KR20230078654A - 디바이스의 이재 방법, 디바이스 이재기, 대상물의 이재 방법 및 대상물의 이재기 - Google Patents

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노부타카 우에모리
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슈사쿠 오자와
신이치 사토
다케토 우사미
마사미 구라타
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츠카사 아베
츠요시 노구치
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 제 1 기판 상에 배열된 디바이스를, 그 위치 어긋남을 보정하면서 제 2 기판으로 레이저광을 이용하여 이재(移載)하는 방법 및 장치를 제안한다. 제 1 기판 상의 디바이스의 실(實)위치 정보를 취득하고, 허용할 수 있는 위치 어긋남량에 의거하여 결정되는 기준에 따라 그룹 나누기를 하며, 각 그룹 단위로, 허용할 수 있는 위치 어긋남량의 범위에 디바이스의 위치가 들어가도록 제 1 기판의 위치를 보정하고, 제 1 기판의 배면으로부터 레이저광을 조사하여 디바이스를 제 2 기판으로 이재한다.

Description

디바이스의 이재 방법, 디바이스 이재기, 대상물의 이재 방법 및 대상물의 이재기
본 발명은, 디바이스의 이재(移載) 방법, 디바이스 이재기, 대상물의 이재 방법 및 대상물의 이재기에 관한 것이다.
근래, 질화물 반도체의 광 디바이스가 액정 디스플레이의 백 라이트나, 사이니지용 디스플레이로서 사용되도록 되고 있다. 이들 용도에서는, 한 번에 대량의 광 디바이스를 사용하기 때문에, 고속의 이재 기술이 요구되고 있다. 고속의 이재 기술로는, 스템프 방식 등에 의한 일괄 이재가 행하여지고 있으며, 한 번에 1000∼수만 개 정도의 이재가 될 수 있도록 되어져 있다.
100㎛ 정도의 사이즈까지의 미소(微小) 디바이스는, 종래의 반도체 디바이스의 제조 공정의 연장선 상에서 제조되고 있다. 반도체 웨이퍼에 다이싱 테이프를 첩부(貼付)하고, 기계식 다이서 또는, 레이저 조사(照射)에 의한 스크라이브 또는 내부 크랙 생성에 의해 디바이스를 분할하고, 다이싱 테이프를 잡아 늘임으로써, 핸들러가 픽업할 수 있도록 개개의 디바이스의 간격을 넓히고 있다. 다이싱 테이프의 잡아 늘림에 의한 위치 정밀도(精度)는 ±30㎛ 정도이다.
일본국 특개2014-036060 공보 일본국 특개2006-041500 공보
그러나, 다이싱 테이프의 잡아 늘임에 의한 위치 정밀도는 ±30㎛ 정도이고, 핸들러가 개개의 디바이스를 이재하기 위해 픽업하기에는 문제 없는 위치 정밀도이지만, 스템프 방식 등에 의한 일괄 이재를 행하는 경우, 이 위치 정밀도가 그대로 디바이스의 실장 정밀도가 되어 버린다는 과제가 있다.
특허문헌 1에서는 이재 전에 개개의 디바이스의 위치 어긋남량을 측정해 두고, 디바이스마다, 위치 어긋남량을 보정하면서, 첩합 시트로 이재하는 방법이 제안되어 있지만, 한 개씩 디바이스를 이재하기 때문에, 1대로는 방대한 시간이 걸려 버린다. 복수대 나란히 놓는 것도 생각되지만 코스트가 높아지고, 후공정의 고속 이재 기술을 살리지 못하고 있다.
또, 특허문헌 2에서는, 갈바노 스캐너를 이용하여 미소 디바이스를 선택적으로 고속으로 이재하는 기술에 대해서는 제안되어 있기는 하지만, 이재 대상인 디바이스의 배열에 있어서의 위치 어긋남의 보정 방법에 대해서는 언급이 없다.
그래서, 본 발명은, 상기의 문제점인 위치 정밀도의 향상과 고속성의 양립을 해결하기 위한 방법을 제안하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 디바이스를 이재하는 방법은, 디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판과, 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되고, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판을 이용하며, 제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 스텝과, 이상(理想)의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하는 스텝과, 이재하는 그룹을 선택하는 스텝과, 상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스텝과, 선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝을 갖는 것을 주요한 특징으로 하고 있다.
이것에 의해, 그룹마다 위치 어긋남량의 보정을 행하면서 디바이스를 이재함으로써, 이재된 모든 디바이스의 위치 정밀도가, 허용할 수 있는 위치 어긋남량 이내에 들어간 제 2 기판을 고속으로 제작할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 LED 공급 기판의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 LED의 배치를 나타내는 모식도이다.(본 도면에 있어서는 개개의 LED는 어느 정도의 위치 어긋남이 있다.)
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 LED의 실위치 정보 취득 시의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 LED의 그룹 나누기의 알고리즘을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 관한 디바이스 이재기의 이재 동작의 플로우를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 관한 디바이스 이재기의 가공 동작 플로우를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태의 일례에 대해서 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서는, 각 구성 요소를 도면 상에서 인식하기 쉽게 하기 위해, 각 구성 요소의 치수 및 비율을 실제의 것과는 적절히 다르게 하고 있다.
본 실시형태에서는 디바이스는, GaN(질화 갈륨)계 반도체의 LED(발광 다이오드)라고 하여 설명한다. 일반적으로 LED의 제조회사는, 사파이어 기판 상에 다수의 LED를 형성하고, 그 프로세스 후, 사파이어 기판에 다이싱 테이프를 첩부하고, 레이저를 이용한 다이서로 분할, 고정밀도 익스팬더로 다이싱 테이프를 잡아늘여, 개개의 LED를 소정의 간격으로 넓히고, 시트 또는 기판에 바꿔 옮겨, LED를 사용한 디스플레이의 제조회사에 공급하고 있다. 여기에서는, LED가 대체로 등간격으로 실장된 기판에 대한 처리를 설명한다.
우선, 도 1을 이용하여, LED 공급 기판의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 LED 공급 기판의 전체도이다. LED 공급 기판은, 본 실시형태에 관한 디바이스의 이재 방법으로 대상이 되는 디바이스를 실장한 기판의 일례이다.
LED 공급 기판은, 양면 연마된 합성 석영 기판(1)의 위에 하나의 디바이스로서의 LED(2)가, 복수개 매트릭스상으로 배치됨으로써 구성되어 있다. 각 LED(2)는, 소정의 정밀도 내에서 등간격으로 배열하고 있다. 각 LED의 위치 정밀도는, 합성 석영 기판(1)의 중심을 기준으로 수평 방향(XY)으로 등간격의 격자점을 LED의 이상 위치로 하여 그 격자점으로부터의 어긋남량, 격자점을 잇는 격자선으로부터의 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로서 정의되어 있다.
도 2에 LED(2), 격자점(3), 격자선(4)의 관계를 나타낸다. 상기 소정의 정밀도는, 다이싱 테이프의 특성 및 익스팬더의 기계적 정밀도 및 제어에 의존하며, 수평 방향(XY)으로 ±30㎛ 이내이고, 각각의 디바이스의 회전 방향(Θ)의 소정의 정밀도는 ±1도 이내로 되어 있다. 이재에 있어서 이용하는 각 LED(2)의 실위치 정보는, 외관 검사기로 미리 취득한 위치 정보를 좌표 변화하여 이용해도 되지만, 디바이스 이재기에 있어서 적시(適時) 취득하는 방법에 대해서 설명한다.
디바이스 이재기에 있어서 LED 공급 기판인 합성 석영 기판(1)과 캐리어 기판(7)은, 각각 XYΘ 상(上) 기판 스테이지와 XYZΘ 하(下) 기판 스테이지에 배치되어 있다. 도 3에 실위치 정보 취득 시의 모식도를 나타낸다. 디바이스 이재기는, 합성 석영 기판(1)의 중심을 기준으로, 관찰용의 경통(6)이 개개의 LED의 이상 위치에 대응하는 상기 격자점(5)의 바로 위(直上)에 오도록, 합성 석영 기판(1)을 이동한다. 디바이스 이재기의 제어부(도시하지 않음)는, 석영 기판(1)을 통해 LED(2)를 촬영하고, 화상 처리로 상기 격자점(5)으로부터의 위치 어긋남량을 산출한다. 도 3에 나타내는 바와 같이 LED의 간격 A, B는 동일하지 않고, 소정의 정밀도 내에서 불균일이 있다. 이것을 합성 석영 기판(1) 상의 모든 LED에 대해서 반복 축적하고, 실위치 정보로 한다. 아울러서 위치 어긋남 이외의 균열 결여 결손 등의 외관 검사를 행하고, 실위치 정보에 외관 불량 정보를 포함시켜도 된다.
다음으로 도 4를 이용하여, LED(2)의 그룹 나누기의 알고리즘을 설명한다. 모든 LED에 대해서 개별적으로 그룹 나누기의 판정을 행한다.
첫 번째 판정은, XYΘ의 위치 어긋남량이 모두 기준치 이내인가이며, 이 판정에 해당하는 경우는, 그 LED를 제 1 그룹에 추가한다. 여기에서 기준치는, 이재 후의 기판의 타겟으로 하는 허용 위치 어긋남량이며, XY는 각각 ±10㎛, 회전 방향으로 어긋나는 경우는 적으므로 Θ는, ±1㎛로 한다.
두 번째 판정은, X 양(正)방향의 어긋남량이 기준치 10㎛를 초과하고, 기준치의 3배인 30㎛ 이내인지 여부이며, 이 판정에 해당하는 경우는, 그 LED를 제 2 그룹에 추가한다.
세 번째 판정은, X 음(負)방향의 어긋남량이 기준치 -10㎛를 초과하고, 기준치의 3배인 -30㎛ 이내인지 여부이며, 이 판정에 해당하는 경우는, 그 LED를 제 3 그룹에 추가한다.
마찬가지로, Y 양음, XY의 비스듬한 4 방향 및 Θ 양음에 대해서도 판정을 행하고, 해당하는 경우는, 제 4 그룹∼제 11 그룹에 각각 추가한다.
어느 판정에도 해당되지 않는 경우는 위치 어긋남량이 허용치를 초과하고 있다고 하고, 또는 실위치 정보에 외관 불량 정보가 포함되는 경우는, 불량 LED 그룹으로서 관리한다.
다음으로 도 5를 이용하여, 디바이스 이재기의 이재 동작의 플로우를 설명한다.
우선, 최초의 스텝으로서, 하 기판 스테이지를 수수(受授) 위치로 이동시키고, 캐리어 기판을 세트하고, 얼라이먼트 위치에 로드, 외형 기준으로 얼라이먼트를 행한다. 구체적으로는 관찰용 경통을 이용하여 캐리어 기판의 단부(端部)를 검출하고, 원형의 기판에서는 오리엔테이션 플랫의 위치에서, 사각형의 기판에서는 단부와 모서리부의 위치에서, 스테이지의 좌표계에 맞추는 소정의 얼라이먼트 동작을 행하고, 세트한 캐리어 기판의 관찰용 경통 기준에서의 중심 좌표 및 회전 좌표를 보존한다. 얼라이먼트 동작 내에 있어서 회전 방향은 스테이지 좌표계에 맞도록 조정된 것이다.
제 2 스텝으로서, 상 기판 스테이지를 수수 위치로 이동시키고, 합성 석영 기판을 세트하고, 얼라이먼트 위치에 로드, LED 기준으로 얼라이먼트를 행한다. 구체적으로는 관찰용 경통을 이용하여 LED 배열의 단부를 찾고, 찾은 단부와, LED 배열의 모서리부에서 스테이지의 좌표계에 맞추는 소정의 얼라이먼트 동작을 행하고, 세트한 합성 석영 기판의 관찰용 경통 기준에서의 중심 좌표 및 회전 좌표를 보존한다. 얼라이먼트 동작 내에 있어서 회전 방향은 스테이지 좌표계에 맞도록 조정된 것이다.
제 3 스텝으로서, 제어부의 GUI로 LED의 배열 정보와 허용 위치 어긋남량을 입력한다. 입력하는 값은, 배열 정보로서 LED의 총 개수, 1행의 개수, X 방향의 열 피치, Y 방향의 행 피치, 허용 위치 어긋남량으로는 X 방향의 EX, Y 방향의 EY, Θ 방향의 EΘ이다. 또한 이 어긋남량은 플러스 방향 마이너스 방향 모두 같은 값으로서 취급한다.
제 4 스텝으로서, 입력된 배열 정보에 의거하여, 각 LED의 실위치 정보를 취득한다. 구체적으로는, 상기 합성 석영 기판의 중심 좌표와 입력된 배열 정보에 의거하여 모서리부의 LED의 이상 위치 좌표를 산출, 상 기판 스테이지를 그 이상 위치 좌표로 이동시킨다. 관찰용 경통으로 LED를 촬영하고, 화상 처리로 위치 어긋남량을 산출하고, 보존한다. 이것을 모든 LED에 대해서 반복하여, 실위치 정보로 한다.
제 5 스텝의 실위치 정보에 의거한 그룹 나누기는, 앞서 도 4를 이용하여 설명한 바와 같다.
제 6 스텝으로서, 그룹마다 가공 동작을 행한다. 구체적인 가공 동작은 도 5의 가공 동작 플로우를 이용하여 설명한다. 또한, 불량 LED의 그룹은 가공 동작을 스킵하는 것으로 한다. 불량 LED의 그룹으로 나누어진 LED가 있는 경우는 디바이스 이재기의 GUI 상에 그 취지를 표시한다.
가공 동작의 최초 스텝으로서, 기계적으로 정해져 있는 관찰용 경통과 갈바노 스캐너의 수평 거리, 앞서 취득한 합성 석영 기판의 관찰용 경통 기준의 중심 좌표와 캐리어 기판(5)의 관찰용 경통 기준의 중심 좌표를 이용하여, 합성 석영 기판과 캐리어 기판(5)을 갈바노 스캐너의 가공 중심으로 이동한다.
가공 동작의 제 2 스텝으로서, 하 기판 스테이지의 Z축에 있어서, 합성 석영 기판과 캐리어 기판(5)의 간극을, LED의 높이의 2배＋α, 예를 들면, 높이가 100㎛인 경우, 중심부에서의 간극을 220㎛가 되도록 이동시킨다. 간극을 중심부에서 결정하는 것은 합성 석영 기판의 크기에 따라 중심부가 처지기 때문이다. 재료에 의해 프로세스 레인지가 좁아져, 엄밀하게 조정할 필요가 있다면, 투명체를 검출할 수 있는 하이트 센서에 의해 매회 중심부의 간극을 측정해도 된다.
가공 동작의 제 3 스텝으로서, 현재 선택되어 있는 그룹에 포함되는 LED의 이상 위치 정보(좌표 데이터군)를 레이저 조사 위치로 하여 갈바노 스캐너의 제어부에 입력한다.
가공 동작의 제 4 스텝으로서, 현재 선택되어 있는 그룹에 따른 보정치로, 상 기판 스테이지를 이동시켜 합성 석영 기판과 캐리어 기판(5)의 상대 위치를 보정한다. 구체적으로 보정치에 대해서 설명한다. 예를 들면, 허용 위치 어긋남량 EX를 10㎛로 하면, X(＋)의 제 2 그룹은, X의 플러스 방향으로 10㎛ 초과, 30㎛ 이내에서 위치 어긋나고 있고, 그 외에는 기준치 이내이다. 이 경우의 보정치는, X 방향으로 -20㎛이다. 다른 그룹에 관해서도 마찬가지, 기준치의 2배로 부호를 반전시킨 값이 보정치가 된다.
가공 동작의 마지막 스텝으로서, 갈바노 스캐너의 제어부에 가공 지시를 행한다. 갈바노 스캐너의 제어부는, 그 지시를 받고, 입력된 좌표 데이터군에 의거하여, 레이저 조사 위치를 조정해 레이저에 발진 트리거를 보내고, 합성 석영 기판의 배면으로부터 LED에 조사한다는 동작을 모든 좌표 데이터에 대해서 행한다. 조사된 LED는, 열 기계적인 현상 및/또는 화학적인 폭발 현상에 의해 사출되어 캐리어 기판에 이재된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 상술했지만, 한편으로 본 발명에 대해서 다른 시점으로 표현하면 하기 (1)∼(42)와 같이 된다.
(1) 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 디바이스를 이재하는 방법으로서,
디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판과, 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되며, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 스텝과,
제 1 기판 상의 디바이스의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하는 스텝과,
이재하는 그룹을 선택하는 스텝과,
상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스텝과,
선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝을 갖는 디바이스의 이재 방법.
(2) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 기판면 방향의 세로(X) 및/또는 가로(Y) 및/또는 회전 방향(Θ)의 어긋남량이고, 상기 소정의 기준은, 상기 허용 위치 어긋남량 이하인, (1)에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(3) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 각각이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
X,Y,Θ의 양음 6가지에 있어서, 차례로, 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며 그 외의 5가지 각각이 상기 소정의 기준 이내인, 디바이스를 제 2∼7 그룹으로 하는 스텝으로 구성되는, (2)에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(4) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹에 추가하는 스텝과,
X,Y,Θ의 양음 6가지 XY의 양음 조합 4가지 합쳐서 10가지의 그룹 나누기 패턴 중, 적어도 하나 이상의 패턴을 선택하고, 상기 선택된 패턴으로, 차례로 비교를 행하여, 비교를 하고 있는 패턴이 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며, 또한, 그 외의 선택된 패턴이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를, 이어지는 선택된 패턴에 대응하는 그룹(제 2∼제 11)에 추가하는 스텝으로 구성되는, (2)에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(5) 제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보에는 불량 정보가 포함되어 있으며, 조사하기 위한 상기 선택한 그룹에, 불량 디바이스가 포함되지 않도록 그룹 나누기를 행하는, (1)∼(4) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(6) 레이저는, 갈바노 스캐너를 통해 조사되는, (1)∼(5) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(7) 상기 디바이스는, LED인 (1)∼(6) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(8) 상기 디바이스는, 상기 제 1 기판에 매트릭스상으로 배치되어 있는 (1)∼(7) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(9) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (1)∼(8) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(10) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (1)∼(9) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(11) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (1)∼(10) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 방법.
(12) 디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판으로부터 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되고, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판으로 당해 디바이스를 이재하는 디바이스 이재기로서,
제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
제 1 기판 상의 디바이스의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러와,
선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저광을 조사하는, 레이저 장치 및 갈바노 스캐너 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 이재기.
(13) 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 대상물을 이재하는 이재 방법으로서,
대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 위치하고 있는 영역을 갖는 제 1 기판과, 제 1 기판에 간극을 갖도록 대향하여 배치되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 스텝과,
제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 스텝과,
이재하는 그룹을 선택하는 스텝과,
선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝을 갖는 대상물의 이재 방법.
(14) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 (13)에 기재한 대상물의 이재 방법.
(15) 상기 제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 스텝은, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기되는 (13) 또는 (14)에 기재한 대상물의 이재 방법.
(16) 상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 (15)에 기재한 대상물의 이재 방법.
(17) 상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (14)∼(16) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(18) 상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (14)∼(17) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(19) 상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 (14)∼(18) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(20) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 (15)∼(19) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(21) 상기 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝은, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 연속해서 레이저를 조사하는 (13)∼(20) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(22) 상기 대상물은, 디바이스인 (13)∼(21) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(23) 상기 디바이스는, LED인 (22)에 기재한 대상물의 이재 방법.
(24) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (13)∼(23) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(25) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (13)∼(24) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(26) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (13)∼(25) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 방법.
(27) 대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태로 배치되어 있는 제 1 기판으로부터, 제 1 기판에 간극을 갖고 대향하도록 배치되는 제 2 기판으로 당해 대상물을 이재하는 대상물의 이재기로서,
제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 레이저광을 조사하는 레이저 장치 및 광학계를 포함하는, 대상물의 이재기.
(28) 상기 레이저 장치 및 광학계는, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 연속해서 레이저광을 조사하는 (27)에 기재한 대상물의 이재기.
(29) 상기 광학계는, 갈바노 스캐너 광학계인 (27) 또는 (28)에 기재한 대상물의 이재기.
(30) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 (27)∼(29) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(31) 상기 연산 처리 장치는, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기하는 (27)∼(30) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(32) 상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 (31)에 기재한 대상물의 이재기.
(33) 상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (27)∼(32) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(34) 상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (27)∼(33) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(35) 상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 (27)∼(34) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(36) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 (31)∼(35) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(37) 상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러를 갖는 (31)∼(36) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(38) 상기 대상물은, 디바이스인 (27)∼(37) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(39) 상기 디바이스는, LED인 (38)에 기재한 대상물의 이재기.
(40) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (27)∼(39) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(41) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (27)∼(40) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
(42) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (27)∼(41) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재기.
또, 본 발명에 대해서 추가로 다른 시점으로 표현하면 하기 (U1)∼(U42)와 같이 된다.
(U1) 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 디바이스를 이재하는 시스템으로서,
디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판과, 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되며, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 기구(機構)와,
제 1 기판 상의 디바이스의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하는 기구와,
이재하는 그룹을 선택하는 기구와,
상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 기구와,
선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 기구를 갖는 디바이스의 이재 시스템.
(U2) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 기판면 방향의 세로(X) 및/또는 가로(Y) 및/또는 회전 방향(Θ)의 어긋남량이고, 상기 소정의 기준은, 상기 허용 위치 어긋남량 이하인, (U1)에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U3) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 각각이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
X,Y,Θ의 양음 6가지에 있어서, 차례로, 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며 그 외의 5가지 각각이 상기 소정의 기준 이내인, 디바이스를 제 2∼7 그룹으로 하는 스텝으로 구성되는, (U2)에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U4) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹에 추가하는 스텝과,
X,Y,Θ의 양음 6방법 XY의 양음 조합 4가지 합쳐서 10가지의 그룹 나누기 패턴 중, 적어도 하나 이상의 패턴을 선택하고, 상기 선택된 패턴으로, 차례로 비교를 행하여, 비교를 하고 있는 패턴이 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며, 또한, 그 외의 선택된 패턴이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를, 이어지는 선택된 패턴에 대응하는 그룹(제 2∼제 11)에 추가하는 스텝으로 구성되는, (U2)에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U5) 제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보에는 불량 정보가 포함되어 있으며, 조사하기 위한 상기 선택한 그룹에, 불량 디바이스가 포함되지 않도록 그룹 나누기를 행하는, (U1)∼(U4) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U6) 레이저는, 갈바노 스캐너를 통해 조사되는, (U1)∼(U5) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U7) 상기 디바이스는, LED인 (U1)∼(U6) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U8) 상기 디바이스는, 상기 제 1 기판에 매트릭스상으로 배치되어 있는 (U1)∼(U7) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U9) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U1)∼(U8) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U10) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U1)∼(U9) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U11) 상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U1)∼(U10) 중 어느 것에 기재한 디바이스의 이재 시스템.
(U12) 디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판으로부터 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되고, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판으로 당해 디바이스를 이재하는 디바이스 이재기에 상기 제 1 기판을 설치한, 기판이 설치된 디바이스 이재기로서,
제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
제 1 기판 상의 디바이스의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러와,
선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저광을 조사하는, 레이저 장치 및 갈바노 스캐너 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판이 설치된 디바이스 이재기.
(U13) 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 대상물을 이재하는 이재 시스템으로서,
대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 위치하고 있는 영역을 갖는 제 1 기판과, 제 1 기판에 간극을 갖도록 대향하여 배치되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 기구와,
제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 기구와,
이재하는 그룹을 선택하는 기구와,
선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 기구를 갖는 대상물의 이재 시스템.
(U14) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 (U13)에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U15) 상기 제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 기구는, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기하는 (U13) 또는 (U14)에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U16) 상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 (U15)에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U17) 상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (U14)∼(U16) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U18) 상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (U14)∼(U17) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U19) 상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 (U14)∼(U18) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U20) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 (U15)∼(U19) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U21) 상기 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 기구는, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 연속해서 레이저를 조사하는 (U13)∼(U20) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U22) 상기 대상물은, 디바이스인 (U13)∼(U21) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U23) 상기 디바이스는, LED인 (U22)에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U24) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U13)∼(U23) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U25) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U13)∼(U24) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U26) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U13)∼(U25) 중 어느 것에 기재한 대상물의 이재 시스템.
(U27) 대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태로 배치되어 있는 제 1 기판으로부터, 제 1 기판에 간극을 갖고 대향하도록 배치되는 제 2 기판으로 당해 대상물을 이재하는 대상물의 이재기에 상기 제 1 기판을 설치한, 기판이 설치된 대상물의 이재기로서,
제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 레이저광을 조사하는 레이저 장치 및 광학계를 포함하는, 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U28) 상기 레이저 장치 및 광학계는, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 연속해서 레이저광을 조사하는 (U27)에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U29) 상기 광학계는, 갈바노 스캐너 광학계인 (U27) 또는 (U28)에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U30) 상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 (U27)∼(U29) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U31) 상기 연산 처리 장치는, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기하는 (U27)∼(U30) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U32) 상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 (U31)에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U33) 상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (U27)∼(U32) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U34) 상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 (U27)∼(U33) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U35) 상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 (U27)∼(U34) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U36) 상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 (U31)∼(U35) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U37) 상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러를 갖는 (U31)∼(U36) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U38) 상기 대상물은, 디바이스인 (U27)∼(U37) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U39) 상기 디바이스는, LED인 (U38)에 기재한 대상물의 기판이 설치된 이재기.
(U40) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U27)∼(U39) 중 어느 것에 기재한 대상물의 기판이 설치된 이재기.
(U41) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U27)∼(U40) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
(U42) 상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 (U27)∼(U41) 중 어느 것에 기재한 기판이 설치된 대상물의 이재기.
또, 각종 기구는 별개의 기구가 별개의 기능을 갖고 있어도 되고, 하나의 기구가 복수의 기능을 갖고 있어도 된다.
본 발명은, 디바이스의 이재 방법 및 디바이스 이재기에 이용할 수 있다.
1: 합성 석영 기판 2: LED
3: 격자점 4: 격자선
5: 캐리어 기판 6: 관찰용 경통

Claims (42)

  1. 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 디바이스를 이재(移載)하는 방법으로서,
    디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판과, 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되며, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
    제 1 기판 상의 디바이스의 실(實)위치 정보를 취득하는 스텝과,
    제 1 기판 상의 디바이스의 이상(理想)의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하는 스텝과,
    이재하는 그룹을 선택하는 스텝과,
    상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스텝과,
    선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝을 갖는 디바이스의 이재 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 기판면 방향의 세로(X) 및/또는 가로(Y) 및/또는 회전 방향(Θ)의 어긋남량이고, 상기 소정의 기준은, 상기 허용 위치 어긋남량 이하인, 디바이스의 이재 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 각각이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
    X,Y,Θ의 양음(正負) 6가지에 있어서, 차례로, 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며 그 외의 5가지 각각이 상기 소정의 기준 이내인, 디바이스를 제 2∼7 그룹으로 하는 스텝으로 구성되는, 디바이스의 이재 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를 제 1 그룹에 추가하는 스텝과,
    X,Y,Θ의 양음 6가지 및 XY의 양음 조합 4가지를 합쳐서 10가지의 그룹 나누기 패턴 중, 적어도 하나 이상의 패턴을 선택하고, 상기 선택된 패턴으로, 차례로 비교를 행하여, 비교를 하고 있는 패턴이 상기 소정의 기준을 초과하고 또한 당해 소정의 기준 값의 3배 이내이며, 또한, 그 외의 선택된 패턴이 상기 소정의 기준 이내인 디바이스를, 이어지는 선택된 패턴에 대응하는 그룹(제 2∼제 11)에 추가하는 스텝으로 구성되는, 디바이스의 이재 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보에는 불량 정보가 포함되어 있으며, 조사하기 위한 상기 선택한 그룹에, 불량 디바이스가 포함되지 않도록 그룹 나누기를 행하는, 디바이스의 이재 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    레이저는, 갈바노 스캐너를 통해 조사되는, 디바이스의 이재 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스는, LED인 디바이스의 이재 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스는, 상기 제 1 기판에 매트릭스상(狀)으로 배치되어 있는 디바이스의 이재 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 디바이스의 이재 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 디바이스의 이재 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디바이스는, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 디바이스의 이재 방법.
  12. 디바이스가 제 1 기판의 표면에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 대략 등간격으로 실장되어 있는 제 1 기판으로부터 제 1 기판에 대략 균일한 간극을 갖고 대향하도록 배치되고, 표면에 접착층을 갖도록 구성되어 있는 제 2 기판으로 당해 디바이스를 이재하는 디바이스 이재기로서,
    제 1 기판 상의 디바이스의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
    제 1 기판 상의 디바이스의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 디바이스를 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
    상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러와,
    선택한 그룹에 포함되는 디바이스에만 연속해서 제 1 기판의 배면으로부터 레이저광을 조사하는, 레이저 장치 및 갈바노 스캐너 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 이재기.
  13. 제 1 기판으로부터 제 2 기판으로 대상물을 이재하는 이재 방법으로서,
    대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태에서 위치하고 있는 영역을 갖는 제 1 기판과, 제 1 기판에 간극을 갖도록 대향하여 배치되어 있는 제 2 기판을 이용하고,
    제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 스텝과,
    제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 스텝과,
    이재하는 그룹을 선택하는 스텝과,
    선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝을 갖는 대상물의 이재 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 대상물의 이재 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하는 스텝은, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기되는 대상물의 이재 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 대상물의 이재 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 대상물의 이재 방법.
  18. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 대상물의 이재 방법.
  19. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 대상물의 이재 방법.
  20. 제 15 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
    상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 대상물의 이재 방법.
  21. 제 13 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 레이저를 조사하여 제 2 기판으로 이재하는 스텝은, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에 연속해서 레이저를 조사하는 대상물의 이재 방법.
  22. 제 13 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 디바이스인 대상물의 이재 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 디바이스는, LED인 대상물의 이재 방법.
  24. 제 13 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재 방법.
  25. 제 13 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재 방법.
  26. 제 13 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재 방법.
  27. 대상물이 제 1 기판에 허용 위치 어긋남량을 초과하는 상태로 배치되어 있는 제 1 기판으로부터, 제 1 기판에 간극을 갖고 대향하도록 배치되는 제 2 기판으로 당해 대상물을 이재하는 대상물의 이재기로서,
    제 1 기판 상의 대상물의 실위치 정보를 취득하는 화상 처리 장치와,
    제 1 기판 상의 대상물의 이상의 위치 정보와 상기 실위치 정보를 비교하여, 대상물을 그룹 나누기하고, 이재하는 그룹을 선택하는 연산 처리 장치와,
    선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 레이저광을 조사하는 레이저 장치 및 광학계를 포함하는, 대상물의 이재기.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 레이저 장치 및 광학계는, 선택한 그룹에 포함되는 대상물에만 연속해서 레이저광을 조사하는 대상물의 이재기.
  29. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 광학계는, 갈바노 스캐너 광학계인 대상물의 이재기.
  30. 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 허용 위치 어긋남량은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 어긋남량, 가로(Y)의 어긋남량 및 회전 방향(Θ)의 어긋남량으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 대상물의 이재기.
  31. 제 27 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 허용 위치 어긋남량으로부터 결정되는 소정의 기준으로 그룹 나누기하는 대상물의 이재기.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 허용 위치 어긋남량은, 상기 소정의 기준인 대상물의 이재기.
  33. 제 27 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 세로(X)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 대상물의 이재기.
  34. 제 27 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 가로(Y)의 허용 위치 어긋남량은, ±10㎛ 이내인 대상물의 이재기.
  35. 제 27 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)의 허용 위치 어긋남량은, ±1도 이내인 대상물의 이재기.
  36. 제 31 항 내지 제 35 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그룹 나누기는, 이상 위치 정보와 실위치 정보를 비교하여, XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물을 제 1 그룹으로 하는 스텝과,
    상기 제 1 그룹으로 판정되어 있지 않은 XYΘ의 나머지 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준 이내인 대상물, 또는, 상기 제 1 그룹으로 판정된 XYΘ 중 적어도 하나가 상기 소정의 기준을 초과하는 대상물을 제 2 그룹으로 하는 스텝을 갖는 대상물의 이재기.
  37. 제 31 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선택된 그룹의 상기 소정의 기준에 의거하여 제 1 기판과 제 2 기판의 상대 위치를 기판의 면 방향으로 보정하는 스테이지 및 스테이지 콘트롤러를 갖는 대상물의 이재기.
  38. 제 27 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 디바이스인 대상물의 이재기.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 디바이스는, LED인 대상물의 이재기.
  40. 제 27 항 내지 제 39 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 세로(X)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재기.
  41. 제 27 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 가로(Y)에서 ±30㎛ 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재기.
  42. 제 27 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대상물은, 이상 위치 정보에 대한 제 1 기판면 방향의 회전 방향(Θ)에서 ±1도 이내의 정밀도 내에서 배열하고 있는 대상물의 이재기.
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