KR102539797B1 - Transparent glass display substrate manufacturing method and transparent glass display substrate manufactured therefrom - Google Patents

Transparent glass display substrate manufacturing method and transparent glass display substrate manufactured therefrom Download PDF

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양주웅
허정욱
정상천
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Abstract

본 발명은 베이스 유리 기판의 접착력을 향상시킴으로써 베이스 유리 기판 상에 도금 및 증착 등으로 형성된 금속 패턴이나 기판 상에 실장된 LED 등의 소자가 박리되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 대전류로 구동하더라도 투명 디스플레이 장치의 베이스 기판이 열변형되지 않고, 솔더링을 통한 소자 실장이 가능하다.The present invention can prevent peeling of a metal pattern formed on the base glass substrate by plating and deposition or an element such as an LED mounted on the substrate by improving the adhesion of the base glass substrate.
In addition, in the present invention, even when driven with a high current, the base substrate of the transparent display device is not thermally deformed, and device mounting through soldering is possible.

Description

투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판{TRANSPARENT GLASS DISPLAY SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND TRANSPARENT GLASS DISPLAY SUBSTRATE MANUFACTURED THEREFROM}Manufacturing method of transparent glass display substrate and transparent glass display substrate manufactured therefrom

본 발명은 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이스 유리 기판의 자체 접착력을 향상시킴으로써 베이스 유리 기판의 접착력이 향상된 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a transparent glass display substrate and a transparent glass display substrate manufactured therefrom, and more particularly, to a method for manufacturing a transparent glass display substrate having improved adhesive strength of a base glass substrate by improving self-adhesive strength of a base glass substrate. And it relates to a transparent glass display substrate prepared therefrom.

PET 등의 연성수지필름을 투명회로기판의 베이스로 사용하고, 투명회로기판 상에 발광다이오드(LED)를 격자 패턴으로 배치함으로써 옥내 또는 옥외에서 대면적의 컬러 사이니지로 활용하는 사례가 점차 증가하고 있다. By using a flexible resin film such as PET as a base for a transparent circuit board and arranging light emitting diodes (LEDs) on the transparent circuit board in a lattice pattern, the use of large-area color signage indoors or outdoors is gradually increasing. there is.

그러나, 이처럼 투명회로기판의 베이스로서 PET 등 연성수지필름을 사용하는 현재의 대면적 투명 LED 디스플레이 장치에는 심각한 문제점이 있다. However, there are serious problems with current large-area transparent LED display devices using a flexible resin film such as PET as a base of a transparent circuit board.

먼저, 고객들은 점점 더 고휘도의 투명 LED 디스플레이 장치를 요구하고 있으나, 연성수지필름을 베이스 기판으로 채택한 투명회로기판은 일정 수준 이상의 고휘도 디스플레이를 구현할 수가 없다. First, customers increasingly demand high-brightness transparent LED display devices, but a transparent circuit board using a flexible resin film as a base substrate cannot implement a high-brightness display above a certain level.

이는, 연성수지필름이 갖는 내열성의 한계에 기인한다. 즉, 고휘도의 디스플레이를 위해서는 상대적으로 더 많은 전류를 회로에 흘려야 하는데, 이는 필연적으로 전류량 증가에 따른 기판의 온도 상승을 유발하며, 그 결과 연성수지필름의 열변형을 초래하기 때문이다. This is due to the limitation of heat resistance of the flexible resin film. That is, relatively more current must flow into the circuit for a high-brightness display, which inevitably causes a rise in the temperature of the substrate according to an increase in the amount of current, resulting in thermal deformation of the flexible resin film.

연성수지필름을 투명회로기판의 베이스로 사용한 경우에 나타나는 열변형의 대표적인 현상은 베이스 기판의 수축이다. A representative phenomenon of thermal deformation that occurs when a flexible resin film is used as a base of a transparent circuit board is shrinkage of the base board.

투명 LED 디스플레이장치는 투명 베이스 기판 상에 금속 패턴을 도금 및 증착하여 회로를 형성하고, 적절한 위치에 소자를 실장함으로써 구현이 된다. 그런데 연성수지필름으로 이루어진 베이스 기판이 열에 의한 수축을 일으키게 되면, 베이스 기판 상에 도금 및 증착등으로 형성된 금속 패턴이나 기판 상에 실장된 LED 등의 소자가 베이스 기판으로부터 박리되는 문제가 발생한다. A transparent LED display device is implemented by plating and depositing a metal pattern on a transparent base substrate to form a circuit, and mounting an element at an appropriate location. However, when the base substrate made of a flexible resin film causes shrinkage due to heat, a metal pattern formed on the base substrate by plating and deposition or a device such as an LED mounted on the substrate is separated from the base substrate.

이러한 문제의 결과, 예컨대 연성필름을 이용하고, 800mm 이상의 전극 패턴 길이를 갖는 투명 디스플레이 베이스 기판에서는 전극 패턴에서의 저항 증가로 인해 LED 구동을 위한 최소 구동 전압에 못미치는 전압이 인가되어 LED가 미점등 하거나 오작동 하는 경우도 발생한다. As a result of this problem, for example, in a transparent display base substrate using a flexible film and having an electrode pattern length of 800 mm or more, a voltage that is less than the minimum driving voltage for driving an LED is applied due to an increase in resistance in the electrode pattern, so that the LED does not light up. or malfunctions may occur.

나아가, LED의 휘도를 높이기 위해 회로에 인가되는 전류량을 증가시키면, 전극 패턴에서의 전압 강하로 인해 구동할 수 있는 베이스 기판의 길이가 짧아지므로 대면적의 컬러 사이니지를 제조하는 것이 더욱 힘들어진다. 또한, LED 소자들의 밝기의 균일도도 저하된다. Furthermore, if the amount of current applied to the circuit is increased to increase the luminance of the LED, the length of the base substrate that can be driven is shortened due to the voltage drop in the electrode pattern, making it more difficult to manufacture large-area color signage. In addition, the uniformity of the brightness of the LED elements is also reduced.

현재 상용제품으로서는 LED간의 간격이 상, 하, 좌, 우 각각 8mm가 되도록 LED를 격자 배치한 형태의 투명 LED 디스플레이 사이니지가 가장 많이 양산되고 있다. Currently, as a commercial product, transparent LED display signage in the form of lattice arrangement of LEDs is mass-produced so that the distance between LEDs is 8mm on the top, bottom, left, and right, respectively.

만약 더욱 고해상도의 디스플레이를 구현하기 위하여 격자배치된 LED 소자 간 간격을 8mm에서 6mm 또는 4mm로 줄이게 되면, 단위 면적당 LED의 숫자가 증가하면서 소비전력이 증가한다. 또한, LED 간 간격 축소로 인해 금속 패턴의 폭이 작아지면서, 금속 패턴에서의 선저항이 증가하여 회로 도선에서 일어나는 전압 강하가 더욱 현저해진다. 결과적으로, 연성회로기판을 베이스 기판으로 한 투명 LED 디스플레이의 면적도 더욱 줄어들게 된다.If the distance between the lattice-arranged LED elements is reduced from 8 mm to 6 mm or 4 mm in order to implement a higher resolution display, power consumption increases as the number of LEDs per unit area increases. In addition, as the width of the metal pattern decreases due to the reduction in the distance between LEDs, the line resistance in the metal pattern increases, so that the voltage drop occurring in the circuit wire becomes more remarkable. As a result, the area of the transparent LED display using the flexible printed circuit board as a base substrate is further reduced.

한편, 연성수지필름의 열변형을 해결하기 위하여 베이스 기판을 유리로 채택한 선행기술들이 등장하기도 하였다. 유리를 베이스 기판으로 활용하면, 열변형을 해결할 수 있는 장점은 있으나, 회로 패턴을 구현하기 위하여 인듐 주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide)을 사용하는 경우 솔더링으로써 소자를 표면 실장(SMT: Surface Mount Technology)하는 것이 불가능해지는 문제가 발생한다. 또한, 표면 실장이 불가능하므로 솔더링 대신 은 페이스트로 소자를 실장하게 되면, 접촉 저항이 증가하는 문제 등의 또다른 문제들을 야기하게 된다.On the other hand, in order to solve the thermal deformation of the flexible resin film, prior arts using glass as a base substrate have appeared. Using glass as a base substrate has the advantage of solving thermal deformation, but when using indium tin oxide (ITO) to implement a circuit pattern, the device is surface mounted by soldering (SMT: Surface Mount Technology). ) becomes impossible. In addition, since surface mounting is impossible, mounting the device with silver paste instead of soldering causes other problems, such as an increase in contact resistance.

KRKR 10-1789145 10-1789145 BB

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 착안한 것으로서, 베이스 유리 기판의 접착력을 향상시킴으로써 베이스 유리 기판 상에 도금 및 증착 등으로 형성된 금속 패턴이나 기판 상에 실장된 LED 등의 소자가 박리되는 것을 방지할 수 있는 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been conceived to solve the above problems, and by improving the adhesive strength of the base glass substrate, metal patterns formed on the base glass substrate by plating and deposition or the like, or devices such as LEDs mounted on the substrate are peeled off. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a transparent glass display substrate capable of preventing and a transparent glass display substrate manufactured therefrom.

또한, 본 발명은 대전류로 구동하더라도 투명 디스플레이 장치의 베이스 기판이 열변형되지 않고 솔더링을 통한 소자 실장이 가능한 투명 유리 디스플레이 기판, 투명 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide a transparent glass display substrate, a transparent LED display device, and a method for manufacturing the same, in which element mounting is possible through soldering without thermal deformation of the base substrate of the transparent display device even when driven with a high current.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 베이스 유리 기판의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행하여 접착력이 향상된 제1 표면을 형성하는 단계; 상기 제1 표면 상에 무전해 도금 또는 스퍼터를 통해 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계; 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 제거하는 단계; 제거된 상기 노광되지 않은 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층의 나머지 부분을 박리하는 단계;및 상기 시드층 및 상기 접착층 중 상기 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;를 포함하는 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention performs a chemical surface treatment process on one surface of the base glass substrate to form a first surface with improved adhesion; forming a copper (Cu) seed layer on the first surface through electroless plating or sputtering; forming a photoresist layer on the seed layer; exposing the photoresist layer to light; developing the exposed photoresist layer and removing unexposed portions of the photoresist layer; forming a wiring layer by plating a first metal on the removed unexposed portion; Peeling off the remaining portion of the photoresist layer; and removing the portion of the seed layer and the adhesive layer in the region where the wiring layer is not formed by etching. .

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 화학적 표면처리 공정은 상기 베이스 유리 기판의 일 표면에 실란 커플링제를 도포한 이후 건조를 수행하는 방식으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the chemical surface treatment process may be performed by applying a silane coupling agent to one surface of the base glass substrate and then drying it.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 실란 커플링제의 도포는 실크 스크린 인쇄 공법 내지 스프레이 코팅 공법으로 수행될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the application of the silane coupling agent may be performed by a silk screen printing method or a spray coating method.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 실란 커플링제는 아민 그룹을 포함하는 실란 커플링제일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the silane coupling agent may be a silane coupling agent containing an amine group.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 포토레지스트층은, 포토레지스트액을 도포하거나 DFR을 라미네이션하여 형성될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the photoresist layer may be formed by applying a photoresist solution or laminating DFR.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제1 금속은, 구리(Cu), 니켈(Ni)을 적어도 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the first metal may be any one metal selected from the group containing at least copper (Cu) and nickel (Ni).

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 배선층의 두께는 상기 시드층의 두께보다 두꺼울 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thickness of the wiring layer may be thicker than the thickness of the seed layer.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 배선층의 표면에 제2 금속을 도금하여 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the method may further include forming a plating layer by plating a second metal on the surface of the wiring layer.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제2 금속은 주석, 금, 은, 니켈을 적어도 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속일 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the second metal may be any one metal selected from the group containing at least tin, gold, silver, and nickel.

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 접착층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판의 일 표면을 세척하는 단계;를 더 포함할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, before the step of forming the adhesive layer, the step of cleaning one surface of the base substrate; may further include.

나아가, 본 발명은 상술한 어느 하나의 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법으로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판을 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent glass display substrate manufactured from any one of the above-described methods for manufacturing a transparent glass display substrate.

본 발명은 베이스 유리 기판의 접착력을 향상시킴으로써 베이스 유리 기판 상에 도금 및 증착 등으로 형성된 금속 패턴이나 기판 상에 실장된 LED 등의 소자가 박리되는 것을 방지할 수 있다.The present invention can prevent peeling of a metal pattern formed on the base glass substrate by plating and deposition or an element such as an LED mounted on the substrate by improving the adhesion of the base glass substrate.

또한, 본 발명은 대전류로 구동하더라도 투명 디스플레이 장치의 베이스 기판이 열변형되지 않고, 솔더링을 통한 소자 실장이 가능하다.In addition, in the present invention, even when driven with a high current, the base substrate of the transparent display device is not thermally deformed, and device mounting through soldering is possible.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법을 나타낸 흐름도,
도 2는 도 1의 실시예의 단계(S100)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 3은 도 1의 실시예의 단계(S110)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 4는 도 1의 실시예의 단계(S120)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 5는 도 1의 실시예의 단계(S130)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 6은 도 1의 실시예의 단계(S140)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 7은 도 1의 실시예의 단계(S150)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 8은 도 1의 실시예의 단계(S160)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 9는 도 1의 실시예의 단계(S170)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 10은 도 1의 실시예의 단계(S180)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도,
도 11은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 LED 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 흐름도,
도 12는 도 11의 실시예의 단계(S190)에서의 투명 LED 디스플레이 장치의 단면도,
도 13은 도 11의 실시예의 단계(S200)에서의 투명 LED 디스플레이 장치의 단면도이다.1 is a flowchart showing a manufacturing method of a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S100 of the embodiment of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S110 of the embodiment of FIG. 1;
4 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S120 of the embodiment of FIG. 1;
5 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S130 of the embodiment of FIG. 1;
6 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S140 of the embodiment of FIG. 1;
7 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S150 of the embodiment of FIG. 1;
8 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S160 of the embodiment of FIG. 1;
9 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S170 of the embodiment of FIG. 1;
10 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S180 of the embodiment of FIG. 1;
11 is a flowchart showing a manufacturing method of a transparent LED display device according to a preferred embodiment of the present invention;
12 is a cross-sectional view of the transparent LED display device in step S190 of the embodiment of FIG. 11;
FIG. 13 is a cross-sectional view of the transparent LED display device in step S200 of the embodiment of FIG. 11 .

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a transparent glass display substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1에서 나타낸 바와 같이, 일례에 따른 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법은, 베이스 유리 기판의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행하여 접착력이 향상된 제1 표면을 형성하는 단계(S110)와, 상기 제1 표면에 무전해 도금 또는 스퍼터를 통해 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S120)와, 상기 시드층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S130)와, 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S140), 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 제거하는 단계(S150)와, 노광되지 않은 포토레지스트층이 제거된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S160)와, 상기 포토레지스트층의 나머지 부분을 박리하는 단계(S170) 및 상기 시드층 및 상기 접착층 중 상기 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S180)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a transparent glass display substrate according to an example includes the steps of forming a first surface having improved adhesive strength by performing a chemical surface treatment process on one surface of a base glass substrate (S110); Forming a copper (Cu) seed layer on one surface through electroless plating or sputtering (S120), forming a photoresist layer on the seed layer (S130), and exposing the photoresist layer to light (S120) Step S140), developing the exposed photoresist layer and removing the unexposed portion of the photoresist layer (S150), and plating a first metal on the portion from which the unexposed photoresist layer was removed to form a wiring layer. A step of forming (S160), a step of peeling off the remaining portion of the photoresist layer (S170), and a step of removing a portion of the seed layer and the adhesive layer in the region where the wiring layer is not formed by etching (S180). made including

또한, 단계(S110)가 수행되기 전에, 베이스 기판의 표면을 세척하는 단계(S100)가 더 수행될 수도 있다.Also, before step S110 is performed, step S100 of cleaning the surface of the base substrate may be further performed.

각각의 단계에서 이루어지는 구체적인 제조 공정은 도 2 내지 도 10을 참조하여 설명을 한다.A detailed manufacturing process performed in each step will be described with reference to FIGS. 2 to 10 .

도 2는 도 1의 실시예의 단계(S100)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a transparent glass display substrate in step S100 of the embodiment of FIG. 1 .

도 2에서 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서 베이스 기판으로는 유리 기판을 사용함이 바람직하다. 이 때, 유리의 재질은 소다라임(Sodalime, 소다석회유리) 유리 또는 보로실리케이트(Borosilicate, 붕규산 유리)를 사용함이 바람직하며, 강화 또는 열 강화를 통해 강성이 확보된 유리를 사용할 수 있다. 양쪽면 중 물적 표면처리 공정이 수행되어 제1 표면이 형성되는 쪽의 표면에 대해서 세척이 수행됨이 바람직하다.As shown in FIG. 2, it is preferable to use a glass substrate as a base substrate in this embodiment. At this time, it is preferable to use soda lime (soda lime glass) glass or borosilicate (borosilicate glass) as the material of the glass, and glass having rigidity secured through strengthening or heat strengthening may be used. Preferably, washing is performed on the surface of the side on which the first surface is formed by performing the physical surface treatment process among both surfaces.

도 3은 도 1의 실시예의 단계(S110)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다. FIG. 3 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S110 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S110)에서는 베이스 유리 기판(10)의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행하여 접착력이 향상된 제1 표면이 형성된다.In step S110, a first surface having improved adhesion is formed by performing a chemical surface treatment process on one surface of the base glass substrate 10.

통상적으로, 유리를 베이스 기판으로 사용하는 경우에 나타나는 전형적인 문제점은, 배선용 금속이 베이스 기판(10) 상에 단단히 접착되기가 힘들다는 것이다.Typically, a typical problem that occurs when glass is used as a base substrate is that it is difficult for the metal for wiring to be firmly adhered to the base substrate 10 .

본 발명은 베이스 유리 기판(10)을 사용하는 경우에 기판과 배선용 금속 간의 접착력을 향상시키기 위하여, 베이스 유리 기판(10)의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행함으로써 베이스 유리 기판(10)의 표면이 자체 접착력을 갖도록 하였다. 이를 통해 베이스 유리 기판(10)의 접착력 내지 밀착력을 향상시킬 수 있다. In the case of using the base glass substrate 10, the present invention performs a chemical surface treatment process on one surface of the base glass substrate 10 to improve the adhesion between the substrate and the metal for wiring, so that the surface of the base glass substrate 10 It was made to have self-adhesion. Through this, it is possible to improve the adhesion or adhesion of the base glass substrate 10 .

본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 화학적 표면처리 공정은 상기 베이스 유리 기판(10)의 일 표면에 실란 커플링제를 도포하여 접착력을 향상시키는 방식으로 수행될 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the chemical surface treatment process may be performed by applying a silane coupling agent to one surface of the base glass substrate 10 to improve adhesion.

실란 커플링제는 아민 그룹을 포함하는 실란 커플링제를 사용할 수 있다. 바람직하게는 아민 그룹을 포함하는, 에폭시계 실란 커플링제, 우레탄기를 포함하는 실란 커플링제 등을 사용할 수 있다.As the silane coupling agent, a silane coupling agent containing an amine group may be used. Preferably, an epoxy-based silane coupling agent containing an amine group, a silane coupling agent containing a urethane group, and the like may be used.

구체적으로, 실란 커플링제의 도포는 실란 커플링제 도포 후 건조를 실시하는 공정으로 수행된다. 실란 커플링제의 도포는 실크 스크린 인쇄 공법 내지 스프레이 코팅 공법으로 수행될 수 있다.Specifically, the application of the silane coupling agent is performed in a process of drying after application of the silane coupling agent. The application of the silane coupling agent may be performed by a silk screen printing method or a spray coating method.

먼저, 실크 스크린 인쇄 공법은 10 ~ 20um 두께로 인쇄 후 약 130~150℃ 온도에서 20 ~ 40분 동안 오븐기에서 건조하는 방식으로 수행될 수 있다.First, the silk screen printing method may be performed by drying in an oven for 20 to 40 minutes at a temperature of about 130 to 150 ° C. after printing to a thickness of 10 to 20 μm.

다음으로, 분사방식을 적용한 스프레이 코팅 공법은 제품 위에 우레탄 계열 실란 커플링제를 1 ~ 5㎛의 두께로 분사한 후 열처리를 수행하는 공정으로 수행될 수 있다. 이 때, 상기 열처리는 고온환경의 장비에서 레일(rail)을 통과하도록 하여 건조하는 방식으로 수행될 수 있다.Next, the spray coating method using the spraying method may be performed by spraying a urethane-based silane coupling agent on the product to a thickness of 1 to 5 μm and then performing heat treatment. At this time, the heat treatment may be performed in a method of drying by passing through a rail in equipment in a high temperature environment.

한편, 유리 기판과 배선 금속 간의 접착력을 강화시키는 방법 중 에칭 기법은 화학 약품을 사용하여 표면 거칠기를 생성시키는 방식이지만 공정이 복잡하고 생산 비용이 높은 한계점이 있다. 또한, 식각 기법은 식각을 위한 특수 장비가 필요하여 장비 투자비가 높으며 두 공정 모두 공정 중 제품의 투명도를 확인하지 못하고, 면을 고르게 하는 후공정 이후에 투명도 확인이 가능한 한계점이 있다. 그러나, 본 발명의 경우 실란 커플링제를 도포하여 접착력을 향상시키는데, 이 경우 생산 공정 간소화가 가능하여 공정 비용이 적게 발생되고 공정 중 투명도 확인이 가능한 장점이 있다.On the other hand, among the methods of strengthening the adhesion between the glass substrate and the wiring metal, the etching technique is a method of generating surface roughness using chemicals, but has limitations in that the process is complicated and the production cost is high. In addition, the etching technique requires special equipment for etching, so the equipment investment is high, and both processes cannot check the transparency of the product during the process, and there is a limit in that transparency can be confirmed after the post-leveling process. However, in the case of the present invention, the adhesion is improved by applying a silane coupling agent. In this case, the production process can be simplified, so the process cost is reduced, and transparency can be confirmed during the process.

본 발명은 상기의 물질들을 이용하여 베이스 유리 기판(10)의 일 표면에 표면 요철을 형성하여 베이스 유리 기판(10)의 일 표면의 표면적이 증가되도록 함으로써, 베이스 유리 기판(10)의 접착력 내지 밀착력을 증가시켜 도금 및 증착 등으로 형성된 금속 패턴이나 기판 상에 실장된 LED 등의 소자가 박리되는 것을 방지할 수 있다.The present invention forms a surface irregularity on one surface of the base glass substrate 10 using the above materials to increase the surface area of one surface of the base glass substrate 10, thereby increasing the adhesive strength or adhesion of the base glass substrate 10. It is possible to prevent peeling of devices such as LEDs mounted on metal patterns or substrates formed by plating and deposition by increasing .

도 4는 도 1의 실시예의 단계(S120)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S120 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S120)에서는 상기 제1 표면 상에 무전해 도금 또는 스퍼터를 통해 구리(Cu) 시드층(20)이 형성된다.In step S120, a copper (Cu) seed layer 20 is formed on the first surface through electroless plating or sputtering.

시드층(20)은 베이스 유리 기판(10)의 제1 표면 상에 형성되고 금속 전극의 저항을 낮추기 위해 다음 도금 공정에서 구리 배선을 추가 형성할 때, 구리가 효과적으로 도금될 수 있도록 해주는 시드(Seed)의 기능을 한다. 또한, 시드층(20)은 제1 표면과 견고하게 결The seed layer 20 is formed on the first surface of the base glass substrate 10 and serves as a seed that allows copper to be effectively plated when copper wiring is additionally formed in the next plating process to lower the resistance of the metal electrode. ) function. In addition, the seed layer 20 is firmly bonded to the first surface.

합하며, 시드층(20)과 동일한 재질의 구리가 도금 공정에서 사용되도록 함으로써 시드층(20)의 구리와도 단단하게 결합할 수 있다.In addition, by using copper of the same material as the seed layer 20 in the plating process, it can be firmly bonded to the copper of the seed layer 20.

시드층(20)을 형성하는 금속으로는 구리(Cu)를 사용한다. 이 경우 은(Ag) 등의 다른 금속을 사용하는 경우보다 도금, 에칭 등의 공정(wet 공정)을 통한 금속 전극 형성이 유리한 장점이 있다. 특히, 시드층(30)에 형성된 구리 위에 구리 도금을 수행하면, 다른 금속 재질에 비하여 보다 용이하게 구리 도선의 두께를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 구리 도선의 저항을 낮추는 것이 보다 용이한 효과가 있다.Copper (Cu) is used as a metal forming the seed layer 20 . In this case, there is an advantage in forming a metal electrode through a process (wet process) such as plating or etching, compared to the case of using another metal such as silver (Ag). In particular, when copper plating is performed on the copper formed on the seed layer 30, the thickness of the copper wire can be increased more easily than other metal materials, and accordingly, it is easier to lower the resistance of the copper wire. .

도 5는 도 1의 실시예의 단계(S130)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S130 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S130)에서는 시드층(20) 위에 포토레지스트층(30)이 형성된다. In step S130 , a photoresist layer 30 is formed on the seed layer 20 .

포토레지스트층(30)은 포토레지스트액을 도포하여 형성할 수도 있고, 드라이필름 포토레지스트(DFR: Dry Film Photoresist)를 시드층(20) 위에 라미네이션하여 형성할 수도 있다. 그 밖에 감광을 통하여 회로 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트라면 다양한 종래기술이 널리 적용될 수 있다.The photoresist layer 30 may be formed by applying a photoresist solution or by laminating dry film photoresist (DFR) on the seed layer 20 . In addition, various conventional techniques can be widely applied if it is a photoresist capable of forming a circuit pattern through photosensitization.

도 6은 도 1의 실시예의 단계(S140)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다. FIG. 6 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S140 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S140)에서는 포토레지스트층(30)을 자외선(UV)에 노광시키게 된다. 이 때, 포토마스크(40)의 UV 차단 부분(410) 아래에 있는 포토레지스트는 노광되지 않은 채로 남아 있게 된다. UV가 조사되는 영역에서 포토레지스트층(30)은 자외선(UV)에 노광된다.In step S140, the photoresist layer 30 is exposed to ultraviolet (UV) light. At this time, the photoresist under the UV blocking portion 410 of the photomask 40 remains unexposed. In the area where UV is irradiated, the photoresist layer 30 is exposed to ultraviolet (UV) light.

도 7은 도 1의 실시예의 단계(S150)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S150 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S150)에서는 노광된 포토레지스트층에 대한 현상 및 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분에 대한 제거가 이루어진다. In step S150, the exposed photoresist layer is developed and the unexposed portion of the photoresist layer is removed.

현상 후, UV 차단 부분(410) 아래에 있어서 UV에 노광되지 않은 포토레지스트층 수세 등에 의하여 씻겨 나가고, UV에 노광되었던 포토레지스트층(31) 영역만이 단계(S150)에서 남겨진다. After development, the photoresist layer not exposed to UV under the UV blocking portion 410 is washed away by washing with water or the like, and only the photoresist layer 31 exposed to UV remains in step S150.

도 8은 도 1의 실시예의 단계(S160)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다. FIG. 8 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S160 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S160)에서는 노광되지 않은 포토레지스트층이 제거된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층(50)을 형성하게 된다. In step S160, the wiring layer 50 is formed by plating the first metal on the portion from which the unexposed photoresist layer is removed.

노광되지 않은 포토레지스트층이 제거된 부분에는 시드층(20)이 노출되어 있다. The seed layer 20 is exposed in the portion where the unexposed photoresist layer is removed.

상기 제1 금속은, 구리(Cu), 니켈(Ni)을 적어도 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속일 수 있다.The first metal may be any one metal selected from the group containing at least copper (Cu) and nickel (Ni).

금속 도금의 특성상, 노출된 시드층(20)에 시드층(20)과 동일한 금속을 도금하게 되면, 스퍼터링으로 금속층을 성장시키는 것보다 한층 용이하게 두꺼운 금속 배선을 형성할 수 있게 된다. 또한, 시드층(20)의 금속과 배선층(50)의 금속이 동일하므로, 도금 후의 시드층(20)과 배선층(50)은 일체화된 배선을 형성할 수 있다. 결과적으로, 배선층(50)이 시드층(20)과 결합한 제1 표면을 통하여 베이스 유리 기판(10)에 견고하게 결합할 수 있게 된다. Due to the characteristics of metal plating, when the same metal as the seed layer 20 is plated on the exposed seed layer 20, a thick metal wire can be formed more easily than growing a metal layer by sputtering. In addition, since the metal of the seed layer 20 and the metal of the wiring layer 50 are the same, the seed layer 20 and the wiring layer 50 after plating can form an integrated wiring. As a result, the wiring layer 50 can be firmly bonded to the base glass substrate 10 through the first surface bonded to the seed layer 20 .

만일 노출된 시드층(20)에 시드층(20)과 상이한 금속을 도금하게 되면, 밀착도가 떨어져 쉽게 박리가 일어나게 되는 문제점이 발생할 수 있다.If a metal different from that of the seed layer 20 is plated on the exposed seed layer 20, a problem in that adhesion may be lowered and peeling may occur easily.

금속 스퍼터링의 특성 및 금속 도금의 특성을 고려할 때, 배선층(50)의 두께가 시드층(20)의 두께보다 현저히 두꺼울 것임은 자명하다. 이처럼 도금에 의하여 두꺼운 배선층(50)을 형성할 수 있으므로, 종래기술에 비하여 상대적으로 대량의 전류를 흘릴 수 있는 두꺼운 회로 배선을 용이하게 구현할 수 있게 된다.Considering the characteristics of metal sputtering and metal plating, it is obvious that the thickness of the wiring layer 50 is significantly thicker than the thickness of the seed layer 20 . As such, since the thick wiring layer 50 can be formed by plating, it is possible to easily implement a thick circuit wiring capable of flowing a relatively large amount of current compared to the prior art.

한편, 상기 배선층(60)의 두께는 상기 시드층의 두께보다 두꺼울 수 있다. Meanwhile, the thickness of the wiring layer 60 may be greater than that of the seed layer.

또한, 본 발명은 상기 배선층(60)의 표면에 제3 금속을 도금하여 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제3 금속은 구리(Cu), 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag) 및 니켈(Ni)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.In addition, the present invention may further include forming a plating layer by plating a third metal on the surface of the wiring layer 60 . In this case, the third metal may be at least one selected from the group consisting of copper (Cu), tin (Sn), gold (Au), silver (Ag), and nickel (Ni).

도 9는 도 1의 실시예의 단계(S170)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S170 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S170)에서는 포토레지스트층의 나머지 부분(31)에 대한 박리가 이루어진다. 단계(S170)에서 포토레지스트층(31)을 박리한 목적은, 금속 재질로 이루어진 시드층(20)이 에칭액에 노출될 수 있도록 하기 위해서이다. 포토레지스트를 박리할 수 있는 박리액이라면 어떠한 것이라도 널리 사용될 수 있다.In step S170, the remaining portion 31 of the photoresist layer is peeled. The purpose of peeling off the photoresist layer 31 in step S170 is to allow the seed layer 20 made of a metal material to be exposed to the etchant. Any stripping solution capable of stripping photoresist can be widely used.

도 10은 도 1의 실시예의 단계(S180)에서의 투명 유리 디스플레이 기판의 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view of the transparent glass display substrate in step S180 of the embodiment of FIG. 1 .

단계(S180)에서는 시드층(20) 중 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분이 에칭으로써 제거된다. In step S180, the portion of the seed layer 20 in the region where the wiring layer is not formed is removed by etching.

"시드층 중 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분"이라 함은, 단계(S170)에서 박리된 포토레지스트층(31)으로 가려져 있던 부분을 의미한다. "The part of the seed layer in the region where the wiring layer is not formed" means the part covered by the photoresist layer 31 peeled off in step S170.

이러한 단계들을 거쳐 최종적으로 배선층(50)이 형성되지 않은 영역에 있는 시드층(20)이 단계(S180)에서 모두 제거되면, 베이스 유리 기판(10) 상에서 전류가 흐를 수 있는 영역은 배선층(50)만이 남게 되고, 투명 유리 디스플레이 기판(1)이 완성된다. Through these steps, when the seed layer 20 in the region where the wiring layer 50 is not formed is finally removed in step S180, the region where current can flow on the base glass substrate 10 is the wiring layer 50 only remains, and the transparent glass display substrate 1 is completed.

도 10에서 나타낸 바와 같이, 일례에 따른 투명 유리 디스플레이 기판(1)은, 유리 재질의 베이스 유리 기판(10)과, 베이스 유리 기판(10)의 일 표면에 요철이 형성됨으로써 형성된 제1 표면과, 상기 제1 표면 위에 구리(Cu)로 형성된 시드층(20)과, 시드층(20) 위에 제1 금속으로 형성된 배선층(50)을 포함한다. As shown in FIG. 10, a transparent glass display substrate 1 according to an example includes a base glass substrate 10 made of glass, and a first surface formed by forming irregularities on one surface of the base glass substrate 10, It includes a seed layer 20 formed of copper (Cu) on the first surface, and a wiring layer 50 formed of a first metal on the seed layer 20 .

도 11은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 LED 디스플레이 장치의 제조방법의 흐름도이다.11 is a flowchart of a method of manufacturing a transparent LED display device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 11에서 나타낸 바와 같이, 투명 LED 디스플레이 장치의 제조방법은, 베이스 유리 기판의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행하여 접착력이 향상된 제1 표면을 형성하는 단계(S110)와, 상기 제1 표면에 무전해 도금 또는 스퍼터링을 통해 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계(S120)와, 상기 시드층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계(S130)와, 상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계(S140), 노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 제거하는 단계(S150)와, 노광되지 않은 포토레지스트층이 제거된 부분에 제1 금속을 도금하여 배선층을 형성하는 단계(S160)와, 상기 포토레지스트층의 나머지 부분을 박리하는 단계(S170)와, 상기 시드층 및 상기 접착층 중 상기 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계(S180) 및 배선층 위에 LED를 표면실장하는 단계(S190)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 11, the manufacturing method of the transparent LED display device includes forming a first surface having improved adhesion by performing a chemical surface treatment process on one surface of a base glass substrate (S110), and Forming a copper (Cu) seed layer through electroless plating or sputtering (S120), forming a photoresist layer on the seed layer (S130), exposing the photoresist layer to light (S140), Developing the exposed photoresist layer and removing the unexposed portion of the photoresist layer (S150), and plating a first metal on the removed portion of the photoresist layer to form a wiring layer. (S160), peeling off the remaining portion of the photoresist layer (S170), removing the portion of the seed layer and the adhesive layer in the region where the wiring layer is not formed by etching (S180), and on the wiring layer It is made including a step (S190) of surface mounting the LED.

도 12는 도 11의 실시예의 단계(S190)에서의 투명 LED 디스플레이 장치의 단면도이다. FIG. 12 is a cross-sectional view of the transparent LED display device in step S190 of the embodiment of FIG. 11 .

투명 LED 디스플레이 장치(2)의 제조방법은 투명 유리 디스플레이 기판을 제조하기 위하여 수행된 모든 단계(단계S100 내지 단계S180) 이후에 단계(S190)가 더 수행될 수 있다. In the manufacturing method of the transparent LED display device 2, a step S190 may be further performed after all the steps performed to manufacture the transparent glass display substrate (steps S100 to S180).

도 12에서 나타낸 바와 같이, 투명 LED 디스플레이 장치(2)는, 도 10의 투명 유리 디스플레이 기판(1)의 배선층(50) 상에 솔더층(60)을 통하여 LED(80)가 표면실장(SMT: Surface Mount Technique)된 형태가 된다. As shown in FIG. 12, in the transparent LED display device 2, the LED 80 is surface mounted (SMT: surface mount technique).

도 13은 도 11의 실시예의 단계(S200)에서의 투명 LED 디스플레이 장치의 단면도이다. FIG. 13 is a cross-sectional view of the transparent LED display device in step S200 of the embodiment of FIG. 11 .

도 13에서 나타낸 바와 같이, 경우에 따라서는, 단계(S190) 이후에 단계(S200)를 더 수행하여, 투명 LED 디스플레이 장치(2)를 감싸는 오버코트층(90)을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 13 , in some cases, step S200 may be further performed after step S190 to form an overcoat layer 90 surrounding the transparent LED display device 2 .

투명 LED 디스플레이 장치(2)는 실외에서 사용되는 대형 디스플레이 장치인 경우가 많으므로, 방수성, 방진성, 방습성 등의 특성이 요구되기도 한다. 단계(S200)에서는 이러한 특성을 만족시키기 위하여 오버코트층(90)으로써 투명 LED 디스플레이 장치(2)를 감싸도록 하고 있다. 또한, 베이스 유리 기판(10)의 반대쪽 표면에 내지문(anti-finger)코트층(100)을 더 형성할 수도 있다. Since the transparent LED display device 2 is often a large display device used outdoors, properties such as waterproofness, dustproofness, and moistureproofness are required. In step S200, the transparent LED display device 2 is covered with an overcoat layer 90 to satisfy these characteristics. In addition, an anti-finger coating layer 100 may be further formed on the opposite surface of the base glass substrate 10 .

오버코팅층(90)은 스프레이나 디스펜서를 이용하여 적정 두께 범위로 도포가 가능하며, 이를 통해 오버코팅층(90)이 투명 LED 디스플레이 장치(2)의 유리 표면부터 LED 상부면을 덮을 수 있으며, 경우에 따라 투명 LED 디스플레이 장치(2) 전체를 덮을 수도 있다.The overcoating layer 90 can be applied in an appropriate thickness range using a spray or dispenser, through which the overcoating layer 90 can cover the upper surface of the LED from the glass surface of the transparent LED display device 2, in which case Accordingly, the entire transparent LED display device 2 may be covered.

나아가, 본 발명은 상술한 방법으로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판을 제공한다.Furthermore, the present invention provides a transparent glass display substrate manufactured from the method described above.

1 투명 유리 디스플레이 기판
2 투명 LED 디스플레이 장치
10 베이스 유리 기판
20 시드층(에칭 전)
21 시드층(에칭 후)
30 포토레지스트층(현상 전)
31 포토레지스트층(현상 후)
40 포토마스크
410 포토마스크 중 UV 차단 부분
50 배선층
60 솔더층
70 LED
80 도금층
90 오버코트층
100 내지문(anti-finger)코트층1 transparent glass display substrate
2 transparent LED display unit
10 base glass substrate
20 seed layer (before etching)
21 seed layer (after etching)
30 photoresist layer (before development)
31 photoresist layer (after development)
40 photomask
UV blocking part of 410 photomask
50 wiring layer
60 solder layer
70 LEDs
80 plating layer
90 overcoat layer
100 anti-finger coat layer

Claims (11)

베이스 유리 기판의 일 표면에 화학적 표면처리 공정을 수행하여 상기 베이스 유리 기판의 일 표면에 표면 요철을 형성하여 표면적이 증가되도록 함으로써 접착력이 향상된 제1 표면을 형성하는 단계;
상기 제1 표면 상에 스퍼터를 통해 구리(Cu) 시드층을 형성하는 단계;
상기 시드층 위에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층을 노광시키는 단계;
노광된 상기 포토레지스트층을 현상하고, 상기 포토레지스트층의 노광되지 않은 부분을 제거하는 단계;
제거된 상기 노광되지 않은 부분에 상기 시드층과 동일한 금속인 구리(Cu)를 도금하여 배선층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층의 나머지 부분을 박리하는 단계;및
상기 시드층 중 상기 배선층이 형성되지 않은 영역에 있는 부분을 에칭으로 제거하는 단계;를 포함하고,
상기 화학적 표면처리 공정은 상기 베이스 유리 기판의 일 표면에 아민 그룹을 포함하는 실란 커플링제를 도포한 이후 건조를 수행하는 방식으로 수행되며,
상기 실란 커플링제의 도포는 실크 스크린 인쇄 공법 내지 스프레이 코팅 공법으로 수행되고,
상기 배선층은, 상기 시드층과 동일한 금속을 도금 후, 상기 시드층과 일체화된 배선을 형성하는,
투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법.
Forming a first surface with improved adhesion by performing a chemical surface treatment process on one surface of the base glass substrate to form surface irregularities on one surface of the base glass substrate to increase the surface area;
forming a copper (Cu) seed layer on the first surface through sputtering;
forming a photoresist layer on the seed layer;
exposing the photoresist layer to light;
developing the exposed photoresist layer and removing unexposed portions of the photoresist layer;
forming a wiring layer by plating copper (Cu), which is the same metal as the seed layer, on the removed unexposed portion;
stripping the remaining portion of the photoresist layer; and
removing a portion of the seed layer in a region where the wiring layer is not formed by etching;
The chemical surface treatment process is performed by applying a silane coupling agent containing an amine group to one surface of the base glass substrate and then drying it.
The application of the silane coupling agent is performed by a silk screen printing method or a spray coating method,
The wiring layer forms a wiring integrated with the seed layer after plating the same metal as the seed layer.
Method for manufacturing a transparent glass display substrate.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 포토레지스트층은, 포토레지스트액을 도포하거나 DFR을 라미네이션하여 형성되는, 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The photoresist layer is formed by applying a photoresist solution or laminating a DFR, a method for manufacturing a transparent glass display substrate.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 배선층의 두께는 상기 시드층의 두께보다 두꺼운, 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법.
According to claim 1,
The thickness of the wiring layer is thicker than the thickness of the seed layer, a method of manufacturing a transparent glass display substrate.
 제1항에 있어서,
상기 배선층의 표면에 제2 금속을 도금하여 도금층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법.
According to claim 1,
Forming a plating layer by plating a second metal on the surface of the wiring layer; further comprising a method of manufacturing a transparent glass display substrate.
 제8항에 있어서,
상기 제2 금속은 주석, 금, 은, 니켈을 적어도 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 금속인, 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법.
According to claim 8,
The second metal is any one metal selected from the group containing at least tin, gold, silver, nickel, manufacturing method of the transparent glass display substrate.
 삭제delete 제1항, 제5항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항으로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판.
A transparent glass display substrate prepared from any one of claims 1, 5, and 7 to 9.
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