 대기압 상태의 재배사 내부를 제1 농도의 오존가스로 제1 시간 동안 살균하는 단계, 버섯 배지를 투입한 다음, 상기 재배사 내부를 감압하여 상기 재배사 내를 제2 농도의 오존가스로 제2 시간 동안 살균하는 단계 및 살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내의 감압을 해제하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법{method of growing shiitake mushrooms using the ozone gas forced sterilization method}

본 발명은 표고버섯 재배 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 재배 단계에 따라 오존가스의 농도와 살균시간을 조절하면서 재배사 내부를 살균함으로써 버섯의 생육저하를 최소화하고 살균효과는 증대시킬 수 있는 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법에 관한 것이다.

2020년 국내 버섯 생산통계에 의하면 표고버섯의 생산량은 약 27,000톤이며, 수요 증가로 인하여 생산액도 1,911억 원으로 1위를 차지하고 있다. 그러나 표고버섯 농가에서는 버섯재배에 이용되는 배지가 다른 균에 의해 오염되거나, 버섯재배사가 오염되는 등의 문제로 인해 버섯병에 의한 생산율 저하, 오염된 배지로 인한 이산화탄소의 발생과 주변 배지의 전염 등의 문제가 발생하고 있어, 적절한 살균 방법의 필요성이 커지고 있다.

표고버섯 배지는 휴지기에 화학적 방제로 2종의 살균제와 8종의 살충제를 사용할 수 있으나 병원균에만 효과가 높고 버섯에는 약해가 없도록 선택성이 있어야 하고 인축과 잔류독성이 없는 것을 선택해야만 하는 어려움이 있다.

그리고 물리적 살균 방식으로 수증기, 건열, 자외선 등에 의한 방제 방법이 있으나 광범위한 면적에 적용하기 어렵고 시간 조절이 어려운 등 비용이 많이 드는 단점이 있다. 생물적 살균 방식으로는 자연에 존재하는 항균성 미생물을 이용하는 방법이 있으나 개발이 매우 미흡한 상태이다.

한편, 이러한 살균방식들을 적용할 경우 병균이나 곰팡이균과 같은 미생물인 버섯균사의 생장을 저해할 가능성이 높은 문제점이 있다.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 재배단계에 따라 오존가스의 농도와 살균시간 및 재배사 내의 압력을 조절하여 버섯의 생육저하를 최소화하면서도 살균효과는 최대화할 수 있는 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법은, 대기압 상태의 재배사 내부를 제1 농도의 오존가스로 제1 시간 동안 살균하는 단계; 버섯 배지를 투입한 다음, 상기 재배사 내부를 감압하여 상기 재배사 내를 제2 농도의 오존가스로 제2 시간 동안 살균하는 단계; 및 살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내의 감압을 해제하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제1 농도는, 상기 제2 농도보다 높고, 상기 제1 시간은, 상기 제2 시간보다 긴 것이 바람직하다.

상기 제1 농도는, 2.0ppm 내지 3.0ppm이며,

상기 제2 농도는, 0.5ppm 내지 1.5ppm인 것이 바람직하다.

상기 제1 시간은, 60분 이상이며, 상기 제2 시간은, 20분 내지 40분인 것이 바람직하다.

오존가스는, 상기 재배사 내의 압력보다 높은 압력으로 상기 재배사 내부로 공급되는 것이 바람직하다.

외부공기 공급 전에, 상기 재배사 내부의 오존가스의 농도가 0.1ppm 이상이면 오존분해 장치를 가동하여 오존가스의 농도를 낮추는 것이 바람직하다.

상기 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법은, 버섯 배지에서 버섯이 발아한 다음, 상기 재배사 내부를 감압하여, 상기 재배사 내부를 제3 농도의 오존가스로 제3 시간 동안 살균하는 단계; 및 상기 살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내부의 감압을 해제하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이때, 상기 제3 농도는, 상기 제1 농도 및 상기 제2 농도보다는 낮고, 상기 제3 시간은, 상기 제1 시간 및 상기 제2 시간보다 짧은 것이 바람직하다.

상기 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법은, 오존가스로 상기 재배사 내를 살균하는 동안에는, 상기 재배사 내에 단파장 자외선(UV-C)을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법은 오존가스의 농도, 살균시간 및 재배사 내의 압력을 조절하면서 재배사 내부를 살균함으로써 버섯의 생육저하를 방지하고 살균효과는 증대시킬 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 장치(100)의 구성도이다.
도 2는 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법의 일예를 나타내는 순서도이다.
도 3은 재배사(10)에서의 낙하 곰팡이균 및 오염된 버섯 배지로부터 곰팡이 균을 확보하는 것을 나타낸다.
도 4 내지 도 7은 대표적인 재배사(10)에서의 낙하 곰팡이 및 오염된 배지로부터 확보한 곰팡이들의 오존가스 살균에 의한 성장 저해 정도를 측정한 그래프이다.
도 8은 오존가스 살균에 의한 버섯균의 성장 저해 정도를 시험한 결과를 나타내는 그래프들이다.

본 발명과 본 발명의 동작상 또는 기능상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것일 수 있다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

도 1은 본 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 장치(100)의 구성도이다.

상기 표고버섯 재배 장치(100)는 버섯 재배의 단계에 따라 오존가스의 농도, 살균시간 및 재배사(10) 내의 압력을 조절하면서 재배사(10) 내부를 살균함으로써 버섯의 생육저하를 최소화하고 살균효과는 증대시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.

상기 표고버섯 재배 장치(100)는 냉난방기(110), 가습기(120), 환배기 장치(130), 센서부(140), 오존 발생기(160), 오존 분해장치(160), 조명부(170) 및 제어부(180)를 포함한다. 상기 표고버섯 재배 장치(100)의 구성요소들이 필수적인 것은 아니어서, 상기 표고버섯 재배 장치(100)는 그보다 많은 구성요소들을 갖거나 그보다 적은 구성요소들을 가질 수도 있다. 이하 각 구성요소들에 대해서 보다 상세히 살펴본다.

상기 냉난방기(110)는 상기 재배사(10) 내의 온도를 조절할 수 있으며, 상기 가습기(120)는 상기 재배사(10) 내의 습도를 조절할 수 있으며, 상기 환배기 장치(130)는 상기 재배사(10) 내의 공기를 환기 또는 배기시킬 수 있으며, 상기 센서부(140)는 상기 재배사(10) 내의 재배 환경에 대한 각종 정보를 센싱할 수 있다.

상기 오존 발생기(160)는 상기 재배사(10) 내를 살균하기 위한 오존 가스를 발생할 수 있으며, 상기 오존 분해장치(160)는 상기 재배사(10) 내의 오존을 분해하여 오존가스의 농도를 낮출 수 있다. 상기 조명부(170)는 버섯의 생육에 알맞은 밝기와 파장대역의 빛을 제공할 수 있다. 상기 구성요소들은 상기 제어부(180)의 어하에 각각의 기능을 수행할 수 있다.

도 2는 발명에 따른 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법의 일예를 나타내는 순서도이다. 이하 필요한 도면들을 참조하여 상기 재배 방법에 대해 살펴본다.

먼저, 상기 표고버섯 재배 방법은 대기압 상태의 재배사(10) 내부를 제1 농도의 오존가스로 제1 시간 동안 살균하는 단계(S100), 버섯 배지를 투입한 다음(S110), 상기 재배사(10) 내부를 감압하여 상기 재배사(10) 내를 제2 농도의 오존가스로 제2 시간 동안 살균하는 단계(S120), 살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내부의 감압을 해제하는 단계(S130), 버섯 배지에서 버섯이 발아한 다음, 상기 재배사(10) 내부를 감압하여, 상기 재배사(10) 내부를 제3 농도의 오존가스로 제3 시간 동안 살균하는 단계(S140) 및 외부공기를 공급하여 상기 재배사(10) 내부의 감압을 해제하는 단계를 포함할 수 있다. 한편, 상기 S140 및 S150 단계는 선택적 단계일 수 있다.

상기 S120 및 상기 S140 단계에서 상기 재배사(10) 내부를 감압하는 이유는 상기 오존가스의 확산속도 및 확산균일성을 증가시킴으로써 살균효과를 향상시키기 위함이다.

상기 재배사(10) 내부의 감압 정도는 0.5 기압 내지 0.75 기압이 적당하다. 상기 재배사(10) 내부의 압력이 0.5 기압 미만이면 버섯 배지의 호흡에 악영향을 미칠 수 있고, 0.75 기압을 초과하면 오존가스의 확산속도 및 확산균일성이 저하될 수밖에 없기 때문이다.

그리고 오존가스의 확산속도와 확산균일성을 더 향상시키기 위하여, 오존가스가 상기 재배사(10)로 공급될 때, 오존가스는 상기 재배사(10) 내부의 압력보다는 높은 압력으로 공급되는 것이 바람직하다.

살균을 위한 오존가스의 농도 측면에서, 상기 재배사(10)에 버섯 배지가 투입되기 전의 제1 농도가 버섯 배지가 투입된 후의 제2 농도보다 높은 것이 바람직하다. 그리고 살균 시간 측면에서는, 상기 재배사(10)에 버섯 배지가 투입되기 전의 제1 시간은 버섯 배지가 투입된 후의 제2 시간보다 긴 것이 바람직하다.

버섯 배지가 투입되기 전에는 고농도의 오존가스로 긴 시간 동안 살균을 꼼꼼히 수행하는 것이 바람직하나, 버섯 배지가 투입된 후에는 고농도의 오존가스로 장시간 살균을 수행하게 되면 버섯의 생육을 저해할 수 있기 때문이다. 즉, 버섯 재배 단계에 따라 살균을 위한 오존가스의 농도와 살균시간의 조절이 필요하다.

상기 제1 농도는 2.0ppm 내지 3.0ppm일 수 있다. 살균만을 고려하면 오존가스의 농도가 높을수록 좋을 것이나, 2.0ppm도 상당한 고농도로 충분한 살균이 이루어질 수 있으며, 오존 발생기(160)의 효율과 성능을 고려할 때 3.0ppm을 초과하는 것은 비효율적이기 때문이다. 그리고 충분한 살균을 위하여 상기 제1 시간은 60분 이상인 것이 바람직하다.

상기 제2 농도는 0.5ppm 내지 1.5ppm이며, 상기 제2 시간은 20분 내지 40분인 것이 바람직하다. 상기 제2 농도가 0.5ppm 미만이고 상기 제2 시간이 20분 미만이면 충분한 살균이 이루어지기 어렵고, 상기 제2 농도가 1.5ppm을 초과하고 상기 제2 시간이 40분을 초과하면 버섯의 생육에 부정적 영향을 미칠 수 있기 때문이다. 이에 대해서는 향후 다양한 실시예와 비교예를 참조하여 살펴본다.

그리고 버섯 배지의 투입 여부를 고려할 때, S140 단계에서의 오존가스의 제3 농도는 제1 농도보다 낮고 상기 제3 시간은 상기 제1 시간보다 짧은 것이 바람직하다.

버섯의 발아 여부를 고려할 때, S140 단계에서의 오존가스의 제3 농도는 제2 농도보다 높고 상기 제3 시간은 제2 시간보다 긴 것이 바람직하다. 이는 버섯 발아 후에는 버섯 균사가 버섯 배지에 완전히 잡은 상태여서 오존가스가 버섯 균사의 생장에 영향을 적게 미치기 때문이다. 이에 대한 실험 결과는 도 8을 통하여 확인할 수 있다.

상기 제어부(180)는 상기 S130 및 S150 단계에서 환배기 장치(130)를 통해 외부공기를 상기 재배사(10)로 공급하기 전에, 상기 재배사(10) 내부의 오존가스의 농도가 0.1ppm 이상이면, 오존 분해장치(160)를 가동하여 오존가스의 농도를 낮출 수 있다.

물론 상기 환배기 장치(130)를 통해 오존가스 농도가 0.1ppm 이상이면 작업자가 오존가스 특유의 강한 냄새와 함께 호흡기를 통해 자극을 느낄 수 있고, 0.2ppm을 초과하면 호흡기와 시신경에 직접적인 손상을 주는 등 신체에 악영향을 줄 수 있기 때문이다.

상기 S130 및 S150 단계에서 외부공기를 상기 재배사(10) 내부로 공급하여 상기 재배사(10) 내부의 감압을 해제하는 경우, 외부공기는 살균 필터를 통과하여 공급되는 것이 바람직하다. 외부공기가 바로 상기 재배사(10) 내부로 공급되면 오존가스를 이용하여 살균된 상기 재배사(10)가 외부공기에 포함된 세균이나 곰팡이에 의하여 오염되는 것을 방지하기 위함이다.

상기 S120 및 S130 단계에서 오존가스로 상기 재배사(10) 내부를 살균하는 동안에, 상기 제어부(180)는 단파장 자외선(UV-C)을 상기 재배사(10) 내부에 조사하도록 상기 조명부(170)를 제어할 수 있다. 단파장 자외선은 산소에 흡수되어 오존을 생성할 수 있는데, 상기 조명부(170)에서 단파장 자외선을 조사하면 상기 재배사(10) 내의 살균에 상승효과를 제공할 수 있다.

이하에서는 버섯의 생육저하를 줄이면서도 살균효과는 향상시킬 수 있는 최적의 오존가스의 농도와 살균시간을 도출하는 과정에 대해 상세히 살펴본다.

도 3은 재배사(10)에서의 낙하 곰팡이균 및 오염된 버섯 배지로부터 곰팡이 균을 확보하는 것을 나타낸다.

평판배지에 낙하한 곰팡이와 오염된 버섯 배지로부터 확보된 곰팡이를 동정(identification)한 결과, 그 비율은 Penicilium brevicompactum(약 90% 이상), Cladosporium cladosporioides, Cladosporium anthropophilums, Aspergillus flavus 순으로 확인되었다.

도 4 내지 도 7은 대표적인 재배사(10)에서의 낙하 곰팡이 및 오염된 배지로부터 확보한 곰팡이들의 오존가스 살균에 의한 성장 저해 정도를 측정한 그래프이다.

참고로, 곰팡이들의 성장 저해 정도는, 오존가스의 농도는 1.5 ppm를 기준으로하여 보다 낮은 농도인 0.5 ppm과 보다 높은 농도인 3 ppm의 3가지로 선정하고 오존 가스 처리 시간은 각 농도별로 20분, 40분, 60분간으로 하여 측정하였다.

그리고 실험 결과 값은 오존가스 살균 처리를 수행한 집락의 직경의 평균값을 오존가스 살균 처리를 하지 않은 무처리구의 집락의 직경의 평균값으로 나눈 백분율을 의미한다.

도 4를 참조하면, Penicilium brevicompactum의 경우, 배양 0일(즉, 접종 직후)에서는 5ppm으로 20분 이상 처리할 경우 약 50% 이상, 1.5ppm으로 20분 이상 처리할 경우 약 50%, 40분 이상 처리할 경우 약 65%, 60분 이상 처리할 경우 약 90%가 저해되는 것으로 나타났다. 3ppm의 경우 처리 시간 20분부터 약 80%의 저해를 보였으며 40분 이상 처리할 경우 평판배지 상에 집락이 보이지 않아 가장 큰 저해 정도를 보였다(도 4의 (a)).

그리고 배양 2일 후 오존가스 살균한 경우에는 0.5ppm에서 20분 처리 시 약 10%, 40분 처리 시 약 12%. 60분 처리 시 약 31%, 1.5ppm에서 20분 처리 시 약 13%, 40분 처리 시 약 22%, 60분 처리 시 32%, 3ppm의 경우 20분 처리 시 약 26%, 40분 이상 처리 시 약 33% 저해되는 것으로 나타났다(도 4의 (b)).

도 5를 참조하면, Cladosporium cladosporioides의 경우, 배양 0일에서는 대부분의 오존 가스 농도에서 성장이 감소하는 경향을 보였으나 오존 가스 농도에 따른 차이는 나타나지 않았다. 모든 오존 가스 농도에서 40분 이상 처리 시 약 20%가 저해되는 것으로 나타났다(도 5의 (a)).

그리고 배양 2일 후 오존가스 살균한 경우에는, 대부분의 오존 가스 농도에서 비슷한 성장 저해 정도를 보였고, 모든 농도에서 40분 이상 처리 시 약 23% 성장 저해 정도를 나타냈다(도 5의 (b)). 즉, Cladosporium cladosporioides는 다른 곰팡이들에 비하여 오존 가스처리에 의한 성장 저해 정도가 낮았으며, 오존 가스 처리 농도 간에도 차이는 크지 않은 것을 알 수 있다.

도 6을 참조하면, Cladosporium anthropophilium의 경우, 배양 0일에서는 0.5ppm 으로 20분 이상 처리 시 약 25%, 60분간 처리 시 약 33%, 1.5ppm으로 20분 이상 처리 시 약 27%, 60분 이상 처리 시 약 41%, 3ppm으로 20분 처리 시 약 28%, 40분 처리 시 약 36%, 60분 처리 시 약 60% 성장 저해 정도를 보였다(도 6의 (a)).

그리고 배양 2일 후 오존가스 살균한 경우에는, 0.5ppm으로 20분 처리 시 약 17%, 40분 이상 처리 시 약 22%, 1.5ppm으로 20분 이상 처리 시 약 29%, 3ppm으로 20분 처리 시 약 25%, 40분 처리 시 약 30%, 60분 처리 시 약 32%의 성장 저해 정도를 보였다(도 6의 (b)).

도 7을 참조하면, Cladosporium anthropophilium의 경우, 배양 0일에서는 20분 이상 처리한 결과 0.5 ppm의 경우 최대 75%, 1.5 ppm의 경우 최대 98%, 3 ppm의 경우 20분에서 약 32% 성장이 저해되는 것으로 나타났고, 40분 이상에서는 평판배지 상에서 집락이 형성되지 않는 것으로 나타났다(도 7의 (a)).

그리고 배양 2일 후 오존가스 살균한 경우에는, 0.5 ppm의 경우 약 15%, 1.5 ppm 의 경우 약 28%, 3 ppm의 경우 약 63%의 저해 효과를 보였다(도 7의 (b)).

도 8은 오존가스 살균에 의한 버섯균의 성장 저해 정도를 시험한 결과를 나타내는 그래프들이다. 참고로 결과값은, 평판배지에 버섯균을 접종하여 평판배지 상 버섯 균사의 생장 정도를 달리하여 0.5ppm, 1.5ppm, 3ppm의 오존가스 농도에서 각각 20분, 40분, 60분간 살균하였다.

버섯균 접종 직후(배양 0일)에 모든 오존 가스 농도에서 60분간 처리할 경우 버섯 균사의 성장이 크게 저해되는 것을 알 수 있다., 그러므로 초기 버섯 균사가 생성될 때 오존 가스 처리 시간을 40분 이하로 처리하는 것이 바람직하다.

버섯 균사를 5일 동안 배양한 후(배양 5일)에 오존 가스 처리한 경우에는 3ppm을 제외한 두 농도에서는 균사 직경의 크기 변화는 오존가스 무처리구와 비교하여 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 오존 가스 1.5ppm 20분 이상 노출된 버섯 균사는 균사의 밀도가 약간 감소하였으나, 계속적으로 배양하였을 때 다시 균사의 밀도가 증가하는 것을 알 수 있다.

따라서, 버섯균이 오존 가스 1.5ppm의 농도에서 20분 이상 노출되면 초기에는 버섯 균사 성장이 약간 저해되나 이후에 균사의 밀도가 증가하기 때문에, 오존 가스 1.5 ppm은 버섯균에 충분히 사용할 수 있다고 판단된다.

버섯 균사를 9일 동안 배양한 후(배양 9일)에 오존 가스를 처리한 경우, 모든 오존 가스 농도에서 오존 가스 무처리구 비교하여 균사의 성장 감소가 나타나지 않았다. 즉, 버섯 배지에 버섯 균사가 온전히 자리 잡은 후에는 오존 가스를 처리하여도 버섯균의 성장에는 영향을 끼치지 않을 것으로 판단된다.

한편, 버섯 배지를 재배사(10) 내에 전에 상기 재배사(10)를 오존가스로 미리 살균하여 전후 낙하 곰팡이를 측정한 결과는 표 1와 같다.

오존처리에 의한 낙하 곰팡이는 1.5 ppm에서는 약 41.2%, 3 ppm에서는 63.6% 감소하는 것을 알 수 있다. 즉, 버섯 배지를 투입하기 전에 상기 재배사(10) 내를 오존가스 농도 2ppm 내지 3ppm에서 60분간 이상 살균 처리하면 낙하 곰팡이에 의한 오염은 거의 차단될 수 있을 것이다.

도 4 내지 도 8을 참조하여 살펴본 바를 종합하면 아래와 같은 결론을 얻을 수 있다.

대부분의 오염균은 오존 가스 농도 0.5ppm부터 저해 효과를 보였으며, 오존 가스 농도와 처리 시간에 비례하여 저해 효과를 나타내었다. 따라서 재배사(10) 내 버섯 배지의 투입 여부에 따라 오존 가스 농도를 다르게 사용하는 것이 버섯균의 생장 억제를 최소화하고 재배사(10) 내 공중 오염균 생장 저해를 최대화하기에 적합하다고 판단된다.

즉, 재배사(10) 내에 버섯 배지를 배치하기 전 오존 발생기(160)에서 생성할 수 있는 2.0ppm 내지 3.0ppm의 높은 농도의 오존 가스 농도로 60분 이상 처리하여 재배사(10) 내를 살균하는 것이 바람직할 수 것이다.

그리고 재배사(10) 내에 버섯 배지를 배치한 후에는 버섯 균사 생장 초기에는 균사 생장에 영향을 가장 적게 미치는 0.5 ppm에서 1.5ppp으로 20분에서 40분 사이로 오존 가스를 처리하는 것이 바람직하다.

한편, 재배사(10) 내에 배치된 버섯 배지에서 버섯이 발아를 개시한 이후에는 오존가스의 농도를 1.5ppm 이상으로 하고, 살균시간도 40분 이상으로 하여 충분한 살균을 수행할 수 있을 것이다.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

10: 재배사 100: 버섯 재배 장치
110: 냉난방기 120: 가습기
130: 환배기 장치 140: 센서부
150: 오존 발생기 160: 오존 분해장치
170: 조명부 180: 제어부

Claims (7)

1. 대기압 상태의 재배사 내부를 제1 농도의 오존가스로 제1 시간 동안 살균하는 단계;
   버섯 배지를 투입한 다음, 상기 재배사 내부를 감압하여 상기 재배사 내를 제2 농도의 오존가스로 제2 시간 동안 살균하는 단계; 및
   살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내의 감압을 해제하는 단계를 포함하는,
   상기 제1 농도는,
   상기 제2 농도보다 높고,
   상기 제1 시간은,
   상기 제2 시간보다 긴 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 농도는
   2.0ppm 내지 3.0ppm이며,
   상기 제2 농도는,
   0.5ppm 내지 1.5ppm인 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1 시간은,
   60분 이상이며,
   상기 제2 시간은,
   20분 내지 40분인 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
4. 제3항에 있어서,
   오존가스는,
   상기 재배사 내의 압력보다 높은 압력으로 상기 재배사 내부로 공급되는 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
5. 제3항에 있어서,
   외부공기 공급 전에, 상기 재배사 내부의 오존가스의 농도가 0.1ppm 이상이면 오존분해 장치를 가동하여 오존가스의 농도를 낮추는 단계를 더 포함하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
6. 제3항에 있어서,
   버섯 배지에서 버섯이 발아한 다음, 상기 재배사 내부를 감압하여, 상기 재배사 내부를 제3 농도의 오존가스로 제3 시간 동안 살균하는 단계; 및
   상기 살균 필터를 통하여 외부공기를 공급하여 상기 재배사 내부의 감압을 해제하는 단계를 더 포함하며,
   상기 제3 농도는,
   상기 제1 농도보다 낮고, 상기 제2 농도보다 높고,
   상기 제3 시간은,
   상기 제1 시간보다 짧고, 상기 제2 시간보다 긴 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.
   
7. 제6항에 있어서,
   오존가스로 상기 재배사 내를 살균하는 동안에는, 상기 재배사 내에 단파장 자외선(UV-C)을 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 오존가스 강제살균 방식을 적용한 표고버섯 재배 방법.

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