KR20230070285A - 중첩 서셉터 및 예열 링 - Google Patents

중첩 서셉터 및 예열 링 Download PDF

Info

Publication number
KR20230070285A
KR20230070285A KR1020237013372A KR20237013372A KR20230070285A KR 20230070285 A KR20230070285 A KR 20230070285A KR 1020237013372 A KR1020237013372 A KR 1020237013372A KR 20237013372 A KR20237013372 A KR 20237013372A KR 20230070285 A KR20230070285 A KR 20230070285A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
liner
chamber
annular body
chamber volume
Prior art date
Application number
KR1020237013372A
Other languages
English (en)
Inventor
저펑 총
슈베르트 추
니 오. 묘
카르틱 부펜드라 샤
지위안 예
리차드 오. 콜린스
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20230070285A publication Critical patent/KR20230070285A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본원에 개시된 실시예들은 일반적으로 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동의 개선된 제어를 제공한다. 적어도 일 실시예에서, 프로세싱 챔버를 위한 라이너는 측벽을 갖는 환형 바디 및 환형 바디 내부에서 외부로 가스를 배기하기 위해 환형 바디 내에 형성된 배기구를 포함한다. 배기구는 측벽을 통해 배치된 하나 이상의 배기구 구멍들을 포함한다. 라이너는 기판 로딩 및 언로딩을 위해 환형 바디 내에 개구를 더 포함한다.

Description

중첩 서셉터 및 예열 링
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 개시된 실시예들은 중첩 서셉터 및 예열 링, 배기형 라이너, 및 챔버 압력 균형화에 관한 것이다.
[0002] 반도체 기판들은 집적 디바이스들 및 마이크로-디바이스들의 제조를 포함하는 매우 다양한 응용들을 위해 프로세싱된다. 기판 프로세싱의 하나의 방법은 기판의 상부 표면 상에 유전체 재료 또는 전도성 금속과 같은 재료를 증착하는 것을 포함한다. 예를 들어, 에피택시는 기판의 표면 상에 일반적으로 실리콘 또는 게르마늄의 얇은 초순수 층을 성장시키는 증착 프로세스이다. 재료는 지지체 상에 포지셔닝된 기판의 표면에 평행하게 프로세스 가스를 유동시키고, 프로세스 가스를 열 분해하여 프로세스 가스로부터의 재료를 기판 표면 상에 증착함으로써 측방향 유동 챔버에서 증착될 수 있다. 에피택셜 성장에서의 막 품질은 막 증착 동안의 가스 유동의 정밀도에 의존한다. 예를 들어, 챔버의 하부 부분 내의 퍼지 가스 유동은 하부 부분 내로의 프로세스 가스의 유동 또는 프로세스 가스의 확산을 방지하거나 감소시키는 것을 돕기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 프로세스 가스 유동과 퍼지 가스 유동 사이의 가스 교환은 증착 프로세스에 유해할 수 있다.
[0003] 따라서, 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동의 개선된 제어가 필요하다.
[0004] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 개시된 실시예들은 중첩 서셉터 및 예열 링, 배기형 라이너, 및 챔버 압력 균형화에 관한 것이다.
[0005] 적어도 하나의 실시예에서, 프로세싱 챔버를 위한 라이너는 측벽을 갖는 환형 바디, 및 환형 바디 내부에서 외부로 가스를 배기하기 위해 환형 바디 내에 형성된 배기구를 포함한다. 배기구는 측벽을 통해 배치된 하나 이상의 배기구 구멍들을 포함한다. 라이너는 기판 로딩 및 언로딩을 위한, 환형 바디 내의 개구를 더 포함한다.
[0006] 적어도 하나의 실시예에서, 프로세싱 챔버를 위한 조립체는 기판 수용 최상부 표면을 갖는 서셉터, 서셉터의 평면 아래의 제1 볼륨을 방사상 외측으로 둘러싸는 라이너, 및 라이너에 결합되고 라이너로부터 방사상 내측으로 연장되며 서셉터와 방사상으로 중첩되는 예열 링을 포함한다.
[0007] 적어도 하나의 실시예에서, 프로세싱 챔버는 서셉터 및 예열 링이 내부에 배치되어 있는 챔버 바디를 포함한다. 챔버 바디는 서셉터의 평면 위에 정의된 상부 챔버 볼륨, 및 서셉터의 평면 아래에 정의된 하부 챔버 볼륨을 포함한다. 서셉터 및 예열 링의 부분들은 방사상으로 중첩된다. 프로세싱 챔버는 상부 챔버 볼륨으로부터 프로세스 가스를 배기하기 위해 챔버 바디의 측벽을 통해 배치된 제1 배기 포트를 포함한다. 프로세싱 챔버는 하부 챔버 볼륨으로부터 퍼지 가스를 배기하기 위해 챔버 바디의 측벽을 통해 배치된 제2 배기 포트를 포함한다. 프로세싱 챔버는 상부 챔버 볼륨과 하부 챔버 볼륨 사이의 압력 차이를 측정하도록 구성된 차동 압력 센서를 포함한다. 프로세싱 챔버는 제1 및 제2 배기 포트들을 진공 소스에 유체적으로 결합하도록 구성된 압력 균형화 밸브를 포함한다. 압력 균형화 밸브는 상부 챔버 볼륨과 하부 챔버 볼륨 사이의 압력 차이를 조절하도록 동작가능하다.
[0008] 위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 실시예들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 예시적인 실시예들만을 예시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되고, 동등하게 효과적인 다른 실시예들을 허용할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
[0009] 도 1a는 적어도 하나의 실시예에 따른 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 1b는 도 1a의 일부의 확대 단면도이다.
[0011] 도 2a는 적어도 하나의 실시예에 따른 하부 라이너의 격리된 최상부 등각도이다.
[0012] 도 2b는 도 2a의 하부 라이너의 측면도이다.
[0013] 도 3은 도 1a의 프로세싱 챔버에서 사용될 수 있는 상이한 서셉터 및 예열 링 조합의 확대 단면도이다.
[0014] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 나타내기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 추가적인 설명 없이도 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있을 것으로 생각된다.
[0015] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 개시된 실시예들은 중첩 서셉터 및 예열 링, 배기형 라이너, 및 챔버 압력 균형화에 관한 것이다.
[0016] 본원에 개시된 실시예들은 프로세싱 챔버들, 특히 챔버의 상부 부분에서의 프로세스 가스 유동 및 챔버의 하부 부분에서의 퍼지 가스 유동을 갖는 프로세싱 챔버들에서의 가스 유동의 개선된 제어를 제공한다. 본원에 개시된 실시예들은 서셉터와 예열 링 사이의 갭이 그들 사이의 가스 교환을 가능하게 하는 종래의 장치에 비하여 상부 부분에서의 프로세스 가스 유동과 하부 부분에서의 퍼지 가스 유동 사이의 가스 교환을 감소시키거나 방지하는 중첩 서셉터 및 예열 링을 제공한다.
[0017] 본원에 개시된 실시예들은 챔버의 상부 부분 내로의 퍼지 가스 유동을 감소시키거나 방지하며, 이는 증착 프로세스들에 유해할 수 있는 프로세스 가스 유동의 희석을 방지하는 데에 도움이 된다. 일부 증착 프로세스들은 높은 전구체 부분압을 유지하기 위해, 예를 들어 막 형성 동안 높은 도펀트 레벨을 달성하기 위해, 메인 운반 가스(main carry gas)의 낮은 유동을 사용한다. 그러한 프로세스들 동안, 상부 부분으로의 높은 퍼지 가스 유동은 프로세스 가스 유동을 희석하며, 이는 메인 운반 가스 유동의 감소를 필요로 할 수 있다. 메인 운반 가스 유동의 바람직하지 않게 낮은 레벨로의 감소는 회전에 따른 불량한 증착 균일성 튜닝을 포함하는 불량한 증착 균일성을 초래한다. 게다가, 퍼지 가스 유동은 결함 성능에 악영향들을 미치면서 입자들(예를 들어, 금속 입자들)을 상부 부분에 도입한다.
[0018] 본원에 개시된 실시예들은 챔버의 하부 부분 내로의 프로세스 가스 유동을 감소시키거나 방지하며, 이는 하부 부분에서의 표면들 상의 바람직하지 않은 재료 증착을 방지하는 것을 돕는다. 예를 들어, 프로세스 가스는 서셉터의 후면 또는 하부 윈도우 중 하나 또는 둘 다와 접촉하고 그 위에 막 증착을 야기하는 것이 방지될 수 있는데, 이들 중 어느 하나는 프로세스 시프트를 야기하여, 막 두께, 도펀트 레벨 및 결함 형성에서의 바람직하지 않은 변화들을 초래할 수 있다. 챔버의 하부 부분에서의 재료 증착의 방지는 세정과 연관된 예방 유지보수 간격들을 연장함으로써 도구 가동시간을 증가시킨다.
[0019] 본원에 개시된 실시예들은 퍼지 가스 유동이 프로세스 가스와 혼합되고 챔버의 상부 부분으로부터 배기되는 종래의 배기 없는 라이너들과 달리 챔버의 하부 부분으로부터의 직접적인 퍼지 가스 유동의 배기를 가능하게 하는 배기형 라이너를 제공한다. 챔버의 하부 부분으로부터의 퍼지 가스 유동의 직접 배기는 위에 개략적으로 설명된 메커니즘들에 따라 증착 프로세스 균일성 및 도구 가동시간을 개선한다.
[0020] 본원에 개시된 실시예들은 프로세스 가스 유동 입력, 퍼지 가스 유동 입력, 및 서셉터와 예열 링 사이의 갭 크기에 적어도 부분적으로 기초하여 압력이 수동적으로 제어되는 종래의 프로세싱 챔버들과 달리 챔버의 상부 부분과 하부 부분 사이의 동적 압력 균형화를 제공한다. 동적 압력 균형화는 위에 개략적으로 설명된 메커니즘들에 따라 증착 프로세스 균일성 및 도구 가동시간을 개선한다.
[0021] 도 1a는 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는 기판(101)의 상부 표면 상의 재료의 증착을 포함하여, 하나 이상의 기판들(101)을 프로세싱하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 챔버(100)는 에피택셜 증착 프로세스를 수행하도록 적응될 수 있다. 일례에서, 프로세싱 챔버(100)는 300mm 기판을 프로세싱하도록 구성될 수 있다.
[0100] 프로세싱 챔버(100)는 일반적으로 챔버 바디(102), 지원 시스템들(104), 및 제어기(106)를 포함한다. 지원 시스템들(104)은 막 증착과 같이 프로세싱 챔버(100)를 사용하여 수행되는 하나 이상의 프로세스들을 모니터링 및/또는 실행하기 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 프로그래밍 가능 컴퓨터와 같은 제어기(106)는 지원 시스템들(104)에 결합되고, 프로세싱 챔버(100) 및 지원 시스템들(104)을 제어하도록 적응된다. 제어기(106)는 메모리(111)(예를 들어, 비휘발성 메모리) 및 지원 회로들(113)과 함께 동작가능한 프로그래밍 가능 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(107)을 포함한다. 지원 회로들(113)은 전통적으로 CPU(107)에 결합되고, 프로세싱 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들에 결합된 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전력 공급부들 등 및 이들의 조합들을 포함한다.
[0101] 일부 실시예들에서, CPU(107)는 다양한 모니터링 시스템 컴포넌트 및 서브프로세서들을 제어하기 위해 프로그래밍 가능 논리 제어기(PLC)와 같이 산업 현장에서 사용되는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나이다. CPU(107)에 결합된 메모리(111)는 비일시적이며, 전형적으로, 쉽게 이용가능한 메모리, 예컨대 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크 드라이브, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 로컬 또는 원격 디지털 저장소 중 하나 이상이다.
[0102] 여기서, 메모리(111)는 CPU(107)에 의해 실행될 때 프로세싱 챔버(100)의 동작을 용이하게 하는 명령어들을 포함하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체들(예를 들어, 비휘발성 메모리)의 형태이다. 메모리(111) 내의 명령어들은 본 개시내용의 방법들을 구현하는 프로그램(예를 들어, 미들웨어 애플리케이션, 장비 소프트웨어 애플리케이션 등)과 같은 프로그램 제품의 형태이다. 프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 것에 따를 수 있다. 일례에서, 본 개시내용은 컴퓨터 시스템과 함께 사용하기 위한 컴퓨터 판독가능 저장 매체들 상에 저장된 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본원에 설명된 방법들을 포함하는) 실시예들의 기능들을 정의한다.
[0103] 예시적인 컴퓨터 판독가능 저장 매체들은 (i) 정보가 영구적으로 저장되는 기입불가능 저장 매체들(예컨대, CD-ROM 드라이브에 의해 판독가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들 또는 임의의 유형의 솔리드 스테이트 비휘발성 반도체 메모리와 같은 컴퓨터 내의 판독 전용 메모리 디바이스들); 및 (ⅱ) 변경가능한 정보가 저장되는 기입가능 저장 매체들(예컨대, 디스켓 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 하드 디스크 드라이브 또는 임의의 유형의 솔리드 스테이트 랜덤 액세스 반도체 메모리)을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는다. 이러한 컴퓨터 판독가능 저장 매체들은 본원에 설명된 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터 판독가능 명령어들을 포함할 때 본 개시내용의 실시예들이다.
[0022] 챔버 바디(102)는 프로세싱 영역을 정의하는 상부 윈도우(108), 예를 들어 돔, 측벽(109) 및 하부 윈도우(110), 예를 들어 돔을 갖는다. 기판(101)을 지지하기 위해 사용되는 서셉터(112)가 프로세싱 영역 내에 배치된다. 서셉터(112)는 실리콘 탄화물, 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 서셉터(112)는 기판 수용 최상부 표면(114)을 갖는다. 서셉터(112)는 샤프트(120)로부터 연장되는 개개의 지지 암들(118)에 결합되는 지지 포스트들(116)에 의해 회전되고 지지된다. 동작 동안, 서셉터(112) 상에 배치된 기판(101)은 리프트 핀들(124)을 통해 기판 리프트 암들(122)에 의해 서셉터(112)에 대해 상승될 수 있다.
[0023] 프로세싱 챔버(100)의 내부 볼륨은 서셉터(112)의 평면 위의 상부 챔버 볼륨(134)(예를 들어, 프로세스 가스 영역) 및 서셉터(112)의 평면 아래의 하부 챔버 볼륨(136)(예를 들어, 퍼지 가스 영역)으로 분할된다.
[0024] 프로세싱 챔버(100)는 많은 컴포넌트들 중에서 특히, (아래에 더 상세하게 설명되는) 서셉터(112)의 후면(115) 및 예열 링(132)을 가열하기 위한 방사 열 램프들(126)의 어레이를 포함한다. 서셉터(112) 및 예열 링(132)의 가열은 기판(101) 상에 하나 이상의 층들을 형성하기 위해 기판(101) 상으로의 프로세스 가스들의 열 분해에 기여한다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 방사 열 램프들(126)은 상부 윈도우(108) 위에, 하부 윈도우(110) 아래에, 또는 둘 다에 배치될 수 있다. 상부 윈도우(108) 및 하부 윈도우(110)는 석영과 같은 광학적으로 투명한 재료로 형성되어, 그것을 통한 열 방사의 투과를 용이하게 할 수 있다.
[0025] 방사 열 램프들(126)은 기판(101)의 상부 표면 상으로의 재료의 증착을 용이하게 하기 위해 기판(101)의 다양한 영역들에서 온도를 독립적으로 제어하도록 서셉터(112) 주위에 임의의 원하는 방식으로 배열될 수 있다. 여기서 상세하게 논의되지는 않지만, 증착된 재료는 많은 가운데 특히, 실리콘 게르마늄, 갈륨 비화물, 갈륨 질화물 또는 알루미늄 갈륨 질화물을 포함할 수 있다. 방사 열 램프들(126) 각각의 열 에너지 출력은 제어기(106)를 사용하여 정밀하게 제어될 수 있다. 방사 열 램프들(126)은 프로세싱 챔버(100)의 내부를 약 200 ℃ 내지 약 1600 ℃의 범위 내의 온도로 가열하도록 구성될 수 있다.
[0026] 기판(101)으로부터 방사되는 적외선 광을 다시 기판(101) 상으로 반사시키기 위해 상부 윈도우(108) 위에 반사기가 선택적으로 배치될 수 있다. 반사기는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 제조될 수 있다. 반사기 영역을 금과 같은 고반사성 코팅으로 코팅함으로써 반사 효율이 개선될 수 있다. 반사기는 반사기를 냉각하기 위해 물과 같은 냉각 유체를 반사기에 제공하기 위한 냉각 소스에 결합될 수 있다.
[0027] 상부 라이너(128)가 상부 윈도우(108) 아래에 배치되고, 상부 윈도우(108)의 주변 부분 또는 측벽(109)과 같은 챔버 컴포넌트들 상으로의 원하지 않는 증착을 방지하도록 구성된다. 상부 라이너(128)는 하부 라이너(130)에 인접하여 포지셔닝된다. 하부 라이너(130)는 측벽(109)의 내측 둘레 내에 끼워지도록 구성된다. 하부 라이너(130)는 상부 윈도우(108)와 하부 윈도우(110) 사이에 배치된다. 하부 라이너(130)는 하부 챔버 볼륨(136)을 방사상 외측으로 둘러싼다. 상부 라이너(128) 및 하부 라이너(130)는 석영으로 형성될 수 있다.
[0028] 예열 링(132)은 예열 링(132)을 지지하고 포지셔닝하기 위해 하부 라이너(130)에 결합된다. 하부 라이너(130)의 상부 단부(129)는 그 위에 예열 링(132)을 수용하기 위한 프로파일을 갖는다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 예열 링(132)은 서셉터(112)가 프로세싱 포지션에 있을 때 서셉터(112)의 주변부 주위에 배치되도록 구성된다. 예열 링(132)은 하부 라이너(130)로부터 방사상 내측으로 연장된다. 예열 링(132)과 서셉터(112)의 방사상 중첩 부분들은 아래에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 상부 챔버 볼륨(134)과 하부 챔버 볼륨(136) 사이의 가스 교환을 감소시키거나 방지하도록 구성된다. 예열 링(132)은 실리콘 탄화물로 형성될 수 있다. 동작 동안의 예열 링(132)의 온도는 약 100 ℃ 내지 약 800 ℃의 범위 내에 있을 수 있다. 가열된 예열 링(132)은 상부 챔버 볼륨(134)을 통해 유동하는 프로세스 가스들을 활성화하는 데에 도움이 된다.
[0029] 프로세스 가스 공급 소스(138)로부터 공급된 프로세스 가스는 측벽(109)을 통해 형성된 프로세스 가스 유입구(140)를 통해 상부 챔버 볼륨(134) 내로 도입된다. 프로세스 가스 유입구(140)는 상부 라이너(128)와 하부 라이너(130) 사이에서 적어도 부분적으로 연장된다. 프로세스 가스 유입구(140)는 프로세스 가스 유동(170)에 의해 표시된 바와 같이 대체로 방사상 내측 방향으로 프로세스 가스를 지향시키도록 구성된다. 막 형성 동안, 서셉터(112)는 프로세스 가스 유입구(140)의 종점에 인접하고 그것과 대략 동일한 높이에 있는 프로세싱 포지션(도 1a에 도시됨)에 로케이팅될 수 있고, 이는 프로세스 가스가 기판(101)의 상부 표면을 적어도 부분적으로 가로질러 정의된 유동 경로를 따라 대체로 평탄한 층류 상태로 유동하는 것을 허용한다. 하나의 프로세스 가스 유입구(140)만이 도시되어 있지만, 프로세스 가스 유입구(140)는 상이한 조성, 농도, 부분압, 밀도 및/또는 속도를 갖는 둘 이상의 개별 프로세스 가스 유동들을 전달하기 위한 둘 이상의 유입구들을 포함할 수 있다.
[0030] 프로세스 가스는 프로세스 가스 유입구(140)에 대향하는, 프로세싱 챔버(102)의 측벽(109)을 통해 형성된 배기 포트, 예컨대 프로세스 가스 유출구(142)를 통해 상부 챔버 볼륨(134)으로부터 빠져나간다. 프로세스 가스 유출구(142)를 통한 프로세스 가스의 배기는 프로세스 가스 유출구(142)의 하류 측에 유체적으로 결합된 진공 펌프(144)와 같은 진공 소스에 의해 용이하게 된다.
[0031] 퍼지 가스는 하나 이상의 퍼지 가스 소스들(148a 및/또는 148b)로부터 하부 챔버 볼륨(136)으로 공급된다. 퍼지 가스 소스들(148a 및 148b)은 도시된 것과 동일한 소스 또는 상이한 소스들일 수 있다. 퍼지 가스는 수소 또는 질소와 같은 불활성 가스일 수 있다. 하부 챔버 볼륨(136)에서의 퍼지 가스의 유동은 상부 챔버 볼륨(134)으로부터 하부 챔버 볼륨(136)으로의 프로세스 가스의 확산 또는 프로세스 가스의 유동을 방지하거나 감소시키는 것을 돕는다. 퍼지 가스의 유동은 측벽(109) 내에 또는 주위에 형성된 측면 유입구(150) 또는 하부 윈도우(110) 내에 형성된 저부 유입구(160) 중 하나 또는 둘 다를 통해 하부 챔버 볼륨(136)에 진입한다. 측면 유입구(150)는 프로세스 가스 유입구(140) 아래의 높이에 배치된다. 분배 채널(152)이 하부 라이너(130)와 측벽(109) 사이에 방사상으로 그리고 측벽(109)과 하부 윈도우(110) 사이에 수직으로 형성된다. 분배 채널(152)은 측면 유입구(150)로부터 퍼지 가스를 수용하기 위해 측면 유입구(150)에 유체적으로 결합된다. 분배 채널(152)은 퍼지 가스를 하부 챔버 볼륨(136) 주위에 고르게 분배하기 위해 하부 라이너(130) 주위에 360도 연장될 수 있다. 분배 채널(152)은 제2 채널(154)을 통해 하부 챔버 볼륨(136)에 유체적으로 결합된다. 도시된 제2 채널(154)은 하부 라이너(130)와 하부 윈도우(110) 사이에 형성된다. 제2 채널(154)은 하부 라이너(130)의 하부 단부(131)를 향해 방사상 내측으로 연장된다. 대안적으로, 제2 채널(154)은 하부 라이너(130)의 바디를 통해 형성될 수 있다. 제2 채널(154)은 단일 환형 채널 또는 복수의 아크 형상 채널들로서 형성될 수 있다. 제2 채널(154)은 프로세스 가스 유입구(140) 아래의 높이에 배치된다. 도시된 제2 채널(154)은 또한 분배 채널(152) 아래의 높이에 배치된다. 대안적으로, 제2 채널(154)은 분배 채널(152)에 또는 그 위에 배치될 수 있다. 제2 채널(154)은 퍼지 가스를 퍼지 가스 유동(172)에 의해 표시된 바와 같이 대체로 방사상 내측 방향으로 하부 챔버 볼륨(136) 내로 지향시키도록 구성된다.
[0032] 상부 챔버 볼륨(134)은 서셉터(112)의 평면 위에(예를 들어, 서셉터의 기판 수용 표면(114) 위에 또는 그 위에 배치된 기판(101) 위에) 수직으로 정의되고, 예열 링(132)은 상부 윈도우(108) 아래에 수직으로 정의되고, 측벽(109)의 방사상 내측으로 정의된다. 하부 챔버 볼륨(136)은 서셉터(112)의 평면 아래에(예를 들어, 서셉터의 후면(115) 아래에) 수직으로 정의되고, 하부 윈도우(110) 위에 수직으로 정의되고, 하부 라이너(130)의 방사상 내측으로 정의된다.
[0033] 기판 로딩 포지션에서, 서셉터(112)는 예열 링(132)에 대해 하강되어, 서셉터(112)와 예열 링(132)의 방사상 중첩 부분들 사이에 수직 갭을 제공한다. 기판(101)은 갭을 통해 그리고 (도 2a에 도시된) 하부 라이너(130) 내의 대응하는 개구를 통해 챔버 바디(102) 내로 로딩되고 챔버 바디(102)로부터 언로딩되도록 구성된다. (도 1a에 도시된) 프로세싱 포지션에서, 서셉터(112)는, 서셉터(112) 및 예열 링(132)이 프로세스 가스 유입구(140)의 종점과 제2 채널(154)의 종점 사이의 높이에 배치되도록 상승된다.
[0034] 저부 유입구(160)는 샤프트(120)와 하부 윈도우(110) 사이에 배치된다. 저부 유입구(160)는 하부 챔버 볼륨(136)에 직접 유체적으로 결합된다. 저부 유입구(160)는 제2 채널(154) 아래의 높이에 배치된다. 저부 유입구(160)는 퍼지 가스를 퍼지 가스 유동(174)에 의해 표시된 바와 같이 대체로 상측 및 방사상 외측 방향으로 하부 챔버 볼륨(136) 내로 지향시키도록 구성된다. 저부 유입구(160)로부터의 퍼지 가스 유동(174)은 퍼지 가스 유동(172) 단독에 비하여 하부 챔버 볼륨(136)의 저부 부분으로의 퍼지 가스의 유동을 증가시키도록 구성될 수 있다.
[0035] 퍼지 가스는 측벽(109)을 통해 형성된 퍼지 가스 유출구(156)와 같은 배기 포트를 통해 하부 챔버 볼륨(136)으로부터 빠져나간다. 도시된 퍼지 가스 유출구(156)는 프로세스 가스 유입구(140)에 대향하여 로케이팅된다. 그러나, 퍼지 가스 유출구(156)는 프로세스 가스 유입구(140)에 대하여 측벽(109)을 따라 임의의 방사상 포지션에 로케이팅될 수 있다. 하부 라이너(130)는 퍼지 가스를 하부 챔버 볼륨(136)으로부터 퍼지 가스 유출구(156) 내로 직접 배기하기 위한 (아래에 더 상세하게 설명되는) 배기구(133)를 갖는다. 배기구(133) 및 퍼지 가스 유출구(156)를 통한 퍼지 가스의 배기는 퍼지 가스 유출구(156)의 하류 측에 유체적으로 결합된 진공 펌프(144)와 같은 진공 소스에 의해 용이하게 된다.
[0036] 차동 압력 센서(162)는 상부 챔버 볼륨(134)과 하부 챔버 볼륨(136) 간의 압력 차이를 측정하도록 구성된다. 차동 압력 센서(162)는 프로세스 가스 유출구(142) 및 퍼지 가스 유출구(156) 각각에 결합된다. 도시된 차동 압력 센서(162)는 측벽(109)에 배치된다. 대안적으로, 차동 압력 센서(162)는 측벽(109)에 결합되는 것과 같이 챔버 바디(102) 외부에 그리고 그에 인접하여 로케이팅될 수 있다. 차동 압력 센서(162)로부터의 측정 데이터는 제어기(106) 및 압력 균형화 밸브(166) 중 하나 또는 둘 다에 통신되며, 이는 아래에서 더 상세히 설명된다.
[0037] 압력 센서(164)는 상부 챔버 볼륨(134) 내의 압력을 측정하도록 구성된다. 프로세싱 동안, 상부 챔버 볼륨(134) 내의 압력은 약 5 Torr 내지 약 600 Torr일 수 있다. 도시된 압력 센서(164)는 챔버 바디(102) 외부에 그리고 그에 인접하여 로케이팅되고, 측벽(109)에 결합된다. 대안적으로, 압력 센서(164)는 측벽(109)에 배치될 수 있다. 도시된 압력 센서(164)는 측벽(109) 및 상부 라이너(128)를 통해 상부 챔버 볼륨(134)에 결합된다. 대안적으로, 압력 센서(164)는 상부 윈도우(108)를 통해 또는 상부 윈도우(108)와 측벽(109) 사이에서 상부 챔버 볼륨(134)에 결합될 수 있다. 압력 센서(164)로부터의 측정 데이터는 제어기(106) 및 압력 균형화 밸브(166) 중 하나 또는 둘 다에 통신된다. 제2 압력 센서는 하부 챔버 볼륨(136) 내의 압력을 측정하도록 구성될 수 있다. 제2 압력 센서로부터의 측정 데이터는 제어기(106) 및 압력 균형화 밸브(166) 중 하나 또는 둘 다에 통신될 수 있다.
[0038] 압력 균형화 밸브(166)는 프로세스 가스 유출구(142) 및 퍼지 가스 유출구(156) 각각을 진공 펌프(144)에 유체적으로 결합한다. 압력 균형화 밸브(166)는 차동 압력 센서(162) 또는 압력 센서(164) 중 하나 또는 둘 다로부터의 데이터에 기초하여 제어기(106)에 의해 동작될 수 있다. 동작 시에, 압력 균형화 밸브(166)는 상부 챔버 볼륨(134)과 하부 챔버 볼륨(136) 사이의 압력 차이를 조절하기 위해, 프로세스 가스 유출구(142)를 통한 프로세스 가스의 배기 및 퍼지 가스 유출구(156)를 통한 퍼지 가스의 배기를 조절한다. 상부 챔버 볼륨(134)과 하부 챔버 볼륨(136) 사이의 압력 균형화는 그들 사이의 가스 교환을 위한 구동력을 제거할 수 있다. 압력 차이에 대한 프로세스 설계 허용오차는 약 ±5% 이하, 예컨대 약 ±0.1% 내지 약 ±5%, 예컨대 약 ±2% 내지 약 ±5%일 수 있다. 일례에서, 상부 챔버 볼륨(134) 내에서의 10 Torr의 압력에 대하여, 하부 챔버 볼륨(136)은 약 9.9 Torr 내지 약 10.1 Torr의 범위(즉, ±1%의 허용오차) 내에서 유지될 수 있다. 일례에서, 압력 균형화 밸브(166)는 상부 챔버 볼륨(134)과 하부 챔버 볼륨(136) 사이의 압력 차이를 약 10% 이하, 예컨대 약 5% 이하, 예컨대 약 1% 이하로 유지하도록 동작가능하다.
[0039] 압력 균형화 밸브(166)는 압력 차이를 상부 챔버 볼륨(134) 또는 하부 챔버 볼륨(136) 중 하나를 향해 바이어싱하기 위해 사용될 수 있다. 일례에서, 압력 균형화 밸브(166)는 하부 챔버 볼륨(136)을 상부 챔버 볼륨(134)보다 높은 압력으로 유지하도록 동작가능하다. 대안적으로, 압력 균형화 밸브(166)는 하부 챔버 볼륨(136)을 상부 챔버 볼륨(134)보다 낮은 압력으로 유지하도록 동작가능할 수 있다.
[0040] 도 1b는 도 1a의 일부의 확대 단면도이다. 서셉터(112)는 서셉터(112)의 기판 수용 최상부 표면(114)을 방사상 외측으로 둘러싸는 상승된 경계(180)를 갖는다. 상승된 경계(180)는 상부 챔버 볼륨(134)을 향하는 최상부 표면(181)을 갖는다. 서셉터(112)는 아래에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 예열 링(132)의 대응하는 중첩 부분과 중첩되도록 구성된 방사상 외측으로 연장되는 외측 플랜지(182)를 갖는다. 외측 플랜지(182)는 상승된 경계(180)에 대해 방사상 외측으로 연장된다. 외측 플랜지(182)의 최상부 표면(183)은 상승된 경계(180)의 최상부 표면(181) 아래로 리세싱된다.
[0041] 예열 링(132)의 바디(184)(예를 들어, 환형 바디)는 상부 챔버 볼륨(134)을 향하는 최상부 표면(185)을 갖는다. 예열 링(132)의 최상부 표면(185)은 서셉터(112)의 최상부 표면(181)과 동일 평면 상에 있다. 예열 링(132)의 바디(184)는 서셉터(112)의 외측 플랜지(182)에 중첩되도록 구성된 방사상 내측으로 연장되는 내측 플랜지(186)를 갖는다. 내측 플랜지(186)의 하부 표면(187)은 바디(184)의 하부 표면(188) 위로 (아래로부터) 리세싱된다. 예열 링(132)의 내측 플랜지(186)는 서셉터(112)의 외측 플랜지(182) 위에 배치되어, 서셉터(112)가 기판 로딩 및 언로딩을 위해 예열 링(132)에 대해 하강되는 것을 허용한다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 예열 링(132)의 내측 플랜지(186) 및 서셉터(112)의 외측 플랜지(182)는 서로 이격된다(예를 들어, 서로 접촉하지 않는다). 도시된 프로세싱 포지션에서, 서셉터(112)의 외측 플랜지(182)의 최상부 표면(183)과 예열 링(132)의 내측 플랜지(186)의 하부 표면(187) 사이의 수직 갭(189)은 약 1mm 이하, 예컨대 약 0.5mm 내지 약 1mm, 예컨대 약 0.6mm 내지 약 0.8mm, 예컨대 약 0.6mm이다. 예열 링(132)의 바디(184)는 하부 표면(188) 아래로 연장되는 외측 플랜지(190)를 갖는다. 외측 플랜지(190)는 아래에 더 상세하게 설명되는 바와 같이 하부 라이너(130)와 접촉하고 하부 라이너(130)의 상승된 부분을 둘러싸도록 구성된다.
[0042] 하부 라이너(130)는 상부 챔버 볼륨(134)을 향하는 상부 단부(129)에서의 최상부 표면(191)을 갖는다. 최상부 표면(191)은 예열 링(132)의 최상부 표면(185) 및 서셉터(112)의 최상부 표면(181)과 동일 평면 상에 있다. 하부 라이너(130)는 외측 플랜지(190)를 통해 예열 링(132)을 지지하도록 구성된 상부 표면(193)을 갖는 방사상 내측으로 연장되는 내측 플랜지(192)를 갖는다. 내측 플랜지(192)는, 예열 링(132)의 외측 플랜지(190) 내에 방사상으로 끼워지도록 구성되고 하부 라이너(130) 상에 예열 링(132)을 유지하고 중심에 두는 것을 돕도록 구성된 상승된 부분(194)을 갖는다.
[0043] 도 2a는 도 1a의 하부 라이너(130)의 격리된 최상부 등각도이다. 도 2b는 도 2a의 하부 라이너(130)의 측면도이다. 따라서, 도 2a 및 도 2b는 명료성을 위해 여기서 함께 설명된다. 하부 라이너(130)는 일반적으로, (도 2b에 도시된) 제1 단부 또는 상부 단부(129) 및 대향하는 제2 단부 또는 하부 단부(131)를 갖는 환형 바디(202)를 포함한다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 하부 라이너(130)가 프로세싱 챔버(100) 내에 배치될 때, 제1 단부(129)는 상부 챔버 볼륨(134) 내에 배치되고, 제2 단부(131)는 하부 챔버 볼륨(136) 내에 배치된다.
[0044] 배기구(133)가 하부 라이너(130)의 바디(202)에 형성된다. 배기구(133)는 하부 라이너(130)를 통해 배치된 하나 이상의 배기구 구멍들(212)을 포함한다. 도시된 바와 같이, 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 원형이다. 일부 다른 예들에서, 하나 이상의 배기구 구멍들은 비원형(예를 들어, 둥글거나, 다각형이거나, 하부 라이너에 대해 원주 또는 길이 방향으로 세로로 연장되는 세장형(elongated) 슬롯들의 형상이거나, 임의의 다른 적합한 형상이거나, 이들의 조합들)일 수 있다. 일부 예들에서, 동일한 하부 라이너는 상이한 배기구 구멍들의 조합(예를 들어, 원형 구멍들과 세장형 슬롯들의 조합)을 포함할 수 있다. 도시된 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 하부 라이너(130)의 측벽(208)을 통해 방사상으로 연장된다. 대안적으로, 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 측벽(208)을 통해 측방향으로 연장될 수 있고 서로 평행할 수 있다. 도시된 하부 라이너(130)는 14개의 배기 구멍들을 갖는다. 그러나, 하부 라이너(130)는 퍼지 가스를 하부 챔버 볼륨(136)으로부터 배기하는 데 필요한 임의의 적절한 수의 배기구 구멍들을 가질 수 있다. 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 라이너(130)의 측벽(208) 주위에 원주방향으로 정렬된다. 일례에서, 적어도 한 쌍의 하나 이상의 배기구 구멍들(212)이 원주 방향으로 정렬된다. 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 하부 라이너(130)의 아크 형상 부분 내에 배치된다. 예를 들어, 하나 이상의 배기구 구멍들(212)은 라이너(130)의 방사상 각도(214) 내에 배치될 수 있다. 방사상 각도(214)는 약 90도 이하, 예컨대 약 45도 이하, 예컨대 약 30도 내지 약 60도, 예컨대 약 45도일 수 있다.
[0045] 도시된 하부 라이너(130)는 하부 라이너(130) 주위에 원주방향으로 동일한 간격들로 배치된 8개의 상승된 부분들(194)을 갖는다. 그러나, 하부 라이너(130)는 도 1b에 도시된 바와 같이 하부 라이너(130) 상에 예열 링(132)을 유지하고 중심에 두는 것을 돕기 위해 필요한 임의의 적합한 수의 상승된 부분들(194)을 가질 수 있다.
[0046] 하부 라이너(130)는 하부 라이너(130)의 외측 표면(224) 주위에 원주방향으로 배치된 복수의 탭들(218)을 포함한다. 복수의 탭들(218)은 도 1a에 도시된 바와 같이 분배 채널(152)을 제2 채널(154)에 유체적으로 결합하기 위해 하부 윈도우(110)와 하부 라이너(130)의 원추형 부분(226) 사이에 수직 갭을 제공하기 위해 하부 윈도우(110) 상에 놓이도록 구성된다.
[0047] 하부 라이너(130)는 기판 로딩 및 언로딩을 위해 측벽(208) 내에 개구(220)를 갖는다. 하부 라이너(130)는 (도 1a에 도시된) 프로세스 가스 유입구(140)의 적어도 일부를 형성하도록 구성된 복수의 리세스들(222)을 갖는다. 복수의 리세스들(222)은 제1 단부(129) 및 외측 표면(224)에 형성된다. 복수의 리세스들(222)은 서로 유체적으로 결합된다. 복수의 리세스들(222)은 배기구(133)로부터 원주 방향으로 대향하여 배치된다.
[0048] 도 3은 도 1a의 프로세싱 챔버(100)에서 사용될 수 있는 상이한 서셉터 및 예열 링 조합의 확대 단면도이다. 서셉터(312) 및 예열 링(332)은 중첩 부분들을 제외하고는 도 1b에 도시된 것과 유사하다. 따라서, 비중첩 부분들에 대한 구조들 및 대응하는 라벨들이 도 1b로부터 유지된다. 도 1b와 대조적으로, 서셉터(312)의 외측 플랜지(382) 및 예열 링(332)의 내측 플랜지(386)는 도 1b에 도시된 바와 같이 수직 방향으로 중첩되는 것에 더하여 반사상 방향으로 중첩된다.
[0049] 도 3에서, 서셉터(312)의 외측 플랜지(382)는 제1 상부 표면(383a), 및 제1 상부 표면(383a)의 높이 위로 연장되는 제2 상부 표면(383b)을 갖는다. 도시된 제1 상부 표면(383a) 및 제2 상부 표면(383b)은 서셉터(312)의 평면에 평행하다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 제1 상부 표면(383a) 및 제2 상부 표면(383b)은 서셉터(312)의 평면에 대해 예각 또는 둔각으로 포지셔닝될 수 있다. 내측 표면(383c)은 제1 상부 표면(383a)과 제2 상부 표면(383b)을 연결한다. 도시된 내측 표면(383c)은 서셉터(312)의 평면에 수직이다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 내측 표면(383c)은 서셉터(312)의 평면에 대해 예각 또는 둔각으로 포지셔닝될 수 있다.
[0050] 또한 도 3에서, 예열 링(332)의 방사상 내측으로 연장되는 내측 플랜지(386)는 제1 하부 표면(387a), 및 제1 하부 표면(387a)의 높이 아래로 연장되는 제2 하부 표면(387b)을 갖는다. 도시된 제1 하부 표면(387a) 및 제2 하부 표면(387b)은 예열 링(332)의 평면에 평행하다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 제1 하부 표면(387a) 및 제2 하부 표면(387b)은 예열 링(332)의 평면에 대해 예각 또는 둔각으로 포지셔닝될 수 있다. 외측 표면(387c)은 제1 하부 표면(387a)과 제2 하부 표면(387b)을 연결한다. 도시된 외측 표면(387c)은 예열 링(332)의 평면에 수직이다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 외부 표면(387c)은 예열 링(332)의 평면에 대해 예각 또는 둔각으로 포지셔닝될 수 있다. 도시된 바와 같이, 내측 플랜지(386)의 프로파일은 도 1b에 도시된 예에 비하여 가스 유동을 더 방해하는 경로가 형성되도록 외측 플랜지(382)의 프로파일에 따르도록 성형된다. 일부 예들에서, 도 3의 가스 유동 경로는 "사행성 경로(tortuous path)"라고 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 동일한 패턴 또는 상이한 패턴을 따르는 서셉터(312) 및 예열 링(332)의 중첩 부분들에 추가의 중첩 표면들이 포함될 수 있다.
[0051] 도 1b와 유사하게, 제1 상부 표면(383a) 및 제1 하부 표면(387a)은 수직 방향으로 중첩되어, 그들 사이에 도 1b의 수직 갭(189)과 크기가 유사할 수 있는 제1 수직 갭(389a)을 형성한다. 도 3에서, 가스 유동을 방해하는 추가의 수직 및 방사상 갭들이 형성된다. 예를 들어, 제2 상부 표면(383b) 및 제1 하부 표면(387a)은 수직 방향으로 중첩되어 그들 사이에 제2 수직 갭(389b)을 형성한다. 또한, 제2 하부 표면(387b) 및 제1 상부 표면(383a)은 수직 방향으로 중첩되어 그들 사이에 제3 수직 갭(389c)을 형성한다. 이 예에서, 도시된 제2 수직 갭(389b) 및 제3 수직 갭(389c)은 각각 제1 수직 갭(389a)보다 작다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 제2 수직 갭(389b) 및 제3 수직 갭(389c)은 제1 수직 갭(389a)과 동일한 크기이거나 그보다 클 수 있다. 이 예에서, 도시된 제2 수직 갭(389b) 및 제3 수직 갭(389c)은 동일한 크기이다. 그러나, 일부 다른 예들에서, 제2 수직 갭(389b) 및 제3 수직 갭(389c)은 상이한 크기들일 수 있다. 또한, 내측 표면(383c)과 외측 표면(387c)은 방사상 방향으로 중첩된다. 일부 예들에서, 그들 사이에 형성된 방사상 갭은 대향 표면들 사이의 접촉을 방지하기 위해 도 1b의 수직 갭(189)보다 크기가 클 수 있다. 유리하게, 도 3에 도시된 서셉터 및 예열 링 조합은 기판 로딩 및 언로딩을 위해 서셉터가 예열 링에 대해 하강되는 것을 여전히 허용하면서, 도 1b에 도시된 조합에 비하여 서셉터의 평면 위와 아래의 챔버 볼륨들 사이의 가스 유동을 더 방해할 수 있다.
[0052] 위의 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가의 실시예들이 그 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 프로세싱 챔버를 위한 라이너로서,
    측벽을 갖는 환형 바디;
    상기 환형 바디의 내부로부터 외부로 가스를 배기하기 위해 상기 환형 바디 내에 형성된 배기구 ― 상기 배기구는 상기 측벽을 통해 배치된 하나 이상의 배기구 구멍들을 포함함 ―; 및
    기판 로딩 및 언로딩을 위한, 상기 환형 바디 내의 개구를 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 환형 바디는 방사상 내측으로 연장되는 내측 플랜지를 포함하고, 상기 내측 플랜지는 상기 내측 플랜지 위에 예열 링을 지지하도록 구성되는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배기구 구멍들은 상기 측벽을 통해 측방향으로 그리고 서로 평행하게 연장되는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배기구 구멍들은 상기 라이너의 상기 측벽을 통해 방사상으로 연장되는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배기구 구멍들은 원형 구멍들, 세장형(elongated) 슬롯들 또는 이들의 조합을 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 배기구 구멍들 중 적어도 한 쌍은 상기 라이너의 상기 측벽 주위에 원주방향으로 정렬되고, 약 90도 이하의, 상기 환형 바디의 방사상 각도 내에 배치되는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 측벽 내에 그리고 상기 환형 바디의 최상부 표면 내에 형성된 복수의 리세스들을 더 포함하고, 상기 복수의 리세스들은 상기 배기구로부터 원주 방향으로 대향하여 배치되는,
    프로세싱 챔버를 위한 라이너.
  8. 프로세싱 챔버를 위한 조립체로서,
    기판 수용 최상부 표면을 갖는 서셉터;
    상기 서셉터의 평면 아래에서 제1 볼륨을 방사상 외측으로 둘러싸는 라이너; 및
    상기 라이너에 결합되고 상기 라이너로부터 방사상 내측으로 연장되며 상기 서셉터와 방사상으로 중첩되는 예열 링을 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 예열 링 및 상기 서셉터의 방사상 중첩 부분들은 서로 수직으로 이격되는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 예열 링의 방사상 중첩 부분은 상기 서셉터의 방사상 중첩 부분 위에 배치되는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 예열 링 및 서셉터의 방사상 중첩 부분들 사이의 수직 갭은 약 1mm 이하인,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 예열 링은 환형 바디를 포함하고,
    상기 환형 바디는,
    상기 서셉터의 방사상 외측으로 연장되는 외측 플랜지와 중첩되도록 구성된 방사상 내측으로 연장되는 내측 플랜지; 및
    상기 환형 바디의 하부 표면 아래로 연장되는 외측 플랜지를 포함하고, 상기 외측 플랜지는 상기 라이너와 접촉하도록 구성되는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 서셉터, 예열 링 및 라이너의 최상부 표면들은 서로 실질적으로 동일 평면 상에 있는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 라이너는,
    측벽을 갖는 환형 바디;
    상기 환형 바디의 내부로부터 외부로 가스를 배기하기 위해 상기 환형 바디 내에 형성된 배기구 ― 상기 배기구는 상기 측벽을 통해 배치된 하나 이상의 배기구 구멍들을 포함함 ―; 및
    기판 로딩 및 언로딩을 위한, 상기 환형 바디 내의 개구를 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 조립체.
  15. 프로세싱 챔버로서,
    서셉터 및 예열 링이 내부에 배치되어 있는 챔버 바디 ― 상기 챔버 바디는:
    상기 서셉터의 평면 위에 정의되는 상부 챔버 볼륨; 및
    상기 서셉터의 평면 아래에 정의되는 하부 챔버 볼륨을 포함하고, 상기 서셉터 및 예열 링의 부분들은 방사상으로 중첩됨 ―;
    상기 상부 챔버 볼륨으로부터 프로세스 가스를 배기하기 위해 상기 챔버 바디의 측벽을 통해 배치된 제1 배기 포트;
    상기 하부 챔버 볼륨으로부터 퍼지 가스를 배기하기 위해 상기 챔버 바디의 측벽을 통해 배치된 제2 배기 포트;
    상기 상부 챔버 볼륨과 상기 하부 챔버 볼륨 사이의 압력 차이를 측정하도록 구성된 차동 압력 센서; 및
    상기 제1 및 제2 배기 포트들을 진공 소스에 유체적으로 결합하도록 구성된 압력 균형화 밸브를 포함하고, 상기 압력 균형화 밸브는 상기 상부 챔버 볼륨과 상기 하부 챔버 볼륨 사이의 압력 차이를 조절하도록 동작가능한,
    프로세싱 챔버.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 차동 압력 센서는 상기 제1 및 제2 배기 포트들에 결합되는,
    프로세싱 챔버.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 압력 균형화 밸브는 상기 상부 챔버 볼륨과 상기 하부 챔버 볼륨 사이의 상기 압력 차이를 약 10% 이하로 유지하도록 동작가능한,
    프로세싱 챔버.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 압력 균형화 밸브는 상기 하부 챔버 볼륨을 상기 상부 챔버 볼륨보다 높은 압력으로 유지하도록 동작가능한,
    프로세싱 챔버.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 챔버 바디 내에 배치되고, 상기 하부 챔버 볼륨을 방사상 외측으로 둘러싸는 라이너를 더 포함하고, 상기 라이너는 상기 하부 챔버 볼륨으로부터 상기 제2 배기 포트로 직접 퍼지 가스를 배기하기 위한 배기구를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 예열 링은 상기 라이너에 결합되고 상기 라이너로부터 방사상 내측으로 연장되는,
    프로세싱 챔버.
KR1020237013372A 2021-04-07 2022-03-23 중첩 서셉터 및 예열 링 KR20230070285A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/224,537 2021-04-07
US17/224,537 US11781212B2 (en) 2021-04-07 2021-04-07 Overlap susceptor and preheat ring
PCT/US2022/021463 WO2022216458A1 (en) 2021-04-07 2022-03-23 Overlap susceptor and preheat ring

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230070285A true KR20230070285A (ko) 2023-05-22

Family

ID=83510051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237013372A KR20230070285A (ko) 2021-04-07 2022-03-23 중첩 서셉터 및 예열 링

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11781212B2 (ko)
EP (1) EP4320294A1 (ko)
JP (1) JP2023553782A (ko)
KR (1) KR20230070285A (ko)
CN (1) CN116324052A (ko)
TW (1) TW202247323A (ko)
WO (1) WO2022216458A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240055260A (ko) * 2022-10-20 2024-04-29 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
US20240254624A1 (en) * 2023-01-27 2024-08-01 Applied Materials, Inc. Plate assemblies, process kits, and processing chambers for semiconductor manufacturing
CN117089825B (zh) * 2023-06-01 2024-07-16 无锡松煜科技有限公司 一种流体分布均匀的镀覆腔室及镀覆方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5916369A (en) * 1995-06-07 1999-06-29 Applied Materials, Inc. Gas inlets for wafer processing chamber
US5935334A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system
US6019848A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Lid assembly for high temperature processing chamber
US6051286A (en) * 1997-02-12 2000-04-18 Applied Materials, Inc. High temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers
US6079356A (en) * 1997-12-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium
US6106625A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6296712B1 (en) * 1997-12-02 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hardware and process
US6645884B1 (en) * 1999-07-09 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Method of forming a silicon nitride layer on a substrate
US6559039B2 (en) * 2001-05-15 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Doped silicon deposition process in resistively heated single wafer chamber
JP3908112B2 (ja) 2002-07-29 2007-04-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
US6946033B2 (en) * 2002-09-16 2005-09-20 Applied Materials Inc. Heated gas distribution plate for a processing chamber
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
JP4378699B2 (ja) 2004-08-03 2009-12-09 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
US8372203B2 (en) * 2005-09-30 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Apparatus temperature control and pattern compensation
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) * 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8961691B2 (en) * 2008-09-04 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, computer readable storage medium for storing a program causing the apparatus to perform the method
JP5368393B2 (ja) * 2010-08-05 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 気化装置、基板処理装置及び塗布現像装置
US9890455B2 (en) 2010-10-29 2018-02-13 Applied Materials, Inc. Pre-heat ring designs to increase deposition uniformity and substrate throughput
DE102011007632B3 (de) 2011-04-18 2012-02-16 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
JP5851149B2 (ja) * 2011-08-08 2016-02-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
US20140083360A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having more uniform gas flow
JP5602903B2 (ja) 2013-03-14 2014-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
CN105164788B (zh) * 2013-04-30 2020-02-14 应用材料公司 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫
US9957615B2 (en) * 2013-09-13 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve substrate temperature uniformity
US20160020086A1 (en) * 2014-07-18 2016-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Doping control methods and related systems
SG11201701467RA (en) * 2014-09-05 2017-03-30 Applied Materials Inc Upper dome for epi chamber
CN107574425A (zh) 2014-09-05 2018-01-12 应用材料公司 用于基板热处理的基座与预热环
CN105695936B (zh) * 2014-11-26 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 预清洗腔室及等离子体加工设备
CN104538345B (zh) * 2014-12-31 2017-06-06 北京七星华创电子股份有限公司 一种盘状物夹持旋转装置
KR102363241B1 (ko) * 2015-03-27 2022-02-16 삼성전자주식회사 플라즈마 강화 화학기상 증착 장비 및 그 동작 방법
US9957617B2 (en) * 2015-03-30 2018-05-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Deposition system for forming thin layer
JP7008509B2 (ja) 2015-05-27 2022-02-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高成長率のｅｐｉチャンバのための遮熱リング
US10358715B2 (en) * 2016-06-03 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Integrated cluster tool for selective area deposition
KR102039969B1 (ko) * 2017-05-12 2019-11-05 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2018206913A (ja) * 2017-06-02 2018-12-27 東京エレクトロン株式会社 部材及びプラズマ処理装置
JP6839624B2 (ja) * 2017-07-19 2021-03-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法
US10998172B2 (en) * 2017-09-22 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having improved process volume sealing
US11177144B2 (en) * 2018-06-04 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Wafer spot heating with beam width modulation
JP7213648B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN112789366B (zh) * 2018-10-30 2023-03-14 株式会社爱发科 真空处理装置
US11319627B2 (en) * 2018-12-27 2022-05-03 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus
US10784089B2 (en) * 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
US11289312B2 (en) * 2019-06-12 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability
JP7159986B2 (ja) 2019-06-27 2022-10-25 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
US11032945B2 (en) 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber
CN112309899A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11380524B2 (en) * 2020-03-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
US20210319989A1 (en) * 2020-04-13 2021-10-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
KR20210153287A (ko) * 2020-06-10 2021-12-17 삼성전자주식회사 반도체 증착 모니터링 장치
US12077880B2 (en) * 2021-04-28 2024-09-03 Applied Materials, Inc. In-situ film growth rate monitoring apparatus, systems, and methods for substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
US20240026522A1 (en) 2024-01-25
CN116324052A (zh) 2023-06-23
TW202247323A (zh) 2022-12-01
US20220325400A1 (en) 2022-10-13
WO2022216458A1 (en) 2022-10-13
JP2023553782A (ja) 2023-12-26
EP4320294A1 (en) 2024-02-14
US11781212B2 (en) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20230070285A (ko) 중첩 서셉터 및 예열 링
US7250094B2 (en) Heat treatment apparatus
US20030168174A1 (en) Gas cushion susceptor system
KR102426601B1 (ko) 에피 챔버에서의 기판 열 제어
KR20010034921A (ko) 정화 가스 채널과 펌핑 시스템을 갖는 기판 지지 부재
US20160068959A1 (en) Atmospheric epitaxial deposition chamber
KR20170048578A (ko) 분위기 에피택셜 퇴적 챔버
US11236424B2 (en) Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
JP2009239289A (ja) 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20160215393A1 (en) Susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer
KR102459367B1 (ko) 에피 챔버를 위한 라이너
US20100139556A1 (en) Purge gas assembly
US20240141487A1 (en) Epi overlapping disk and ring
TW202432882A (zh) Epi重疊圓盤和環
KR20210095058A (ko) 균일한 증착을 위한 측벽 돌출부를 갖는 서셉터
JP4404666B2 (ja) 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20240112931A1 (en) Cassette structures and related methods for batch processing in epitaxial deposition operations
US20230114751A1 (en) Substrate support
US20230357929A1 (en) Apparatus and methods to promote wafer edge temperature uniformity
US20240014065A1 (en) Flat susceptor with grid pattern and venting grooves on surface thereof
US20240363390A1 (en) Gas flow substrate supports, processing chambers, and related methods and apparatus, for semiconductor manufacturing
JP2021082824A (ja) 気相成長装置
KR20230057296A (ko) 반도체 처리 시스템용 기판 지지체
KR20000061060A (ko) 멀티 챔버벽을 갖는 반응 챔버