KR102490507B1 - Transparent glass display substrate manufacturiing method and transparent glass display substrate manufactured therefrom - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유리 베이스 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리를 방지함으로써 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동이 가능한 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a transparent display substrate and a transparent display substrate manufactured therefrom, and more particularly, by preventing peeling of a metallic conductive pattern from a glass base substrate, forming a stable metallic conductive pattern and enabling smooth driving of LEDs. It relates to a method for manufacturing a display substrate and a transparent display substrate manufactured therefrom.
투명 디스플레이 베이스 기판으로 유리를 사용하는 경우 일반 소다 라임 또는 알칼리 유리를 이용하여 화학강화나 열강화를 하여 강성을 높여 충격에 대한 내성을 향상시키고, 이 유리에 스퍼터와 같은 드라이(DRY) 공정과 도금, 에칭 공정을 이용한 ?(WET) 공정을 이용하여 도전 패턴을 형성한다. When glass is used as a transparent display base substrate, it is chemically or thermally strengthened using general soda lime or alkali glass to increase rigidity to improve impact resistance, and the glass is subjected to dry processes such as sputtering and plating. , a conductive pattern is formed using a ? (WET) process using an etching process.
그러나, 일반 유리는 알칼리 금속 산화물을 포함하고 있기 때문에 유리 위에 제작된 금속성 도전 패턴이 전류가 흐르고 환경에 노출되면, 유리 표면과 도전 패턴 사이에 박리가 발생하여 도전 선로의 강성이 저하되고 심한 경우 선로가 단선되어 전류가 흐르지 못하는 경우가 발생한다.However, since general glass contains alkali metal oxide, when a metallic conductive pattern fabricated on the glass is exposed to the environment while current flows, peeling occurs between the glass surface and the conductive pattern, reducing the rigidity of the conductive line and in severe cases, the line There is a case where the current cannot flow due to a disconnection.
무알칼리 유리는 이러한 문제를 해결할 수 있는 대안으로 사용이 가능하지만, 일반 유리에 비해 가격이 매우 높기 때문에 쉽게 적용이 어려운 한계점이 있어 일반 조명용이 아닌 LCD, OLED와 같은 대화면 제품의 디스플레이 소재로 사용되고 있는 실정이다.Alkali-free glass can be used as an alternative to solve these problems, but its price is very high compared to general glass, so it has limitations that are difficult to apply easily. The situation is.
따라서, 일반 유리를 베이스 기판으로 사용하여 투명 디스플레이 베이스 기판을 제조하더라도 베이스 유리 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리를 방지하여 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 구동을 하기 위한 방법이 필요하다.Therefore, even if a transparent display base substrate is manufactured using general glass as a base substrate, there is a need for a method for stably forming and driving a metallic conductive pattern by preventing separation of the metallic conductive pattern from the base glass substrate.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 간단한 공정을 통해, 유리 베이스 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리 현상을 방지하여 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동이 가능한 투명 디스플레이 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 디스플레이 기판을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is a method for manufacturing a transparent display substrate capable of forming a stable metallic conductive pattern and smoothly driving an LED by preventing peeling of a metallic conductive pattern from a glass base substrate through a simple process, and a transparent manufactured thereby. It is to provide a display substrate.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 후, 상기 제1 접착층 상에 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계; 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;를 포함하고, 상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention forms a first adhesive layer on one surface of a resin film, and then sputters copper (Cu) on the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer. Cu) preparing a resin film having a seed layer; and forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. Including, the resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin film, a transparent glass display substrate A manufacturing method is provided.
또한, 본 발명은 수지필름 및 구리(Cu) 박막을 준비하고, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층을 형성하는 단계; 상기 제1 접착층을 통해 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막을 합지하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계; 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;를 포함하고, 상기 구리(Cu) 박막의 두께는 8 ~ 100㎛이며, 상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of preparing a resin film and a copper (Cu) thin film, and forming a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film; preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer by laminating the resin film and the copper (Cu) thin film through the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer on the resin film; and forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. Including, the thickness of the copper (Cu) thin film is 8 ~ 100㎛, the resin film is polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin It provides a method for manufacturing a transparent glass display substrate, which is any one selected from the group consisting of films.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer; further comprising a copper (Cu) electrode through the step of forming the copper (Cu) plating layer thickness can be adjusted.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제1 접착층 및 제2 접착층은 OCA(광학투명접착필름) 또는 OCR(광학투명접착제) 재질로 구성될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the first adhesive layer and the second adhesive layer may be made of OCA (Optical Clear Adhesive Film) or OCR (Optical Clear Adhesive) material.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제1 접착층의 두께는 5 ~ 50㎛일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the first adhesive layer may be 5 ~ 50㎛.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제2 접착층의 두께는 20 ~ 60㎛일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the second adhesive layer may be 20 ~ 60㎛.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계는, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층이 위치하도록 배치하여 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 접합함으로써 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the step of preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer, the first adhesive layer is positioned between the resin film and the copper (Cu) thin film to form a sheet. It may be performed by bonding in a roll to roll manner in the form.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 수지필름을 접합하는 단계는, 상기 제2 접착층을 통해 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름이 접착되도록 핫-프레스(hot-press) 공정으로 합착하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the bonding of the resin film may be performed by hot-pressing so that the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer are bonded through the second adhesive layer. -press) process may be performed in a way of bonding.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 수지필름을 접합하는 단계는, 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 상기 제2 접착층을 통해 합착한 후 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the bonding of the resin film may include bonding the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer through the second adhesive layer, and then bonding the glass base substrate to the glass base substrate. And a degassing process for removing fine bubbles generated between the resin film provided with the copper (Cu) seed layer may be further included.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in a hot-press equipment to remove microbubbles by moving residual bubbles to the outside of the bonded surface.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층을 형성한 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after forming the copper (Cu) seed layer, a step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer may be further included.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계 이후에, 상기 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계; 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계; 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계; 상기 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계; 및 투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, after the step of forming the copper (Cu) plating layer, forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer; exposing the photoresist layer to light; developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching; peeling the unexposed portion of the photoresist layer; forming a wiring layer by plating a first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off; surface mounting an LED on the wiring layer; and forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제1 금속은 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)으로 이루어지는 금속으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the first metal may be any one or more selected from metals consisting of tin (Sn), copper (Cu), and nickel (Ni).
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 열가소성 수지로 이루어질 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer may be made of a thermoplastic resin.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 오버코트층을 형성하는 단계를 통해 굴절률을 조절함으로써 투명 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the transparency of the transparent glass display substrate can be improved by adjusting the refractive index through the step of forming the overcoat layer.
나아가, 본 발명은 상술한 어느 하나의 제조방법으로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판을 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent glass display substrate manufactured by any one of the above manufacturing methods.
본 발명은 유리로부터 석출되는 알칼리 물질에 의한 유리와 구리(Cu) 간 접착력 저하를 방지하여 유리 베이스 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리 현상을 방지할 수 있다.The present invention can prevent peeling of a metallic conductive pattern from a glass base substrate by preventing a decrease in adhesion between glass and copper (Cu) due to alkaline substances precipitated from the glass.
본 발명은 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층 간 접착력을 일정하게 유지함으로써 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동이 가능하다.According to the present invention, it is possible to form a stable metallic conductive pattern and smoothly drive an LED by maintaining a constant adhesive force between a glass base substrate and a copper (Cu) seed layer.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 굴절률 변화를 나타낸 모식도이다.1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is a schematic view showing a change in refractive index of a transparent glass display substrate according to the formation of an overcoat layer according to a preferred embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
상술한 바와 같이 유리 베이스 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리 현상 방지를 통한 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동을 위해서는 유리 베이스 기판과 금속성 도전 패턴 간의 접착력을 일정한 수준으로 유지하기 위한 방법이 필요하다.As described above, in order to form a stable metallic conductive pattern by preventing peeling of the metallic conductive pattern from the glass base substrate and to smoothly drive the LED, a method for maintaining the adhesive force between the glass base substrate and the metallic conductive pattern at a constant level is required. .
이에 본 발명은 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 후, 상기 제1 접착층 상에 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계; 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;를 포함하고, 상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공하여 상술한 한계점의 해결책을 모색하였다. Accordingly, the present invention forms a first adhesive layer on one side of a resin film, and then sputters copper (Cu) on the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer, thereby providing a copper (Cu) seed layer. Preparing a resin film; and forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. Including, the resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin film, a transparent glass display substrate A manufacturing method was provided to find a solution to the above-mentioned limitations.
이와 같이 본 발명은 스퍼터 공정을 통해 수지필름의 일 면 상에 구리 전극을 생성하되 유리 베이스 기판과 구리 전극 사이에 수지필름이 형성되도록 하여 수지필름을 중간 소재로 활용한다. 즉, 본 발명은 유리 베이스 기판에 직접적으로 구리(Cu) 시드층을 형성하는 것이 아니라, 수지필름을 중간 소재로 활용하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성한다. As such, the present invention creates a copper electrode on one side of the resin film through a sputtering process, but uses the resin film as an intermediate material by forming the resin film between the glass base substrate and the copper electrode. That is, the present invention does not directly form a copper (Cu) seed layer on a glass base substrate, but uses a resin film as an intermediate material to form a copper (Cu) seed layer on the resin film.
이를 통해 본 발명은 유리로부터 석출되는 알칼리 물질에 의한 유리와 구리(Cu) 간 접착력 저하를 방지할 수 있어 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층 간 접착력을 일정하게 유지할 수 있고, 이에 따라 유리 베이스 기판의 표면에서 도전성 전극 패턴이 박리되는 현상을 방지함으로써 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동이 가능하다.Through this, the present invention can prevent a decrease in the adhesive strength between the glass and copper (Cu) due to an alkaline substance precipitated from the glass, thereby maintaining a constant adhesive strength between the glass base substrate and the copper (Cu) seed layer, and thus the glass base substrate. By preventing the peeling of the conductive electrode pattern from the surface of the substrate, it is possible to form a stable metallic conductive pattern and smoothly drive the LED.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명은 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 후, 상기 제1 접착층 상에 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계(S10) 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계(S20)를 포함한다. 또한, 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다. 1 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the present invention forms a copper (Cu) seed layer by forming a first adhesive layer on one surface of a resin film and then sputtering copper (Cu) on the first adhesive layer. Preparing a resin film having a seed layer (S10), forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and placing the second adhesive layer between the glass base substrate and the resin film; and bonding the resin film having the copper (Cu) seed layer (S20). In addition, the resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin films.
먼저, 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 후, 상기 제1 접착층 상에 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계(S10)는 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 후 상기 제1 접착층의 일 면 상에 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계이다.First, after forming a first adhesive layer on one surface of a resin film, a copper (Cu) seed layer is formed by sputtering copper (Cu) on the first adhesive layer, thereby forming a resin film having a copper (Cu) seed layer. The step of preparing (S10) is a step of forming a copper (Cu) seed layer by sputtering copper (Cu) on one surface of the first adhesive layer after forming a first adhesive layer on one surface of the resin film.
시드층은 금속 전극의 저항을 낮추기 위해 이후 도금 공정에서 구리 배선을 추가 형성할 때, 구리가 효과적으로 도금될 수 있도록 해주는 시드(Seed)의 기능을 한다. The seed layer functions as a seed that allows copper to be effectively plated when additionally forming a copper wire in a subsequent plating process to lower the resistance of the metal electrode.
구체적으로, 본 발명은 유리 베이스 기판의 일 면 상에 직접적으로 구리(Cu)를 스퍼터링하여 구리(Cu) 시드층을 형성하는 것이 아니라, 수지필름을 중간소재로 활용하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성하고, 구리(Cu) 시드층이 형성된 수지필름을 다시 유리 베이스 기판 상에 부착하여 간접적으로 구리(Cu) 시드층을 형성한다.Specifically, the present invention does not sputter copper (Cu) directly on one side of a glass base substrate to form a copper (Cu) seed layer, but uses a resin film as an intermediate material to form copper (Cu) on the resin film ( A Cu) seed layer is formed, and the resin film having the copper (Cu) seed layer formed thereon is again attached on the glass base substrate to indirectly form the copper (Cu) seed layer.
또한, 수지필름의 일 면 상에 직접적으로 구리(Cu) 시드층을 형성하는 것이 아니라, 수지필름의 일 면 상에 제1 접착층을 형성한 이후 상기 제1 접착층 상에 구리(Cu) 시드층을 형성하여 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층 일정한 접착력을 통해 안정적으로 형성되도록 한다.In addition, instead of directly forming a copper (Cu) seed layer on one surface of the resin film, a copper (Cu) seed layer is formed on the first adhesive layer after forming the first adhesive layer on one surface of the resin film. It is formed so that the copper (Cu) seed layer is stably formed on the resin film through a certain adhesive force.
이와 같이 본 발명은 제1 접착층을 통해 구리(Cu) 시드층이 수지필름의 일 면과 견고하게 결합하며, 이후 시드층과 동일한 재질의 구리가 도금 공정에서 사용되도록 함으로써 시드층의 구리와도 단단하게 결합할 수 있다.As described above, in the present invention, the copper (Cu) seed layer is firmly bonded to one side of the resin film through the first adhesive layer, and then copper of the same material as the seed layer is used in the plating process, so that it is also hard with the copper of the seed layer. can be conjoined.
시드층을 형성하는 금속으로는 구리(Cu)를 사용한다. 이 경우 은(Ag) 등의 다른 금속을 사용하는 경우보다 도금, 에칭 등의 공정(wet 공정)을 통한 금속 전극 형성이 유리한 장점이 있다. 특히, 후술하는 바와 같이 시드층에 형성된 구리 위에 구리 도금을 수행하면, 다른 금속 재질에 비하여 보다 용이하게 구리 도선의 두께를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 구리 도선의 저항을 낮추는 것이 보다 용이한 효과가 있다.Copper (Cu) is used as a metal forming the seed layer. In this case, there is an advantage in forming a metal electrode through a process (wet process) such as plating or etching, compared to the case of using another metal such as silver (Ag). In particular, as described later, when copper plating is performed on the copper formed on the seed layer, the thickness of the copper wire can be increased more easily than other metal materials, and accordingly, it is easier to lower the resistance of the copper wire. there is.
제1 접착층은 OCA(광학투명접착필름) 또는 OCR(광학투명접착제) 재질로 구성되며, 해당 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. OCA 또는 OCR이 제1 접착층을 형성하는 물질로 사용되어 수지필름과 구리(Cu) 시드층 사이에 접착제로 사용되는 경우, 투명하게 빛을 투과하기 때문에 투명 디스플레이 기판에서 투과율이 저하되지 않는 장점이 있다.The first adhesive layer is composed of OCA (optical clear adhesive film) or OCR (optical clear adhesive) material, and those commonly used in the art may be used. When OCA or OCR is used as a material for forming the first adhesive layer and used as an adhesive between the resin film and the copper (Cu) seed layer, it transmits light transparently, so the transmittance does not decrease in the transparent display substrate. .
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 제1 접착층의 두께는 5 ~ 50㎛일 수 있다. 보다 바람직하게는 5 ~ 20㎛일 수 있다. 이 경우 수지필름과 구리(Cu) 시드층 간의 접착력이 향상될 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the first adhesive layer may be 5 ~ 50㎛. More preferably, it may be 5 to 20 μm. In this case, adhesion between the resin film and the copper (Cu) seed layer may be improved.
만일 제1 접착층의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 수지필름과 구리(Cu) 시드층 간의 접착력이 저하되는 한계점이 발생할 수 있다. 또한, 만일 제1 접착층의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 회로에서 발생한 열의 전달률이 저하되고 핫-프레스 공정에서 기포가 발생할 수 있다. If the thickness of the first adhesive layer is less than the above range, a limit point in which the adhesive force between the resin film and the copper (Cu) seed layer is lowered may occur. In addition, if the thickness of the first adhesive layer exceeds the above range, the transfer rate of heat generated in the circuit is reduced and bubbles may be generated in the hot-press process.
다음으로, 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계(S20)는 유리 베이스 기판과 중간 소재인 수지필름을 합착하여 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계이다.Next, a second adhesive layer is formed on at least one surface of the glass base substrate, and the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer are provided so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. The bonding step (S20) is a step of bonding the glass base substrate and the resin film provided with a copper (Cu) seed layer by bonding the glass base substrate and the resin film as an intermediate material.
이 경우, 상술한 바와 같이 유리 베이스 기판 위에 간접적으로 구리(Cu) 시드층을 형성하되, 제2 접착층을 통해 일정한 접착력이 유지되도록 함으로써 유리 베이스 기판에서의 금속성 도전 패턴의 박리를 방지함으로써 안정적인 금속성 도전 패턴 형성 및 LED의 원활한 구동이 가능한 효과가 있다.In this case, as described above, a copper (Cu) seed layer is indirectly formed on the glass base substrate, but a constant adhesive force is maintained through the second adhesive layer to prevent peeling of the metallic conductive pattern from the glass base substrate, thereby providing stable metallic conduction. There is an effect of enabling pattern formation and smooth driving of the LED.
유리 베이스 기판의 재질은 소다라임(Sodalime, 소다석회유리) 유리 또는 보로실리케이트(Borosilicate, 붕규산 유리)를 사용함이 바람직하며, 화학 강화 또는 열 강화를 통해 강성이 확보된 유리를 사용할 수 있다.The material of the glass base substrate is preferably soda lime (soda lime glass) glass or borosilicate (borosilicate glass), and glass whose rigidity is secured through chemical strengthening or thermal strengthening may be used.
제2 접착층은 OCA(광학투명접착필름) 또는 OCR(광학투명접착제) 재질로 구성되며, 해당 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. OCA 또는 OCR이 제2 접착층을 형성하는 물질로 사용되어 수지필름과 유리 베이스 기판 사이에 접착제로 사용되는 경우, 투명하게 빛을 투과하기 때문에 투명 디스플레이 기판에서 투과율이 저하되지 않는 장점이 있다.The second adhesive layer is composed of OCA (optical clear adhesive film) or OCR (optical clear adhesive) material, and those commonly used in the art may be used. When OCA or OCR is used as a material for forming the second adhesive layer and used as an adhesive between the resin film and the glass base substrate, there is an advantage in that transmittance does not decrease in the transparent display substrate because light is transparently transmitted therethrough.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 제2 접착층의 두께는 두께는 20 ~ 60㎛일 수 있다. 보다 바람직하게는 30 ~ 50㎛일 수 있다. 이 경우 수지필름과 유리 베이스 기판 간의 접촉성이 향상될 수 있다. 특히, 유리 베이스 기판의 유리 표면에서 알칼리 물질이 토출됨으로써 유리와 구리(Cu) 시드층 간의 접착력이 저하되는 경우가 발생할 수 있는데, 본 발명은 제2 접착층의 두께를 상기 범위 내로 함으로써 이러한 유리와 수지필름에 의해 유리에서 토출되는 알칼리 물질이 구리(Cu) 시드층에 직접 접촉하지 않기 때문에 접착력 저하를 방지할 수 있도록 하였다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the second adhesive layer may be 20 to 60 μm. More preferably, it may be 30 ~ 50㎛. In this case, contact between the resin film and the glass base substrate may be improved. In particular, there may be a case where the adhesion between the glass and the copper (Cu) seed layer is lowered due to the discharge of an alkali material from the glass surface of the glass base substrate. Since the alkali material discharged from the glass by the film does not directly contact the copper (Cu) seed layer, it is possible to prevent a decrease in adhesive strength.
만일 제2 접착층의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 유리 베이스 기판과 수지필름 간의 접착력이 저하되는 한계점이 발생할 수 있다. 또한, 만일 제1 접착층의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에도 회로에서 발생한 열의 전달률이 저하되고 핫-프레스 공정에서 기포가 발생할 수 있다. If the thickness of the second adhesive layer is less than the above range, a limit point in which the adhesive force between the glass base substrate and the resin film is lowered may occur. In addition, even if the thickness of the first adhesive layer exceeds the above range, the transfer rate of heat generated in the circuit is reduced and bubbles may be generated in the hot-press process.
한편, 경우에 따라 본 발명은 제1 접착층을 형성하기 전에, 상기 수지필름 중 상기 제1 접착층이 형성되는 일 면 상에 우레탄 코팅을 수행할 수 있다. 즉, 본 발명은 수지필름의 적어도 일 면 중 상기 제1 접착층이 형성되는 일 면 상에 우레탄 코팅을 먼저 수행함으로써, 수지필름의 밀착력이 향상되도록 할 수 있다.Meanwhile, in some cases, the present invention may perform urethane coating on one side of the resin film on which the first adhesive layer is formed before forming the first adhesive layer. That is, according to the present invention, adhesion of the resin film may be improved by first performing urethane coating on at least one surface of the resin film on which the first adhesive layer is formed.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 수지필름을 접합하는 단계(S20)는, 상기 제2 접착층을 통해 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름이 접착되도록 핫-프레스(hot-press) 공정으로 합착하는 방식으로 수행될 수도 있다. 이 경우 각 소재의 매질 간 접착력을 현저히 향상시킬 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the bonding of the resin film (S20), the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer are bonded through the second adhesive layer by hot-pressing. (Hot-press) process may be performed in a manner of bonding. In this case, the adhesive force between the mediums of each material can be remarkably improved.
이 때, 바람직하게는 합지 공정을 먼저 수행할 수 있다. 합지 공정은 40 ~ 60℃의 조건에서 수지필름의 접착면을 유리 표면에 접착시킬 수 있다.At this time, preferably, the laminating process may be performed first. In the laminating process, the adhesive side of the resin film can be bonded to the glass surface under conditions of 40 to 60 °C.
필요에 따라서 합지 공정 수행 후에 핫-프레스 공정을 수행할 수 있다. 상기 핫-프레스 공정은, 바람직하게는 100 ~ 150℃의 가열 온도, 10 ~ 15kgf의 가압 압력으로 약 30 ~ 60분 간 수행될 수 있다.If necessary, a hot-press process may be performed after performing the laminating process. The hot-press process may be performed for about 30 to 60 minutes at a heating temperature of 100 to 150° C. and a pressing pressure of 10 to 15 kgf.
또한, 수지필름을 접합하는 단계(S20)는, 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 상기 제2 접착층을 통해 합착한 후 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함할 수 있다.In addition, in the bonding of the resin film (S20), the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer are bonded through the second adhesive layer, and then the glass base substrate and the copper (Cu) A degassing process for removing microbubbles generated between the resin films provided with the seed layer may be further included.
이 때, 상기 탈포 공정은 오토크레이브(Autoclave) 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행될 수도 있다. 이 경우 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층 간의 부착력 및 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. In this case, the degassing process may be performed by applying heat and pressure in an autoclave to move residual bubbles to the outside of the bonded surface to remove microbubbles. In addition, the degassing process may be performed in a manner in which heat and pressure are applied in a hot-press equipment to move residual bubbles to the outside of the bonded surface to remove microbubbles. In this case, adhesion and adhesion between the glass base substrate and the copper (Cu) seed layer may be further improved.
이와 같이, 유리 베이스 기판 위에 구리(Cu) 시드층을 형성한 후에는 LED 구동 패턴 형성을 위해 기존 PCB 제조 공정인 ?공정(Wet) 공정을 이용하여 미세 구동 패턴을 형성할 수 있다. As such, after the copper (Cu) seed layer is formed on the glass base substrate, a fine driving pattern may be formed using a wet process, which is an existing PCB manufacturing process, to form an LED driving pattern.
경우에 따라, 구리(Cu) 시드층을 형성한 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 수행할 수도 있다. 이 경우 소프트 에칭 공정을 통해 표면 세척을 수행할 수 있다.In some cases, after forming the copper (Cu) seed layer, a step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer may be further performed. In this case, surface cleaning may be performed through a soft etching process.
본 발명은 상술한 한계점의 해결책을 모색하기 위하여, 수지필름 및 구리(Cu) 박막을 준비하고, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층을 형성하는 단계; 상기 제1 접착층을 통해 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막을 합지하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계; 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;를 포함하고, 상기 구리(Cu) 박막의 두께는 8 ~ 100㎛이며, 상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법을 제공한다.In order to find a solution to the above-mentioned limitations, the present invention comprises the steps of preparing a resin film and a copper (Cu) thin film, and forming a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film; preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer by laminating the resin film and the copper (Cu) thin film through the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer on the resin film; and forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. Including, the thickness of the copper (Cu) thin film is 8 ~ 100㎛, the resin film is polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin It provides a method for manufacturing a transparent glass display substrate, which is any one selected from the group consisting of films.
이하, 상술한 내용과 중복되는 내용은 제외하고 상세히 설명한다.Hereinafter, description will be made in detail except for the contents overlapping with the above-described contents.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명은 수지필름 및 구리(Cu) 박막을 준비하고, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층을 형성하는 단계(S11), 상기 제1 접착층을 통해 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막을 합지하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계(S12) 및 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계(S20)를 포함한다. 또한, 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다.2 is a technical flow chart of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the present invention is a step of preparing a resin film and a copper (Cu) thin film, and forming a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film (S11), through the first adhesive layer Preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer by laminating the resin film and the copper (Cu) thin film to form a copper (Cu) seed layer on the resin film (S12) and Forming a second adhesive layer on at least one surface and bonding the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film (S20) includes In addition, the resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin films.
먼저, 수지필름 및 구리(Cu) 박막을 준비하고, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층을 형성하는 단계(S11)는 구리(Cu) 시드층을 박막 형태로 준비하여 후술하는 바와 같이 수지필름과 구리(Cu) 시드층이 제1 접착층을 통해 합착될 수 있도록 한다.First, in the step of preparing a resin film and a copper (Cu) thin film, and forming a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film (S11), a copper (Cu) seed layer is prepared in the form of a thin film to be described later. As such, the resin film and the copper (Cu) seed layer can be bonded through the first adhesive layer.
즉, 이 경우 스퍼터링 공정을 수행하지 않고, 비교적 간단한 공정만으로 구리(Cu) 시드층을 형성할 수 있다. 또한, 구리(Cu) 박막 자체의 두께 범위를 조절함으로써 목표하는 전극 두께 조절을 용이하게 구현할 수 있다.That is, in this case, the copper (Cu) seed layer may be formed using a relatively simple process without performing a sputtering process. In addition, by adjusting the thickness range of the copper (Cu) thin film itself, it is possible to easily implement a desired electrode thickness control.
이에 따라, 본 발명은 공정 비용을 절감할 수 있고, 공정 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 제작하고자 하는 베이스 기판의 제작 크기가 각 공정별 장비의 크기에 영향을 받는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the present invention can reduce process cost and significantly improve process efficiency. In addition, it is possible to prevent the production size of the base substrate to be manufactured from being influenced by the size of equipment for each process.
구리(Cu) 박막의 두께는 8 ~ 100㎛여야 하고, 바람직하게는 15 ~ 70㎛ 일 수 있다. 만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위 미만인 경우에는 합지 공정이 용이하지 않으며, 요구 전류 범위를 충족하지 못하여 원활한 전원 공급이 어려운 한계점이 있을 수 있다. 또한, 만일 구리(Cu) 박막의 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는 구리(Cu) 박막의 접착력이 낮아지면서 박막이 무너지거나 미세패턴이 박리되는 등 필요 이상의 제조 공정 비용이 증가할 수 있다. The thickness of the copper (Cu) thin film should be 8 to 100 μm, preferably 15 to 70 μm. If the thickness of the copper (Cu) thin film is less than the above range, the lamination process is not easy, and the required current range may not be satisfied, so that smooth power supply may be difficult. In addition, if the thickness of the copper (Cu) thin film exceeds the above range, the adhesive strength of the copper (Cu) thin film is lowered, and the manufacturing process cost may increase more than necessary, such as collapse of the thin film or peeling of the micropattern.
다음으로, 제1 접착층을 통해 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막을 합지하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계(S12)는 제1 접착층을 통해 수지필름과 구리(Cu) 박막을 접착함으로써 일정한 접착력을 통해 안정적으로 구리(Cu) 시드층이 형성되도록 한다.Next, preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer by laminating the resin film and the copper (Cu) thin film through a first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer on the resin film. (S12) bonds the resin film and the copper (Cu) thin film through the first adhesive layer so that a copper (Cu) seed layer is stably formed through a certain adhesive force.
구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계(S12)는, 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층이 위치하도록 배치하여 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 접합함으로써 수행될 수 있다. 또한, 합지 후에는 일정 시간 동안 숙성 시간을 가질 수 있다.In the step of preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer (S12), the first adhesive layer is placed between the resin film and the copper (Cu) thin film to form a roll to roll in the form of a sheet. ) method can be performed by bonding. In addition, after lamination, it may have a maturation time for a certain period of time.
다음으로, 유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계(S20)는 유리 베이스 기판과 중간 소재인 수지필름을 합착하여 유리 베이스 기판과 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계이다.Next, a second adhesive layer is formed on at least one surface of the glass base substrate, and the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer are provided so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film. The bonding step (S20) is a step of bonding the glass base substrate and the resin film provided with a copper (Cu) seed layer by bonding the glass base substrate and the resin film as an intermediate material.
한편, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 더 수행할 수도 있다. Meanwhile, according to a preferred embodiment of the present invention, a step of forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer may be further performed.
도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법의 기술흐름도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 단계(S20) 이후 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30)를 더 수행할 수 있다. 3 and 4 are technical flow charts of a method for manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 3 and 4 , after step S20 , a step S30 of forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer may be further performed.
구리(Cu)는 다른 금속 재료와 달리 구리(Cu) 표면 위에 추가적인 구리(Cu) 도금 공정이 가능한 특징이 있는데, 본 발명은 이러한 특징을 이용하여 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu)를 추가 도금하도록 함으로써 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능하도록 하였다. 즉, 본 발명은 목표하는 두께의 구리 전극의 형성 내지 구현이 가능한 장점이 있다. Unlike other metal materials, copper (Cu) has a feature that allows an additional copper (Cu) plating process on the copper (Cu) surface. The present invention uses this feature to add copper (Cu) on the copper (Cu) seed layer. By plating, it was possible to adjust the thickness of the copper (Cu) electrode. That is, the present invention has the advantage of being able to form or implement a copper electrode having a target thickness.
이 경우 베이스 전극의 선로 저항이 1Ω/m 이하로 유지될 수 있으며, 5,000cd/m2 이상의 고휘도를 달성할 수 있어 고휘도 LED의 원활한 구동이 가능한 효과가 있다In this case, the line resistance of the base electrode can be maintained below 1 Ω/m, and high brightness of 5,000 cd/m 2 or more can be achieved, so that the high brightness LED can be smoothly driven.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명은 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30) 이후에, 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40), 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50), 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60), 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70), 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S80), 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계(S90) 및 투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계(S100)를 더 포함할 수 있다. 3 and 4, the present invention, after forming a copper (Cu) plating layer (S30), forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer (S40), exposing the photoresist layer to light Step (S50), developing the exposed photoresist layer, and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching (S60), peeling off the unexposed portion of the photoresist layer (S70), forming a wiring layer by plating the first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off (S80), surface-mounting LEDs on the wiring layer (S90), and forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display. It may further include a step (S100) of doing.
구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계(S30) 이후의 각 단계(S40, S50, S60, S70, S80, S90, S100)는 해당 기술 분야에서 통상적으로 수행되는 방법으로 수행될 수 있으며, 경우에 따라 추가적인 공정들이 더해질 수도 있다.Each step (S40, S50, S60, S70, S80, S90, S100) after the step of forming a copper (Cu) plating layer (S30) may be performed by a method commonly performed in the art, and in some cases Additional processes may be added.
이하, 상술한 내용들과 중복되는 내용들을 제외하고 설명한다.Hereinafter, it will be described except for the contents overlapping with the above contents.
구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S40)는 포토레지스트액을 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 방식으로 수행될 수도 있고, 드라이필름 포토레지스트(DFR: Dry Film Photoresist)를 구리(Cu) 도금층 위에 라미네이션하는 방식으로 수행될 수도 있다. 그 밖에 감광을 통하여 회로 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트라면 다양한 종래기술이 널리 적용될 수 있다.Forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer (S40) may be performed by applying a photoresist liquid to form a photoresist layer, or dry film photoresist (DFR) to copper ( Cu) may be performed by lamination on the plating layer. In addition, various conventional techniques can be widely applied if it is a photoresist capable of forming a circuit pattern through photosensitization.
포토레지스트층을 노광시키는 단계(S50)는 포토레지스트층을 자외선(UV)에 노광시키는 단계이다. 이 때, 포토마스크의 UV 차단 부분 아래에 있는 포토레지스트는 노광되지 않은 채로 남아 있게 된다. UV가 조사되는 영역에서 포토레지스트층은 자외선(UV)에 노광된다.The step of exposing the photoresist layer ( S50 ) is a step of exposing the photoresist layer to ultraviolet (UV) light. At this time, the photoresist under the UV blocking portion of the photomask remains unexposed. In the area where UV is irradiated, the photoresist layer is exposed to ultraviolet (UV) light.
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S60)에서는 노광된 포토레지스트층에 대한 현상 및 접착제층 및 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분에 대한 에칭이 이루어진다. In step S60 of developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the adhesive layer and the seed layer in the exposed area by etching (S60), the exposed photoresist layer is developed and the adhesive layer and the seed layer are removed. Etching is performed on the portion in the exposed area.
포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계(S70)에서는 포토레지스트층의 나머지 부분에 대한 박리가 이루어진다. 이를 통해, 구리(Cu) 시드층이 노출되게 된다.In step S70 of stripping the unexposed portion of the photoresist layer, the remaining portion of the photoresist layer is stripped. Through this, the copper (Cu) seed layer is exposed.
포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S80)에서는 포토레지스트층이 박리된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하게 된다. 이 때, 상기 제1 금속은 주석(Sn), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)으로 이루어지는 금속으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있으며, 바람직하게는 구리(Cu) 일 수 있다.In step S80 of forming a wiring layer by plating the first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off, the wiring layer is formed by plating the first metal on the portion where the photoresist layer is peeled off. At this time, the first metal may be any one or more selected from metals consisting of tin (Sn), copper (Cu), and nickel (Ni), and preferably may be copper (Cu).
배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계(S90)에서는 배선층 상에 솔더층을 통하여 LED가 표면실장(SMT: Surface Mount Technique)된 형태를 형성하게 된다.In the step of surface mounting the LED on the wiring layer (S90), the LED is formed in a surface mount technique (SMT) form through the solder layer on the wiring layer.
투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계(S100)에서는 투명 LED 디스플레이 장치를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성할 수 있다. 오버코트층은 투명 LED 디스플레이 장치의 유리 표면부터 LED 상부면을 덮을 수 있으며, 경우에 따라 투명 LED 디스플레이 장치 전체를 덮을 수도 있다. 이 경우 방수성, 방진성, 방습성 등의 특성이 만족될 수 있다. In the step of forming the overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display (S100), the overcoat layer may be formed in a form surrounding the transparent LED display device. The overcoat layer may cover the upper surface of the LED from the glass surface of the transparent LED display device, and may cover the entire transparent LED display device in some cases. In this case, characteristics such as waterproofness, dustproofness, and moistureproofness may be satisfied.
오버코트층은 열가소성 수지로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상술한 바와 같이 유리 베이스 기판의 일 면에 구리(Cu) 박막을 합지하고 에칭을 하게 되면 유리 베이스 기판에 구리 박막이 제거된 표면에는 접착제 성분이 잔존하고 이로 인해 유리 디스플레이 기판의 투명도가 저하될 수 있다. 또한, 이러한 잔존 접착제 성분에 의하여 추가 공정 단계에서 롤러 이동 자국이 동박이 합지된 표면위에 남아 투명도와 외부 시인성이 좋지 못한 문제점이 발생할 수 있다. 이에 본 발명은 오버코트층을 형성하는 단계(S100)를 더 수행함으로써 굴절률을 조절함으로써 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되도록 할 수 있다.The overcoat layer may be made of a thermoplastic resin. Specifically, as described above, when a copper (Cu) thin film is laminated and etched on one side of a glass base substrate, the adhesive component remains on the surface from which the copper thin film is removed from the glass base substrate, thereby reducing the transparency of the glass display substrate. may be lowered In addition, due to these remaining adhesive components, roller movement traces may remain on the surface where the copper foil is laminated in an additional process step, resulting in poor transparency and poor external visibility. Therefore, the present invention can improve the transparency of the glass display substrate by adjusting the refractive index by further performing the step of forming an overcoat layer (S100).
이에 본 발명은 오버코트층을 형성하여 잔존 접착제 성분들에 의한 굴절률을 조절함으로써 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되도록 하였고, 잔존 접착제 성분이 누출되는 것을 방지하여 추가 공정 단계에서의 공정상 어려움을 해소할 수 있도록 하였다.Therefore, the present invention is to form an overcoat layer to adjust the refractive index by the remaining adhesive components to improve the transparency of the glass display substrate, and to prevent the remaining adhesive components from leaking to solve the process difficulties in the additional process step. made it possible
이와 관련하여, 도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 오버코트층(100) 형성에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 굴절률 변화를 나타낸 모식도이다. 도 5a는 오버코트층(100)이 형성되지 않은 경우를 나타낸 것이다. 도 5a를 참조하면, 잔존 접착제 성분(X)에 의하여 투과율이 저하되고 굴절이 발생하게 됨을 알 수 있다. 도 5b는 오버코트층(100)이 형성된 경우를 나타낸 것이다. 도 5b를 참조하면, 오버코트층(100)을 형성함으로써 평탄화 과정을 통해 잔존 접착제 성분(X)에 의한 굴절 정도를 조절할 수 있음을 알 수 있다. In this regard, FIG. 5 is a schematic diagram showing a change in refractive index of a transparent glass display substrate according to formation of an
오버코트층은 스프레이나 디스펜서를 이용하여 적정 두께 범위로 도포가 가능하다. 또한, 오버코트층이 열가소성 수지로 이루어지는 경우, 열과 압력을 인가하여 열가소성 수지가 용융되어 베이스 기판에 부착될 수 있다. 이를 통해 오버코트층이 투명 LED 디스플레이 장치의 유리 표면부터 LED 상부면을 덮을 수 있으며, 경우에 따라 투명 LED 디스플레이 장치 전체를 덮을 수도 있다. The overcoat layer can be applied in an appropriate thickness range using a spray or dispenser. In addition, when the overcoat layer is made of a thermoplastic resin, the thermoplastic resin may be melted and adhered to the base substrate by applying heat and pressure. Through this, the overcoat layer may cover the upper surface of the LED from the glass surface of the transparent LED display device, and may cover the entire transparent LED display device in some cases.
또한, 본 발명은 상술한 투명 디스플레이 기판 제조방법 중 어느 하나의 방법으로부터 제조된 투명 디스플레이 기판을 제공한다.In addition, the present invention provides a transparent display substrate manufactured by any one of the above-described transparent display substrate manufacturing methods.
Claims (16)
유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;
상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;
상기 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;
상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계;
포토레지스트층이 박리된 부분에 구리(Cu) 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계;
상기 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계;및
투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이며,
상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
Prepare a resin film having a copper (Cu) seed layer by forming a first adhesive layer on one side of the resin film and then sputtering copper (Cu) on the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer. doing;
Forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film step;
forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer;
forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer;
exposing the photoresist layer to light;
developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the seed layer in the exposed area by etching;
peeling the unexposed portion of the photoresist layer;
forming a wiring layer by plating copper (Cu) metal on a portion where the photoresist layer is peeled off;
surface mounting an LED on the wiring layer; and
Forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display; includes,
The resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin films,
A method for manufacturing a transparent glass display substrate, wherein the thickness of a copper (Cu) electrode can be adjusted through the step of forming the copper (Cu) plating layer.
상기 제1 접착층을 통해 상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막을 합지하여 상기 수지필름 상에 구리(Cu) 시드층을 형성함으로써 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계;
유리 베이스 기판의 적어도 일 면에 제2 접착층을 형성하고, 상기 유리 베이스 기판과 상기 수지필름 사이에 제2 접착층이 위치하도록 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 접합하는 단계;
상기 구리(Cu) 시드층 위에 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계;
상기 구리(Cu) 도금층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 시드층 중 상기 노광된 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;
상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 박리하는 단계;
포토레지스트층이 박리된 부분에 구리(Cu) 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계;
상기 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계;및
투명 유리 디스플레이를 감싸는 형태로 오버코트층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 수지필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리이미드(PI) 수지필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나이며,
상기 구리(Cu) 도금층을 형성하는 단계를 통해 구리(Cu) 전극의 두께 조절이 가능한, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
preparing a resin film and a copper (Cu) thin film having a thickness of 8 to 100 μm, and forming a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film;
preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer by laminating the resin film and the copper (Cu) thin film through the first adhesive layer to form a copper (Cu) seed layer on the resin film;
Forming a second adhesive layer on at least one surface of the glass base substrate, and bonding the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer so that the second adhesive layer is positioned between the glass base substrate and the resin film step;
forming a copper (Cu) plating layer on the copper (Cu) seed layer;
forming a photoresist layer on the copper (Cu) plating layer;
exposing the photoresist layer to light;
developing the exposed photoresist layer and removing a portion of the seed layer in the exposed area by etching;
peeling the unexposed portion of the photoresist layer;
forming a wiring layer by plating copper (Cu) metal on a portion where the photoresist layer is peeled off;
surface mounting an LED on the wiring layer; and
Forming an overcoat layer in a form surrounding the transparent glass display; includes,
The resin film is any one selected from the group consisting of polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC) and polyimide (PI) resin films,
A method for manufacturing a transparent glass display substrate, wherein the thickness of a copper (Cu) electrode can be adjusted through the step of forming the copper (Cu) plating layer.
상기 제1 접착층 및 제2 접착층은 OCA(광학투명접착필름) 또는 OCR(광학투명접착제) 재질로 구성되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
The first adhesive layer and the second adhesive layer are composed of OCA (optical clear adhesive film) or OCR (optical clear adhesive) material, transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 제1 접착층의 두께는 5 ~ 50㎛인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
The thickness of the first adhesive layer is 5 ~ 50㎛, transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 제2 접착층의 두께는 20 ~ 60㎛인, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
The thickness of the second adhesive layer is 20 ~ 60㎛, transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 준비하는 단계는,
상기 수지필름과 상기 구리(Cu) 박막 사이에 제1 접착층이 위치하도록 배치하여 시트의 형태로 롤투롤(roll to roll) 방식으로 접합함으로써 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 2,
In the step of preparing a resin film having a copper (Cu) seed layer,
Method for manufacturing a transparent glass display substrate, which is performed by placing a first adhesive layer between the resin film and the copper (Cu) thin film and bonding them in a roll to roll manner in the form of a sheet.
상기 수지필름을 접합하는 단계는, 상기 제2 접착층을 통해 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름이 접착되도록 핫-프레스(hot-press) 공정으로 합착하는 방식으로 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
The bonding of the resin films is performed by a hot-press process so that the glass base substrate and the resin film having the copper (Cu) seed layer are bonded through the second adhesive layer. A method for manufacturing a transparent glass display substrate.
상기 수지필름을 접합하는 단계는, 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름을 상기 제2 접착층을 통해 합착한 후 상기 유리 베이스 기판과 상기 구리(Cu) 시드층이 구비된 수지필름 사이에 발생하는 미세 기포를 제거하기 위한 탈포 공정을 더 포함하는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
In the bonding of the resin films, the glass base substrate and the copper (Cu) seed layer are provided after bonding the glass base substrate and the resin film provided with the copper (Cu) seed layer through the second adhesive layer. A method for manufacturing a transparent glass display substrate, further comprising a degassing step for removing fine bubbles generated between the resin films.
상기 탈포 공정은 핫-프레스 장비 내에서 열과 압력을 가하여 잔여 기포를 합착한 표면 외부로 이동시켜 미세 기포를 제거하는 방식으로 수행되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 9,
The degassing process is carried out by applying heat and pressure in a hot-press equipment to move the remaining bubbles to the outside of the bonded surface to remove fine bubbles, the transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 구리(Cu) 시드층을 형성한 이후에, 상기 구리(Cu) 시드층의 일 표면을 세척하는 단계를 더 포함하는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
After forming the copper (Cu) seed layer, further comprising the step of washing one surface of the copper (Cu) seed layer, the transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 오버코트층을 형성하는 단계에서 상기 오버코트층은 열가소성 수지로 이루어지는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
In the step of forming the overcoat layer, the overcoat layer is made of a thermoplastic resin, a transparent glass display substrate manufacturing method.
상기 오버코트층을 형성하는 단계를 통해 굴절률을 조절함으로써 투명 유리 디스플레이 기판의 투명도가 향상되는, 투명 유리 디스플레이 기판 제조방법.
According to claim 1 or 2,
A method of manufacturing a transparent glass display substrate, wherein the transparency of the transparent glass display substrate is improved by adjusting the refractive index through the forming of the overcoat layer.
A transparent glass display substrate manufactured by the manufacturing method of any one of claims 1 or 2.
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