KR20230123903A - Method for manufacturing transparent substrate for antenna and transparent antenna manufactured therefrom - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 258
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 130
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 130
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 116
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 98
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 37
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 33
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 25
- -1 polyethylene naphthalene Polymers 0.000 claims description 17
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 5
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 3
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 3
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 20
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
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- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
본 발명은 베이스 기판의 자체 수축률을 저감할 수 있고, 이와 동시에 공정 중 발생하는 수축을 사전에 제어할 수 있어 수축에 의한 불량 발생 및 치수 오류 발생을 최소화할 수 있는 투명 안테나 기판 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 투명 안테나에 관한 것이다.
본 발명은 간단하면서도 연속 가능하여 공정 효율이 향상될 수 있다.
본 발명은 미세 선폭을 가진 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하여 대전력 신호 출력이 가능하다.The present invention is a method for manufacturing a transparent antenna substrate capable of reducing the self-shrinkage rate of a base substrate and at the same time controlling shrinkage occurring during the process in advance to minimize occurrence of defects and dimensional errors due to shrinkage, and using the same It relates to a transparent antenna manufactured by
The present invention is simple and continuous, so process efficiency can be improved.
According to the present invention, a metal mesh antenna pattern having a fine line width can be formed to output a high-power signal.
Description
본 발명은 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나 에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이스 기판의 자체 수축률을 저감할 수 있고, 이와 동시에 연속 공정이 가능하여 공정 효율이 우수한 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a transparent antenna substrate and a transparent antenna manufactured therefrom, and more particularly, to a method for manufacturing a transparent antenna substrate capable of reducing self-shrinkage of a base substrate and at the same time enabling a continuous process, thereby providing excellent process efficiency. And it relates to a transparent antenna manufactured therefrom.
안테나는 무선통신을 위한 필수적인 구성이다. 모바일 장치 및 차량에 적용되는 통신 기술이 발전하고, IoT(internet on things) 기술이 발전함에 따라 안테나 성능에 대한 요구도 증가하고 있다. 특히, 디스플레이, 윈도우 등에 안테나를 적용하는 기술이 시도되고 있다. 이를 위하여, 안테나는 투명으로 구현될 필요가 있다.An antenna is an essential component for wireless communication. As communication technology applied to mobile devices and vehicles develops and internet on things (IoT) technology develops, demands for antenna performance are also increasing. In particular, a technique of applying an antenna to a display, window, etc. has been attempted. To this end, the antenna needs to be implemented transparently.
일반적으로, 은(Ag) 나노 와이어를 글라스 기판 상에 코팅하는 방법으로 투명 안테나가 구현될 수 있다. 이때, 안테나의 성능을 높이기 위하여 은(Ag) 나노와이어의 코팅의 두께를 높여야 하지만, 은(Ag) 나노와이어의 코팅의 두께가 높아지면 안테나의 투과도가 낮아지는 문제가 있다.In general, a transparent antenna may be implemented by coating silver (Ag) nanowires on a glass substrate. At this time, in order to improve the performance of the antenna, the thickness of the silver (Ag) nanowire coating needs to be increased. However, when the thickness of the silver (Ag) nanowire coating increases, transmittance of the antenna decreases.
또한, 은(Ag) 합금을 필름 상에 스퍼터링 기법으로 증착한 후, 은(Ag) 합금을 패터닝하는 방법으로 투명 안테나가 구현될 수도 있다. 이때, 스퍼터링 기법을 이용하여 소정 두께 이상으로 은(Ag) 합금을 증착시키기 위하여 연속공정은 가능하나 많은 시간이 소요될 수 있으며, 코팅 시 다량의 은(Ag) 합금이 소실될 수 있으므로 비용 측면에서 효율적이지 않은 문제가 있다.In addition, a transparent antenna may be implemented by depositing a silver (Ag) alloy on a film using a sputtering technique and then patterning the silver (Ag) alloy. At this time, a continuous process is possible to deposit a silver (Ag) alloy to a predetermined thickness or more using a sputtering technique, but it may take a lot of time, and a large amount of silver (Ag) alloy may be lost during coating, so it is cost effective There is a problem that is not
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 베이스 기판의 자체 수축률을 저감할 수 있고, 이와 동시에 공정 중 발생하는 수축을 사전에 제어할 수 있어 수축에 의한 불량 발생 및 치수 오류 발생을 최소화할 수 있는 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is a transparent antenna substrate capable of reducing the self-shrinkage rate of the base substrate and at the same time controlling the shrinkage occurring during the process in advance to minimize the occurrence of defects and dimensional errors due to shrinkage. It is to provide a manufacturing method and a transparent antenna manufactured therefrom.
또한, 간단하면서도 연속 가능한 공정을 통해 공정 효율이 향상된 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나를 제공하는 것이다.In addition, it is to provide a transparent antenna substrate manufacturing method with improved process efficiency through a simple and continuous process and a transparent antenna manufactured therefrom.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계; 및 상기 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 어닐링을 수행하기 이전 투명 베이스 기판의 최대 수축률과 상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 최대 수축률의 비는 4 ~ 9 : 1을 만족하는 투명 안테나 기판 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention comprises the steps of preparing a transparent base substrate of a polymer material; annealing the transparent base substrate at 150 to 200° C. for 1 to 3 minutes; and bonding an adhesive surface of a copper (Cu) thin film having an adhesive surface to one surface of the transparent base substrate to form a copper (Cu) thin film layer. The ratio of the shrinkage rate to the maximum shrinkage rate of the transparent base substrate after the annealing is 4 to 9:1 is provided.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 자체 평균 수축률은 0.1 ~ 0.2%일 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, after performing the annealing, the average self shrinkage rate of the transparent base substrate may be 0.1 to 0.2%.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 어닐링하는 단계는 롤투롤(Roll to Roll) 방식으로 무장력 롤러를 사용하여 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the annealing may be performed using a non-forced roller in a roll to roll manner.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 투명 베이스 기판은 폴리이미드(Polyimide, PI), 테프론(Teflon), 폴리에틸렌나프탈렌(Poly Ethylene Naphthalene, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 폴리에틸렌(Poly Ethylene, PE) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the transparent base substrate is polyimide (PI), Teflon, polyethylene naphthalene (Poly Ethylene Naphthalene, PEN), polyethylene terephthalate (Poly Ethylene Terephthalate, PET), polyethylene It may be any one selected from the group consisting of (Poly Ethylene, PE) and polycarbonate (Polycarbonate, PC).
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계는, 상기 베이스 기판의 일 면에 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면이 합지 되도록 롤 (ROLL) 라미네이팅 연속 공정으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) thin film layer may include a roll so that the adhesive surface of the copper (Cu) thin film having the adhesive surface is laminated on one surface of the base substrate. Laminating may be performed as a continuous process.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계는, 라미네이팅 공정을 통해 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합지하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) thin film layer is performed by bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a base substrate through a laminating process. can
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막은, 18 ~ 70㎛ 두께의 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 형성될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the copper (Cu) thin film having the adhesive surface may be formed by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film having a thickness of 18 to 70 μm.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 열경화성 접착제층은 폴리우레탄계, 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thermosetting adhesive layer is polyurethane-based, urea-based, melamine-based, phenol-based, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and these Any one or more of the mixtures may be used.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계 이후에, 상기 구리(Cu) 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 박막층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계; 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계; 및 포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after forming the copper (Cu) thin film layer, forming a photoresist layer on the copper (Cu) thin film layer; exposing the photoresist layer to light; developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the thin film layer in the exposed area by etching; peeling the unexposed portion of the photoresist layer; and forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled off.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 메탈 메쉬 안테나 패턴은 12 ~ 100㎛ 이상의 두께의 구리(Cu) 도선으로 이루어진 격자 패턴일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the metal mesh antenna pattern may be a grid pattern made of copper (Cu) wires having a thickness of 12 to 100 μm or more.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 안테나를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, forming an overcoat layer in a form surrounding the antenna; may further include.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 액상 코팅, 필름 코팅 및 열가소성 수지 코팅 중 어느 하나의 코팅 방법으로 형성될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer may be formed by any one coating method among liquid coating, film coating, and thermoplastic resin coating.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계 이후에, 안테나의 단자부에 대하여 표면 처리 공정을 수행하는 단계;를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after the step of forming the overcoat layer, performing a surface treatment process on the terminal portion of the antenna; may further include.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 표면 처리 공정은 주석, 니켈, 금, 은 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속을 이용하여 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the surface treatment process may be performed using any one metal selected from the group consisting of tin, nickel, gold, silver and palladium.
나아가, 본 발명은 상술한 어느 하나의 제조방법으로부터 제조된 투명 안테나를 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent antenna manufactured from any one of the above manufacturing methods.
본 발명은 베이스 기판의 자체 수축률을 저감할 수 있고, 이와 동시에 공정 중 발생하는 수축을 사전에 제어할 수 있어 수축에 의한 불량 발생 및 치수 오류 발생을 최소화할 수 있다.According to the present invention, the self-shrinkage rate of the base substrate can be reduced, and at the same time, shrinkage generated during the process can be controlled in advance, thereby minimizing defects and dimensional errors due to shrinkage.
본 발명은 간단하면서도 연속 가능하여 공정 효율이 향상될 수 있다.The present invention is simple and continuous, so process efficiency can be improved.
본 발명은 미세 선폭을 가진 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하여 대전력 신호 출력이 가능하다.According to the present invention, a metal mesh antenna pattern having a fine line width can be formed to output a high-power signal.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나의 메탈 메쉬 안테나 패턴을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나의 메탈 메쉬 안테나 패턴을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전 공정 단계에서의 투명 안테나용 기판을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전 공정 단계에서의 투명 안테나용 기판을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나를 나타낸 도면이다.1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
4 shows a metal mesh antenna pattern of a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention.
5 shows a metal mesh antenna pattern of a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention.
6 shows a substrate for a transparent antenna in a process step before forming a metal mesh antenna pattern according to a preferred embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention.
8 shows a substrate for a transparent antenna in a process step before forming a metal mesh antenna pattern according to a preferred embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
상술한 바와 같이 기존의 폴리머 소재의 투명 기판은 열에 의한 수축이 발생하고, 특히 공정 단계에서 수축을 제어할 수 없어 각 부품 소재의 기구 조립성의 문제, 부품 박리 등이 발생하는 한계점이 있었다. As described above, the conventional transparent substrate made of a polymer material is subject to heat shrinkage, and in particular, shrinkage cannot be controlled in a process step, resulting in problems in mechanical assembly of each component material and separation of components.
또한, 미세 선폭을 가진 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하여 대전력 신호 출력이 가능하도록 하기 위해서는 전극 두께와 선폭을 조절함으로써 베이스 기판이 적정 범위 이하의 선로 저항을 유지하도록 하여야 한다. 뿐만 아니라, 기존의 유리 베이스 기판의 경우 크기에 제한이 있어 연속 공정이 어려운 한계점 있었다. 이에 간단하면서도 연속 가능한 공정이 필요한 실정이다.In addition, in order to form a metal mesh antenna pattern having a fine line width to enable high power signal output, the base substrate must maintain line resistance within an appropriate range by adjusting the thickness and line width of the electrode. In addition, in the case of the existing glass base substrate, there is a limit in the size of the continuous process is difficult. Accordingly, a simple and continuous process is required.
이에 본 발명은 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계; 상기 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 어닐링을 수행하기 이전 투명 베이스 기판의 최대 수축률과 상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 최대 수축률의 비는 4 ~ 9 : 1을 만족하는 투명 안테나 기판 제조방법을 제공하여 상술한 한계점의 해결책을 모색하였다.Accordingly, the present invention comprises the steps of preparing a transparent base substrate of a polymer material; annealing the transparent base substrate at 150 to 200° C. for 1 to 3 minutes; Forming a copper (Cu) thin film layer by bonding an adhesive surface of a copper (Cu) thin film having an adhesive surface to one surface of the transparent base substrate; and a maximum shrinkage rate of the transparent base substrate before performing the annealing. After performing the annealing, the ratio of the maximum shrinkage of the transparent base substrate is 4 to 9: 1. A method for manufacturing a transparent antenna substrate is provided to find a solution to the above-mentioned limitations.
이에 따라, 본 발명은 베이스 기판에 대하여 사전 어닐링을 수행함으로써 사전 수축이 진행되도록 할 수 있고, 이에 따라 베이스 기판의 자체 수축률을 현저히 저감할 수 있다. 또한, 공정 중 발생하는 수축을 사전에 제어할 수 있게 되어 수축에 의한 불량 발생 및 치수 오류 발생을 최소화할 수 있다. 그 결과 각 부품 소재의 기구 조립성의 문제, 부품 박리 등을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 스퍼터 공정을 이용하지 않고, 비교적 간단한 라미네이팅 공정을 통해 구리 전극을 생성할 수 있고, 경우에 따라 합지한 구리 전극 위에 도금 공정을 통해 전극의 두께를 올려 용이하게 조절할 수도 있다. 이를 통해 본 발명은 베이스 전극의 선로 저항을 일정 범위 이하로 유지함과 동시에 미세 선폭을 가진 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하여 대전력 신호 출력이 가능한 장점이 있다. 이에 따라 간단하면서도 연속 가능한 공정을 통해 구리 전극을 생성함으로써 공정 효율이 향상될 수 있다. Accordingly, according to the present invention, by performing pre-annealing on the base substrate, pre-shrinkage can be performed, and thus the self-shrinkage rate of the base substrate can be remarkably reduced. In addition, since shrinkage occurring during the process can be controlled in advance, occurrence of defects and dimensional errors due to shrinkage can be minimized. As a result, it is possible to prevent problems such as mechanical assemblability of each component material, separation of components, and the like. In addition, the present invention can create a copper electrode through a relatively simple laminating process without using a sputter process, and in some cases, the thickness of the electrode can be easily adjusted by increasing the thickness of the electrode through a plating process on the laminated copper electrode. Through this, the present invention has the advantage of maintaining the line resistance of the base electrode within a certain range and at the same time forming a metal mesh antenna pattern having a fine line width to output a high power signal. Accordingly, process efficiency can be improved by producing a copper electrode through a simple and continuous process.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술 흐름도이다. 본 발명은 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계(S10), 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계(S20), 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30)를 포함한다.1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention. The present invention is a step of preparing a transparent base substrate of polymer material (S10), annealing the transparent base substrate at 150 ~ 200 ℃ for 1 to 3 minutes (S20), having an adhesive surface on one side of the transparent base substrate Forming a copper (Cu) thin film layer by bonding the adhesive surfaces of the copper (Cu) thin films (S30).
먼저, 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계(S10)는 투명 안테나의 베이스가 되는 베이스 기판을 준비하는 단계로, 상기 베이스 기판은 폴리머 소재로 이루어지되 투명한 특성을 가질 수 있다.First, preparing a transparent base substrate made of a polymer material (S10) is a step of preparing a base substrate serving as a base of a transparent antenna. The base substrate may be made of a polymer material and may have a transparent characteristic.
구체적으로, 베이스 기판의 소재는 폴리머 소재로, 해당 기술 분야에서 안테나 기판을 형성할 수 있는 것을 사용할 수 있으며, 플렉시블한 투명 베이스 기판을 사용한다. 이 경우 시트형/필름형을 사용할 수 있으며, 투명하고, 플렉시블한 특성을 가질 수 있다.Specifically, the material of the base substrate is a polymer material, which can form an antenna substrate in the related art, and a flexible transparent base substrate is used. In this case, a sheet/film type may be used, and may have transparent and flexible properties.
바람직하게는, 폴리이미드(Polyimide, PI), 테프론(Teflon), 폴리에틸렌나프탈렌(Poly Ethylene Naphthalene, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 폴리에틸렌(Poly Ethylene, PE) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다. 보다 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (Poly Ethylene Terephthalate, PET) 소재를 사용할 수 있다.Preferably, polyimide (PI), Teflon, polyethylene naphthalene (Poly Ethylene Naphthalene, PEN), polyethylene terephthalate (Poly Ethylene Terephthalate, PET), polyethylene (Poly Ethylene, PE) and polycarbonate , PC) may be made of any one selected from the group consisting of. More preferably, a polyethylene terephthalate (Poly Ethylene Terephthalate, PET) material may be used.
상술한 폴리머 소재를 투명 베이스 기판의 소재로 사용하는 경우, 롤링된 상태로 투명 베이스 기판 제조 공정에 투입될 수 있어 연속 공정이 가능한 장점이 있다. 구체적으로, 투명 유리를 베이스 기판의 소재로 사용하는 경우엔 크기 제한이 있어 연속 공정이 어려운 한계점이 있었다. 그러나, 본 발명은 폴리머 소재를 투명 베이스 기판의 소재로 사용함으로써 폴리머 소재를 롤링된 상태로 투명 베이스 기판 제조 공정에 투입하여 연속 공정이 가능하도록 함으로써 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. When the above-described polymer material is used as a material for the transparent base substrate, it can be introduced into the transparent base substrate manufacturing process in a rolled state, thereby enabling a continuous process. Specifically, in the case of using transparent glass as a material for the base substrate, there is a limit in size and it is difficult to perform a continuous process. However, the present invention can remarkably improve process efficiency by using a polymer material as a material for a transparent base substrate so that a continuous process is possible by introducing the polymer material in a rolled state into a transparent base substrate manufacturing process.
특히, 테프론(Teflon)계 소재로 베이스 기판을 형성하는 경우 유전율이 낮아 안테나 특성이 향상될 수 있다.In particular, when the base substrate is formed of a Teflon-based material, antenna characteristics may be improved due to a low permittivity.
투명 베이스 기판의 두께는 25um ~ 500㎛일 수 있다. 만일 투명 베이스 기판의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 추후 제조공정 수행 시 투명 베이스 기판이 파손될 수 있다. The thickness of the transparent base substrate may be 25 μm to 500 μm. If the thickness of the transparent base substrate is less than the above range, the transparent base substrate may be damaged during subsequent manufacturing processes.
다음으로, 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계(S20)는 투명 베이스 기판을 이용하여 제조공정을 수행하기 이전에 사전 어닐링 공정을 수행함으로써 사전 수축이 진행되도록 한다. 이를 통해, 투명 베이스 기판의 자체 수축률을 현저히 저감할 수 있을 뿐만 아니라, 공정 중 발생하는 수축을 사전에 제어할 수 있도록 하여 수축에 의한 불량 발생 및 치수 오류 발생을 최소화할 수 있다. 그 결과 각 부품 소재의 기구 조립성의 문제, 부품 박리 등을 방지할 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.Next, in the step of annealing the transparent base substrate at 150 to 200° C. for 1 to 3 minutes (S20), a pre-annealing process is performed before performing a manufacturing process using the transparent base substrate, so that pre-shrinkage proceeds. Through this, not only can the self-shrinkage rate of the transparent base substrate be remarkably reduced, but also shrinkage occurring during the process can be controlled in advance, thereby minimizing the occurrence of defects and dimensional errors due to shrinkage. As a result, it is possible to prevent problems in mechanical assemblability of each part material, separation of parts, etc., and thus process efficiency can be improved.
또한, 어닐링을 수행하기 이전의 투명 베이스 기판의 최대 수축률과 어닐링을 수행한 이후의 투명 베이스 기판의 최대 수축률의 비는 6 ~ 7 : 1을 만족함이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 4 ~ 9 : 1을 만족할 수 있다. 구체적으로, 투명 베이스 기판을 준비하는 단계(S10)를 통해 준비된 투명 베이스 기판 자체의 최대 수축률과 어닐링하는 단계(S20)를 통해 어닐링을 수행한 이후의 투명 베이스 기판 자체의 최대 수축률의 비가 상술한 수치 범위를 만족하여야 한다.In addition, the ratio of the maximum shrinkage of the transparent base substrate before annealing and the maximum shrinkage of the transparent base substrate after annealing preferably satisfies 6 to 7:1. More preferably, 4 to 9:1 may be satisfied. Specifically, the ratio of the maximum shrinkage rate of the transparent base substrate itself prepared through the step of preparing the transparent base substrate (S10) and the maximum shrinkage rate of the transparent base substrate itself after performing annealing through the step of annealing (S20) is the above-described value. range must be satisfied.
이 경우, 어닐링 공정을 통해 투명 베이스 기판 자체의 수축률이 현저히 저감됨에 따라 제조공정 과정에서 일어나는 수축 정도를 사전 제어할 수 있고, 이에 따른 불량품 발생 및 공정 효율 저감을 방지할 수 있다. In this case, as the shrinkage rate of the transparent base substrate itself is significantly reduced through the annealing process, the degree of shrinkage occurring in the manufacturing process can be controlled in advance, and consequently, generation of defective products and reduction in process efficiency can be prevented.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 어닐링을 수행하기 이전의 투명 베이스 기판의 평균 수축률은 0.6 ~ 3%일 수 있고, 어닐링을 수행한 이후의 투명 베이스 기판의 평균 수축률은 0.1 ~ 0.5% 일 수 있다. 또한, 상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 자체 평균 수축률은 0.1 ~ 0.2%를 만족할 수 있다. 이 경우, 상술한 바와 같이 어닐링 공정을 통해 투명 베이스 기판 자체의 수축률이 현저히 저감됨에 따라 제조공정 과정에서 일어나는 수축 정도를 사전 제어할 수 있는 효과가 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the average shrinkage of the transparent base substrate before performing annealing may be 0.6 to 3%, and the average shrinkage of the transparent base substrate after performing annealing may be 0.1 to 0.5%. there is. In addition, after performing the annealing, an average self-shrinkage rate of the transparent base substrate may satisfy 0.1 to 0.2%. In this case, as the shrinkage rate of the transparent base substrate itself is significantly reduced through the annealing process as described above, there is an effect of pre-controlling the degree of shrinkage occurring in the manufacturing process.
또한, 어닐링하는 단계(S20)를 통해 얻어진 기판을 이용하여 SMT 공정 수행 시 안테나 기판의 평균 수축률은 0.1 ~ 0.2%를 만족할 수 있다.In addition, when the SMT process is performed using the substrate obtained through the annealing step (S20), the average shrinkage of the antenna substrate may satisfy 0.1 to 0.2%.
어닐링하는 단계(S20)는 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 롤투롤(roll to roll) 방식으로 무장력 롤러를 사용하여 수행되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 어닐링하는 단계(S20)는 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 롤투롤(roll to roll) 방식으로 무장력 롤러를 사용하여 수행될 수 있다. 구체적으로, 투명 베이스 기판을 기판의 제조공정에 투입하기 이전에 롤투롤 방식으로 어닐링을 수행할 수 있으며, 히터를 이용하여 일정 온도 범위가 유지되는 어닐링 존에서 투명 베이스 기판에 장력이 발생하지 않도록 무장력 롤러를 사용하여 어닐링이 수행될 수 있다.The annealing step (S20) is preferably performed using a non-forced roller in a roll-to-roll manner for 1 to 3 minutes at 150 to 200° C. for the transparent base substrate. More preferably, the annealing step (S20) may be performed using a non-forced roller in a roll to roll manner for 1 to 3 minutes at 150 to 200° C. for the transparent base substrate. Specifically, annealing may be performed in a roll-to-roll method prior to introducing the transparent base substrate into the substrate manufacturing process, and in an annealing zone where a certain temperature range is maintained using a heater, no force is applied to the transparent base substrate so that no tension is generated. Annealing may be performed using rollers.
이 경우 롤투롤 방식/무장력(무텐션) 롤러를 사용하는 경우가 있다. 투명 베이스 기판을 롤투롤에서 풀어주는 권출롤(풀리는 롤)과 투명 베이스 기판을 감는 권취롤(감는 롤)이 있는데, 권취롤에서 베이스 기판을 감으면서 길이 방향으로 장력이 발생하게 된다. 이러한 장력으로 인해 투명 베이스 기판이 늘어나는 문제점이 발생할 수 있다. 장력 문제를 해결하기 위해 무장력 롤투롤 장치를 사용함이 바람직하다. 이와 같이 롤투롤 방식/무장력(무텐션)을 이용하게 되면 투명 베이스 기판을 빠른 시간 내에 균일하게 어닐링을 할 수 있는 장점이 있다.In this case, a roll-to-roll method/no tension (non-tension) roller may be used. There is an unwinding roll (unwinding roll) that unwinds the transparent base substrate from a roll-to-roll and a winding roll (winding roll) that winds the transparent base substrate. Tension is generated in the longitudinal direction while winding the base substrate in the winding roll. Due to this tension, a problem in that the transparent base substrate may be stretched may occur. It is desirable to use a non-forced roll-to-roll device to solve the tension problem. In this way, when the roll-to-roll method/no tension (no tension) is used, there is an advantage in that the transparent base substrate can be uniformly annealed within a short time.
다음으로, 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30)는 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면과 투명 베이스 기판의 일 면을 합착하여 투명 베이스 기판 위에 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계이다.Next, in step S30 of forming a copper (Cu) thin film layer by bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film having an adhesive surface to one surface of the transparent base substrate, the copper (Cu) thin film having an adhesive surface This is a step of bonding the adhesive surface and one surface of the transparent base substrate to form a copper (Cu) thin film layer on the transparent base substrate.
이 경우, 별도의 스퍼터 공정 없이 비교적 간단한 합착 공정만으로 투명 베이스 기판 위에 구리(Cu) 박막층을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 구리(Cu) 박막의 두께를 사전에 조절함으로써 목표하는 전극 두께를 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.In this case, there is an effect of forming a copper (Cu) thin film layer on the transparent base substrate only with a relatively simple bonding process without a separate sputtering process. In addition, there is an advantage in that a target electrode thickness can be easily implemented by adjusting the thickness of the copper (Cu) thin film in advance.
구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30)는 베이스 기판의 일 면에 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면이 합지되도록 롤 (ROLL) 라미네이팅 연속 공정으로 수행될 수 있다. 또한, 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30)는 라미네이팅 공정을 통해 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합지하는 방식으로 수행될 수 있다.Forming the copper (Cu) thin film layer (S30) may be performed by a continuous roll laminating process so that the adhesive surface of the copper (Cu) thin film having the adhesive surface is laminated on one surface of the base substrate. In addition, the forming of the copper (Cu) thin film layer (S30) may be performed by adhering and laminating the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the base substrate through a laminating process.
한편, 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30)는, 상기 투명 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착한 후 상기 투명 베이스 기판의 일 면과 상기 구리(Cu) 박막의 접착면 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함할 수 있다.On the other hand, in the step of forming a copper (Cu) thin film layer (S30), after bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the transparent base substrate, the one surface of the transparent base substrate and the copper (Cu) A degassing process for removing microbubbles generated between the adhesive surfaces of the thin films may be further included.
이 때, 상기 탈포 공정은 오토크레이브(Autoclave) 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 상기 탈포 공정은 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수도 있다. 이 경우 투명 베이스 기판과 구리(Cu) 박막 간의 부착력 및 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. In this case, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in an autoclave to move residual bubbles to the outside of the bonded surface to remove microbubbles. In addition, the deaeration process may be performed by applying heat and pressure within the equipment to move the remaining air bubbles to the outside of the bonded surface to remove the micro-bubbles. In this case, adhesion and adhesion between the transparent base substrate and the copper (Cu) thin film can be further improved.
경우에 따라, 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30) 이후에, 상기 구리(Cu) 박막층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 수행할 수도 있다. 이 경우 소프트 에칭 공정을 통해 표면 세척을 수행할 수 있다.In some cases, after the step of forming the copper (Cu) thin film layer (S30), a step of washing one surface of the copper (Cu) thin film layer may be further performed. In this case, surface cleaning may be performed through a soft etching process.
한편, 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막은 18 ~ 70㎛ 두께의 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 형성될 수 있다. 본 발명은 구리(Cu) 박막층을 스퍼터 공정으로 형성하는 것이 아니라, 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합함으로써 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성한 후, 상술한 바와 같이 이를 투명 베이스 기판의 일 면에 합착함으로써 형성한다. Meanwhile, the copper (Cu) thin film having the adhesive surface may be formed by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film having a thickness of 18 to 70 μm. The present invention does not form a copper (Cu) thin film layer by a sputter process, but forms a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film, and then Similarly, it is formed by bonding it to one surface of the transparent base substrate.
즉, 본 발명은 스퍼터링 공정을 수행하지 않고, 비교적 간단한 공정만으로 구리(Cu) 박막층을 형성할 수 있다. 또한, 구리(Cu) 박막 자체의 두께 범위를 조절함으로써 목표하는 전극 두께 조절을 용이하게 구현할 수 있다.That is, according to the present invention, a copper (Cu) thin film layer can be formed using a relatively simple process without performing a sputtering process. In addition, by adjusting the thickness range of the copper (Cu) thin film itself, it is possible to easily implement a desired electrode thickness control.
이에 따라, 본 발명은 공정 비용을 절감할 수 있고, 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 제작하고자 하는 투명 베이스 기판의 제작 크기가 각 공정별 장비의 크기에 영향을 받는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the present invention can reduce process cost and significantly improve process efficiency. In addition, it is possible to prevent the production size of the transparent base substrate to be manufactured from being influenced by the size of equipment for each process.
구리(Cu) 박막의 두께는 18 ~ 70㎛여야 하고, 바람직하게는 18 ~ 35㎛ 일 수 있다. The thickness of the copper (Cu) thin film should be 18 to 70 μm, preferably 18 to 35 μm.
만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 합지 공정이 용이하지 않으며, 요구 전류 범위를 충족하지 못하여 원활한 전원 공급이 어려운 한계점이 있을 수 있다. 또한, 만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 구리(Cu) 박막의 접착력이 낮아지면서 박막이 무너지거나 미세패턴이 박리되는 등 필요 이상의 제조 공정 비용이 증가할 수 있다.If the thickness of the copper (Cu) thin film is less than the above range, the lamination process is not easy, and the required current range may not be satisfied, so that smooth power supply may be difficult. In addition, if the thickness of the copper (Cu) thin film exceeds the above range, the adhesive strength of the copper (Cu) thin film is lowered, and the manufacturing process cost may increase more than necessary, such as collapse of the thin film or peeling of the micropattern.
열경화성 접착제층은 열경화성 접착제를 포함하도록 형성되며, 열경화성 접착제는 후술하는 바와 같이 도금 공정, 에칭 공정 등의 고온 환경에서 잘 견디는 물질로 해당 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 폴리우레탄계, 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. 이 경우 제조 공정 상에서의 고온 환경 및 작업 중 받게 되는 외력에도 접착력을 유지할 수 있는 장점이 있다.The thermosetting adhesive layer is formed to include a thermosetting adhesive, and the thermosetting adhesive is a material that is resistant to high-temperature environments such as a plating process and an etching process and is commonly used in the related art. Preferably, at least one of polyurethane-based, urea-based, melamine-based, phenolic, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and mixtures thereof may be used. In this case, there is an advantage in that the adhesive strength can be maintained even in a high-temperature environment during the manufacturing process and an external force received during operation.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르며, 열경화성 접착제층의 두께는 7 ~ 25㎛일 수 있다. 보다 바람직하게는, 열경화성 접착제층의 두께는 10 ~ 15㎛일 수 있다. 이 경우 구리(Cu) 박막과 열경화성 접착제층 간의 접촉성이 향상될 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the thermosetting adhesive layer may be 7 to 25 μm. More preferably, the thickness of the thermosetting adhesive layer may be 10 to 15 μm. In this case, contact between the copper (Cu) thin film and the thermosetting adhesive layer may be improved.
만일 열경화성 접착제층의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 구리(Cu) 박막과 열경화성 접착제층 간의 접촉성 및 유리와 구리(Cu) 박막 간의 접착력이 저하되는 한계점이 발생할 수 있다. 또한, 만일 열경화성 접착제층의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 접착제층의 일부가 뭉치거나 기포가 발생할 수 있다.If the thickness of the thermosetting adhesive layer is less than the above range, contact between the copper (Cu) thin film and the thermosetting adhesive layer and adhesion between the glass and the copper (Cu) thin film may deteriorate. In addition, if the thickness of the thermosetting adhesive layer exceeds the above range, a portion of the adhesive layer may clump or bubbles may be generated.
한편, 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막은, 구리(Cu) 박막의 일면에 열경화성 접착제층을 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 구리(Cu) 박막에 합지 함으로써 형성될 수 있다. 또한 합지 후에는 일정 시간동안 숙성의 시간을 가질 수 있다.On the other hand, the copper (Cu) thin film having the adhesive surface is formed by laminating a thermosetting adhesive layer on one side of the copper (Cu) thin film in a sheet form to the copper (Cu) thin film in a roll to roll manner. can In addition, after lamination, it may have time to mature for a certain period of time.
구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S40)는 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu)를 추가 도금함으로써 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계이다.Forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) thin film layer (S40) is a step of forming a copper (Cu) plating layer by additionally plating copper (Cu) on the copper (Cu) thin film layer.
구리(Cu)는 다른 금속 재료와 달리 구리(Cu) 표면 위에 추가적인 구리(Cu) 도금 공정이 가능한 특징이 있는데, 본 발명은 이러한 특징을 이용하여 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu)를 추가 도금하도록 함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능하도록 하였다. 즉, 본 발명은 목표하는 두께의 구리 전극의 형성 내지 구현이 가능한 장점이 있다. 이와 같이 본 발명은 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu)를 추가 도금함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한 장점이 있다. Unlike other metal materials, copper (Cu) has a feature that allows an additional copper (Cu) plating process on the copper (Cu) surface. The present invention utilizes this feature to additionally plate copper (Cu) on the copper (Cu) thin film layer. By doing so, it was possible to adjust the thickness of the copper (Cu) electrode. That is, the present invention has the advantage of being able to form or implement a copper electrode having a target thickness. As described above, the present invention has an advantage in that the thickness of the copper (Cu) electrode can be adjusted by additionally plating copper (Cu) on the copper (Cu) thin film layer.
이 경우 베이스 전극의 선로 저항이 1Ω/m 이하로 유지될 수 있으며, 미세 선폭을 가진 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하여 대전력 신호 출력이 가능한 효과가 있다.In this case, the line resistance of the base electrode may be maintained at 1 Ω/m or less, and a metal mesh antenna pattern having a fine line width may be formed to output a high-power signal.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 본 발명은 상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30) 이후에, 상기 구리(Cu) 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 박막층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계; 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계; 및 포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the present invention, after the step of forming the copper (Cu) thin film layer (S30), forming a photoresist layer on the copper (Cu) thin film layer; exposing the photoresist layer to light; developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the thin film layer in the exposed area by etching; peeling the unexposed portion of the photoresist layer; and forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled off.
이와 관련하여, 도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술 흐름도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명은 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계(S10), 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계(S20), 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30), 구리(Cu) 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40), 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50), 노광된 포토레지스트층을 현상하고, 접착제층 및 박막층 중 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60), 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70) 및 포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.In this regard, FIG. 2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to Figure 2, the present invention is a step of preparing a transparent base substrate of a polymer material (S10), annealing the transparent base substrate at 150 ~ 200 ℃ for 1 to 3 minutes (S20), one side of the transparent base substrate Forming a copper (Cu) thin film layer by bonding the adhesive surface of a copper (Cu) thin film having an adhesive surface to the adhesive surface (S30), forming a photoresist layer on the copper (Cu) thin film layer (S40), photoresist layer Exposing (S50), developing the exposed photoresist layer, removing the portion in the exposed area of the adhesive layer and the thin film layer by etching (S60), peeling the unexposed portion of the photoresist layer (S70) and forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled off (S80).
이하, 상술한 내용들과 중복되는 내용들을 제외하고 설명한다.Hereinafter, it will be described except for the contents overlapping with the above contents.
한편, 경우에 따라 본 발명은 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. Meanwhile, in some cases, the present invention may further include forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) thin film layer.
구체적으로, 구리(Cu) 박막층을 형성하는 구리(Cu) 박막의 두께가 얇아 목표로 하는 선로 저항 또는 전류밀도를 만족하지 못할 경우 구리(Cu) 박막층의 구리(Cu)를 매개로 하여 구리(Cu) 도금층을 추가로 형성하여, 구리(Cu) 박막의 두께를 더욱 두껍게 하여 목표로 하는 선로 저항을 달성할 수 있다. Specifically, when the thickness of the copper (Cu) thin film forming the copper (Cu) thin film layer is thin and the target line resistance or current density is not satisfied, copper (Cu) through the copper (Cu) of the copper (Cu) thin film layer ) by additionally forming a plating layer, the thickness of the copper (Cu) thin film can be further increased to achieve a target line resistance.
즉, 구리(Cu)는 다른 금속 재료와 달리 구리(Cu) 표면 위에 추가적인 구리(Cu) 도금 공정이 가능한 특징이 있는데, 본 발명은 이러한 특징을 이용하여 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu)를 추가 도금하도록 함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능하도록 하였다. That is, unlike other metal materials, copper (Cu) has a feature that allows an additional copper (Cu) plating process on the copper (Cu) surface. By additionally plating, the thickness of the copper (Cu) electrode can be adjusted.
이와 관련하여, 도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나 기판 제조방법의 기술 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명은 폴리머 소재의 투명 베이스 기판을 준비하는 단계(S10), 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계(S20), 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계(S30), 구리(Cu) 박막층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S31), 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40), 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50), 노광된 포토레지스트층을 현상하고, 접착제층 및 박막층 중 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60), 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70) 및 포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계(S80)를 포함할 수 있다. In this regard, FIG. 3 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent antenna substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to Figure 3, the present invention is a step of preparing a transparent base substrate of a polymer material (S10), annealing the transparent base substrate at 150 ~ 200 ℃ for 1 to 3 minutes (S20), one side of the transparent base substrate Forming a copper (Cu) thin film layer by bonding the adhesive surface of a copper (Cu) thin film having an adhesive surface to the copper (Cu) thin film layer (S30), forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) thin film layer (S31), (Cu) Forming a photoresist layer on the plating layer (S40), exposing the photoresist layer (S50), developing the exposed photoresist layer, and etching the portion in the exposed area among the adhesive layer and the thin film layer. It may include removing (S60), peeling the unexposed portion of the photoresist layer (S70), and forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled (S80).
구리(Cu) 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40)는 포토레지스트액을 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 방식으로 수행될 수도 있고, 드라이필름 포토레지스트(DFR: Dry Film Photoresist)를 구리(Cu) 도금층 위에 라미네이션하는 방식으로 수행될 수도 있다. 그 밖에 감광을 통하여 회로 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트라면 다양한 종래기술이 널리 적용될 수 있다.Forming a photoresist layer on the copper (Cu) thin film layer (S40) may be performed by applying a photoresist liquid to form a photoresist layer, or dry film photoresist (DFR) to copper ( Cu) may be performed by lamination on the plating layer. In addition, various conventional techniques can be widely applied if it is a photoresist capable of forming a circuit pattern through photosensitization.
포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50)는 포토레지스트층을 자외선(UV)에 노광시키는 단계이다. 이 때, 포토마스크의 UV 차단 부분 아래에 있는 포토레지스트는 노광되지 않은 채로 남아 있게 된다. UV가 조사되는 영역에서 포토레지스트층은 자외선(UV)에 노광된다.The step of exposing the photoresist layer ( S50 ) is a step of exposing the photoresist layer to ultraviolet (UV) light. At this time, the photoresist under the UV blocking portion of the photomask remains unexposed. In the area where UV is irradiated, the photoresist layer is exposed to ultraviolet (UV) light.
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 박막층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60)에서는 노광된 포토레지스트층에 대한 현상 및 접착제층 및 박막층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분에 대한 에칭이 이루어진다.In step S60 of developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the thin film layer in the exposed area by etching (S60), the exposed photoresist layer is developed and the exposed portion of the adhesive layer and the thin film layer is removed. Etching is performed for a portion in the region.
포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70)에서는 포토레지스트층의 나머지 부분에 대한 박리가 이루어진다. 이를 통해, 구리(Cu) 박막층이 노출되게 된다.In step S70 of stripping the unexposed portion of the photoresist layer, the remaining portion of the photoresist layer is stripped. Through this, the copper (Cu) thin film layer is exposed.
포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계(S80)에서는 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하게 된다. 추가적으로 안테나 기판의 특성 개선을 목적으로 별도의 금속을 구리(Cu) 박막층 위에 니켈, 금, 은, 팔라듐과 같은 금속을 추가 도금함으로써 안테나의 특성을 향상시킬 수 있다.In step S80 of forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled off, the metal mesh antenna pattern is formed. In addition, for the purpose of improving the characteristics of the antenna substrate, the characteristics of the antenna may be improved by additionally plating a metal such as nickel, gold, silver, or palladium on a copper (Cu) thin film layer.
메탈 메쉬 안테나 패턴은 전도성을 제공하고, 투명 전극으로 적용가능한 전도성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 메탈 메쉬 패턴들은, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 백금(Pt), 또는 이들의 합금; 및 그래핀, 탄소나노튜브, 탄소나노리본, 탄소나노와이어, 탄소섬유 및 카본블랙 등의 탄소계 물질; 로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 메탈 메쉬 패턴들은 구리(Cu)로 이루어질 수 있다.The metal mesh antenna pattern provides conductivity and may be composed of a conductive material applicable as a transparent electrode. For example, the metal mesh patterns may include, for example, silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten ( W), chromium (Cr), platinum (Pt), or an alloy thereof; and carbon-based materials such as graphene, carbon nanotubes, carbon nanoribbons, carbon nanowires, carbon fibers, and carbon black; It may include one or more selected from the group consisting of. Preferably, the metal mesh patterns may be made of copper (Cu).
도 4 및 도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나의 메탈 메쉬 안테나 패턴을 나타낸다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 제1방향으로 연장되는 복수의 제1메탈 라인들(410) 및 제2방향으로 연장되는 복수의 제2메탈 라인들(420)을 포함할 수 있다. 복수의 제1메탈 라인들(410) 각각과 복수의 제2메탈 라인들(420) 각각은 교차하고, 이들 교차 영역이 메탈 메쉬 안테나 패턴의 형상을 이룰 수 있다. 4 and 5 show a metal mesh antenna pattern of a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention. 4 and 5, the metal
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 송수신 대상이 되는 신호의 주파수 대역, 적용 분야 등에 따라 크기 및 형상이 달라질 수 있다. 특히, 본 발명의 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴은 대전력 신호 출력을 위해 미세 선폭으로 구현될 수 있고, 원형, 타원형, 곡선형 또는 다각형의 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, the size and shape of the metal
구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 직사각형의 격자 형상을 가질 수 있다. 또한, 대안적으로, 도 5에 도시된 바와 같이 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 마름모의 격자 형상을 가질 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 4 , the metal
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 12 ~ 100㎛ 두께의 구리(Cu) 도선으로 이루어진 격자 패턴일 수 있다. 보다 바람직하게는, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 18 ~ 35㎛ 두께의 구리(Cu) 도선으로 이루어진 격자 패턴일 수 있다. 또한, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)의 선폭은 12 ~ 140㎛임이 바람직하며, 보다 바람직하게는 20 ~ 50㎛일 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the metal
또한, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)을 형성하는 구리(Cu) 도선은 하기의 관계식 1을 만족할 수 있다.In addition, according to a preferred embodiment of the present invention, a copper (Cu) wire forming the metal
[관계식 1][Relationship 1]
(LWCu : 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)을 형성하는 구리(Cu)의 선폭, TCu : 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)을 형성하는 구리(Cu) 도선의 두께) (LW Cu : Line width of copper (Cu) forming the metal
보다 바람직하게는, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)을 형성하는 구리(Cu) 도선은의 선폭 및 두께는 를 만족할 수 있다. More preferably, the line width and thickness of the copper (Cu) wire forming the metal
이 경우 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 미세 선폭으로 형성됨으로써 투명 안테나의 구현이 가능하고, 이와 동시에 대전력 신호 출력이 가능한 장점이 있다. In this case, since the metal
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 본 발명은 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계(S80) 이후에, 투명 안테나를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계(S90)를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after forming the metal mesh antenna pattern (S80), the present invention may further include forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent antenna (S90).
오버코트층을 형성하는 단계(S90)에서는 투명 안테나를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성할 수 있다. 이 경우 방수성, 방진성, 방습성 등의 특성이 만족될 수 있다.In the step of forming the overcoat layer (S90), the overcoat layer may be formed in a form surrounding the transparent antenna. In this case, characteristics such as waterproofness, dustproofness, and moistureproofness may be satisfied.
오버코트층은 액상 코팅, 필름 코팅 내지 열가소성 수지 코팅 중 어느 하나의 코팅 방법으로 형성될 수 있다. The overcoat layer may be formed by any one of a liquid coating method, a film coating method, and a thermoplastic resin coating method.
오버코트층은 스프레이나 디스펜서를 이용하여 적정 두께 범위로 도포가 가능하다. 또한, 오버코트층이 열가소성 수지로 이루어지는 경우, 열과 압력을 인가하여 열가소성 수지가 용융되어 베이스 기판에 부착될 수 있다. The overcoat layer can be applied in an appropriate thickness range using a spray or dispenser. In addition, when the overcoat layer is made of a thermoplastic resin, the thermoplastic resin may be melted and adhered to the base substrate by applying heat and pressure.
나아가, 본 발명은 상술한 투명 안테나 제조방법 중 어느 하나의 방법으로부터 제조된 투명 안테나를 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent antenna manufactured by any one of the above-described transparent antenna manufacturing methods.
이와 관련하여, 도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전 공정 단계에서의 투명 안테나용 기판을 나타낸다. 도 6을 참조하면, 본 발명은 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전에는 투명 재질의 베이스 기판(10), 구리(Cu) 박막에 부착된 접착층(20), 구리(Cu) 박막층(30)을 포함할 수 있다. 이후, 상술한 바와 같이 단계 S40 ~ S80의 공정 순서에 따라 구리(Cu) 박막층(30)을 에칭함으로써 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하게 되는 것이다.In this regard, FIG. 6 shows a substrate for a transparent antenna in a process step before forming a metal mesh antenna pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, before forming the metal mesh antenna pattern, the present invention includes a
이와 관련하여, 도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나를 나타낸다. 도 7을 참조하면, 투명 안테나는 투명 전극을 활용한 안테나로서, 투명 재질의 베이스 기판(10), 구리(Cu) 박막에 부착된 접착층(20), 메탈 메쉬 안테나 패턴(40), 오버코트층(50)을 포함한다. 이 때, 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)은 구리(Cu) 박막층(30)을 에칭하여 형성될 수 있다.In this regard, FIG. 7 shows a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the transparent antenna is an antenna using a transparent electrode, and includes a
한편, 도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전 공정 단계에서의 투명 안테나용 기판을 나타낸다. 도 8을 참조하면, 본 발명은 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하기 이전에는 투명 재질의 베이스 기판(10), 구리(Cu) 박막에 부착된 접착층(20), 구리(Cu) 박막층(30)을 포함하고, 구리(Cu) 박막층(30) 위에 구리(Cu) 도금층(31)을 추가로 형성할 수 있다. 이후, 상술한 공정 순서에 따라 구리(Cu) 박막층(30)과 구리(Cu) 도금층(31)을 에칭함으로써 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하게 되는 것이다.Meanwhile, FIG. 8 shows a substrate for a transparent antenna in a process step before forming a metal mesh antenna pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the present invention includes a
이와 관련하여, 도 9는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 안테나를 나타낸다. 도 9를 참조하면, 구리(Cu) 박막층(30) 위에 구리(Cu) 도금층(31)을 추가로 형성하는 경우에는 구리(Cu) 박막층(30)과 구리(Cu) 도금층(31)이 함께 메탈 메쉬 안테나 패턴(40')이 형성될 수 있다. 이 경우 상술한 바와 같이, 두께가 얇은 구리(Cu) 박막을 이용하여 기본 패턴을 제작 후, 추가적인 구리(Cu) 도금층 형성을 통해 목표 두께를 만족하는 메탈 메쉬 안테나 패턴(40')을 형성할 수 있다.In this regard, FIG. 9 shows a transparent antenna according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9 , when a copper (Cu) plating
또한, 절연부 및 그라운드부를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 안테나부는 상기 절연부를 사이에 두고 대응되는 형상 및 구조를 가진 그라운드부와 대칭적으로 형성될 수 있다.In addition, an insulating part and a ground part may be further included. At this time, the antenna unit may be formed symmetrically with the ground unit having a corresponding shape and structure with the insulating unit interposed therebetween.
절연부는 안테나부와 접촉되어, 그라운드부와 안테나부를 절연시킬 수 있으며, 안테나부와 그라운드부를 접착시킬 수 있는 효과가 있다. 그라운드부는 투명 안테나의 접지를 제공할 수 있다. The insulating unit is in contact with the antenna unit to insulate the ground unit and the antenna unit, and has an effect of adhering the antenna unit and the ground unit. The ground unit may provide a ground for the transparent antenna.
또한, 상술한 바와 같이 안테나부는 메탈 메쉬 안테나 패턴(40)을 포함할 수 있다. 이와 대응하도록 그라운드는 메탈 메쉬 그라운드 패턴을 포함할 수 있다. Also, as described above, the antenna unit may include the metal
결국, 본 발명은 대전력 신호 출력이 가능한 미세 선폭의 메탈 메쉬 안테나 패턴을 포함하는 투명 안테나를 제공할 수 있고, 이에 따라 본 발명의 투명 안테나는 시각적으로 실질적으로 투명하도록 구현되어 다양한 곳에 유용하게 활용될 수 있다.As a result, the present invention can provide a transparent antenna including a metal mesh antenna pattern with a fine line width capable of outputting a high power signal, and accordingly, the transparent antenna of the present invention is implemented to be visually substantially transparent and is useful in various places. It can be.
Claims (16)
상기 투명 베이스 기판을 150 ~ 200℃에서 1 ~ 3분 동안 어닐링하는 단계; 및
상기 투명 베이스 기판의 일 면에 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 어닐링을 수행하기 이전 투명 베이스 기판의 최대 수축률과 상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 최대 수축률의 비는 4 ~ 9 : 1을 만족하는 투명 안테나 기판 제조방법.
Preparing a transparent base substrate of polymer material;
annealing the transparent base substrate at 150 to 200° C. for 1 to 3 minutes; and
Forming a copper (Cu) thin film layer by bonding an adhesive surface of a copper (Cu) thin film having an adhesive surface to one surface of the transparent base substrate;
The ratio of the maximum shrinkage of the transparent base substrate before performing the annealing and the maximum shrinkage of the transparent base substrate after performing the annealing satisfies 4 to 9: 1.
상기 어닐링을 수행한 이후 투명 베이스 기판의 자체 평균 수축률은 0.1 ~ 0.2%인 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 1,
After performing the annealing, the average shrinkage rate of the transparent base substrate is 0.1 to 0.2%.
상기 어닐링하는 단계는 롤투롤(roll to roll) 방식으로 무장력 롤러를 사용하여 수행되는 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 1,
The annealing step is a transparent antenna substrate manufacturing method performed using a non-forced roller in a roll to roll manner.
상기 투명 베이스 기판은 폴리이미드(Polyimide, PI), 테프론(Teflon), 폴리에틸렌나프탈렌(Poly Ethylene Naphthalene, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 폴리에틸렌(Poly Ethylene, PE) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 1,
The transparent base substrate is polyimide (PI), Teflon (Teflon), polyethylene naphthalene (Poly Ethylene Naphthalene, PEN), polyethylene terephthalate (Poly Ethylene Terephthalate, PET), polyethylene (Poly Ethylene, PE) and polycarbonate ( A method for manufacturing a transparent antenna substrate, which is any one selected from the group consisting of polycarbonate, PC).
상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계는,
상기 베이스 기판의 일 면에 상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면이 합지되도록 롤 (ROLL) 라미네이팅 연속 공정으로 수행되는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 1,
Forming the copper (Cu) thin film layer,
A transparent antenna manufacturing method performed by a continuous roll laminating process so that the adhesive surface of the copper (Cu) thin film having the adhesive surface is laminated on one surface of the base substrate.
상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계는,
라미네이팅 공정을 통해 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합지하는 방식으로 수행되는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 1,
Forming the copper (Cu) thin film layer,
A transparent antenna manufacturing method performed by bonding and laminating the adhesive surface of the copper (Cu) thin film on one surface of a base substrate through a laminating process.
상기 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막은,
18 ~ 70㎛ 두께의 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 형성되는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 1,
The copper (Cu) thin film having the adhesive surface,
A transparent antenna manufacturing method formed by bonding a thermosetting adhesive layer to one side of a copper (Cu) thin film having a thickness of 18 to 70 μm.
상기 열경화성 접착제층은 폴리우레탄계, 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르 계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용하는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 7,
The thermosetting adhesive layer is transparent using at least one of polyurethane-based, urea-based, melamine-based, phenol-based, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and mixtures thereof. Antenna manufacturing method.
상기 구리(Cu) 박막층을 형성하는 단계 이후에,
상기 구리(Cu) 박막층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 박막층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;
상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계;및
포토레지스트층이 박리된 부분에 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 1,
After the step of forming the copper (Cu) thin film layer,
forming a photoresist layer on the copper (Cu) thin film layer;
exposing the photoresist layer to light;
developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the thin film layer in the exposed area by etching;
peeling the unexposed portion of the photoresist layer; and
Forming a metal mesh antenna pattern on the portion where the photoresist layer is peeled off; a transparent antenna manufacturing method comprising the.
상기 메탈 메쉬 안테나 패턴은 12 ~ 100㎛ 두께의 구리(Cu) 도선으로 이루어진 격자 패턴인, 투명 안테나 제조방법.
According to claim 9,
The metal mesh antenna pattern is a grid pattern made of copper (Cu) wire having a thickness of 12 to 100 μm, a transparent antenna manufacturing method.
상기 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 구리(Cu) 도선은 하기의 관계식 1을 만족하는, 투명 안테나 기판 제조방법.
[관계식 1]
(LWCu : 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 구리(Cu)의 선폭, TCu : 메탈 메쉬 안테나 패턴을 형성하는 구리(Cu) 도선의 두께)
According to claim 10,
The copper (Cu) wire forming the metal mesh antenna pattern satisfies the following relational expression 1, a transparent antenna substrate manufacturing method.
[Relationship 1]
(LW Cu : Line width of copper (Cu) forming the metal mesh antenna pattern, T Cu : thickness of the copper (Cu) wire forming the metal mesh antenna pattern)
안테나를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 투명 안테나 제조방법.
According to claim 9,
Forming an overcoat layer in a form surrounding the antenna; transparent antenna manufacturing method further comprising.
상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 액상 코팅, 필름 코팅 및 열가소성 수지 코팅 중 어느 하나의 코팅 방법으로 형성되는, 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 12,
In the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer is formed by any one coating method of liquid coating, film coating, and thermoplastic resin coating.
상기 오버코트층을 형성하는 단계 이후에,
안테나의 단자부에 대하여 표면 처리 공정을 수행하는 단계;를 더 포함하는, 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 12,
After forming the overcoat layer,
A method for manufacturing a transparent antenna substrate, further comprising: performing a surface treatment process on the terminal portion of the antenna.
상기 표면 처리 공정은 주석, 니켈, 금, 은 및 팔라듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속을 이용하여 수행되는, 투명 안테나 기판 제조방법.
According to claim 14,
The surface treatment process is performed using any one metal selected from the group consisting of tin, nickel, gold, silver and palladium, a transparent antenna substrate manufacturing method.
A transparent antenna manufactured by the manufacturing method of any one of claims 1 to 15.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220020808 | 2022-02-17 | ||
| KR20220020808 | 2022-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230123903A true KR20230123903A (en) | 2023-08-24 |
Family
ID=87578643
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230021778A KR20230123903A (en) | 2022-02-17 | 2023-02-17 | Method for manufacturing transparent substrate for antenna and transparent antenna manufactured therefrom |
| KR1020230021776A KR102639992B1 (en) | 2022-02-17 | 2023-02-17 | Transparent antenna substrate manufacturing method and transparent antenna manufactured therefrom |
| KR1020230021777A KR102608978B1 (en) | 2022-02-17 | 2023-02-17 | Transparent antenna substrate manufacturing method and transparent antenna manufactured therefrom |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230021776A KR102639992B1 (en) | 2022-02-17 | 2023-02-17 | Transparent antenna substrate manufacturing method and transparent antenna manufactured therefrom |
| KR1020230021777A KR102608978B1 (en) | 2022-02-17 | 2023-02-17 | Transparent antenna substrate manufacturing method and transparent antenna manufactured therefrom |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (3) | KR20230123903A (en) |
| WO (3) | WO2023158274A1 (en) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1892609A4 (en) * | 2005-05-26 | 2013-03-27 | Gunze Kk | Transparent planar body and transparent touch switch |
| KR101113854B1 (en) * | 2006-03-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | Electrode structure and method of manufacturing the same |
| KR100901017B1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-06-04 | 성균관대학교산학협력단 | Method for forming a metal pattern on substrate |
| KR100975565B1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-08-13 | 한국과학기술원 | Method for manufacturing flexible display substrate of low moisture and oxygen permeation rate |
| JP2011077116A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sharp Corp | Wiring structure and display device having the same |
| KR101079394B1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of circuit board |
| KR101095380B1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-12-16 | 대덕전자 주식회사 | Method of fabricating a fine-pitch printed circuit board |
| JP2012207265A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | Method for manufacturing film substrate for display |
| KR101333087B1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-12-03 | 삼원에프에이 (주) | Multi layed metal pattern for being applied to antenna, antenna having the same and method for manufacturing antenna |
| KR101926558B1 (en) * | 2012-07-31 | 2019-03-12 | 엘지이노텍 주식회사 | Antena module and method of the same |
| KR101796587B1 (en) * | 2015-08-11 | 2017-11-10 | 한국항공대학교산학협력단 | Method for etching a multi-layered metal film and etchant |
| CN107634328B (en) * | 2017-09-01 | 2020-10-09 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | Graphene transparent antenna and preparation method thereof |
| CN111355026B (en) * | 2020-03-03 | 2023-02-03 | 安徽精卓光显技术有限责任公司 | Transparent antenna, manufacturing method thereof and electronic equipment |
-
2023
- 2023-02-17 KR KR1020230021778A patent/KR20230123903A/en not_active Application Discontinuation
- 2023-02-17 WO PCT/KR2023/002363 patent/WO2023158274A1/en unknown
- 2023-02-17 WO PCT/KR2023/002362 patent/WO2023158273A1/en unknown
- 2023-02-17 KR KR1020230021776A patent/KR102639992B1/en active IP Right Grant
- 2023-02-17 WO PCT/KR2023/002364 patent/WO2023158275A1/en unknown
- 2023-02-17 KR KR1020230021777A patent/KR102608978B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023158274A1 (en) | 2023-08-24 |
| KR20230123902A (en) | 2023-08-24 |
| WO2023158275A1 (en) | 2023-08-24 |
| KR20230123901A (en) | 2023-08-24 |
| KR102608978B1 (en) | 2023-12-01 |
| KR102639992B1 (en) | 2024-03-19 |
| WO2023158273A1 (en) | 2023-08-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |