KR20230044208A - 정전척 장치, 압력 산출 방법 및 프로그램 - Google Patents

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앤드류 프라이스
다다히로 야스다
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가부시키가이샤 호리바 에스텍
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Abstract

정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치로서, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인과, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출부를 구비하고, 상기 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고, 상기 압력 산출부가, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 정전척 장치.

Description

정전척 장치, 압력 산출 방법 및 프로그램
본 발명은, 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치, 압력 산출 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
종래, 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 플라즈마 처리 장치를 이용한 반도체 제조 공정에서는, 진공 챔버 내에서 실리콘 웨이퍼 등의 시료를 고정하기 위해서 정전척 장치가 이용되고 있다. 이 정전척 장치는, 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 흡착 플레이트와, 흡착 플레이트의 이면에 접촉하는 금속제의 베이스 플레이트를 구비하고 있다. 정전척 장치를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 이면(피흡착면)을 흡착 플레이트로 흡착하는 것에 의해, 실리콘 웨이퍼를 고정함과 아울러, 예를 들면 실리콘 웨이퍼에 가해지는 플라즈마열을 베이스 플레이트측으로 방출하여 냉각하여, 표면 온도 분포의 균일화를 도모할 수 있다.
그런데, 흡착 플레이트의 흡착면이나 실리콘 웨이퍼의 피흡착면에는 미세한 요철이 존재하고 있다. 그 때문에, 정전척 장치에 의해 실리콘 웨이퍼를 흡착하고 있는 상태라도 피흡착면과 흡착면과의 사이에는 두께 10㎛ 정도의 미소한 틈새가 생겨, 물리적인 접촉 면적이 작게 됨으로써 열전도의 효율이 저하되고 있다. 종래, 흡착 플레이트의 흡착면에 복수의 가스 공급구를 마련하고, 실리콘 웨이퍼의 피흡착면과 흡착 플레이트의 흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급함으로써, 실리콘 웨이퍼에 가해지는 플라즈마열을 흡착 플레이트측으로 효율적으로 벙출하도록 하고 있다(특허 문헌 1).
특허 문헌 1 : 일본 공개특허 제2020-053576호 공보
위에서 설명한 플라즈마 처리 장치를 이용한 반도체 제조 공정에서는, 웨이퍼 등의 대상물의 가공 치수의 고정밀도화를 위해서는, 웨이퍼의 표면 온도의 균일성을 높이는 것이 요구된다. 그리고 이 웨이퍼의 표면 온도의 균일성은 웨이퍼의 피흡착면에 걸리는 열전도성 가스의 압력(이하, 웨이퍼 이면 압력이라고도 함)에 크게 의존하기 때문에, 웨이퍼의 가공 치수의 정밀도를 향상시키기 위해서는, 웨이퍼 이면 압력을 파악하는 것이 중요하게 된다. 또, 경년 열화 등에 의해 정전척 장치의 흡착력의 안정성 저하와 같은 이상의 발생이나 그 징후를 조기에 파악한다고 하는 관점으로부터도, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 이면 압력을 파악하는 것이 중요하게 된다. 그렇지만 종래, 정전척 장치에 의해 대상물을 흡착하고 있을 때에, 웨이퍼 이면 압력을 파악할 방법이 없었다.
본 발명은, 상기 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 정전척 장치를 이용한 반도체 제조 공정에서, 웨이퍼 이면 압력을 파악할 수 있도록 하는 것을 주된 과제로 하는 것이다.
즉 본 발명에 관한 정전척 장치는, 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 것으로서, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인과, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출부를 구비하고, 상기 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고, 상기 압력 산출부가, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 것이면, 가스 공급 라인에 마련된 유량 저항 소자의 유량 특성, 즉 유량 저항 소자의 1차측 압력(예를 들면 가스 공급 라인 내의 압력) 및 2차측 압력(예를 들면 웨이퍼 이면 압력)과, 통과하는 열전도성 가스의 유량과의 관계를 나타내는 고유의 특성을 이용하는 것에 의해, 웨이퍼 이면 압력을 산출하여 파악할 수 있다.
상기 정전척 장치의 구체적 태양으로서는, 상기 가스 공급 라인이, 상기 흡착면 상에 개구하도록 상기 흡착 플레이트 내에 형성된 가스 공급 유로를 구비하고, 당해 가스 공급 유로에 상기 유량 저항 소자가 마련되어 있는 것을 들 수 있다.
이와 같은 것이면, 흡착 플레이트의 흡착면에 개구하는 가스 공급 유로에 유량 저항 소자를 마련하므로, 웨이퍼 이면 압력을 보다 정확하게 산출할 수 있다.
이 "유량 저항 소자"는, 1차측의 압력과 2차측의 압력에 의해서, 통과하는 열전도성 가스의 유량이 정해진다고 하는 유량 특성을 가지는 것이면 임의의 것으로 괜찮지만, 층류 소자 저항체이면 특히 바람직하다.
층류 소자 저항체는 가공 정밀도가 뛰어나고, 뛰어난 재현성을 얻을 수 있기 때문에, 유량 저항 소자로서 층류 소자 저항체를 이용하는 것에 의해, 흡착면과 피흡착면과의 사이의 틈새에서의 열전도성 가스의 압력을 보다 정밀도 좋게 산출할 수 있다. 또 층류 소자 저항체는 그 설계 자유도가 높기 때문에, 열전도성 가스의 분출구의 외경 자유도를 높일 수 있어, 아크 방전의 발생의 억제를 기대할 수 있다.
상기 압력 산출부의 구체적 태양으로서, 상기 가스 공급 라인에 도입되는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 가스 공급 라인에서의 열전도성 가스의 유량의 물질 수지를 나타내는 관계식에 근거하여, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량을 산출하도록 구성된 것을 들 수 있다.
정전척 장치의 구체적 태양으로서는, 유량 센서가 탑재되고, 상기 가스 공급 라인 내의 상기 열전도성 가스의 압력을 계측 제어하는 압력 제어기를 더 구비하고, 상기 압력 산출부가, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력으로서, 상기 압력 제어기가 계측한 압력값을 이용하고, 상기 가스 공급 라인에 도입되는 열전도성 가스의 유량값으로서, 상기 유량 센서가 계측한 유량값을 이용하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 것을 들 수 있다.
정전척 장치의 다른 구체적 태양으로서는, 상기 가스 공급 라인을 흐르는 상기 열전도성 가스의 유량을 계측 제어하는 압력식 유량 제어기를 더 구비하고, 상기 압력 산출부가, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력으로서, 상기 압력식 유량 제어기가 계측한 압력값을 이용하고, 상기 가스 공급 라인에 도입되는 열전도성 가스의 유량값으로서, 상기 압력식 유량 제어기가 계측한 유량값을 이용하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 것을 들 수 있다.
장치의 경년 열화 등에 의한 웨이퍼에 대한 흡착력의 저하와 같은, 플라즈마 처리 중에서의 웨이퍼의 이면에서의 이상의 유무를 진단할 수 있도록 하려면, 상기 정전척 장치가, 상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력과 소정의 기준 압력을 비교하여, 상기 피흡착면에 걸리는 열전도성 가스의 압력값의 이상을 진단하는 진단부를 더 구비한 것이면 괜찮다.
상기 정전척 장치는, 상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력이 소정의 범위 내의 값이 되도록, 상기 가스 공급 라인 내의 상기 열전도성 가스의 압력을 조정하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 정전척 장치는, 상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력이 소정의 범위 내의 값이 되도록, 상기 가스 공급 라인을 흐르는 상기 열전도성 가스의 유량을 조정하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 정전척 장치는, 상기 가스 공급 라인을 복수 구비하고 있고, 각 가스 공급 라인이, 상기 흡착면과 상기 피흡착면과의 사이에서의 서로 다른 영역에 상기 열전도성 가스를 각각 공급하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 웨이퍼의 이면에 걸리는 압력을 영역마다 조정할 수 있다.
상기 정전척 장치의 구체적 태양으로서, 상기 가스 공급 라인이, 복수 종류의 상기 열전도성 가스를 임의의 혼합비로 공급할 수 있도록 구성되어 있는 것을 들 수 있다.
이와 같이 하면, 열전도성 가스를 복수 종의 혼합 가스로 하는 것에 의해, 고가의 가스(예를 들면 헬륨 가스)의 사용량을 저감할 수 있고, 이것에 의해 코스트를 저감할 수 있다.
또 상기 정전척 장치는, 가스 공급 라인에서의 열전도성 가스의 압력의 시간 변화에 근거하여 상기 틈새로부터 리크되는 상기 열전도성 가스의 유량 QLEAK를 산출하도록 구성되어도 괜찮다. 그 경우, 정전척 장치는, 하기 (a)식에 근거하여, 유량 QLEAK를 산출하는 것이 바람직하다.
Figure pct00001
여기서, V : 가스 공급 라인을 구성하는 유로의 체적, Z : 열전도성 가스의 압축 계수, Ru : 열전도성 가스의 기체 정수, Tgas : 가스 공급 라인을 흐르는 열전도성 가스의 온도, dP/dT : 가스 공급 라인에서의 열전도성 가스의 압력의 시간 변화이다.
이와 같이 구성되어 있으면, 흡착 대상물과의 사이의 틈새로부터 리크되는 열전도성 가스의 유량을 파악할 수 있어, 정전척 장치의 열화 상태 등을 파악할 수 있다.
그런데 위에서 설명한 정전척 장치에서는, 웨이퍼의 이면에 공급되는 열전도성 가스의 압력이 너무 크면 웨이퍼가 흡착면으로부터 떨어져 버릴 우려가 있다. 그 때문에, 종래의 정전척 장치에서는, 가스 공급 라인으로부터 분기하는, 저항체가 마련된 리크 라인을 마련하고, 과잉인 열전도성 가스를 소정의 유량으로 배기하도록 구성되어 있다. 한편으로 이 리크 라인은, 플라즈마 처리 종료 후에 가스 공급 라인 내에 남아 있는 열전도성 가스를 배기하기 위해서도 이용되는데, 리크 라인 상에 저항체가 마련되어 있는 것에 의해, 플라즈마 처리 종료 후, 열전도성 가스를 바로 배기할 수 없어 시간이 걸려 버린다고 하는 문제가 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리가 종료되어 정전척 장치가 디척(dechuck) 상태로 전환되었을 때에, 가스 공급 라인 내에 남아 있는 열전도성 가스가 진공 챔버 내로 유출되어, 스파크를 발생시켜 기기를 고장시켜 버릴 우려가 있다.
그 때문에 위에서 설명한 정전척 장치는, 상기 가스 공급 라인으로부터 분기하는, 저항체가 마련된 메인 리크 라인과, 상기 저항체를 바이패스하도록 마련된 바이패스 라인과, 상기 바이패스 라인 상에 마련된 개폐 밸브와, 상기 개폐 밸브를 제어하는 밸브 제어부를 구비하고, 상기 바이패스 라인의 유로 저항이 상기 메인 리크 라인의 유로 저항보다도 작게 되도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 플라즈마 처리가 종료되어 정전척 장치가 디척 상태로 전환되었을 때에, 개폐 밸브를 개방하는 것에 의해, 유량 저항이 상대적으로 작은 바이패스 라인을 통해서 열전도성 가스를 바로 배기할 수 있다. 이것에 의해, 플라즈마 처리 종료 직후의 진공 챔버 내로 열전도성 가스가 유출됨으로써 스파크를 일으키게 해 버리는 리스크를 저감할 수 있다.
또 본 발명의 압력 산출 방법은, 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치에서의 압력 산출 방법으로서, 상기 정전척 장치가, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 구비하고, 당해 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명의 압력 산출 프로그램은, 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치용의 압력 산출 프로그램을 기록시키는 것으로서, 상기 정전척 장치가, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 구비하고, 당해 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고, 상기 압력 산출 프로그램이, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 질량 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출부로서의 기능을 컴퓨터에 발휘시키는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 압력 산출 방법 및 압력 산출 프로그램이라도, 위에서 설명한 본 발명의 정전척 장치와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
이와 같이 구성한 본 발명에 의하면, 정전척 장치를 이용한 반도체 제조 공정에서, 웨이퍼 이면 압력을 파악할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 정전척 장치의 전체 구성을 나타내는 모식도.
도 2는 본 실시 형태의 정전척 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3은 본 실시 형태의 정전척부와 냉각부의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도.
도 4는 본 실시 형태의 정전척부와 냉각부의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도.
도 5는 본 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 6은 다른 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 7은 다른 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 8은 다른 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 9는 다른 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도 10은 다른 실시 형태의 가스 공급부의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
이하에 본 발명에 관한 정전척 장치(100)의 일 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 도 1에 나타내는 것과 같이, 예를 들면 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치의 진공 챔버(C) 내에서, 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 것이다. 구체적으로 이 정전척 장치(100)는, 도 2에 나타내는 것과 같이, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하는 흡착면(111)을 가지는 정전척부(1)와, 정전척부(1)을 냉각하는 냉각면(211)을 가지는 냉각부(2)와, 정전척부(1)의 흡착면(111)과 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)과의 사이의 틈새(G)에 열전도성 가스(백 사이드 가스라고도 함)를 공급하는 가스 공급부(3)를 구비하고 있다. 또한, 진공 챔버(C)는, 진공 펌프(V1)에 의해서 진공 배기되도록 구성되어 있다.
정전척부(1)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 것과 같이, 세라믹스나 글래스 등의 절연체로 이루어지는 원형 평판 모양을 이루는 흡착 플레이트(11)와, 당해 흡착 플레이트(11) 내에 매설된 내부 전극(12)과, 당해 내부 전극(12)에 전압을 인가하는 전원(13)을 구비하고 있다. 전원(13)에 의해서 내부 전극(12)에 전압을 인가하는 것에 의해서, 흡착 플레이트(11) 내에서 유전 분극 현상이 생기고, 흡착 플레이트(11)의 상면(111)이 개략 평면 모양의 흡착면이 된다. 본 실시 형태의 정전척부(1)는 쌍극식인 것인데, 이것에 한정하지 않고 단극식인 것이라도 괜찮다.
냉각부(2)는, 도 2~도 4에 나타내는 것과 같이, 원형 평판 모양을 이루는 금속제의 베이스 플레이트(21)와, 베이스 플레이트(21) 내에 형성된 냉매 유로(212)와, 냉매 유로(212)에 냉매를 유통시키는 칠러 등의 냉매 유통 기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 냉매 유통 기구에 의해 냉매 유로(212)에 냉매를 흘리는 것에 의해, 베이스 플레이트(21) 전체의 온도가 저하되고, 베이스 플레이트(21)의 상면(211)이 개략 평면 모양의 냉각면이 된다. 위에서 설명한 흡착 플레이트(11)는, 그 하면(112)(이면)이 베이스 플레이트(21)의 냉각면(211)에 면접촉하도록 베이스 플레이트(21) 상에 재치되어 있다. 냉매 유로(212)는, 베이스 플레이트(21)의 내부에서 냉각면(211)과 평행한 방향을 따라서 형성되어 있다.
가스 공급부(3)는, 도 5에 나타내는 것과 같이, 열전도성 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어기(32)가 마련된 가스 공급 라인(31)과, 유량 제어기(32) 등을 제어하는 제어 장치(33)와, 가스 공급 라인(31)으로부터 분기하는 리크 라인(L)을 구비한다. 이 열전도성 가스는, 예를 들면 헬륨 가스, 아르곤 가스, 복수의 가스를 임의의 비율로 혼합한 혼합 가스 등의 임의의 것이라도 괜찮다.
가스 공급 라인(31)은, 상류측에 가스 공급원(도시하지 않음)이 접속되어 있고, 하류단에 마련된 가스 공급구(31a)로부터, 흡착면(111)과 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)과의 사이의 틈새(G)에 열전도성 가스를 공급하는 것이다. 이 가스 공급구(31a)는 흡착 플레이트(11)의 흡착면(111)에 형성되어 있다.
구체적으로 이 가스 공급 라인(31)은, 하류측으로부터 차례로, 흡착 플레이트(11) 내에 형성된 제1 내부 유로(청구항에서 말하는, 가스 공급 유로임)(311)와, 제1 내부 유로(311)에 연통하도록 베이스 플레이트(21) 내에 형성된 제2 내부 유로(312)와, 제2 내부 유로(312)에 연통하고, 베이스 플레이트(21)와 가스 공급원과의 사이를 접속하는 배관에 의해 형성된 배관 유로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.
도 2 및 도 4에 나타내는 것과 같이, 제1 내부 유로(311)는 흡착 플레이트(11)을 판두께 방향으로 관통하고, 흡착면(111) 상에 개구하도록 복수 형성되어 있다. 흡착면(111) 상에서의 각 제1 내부 유로(311)의 개구가 가스 공급구(31a)가 된다. 각 가스 공급구(31a)는, 예를 들면 흡착 플레이트(11)의 회전축을 대칭축으로 하는 회전 대칭이 되도록 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 제1 내부 유로(311)는, 흡착 플레이트(11)의 외주부(外周部)에서 동심원 모양으로 열을 이루도록 복수(여기에서는 2열) 형성되어 있고, 각 열에서 원주 방향을 따라서 서로 대략 등간격이 되도록 형성되어 있다.
구체적으로 각 제1 내부 유로(311)는, 흡착 플레이트(11)을 판두께 방향으로 관통하는 횡단면 원형상의 직선 모양의 관통공(113)에 의해 구성되어 있다. 이 관통공(113)은, 수㎛~수십㎛ 정도(예를 들면 0.03mm)의 지름 치수(내경)이고, 수mm 정도(예를 들면 2mm)의 길이 치수(축방향을 따른 치수)인데, 이들 치수는 적절히 변경해도 상관없다.
제2 내부 유로(312)는, 베이스 플레이트(21)를 판두께 방향으로 관통하도록 형성되어 있고, 그 상류단이 베이스 플레이트(21)의 하면에 개구하고, 하류단이 베이스 플레이트(21)의 상면(냉각면)(211)에 개구하며, 제1 내부 유로(311)에 연통하고 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 것과 같이, 베이스 플레이트(21)의 상면(211)에는 면내(面內) 방향을 따라서 홈(213)이 형성되어 있고, 이 홈(213)의 적어도 일부는 베이스 플레이트(21)를 판두께 방향으로 관통하여 하면에 개구하고 있다. 이 홈(213)을 덮도록 흡착 플레이트(11)가 재치됨으로써, 홈(213)의 내면과 흡착 플레이트(11)의 하면(112)에 의해서 제2 내부 유로(312)가 구성되어 있다. 이 홈(213)은, 베이스 플레이트(21) 상에 흡착 플레이트(11)가 재치된 상태에서, 흡착 플레이트(11)의 각 관통공(113)의 바로 아래를 지나도록 형성되어 있다.
유량 제어기(32)는, 통과하는 가스의 유량을 계측 제어하는 것이고, 배관 유로에 마련되어 있다. 이 유량 제어기(32)의 구체적 태양으로서는, 예를 들면, 통과하는 가스의 압력을 계측하는 압력 센서와, 가스의 유량을 계측하는 유량 센서와, 유체 제어 밸브와, 유체 제어 밸브의 개도를 제어하는 밸브 제어기를 가지는 소위 압력식의 매스 플로우 컨트롤러 등이다. 유량 제어기(32)는, 계측한 가스 유량을 제어 장치(33)가 설정한 목표값에 일치시키도록, 유체 제어 밸브의 개도 등을 피드백 제어한다.
제어 장치(33)는, CPU나 내부 메모리 등을 내장하는 범용 내지 전용의 컴퓨터이다. 이 제어 장치(33)는, 내부 메모리에 기억된 소정의 프로그램에 근거하여 CPU 및 그 주변 기기가 협동하는 것에 의해서, 도 5에 나타내는 것과 같이, 유량 제어기(32)의 유량의 목표값을 설정하는 유량 목표 설정부(334)로서의 기능을 적어도 발휘한다.
리크 라인(L)은, 가스 공급 라인(31)에서의 유량 제어기(32)보다도 하류로부터 분기하고 있다. 리크 라인(L)은, 일정 유량의 가스를 통과시키는 임의의 저항체(R)(예를 들면 오리피스 등)를 통해서, 진공 펌프(V2)에 의해서 배기되도록 구성되어 있다.
그러나, 본 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 가스 공급 라인(31)의 각 제1 내부 유로(311) 내의 모두에 유량 저항 소자(34)가 마련되어 있다.
이 유량 저항 소자(34)는, 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 것으로, 1차측 압력과, 2차측 압력과, 가스의 온도에 근거하여 통과하는 가스의 질량 유량이 정해지는 고유의 유량 특성을 구비하는 것이고, 본 실시 형태에서는 층류 소자 저항체이다. 여기에서는, 가스 공급 라인(31) 내의 열전도성 가스의 압력(1차측 압력)과, 흡착면(111) 및 피흡착면(S) 사이의 틈새(G)에서의 열전도성 가스의 압력(2차측 압력. 이하에서, 웨이퍼 이면 압력이라고도 함)과 통과하는 열전도성 가스의 온도에 근거하여, 층류 소자 저항체(34)를 통과하는 열전도성 가스의 유량이 정해지도록 되어 있다.
구체적으로 이 층류 소자 저항체(34)는, 저항이 되는 유로(이하, 저항 유로라고도 함)(341a)를 가지는 유로 형성 부재(341)에 의해 구성되어 있다. 이 유로 형성 부재(341)는, 원기둥 모양을 이루고 있고, 그 지름 치수(외경) 및 길이 치수(축방향을 따른 치수)가, 흡착 플레이트(11)의 관통공(113)의 지름 치수(내경) 및 길이 치수와 대략 동일하다. 도 4에 나타내는 것과 같이, 각 유로 형성 부재(341)는, 끼워 맞춤 공차를 가져, 흡착 플레이트(11)의 각 관통공(113) 내에 틈새 없이 끼워 넣어져 있다. 유로 형성 부재(341)는, 예를 들면 세라믹 등의 임의의 절연 재료에 의해 구성되어도 괜찮다. 이 층류 소자 저항체(34)는, 하류측의 단면(端面)이, 흡착 플레이트(11)의 흡착면(111)과 면일(面一)이 되도록 마련되어 있는 것이 바람직하다.
저항 유로(341a)는, 유로 형성 부재(341)의 축방향을 따라서 하나 또는 복수개 형성되어 있다. 각 저항 유로(341a)는, 유로 형성 부재(341)를 축방향으로 관통하여 이루어지고, 횡단면 원형상의 직선 모양의 것으로, 예를 들면 유로 형성 부재(341)의 축 상에 형성된 것이나, 축 둘레에 규칙적으로 배치된 복수의 것 등을 들 수 있다.
그리고 본 실시 형태의 정전척 장치(100)에서는, 제어 장치(33)가, 압력 산출부(331), 기억부(332) 및 진단부(333)로서의 기능을 더 발휘하는 것을 특징으로 하고 있다.
그러나, 본 실시 형태의 정전척 장치(100)에서는, 압력 산출부(331)는, 가스 공급구(31a)로부터 공급되는 열전도성 가스의 질량 유량 QESC와, 층류 소자 저항체(34)의 1차측 압력 P1과, 층류 소자 저항체(34)가 구비하는 고유의 유량 특성에 근거하여, 웨이퍼 이면 압력 Pwafer를 산출하도록 구성되어 있다. 또한, 질량 유량 QESC는, 흡착 플레이트(11)에 형성된 제1 내부 유로(311)(관통공(113))를 통과하는 열전도성 가스의 질량 유량이고, 관통공(113)에 층류 소자 저항체(34)가 마련되어 있는 본 실시 형태에서는, 층류 소자 저항체(34)를 통과하는 열전도성 가스의 질량 유량이다.
구체적으로 이 압력 산출부(331)는, 가스 공급 라인(31)을 흐르는 열전도성 가스의 질량 유량의 물질 수지(즉, 가스 공급 라인(31)으로 들어 오는 열전도성 가스의 양과, 가스 공급 라인(31)으로부터 나가는 열전도성 가스의 양과의 수지)를 나타내는 이하의 관계식 (1)과, 가스 공급 라인(31)에 도입되는 열전도성 가스의 질량 유량 Qin에 근거하여, 가스 공급구(31a)로부터 공급되는 열전도성 가스의 질량 유량 QESC를 산출하도록 구성되어 있다. 그리고 압력 산출부(331)는, 산출한 열전도성 가스의 질량 유량 QESC와, 층류 소자 저항체(34)가 구비하는 고유의 유량 특성과의 관계를 나타내는 이하의 식 (2)에 근거하여 웨이퍼 이면 압력 Pwafer를 산출하도록 구성되어 있다.
[수학식 1]
Figure pct00002
식 (1)에서,
Qin : 가스 공급 라인(31)에 도입되는 열전도성 가스의 질량 유량,
QVAC : 리크 라인(L)으로부터 배기되는 열전도성 가스의 질량 유량이고 저항체(R)를 통과하는 질량 유량,
(V/Z·Ru·Tgas)·(dP/dT) : 흡착 플레이트(11)와 웨이퍼(W)와의 사이부터 챔버 내로 리크되는 열전도성 가스의 질량 유량 QLEAK,
V : 가스 공급 라인(31)에서의 유량 제어기(32)로부터 층류 소자 저항체(34)까지의 사이의 유로의 체적,
Z : 가스의 압축 계수(여기에서는, Z=1),
Ru : 기체 정수(8.3145 J·mol-1·K-1),
Tgas : 가스 공급 라인(31)에서의 유량 제어기(32)로부터 층류 소자 저항체(34)까지의 유로 내의 열전도 가스의 평균 온도,
dP/dt : 가스 공급 라인(31)에서의 유량 제어기(32)로부터 층류 소자 저항체(34)까지의 유로 내의 열전도성 가스의 압력의 시간 변화이다.
또한, 흡착 플레이트(11)의 흡착면(111)의 표면 성상(性狀)(예를 들면 형상, 거칠기 등)가 면 내에서 균일하지 않고, 또 프로세스 중의 열에너지 교환이 안정적은 아닌 것을 고려하면, 가스 공급 라인(31)에 의해 열전도성 가스의 공급을 개시하고 나서 충분히 시간이 경과한 후에도, 질량 유량 QLEAK는 안정 상태(정상 상태)는 되지 않아, dP/dt가 0은 되지 않을 가능성이 있다.
여기서 압력 산출부(331)는, 유량 제어기(32)로부터 질량 유량 Qin를 취득하고, 가스 공급 라인(31)에 마련된 온도계 T1으로부터 평균 온도 Tgas를 취득하며, 리크 가스의 질량 유량 QVAC, 유로의 체적 V, 압축 계수 Z 및 기체 정수 Ru를 기억부(332)로부터 취득하고, 이들 정보와 식 (1)에 근거하여 가스 공급구(31a)로부터 공급되는 열전도성 가스의 질량 유량 QESC를 산출하도록 구성되어 있다.
[수학식 2]
Figure pct00003
식 (2)에서, fres : 층류 소자 저항체(34)의 유량 특성을 나타내는 함수, P1 : 층류 소자 저항체(34)에 걸리는 1차측(상류측)의 압력, Pwafer : 웨이퍼 이면 압력(층류 소자 저항체(34)에 걸리는 2차측의 압력), TESC : 층류 소자 저항체(34)를 통과하는 열전도성 가스의 온도(여기에서는, 흡착 플레이트(11)의 온도와 동일하다고 간주함)이다.
압력 산출부(331)는, 유량 제어기(32)가 계측한 압력으로부터 1차측 압력 P1을 취득하고, 흡착 플레이트(11)의 온도를 계측하는 광 파이버식의 온도계 T2로부터 열전도성 가스의 온도 TESC를 취득하며, 유량 특성 함수 fres를 기억부(332)로부터 취득하고, 이들 정보와 식 (2)에 근거하여 웨이퍼 이면 압력 Pwafer를 산출하도록 구성되어 있다. 기억부(332)에 미리 격납되어 있는 유량 특성 함수 fres는, 예를 들면, 층류 소자 저항체(34)에 걸리는 1차측의 압력 P1과, 층류 소자 저항체(34)에 걸리는 2차측의 압력 Pwafer와, 층류 소자 저항체(34)를 통과하는 열전도성 가스의 온도 TESC를 입력 변수로 하고, 층류 소자 저항체(34)를 통과하는 질량 유량을 출력 변수로 하는 함수로 나타내어지는 맵 등이다.
진단부(333)는 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)에서의 이상의 유무를 진단하는 것이다. 구체적으로 이 진단부(333)는, 압력 산출부(331)가 산출한 웨이퍼 이면 압력 Pwafer와, 기억부(332)에 미리 격납되어 있는 소정의 압력 Ps를 비교하고, 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)에서의 이상의 유무를 진단하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 웨이퍼 이면 압력 Pwafer와, 압력 Ps와의 차분의 절대값이 소정값 이상으로 되어 있는 경우에는, 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)에 이상이 발생하고 있다고 진단하고, 소정값 이하이면 정상이라고 진단한다. 또한 이 압력 Ps는, 웨이퍼(W)에 대한 진공 처리의 내용에 따라서 적절히 설정되는 것이다.
그리고, 위에서 설명한 유량 목표 설정부(334)는, 압력 산출부(331)가 산출한 웨이퍼 이면 압력 Pwafer가 소정의 범위 내의 값이 되도록, 유량 제어기(32)의 유량 목표값을 설정하고, 이것을 유량 제어기(32)에 송신하도록 구성되어 있다. 구체적으로 유량 목표 설정부(334)는, 압력 산출부(331)가 산출한 웨이퍼 이면 압력 Pwafer와, 기억부(332)에 미리 격납되어 있는 목표값 Pt를 비교하고, 그 차분의 절대값이 소정 범위 내가 되도록, 실험이나 시뮬레이션에 의해 미리 산출한 소정의 관계식에 근거하여, 유량 목표값을 설정하도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성한 본 실시 형태의 정전척 장치(100)에 의하면, 가스 공급 라인(31)의 가스 공급구(31a)에 연통하는 제1 내부 유로(311)에, 그 유량 특성 fres가 미리 기지(旣知)인 유량 저항 소자(34)를 마련하는 것에 의해, 그 유량 특성 fres 및 유량 저항 소자(34)의 1차측 압력 P1을 이용하여 웨이퍼 이면 압력 Pwafer를 파악할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 가공 치수의 정밀도의 향상에 기여할 수 있고, 또 경년 열화 등에 흡착력의 안정성 저하와 같은 이상의 발생이나 그 징후를 파악할 수 있다. 또한, 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자(34)가 가스 공급구(31a)를 막도록 제1 내부 유로(311)에 마련되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 디척킹시나 처리실의 클리닝시에, 가스 공급구(31a)로부터 과잉량의 열전도성 가스가 유출되어 버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 다른 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 도 6에 나타내는 것과 같이, 가스 공급 라인(31)을 복수 구비하고 있고, 각 가스 공급 라인(31)이, 흡착 플레이트(11)의 흡착면(111)과 웨이퍼(W)의 피흡착면(S)과의 사이에서의 서로 다른 영역에 열전도성 가스를 공급하도록 구성되어 있어도 괜찮다. 이 경우, 흡착 플레이트(11)의 흡착면(111)이, 가스 공급 라인(31)의 수에 대응하는 복수의 가스 공급 영역으로 구획되어 있고, 각 가스 공급 라인(31)은, 각 가스 공급 영역에 마련된 가스 공급구(31a)로부터, 열전도성 가스를 개별로 공급할 수 있도록 구성되어도 괜찮다. 각 가스 공급 라인(31)으로부터 공급되는 열전도성 가스의 타입, 유량 및 웨이퍼 이면 압력은, 가스 공급 라인(31) 마다 설정되어도 괜찮다.
또 다른 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 도 7에 나타내는 것과 같이, 가스 공급부(3)이 리크 라인(L)을 구비하고 있지 않아도 괜찮다. 이 경우, 압력 산출부(331)는, 상기 식(1)에서 "QVAC=0"로 하여 Pwafer를 산출하도록 구성된다.
또 상기 실시 형태의 정전척 장치(100)는 압력식의 유량 제어기(32)를 구비하고 있었는데, 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 정전척 장치(100)는, 가스 공급 라인(31)에 도입되는 열전도성 가스의 질량 유량 Qin과, 가스 공급 라인(31) 내의 열전도성 가스의 압력 P1을 측정할 수 있도록 구성되어 있으면, 웨이퍼 이면 압력 PWafer를 파악할 수 있다.
예를 들면, 다른 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 도 8에 나타내는 것과 같이, 유량 제어기(32) 대신에, 가스 공급 라인(31) 내의 열전도성 가스의 압력을 계측 제어하는 압력 제어기(35)가 마련되어 있어도 괜찮다. 이 압력 제어기(35)의 구체적 태양으로서는, 예를 들면, 유량 센서와, 유체 제어 밸브와 압력 센서와, 상기 압력 센서의 출력에 근거하여 상기 유체 제어 밸브의 개도를 피드백 제어하는 밸브 제어기를 구비한 것을 들 수 있다. 이와 같은 실시 형태라도, 압력 산출부(331)는, 유량 저항 소자(34)의 1차측 압력 P1으로서 압력 제어기(35)가 계측한 압력값을 이용하고, 가스 공급 라인(31)에 도입되는 열전도성 가스의 유량 Qin으로서 압력 제어기(35)가 구비하는 유량 센서가 계측한 유량값을 이용하여, 웨이퍼 이면 압력 Pwafer를 산출할 수 있다.
또 이것에 한정하지 않고, 도 9에 나타내는 것과 같이, 유량 제어기(32) 대신에, 가스 공급 라인(31)에 도입되는 열전도성 가스의 질량 유량 Qin을 계측하는 매스 플로우 미터등의 유량계(36)와, 가스 공급 라인(31) 내의 열전도성 가스의 압력 P1을 측정하는 압력계(37)를 구비하도록 해도 괜찮다.
또 상기 실시 형태에서는, 복수의 제1 내부 유로(311)의 전부에 유량 저항 소자(34)가 마련되어 있었는데 이것에 한정되지 않는다. 다른 실시 형태에서는, 복수의 제1 내부 유로(311)의 일부에만 유량 저항 소자(34)가 마련되어 있어도 괜찮다.
또 상기 실시 형태에서는, 유량 저항 소자(34)는 제1 내부 유로(311) 내에 마련되어 있었는데, 이것에 한정되지 않는다. 다른 실시 형태에서는, 유량 저항 소자(34)는, 제2 내부 유로(312)나, 베이스 플레이트(21)와 가스 공급원과의 사이를 접속하는 배관 유로(도시하지 않음) 등, 틈새(G)에 연통하는 가스 공급 라인(31)의 유로 내에 형성되어 있어도 괜찮다. 또한, 웨이퍼 이면 압력을 보다 정확하게 산출하려면, 유량 저항 소자(34)는, 가스 공급 라인(31)에서의 보다 하류측에 마련되는 것이 바람직하다.
또 상기 실시 형태의 유량 저항 소자(34)는 층류 소자 저항체였는데, 이것에 한정되지 않는다. 1차측의 압력과 2차측의 압력에 의해서, 통과하는 열전도성 가스의 유량이 정해진다고 하는 유량 특성을 가지는 것이면, 유량 저항 소자(34)는 임의의 것이라도 괜찮다.
또, 유량 저항 소자(34)는, 가스 공급 라인(31)이 구비하는 유로 내에 마련되는 저항체가 아니어도 괜찮다. 유량 저항 소자(34)는, 예를 들면, 유량 특성이 기지인, 가스 공급 라인(31)이 구비하는 유로 그 자체(제1 내부 유로(311) 등)라도 괜찮다. 이와 같은 것이라도, 유로의 유량 특성을 이용하는 것에 의해, 웨이퍼 이면 압력을 파악할 수 있다.
또 다른 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 열전도성 가스에 대한 리크 라인(L)의 유로 저항의 크기를 변경하는 저항 변경 기구(4)를 구비하고 있다. 구체적으로 이 저항 변경 기구(4)는, 도 10에 나타내는 것과 같이, 리크 라인(L)에서 저항체(R)를 바이패스하도록 마련된 바이패스 라인(41)과, 바이패스 라인(41) 상에 마련된 개폐 밸브(42)와, 개폐 밸브(42)를 제어하는 밸브 제어부(335)를 구비하고 있다. 본 실시 형태의 바이패스 라인(41)은, 리크 라인(L)에서, 저항체(R)의 상류측에서 분기하여, 저항체(R)의 하류측에서 합류하도록 마련되어 있다. 개폐 밸브(42)가 열림 상태로 되어 있을 때에, 바이패스 라인(41)의 유로 저항(관로 저항)은, 저항체(R)가 마련되어 있는 메인 리크 라인(43)의 유로 저항보다도 작게 되도록 설정되어 있다. 개폐 밸브(42)는, 밸브 제어부(335)로부터의 제어 신호에 따라서 개폐가 전환되도록 구성된 것이고, 예를 들면, 에어 밸브, 피에조 액추에이터 밸브, 솔레노이드 액추에이터 밸브, 서멀 액추에이터 밸브 등이다. 이 개폐 밸브(42)는, 상시 닫힘(노멀 클로우즈)으로 되어 있다. 밸브 제어부(335)는, 제어 장치(33)에 의해 발휘되는 기능으로, 개폐 밸브(42)에 제어 신호를 송신하여 그 개폐 상태를 전환하는 것이다. 본 실시 형태의 밸브 제어부(335)는, 정전척부(1)에 의한 웨이퍼의 정전 흡착이 해제(디척)되는 취지의 신호를 취득하면, 바로 밸브 제어부(335)에 신호를 송신하여, 밸브 제어부(335)를 개방하도록 구성되어 있다. 다른 실시 형태의 정전척 장치(100)는, 이와 같은 저항 변경 기구(4)를 구비함으로써, 정전척부(1)가 디척 상태로 전환되었을 때에, 바이패스 라인(41)을 통해서 열전도성 가스를 바로 배기할 수 있다. 이것에 의해 플라즈마 처리 종료 직후의 진공 챔버(C) 내에 열전도성 가스가 유출됨으로써 스파크를 일으키게 해 버리는 리스크를 저감할 수 있다.
또한, 정전척 장치(100)가 저항 변경 기구(4)를 구비하는 경우, 바이패스 라인(41)은, 저항체(R)의 하류측에서 합류하지 않고 다른 진공 펌프에 의해서 배기되도록 구성되어도 괜찮다. 또 바이패스 라인(41)은, 리크 라인(L)에서의 저항체(R)의 상류측에서 분기하도록 마련되어 있지 않아도 괜찮다. 예를 들면, 바이패스 라인(41)은, 가스 공급 라인(31)에서의 리크 라인(L)의 분기점보다도 상류측 또는 하류측에서 분기하도록 구성되어도 괜찮다. 또, 바이패스 라인(41)에는, 예를 들면 유량 저항 소자 등의 임의의 저항체가 마련되어 있어도 괜찮다. 이와 같은 경우라도, 바이패스 라인(41)의 유로 저항이 메인 리크 라인(43)의 유로 저항보다도 작게 되도록 설정되어 있으면, 정전척부(1)가 디척 상태로 전환되었을 때에, 바이패스 라인(41)을 통해서 열전도성 가스를 바로 배기할 수 있다.
그 외, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변형이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
[산업상 이용가능성]
본 발명의 정전척 장치에 의하면, 정전척 장치를 이용한 반도체 제조 공정에서, 웨이퍼 이면 압력을 파악할 수 있다.
100 : 정전척 장치 111 : 흡착면
31 : 가스 공급 라인 31a : 가스 공급구
34 : 유량 저항 소자 W : 웨이퍼(대상물)
S : 피흡착면 G : 틈새

Claims (13)

  1. 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치로서,
    상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와,
    상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인과,
    상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출부를 구비하고,
    상기 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고,
    상기 압력 산출부가, 상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 정전척 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 공급 라인이, 상기 흡착면 상에 개구하도록 상기 흡착 플레이트 내에 형성된 가스 공급 유로를 구비하고,
    상기 유량 저항 소자가 당해 가스 공급 유로 내에 마련되어 있는 정전척 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 압력 산출부가, 상기 가스 공급 라인에 도입되는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 가스 공급 라인에서의 열전도성 가스의 유량의 물질 수지를 나타내는 관계식에 근거하여, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량을 산출하는 정전척 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    유량 센서가 탑재되고, 상기 가스 공급 라인 내의 상기 열전도성 가스의 압력을 계측 제어하는 압력 제어기를 더 구비하고,
    상기 압력 산출부가,
    상기 유량 저항 소자의 1차측 압력으로서, 상기 압력 제어기가 계측한 압력값을 이용하고,
    상기 가스 공급 라인에 도입되는 열전도성 가스의 유량값으로서, 상기 유량 센서가 계측한 유량값을 이용하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 정전척 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 가스 공급 라인을 흐르는 상기 열전도성 가스의 유량을 계측 제어하는 압력식 유량 제어기를 더 구비하고,
    상기 압력 산출부가,
    상기 유량 저항 소자의 1차측 압력으로서, 상기 압력식 유량 제어기가 계측한 압력값을 이용하고,
    상기 가스 공급 라인에 도입되는 열전도성 가스의 유량값으로서, 상기 압력식 유량 제어기가 계측한 유량값을 이용하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 정전척 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력과 소정의 기준 압력을 비교하여, 상기 피흡착면에 걸리는 열전도성 가스의 압력값의 이상을 진단하는 진단부를 더 구비하는 정전척 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력이 소정의 범위 내의 값이 되도록, 상기 가스 공급 라인 내의 상기 열전도성 가스의 압력을 조정하는 정전척 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 산출되는 상기 열전도성 가스의 압력이 소정의 범위 내의 값이 되도록, 상기 가스 공급 라인을 흐르는 상기 열전도성 가스의 유량을 조정하는 정전척 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인을 복수 구비하고 있고, 각 가스 공급 라인이, 상기 흡착면과 상기 피흡착면과의 사이에서의 서로 다른 영역에 상기 열전도성 가스를 공급하도록 구성되어 있는 정전척 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인이, 복수 종류의 상기 열전도성 가스를 임의의 혼합비로 공급할 수 있도록 구성되어 있는 정전척 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인으로부터 분기하는, 저항체가 마련된 메인 리크 라인과,
    상기 저항체를 바이패스하도록 마련된 바이패스 라인과,
    상기 바이패스 라인 상에 마련된 개폐 밸브와,
    상기 개폐 밸브를 제어하는 밸브 제어부를 구비하고,
    상기 바이패스 라인의 유로 저항이 상기 메인 리크 라인의 유로 저항보다도 작게 되도록 구성되어 있는 정전척 장치.
  12. 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치에서의 압력 산출 방법으로서,
    상기 정전척 장치가, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 구비하고, 상기 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고,
    상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출 방법.
  13. 정전력에 의해 대상물을 흡착하는 정전척 장치용의 압력 산출 프로그램으로서,
    상기 정전척 장치가, 상기 대상물을 흡착하는 흡착면을 가지는 흡착 플레이트와, 상기 흡착면과 상기 대상물의 피흡착면과의 사이의 틈새에 열전도성 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 구비하고, 상기 가스 공급 라인에는, 상기 열전도성 가스가 흐를 때의 저항이 되는 유량 저항 소자가 마련되어 있고,
    상기 유량 저항 소자의 1차측 압력과, 상기 유량 저항 소자를 통과하는 상기 열전도성 가스의 질량 유량과, 상기 유량 저항 소자의 유량 특성에 근거하여, 상기 틈새에서의 상기 열전도성 가스의 압력을 산출하는 압력 산출부로서의 기능을 컴퓨터에 발휘시키는 정전척 장치용의 압력 산출 프로그램.
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