TW202347558A - 流體傳送模組 - Google Patents

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Abstract

用於控制流體流動的裝置在半導體製造的傳送處理流體上為重要構件。這些用於控制流體流動的裝置是由各種流體流動構件所形成，包括用於量測處理流體的各種特性的流體流動構件。用於量測的流體流動構件可經建構為監測諸如溫度與壓力的特性，且可經由也作為在流體流動構件內包圍部分流動路徑的感測元件來達成。

Description

流體傳送模組
［相關申請案對照參考］ 本申請主張2022年2月23日所申請的美國臨時申請案63/312,989號以及2022年9月28日所申請的美國臨時申請案63/410,666號的優惠，其全文內容茲以提述方式納入。
流動控制已為半導體晶片製造中的關鍵技術之一。控制流體流動的裝置對於傳送半導體製造及其他工業處理的處理流體的流動是重要的。這類裝置用於測量及準確控制各種應用的流體之流動。此種控制取決於經設計用於增加包裝密度及改進功能性能的裝置。
隨著晶片製造技術的改進，控制流動的裝置的構件尺寸減小且包裝要求變得更加嚴格。功能性能的改善及空間需求的減少驅使了各種流動控制裝置的改善。為了改善流動控制裝置的功能性能，需要有精進的方法及設備。
本技術針對一種流體傳送模組，包含用於控制流動的裝置。該用於控制流動的裝置包括流動構件，其量測處理流體的一個以上的特性。用於控制流動的裝置可結合大量的流體流動構件以執行量測以外的廣泛的控制功能。在需要量測的情況，希望實現準確的量測、快速反應時間以及在流體流動上有最小衝擊。這類裝置可用於廣泛的處理中，諸如半導體晶片製造、太陽能面板製造等。
在一個實施方式中，本發明為用於處理產品的系統。該系統具有經配置而供應處理流體的流體供應、經配置而處理產品的處理室以及流體傳送模組。該流體傳送模組具有流體耦接至該流體供應的入口、流體耦接至該處理室的出口、自該入口延伸至該出口的流動通道以及流體流動構件。流體流動構件具有構件基體、形成於該構件基體的入口埠、形成於該構件基體的出口埠以及流動路徑。該流動路徑自該入口埠延伸至該出口埠，該流動路徑形成一部分的該流動通道。該流體流動構件更具有感測埠，其流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間。該流體流動構件具有密封該感測埠的感測元件以及藉由該感測元件而與該處理流體隔絕的感測器。該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
在一個實施方式中，本發明為用於處理產品的系統。該系統具有經配置而供應至少一個的處理流體的流體供應、經配置而處理產品的處理室以及流體傳送模組。該流體傳送模組具有流體耦接至該流體供應的入口、流體耦接至該處理室的出口、自該入口延伸至該出口的流動通道、第一流體流動構件以及第二流體流動構件。該第一流體流動構件具有第一構件基體、形成於該第一構件基體的第一入口埠、形成於該第一構件基體的第一出口埠以及第一流動路徑。該第一流動路徑自該第一入口埠延伸至該第一出口埠，該第一流動路徑形成一部分的該流動通道。該第一流體流動構件更具有第一感測器，其經配置而偵測在該第一流動路徑內的至少一個的該處理流體的第一特性。第一感測器外殼耦接於該第一構件基體，該第一感測器外殼包圍該第一感測器。第二流體流動構件具有第二構件基體、形成於該第二構件基體的第二入口埠、形成於該第二構件基體的第二出口埠以及第二流動路徑。該第二流動路徑自該第二入口埠延伸至該第二出口埠，該第二流動路徑形成一部分的該流動通道。該第二流體流動構件更具有第二感測器，其經配置而偵測在該第二流動路徑內的至少一個的該處理流體的第二特性。第二感測器外殼耦接於該第二構件基體，該第二感測器外殼包圍該第二感測器。該第一感測器不同於該第二感測器。該第一感測器外殼相同於該第二感測器外殼。
在另一個實施方式中，本發明為流體流動構件。該流體流動構件具有構件基體、形成於該構件基體的入口埠、形成於該構件基體的出口埠以及流動路徑。該流動路徑自該入口埠延伸至該出口埠。該流體流動構件更具有感測埠，其流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間。該流體流動構件具有密封該感測埠的感測元件以及藉由該感測元件與該處理流體隔絕的感測器。該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
在另一個實施方式中，本發明為製造產品的方法。第一，提供流體傳送模組。該流體傳送模組具有入口、出口、自該入口延伸至該出口的流動通道以及包含自入口埠延伸至出口埠的流動路徑的流體流動構件，該流動路徑形成一部分的該流動通道。第二，供應處理流體至該流體傳送模組的該入口。第三，使該處理流體流動通過該流動通道，該處理流體流動通過該流體流動構件的該流動路徑至該流體傳送模組的該出口。該流體傳送模組的該出口流體耦接至出口歧管。第四，經由在該入口埠與該出口埠之間流體連通於該流體流動構件的該流動路徑的感測埠量測該處理流體的特性。該感測埠由感測元件密封。感測器可操作地耦接至該感測元件。第五，自該流體傳送模組的該出口經由該出口歧管傳送該處理流體至處理室。該出口歧管流體耦接至該處理室。第六，對該處理室內的產品執行處理。
在又另一個實施方式中，本發明為流體流動構件，具有構件基體、形成於該構件基體的入口埠、形成於該構件基體的出口埠以及自該入口埠延伸至該出口埠的流動路徑。該流體流動構件也具有感測元件，該感測元件具有底側以及頂側。該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體。該流動路徑在相交該感測元件的限制平面具有限制高度以及限制寬度。在該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
在另一個實施方式中，本發明為流體流動構件，其具有構件基體、形成於該構件基體的入口埠、形成於該構件基體的出口埠以及自該入口埠延伸至該出口埠的流動路徑。該流體流動構件也具有感測元件，該感測元件具有底側以及頂側。該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體。該流動路徑在相交該感測元件的限制平面具有限制高度以及自該感測元件延伸至感測埠的底板的非限制高度。在該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
在又另一個實施方式中，本發明為流體流動構件，其具有構件基體、形成於該構件基體的入口埠、形成於該構件基體的出口埠以及自該入口埠延伸至該出口埠的流動路徑。該流體流動構件也具有感測元件，該感測元件具有底側以及頂側。該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體。該流體流動構件也具有限制元件，該限制元件經配置而阻塞該流動路徑，該流動路徑具有在該限制元件與該感測元件的該底側之間的限制高度，其小於自該感測元件的該底側量測至該流動路徑的底板的非限制高度。
本技術的進一步可應用領域從下文提供的詳細說明將變得清楚明瞭。當知詳細說明及具體範例，雖表明較佳實施方式，但僅旨在說明之目的而非限制本技術的範圍。
根據本發明原理的說明性實施例的說明旨在結合伴隨的圖式來閱讀，這些圖式被認為是整個書面說明的一部分。在本文所揭露的本發明的實施例的說明中，對於方向或指向的參考僅旨在方便說明且並非旨在以任何方式限制本發明的範圍。相對性用詞諸如「下部」、「上部」、「水平」、「垂直」、「之上」、「之下」、「上」、「下」、「左」、「右」、「頂」及「底」以及彼等之派生詞（例，「水平地」、「向下地」、「向上地」等）應被解釋為是指所要說明或在所討論的圖式中所示的指向。這些相對性用詞僅為了方便說明而並不要求裝置以特定指向建構或操作，除非明確指出。諸如「附接」、「貼附」、「連接」、「耦接」、「互連」等用詞是指一種關係，其中結構直接或間接地經由中間結構而彼此緊固或附接，以及皆為可移動或剛性附接或關係，除非另有明確說明。此外，本發明的特徵及益處藉由參閱較佳實施例而描述。因此，本發明不應特意被限制於描述可單獨存在或以其他特徵組合存在的特徵的某些可能的非限制的組合的這些較佳實施例；本發明的範圍由隨附的申請專利範圍所定義。
本發明針對用於使用在流體傳送模組以及系統的流體流動構件。半導體製造是一種需要高性能的流體流控制的工業。隨著半導體製造技術的進步，客戶認識到需要具改善的功能性能的流量控制裝置。因此，使用於感測處理流體特性的流體流動構件必須達成快速反應時間、提升準確性以及提升密集組裝的封裝。本發明能夠在半導體及類似處理中實現優秀的感測。
圖1顯示範例處理系統1000的示意圖。該處理系統1000可使用複數個流體耦接至處理室1300的用於控制流動的裝置100。複數個該用於控制流動的裝置100為使用於供應一個以上的不同處理流體至該處理室1300。流體為複數個流體供應1010所提供。如所能見，兩個以上的流體供應1010能夠連接到單一個用於控制流動的裝置100。總體地，複數個該用於控制流動的裝置100屬於流體傳送模組1400。可選地，多於一個的流體傳送模組1400可使用在該處理系統1000。複數個該用於控制流動的裝置100為藉由出口歧管401連接到處理室1300。諸如半導體以及積體電路的產品可在該處理室1300內處理。
閥1100將各個用於控制流動的裝置100與該處理室1300隔絕，使得各個用於控制流動的裝置100能夠選擇地與該處理室1300連接或隔絕，以有利於各式各樣的不同處理步驟。該處理室1300可包括施用器以施加藉由複數個該用於控制流動的裝置100所傳送的處理流體，使得藉由複數個該用於控制流動的裝置100所供應的流體能夠選擇性或擴散分布。可選地，該處理室1300可為真空室或槽或缸，以用於將產品浸入藉由複數個用於控制流動的裝置100所供應的液體中。流體供應線藉由自各個各自的流體供應至該處理室1300的流動路徑所形成。
此外，該處理系統1000可更包含真空源或排出器1200，其藉由閥1100而與該處理室1300隔絕，以能夠排出處理流體或是有利於清洗一個以上的用於控制流動的裝置100。這使得在相同的用於控制流動的裝置100中能夠進行處理流體之間的切換、維護或其他任務。可選地，該排出器1200可為液體排出器，經配置以自該處理室1300移除液體。或者，該排出器1200可為用於移除氣體的真空源。可選地，該用於控制流動的裝置100可為質流控制器、分流器、合流器、或是控制處理系統中的處理流體的流動的任何其他裝置。再者，如果需要，該閥1100可整合入該用於控制流動的裝置100。該處理室1300可容納用於處理的半導體晶圓及其他產品。
在該處理系統1000中可執行的處理可包括：濕洗、微影、離子植入、乾蝕刻、原子層蝕刻、濕蝕刻、電漿灰化、快速熱退火、爐退火、熱氧化、化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、分子束磊晶、雷射剝離、電化學沉積、化學機械研磨、晶圓測試、電鍍、或利用氣體或液體的任何其他處理。
圖2顯示包含有複數個用於控制流動的裝置100的範例流體傳送模組1400的示意圖。流體傳送模組1400包含支持結構1402。支持結構1402可被稱為基底基板或基底板且一般為平板或片，其上裝設有一個以上的用於控制流動的裝置100。在本例中，複數個用於控制流動的裝置100裝設於該支持結構。各個用於控制流動的裝置100在設計上為模組化，且包含大量單獨的流體流動構件110、120，彼等各直接地或間接地附接於支持結構1402。支持結構1402具有頂表面1403，其上裝設有用於控制流動的裝置100。
流體流動構件110、120包括主動流動構件120及被動流動構件110。被動流動構件110並不改變流體的流動，而是僅將一個主動構件連接至另一個或是將主動構件連接至入口或出口。主動流動構件120可改變流體的流動，監測流體的態樣，或是以其他方式執行超出單純流體運輸的功能。主動流動構件120可包括溫度感測器、壓力傳感器、質流控制器、閥等。然而其他構件可皆為主動及被動，取決於彼等在控制流動的裝置100中的目前用途。舉例而言，溫度感測器可用作被動流體流動構件，將流體自一個主動流動構件120運輸至另一個，以及可實際上不被利用來測量溫度感測器。如所能見，能夠設想出流體流動構件110、120的大量變化，且這些流體流動構件110、120能夠用於裝配廣泛的控制流體的裝置100。
該流體傳送模組1400包含複數個入口102，彼等自上面討論的流體供應1010承接流體。流體傳送模組亦具有至少一個出口104，其傳送流體至處理室1300。各個用於控制流動的裝置100可具有一個入口102及一個出口104或可具有複數個入口102或複數個出口104。因此，流體可流動通過複數個入口102並經由單一出口104而傳送或是可流動通過單一入口102並經由複數個出口104而傳送。相同的流體可傳送至複數個入口102或是不同的流體可輸送至各個入口102。相同的入口102或出口104可由複數個用於控制流動的裝置100所共用或者各個用於控制流動的裝置100可具有一個以上的專用入口102及出口104。
轉至圖3至圖6，繪示有流體流動構件200。在本實施例中，該流體流動構件200為溫度感測器，經配置而用來量測流動通過該流體流動構件200的流體的溫度。該流體流動構件200因其主動地監測該流體的特性而為主動構件。該流體流動構件200具有構件基體210、固持器元件240、感測器外殼242以及連接器244。該構件基體210具有頂表面211以及底表面212。該底表面212安裝至其他如下所將詳述的流體流動構件110、120。該頂表面211如所示承接該固持器元件240以及該感測器外殼242。
該構件基體210更含有緊固件通路213，且該緊固件通路213延伸通過該構件基體210以允許固定該流體流動構件200至其他的流體流動構件110、120或至該支持結構1402。該緊固件通路213可含有埋頭孔（counter bores）、沉頭孔（counter sinks）或其他允許使該緊固件凹陷在該頂表面211之下的特徵。
該構件基體210總體地包含外基體214、第一支持部分215、第二支持部分216、插入件220以及複數個緊固件217。如所能見，該構件基體210為建構自複數個分離構件，其使得流體能夠通過該流體流動構件200流動。該插入件220為由該第一支持部分215以及該第二支持部分216所圍繞。該第一支持部分215以及該第二支持部分216套疊入該外基體214且在經由該緊固件217組裝過程中被固定。這允許該構件基體210自複數個不同的構件形成以最佳化強度、成本或其他因素。舉例而言，該插入件220可自不對被使用的流體起反應的材料形成，而其他構件則可自對於成本或其他因素最佳化的材料形成。在另其他的實施例，該構件基體210可形成為一體化且整體成型的單一個構件。
該流體流動構件200更包含感測元件230、墊塊245、感測器243以及O型環241、固持器元件240、感測器外殼242以及連接器244。該感測器外殼242包圍該感測元件230、該墊塊245、該感測器243以及該O型環241。該連接器244也部分地安裝在該感測器外殼242內。該固持器元件240固定該感測器外殼242至該構件基體210。
該連接器244可為面板安裝連接器，或為能夠與該感測器243電連接的任何其他形式連接器。該連接器244電連接至該感測器243，使得該感測器243能夠運作且允許流通過該流體流動構件200的該流體的一個以上的特性能夠被量測。如有需求，該連接器244可被一段自該感測器外殼242出來的電線替換而非面板安裝連接器或其他電連接器。
該感測器外殼242自基體面251延伸至遠端252。該連接器244位在該遠端252的孔洞，而該基體面251接合該構件基體210的頂表面211。凸緣253自外殼體254延伸且形成部分的該基體面251。該凸緣253接合該固持器元件240。當該固持器元件240固定於該構件基體210的該頂表面211時，該凸緣253也壓抵該構件基體210的該頂表面211。
該感測器外殼242更含有腔255。該腔255為經配置而承接如上所述的感測元件230、墊塊245以及感測器243。該腔255含有夾持面256，其接合如下所將詳述的該墊塊245的肩部面261。因此，該感測器外殼242的該夾持面256為直接物理接觸該墊塊245的該肩部面261。該感測器243接合感測器面263，該感測器面263含有如確保該感測器243正確地位在該感測器外殼242內之肋的感測器接合特徵。該感測器243直接物理接觸墊塊245的該感測器面263。
該墊塊245藉由在該感測器外殼242的該夾持面256與該墊塊245的該肩部面261之間的互相影響而被擠壓在該感測元件230與該感測器外殼242之間。該感測元件230具有頂表面231以及底表面232。該墊塊245的底表面262接合該感測元件230的頂表面231，而該底表面232接合該插入件220的第一密封肋221、第二密封肋222以及位在該插入件220的溝224的O型環223。因此，在該插入件220與該感測元件230之間的介面包含三個密封，其避免流體洩漏。該墊塊245擠壓該感測元件230抵住該第一密封肋221、該第二密封肋222以及該O型環223。該第一密封肋221同心於該第二密封肋222以及該溝224。該感測元件230可由如藍寶石的硬材質所形成，或者在其他實施例，其可為如聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethane）或另一種類似材料的聚合物所形成。在本實施例，該感測元件230形成具有恆定厚度的盤，且依據設計需求厚度可在0.5mm至3mm之間。該感測元件230的頂表面231直接物理接觸該墊塊245的底表面262，而該感測元件230的底表面232直接物理接觸該插入件220的該第一密封肋221以及該第二密封肋。222。
該插入件220具有感測埠225、第一埠226以及第二埠227。該第一埠226以及該第二埠227可為連接流體至此處的入口埠或出口埠。因此，流體可通過自該第一埠226延伸至該第二埠227的流動路徑228而流動在任一方向。該感測埠225流體耦接至在該第一埠226與該第二埠227之間的該流動路徑228。縱軸A-A延伸通過該感測埠225的中心，以使該感測埠225繞著該縱軸A-A旋轉對稱。該縱軸A-A也延伸通過該感測器外殼242、該墊塊245、該感測器243以及該感測元件230的中心。在本實施例，該流動路徑228為相對於該感測埠225對稱。另有說明，通過該流動路徑228的反向流動並不會改變流體流經該流體流動構件200的路徑。在其他的實施例，該流動路徑228無需是對稱，且相較於該第二埠227與該感測埠225，在該第一埠226與該感測埠225之間可為不同。
該插入件220的該感測埠225包含該第一密封肋221、第二密封肋222以及該溝224。因此，該第一密封肋221、該第二密封肋222以及該溝224形成一部分的該感測埠225且可依設計需求改變。這可包括在該流動路徑228內的壓力或材料，且可能必須要有不同的密封幾何以達成所需的性能。在該感測元件230的該底表面232與該第一密封肋221之間的介面形成第一密封。在該感測元件的該底表面232與該第二密封肋222之間的介面形成第二密封。在該底表面232與在該溝224內的該O型環223之間的介面形成第三密封。因此，三個不同的密封可被形成以確保高抗洩漏性。在其他實施例，該O型環223以及該溝224可被省去。在另一其他實施例，該第一密封肋221以及該第二密封肋222中的一個可被省去。
轉至圖7以及8，該固持器元件240被詳細顯示。該固持器元件240具有外殼孔洞246，其允許該感測器外殼242的外殼體254通過。凸緣接合面247自外殼孔洞246延伸。該凸緣接合面247接合該感測器外殼242的該凸緣253，以允許該感測器外殼242被壓抵於該構件基體210的該頂表面211。該固持器元件240更包含底表面248。在組裝過程，該底表面248實質地共平面於該感測器外殼242的該基體面251。該底表面248也接觸該構件基體210的該頂表面211，但在其他實施例其可與該頂表面211形成間隔。複數個緊固件通路249承接該緊固件217以固定該固持器元件240至該構件基體210。
圖9以及10詳細顯示該感測器外殼242。如上所述，該感測器外殼242自該基體面251延伸至該遠端252。該凸緣253形成一部分的該基體面251且自該外殼體254延伸。密封面257位在該腔內鄰近該基體面251，該密封面257接合該O型環241以密封該腔255遠離外界環境。連接器孔洞258位在該遠端252且經配置而承接該連接器244。該腔255更包括該夾持面256，該夾持面256比該密封面257更接近該遠端252。該凸緣253包含自該外殼體254的相對側延伸的一對翼259，以提升在該凸緣253與該固持器元件240的該凸緣接合面247之間的接觸面積。
轉至圖11至14，顯示該感測器243以及該墊塊245。該感測器243具有形成在該感測器的感測面265的感測孔洞264。該感測孔洞264允許該感測器243偵測被量測的該物理特性。在本實施例，該感測孔洞264允許電磁波通過，該電磁波允許偵測該流體的溫度。在本實施例，該感測器243經由量測在該感測孔洞264承接的紅外線電磁波而偵測溫度。該感測面265如上所述的物理接觸該墊塊245的該感測器面263。因此，該感測器243經定位，以使其感測孔洞264沿著該縱軸A-A位在固定位置且位在該縱軸A-A的中心。
該墊塊245沿著該縱軸A-A自該感測器面263延伸至該底表面262。該肩部面261相對於該縱軸A-A位在該感測器面263與該底表面262之間。該感測器面263含有肋266，其環繞該感測器243的該感測面265，以輔助該感測孔洞264與形成在該感測器面263的墊塊孔洞267的校正。該墊塊孔洞267允許通過該墊塊245的電磁波通過且繞著該縱軸A-A對準中心。該墊塊孔洞267位在該感測器面263與該內表面268之間的交叉處。
該內表面268自該墊塊孔洞267延伸至該底表面262。較佳地，該內表面268為錐形，帶有隨著自該墊塊孔洞267至該底表面262的距離增加而增加的直徑。該內表面268相對於該縱軸A-A的角度較佳地為銳角，為在該縱軸A-A與該內表面268之間量測所得。複數個凹口269形成在該底表面262。複數個該凹口269繞著該縱軸A-A旋轉地對稱且具有小於形成該底表面262的突起部270的寬度，為繞著該縱軸A-A在圓周方向量測所得。該突起部270為直接面接觸於該感測元件230的頂表面231，以固定該感測元件230於該插入件220的該感測埠225。
圖15至20顯示該感測元件230以及總體地形成該構件基體210的該構件。圖15以及16顯示該外基體214。如上所述，該構件基體210具有頂表面211以及底表面212。該外基體214具有頂表面271以及底表面272。該外基體214的該頂表面271形成一部分的該構件基體210的該頂表面211，而該外基體214的該底表面272形成一部分的該構件基體210的該底表面212。該緊固件通路213如前所述為形成於該構件基體210的該外基體214。附加的緊固件通路273為形成在該外基體214以允許該流體流動構件200的組裝。
埠孔洞274也形成在該外基體214以允許通過該外基體214而進入該插入件220的該感測埠225。該埠孔洞274自該外基體214的該頂表面271延伸至構件承接腔275。該構件承接腔275形成在該底表面272上且經配置而承接該插入件220以及該第一支持部分215與該第二支持部分216。該緊固件通路273自該外基體214的該頂表面271延伸至該構件承接腔275，而該構件基體210的該緊固件通路213自該外基體214的該頂表面271延伸至該外基體214的該底表面272。該緊固件217固定該構件基體210的該構件在一起且也耦接該固持器元件240至該構件基體210。如先前所說明，該構件基體210可形成為省去該插入件220、該第一支持部分215以及該第二支持部分216的單一構件。
圖17以及圖18顯示該插入件220以及該感測元件230。如上所述，該感測元件230具有頂表面231以及底表面232。該底表面232配合在該插入件220的該感測埠225內。該底表面232如前所述在該溝224內接合該第一密封肋221、第二密封肋222以及O型環223。該感測元件230更包含按尺寸製做的外徑233，以使該感測元件230至少部分地套疊在該感測埠225的外壁229內。因此，該感測元件230的外徑233小於該外壁229或與之具有干涉配合，但不妨礙套疊在該感測埠225內並接合該第一密封肋221與該第二密封肋222。
該插入件220沿著該流動路徑228自該第一埠226延伸至該第二埠227，伴隨著該感測埠225流體耦接至該流動路徑228。該感測埠225形成一部分的該構件基體210的該頂表面211，而該第一埠226以及該第二埠227形成一部分的該構件基體210的該底表面212。該感測埠225的端面234實質地共平面於該外基體214的該頂表面271。可選地，該感測埠225的該端面234可突伸越過該外基體214的該頂表面271，或者其可相對於該外基體214的該頂表面271凹陷。
同樣地，各個該第一埠226以及該第二埠227的端面235實質地共平面於該外基體214的該底表面272。各個該第一埠226以及該第二埠227形成一部分的該構件基體210的該底表面212。可選地，該第一埠226以及該第二埠227的該端面235可突伸越過該外基體214的該底表面272，或可相對於該外基體214的該底表面272凹陷。
圖19以及20顯示該第一支持部分215以及該第二支持部分216。該第一支持部分215以及該第二支持部分216各含有插入件承接段236，其承接該插入件220。該插入件承接段236提供結構支持給該插入件220且確保其合適地定位在該構件基體210內。該第一支持部分215以及該第二支持部分216配合在該構件承接腔275內且經由該緊固件217被固定在該構件承接腔275內。該緊固件217延伸通過緊固件通路237以提供該第一支持部分215與該第二支持部分216以及該插入件220在該外基體214內的固定保持。
圖21至25顯示另一個實施例的流體流動構件300。該流體流動構件300經配置為溫度感測器，為使用接觸溫度感測器元件而不是非接觸溫度感測器元 件。該流體流動構件300相似於該流體流動構件200，除了以下所述以外。該流體流動構件300包含構件基體310、感測器外殼342、連接器344、感測元件330、感測器343以及複數個緊固件317。
該構件基體310具有頂表面311以及相對的底表面312。感測埠325形成在該頂表面311。該感測埠325承接該感測元件330。複數個緊固件通路313被形成通過該構件基體310，以允許直接地或間接地組裝該流體流動構件300至另一個構件或如該支持結構1402的基板。另外，複數個緊固件通路373被形成入該構件基體310，以有利於組裝該構件基體310至該感測器外殼342。兩組緊固件通路313、373可含有埋頭孔（counter bores）、沉頭孔（counter sinks）或其他允許使緊固件的頭部凹陷在該構件基體310內的特徵。
該構件基體310更含有第一埠326、第二埠327以及自該第一埠326延伸至該第二埠327的流動路徑328。該感測埠325在該第一埠326與該第二埠327之間流體耦接至該流動路徑328。縱軸A-A延伸通過該感測埠325，且該流動路徑328相對於該感測埠325為對稱。在其他的實施例，該流動路徑328可相對於該感測埠325為非對稱。
該感測埠325可包含第一密封肋321、第二密封肋322以及溝324。各個該第一密封肋321、該第二密封肋322以及該溝324為繞著該縱軸A-A對稱。O型環323被定位在該溝324內。該第一密封肋321、該第二密封肋322以及該O型環323的各個接合該感測元件330的該底表面332，以提供第一密封、第二密封以及第三密封。該感測元件330的外徑333經配置而配合在該感測埠325的外壁329內。該感測元件330的該外徑333可小於該感測埠325的該外壁329的該直徑，或者該外徑333可為與該外壁329的干涉配合。
該感測器343耦接且直接接觸該感測元件330的頂表面331。這允許該感測元件330的溫度的快速量測，其為直接接觸流動通過該流動路徑328的流體。因此，該感測器343準確地量測在該流動路徑328的該流體的溫度。較佳地，該感測器343是快速反應型且該感測元件330為高導熱性以確保最小化誤差或溫度變化反應的延遲。在其他實施例，該感測器343可經由紅外線或其他方式監測該溫度。在這些實施例，該感測元件330可為電磁波所透射且可為或不為高導熱性。在另其他實施例，該感測器343可為壓力感測器且可反應該感測元件330的變形。如上，該感測元件330可為如藍寶石的薄層材料，或者其可為如PTFE的聚合物所形成。
該感測器外殼342包圍該感測器343且承接該連接器344。該連接器344電連接至該感測器343，且配合在位於該感測器外殼342的遠端352的連接器孔洞358之內。該感測器外殼342更包含自外殼體354延伸的凸緣353。該凸緣353鄰近基體面351。該基體面351與該構件基體310的該頂表面311配合，且承接該緊固件317以耦接該感測器外殼342與該構件基體310。該感測器外殼342具有腔355，其承接該感測器343、一部分的該連接器344以及一部分的該感測元件330。
該感測器外殼342也含有接合該感測元件330的該頂表面331的夾持面356，以擠壓該感測元件330抵住該感測埠325的該第一密封肋321、該第二密封肋322以及該O型環323，且在該感測元件330與該感測埠325之間創造出流密連接。可選地，該構件基體310的該頂表面311可與該感測器外殼342的該基體面351保持間隔。或者，該頂表面311可接觸該基體面351。
轉至圖26至33，又另一個實施例的流體流動構件400被揭露。該流體流動構件400經配置而為壓力感測器，其經配置以量測在該流體流動構件400內的流體的壓力。該流體流動構件400一般相似於該流體流動構件200，除了以下所述以外。該流體流動構件400包含構件基體410、固持器元件440、感測器外殼442、連接器444、感測元件430、感測器443以及複數個緊固件417。
該構件基體410是由複數個構件所形成的組裝件。該構件基體410具有頂表面411以及相對的底表面412。 該構件基體410是由外基體414、第一支持部分415、第二支持部分416、插入件420以及複數個緊固件417所形成的組裝件。如所能見，該構件基體410為建構自複數個分別的構件，其能夠使流體通過該流體流動構件400流動。該插入件420藉由該第一支持部分415以及該第二支持部分416所圍繞。該第一支持部分415以及該第二支持部分416套疊入該外基體414且在經由該緊固件417組裝過程中被固定。這允許該構件基體410自複數個不同的構件形成，以最佳化強度、成本或其他因素。舉例而言，該插入件420可由對將被使用之流體沒有反應的材料所形成，而剩餘構件可由成本或其他因素最佳化的材料所形成。在又一個其他實施例，該構件基體410可如一體化且整體成型的單一個構件形成。
該流體流動構件400更包含感測元件430、感測器443以及O型環441、固持器元件440、感測器外殼442以及連接器444。該感測器外殼442包圍該感測元件430以及該O型環441。該連接器444也部分地安裝在該感測器外殼442內。該固持器元件440固定該感測器外殼442至該構件基體410。
該連接器444可為面板安裝連接器，或為能夠電連接該感測器443的任何其他形式連接器。該連接器444電連接至該感測器443，使得該感測器443能夠運作且允許流通過該流體流動構件400的該流體的一個以上的特性能夠被量測。如有需求，該連接器444可被一段自該感測器外殼442出來的電線替換而非面板安裝連接器或其他電連接器。
該感測器外殼442自基體面451延伸至遠端452。該連接器444位在該遠端452的孔洞，而該基體面451接合該構件基體410的頂表面411。凸緣453自外殼體454延伸且形成部分的該基體面451。該凸緣453接合該固持器元件440。當該固持器元件440固定於該構件基體410的該頂表面411時，該凸緣453也壓抵該構件基體410的該頂表面411。
該感測器外殼442更含有腔455。該腔455為經配置而承接如上所述的感測元件430以及感測器443。該腔455含有夾持面456，其接合如下所將詳述的該感測器443的肩部面461。因此，該感測器外殼442的該夾持面456為直接物理接觸該感測器443的該肩部面461。因此，該感測器443為直接物理接觸該感測器外殼442的該夾持面456。該感測器外殼442更經配置而在與該感測器外殼242的該夾持面256的同樣高度處具有該夾持面456。這使得不同的組裝件間能夠相互交換零件使用，因為該感測器外殼242相同於該感測器外殼442。
該感測器443藉由在該感測器外殼442的該夾持面456與該感測器443的該肩部面461之間的互相影響而被擠壓在該感測器外殼442與該感測元件430之間。該感測元件430具有頂表面431以及底表面432。該感測器443的底表面462接合該感測元件430的該頂表面431，而該底表面432接合該插入件420的密封面421。該感測元件430更包含環狀環422，其接合形成入該插入件420的該密封面421的溝424。因此，該環狀環422自該感測元件430的底表面432延伸且接合形成入該密封面421的溝424以提供避免流體洩漏的密封。可選地，該溝424可為與該環狀環422的干涉配合以有利於密封。
該感測器443擠壓該感測元件430抵住該密封面421以提供密封作用。該感測元件430也包含膜部分423，其偏轉以反應來自在該流體流動構件400的該流體的壓力。該膜部分423藉由該環狀環422圍繞且相對於該環狀環422偏轉。該感測元件430可由如藍寶石的硬材質形成，或者在其他實施例，其可為如聚四氟乙烯（PTFE，Polytetrafluoroethane）或另一種類似材料的聚合物所形成。在本實施例，該感測元件430形成具有非恆定厚度的盤。該膜部分423可依據設計需求而有厚度上的變動。該感測元件430的該頂表面431直接物理接觸該感測器443，而該感測元件430的該底表面432直接物理接觸該插入件420的該密封面421。
該插入件420具有感測埠425、第一埠426以及第二埠427。該第一埠426以及第二埠427可為用於連接流體至此的進口埠或出口埠。因此，流體可通過自該第一埠426延伸至該第二埠427的流動路徑428在兩方向上流動。該感測埠425在該第一埠426與該第二埠427之間流體耦接至該流動路徑428。縱軸A-A延伸通過該感測埠425的中心，以使該感測埠425繞著該縱軸A-A旋轉對稱。該縱軸A-A也延伸通過該感測器外殼442、該感測器443以及該感測元件430的中心。在本實施例，該流動路徑428相對於該感測埠425為對稱。另有說明，通過該流動路徑428的反向流動並不會改變流體流經該流體流動構件400的路徑。在其他的實施例，該流動路徑428無需是對稱，且相較於該第二埠427與該感測埠425，在該第一埠426與該感測埠425之間可為不同。
該插入件420的該感測埠425包含該密封面421以及該溝424。因此，該密封面421以及該溝424形成一部分的該感測埠425且可依設計需求改變。這可包括在該流動路徑428內的壓力或材料，且可能必須要有不同的密封幾何以達成所需的性能。在該感測元件430的該底表面432與該密封面421之間的介面形成第一密封。在該感測元件430的該環狀環422與該溝424之間的介面至少形成第二密封，但可選地，第二密封、第三密封及／或第四密封在該環狀環422的內表面、底表面以及外表面上。因此，至少兩個且多達四個不同的密封可被形成以確保高抗洩漏性。
該插入件420相似但不相同於該插入件220。該插入件220、該插入件420可藉由成型或其他方式形成。也可設想該插入件220、該插入件420可形成為相同的未完成的坯件，其接著以用於該感測埠225、425的不同幾何外形完成，以允許不同的感測元件230、430在無需如模具的額外的生產工具下而被使用。此完成可經由該感測埠225、425的加工執行，以達成用於該感測元件的外形的合適的幾何外形，該感測元件將被使用於該流體流動構件。
圖34至42顯示又另一個實施例的流體流動構件500，經配置而量測流體溫度。該流體流動構件500經配置為在通常被稱為熱井（thermowell）的配置中使用接觸溫度感測器元件的溫度感測器，因為該感測器浸入流體。該流體流動構件500包含構件基體510、感測器外殼542、連接器544、感測元件530、感測器543、墊塊545、密封541以及複數個緊固件517。
該構件基體510具有頂表面511以及相對的底表面512。感測埠525形成在該頂表面511。該感測埠525承接該感測元件530。複數個緊固件通路513形成通過該構件基體510，以允許該流體流動構件500直接地或間接地組裝至另一個構件或如該支持結構1402的基板。另外，複數個緊固件通路573被形成入該構件基體510，以有利於組裝該構件基體510至該感測器外殼542。兩組緊固件通路513、573可含有埋頭孔（counter bores）、沉頭孔（counter sinks）或其他允許使緊固件的頭部凹陷在該構件基體510內的特徵。
該構件基體510更含有第一埠526、第二埠527以及自該第一埠526延伸至該第二埠527的流動路徑528。該感測埠525在該第一埠526與該第二埠527之間流體耦接至該流動路徑528。縱軸A-A延伸通過該感測埠525，且該流動路徑528相對於該感測埠525為對稱。在其他的實施例，該流動路徑528可相對於該感測埠525為非對稱。
該感測埠525更包含密封面521以及溝524。該密封面521以及該溝524為繞著該縱軸A-A對稱。該密封541的環狀環523被定位在該溝524內。該密封541的該環狀環523自該密封541的底表面532延伸入該溝524。該密封面521接合該密封541的該底表面532以提供第一密封。在該環狀環523與該溝524之間的介面可沿著該環狀環523的該內表面、該底表面與該外表面以及該溝524的對應面造成第二密封、第三密封或第四密封。該密封541的外徑533經配置而配合在該感測埠525的外壁529內。該密封541的該外徑533可小於該感測埠525的該外壁529的該直徑，或者該外徑533可為與該外壁529的干涉配合。該密封541的該外徑533可相同於該環狀環523的該外表面，或者其可為分別的面。
該感測器543插入在該感測元件530內。典型地，該感測器543灌封入灌封材料內，其可為環氧樹脂或在該感測元件530與該感測器543之間提供高度導熱性的其他材料。這允許圍繞該感測元件330的該流體的該溫度的快速量測，該流體流動通過該流動路徑528。因此，該感測器543準確地量測在該流動路徑528的該流體的溫度。較佳地，該感測器543是快速反應型且該感測元件530為高導熱性以確保最小化誤差或溫度變化反應的延遲。在其他實施例，該感測器543可經由紅外線或其他方式監測該溫度。在這些實施例，該感測元件530可為電磁波所透射且可為或不為高導熱性。在另其他實施例，該感測器543可為壓力感測器且可反應該感測元件530的變形。如上，該感測元件530可為如藍寶石的管材，或者其可為如PTFE的聚合物所形成。
較佳地，該感測元件530是中空管，其自形成在該感測埠525的容座522延伸通過形成在該密封541且自該密封541的頂表面531延伸至該密封541的該底表面532的孔洞534。因此，該感測元件530具有外表面535，其接觸該密封541的該孔洞534。該感測元件530延伸通過該流動路徑528且在該感測埠525的位置藉由在該流動路徑528內的流體圍繞。該孔洞534與該感測元件530的該外表面535形成流密連接且可為干涉配合或經由黏著劑、超音波熔接或已知技術的其他結合處理的黏合。該容座522無需與該感測元件530的該外表面535干涉配合，因為該灌封材料545可密封該感測器543。或者，該容座522可與該感測元件530的該外表面535干涉配合，或者為了避免流體接觸該灌封材料545或有利組接，該感測元件530可經由上述的黏合技術被連接接合。
該感測器外殼542包圍部分的該感測器543以該感測元件530且承接該連接器544。該連接器544電連接至該感測器543且配合在位於該感測器外殼542的遠端552的感測器孔洞558內。該感測器外殼542更包含自該外殼體554延伸的凸緣553。該凸緣553鄰近基體面551。該基體面551與該構件基體510的該頂表面511配合，且承接該緊固件517以耦接該感測器外殼542與該構件基體510。該基體面551可接觸該頂表面511或與該頂表面511間隔。該感測器外殼542更包括腔555，其承接該感測器543、一部分的該連接器544以及一部分的該感測元件530。
該感測器外殼542也含有夾持面556，其接合該墊塊545的該肩部面561。在該感測器外殼542的該夾持面556與該墊塊545的該肩部面561之間的該直接接觸確保該密封541壓抵該感測埠525。該墊塊545的該底表面562接合該密封541的該頂表面531。該頂表面531可具有突伸錐面537，其在該墊塊545的該底表面562上接合凹陷錐面563。孔洞564形成通過該墊塊545以允許該感測元530以及該感測器543的通過。該孔洞564較佳地按尺寸製作而與該感測元件530自由配合。在其他實施例，該墊塊545可被省去，且該密封541可接合該感測器外殼542的該夾持面556。
圖43至45顯示流體流動構件600，其採取流體混合器以及溫度感測器的形式。該流體流動構件600包含構件基體610、感測器643、墊塊645、感測元件630、O型環641以及混合元件660。該構件基體610具有頂表面611以及前面612。該頂表面611含有二個第一埠626以及一個第二埠627。二個該第一埠626以及該第二埠627為經由流動路徑628流體耦接在該構件基體610內。感測埠625形成在該前面612且在該第一埠626與第二埠627之間流體連接至該流動路徑628。
該混合元件660插入該感測埠625，該混合元件660具有延伸通過該混合元件660的孔洞661。在典型的操作模式，流體流動通過該第一埠626、通過該混合元件660以及流出該第二埠627。當該流體流動通過該混合元件660，該溫度或該壓力可藉由該感測器643經由在該混合元件660的該孔洞661量測。該O型環641接合該感測元件630以及該混合元件660以密封該感測埠625。該感測元件630可如該感測元件230光學地透射，且可由藍寶石或聚合物材料所形成，以允許感測在該流體流動構件600內如溫度或壓力的特性。
該墊塊645含有螺紋，其接合在該感測埠625的對應螺紋，該墊塊645也具有錐形內表面668以及延伸通過該墊塊645的孔洞667。該感測器643經配置而通過該墊塊645的該孔洞667、通過該感測元件630以及通過在該混合元件660的該孔洞661監測該流體的該溫度。該感測元件630藉由該墊塊645夾持且該感測器643耦接至該墊塊645。
圖46以及47顯示又另一個流體流動構件700，其包括由複數個分別的構件所形成的構件組件702。該構件組件702包含閥組件704以及包含構件基體710的感測組件708。閥組件704以及該感測組件708可操作地耦接至流動路徑728，其自在該構件組件702的第一埠705延伸至在該構件組件702的第二埠706。在該感測組件708的該構件基體710內，該流動路徑728自第一埠726延伸至第二埠727。此外，該構件基體710含有流體耦接至該流動路徑728的感測埠725。
該感測組件708更含有感測器外殼742、感測器743、墊塊745以及感測元件730。該感測元件730密封該構件基體710的該感測埠725。該感測元件730經由來自該墊塊745的壓力而被密封抵住該感測埠725，而該墊塊745被來自該感測器外殼742的壓力擠壓。該感測器外殼742更包圍該感測器743。因此，該感測器直接接觸該墊塊745。該墊塊745直接接觸該感測元件730，而該感測元件730與該構件基體710的該感測埠725直接接觸。
在又另一個實施方式，一種製造產品的方法可被採用。第一，提供流體傳送模組1400，該流體傳送模組1400具有入口102以及出口104。流動通道自該入口102延伸至該出口104。流體流動構件200形成一部分的該流體傳送模組1400。該流體流動構件具有入口埠226、出口埠227以及自該入口埠226延伸至該出口埠227的流動路徑228。該流動路徑228形成一部分的自該入口102延伸至該出口104的流動通道。
第二，自流體供應1010供應處理流體至該流體傳送模組1400的該入口102。第三，該處理流體流動通過該流動通道且通過該流體流動構件200的該流動路徑228。該處理流體流動通過流動路徑228以及該流動通道的剩餘段至該流體傳送模組1400的該出口104。該出口104流體耦接至出口歧管401。
第四，經由感測埠225量測該處理流體的特性，該感測埠225流體連通該流體流動構件200的該流動路徑228。該感測埠225位在該入口埠226與該出口埠227之間且藉由感測元件230密封。感測器243可操作地耦接至該感測元件230，使得該感測器243可以量測該處理流體的該特性通過該感測元件230。這可通過紅外線或其他電磁波、接觸溫度的量測、該感測元件230的偏轉或任何其他已知方式的觀察而完成。
第五，該處理流體經由該出口歧管401自該流體傳送模組1400的該出口104傳送至處理室1300。該出口歧管401流體耦接至該處理室1300。第六，對該處理室內的產品執行處理。這可為藉由施加一個以上的流體至基板而達成的任何已知的處理。舉例而言，該流體可為硫酸溶液，且該基板可為矽或任何材質所製成的晶圓。
圖48至50顯示量測處理流體溫度的流體流動構件的部分800。該流體流動構件的該部分800包含構件基體810以及感測元件830。流動路徑828自入口埠826延伸至出口埠827。該流動路徑828進入感測埠825，該感測埠825在該入口埠826與該出口埠827之間流體耦接至該流動路徑828。該感測埠825包含密封肋821以及溝824。該感測埠825也具有底板840以及自該底板840延伸至該感測元件830的壁841。最後，限制元件842自該底板840朝向該感測元件830延伸。該限制元件842沿著橫向於該流動路徑828的限制平面RP延伸。
該感測元件830具有頂表面831以及底表面832。該底表面832配合在該感測埠825內且接合該密封肋821。可選地，O型環可安裝在該溝824以提供該感測元件830額外的密封。該感測元件830具有感測厚度T S，其為自該頂表面931量測至該底表面832。限制高度H R沿著該限制平面RP延伸且為在該感測元件830的該底表面832與該限制元件842的該頂表面843之間量測。另外，限制寬度W R沿著該限制平面RP延伸且為在該感測埠825的該壁841的二相對側之間量測。因此，藉由該限制高度H R以及該限制寬度W R定義的該區域確定流體必須流過的限制範圍。
另外，非限制高度H U為在該感測元件830的該底表面832與該感測埠825的該底板840之間量測。該非限制高度H U並非沿著該限制平面RP延伸，而是平行於該限制平面RP且在該限制元件842的上游或下游的位置量測。該非限制高度H U大於該限制高度H R。另有說明，該非限制高度H U為量測至該流動路徑825的底板。
該構件基體810有頂表面811、前面812以及底表面813。該感測埠825形成入該頂表面811。該入口埠826形成於該前面812。該出口埠827形成於該底表面813。可選地，該入口埠826以及該出口埠827可經排列以使它們形成入相同面、相對面或任何其他配置。該入口埠826以及該出口埠827經配置為管延伸件，其經配置而承接連接器或管。可選地，該連接器或管可熔接至該入口埠826或該出口埠827的該管延伸件。在其他配置，該入口埠826以及該出口埠827可含有密封腔或其他經配置而承接密封的特徵。可選地，該入口埠826以及該出口埠827中的一個或兩者可經配置而接受密封，而該入口埠826以及該出口埠827中其餘的一個可經配置而含有管延伸件。
在本實施例，該感測元件830的該感測厚度T S的範圍可在0.5mm至2.0mm之間。舉例而言，該感測厚度T S可為0.5mm、1.0mm或2.0mm。該限制高度H R的範圍可在0.5mm至3.0mm之間。舉例而言，該限制高度H R可為0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm或3.0mm。該限制寬度W R為12.0mm，但在其他實施例可為不同。該非限制高度H U為9.5mm，但其在其他實施例可為不同。本實施例顯示1.0mm的限制高度H R。
轉至圖51至56，顯示附加的部分800。顯示於圖51至56的該部分800為實質地相同於顯示於圖48至50的該部分800，但各個實施例具有不同的限制高度H R。圖51以及52的該實施例具有1.5mm的限制高度H R。圖53以及54的該實施例具有2.0mm的限制高度H R。圖55以及56的該實施例具有3.0mm的限制高度H R。
圖57以及58顯示部分800，此處該限制元件842為省去。圖57的該部分800為相同於圖48至50的該部分800，除了限制高度H R之外，其因去除該限制元件842而相等於該非限制高度H U。
圖59以及60顯示部分900。該部分900一般相似於該部分800，除了所述之外。該部分900具有構件基體910以及感測元件830。該構件基體910具有來自於圖48至58的該實施例的該構件基體810的獨特的外形。該構件基體910具有獨特的外形，而含有類比的流動路徑配置。流動路徑928自入口埠926延伸至出口埠927。該感測埠925位在該入口埠926與該出口埠927之間。該感測埠925具有底板940以及自該底板940延伸至該感測元件830的壁941。最後，限制元件942自該底板940延伸朝向該感測元件。該限制元件942沿著橫向於該流動路徑928的限制平面RP延伸。
限制高度H R沿著限制平面RP延伸且為在該感測元件830的底表面832與該限制元件942的頂表面943之間量測。非限制高度H U為在該感測元件830的底表面832與該感測埠925的底板940之間量測。該非限制高度H U並非沿著限制平面RP延伸，而是平行於該限制平面RP且為在該限制元件942的上游或下游的位置量測。該非限制高度H U大於該限制高度H R。另有說明，該非限制高度H U為量測至該流動路徑928的底板。
該構件基體910具有頂表面911、前面912以及底表面913。該感測埠925形成入該頂表面911。該入口埠926形成於該前面912。該出口埠927形成於該底表面913。可選地，該入口埠926以及該出口埠927可經排列以使它們形成入相同面、相對面或任何其他配置。該入口埠926經配置為管延伸件，其經配置而承接連接器或管。該出口埠927具有密封腔，其經配置而承接密封，該密封允許兩個不同的面連接接合。可選地，該入口埠926可含有經配置而承接密封的密封腔，而該出口埠927可為經配置而承接連接器或管的管短柱。
轉至圖61至64，顯示附加的部分1000。該部分1000經配置而允許該限制高度H R的調整。該部分1000含有構件基體1010、感測元件830以及限制元件1042。該構件基體1010具有自入口埠1026延伸至出口埠1027的流動路徑1028。感測埠1025沿著該流動路徑1028位在該入口埠1026與該出口埠1027之間。該感測埠1025具有壁1041，其自感測元件的底表面832延伸至該限制元件1042。
該限制元件1042具有頂表面1043、可動的部分1046、膜1044以及固定的部分1045。剛體的該部分1045配合在於該感測埠1025的對應的腔內且提供與該構件基體1010的流密密封。該膜1044經配置而允許可動的該部分1046相對於固定的該部分1045的移動。該頂表面1043位在固定的該部分1045上且在該頂表面1043與該感測元件830的該底表面832之間定義出該限制高度H R。另外，該非限制高度H U為定義在可動的該部分1046的底板1047與該感測元件830的該底表面832之間。該限制高度H R為沿著限制平面RP量測，其垂直於該流動路徑1028延伸且交叉該感測元件830以及該限制元件1042的該頂表面1043。
圖62顯示在中立狀態的該部分1000，由此該膜1044為在其移動範圍的中間。在這個狀態，該限制高度H R可為2.0mm或另一個在最高值與最低值之間大約中間的值。圖63顯示在縮回狀態的該部分1000。在這個狀態，該膜1044偏轉以使該限制高度H R可大於等於3.0mm。圖64顯示在擴展狀態的該部分1000。在這個狀態，該膜1044偏轉，以使該限制高度H R可小於等於0.5mm。該限制元件1042可藉由如螺線圈或其他線性致動器的致動器而運作。該限制元件1042可藉由施加力至可動的該部分1046控制以達成所需的該限制高度H R。如下所將詳細說明，變更該限制高度H R可實現改善用於所產生的該流體流動構件的反應時間，以允許較快的溫度量測或減少對流體流動的限制，其取決於如所通過的該流體流動的質量或體積流量的運作參數。
圖65至72顯示在該流動路徑的各種限制高度H R以及各種流體流量的該感測元件830的該頂表面831的溫度的一系列的圖。以下表1以及表2顯示形成圖65至72基礎的數據。該數據為使用計算流體力學軟體所生成。該部分為在20.05°C的初始穩態溫度。在0秒的過渡時間對該流體施加2°C的逐步溫度上升。該流體流量由400mL/min至4000mL/min。該感測厚度T H為0.5mm。該限制高度H R為自0.5mm至9.5mm，此處該限制元件842被省去。表1顯示該感測元件830的該頂表面831的該最高溫度，而表2顯示該感測元件830的該頂表面831的該平均溫度。量測為自0秒至2秒的該過渡時間以0.25秒的間隔量取。所有的計算為使用顯示於圖48至56的該實施例執行。 表1：感測元件的頂表面的最高溫度
感測元件的頂表面的最高溫度 [°C]
ΔT [°C] T H[mm] 流量 [mL/min] H R[mm] 0 s 0.25 s 0.5 s 0.75 s 1 s 1.25 s 1.5 s 1.75 s 2 s
2 0.5 400 9.5 20.05 20.06 20.44 20.77 21.04 21.23 21.39 21.50 21.59
2 0.5 400 0.5 20.05 21.33 21.87 21.96 21.99 22.01 22.02 22.02 22.03
2 0.5 400 1 20.05 21.14 21.77 21.90 21.95 21.98 21.99 22.00 22.01
2 0.5 400 2 20.05 21.06 21.71 21.87 21.92 21.95 21.97 21.99 22.00
2 0.5 400 3 20.05 20.84 21.50 21.73 21.81 21.87 21.91 21.94 21.96
2 0.5 1250 9.5 20.05 20.71 21.32 21.63 21.78 21.86 21.90 21.93 21.96
2 0.5 1250 0.5 20.05 21.96 22.03 22.04 22.04 22.04 22.04 22.04 22.05
2 0.5 1250 1 20.05 21.90 22.01 22.03 22.04 22.04 22.04 22.04 22.04
2 0.5 1250 2 20.05 21.84 21.99 22.02 22.03 22.03 22.04 22.04 22.04
2 0.5 1250 3 20.05 21.52 21.87 21.95 21.99 22.00 22.02 22.02 22.03
2 0.5 2500 9.5 20.05 21.20 21.74 21.89 21.95 21.98 22.00 22.01 22.02
2 0.5 2500 0.5 20.05 22.03 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 2500 1 20.05 22.01 22.04 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 2500 2 20.05 21.99 22.03 22.04 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 2500 3 20.05 21.81 21.99 22.02 22.03 22.04 22.04 22.04 22.04
2 0.5 4000 9.5 20.05 21.52 21.90 21.97 22.00 22.02 22.03 22.03 22.03
2 0.5 4000 0.5 20.05 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 4000 1 20.05 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 4000 2 20.05 22.03 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 0.5 4000 3 20.05 21.96 22.03 22.04 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05
表2：感測元件的頂表面的平均溫度
感測元件的頂表面的平均溫度 [°C]
ΔT [°C] T H[mm] 流量 [mL/min] H R[mm] 0 s 0.25 s 0.5 s 0.75 s 1 s 1.25 s 1.5 s 1.75 s 2 s
2 0.5 400 9.5 20.05 20.05 20.15 20.34 20.54 20.73 20.90 21.05 21.18
2 0.5 400 0.5 20.05 20.61 21.21 21.49 21.67 21.77 21.84 21.89 21.92
2 0.5 400 1 20.05 20.49 21.06 21.37 21.56 21.68 21.77 21.83 21.87
2 0.5 400 2 20.05 20.45 21.00 21.31 21.50 21.63 21.72 21.79 21.84
2 0.5 400 3 20.05 20.34 20.85 21.16 21.36 21.51 21.62 21.70 21.76
2 0.5 1250 9.5 20.05 20.27 20.70 21.04 21.27 21.44 21.57 21.66 21.73
2 0.5 1250 0.5 20.05 21.24 21.61 21.80 21.89 21.94 21.97 21.99 22.00
2 0.5 1250 1 20.05 21.12 21.53 21.73 21.84 21.91 21.95 21.97 21.98
2 0.5 1250 2 20.05 21.04 21.46 21.67 21.80 21.87 21.92 21.95 21.97
2 0.5 1250 3 20.05 20.86 21.31 21.55 21.70 21.80 21.86 21.90 21.93
2 0.5 2500 9.5 20.05 20.56 21.09 21.40 21.58 21.70 21.79 21.84 21.88
2 0.5 2500 0.5 20.05 21.42 21.73 21.87 21.94 21.98 22.00 22.01 22.02
2 0.5 2500 1 20.05 21.34 21.68 21.84 21.92 21.96 21.99 22.00 22.01
2 0.5 2500 2 20.05 21.27 21.62 21.80 21.89 21.94 21.97 21.99 22.00
2 0.5 2500 3 20.05 21.13 21.54 21.73 21.85 21.91 21.95 21.97 21.99
2 0.5 4000 9.5 20.05 20.82 21.33 21.59 21.74 21.83 21.89 21.92 21.95
2 0.5 4000 0.5 20.05 21.48 21.77 21.90 21.96 22.00 22.01 22.02 22.02
2 0.5 4000 1 20.05 21.43 21.74 21.88 21.95 21.98 22.00 22.01 22.02
2 0.5 4000 2 20.05 21.38 21.70 21.86 21.93 21.97 21.99 22.01 22.01
2 0.5 4000 3 20.05 21.30 21.65 21.82 21.91 21.95 21.98 22.00 22.01
轉至圖73至80，顯示在0.5mm的限制高度H R以及各種流體流量的該感測元件830的該頂表面831的溫度的一系列圖。以下表3以及表4顯示形成圖73至80基礎的數據。該數據為使用計算流體力學軟體所生成。該部分為在20.05°C的初始穩態溫度。在指示為0秒的過渡時間對該流體施加2°C的逐步溫度上升。該流體流量由400mL/min至4000mL/min。該感測厚度T H為自0.5mm至2.0mm。表3顯示該感測元件830的該頂表面831的該最高溫度，而表4顯示該感測元件830的該頂表面831的該平均溫度。量測為自0秒至2秒的該過渡時間以0.25秒的間隔量取。所有的計算為使用顯示於圖48至56的該實施例執行。 表3：感測元件的頂表面的最高溫度
感測元件的頂表面的最高溫度 [°C]
ΔT [°C] T H[mm] 流量 [mL/min] H R[mm] 0 s 0.25 s 0.5 s 0.75 s 1 s 1.25 s 1.5 s 1.75 s 2 s
2 0.5 400 0.5 20.05 21.33 21.87 21.96 21.99 22.01 22.02 22.02 22.03
2 1 400 0.5 20.05 20.80 21.49 21.73 21.83 21.88 21.92 21.95 21.97
2 2 400 0.5 20.05 20.38 20.91 21.21 21.38 21.50 21.59 21.66 21.71
2 0.5 1250 0.5 20.05 21.96 22.03 22.04 22.04 22.04 22.04 22.04 22.05
2 1 1250 0.5 20.05 21.54 21.89 21.97 21.99 22.01 22.02 22.03 22.03
2 2 1250 0.5 20.05 20.91 21.42 21.64 21.75 21.82 21.87 21.91 21.94
2 0.5 2500 0.5 20.05 22.03 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 1 2500 0.5 20.05 21.86 22.00 22.03 22.03 22.04 22.04 22.04 22.05
2 2 2500 0.5 20.05 21.17 21.64 21.81 21.88 21.93 21.96 21.98 22.00
2 0.5 4000 0.5 20.05 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05 22.05
2 1 4000 0.5 20.05 21.94 22.03 22.04 22.04 22.05 22.05 22.05 22.05
2 2 4000 0.5 20.05 21.32 21.76 21.89 21.94 21.98 22.00 22.01 22.02
表4：感測元件的頂表面的平均溫度
感測元件的頂表面的平均溫度 [°C]
ΔT [°C] T H[mm] 流量 [mL/min] H R[mm] 0 s 0.25 s 0.5 s 0.75 s 1 s 1.25 s 1.5 s 1.75 s 2 s
2 0.5 400 0.5 20.05 20.61 21.21 21.49 21.67 21.77 21.84 21.89 21.92
2 1 400 0.5 20.05 20.36 20.84 21.14 21.36 21.51 21.63 21.71 21.78
2 2 400 0.5 20.05 20.18 20.50 20.75 20.95 21.12 21.26 21.37 21.47
2 0.5 1250 0.5 20.05 21.24 21.61 21.80 21.89 21.94 21.97 21.99 22.00
2 1 1250 0.5 20.05 20.84 21.28 21.53 21.69 21.79 21.86 21.91 21.95
2 2 1250 0.5 20.05 20.46 20.86 21.14 21.34 21.50 21.61 21.71 21.78
2 0.5 2500 0.5 20.05 21.42 21.73 21.87 21.94 21.98 22.00 22.01 22.02
2 1 2500 0.5 20.05 21.09 21.48 21.69 21.81 21.89 21.94 21.97 21.99
2 2 2500 0.5 20.05 20.63 21.06 21.33 21.52 21.66 21.76 21.83 21.88
2 0.5 4000 0.5 20.05 21.48 21.77 21.90 21.96 22.00 22.01 22.02 22.02
2 1 4000 0.5 20.05 21.20 21.56 21.75 21.86 21.93 21.97 21.99 22.01
2 2 4000 0.5 20.05 20.74 21.17 21.43 21.61 21.74 21.82 21.88 21.93
限制比例為藉由限制高度H R除以限制寬度W R所定義。在一個範例，該限制高度H R為3mm且該限制寬度W R為12mm，致使限制比例為0.25。在另一個範例，該限制高度H R為2mm且該限制寬度W R為12mm，致使限制比例為0.167。在又另一個範例，該限制高度H R為1mm且該限制寬度W R為12mm，致使限制比例為0.083。在另一個範例，該限制高度H R為0.5mm且該限制寬度W R為12mm，致使限制比例為0.042。隨著該限制比例下降，該感測元件830的該頂表面831的該最高溫度以及該平均溫度的該反應時間下降，致使改善感測性能。
過渡比例為藉由限制高度H R除以非限制高度H U所定義。在一個範例，該限制高度H R為3mm且該非限制高度H U為9.5mm，致使過渡比例為0.316。在另一個範例，該限制高度H R為2mm且該非限制高度H U為9.5mm，致使過渡比例為0.211。在又另一個範例，該限制高度H R為1mm且該非限制高度H U為9.5mm，致使過渡比例為0.105。在另一個範例，該限制高度H R為0.5mm且該非非限制高度H U為9.5mm，致使過渡比例為0.053。隨著該過渡比例上升，該感測元件830的該頂表面831的該最高溫度以及該平均溫度的該反應時間下降，致使改善感測性能。
範例請求項組提供如下以進一步說明本發明。
範例請求項1：一種用於處理產品的系統，該系統包含：流體供應，經配置而供應處理流體；處理室，經配置而處理產品；流體傳送模組， 該流體傳送模組包含：入口，流體耦接至該流體供應；出口，流體耦接至該處理室；流動通道，自該入口延伸至該出口；流體流動構件，該流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠，該流動路徑形成一部分的該流動通道；感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間；感測元件，密封該感測埠；以及感測器，藉由該感測元件而與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
範例請求項2：如請求項1所述的系統，其中該感測元件包含藍寶石。
範例請求項3：如請求項1或2所述的系統，其中該感測器為溫度感測器。
範例請求項4：如請求項3所述的系統，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
範例請求項5：如請求項1至4中任一項所述的系統，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
範例請求項6：如請求項5所述的系統，其中該墊塊具有錐形內表面。
範例請求項7：如請求項5或6所述的系統，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
範例請求項8：如請求項5至7中任一項所述的系統，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項9：如請求項1至8中任一項所述的系統，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
範例請求項10：如請求項1至9中任一項所述的系統，其中該感測埠包含第一密封肋。
範例請求項11：如請求項10所述的系統，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
範例請求項12：如請求項1所述的系統，其中該感測元件包含聚合物。
範例請求項13：如請求項1或12所述的系統，其中該感測埠包含經配置而接受該感測元件的環狀環的溝。
範例請求項14：如請求項1、12至13中任一項所述的系統，其中該感測器為壓力感測器。
範例請求項15：如請求項1、12至14中任一項所述的系統，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
範例請求項16：如請求項15所述的系統，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項17：如請求項1至16中任一項所述的系統，其中該流體流動構件包含耦接於該構件基體的感測器外殼，該感測器外殼包圍該感測器。
範例請求項18：如請求項17所述的系統，更包含第二流體流動構件，該第二流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠，該流動路徑形成一部分的該流動通道；感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間；感測元件，密封該感測埠；感測器，藉由該感測元件而與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的第二特性；以及感測器外殼，耦接於該構件基體且包圍該感測器；其中該流體流動構件的該感測器所偵測的該特性不同於該第二流體流動構件的該感測器所偵測的該第二特性；以及其中該流體流動構件的該感測器外殼相同於該第二流體流動構件的該感測器外殼。
範例請求項19：一種用於處理產品的系統，該系統包含：流體供應，經配置而供應至少一個的處理流體；處理室，經配置而處理產品；流體傳送模組， 該流體傳送模組包含：入口，流體耦接至該流體供應；出口，流體耦接至該處理室；流動通道，自該入口延伸至該出口；第一流體流動構件，該第一流體流動構件包含：第一構件基體；第一入口埠，形成於該第一構件基體；第一出口埠，形成於該第一構件基體；第一流動路徑，自該第一入口埠延伸至該第一出口埠，該第一流動路徑形成一部分的該流動通道；第一感測器，經配置而偵測在該第一流動路徑內的至少一個的該處理流體的第一特性；第一感測器外殼，耦接於該第一構件基體且包圍該第一感測器；第二流體流動構件包含：第二構件基體；第二入口埠，形成於該第二構件基體；第二出口埠，形成於該第二構件基體；第二流動路徑，自該第二入口埠延伸至該第二出口埠，該第二流動路徑形成一部分的該流動通道；第二感測器，經配置而偵測在該第二流動路徑內的至少一個的該處理流體的第二特性；第二感測器外殼，耦接於該第二構件基體且包圍該第二感測器；其中該第一感測器不同於該第二感測器；以及其中該第一感測器外殼相同於該第二感測器外殼。
範例請求項20：如請求項19所述的系統，其中該第一特性不同於該第二特性。
範例請求項21：如請求項19或20所述的系統，其中該第一感測器外殼以及該第二感測器外殼各自包含腔，該第一感測器由該第一感測器外殼所包圍且該第二感測器外殼包圍該第二感測器。
範例請求項22：如請求項19至21中任一項所述的系統，其中該第一感測器為溫度感測器。
範例請求項23：如請求項19至22中任一項所述的系統，其中該第一流體流動構件更包含第一墊塊，該第一感測器外殼直接接觸該第一感測器且該第一感測器直接接觸該第一墊塊。
範例請求項24：如請求項23所述的系統，更包含：第一感測元件以及第一感測埠，該第一感測元件密封該第一感測埠且該墊塊直接接觸該第一墊塊。
範例請求項25：如請求項19至24中任一項所述的系統，其中該第二感測器為壓力感測器。
範例請求項26：如請求項19至25中任一項所述的系統，其中該第二流體流動構件更包含第二感測元件以及第二感測埠，該第二感測器直接接觸該第二感測器外殼及該第二感測元件且該第二感測元件密封該第二感測埠。
範例請求項27：一種流體流動構件，該流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間；感測元件，密封該感測埠；以及感測器，藉由該感測元件與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
範例請求項28：如請求項27所述的流體流動構件，其中該感測元件包含藍寶石。
範例請求項29：如請求項27或28所述的流體流動構件，其中該感測器為溫度感測器。
範例請求項30：如請求項29所述的流體流動構件，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
範例請求項31：如請求項27至30中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
範例請求項32：如請求項31所述的流體流動構件，其中該墊塊具有錐形內表面。
範例請求項33：如請求項31或32所述的流體流動構件，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
範例請求項34：如請求項31至33中任一項所述的流體流動構件，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項35：如請求項27至34中任一項所述的流體流動構件，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
範例請求項36：如請求項27至35中任一項所述的流體流動構件，其中該感測埠包含第一密封肋。
範例請求項37：如請求項36所述的流體流動構件，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
範例請求項38：如請求項27所述的流體流動構件，其中該感測元件包含聚合物。
範例請求項39：如請求項27或38所述的流體流動構件，其中該感測埠包含經配置而接受環狀環的溝。
範例請求項40：如請求項27、38至39中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為壓力感測器。
範例請求項41：如請求項27、38至40中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
範例請求項42：如請求項41所述的流體流動構件，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項43：如請求項27至42中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件包含耦接於該構件基體的感測器外殼，該感測器外殼包圍該感測器。
範例請求項44：一種製造產品的方法，該方法包含：a)提供流體傳送模組，該流體傳送模組包含入口、出口、自該入口延伸至該出口的流動通道以及流體流動構件，該流體流動構件包含自入口埠延伸至出口埠的流動路徑，該流動路徑形成一部分的該流動通道；b)供應處理流體至該流體傳送模組的該入口；c)使該處理流體流動通過該流動通道，該處理流體流動通過該流體流動構件的該流動路徑至該流體傳送模組的該出口，該流體傳送模組的該出口流體耦接至出口歧管；d)經由在該入口埠與該出口埠之間流體連通於該流體流動構件的該流動路徑的感測埠量測該處理流體的特性，該感測埠由感測元件密封，以及感測器可操作地耦接至該感測元件；e)自該流體傳送模組的該出口經由該出口歧管傳送該處理流體至處理室，該出口歧管流體耦接至該處理室；以及f)對該處理室內的產品執行處理。
範例請求項45：如請求項44所述的方法，其中該感測元件包含藍寶石。
範例請求項46：如請求項44或45所述的方法，其中該感測器為溫度感測器。
範例請求項47：如請求項46所述的方法，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
範例請求項48：如請求項44至47中任一項所述的方法，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
範例請求項49：如請求項48所述的方法，其中該墊塊具有錐形內表面。
範例請求項50：如請求項48或49所述的方法，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
範例請求項51：如請求項48至50中任一項所述的方法，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項52：如請求項44至51中任一項所述的方法，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
範例請求項53：如請求項44至52中任一項所述的方法，其中該感測埠包含第一密封肋。
範例請求項54：如請求項53所述的方法，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
範例請求項55：如請求項44所述的方法，其中該感測元件包含聚合物。
範例請求項56：如請求項44或55所述的方法，其中該感測埠包含經配置而接受該感測元件的環狀環的溝。
範例請求項57：如請求項44、55至56中任一項所述的方法，其中該感測器為壓力感測器。
範例請求項58：如請求項44、55至57中任一項所述的方法，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
範例請求項59：如請求項58所述的方法，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
範例請求項60：一種流體流動構件，該流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；以及感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體，該流動路徑在相交該感測元件的限制平面具有限制高度以及限制寬度；其中在該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
範例請求項61：如請求項60所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
範例請求項62：如請求項61所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
範例請求項63：如請求項60至62中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制平面相交該限制元件。
範例請求項64：如請求項60至63中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制高度為在該感測元件的該底側與該限制元件之間量測所得。
範例請求項65：如請求項64所述的流體流動構件，更包含致動器，可操作地耦接至該限制元件。
範例請求項66：如請求項65所述的流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
範例請求項67：如請求項60至66中任一項所述的流體流動構件，其中該流動路徑具有自該感測元件延伸至感測埠的底板的非限制高度，該非限制高度大於該限制高度。
範例請求項68：如請求項67所述的流體流動構件，其中在該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
範例請求項69：如請求項68所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211
範例請求項70：如請求項69所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
範例請求項71：如請求項60至70中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
範例請求項72：如請求項60至71中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
範例請求項73：如請求項60至72中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
範例請求項74：如請求項60至73中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
範例請求項75：如請求項60至74中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
範例請求項76：如請求項60至75中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
範例請求項77：如請求項60至76中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
範例請求項78：如請求項74至77中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
範例請求項79：一種流體流動構件，該流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；以及感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體，該流動路徑具有在相交該感測元件的限制平面的限制高度以及自該感測元件延伸至感測埠的底板的非限制高度；其中該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
範例請求項80：如請求項79所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211。
範例請求項81：如請求項79或80所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
範例請求項82：如請求項79至81中任一項所述的流體流動構件，其中該流動路徑具有沿著該限制平面量測的限制寬度。
範例請求項83：如請求項82所述的流體流動構件，其中該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
範例請求項84：如請求項83所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
範例請求項85：如請求項83或84所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
範例請求項86：如請求項79至85中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制平面相交該限制元件。
範例請求項87：如請求項79至86中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制高度為在該感測元件的該底側與該限制元件之間量測所得。
範例請求項88：如請求項79至87中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件以及致動器，該致動器可操作地耦接於該限制元件。
範例請求項89：如請求項88所述的流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
範例請求項90：範例請求項79至89中任何一個的該流體流動構件，其中該非限制高度大於該限制高度。
範例請求項91：範例請求項79至90中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
範例請求項92：範例請求項79至91中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
範例請求項93：範例請求項79至92中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
範例請求項94：範例請求項79至93中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
範例請求項95：範例請求項79至94中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
範例請求項96：範例請求項79至95中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
範例請求項97：範例請求項79至96中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
範例請求項98：範例請求項94至97中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
範例請求項99：一種流體流動構件，該流體流動構件包含：構件基體；入口埠，形成於該構件基體；出口埠，形成於該構件基體；流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體；以及限制元件，經配置而阻塞該流動路徑，該流動路徑具有在該限制元件與該感測元件的該底側之間的限制高度，其小於自該感測元件的該底側量測至該流動路徑的底板的非限制高度。
範例請求項100：範例請求項99的該流體流動構件，其中該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
範例請求項101：範例請求項100的該流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211。
範例請求項102：範例請求項100或範例請求項101的該流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
範例請求項103：範例請求項99至102中任何一個的該流體流動構件，更包含相交該限制元件以及該感測元件的限制平面，該限制高度沿著該限制平面量測。
範例請求項104：範例請求項103的該流體流動構件，其中該流動路徑具有沿著該限制平面量測的限制寬度。
範例請求項105：範例請求項104的該流體流動構件，其中該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
範例請求項106：範例請求項105的該流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
範例請求項107：範例請求項105或106的該流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
範例請求項108：範例請求項99至107中任何一個的該流體流動構件，更包含致動器，可操作地耦接至該限制元件。
範例請求項109：範例請求項108的該流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
範例請求項110：範例請求項99至109中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
範例請求項111：範例請求項99至110中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
範例請求項112：範例請求項99至111中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
範例請求項113：範例請求項99至112中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
範例請求項114：範例請求項99至113中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
範例請求項115：範例請求項99至114中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
範例請求項116：範例請求項99至115中任何一個的該流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
範例請求項117：範例請求項113至116中任何一個的該流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
雖然本發明已將關於包括實施本發明的當前較佳模式的特定範例進行說明，所屬技術領域中具有通常知識者將理解上述系統及技術有多種變化及排列。當知可利用其他實施例，以及可在不脫離本發明的範圍的情況下進行結構性及功能性修改。因此，本發明的精神及範圍應廣泛地解釋為如隨附申請專利範圍中所述。
1000:處理系統 1010:流體供應 100:用於控制流動的裝置 102:入口 1025:感測埠 1026:入口埠 1027:出口埠 1028:流動路徑 104:出口 1041:壁 1042:限制元件 1043:頂表面 1044:膜 1045:部分 1046:部分 1047:底板 1010:構件基體 110:流體流動構件 1100:閥 120:流體流動構件 1200:排出器 1300:處理室 1400:流體傳送模組 1402:支持結構 1403:頂表面 200:流體流動構件 210:構件基體 211:頂表面 212:底表面 213:緊固件通路 214:外基體 215:第一支持部分 216:第二支持部分 217:緊固件 220:插入件 221:第一密封肋 222:第二密封肋 223:O型環 224:溝 225:感測埠 226:第一埠 227:第二埠 228:流動路徑 229:外壁 230:感測元件 231:頂表面 232:底表面 233:外徑 234:端面 235:端面 236:插入件承接段 237:緊固件通路 240:固持器元件 241:O型環 242:感測器外殼 243:感測器 244:連接器 245:墊塊 246:外殼孔洞 247:凸緣接合面 248:底表面 249:緊固件通路 251:基體面 252:遠端 253:凸緣 254:外殼體 255:腔 256:夾持面 257:密封面 258:連接器孔洞 259:翼 261:肩部面 262:底表面 263:感測器面 264:感測孔洞 265:感測面 266:肋 267:墊塊孔洞 268:內表面 269:凹口 270:突起部 271:頂表面 272:底表面 273:緊固件通路 274:埠孔洞 275:構件承接腔 300:流體流動構件 310:構件基體 311:頂表面 312:底表面 313:緊固件通路 317:緊固件 321:第一密封肋 322:第二密封肋 323:O型環 324:溝 325:感測埠 326:第一埠 327:第二埠 328:流動路徑 329:外壁 330:感測元件 331:頂表面 332:底表面 333:外徑 342:感測器外殼 343:感測器 344:連接器 351:基體面 352:遠端 353:凸緣 354:外殼體 355:腔 356:夾持面 358:連接器孔洞 373:緊固件通路 400:流體流動構件 401:出口歧管 410:構件基體 411:頂表面 412:底表面 414:外基體 415:第一支持部分 416:第二支持部分 417:緊固件 420:插入件 421:密封面 422:環狀環 423:膜部分 424:溝 425:感測埠 426:第一埠 427:第二埠 428:流動路徑 430:感測元件 431:頂表面 432:底表面 440:固持器元件 441:O型環 442:感測器外殼 443:感測器 444:連接器 451:基體面 452:遠端 453:凸緣 454:外殼體 455:腔 456:夾持面 461:肩部面 462:底表面 500:流體流動構件 510:構件基體 511:頂表面 512:底表面 513:緊固件通路 517:緊固件 521:密封面 522:容座 523:環狀環 524:溝 525:感測埠 526:第一埠 527:第二埠 528:流動路徑 529:外壁 530:感測元件 531:頂表面 532:底表面 533:外徑 534:孔洞 535:外表面 537:突伸錐面 541:密封 542:感測器外殼 543:感測器 544:連接器 545:墊塊 551:基體面 552:遠端 553:凸緣 554:外殼體 556:夾持面 558:感測器孔洞 561:肩部面 562:底表面 563:凹陷錐面 564:孔洞 573:緊固件通路 600:流體流動構件 610:構件基體 611:頂表面 612:前面 625:感測埠 626:第一埠 627:第二埠 628:流動路徑 630:感測元件 641:O型環 643:感測器 645:墊塊 660:混合元件 661:孔洞 667:孔洞 668:錐形內表面 700:流體流動構件 702:構件組件 704:閥組件 705:第一埠 706:第二埠 708:感測組件 710:構件基體 725:感測埠 726:第一埠 727:第二埠 728:流動路徑 730:感測元件 742:感測器外殼 743:感測器 745:墊塊 800:部分 810:構件基體 811:頂表面 812:前面 813:底表面 821:密封肋 824:溝 825:感測埠 826:入口埠 827:出口埠 828:流動路徑 830:感測元件 831:頂表面 832:底表面 840:底板 841:壁 842:限制元件 843:頂表面 900:部分 910:構件基體 911:頂表面 912:前面 913:底表面 925:感測埠 926:入口埠 927:出口埠 928:流動路徑 931:頂表面 940:底板 941:壁 942:限制元件 943:頂表面 HR:限制高度 HU:非限制高度 RP:限制平面 TH:感測厚度 TS:感測厚度 WR:限制寬度
本揭露之發明將從詳細說明及伴隨的圖式得到更充分理解，其中：
圖1為使用一個以上用於控制流動的用於製造半導體裝置的系統的示意圖。
圖2為可被使用在圖1的該處理的包含複數個用於控制流動的裝置的流體傳送模組的立體圖。
圖3為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的立體圖。
圖4為圖3的流動構件的分解立體圖。
圖5為圖3的流動構件沿著線段5-5的剖視圖。
圖6為如圖5所示區域6的詳細視圖。
圖7為圖3的流動構件的固持器元件的立體圖。
圖8為圖3的流動構件的固持器元件的後視仰視立體圖。
圖9為圖3的流動構件的感測器外殼的立體圖。
圖10為圖3的流動構件的感測器外殼的後視仰視立體圖。
圖11為圖3的流動構件的感測器的立體圖。
圖12為圖3的流動構件的感測器的後視仰視立體圖。
圖13為圖3的流動構件的墊塊的立體圖。
圖14為圖3的流動構件的墊塊的後視仰視立體圖。
圖15為圖3的流動構件的外基體的立體圖。
圖16為圖3的流動構件的外基體的後視仰視立體圖。
圖17為圖3的流動構件的感測元件以及插入件的立體圖。
圖18為圖3的流動構件的感測元件以及插入件的後視仰視立體圖。
圖19為圖3的流動構件的第一支持部分以及第二支持部分的立體圖。
圖20為圖3的流動構件的第一支持部分以及第二支持部分的後視仰視立體圖。
圖21為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第二實施例的立體圖。
圖22為圖21的流動構件的分解立體圖。
圖23為圖21的流動構件沿著線段23-23的剖視圖。
圖24為圖21的流動構件的感測器的立體圖。
圖25為圖21的流動構件的感測器的後視仰視立體圖。
圖26為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第三實施例的立體圖。
圖27為圖26的流動構件的分解立體圖。
圖28為圖26的流動構件沿著線段28-28的剖視圖。
圖29為如圖28所示區域29的詳細視圖。
圖30為圖26的流動構件的感測器的立體圖。
圖31為圖26的流動構件的感測器的後視仰視立體圖。
圖32為圖26的流動構件的感測元件以及插入件的立體圖。
圖33為圖26的流動構件的感測元件以及插入件的後視仰視立體圖。
圖34為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第四實施例的立體圖。
圖35為圖34的流動構件的分解立體圖。
圖36為圖34的流動構件沿著線段36-36的剖視圖。
圖37為圖34的流動構件的感測器的立體圖。
圖38為圖34的流動構件的感測器的後視仰視立體圖。
圖39為圖34的流動構件的墊塊的立體圖。
圖40為圖34的流動構件的墊塊的後視仰視立體圖。
圖41為圖34的流動構件的密封件的立體圖。
圖42為圖34的流動構件的密封件的後視仰視立體圖。
圖43為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第五實施例的立體圖。
圖44為圖43的流動構件的分解立體圖。
圖45為圖43的流動構件沿著線段45-45的剖視圖。
圖46為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第六實施例的立體圖。
圖47為圖46的流動構件的分解立體圖。
圖48為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第七實施例的部分的立體圖。
圖49為圖48的部分的流動構件的分解立體圖。
圖50為圖48的部分的流動構件沿著線段的50-50的剖視圖。
圖51為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第八實施例的部分的立體圖。
圖52為圖51的部分的流動構件沿著線段52-52的剖視圖。
圖53為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第九實施例的部分的立體圖。
圖54為圖53的部分的流動構件沿著線段54-54的剖視圖。
圖55為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第十實施例的部分的立體圖。
圖56為圖55的部分的流動構件沿著線段56-56的剖視圖。
圖57為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第十一實施例的部分的立體圖。
圖58為圖57的部分的流動構件沿著線段58-58的剖視圖。
圖59為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第十二實施例的部分的立體圖。
圖60為圖59的部分的流動構件沿著線段60-60的剖視圖。
圖61為可被使用在圖2的流體傳送模組的流動構件的第十三實施例的部分的立體圖。
圖62為圖61的部分的流動構件沿著線段62-62的剖視圖。
圖63為圖61的部分的流動構件在縮回狀態沿著線段62-62的剖視圖。
圖64為圖61的部分的流動構件在擴展狀態沿著線段62-62的剖視圖。
圖65至72為在流動路徑的各種限制高度以及各種流體流量的感測元件溫度與時間相對曲線圖。
圖73至80為各種感測元件厚度以及各種流體流量的感測元件溫度與時間相對曲線圖。
所有圖式為示意性的且不一定按比例繪製。除非本文另有說明，否則在某些圖中顯示有標號而在其他圖中可能未標號而出現的特徵，為相同的特徵。
200:流體流動構件
210:構件基體
211:頂表面
212:底表面
213:緊固件通路
240:固持器元件
242:感測器外殼
244:連接器

Claims (117)

  1. 一種用於處理產品的系統，該系統包含： 流體供應，經配置而供應處理流體； 處理室，經配置而處理產品； 流體傳送模組， 該流體傳送模組包含： 入口，流體耦接至該流體供應； 出口，流體耦接至該處理室； 流動通道，自該入口延伸至該出口； 流體流動構件，該流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠，該流動路徑形成一部分的該流動通道； 感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間； 感測元件，密封該感測埠；以及 感測器，藉由該感測元件而與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
  2. 如請求項1所述的系統，其中該感測元件包含藍寶石。
  3. 如請求項1或2所述的系統，其中該感測器為溫度感測器。
  4. 如請求項3所述的系統，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的系統，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
  6. 如請求項5所述的系統，其中該墊塊具有錐形內表面。
  7. 如請求項5或6所述的系統，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
  8. 如請求項5至7中任一項所述的系統，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
  9. 如請求項1至8中任一項所述的系統，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
  10. 如請求項1至9中任一項所述的系統，其中該感測埠包含第一密封肋。
  11. 如請求項10所述的系統，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
  12. 如請求項1所述的系統，其中該感測元件包含聚合物。
  13. 如請求項1或12所述的系統，其中該感測埠包含經配置而接受該感測元件的環狀環的溝。
  14. 如請求項1、12至13中任一項所述的系統，其中該感測器為壓力感測器。
  15. 如請求項1、12至14中任一項所述的系統，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
  16. 如請求項15所述的系統，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
  17. 如請求項1至16中任一項所述的系統，其中該流體流動構件包含耦接於該構件基體的感測器外殼，該感測器外殼包圍該感測器。
  18. 如請求項17所述的系統，更包含第二流體流動構件，該第二流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠，該流動路徑形成一部分的該流動通道； 感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間； 感測元件，密封該感測埠； 感測器，藉由該感測元件而與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的第二特性；以及 感測器外殼，耦接於該構件基體且包圍該感測器； 其中該流體流動構件的該感測器所偵測的該特性不同於該第二流體流動構件的該感測器所偵測的該第二特性；以及 其中該流體流動構件的該感測器外殼相同於該第二流體流動構件的該感測器外殼。
  19. 一種用於處理產品的系統，該系統包含： 流體供應，經配置而供應至少一個的處理流體； 處理室，經配置而處理產品； 流體傳送模組， 該流體傳送模組包含： 入口，流體耦接至該流體供應； 出口，流體耦接至該處理室； 流動通道，自該入口延伸至該出口； 第一流體流動構件，該第一流體流動構件包含： 第一構件基體； 第一入口埠，形成於該第一構件基體； 第一出口埠，形成於該第一構件基體； 第一流動路徑，自該第一入口埠延伸至該第一出口埠，該第一流動路徑形成一部分的該流動通道； 第一感測器，經配置而偵測在該第一流動路徑內的至少一個的該處理流體的第一特性； 第一感測器外殼，耦接於該第一構件基體且包圍該第一感測器； 第二流體流動構件包含： 第二構件基體； 第二入口埠，形成於該第二構件基體； 第二出口埠，形成於該第二構件基體； 第二流動路徑，自該第二入口埠延伸至該第二出口埠，該第二流動路徑形成一部分的該流動通道； 第二感測器，經配置而偵測在該第二流動路徑內的至少一個的該處理流體的第二特性； 第二感測器外殼，耦接於該第二構件基體且包圍該第二感測器； 其中該第一感測器不同於該第二感測器；以及 其中該第一感測器外殼相同於該第二感測器外殼。
  20. 如請求項19所述的系統，其中該第一特性不同於該第二特性。
  21. 如請求項19或20所述的系統，其中該第一感測器外殼以及該第二感測器外殼各自包含腔，該第一感測器由該第一感測器外殼所包圍且該第二感測器外殼包圍該第二感測器。
  22. 如請求項19至21中任一項所述的系統，其中該第一感測器為溫度感測器。
  23. 如請求項19至22中任一項所述的系統，其中該第一流體流動構件更包含第一墊塊，該第一感測器外殼直接接觸該第一感測器且該第一感測器直接接觸該第一墊塊。
  24. 如請求項23所述的系統，更包含：第一感測元件以及第一感測埠，該第一感測元件密封該第一感測埠且該墊塊直接接觸該第一墊塊。
  25. 如請求項19至24中任一項所述的系統，其中該第二感測器為壓力感測器。
  26. 如請求項19至25中任一項所述的系統，其中該第二流體流動構件更包含第二感測元件以及第二感測埠，該第二感測器直接接觸該第二感測器外殼及該第二感測元件且該第二感測元件密封該第二感測埠。
  27. 一種流體流動構件，該流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠； 感測埠，流體連通於該流動路徑且位在該入口埠與該出口埠之間； 感測元件，密封該感測埠；以及 感測器，藉由該感測元件與該處理流體隔絕，該感測器經配置而偵測在該流動路徑內的該處理流體的特性。
  28. 如請求項27所述的流體流動構件，其中該感測元件包含藍寶石。
  29. 如請求項27或28所述的流體流動構件，其中該感測器為溫度感測器。
  30. 如請求項29所述的流體流動構件，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
  31. 如請求項27至30中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
  32. 如請求項31所述的流體流動構件，其中該墊塊具有錐形內表面。
  33. 如請求項31或32所述的流體流動構件，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
  34. 如請求項31至33中任一項所述的流體流動構件，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
  35. 如請求項27至34中任一項所述的流體流動構件，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
  36. 如請求項27至35中任一項所述的流體流動構件，其中該感測埠包含第一密封肋。
  37. 如請求項36所述的流體流動構件，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
  38. 如請求項27所述的流體流動構件，其中該感測元件包含聚合物。
  39. 如請求項27或38所述的流體流動構件，其中該感測埠包含經配置而接受環狀環的溝。
  40. 如請求項27、38至39中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為壓力感測器。
  41. 如請求項27、38至40中任一項所述的流體流動構件，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
  42. 如請求項41所述的流體流動構件，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
  43. 如請求項27至42中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件包含耦接於該構件基體的感測器外殼，該感測器外殼包圍該感測器。
  44. 一種製造產品的方法，該方法包含： a)提供流體傳送模組，該流體傳送模組包含入口、出口、自該入口延伸至該出口的流動通道以及流體流動構件，該流體流動構件包含自入口埠延伸至出口埠的流動路徑，該流動路徑形成一部分的該流動通道； b)供應處理流體至該流體傳送模組的該入口； c)使該處理流體流動通過該流動通道，該處理流體流動通過該流體流動構件的該流動路徑至該流體傳送模組的該出口，該流體傳送模組的該出口流體耦接至出口歧管； d)經由在該入口埠與該出口埠之間流體連通於該流體流動構件的該流動路徑的感測埠量測該處理流體的特性，該感測埠由感測元件密封，以及感測器可操作地耦接至該感測元件； e)自該流體傳送模組的該出口經由該出口歧管傳送該處理流體至處理室，該出口歧管流體耦接至該處理室；以及 f)對該處理室內的產品執行處理。
  45. 如請求項44所述的方法，其中該感測元件包含藍寶石。
  46. 如請求項44或45所述的方法，其中該感測器為溫度感測器。
  47. 如請求項46所述的方法，其中該感測器為非接觸式溫度感測器。
  48. 如請求項44至47中任一項所述的方法，其中該感測器為直接接觸墊塊，該墊塊為直接接觸該感測元件。
  49. 如請求項48所述的方法，其中該墊塊具有錐形內表面。
  50. 如請求項48或49所述的方法，其中該墊塊具有在該墊塊的底表面的複數個凹口，該底表面為接觸該感測元件。
  51. 如請求項48至50中任一項所述的方法，其中該墊塊被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器以及該墊塊位在該感測器外殼的腔內。
  52. 如請求項44至51中任一項所述的方法，其中該感測埠包含經配置而接受O型環的溝。
  53. 如請求項44至52中任一項所述的方法，其中該感測埠包含第一密封肋。
  54. 如請求項53所述的方法，其中該感測埠包含與該第一密封肋同心的第二密封肋。
  55. 如請求項44所述的方法，其中該感測元件包含聚合物。
  56. 如請求項44或55所述的方法，其中該感測埠包含經配置而接受該感測元件的環狀環的溝。
  57. 如請求項44、55至56中任一項所述的方法，其中該感測器為壓力感測器。
  58. 如請求項44、55至57中任一項所述的方法，其中該感測器為直接接觸該感測元件。
  59. 如請求項58所述的方法，其中該感測器為被擠壓在該感測元件與感測器外殼之間，該感測器位在該感測器外殼的腔內。
  60. 一種流體流動構件，該流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；以及 感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體，該流動路徑在相交該感測元件的限制平面具有限制高度以及限制寬度； 其中在該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
  61. 如請求項60所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
  62. 如請求項61所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
  63. 如請求項60至62中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制平面相交該限制元件。
  64. 如請求項60至63中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制高度為在該感測元件的該底側與該限制元件之間量測所得。
  65. 如請求項64所述的流體流動構件，更包含致動器，可操作地耦接至該限制元件。
  66. 如請求項65所述的流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
  67. 如請求項60至66中任一項所述的流體流動構件，其中該流動路徑具有自該感測元件延伸至感測埠的底板的非限制高度，該非限制高度大於該限制高度。
  68. 如請求項67所述的流體流動構件，其中在該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
  69. 如請求項68所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211。
  70. 如請求項69所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
  71. 如請求項60至70中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
  72. 如請求項60至71中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
  73. 如請求項60至72中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
  74. 如請求項60至73中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
  75. 如請求項60至74中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
  76. 如請求項60至75中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
  77. 如請求項60至76中任一項所述的流體流動構件，其中當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
  78. 如請求項74至77中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
  79. 一種流體流動構件，該流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠；以及 感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體，該流動路徑具有在相交該感測元件的限制平面的限制高度以及自該感測元件延伸至感測埠的底板的非限制高度； 其中該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
  80. 如請求項79所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211。
  81. 如請求項79或80所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
  82. 如請求項79至81中任一項所述的流體流動構件，其中該流動路徑具有沿著該限制平面量測的限制寬度。
  83. 如請求項82所述的流體流動構件，其中該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
  84. 如請求項83所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
  85. 如請求項83或84所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
  86. 如請求項79至85中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制平面相交該限制元件。
  87. 如請求項79至86中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件，該限制高度為在該感測元件的該底側與該限制元件之間量測所得。
  88. 如請求項79至87中任一項所述的流體流動構件，更包含限制元件以及致動器，該致動器可操作地耦接於該限制元件。
  89. 如請求項88所述的流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
  90. 如請求項79至89中任一項所述的流體流動構件，其中該非限制高度大於該限制高度。
  91. 如請求項79至90中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
  92. 如請求項79至91中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
  93. 如請求項79至92中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
  94. 如請求項79至93中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
  95. 如請求項79至94中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
  96. 如請求項79至95中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
  97. 如請求項79至96中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
  98. 如請求項94至97中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
  99. 一種流體流動構件，該流體流動構件包含： 構件基體； 入口埠，形成於該構件基體； 出口埠，形成於該構件基體； 流動路徑，自該入口埠延伸至該出口埠； 感測元件，具有底側以及頂側，該底側接觸流動通過該流動路徑的處理流體；以及 限制元件，經配置而阻塞該流動路徑，該流動路徑具有在該限制元件與該感測元件的該底側之間的限制高度，其小於自該感測元件的該底側量測至該流動路徑的底板的非限制高度。
  100. 如請求項99所述的流體流動構件，其中該限制高度與該非限制高度之間的過渡比例為小於等於0.316。
  101. 如請求項100所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.211。
  102. 如請求項100或101所述的流體流動構件，其中該過渡比例為小於等於0.105。
  103. 如請求項99至102中任一項所述的流體流動構件，更包含相交該限制元件以及該感測元件的限制平面，該限制高度沿著該限制平面量測。
  104. 如請求項103所述的流體流動構件，其中該流動路徑具有沿著該限制平面量測的限制寬度。
  105. 如請求項104所述的流體流動構件，其中該限制高度與該限制寬度之間的限制比例為小於等於0.25。
  106. 如請求項105所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.167。
  107. 如請求項105或106所述的流體流動構件，其中該限制比例為小於等於0.083。
  108. 如請求項99至107中任一項所述的流體流動構件，更包含致動器，可操作地耦接至該限制元件。
  109. 如請求項108所述的流體流動構件，其中該致動器經配置而變更該限制高度。
  110. 如請求項99至109中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於3mm的厚度。
  111. 如請求項99至110中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於等於1mm的厚度。
  112. 如請求項99至111中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有小於該限制高度的厚度。
  113. 如請求項99至112中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.5°C的最高溫度。
  114. 如請求項99至113中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為400mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.85°C的平均溫度。
  115. 如請求項99至114中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於21.52°C的最高溫度。
  116. 如請求項99至115中任一項所述的流體流動構件，其中該流體流動構件經配置以使當該處理流體係流量為1250mL/min且穩態溫度為20.05°C的液態水時，在過渡時間對該處理流體施加2°C的逐步溫度上升，造成該感測元件的該頂側在距該過渡時間0.5秒時具有大於等於20.86°C的平均溫度。
  117. 如請求項113至116中任一項所述的流體流動構件，其中該感測元件具有0.5mm的厚度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5992463A (en) * 1996-10-30 1999-11-30 Unit Instruments, Inc. Gas panel
US8770215B1 (en) * 2011-07-20 2014-07-08 Daniel T. Mudd Low flow injector to deliver a low flow of gas to a remote location
US10303189B2 (en) * 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
JP2023526958A (ja) * 2020-05-19 2023-06-26 アイコール・システムズ・インク 流体配送モジュール用のシール挿入ツール及び流体配送モジュールへのシールの取り付け方法

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