KR20230159392A - 조화 처리 구리박, 캐리어를 구비한 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 - Google Patents

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Abstract

열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 양립 가능한, 조화 처리 구리박이 제공된다. 이 조화 처리 구리박은, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는다. 조화 처리면은, 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.02 이상 0.24 이하이고, 또한 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 1.0％ 이상 15.0％ 이하이다. Str 및 Smr1은, ISO25178에 준거하여 S 필터에 의한 컷오프 파장 0.251㎛ 및 L 필터에 의한 컷오프 파장 4.5㎛의 조건에서 측정되는 값이다.

Description

조화 처리 구리박, 캐리어를 구비한 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
본 발명은 조화 처리 구리박, 캐리어를 구비한 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판에 관한 것이다.
근년의 휴대용 전자 기기 등의 고기능화에 수반하여, 대량의 정보의 고속 처리를 하기 위해 신호의 고주파화가 진행되고 있고, 5G, 밀리미터파, 기지국 안테나 등의 고주파 용도에 적합한 프린트 배선판이 요구되고 있다. 이러한 고주파용 프린트 배선판에는, 고주파 신호를 품질 저하시키지 않고 전송 가능하게 하기 위해, 전송 손실의 저감이 요망된다. 프린트 배선판은 배선 패턴으로 가공된 구리박과 절연 수지 기재를 구비한 것이지만, 전송 손실은, 구리박에 기인하는 도체 손실과, 절연 수지 기재에 기인하는 유전체 손실로 주로 이루어진다. 따라서, 절연 수지 기재에 기인하는 유전체 손실을 저감시키기 위해, 저유전율의 열가소성 수지를 사용할 수 있으면 바람직하다. 그러나, 불소 수지나 액정 폴리머(LCP)로 대표되는 저유전율의 열가소성 수지는, 열경화성 수지와는 달리, 화학적인 활성이 낮고, 그 때문에 구리박과의 밀착력이 낮다.
이에 따라, 구리박과 열가소성 수지의 밀착성을 향상시키는 기술이 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1(국제 공개 제2016/174998호)에는, 0.6㎛ 이상 1.7㎛ 이하의 10점 평균 조도 Rzjis를 갖고, 또한 조화 입자의 높이의 빈도 분포에서의 반값폭이 0.9㎛ 이하인 조화 처리면을 구비한 구리박이 개시되어 있다. 이러한 구리박에 의하면, 액정 폴리머 필름과 같은 화학 밀착을 기대할 수 없는 절연 수지 기재에 대해서도 높은 박리 강도를 나타내는 것이 가능하게 되어 있다.
한편, 도체 손실은, 고주파가 될수록 현저하게 나타나는 구리박의 표피 효과에 의해 증대될 수 있다. 따라서, 고주파 용도에서의 전송 손실을 억제하기 위해서는, 구리박의 표피 효과를 저감시키기 위해 조화 입자의 미세화가 요구된다. 이러한 미세한 조화 입자를 갖는 구리박이며, 예를 들어 특허문헌 2(국제 공개 제2014/133164호)에는, 입경 10nm 이상 250nm 이하의 구리 입자(예를 들어 대략 구상 구리 입자)를 부착시켜 조화된 흑색 조화면을 구비하는 표면 처리 구리박이 개시되어 있다.
국제 공개 제2016/174998호 국제 공개 제2014/133164호
고주파 용도의 구리박에서는, 전술한 바와 같이 조화 입자를 미세화시키는 것이 요구되기는 하지만, 이러한 구리박은 수지(특히 열가소성 수지)와의 밀착성이 저하되기 쉽다. 이 점, 기존의 구리박은, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성의 양립이라는 관점에서 반드시 충분한 것이라고는 말할 수 없고, 개선의 여지가 있다.
본 발명자들은, 금번, 조화 처리 구리박의 표면에 있어서, 표면 성상의 애스펙트비 Str 및 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1을 각각 소정의 범위로 제어함으로써, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 양립시킬 수 있다는 지견을 얻었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 양립 가능한, 조화 처리 구리박을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는 조화 처리 구리박이며,
상기 조화 처리면은, 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.02 이상 0.24 이하이고, 또한 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 1.0％ 이상 15.0％ 이하이고,
상기 Str 및 Smr1은, ISO25178에 준거하여 S 필터에 의한 컷오프 파장 0.251㎛ 및 L 필터에 의한 컷오프 파장 4.5㎛의 조건에서 측정되는 값인, 조화 처리 구리박이 제공된다.
본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 캐리어와, 해당 캐리어 상에 마련된 박리층과, 해당 박리층 상에 상기 조화 처리면을 외측으로 하여 마련된 상기 조화 처리 구리박을 구비한, 캐리어를 구비한 구리박이 제공된다.
본 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 조화 처리 구리박을 구비한, 동장 적층판이 제공된다.
본 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 상기 조화 처리 구리박을 구비한, 프린트 배선판이 제공된다.
도 1은 ISO25178에 준거하여 결정되는 부하 곡선 및 부하 면적률을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 ISO25178에 준거하여 결정되는 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 조화 처리 구리박의 일 양태를 나타내는 단면 모식도이며, 판상 조화 입자의 폭 W2 및 길이 L2의 계측 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 예 2에서 제작한 캐리어를 구비한 구리박에서의, 조화 처리 구리박의 조화 처리면을 바로 위에서 관찰한 FE-SEM상이다.
도 5는 도 4의 FE-SEM상을 콘트라스트 최적화한 후의 화상이다.
도 6은 예 2에서 제작한 캐리어를 구비한 구리박에서의, 조화 처리 구리박의 단면 SEM상이다.
정의
본 발명을 특정하기 위해 사용되는 용어 내지 파라미터의 정의를 이하에 나타낸다
본 명세서에 있어서, 「표면 성상의 애스펙트비 Str」 또는 「Str」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 표면 성상의 등방성 내지 이방성을 나타내는 파라미터이다. Str은 0에서 1까지의 범위를 취하고, 통상 Str>0.5로 강한 등방성을 나타내고, 반대로 Str<0.3으로 강한 이방성을 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 「면의 부하 곡선」(이하, 단순히 「부하 곡선」이라고 함)이란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 부하 면적률이 0％로부터 100％가 되는 높이를 나타낸 곡선을 말한다. 부하 면적률이란, 도 1에 나타나는 바와 같이, 어떤 높이 c 이상의 영역의 면적을 나타내는 파라미터이다. 높이 c에서의 부하 면적률은 도 1에서의 Smr(c)에 상당한다. 도 2에 나타나는 바와 같이, 부하 면적률이 0％로부터 부하 곡선을 따라 부하 면적률의 차를 40％로 하여 그은 부하 곡선의 할선을, 부하 면적률 0％로부터 이동시켜 가며, 할선의 경사가 가장 완만해지는 위치를 부하 곡선의 중앙 부분이라고 한다. 이 중앙 부분에 대하여 종축 방향의 편차의 제곱합이 최소가 되는 직선을 등가 직선이라고 한다. 등가 직선의 부하 면적률 0％로부터 100％의 높이의 범위에 포함되는 부분을 코어부라고 한다. 코어부보다 높은 부분을 돌출 산부라고 하고, 코어부보다 낮은 부분은 돌출 골부라고 한다.
본 명세서에 있어서, 「돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1」 또는 「Smr1」이란, 도 2에 나타나는 바와 같이, ISO25178에 준거하여 측정되는, 코어부의 상부의 높이와 부하 곡선의 교점에서의 부하 면적률(즉 코어부와 돌출 산부를 나누는 부하 면적률)을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 클수록, 돌출 산부가 차지하는 비율이 큰 것을 의미한다.
표면 성상의 애스펙트비 Str 및 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1은, 조화 처리면에서의 소정의 측정 면적의 표면 프로파일을 시판중인 레이저 현미경으로 측정함으로써 각각 산출할 수 있다. 본 명세서에 있어서, Str 및 Smr1의 각 수치는, S 필터에 의한 컷오프 파장 0.251㎛ 및 L 필터에 의한 컷오프 파장 4.5㎛의 조건에서 측정되는 값으로 한다.
본 명세서에 있어서, 캐리어의 「전극면」이란, 캐리어 제작 시에 음극과 접해 있던 측의 면을 가리킨다.
본 명세서에 있어서, 캐리어의 「석출면」이란, 캐리어 제작 시에 전해 구리가 석출되어 가는 측의 면, 즉 음극과 접해 있지 않은 측의 면을 가리킨다.
조화 처리 구리박
본 발명에 따른 구리박은 조화 처리 구리박이다. 이 조화 처리 구리박은, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는다. 이 조화 처리면은, 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.02 이상 0.24 이하이고, 또한 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 1.0％ 이상 15.0％ 이하이다. 이와 같이 조화 처리 구리박의 표면에 있어서, 표면 성상의 애스펙트비 Str 및 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1을 각각 소정의 범위로 제어함으로써, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 양립시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 고주파 용도에서의 전송 손실을 억제하기 위해서는, 구리박의 표피 효과를 저감시키기 위해 조화 입자의 미세화가 요구된다. 그러나, 이러한 미세한 조화 입자를 갖는 구리박은 수지 기재와의 앵커 효과(즉 구리박 표면의 요철을 이용한 물리적인 밀착성 향상 효과)가 저감되는 결과, 수지와의 밀착성이 떨어지게 되기 쉽다. 특히, 불소 수지나 액정 폴리머(LCP)로 대표되는 저유전율의 열가소성 수지는, 열경화성 수지와는 달리, 화학적인 활성이 낮고, 그 때문에 구리박과의 밀착력이 낮다. 이와 같이, 고주파 특성이라는 점에서 유리한 저조도의 구리박은, 본래적으로 수지와의 밀착력이 떨어지게 되기 쉽다. 이에 반해, 본 발명의 조화 처리 구리박에 의하면, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성(예를 들어 표피 효과의 저감)을 예상외로도 양립시킬 수 있다.
수지와의 높은 밀착성과, 우수한 고주파 특성의 양립을 가능하게 하는 메커니즘은 반드시 분명하지는 않지만, 예를 들어 이하와 같은 것으로 생각된다. 즉, 조화 처리면의 Str은, 그 값이 1에 접근할수록 조화 입자(융기부)가 구상에 가까운 형상이 되지만, 이 Str을 0.02 이상 0.24 이하라는 작은 값으로 제어함으로써, 조화 입자를 판과 같은 형상으로 제어할 수 있다. 이에 의해 종래의 대략 구상의 조화 입자와 비교하여, 수지 기재와의 앵커 효과가 증대되는 것으로 생각된다. 그리고, 조화 처리면의 Smr1을 1.0％ 이상 15.0％ 이하라는 작은 값으로 제어함으로써, 미세한 판상 조화 입자가 조화 처리면에 대하여 수직 방향으로 일어서도록 제어할 수 있다. 이 때문에, 표피 효과의 저감에 유효한 미세한 융기부이면서도, 수지와의 높은 앵커 효과를 충분히 발휘할 수 있는 것으로 생각된다. 그 결과, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과, 우수한 고주파 특성을 양립시키는 것이 가능하게 된다.
따라서, 조화 처리 구리박은, 조화 처리면에서의 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.02 이상 0.24 이하이고, 바람직하게는 0.08 이상 0.24 이하, 보다 바람직하게는 0.10 이상 0.24 이하, 더욱 바람직하게는 0.10 이상 0.23 이하이다.
또한, 조화 처리 구리박은, 조화 처리면에서의 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 1.0％ 이상 15.0％ 이하이고, 바람직하게는 5.0％ 이상 10.5％ 이하, 보다 바람직하게는 5.0％ 이상 10.2％ 이하이다.
본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 조화 처리 구리박은, 조화 처리면이 복수의 판상 조화 입자를 구비한다. 여기서, 판상 조화 입자를 구비한 조화 처리면을 개념적으로 도 3에 나타낸다. 도 3에 도시되는 바와 같이, 조화 처리면(12)이 복수의 판상 조화 입자(12a)를 구비함으로써, 조화 처리 구리박(10)은 열가소성 수지와의 우수한 앵커 효과를 한층 더 발휘할 수 있다. 특히, 조화 처리 구리박(10)은, 조화 처리면(12)을 평면에서 본 경우에, 판상 조화 입자(12a)의 폭 W1, 길이 L1, 및 폭 W1에 대한 길이 L1의 비인 L1/W1이 각각 소정의 범위로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 판상 조화 입자(12a)의 폭 W1은 2nm 이상 135nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30nm 이상 90nm 이하, 더욱 바람직하게는 30nm 이상 85nm 이하, 특히 바람직하게는 35nm 이상 80nm 이하이다. 또한, 판상 조화 입자(12a)의 길이 L1는 15nm 이상 490nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100nm 이상 430nm 이하, 더욱 바람직하게는 110nm 이상 430nm 이하, 특히 바람직하게는 110nm 이상 400nm 이하이다. 또한, 판상 조화 입자(12a)의 비 L1/W1은 2.0 이상 7.2 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.5 이상 7.2 이하, 더욱 바람직하게는 3.1 이상 4.5 이하, 특히 바람직하게는 3.1 이상 4.0 이하이다. 이와 같이 함으로써, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 밸런스 좋게 실현할 수 있다.
판상 조화 입자(12a)의 폭 W1, 길이 L1, 및 비 L1/W1은, 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여 소정의 배율(예를 들어 배율 50000배)로 조화 처리 구리박(10)의 조화 처리면(12)을 바로 위(Tilt: 0°)에서 관찰하고, 취득한 관찰 화상을 시판중인 소프트웨어를 사용하여 해석함으로써, 특정할 수 있다. 이 해석은, 예를 들어 화상 해석 소프트웨어 「Image Pro10」(Media Cybernetics사제)을 사용하여, 본 명세서의 실시예에 기재되는 여러 조건에 따라 행할 수 있다. 또한, 상술한 판상 조화 입자(12a)의 폭 W1, 길이 L1, 및 비 L1/W1의 각 수치는, 개개의 조화 입자로부터 측정된 폭 W1, 길이 L1, 및 비 L1/W1의 중앙값을 각각 의미하는 것으로 한다.
조화 처리 구리박(10)은, 조화 처리면(12)을 단면에서 본 경우에 있어서의, 판상 조화 입자(12a)의 폭 W2, 길이 L2 및 폭 W2에 대한 길이 L2의 비인 L2/W2가 각각 소정의 범위로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 판상 조화 입자(12a)의 폭 W2는, 도 3에 모식적으로 도시되는 바와 같이, 판상 조화 입자(12a)에 있어서, 조화 처리면(12)과 연결되는 근원 간의 거리를 의미한다. 또한, 판상 조화 입자(12a)의 길이 L2는, 도 3에 모식적으로 도시되는 바와 같이, 판상 조화 입자(12a)의 가장 높은 위치(가장 돌출된 부분)로부터, 폭 W2의 중점(근본 간의 중점)까지의 거리를 의미한다.
판상 조화 입자(12a)의 폭 W2는 15nm 이상 250nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40nm 이상 130nm 이하, 더욱 바람직하게는 45nm 이상 125nm 이하, 특히 바람직하게는 45nm 이상 120nm 이하이다. 또한, 판상 조화 입자(12a)의 길이 L2는 60nm 이상 270nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 95nm 이상 210nm 이하, 더욱 바람직하게는 100nm 이상 200nm 이하, 특히 바람직하게는 110nm 이상 190nm 이하이다. 또한, 판상 조화 입자(12a)의 비 L2/W2는 1.5 이상 6.6 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.0 이상 6.6 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 이상 5.0 이하, 특히 바람직하게는 2.0 이상 4.0 이하이다. 이와 같이 함으로써, 열가소성 수지와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 밸런스 좋게 실현할 수 있다.
판상 조화 입자(12a)의 폭 W2 및 길이 L2는, 집속 이온빔-주사 전자 현미경(FIB-SEM)을 사용하여 조화 처리 구리박의 단면을 연속 관찰(슬라이스 & 뷰 관찰)하고, 취득한 화상을 시판중인 소프트웨어를 사용하여 해석함으로써, 특정할 수 있다. 이 해석은, 예를 들어 3차원 해석 소프트웨어 「Amira5.5.0」(Thermo Fisher SCIENTIFIC사제) 및 화상 해석 소프트웨어 「Image Pro10」(Media Cybernetics사제)을 사용하여, 본 명세서의 실시예에 기재되는 여러 조건에 따라 행할 수 있다. 또한, 상술한 판상 조화 입자(12a)의 폭 W2, 길이 L2 및 비 L2/W2의 각 수치는, 개개의 조화 입자로부터 측정된 폭 W2, 길이 L2 및 비 L2/W2의 중앙값을 각각 의미하는 것으로 한다.
조화 처리 구리박(10)의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 0.1㎛ 이상 35㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 5.0㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0㎛ 이상 3.0㎛ 이하이다. 또한, 조화 처리 구리박(10)은, 통상의 구리박 표면에 조화 처리를 행한 것에 한정되지는 않고, 캐리어를 구비한 구리박의 구리박 표면에 조화 처리를 행한 것이어도 된다. 여기서, 조화 처리 구리박(10)의 두께는, 조화 처리면(12)의 표면에 형성된 조화 입자의 높이를 포함하지 않는 두께 조화 처리 구리박(10)을 구성하는 구리박 자체의 두께)이다. 상기 범위의 두께를 갖는 구리박을, 극박 구리박이라고 하는 경우가 있다.
조화 처리 구리박(10)은, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면(12)을 갖는다. 즉, 조화 처리 구리박(10)은 양쪽에 조화 처리면(12)을 갖는 것이어도 되고, 한쪽 측에만 조화 처리면(12)을 갖는 것이어도 된다. 전술한 바와 같이 조화 처리면(12)은, 전형적으로는 복수의 판상 조화 입자(12a)(융기부)를 구비하여 이루어지고, 이들 복수의 판상 조화 입자(12a)는 각각 구리 입자로 이루어지는 것이 바람직하다. 구리 입자는 금속 구리로 이루어지는 것이어도 되고, 구리 합금으로 이루어지는 것이어도 된다.
조화 처리면(12)을 형성하기 위한 조화 처리는, 구리박 상에 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성함으로써 바람직하게 행할 수 있다. 예를 들어, 이 조화 처리는, 구리 농도 50g/L 이상 90g/L 이하(보다 바람직하게는 60g/L 이상 80g/L 이하) 및 황산 농도 125g/L 이상 335g/L 이하(보다 바람직하게는 140g/L 이상 270g/L 이하)를 포함하는 황산구리 용액에 카르복시벤조트리아졸(CBTA)을 CBTA 농도가 50ppm 이상 300ppm 이하(보다 바람직하게는 100ppm 이상 250ppm 이하)로 되도록 함유시켜 전착을 행하는 것이 바람직하다. 이 전착은, 전류 밀도 10A/dm2 이상 30A/dm2 이하(보다 바람직하게는 12A/dm2 이상 22A/dm2 이하), 전기량 10A·s 이상 150A·s 이하(보다 바람직하게는 10A·s 이상 75A·s 이하) 및 액온 40℃ 이상 50℃ 이하(보다 바람직하게는 42℃ 이상 50℃ 이하)의 조건에서 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 상술한 표면 파라미터를 만족시키기에 적절한 융기부(즉 판상 조화 입자)를 처리 표면에 형성하기 쉬워진다.
소망에 따라, 조화 처리 구리박(10)은 방청 처리가 실시되어, 방청 처리층이 형성된 것이어도 된다. 방청 처리는, 아연을 사용한 도금 처리를 포함하는 것이 바람직하다. 아연을 사용한 도금 처리는, 아연 도금 처리 및 아연 합금 도금 처리 중 어느 것이어도 되고, 아연 합금 도금 처리는 아연-니켈 합금 처리가 특히 바람직하다. 아연-니켈 합금 처리는 적어도 Ni 및 Zn을 포함하는 도금 처리이면 되고, Sn, Cr, Co 등의 다른 원소를 더 포함하고 있어도 된다. 아연-니켈 합금 도금에서의 Ni/Zn 부착 비율은, 질량비로, 1.2 이상 10 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 이상 7 이하, 더욱 바람직하게는 2.7 이상 4 이하이다. 또한, 방청 처리는 크로메이트 처리를 더 포함하는 것이 바람직하고, 이 크로메이트 처리는 아연을 사용한 도금 처리 후에, 아연을 포함하는 도금의 표면에 행해지는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 함으로써 방청성을 더욱 향상시킬 수 있다. 특히 바람직한 방청 처리는, 아연-니켈 합금 도금 처리와 그 후의 크로메이트 처리의 조합이다.
소망에 따라, 조화 처리 구리박(10)은 표면에 실란 커플링제 처리가 실시되어, 실란 커플링제층이 형성된 것이어도 된다. 이에 의해 내습성, 내약품성 및 접착제 등과의 밀착성 등을 향상시킬 수 있다. 실란 커플링제층은, 실란 커플링제를 적절히 희석하여 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 실란 커플링제의 예로서는, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성 실란 커플링제, 또는 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노관능성 실란 커플링제, 또는 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토 관능성 실란 커플링제 또는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란 등의 올레핀 관능성 실란 커플링제, 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴 관능성 실란 커플링제, 또는 이미다졸 실란 등의 이미다졸 관능성 실란 커플링제, 또는 트리아진 실란 등의 트리아진 관능성 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
상술한 이유에서, 조화 처리 구리박(10)은, 조화 처리면(12)에 방청 처리층 및/또는 실란 커플링제층을 더 구비하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 방청 처리층 및 실란 커플링제층의 양쪽을 구비한다. 방청 처리층 및 실란 커플링제층은, 조화 처리 구리박(10)의 조화 처리면(12) 측뿐만 아니라, 조화 처리면(12)이 형성되어 있지 않은 측에 형성되어도 된다.
캐리어를 구비한 구리박
상술한 바와 같이, 본 발명의 조화 처리 구리박(10)은 캐리어를 구비한 구리박의 형태로 제공되어도 된다. 즉, 본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 캐리어와, 캐리어 상에 마련된 박리층과, 박리층 상에 조화 처리면(12)을 외측으로 하여 마련된 상기 조화 처리 구리박(10)을 구비한, 캐리어를 구비한 구리박이 제공된다. 다만, 캐리어를 구비한 구리박은, 본 발명의 조화 처리 구리박(10)을 사용하는 것 이외에는, 공지의 층 구성이 채용 가능하다.
캐리어는, 조화 처리 구리박(10)을 지지하여 그 핸들링성을 향상시키기 위한 지지체이며, 전형적인 캐리어는 금속층을 포함한다. 이러한 캐리어의 예로서는, 알루미늄박, 구리박, 스테인리스(SUS)박, 표면을 구리 등으로 메탈 코팅한 수지 필름이나 유리 등을 들 수 있고, 바람직하게는 구리박이다. 구리박은 압연 구리박 및 전해 구리박 중 어느 것이어도 되지만, 바람직하게는 전해 구리박이다. 캐리어의 두께는 전형적으로는 250㎛ 이하이고, 바람직하게는 9㎛ 이상 200㎛ 이하이다.
박리층은, 캐리어의 박리 강도를 약하게 하고, 해당 강도의 안정성을 담보하며, 나아가 고온에서의 프레스 성형 시에 캐리어와 구리박의 사이에서 일어날 수 있는 상호 확산을 억제하는 기능을 갖는 층이다. 박리층은, 캐리어의 한쪽 면에 형성되는 것이 일반적이지만, 양면에 형성되어도 된다. 박리층은, 유기 박리층 및 무기 박리층 중 어느 것이어도 된다. 유기 박리층에 사용되는 유기 성분의 예로서는, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산 등을 들 수 있다. 질소 함유 유기 화합물의 예로서는, 트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등을 들 수 있고, 그 중에서도 트리아졸 화합물은 박리성이 안정되기 쉬운 점에서 바람직하다. 트리아졸 화합물의 예로서는, 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 들 수 있다. 황 함유 유기 화합물의 예로서는, 머캅토벤조티아졸, 티오시아누르산, 2-벤즈이미다졸티올 등을 들 수 있다. 카르복실산의 예로서는, 모노카르복실산, 디카르복실산 등을 들 수 있다. 한편, 무기 박리층에 사용되는 무기 성분의 예로서는, Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn, 크로메이트 처리 막 등을 들 수 있다. 또한, 박리층의 형성은 캐리어의 적어도 한쪽 표면에 박리층 성분 함유 용액을 접촉시켜, 박리층 성분을 캐리어의 표면에 고정시키는 것 등에 의해 행하면 된다. 캐리어를 박리층 성분 함유 용액에 접촉시키는 경우, 이 접촉은, 박리층 성분 함유 용액에의 침지, 박리층 성분 함유 용액의 분무, 박리층 성분 함유 용액의 유하 등에 의해 행하면 된다. 그 외, 증착이나 스퍼터링 등에 의한 기상법으로 박리층 성분을 피막 형성하는 방법도 채용 가능하다. 또한, 박리층 성분의 캐리어 표면에의 고정은, 박리층 성분 함유 용액의 흡착이나 건조, 박리층 성분 함유 용액 중의 박리층 성분의 전착 등에 의해 행하면 된다. 박리층의 두께는, 전형적으로는 1nm 이상 1㎛ 이하이고, 바람직하게는 5nm 이상 500nm 이하이다.
소망에 따라, 박리층과 캐리어 및/또는 조화 처리 구리박(10)의 사이에 다른 기능층을 마련해도 된다. 그러한 다른 기능층의 예로서는 보조 금속층을 들 수 있다. 보조 금속층은 니켈 및/또는 코발트로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 보조 금속층을 캐리어의 표면 측 및/또는 조화 처리 구리박(10)의 표면 측에 형성함으로써, 고온 또는 장시간의 열간 프레스 성형 시에 캐리어와 조화 처리 구리박(10)의 사이에서 일어날 수 있는 상호 확산을 억제하여, 캐리어의 떼어내기 강도의 안정성을 담보할 수 있다. 보조 금속층의 두께는, 0.001㎛ 이상 3㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
동장 적층판
본 발명의 조화 처리 구리박(10)은 프린트 배선판용 동장 적층판의 제작에 사용되는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 상기 조화 처리 구리박(10)을 구비한 동장 적층판이 제공된다. 본 발명의 조화 처리 구리박(10)을 사용함으로써 동장 적층판의 가공에 있어서, 열가소성 수지 기재와의 높은 밀착성과 우수한 고주파 특성을 양립시킬 수 있다. 이 동장 적층판은, 본 발명의 조화 처리 구리박과, 조화 처리 구리박의 조화 처리면에 밀착되어 마련되는 수지층을 구비하여 이루어진다. 조화 처리 구리박은 수지층의 편면에 마련되어도 되고, 양면에 마련되어도 된다. 수지층은, 수지, 바람직하게는 절연성 수지를 포함하여 이루어진다. 수지층은 프리프레그 및/또는 수지 시트인 것이 바람직하다. 프리프레그란, 합성 수지판, 유리판, 유리 직포, 유리 부직포, 종이 등의 기재에 합성 수지를 함침시킨 복합 재료의 총칭이다. 또한, 수지층에는 절연성을 향상시키는 등의 관점에서 실리카, 알루미나 등의 각종 무기 입자로 이루어지는 필러 입자 등이 함유되어 있어도 된다. 수지층의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 1㎛ 이상 1000㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 400㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 수지층은 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다. 프리프레그 및/또는 수지 시트 등의 수지층은 미리 구리박 표면에 도포되는 프라이머 수지층을 개재시켜 조화 처리 구리박에 마련되어 있어도 된다.
고주파 용도에 적합한 동장 적층판을 제공하는 관점에서, 수지층은 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 수지층에 포함되는 수지 성분의 대부분(예를 들어 50중량％ 이상) 또는 대부분(예를 들어 80중량％ 이상 혹은 90 중량％ 이상)이 열가소성 수지이다. 열가소성 수지의 바람직한 예로서는, 폴리술폰(PSF), 폴리에테르술폰(PES), 비정질 폴리아릴레이트(PAR), 액정 폴리머(LCP), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 열가소성 폴리이미드(PI), 폴리아미드이미드(PAI), 불소 수지, 폴리아미드(PA), 나일론, 폴리아세탈(POM), 변성 폴리페닐렌에테르(m-PPE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 유리 섬유 강화 폴리에틸렌테레프탈레이트(GF-PET), 시클로올레핀(COP) 및 이들의 임의의 조합을 들 수 있다. 바람직한 유전 정접 및 우수한 내열성의 관점에서, 열가소성 수지의 보다 바람직한 예로서는, 폴리술폰(PSF), 폴리에테르술폰(PES), 비정질 폴리아릴레이트(PAR), 액정 폴리머(LCP), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 열가소성 폴리이미드(PI), 폴리아미드이미드(PAI), 불소 수지, 및 그것들의 임의의 조합을 들 수 있다. 저유전율의 관점에서, 특히 바람직한 열가소성 수지는 액정 폴리머(LCP) 및/또는 불소 수지이다. 불소 수지의 바람직한 예로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 테트라플루오로에틸렌-에틸렌 공중합체(ETFE), 및 그것들의 임의의 조합을 들 수 있다. 또한, 절연 수지 기재의 조화 처리 구리박에의 첩부는, 가열하면서 프레스함으로써 행하는 것이 바람직하고, 이와 같이 함으로써 열가소성 수지를 연화시켜 조화 처리면의 미세 요철에 들어가게 할 수 있다. 그 결과, 미세 요철(특히 판상 조화 입자)의 수지에의 파고 들어감에 의한 앵커 효과에 의해, 구리박과 수지의 밀착성을 확보할 수 있다.
프린트 배선판
본 발명의 조화 처리 구리박은 프린트 배선판의 제작에 사용되는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 바람직한 양태에 따르면, 상기 조화 처리 구리박을 구비한 프린트 배선판이 제공된다. 본 발명의 조화 처리 구리박을 사용함으로써 프린트 배선판의 제조에 있어서, 우수한 고주파 특성과 높은 회로 밀착성을 양립시킬 수 있다. 본 양태에 의한 프린트 배선판은, 수지층과, 구리층이 적층된 층 구성을 포함하여 이루어진다. 구리층은 본 발명의 조화 처리 구리박에서 유래하는 층이다. 또한, 수지층에 대해서는 동장 적층판에 관하여 전술한 바와 같다. 어떻든 간에, 프린트 배선판은, 본 발명의 조화 처리 구리박을 사용하는 것 이외에는, 공지의 층 구성이 채용 가능하다. 프린트 배선판에 관한 구체예로서는, 프리프레그의 편면 또는 양면에 본 발명의 조화 처리 구리박을 접착시켜 경화한 적층체로 한 후에 회로 형성한 편면 또는 양면 프린트 배선판이나, 이들을 다층화한 다층 프린트 배선판 등을 들 수 있다. 또한, 다른 구체예로서는, 수지 필름 상에 본 발명의 조화 처리 구리박을 형성하여 회로를 형성하는 플렉시블 프린트 배선판, COF, TAB 테이프 등도 들 수 있다. 또한 다른 구체예로서는, 본 발명의 조화 처리 구리박에 상술한 수지층을 도포한 수지를 구비한 구리박(RCC)을 형성하고, 수지층을 절연 접착재층으로서 상술한 프린트 기판에 적층한 후, 조화 처리 구리박을 배선층의 전부 또는 일부로서 모디파이드·세미·애디티브법(MSAP), 서브트랙티브법 등의 방법으로 회로를 형성한 빌드업 배선판이나, 조화 처리 구리박을 제거하여 세미·애디티브법(SAP)에서 회로를 형성한 빌드업 배선판, 반도체 집적 회로 상에 수지를 구비한 구리박의 적층과 회로 형성을 교호로 되풀이하는 다이렉트·빌드업·온·웨이퍼 등을 들 수 있다. 보다 발전적인 구체예로서, 상기 수지를 구비한 구리박을 기재에 적층하여 회로 형성한 안테나 소자, 접착제층을 개재시켜 유리나 수지 필름에 적층하여 패턴을 형성한 패널·디스플레이용 전자 재료나 창 유리용 전자 재료, 본 발명의 조화 처리 구리박에 도전성 접착제를 도포한 전자파 실드·필름 등도 들 수 있다. 특히, 본 발명의 조화 처리 구리박을 구비한 프린트 배선판은, 신호 주파수 10GHz 이상의 고주파 대역에서 사용되는 자동차용 안테나, 휴대 전화 기지국 안테나, 고성능 서버, 충돌 방지용 레이더 등의 용도로 사용되는 고주파 기판으로서 적합하게 사용된다.
실시예
본 발명을 이하의 예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.
예 1 내지 3
조화 처리 구리박을 구비한 캐리어를 구비한 구리박을 이하와 같이 하여 제작하였다.
(1) 캐리어의 준비
이하에 나타내어지는 조성의 구리 전해액과, 음극과, 양극으로서의 DSA(치수 안정성 양극)를 사용하여, 용액 온도 50℃, 전류 밀도 70A/dm2로 전해하여, 두께 18㎛의 전해 구리박을 캐리어로서 제작하였다. 이때, 음극으로서, 표면을 #1000의 버프로 연마하여 표면 조도를 조정한 전극을 사용하였다.
<구리 전해액의 조성>
- 구리 농도: 80g/L
- 황산 농도: 300g/L
- 염소 농도: 30mg/L
- 아교 농도: 5mg/L
(2) 박리층의 형성
산세 처리된 캐리어의 전극면을, 카르복시벤조트리아졸(CBTA) 농도 1g/L, 황산 농도 150g/L 및 구리 농도 10g/L을 포함하는 CBTA 수용액에, 액온 30℃에서 30초간 침지시키고, CBTA 성분을 캐리어의 전극면에 흡착시켰다. 이와 같이 하여, 캐리어의 전극면에 CBTA층을 유기 박리층으로서 형성하였다.
(3) 보조 금속층의 형성
유기 박리층이 형성된 캐리어를, 황산 니켈을 사용하여 제작된 니켈 농도 20g/L을 포함하는 용액에 침지시키고, 액온 45℃, pH3, 전류 밀도 5A/dm2의 조건에서, 두께 0.001㎛ 상당의 부착량의 니켈을 유기 박리층 상에 부착시켰다. 이와 같이 하여, 유기 박리층 상에 니켈층을 보조 금속층으로서 형성하였다.
(4) 극박 구리박의 형성
보조 금속층이 형성된 캐리어를, 이하에 나타내어지는 조성의 구리 용액에 침지시키고, 용액 온도 50℃, 전류 밀도 5A/dm2 이상 30A/dm2 이하로 전해하여, 두께 1.5㎛의 극박 구리박을 보조 금속층 상에 형성하였다.
<용액의 조성>
- 구리 농도: 60g/L
- 황산 농도: 200g/L
(5) 조화 처리
이와 같이 하여 형성된 극박 구리박의 표면에 조화 처리를 행함으로써 조화 처리 구리박을 형성하고, 이에 의해 캐리어를 구비한 구리박을 얻었다. 이 조화 처리는, 표 1에 나타내어지는 구리 농도, 황산 농도 및 카르복시벤조트리아졸(CBTA) 농도의 산성 황산구리 용액을 사용하여, 표 1에 나타내어지는 전착 조건(전류 밀도, 전기량 및 액온)에서 실시하였다. 이때, 산성 황산구리 용액의 조성 및 전착 조건을 표 1에 나타나는 바와 같이 적절히 바꿈으로써, 조화 처리 표면의 특징이 다른 다양한 샘플을 제작하였다.
(6) 방청 처리
얻어진 캐리어를 구비한 구리박의 조화 처리 표면에, 아연-니켈 합금 도금 처리 및 크로메이트 처리로 이루어지는 방청 처리를 행하였다. 먼저, 아연 농도 1g/L, 니켈 농도 2g/L 및 피로인산 칼륨 농도 80g/L을 포함하는 용액을 사용하여, 액온 40℃, 전류 밀도 0.5A/dm2의 조건에서, 조화 처리층 및 캐리어의 표면에 아연-니켈 합금 도금 처리를 행하였다. 이어서, 크롬산 1g/L을 포함하는 수용액을 사용하여, pH12, 전류 밀도 1A/dm2의 조건에서, 아연-니켈 합금 도금 처리를 행한 표면에 크로메이트 처리를 행하였다.
(7) 실란 커플링제 처리
3-아미노프로필트리메톡시실란 농도가 6g/L인 수용액을 캐리어를 구비한 구리박의 조화 처리 구리박 측의 표면에 흡착시켜, 전열기에 의해 수분을 증발시킴으로써, 실란 커플링제 처리를 행하였다. 이때, 실란 커플링제 처리는 캐리어 측에는 행하지 않았다.
예 4(비교)
하기 a) 및 b) 이외는 예 1 내지 3와 마찬가지로 하여 조화 처리 구리박의 제작을 행하였다.
a) 캐리어를 구비한 구리박 대신에, 이하의 전해 구리박의 석출면에 조화 처리를 행한 것.
b) 조화 처리 공정에 있어서, 산성 황산구리 용액의 조성 및 전착 조건을 각각 표 1에 나타내어지는 수치로 변경한 것.
(전해 구리박의 준비)
구리 전해액으로서 이하에 나타내어지는 조성의 황산 산성 황산구리 용액을 사용하고, 음극에 표면 조도 Ra가 0.20㎛인 티탄제의 전극을 사용하고, 양극에는 DSA(치수 안정성 양극)를 사용하여, 용액 온도 45℃, 전류 밀도 55A/dm2로 전해하여, 두께 18㎛의 전해 구리박을 얻었다.
<황산 산성 황산구리 용액의 조성>
- 구리 농도: 80g/L
- 황산 농도: 260g/L
- 비스(3-술포프로필)디술피드 농도: 30mg/L
- 디알릴디메틸암모늄클로라이드 중합체 농도: 50mg/L
- 염소 농도: 40mg/L
예 5(비교)
조화 처리 공정을 하기 a) 내지 c)와 같이 변경한 것 이외에는, 예 4와 마찬가지로 하여 조화 처리 구리박의 제작을 행하였다.
a) 산성 황산구리 용액에서의 구리 농도 및 황산 농도를 표 1에 나타내어지는 수치로 변경한 것.
b) 9-페닐아크리딘(9PA) 및 염소를, 표 1에 나타내어지는 농도가 되도록 산성 황산구리 용액에 첨가한 것.
c) 전착 조건을 표 1에 나타내어지는 수치로 변경한 것.
[표 1]
Figure pct00001
평가
예 1 내지 5에서 제작된 조화 처리 구리박을 구비한 캐리어를 구비한 구리박에 대하여, 이하에 나타내어지는 각종 평가를 행하였다.
<조화 처리면의 표면 성상 파라미터>
레이저 현미경(올림푸스 가부시키가이샤제, OLS5000)을 사용한 표면 조도 해석에 의해, 조화 처리 구리박의 조화 처리면의 측정을 ISO25178에 준거하여 행하였다. 구체적으로는, 조화 처리 구리박의 조화 처리면에서의 129.73㎛×129.73㎛의 영역의 표면 프로파일을, 상기 레이저 현미경으로 배율 100배의 대물 렌즈를 사용하여, 주사 모드 「3D 표준+컬러」 및 촬영 모드 「Auto」의 조건에서 측정하였다. 얻어진 조화 처리면의 표면 프로파일에 대하여 노이즈 제거에 의해 스파이크 노이즈를 제거하고, 기울기 제거를 자동으로 행한 후, 표면 성상 해석에 의해 표면 성상의 애스펙트비 Str 및 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1의 측정을 실시하였다. 이때, F 연산으로 형상 제거(「다차 국면 3차」를 선택)를 행하고, S 필터에 의한 컷오프 파장을 0.251㎛로 하고, L 필터에 의한 컷오프 파장을 4.5㎛로서 계측하였다. 각 예에 대하여 상기 Str 및 Smr1의 측정을 상이한 8시야에서 실시하고, 전체 시야에서의 Str의 평균값 및 Smr1의 평균값을 당해 샘플에서의 조화 처리면의 Str 및 Smr1로서 각각 채용하였다. 결과는 표 2에 나타내어지는 바와 같았다.
<바로 위 SEM 관찰>
조화 처리면을 평면에서 본 경우의 조화 입자를 관찰하기 위해, 전계 방출형 주사 전자 현미경(FE-SEM, 가부시키가이샤 히타치 하이테크제, SU8000)을 사용하여, 배율 50000배로 조화 처리 구리박의 조화 처리면을 바로 위(Tilt: 0°)에서 관찰하였다. 얻어진 관찰 화상을 화상 해석 소프트웨어(Media Cybernetics사제, Image Pro10)에 도입하고, 콘트라스트를 「자동 최적값 설정」으로서 최적화하였다. 여기서, 예 2에서 얻어진 관찰 화상(FE-SEM상)을 도 4에 나타냄과 함께, 당해 관찰 화상의 콘트라스트 최적화 후의 화상을 도 5에 나타낸다. 이어서, 상기 해석 소프트웨어를 사용하여, 휘도 농도의 평균이 3 이상 13 이하인 조화 입자(즉 조화 처리면에 대하여 수직 방향으로 일어서 있는 조화 입자)를 추출하고, 추출한 조화 입자를 각각 타원 근사하여, 단축 길이 및 장축 길이를 측정함과 함께, 단축 길이에 대한 장축 길이의 비를 산출하였다. 각 예에 대하여 이상의 조작을 상이한 2시야에 대하여 행하고, 추출된 모든 조화 입자의 데이터로부터, 단축 길이의 중앙값, 장축 길이의 중앙값 및 단축 길이에 대한 장축 길이의 비의 중앙값을 산출하고, 각각 당해 샘플의 폭 W1, 길이 L1 및 비 L1/W1로서 채용하였다.
<단면 SEM 관찰>
조화 처리면을 단면에서 본 경우의 조화 입자를 관찰하기 위해, 집속 이온빔-주사 전자 현미경(FIB-SEM, Carl Zeiss사제, Crossbeam540)을 사용하여, 조화 처리 구리박의 단면 연속 관찰(슬라이스 & 뷰 관찰)을 이하의 조건에서 실시하였다.
(FIB 조건)
- 이온종: Ga
- 카본 데포지션: 가속 전압 30kV, 프로브 전류 100pA, 데포지션 영역 13㎛×13㎛
- 거친 파기: 가속 전압 30kV, 프로브 전류 30nA 또는 15nA
- 단면 가공(연속): 가속 전압 30kV, 프로브 전류 300pA, 깊이 스텝 5nm, 화소 5nm/pixel
(SEM 조건)
- 가속 전압: 2kV
- 프로브 전류: 69pA
- 작동 거리(WD): 5mm
- Noise Reduction: Line Avg
- Signal: InLens
- 관찰 시야: 5.12㎛×3.84㎛
얻어진 조화 처리 구리박의 단면 화상에 대하여, 3차원 해석 소프트웨어(Thermo Fisher SCIENTIFIC제, Amira5.5.0)를 사용하여 3차원 처리를 행함과 함께, 화상 해석 소프트웨어(Media Cybernetics사제, Image Pro10)를 사용하여 해석을 행하였다. 여기서, 예 2에서 얻어진 조화 처리 구리박의 단면 화상(단면 SEM상)을 도 6에 나타낸다. 화상 내에 존재하는 모든 조화 입자에 대하여, 각각 폭 W2(조화 입자의 근원 간의 거리) 및 길이 L2(조화 입자의 가장 높은 위치로부터 폭 W2의 중점(근본 간의 중점)까지의 거리)를 계측함과 함께, 폭 W2에 대한 길이 L2의 비 L2/W2를 산출하였다. 각 예에 대하여 이상의 조작을 상이한 3시야에 대하여 행하고, 모든 조화 입자의 데이터로부터, 폭 W2의 중앙값, 길이 L2의 중앙값 및 비 L2/W2의 중앙값을 산출하고, 각각 당해 샘플의 폭 W2, 길이 L2 및 비 L2/W2로서 채용하였다. 결과는 표 2에 나타내어지는 바와 같았다.
<열가소성 수지(액정 폴리머)에 대한 박리 강도>
열가소성 수지 기재로서 액정 폴리머(LCP) 필름(가부시키가이샤 쿠라레제, 벡스타 CT-Q, 두께 50㎛×1매)을 준비하였다. 이 열가소성 수지 기재에, 얻어진 캐리어를 구비한 구리박을 그 조화 처리면이 수지 기재와 맞닿도록 적층하고, 진공 프레스기를 사용하여, 프레스압 4MPa, 온도 330℃, 프레스 시간 10분의 조건에서 프레스를 행한 후, 캐리어를 박리층과 함께 박리 제거하여, 동장 적층판을 제작하였다. 이 동장 적층판에 대하여 염화 제2 구리 에칭액을 사용하여, 서브트랙티브법에 의한 회로 형성을 행하여, 3mm 폭의 직선 회로를 구비한 시험 기판을 제작하였다. 또한, 예 1 내지 3에 대해서는, 캐리어 박리 후에, 동장 적층판에서의 구리층의 두께가 18㎛가 될 때까지 구리 도금을 실시한 후에, 회로 형성을 행하였다. 제작한 시험 기판에 대하여 탁상형 정밀 만능 시험기(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제, AGS-50NX)를 사용하여, 형성한 직선 회로를 JIS C 5016-1994의 A법(90° 박리)에 준거하여 열가소성 수지 기재로부터 떼어내어, 상태 박리 강도(kgf/cm)를 측정하였다. 결과는 표 2에 나타내어지는 바와 같았다.
<전송 특성의 평가>
절연 수지 기재로서 고주파용 기재(파나소닉 가부시키가이샤제, MEGTRON6N, 두께 45㎛×2매)를 준비하였다. 이 절연 수지 기재의 양면에 얻어진 캐리어를 구비한 구리박을 그 조화 처리면이 절연 수지 기재와 맞닿도록 적층하고, 진공 프레스기를 사용하여, 프레스압 3MPa, 온도 190℃, 프레스 시간 90분의 조건에서 프레스를 행한 후, 캐리어를 박리층과 함께 박리 제거하여 동장 적층판을 얻었다. 그 후, 동장 적층판에 대하여 염화 제2 구리 에칭액을 사용하여, 서브트랙티브법에 의한 회로 형성(회로 높이: 18㎛, 회로 폭 300㎛, 회로 길이: 300mm)을 행하였다. 또한, 예 1 내지 3에 대해서는, 캐리어 박리 후에, 동장 적층판에서의 구리층의 두께가 18㎛가 될 때까지 구리 도금을 실시한 후에, 회로 형성을 행하였다. 이와 같이 하여, 특성 임피던스가 50Ω±2Ω이 되도록 마이크로스트립 라인을 형성한 전송 손실 측정용 기판을 얻었다. 얻어진 전송 손실 측정용 기판에 대하여 네트워크 애널라이저(키사이트·테크놀로지사제, N5225B)를 사용하여, 이하의 설정 조건에서 측정을 행하고, 50GHz에서의 전송 손실(dB)을 계측하였다. 결과는 표 2에 나타내어지는 바와 같았다.
(설정 조건)
- IF Bandwidth: 100Hz
- Frequency: 10MHz 내지 50GHz
- Data points: 501point
- Average: Off
- 교정 방법: SOLT(e-cal)
[표 2]
Figure pct00002

Claims (10)

  1. 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는 조화 처리 구리박이며,
    상기 조화 처리면은, 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.02 이상 0.24 이하이고, 또한 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 1.0％ 이상 15.0％ 이하이고,
    상기 Str 및 Smr1은, ISO25178에 준거하여 S 필터에 의한 컷오프 파장 0.251㎛ 및 L 필터에 의한 컷오프 파장 4.5㎛의 조건에서 측정되는 값인, 조화 처리 구리박.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면 성상의 애스펙트비 Str이 0.08 이상 0.24 이하인, 조화 처리 구리박.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌출 산부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr1이 5.0％ 이상 10.5％ 이하인, 조화 처리 구리박.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조화 처리면이 복수의 판상 조화 입자를 구비하는, 조화 처리 구리박.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 조화 처리면을 평면에서 본 경우에, 상기 판상 조화 입자의 폭 W1이 2nm 이상 135nm 이하이고, 상기 판상 조화 입자의 길이 L1가 15nm 이상 490nm 이하이고, 또한 상기 폭 W1에 대한 상기 길이 L1의 비인 L1/W1이 2.0 이상 7.2 이하인, 조화 처리 구리박.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 조화 처리면을 단면에서 본 경우에, 상기 판상 조화 입자의 폭 W2가 15nm 이상 250nm 이하이고, 상기 판상 조화 입자의 길이 L2가 60nm 이상 270nm 이하이고, 또한 상기 폭 W2에 대한 상기 길이 L2의 비인 L2/W2가 1.5 이상 6.6 이하인, 조화 처리 구리박.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조화 처리면에 방청 처리층 및/또는 실란 커플링제층을 더 구비한, 조화 처리 구리박.
  8. 캐리어와, 해당 캐리어 상에 마련된 박리층과, 해당 박리층 상에 상기 조화 처리면을 외측으로 하여 마련된 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 조화 처리 구리박을 구비한, 캐리어를 구비한 구리박.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 조화 처리 구리박을 구비한, 동장 적층판.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 조화 처리 구리박을 구비한, 프린트 배선판.
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