JP2022056397A - デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機 - Google Patents

デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機 Download PDF

Info

Publication number
JP2022056397A
JP2022056397A JP2021157039A JP2021157039A JP2022056397A JP 2022056397 A JP2022056397 A JP 2022056397A JP 2021157039 A JP2021157039 A JP 2021157039A JP 2021157039 A JP2021157039 A JP 2021157039A JP 2022056397 A JP2022056397 A JP 2022056397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
position information
transferring
group
deviation amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021157039A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022056397A5 (ja
Inventor
裕 山岡
Yutaka Yamaoka
悟基 仲田
Satoki Nakada
信隆 植森
Nobutaka Uemori
剛 齋藤
Takeshi Saito
周作 小沢
Shusaku OZAWA
伸一 佐藤
Shinichi Sato
健人 宇佐美
Taketo Usami
昌実 倉田
Masami Kurata
正彦 佐藤
Masahiko Sato
司 阿部
Tsukasa Abe
毅 野口
Takeshi Noguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of JP2022056397A publication Critical patent/JP2022056397A/ja
Publication of JP2022056397A5 publication Critical patent/JP2022056397A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/081—Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/0882—Control systems for mounting machines or assembly lines, e.g. centralized control, remote links, programming of apparatus and processes as such
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

【課題】第１基板上に配列されたデバイスを、その位置ズレを補正しながら第２基板へレーザ光を用いて移載する方法及び装置を提案する。【解決手段】第１基板上のデバイスの実位置情報を取得し、許容できる位置ズレ量に基づき決定される基準に従いグループ分けをし、各グループ単位にて、許容できる位置ズレ量の範囲にデバイスの位置収まるよう第１基板の位置を補正し、第１基板の背面よりレーザ光を照射してデバイスを第２基板へ移載する。【選択図】図５

Description

本発明は、デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機に関する。
近年、窒化物半導体の光デバイスが液晶ディスプレイのバックライトや、サイネージ用ディスプレイとして使われるようになっている。これらの用途では、一度に大量の光デバイスを使用するため、高速な移載技術が求められている。高速な移載技術としては、スタンプ方式等による一括移載が行われており、一度に１０００～数万個程度の移載ができるようになってきている。
１００μｍ程度のサイズまでの微小デバイスは、従来の半導体デバイスの製造工程の延長線上で製造されている。半導体ウェハにダイシングテープを貼付け、機械式ダイサー又は、レーザ照射によるスクライブ又は内部クラック生成によりデバイスを分割し、ダイシングテープを引き伸ばすことで、ハンドラがピックアップできるよう個々のデバイスの間隔を広げている。ダイシングテープの引き伸ばしによる位置精度は±３０μｍ程度である。
特開２０１４－０３６０６０ 特開２００６－０４１５００
しかし、ダイシングテープの引き伸ばしによる位置精度は±３０μｍ程度であり、ハンドラが個々のデバイスを移載するためにピックアップするには問題ない位置精度であるが、スタンプ方式等による一括移載を行う場合、この位置精度がそのままデバイスの実装精度になってしまうという課題がある。
特許文献１では移載前に個々のデバイスの位置ズレ量を測定しておき、デバイス毎、位置ズレ量を補正しつつ、張り合わせシートへ移載する方法が提案されているが、一つずつデバイスを移載するために、１台では膨大な時間が掛かってしまう。複数台並べることも考えられるがコスト高となり、後工程の高速移載技術を生かすことができていない。
また、特許文献２では、ガルバノスキャナを用い微小デバイスを選択的に高速で移載する技術については提案されているものの、移載対象であるデバイスの配列における位置ズレの補正方法については言及がない。
そこで、本発明は、上記の問題点である位置精度の向上と高速性の両立を解決するための方法を提案するものである。
上記の課題を解決するために、本発明の第１基板から第２基板へデバイスを移載する方法は、デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板と、第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板を用い、第１基板上のデバイスの実位置情報を取得するステップと、理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けするステップと、移載するグループを選択するステップと、前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステップと、選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザを照射して第２基板へ移載するステップと、を有することを主要な特徴としている。
これにより、グループ毎に位置ズレ量の補正を行いながらデバイスを移載することで、移載された全てのデバイスの位置精度が、許容できる位置ズレ量以内に収まった第２基板を高速で製作することができるという効果がある。
本発明の実施の形態にかかるＬＥＤ供給基板の構成を示す図である。 本発明の実施の形態にかかるＬＥＤの配置を示す模式図である。（本図においては個々のＬＥＤはある程度の位置ズレがある。） 本発明の実施の形態にかかるＬＥＤの実位置情報取得時の模式図である。 本発明の実施の形態にかかるＬＥＤのグループ分けのアルゴリズムを示す図である。 本発明の実施の形態にかかるデバイス移載機の移載動作のフローを示す図である。 本発明の実施の形態にかかるデバイス移載機の加工動作フローを示す図である。
以下、本発明の実施の形態の一例について説明する。なお、全ての図面においては、各構成要素を図面上で認識し易くするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせている。
本実施の形態ではデバイスは、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体のＬＥＤ（発光ダイオード）であるとして説明する。一般にＬＥＤの製造会社は、サファイア基板上に多数のＬＥＤを形成し、そのプロセス後、サファイア基板にダイシングテープを貼付け、レーザを用いたダイサーにて分割、高精度エキスパンダにてダイシングテープを引き伸ばして、個々のＬＥＤを所定の間隔に広げ、シート又は基板に移し替えて、ＬＥＤを使ったディスプレイの製造会社に供給している。ここでは、ＬＥＤが概ね等間隔に実装された基板についての処理を説明する。
まず、図１を用いて、ＬＥＤ供給基板の構成について説明する。図１はＬＥＤ供給基板の全体図である。ＬＥＤ供給基板は、本実施の形態にかかるデバイスの移載方法で対象となるデバイスを実装した基板の一例である。
ＬＥＤ供給基板は、両面研磨された合成石英基板１の上に１デバイスとしてのＬＥＤ２が、複数個マトリクス状に配置されることで構成されている。各ＬＥＤ２は、所定の精度内で等間隔に配列している。各ＬＥＤの位置精度は、合成石英基板１の中心を基準に水平方向ＸＹに等間隔の格子点をＬＥＤの理想位置としてその格子点からのズレ量、格子点を結ぶ格子線からの回転方向Θのズレ量として定義されている。
図２にＬＥＤ２、格子点３、格子線４の関係を示す。前記所定の精度は、ダイシングテープの特性及びエキスパンダの機械的精度及び制御に依存し、水平方向ＸＹで±３０μｍ以内であり、夫々のデバイスの回転方向Θの所定の精度は±１度以内となっている。移載において用いる各ＬＥＤ２の実位置情報は、外観検査機であらかじめ取得した位置情報を座標変換し用いても良いが、デバイス移載機において適時取得する方法について説明する。
デバイス移載機においてＬＥＤ供給基板である合成石英基板１とキャリア基板７は、夫々ＸＹΘ上基板ステージとＸＹＺΘ下基板ステージに配置されている。図３に実位置情報取得時の模式図を示す。デバイス移載機は、合成石英基板１の中心を基準に、観察用の鏡筒６が個々のＬＥＤの理想位置に対応する前記格子点５の直上に来るように、合成石英基板１を移動する。デバイス移載機の制御部（図示せず）は、石英基板１を通してＬＥＤ２を撮影し、画像処理にて前記格子点５からの位置ズレ量を算出する。図３に示すようにＬＥＤの間隔Ａ、Ｂは同じではなく、所定の精度内でばらつきがある。これを合成石英基板１上の全てのＬＥＤについて繰り返し蓄積し、実位置情報とする。合わせて位置ズレ以外の割れ欠け欠損などの外観検査を行い、実位置情報に外観不良情報を含めても良い。
次に図４を用いて、ＬＥＤ２のグループ分けのアルゴリズムを説明する。全てのＬＥＤについて個別にグループ分けの判定を行う。
１つ目の判定は、ＸＹΘの位置ズレ量が全て基準値以内か、であり、この判定に該当する場合は、そのＬＥＤを第１グループに追加する。ここで基準値は、移載後の基板のターゲットとする許容位置ズレ量であり、ＸＹはそれぞれ±１０μｍ、回転方向にズレることは少ないのでΘは、±１μｍとする。
２つ目の判定は、Ｘ正方向のズレ量が基準値１０μｍを超え、基準値の３倍である３０μｍ以内か否か、であり、この判定に該当する場合は、そのＬＥＤを第２グループに追加する。
３つ目の判定は、Ｘ負方向のズレ量が基準値－１０μｍを超え、基準値の３倍である－３０μｍ以内か否か、であり、この判定に該当する場合は、そのＬＥＤを第３グループに追加する。
同様に、Ｙ正負、ＸＹの斜め４方向及びΘ正負についても判定を行い、該当する場合は、第４グループ～第１１グループにそれぞれ追加する。
いずれの判定にも該当しない場合は位置ズレ量が許容値を超えているとし、又は実位置情報に外観不良情報が含まれる場合は、不良ＬＥＤグループとして管理する。
次に図５を用いて、デバイス移載機の移載動作のフローを説明する。
まず、最初のステップとして、下基板ステージを受け渡し位置に移動させ、キャリア基板をセットし、アライメント位置にロード、外形基準でアライメントを行う。具体的には観察用鏡筒を用いキャリア基板の端部を検出し、円形の基板ではオリフラの位置で、四角形の基板では端部と角部の位置で、ステージの座標系に合わせる所定のアライメント動作を行い、セットしたキャリア基板の観察用鏡筒基準での中心座標及び回転座標を保存する。アライメント動作内において回転方向はステージ座標系に合うように調整済みである。
第２のステップとして、上基板ステージを受け渡し位置に移動させ、合成石英基板をセットし、アライメント位置にロード、ＬＥＤ基準でアライメントを行う。具体的には観察用鏡筒を用いＬＥＤ配列の端部を探し、探した端部と、ＬＥＤ配列の角部でステージの座標系に合わせる所定のアライメント動作を行い、セットした合成石英基板の観察用鏡筒基準での中心座標及び回転座標を保存する。アライメント動作内において回転方向はステージ座標系に合うように調整済みである。
第３のステップとして、制御部のＧＵＩにてＬＥＤの配列情報と許容位置ズレ量を入力する。入力する値は、配列情報としてＬＥＤの総個数、1行の個数、Ｘ方向の列ピッチ、Ｙ方向の行ピッチ、許容位置ズレ量としてはＸ方向のＥＸ、Ｙ方向のＥＹ、Θ方向のＥΘである。なおこのズレ量はプラス方向マイナス方向とも同値として扱う。
第４のステップとして、入力された配列情報に基づき、各ＬＥＤの実位置情報を取得する。具体的には、前記合成石英基板の中心座標と入力された配列情報に基づき角部のＬＥＤの理想位置座標を算出、上基板ステージをその理想位置座標に移動させる。観察用鏡筒にてＬＥＤを撮影し、画像処理にて位置ズレ量を算出し、保存する。これを全てのＬＥＤについて繰り返し、実位置情報とする。
第５のステップの実位置情報に基づいたグループ分けは、先に図４を用いて説明した通りである。
第６のステップとして、グループ毎に加工動作を行う。具体的な加工動作は図５の加工動作フローを用いて説明する。尚、不良ＬＥＤのグループは加工動作をスキップするものとする。不良ＬＥＤのグループに振り分けられたＬＥＤがある場合はデバイス移載機のＧＵＩ上にその旨を表示する。
加工動作の最初のステップとして、機械的に定められている観察用鏡筒とガルバノスキャナの水平距離、先に取得した合成石英基板の観察用鏡筒基準の中心座標とキャリア基板５の観察用鏡筒基準の中心座標を用い、合成石英基板とキャリア基板５をガルバノスキャナの加工中心に移動する。
加工動作の第２ステップとして、下基板ステージのＺ軸にて、合成石英基板とキャリア基板５の間隙を、ＬＥＤの高さの２倍＋α、例えば、高さが１００μｍ場合、中心部での間隙を２２０μｍになるように移動させる。間隙を中心部で決めるのは、合成石英基板の大きさによって中心部が垂れ下がるためである。材料によりプロセスレンジが狭くなり、厳密に調整する必要があれば、透明体を検出できるハイトセンサによって毎回中心部の間隙を測定しても良い。
加工動作の第３ステップとして、現在選択されているグループに含まれるＬＥＤの理想位置情報（座標データ群）をレーザ照射位置としてガルバノスキャナの制御部に入力する。
加工動作の第４ステップとして、現在選択されているグループに応じた補正値で、上基板ステージを移動させ合成石英基板とキャリア基板５の相対位置を補正する。具体的に補正値について説明する。例えば、許容位置ズレ量ＥＸを１０μｍとすると、Ｘ（＋）の第２グループは、Ｘのプラス方向に１０μｍ超、３０μｍ以内で位置ずれしており、他は基準値以内である。この場合の補正値は、Ｘ方向に－２０μｍである。他のグループに関しても同様、基準値の２倍で符号を反転させた値が補正値となる。
加工動作の最後のステップとして、ガルバノスキャナの制御部に加工指示を行う。ガルバノスキャナの制御部は、その指示を受けて、入力された座標データ群に基づき、レーザ照射位置を調整しレーザに発振トリガを送り、合成石英基板の背面よりＬＥＤに照射、という動作をすべての座標データについて行う。照射されたＬＥＤは、熱機械的な現象及び／又は化学的な爆発現象により射出されキャリア基板に移載される。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、一方で本発明について異なる視点から表現すると下記（１）～（４２）のようになる。
（１） 第１基板から第２基板へデバイスを移載する方法であって、
デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板と、第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板とを用い、
第１基板上のデバイスの実位置情報を取得するステップと、
第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けするステップと、
移載するグループを選択するステップと、
前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステップと、
選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザを照射して第２基板へ移載するステップと、
を有するデバイスの移載方法。
（２） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する基板面方向の縦（Ｘ）及び／又は横（Ｙ）及び／又は回転方向（Θ）のズレ量であり、前記所定の基準は、前記許容位置ズレ量以下である、（１）に記載のデバイスの移載方法。
（３） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘそれぞれが前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループとするステップと、
Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りにおいて、順番に、前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内でその他の５通りそれぞれが前記所定の基準以内である、デバイスを第２～７グループとするステップで構成される、（２）に記載のデバイスの移載方法。
（４） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループに追加するステップと、
Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りＸＹの正負組み合わせ４通り合わせて１０通りのグループ分けパターンうち、少なくとも１つ以上のパターンを選択し、前記選択されたパターンで、順番に比較を行い、比較をしているパターンが前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内で、かつ、その他の選択されたパターンが前記所定の基準以内であるデバイスを、続く選択されたパターンに対応するグループ（第２～第１１）に追加するステップで構成される、（２）に記載のデバイスの移載方法。
（５） 第１基板上のデバイスの実位置情報には不良の情報が含まれており、照射するための前記選択したグループに、不良デバイスが含まれないようにグループ分けを行う、（１）～（４）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（６） レーザは、ガルバノスキャナを通して照射される、（１）～（５）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（７） 前記デバイスは、ＬＥＤである（１）～（６）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（８） 前記デバイスは、前記第１基板にマトリクス状に配置されている（１）～（７）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（９） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（１）～（８）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（１０） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（１）～（９）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（１１） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（１）～（１０）のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
（１２） デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板から第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板へ当該デバイスを移載するデバイス移載機であって、
第１基板上のデバイスの実位置情報を取得する画像処理装置と、
第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラと、
選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザ光を照射する、レーザ装置及びガルバノスキャナ光学系を含むことを特徴とするデバイス移載機。
（１３） 第１基板から第２基板へ対象物を移載する移載方法であって、
対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で位置している領域を有する第１基板と、第１基板に間隙を有するように対向して配置されている第２基板とを用い、
第１基板上の対象物の実位置情報を取得するステップと、
第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けするステップと、
移載するグループを選択するステップと、
選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載するステップと、
を有する対象物の移載方法。
（１４） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む（１３）記載の対象物の移載方法。
（１５） 前記第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けするステップは、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けされる（１３）又は（１４）記載の対象物の移載方法。
（１６） 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である（１５）記載の対象物の移載方法。
（１７） 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（１４）～（１６）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（１８） 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（１４）～（１７）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（１９） 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である（１４）～（１８）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２０） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する（１５）～（１９）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２１） 前記選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載するステップは、選択したグループに含まれる対象物に連続してレーザを照射する（１３）～（２０）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２２） 前記対象物は、デバイスである（１３）～（２１）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２３） 前記デバイスは、ＬＥＤである（２２）記載の対象物の移載方法。
（２４） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（１３）～（２３）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２５） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（１３）～（２４）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２６） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（１３）～（２５）のいずれかに記載の対象物の移載方法。
（２７） 対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で配置されている第１基板から、第１基板に間隙を有して対向するよう配置される第２基板へ当該対象物を移載する対象物の移載機であって、
第１基板上の対象物の実位置情報を取得する画像処理装置と、
第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
選択したグループに含まれる対象物のみにレーザ光を照射するレーザ装置及び光学系を含む、対象物の移載機。
（２８） 前記レーザ装置及び光学系は、選択したグループに含まれる対象物のみに連続してレーザ光を照射する（２７）記載の対象物の移載機。
（２９） 前記光学系は、ガルバノスキャナ光学系である（２７）又は（２８）記載の対象物の移載機。
（３０） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む（２７）～（２９）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３１） 前記演算処理装置は、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けする（２７）～（３０）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３２） 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である（３１）記載の対象物の移載機。
（３３） 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（２７）～（３２）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３４） 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（２７）～（３３）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３５） 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である（２７）～（３４）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３６） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する（３１）～（３５）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３７） 前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラを有する（３１）～（３６）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３８） 前記対象物は、デバイスである（２７）～（３７）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（３９） 前記デバイスは、ＬＥＤである（３８）記載の対象物の移載機。
（４０） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（２７）～（３９）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（４１） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（２７）～（４０）のいずれかに記載の対象物の移載機。
（４２） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（２７）～（４１）のいずれかに記載の対象物の移載機。
また、本発明について更に別の視点から表現すると下記（Ｕ１）～（Ｕ４２）のようになる。
（Ｕ１） 第１基板から第２基板へデバイスを移載するシステムであって、
デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板と、第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板とを用い、
第１基板上のデバイスの実位置情報を取得する機構と、
第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けする機構と、
移載するグループを選択する機構と、
前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正する機構と、
選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザを照射して第２基板へ移載する機構と、
を有するデバイスの移載システム。
（Ｕ２） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する基板面方向の縦（Ｘ）及び／又は横（Ｙ）及び／又は回転方向（Θ）のズレ量であり、前記所定の基準は、前記許容位置ズレ量以下である、（Ｕ１）に記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ３） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘそれぞれが前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループとするステップと、
Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りにおいて、順番に、前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内でその他の５通りそれぞれが前記所定の基準以内である、デバイスを第２～７グループとするステップで構成される、（Ｕ２）に記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ４） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループに追加するステップと、
Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りＸＹの正負組み合わせ４通り合わせて１０通りのグループ分けパターンうち、少なくとも１つ以上のパターンを選択し、前記選択されたパターンで、順番に比較を行い、比較をしているパターンが前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内で、かつ、その他の選択されたパターンが前記所定の基準以内であるデバイスを、続く選択されたパターンに対応するグループ（第２～第１１）に追加するステップで構成される、（Ｕ２）に記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ５） 第１基板上のデバイスの実位置情報には不良の情報が含まれており、照射するための前記選択したグループに、不良デバイスが含まれないようにグループ分けを行う、（Ｕ１）～（Ｕ４）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ６） レーザは、ガルバノスキャナを通して照射される、（Ｕ１）～（Ｕ５）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ７） 前記デバイスは、ＬＥＤである（Ｕ１）～（Ｕ６）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ８） 前記デバイスは、前記第１基板にマトリクス状に配置されている（Ｕ１）～（Ｕ７）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ９） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ１）～（Ｕ８）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ１０） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ１）～（Ｕ９）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ１１） 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（Ｕ１）～（Ｕ１０）のいずれかに記載のデバイスの移載システム。
（Ｕ１２） デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板から第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板へ当該デバイスを移載するデバイス移載機に前記第１基板を設置した、基板が設置されたデバイス移載機であって、
第１基板上のデバイスの実位置情報を取得する画像処理装置と、
第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラと、
選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザ光を照射する、レーザ装置及びガルバノスキャナ光学系を含むことを特徴とする基板が設置されたデバイス移載機。
（Ｕ１３） 第１基板から第２基板へ対象物を移載する移載システムであって、
対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で位置している領域を有する第１基板と、第１基板に間隙を有するように対向して配置されている第２基板とを用い、
第１基板上の対象物の実位置情報を取得する機構と、
第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けする機構と、
移載するグループを選択する機構と、
選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載する機構と、
を有する対象物の移載システム。
（Ｕ１４） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む（Ｕ１３）記載の対象物の移載システム。
（Ｕ１５） 前記第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けする機構は、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けする（Ｕ１３）又は（Ｕ１４）記載の対象物の移載システム。
（Ｕ１６） 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である（Ｕ１５）記載の対象物の移載システム。
（Ｕ１７） 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（Ｕ１４）～（Ｕ１６）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ１８） 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（Ｕ１４）～（Ｕ１７）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ１９） 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である（Ｕ１４）～（Ｕ１８）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２０） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する（Ｕ１５）～（Ｕ１９）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２１） 前記選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載する機構は、選択したグループに含まれる対象物に連続してレーザを照射する（Ｕ１３）～（Ｕ２０）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２２） 前記対象物は、デバイスである（Ｕ１３）～（Ｕ２１）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２３） 前記デバイスは、ＬＥＤである（Ｕ２２）記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２４） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ１３）～（Ｕ２３）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２５） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ１３）～（Ｕ２４）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２６） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（Ｕ１３）～（Ｕ２５）のいずれかに記載の対象物の移載システム。
（Ｕ２７） 対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で配置されている第１基板から、第１基板に間隙を有して対向するよう配置される第２基板へ当該対象物を移載する対象物の移載機に前記第１基板を設置した、基板が設置された対象物の移載機であって、
第１基板上の対象物の実位置情報を取得する画像処理装置と、
第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
選択したグループに含まれる対象物のみにレーザ光を照射するレーザ装置及び光学系を含む、基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ２８） 前記レーザ装置及び光学系は、選択したグループに含まれる対象物のみに連続してレーザ光を照射する（Ｕ２７）記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ２９） 前記光学系は、ガルバノスキャナ光学系である（Ｕ２７）又は（Ｕ２８）記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３０） 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む（Ｕ２７）～（Ｕ２９）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３１） 前記演算処理装置は、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けする（Ｕ２７）～（Ｕ３０）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３２） 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である（Ｕ３１）記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３３） 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（Ｕ２７）～（Ｕ３２）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３４） 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である（Ｕ２７）～（Ｕ３３）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３５） 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である（Ｕ２７）～（Ｕ３４）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３６） 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する（Ｕ３１）～（Ｕ３５）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３７） 前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラを有する（Ｕ３１）～（Ｕ３６）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３８） 前記対象物は、デバイスである（Ｕ２７）～（Ｕ３７）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ３９） 前記デバイスは、ＬＥＤである（Ｕ３８）記載の対象物の基板が設置された移載機。
（Ｕ４０） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ２７）～（Ｕ３９）のいずれかに記載の対象物の基板が設置された移載機。
（Ｕ４１） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している（Ｕ２７）～（Ｕ４０）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
（Ｕ４２） 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している（Ｕ２７）～（Ｕ４１）のいずれかに記載の基板が設置された対象物の移載機。
また、各種機構は別々の機構が別々の機能を有していてもよいし、一つの機構が複数の機能を有していてもよい。
本発明は、デバイスの移載方法及びデバイス移載機に利用することができる。
１ 合成石英基板
２ ＬＥＤ
３ 格子点
４ 格子線
５ キャリア基板
６ 観察用鏡筒

Claims (42)

  1. 第１基板から第２基板へデバイスを移載する方法であって、
    デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板と、第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板とを用い、
    第１基板上のデバイスの実位置情報を取得するステップと、
    第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けするステップと、
    移載するグループを選択するステップと、
    前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステップと、
    選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザを照射して第２基板へ移載するステップと、
    を有するデバイスの移載方法。
  2. 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する基板面方向の縦（Ｘ）及び／又は横（Ｙ）及び／又は回転方向（Θ）のズレ量であり、前記所定の基準は、前記許容位置ズレ量以下である、請求項１に記載のデバイスの移載方法。
  3. 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘそれぞれが前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループとするステップと、
    Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りにおいて、順番に、前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内でその他の５通りそれぞれが前記所定の基準以内である、デバイスを第２～７グループとするステップで構成される、請求項２に記載のデバイスの移載方法。
  4. 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、前記所定の基準以内であるデバイスを第１グループに追加するステップと、
    Ｘ,Ｙ,Θの正負６通りＸＹの正負組み合わせ４通り合わせて１０通りのグループ分けパターンうち、少なくとも１つ以上のパターンを選択し、前記選択されたパターンで、順番に比較を行い、比較をしているパターンが前記所定の基準を超え且つ当該所定の基準の値の３倍以内で、かつ、その他の選択されたパターンが前記所定の基準以内であるデバイスを、続く選択されたパターンに対応するグループ（第２～第１１）に追加するステップで構成される、請求項２に記載のデバイスの移載方法。
  5. 第１基板上のデバイスの実位置情報には不良の情報が含まれており、照射するための前記選択したグループに、不良デバイスが含まれないようにグループ分けを行う、請求項１～４のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  6. レーザは、ガルバノスキャナを通して照射される、請求項１～５のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  7. 前記デバイスは、ＬＥＤである請求項１～６のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  8. 前記デバイスは、前記第１基板にマトリクス状に配置されている請求項１～７のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  9. 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項１～８のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  10. 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項１～９のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  11. 前記デバイスは、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している請求項１～１０のいずれかに記載のデバイスの移載方法。
  12. デバイスが第１基板の表面に許容位置ズレ量を超える状態で略等間隔に実装されている第１基板から第１基板に略均一な間隙を有して対向するよう配置され、表面に接着層を有するよう構成されている第２基板へ当該デバイスを移載するデバイス移載機であって、
    第１基板上のデバイスの実位置情報を取得する画像処理装置と、
    第１基板上のデバイスの理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でデバイスをグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
    前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラと、
    選択したグループに含まれるデバイスのみに連続して第１基板の背面よりレーザ光を照射する、レーザ装置及びガルバノスキャナ光学系を含むことを特徴とするデバイス移載機。
  13. 第１基板から第２基板へ対象物を移載する移載方法であって、
    対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で位置している領域を有する第１基板と、第１基板に間隙を有するように対向して配置されている第２基板とを用い、
    第１基板上の対象物の実位置情報を取得するステップと、
    第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けするステップと、
    移載するグループを選択するステップと、
    選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載するステップと、
    を有する対象物の移載方法。
  14. 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む請求項１３記載の対象物の移載方法。
  15. 前記第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けするステップは、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けされる請求項１３又は１４記載の対象物の移載方法。
  16. 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である請求項１５記載の対象物の移載方法。
  17. 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である請求項１４～１６のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  18. 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である請求項１４～１７のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  19. 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である請求項１４～１８のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  20. 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
    前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する請求項１５～１９のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  21. 前記選択したグループに含まれる対象物にレーザを照射して第２基板へ移載するステップは、選択したグループに含まれる対象物に連続してレーザを照射する請求項１３～２０のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  22. 前記対象物は、デバイスである請求項１３～２１のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  23. 前記デバイスは、ＬＥＤである請求項２２記載の対象物の移載方法。
  24. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項１３～２３のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  25. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項１３～２４のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  26. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している請求項１３～２５のいずれかに記載の対象物の移載方法。
  27. 対象物が第１基板に許容位置ズレ量を超える状態で配置されている第１基板から、第１基板に間隙を有して対向するよう配置される第２基板へ当該対象物を移載する対象物の移載機であって、
    第１基板上の対象物の実位置情報を取得する画像処理装置と、
    第１基板上の対象物の理想の位置情報と前記実位置情報を比較し、対象物をグループ分けし、移載するグループを選択する演算処理装置と、
    選択したグループに含まれる対象物のみにレーザ光を照射するレーザ装置及び光学系を含む、対象物の移載機。
  28. 前記レーザ装置及び光学系は、選択したグループに含まれる対象物のみに連続してレーザ光を照射する請求項２７記載の対象物の移載機。
  29. 前記光学系は、ガルバノスキャナ光学系である請求項２７又は２８記載の対象物の移載機。
  30. 前記許容位置ズレ量は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）のズレ量、横（Ｙ）のズレ量及び回転方向（Θ）のズレ量からなる群より選択される少なくとも一つを含む請求項２７～２９のいずれかに記載の対象物の移載機。
  31. 前記演算処理装置は、前記許容位置ズレ量から決められる所定の基準でグループ分けする請求項２７～３０のいずれかに記載の対象物の移載機。
  32. 前記許容位置ズレ量は、前記所定の基準である請求項３１記載の対象物の移載機。
  33. 前記第１基板面方向の縦（Ｘ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である請求項２７～３２のいずれかに記載の対象物の移載機。
  34. 前記第１基板面方向の横（Ｙ）の許容位置ズレ量は、±１０μｍ以内である請求項２７～３３のいずれかに記載の対象物の移載機。
  35. 前記第１基板面方向の回転方向（Θ）の許容位置ズレ量は、±１度以内である請求項２７～３４のいずれかに記載の対象物の移載機。
  36. 前記グループ分けは、理想位置情報と実位置情報を比較し、ＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物を第１グループとするステップと、
    前記第１グループで判定されていないＸＹΘの残りの少なくとも一つが前記所定の基準以内である対象物、又は、前記第１グループで判定されたＸＹΘの少なくとも一つが前記所定の基準を超える対象物を第２グループとするステップを有する請求項３１～３５のいずれかに記載の対象物の移載機。
  37. 前記選択されたグループの前記所定の基準に基づき 第１基板と第２基板の相対位置を基板の面方向に補正するステージ及びステージコントローラを有する請求項３１～３６のいずれかに記載の対象物の移載機。
  38. 前記対象物は、デバイスである請求項２７～３７のいずれかに記載の対象物の移載機。
  39. 前記デバイスは、ＬＥＤである請求項３８記載の対象物の移載機。
  40. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の縦（Ｘ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項２７～３９のいずれかに記載の対象物の移載機。
  41. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の横（Ｙ）で±３０μｍ以内の精度内で配列している請求項２７～４０のいずれかに記載の対象物の移載機。
  42. 前記対象物は、理想位置情報に対する第１基板面方向の回転方向（Θ）で±１度以内の精度内で配列している請求項２７～４１のいずれかに記載の対象物の移載機。

JP2021157039A 2020-09-29 2021-09-27 デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機 Pending JP2022056397A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020163943 2020-09-29
JP2020163943 2020-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022056397A true JP2022056397A (ja) 2022-04-08
JP2022056397A5 JP2022056397A5 (ja) 2023-03-27

Family

ID=80949152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021157039A Pending JP2022056397A (ja) 2020-09-29 2021-09-27 デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230343625A1 (ja)
EP (1) EP4224516A1 (ja)
JP (1) JP2022056397A (ja)
KR (1) KR20230078654A (ja)
CN (2) CN116325097A (ja)
TW (3) TWM642187U (ja)
WO (1) WO2022071187A1 (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7744770B2 (en) 2004-06-23 2010-06-29 Sony Corporation Device transfer method
JP6116827B2 (ja) 2012-08-07 2017-04-19 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP6154456B2 (ja) * 2015-12-24 2017-06-28 Juki株式会社 電子部品実装方法及び電子部品実装装置
JP6839143B2 (ja) * 2017-09-28 2021-03-03 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置、素子実装方法及び素子実装基板製造方法
JP7325965B2 (ja) * 2018-03-26 2023-08-15 芝浦メカトロニクス株式会社 素子実装装置、素子実装装置の調整方法、及び素子実装方法
WO2020188780A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 タカノ株式会社 レーザー転写装置、及び、レーザー転写方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN216624316U (zh) 2022-05-27
WO2022071187A1 (ja) 2022-04-07
KR20230078654A (ko) 2023-06-02
CN116325097A (zh) 2023-06-23
TW202213480A (zh) 2022-04-01
TWM642187U (zh) 2023-06-11
EP4224516A1 (en) 2023-08-09
TWM650647U (zh) 2024-01-21
US20230343625A1 (en) 2023-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10580826B2 (en) Method of maskless parallel pick-and-place transfer of micro-devices
US8361268B2 (en) Method of transferring device
WO2022071187A1 (ja) デバイスの移載方法、デバイス移載機、対象物の移載方法及び対象物の移載機
WO2022071371A1 (ja) 光デバイスのリフト方法及びその装置、光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法、並びにディスプレイの製造方法
JP2021151666A (ja) 走査型縮小投影光学系及びこれを用いたレーザ加工装置
JP7382453B2 (ja) 不良箇所の除去方法
US11776989B2 (en) Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment
WO2023044256A1 (en) Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment
TW202314389A (zh) 掃描型縮小投影光學系統、雷射加工裝置、雷射誘導正向轉移裝置、雷射加工方法、雷射誘導正向轉移方法、封裝有照射對象物的基板的製造方法、封裝有微小元件的基板的製造方法、不良部位的去除方法以及再轉印方法
TWI836592B (zh) 使用掩模層來並行轉移微型設備的方法
US11949053B2 (en) Stencil printing flux for attaching light emitting diodes
JP7255000B2 (ja) 不良箇所の除去方法、リフト方法、フォトマスク及びリフトシステム
CN114114828A (zh) 掩模检查设备和方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20211122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230315

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240508