JP7224437B2 - レーザー転写装置、及び、レーザー転写方法 - Google Patents

Description

本発明は、転写元基板のマイクロＬＥＤ等の素子をレーザー光により転写するレーザー転写装置及びレーザー転写方法に関する。

特許文献１には、素子（半導体発光装置６２ａ）が設けられた転写元基板（サファイア基板６０及び半導体発光装置６２ａ）にレーザー光を照射して、前記の素子を転写元基板から転写先基板（発光装置埋め込み用板６４）に転写する技術が開示されている（段落００４７など）。

特開２００６－１４７８７６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、レーザー光の照射位置が誤差等により転写元基板に対して相対的にずれた場合に、レーザー光が転写元基板の余計な部分（例えば、転写対象の素子の周囲にある非転写対象の素子が形成された部分など）に当たってしまうことがある。

この発明は、レーザー光が転写元基板の余計な部分に当たってしまうことを防止したレーザー転写装置及びレーザー転写方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るレーザー転写装置は、
複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写装置であって、
パルス状の前記レーザー光を出射する出射機構と、
前記転写元基板を覆うマスクであって、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部の周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させないマスクと、
前記レーザー光の照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させる移動機構と、
前記複数の転写対象素子それぞれが前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置されるよう前記転写元基板を支持する支持機構と、
前記移動機構及び前記出射機構を制御し、前記照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記出射機構から前記パルス状のレーザー光を出射させるスキャンを実行するコントローラと、
を備え、
前記パルス状のレーザー光は、前記複数の透過部それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有する。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るレーザー転写方法は、
複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写方法であって、
パルス状の前記レーザー光を照射する照射位置を、前記転写元基板を覆うマスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに、前記パルス状のレーザー光を前記転写元基板に照射するスキャンを行うスキャンステップを備え、
前記マスクは、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部それぞれの周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させず、
前記パルス状のレーザー光は、前記複数の透過部それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有し、
前記スキャンステップでは、
前記転写元基板の前記複数の転写対象素子それぞれを、前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置し、
前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記パルス状のレーザー光を前記複数の透過部それぞれを介して前記転写元基板に照射する。

本発明によれば、マスクにより、レーザー光が転写元基板の余計な部分に当たってしまうことを防止できる。

本発明の一実施形態に係るレーザー転写装置の構成図である。 マイクロＬＥＤ転写後の転写先基板の一部平面図である。 マイクロＬＥＤ転写前の転写元基板の平面図である。 レーザー光の形状及び強度部分を示す図である。 マスクの断面図である。 第１移動機構、第２移動機構などの平面図である。 転写先基板と転写元基板とマスクとの位置関係を示す平面図である。 スキャンの軌跡を示す図である。 照射位置を移動させレーザー光を照射するときのレーザー光の照射タイミングを示す説明図である。 転写先基板と転写元基板とマスクとの位置関係を示す平面図である。 変形例に係る判定結果データの一例を示す図である。 変形例に係る説明図であって、照射位置を移動させレーザー光を照射するときのレーザー光の照射タイミングを示す説明図である。 変形例に係る輝度レベルデータの一例を示す図である。 変形例に係る転写データの一例を示す図である。

（レーザー転写装置１００の構成）
以下、本発明の一実施形態に係るレーザー転写装置１００及びレーザー転写方法を図１～図１０を参照して説明する。

レーザー転写装置１００は、図１などに示すように、基板１１にマイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）１２が形成された転写元基板１０（ウェハー等とも言われる）にレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによりマイクロＬＥＤ１２を基板１１から剥離（リフトオフ）する。剥離したマイクロＬＥＤ１２は下方（マイナスＺ方向）に落ち、転写元基板１０の下方に位置する転写先基板２０（ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等）に移動する（転写される）。転写先基板２０に移動したマイクロＬＥＤ１２は適宜の方法で転写先基板２０に固定される。

転写先基板２０には、マイクロＬＥＤ１２として、図２に示すように、赤（Ｒ）のマイクロＬＥＤ１２Ｒ、緑（Ｇ）のマイクロＬＥＤ１２Ｇ、及び、青（Ｂ）のマイクロＬＥＤ１２Ｂが転写される。転写先基板２０における、各マイクロＬＥＤ１２が転写される転写位置（マイクロＬＥＤ１２と電気的に接続される電極等）は、ＸＹ方向にマトリクス状に配置されている。レーザー転写方法は、各マイクロＬＥＤ１２が転写されたあとの転写先基板２０を製造する方法でもある。

転写元基板１０は、サファイヤ基板などの基板１１と、ＧａＮなどの各種材料によって形成されたマイクロＬＥＤ１２と、を備える。なお、マイクロＬＥＤ１２の基材として、基板１１上にポリイミド膜等の樹脂膜を形成してもよい。１つの転写元基板１０には、マイクロＬＥＤ１２Ｒ、マイクロＬＥＤ１２Ｇ、マイクロＬＥＤ１２Ｂのうちのいずれかが形成される。図３に、マイクロＬＥＤ１２Ｒが形成された転写元基板１０を示す（マイクロＬＥＤ１２Ｒは、基板１１の裏面に設けられるため、図３の平面図では点線で描かれている）。図３に示すように、転写元基板１０は、ＸＹ方向にマトリクス状に配置されたマイクロＬＥＤ１２を含む。

レーザー転写装置１００は、まず、赤のマイクロＬＥＤ１２Ｒが形成された転写元基板１０を用いて赤のマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写を一通り行い、その後、緑のマイクロＬＥＤ１２Ｇが形成された転写元基板１０を用いて緑のマイクロＬＥＤ１２Ｇの転写を一通り行う。レーザー転写装置１００は、その後、青のマイクロＬＥＤ１２Ｂが形成された転写元基板１０を用いて青のマイクロＬＥＤ１２Ｂの転写を行う。

レーザー転写装置１００は、レーザー１１０と、光学系１２０と、スキャン機構１３０と、マスク１４０と、可動部１５０と、第１移動機構１６０と、第２移動機構１７０と、コントローラ１８０と、を備える。

レーザー１１０は、２６６ｎｍの波長を有するレーザー光Ｌ１を出射する固体レーザーである。レーザー１１０は、シングルモードのＮｄ：ＹＡＧレーザーである。レーザー１１０は、１０６４ｎｍのレーザー光を波長変換した２６６ｎｍのレーザー光（４次高調波）をパルス状に出力する。以下、パルス１つのレーザー光を、レーザー光Ｌ１という（図１の符号Ｌ１を付した線は、レーザー光Ｌ１の光路を示している）。レーザー１１０はシングルモードなので、レーザー光Ｌ１の形状は円形であり、強度分布がガウシアン形状となっている。本明細書で説明されるレーザー光の形状は、当該レーザー光をその光軸に直交する方向に切ったときの当該レーザー光の断面形状である。レーザー光Ｌ１は、３５５ｎｍの波長の光であってもよいし、超短パルスレーザーであってもよい。レーザー光Ｌ１の波長等は、転写元基板１０の材料等によって適宜決定すればよい。

光学系１２０は、レーザー光Ｌ１を、図４に示すような、形状が四角形で、強度分布がトップハット形状のレーザー光Ｌ２に成形する（図１の符号Ｌ２を付した線は、レーザー光Ｌ２の光路を示している）。図４中のＸ方向及びＹ方向は、レーザー光Ｌ２が、スキャン機構１３０等により方向を変えられてマスク１４０に到達するとき（詳細は後述）の方向であり、可動部１５０の移動方向であるＸ方向及びＹ方向（詳細は後述）に対応している。

光学系１２０は、ビームエキスパンダ１２１、ＤＯＥ（Diffractive Optical Element、回折光学素子）１２２、及び、ビームレデューサ１２３を備える。ビームエキスパンダ１２１は、例えば、ズーム式であり、レーザー光Ｌ１の形状を大きくする。ＤＯＥ１２２は、ビームエキスパンダ１２１により広げられたレーザー光Ｌ１の形状を四角形に成形し、かつ、当該レーザー光Ｌ１の強度部分をトップハット形状に成形するよう設計されている。このようなＤＯＥ１２２により成形されたレーザー光Ｌ１は、ビームレデューサ１２３により縮小（集光）され、レーザー光Ｌ２として、スキャン機構１３０に出射される。

スキャン機構１３０は、パルス状のレーザー光Ｌ２をＸＹ方向にスキャン（走査）する。スキャン機構１３０は、ガルバノスキャナ１３１及びＦθレンズ１３２を備える。

ガルバノスキャナ１３１は、例えば、第１ガルバノミラーと、第１ガルバノミラーを回転させる第１ガルバノモータと、第２ガルバノミラーと、第２ガルバノミラーを回転させる第２ガルバノモータと、を含んで構成されている（なお、図１では、模式的に１つのミラーのみが記載されている）。ガルバノスキャナ１３１は、第１ガルバノミラーによりレーザー光Ｌ２をＸ方向に振り、第２ガルバノミラーによりレーザー光Ｌ２をＹ方向に振る。

Ｆθレンズ１３２は、スキャニングレンズとして使用され、ガルバノスキャナ１３１からのレーザー光Ｌ２を集光するとともに、当該レーザー光Ｌ２の入射角に対応した位置にレーザー光Ｌ２を出射する。

レーザー光Ｌ２は、ガルバノスキャナ１３１及びＦθレンズ１３２の組み合わせにより、均一の強さでＸＹ方向にスキャンされる。

マスク１４０は、レーザー光Ｌ２のうちの余計な光が転写元基板１０に照射されないよう、また、転写元基板１０における余計な部分（転写したい素子が設けられた部分以外の部分）にレーザー光Ｌ２が照射されないよう、転写元基板１０をマスクする。平面視（Ｚ方向ないし上方から見た場合）におけるマスク１４０の形状は、転写先基板２０とほぼ同じである。マスク１４０は、レーザー光Ｌ２を透過させず乱反射する非透過部１４５と、レーザー光Ｌ２を透過させる複数の透過部１４６と、を備える。マスク１４０は、転写元基板１０を覆うとともに、転写元基板１０を介して転写先基板２０を覆う。マスク１４０として、赤のマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写に使用されるマスク１４０Ｒ、緑のマイクロＬＥＤ１２Ｇの転写に使用されるマスク１４０Ｇ、及び、青のマイクロＬＥＤ１２Ｂの転写に使用されるマスク１４０Ｂが用意されている（図１では、マスク１４０Ｒが用いられている）。

マスク１４０Ｒの各透過部１４６は、転写先基板２０における赤の各マイクロＬＥＤ１２Ｒが転写される各転写位置と、一対一で対応している。マスク１４０Ｇの各透過部１４６は、転写先基板２０における緑の各マイクロＬＥＤ１２Ｇが転写される各転写位置と、一対一で対応している。マスク１４０Ｂの各透過部１４６は、転写先基板２０における青の各マイクロＬＥＤ１２Ｂが転写される各転写位置と、一対一で対応している。透過部１４６は、平面視したときに、マイクロＬＥＤ１２と同形状か若干大きい相似形状とし、マイクロＬＥＤ１２全部を覆う形状とするとよい。

マスク１４０は、図５に示すように、ガラス基板１４１と、誘電体多層膜１４２と、を備える。誘電体多層膜１４２は、高屈折率と低屈折率の誘電体薄膜を交互に積層して得られる。誘電体多層膜１４２は、レーザー光Ｌ２の波長の光（例えば２６６ｎｍ）を全反射かつ乱反射する。誘電体多層膜１４２の一部は、エッチング等により取り除かれている。マスク１４０のうち、誘電体多層膜１４２が残っている部分が非透過部１４５であり、誘電体多層膜１４２が取り除かれた部分が透過部１４６である。レーザー光Ｌ２は、透過部１４６（ガラス基板１４１）を透過する。

可動部１５０は、水平方向、つまり、ＸＹ方向に移動可能に設けられている。可動部１５０は、転写先基板２０が載置されるステージ１５１と、ステージ１５１上に固定され、マスク１４０を転写先基板２０の上方で支持する４つの支持部材１５２と、備える。

４つの支持部材１５２それぞれは、Ｚ方向（上下方向）に伸縮することで、マスク１４０をＺ方向に移動させ、転写先基板２０から離したり、近づけたりできる。各支持部材１５２は、マスク１４０を把持する把持部１５２Ａと、当該把持部１５２Ａが固定されたロッド１５２Ｂとを備える。各支持部材１５２は、ロッド１５２ＢをＺ方向に移動させることでＺ方向に伸縮する。ロッド１５２ＢをＺ方向に移動させる機構としては、リニアモータ、油圧シリンダ、空圧シリンダ、ラックアンドピニオン、又は、ボールネジ等を用いた各種機構を採用すればよい。

可動部１５０（ステージ１５１）が移動することで、ステージ１５１に載置された転写先基板２０と、ステージ１５１上の支持部材１５２に支持されたマスク１４０とが一体に移動する。

第１移動機構１６０は、可動部１５０をＸＹ方向に移動させる。第１移動機構１６０は、図６に示すように、一対のレール１６１と、ボールネジ機構１６２と、移動部材１６３と、一対のレール１６４と、ボールネジ機構１６５と、を備える。

レール１６１は、Ｘ方向に沿って延びており、移動部材１６３が載っている。ボールネジ機構１６２は、ボールネジを利用して移動部材１６３をＸ方向に移動させる機構であり、モータ１６２Ａと、移動部材１６３の例えば下面から突出した螺合部と螺合しているネジ１６２Ｂと、を備える。モータ１６２Ａがネジ１６２Ｂを回転させることで、移動部材１６３がレール１６１上をＸ方向に移動する。

レール１６４は、移動部材１６３上に設けられており、Ｙ方向に沿って延びている。レール１６４には、可動部１５０（ステージ１５１）が載っている。ボールネジ機構１６５は、ボールネジを利用して可動部１５０をＹ方向に移動させる機構であり、モータ１６５Ａと、ステージ１５１の例えば下面から突出した螺合部と螺合しているネジ１６５Ｂと、を備える。モータ１６５Ａがネジ１６５Ｂを回転させることで、可動部１５０（ステージ１５１）がレール１６４上をＹ方向に移動する。

以上のような構成により、第１移動機構１６０は、可動部１５０が載った移動部材１６３をＸ方向に移動させ、移動部材１６３上で可動部１５０をＹ方向に移動させることできるので、可動部材１５０をＸＹ方向に移動させることができる。さらに、この可動部材１５０の移動により、転写先基板２０及びマスク１４０を一体にＸＹ方向に移動させることができる。

第２移動機構１７０は、転写元基板１０を支持し、当該転写元基板１０を、転写先基板２０及びマスク１４０とは独立してＸＹ方向に移動させる。第２移動機構１７０は、転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２（特に転写対象のマイクロＬＥＤ１２）が、マスク１４０の複数の透過部１４６それぞれと、転写先基板２０におけるマイクロＬＥＤ１２が転写される複数の転写位置それぞれとの間に配置されるよう、転写元基板１０を支持する。第２移動機構１７０は、転写元基板１０を保持する保持部材１７１と、保持部材１７１を支持してＸＹ方向に移動させる一対の移動機構１７２及び１７３を有する。

保持部材１７１は、板状部材であり、Ｙ方向に沿って並べて配置された２つの貫通孔１７１Ａを備える。各貫通孔１７１Ａは、転写元基板１０の形状に合わせた円形に形成されており、各貫通孔１７１Ａ内に転写元基板１０が配置される。各貫通孔１７１Ａの内壁は、下側（転写先基板２０側）部分が内側に突出した段差を有する。各貫通孔１７１Ａ内に配置された転写元基板１０は、前記の段差により、マイクロＬＥＤ１２が保持部材１７１の下面から露出した状態で保持される。このようにして、保持部材１７１は、２つの転写元基板１０を保持する。保持部材１７１、つまり、転写元基板１０は、マスク１４０と転写先基板２０との間に配置されている。

移動機構１７２は、図６に示すように、レール１７２Ａと、ボールネジ機構１７２Ｂと、移動部材１７２Ｃと、支持部材１７２Ｄと、を備える。

レール１７２Ａは、Ｘ方向に沿って延びている。レール１７２Ａには、移動部材１７２Ｃが載っている。ボールネジ機構１７２Ｂは、ボールネジを利用して移動部材１７２ＣをＸ方向に移動させる機構であり、モータ１７２ＢＡと、移動部材１７２Ｃの例えば下面から突出した螺合部と螺合しているネジ１７２ＢＢと、を備える。モータ１７２ＢＡがネジ１７２ＢＢを回転させることで、移動部材１７２Ｃがレール１７２Ａ上をＸ方向に移動する。

支持部材１７２Ｄは、移動部材１７２Ｃ上に設けられ、保持部材１７１を支持する。支持部材１７２Ｄは、支持部材１５２と同様にＺ方向（上下方向）に伸縮することで、保持部材１７１をＺ方向に移動させる。支持部材１７２Ｄは、保持部材１７１を把持する把持部１７２ＤＡと、当該把持部１７２ＤＡが固定されたロッド１７２ＤＢと、を備える。支持部材１７２Ｄは、ロッド１７２ＤＢをＺ方向に移動させることで上下方向に伸縮する。ロッド１７２ＤＢをＺ方向に移動させる機構としては、リニアモータ、油圧シリンダ、空圧シリンダ、ラックアンドピニオン、又は、ボールネジ等を用いた各種機構を採用すればよい。

把持部１７２ＤＡは、Ｙ方向に伸縮可能に設けられている。把持部１７２ＤＡは、先端で保持部材１７１を把持するロッド１７２ＤＡＡを備え、当該ロッド１７２ＤＡＡをＹ方向に移動させることで、Ｙ方向に伸縮する。把持部１７２ＤＡのＹ方向への伸縮は、支持部材１７２ＤのＹ方向への伸縮ともいえる。ロッド１７２ＤＡＡをＹ方向に移動させる機構としては、リニアモータ、油圧シリンダ、空圧シリンダ、ラックアンドピニオン、又は、ボールネジ等を用いた各種機構を採用すればよい。

移動機構１７３は、移動機構１７２と対をなしており、Ｙ方向に沿って反対の配置となっている以外、構成は略同じであるので、詳細な説明は移動機構１７２の説明に準じる。移動機構１７３は、図６に示すように、レール１７３Ａ（レール１７２Ａに対応）と、ボールネジ機構１７３Ｂ（ボールネジ機構１７２Ｂに対応）と、移動部材１７３Ｃ（移動部材１７２Ｃに対応）と、支持部材１７３Ｄ（支持部材１７２Ｄに対応）と、を備える。ボールネジ機構１７３Ｂは、ボールネジ機構１７２Ｂと同様に、モータ１７３ＢＡとネジ１７３ＢＢとを備える。支持部材１７３Ｄは、支持部材１７２Ｄと同様に、把持部１７３ＤＡ及びロッド１７３ＤＢを備え、把持部１７３ＤＡは、把持部１７２ＤＡと同様にロッド１７３ＤＡＡを備える。

以上のような構成により、ボールネジ機構１７２Ｂ及び１７３Ｂが同期して動作することで、移動部材１７２Ｃ及び移動部材１７３ＣをＸ方向に移動させることができ、これにより、移動部材１７２Ｃ及び１７３Ｃ上の支持部材１７２Ｄ及び支持部材１７３Ｄにより支持された保持部材１７１つまり転写元基板１０をＸ方向に移動させることができる。さらに、把持部１７２ＤＡと把持部１７３ＤＡとのうち一方を伸ばし、他方を縮ませることにより、保持部材１７１つまり転写元基板１０をＹ方向に移動させることができる。さらに、支持部材１７２Ｄ及び支持部材１７３Ｄは、支持部材１５２と同様に、上下方向（Ｚ方向）に伸縮することで、保持部材１７１つまり転写元基板１０をＺ方向に移動させ、転写先基板２０から離したり、近づけたりできる。

コントローラ１８０は、コンピュータ等により構成され、レーザー転写装置１００全体を制御する。特に、コントローラ１８０は、レーザー１１０（パルス状のレーザー光の出射）、スキャン機構１３０（ガルバノスキャナ１３１）、支持部材１５２（支持部材１５２を伸縮させるためのモータ、油圧回路又は空圧回路など）、第１移動機構１６０（モータ１６２Ａ及び１６５Ａ）、及び、第２移動機構１７０（モータ１７２ＢＡ及び１７３ＢＡと、支持部材１７２Ｄ及び１７３Ｄ（支持部材１７２Ｄ及び１７３ＤをＺ方向及びＹ方向に伸縮させるためのモータ、油圧回路又は空圧回路など））を同期制御して、これらを駆動し、マイクロＬＥＤ１２の転写を行うレーザー転写処理を実行する。

（レーザー転写処理）
レーザー転写処理の開始に当たって、ユーザ又は所定のロボットは、転写元基板１０、転写先基板２０、マスク１４０をセットし、かつ、今回転写するマイクロＬＥＤ１２の色（マイクロＬＥＤ１２Ｒ、マイクロＬＥＤ１２Ｇ、マイクロＬＥＤ１２Ｂのいずれか。ここでは赤とする。つまり、マスク１４０がマスク１４０Ｒであるとする。）をコントローラ１８０に入力する。転写元基板１０等をセットする際、支持部材１５２、支持部材１７２Ｄ、及び、支持部材１７３ＤはＺ方向に伸びた状態となっている。転写先基板２０とマスク１４０Ｒは、マスク１４０Ｒの各透過部１４６が、平面視したときに、転写先基板２０におけるマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写位置それぞれと一対一で重なるようにセットされる。なお、以下では、マイクロＬＥＤ１２、透過部１４６、及び、転写位置のＸ方向の並びを「行」といい、マイクロＬＥＤ１２、透過部１４６、及び、転写位置のＹ方向の並びを「列」という。

さらに、コントローラ１８０は、前記入力があると、第１移動機構１６０を制御し、転写先基板２０及びマスク１４０を転写開始位置に移動させ、かつ、第２移動機構１７０を制御し、転写元基板１０を転写開始位置に移動させる。各転写開始位置は、図７（保持部材１７１は省略している。図８、図１０も同じ。）に示すように、平面視において、転写元基板１０（ここでは、図６の紙面上側の転写元基板１０とする）の最左列の各マイクロＬＥＤ１２Ｒ（その後のスキャンにより転写される転写対象素子）が、マスク１４０Ｒの最左列の各透過部１４６及び転写先基板２０に転写される最左列のマイクロＬＥＤ１２Ｒの各転写位置と重なる位置である。なお、このような位置関係では、転写元基板１０の左から４列目、７列目の各マイクロＬＥＤ１２Ｒ（転写対象素子）が、マスク１４０Ｒの左から２列目、３列目の各透過部１４６及び転写先基板２０の左から４列目、７列目の転写位置（赤のみで考えると、２列目、３列目のマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写位置）と重なる。これは、転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２Ｒそれぞれの位置が、転写先基板２０の各色のマイクロＬＥＤ１２の各転写位置と対応しているからである（このようなことは、他の色の転写元基板１０についても同様である）。

その後、コントローラ１８０は、支持部材１５２、支持部材１７２Ｄ、及び、支持部材１７３Ｄを駆動して、これらをＺ方向に縮め、転写元基板１０及びマスク１４０Ｒを転写先基板２０に近づける（例えば、図１の位置）。転写元基板１０とマスク１４０Ｒとの第１間隔、及び、マスク１４０Ｒと転写先基板２０との第２間隔は、できるだけ狭い方がよい。

次に、コントローラ１８０は、ガルバノスキャナ１３１を駆動し、レーザー光Ｌ２を照射する位置であるレーザー光Ｌ２の照射位置を転写元基板１０ないしマスク１４０Ｒ上で図８の矢印Ｓの軌跡に沿って移動させる。ここでは、転写元基板１０とマスク１４０とが重なる領域の各透過部１４６をなぞるようにレーザー光Ｌ２の照射位置を１行毎に移動させる（ここでは、８行３列分移動する。）。なお、レーザー光Ｌ２は、パルス状であるので、前記の照射位置は、実際にレーザー光Ｌ２が照射されない位置も含む。図８に示す照射位置の軌跡（矢印Ｓ）は、仮にレーザー光Ｌ２を連続光とした場合の照射の軌跡に相当する。

コントローラ１８０は、ガルバノスキャナ１３１によりレーザー光Ｌ２の照射位置を連続的（停止させず）に動かし、図９に示すように、当該照射位置が透過部１４６を通過するタイミングに、レーザー１１０にレーザー光Ｌ１を出射させ、当該レーザー光Ｌ１に基づくレーザー光Ｌ２を透過部１４６に到達させる。このようにして、レーザー光Ｌ２の照射位置を移動させ、かつ、照射位置が透過部１４６を通過するタイミングに、レーザー１１０にレーザー光Ｌ１を出射させることで、レーザー光Ｌ２のマスク１４０ないし転写元基板１０のスキャンが実行される。

透過部１４６の位置や間隔は予め決まっているので、コントローラ１８０は、例えば、ガルバノスキャナ１３１を制御し、同じ行の透過部１４６間の照射位置の移動距離と、行が変わるときの照射位置の移動距離とが同じとなるよう照射位置を移動させ、かつ、照射位置を一定速度で移動させ、所定周期でレーザー１１０にレーザー光Ｌ１を出射させることで、レーザー光Ｌ２をピンポイントで、各透過部１４６に照射するスキャンを実行できる。

図９に示すように、レーザー光Ｌ２は、透過部１４６よりも大きいとよい（透過部１４６とレーザー光Ｌ２との中心が一致する場合に、レーザー光Ｌ２の輪郭の内側に透過部１４６が位置し、当該透過部１４６はレーザー光Ｌ２の輪郭からはみ出ないようにするとよい）。当該大きさは、Ｆθレンズの位置等によって調整するとよい。レーザー光Ｌ２の焦点は、ここでは、マイクロＬＥＤ１２Ｒにおける転写元基板１０との境界部分（基材としてのポリイミド膜等の樹脂膜の部分、樹脂膜がない場合のＧａＮ等の部分）に合わせられている。

前記１回のスキャンにおいて出射された各レーザー光Ｌ２は、各透過部１４６を透過し、転写元基板１０（マイクロＬＥＤ１２Ｒ）に到達して、転写元基板１０の基板１１とマイクロＬＥＤ１２Ｒとの境界部分をレーザーアブレーション（ＧａＮのガス化、ポリイミド等の樹脂膜の分子結合の切断等。転写元基板１０の材料やレーザー光Ｌ２の波長等によって具体的なレーザーアブレーションは異なる）し、マイクロＬＥＤ１２Ｒを転写元基板１０から剥離させ、下の転写先基板２０に落とす（転写する）。これにより、転写元基板１０の左から１、４、７列目のマイクロＬＥＤ１２Ｒがレーザー光Ｌ２によりスキャンされ転写される。

その後、コントローラ１８０は、支持部材１５２、支持部材１７２Ｄ、及び、支持部材１７３Ｄを駆動し、転写元基板１０及びマスク１４０Ｒを転写先基板２０から離す。また、転写元基板１０とマスク１４０Ｒとの間も離す。その後、コントローラ１８０は、第１移動機構１６０を駆動し、転写先基板２０及びマスク１４０を図１０に示すように、転写元基板１０に対して相対的に、マイクロＬＥＤ１２Ｒの８行分、Ｙ方向（ここでは、マイナスＹ方向）に移動させる（転写先基板２０及びマスク１４０は一体で移動する）。このとき、コントローラ１８０は、第２移動機構１７０も駆動し、保持部材１７１に保持された転写元基板１０をＹ方向に移動させてもよい。さらに、コントローラ１８０は、第２移動機構１７０を制御し、転写元基板１０を左方向に、マイクロＬＥＤ１２Ｒの１列分移動させる。これにより、平面視において、図１０に示すように、左から１、２、３列目かつ９行目以降の透過部１２Ｂそれぞれと、転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２Ｒ（２、５、８列目のマイクロＬＥＤ１２Ｒ）それぞれと、を重ねることができる。

その後、コントローラ１８０は、支持部材１５２、支持部材１７２Ｄ、及び、支持部材１７３Ｄを制御し、転写元基板１０及びマスク１４０Ｒを転写先基板２０に近づける（例えば、図１の位置）。次に、コントローラ１８０は、ガルバノスキャナ１３１を制御し、上記と同様にして、レーザー光Ｌ２をマスク１４０Ｒないし転写元基板１０に対してスキャンする。これにより、転写先基板２０には、左から１、４、７列目かつ９行目から１６行目までのマイクロＬＥＤ１２（赤のみであれば、１、２、３列目かつ９行目から１６行目までのマイクロＬＥＤ１２Ｒ）が転写される。

コントローラ１８０は、上記のような制御を繰り返し、マイクロＬＥＤ１２Ｒを転写していく。なお、１枚目の転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２Ｒが全て転写された場合には、２枚目の転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２Ｒが転写される。保持部材１７１に保持されている２つの転写元基板１０の位置関係は決まっているので、コントローラ１８０は、１枚目の転写元基板１０について転写が終了したあと、第１移動機構１６０及び第２移動機構１７０を駆動して、２枚目の転写元基板１０をマスク１４０等に対して相対的に所定量移動させ、転写元基板１０とマスク１４０等との位置関係を、マイクロＬＥＤ１２Ｒを転写可能な位置関係とする。２つの転写元基板１０についての転写終了後、転写元基板１０を交換する。

コントローラ１８０は、転写先基板２０に、左から１、４、７列目の全てのマイクロＬＥＤ１２（赤のみであれば、１、２、３列目の全てのマイクロＬＥＤ１２Ｒ）を転写したあとは、上記と同様にして、転写先基板２０及びマスク１４０をＹ方向（ここではプラスＹ方向）に移動させ、かつ、Ｘ方向（ここではマイナスＸ方向）に移動させ（転写元基板１０も移動させてもよい）、図７の位置関係よりも、転写元基板１０を転写先基板２０及びマスク１４０に対して右側に位置するようにして、再度転写していく。

さらに、赤のマイクロＬＥＤ１２Ｒを全て転写したあとには、続いて、緑のマイクロＬＥＤ１２Ｇ、青のマイクロＬＥＤ１２Ｂについても同様の転写を行う（マスク１４０も適宜変更される）。

（効果）
この実施の形態では、マイクロＬＥＤ１２の転写時に、レーザー光Ｌ２をマスク１４０を介して転写元基板１０に照射するので、レーザー光Ｌ２の光軸が多少ずれたとしても、非透過部１４５により転写元基板１０の余計な部分にレーザー光Ｌ２が照射されることを防止できる。さらに、マイクロＬＥＤ１２の転写時に、レ－ザー光Ｌ２の照射位置をＸＹ方向にスキャンし、かつ、照射位置が透過部１４６を通過するタイミングでレーザー光Ｌ２をパルス状に出射するので、レーザー光Ｌ２の無駄な出射等がなく、効率的にレーザー光を照射できる。特に、エキシマレーザー等の高出力レーザーを使用する必要がないので、レーザー転写装置の初期費用やランニングコストを抑えることができる。

さらに、レーザー光Ｌ２は、各透過部１４６それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有するので、レーザー光Ｌ２の光軸が多少ずれても、上記レーザーアブレーションを起こすことができ、マイクロＬＥＤ１２の転写を精度良く行える。さらに、レーザー光Ｌ２の焦点が、転写元基板１０の基板１１とマイクロＬＥＤ１２との境界部分に設定されているので、レーザー光Ｌ２の光軸が多少ずれても、当該レーザー光Ｌ２を、透過部１４６を介して転写元基板１０の所望の箇所に照射することができ、マイクロＬＥＤ１２の転写を精度良く行える。

さらに、上記では、マスク１４０が、透過部１４６以外の非透過部１４５に、レーザービームを全反射（実質的に全反射していると言えればよく、厳密な意味での全反射よりも広い概念とする。例えば、９５％以上反射すればよい）かつ乱反射する、誘電体多層膜１４２を備える。これにより、マスク１４０のレーザー光Ｌ２の吸収による劣化等を押さえることができ、かつ、乱反射により、レーザー光Ｌ２がスキャン機構１３０ないしレーザー１１０に逆流することを防止できる。

マスク１４０は、転写元基板１０とＦθレンズ１３２との間に配置されているので、転写元基板１０におけるレーザー光Ｌ２の照射位置とマスク１４０の透過部１４６との位置関係を調整しやすい。特に、マスク１４０と転写元基板１０との間にレンズ等の光学系の部材を含む各種部材を介さないこと（つまり、マスク１４０が転写元基板１０を直接覆うこと）で、レーザー光Ｌ２の照射位置とマスク１４０の透過部１４６との位置関係を調整しやすい。

上記では、ある回数目（例えば、１回目）のスキャンが行われるときに、透過部１４６と位置がずれてスキャンの対象とならない（レーザー光Ｌ２が照射されない）マイクロＬＥＤ１２Ｒ（例えば、２、５、８列目のマイクロＬＥＤ）がある。そして、前記ある回数目の次のスキャン（例えば、２回目）を行うときに、マスク１４０と転写先基板２０とを、一体、かつ、転写元基板１０に対して相対的に移動させることにより、前記でスキャンの対象とならなかったマイクロＬＥＤ１２Ｒ（例えば、２、５、８列目のマイクロＬＥＤ１２）を透過部１４６の位置に移動させる。これにより、マイクロＬＥＤ１２を効率的に使用でき、転写に使用されないマイクロＬＥＤ１２が多く発生してしまうことを防止できる。

さらに、マスク１４０と転写元基板１０とを上昇させ、マスク１４０と転写元基板１０との距離を離し、かつ、転写元基板１０と転写先基板２０との距離を離してから、マスク１４０及び転写先基板２０と転写元基板１０とを相対的に移動させることで、例えば、マスク１４０と転写元基板１０と転写先基板２０とのうちの少なくとも１つに付着したゴミ等により、転写先基板２０及び又は転写元基板１０が傷ついてしまうことを防止できる。

さらに、複数（ここでは、２枚であるが、３枚以上であってもよい）の転写元基板１０を保持部材１７１により保持するので、複数の転写元基板１０を用いて連続的に転写を行うことができ、生産性が向上している。

（変形例等）
以下、上記実施形態の変形例を説明する。以下の変形例の少なくとも一部は組み合わせることができる。なお、上記実施の形態の構成や下記の構成は、上記「発明が解決しようとする課題」等に係る構成であるか否かに関わらず、どの構成であっても省略できる（その場合には、別の発明となりうる）。

（変形例１）
スキャン機構１３０を設けずにレーザー光Ｌ２の照射位置を固定とし、上記スキャン時には、マスク１４０、転写元基板１０、転写先基板２０を移動させてもよい。例えば、このときには、上記第１移動機構１６０及び第２移動機構１７０により、マスク１４０、転写元基板１０、転写先基板２０を移動させてもよい。レーザー転写装置１００は、前記照射位置をマスク１４０、転写元基板１０、及び、転写先基板２０に対して相対的に移動させる移動機構（レーザー光Ｌ２の照射位置を移動させる場合のスキャン機構１３０、レーザー光Ｌ２の照射位置を固定とする場合の第１移動機構１６０及び第２移動機構１７０など）を備えればよい。スキャン機構１３０は、ガルバノスキャナ１３１とＦθレンズ１３２との組み合わせ以外の機構であってもよい。

（変形例２）
上記では、転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２のうち、マスク１４０の透過部１４６と重なるもの全て（上記では、１、４、７列目かつ１～８行目のマイクロＬＥＤ１２等）を一度にスキャンしているが、重なるものを複数回に分けてスキャンしてもよい。この場合、１回のスキャン毎に、第１移動機構１６０及び第２移動機構１７０を制御し、転写元基板１０、転写先基板２０、マスク１４０を一緒にＸＹ方向に移動させ、転写元基板１０等におけるスキャン範囲を変えていく。例えば、１回目のスキャンで、１、４、７列目かつ１～４行目のマイクロＬＥＤ１２（１回目のスキャンでの転写対象素子）ないしこれらと重なる透過部１４６をスキャンし、その後に１、４、７列目かつ５～８行目のマイクロＬＥＤ１２（２回目のスキャンでの転写対象素子）ないしこれらと重なる透過部１４６をスキャンしてもよい。この場合、１、４、７列目かつ１～４行目のマイクロＬＥＤ１２のスキャン終了後、転写元基板１０、転写先基板２０、マスク１４０を一緒にＹ方向（マイナスＹ方向）に移動させ、その後に、１、４、７列目かつ５～８行目のマイクロＬＥＤ１２のスキャンを行う。このようなことは、ガルバノミラーのスキャン範囲に対して、転写元基板１０が大きい場合に特に有用である。

（変形例３）
上記転写の前に、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２を検査し、不良のマイクロＬＥＤ１２があった場合には、上記転写の際に、当該不良のマイクロＬＥＤ１２へのレーザー光Ｌ２の照射は行わないようにしてもよい。以下、この点をマイクロＬＥＤ１２Ｒを例にして説明する。

例えば、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２Ｒに紫外線を当てて各マイクロＬＥＤ１２Ｒの良否を画像検査等により判定する。コントローラ１８０には、この判定結果を示す判定結果データが入力される。当該判定結果データは、例えば、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２Ｒ毎に良／不良を特定するデータ（前記判定結果に基づく、各マイクロＬＥＤ１２Ｒ毎の転写、非転写のデータであってもよい）、又は、転写元基板１０のマイクロＬＥＤ１２Ｒのうち良又は不良のマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を特定するデータ（前記判定結果に基づく、非転写のマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を特定するデータであってもよい）とする。

例えば、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２ＲにＸＹ座標（図３における左から１列目をＸ＝１とし、上から１行目をＹ＝１とする座標。（Ｘ，Ｙ）＝（３，３）は、図３における左から３つ目、上から３つ目のマイクロＬＥＤ１２ＲのＸＹ座標を示す。）を設定する。判定結果データは、図１１に示すように、マイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を特定するＸＹ座標のデータと、その位置のマイクロＬＥＤ１２Ｒの良／不良（レーザー光Ｌ２を照射する転写／レーザー光Ｌ２を照射しない非転写としてもよい）を特定するデータと、をＸＹ座標（マイクロＬＥＤ１２Ｒ）ごとに対応付けたデータとする。図１１では、（１，２）のマイクロＬＥＤ１２Ｒ（図３における左から１つ目、上から２つ目のマイクロＬＥＤ１２Ｒが不良となっており、それ以外は良となっている。判定結果データは、良又は不良のマイクロＬＥＤ１２ＲのＸＹ座標を特定するデータであってもよい。

コントローラ１８０は、前記判定結果データに基づいて、レーザー光Ｌ２の照射位置が、不良のマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置の透過部１４５を通っても、レーザー光Ｌ２の出射は行わないようにする（レーザー光Ｌ１のパルス発射を行わない）。レーザー光Ｌ２のスキャンの軌跡（レーザー光Ｌ２を照射する照射位置の移動の軌跡）は、予め定められており、かつ、スキャンされる転写元基板１０におけるマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置も、そのスキャンが何回目であるか等との関係で予め定められている。従って、前記判定結果データで、不良のマイクロＬＥＤ１２ＲのＸＹ座標が特定できれば、レーザー光Ｌ２を照射すべきでない照射位置（透過部１４６ないしマイクロＬＥＤ１２Ｒ）を特定することができる。

例えば、上記実施の形態の各スキャンでレーザー光Ｌ２が照射される各透過部１４６に重なるマイクロＬＥＤ１２ＲのＸＹ座標は、１回目のスキャンでは、（１，１）→（４，１）→（７，１）→（７，２）→（４，２）→（１，２）→（１，３）→（４，３）→（７，３）→・・・となり、２回目のスキャンでは、（２，１）→（５，１）→（８，１）→（８，２）→（５，２）→（２，２）→（２，３）→（５，３）→（８，３）→・・・となる。図１１では、ＸＹ座標（１，２）のマイクロＬＥＤ１２Ｒが不良であるので、コントローラ１８０は、１回目のスキャンにおける、レーザー光Ｌ２の６回目の照射（ＸＹ座標（１，２）に重なる透過部１４６への照射）時に、レーザー光Ｌ１の出射つまりレーザー光Ｌ２の照射をしないようにして、他の照射位置ではレーザー光Ｌ１の出射つまりレーザー光Ｌ２の照射を行う（図１２参照）。これにより、不良のマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写が防止される。

転写を行わなかった位置でのマイクロＬＥＤ１２Ｒの転写は、別途行えばよい（レーザー転写装置１００で行われてもよいし、他のレーザー転写装置を用いて行われてもよい）。これら転写は、マイクロＬＥＤ１２Ｇ及び１２Ｂでも同様に行う。これにより、マイクロＬＥＤ１２が全て転写された転写先基板の歩留まりが良好となる。

（変形例４）
上記転写の前に、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２の一定条件下での発光時の輝度（後述の輝度レベル等）を検査し、検査結果に基づいて転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２の転写先基板１２における転写位置（転写先の位置）を決定してもよい。以下、この点をマイクロＬＥＤ１２Ｒを例にして説明する。

例えば、転写元基板１０の各マイクロＬＥＤ１２Ｒに紫外線を当てたときの各マイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度を画像検査等により検査する。そして、検査結果に基づいて、転写元基板１０におけるマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置と、その位置でのマイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度レベル（輝度を数値範囲毎に分けたレベル）と、を対応付けた輝度レベルデータを作成する。輝度レベルデータは、図１３に示すように、マイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を特定するＸＹ座標のデータ（上記変形例３と同様）と、その位置のマイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度レベルを特定するデータと、をＸＹ座標（マイクロＬＥＤ１２）ごとに対応付けたデータからなる。輝度レベルは、「０」～「３」の値をとり、「０」は不良（非発光）を示し、「１」～「３」はその値が大きいほど輝度が高い（「３」が最高）ことを示す。輝度レベルは、４レベル以上に区分けされてもよい。

輝度レベルデータとは別に、転写先基板２０のマイクロＬＥＤ１２Ｒの各転写位置について、どの輝度レベルのマイクロＬＥＤ１２Ｒを転写するかの転写データも用意しておく。例えば、転写データは、図１４に示すように、転写先基板２０のマイクロＬＥＤ１２Ｒの各転写位置を特定するＸＹ座標のデータと、その転写位置で転写すべきマイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度レベルを特定するデータと、をＸＹ座標（マイクロＬＥＤ１２）ごとに対応付けたデータからなる。ＸＹ座標は、転写先基板２０にマイクロＬＥＤ１２Ｒが転写される転写位置のうち、図２の左から１列目をＸ＝１とし、上から１行目をＹ＝１とする座標である。（Ｘ，Ｙ）＝（３，３）は、図２におけるから左から３列目（全色のマイクロＬＥＤ１２では７列目）、上から３行目のマイクロＬＥＤ１２ＲのＸＹ座標を示す。

転写データは、転写先基板２０に全てのマイクロＬＥＤ１２Ｒが転写され、各マイクロＬＥＤ１２Ｒに一定の電流を流したときの各マイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度の、当該転写先基板２０の所定面積の領域毎の平均値（各領域に属するマイクロＬＥＤ１２Ｒそれぞれの前記輝度の平均値）が均一（略均一（例えば、中央値から±２０％以内など）も含む）になる輝度レベルの配置を示すデータである。

輝度レベルデータ及び転写データは、転写実行前にコントローラ１８０に入力されるものとする（輝度レベルデータは、転写元基板１０毎に作成され、転写データは、マイクロＬＥＤ１２の色毎に作成される）。

コントローラ１８０は、レーザー光Ｌ２のスキャンを実行する際、第２移動機構１７０を制御し、転写元基板１０を輝度レベルデータ及び転写データに基づいて移動させる。具体的に、コントローラ１８０は、レーザー光Ｌ２の照射位置が、各透過部１４６に達するごとに、その透過部１４６（照射位置が到達した透過部１４６）に対応する転写位置に転写すべきマイクロＬＥＤ１２Ｒの輝度レベルを前記転写データに基づき特定し、転写元基板１０における前記特定した輝度レベルのマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を輝度レベルデータにより特定する。コントローラ１８０は、当該特定後、当該マイクロＬＥＤ１２Ｒの位置を、前記その透過部１４６の位置に合わせるよう、第２移動機構１７０を制御し、転写元基板１０を移動させ、レーザー光Ｌ２の照射を行う。

上記実施の形態でレーザー光Ｌ２が照射される各透過部１４６に重なる転写位置のＸＹ座標は、１回目のスキャンでは、（１，１）→（２，１）→（３，１）→（３，２）→（２，２）→（１，２）→（１，３）→（２，３）→（３，３）→・・・となる。図１３及び図１４の例では、レーザー光Ｌ２の照射位置が、（１，１）の転写位置に重なる透過部１４６（１回目のスキャンの最初の透過部１４６）に位置したときに、当該透過部１４６に、転写元基板１０における（１，３）のマイクロＬＥＤ１２Ｒが重なるように、転写元基板１０が移動する。転写データでは転写位置（１，１）に対応する輝度レベルが「１」であり、輝度レベルデータにおいて輝度レベルが「１」のマイクロＬＥＤ１２Ｒの位置は（１，３）であるからである。その後、（２，１）以降についても同様に転写元基板１０が移動する。このような転写元基板１０の移動は、２回目以降のスキャンにおいて行われる。なお、輝度レベルデータにおいて、該当する輝度レベルを有するマイクロＬＥＤ１２Ｒがある場合、コントローラ１８０は、ランダム等の予め設定された方法で転写対象のマイクロＬＥＤ１２Ｒ（透過部１４６に位置を合わせるマイクロＬＥＤ１２）を特定するとよい。

前記の特定及び転写元基板１０の移動、つまり、所望の輝度のマイクロＬＥＤ１２Ｒの透過部１４６への位置合わせは、レーザー光Ｌ２の照射位置が透過部１４６に位置するタイミングに合わせて行われればよく、上記のように照射位置が透過部１４６に位置したときの他、レーザー光Ｌ２の照射位置が移動している際中に行われてもよい。前記位置合わせが前記タイミングに合わせて行われるとは、例えば、照射位置が透過部１４６に位置してレーザー光Ｌ２を照射する直前までに前記の位置合わせを完了させることであればよい。前記の特定及び転写元基板１０の移動は、転写先基板２０の一部領域毎に行われてもよい。また、転写元基板１０の移動時には、マスク１４０と転写元基板１０とを上昇させてもよいが、スキャンの効率化のため、マスク１４０と転写元基板１０とを上昇させなくてもよい。この場合、マスク１４０と転写元基板１０と転写先基板２０との各間隔を最初からある程度確保しておくとよい。前記の転写は、マイクロＬＥＤ１２Ｇ、マイクロＬＥＤ１２Ｂでも行われる。

このようにして、コントローラ１８０は、転写先基板２０に全てのマイクロＬＥＤ１２（１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂのいずれか）が転写された場合の各マイクロＬＥＤ１２の発光時の輝度の転写先基板２０における所定領域毎の平均値が均一になるよう、レーザー光Ｌ２の照射位置が透過部１４６それぞれに位置するごとに、転写元基板１０をマスク１４０及び転写先基板２０に対して相対的に移動させて（ここでは、マスク１４０及び転写先基板２０を不動としている）当該照射位置が位置する当該透過部１４６に転写先基板２０のマイクロＬＥＤ１２のうちのいずれかを合わせていく。このような構成により、マイクロＬＥＤ１２が転写された転写先基板２０の輝度ムラを低減することができる。

なお、どの転写位置にどのマイクロＬＥＤ１２を転写するかをランダムに決定してもよい。これによっても、転写先基板２０に全てのマイクロＬＥＤ１２（１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂのいずれか）が転写された場合の各マイクロＬＥＤ１２の発光時の輝度の転写先基板２０における所定領域毎の平均値を略均一とすることができる。また、転写先基板２０の各転写位置のマイクロＬＥＤ１２の輝度レベルをある程度把握できれば、マイクロＬＥＤ１２を駆動する駆動回路等により各マイクロＬＥＤ１２の輝度を補正できるので、転写データは、前記のような各マイクロＬＥＤ１２の輝度の前記領域毎の平均値を均一化するものでなくてもよい（転写データは、各マイクロＬＥＤ１２の輝度レベルの配置を示すものであればよい）。

（変形例５）
ハーフミラー等により、レーザー光の光路を分岐させ、複数行を同時にスキャンするようにしてもよい。また、レーザー光Ｌ２の形状を例えば、Ｙ方向に長尺とすることで複数行を同時にスキャンするようにしてもよい。また、行と列は、逆でもよい。

（変形例６）
レーザー光Ｌ２の形状は、四角形の他、円形、楕円形等であってもよい。レーザー光Ｌ２の形状は、透過部１４６及びマイクロＬＥＤ１２の形状等に合わせた形状であるとよい。例えば、透過部１４６及びマイクロＬＥＤ１２が平面視したときに円形であれば、レーザー光Ｌ２の形状も円形とし、透過部１４６及びマイクロＬＥＤ１２が平面視したときに四角形であれば、レーザー光Ｌ２の形状も四角形とするとよい。レーザー光Ｌ２は、透過部１４６以外の照射位置で照射されてもよい。

（変形例７）
マスク１４０は、誘電体多層膜１４２の代わりに、レーザー光を全反射かつ乱反射する金属膜を有してもよい。マスク１４０は、各透過部１４６の周囲が遮光されていれば、レーザー光Ｌ２の照射位置とは関係ない位置などに透過部を有してもよい。マスク１４０は、金属板等に透過部１４６としての貫通孔を設けたものであってもよい。

（変形例８）
転写元基板１０、転写先基板２０、マスク１４０、レーザー光Ｌ２の照射位置などは、他の部材等に対して相対的に移動するものであればよい。上記のように、レーザー転写装置１００は、転写元基板１０をマスク１４０及び転写先基板２０に対して相対的に移動（駆動）させることが可能な各種の駆動機構を備える。駆動機構は、上記では第１移動機構１６０及び／又は第２移動機構１７０から構成されている。例えば、変形例４での転写元基板１０の相対的な移動では第２移動機構１７０が前記の駆動機構に相当する。上記実施の形態でのスキャン時の転写元基板１０の相対的な移動（１回目のスキャン後の移動）では第１移動機構１６０及び第２移動機構１７０が前記の駆動機構に相当する。しかし、駆動機構は、このような構成に限らず、各種ロボット等により構成されてもよい。さらに、上記のように、レーザー転写装置１００は、マスク１４０と転写元基板１０との間、及び、転写元基板１０と前記転写先基板２０との間を離す離間機構を備える。当該離間機構は、上記では、支持部材１５２、支持部材１７２Ｄ及び１７３Ｄ（各支持部材１５２を伸縮させるためのモータ、油圧回路又は空圧回路などを適宜含む）などを含んで構成されている。しかし、離間機構は、このような構成に限らず、各種ロボット等により構成されてもよい。例えば、上記駆動機構、離間機構として、転写先基板２０及びマスク１４０（可動部１５０）を支持及びＸＹ方向に移動させる一以上の多関節ロボットと、可動部１５０等に搭載されマスク１４０を転写先基板２０に対してＺ方向に移動させる一以上の多関節ロボットと、転写元基板１０を支持（例えば、上記のように保持部材１７１を介した支持）及びＸＹＺ方向に移動させる一以上の多関節ロボットと、を採用してもよい。なお、マスク１４０は、転写先基板２０よりも小さいものであってもよい。つまり、ＲＧＢそれぞれについて、マスク１４０の透過部１４６の数よりも、転写先基板２０のマイクロＬＥＤ１２（１２Ｒ、１２Ｇ、又は、１２Ｂ）の転写位置の数の方が多くてもよい。この場合、マスク１４０は、多関節ロボット等により、転写先基板２０に対してＸＹ方向に相対的に移動可能とするとよい。例えば、コントローラ１８０は、多関節ロボットを制御し、スキャンの実行に際して、マスク１４０を移動させ、透過部１４６を転写先基板２０の転写位置（そのスキャンでのレーザー光Ｌ２の照射対象）に合わせるとよい。但し、上記のように、透過部１４６と転写位置とは、数が同じでそれぞれが一対一で対応している方がマスク１４０を転写先基板２０に対してＸＹ方向に移動させる手間がなくなり生産性がよい。

（変形例９）
マイクロＬＥＤ１２Ｒ、マイクロＬＥＤ１２Ｇ、マイクロＬＥＤ１２Ｂそれぞれを別のレーザー転写装置で転写してもよい。これにより、マスクの交換が不要になり、転写の生産性が向上する。

（変形例１１）
上記の説明では、理解の容易のため、マイクロＬＥＤの数を実際よりも少なくして説明しているが、実際には多数のマイクロＬＥＤが１つの転写元基板１０に形成され転写先基板２０に転写される。本発明は、マイクロＬＥＤ以外の他の素子の転写にも適用可能である。

（本明細書が開示する構成）
本明細書が開示する構成（上記実施の形態及び変形例を一例とする構成）を以下に列記する。

（１）複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写装置であって、
パルス状の前記レーザー光を出射する出射機構と、
前記転写元基板を覆うマスクであって、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部の周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させないマスクと、
前記レーザー光の照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させる移動機構と、
前記複数の転写対象素子それぞれが前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置されるよう前記転写元基板を支持する支持機構と、
前記移動機構及び前記出射機構を制御し、前記照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記出射機構から前記パルス状のレーザー光を出射させるスキャンを実行するコントローラと、
を備えるレーザー転写装置。

（２）前記コントローラは、前記スキャンにおいて、前記照射位置が前記複数の転写対象素子のうち不良の素子に対応する前記透過部に位置するタイミングでは前記パルス状のレーザー光を前記出射機構から出射させない、
上記（１）に記載のレーザー転写装置。

（３）前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させることが可能な第１駆動機構を備え、
前記素子は、発光素子であり、
前記コントローラは、前記複数の転写対象素子それぞれの発光時の輝度を示す輝度データを取得し、取得した前記輝度データに基づいて前記第１駆動機構を制御し、前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置するタイミングに合わせて、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させて当該照射位置が位置する当該透過部に前記複数の転写対象素子のうちのいずれかを合わせていく、
上記（１）に記載のレーザー転写装置。

（４）前記パルス状のレーザー光は、前記複数の透過部それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有する、
上記（１）から（３）のいずれかに記載のレーザー転写装置。

（５）前記マスクは、前記透過部の周囲に、前記パルス状のレーザー光を全反射かつ乱反射する、誘電体多層膜を備える、
上記（１）から（４）のいずれかに記載のレーザー転写装置。

（６）前記移動機構は、ガルバノスキャナとＦθレンズとを備え、
前記マスクは、前記転写元基板と前記Ｆθレンズとの間に配置されている、
上記（１）から（５）のいずれかに記載のレーザー転写装置。

（７）前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させることが可能な第２駆動機構を備え、
前記転写元基板に形成された前記複数の素子には、前記コントローラによる所定回数目の前記スキャンのときに、前記透過部とは位置がずれて転写対象とならない一以上の対象外素子が含まれ、
前記コントローラは、前記所定回数目の後の前記スキャンを行うときに、前記第２駆動機構を制御し、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させ、前記一以上の対象外素子のうちの少なくとも一部の対象外素子と前記複数の透過部のうちの一以上の透過部とを合わせる、
上記（１）から（６）のいずれかに記載のレーザー転写装置。

（８）前記マスクと前記転写元基板との間、及び、前記転写元基板と前記転写先基板との間を離す離間機構をさらに備え、
前記コントローラは、前記離間機構を制御し、前記マスクと前記転写元基板との間、及び、前記転写元基板と前記転写先基板との間を離してから、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させる、
上記（７）に記載のレーザー転写装置。

（９）複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写方法であって、
パルス状の前記レーザー光を照射する照射位置を、前記転写元基板を覆うマスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに、前記パルス状のレーザー光を前記転写元基板に照射するスキャンを行うスキャンステップを備え、
前記マスクは、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部それぞれの周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させず、
前記スキャンステップでは、
前記転写元基板の前記複数の転写対象素子それぞれを、前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置し、
前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記パルス状のレーザー光を前記複数の透過部それぞれを介して前記転写元基板に照射する、
レーザー転写方法。

（１０）前記転写元基板に不良の素子が形成されているかを検査する第１検査ステップをさらに備え、
前記スキャンステップでは、前記第１検査ステップによる検査結果に基づいて、前記照射位置が前記不良の素子に対応する前記透過部に位置するタイミングでは前記パルス状のレーザー光を照射しない、
上記（９）に記載のレーザー転写方法。

（１１）良品の素子を、前記転写先基板における前記不良の素子を転写するはずだった転写位置に転写する転写ステップをさらに備える、
上記（１０）に記載のレーザー転写方法。

（１２）前記素子は、発光素子であり、
前記転写元基板に形成された前記複数の素子それぞれの発光時の輝度を検査する検査ステップをさらに備え、
前記スキャンステップでは、前記検査ステップの検査結果に基づいて、前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置するタイミングに合わせて、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させて当該照射位置が位置する当該透過部に前記複数の転写対象素子のうちのいずれかを合わせていく、
上記（９）に記載のレーザー転写方法。

（本発明の範囲）
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。

１０・・・転写元基板、１１・・・基板、１２（１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ）・・・マイクロＬＥＤ、２０・・・転写先基板、１００・・・レーザー転写装置、１１０・・・レーザー、１２０・・・光学系、１２２・・・ＤＯＥ、１３０・・・スキャン機構、１３１・・・ガルバノスキャナ、１３２・・・Ｆθレンズ、１４０（１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂ）・・・マスク、１４１・・・基板、１４２・・・誘電体多層膜、１４５・・・非透過部、１４６・・・透過部、１５０・・・可動部、１５１・・・ステージ、１５２・・・支持部材、１６０・・・第１移動機構、１７０・・・第２移動機構、１７４・・・支持部材、１７８・・・支持部材、１８０・・・コントローラ、Ｌ１，Ｌ２・・・レーザー光

Claims (11)

1. 複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写装置であって、
   パルス状の前記レーザー光を出射する出射機構と、
   前記転写元基板を覆うマスクであって、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部の周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させないマスクと、
   前記レーザー光の照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させる移動機構と、
   前記複数の転写対象素子それぞれが前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置されるよう前記転写元基板を支持する支持機構と、
   前記移動機構及び前記出射機構を制御し、前記照射位置を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記出射機構から前記パルス状のレーザー光を出射させるスキャンを実行するコントローラと、
   を備え、
   前記パルス状のレーザー光は、前記複数の透過部それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有する、
   レーザー転写装置。
2. 前記コントローラは、前記スキャンにおいて、前記照射位置が前記複数の転写対象素子のうち不良の素子に対応する前記透過部に位置するタイミングでは前記パルス状のレーザー光を前記出射機構から出射させない、
   請求項１に記載のレーザー転写装置。
3. 前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させることが可能な第１駆動機構を備え、
   前記素子は、発光素子であり、
   前記コントローラは、前記複数の転写対象素子それぞれの発光時の輝度を示す輝度データを取得し、取得した前記輝度データに基づいて前記第１駆動機構を制御し、前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置するタイミングに合わせて、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させて当該照射位置が位置する当該透過部に前記複数の転写対象素子のうちのいずれかを合わせていく、
   請求項１に記載のレーザー転写装置。
4. 前記マスクは、前記透過部の周囲に、前記パルス状のレーザー光を全反射かつ乱反射する、誘電体多層膜を備える、
   請求項１から３のいずれか１項に記載のレーザー転写装置。
5. 前記移動機構は、ガルバノスキャナとＦθレンズとを備え、
   前記マスクは、前記転写元基板と前記Ｆθレンズとの間に配置されている、
   請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザー転写装置。
6. 前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させることが可能な第２駆動機構を備え、
   前記転写元基板に形成された前記複数の素子には、前記コントローラによる所定回数目の前記スキャンのときに、前記透過部とは位置がずれて転写対象とならない一以上の対象外素子が含まれ、
   前記コントローラは、前記所定回数目の後の前記スキャンを行うときに、前記第２駆動機構を制御し、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させ、前記一以上の対象外素子のうちの少なくとも一部の対象外素子と前記複数の透過部のうちの一以上の透過部とを合わせる、
   請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザー転写装置。
7. 前記マスクと前記転写元基板との間、及び、前記転写元基板と前記転写先基板との間を離す離間機構をさらに備え、
   前記コントローラは、前記離間機構を制御し、前記マスクと前記転写元基板との間、及び、前記転写元基板と前記転写先基板との間を離してから、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させる、
   請求項６に記載のレーザー転写装置。
8. 複数の素子が形成された転写元基板にレーザー光を上方から照射し、前記複数の素子のうち転写対象である複数の転写対象素子を前記転写元基板の下方に位置する転写先基板に転写するレーザー転写方法であって、
   パルス状の前記レーザー光を照射する照射位置を、前記転写元基板を覆うマスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させるとともに、前記パルス状のレーザー光を前記転写元基板に照射するスキャンを行うスキャンステップを備え、
   前記マスクは、前記上方から見たときに前記転写先基板における前記複数の転写対象素子それぞれの転写位置と重なる位置に前記パルス状のレーザー光を透過する複数の透過部を有し、少なくとも当該複数の透過部それぞれの周囲は前記パルス状のレーザー光を透過させず、
   前記パルス状のレーザー光は、前記複数の透過部それぞれよりも大きく、トップハット形状の強度分布を有し、
   前記スキャンステップでは、
   前記転写元基板の前記複数の転写対象素子それぞれを、前記複数の透過部それぞれと前記転写先基板の前記転写位置それぞれとの間に配置し、
   前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置する各タイミングにて前記パルス状のレーザー光を前記複数の透過部それぞれを介して前記転写元基板に照射する、
   レーザー転写方法。
9. 前記転写元基板に不良の素子が形成されているかを検査する第１検査ステップをさらに備え、
   前記スキャンステップでは、前記第１検査ステップによる検査結果に基づいて、前記照射位置が前記不良の素子に対応する前記透過部に位置するタイミングでは前記パルス状のレーザー光を照射しない、
   請求項８に記載のレーザー転写方法。
10. 良品の素子を、前記転写先基板における前記不良の素子を転写するはずだった転写位置に転写する転写ステップをさらに備える、
    請求項９に記載のレーザー転写方法。
11. 前記素子は、発光素子であり、
    前記転写元基板に形成された前記複数の素子それぞれの発光時の輝度を検査する検査ステップをさらに備え、
    前記スキャンステップでは、前記検査ステップの検査結果に基づいて、前記照射位置が前記複数の透過部それぞれに位置するタイミングに合わせて、前記転写元基板を前記マスク及び前記転写先基板に対して相対的に移動させて当該照射位置が位置する当該透過部に前記複数の転写対象素子のうちのいずれかを合わせていく、
    請求項８に記載のレーザー転写方法。

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