KR20230110338A

KR20230110338A - 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법, 그리고 열연 강판

Info

Publication number: KR20230110338A
Application number: KR1020237021158A
Authority: KR
Inventors: 요시히로 아리타
Original assignee: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤
Priority date: 2020-11-27
Filing date: 2020-11-27
Publication date: 2023-07-21
Also published as: JPWO2022113264A1; US20230392227A1; EP4253575A1; WO2022113264A1; EP4253575A4; CN116547394A

Abstract

화학 조성이, 질량％로, C: 0.0010 내지 0.0050％, Si: 1.50％ 이하, Mn: 0.10 내지 1.50％, sol.Al: 0.010 내지 0.040％, Ti: 0.0030％ 이하, Nb: 0.0030％ 이하, V: 0.0030％ 이하, Zr: 0.0030％ 이하, N: 0.0030％ 이하, S: 0.0040％ 이하, B: 0.0045％ 이하, 잔부: Fe 및 불순물이고, [0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120], [0.5≤B/N≤1.5], [sol.B≤0.0005] 및 [N_AlN≤0.0005]를 충족하는, 무방향성 전자 강판.

Description

무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법, 그리고 열연 강판

본 발명은 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법, 그리고 당해 무방향성 전자 강판의 소재가 되는 열연 강판에 관한 것이다.

근년, 세계적인 전기 기기의 에너지 절약화 요구가 높아짐에 따라, 회전기의 철심 재료로서 사용되는 무방향성 전자 강판에 대해서도, 보다 고성능의 특성이 요구되고 있다. 구체적으로는, 전기 제품의 모터 중 고효율 기종이라고 일컬어지는 것에 대해서는, Si 및 Al 함유량을 증가시켜서 고유 저항을 높이고, 또한 결정 입경을 크게 한 고급 소재가 사용되게 되었다. 한편, 범용 기종의 모터에 대해서도 성능 향상이 요구되게 되었지만, 비용 제약이 엄격하기 때문에, 고효율 기종과 같이 그 재질을 고급 소재로 전환하는 것은 어려운 것이 실정이다.

범용 기종에 요구되는 강판은, Si 함유량이 1.5％ 이하이고, 또한 모터 코어 펀칭 가공 후에 실시되는 응력 제거 어닐링 시에 결정립 성장을 촉진시킴으로써, 철손이 비약적으로 개선되는 소재이다.

또한 최근에는, 코어 펀칭 시에 발생하는 스크랩을 주물의 원료로 활용하는 수요가가 증가하고 있다. 스크랩의 주조성 확보의 관점에서, 강판의 Al 함유량을 0.05％ 미만으로 할 필요가 발생하였다.

응력 제거 어닐링 시의 결정립 성장을 개선하기 위한 수단으로서, 예를 들어 특허문헌 1에는, C; ≤0.065％, Si; ≤2.0％, Al; ≤0.10％, O; ≤0.020％, B/N; 0.50 내지 2.50, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지는 강 슬래브를 열간 압연하여 얻은 열연판을 1회의 냉간 압연 혹은 중간 어닐링을 포함하는 2회 이상의 냉간 압연에 의해 최종 치수로 이루고, 또한 어닐링을 실시하는 것을 특징으로 하는 자기 특성이 우수한 전기 철판의 제조 방법이 개시되어 있다.

특허문헌 2에는, C: 0.015％ 이하, Si: 0.1 내지 1.0％, sol.Al: 0.001 내지 0.005％, Mn: 1.5％ 이하, S: 0.008％ 이하, N: 0.0050％ 이하, T.O: 0.02％ 이하를 포함하는 무방향성 전자 강판에 있어서, 강 중의 SiO₂, MnO, Al₂O₃의 3종의 개재물의 총중량에 대한 MnO의 중량의 비율이 15％ 이하인 것을 특징으로 하는 자성 어닐링 후의 평균 결정 입경을 50㎛ 이상으로 이룰 수 있는 철손이 적은 무방향성 전자 강판이 개시되어 있다.

특허문헌 3에는, 중량％로, C: 0.01％ 이하, Si: 0.1％ 이상 2.0％ 이하, Mn: 0.1％ 이상 1.5％ 이하, 및 강의 탈산 방식에 따라서, Al: 0.1％ 이하, 또는 Zr: 0.05％ 이하를 함유하고, 잔부 철 및 불가피 불순물 원소로 이루어지는 무방향성 전자 강판에 있어서, 강 중의 산화물에서 직경 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하의 크기의 것이, 1㎠당 1000개 이상 50000개 이하인 것을 특징으로 하는 자기 특성이 우수한 무방향성 전자 강판이 개시되어 있다.

특허문헌 4에서는, 질량％로, C: 0.0050％ 이하, Si: 0.05 내지 3.5％, Mn: 3.0％ 이하, Al: 3.0％ 이하, S: 0.008％ 이하, P: 0.15％ 이하, N: 0.0050％ 이하, Cu: 0.2％ 이하를 포함하고, (Cu 황화물인 S)/(강 중 S)≤0.2, 또는 (Cu 황화물인 S)/(Mn 황화물인 S)≤0.2를 충족하는 강이며, 또한 강판 중의 직경 0.03 내지 0.20㎛의 Cu를 함유하는 황화물의 수 밀도가 0.5개/㎛³ 이하인 무방향성 전자 강판이 개시되어 있다.

특허문헌 5에서는, 질량％로, Si: 1.5％ 이하, Mn: 0.4％ 이상 1.5％ 이하, Sol.Al: 0.01％ 이상 0.04％ 이하, Ti: 0.0015％ 이하, N: 0.0030％ 이하, S: 0.0010％ 이상 0.0040％ 이하, B를 B/N으로 0.5 이상 1.5 이하 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, Mn을 포함하는 황화물 중 개수 비율로 10％ 이상이 B 석출물과 복합 석출되고, MnS, Cu₂S 및 그 복합 황화물을 합계한 분포 밀도가 3.0×10⁵개/㎟ 이하이고, 직경 0.1㎛에 미치지 않는 Ti 석출물의 분포 밀도가 1.0×10³개/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 소54-163720호 공보 일본 특허 공개 소63-195217호 공보 일본 특허 공개 평3-104844호 공보 일본 특허 공개 제2004-2954호 공보 국제 공개 제2005/100627호

그러나, 가일층의 철손의 저감이 요구되는 상황에 있어서, 상기의 종래 방법에서는, 충분하고 또한 안정적으로 제조하는 것이 어려워지고 있다. 특히, 특허문헌 1 및 특허문헌 5에 기재된 바와 같이, Al 탈산 강에 있어서 B를 0.002％ 정도 첨가하여 질화물로서 BN을 생성하고, 결정립 성장에 유해한 AlN의 석출을 억제하는 기술에서는, 가령 저철손이 얻어졌다고 해도, 특허문헌 2 및 특허문헌 4에 기재된 Si 탈산에 비해, 자속 밀도가 낮아진다고 하는 과제가 있었다. 특허문헌 5에서는, Sn 첨가에 의해 자속 밀도를 향상시키는 효과가 개시되어 있지만, 이 기술에는 비용 증가로 된다고 하는 과제가 있었다. 그 밖에도, 스킨 패스 압연 등의 특별한 공정을 추가함으로써 결정립의 조대화를 촉진하는 것도 생각할 수 있지만, 이 경우도 역시 제조 비용의 대폭적인 상승을 초래한다고 하는 문제가 있다.

본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것이고, AlN의 생성을 억제하면서, 또한 고용 B(sol.B)를 저감하고, 응력 제거 어닐링 후의 결정립 성장이 양호하며, 또한 철손과 자속 밀도가 양호한 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법, 그리고, 당해 무방향성 전자 강판의 소재로서 사용 가능한 열연 강판을 제공하고자 하는 것을 과제로 한다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 하기의 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법, 그리고 열연 강판을 요지로 한다.

(1) 화학 조성이, 질량％로,

C: 0.0010 내지 0.0050％,

Si: 1.50％ 이하,

Mn: 0.10 내지 1.50％,

sol.Al: 0.010 내지 0.040％,

Ti: 0.0030％ 이하,

Nb: 0.0030％ 이하,

V: 0.0030％ 이하,

Zr: 0.0030％ 이하,

N: 0.0030％ 이하,

S: 0.0040％ 이하,

B: 0.0045％ 이하,

잔부: Fe 및 불순물이고,

하기 (i) 내지 (iv)식을 충족하는,

무방향성 전자 강판.

0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120 … (i)

0.5≤B/N≤1.5 … (ii)

sol.B≤0.0005 … (iii)

N_AlN≤0.0005 … (iv)

단, 상기 (i) 및 (ii)식 중의 원소 기호는 각 원소의 함유량(질량％)을 나타내고, 상기 (iii)식 중의 sol.B는 고용 B량(질량％)이고, 상기 (iv)식 중의 N_AlN은 AlN으로서 존재하는 N량(질량％)이다.

(2) 상기 화학 조성이, 상기 Fe의 일부 대신에, 질량％로,

Sn: 0.50％ 이하,

를 함유하는,

상기 (1)에 기재된 무방향성 전자 강판.

(3) 평균 결정 입경이 30㎛ 이하이고, 또한

750℃에서 2시간 유지하는 조건에서 응력 제거 어닐링을 행한 후의 평균 결정 입경이 50㎛ 이상인,

상기 (1) 또는 (2)에 기재된 무방향성 전자 강판.

(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판을 제조하는 방법이며,

상기 (1) 또는 (2)에 기재된 화학 조성을 갖는 슬래브를 제조하는 제강 공정과,

얻어진 상기 슬래브를 가열한 후에 열간 압연을 실시하여, 열연 강판으로 하는 열연 공정과,

상기 열연 강판에 대하여 산세를 실시하는 산세 공정과,

산세 후의 상기 열연 강판에 대하여 냉간 압연을 실시하여, 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과,

상기 냉연 강판에 대하여 마무리 어닐링을 실시하는 마무리 어닐링 공정을 구비하고,

상기 열연 공정에 있어서,

열간 압연을 실시하기 전에, 상기 슬래브의 온도가 1000 내지 1050℃가 되는 범위 내에서 30분 이상 유지하고,

900 내지 1000℃의 온도 범위 내에서의 누적 압하율을 70％ 이상으로 하고,

열간 압연을 실시한 후에, 상기 열연 강판의 온도가 700℃ 이상 780℃ 미만이 되는 범위 내에서 30분 이상 유지하는,

무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(5) 상기 마무리 어닐링 공정에 있어서, 20℃/s 이상의 평균 가열 속도로 800℃ 이상 850℃ 미만의 최고 도달 온도까지 가열하고, 또한 상기 냉연 강판의 온도가 800℃ 이상이 되는 시간을 15초 이하로 하는,

상기 (4)에 기재된 무방향성 전자 강판의 제조 방법.

(6) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판의 소재가 되는 열연 강판이며,

화학 조성이, 질량％로,

C: 0.0010 내지 0.0050％,

Si: 1.50％ 이하,

Mn: 0.10 내지 1.50％,

sol.Al: 0.010 내지 0.040％,

Ti: 0.0030％ 이하,

Nb: 0.0030％ 이하,

V: 0.0030％ 이하,

Zr: 0.0030％ 이하,

N: 0.0030％ 이하,

S: 0.0040％ 이하,

B: 0.0045％ 이하,

잔부: Fe 및 불순물이고,

하기 (i) 내지 (iv)식을 충족하는,

열연 강판.

0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120 … (i)

0.5≤B/N≤1.5 … (ii)

sol.B≤0.0005 … (iii)

N_AlN≤0.0005 … (iv)

(7) 상기 화학 조성이, 상기 Fe의 일부 대신에, 질량％로,

Sn: 0.50％ 이하,

를 함유하는,

상기 (6)에 기재된 열연 강판.

본 발명에 따르면, 응력 제거 어닐링 후의 결정립 성장이 양호하고, 또한 응력 제거 어닐링 후의 철손과 자속 밀도가 양호한 무방향성 전자 강판을 저비용으로 안정적으로 제공할 수 있다.

도 1은 잉여 B량과 자속 밀도의 관계를 도시하는 도면이다.

본 발명자들은, B를 0.002％ 정도 함유시킨 Al 탈산 강의 자속 밀도가 Si 탈산 강에 비하여 낮아지는 원인에 대해서, B의 존재 형태에 착안하여 조사하였다. B는 결정립 성장에 매우 유해한 AlN의 석출을 억제하는 효과를 갖는다. 왜냐하면, B는 Al보다도 질화물을 생성하기 쉽기 때문이다. 그러나, 과잉의 B가 무방향성 전자 강판에 포함되는 경우, B가 고용 상태로 존재하여, 자속 밀도를 저하시키는 것을 본 발명자들은 알아냈다(도 1 참조).

B 함유량을 저감시키면, 과잉 B에 기인하는 고용 B량의 증대가 발생하지는 않지만, 잉여 N에 의해 AlN이 생성되어 결정립 성장이 악화된다. 따라서, 고용 B를 발생시키지 않는 범위 내에서 가능한 한 B 함유량을 증대시키는 것이 바람직한 것이지만, 이러한 B 함유량 제어를 고정밀도로 행하는 것은 공업적으로 곤란하다. 왜냐하면, 질화물 생성 원소에는 Al 및 B 외에, Ti, Nb, V 및 Zr 등이 있어, B 함유량의 제어 시에는 이들의 존재도 고려해야 하는데, 이것들은 통상은 불순물로서 무방향성 전자 강판에 혼입되는 것이므로, 그 양을 정확하게 파악하는 것은 곤란하기 때문이다. 또한, 무방향성 전자 강판의 N 함유량도 제강 공정 내에서 변동할 수 있으므로, 투입해야 할 B의 양을 정확하게 파악하는 것은 곤란하다. 이와 같이, AlN 생성 억제를 위해 과부족이 없는 양의 B를 무방향성 전자 강판에 함유시키는 것은 공업적으로는 매우 어렵다.

이러한 사정을 감안하여, 본 발명자들은, N량에 대한 B량의 과부족 어느 경우도 허용하면서, 양호한 자기 특성이 얻어지는 방법을 예의 연구한 결과, 이하의 지견을 얻는 것에 이르렀다.

먼저, B량이 N량에 대하여 과잉으로 많은 경우에 있어서, BN 이외의 B 석출물을 열간 압연 시에 생성시키는 방법을 검토하였다. 그 결과, 열간 압연 시의 온도와 누적 압하율을 적정 범위로 하면, BN 이외의 B 석출물량을 증대시킬 수 있는 것을 알았다. 구체적으로는, 900 내지 1000℃의 온도 범위 내에서의 누적 압하율이 70％ 이상이 되는 조건에서 열간 압연을 행하는 것이 요망된다. 이 효과는, 열간 압연에 의해 B의 석출이 촉진되었기 때문에 발생한 것으로 추정된다.

또한, 그 후에 700℃ 이상 780℃ 미만의 온도 범위에서 30분 이상 유지하는 열처리를 열연 후의 강판에 실시함으로써, 가공에 의해 발생한 상술한 BN 이외의 B 석출물을 성장시킬 수 있다. 그 결과, 냉연 후의 강판의 마무리 어닐링 또는 마무리 어닐링 후의 강판(무방향성 전자 강판)의 응력 제거 어닐링에 있어서, 결정립 성장이 양호해져, 저철손 또한 고자속 밀도를 실현할 수 있다.

다음으로, B량이 N량에 비하여 부족한 경우에 있어서, 결정립 성장에 유해한 AlN을 생성시키지 않는 방법을 검토하였다. 그 결과, 열연 전의 슬래브에 대하여 1000 내지 1050℃의 온도역에서 30분 이상 유지하는 열처리를 실시하고, 또한 열연 후의 강판에 대하여 700℃ 이상 780℃ 미만의 온도역에서 30분 이상 유지하는 열처리를 실시하면, AlN의 생성을 회피할 수 있고, 냉연 후의 강판의 마무리 어닐링 또는 마무리 어닐링 후의 무방향성 전자 강판의 응력 제거 어닐링에 있어서, 결정립 성장이 양호해져, 저철손 또한 고자속 밀도가 얻어지는 것을 지견하였다.

이상의 지견에 의해, B를 0.002％ 정도 첨가한 Al 탈산 강에 있어서, 특별한 공정을 추가하여 결정립의 조대화를 촉진시키지 않아도, 저철손과 고자속 밀도를 양립할 수 있는 조건을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.

본 발명은 상기의 지견에 기초하여 이루어진 것이다. 이하에 본 발명의 각 요건에 대해서 설명한다.

1. 화학 조성

본 발명의 일 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판 및 열연 강판의 화학 조성에 대해서 설명한다. 각 원소의 한정 이유는 하기와 같다. 또한, 이하의 설명에 있어서 함유량에 대한 「％」는, 「질량％」를 의미한다.

C: 0.0010 내지 0.0050％

C는 고용 B를 탄화물로서 고정하는 효과를 갖는다. 그러나, 0.0050％를 초과하는 양의 C를 함유시키면, 자기 시효에 의해 철손을 열화시킨다. 그 때문에, C 함유량은 0.0010 내지 0.0050％로 한다. C 함유량은 0.0015％ 이상, 0.0020％ 이상, 또는 0.0025％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, C 함유량은 0.0045％ 이하, 0.0040％ 이하, 또는 0.0035％ 이하인 것이 바람직하다.

Si: 1.50％ 이하

Si는 전기 저항을 증가시키기 위해 유효한 원소이다. 그러나, Si 함유량이 1.50％를 초과하면, 경도 상승, 자속 밀도의 저하, 및 제조 비용 증가 등이 발생한다. 그 때문에, Si 함유량은 1.50％ 이하로 한다. Si 함유량은 1.30％ 이하, 1.00％ 이하, 또는 0.80％ 이하인 것이 바람직하다. Si 함유량의 하한값은 0％이지만, 상술한 효과를 얻기 위해, Si 함유량은 0.10％ 이상, 0.20％ 이상, 또는 0.50％ 이상인 것이 바람직하다.

Mn: 0.10 내지 1.50％

Mn은 황화물 생성 원소이고, 결정립 성장을 촉진하는 관점에서는 적량이 포함되는 것이 바람직하다. 그러나, Mn 함유량이 1.50％를 초과하는 경우, 변태 온도가 낮아져서 열연 강판의 조직 제어가 곤란해지고, 결정립 성장을 촉진할 수 없게 되어, 철손이 열화된다. 덧붙여, 포화 자속 밀도의 저하가 현저해진다. 그 때문에, Mn 함유량은 0.10 내지 1.50％로 한다. Mn 함유량은 0.30％ 이상, 0.50％ 이상, 또는 0.70％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, Mn 함유량은 1.20％ 이하, 1.00％ 이하, 또는 0.80％ 이하인 것이 바람직하다.

sol.Al: 0.010 내지 0.040％

Al은 강의 탈산에 필요한 원소이다. sol.Al(고용 상태로 존재하는 Al)의 함유량이 0.010％에 미치지 않는 경우, 안정된 탈산 효과가 얻어지지 않아, 노즐 막힘 등의 문제가 발생한다. 한편, 수요가에 있어서의 스크랩 활용의 관점에서, Al 함유량은 적은 쪽이 바람직하다. 그 때문에, sol.Al 함유량은 0.010 내지 0.040％로 한다. sol.Al 함유량은 0.015％ 이상, 0.020％ 이상, 또는 0.025％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, sol.Al의 함유량은 0.035％ 이하, 0.030％ 이하, 또는 0.028％ 이하인 것이 바람직하다.

Ti: 0.0030％ 이하

Ti는 질화물을 생성하여 입성장을 현저하게 악화시킨다. 그러나, Ti는 불순물로서 강 중에 혼입되는 원소이므로, Ti 함유량을 제로로 하는 것은 공업적으로는 어렵다. 또한, 극미량의 Ti는 AlN의 생성을 억제하는 효과를 갖는다. 한편, 그 함유량이 과잉이면 결정립 성장을 악화시킨다. 그 때문에, Ti 함유량은 0.0030％ 이하로 한다. Ti 함유량은 0.0025％ 이하, 0.0020％ 이하, 또는 0.0015％ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 상기의 효과를 얻고자 하는 경우는, Ti 함유량은 0.0005％ 이상, 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상인 것이 바람직하다.

Nb: 0.0030％ 이하

Nb는 질화물을 생성하여 입성장을 현저하게 악화시킨다. 그러나, Nb는 불순물로서 강 중에 혼입되는 원소이므로, Nb 함유량을 제로로 하는 것은 공업적으로는 어렵다. 또한, 극미량의 Nb는 AlN의 생성을 저해하는 효과를 갖는다. 한편, 그 함유량이 과잉이면 결정립 성장을 악화시킨다. 그 때문에, Nb 함유량은 0.0030％ 이하로 한다. Nb 함유량은 0.0025％ 이하, 0.0020％ 이하, 또는 0.0015％ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 상기의 효과를 얻고자 하는 경우는, Nb 함유량은 0.0005％ 이상, 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상인 것이 바람직하다.

V: 0.0030％ 이하

V는 질화물을 생성하여 입성장을 현저하게 악화시킨다. 그러나, V는 불순물로서 강 중에 혼입되는 원소이므로, V 함유량을 제로로 하는 것은 공업적으로는 어렵다. 또한, 극미량의 V는 AlN의 생성을 저해하는 효과를 갖는다. 한편, 그 함유량이 과잉이면 결정립 성장을 악화시킨다. 그 때문에, V 함유량은 0.0030％ 이하로 한다. V 함유량은 0.0025％ 이하, 0.0020％ 이하, 또는 0.0015％ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 상기의 효과를 얻고자 하는 경우는, V 함유량은 0.0005％ 이상, 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상인 것이 바람직하다.

Zr: 0.0030％ 이하

Zr은 질화물을 생성하여 입성장을 현저하게 악화시킨다. 그러나, Zr은 불순물로서 강 중에 혼입되는 원소이므로, Zr 함유량을 제로로 하는 것은 공업적으로는 어렵다. 또한, 극미량의 Zr은 AlN의 생성을 저해하는 효과를 갖는다. 한편, 그 함유량이 과잉이면 결정립 성장을 악화시킨다. 그 때문에, Zr 함유량은 0.0030％ 이하로 한다. Zr 함유량은 0.0025％ 이하, 0.0020％ 이하, 또는 0.0015％ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 상기의 효과를 얻고자 하는 경우는, Zr 함유량은 0.0005％ 이상, 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상인 것이 바람직하다.

Ti, Nb, V 및 Zr은 어느 1종을 단독으로 함유시켜도 되고, 2종 이상을 복합적으로 함유시켜도 된다. 그러나, 이들 원소의 합계 함유량이 너무 적으면 AlN의 생성을 저해하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 과잉이면 결정립 성장을 악화시킨다. 그 때문에, 이들 원소의 합계 함유량이 하기 (i)식을 만족할 필요가 있다.

0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120 … (i)

단, 상기 (i)식 중의 원소 기호는 각 원소의 함유량(질량％)을 나타낸다.

N: 0.0030％ 이하

N은 결정립 성장에 유해한 질화물을 생성한다. 결정립 성장을 악화시키지 않는 조건으로서, N 함유량의 상한을 0.0030％로 한다. N 함유량은 0.0025％ 이하, 0.0020％ 이하, 또는 0.0015％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, N 함유량은 가능한 한 저감하는 것이 바람직하지만, N은 불순물로서 강 중에 혼입되는 원소이므로, N 함유량을 제로로 하는 것은 공업적으로는 어렵다. 본 발명에 있어서는, N이 어느 정도 함유되는 것을 전제로 한 후, 후술하는 B 함유량과의 관계식에 의해 N 함유량의 하한값을 규정하는 것으로 한다. 한편, N 함유량의 하한값을 별도 정해도 된다. 예를 들어, N 함유량을 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상으로 해도 된다. 또한, N 함유량이란, 후술하는 N_AlN 및 BN을 구성하는 N 등을 포함하는 모든 형태의 N의 함유량을 의미한다.

S: 0.0040％ 이하

S는 황화물을 형성하여 입성장을 현저하게 악화시킨다. 특히, S 함유량이 0.0040％를 초과하면 황화물의 석출량이 증가하여, 결정립 성장이 저해된다. 그 때문에, S 함유량은 0.0040％ 이하로 한다. S 함유량은 0.0035％ 이하, 0.0030％ 이하, 또는 0.0025％ 이하인 것이 바람직하다. S 함유량의 하한값은 0％이지만, 정련 비용을 고려하여, S 함유량을 0.0008％ 이상, 0.0010％ 이상, 또는 0.0012％ 이상으로 해도 된다.

B: 0.0045％ 이하

B는 결정립 성장에 유해한 AlN의 생성 억제에 필수적인 원소이다. 그 때문에, B 함유량은 0.0045％ 이하의 범위에서, 또한 상술한 N 함유량에 따라서 정하는 것으로 한다. 구체적으로는, 하기 (ii)식을 만족하도록 B 함유량을 제어하는 것으로 한다. 또한, 이 B 함유량이란, 고용 B(sol.B) 및 BN 등의 석출물을 형성하는 B 등을 포함하는 모든 형태의 B의 함유량을 의미한다. B/N의 값을 0.5 내지 1.5로 하는 것은, 고용 B량의 저감 및 AlN의 생성 억제의 양쪽을 달성하기 위한 중요한 수단의 하나이다. 또한, B/N의 값은 0.6 이상, 0.7 이상, 또는 0.8 이상인 것이 바람직하다. 또한, B/N은 1.4 이하, 1.3 이하, 또는 1.0 이하인 것이 바람직하다.

0.5≤B/N≤1.5 … (ii)

단, 상기 (ii)식 중의 원소 기호는 각 원소의 함유량(질량％)을 나타낸다.

또한, 본 발명에서는, B 함유량에 더하여, sol.B의 함유량도 규정하는 것으로 한다. sol.B의 함유량은 자속 밀도에 영향을 미치지 않는 상한으로서, 0.0005％ 이하로 한다. 즉, sol.B의 함유량은 하기 (iii)식을 만족할 필요가 있다.

sol.B≤0.0005 … (iii)

sol.B의 함유량은 0.0004％ 이하, 또는 0.0003％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, sol.B의 함유량은 가능한 한 저감하는 것이 바람직하기 때문에, 그 하한값은 0％이다. 한편, sol.B의 함유량을 0.00005％ 이상, 0.00010％ 이상, 또는 0.00015％ 이상으로 규정해도 된다.

본 발명에 있어서, sol.B의 함유량은, 이하의 수순으로 측정한다. 먼저, 무방향성 전자 강판 또는 열연 강판으로부터 시험편을 잘라내어, 10％ 아세틸아세톤-1％ 테트라메틸암모늄클로라이드/메탄올에서, 20mA/㎠의 전류 밀도로 약 0.4g 전해한다. 그 전해에 사용한 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 필터로 여과하고, 필터 상에 포집된 추출 잔사에 대해서, ICP 발광 분광 분석법을 사용함으로써 추출 잔사 중의 B 함유량을 측정한다. 그리고, 강 중의 B 함유량으로부터 추출 잔사 중의 B 함유량을 차감한 값을, sol.B의 함유량으로 한다.

Sn: 0.50％ 이하

본 발명에 있어서, Sn은 필수는 아니므로, 그 함유량의 하한값은 0％이다. 합금 비용 삭감의 관점에서는, Sn 함유량은 최대한 저감되는 것이 바람직하다. 단, Sn은 자속 밀도의 향상 효과를 갖는다. 이에 더하여, Sn은 어닐링 중에 있어서의 강판 표면의 질화 및 산화의 억제에도 효과가 있다. 또한, sol.Al: 0.010 내지 0.040％를 함유하는 경우에 있어서는, Sn은 특히 질화되기 쉽다. 그 때문에, 필요에 따라서 Sn을 함유시켜도 상관없다. 구체적으로는, Sn 함유량은 0.01％ 이상, 0.02％ 이상, 또는 0.05％ 이상인 것이 바람직하다. 한편, Sn 함유량이 너무 많아도 그 효과가 포화되므로, Sn 함유량을 0.40％ 이하, 0.30％ 이하, 0.20％ 이하, 0.10％ 이하, 0.09％ 이하, 또는 0.08％ 이하로 해도 된다.

2. 석출물

AlN을 구성하는 N(이하 「N_AlN」이라고 기재함)의 함유량은, 결정립 성장에 영향을 미치지 않는 상한으로서, 0.0005％ 이하로 한다. 즉, N_AlN의 함유량은 하기 (iv)식을 만족할 필요가 있다.

N_AlN≤0.0005 … (iv)

N_AlN의 함유량은 0.0004％ 이하, 또는 0.0003％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, N_AlN의 함유량은 가능한 한 저감하는 것이 바람직하기 때문에, 그 함유량의 하한값은 0％이다. 한편, N_AlN의 함유량을 0.00005％ 이상, 0.00010％ 이상, 또는 0.00015％ 이상으로 규정해도 된다.

본 발명에 있어서, N_AlN의 함유량은, 이하의 수순으로 측정한다. 먼저, 무방향성 전자 강판 또는 열연 강판으로부터 시험편을 잘라내어, 10％ 아세틸아세톤-1％ 테트라메틸암모늄클로라이드/메탄올에서, 20mA/㎠의 전류 밀도로 약 0.4g 전해한다. 그 전해에 사용한 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 필터로 여과하고, 필터 상에 포집된 추출 잔사에 대해서, ICP 발광 분광 분석법을 사용함으로써 추출 잔사 중의 Al 함유량을 측정한다. 그리고, 추출 잔사 중의 Al은 모두 AlN으로서 존재하고 있다고 생각되기 때문에, 추출 잔사 중의 Al 함유량에 14/27을 곱함으로써 추출 잔사 중의 N 함유량을 구하여, N_AlN의 함유량으로 한다.

또한, 상술한 바와 같이, 본 발명에서는 석출물의 상태가 매우 중요하지만, 석출물 상태는 특별히 규정되지 않는다. 이것은, 석출물이 매우 미세하므로, 그 상태를 규정하는 것이 기술적으로 곤란하기 때문이다. 또한, 석출물을 구성하는 N_AlN의 양 등을 상술한 범위 내로 함으로써, 석출물이 양호하게 제어되어 무방향성 전자 강판의 자기 특성이 향상되는 것이 확인되었다.

3. 결정 입경

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 평균 결정 입경은 특별히 규정되지 않는다. 무방향성 전자 강판은, 상술한 바와 같이, 기계 가공 및 응력 제거 어닐링을 거치고 나서 사용되기 때문에, 응력 제거 어닐링의 조건에 따라서 평균 결정 입경이 변화된다. 상술한 사용 실태를 고려하면, 응력 제거 어닐링에 있어서의 입성장성이 양호한 한, 무방향성 전자 강판의 단계에서 평균 결정 입경을 규정하는 것은 필수는 아니다. 한편, 평균 결정 입경은 펀칭 가공성의 향상의 관점에서는 중요한 인자이다. 펀칭 가공에 제공되는 무방향성 전자 강판에서는, 평균 결정 입경이 30㎛ 이하이면 펀칭 가공성이 향상된다. 그 때문에, 마무리 어닐링 후의 무방향성 전자 강판의 평균 결정 입경은 30㎛ 이하로 해도 된다. 평균 결정 입경을 30㎛ 이하로 하기 위한 수단으로서는, 공지된 기술을 적절히 사용할 수 있다.

일반적으로, 무방향성 전자 강판은 출하 후에 기계 가공 및 응력 제거 어닐링에 제공된다. 이 응력 제거 어닐링 후의 평균 결정 입경이 50㎛ 이상인 경우, 철손 특성이 매우 향상된다. 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판은 화학 조성 및 산화물의 상태가 바람직하게 제어되어 있으므로, 750℃에서 2시간 유지하는 조건에서 응력 제거 어닐링을 행한 후의 평균 결정 입경은 50㎛ 이상이 된다. 또한, 실제의 제품에 있어서, 응력 제거 어닐링 조건은 상기의 조건에 한정되지 않고, 설비 제약 및 결정립 성장 촉진의 양면을 고려하여, 어닐링 온도와 시간을 적절히 변경해도 된다.

무방향성 전자 강판의 평균 결정 입경은 이하의 방법에 의해 구할 수 있다. 무방향성 전자 강판의 L 단면(압연 방향에 평행한 단면)을 연마 및 에칭하여, 광학 현미경으로 관찰한다. 관찰 배율은 100배로 하고, 관찰 시야의 면적은 0.5㎟로 하고, 관찰 개소수는 3개소로 한다. 이들 광학 현미경 사진에 대하여, JIS G 0551:2013 「강-결정 입도의 현미경 시험 방법」을 적용함으로써, 무방향성 전자 강판의 평균 결정 입경을 구한다.

4. 제조 방법

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 제조 방법은, 제강 공정, 열연 공정, 산세 공정, 냉연 공정 및 마무리 어닐링 공정을 구비한다.

(a) 제강 공정

제강 공정에 있어서, 적절히 정련 및 주조를 행함으로써, 상술한 화학 조성을 갖는 슬래브를 제조한다. 제강 공정에 있어서 제조 조건은 특별히 한정되지 않고, 공지된 조건을 적절히 채용할 수 있다.

(b) 열연 공정

열연 공정에 있어서, 연속 주조 공정에 의해 얻어진 슬래브를 가열한 후에 열간 압연을 실시하여, 열연 강판으로 한다. 본 공정에 의해, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 열연 강판이 제조된다. 또한, 열연 공정 이후의 공정이 화학 조성 및 산화물의 상태에 실질적인 영향을 주는 일은 없다. 그 때문에, 상술한 바와 같이, 열연 강판의 화학 조성 및 석출물의 상태는, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판과 공통되어 있다.

열연 공정은 석출물 제어를 행하고, 자기 특성을 확보하기 위해 중요한 공정이다. 열연 공정에 있어서는 열간 압연을 실시하기 전에, 슬래브의 온도가 1000 내지 1050℃가 되는 범위 내에서 30분 이상 유지한다. 계속해서, 900 내지 1000℃의 온도 범위 내에서의 누적 압하율이 70％ 이상이 되도록 열간 압연을 행한다. 그리고, 열간 압연을 실시한 후에, 열연 강판의 온도가 700℃ 이상 780℃ 미만이 되는 범위 내에서 30분 이상 유지한다.

상술한 바와 같이, B 함유량이 N 함유량에 대하여 과잉이 되는지 부족한지를, 제강 공정에 있어서 판단하는 것은 기술상 매우 곤란하다. 그러나, 열연 공정에 있어서 상기의 제조 조건을 만족함으로써, B 함유량이 N 함유량에 대하여 과잉이 되는 경우, 및 부족한 경우 중 어느 것에도 대응하는 것이 가능하다. 각각의 경우에 대해서, 이하에 상세하게 설명한다.

먼저, B 함유량이 N 함유량에 대하여 과잉인 경우, B를 사용하여 N을 고정함으로써 AlN량을 억제할 수 있으므로, N_AlN 함유량을 0.0005％ 이하로 하는 것이 가능하다. 한편, 잉여의 B가 발생함으로써, sol.B 함유량이 0.0005％를 초과할 우려가 있다. 그래서, BN 이외의 B 석출물을 생성시켜서, 고용 B 함유량을 억제할 필요가 있다. B는 탄화물을 생성하기는 하지만, B 탄화물의 석출 온도는 비교적 낮다. 그 때문에, 900 내지 1000℃의 온도 범위 내에서의 누적 압하율을 70％ 이상으로 함으로써 B 탄화물의 석출을 촉진하는 것이 가능해진다.

또한, 상기의 조건에서 열간 압연을 행함으로써 B 탄화물은 석출 촉진되지만, 일부의 B는 고용 상태 그대로 열연 후의 강판 중에 잔존할 가능성이 있다. 그러나, 열간 압연을 실시한 후에, 열연 강판의 온도가 700℃ 이상 780℃ 미만이 되는 범위 내에서 30분 이상 유지함으로써, 이 고용 B를 석출시키는 것이 가능해진다. B 탄화물은 유지 온도가 700℃ 미만이어도 석출되지 않고, 780℃ 이상이면 용해되어 버리기 때문이다.

다음으로, B 함유량이 N 함유량에 대하여 부족한 경우, sol.B를 0.0005％ 이하로 할 수 있지만, AlN의 생성을 억제할 필요가 있다. 본 발명에서는, Ti, Nb, V 및 Zr의 질화물을 생성시킴으로써, 결정립 성장에 유해한 AlN의 생성을 억제한다. 이들 질화물은 비교적 미세하기 때문에, 본 공정에서 충분히 성장시켜 둘 필요가 있다. 그 때문에, 열간 압연을 실시하기 전에, 슬래브의 온도가 1000 내지 1050℃가 되는 범위 내에서 30분 이상 유지함과 함께, 열간 압연을 실시한 후에, 열연 강판의 온도가 700℃ 이상 780℃ 미만이 되는 범위 내에서 30분 이상 유지한다. 이에 의해, Ti, Nb, V 및 Zr을 사용하여 N을 고정하고, AlN량을 억제함으로써, N_AlN 함유량을 0.0005％ 이하로 하는 것이 가능해진다.

또한, 열연 공정에서의 압하율에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 90％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 얻어지는 열연 강판의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 1.0 내지 4.0mm인 것이 바람직하고, 2.0 내지 3.0mm인 것이 보다 바람직하다.

(c) 산세 공정

산세 공정에 있어서, 열연 공정에 의해 얻어진 열연 강판에 대하여 산세를 실시한다. 산세 조건은 특별히 한정되지 않고, 무방향성 전자 강판의 제조 조건에 있어서의 통상의 범위 내로 하면 된다.

(d) 냉연 공정

냉연 공정에 있어서, 산세 후의 열연 강판에 대하여 냉간 압연을 실시하여, 냉연 강판으로 한다. 냉간 압연 조건은 특별히 한정되지 않고, 무방향성 전자 강판의 제조 조건에 있어서의 통상의 범위 내로 하면 된다. 예를 들어, 냉연 공정에서의 압하율에 대해서는, 50 내지 95％로 하는 것이 바람직하고, 75 내지 85％로 하는 것이 보다 바람직하다.

(e) 마무리 어닐링 공정

마무리 어닐링 공정에 있어서, 냉연 공정에 의해 얻어진 냉연 강판에 대하여 마무리 어닐링을 실시한다. 마무리 어닐링 공정에 있어서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 공지된 조건을 적절히 사용할 수 있다. 단, 냉연 강판의 가열 속도를 증가시킴으로써, 자속 밀도를 높일 수 있으므로 바람직하다. 따라서, 마무리 어닐링 공정에서의 가열 속도를 20℃/s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 가열 속도란, 냉연 강판의 가열 개시 온도와 균열 온도의 차를, 가열 개시 온도로부터 균열 온도에 이르기까지의 시간으로 나눈 값, 즉 가열 개시 온도로부터 균열 온도까지의 평균 가열 속도이다.

또한, 마무리 어닐링 공정에 있어서, 최고 도달 온도(냉연 강판의 온도)가 850℃ 이상이 되면, 결정 입경이 너무 커져, 응력 제거 어닐링 전에 실시되는 펀칭 가공에서 불량이 발생할 가능성이 있다. 이것을 회피하기 위해, 최고 도달 온도는 850℃ 미만으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 최고 도달 온도가 800℃에 미치지 않으면, 재결정이 불충분해져서 펀칭 가공에서 불량이 발생할 가능성이 있다. 이것을 회피하기 위해, 최고 도달 온도를 800℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 결정 입경이 너무 커져, 응력 제거 어닐링 전에 실시되는 펀칭 가공에서 불량이 발생하는 것을 회피하기 위해, 냉연 강판의 온도가 800℃ 이상이 되는 시간을 15초 이하로 하는 것이 바람직하다.

이상의 공정을 거쳐서 제조되는 무방향성 전자 강판의 두께에 대해서, 특별히 제한은 없지만, 0.1 내지 1.0mm인 것이 바람직하고, 0.2 내지 0.7mm인 것이 보다 바람직하다.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

실시예

제강 공정, 열연 공정, 산세 공정, 냉연 공정 및 마무리 어닐링 공정을 차례로 행함으로써, 무방향성 전자 강판을 제작하였다. 무방향성 전자 강판의 화학 조성을 표 1에 나타내고, 이들의 제조 조건을 표 2에 나타낸다. 또한, 각 강판에 대해서, 동일한 조건으로 5회 제조하였다.

얻어진 무방향성 전자 강판에 대해서, 이하의 방법에 의해, sol.B 및 N_AlN의 함유량을 측정하였다.

먼저, 무방향성 전자 강판으로부터 시험편을 잘라내어, 10％ 아세틸아세톤-1％ 테트라메틸암모늄클로라이드/메탄올에서, 20mA/㎠의 전류 밀도로 약 0.4g 전해하였다. 그 전해에 사용한 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 필터로 여과하고, 필터 상에 포집된 추출 잔사에 대해서, ICP 발광 분광 분석법을 사용함으로써 추출 잔사 중의 B 함유량을 측정하였다. 그리고, 강 중의 B 함유량으로부터 추출 잔사 중의 B 함유량을 차감한 값을, sol.B의 함유량으로 하였다.

마찬가지로, 무방향성 전자 강판으로부터 시험편을 잘라내어, 10％ 아세틸아세톤-1％ 테트라메틸암모늄클로라이드/메탄올에서, 20mA/㎠의 전류 밀도로 약 0.4g 전해하였다. 그 전해에 사용한 용액을 구멍 직경 0.2㎛의 필터로 여과하고, 필터 상에 포집된 추출 잔사에 대해서, ICP 발광 분광 분석법을 사용함으로써 추출 잔사 중의 Al 함유량을 측정하였다. 그리고, 추출 잔사 중의 Al 함유량에 14/27을 곱함으로써 추출 잔사 중의 N 함유량을 구하여, N_AlN의 함유량으로 하였다.

sol.B 및 N_AlN의 함유량에 대해서는, 5개의 강판으로부터 얻어진 측정값을 평균하여, 각각의 측정 결과로 하였다.

계속해서, 얻어진 무방향성 전자 강판에 대하여 750℃에서 2시간 유지하는 응력 제거 어닐링을 실시하였다. 응력 제거 어닐링 후의 무방향성 전자 강판에 대해서, 이하의 특성 평가를 실시하였다.

(A) 응력 제거 어닐링 후의 철손

상술한 응력 제거 어닐링 후의 강판의 철손(W15/50)을, JIS C 2552:2014 「무방향성 전자 강대」에 준거하여 측정하였다. 응력 제거 어닐링 후의 강판의 W15/50이 5.0W/kg 이하인 무방향성 전자 강판을, 응력 제거 어닐링 후의 철손 특성이 우수한 것이라고 판단하였다.

(B) 응력 제거 어닐링 후의 자속 밀도

상술한 응력 제거 어닐링 후의 강판의 자속 밀도(B₅₀)를, JIS C 2552:2014 「무방향성 전자 강대」에 준거하여 측정하였다. 응력 제거 어닐링 후의 강판의 B₅₀이 1.70T 이상인 무방향성 전자 강판을, 응력 제거 어닐링 후의 자속 밀도가 우수한 것이라고 판단하였다.

(C) 응력 제거 어닐링에 있어서의 입성장성

상술한 응력 제거 어닐링 후의 강판의 평균 결정 입경을, 상술한 무방향성 전자 강판의 평균 결정 입경의 측정 방법과 동일한 방법을 사용하여 측정하였다. 응력 제거 어닐링 후의 평균 결정 입경이 50㎛ 이상인 무방향성 전자 강판은, 응력 제거 어닐링에 있어서의 입성장성이 양호하다고 판단되었다.

(D) 펀칭 가공성

응력 제거 어닐링을 행하기 전의, 마무리 어닐링 후의 무방향성 전자 강판을 사용하여 펀칭 가공성의 평가를 행하였다. 구체적으로는, 판 두께의 7％ 이상 12％ 이하의 클리어런스로 강판을 펀칭하였다. 펀칭부에 있어서의 버 높이를 측정하였다. 버 높이가 30㎛ 이하가 된 시료에 관해서는, 펀칭 가공성을 「양호」(기호 A)라고 판정하였다. 버 높이가 30㎛ 초과 100㎛ 이하가 된 시료에 관해서는, 펀칭 가공성을 「가능」(기호 B)이라고 판정하였다.

상기 평가 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 특성 평가는, 5개의 강판을 사용하여 실시하였다. 또한, 표 3에 있어서, 철손에 관해서는 평균값 및 최댓값을 나타내고, 자속 밀도에 관해서는 평균값 및 최솟값을 나타내고 있다.

표 3에 나타내어진 바와 같이, 본 발명의 규정을 충족하는 시험 No.1 내지 8, 29 및 30에서는, 우수한 자기 특성을 안정적으로 발휘하는 것을 알 수 있다. 한편, 화학 조성이 본 발명의 규정을 충족하지 않는 시험 No.9 내지 18에서는, 철손 및 자기 특성 중 적어도 어느 것이 열화되는 결과가 되었다.

또한, 시험 No.19 내지 24에서는, B 함유량이 N 함유량에 대하여 부족한 강을 사용하고 있어, 제조 조건이 부적절했기 때문에, N_AlN 함유량이 상한을 초과하고, 그 결과, 철손이 열화되는 결과가 되었다. 또한, 시험 No.25 내지 28에서는, B 함유량이 N 함유량에 대하여 과잉인 강을 사용하고 있어, 제조 조건이 부적절했기 때문에, 고용 B 함유량이 상한을 초과하고, 그 결과, 자속 밀도가 열화되는 결과가 되었다.

본 발명에 따르면, 응력 제거 어닐링 후의 결정립 성장이 양호하고, 또한 응력 제거 어닐링 후의 철손과 자속 밀도가 양호한 무방향성 전자 강판을 저비용으로 안정적으로 제공할 수 있다. 그 때문에, 본 발명은 매우 높은 산업상의 이용 가능성을 갖는다.

Claims

화학 조성이, 질량％로,
C: 0.0010 내지 0.0050％,
Si: 1.50％ 이하,
Mn: 0.10 내지 1.50％,
sol.Al: 0.010 내지 0.040％,
Ti: 0.0030％ 이하,
Nb: 0.0030％ 이하,
V: 0.0030％ 이하,
Zr: 0.0030％ 이하,
N: 0.0030％ 이하,
S: 0.0040％ 이하,
B: 0.0045％ 이하,
잔부: Fe 및 불순물이고,
하기 (i) 내지 (iv)식을 충족하는,
무방향성 전자 강판.
0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120 … (i)
0.5≤B/N≤1.5 … (ii)
sol.B≤0.0005 … (iii)
N_AlN≤0.0005 … (iv)
단, 상기 (i) 및 (ii)식 중의 원소 기호는 각 원소의 함유량(질량％)을 나타내고, 상기 (iii)식 중의 sol.B는 고용 B량(질량％)이고, 상기 (iv)식 중의 N_AlN은 AlN으로서 존재하는 N량(질량％)이다.
제1항에 있어서,
상기 화학 조성이, 상기 Fe의 일부 대신에, 질량％로,
Sn: 0.50％ 이하,
를 함유하는,
무방향성 전자 강판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
평균 결정 입경이 30㎛ 이하이고, 또한
750℃에서 2시간 유지하는 조건에서 응력 제거 어닐링을 행한 후의 평균 결정 입경이 50㎛ 이상인,
무방향성 전자 강판.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판을 제조하는 방법이며,
제1항 또는 제2항에 기재된 화학 조성을 갖는 슬래브를 제조하는 제강 공정과,
얻어진 상기 슬래브를 가열한 후에 열간 압연을 실시하여, 열연 강판으로 하는 열연 공정과,
상기 열연 강판에 대하여 산세를 실시하는 산세 공정과,
산세 후의 상기 열연 강판에 대하여 냉간 압연을 실시하여, 냉연 강판으로 하는 냉연 공정과,
상기 냉연 강판에 대하여 마무리 어닐링을 실시하는 마무리 어닐링 공정을 구비하고,
상기 열연 공정에 있어서,
열간 압연을 실시하기 전에, 상기 슬래브의 온도가 1000 내지 1050℃가 되는 범위 내에서 30분 이상 유지하고,
900 내지 1000℃의 온도 범위 내에서의 누적 압하율을 70％ 이상으로 하고,
열간 압연을 실시한 후에, 상기 열연 강판의 온도가 700℃ 이상 780℃ 미만이 되는 범위 내에서 30분 이상 유지하는,
무방향성 전자 강판의 제조 방법.
제4항에 있어서,
상기 마무리 어닐링 공정에 있어서, 20℃/s 이상의 평균 가열 속도로 800℃ 이상 850℃ 미만의 최고 도달 온도까지 가열하고, 또한 상기 냉연 강판의 온도가 800℃ 이상이 되는 시간을 15초 이하로 하는,
무방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판의 소재가 되는 열연 강판이며,
화학 조성이, 질량％로,
C: 0.0010 내지 0.0050％,
Si: 1.50％ 이하,
Mn: 0.10 내지 1.50％,
sol.Al: 0.010 내지 0.040％,
Ti: 0.0030％ 이하,
Nb: 0.0030％ 이하,
V: 0.0030％ 이하,
Zr: 0.0030％ 이하,
N: 0.0030％ 이하,
S: 0.0040％ 이하,
B: 0.0045％ 이하,
잔부: Fe 및 불순물이고,
하기 (i) 내지 (iv)식을 충족하는,
열연 강판.
0.0020≤Ti+Nb+V+Zr≤0.0120 … (i)
0.5≤B/N≤1.5 … (ii)
sol.B≤0.0005 … (iii)
N_AlN≤0.0005 … (iv)
단, 상기 (i) 및 (ii)식 중의 원소 기호는 각 원소의 함유량(질량％)을 나타내고, 상기 (iii)식 중의 sol.B는 고용 B량(질량％)이고, 상기 (iv)식 중의 N_AlN은 AlN으로서 존재하는 N량(질량％)이다.
제6항에 있어서,
상기 화학 조성이, 상기 Fe의 일부 대신에, 질량％로,
Sn: 0.50％ 이하,
를 함유하는,
열연 강판.