KR102497890B1 - Transparent glass display substrate manufacturiing method and transparent glass display substrate manufactured therefrom - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성하고, 구리 전극 위에 도금 공정을 통해 전극의 두께를 조절함으로써 LED의 원활한 구동이 가능한 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a transparent display substrate and a transparent display substrate manufactured therefrom, and more specifically, by generating a copper electrode through a simple process and adjusting the thickness of the electrode through a plating process on the copper electrode, the LED can be smoothly It relates to a method for manufacturing a driveable transparent display substrate and a transparent display substrate manufactured therefrom.
유리를 모재로 사용하는 투명 LED 디스플레이 모듈의 베이스 기판을 제작하기 위해서는, 유리 표면과 전극 재료의 접착력 향상을 위해 스퍼터를 이용하여 하지 금속(Adhension)으로 니켈(Ni), 크롬(Cr), 니크롬(Nichrome), 티타늄(Ti) 등의 금속을 도포하고, 그 위에 다시 스퍼터를 이용하여 시드 금속(Seed metal)으로 구리(Cu), 은(Ag) 등을 증착하여 메탈 전극 패턴을 제작하기 위한 기초 공정을 실시하는 것이 통상적이다. 즉, 시드 금속(Seed metal)으로 구리(Cu)를 증착한 뒤, DFR/라미네이션/노광/현상/도금/박리/에칭 공정 등을 통해 시드 금속(Seed metal) 위에 적정 두께의 구리(Cu)를 추가로 올려서 충분한 두께의 구리(Cu) 배선을 형성한다. 이를 통해 목표로 하는 선로 저항 확보할 수 있게 된다.In order to manufacture a base substrate of a transparent LED display module using glass as a base material, nickel (Ni), chromium (Cr), and nichrome ( A basic process for producing metal electrode patterns by applying metals such as Nichrome) and titanium (Ti), and then depositing copper (Cu) and silver (Ag) as seed metals using sputtering again. It is customary to carry out That is, after depositing copper (Cu) as a seed metal, copper (Cu) of an appropriate thickness is deposited on the seed metal through a DFR/lamination/exposure/development/plating/exfoliation/etching process. It is additionally raised to form a copper (Cu) wire having a sufficient thickness. Through this, it is possible to secure the target line resistance.
그러나, 이와 같이 전극 생성을 위해 드라이(Dry) 공정과 ?(Wet)공정을 이용하는 경우, 제작하고자 하는 베이스 기판의 제작 크기가 각 공정별 장비의 크기에 영향을 받고, 드라이 공정과 ? 공정을 진행하면서 각 공정 장비와 각 공정별 소재의 물성에 의해 전극 재질의 특성이 관리에 영향을 받는 한계점이 있다.However, in the case of using the dry process and the wet process for electrode production, the production size of the base substrate to be manufactured is affected by the size of equipment for each process, and the dry process and the ? As the process proceeds, there is a limit in that the characteristics of the electrode material are affected by the management by each process equipment and the material properties of each process.
따라서, LED의 원활한 구동을 위해서는 전극 두께와 선폭을 조절함으로써 투명 디스플레이 베이스 기판이 적정 범위 이하의 선로 저항을 유지하도록 하여야 한다. 또한, 비교적 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성하고, 목표하는 적정 두께의 전극을 형성하는 방법이 필요하다.Therefore, in order to smoothly drive the LED, it is necessary to maintain the line resistance of the transparent display base substrate within an appropriate range by adjusting the electrode thickness and line width. In addition, a method of producing a copper electrode through a relatively simple process and forming an electrode having an appropriate target thickness is required.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성하고, 구리 전극 위에 도금 공정을 통해 전극의 두께를 조절함으로써 LED의 원활한 구동이 가능한 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is a method for manufacturing a transparent display substrate capable of smoothly driving LED by generating a copper electrode through a simple process and adjusting the thickness of the electrode through a plating process on the copper electrode, and a transparent display substrate manufactured therefrom. is to provide
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 12 ~ 80㎛ 두께의 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계; 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계;및 상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention comprises the steps of forming a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a thermosetting adhesive layer to one side of a copper (Cu) thin film having a thickness of 12 to 80 μm; Forming a copper (Cu) seed layer by bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a glass base substrate; and forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer. Including, it provides a transparent glass display substrate manufacturing method capable of adjusting the thickness of the copper (Cu) electrode through the step of forming the copper (Cu) plating layer.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계는 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 접합함으로써 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) thin film is performed by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film in a roll-to-roll manner in the form of a sheet. It can be.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 열경화성 접착제층은 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thermosetting adhesive layer is urea-based, melamine-based, phenol-based, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and mixtures thereof. Any one or more may be used.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 열경화성 접착제층의 두께는 7 ~ 25㎛일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the thermosetting adhesive layer may be 7 ~ 25㎛.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계는 핫-프레스(hot-press) 공정을 통해 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합착하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) seed layer is performed by attaching the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a glass base substrate through a hot-press process. It may be performed by bonding and bonding.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계는, 상기 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착한 후 상기 유리 베이스 기판의 일 면과 상기 구리(Cu) 박막의 접착면 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) seed layer may include bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the glass base substrate, and then forming the copper (Cu) seed layer on one surface of the glass base substrate. A degassing process for removing microbubbles generated between the surface and the adhesive surface of the copper (Cu) thin film may be further included.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 탈포 공정은 오토크레이브(Autoclave) 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in an autoclave to remove microbubbles by moving residual bubbles to the outside of the bonded surface.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in a hot-press equipment to remove microbubbles by moving residual bubbles to the outside of the bonded surface.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after the step of forming the copper (Cu) seed layer, the step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer may be further included.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계 이후에, 상기 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계; 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계; 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계; 상기 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계; 및 투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after the step of forming the copper (Cu) plating layer, forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer; exposing the photoresist layer to light; developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching; peeling the unexposed portion of the photoresist layer; forming a wiring layer by plating a first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off; surface mounting an LED on the wiring layer; and forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제1 금속은 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)으로 이루어지는 금속으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the first metal may be any one or more selected from metals consisting of tin (Sn), copper (Cu), and nickel (Ni).
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 열가소성 수지로 이루어질 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer may be made of a thermoplastic resin.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계를 통해 굴절률을 조절함으로써 투명 유리 디스플레이 기판의 투명도를 향상시킬 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the transparency of the transparent glass display substrate can be improved by adjusting the refractive index through the step of forming the overcoat layer.
나아가, 본 발명은 상술한 어느 하나의 제조방법으로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판을 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent glass display substrate manufactured by any one of the above manufacturing methods.
본 발명은 비교적 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성하고, 구리 전극 위에 도금 공정을 통해 전극의 두께를 조절함으로써, 베이스 전극의 선로 저항을 일정 범위 이하로 유지함과 동시에 고휘도를 달성하도록 하여 LED의 원활한 구동이 가능하다.The present invention creates a copper electrode through a relatively simple process and adjusts the thickness of the electrode through a plating process on the copper electrode, thereby maintaining the line resistance of the base electrode within a certain range and achieving high brightness at the same time, so that the LED can be smoothly driven this is possible
또한, 본 발명은 유리로부터 석출되는 알칼리 물질에 의한 유리와 구리(Cu) 간 접착력 저하를 방지할 수 있어 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층 간 접착력을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent deterioration of adhesion between glass and copper (Cu) due to alkaline substances precipitated from glass, thereby maintaining constant adhesion between the glass base substrate and the copper (Cu) seed layer.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 굴절률 변화를 나타낸 모식도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 표시 화면의 이미지이다.1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram showing a change in refractive index of a transparent glass display substrate according to formation of an overcoat layer according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is an image of a transparent glass display screen according to the formation of an overcoat layer according to a preferred embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
상술한 바와 같이 LED의 원활한 구동을 위해서는 전극 두께와 선폭을 조절함으로써 투명 디스플레이 베이스 기판이 적정 범위 이하의 선로 저항을 유지하도록 하여야 한다. 또한, 비교적 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성하고, 목표하는 적정 두께의 전극을 형성하는 방법이 필요한 실정이다.As described above, in order to smoothly drive the LED, it is necessary to maintain the line resistance of the transparent display base substrate within an appropriate range by adjusting the electrode thickness and line width. In addition, there is a need for a method of generating a copper electrode through a relatively simple process and forming an electrode having an appropriate target thickness.
이에 본 발명은 12 ~ 80㎛ 두께의 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계; 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계; 상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공하여 상술한 한계점의 해결책을 모색하였다.Accordingly, the present invention includes forming a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a thermosetting adhesive layer to one side of a copper (Cu) thin film having a thickness of 12 to 80 μm; bonding an adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a glass base substrate to form a copper (Cu) seed layer; Forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer; and manufacturing a transparent glass display substrate, wherein the thickness of the copper (Cu) electrode can be adjusted through the step of forming the copper (Cu) plating layer. A method was provided to find a solution to the above-mentioned limitations.
이에 따라, 본 발명은 스퍼터 공정을 이용하지 않고, 비교적 간단한 공정을 통해 구리 전극을 생성할 수 있고, 구리 전극 위에 도금 공정을 통해 전극의 두께를 용이하게 조절할 수 있다. 이를 통해 본 발명은 베이스 전극의 선로 저항을 일정 범위 이하로 유지함과 동시에 LED의 원활한 구동을 통해 고휘도를 달성할 수 있다.Accordingly, the present invention can produce a copper electrode through a relatively simple process without using a sputter process, and can easily adjust the thickness of the electrode through a plating process on the copper electrode. Through this, the present invention can achieve high luminance through smooth driving of the LED while maintaining the line resistance of the base electrode within a certain range.
또한, 본 발명은 유리로부터 석출되는 알칼리 물질에 의한 유리와 구리(Cu) 간 접착력 저하를 방지할 수 있어 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층 간 접착력을 일정하게 유지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent deterioration of adhesion between glass and copper (Cu) due to alkaline substances precipitated from glass, thereby maintaining constant adhesion between the glass base substrate and the copper (Cu) seed layer.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다. 본 발명은 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계(S10), 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S20), 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30)를 포함한다. 또한, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30)를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 용이하게 수행될 수 있다.1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention. In the present invention, a copper (Cu) thin film having an adhesive surface is formed by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of a copper (Cu) thin film (S10), and the copper (Cu) thin film is formed on one surface of a glass base substrate. Forming a copper (Cu) seed layer by bonding the adhesive surfaces (S20), and forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer (S30). In addition, through the step of forming the copper (Cu) plating layer (S30), the thickness of the copper (Cu) electrode can be easily adjusted.
먼저, 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합하여 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계(S10)는 유리 베이스 기판의 일 면 위에 형성되는 구리(Cu) 시드층을 박막 형태로 준비하는 단계이다.First, forming a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film (S10) is a copper (Cu) seed layer formed on one surface of the glass base substrate. This is a step of preparing in the form of a thin film.
본 발명은 구리(Cu) 시드층을 스퍼터 공정으로 형성하는 것이 아니라, 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 접합함으로써 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막을 형성한 후, 후술하는 바와 같이 이를 유리 베이스 기판의 일 면에 합착함으로써 형성한다. The present invention does not form a copper (Cu) seed layer by a sputtering process, but forms a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a thermosetting adhesive layer to one surface of the copper (Cu) thin film, which will be described later. As described above, it is formed by bonding it to one side of a glass base substrate.
즉, 본 발명은 스퍼터 공정을 수행하지 않고, 비교적 간단한 공정만으로 구리(Cu) 시드층을 형성할 수 있다. 또한, 구리(Cu) 박막 자체의 두께 범위를 조절함으로써 목표하는 전극 두께 조절을 용이하게 구현할 수 있다.That is, according to the present invention, a copper (Cu) seed layer can be formed using a relatively simple process without performing a sputtering process. In addition, by adjusting the thickness range of the copper (Cu) thin film itself, it is possible to easily implement a desired electrode thickness control.
이에 따라, 본 발명은 공정 비용을 절감할 수 있고, 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 제작하고자 하는 베이스 기판의 제작 크기가 각 공정별 장비의 크기에 영향을 받는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the present invention can reduce process cost and significantly improve process efficiency. In addition, it is possible to prevent the production size of the base substrate to be manufactured from being influenced by the size of equipment for each process.
구리(Cu) 박막의 두께는 12 ~ 80㎛여야 하고, 바람직하게는 15 ~ 70㎛ 일 수 있다. 만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 합지 공정이 용이하지 않으며, 요구 전류 범위를 충족하지 못하여 원활한 전원 공급이 어려운 한계점이 있을 수 있다. 또한, 만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 구리(Cu) 박막의 접착력이 낮아지면서 박막이 무너지거나 미세패턴이 박리되는 등 필요 이상의 제조 공정 비용이 증가할 수 있다. The thickness of the copper (Cu) thin film should be 12 to 80 μm, preferably 15 to 70 μm. If the thickness of the copper (Cu) thin film is less than the above range, the lamination process is not easy, and the required current range may not be satisfied, so that smooth power supply may be difficult. In addition, if the thickness of the copper (Cu) thin film exceeds the above range, the adhesive strength of the copper (Cu) thin film is lowered, and the manufacturing process cost may increase more than necessary, such as collapse of the thin film or peeling of the micropattern.
열경화성 접착제층은 열경화성 접착제를 포함하도록 형성되며, 열경화성 접착제는 후술하는 바와 같이 도금 공정, 에칭 공정, LED 실장 공정 등의 고온 환경에서 잘 견디는 물질로 해당 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. 이 경우 제조 공정 상에서의 고온 환경 및 작업 중 받게 되는 외력에도 접착력을 유지할 수 있는 장점이 있다.The thermosetting adhesive layer is formed to include a thermosetting adhesive, and the thermosetting adhesive is a material that is resistant to high-temperature environments such as a plating process, an etching process, an LED mounting process, and the like, which is commonly used in the art. Preferably, at least one of urea-based, melamine-based, phenol-based, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and mixtures thereof may be used. In this case, there is an advantage in that the adhesive strength can be maintained even in a high-temperature environment during the manufacturing process and an external force received during operation.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르며, 열경화성 접착제층의 두께는 7 ~ 25㎛일 수 있다. 보다 바람직하게는, 열경화성 접착제층의 두께는 10 ~ 15㎛일 수 있다. 이 경우 구리(Cu) 박막과 열경화성 접착제층 간의 접촉성이 향상될 수 있다. 특히, 유리 베이스 기판의 유리 표면에서 알칼리 물질이 토출됨으로써 유리와 구리(Cu) 박막 간의 접착력이 저하되는 경우가 발생할 수 있는데, 본 발명은 열경화성 접착제층의 두께를 상기 범위 내로 함으로써 이러한 유리와 구리(Cu) 박막 간의 접착력 저하를 방지할 수 있도록 하였다. According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the thermosetting adhesive layer may be 7 to 25 μm. More preferably, the thickness of the thermosetting adhesive layer may be 10 to 15 μm. In this case, contact between the copper (Cu) thin film and the thermosetting adhesive layer may be improved. In particular, when the alkali material is discharged from the glass surface of the glass base substrate, the adhesive strength between the glass and the copper (Cu) thin film may be reduced. In the present invention, the glass and copper ( Cu) to prevent deterioration of adhesion between thin films.
만일 열경화성 접착제층의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 구리(Cu) 박막과 열경화성 접착제층 간의 접촉성 및 유리와 구리(Cu) 박막 간의 접착력이 저하되는 한계점이 발생할 수 있다. 또한, 만일 열경화성 접착제층의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 회로에서 발생한 열의 전달률이 저하되고 핫-프레스 공정에서 기포가 발생할 수 있다. If the thickness of the thermosetting adhesive layer is less than the above range, contact between the copper (Cu) thin film and the thermosetting adhesive layer and adhesion between the glass and the copper (Cu) thin film may deteriorate. In addition, if the thickness of the thermosetting adhesive layer exceeds the above range, the transfer rate of heat generated in the circuit is reduced and bubbles may be generated in the hot-press process.
한편, 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계(S10)는 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 구리(Cu) 박막에 합지함으로써 수행될 수 있다. 또한 합지 후에는 일정 시간동안 숙성의 시간을 가질 수 있다.Meanwhile, the step of forming a copper (Cu) thin film (S10) is performed by laminating a thermosetting adhesive layer on one side of the copper (Cu) thin film to the copper (Cu) thin film in a roll to roll manner in the form of a sheet. It can be. In addition, after lamination, it may have time to mature for a certain period of time.
다음으로, 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S20)는, 접착면을 구비한 구리(Cu) 박막의 접착면과 유리 베이스 기판의 일 면을 합착하여 유리 베이스 기판 위에 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계이다.Next, forming a copper (Cu) seed layer by bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the glass base substrate (S20), the adhesive surface of the copper (Cu) thin film having an adhesive surface This is a step of forming a copper (Cu) seed layer on the glass base substrate by bonding one side of the glass base substrate with the other.
이 경우, 상술한 바와 같이 별도의 스퍼터 공정 없이 비교적 간단한 합착 공정만으로 유리 베이스 기판 위에 구리(Cu) 시드층을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 구리(Cu) 박막의 두께를 사전에 조절함으로써 목표하는 전극 두께를 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.In this case, as described above, there is an effect of forming a copper (Cu) seed layer on the glass base substrate only through a relatively simple bonding process without a separate sputtering process. In addition, there is an advantage in that a target electrode thickness can be easily implemented by adjusting the thickness of the copper (Cu) thin film in advance.
유리 베이스 기판의 재질은 소다라임(Sodalime, 소다석회유리) 유리 또는 보로실리케이트(Borosilicate, 붕규산 유리)를 사용함이 바람직하며, 화학 강화 또는 열 강화를 통해 강성이 확보된 유리를 사용할 수 있다.The material of the glass base substrate is preferably soda lime (soda lime glass) glass or borosilicate (borosilicate glass), and glass whose rigidity is secured through chemical strengthening or thermal strengthening may be used.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S20)는 핫-프레스(hot-press) 공정을 통해 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합착하는 방식으로 수행될 수 있다. 이 경우 각 소재의 매질 간 접착력을 현저히 향상시킬 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the forming of the copper (Cu) seed layer (S20) is the adhesion of the copper (Cu) thin film to one surface of the glass base substrate through a hot-press process. It may be performed by adhering and bonding the surfaces. In this case, the adhesive force between the mediums of each material can be remarkably improved.
이 때, 바람직하게는 사전 합지 공정을 먼저 수행할 수 있다. 사전 합지 공정은 120 ~ 130℃ 온도 범위로 구리(Cu) 박막의 접착면을 유리 표면에 접착시켜 가경화하여 수행될 수 있다.At this time, preferably, a pre-lamination process may be performed first. The pre-lamination process may be performed by adhering the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to the glass surface in a temperature range of 120 to 130 ° C. and temporarily curing it.
사전 합지 공정 수행 후에 상기 핫-프레스 공정을 수행할 수 있다. 상기 핫-프레스 공정은, 바람직하게는 120 ~ 180℃의 가열 온도, 50 ~ 70kgf의 가압 압력으로 약 30 ~ 50분 간 수행될 수 있다.The hot-press process may be performed after performing the pre-lamination process. The hot-press process may be performed for about 30 to 50 minutes at a heating temperature of 120 to 180° C. and a pressing pressure of 50 to 70 kgf.
한편, 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S20)는, 상기 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착한 후 상기 유리 베이스 기판의 일 면과 상기 구리(Cu) 박막의 접착면 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in the step of forming a copper (Cu) seed layer (S20), after bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the glass base substrate, one surface of the glass base substrate and the copper (Cu) ) may further include a degassing process for removing microbubbles generated between the adhesive surfaces of the thin film.
이 때, 상기 탈포 공정은 오토크레이브(Autoclave) 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수도 있다. 이 경우 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 박막 간의 부착력 및 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. In this case, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in an autoclave to move residual bubbles to the outside of the bonded surface to remove microbubbles. In addition, the degassing process may be performed in a manner in which heat and pressure are applied in a hot-press equipment to move residual bubbles to the outside of the bonded surface to remove microbubbles. In this case, adhesion and adhesion between the glass base substrate and the copper (Cu) thin film can be further improved.
이와 같이, 유리 베이스 기판 위에 구리(Cu) 박막을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성한 후에는 LED 구동 패턴 형성을 위해 기존 PCB 제조 공정인 ?공정(Wet) 공정을 이용하여 미세 구동 패턴을 형성할 수 있다. In this way, after forming a copper (Cu) seed layer by bonding a copper (Cu) thin film on a glass base substrate, a fine driving pattern is formed using a wet process, which is an existing PCB manufacturing process, to form an LED driving pattern. can form
경우에 따라, 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S20) 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 수행할 수도 있다. 이 경우 소프트 에칭 공정을 통해 표면 세척을 수행할 수 있다. In some cases, after the step of forming the copper (Cu) seed layer (S20), a step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer may be further performed. In this case, surface cleaning may be performed through a soft etching process.
다음으로, 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30)는 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu)를 추가 도금함으로써 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계이다.Next, forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer (S30) is a step of forming a copper (Cu) plating layer by additionally plating copper (Cu) on the copper (Cu) seed layer.
구리(Cu)는 다른 금속 재료와 달리 구리(Cu) 표면 위에 추가적인 구리(Cu) 도금 공정이 가능한 특징이 있는데, 본 발명은 이러한 특징을 이용하여 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu)를 추가 도금하도록 함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능하도록 하였다. 즉, 본 발명은 목표하는 두께의 구리 전극의 형성 내지 구현이 가능한 장점이 있다. Unlike other metal materials, copper (Cu) has a feature that allows an additional copper (Cu) plating process on the copper (Cu) surface. The present invention uses this feature to add copper (Cu) on the copper (Cu) seed layer. By plating, it was possible to adjust the thickness of the copper (Cu) electrode. That is, the present invention has the advantage of being able to form or implement a copper electrode having a target thickness.
이 경우 베이스 전극의 선로 저항이 1Ω/m 이하로 유지될 수 있으며, 5,000cd/m2 이상의 고휘도를 달성할 수 있어 고휘도 LED의 원활한 구동이 가능한 효과가 있다.In this case, the line resistance of the base electrode can be maintained at 1 Ω/m or less, and high luminance of 5,000 cd/m 2 or more can be achieved, so that the high luminance LED can be smoothly driven.
도 2는 본 발명의 바람직한 일시시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명은 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30) 이후에, 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40), 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50), 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60), 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70), 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S80), 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계(S90) 및 투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계(S100)를 더 포함할 수 있다. 2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , in the present invention, after forming a copper (Cu) plating layer (S30), forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer (S40), and exposing the photoresist layer (S50). ), developing the exposed photoresist layer, removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching (S60), and peeling the unexposed portion of the photoresist layer (S70) , Forming a wiring layer by plating a first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off (S80), surface-mounting LEDs on the wiring layer (S90), and forming an overcoat layer in a form surrounding a transparent glass display ( S100) may be further included.
구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30) 이후의 각 단계(S40, S50, S60, S70, S80, S90, S100)는 해당 기술 분야에서 통상적으로 수행되는 방법으로 수행될 수 있으며, 경우에 따라 추가적인 공정들이 더해질 수도 있다.Each step (S40, S50, S60, S70, S80, S90, S100) after the step of forming a copper (Cu) plating layer (S30) may be performed by a method commonly performed in the art, and in some cases Additional processes may be added.
이하, 상술한 내용들과 중복되는 내용들을 제외하고 설명한다.Hereinafter, it will be described except for the contents overlapping with the above contents.
구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40)는 포토레지스트액을 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 방식으로 수행될 수도 있고, 드라이필름 포토레지스트(DFR: Dry Film Photoresist)를 구리(Cu) 도금층 위에 라미네이션하는 방식으로 수행될 수도 있다. 그 밖에 감광을 통하여 회로 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트라면 다양한 종래기술이 널리 적용될 수 있다.Forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer (S40) may be performed by applying a photoresist liquid to form a photoresist layer, or dry film photoresist (DFR) to copper ( Cu) may be performed by lamination on the plating layer. In addition, various conventional techniques can be widely applied if it is a photoresist capable of forming a circuit pattern through photosensitization.
포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50)는 포토레지스트층을 자외선(UV)에 노광시키는 단계이다. 이 때, 포토마스크의 UV 차단 부분 아래에 있는 포토레지스트는 노광되지 않은 채로 남아 있게 된다. UV가 조사되는 영역에서 포토레지스트층은 자외선(UV)에 노광된다.The step of exposing the photoresist layer ( S50 ) is a step of exposing the photoresist layer to ultraviolet (UV) light. At this time, the photoresist under the UV blocking portion of the photomask remains unexposed. In the area where UV is irradiated, the photoresist layer is exposed to ultraviolet (UV) light.
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60)에서는 노광된 포토레지스트층에 대한 현상 및 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분에 대한 에칭이 이루어진다. In step S60 of developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching (S60), the exposed photoresist layer is developed and the adhesive layer and the seed layer are removed. Etching is performed on the portion in the exposed area.
포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70)에서는 포토레지스트층의 나머지 부분에 대한 박리가 이루어진다. 이를 통해, 구리(Cu) 시드층이 노출되게 된다.In step S70 of stripping the unexposed portion of the photoresist layer, the remaining portion of the photoresist layer is stripped. Through this, the copper (Cu) seed layer is exposed.
포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S80)에서는 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하게 된다. 이 때, 상기 제1 금속은 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)으로 이루어지는 금속으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있으며, 바람직하게는 구리(Cu) 일 수 있다.In step S80 of forming a wiring layer by plating the first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off, the wiring layer is formed by plating the first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off. At this time, the first metal may be any one or more selected from metals consisting of tin (Sn), copper (Cu), and nickel (Ni), and preferably may be copper (Cu).
배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계(S90)에서는 배선층 상에 솔더층을 통하여 LED가 표면실장(SMT: Surface Mount Technique)된 형태를 형성하게 된다.In the step of surface mounting the LED on the wiring layer (S90), the LED is formed in a surface mount technique (SMT) form through the solder layer on the wiring layer.
투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계(S100)에서는 투명 LED 디스플레이 장치를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성할 수 있다. 오버코트층은 투명 LED 디스플레이 장치의 유리 표면부터 LED 상부면을 덮을 수 있으며, 경우에 따라 투명 LED 디스플레이 장치 전체를 덮을 수도 있다. 이 경우 방수성, 방진성, 방습성 등의 특성이 만족될 수 있다. In the step of forming the overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display (S100), the overcoat layer may be formed in a form surrounding the transparent LED display device. The overcoat layer may cover the upper surface of the LED from the glass surface of the transparent LED display device, and may cover the entire transparent LED display device in some cases. In this case, characteristics such as waterproofness, dustproofness, and moistureproofness may be satisfied.
오버코트층은 열가소성 수지로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상술한 바와 같이 유리 베이스 기판의 일 면에 구리(Cu) 박막을 합지하고 에칭을 하게 되면 유리 베이스 기판에 구리 박막이 제거된 표면에는 접착제 성분이 잔존하고 이로 인해 유리 디스플레이 기판의 투명도가 저하될 수 있다. 또한, 이러한 잔존 접착제 성분에 의하여 추가 공정 단계에서 롤러 이동 자국이 동박이 합지된 표면위에 남아 투명도와 외부 시인성이 좋지 못한 문제점이 발생할 수 있다. 이에 본 발명은 오버코트층을 형성하는 단계(S100)를 더 수행함으로써 굴절률을 조절함으로써 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되도록 할 수 있다.The overcoat layer may be made of a thermoplastic resin. Specifically, as described above, when a copper (Cu) thin film is laminated and etched on one side of a glass base substrate, the adhesive component remains on the surface from which the copper thin film is removed from the glass base substrate, thereby reducing the transparency of the glass display substrate. may be lowered In addition, due to these remaining adhesive components, roller movement traces may remain on the surface where the copper foil is laminated in an additional process step, resulting in poor transparency and poor external visibility. Therefore, the present invention can improve the transparency of the glass display substrate by adjusting the refractive index by further performing the step of forming an overcoat layer (S100).
이에 본 발명은 오버코트층을 형성하여 잔존 접착제 성분들에 의한 굴절률을 조절함으로써 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되도록 하였고, 잔존 접착제 성분이 누출되는 것을 방지하여 추가 공정 단계에서의 공정상 어려움을 해소할 수 있도록 하였다.Therefore, the present invention is to form an overcoat layer to adjust the refractive index by the remaining adhesive components to improve the transparency of the glass display substrate, and to prevent the remaining adhesive components from leaking to solve the process difficulties in the additional process step. made it possible
이와 관련하여, 도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층(100) 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 굴절률 변화를 나타낸 모식도이다. 도 3a는 오버코트층(100)이 형성되지 않은 경우를 나타낸 것이다. 도 3a를 참조하면, 잔존 접착제 성분(X)에 의하여 투과율이 저하되고 굴절이 발생하게 됨을 알 수 있다. 도 3b는 오버코트층(100)이 형성된 경우를 나타낸 것이다. 도 3b를 참조하면, 오버코트층(100)을 형성함으로써 평탄화 과정을 통해 잔존 접착제 성분(X)에 의한 굴절 정도를 조절할 수 있음을 알 수 있다. In this regard, FIG. 3 is a schematic diagram showing a change in refractive index of a transparent glass display substrate according to formation of an
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층(100) 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 표시 화면의 이미지이다. 도 4a는 오버코트층(100)이 형성되지 않은 경우의 투명 유리 디스플레이 표시 화면의 이미지이며, 도 4b는 오버코트층(100)이 형성된 경우의 투명 유리 디스플레이 표시 화면의 이미지이다. 상기 도면들을 참조하면, 오버코트층(100)이 형성되지 않은 경우엔 굴절이 발생하게 되어 유리 디스플레이 기판의 투명도가 떨어짐에 반하여, 오버코트층(100)이 형성된 경우엔 굴절 정도가 조절됨으로써 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되어 표시 화면에 나타난 글자들이 보다 뚜렷하게 보임을 알 수 있다.4 is an image of a transparent glass display screen according to formation of an
오버코트층은 스프레이나 디스펜서를 이용하여 적정 두께 범위로 도포가 가능하다. 또한, 오버코트층이 열가소성 수지로 이루어지는 경우, 열과 압력을 인가하여 열가소성 수지가 용융되어 베이스 기판에 부착될 수 있다. 이를 통해 오버코트층이 투명 LED 디스플레이 장치의 유리 표면부터 LED 상부면을 덮을 수 있으며, 경우에 따라 투명 LED 디스플레이 장치 전체를 덮을 수도 있다. The overcoat layer can be applied in an appropriate thickness range using a spray or dispenser. In addition, when the overcoat layer is made of a thermoplastic resin, the thermoplastic resin may be melted and adhered to the base substrate by applying heat and pressure. Through this, the overcoat layer may cover the upper surface of the LED from the glass surface of the transparent LED display device, and may cover the entire transparent LED display device in some cases.
또한, 본 발명은 상술한 투명 디스플레이 기판 제조방법 중 어느 하나의 방법으로부터 제조된 투명 디스플레이 기판을 제공한다.In addition, the present invention provides a transparent display substrate manufactured by any one of the above-described transparent display substrate manufacturing methods.
Claims (14)
유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계;
상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;
상기 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;
상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계;
포토레지스트층이 박리된 부분에 구리(Cu) 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계;
상기 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계;및
투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계는 핫-프레스(hot-press) 공정을 통해 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 접착시켜 합착하는 방식으로 수행되며,
상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계는, 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu)를 추가 도금함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
Forming a copper (Cu) thin film having an adhesive surface by bonding a 7 to 25 μm thick thermosetting adhesive layer to one side of a 12 to 80 μm thick copper (Cu) thin film;
bonding an adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a glass base substrate to form a copper (Cu) seed layer;
forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer;
forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer;
exposing the photoresist layer to light;
developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching;
peeling the unexposed portion of the photoresist layer;
forming a wiring layer by plating copper (Cu) metal on a portion where the photoresist layer is peeled off;
surface mounting an LED on the wiring layer; and
Forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display; includes,
The forming of the copper (Cu) seed layer is performed by adhering and bonding the adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of a glass base substrate through a hot-press process,
In the step of forming the copper (Cu) plating layer, the thickness of the copper (Cu) electrode can be adjusted by additionally plating copper (Cu) on the copper (Cu) seed layer.
상기 구리(Cu) 박막을 형성하는 단계는 구리(Cu) 박막의 일 면에 열경화성 접착제층을 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 접합함으로써 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
The forming of the copper (Cu) thin film is performed by bonding a thermosetting adhesive layer to one side of the copper (Cu) thin film in a roll-to-roll manner in the form of a sheet, transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 열경화성 접착제층은 요소계, 멜라민계, 페놀계, 불포화 폴리에스테르계, 에폭시계, 레졸시놀계, 폴리이미드계 수지, 이들의 변성물 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
The thermosetting adhesive layer is characterized by using any one or more of urea-based, melamine-based, phenol-based, unsaturated polyester-based, epoxy-based, resorcinol-based, polyimide-based resins, modified products thereof, and mixtures thereof , Method for manufacturing a transparent glass display substrate.
상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계는, 상기 유리 베이스 기판의 일 면에 상기 구리(Cu) 박막의 접착면을 합착한 후 상기 유리 베이스 기판의 일 면과 상기 구리(Cu) 박막의 접착면 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함하는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
The forming of the copper (Cu) seed layer may include bonding an adhesive surface of the copper (Cu) thin film to one surface of the glass base substrate, and then bonding the one surface of the glass base substrate to the copper (Cu) thin film. A method for manufacturing a transparent glass display substrate, further comprising a degassing step for removing fine bubbles generated between surfaces.
상기 탈포 공정은 오토크레이브(Autoclave) 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 6,
The degassing process is performed by applying heat and pressure in an autoclave to move the remaining bubbles to the outside of the bonded surface to remove fine bubbles.
상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 6,
The degassing process is carried out by applying heat and pressure in a hot-press equipment to move the remaining bubbles to the outside of the bonded surface to remove fine bubbles, the transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 포함하는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
After the step of forming the copper (Cu) seed layer, further comprising the step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer, the transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 열가소성 수지로 이루어지는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
In the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer is made of a thermoplastic resin, a transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 오버코트층을 형성하는 단계를 통해 굴절률을 조절함으로써 투명 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1,
A method of manufacturing a transparent glass display substrate, wherein the transparency of the transparent glass display substrate is improved by adjusting the refractive index through the forming of the overcoat layer.
A transparent glass display substrate manufactured by the manufacturing method of any one of claims 1 to 3, 6 to 9, 12 and 13.
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