KR20230128560A - 기판 처리 시스템 및 상태 감시 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 상태 감시 방법 Download PDF

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KR20230128560A
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도시아키 고다마
다케시 니이도메
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 시스템으로서, 기판의 반입출구를 갖고, 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치와, 상기 반입출구를 개폐하는 개폐 기구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 접속되고, 상기 반입출구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 대하여 기판을 반출입하는 기판 반송 기구를 갖는 반송 장치와, 상기 기판 반송 기구에 마련되고, 열화상을 생성하는 열화상 생성부와, 제어 장치를 구비하고, 상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치가 상기 소정의 처리를 실시하기 전 및 후의 적어도 어느 한쪽의 타이밍에서, 상기 개폐 기구에 의해, 상기 반입출구를 개방시키고, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 기판 처리 장치의 내부 온도 분포를 나타내는 열화상인 장치 내 열화상을 생성시킨다.

Description

기판 처리 시스템 및 상태 감시 방법
본 개시는, 기판 처리 시스템 및 상태 감시 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 기판이 수용되고, 그 내부가 감압 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 마련되고, 반송 장치에 의해 처리 용기 내에 반송된 기판이 적재되는 하부 전극과, 하부 전극의 주위를 둘러싸도록 마련된 포커스 링을 갖는 플라스마 에칭 장치가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-100407호 공보
본 개시에 관한 기술은, 기판 처리 장치 내의 온도를, 당해 기판 처리 장치의 구성을 변경하지 않고 감시한다.
본 개시의 일 양태는, 기판 처리 시스템으로서, 기판의 반입출구를 갖고, 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치와, 상기 반입출구를 개폐하는 개폐 기구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 접속되고, 상기 반입출구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 대하여 기판을 반출입하는 기판 반송 기구를 갖는 반송 장치와, 상기 기판 반송 기구에 마련되고, 열화상을 생성하는 열화상 생성부와, 제어 장치를 구비하고, 상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치가 상기 소정의 처리를 실시하기 전 및 후의 적어도 어느 한쪽의 타이밍에서, 상기 개폐 기구에 의해, 상기 반입출구를 개방시키고, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 기판 처리 장치의 내부 온도 분포를 나타내는 열화상인 장치 내 열화상을 생성시킨다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치 내의 온도를, 당해 기판 처리 장치의 구성을 변경하지 않고 감시할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템의 구성 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 처리 장치의 구성 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 3은 웨이퍼 반송 기구의 구성을 모식적으로 도시하는 측면도이다.
도 4는 장치 내 열화상을 생성할 때의, 서모그래피 카메라의 위치 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 처리 장치의 온도 감시에 관한, 제어 장치의 제어부 기능 블록도이다.
도 6은 장치 내 열화상의 생성에 사용되는 지그의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 장치 내 열화상의 생성에 사용되는 지그의 다른 예를 나타내는 측면도이다.
도 8은 서모그래피 카메라의 배치 위치의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
예를 들어 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다) 등의 기판에 대하여, 성막 처리, 에칭 처리 등의 소정의 처리가 기판 처리 장치에 의해 실시된다.
또한, 이 기판 처리 장치를 구성하는 부재는, 상술한 소정의 처리 시에, 그 온도가 원하는 온도로 조절되어 있다. 예를 들어, 기판이 적재되는 스테이지의 온도나, 상기 스테이지를 수용하는 처리 용기의 벽 온도 등이, 원하는 온도로 조절되어 있다. 이러한 온도 조절을 행하는 것은, 스테이지의 온도 등이 상기 소정의 처리 결과에 영향을 미치기 때문이다.
그런데, 처리를 반복해 가면, 과거에 정상적인 처리 결과가 얻어지고 있던 처리 조건에서 처리를 행해도, 정상적인 처리 결과가 얻어지지 않을 경우가 있다. 그 이유의 하나로서 이하를 생각할 수 있다. 즉, 처리가 반복됨으로써, 스테이지나 처리 용기 등의 처리 공간측의 표면의 상태가 변화한다. 이렇게 처리 공간측의 표면의 상태가 변화하면, 전술한 바와 같이 온도 조절을 행하고 있어도, 상기 표면이 원하는 온도로 안되어버린다. 그 결과, 처리 공간 내의 처리 가스의 상태가 원하는 상태로 되지 않고, 또한, 처리에 플라스마를 사용하는 경우에는, 처리 공간 내의 플라스마의 상태가 원하는 상태로 되지 않고, 이것에 의해 정상적인 처리 결과가 얻어지지 않게 되어버리는 것으로 생각된다.
그래서, 처리 장치 내의 온도를 감시하고, 구체적으로는 처리 용기 내의 구성 부재의 표면 온도를 감시하는 것이 생각되고 있다. 이 감시 결과를, 전술한 온도 조절 등에 반영하는 것에 의해, 처리를 반복했을 때에 정상적인 처리 결과가 얻어지지 않게 되는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 기존의 기판 처리 장치의 처리 용기에는, 처리 장치 내의 온도를 감시하기 위한 감시용 창, 즉 뷰포트는 마련되어 있지 않다. 그리고, 이 뷰포트를 처리 용기에 추가하면, 처리 용기 내의 처리 공간의 상태가 크게 변화하기 때문에, 처리 조건의 대폭적인 재검토가 필요하게 된다.
그래서, 본 개시에 관한 기술은, 기판 처리 장치 내의 온도를, 당해 기판 처리 장치의 구성을 변경하지 않고 감시한다.
이하, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템 및 온도 감시 방법에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<웨이퍼 처리 시스템>
도 1은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템으로서의 웨이퍼 처리 시스템(1)의 구성 개략을 도시하는 평면도이다.
도 1의 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여, 예를 들어 성막 처리, 확산 처리, 에칭 처리 등의 소정의 처리를 감압 하에서 행하는 것이다.
이 웨이퍼 처리 시스템(1)은, 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 캐리어(C)가 반출입되는 캐리어 스테이션(10)과, 감압 하에서 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 캐리어 스테이션(10)과 처리 스테이션(11)은, 2개의 로드 로크 장치(12, 13)를 개재해서 연결되어 있다.
로드 로크 장치(12, 13)는, 실내를 대기압 상태와 진공 상태로 전환되도록 구성된 로드 로크실(12a, 13a)을 갖는다. 로드 로크 장치(12, 13)는, 후술하는 대기압 반송 장치(20)와 진공 반송 장치(30)를 연결하도록 마련되어 있다.
캐리어 스테이션(10)은, 대기압 반송 장치(20)와 캐리어 적재대(21)를 갖고 있다. 또한, 캐리어 스테이션(10)에는, 또한 웨이퍼(W)의 방향을 조절하는 오리엔터(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 된다.
대기압 반송 장치(20)는, 실내가 대기압 하로 되는 대기 반송실(22)을 갖는다. 대기 반송실(22)은, 로드 로크 장치(12, 13)의 로드 로크실(12a, 13a)과 게이트 밸브(G1, G2)를 개재해서 접속되어 있다. 대기 반송실(22) 내에는 반송 기구(23)가 마련되어 있다. 반송 기구(23)는, 대기압 하에서 로드 로크실(12a, 13a) 과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
반송 기구(23)는, 반송 암(23a)을 갖고, 반송 암(23a)은, 예를 들어 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지부가 선단에 마련된 다관절 암으로 구성된다. 그리고, 반송 기구(23)는, 반송 암(23a)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지하면서 반송하는 구성으로 되어 있다.
캐리어 적재대(21)는, 대기압 반송 장치(20)에 있어서, 로드 로크 장치(12, 13)의 반대측 측면에 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 캐리어 적재대(21)에는, 캐리어(C)를 복수, 예를 들어 3개 적재할 수 있게 되어 있다. 캐리어 적재대(21)에 적재된 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 대기압 반송 장치(20)의 반송 기구(23)의 반송 암(23a)에 의해 대기 반송실(22)에 대하여 반출입된다.
처리 스테이션(11)은, 진공 반송 장치(30)와 처리 장치(40 내지 43)를 갖고 있다.
진공 반송 장치(30)는, 실내가 감압 상태(진공 상태)로 유지되는 진공 반송실(31)을 갖는다. 진공 반송실(31)은, 로드 로크 장치(12, 13)의 로드 로크실(12a, 13a)과 게이트 밸브(G3, G4)를 개재해서 접속되어 있다. 또한, 진공 반송실(31)은, 후술하는 진공 처리실(44 내지 47) 각각과 게이트 밸브(G5 내지 G8)를 개재해서 접속되어 있다. 진공 반송실(31) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하는, 기판 반송 기구로서의 웨이퍼 반송 기구(32)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(32)는, 처리 장치(40 내지 43)에 대하여 후술하는 반입출구(100a)를 개재해서 웨이퍼(W)를 반출입한다. 웨이퍼 반송 기구(32)는, 반송 암(32a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 기구(32)의 구성의 상세에 대해서는 후술한다.
처리 장치(40 내지 43)는, 웨이퍼(W)에 대하여, 예를 들어 성막 처리, 확산 처리, 에칭 처리 등의 소정의 처리를 감압 하에서 행한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 처리 장치(40 내지 43)는, 플라스마를 사용한 에칭 처리를 행하는 것으로 한다. 또한, 처리 장치(40 내지 43)는 각각, 감압 하의 실내에서 웨이퍼(W)에 대하여 상기 에칭 처리가 행해지는 진공 처리실(44 내지 47)을 갖는다.
또한, 웨이퍼 처리 시스템(1)은 제어 장치(50)를 구비한다. 제어 장치(50)는, 제어부(51) 및 통보부로서의 표시부(52)를 갖는다.
제어부(51)는, 예를 들어 CPU 등의 프로세서나 메모리를 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 각종 정보를 기억하는 기억부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 상기 기억부에는, 웨이퍼 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 처리를 제어하는 프로그램이나, 처리 장치(40 내지 43) 내의 온도를 감시하기 위한 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체로부터 제어 장치(50)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 상기 기억 매체는 일시적인 것이어도 비일시적인 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현해도 된다.
표시부(52)는, 각종 정보를 표시하는 것으로서, 액정 디스플레이나 유기 디스플레이 등의 표시 디바이스에 의해 구성된다.
<처리 장치(40)>
계속해서, 처리 장치(40)에 대해서, 도 2를 사용해서 설명한다. 도 2는, 처리 장치(40)의 구성 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2에 도시하는 바와 같이 처리 장치(40)는, 처리 용기(100), 가스 공급부(120), RF(Radio Frequency: 고주파) 전력 공급부(130) 및 배기 시스템(140)을 포함한다. 또한, 처리 장치(40)는, 지지대(101) 및 샤워 헤드(102)를 포함한다.
처리 용기(100)는, 내부가 감압 가능하게 구성된 용기이며, 진공 처리실(44)을 구성한다. 처리 용기(100)는, 예를 들어 대략 원통 형상을 갖는다. 처리 용기(100)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입출구(100a)가 형성되어 있고, 반입출구(100a)에는, 당해 반입출구(100a)를 개폐하도록, 개폐 기구로서의 게이트 밸브(G5)가 마련되어 있다.
또한, 처리 용기(100)에 대하여, 당해 처리 용기(100)의 측벽 온도를 조절하는, 온도 조절부로서의 히터(100b)가 마련되어 있다. 히터(100b)는 예를 들어 처리 용기(100)의 측벽 외측면을 따라서 마련되어 있다.
지지대(101)는, 처리 용기(100) 내의 플라스마 처리 공간(100s)의 하부 영역에 배치된다.
지지대(101)는, 플라스마 처리 공간(100s)에 있어서 웨이퍼(W)를 지지하도록 구성된다. 지지대(101)는, 하부 전극(103), 정전 척(104), 절연체(105) 및 승강 핀(106)을 포함한다.
하부 전극(103)은, 예를 들어 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성되어 있다.
정전 척(104)은, 하부 전극(103) 위에 마련되고, 웨이퍼(W)를 정전기의 힘에 의해 흡착 보유 지지한다. 정전 척(104)은, 상면에 웨이퍼(W)가 적재되는 적재부(104a)를 중앙에 갖는다. 정전 척(104)에 있어서, 적재부(104a)의 상면이 그 외주의 부분 상면에 비해 높게 형성되어 있다. 정전 척(104)의 적재부(104a)를 둘러싸는 외주부의 상면에는, 포커스 링(107)이 적재된다.
포커스 링(107)은, 정전 척(104)의 적재부(104a)에 적재된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 배치되는, 환상 부재이며, 예를 들어 플라스마 처리(본 예에서는 플라스마 에칭 처리)의 균일성을 향상시키기 위해서 마련된다. 포커스 링(107)은, 실행해야 할 플라스마 처리에 따라서 적절히 선택되는 재료로 형성되어 있고, 예를 들어 실리콘으로 형성된다.
적재부(104a)에는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착에 의해 보유 지지하기 위한 전극(108)이 마련되어 있다. 정전 척(104)은, 절연 재료로 이루어지는 절연재의 사이에 전극(108)을 끼운 구성을 갖는다.
전극(108)에는, 직류 전원(도시하지 않음)으로부터의 직류 전압이 인가된다. 이것에 의해 발생하는 정전기의 힘에 의해, 정전 척(104)의 적재부(104a)의 상면에 웨이퍼(W)가 흡착 보유 지지된다.
또한, 정전 척(104)에 있어서의 전극(108)의 하방에는, 정전 척(104)의 온도를 조절하는 온도 조절부로서의 히터(109)가 매설되어 있다. 히터(109)는, 정전 척(104)의 온도를 조절함으로써, 정전 척(104)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 온도를 조절한다.
또한, 히터(109)는, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 위치한 복수의 영역 각각의 온도를 독립적으로 조절 가능하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 히터(109)는, 예를 들어 정전 척(104)의 평면으로 보아 중앙의 영역을 가열하는 히터와, 상기 평면으로 보아 중앙의 영역으로부터 정전 척(104)의 직경 방향 외측을 향해서 차례로 배열되는 복수의 환상의 영역 각각을 독립적으로 가열하는 히터를 갖는다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 절연체(105)는, 하부 전극(103)을 지지한다. 절연체(105)는, 예를 들어 하부 전극(103)의 외경과 동등한 외경을 갖는 원통상의 부재이며, 세라믹 등으로 형성되고, 하부 전극(103)의 주연측을 지지한다.
승강 핀(106)은, 정전 척(104)의 적재부(104a)의 상면으로부터 돌출 함몰하도록 승강하는, 주상의 부재이며, 예를 들어 세라믹으로 형성된다. 승강 핀(106)은, 정전 척(104)의 둘레 방향, 구체적으로는, 적재부(104a)의 상면의 둘레 방향을 따라, 서로 간격을 두고 3개 이상 마련되어 있다.
승강 핀(106)은, 당해 승강 핀(106)을 승강시키는 승강 기구(110)에 접속되어 있다. 승강 기구(110)는, 예를 들어 복수의 승강 핀(106)을 지지하는 지지 부재(111)와, 지지 부재(111)를 승강시키는 구동력을 발생시켜, 복수의 승강 핀(106)을 승강시키는 구동부(112)를 갖는다. 구동부(112)는, 상기 구동력을 발생하는 모터 등의 액추에이터를 갖는다.
승강 핀(106)은, 정전 척(104)의 적재부에서 하방으로 연장되어 하부 전극(103)의 저면까지 이르는 관통 구멍(113)에 삽입 관통된다.
승강 핀(106)의 상단부면은, 승강 핀(106)이 상승했을 때에 웨이퍼(W)의 이면을 지지한다.
샤워 헤드(102)는, 상부 전극으로서의 기능을 갖고, 가스 공급부(120)로부터의 처리 가스를 플라스마 처리 공간(100s)에 공급하는 샤워 헤드로서도 기능한다. 샤워 헤드(102)는, 지지대(101)의 상방에 배치되어, 처리 용기(100)의 천장부의 일부를 구성한다. 또한, 샤워 헤드(102)는, 처리 용기(100) 내에 면해서 배치되는 전극판(114) 및 전극판(114)의 상방에 마련되는 지지체(115)를 갖고 있다. 또한, 샤워 헤드(102)는, 절연성 차폐 부재(116)를 개재하여, 처리 용기(100)의 상부에 지지되어 있다.
전극판(114)에는, 복수의 토출 구멍(114a)이 예를 들어 등간격으로 형성되어 있다. 토출 구멍(114a)은, 처리 가스 등을 플라스마 처리 공간(100s)에 토출한다. 구체적으로는, 토출 구멍(114a)은, 플라스마 에칭 처리 시에, 정전 척(104)에 흡착 보유 지지된 웨이퍼(W)를 향해서 처리 가스를 토출한다. 또한, 토출 구멍(114a)은, 처리 장치(40)의 클리닝 시에는, 정전 척(104)을 향해서 클리닝용 가스를 토출한다. 전극판(114)은, 예를 들어 실리콘으로 형성된다.
지지체(115)는, 전극판(114)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들어 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성된다. 지지체(115)의 내부에는, 가스 확산실(115a)이 형성되어 있다. 당해 가스 확산실(115a)로부터는, 토출 구멍(114a)에 연통하는 가스류 통과 구멍(115b)이 복수 형성되어 있다.
가스 공급부(120)는, 1 이상의 가스 공급원(121) 및 1 이상의 유량 제어기(122)를 포함한다. 가스 공급부(120)는, 예를 들어 1 이상의 처리 가스 또는 1 이상의 클리닝용 가스를, 각각에 대응하는 가스 공급원(121)으로부터 각각에 대응하는 유량 제어기(122)를 개재해서 가스 확산실(115a)에 공급하도록 구성된다. 각 유량 제어기(122)는, 예를 들어 압력 제어식의 유량 제어기이다.
처리 장치(40)에 있어서는, 1 이상의 가스 공급원(121)으로부터 선택된 가스 공급원(121)으로부터의 처리 가스가, 유량 제어기(122)를 개재해서 가스 확산실(115a)에 공급된다. 그리고, 가스 확산실(115a)에 공급된 처리 가스는, 가스류 통과 구멍(115b), 토출 구멍(114a)을 개재하여, 플라스마 처리 공간(100s) 내에 샤워 상으로 분산되어 공급된다.
또한, 처리 장치(40)는, 샤워 헤드(102)로부터의 처리 가스의 공급 유량은, 웨이퍼(W)의 직경 방향에 위치한 복수의 영역 각각에서 독립적으로 조절 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 처리 장치(40)에서는, 도시는 생략하지만, 가스 확산실(115a)이 직경 방향으로 3 이상으로 분할되고, 서로 인접하는 가스 확산실(115a)이 격벽에 의해 이격되어 있어, 가스 공급부(120)로부터 각 가스 확산실(115a)에 공급되는 처리 가스의 압력이 개별로 조절 가능하게 구성되어 있다.
RF 전력 공급부(130)는, 예를 들어 2개의 RF 생성부(131a, 131b) 및 2개의 정합 회로(132a, 132b)를 포함한다. RF 생성부(131a) 및 RF 생성부(131b)는 각각, 정합 회로(132a, 132b)를 개재해서 하부 전극(103)에 접속되어, 하부 전극에 RF 전력을 공급한다.
RF 생성부(131a)는, 플라스마 생성용의 RF 전력을 생성해서 공급한다. RF 생성부(131a)로부터의 RF 전력의 주파수는, 예를 들어 27MHz 내지 100MHz이다. 정합 회로(132a)는, RF 생성부(131a)의 출력 임피던스와 부하(하부 전극(103)) 측의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
RF 생성부(131b)는, 웨이퍼(W)에 이온을 인입하기 위한 RF 전력(고주파 바이어스 전력)을 생성해서 공급한다. RF 생성부(131b)로부터의 RF 전력의 주파수는, 예를 들어 400kHz 내지 13.56MHz이다. 정합 회로(132b)는, RF 생성부(131b)의 출력 임피던스와 부하(하부 전극(103)) 측의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
배기 시스템(140)은, 플라스마 처리 공간(100s) 내를 배기하는 것이며, 진공 펌프를 갖는다. 배기 시스템(140)은, 처리 용기(100)의 저부에 마련된 배기구(100c)에 접속되어 있다.
처리 장치(41 내지 43)의 구성은, 처리 장치(40)의 구성과 마찬가지이기 때문에, 그 설명은 생략한다.
이어서, 웨이퍼 반송 기구(32)에 대해서, 도 3 및 도 4를 사용해서 설명한다. 도 3은, 웨이퍼 반송 기구(32)의 구성을 모식적으로 도시하는 측면도이다. 도 4는, 후술하는 장치 내 열화상을 생성할 때의, 후술하는 서모그래피 카메라(300)의 위치 일례를 도시하는 도면이다.
웨이퍼 반송 기구(32)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 반송 암(32a)과, 기대(32b)를 갖고, 반송 암(32a)에 의해 웨이퍼(W)를 보유 지지하면서 반송 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(32)에 마련되는 반송 암의 수는, 복수이어도 된다.
반송 암(32a)은, 예를 들어 다관절 암으로 구성된다. 기대(32b)는, 반송 암(32a)의 기단측을 축지지한다.
반송 암(32a)은, 제1 관절 암(201)과, 제2 관절 암(202)과, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부로서의 보유 지지 암(203)을 갖는다.
제1 관절 암(201)은, 그 기단측이 기대(32b)에 연직축 주위로 회전 자재로 접속되어 있다.
제2 관절 암(202)은, 제1 관절 암(201)의 선단측에 연직축 주위로 회전 자재로 접속되어 있다.
보유 지지 암(203)은, 제2 관절 암(202)의 선단측에 연직축 주위로 회전 자재로 접속되어 있다.
기대(32b)에는, 반송 암(32a)의 승강, 회전 및 신축을 구동하는 구동부(32c)가 마련되어 있다. 이 구동부는, 반송 암(32a)을 승강시키는 구동력, 반송 암(32a)을 수평하게 회전시키는 구동력 및 반송 암(32a)을 수평 방향으로 신축시키는 구동력을 발생하는 구동원으로서, 예를 들어 모터 등의 액추에이터를 갖는다.
보유 지지 암(203)은, 내부가 공동으로 형성된 근원부(203a)를 기단측에 갖고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 포크(203b)를 선단측에 갖는다.
반송 암(32a)이 승강하는 것에 의해, 포크(203b)가 승강하고, 반송 암(32a)이 회전 또는 신축하는 것에 의해, 포크(203b)가 수평 방향으로 이동한다.
웨이퍼 반송 기구(32) 중, 반송 암(32a)은 진공 분위기로 되는 진공 반송실(31) 내 등에 위치하고, 기대(32b)는 대기 분위기로 되는 진공 반송실(31)의 하방 공간에 마련되어 있다.
또한, 기대(32b), 제1 관절 암(201) 및 제 2 관절 암(202)의 내부는 모두, 보유 지지 암(203)의 기단측의 근원부(203a)와 마찬가지로, 공동이다. 그리고, 보유 지지 암(203)의 근원부(203a)의 내부의 공간은, 제1 관절 암(201) 및 제 2 관절 암(202)의 내부를 통해서, 대기 분위기가 되는 기대(32b)의 내부의 공간과 연통하고 있다.
이상과 같이 구성되는 웨이퍼 반송 기구(32)는 제어 장치(50)의 후술하는 반송 제어부(51b)에 의해 제어된다.
또한, 웨이퍼 반송 기구(32)에는, 열화상 생성부로서의 서모그래피 카메라(300)가 마련되어 있다.
서모그래피 카메라(300)는, 온도 분포를 나타내는 열화상을 생성한다. 구체적으로는, 서모그래피 카메라(300)는, 온도 감시 대상인 처리 장치(40 내지 43) 각각의 내부(구체적으로는 처리 용기(100)의 내부)의 온도 분포를 나타내는 열화상인 장치 내 열화상을 생성한다. 보다 구체적으로는, 서모그래피 카메라(300)는, 처리 장치(40 내지 43) 각각에 있어서의 온도 조절 대상(예를 들어 처리 용기(100)의 측벽, 정전 척(104))의 열화상을 포함하는 장치 내 열화상을 생성한다.
또한, 서모그래피 카메라(300)는, 제어 장치(50)의 후술하는 카메라 제어부(51c)에 의해 제어된다. 서모그래피 카메라(300)에 의해 생성된 열화상은, 예를 들어 무선 통신 또는 유선 통신에 의해, 제어 장치(50)에 출력된다.
서모그래피 카메라(300)는, 예를 들어 적외선을 검출하는 센서가 어레이 상으로 배열된 어레이 센서 유닛(도시하지 않음)을 갖는다.
또한, 서모그래피 카메라(300)는, 예를 들어 기대(32b)의 내부의 공간과 연통해 대기 분위기가 되는, 보유 지지 암(203)의 근원부(203a)의 내부에 마련된다. 근원부(203a)의 포크(203b) 측의 측벽에는, 서모그래피 카메라(300)용의 창(203c)이 마련되어 있다.
서모그래피 카메라(300)는, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같이 처리 장치(40) 내에 위치하지 않고 진공 반송실(31) 내에 위치한 상태에서, 처리 장치(40)의 내부로부터 방사되어 반입출구(100a) 및 창(203c)을 통과한 적외선을 검출하고, 검출 결과에 기초하여, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성한다.
웨이퍼 처리 시스템(1)에서는, 서모그래피 카메라(300)에 의해 생성된 처리 장치(40 내지 43)의 장치 내 열화상 각각을 감시함으로써, 처리 장치(40 내지 43) 각각의 내부 온도를 감시한다.
<제어 장치(50)>
도 5는, 처리 장치(40 내지 43) 내의 온도 감시에 관한, 제어 장치(50)의 제어부(51)의 기능 블록도이다. 또한, 이하에서는, 제어부(51)의 각 기능에 대해서, 주로 처리 장치(40)에 관한 처리를 예로 들어 설명하지만, 제어부(51)의 각 기능이 처리 장치(41 내지 43)에 관해 행하는 처리는, 처리 장치(40)에 관해 행하는 처리와 마찬가지이기 때문에, 그 설명을 생략한다.
제어부(51)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, CPU 등의 프로세서가 기억부에 기억된 프로그램을 판독해서 실행함으로써 실현되는, 개폐 제어부(51a), 반송 제어부(51b), 카메라 제어부(51c), 취득부(51d), 온도 제어부(51e), 필요 여부 판정부(51f), 표시 제어부(51g), 기준 취득부(51h)를 구비한다.
개폐 제어부(51a)는, 게이트 밸브(G1 내지 G7)의 동작을 제어하고, 반입출구(100a)를 개폐시킨다. 개폐 제어부(51a)는, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성 시에는, 게이트 밸브(G5)가 개방 상태가 되도록, 게이트 밸브(G5)의 개폐를 구동하는 구동부(도시하지 않음)를 제어한다.
반송 제어부(51b)는, 반송 기구(23) 및 웨이퍼 반송 기구(32)를 제어한다. 반송 제어부(51b)는, 예를 들어 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성 시에는, 보유 지지 암(203)에 마련된 서모그래피 카메라(300) 및 창(203c)이 처리 장치(40)의 반입출구(100a)와 대향하도록, 반송 암(32a)을 구동하는 구동부(32c)를 제어한다.
카메라 제어부(51c)는, 서모그래피 카메라(300)에 의한 열화상의 생성을 제어한다.
취득부(51d)는, 서모그래피 카메라(300)에 의해 생성된 열화상을 취득하고, 특히 서모그래피 카메라(300)에 의해 생성된 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 취득한다. 취득부(51d)는, 처리 장치(40)가 에칭 처리, 즉 소정의 처리를 실시하기 전의 타이밍에서, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 처리 장치(40)의 반입출구(100a)를 개방시킨다. 그리고, 이 상태에서, 취득부(51d)는, 반송 제어부(51b) 및 카메라 제어부(51c)의 제어 하에, 서모그래피 카메라(300)에 의해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성시켜, 이것을 취득한다. 취득부(51d)가 취득한 장치 내 열화상은 기억부(도시하지 않음)에 축적된다. 또한, 이하의 설명에서는, 「장치 내 열화상」이란, 기본적으로, 상기 소정의 처리를 실시하기 전의 타이밍에서 생성되어 취득된 장치 내 열화상을 의미한다.
온도 제어부(51e)는, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)에 대한 히터(100b), 처리 장치(40)의 정전 척(104)에 대한 히터(109)를 제어한다. 구체적으로는, 온도 제어부(51e)는, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 장치(40) 내의 온도 분포가 원하는 분포가 되도록, 상기 히터(100b, 109)를 제어한다.
온도 제어부(51e)는, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)의 측벽 온도를 측정하는 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과와, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)에 대한 히터(100b)를 제어한다. 구체적으로는, 예를 들어 이하와 같다.
즉, 온도 제어부(51e)는, 먼저, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 용기(100)의 측벽 처리 공간(100s) 측의 표면 온도(이하, 내벽면 온도라고 한다)가 적절한지의 여부를 판정한다. 이 판정 방법의 구체예는 후술한다. 처리 용기(100)의 내벽면 표면 온도가 적절하면, 온도 제어부(51e)는, 상기 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과에 기초하여, 처리 용기(100)의 측벽이 설정 온도가 되도록, 히터(100b)를 제어한다. 한편, 처리 용기(100)의 내벽면 온도가 적절하지 않으면, 온도 제어부(51e)는, 처리 용기(100)의 측벽 설정 온도를 보정한다. 예를 들어, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 나타내는 처리 용기(100)의 내벽면 온도(평균 온도이어도 되고 최고 온도이어도 된다)가 기준값(이하, 「측벽용 기준값」이라고 한다)보다 높은 경우, 온도 제어부(51e)는, 처리 용기(100)의 측벽 설정 온도를, 낮아지도록 보정한다. 그리고, 이후는, 온도 제어부(51e)는, 상기 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과에 기초하여, 처리 용기(100)의 측벽이 보정 후의 설정 온도가 되도록, 히터(100b)를 제어한다.
또한, 이상의 처리 용기(100)의 측벽 온도 제어는, 상기 측벽이 복수의 영역으로 구획되고, 각 영역에 독립적으로 제어 가능한 히터(100b)가 마련되어 있을 경우는, 영역마다 행해도 된다. 이에 의해, 처리 용기(100)의 내벽면 온도의 분포를 원하는 온도 분포로 할 수 있다.
처리 용기(100)의 내벽면 온도가 적절한지의 여부의 판정은, 예를 들어 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 나타내는 처리 용기(100)의 내벽면 온도가 전술한 측벽용 기준값보다 높은지의 여부에 기초해서 행해진다. 또한, 상기 판정은, 예를 들어 미리 기계 학습 등에 의해 작성된, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상으로부터 처리 용기(100)의 내벽면 온도의 적부를 판정하는 모델(이하, 「측벽용 적부 판정 모델」)에 기초해서 행해도 된다.
또한, 온도 제어부(51e)는, 처리 장치(40)의 정전 척(104)의 온도를 측정하는 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과와, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 장치(40)의 정전 척(104)에 대한 히터(109)를 제어한다. 구체적으로는, 예를 들어 이하와 같다.
즉, 온도 제어부(51e)는, 먼저, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 정전 척(104)의 처리 공간(100s) 측의 표면 온도(이하, 상면 온도라고 한다)가 적절한지의 여부를 판정한다. 이 판정 방법의 구체예는 후술한다. 정전 척(104)의 상면 온도가 적절하면, 온도 제어부(51e)는, 상기 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과에 기초하여, 정전 척(104)이 설정 온도가 되도록, 히터(109)를 제어한다. 한편, 정전 척(104)의 상면 온도가 적절하지 않으면, 온도 제어부(51e)는, 정전 척(104)의 설정 온도를 보정한다. 예를 들어, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 나타내는 정전 척(104)의 상면 온도(평균 온도이어도 되고 최고 온도이어도 된다)가 기준값(이하, 「척용 기준값」이라고 한다)보다 높은 경우, 온도 제어부(51e)는, 정전 척(104)의 설정 온도를, 낮아지도록 보정한다. 그리고, 이후는, 온도 제어부(51e)는, 상기 온도 센서(도시하지 않음)의 측정 결과에 기초하여, 정전 척(104)이 보정 후의 설정 온도가 되도록, 히터(109)를 제어한다.
또한, 이상의 정전 척(104)의 온도 제어는, 상기 정전 척(104)이 복수의 영역으로 구획되고, 각 영역에 독립적으로 제어 가능한 히터(109)가 마련되어 있을 경우는, 영역마다 행해도 된다. 이에 의해, 정전 척(104)의 상면 온도의 분포를 원하는 온도 분포로 할 수 있다.
정전 척(104)의 상면 온도가 적절한지의 여부의 판정은, 예를 들어 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 나타내는 정전 척(104)의 상면 온도가 전술한 척용 기준값보다 높은지의 여부에 기초해서 행해진다. 또한, 상기 판정은, 예를 들어 미리 기계 학습 등에 의해 작성된, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상으로부터 정전 척(104)의 상면 온도의 적부를 판정하는 모델(이하, 「척용 적부 판정 모델」)에 기초해서 행해도 된다.
상술한 바와 같이, 처리 용기(100)의 내벽면 온도의 분포 및 정전 척(104)의 상면 온도의 분포를, 원하는 온도 분포로 하는 것에 의해, 처리 장치(40) 내 전체의 온도 분포를 원하는 온도 분포로 할 수 있다.
필요 여부 판정부(51f)는, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요한지의 여부를 판정한다.
예를 들어, 필요 여부 판정부(51f)는, 미리 기계 학습 등에 의해 작성된, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상으로부터 처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요한지의 여부를 판정하는 모델(이하, 필요 여부 판정 모델)을 사용하여, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 처리 장치(40)의 메인터넌스 필요 여부를 판정한다. 또한, 메인터넌스의 필요 여부 판정에 사용하는 장치 내 열화상은 1매이어도 되고, 시간적으로 연속하는 복수매의 장치 내 열화상이어도 된다. 시간적으로 연속하는 복수매의 장치 내 열화상을 사용하면, 처리 장치(40)의 내부 경시적인 변화로부터, 처리 장치(40)의 메인터넌스 필요 여부를 판정할 수 있다.
또한, 필요 여부 판정부(51f)는, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 나타내는 온도가 역치를 초과한 경우에, 처리 장치(40)에 메인터넌스가 필요하다고 판정해도 된다. 예를 들어, 필요 여부 판정부(51f)는, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 복수의 영역으로 분할하고, 어느 하나 또는 복수의 영역이 나타내는 온도가 역치를 초과한 경우, 처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요하다고 판정한다.
또한, 「처리 장치(40)의 메인터넌스」란, 처리 장치(40)를 구성하는 부재의 메인터넌스, 구체적으로는, 처리 용기(100)의 측벽 메인터넌스, 정전 척(104)의 메인터넌스, 샤워 헤드(102)의 메인터넌스이어도 된다.
예를 들어, 필요 여부 판정부(51f)는, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 있어서의 처리 용기(100)의 측벽에 대응하는 부분이 나타내는, 당해 측벽의 내벽면 온도(평균 온도이어도 되고 최고 온도이어도 된다)가, 역치(측벽용 역치)를 초과하고 있는지의 여부에 기초하여, 처리 용기(100)의 측벽 메인터넌스 필요 여부를 판정한다. 예를 들어, 역치를 초과하는 경우, 필요 여부 판정부(51f)는 처리 용기(100)의 측벽 메인터넌스가 필요하다고 판정한다.
마찬가지로, 필요 여부 판정부(51f)는, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 있어서의 정전 척(104)에 대응하는 부분이 나타내는, 당해 정전 척(104)의 상면 온도가, 역치(척용 역치)를 초과하고 있는지의 여부에 기초하여, 정전 척(104)의 메인터넌스 필요 여부를 판정한다.
또한, 필요 여부 판정부(51f)는, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 있어서의 샤워 헤드(102)에 대응하는 부분이 나타내는, 당해 샤워 헤드(102)의 하면 온도가, 역치(샤워용 역치)를 초과하고 있는지의 여부에 기초하여, 샤워 헤드(102)의 메인터넌스 필요 여부를 판정한다. 또한, 샤워 헤드(102)는, 플라스마 처리 공간(100s)에 생성된 플라스마로부터의 입열에 의해 승온한다. 또한, 샤워 헤드(102)는, 그 소모 정도(구체적으로는 샤워 헤드(102)의 표면 상태의 변화나 샤워 헤드(102)의 두께 변화)에 의해, 승온 정도가 바뀐다. 그 때문에, 상술한 바와 같이, 필요 여부 판정부(51f)가, 처리 장치(40)의 장치 내 화상에 기초하여, 샤워 헤드(102)의 메인터넌스의 필요 여부를 판정한다.
제어부(51)가, 상술한 필요 여부 판정부(51f)에 추가하여 또는 대신하여, 처리 장치(40) 내의 장치 내 열화상으로부터, 당해 장치 내 열화상이 나타내는 온도가 역치를 초과 또한 역치와의 차가 가장 큰 부분을 특정하고, 당해 부분에 대응하는 처리 장치(40)의 구성 부재를, 메인터넌스해야 할 구성 부재로 결정하는 결정부(도시하지 않음)를 구비하고 있어도 된다.
표시 제어부(51g)는, 표시부(52)를 제어한다.
예를 들어, 표시 제어부(51g)는, 필요 여부 판정부(51f)에 의해 처리 장치(40)에 메인터넌스가 필요하다고 판정된 경우에, 그 취지를 통보하도록 표시부(52)를 제어한다.
또한, 정전 척(104) 등, 처리 장치(40)를 구성하는 부재에 메인터넌스가 필요하다고 판정된 경우에는, 그 취지와 함께 당해 부재의 교환이나 클리닝을 재촉하는 메시지가 표시되도록, 표시 제어부(51g)가 표시부(52)를 제어해도 된다.
기준 취득부(51h)는, 온도 제어부(51e)에서 사용되는, 처리 장치(40)에 대한 측벽용 기준값, 측벽용 적부 판정 모델, 척용 기준값, 척용 적부 판정 모델을 취득한다. 이들의 취득은 예를 들어 이하와 같이 해서 행해진다. 즉, 웨이퍼 처리 시스템(1)의 가동 시에, 처리 장치(40)에서 복수의 웨이퍼(W) 각각에 소정의 처리, 즉 에칭 처리를 실시하도록 한다. 그리고, 웨이퍼(W)마다, 상기 소정의 처리 전 타이밍에서, 서모그래피 카메라(300)에 의해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성시켜서, 기억부(도시하지 않음)에 축적하도록 한다. 기준 취득부(51h)는, 상술한 바와 같이 축적된 웨이퍼(W) 마다의 처리 장치(40)의 장치 내 열화상과, 웨이퍼(W) 마다의 처리 결과에 기초하여, 측벽용 기준값 및 척용 기준값의 산출, 그리고, 측벽용 적부 판정 모델 및 척용 적부 판정 모델의 학습에 의한 작성을 행하여, 이들을 취득한다. 또한, 웨이퍼(W) 마다의 처리 결과는, 예를 들어 키보드 등의 입력 수단(도시하지 않음)이나 네트워크 인터페이스 등의 외부 인터페이스를 개재해서 외부로부터 입력된다.
또한, 기준 취득부(51h)는, 필요 여부 판정부(51f)에서 사용되는, 필요 여부 판정 모델, 측벽용 역치, 척용 역치, 샤워용 역치를 취득한다. 이들은, 예를 들어 척용 적부 판정 모델, 측벽용 기준값 등과 마찬가지의 방법에 의해 취득할 수 있다.
또한, 기준 취득부(51h)가 취득한, 처리 장치(40)에 대한 측벽용 기준값, 측벽용 적부 판정 모델, 척용 기준값, 척용 적부 판정 모델, 필요 여부 판정 모델, 측벽용 역치, 척용 역치 및 샤워용 역치는, 기억부(도시하지 않음)에 미리 기억된다.
기준 취득부(51h)가 처리 장치(40)를 사용해서 산출 또는 작성한 측벽용 기준값 및 측벽용 적부 판정 모델은, 처리 장치(41)에 대한 측벽용 기준값 및 측벽용 적부 판정 모델로서 적용해도 된다. 척용 기준값, 척용 적부 판정 모델, 필요 여부 판정 모델, 측벽용 역치, 척용 역치 및 샤워용 역치에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 처리 장치(40)에 대한 측벽용 기준값 및 측벽용 적부 판정 모델은, 처리 장치(40)와 마찬가지의 구성을 갖는 평가기로 얻어진 정보에 기초하여 웨이퍼 처리 시스템(1)의 외부에서 미리 산출 또는 작성되어 제어부(51)의 기억부(도시하지 않음)에 미리 기억된 것이어도 된다. 척용 기준값, 척용 적부 판정 모델, 필요 여부 판정 모델, 측벽용 역치, 척용 역치 및 샤워용 역치에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 제어부(51)가, 취득부(51d)가 취득한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상 에 기초하여, 처리 장치(40)의 이상을 판정하는 이상 판정부(도시하지 않음)를 구비하고 있어도 된다. 「처리 장치(40)의 이상」이란, 처리 장치(40)를 구성하는 부재가 이상이어도 된다.
또한, 이상 판정부를 구비할 경우, 표시 제어부(51g)가, 이상 판정부에 의해 처리 장치(40)에 이상이 발생하고 있다고 판정된 경우에, 그 취지를 통보하도록 표시부(52)를 제어해도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 시스템(1)을 사용해서 행해지는 웨이퍼 처리의 일례에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 예는, 웨이퍼(W)에 대하여, 처리 장치(40)에 의해 플라스마 에칭 처리를 행하는 예이다.
예를 들어, 먼저, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 웨이퍼(W)가, 반송 기구(23)의 반송 암(23a)에 의해, 캐리어(C)로부터 취출됨과 동시에, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G1)가 개방 상태로 된다. 그 후, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 웨이퍼(W)가, 반송 암(23a)에 의해, 로드 로크 장치(12)에 반입되어, 로드 로크 장치(12) 내의 지지부(도시하지 않음)에, 수취된다.
계속해서, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 반송 암(23a)이 로드 로크 장치(12)로부터 발출되고, 또한, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G1)가 폐쇄 상태로 되어 로드 로크 장치(12) 내가 밀폐되어, 로드 로크 장치(12) 내의 압력이 소정의 압력 이하가 되도록 감압된다.
상술한 반송 기구(23)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 및 감압과 병행하여, 바꾸어 말하면, 플라스마 에칭 처리 전에, 취득부(51d)가, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 취득한다. 구체적으로는, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G5)가 개방 상태로 되어, 처리 장치(40)의 반입출구(100a)가 개방됨과 함께, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 서모그래피 카메라(300)가 창(203c)을 개재해서 반입출구(100a)와 대향하도록, 반송 암(32a)이 구동된다. 그리고, 카메라 제어부(51c)의 제어 하에, 서모그래피 카메라(300)에 의해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 생성되고, 생성된 장치 내 열화상을 취득부(51d)가 취득한다. 또한, 서모그래피 카메라(300)에 의한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성 후, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 처리 장치(40)의 반입출구(100a)는 폐쇄 상태로 된다.
또한, 취득된 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 온도 제어부(51e)에 의해, 처리 장치(40)에 대해서, 처리 용기(100)의 측벽 및 정전 척(104)의 설정 온도의 보정이 적절히 행해진다.
또한, 취득된 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여, 필요 여부 판정부(51f)에 의해, 처리 장치(40)의 메인터넌스 필요 여부가 판정된다.
처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요하다고 판정된 경우, 예를 들어 웨이퍼 처리는 중단되고, 또한, 표시 제어부(51g)의 제어 하에, 처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요한 취지가, 표시부(52)에 표시된다. 또한, 처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요하다고 판정된 경우는, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)에 클리닝용 가스가 공급되어, 클리닝이 행해지게 해도 된다.
처리 장치(40)의 메인터넌스가 필요하다고 판정되지 않은 경우, 로드 로크 장치(12) 내의 압력이 소정의 압력 이하가 되면, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G3)가 개방 상태로 되고, 또한, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 웨이퍼(W)가, 웨이퍼 반송 기구(32)의 포크(203b)에 의해, 로드 로크 장치(12) 내의 지지부(도시하지 않음)로부터 수취되어, 로드 로크 장치(12)로부터 취출된다.
이어서, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄 상태로 된 후, 처리 장치(40)에 대한 게이트 밸브(G5)가 개방 상태로 된다. 계속해서, 감압된 처리 장치(40)의 처리 용기(100) 내에, 반송 제어부(51b)의 제어 하에, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 포크(203b)가 삽입되고, 즉, 웨이퍼(W)가, 처리 장치(40)의 처리 용기(100) 내에 반입된다. 그 후, 승강 핀(106)의 승강 및 포크(203b)의 처리 용기(100) 내로부터의 발출이 행해지고, 웨이퍼(W)가, 처리 용기(100) 내에서, 승강 핀(106)을 개재하여, 정전 척(104) 위에 적재된다.
계속해서, 개폐 제어부(51a)의 제어 하에, 게이트 밸브(G5)가 폐쇄 상태로 되어, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)가 밀폐됨과 함께, 배기 시스템(140)에 의해 처리 용기(100)의 내부가 소정의 진공도까지 감압된다. 또한, 정전 척(104)의 전극(108)에 직류 전압이 인가되고, 이에 의해, 웨이퍼(W)가, 정전기의 힘에 의해 정전 척(104)에 흡착 보유 지지된다.
이어서, 가스 공급부(120)로부터 샤워 헤드(102)를 개재해서 플라스마 처리 공간(100s)에 처리 가스가 공급된다. 또한, RF 전력 공급부(130)로부터 플라스마 생성용의 고주파 전력 HF가 하부 전극(103)에 공급되고, 이에 의해, 처리 가스를 여기시켜서, 플라스마를 생성한다. 이때, RF 전력 공급부(130)로부터 이온 인입용의 고주파 전력 LF도 하부 전극(103)에 공급된다. 그리고, 생성된 플라스마의 작용에 의해, 웨이퍼(W)에 플라스마 에칭 처리가 실시된다.
플라스마 에칭 처리를 종료할 때에는, RF 전력 공급부(130)로부터의 고주파 전력 HF 및 고주파 전력 LF의 공급과 가스 공급부(120)로부터의 처리 가스의 공급이 정지된다. 이어서, 전극(108)에 대한 직류 전압의 인가가 정지되어, 정전 척(104)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착 보유 지지가 정지된다.
그 후, 처리 용기(100)의 게이트 밸브(G5)가 개방 상태로 됨과 동시에, 처리 장치(40)의 처리 용기(100) 내로의 포크(203b)의 이동 및 승강 핀(106)의 승강이 행해지고, 웨이퍼(W)가, 포크(203b)에 수취된다. 그리고, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)에의 웨이퍼(W)의 반입과는 역의 수순으로, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)로부터의 웨이퍼(W)의 반출이 행해지고, 일련의 웨이퍼 처리가 종료한다.
<장치 내 열화상의 생성 타이밍의 다른 예>
이상의 예에서는, 처리 장치(40)가 에칭 처리, 즉 소정의 처리를 실시하기 전의 타이밍에서, 서모그래피 카메라(300)가 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 취득하는 것으로 했다. 그러나, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성 타이밍은, 처리 장치(40)가 상기 소정의 처리를 실시한 후이어도 되고, 처리 장치(40)가 상기 소정의 처리를 실시하기 전과 후의 양쪽이어도 된다.
<본 실시 형태의 주된 효과>
이상과 같이 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 시스템(1)이, 웨이퍼 반송 기구(32)에 마련되고, 열화상을 생성하는 서모그래피 카메라(300)를 구비한다.
또한, 제어부(51)가, 예를 들어 처리 장치(40)가 상기 소정의 처리를 실시하기 전 및 후의 적어도 어느 한쪽의 타이밍에서, 게이트 밸브(G5)에 의해 처리 장치(40)의 반입출구(100a)를 개방시킨 상태에서, 서모그래피 카메라(300)에 의해, 처리 장치(40)의 내부 온도 분포를 나타내는 열화상 즉 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성시킨다. 그리고, 이 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성에는, 처리 장치(40)의 구성 변경은 불필요하다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 처리 장치(40) 내의 온도를, 처리 장치(40)의 구성을 기존의 것으로부터 변경하지 않고 감시할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 뷰포트를 마련하고, 처리 장치(40) 내의 온도를 감시할 경우, 감시하는 장치를 플라스마 등으로부터 보호하기 위해서, 뷰포트에 셔터 등을 마련할 필요가 있다. 그것에 반해, 본 실시 형태에서는, 처리 장치(40)에서의 처리 중은, 처리 장치(40) 내의 온도를 감시하기 위한 서모그래피 카메라(300)가 진공 반송실(31) 내에 위치하고, 또한, 처리 용기(100)의 반입출구(100a)가 폐쇄된 상태에 있기 때문에, 그러한 셔터 등을 마련할 필요가 없다.
또한, 본 실시 형태에서는, 서모그래피 카메라(300)가, 처리 장치(40 내지 43) 간에 공통이어서, 처리 장치(40 내지 43) 각각에 대하여 개별로 마련되어 있지 않다. 따라서, 비용을 억제하면서, 처리 장치(40 내지 43) 각각의 내부 온도를 감시할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 처리 장치(40) 내의 온도, 구체적으로는, 처리 장치(40)에 있어서의 온도 조절 대상(예를 들어 처리 용기(100)의 측벽)의 처리 공간(100s) 측의 표면 온도를 감시하고 있다. 그리고, 이 감시 결과에 기초하여, 온도 제어부(51e)가, 상기 온도 조절 대상의 설정 온도를 보정하는 등, 상기 온도 조절 대상의 온도 조절 양태를 조정하고 있다. 따라서, 상기 온도 조절 대상의 처리 공간(100s) 측의 표면 온도를 원하는 온도로 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 처리 장치(40) 내의 온도를 감시하고, 이 감시 결과에 기초하여, 필요 여부 판정부(51f)가, 처리 장치(40)의 메인터넌스 필요 여부를 판정하고 있다. 이 판정 결과에 기초하면, 처리 장치(40)를 구성하는 부재의 교환이나 클리닝을, 처리 장치(40)에 이상이 발생하기 전의 적절한 타이밍에 행할 수 있다. 그 결과, 처리 장치(40)에 있어서의 처리 결과가 이상이 되는 것도 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 처리 장치(40)의 내부(구체적으로는 처리 용기(100)의 내부)의 전체를 부감하도록 하고, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성하여 취득하고 있기 때문에, 1개의 장치 내 열화상에는 처리 장치(40)를 구성하는 복수의 부재의 온도 분포의 정보가 포함된다. 그 때문에, 1개의 장치 내 열화상에 포함되는 처리 장치(40)의 구성 부재 모두에 대해서, 상기 1개의 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 기초하여 메인터넌스의 필요 여부 등을 판정할 수 있다. 따라서, 메인터넌스의 필요 여부 등의 판정에 요하는 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 1개의 장치 내 열화상에 포함되는, 처리 장치(40)의 구성 부재의 전체 영역에 대해서, 상기 1개의 처리 장치(40)의 장치(40)에 기초하여 영역마다 메인터넌스의 필요 여부 등을 판정할 수 있다. 따라서, 처리 장치(40)의 구성 부재의 전체 영역에 대해서 메인터넌스의 필요 여부 등의 판정을 하는 데도 요하는 시간을 짧게 할 수 있다.
<온도 제어부(51e)에 의한 온도 제어의 다른 예>
온도 제어부(51e)는, 장치 내 열화상을 처리 장치(40 내지 43) 간에 비교하고, 비교 결과에 기초하여, 처리 장치(40)의 처리 용기(100)의 측벽에 대한 히터(100b)를 제어해도 된다. 구체적으로는, 온도 제어부(51e)는, 예를 들어 처리 장치(40)의 장치 내 열화상에 있어서의 처리 용기(100)의 측벽에 대응하는 부분이 나타내는 온도와, 처리 장치(41 내지 43)의 장치 내 열화상에 있어서의 처리 용기(100)의 측벽에 대응하는 부분이 나타내는 온도에 차가 있는 경우, 이 차가 없어지도록, 처리 장치(40)에 대해서 처리 용기(100)의 측벽의 설정 온도를 보정한다.
정전 척(104)에 대한 히터(109)에 대해서도, 마찬가지로, 처리 장치(40 내지 43) 간의 장치 내 열화상의 비교 결과에 기초하여 제어해도 된다.
<장치 내 화상 열화상의 이용 방법의 다른 예>
웨이퍼 처리 시스템(1)에서 웨이퍼(W)를 연속적으로 처리할 때에 취득부(51d)가, 처리 장치(40 내지 43)에 의한 소정의 처리 전 또는 후에 장치 내 열화상을 취득하도록 하고, 취득된 장치 내 열화상이, 상기 소정의 처리에 있어서의 처리 조건과 관련지어서, 기억부(도시하지 않음)에 기억되도록 해도 된다. 그리고, 제어부(51)가, 축적된 장치 내 열화상으로부터, 동일한 처리 조건에서 온도가 변화하고 있는 장치 내 열화상 및 당해 장치 내 화상에 있어서의 부분을 추출하고, 당해 부분에 대응하는 처리 장치(40 내지 43)의 구성 부재를, 메인터넌스해야 할 구성 부재로 결정해도 된다. 결정한 메인터넌스해야 할 구성 부재를, 표시부(52)를 개재해서 통보하는 것 등에 의해, 적절한 타이밍에서 문제 개소의 메인터넌스를 재촉할 수 있다.
또한, 축적한, 처리 후의 장치 내 열화상과 처리 결과의 상관 관계를 미리 기계 학습 등에 의해 학습해 두고, 실제로 처리가 행해졌을 때에, 제어부(51)가, 처리 후의 장치 내 화상과 상기 상관 관계로부터, 정상적으로 처리되어 있지 않을 가능성이 있는 것을 판정하도록 해도 된다.
<장치 내 열화상의 다른 예>
도 6은, 장치 내 열화상의 생성에 사용되는 지그의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
서모그래피 카메라(300)는, 전술한 바와 같이, 예를 들어 처리 장치(40) 내에 위치하지 않고 진공 반송실(31) 내에 위치한 상태에서, 처리 장치(40)의 내부로부터 방사되어 반입출구(100a) 및 창(203c)을 통과한 적외선을 검출하고, 그 검출 결과에 기초하여, 장치 내 열화상을 생성하고 있다. 그 때문에, 반입출구(100a)의 형상이나 크기에 따라서는, 서모그래피 카메라(300)에 대하여 샤워 헤드(102)가 사각이 되고, 서모그래피 카메라(300)가 생성하는 장치 내 열화상에, 샤워 헤드(102)의 온도가 충분히 반영되지 않을 경우가 있다.
이 경우는, 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같은 지그(400)를, 처리 장치(40) 내에 위치시킨 상태에서, 장치 내 열화상을 생성하도록 해도 된다.
지그(400)는, 웨이퍼 반송 기구(32)나 반송 기구(23)에 의해 반송 가능하게 구성되어 있고, 또한, 서모그래피 카메라(300)를 향해 적외선을 반사하는 반사 부재(401)가 마련되어 있다. 반사 부재(401)는, 적외선의 방사율이 낮은 재료를 사용해서 형성된다.
도의 예에서는, 반사 부재(401)는, 지그 본체(402)의 상면에 마련되어 있고, 지그(400)가 수평하게 지지되었을 때에 상방으로부터의 적외선을 수평 방향을 향해서 반사하는 반사면(401a)을 갖는다.
그 때문에, 지그(400)가, 지지대(101) 또는 상승한 승강 핀(106)에 의해 수평하게 지지되고 있으면, 샤워 헤드(102)에 있어서의, 장치 내 촬상 화상 생성 시의 서모그래피 카메라(300)의 사각 부분으로부터 방사되어 하방을 향한 적외선은, 반사면(401a)에서 반사되어, 반입출구(100a)를 향한다. 그리고, 이 적외선은, 반입출구(100a)를 개재해서 진공 반송실(31) 내로 진입하고, 반입출구(100a)와 대향하는 서모그래피 카메라(300)에 입사해 검출된다.
지그(400)는, 예를 들어 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 캐리어(C)에 수용되어 있다.
서모그래피 카메라(300)에 의한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상의 생성(촬상) 시, 지그(400)는, 캐리어(C)로부터 반송 기구(23)에 의해 로드 로크실(12a) 또는 로드 로크실(13a)로 반송된다. 그 후, 지그(400)는, 웨이퍼 반송 기구(32)에 의해, 처리 장치(40)의 처리 용기(100) 내로 반입되어, 예를 들어 지지대(101) 또는 상승한 승강 핀(106)에 수평하게 지지된다. 이 상태에서, 처리 장치(40) 내가 아니고 진공 반송실(31) 내에 있어서의 처리 장치(40)의 반입출구와 대향하는 위치로 이동된 서모그래피 카메라(300)에 의해, 처리 장치(40)의 장치 내 열화상이 생성된다. 이 생성 시, 상술한 바와 같이, 샤워 헤드(102)에 있어서의 서모그래피 카메라(300)의 사각 부분으로부터 방사되어 하방을 향한 적외선은, 반사면(401a)에서 반사되어 서모그래피 카메라(300)에 입사해서 검출된다. 따라서, 서모그래피 카메라(300)가 생성한 처리 장치(40)의 장치 내 열화상은, 샤워 헤드(102)에 있어서의 상기 사각 부분의 온도가 반영된 것이 된다. 즉, 지그(400)를 사용하면, 샤워 헤드(102)에 있어서의 상기 사각 부분의 온도도 감시할 수 있다.
또한, 지그 본체(402)는, 웨이퍼(W)를 모방한 부재이며, 구체적으로는, 웨이퍼(W)와 동일한 직경(예를 들어 300mm)의 원판 상에 형성된 부재이다. 또한, 지그 본체(402)에는, 웨이퍼(W)와 마찬가지로, 예를 들어 노치(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 노치는, 처리 용기(100) 내의 반사 부재(401)에서 반사된 적외선을 반입출구(100a)를 향하게 하기 위해서, 지그(400)의 방향을 조절할 때에 사용된다.
예를 들어, 복수의 지그(400)를 준비하고, 각 지그(400)의 반사 부재(401)의 반사면(401a)의 각도를 서로 다르게 하여, 각 지그(400)를 사용해서 서모그래피 카메라(300)에 의해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성하도록 해도 된다. 이에 의해, 샤워 헤드(102)에 있어서의 온도 감시 범위를 확장할 수 있다. 예를 들어, 상기 온도 감시 범위를 샤워 헤드(102)의 중앙 부분과 주연 부분의 양쪽으로 확장할 수 있다.
또한, 복수의 지그를 준비하고, 각 지그(400)의 반사 부재의 탑재 위치를 서로 다르게 하여, 각 지그(400)를 사용해서 서모그래피 카메라(300)에 의해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성하도록 해도 된다. 이것에 의해서도, 샤워 헤드(102)에 있어서의 온도 감시 범위를 확장할 수 있다.
도 7은, 장치 내 열화상의 생성에 사용되는 지그의 다른 예를 나타내는 측면도이다.
도 7의 지그(500)는, 도 6의 지그(400)와 마찬가지로, 웨이퍼 반송 기구(32)나 반송 기구(23)에 의해 반송 가능하게 구성되어 있고, 또한, 서모그래피 카메라(300)를 향해 적외선을 반사하는 반사 부재(501)가 마련되어 있다.
단, 지그(500)는, 도 6의 지그(400)와 다르고, 반사 부재(501)가, 지그 본체(402)의 하면에 마련되어 있고, 지그(500)가 수평하게 지지되었을 때에 하방으로부터의 적외선을 수평 방향을 향해서 반사하는 반사면(501a)을 갖는다.
이 지그(500)는, 서모그래피 카메라(300)에 의한 장치 내 열화상의 생성 시, 상승한 승강 핀(106)에 의해 수평하게 지지되어서 사용된다.
지그(500)를 사용하여 서모그래피 카메라(300)에 의해 장치 내 열화상을 생성함으로써, 정전 척(104)에 있어서의, 진공 반송실(31) 내의 서모그래피 카메라(300)로부터 사각이 되는 부분의 온도를, 장치 내 열화상에 반영시킬 수 있다. 즉, 지그(500)를 사용하면, 샤워 헤드(102)에 있어서의 서모그래피 카메라(300)의 사각 부분의 온도도 감시할 수 있다.
<서모그래피 카메라의 배치 위치의 다른 예>
도 8은, 서모그래피 카메라의 배치 위치의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
이상의 예에서는, 서모그래피 카메라(300)는, 대기 분위기인, 보유 지지 암(203)의 기단측의 근원부(203a)의 내부에 마련되어 있었다. 서모그래피 카메라(300)가, 감압 하에서도 동작 가능하면, 도 8에 도시하는 바와 같이, 포크(203b)의 기부에 마련해도 된다. 또한, 서모그래피 카메라(300)는, 포크(203b)에 의한 웨이퍼(W)의 보유 지지를 방해하지 않으면, 포크(203b)의 선단에 마련해도 된다.
이렇게 서모그래피 카메라(300)를 포크(203b)에 마련하는 경우, 반송 제어부(51b) 및 카메라 제어부(51c)의 제어 하에, 서모그래피 카메라(300)는, 처리 장치(40) 내에 위치한 상태에서, 당해 처리 장치(40)의 장치 내 열화상을 생성한다. 이에 의해, 처리 장치(40) 내에 있어서의 온도 감시 범위를 간단하게 확장할 수 있다.
또한, 서모그래피 카메라(300)를 포크(203b)에 마련하는 경우, 감시 대상마다 서모그래피 카메라(300)를 마련해도 된다. 예를 들어, 서모그래피 카메라(300)를, 처리 용기(100)의 측벽용, 정전 척(104)용, 샤워 헤드(102)용의 합계 3개 마련해도 된다.
<변형예>
서모그래피 카메라(300)에 추가하여, 촬상 장치를 웨이퍼 반송 기구(32)(구체적으로는 반송 암(32a))에 마련해도 된다.
그리고, 제어부(51)가, 서모그래피 카메라(300)가 생성한 장치 내 열화상이 특정한 부분(예를 들어 당해 화상이 나타내는 온도가 메인터넌스 필요 여부 판정용의 역치를 초과하는 부분)에 대응하는, 처리 장치(40)의 부위를, 상기 촬상 장치로 촬상시키게 해도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1: 웨이퍼 처리 시스템
30: 진공 반송 장치
32: 웨이퍼 반송 기구
40 내지 43: 처리 장치
50: 제어 장치
100a: 반입출구
300: 서모그래피 카메라
G5 내지 G8: 게이트 밸브
W: 웨이퍼

Claims (14)

  1. 기판의 반입출구를 갖고, 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치와,
    상기 반입출구를 개폐하는 개폐 기구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 접속되고, 상기 반입출구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 대하여 기판을 반출입 하는 기판 반송 기구를 갖는 반송 장치와,
    상기 기판 반송 기구에 마련되고, 열화상을 생성하는 열화상 생성부와,
    제어 장치
    를 구비하고,
    상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치가 상기 소정의 처리를 실시하기 전 및 후의 적어도 어느 한쪽의 타이밍에서, 상기 개폐 기구에 의해, 상기 반입출구를 개방시키고, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 기판 처리 장치의 내부 온도 분포를 나타내는 열화상인 장치 내 열화상을 생성시키는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 열화상 생성부를 상기 반송 장치 내에 위치시킨 상태에서, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 장치 내 열화상을 생성시키는, 기판 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 기판 반송 기구에 의해 반송 가능하게 구성되고 또한 상기 열화상 생성부를 향해 적외선을 반사하는 반사 부재를 갖는 지그를, 상기 기판 처리 장치 내에 위치시킨 상태에서, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 장치 내 열화상을 생성시키는, 기판 처리 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 열화상 생성부를 상기 기판 처리 장치 내에 위치시킨 상태에서, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 장치 내 열화상을 생성시키는, 기판 처리 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 당해 기판 처리 장치의 구성 부재의 온도를 조절하는 온도 조절부를 갖고,
    상기 제어 장치는, 생성된 상기 장치 내 열화상에 기초하여, 상기 온도 조절부를 제어하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 온도 조절부의 온도 조절 대상은, 기판이 적재되는 스테이지 및 상기 스테이지가 수용된 처리 용기의 벽 중 적어도 어느 한쪽이며,
    상기 제어 장치는, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 온도 조절 대상의 상기 열화상을 포함하는 상기 장치 내 열화상을 생성시키는, 기판 처리 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 온도 조절 대상의 상기 열화상에 기초하여, 당해 온도 조절 대상의 처리 공간측의 표면 온도가 원하는 온도가 되도록, 상기 온도 조절부를 제어하는, 기판 처리 시스템.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치를 복수 구비하고,
    상기 제어 장치는,
    상기 장치 내 열화상을 상기 기판 처리 장치마다 취득시켜,
    상기 장치 내 열화상을 상기 기판 처리 장치 간에 비교하고, 비교 결과에 기초하여, 상기 온도 조절부를 제어하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 취득된 상기 장치 내 열화상에 기초하여, 상기 기판 처리 장치에 메인터넌스가 필요한지의 여부를 판정하는, 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 취득된 상기 장치 내 열화상에 기초하여, 상기 기판 처리 장치를 구성하는 부재에 메인터넌스가 필요한지의 여부를 판정하는, 기판 처리 시스템.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 장치 내 열화상이 나타내는 온도가 역치를 초과한 경우에, 상기 기판 처리 장치에 메인터넌스가 필요하다고 판정하는, 기판 처리 시스템.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치에 의해 상기 기판 처리 장치에 메인터넌스가 필요하다고 판정된 경우에 통보하는 통보부를 더 구비하는, 기판 처리 시스템.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구에 마련된 촬상 장치를 더 구비하고,
    상기 제어 장치는, 상기 장치 내 열화상의 특정한 부분에 대응하는 상기 기판 처리 장치의 부위를, 상기 촬상 장치로 촬상시키는, 기판 처리 시스템.
  14. 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치와 반송 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서의, 기판 처리 장치 내의 온도를 감시하는 방법으로서,
    상기 기판 처리 시스템은,
    상기 기판 처리 장치가, 기판의 반입출구를 갖고,
    상기 반송 장치가, 상기 반입출구를 개폐하는 개폐 기구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 접속되고, 상기 반입출구를 개재해서 상기 기판 처리 장치에 대하여 기판을 반출입하는 기판 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 반송 기구에 마련되고, 열화상을 생성하는 열화상 생성부를 더 구비하고,
    상기 기판 처리 장치가 상기 소정의 처리를 실시하기 전 및 후의 적어도 어느 한쪽의 타이밍에서, 상기 개폐 기구에 의해, 상기 반입출구를 개방시키고, 상기 열화상 생성부에 의해, 상기 기판 처리 장치의 내부 온도 분포를 나타내는 열화상인 장치 내 열화상을 생성시키는 공정을 포함하는, 온도 감시 방법.
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