KR20230043787A - 유기 el 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 보조전극의 형성을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조를 간편한 방법으로 행하고, 투명전극의 결함의 수를 저감할 수 있고, 또한, 시트 저항을 저감할 수 있는 유기 EL 표시 장치, 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달하기 위한 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 일양태는, 기판, 및 당해 기판 상에 반사전극, 절연층, 보조전극, 유기 EL층, 및 투명전극을 갖고, 상기 절연층 상에 보조전극과, 유기 EL층과, 투명전극을 이 순서로 갖고, 상기 유기 EL층이 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 갖고, 유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하인 유기 EL 표시 장치이다.
Description
본 발명은 유기 EL 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
차세대 플랫 패널 디스플레이로서 유기 EL 표시 장치가 주목받고 있다. 유기 EL이란, 2개의 전극간에 형성된 유기 화합물로 이루어지는 유기 EL층의 전계발광이다. 그리고, 유기 EL의 발광소자를 이용한 표시 장치가 유기 EL 표시 장치이다. 자기 발광형의 유기 EL 표시 장치는, 광시야각, 고속응답, 고콘트라스트의 화상 표시가 가능하고, 또한, 박형화, 경량화, 플렉시블화가 가능하기 때문에, 최근 활발히 연구 개발이 진행되고 있다.
유기 EL 표시 장치는, 광인출의 방식에 의해, 기판측에 광을 인출하는 배면발광 방식과, 기판의 반대면에 광을 인출하는 전면발광 방식으로 분류된다. 배면발광 방식을 사용한 표시 장치에 대하여, 전면발광 방식에서는 표시 화소의 면적율 향상이 가능해서, 보다 발광 효율이 높은 표시 장치의 실현이 가능하다. 이 중, TFT(박막 트랜지스터)를 구비한 일반적인 액티브 구동형 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치에서는, 기판측의 전극을 아일랜드형으로 해서 TFT와 접속하고, 기판의 반대측은 공통층으로 해서 투명전극을 형성하는 구조가 많이 사용되고 있다. 유기 EL 표시 장치는 유기 EL층에 있어서의 발광을 효율적으로 인출하는 것이 요구되기 때문에, 지금까지 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치에 사용되는 투명전극이 여러가지 검토되어 왔다. 이러한 중, 일반적으로는 금속막보다 시트 저항이 높은 투명도전막이 사용되고 있지만, 투명성과 전기 특성의 양립이나, 유기 EL층에 데미지를 주지 않고 성막할 필요성 등으로부터 계속해서 과제는 많다. 이 때문에, 투명전극의 저저항화를 위해서 보조전극을 사용하는 방법도 제안되어 있다.
이들 보조전극의 제안 중에서, 발광에 영향을 주지 않는 화소분할층인 절연층 상의 영역을 활용한 것도 있고, 보조전극을 오버행 구조로 함으로써 보조전극과 투명전극을 접속하는 방법(예를 들면, 특허문헌 1 참조)이나, 투명전극을 아일랜드형으로 함으로써 전극끼리를 접속하는 방법(예를 들면, 특허문헌 2 참조)이 제안되어 있다.
그렇지만, 이들 보조전극의 제안은 모두 구조가 복잡해서 공정 부담이 늘어나는 과제가 있다. 구체적으로 특허문헌 1이면, 오버행 구조를 얻기 위해서 보조전극을 상부와 하부의 2층으로 성막하는 공정, 에칭 속도의 제한이 있는 보조전극의 재료 선택, 소망의 형상을 얻기 위한 에칭 조건 검토 등, 난이도가 높은 공정이 증가하기 때문에 수율의 저하나 대폭적인 비용상승을 야기한다.
또한 특허문헌 2이면, 투명전극을 아일랜드형으로 하기 위한 패터닝의 요구가 추가되어, 투명전극을 표시 화소가 배열된 표시 에리어 전면에 공통층으로서 성막할 수 있는 전면발광 방식의 제조 공정 상의 이점이 손상되어 버린다.
그래서, 본 발명은 보조전극의 형성을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조를 간편한 방법으로 행하고, 투명전극의 결함의 수를 저감할 수 있고, 또한, 시트 저항을 저감할 수 있는 유기 EL 표시 장치, 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 기판, 및 당해 기판 상에 반사전극, 절연층, 보조전극, 유기 EL층, 및 투명전극을 갖고,
상기 절연층 상에 보조전극과, 유기 EL층과, 투명전극을 이 순서로 갖고,
상기 유기 EL층이, 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 갖고,
유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하이다.
또한, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태는, 기판, 유기 EL층, 및 투명전극을 이 순서로 갖고, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극, 상기 반사전극의 공극에 형성된 절연층 및 당해 절연층 상에 보조전극이 있고, 유기 EL층 및 투명전극은 표시 에리어 전면을 덮고, 유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하이다.
또한, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극을 형성하는 공정과, 당해 반사전극의 공극에 절연층을 형성하는 공정과, 당해 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정과, 당해 보조전극에 조화(粗化) 처리를 실시하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 유기 EL층을 형성하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 투명전극을 형성하는 공정을 이 순서로 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 보조전극의 형성을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조를 간편한 방법으로 행하고, 투명전극의 결함의 수를 저감할 수 있고, 또한, 시트 저항을 저감할 수 있다.
도 1은 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 보조전극의 테이퍼각을 나타내는 도면이다.
도 3은 액티브 구동형 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 4는 시트 저항의 측정에 사용하는 기판의 개략도이다.
도 2는 보조전극의 테이퍼각을 나타내는 도면이다.
도 3은 액티브 구동형 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 4는 시트 저항의 측정에 사용하는 기판의 개략도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시형태」라고 한다)에 대해서 상세하게 설명한다. 또, 본 발명은 이하에 설명하는 실시형태에 의해만 한정되어야 하는 것은 아니다.
<유기 EL 표시 장치>
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 매트릭스 상에 형성된 복수의 표시 화소를 갖는 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치이다. 또한, 구동 방식에 따라서, 전극을 열과 행으로 나누고 전극간에 끼워져 있는 표시 화소만을 발광시키는 패시브 구동형과, 수개의 TFT를 각각의 표시 화소에 형성해서 스위칭하는 액티브 구동형으로 크게 구별되지만, 특별히 한정되지 않는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 기판, 및 당해 기판 상에 반사전극, 절연층, 보조전극, 유기 EL층, 및 투명전극을 갖고,
상기 절연층 상에 보조전극과, 유기 EL층과, 투명전극을 이 순서로 갖고,
상기 유기 EL층이 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 갖고,
유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하이다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태는, 기판, 유기 EL층, 및 투명전극을 이 순서로 갖고, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극, 상기 반사전극의 공극에 형성된 절연층 및 당해 절연층 상에 보조전극이 있고, 유기 EL층 및 투명전극은 표시 에리어 전면을 덮고, 유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하이다. 또, 본 발명에 있어서 표시 에리어란, 표시를 위한 표시 화소가 배열된 영역을 가리킨다.
도 1에, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 일례인 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도를 나타낸다. 도 1의 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치는, 기판(1) 상에 반사전극(2)을 갖는다. 기판(1)은 기재(13)로 이루어진다. 반사전극(2)의 공극에 절연층(3)을, 또한 절연층 상에 보조전극(4)을 갖는다. 그 위에 유기 EL층(5)과 투명전극(6)을 갖는다. 유기 EL층(5)이 반사전극(2)과 투명전극(6)에 끼워져 있는 형태로 되기 때문에, 유기 EL층(5)에 있어서의 발광은 기판의 반대면으로 인출된다.
<기판>
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 기판은 후술의 기재만으로 이루어지는 것이여도 좋고, 또, 기재 상에 배선이나 TFT 등이 형성된 것이여도 좋다.
배선은, 구동을 위해서 FPC(Flexible Printed Circuit)를 통해서 외부의 기기와 접속되는 경우가 많다. 또한, TFT 이외에도, 카메라, ID나 지문의 판독이나 조도 등의 센서류, 통신이나 급전용의 패턴 안테나 등을 설치해도 좋다. 또, 본 발명에 있어서, 기재 상에 형성되는 상술의 배선이나 TFT, 센서류, 패턴 안테나 등, 및 후술의 평탄화층 등, 반사전극보다 아래(기재측)에 있는 것은 기판의 일부로 한다.
이와 같이 하여 다기능을 집적하는 기판에 있어서는, 평탄화층을 형성하는 것이 바람직하다. 평탄화층을 형성함으로써 반사전극을 형성하기 전에 배선이나 TFT 등의 요철을 덮어, 기판을 평탄화할 수 있다. 그 후에, 기판인 평탄화층 상에 반사전극/유기 EL층/투명전극을 조합시킨 유기 EL 소자를 형성하는 것이 바람직하다. 표시소자인 유기 EL 소자와 구동용의 배선은, 평탄화층에 형성된 컨택홀(contact hole)을 통해서 접속하는 것이 바람직하다. 또한, 주로 표시 화소를 구획할 목적으로, 반사전극의 공극에 절연층을 형성해 둘 필요가 있다.
표시 화소라고 불리는 범위는, 대향 배치된 반사전극과 투명전극이 교차하여 겹치는 부분, 또한, 반사전극의 공극에 있는 절연층에 의해 규제되는 범위이다. 표시 화소의 형상은, 예를 들면 직사각형이어도 원형이어도 좋고, 절연층의 형상에 따라서도 용이하게 변화시킬 수 있다.
또한, 적색, 녹색, 청색 영역에 각각 발광 피크 파장을 갖는 유기 EL 소자가 배열한 것, 혹은 전면에 백색의 유기 EL 소자를 제작해서 별도 컬러필터와 조합시켜서 사용하는 것 등으로 풀 컬러의 표시가 가능하게 된다. 통상, 표시되는 적색 영역의 광의 피크 파장은 560∼700㎚, 녹색 영역은 500∼560㎚, 청색 영역은 420∼500㎚의 범위이다.
또한, 유기 EL 소자가 산소나 수분에 약한 것도 있어, 장치 표면측에는 발광신뢰성을 확보하기 위한 밀봉층이나 건조제를 형성하는 것이 바람직하다. 이것들에 추가해, 표시 품위를 높이기 위한 컬러필터, 외광 반사를 방지하기 위한 편광층, 내후 신뢰성을 높이기 위한 자외선 흡수층 등 사용 환경이나 목적에 따른 부재 구성이 가능하다. 용도에 따라 터치패널이 필요한 경우는, 터치 센서를 적층이나 장착하는 것도 가능하다. 특히 터치 센서를 구비했을 경우는, 최표면측에 내스크래치성에 뛰어난 커버 유리나 하드 코트 필름을 형성하는 것이 바람직하다.
도 3에, 일반적인 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치의 개략 단면도를 나타낸다. 도 3의 전면발광 방식의 유기 EL 표시 장치는, 기재(13) 상에 구동회로(7)를 갖는다. 그 위에 평탄화층(8)을 가공하지만, 구동회로(7)와의 접속을 위한 홀을 형성해 둔다. 이와 같이 하여 얻은 기판 상에 반사전극(2)을 성막하지만, 미리 형성해 둔 홀에 의해 구동회로(7)와의 접속이 달성된다. 이 반사전극(2)의 공극에 절연층(3)을, 또한 절연층 상에 보조전극(4)을 갖는다. 그 위에 유기 EL층(5)과 투명전극(6)을 갖는다. 유기 EL층(5)이 반사전극(2)과 투명전극(6)에 끼워져 있는 형태로 되기 때문에, 유기 EL층(5)에 있어서의 발광은 기판의 반대면으로 인출된다. 또한, 밀봉층(9), 편광층(10), 자외선 흡수층(11)을 형성한다. 또, 밀봉층(9), 편광층(10), 자외선 흡수층(11)의 순번은 이것에 한정되지 않고, 적당히 교체하거나, 생략하는 것도 가능하다.
<기재>
기재로서는, 금속이나 유리, 수지 필름 등, 표시 장치의 지지나 후공정의 반송에 바람직한 것을 적당히 선택할 수 있다. 특히 투광성을 가질 필요가 있을 경우에는, 유리 또는 수지 필름이 사용된다.
유리로서는 소다라임 유리나 무알칼리 유리 등을 사용할 수 있다. 유리의 두께는 기계적 강도를 유지하는데에 충분한 두께가 있으면 좋다. 유리의 재질에 대해서는, 유리로부터의 용출 이온이 적은 쪽이 좋으므로 무알칼리 유리 쪽이 바람직하지만, SiO2 등의 배리어 코트를 실시한 소다라임 유리를 사용할 수도 있다.
수지 필름의 재료로서는, 투광성이 뛰어나기 때문에 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리(p-크실릴렌)으로부터 선택되는 수지 필름의 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 기재는, 이들 수지 필름의 재료를 단독으로 포함하고 있어도 좋고, 복수종이 조합되어서 포함하고 있어도 좋다.
예를 들면, 폴리이미드 수지로 기재를 형성할 경우에는, 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산(일부가 이미드화된 폴리아믹산을 포함한다.), 또는 가용성 폴리이미드를 포함하는 용액을 지지 기판에 도포하고, 소성함으로써 형성할 수도 있다.
또한, 상술한 유기 EL 소자는 산소나 수분에 약하다고 되어 있기 때문에, 기재의 구성으로서 적당히 가스 배리어층을 형성해도 좋다. 특히 수지 필름의 경우에는, 무기의 박막을 적층해서 사용함으로써 발광 신뢰성이 높은 표시 장치를 얻을 수 있다.
<반사전극>
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 기판 상에 반사전극을 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서, 반사전극은 기판 상에 패터닝 가공된다. 또, 본 발명에 있어서, 반사전극이란 반사율 80% 이상을 갖는 전극을 가리킨다. 상기 반사율은, 발광을 효율적으로 인출하기 위해서는 90% 이상인 것이 바람직하다. 여기에서, 본 발명에 있어서의 반사전극의 반사율이란, 파장 550㎚에 있어서의 반사율을 가리킨다. 반사전극의 반사율은 기판 상에 형성한 전극에 대해서 분광 광도계에 의해 측정할 수 있다.
반사전극으로서는, 소정 두께 이상에서 가시광에 대하여 높은 반사율을 나타내고, 또한 낮은 전기저항을 나타내는 재료가 바람직하다. 그 때문에, 반사전극의 재료의 예로서는, Ag, Al, Cr, Mo 또는 Ni를 주성분으로 하는 금속 또는 합금이 바람직하다. 또한, 후공정으로 되는 웨트 에칭이나 세정, 보관이나 사용 환경에서의 내후성, 반사율의 면으로부터, 반사전극의 재료로서는 Ag 또는 Ag를 주성분으로서 포함하는 Ag 합금이 보다 바람직하다. Ag 합금은 Ag를 주성분으로서 포함하는 AgPdCu 합금이나 AgTiCu 합금, AgIn 합금, AgZn 합금, AgZnBi 합금 등을 사용할 수 있다.
또한, Al 또는 Al을 주성분으로서 포함하는 Al 합금도 전면발광용의 반사전극의 재료로서 양호하다. 그 중에서도, AlNi 합금, AlCr 합금, AlTi 합금, AlNd 합금이 바람직하다. 예를 들면, Ni를 0.1∼2원자% 함유하는 AlNi 합금은, 순Al와 동등한 높은 반사율을 갖고, 또한, 상기 AlNi 합금을 ITO나 IZO 등의 산화물 도전 재료와 직접 접속시켜도 낮은 접촉 저항을 실현할 수 있기 때문에 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 주성분이란, 원자수로서 대상물에 가장 많이 포함되는 금속을 가리킨다.
또한, 복합적인 특성을 양립하기 위해서 반사전극을 다층 구조로 하는 것도 바람직하다. 예를 들면, 기판측에 밀착성이나 내부식성을 향상시키는 하지층을 갖는 것이나, 유기 EL층측의 최표면층에 일함수 조정층을 적층하는 것도 바람직하다. 유기 EL층측의 계면에 있어서는, 유기 EL층과의 일함수차를 조정함으로써 발광을 위한 캐리어 주입을 촉진시키는 효과를 부여할 수 있다. 일함수 조정층으로서는, 공지 재료로부터 선택할 수 있지만, 고투과율이고 저저항율인 ITO, IZO, AZO, GZO, ATO, WOX, MoOX 등이 바람직하다. 이 중에서도, 하지층과 공통으로 채용할 수 있는 ITO가 특히 바람직하다.
반사전극의 저항은, 발광소자의 발광에 충분한 전류를 공급할 수 있으면 좋으므로 한정되지 않지만, 발광소자의 소비전력의 관점에서는 저항이 작은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 반사전극의 저항은 시트 저항으로서 10옴 이하인 것이 바람직하고, 5옴 이하인 것이 보다 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 시트 저항으로서 1옴 정도이다.
반사전극의 두께는 반사율이나 저항값 등의 특성에 맞춰서 임의로 선택할 수 있지만, 통상 100∼1000㎚이다.
반사전극의 형성 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 증착이나 스퍼터링 등의 진공성막법으로 성막하고, 감광성 레지스트를 이용해서 패터닝함으로써 형성할 수 있다.
<절연층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 기판 상에 절연층을 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서, 절연층은 반사전극의 공극에 형성된다. 반사전극의 공극에 절연층을 형성함으로써 표시 화소를 분할할 수 있다. 즉, 반사전극의 공극에 절연층을 패터닝함으로써 반사전극의 노출 부분이 한정되어, 개구부만이 표시 화소로서 기능하게 된다. 또한, 절연층이 아일랜드형의 반사전극의 둘레 가장자리를 덮는 것에 의해, 반사전극의 가장자리에서 발생하는 단락이나 투명전극의 단선을 방지하는 것으로도 연결되고, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서, 절연층은 필요에 따라서 반사전극의 공극 이외의 장소에도 형성된다.
절연층으로서는, 유기물의 절연층 또는 무기물의 절연층의 어느 쪽에도 한정되지 않지만, 가공성의 면으로부터 감광성 수지 조성물의 경화막을 포함하는 것이 바람직하다.
감광성 수지 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 감광제 및 (C) 유기용제를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 (D) 착색 재료를 포함해도 좋다. 감광성 수지 조성물로서 (A) 알칼리 가용성 수지와 (B) 감광제를 조합시켜서 함유시키는 것에 의해, 감광성을 사용한 패턴 가공이 가능하게 된다. 또한, (C) 유기용제를 함유함으로써 바니시의 상태로 할 수 있고, 도포성을 향상시킬 수 있는 경우가 있다. 또한, 감광성 수지 조성물이 (D) 착색 재료를 함유함으로써 절연층을 흑색화할 수 있다. 감광성 수지 조성물은 다른 성분을 더 함유해도 좋다.
절연층의 형성 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 대판 기판에 얇은 막을 균일하게 형성할 수 있기 때문에 웨트 코팅법이 바람직하다. 웨트 코팅법의 예로서는, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 인쇄법 등을 들 수 있다.
절연층의 두께는, 통상 0.3㎛∼10㎛이지만, 반사전극의 요철을 덮는데에 충분하면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 후공정에 있어서 투명전극 상을 덮는 구조물도 지지하고, 표시 장치의 강도에도 영향을 주기 때문에, 적당히 계단 형상으로 제작하는 등의 설계도 유효하다. 또한, 절연층은 패터닝 가공이 필수이고, 제거부의 잔사는 단락이나 흑점 등의 결함으로 직결될 경우가 있다. 또한, 절연층의 가장자리의 형상에 따라서는 투명전극의 단선의 원인이 되기 때문에, 완만한 순테이퍼 형상인 것이 바람직하다.
<(A) 알칼리 가용성 수지>
본 발명에 있어서의 알칼리 가용성이란, 수지를 γ-부티로락톤에 용해한 용액을 규소 웨이퍼 상에 도포하고, 120℃에서 4분간 프리베이크를 행해서 막두께 10㎛±0.5㎛의 프리베이크막을 형성하고, 당해 프리베이크막을 23±1℃의 2.38질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 1분간 침지한 후, 순수로 린스 처리했을 때의 막두께 감소로부터 구해지는 용해 속도가 50㎚/분 이상인 것을 말한다.
(A) 알칼리 가용성 수지는, 내열성 향상의 점으로부터 방향족 카르복실산 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서 방향족 카르복실산 구조란, 방향환과 직접 공유결합한 카르복실산 구조를 말한다. 내열성이 향상되면, 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정에 있어서 절연층의 분해나 절연층으로부터의 탈가스 등의 문제가 일어나기 어려워진다. 구체적으로는, 예를 들면 절연층 상에 스퍼터링으로 보조전극을 형성할 때, 처리 중의 진공도를 충분히 유지하기 쉬워진다.
(A) 알칼리 가용성 수지의 재료로서는, 예를 들면, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 폴리실록산 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 카르도 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다. (A) 알칼리 가용성 수지의 재료는, 이들 수지 및 이들 수지의 전구체의 2종 이상의 혼합물이여도 좋다.
이들 수지 중에서도, 내열성과 내약품성을 양립할 수 있는 점으로부터, 감광성 수지 조성물이 폴리이미드 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸 수지, 및/또는, 폴리벤조옥사졸 전구체를 함유하는 것이 바람직하다. 내약품성이 높으면, 절연층 상의 보조전극을 웨트 에칭으로 가공할 때의 막감소가 작아지기 때문에 바람직하다. 막감소가 작은 것에 의해 보조전극의 단부에서 언더컷 구조를 갖지 않아, 투명전극의 단선이 일어나기 어려워진다. 또한, 고온 조건 하에 있어서의 아웃가스량이 적기 때문에, 특히 폴리이미드 전구체가 바람직하다. 또한, 알칼리 가용성 향상의 점으로부터, 아미드 산구조를 갖는 폴리이미드 전구체가 보다 바람직하다.
<보조전극>
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 보조전극은 절연층 상에 있다.
보조전극으로서는, 도전성을 갖는 재료이면 특별히 한정 없이 사용 가능하지만, 후술하는 바와 같이 최종적으로 유기 EL층과 접하는 측의 표면조도를 크게 할 수 있는 것이 중요하다. 또, 본 발명에 있어서 표면조도의 측정에 사용하는 원자간력 현미경(AFM)은, 일반적으로, 수평한 면에 둔 유기 EL 표시 장치의 기판에 대하여 연직 상방으로부터 측정을 행한다. 따라서, 본 발명에 있어서, 「유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도」란, 보조전극의 유기 EL층과 접하는 면 중, AFM에 의해 측정 가능한 면, 다시 말해, 기판과 대략 평행한 면의 표면조도를 가리킨다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 보조전극의 단부가 순테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 여기서 순테이퍼 형상이란, 절연층과 보조전극의 계면에 있어서의 접선과, 보조전극의 단부에 있어서의 보조전극 두께의 50%부에서의 접선이 만드는 각도가 90도 미만인 상태를 가리킨다.
도 2를 이용하여 보조전극의 테이퍼각에 대해서 설명한다. 도 2에 있어서는, 기판(1) 상에 반사전극(2)을 갖는다. 여기서 기판(1)은 기재(13)로 이루어진다. 반사전극(2)의 공극에 절연층(3)을, 또한 절연층 상에 보조전극(4)을 갖는다. 절연층과 보조전극의 계면에 있어서의 접선과, 보조전극의 단부에 있어서의 보조전극 두께의 50%부(점 A)에서의 접선이 만드는 각도를 테이퍼각(B)으로 한다.
테이퍼 형상은 에칭의 조건에 따라서 조정이 가능하고, 또한 기판의 단면 관찰에 의해 확인이 가능하다.
보조전극에 사용되는 재료의 예로서, Al, Au, Cr, Cu, Ni, Pt, Sn, Ti, Zn 등으로부터 선택되는 1종의 금속 혹은 2종 이상의 금속을 포함하는 합금을 들 수 있다. 그 중에서도, 보조전극이 Ag, Al, Cu, Mo, 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 보조전극의 주성분이 Ag, Al, Cu, Mo, Ni 중 적어도 어느 하나인 것이 보다 바람직하다. 또한, 가공성의 면으로부터, 보조전극의 주성분이 Ag인 것이 바람직하다. Ag를 주성분으로서 사용함으로써, 소망의 형상을 쉽게 얻을 수 있고, 최종적으로 투명전극의 저저항화에 효과적으로 기여할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 보조전극이 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물의 경화막을 포함하는 것이 바람직하다. 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물의 경화막을 포함하는 보조전극을 채용함으로써, 대기압 환경 하에서 도포를 행하는 웨트 코팅법으로 당해 보조전극을 제작할 수 있다. 웨트 코팅법의 예로서는, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 인쇄법 등을 들 수 있다. 도전성 미립자의 정의나 바람직한 양태 등은 후술과 같다.
보조전극의 저항은, 투명전극의 저저항화에 충분한 특성이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 보조전극의 저항이 시트 저항으로서 10옴 이하인 것이 바람직하고, 5옴 이하인 것이 보다 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 시트 저항으로서 1옴 정도이다.
보조전극의 두께는 반사율이나 저항값 등의 특성에 맞춰서 임의로 선택할 수 있지만, 통상 100∼1000㎚ 정도이다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하이다. 본 명세서에 있어서, 「표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)」를 단지 「최대높이(Rz)」라고 할 경우가 있다. 최대높이(Rz)가 30㎚ 미만이면, 보조전극의 표면이 유기 EL층의 두께와 동등 이하로 되기 때문에, 후공정에서 투명전극을 성막했을 때에 투명전극과 보조전극을 접속할 수 없게 된다. 한편, 최대높이(Rz)가 500㎚를 초과하면 투명전극에 있어서의 핀홀의 원인이 되거나, 후술하는 밀봉층의 결함으로 연결된다.
최대높이(Rz)가 상기 범위인 돌기는 10㎛□에 1개 이상의 빈도로 존재하는 것이 바람직하다. 1개 이상의 빈도로 존재함으로써, 투명전극의 저저항화에 충분한 효과를 발현하기 쉬워진다. 이러한 돌기의 최대높이(Rz) 및 존재 빈도는, 원자간력 현미경(AFM)으로 보조전극 표면을 관찰해서 최대높이(Rz)를 취득함으로써 확인할 수 있다. 이러한 돌기의 최대높이(Rz)의 측정은, 후술의 보조전극에 조화 처리를 실시하는 공정의 뒤에 행해도 좋고, 유기 EL 표시 장치로부터 유기 EL층, 투명전극, 밀봉층, 편광층 및 자외선 흡수층 등의 보조전극의 조화 처리된 면의 상부의 부재를 제거한 후에 측정해도 좋다. 상부의 부재를 제거한 후에, 일부에 있어서 유기 EL층이 남을 경우가 있지만, 아세톤, THF(테트라히드로푸란) 등 일반적인 유기용제로 더욱 세정하면, 보조전극 표면의 측정이 가능하게 된다.
<유기 EL층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 절연층 상에 유기 EL층을 갖고, 상기 유기 EL층은 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서, 유기 EL층은 표시 에리어 전면을 덮는다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서는, 보조전극과 투명전극의 사이에 표시 에리어 전면을 덮는 유기 EL층이 성막된다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 상술한 바와 같이, 보조전극의 표면조도가 크기 때문에 유기 EL층을 개재해도 보조전극과 투명전극이 전기 접속할 수 있는 것이 특징이다.
본 발명에 있어서의 유기 EL층의 구성은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, (1) 정공수송층/발광층, (2) 정공수송층/발광층/전자수송층, (3) 발광층/전자수송층의 어느 것이여도 좋다. 각 층의 두께는, 각 층 재료의 저항값이나 EL 발광의 인출 효율에의 영향을 고려해서 일반적으로 1∼200㎚의 사이로부터 선택된다. 또한, 보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 30㎚ 이상 500㎚ 이하인 것이 바람직하다. 보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 30㎚ 이상이면, 보조전극의 표면조도에 의한 투명전극의 결함이 생기기 어려워져 표시 장치의 신뢰성의 추가적인 향상으로 연결된다. 한편, 보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 500㎚ 이하이면 보조전극과 투명전극을 접속하기 쉬워진다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 상기 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)보다 작은 것이 더욱 바람직하다. 이러한 구성을 가짐으로써, 보조전극과 투명전극의 접속을 보다 확실하게 행할 수 있다.
<정공수송층>
정공수송층은, 예를 들면, 정공수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층 또는 혼합하는 방법이나, 정공수송 재료와 고분자 결착제의 혼합물을 사용하는 방법에 의해 형성된다. 또한, 정공수송 재료에 염화철(III)과 같은 무기염을 첨가해서 정공수송층을 형성해도 좋다. 정공수송 재료는 발광소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로 되는 전극으로부터 정공을 주입할 수 있고, 또한 정공을 수송할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.
정공수송 재료의 바람직한 예로서는, 4,4'-비스(N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노)비페닐, 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)비페닐, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐아민 유도체, 비스(N-알릴카르바졸), 비스(N-알킬카르바졸) 등의 비스카르바졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤계 화합물, 히드라존계 화합물, 벤조푸란 유도체, 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 갖는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리비닐카르바졸, 폴리실란 등을 들 수 있다.
<발광층>
발광층은 정공 및 전자의 충돌에 의한 재결합 에너지에 의해 발광 재료가 여기되어 발광하는 층이다. 이 발광층을 구성하는 재료를 선택함으로써, 다양한 다색 발광이 가능한 것이 유기 EL 표시 장치의 큰 특징이다. 발광층은 단층이여도, 복수의 층이 적층되어서 구성되어 있어도 좋고, 각각 발광 재료(호스트 재료, 도펀트 재료)에 의해 형성된다. 각 발광층은 호스트 재료 또는 도펀트 재료의 어느 일방만으로 구성되어 있어도, 각각 1종 이상의 호스트 재료와 1종 이상의 도펀트 재료의 조합에 의해 구성되어 있어도 좋다. 즉, 각 발광층에 있어서 호스트 재료 또는 도펀트 재료만이 발광해도 좋고, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광해도 좋다. 전기 에너지를 효율적으로 이용하고, 고색순도의 발광을 얻는다고 하는 관점에서는, 발광층은 호스트 재료와 도펀트 재료의 조합에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 도펀트 재료는 호스트 재료의 전체에 포함되어 있어도, 부분적으로 포함되어 있어도 좋다.
발광층 중의 도펀트 재료의 함유량은, 농도 소광 현상을 억제하는 관점에서, 호스트 재료 100질량부에 대하여 30질량부 이하가 바람직하고, 20질량부 이하가 보다 바람직하다.
발광층은, 예를 들면, 호스트 재료와 도핑 재료를 공증착하는 방법이나, 호스트 재료와 도핑 재료를 미리 혼합하고나서 증착하는 방법 등에 의해 형성할 수 있다.
발광 재료를 구성하는 도펀트 재료로서는, 예를 들면, 안트라센이나 피렌 등의 축합환 유도체, 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄 등의 금속 착체 화합물, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 디벤조푸란 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체 등을 들 수 있다.
발광층이 삼중항 발광(인광 발광)을 행할 때에 사용되는 도펀트 재료로서는, 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 오스뮴(Os) 및 레늄(Re)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 금속 착체 화합물이 바람직하다. 금속 착체 화합물을 구성하는 배위자는, 요구되는 발광색, 유기 EL 표시 장치 성능, 호스트 화합물과의 관계로부터 적당히 선택할 수 있다. 그 중에서도, 상기 배위자가 페닐피리딘 골격, 페닐퀴놀린 골격, 카르벤 골격 등의 함질소 방향족 복소환을 갖는 것이 바람직하다. 상기 금속 착체 화합물의 바람직한 예로서는, 구체적으로는, 트리스(2-페닐피리딜)이리듐 착체 비스(2-페닐피리딜)(아세틸아세토네이트)이리듐 착체, 테트라에틸포르피린 백금 착체 등을 들 수 있다. 이것들을 2종 이상 사용해도 좋다.
발광 재료를 구성하는 호스트 재료로서는, 예를 들면, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 나프타센, 트리페닐렌, 페릴렌, 플루오란텐, 플루오렌, 인덴 등의 축합 아릴환을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이것들을 2종 이상 사용해도 좋다.
발광층이 삼중항 발광(인광 발광)을 행할 때에 사용되는 호스트 재료로서는, 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 디벤조푸란 유도체, 디벤조티오펜 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 트리아진 유도체, 트리페닐렌 유도체 등이 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 안트라센 골격이나 피렌 골격을 갖는 화합물이, 고효율 발광이 얻어지기 쉽기 때문에 보다 바람직하다.
<전자수송층>
전자수송층은 음극으로부터 주입된 전자를 발광층까지 수송하는 층이다. 전자수송층에는, 전자주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 요망된다. 그 때문에, 전자수송층은 전자 친화력 및 전자 이동도가 크고, 안정성이 뛰어나며, 트랩으로 되는 불순물이 제조시 및 사용시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 특히, 전자수송층의 두께가 두꺼울 경우에는, 저분자량의 화합물은 결정화나 열화를 일으키기 쉽기 때문에 분자량 400 이상의 화합물이 바람직하다. 또, 정공과 전자의 수송 밸런스를 생각했을 경우에, 전자수송층이 양극으로부터의 정공이 재결합하지 않고 음극측으로 흐르는 것을 효율적으로 저지할 수 있는 역할을 주로 한하면, 전자수송 능력이 그다지 높지 않은 재료로 구성되어 있어도 발광효율을 향상시키는 효과는 전자수송 능력이 높은 재료로 구성되어 있을 경우와 동등하게 되기 때문에, 본 발명에 있어서의 전자수송층에는 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 정공저지층도 동의의 것으로서 포함된다. 전자수송층은 단층이여도 복수의 층이 적층되어 있어도 좋다.
전자수송층을 구성하는 전자수송 재료로서는, 예를 들면, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합 다환 방향족 유도체 등을 들 수 있다. 이것들을 2종 이상 사용해도 좋다. 이것들 중에서도, 구동 전압을 보다 저감하고, 고효율 발광이 얻어지기 때문에, 전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴환 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.
여기에서 말하는 전자 수용성 질소란, 인접 원자와의 사이에 다중결합을 형성하고 있는 질소원자를 나타낸다. 질소원자가 높은 전자 음성도를 갖기 때문에, 이러한 다중결합은 전자 수용적인 성질을 갖는다. 그 때문에, 전자 수용성 질소를 포함하는 방향족 복소환은 높은 전자 친화성을 갖는다. 전자 수용성 질소를 갖는 전자수송 재료는, 음극으로부터의 전자를 수취하기 쉽기 때문에 구동 전압을 보다 저감할 수 있다. 또한, 발광층으로의 전자의 공급이 많아지고, 재결합 확률이 높아지기 때문에 발광 효율이 향상한다.
전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴환으로서는, 예를 들면, 트리아진환, 피리딘환 등을 들 수 있다. 이들 헤테로아릴환 구조를 갖는 화합물로서는, N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등의 트리아졸 유도체, 2,5-비스(6'-2',2"-비피리딜))-1,1-디메틸-3,4-디페닐실롤 등의 비피리딘 유도체, 1,3-비스(4'-(2,2':6'2"-터피리디닐))벤젠 등의 터피리딘 유도체가, 전자수송능의 관점에서 바람직하게 사용된다. 이것들을 2종 이상 사용해도 좋다.
상기 전자수송 재료는 단독으로도 사용되지만, 상기 전자수송 재료의 2종 이상을 혼합해서 사용하거나, 그 밖의 전자수송 재료의 1종 이상을 상기 전자수송 재료에 혼합해서 사용해도 관계없다.
전자수송층에는 도너성 화합물을 함유해도 좋다. 여기에서, 도너성 화합물이란 전자주입 장벽의 개선에 의해, 음극 또는 전자주입층으로부터의 전자수송층으로의 전자주입을 용이하게 하고, 또한 전자수송층의 전기 전도성을 향상시키는 화합물이다.
도너성 화합물로서는, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리 금속의 무기염, 알칼리 금속과 유기물의 착체, 알칼리 토류 금속, 알칼리 토류 금속의 무기염 또는 알칼리 토류 금속과 유기물의 착체 등을 들 수 있다.
도너성 화합물은, 진공 중에 있어서의 증착이 용이하고 취급이 뛰어나기 때문에, 금속 단체보다 무기염 또는 유기물과의 착체가 바람직하고, 대기 중에서의 취급이 용이하고 첨가 농도를 조정하기 쉽기 때문에, 유기물과의 착체가 보다 바람직하다.
<투명전극>
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 1 양태는, 절연층 상에 투명전극을 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제 2 양태에 있어서, 투명전극은 표시 에리어 전면을 덮는다.
또, 본 발명에 있어서 투명전극이란, 파장 550㎚에 있어서의 광투과율이 30% 이상인 전극을 가리킨다. 여기에서, 본 발명에 있어서의 광투과율은 투명한 유리 기판 상에 형성한 전극에 대해서, 분광 광도계에 의해 측정할 수 있다.
본 발명에 있어서의 투명전극을 형성하는 재료로서는, 예를 들면, 투명 도전성 산화물이나 금속 등을 들 수 있다. 양극으로서 사용할 경우에는 ITO, IZO, AZO, GZO, ATO 등이 바람직하고, 음극으로서 사용할 경우에는 Li, Mg, Ag, Al 등이 바람직하다.
단, 어느 재료를 사용해도 광투과율의 요구로부터 투명전극을 두껍게 하는 것은 어렵고, 전극으로서는 저항값이 커져 버린다. 일반적으로 표시 에리어 전면에 공통층으로서 투명전극을 형성했을 경우, 전극의 저항값이 크면 소비전력을 증가시켜 버릴 뿐만 아니라, 휘도 불균일 등 표시이상을 발생시킨다. 본 발명에 있어서는, 절연층 상에 형성한 보조전극과 양호한 전기 접속을 확보할 수 있기 때문에, 투명전극의 저저항화를 달성할 수 있고, 표시이상을 회피할 수 있다.
<구동회로>
본 발명에 있어서는, 상술과 같이, 기판에 포함하는 것으로서 구동회로인 배선이나 TFT가 설치될 경우가 있다.
유기 EL 표시 장치가 액티브 구동형 전면발광 방식일 경우, 패터닝 가공된 아일랜드형의 반사전극이 미리 기판의 일부로서 형성되어 있는 TFT와 접속될 경우가 많다.
TFT의 반도체층으로서는, a-Si(비정질 규소), p-Si(다결정 규소), 마이크로 크리스탈 규소, In-Ga-Zn-O 등으로 대표되는 산화물, p-Si와 산화물을 병용한 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 등을 들 수 있지만, 일반적으로는 a-Si, p-Si의 2종류가 사용된다. a-Si를 사용한 TFT(a-SiTFT)는, 전자의 움직임 용이함을 나타내는 지표인 이동도가 낮은 반면, 비교적 제조 프로세스가 짧고, 대형 기판으로도 제조할 수 있기 때문에, 소형∼대형 디스플레이까지 폭넓게 사용할 수 있다. 한편, p-Si를 사용한 TFT(p-SiTFT)는, 이동도가 높고, 유리 기판 상에 드라이버 회로 등을 형성할 수 있다. p-SiTFT는, 제조 공정이 a-SiTFT보다 길고, 대형 기판에서는 제조의 난이도가 높기 때문에, 중소형의 디스플레이에 주로 사용하는 것이 바람직하다. 특히 p-SiTFT에 있어서의 p-Si는, 일반적으로 a-Si를 스타트막으로 해서 레이저광을 조사하고, 순간적으로 용융, 결정화를 행함으로써 형성할 수 있다. 또한, a-SiTFT의 제조 공정에서는 사용하지 않는, 인이나 붕소를 Si 중에 주입하는 도핑이라는 공정이 있다. p-SiTFT에 있어서는, Si막으로의 불순물 도핑에 의해 TFT 특성의 역치 제어를 해도 좋다.
TFT를 구조면에서 크게 구별하면, 보텀 게이트형과 톱 게이트형으로 분류할 수 있다. a-SiTFT에서는 보텀 게이트형, p-SiTFT에서는 톱 게이트형으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 톱 게이트형이면, 반도체층에 드레인측의 전극, 소스측의 전극이 접속하고, 반도체층 상방에 게이트 전극이 형성된다. 또한, 보텀 게이트형에서는 게이트 전극을 최하층에 배치하고, 그 상층에 반도체층/절연막이 있고, 더욱 상층에 소스 전극, 드레인 전극이 형성된다. 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 직선으로 연결하면 역삼각형으로 되고, 「역스태거 구조」라고도 불리는 구조라도 좋다.
TFT는 박막 형성, 패터닝, 에칭, 세정의 요소 공정을 수회 반복함으로써 기판에 형성된다. TFT의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 공지의 방법을 사용할 수 있다.
<평탄화층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치는 평탄화층을 갖는 것이 바람직하다. 평탄화층을 형성하는 것에 의해, 특히 액티브 매트릭스형과 같이 기판으로서 배선이나 TFT가 형성될 경우에, 그 요철을 덮어 평탄화할 수 있다.
평탄화층을 가질 경우, 평탄화층 상에 반사전극이 형성되기 때문에, 본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서 반사전극과 구동용의 배선은 평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해서 접속하는 것이 바람직하다.
평탄화층으로서는 유기물의 평탄화층 또는 무기물의 평탄화층의 어느 쪽에도 한정되지 않는다. 가공성의 면으로부터, 평탄화층은 감광성 수지 조성물의 경화막을 포함하는 것이 바람직하다. 평탄화층은, 예를 들면, 대판 기판에 얇은 막을 균일하게 형성할 수 있기 때문에, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 인쇄법 등의 웨트 코팅법으로 도포 할 수 있다.
감광성 수지 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 감광제 및 (C) 유기용제를 함유하는 것이 바람직하고, (D) 착색 재료를 더 포함해도 좋다. 감광성 수지 조성물로서 (A) 알칼리 가용성 수지와 (B) 감광제를 조합시켜서 함유시킴으로써 감광성을 사용한 패턴 가공이 가능하게 된다. 또한, (C) 유기용제를 함유함으로써 바니시의 상태로 할 수 있고, 도포성을 향상시킬 수 있을 경우가 있다. 또한, 감광성 수지 조성물이 (D) 착색 재료를 함유함으로써 평탄화층을 흑색화할 수 있다. 감광성 수지 조성물은 다른 성분을 더 함유해도 좋다.
(A) 알칼리 가용성 수지의 재료로서는, 예를 들면, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 폴리실록산 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 카르도 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다. (A) 알칼리 가용성 수지의 재료는, 이들 수지 및 이들 수지의 전구체의 2종 이상의 혼합물이여도 좋다. 차광성이나 반사 방지의 관점에서 착색이 필요하게 되었을 경우에는, 감광성 수지 조성물이, 적당히 (D) 착색 재료를 함유하는 것이 바람직하다.
평탄화층의 두께는, 요철을 덮는데에 충분하면 특별히 한정되지 않는다.
<밀봉층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 투명전극을 형성 후, 밀봉층에 의해 밀봉을 행하는 것이 바람직하다. 유기 EL 소자가 산소나 수분에 약하다고 하기 때문이다. 발광 신뢰성이 높은 표시 장치를 얻기 위해서는 될 수 있는 한 산소와 수분이 적은 분위기 하에서 밀봉을 행하는 것이 바람직하다. 밀봉층에 사용하는 부재에 대해서도, 가스 배리어성이 높은 것을 선정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 밀봉층의 수분 투과율은 20g/㎡·day·atm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 밀봉층의 산소 투과율은 20cc/㎡·day·atm 이하인 것이 바람직하다. 수분 투과율은 JIS K 7129(2019)에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다. 또한, 산소 투과율은 JIS K 7126(2006)에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다. 밀봉층의 수분 투과율 및 산소 투과율을 상기 레벨로 억제함으로써, 발광소자 내에 발광 신뢰성 악화의 원인이 되는 수분이나 산소가 침입하는 것을 방지할 수 있다. 밀봉층을 구성하는 재료로서, 예를 들면, 기재와 마찬가지로 유리, 수지 필름, 가스 배리어막 등을 적당히 선택할 수 있다. 가스 배리어막의 일례로서, SiO2(산화규소), SiN(질화규소), SiON(산질화규소) 등의 재료를 들 수 있다. 또한, 유리, 수지 필름, 가스 배리어막 등의 층 위에, 아크릴 수지, 실리콘 수지 등의 수지 재료로 이루어지는 층을 형성하여, 밀봉층을 다층 구조로 해도 좋다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치는 전면발광형이기 때문에, 밀봉층은 광투과성인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 파장 550㎚에 있어서의 광투과율이 30% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 여기에서, 본 발명에 있어서의 광투과율은 투명한 유리 기판 상에 형성한 밀봉층에 대해서, 분광 광도계에 의해 측정할 수 있다.
또한, 밀봉층과의 접착이 필요할 경우에 사용하는 접착제에도 가스 배리어성이 높은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 2액 에폭시 접착제(XNR, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤), 유기 디바이스용 밀봉재(모이스처 컷, 가부시키가이샤 MORESCO) 등, 가스 배리어성이 높은 접착제로서 일반적으로 알려져 있는 것으로부터 선택할 수 있다. 또한, 예를 들면, 프릿 유리를 레이저로 용융하는 방법에 의해 접착할 수도 있다.
또한 수분으로의 배려로서, 밀봉 공정에서 건조제를 도입하는 것도 유효하다. 건조제로서는, 수분의 흡착 성능이 높으면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면, 산화바륨이나 산화칼슘 등을 들 수 있다.
<편광층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치는 편광층을 더 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는 λ/4 위상차층과 직선 편광층이 적층되고, 외부로부터 입사한 광의 반사를 억제하는 편광층 등을 들 수 있다. 직선 편광층으로서는, 예를 들면, 폴리비닐알콜계 필름을 요오드로 염색하여 1축 연신해서 얻어지는 필름이 많이 사용되고 있다. λ/4 위상차판을 구성하는 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 높은 내열성을 갖기 때문에 폴리이미드계 수지가 바람직하다.
<자외선 흡수층>
본 발명의 유기 EL 표시 장치는 또한 자외선 흡수층을 갖는 것이 바람직하다. 자외선 흡수층을 가짐으로써 내후 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히 본 발명의 유기 EL 표시 장치가 옥외에서 사용될 경우에 있어서는, 태양광에 포함되는 자외선을 흡수하기 때문에 자외선 흡수층을 갖는 것이 유효하다. 자외선 흡수층으로서는, 파장 320㎚ 이하의 광을 흡수하는 층이 바람직하고, 파장 360㎚ 이하의 광을 흡수하는 층이 보다 바람직하고, 파장 420㎚ 이하의 광을 흡수하는 층이 더욱 바람직하다. 단, 파장 420㎚ 이상의 광은 표시에 사용하는 청색의 발광 파장과 중복되기 때문에, 자외선 흡수층은 파장 420㎚ 이상의 영역에 있어서 높은 투과율을 갖는 것이 바람직하다.
자외선 흡수층은 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 수지의 예로서는, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 지환식 올레핀 폴리머 수지, 아크릴계 폴리머 수지, 셀룰로오스에스테르 수지 등을 들 수 있다. 자외선 흡수층은 상기 수지를 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 수지 중에서도, 높은 내열성, 내약품성, 유연성을 갖기 때문에 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지가 바람직하다.
자외선 흡수층은 자외선 흡수제를 함유해도 좋다. 자외선 흡수제로서는, 벤조페논계 화합물, 옥시벤조페논계 화합물, 벤조트리아졸계 화합물, 살리실레이트계 화합물, 살리실산 에스테르계 화합물, 아크릴니트릴계 화합물, 시아노아크릴레이트계 화합물, 힌다드아민계 화합물, 트리아진계 화합물, 니켈 착염계 화합물, 초미립자 산화티타늄, 금속 착염계 화합물, 고분자 자외선 흡수제 등을 들 수 있다. 고분자 자외선 흡수제로서는, 예를 들면, 오츠카 카가쿠(주) 제품의 반응형 자외선 흡수제 RUVA-93을 아크릴계 모노머와 공중합시킨 것을 들 수 있다. 자외선 흡수층은 이들 자외선 흡수제를 2종 이상 함유해도 좋다. 자외선 흡수제는, 투명성이 뛰어나기 때문에 벤조트리아졸계 화합물, 벤조페논계 화합물이 바람직하고, 벤조트리아졸계 화합물이 보다 바람직하다.
<유기 EL 표시 장치의 제조 방법>
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극을 형성하는 공정과, 당해 반사전극의 공극에 절연층을 형성하는 공정과, 당해 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정과, 당해 보조전극에 조화 처리를 실시하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 유기 EL층을 형성하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 투명전극을 형성하는 공정을 이 순서로 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 일례에 대해서, 도 3의 유기 EL 표시 장치를 제조할 경우를 예로서 사용해서 설명한다.
우선, 유리 기판 상에 구동회로를 설치한다. 구동회로를 설치하는 공정의 예 로서는, 「게이트 전극 형성 공정」, 「게이트 절연막 형성 공정」, 「Si막 형성 공정」, 「소스, 드레인 전극 형성 공정」 등 공지의 방법을 사용해서 형성할 수 있다.
다음에, 평탄화층을, 예를 들면, 슬릿 코트법으로 성막한다.
그 후, 반사전극과의 접속을 목적으로 한 컨택홀을 형성하기 위한 가공을 실시한다. 이러한 가공으로서는, 예를 들면, 평탄화층으로서 사용하는 재료가 감광성이면 포토리소그래피 가공으로, 비감광이면 레지스트 재료를 마스크로 한 일반적인 에칭 가공으로 대응할 수 있다.
본 발명의 유기 EL장치의 제조 방법은, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극을 형성하는 공정을 갖는다. 본 공정에 있어서는, 반사전극을 성막하고, 또한, 표시 화소에 대응하도록 반사전극을 아일랜드형으로 남긴다.
본 발명의 유기 EL 장치의 제조 방법은, 반사전극의 공극에 절연층을 형성하는 공정을 갖는다. 이러한 공정의 구체예로서는, 예를 들면, 감광성 수지를 전면 도포한 후에, 포토리소그래피 가공으로 반사전극 상에 개구부를 형성하는 공정을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 장치의 제조 방법은 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정을 갖는다.
보조전극의 형성 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 증착이나 스퍼터링 등의 진공성막법으로 물리 기상 성장에 의해 성막하고, 감광성 레지스트를 이용해서 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 증착이면, 드롭릿(droplet)이라고 불리는 고체 증발원으로 발생하는 조대입자를 발생시켜, 표면조도를 크게 하는 것이 가능하다. 또한 스퍼터링이면, 정 바이어스 전압에 추가해서 부 바이어스 전압이 있을 경우에는 에칭 효과로 막의 평활화가 진행되어 버리기 때문에, 정 바이어스 전압만으로 이루어지는 DC 스퍼터링이 바람직하다. 또한 정 바이어스 전압이 큰 조건을 선택함으로써 보다 표면조도를 크게 하는 것을 기대할 수 있다. 성막 속도가 빠르고 생산성이 높아지기 때문에도, 대출력의 DC 스퍼터링이 특히 바람직하다. 구체적으로는 DC 500W 이상, 바람직하게는 DC 1000W 이상으로 성막하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정이 도포법에 의해 보조전극을 형성하는 공정인 것이 바람직하다. 도포법의 예로서는, 잉크젯이나 인쇄 등을 들 수 있다. 도포법으로 도전성 수지 조성물을 성막하고, 가열에 의해 건조 경화함으로써 보조전극을 형성할 수 있다.
도전성 수지 조성물의 일례로서는, 도전성 분말과 열경화성 수지를 함유하는 열경화형 도전성 수지 조성물을 들 수 있다. 여기서 도전성 분말이란, Ag, Al, Cu, Mo, 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 분말이며, 그 평균 입자지름(D50)은 0.1∼20㎛이다. 평균 입자지름(D50)은 레이저 회절법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 도전성 분말의 시료 0.3g을 50ml 비이커에 칭량하고, 이소프로필알콜 30ml를 첨가한 후, 초음파 세정기(아즈원 가부시키가이샤 제품 USM-1)에 의해 5분간 처리함으로써 분산시키고 마이크로트랙 입도분포 측정 장치(니키소 가부시키가이샤 제품 9320-HRA X-100)를 사용함으로써 측정할 수 있다.
열경화형 도전성 수지 조성물의 일례로서, 조성물에 포함되는 도전성 분말로서 구리 혹은 은의 분말, 또는, 구리계 분말(구리 또는 구리 합금의 분말)의 표면을 은으로 코트한 은 코트 구리계 분말을 사용하고, 열경화성 수지로서 에폭시 수지 및/또는 블록화 폴리이소시아네이트 화합물을 사용하는 구성 등을 들 수 있다.
또한, 도전성 수지 조성물의 별도의 일례로서는, 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다. 여기서 도전성 미립자란, Ag, Al, Cu, Mo, 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 미립자이며, 미립자의 입자지름은 10㎚ 이상 100㎚ 미만이다. 도전성 미립자의 입자지름이 이러한 범위인 것에 의해, 소망의 도전성을 갖는 미세 패턴 형성이 용이하게 되기 쉽다. 또 본 발명에 있어서 도전성 미립자의 입자지름은 레이저 회절법으로 측정한다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 도포법에 의해 보조전극을 형성하는 공정이 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물을 도포함으로써 보조전극을 형성하는 공정인 것이 바람직하다.
또한, 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물이 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물인 것에 의해, 패터닝 공정이 간편해지기 쉽다. 특히 5㎛ 이하와 같은 초미세 패턴을 형성하기 위해서는, 입자지름이 50㎚ 이하의 도전성 미립자를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 도전성 미립자가 표면 피복된 도전성 미립자를 포함하는 것이 바람직하다. 표면 피복됨으로써 도전성 미립자의 융착이 실온 부근에서도 진행할 경우라도, 도전성 미립자의 융착을 막을 수 있다. 도전성 미립자의 표면 피복의 방법으로서는, 기상 반응법이나 액상에 있어서의 유기물의 피복이 일반적이다. 유기물로 표면 피복된 도전성 미립자의 구체예로서는, 아민 화합물에 의해 표면 피복된 은 미립자 등이 알려져 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 도전성 미립자가 탄소단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 미립자를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 도전성 미립자를 포함함으로써 미세 패턴의 해상성과 열처리 후의 도전성을 양립시키는 것이 가능해진다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복한 도전성 미립자의 제작법으로서는, 기상 반응법이 바람직하고, 생산성이 높은 점으로부터 열 플라즈마법이 보다 바람직하다. 열 플라즈마를 발생시키는 방법으로서는, 예를 들면, 아크 방전, 고주파 플라즈마, 하이브리드 플라즈마 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 전극으로부터의 불순물의 혼입이 적은 점으로부터, 고주파 플라즈마가 바람직하다.
패턴을 형성하기 위해서 감광성 레지스트를 이용한 포토리소그래피법을 사용할 경우는, 처음에, 보조전극 상에 레지스트층을 형성하고, 다음에, 레지스트층을 노광·현상함으로써 레지스트 패턴을 형성한다. 그 후, 보조전극 중 레지스트 패턴에 의해 덮여져 있지 않은 부분을 에칭에 의해 제거한다. 에칭 방법으로서는, 예를 들면, 웨트 에칭이 사용된다. 웨트 에칭에 있어서는 일반적으로, 보조전극 중 레지스트 패턴에 의해 덮여져 있지 않은 부분을 완전히 제거하기 위해서, 에칭 시간이 보조전극을 그 두께 분만큼 에칭하는 것, 소위 저스트 에칭에 요하는 시간(이하, 저스트 에칭 시간)보다 길어지도록 설정된다. 이와 같이 저스트 에칭 시간보다 길게 에칭이 실시될 경우, 보조전극은 레지스트 패턴에 의해 덮여져 있지 않은 부분 뿐만 아니라, 레지스트 패턴에 의해 덮여져 있는 부분도 측방으로부터의 에칭에 의해 부분적으로 제거될 경우가 있다. 이 경우, 레지스트 패턴에 의해 덮여져 있는 부분 중 두께 방향에 있어서 레지스트 패턴으로부터 떨어진 부분일수록 많이 제거되고, 이 결과, 얻어지는 인출 패턴의 단부가 역테이퍼 형상으로 되는 것이 생각된다. 역테이퍼로 되었을 경우, 후공정에서 투명전극을 형성했을 때에 단선이 발생할 가능성이 약간 높아지는 경향이 있다. 단선이 발생했을 경우, 시트 저항의 증대나 절연화에 의한 패널 불량을 야기할 가능성이 있다.
감광성 레지스트로서는, 예를 들면 시판품으로서 AZ(Shipley), KAR(코닥), FPPR(후지 야쿠힝 고교), OFPR(도쿄 오우카) 등을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 보조전극에 조화 처리를 실시하는 공정을 갖는다. 조화 처리를 실시함으로써 보조전극의 표면조도를 크게 할 수 있다.
조화 처리의 기회에 대해서는, 유기 EL층의 성막 전이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 보조전극의 패터닝을 목적으로 한 에칭 공정과 합쳐서 조화 처리를 해도 좋고, 유기 EL층 성막 전의 세정 공정과 합쳐서 조화 처리를 해도 좋다. 이것들 중, 생산성이 높은 점으로부터 유기 EL층 성막 전의 세정 공정과 합쳐서 조화 처리를 하는 것이 바람직하다.
조화 처리의 방법은, 연마재를 사용하는 기계 연마나, 연마재를 분사하는 숏 블라스트나 웨트 블라스트, 플라즈마 처리나 RIE 등의 드라이 에칭 처리 등, 특별히 한정되지 않는다. 패터닝을 목적으로 한 에칭 공정과 합쳐서 조화 처리로 할 경우, 웨트 에칭 처리이면 에칭액의 선정이나 처리 온도, 드라이 에칭 처리이면 에칭 가스나 출력 등의 설정으로, 표면조도가 커지는 조건을 적당히 선택하면 좋지만, 유기 EL 소자가 산소나 수분에 약하기 때문에 기판 내에 수분을 남기지 않는 것이 바람직하다. 경우에 따라서는, 가열이나 감압 등의 탈수 처리를 조합시켜도 좋다. 이와 같이 기판으로의 흡습을 억제할 이유에서 드라이 에칭 공정이 바람직하고, 그 중에서도 가공의 제어성으로부터 조화 처리가 플라즈마 처리인 것이 보다 바람직하다.
플라즈마 처리에 사용하는 가스로서는, 산소, 질소, 수소, 아르곤 등 일반적인 것을 선택할 수 있다. 그 중에서도, 취급이 용이하고 에칭의 효과가 높고, 표면조도의 증대에 효과가 있기 때문에, 산소를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서는, 후술하는 유기 EL층을 형성하는 공정 전에, 180∼260℃에서 열처리를 행하는 공정을 갖는 것이 바람직하다. 열처리를 함으로써 기판의 탈수가 진행되어, 신뢰성이 높은 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 조화 처리에 의해 절연층의 표면조도가 커졌을 경우에는, 리플로우를 야기해서 평활화시키는 것도 가능하다. 이 경우에는, 열처리의 온도를 절연층의 경화온도 상당으로 조정함으로써, 보조전극의 표면조도에 영향을 주지 않고 절연층 표면만을 평활화시키는 것도 가능하다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서는, 후술하는 유기 EL층을 형성하는 공정 전에, 세정을 행하는 공정을 가져도 좋다. 일반적으로, 반사전극 표면에는 포토리소그래피 가공 등 앞공정의 오염이 잔존하고 있을 경우도 많기 때문, 웨트나 드라이의 세정을 행하는 것은 유효하다. 웨트 세정이면 유기용매나 계면활성제, 물, 산액, 알칼리액 등을 사용해서 침지, 초음파 세정, 자비(煮沸) 세정 등으로부터 선택할 수 있다. 또한, 드라이 세정이면, 글로우 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, UV/오존 처리 등으로부터 선택할 수 있다. 산소분위기를 사용한 드라이 세정이면, 오염물질의 제거에 추가해서, 반사전극의 산화를 촉진하여 일함수를 조정하는 것도 가능하다. 예를 들면, 반사전극의 최표면에 존재하는 산소결함을, 발생한 라디칼종이나 이온종에 의해 산화시켜, 일함수를 증가시키는 것 등이 가능해진다. 반사전극의 일함수를 조정함으로써 반사전극으로부터 인접하는 유기 EL층으로의 캐리어 주입 효율이 높아지고, 결과적으로 발광 효율이나 신뢰성 등 표시 장치로서의 특성이 향상하기 쉬워진다.
본 발명의 유기 EL장치의 제조 방법은, 표시 에리어 전면을 덮는 유기 EL층을 형성하는 공정을 갖는다. 유기 EL층을 구성하는 정공수송층이나 발광층, 전자수송층등 각 층은, 공지의 방법으로 형성할 수 있고, 예를 들면, 마스크 증착법이나 잉크젯법에 의해 형성할 수 있다.
마스크 증착법이란, 증착 마스크를 사용해서 유기 화합물을 증착해서 패터닝하는 방법이며, 예를 들면, 소망의 패턴을 개구부로 한 증착 마스크를 기판의 증착원측에 배치해서 증착을 행하는 방법을 들 수 있다. 고정밀도의 증착 패턴을 얻기 위해서는, 평탄성이 높은 증착 마스크를 기판에 밀착시키는 것이 중요하고, 일반적으로, 증착 마스크에 장력을 가하는 기술이나, 기판 배면에 배치한 자석에 의해서 증착 마스크를 기판에 밀착시키는 기술 등을 사용할 수 있다.
증착 마스크의 제조 방법으로서는, 에칭법이나 기계적 연마, 샌드 블라스트법, 소결법, 레이저 가공법, 감광성 수지의 이용, 전기 주조법 등을 들 수 있지만, 미세한 패턴이 필요할 경우는, 가공 정밀도가 뛰어난 에칭법이나 전기 주조법을 사용하는 것이 바람직하다.
마스크 증착법이나 잉크젯법은, 패턴이 정세하게 될수록 난이도가 높기 때문에, 예를 들면, 발광색을 결정하는 발광층 등 필요최소한으로 채용하는 것이 요구된다. 이 경우, 예를 들면 발광층 이외의 정공수송층이나 전자수송층 등을 각 색 공통으로 함으로써 전면에 성막하는 것이 허용되고, 표시 장치의 생산성이 높아진다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은, 표시 에리어 전면을 덮는 투명전극을 형성하는 공정을 갖는다. 유기 EL층의 성막 후, 투명전극을 형성한다. 형성 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있지만, 하지로 되는 유기 EL층의 열화나 데미지를 피하기 쉽기 때문에 진공증착법이 바람직하다. 일반적으로 표시 에리어 전면에 공통층으로서 투명전극을 형성했을 경우, 전극의 저항값이 크면 소비전력을 늘려 버릴 뿐만 아니라, 휘도 불균일 등 표시이상을 발생시키기 쉽다. 그것에 대하여, 본 발명에 있어서는, 투명전극이 절연층 상에 형성한 보조전극과 양호한 전기접속을 확보할 수 있기 때문에, 투명전극의 저저항화를 달성할 수 있고, 표시이상을 회피할 수 있다.
도 3의 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서는, 투명전극을 형성하는 공정의 뒤, 밀봉층, 편광층, 자외선 흡수층을 순서대로 적층 형성한다. 이상과 같이 해서 도 3의 유기 EL 표시 장치가 완성된다.
(실시예)
이하, 실시예 등을 들어서 본 발명을 설명한다.
<보조전극의 막두께 측정, 테이퍼 관찰, 표면조도>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 보조전극의 막두께는, 표면조도 측정기((주)도쿄 세이미츠 제품 서프콤 1400D)를 사용해서 패터닝부의 단차로부터 측정했다. 테이퍼의 모양은 기판을 절단한 단면을 주사형 전자현미경(SEM, 히타치 하이테크놀러지즈사 제품 S-3000N)으로 관찰했다. 표면조도는 원자간력 현미경(AFM, 블루카사 Dimension Icon)을 사용하고, 관찰한 결과 중 최대높이(Rz)를 채용했다. 관찰 조건으로서는 RTESP-300 프로브, 태핑 모드, 스캔 사이즈 10㎛□, 스캔 레이트 1Hz, 샘플 라인수 256개로 했다.
<보조전극의 시트 저항>
각 실시예 및 비교예에 사용한 보조전극의 시트 저항은, 5cm□의 유리 기판(OA-10; 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 제품) 상에 성막한 막두께 500㎚의 전극에 대하여 대변간의 전기 저항값을 측정했다. 측정에는 소스 미터(케이스레인 스트루먼츠 가부시키가이샤 2400)를 사용했다. 결과를 정리해서 표 1에 나타낸다.
<유기 EL층의 두께>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 유기 EL층의 두께는, 수정 발진식 막두께 모니터에 있어서의 표시값을 두께로 했다. 또, 수정 발진식 막두께 모니터는 미리 원자간력 현미경(AFM, 블루카사 Dimension Icon)을 사용해서 교정을 행했다.
<투명전극의 결함 관찰>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 투명전극의 결함 관찰은, 후술하는 각 실시예 및 비교예에서 작성한 소자의, 실온 23℃ 습도 45%에서 24시간 방치 후의 모양을 확인했다. 보조전극이나 유기 EL층에 부식이 관찰되었을 경우는, 투명전극에 결함 있음으로 판단했다.
<보조전극, 유기 EL층, 투명전극의 성막>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 보조전극의 성막은, 스퍼터링 장치(알벡사 제품 SH-450)를 사용했다. 각 성막 조건은 표 2에 나타낸다.
또, 은 코트 알루미늄 분말의 도포에는, 은 코트량 20질량%로 평균 입자지름(D50) 6㎛의 알루미늄 분말을, 에폭시 수지(미츠비시 카가쿠 가부시키가이샤 jER825)와 경화제(삼불화붕소 모노메틸아민)로 조제한 도전성 수지 조성물을 사용했다. 조제 방법으로서는, 은 코트 알루미늄 분말을 90질량부, 열경화성 성분으로서 에폭시 수지를 9.5질량부, 경화제를 0.5질량부가 되도록 배합하고, 쓰리 롤밀로 혼련했다. 그 후, 용제로서 부틸디글리콜아세테이트를 첨가해서 점도를 100Pa·s(1rpm)로 했다. 도전성 수지 조성물의 점도는, DV-III 점도계(Brookfield사 제품)를 사용해서 측정했다. 측정시의 콘으로서는 CP-52를 사용하고, 실온 23℃에서 1rpm 회전시의 점도를 측정했다. 평균 입자지름(D50)은 레이저 회절법에 의해 측정했다. 구체적으로는, 구상 분말의 시료 0.3g을 50ml 비이커에 칭량하고, 이소프로필알콜 30ml를 첨가한 후, 초음파 세정기(아즈원 가부시키가이샤 제품 USM-1)에 의해 5분간 처리함으로써 분산시키고, 마이크로트랙 입도분포 측정 장치(니키소 가부시키가이샤 제품의 마이크로트랙 입도분포 측정 장치 9320-HRAX-100)를 사용하여 평균 입자지름(D50)을 측정했다. 이와 같이 하여 얻어진 도전성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 도포하고, 기판을 180℃의 열풍건조기 중에서 60분간 가열해서 경화시켰다.
또한, 은 미립자의 도포에 있어서는 은 미립자 NB-01(NaBond사 제품) 80g, 분산제 DISPERBYK 140(빅케미 재팬 가부시키가이샤 제품) 4.06g, 용제 PGMEA 196.1g에 대하여, 호모지나이저로 1200rpm, 30분의 혼합 처리를 실시하여 혼합액을 얻었다. 또한, 그 혼합액을, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용해서 분산시켜 은 입자 분산체를 얻었다. 그 은 미립자 분산체 63.28g에 대하여 40질량% 알칼리 가용성 수지((메타)아크릴산 메틸) 4.40g, 광중합 개시제(일가큐어 OXE 01(BASF사 제품)) 0.41g, 아크릴 모노머(라이트아크릴레이트 PE-4A(쿄에이샤 카가쿠사 제품)) 1.30g,을 혼합한 것에 용제(PGMEA) 30.5g을 첨가하여 교반함으로써, 감광성 도전성 수지 조성물을 제작했다. 이와 같이 하여 얻어진 감광성 도전성 수지 조성물을, 기판 상에 스핀코터(미카사(주) 제품 1H-360S)를 사용해서 도포했다. 핫플레이트(다이니폰스크린 세이조(주) 제품 SCW-636)를 사용해서 90℃에서 2분간 프리베이크하고, 소망의 패턴으로 노광, 현상하고, 공기 중 250℃ 30분으로 경화를 행했다.
또한, 유기 EL층 및 투명전극의 성막은 증착 장치(알백 키코사 제품 VPC-1100)를 사용했다.
<보조전극의 조화 처리>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 보조전극의 조화 처리는, 플라즈마 처리 장치(히타치 하이 테크놀러지즈사 제품 SPC-100B+H)를 사용했다.
<감광성 수지 조성물의 조제>
각 실시예 및 비교예에서 사용한 감광성 수지 조성물 R-1∼R-5는, 다음과 같이 해서 조제했다. 또, 사용한 화합물 중 약어를 사용하고 있는 것에 대해서, 명칭을 이하에 나타낸다.
4-MOP: 4-메톡시페놀
AIBN: 2,2'-아조비스(이소부틸로니트릴)
BAHF: 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판
DBA: 디벤질아민
DFA: N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈
GBL: γ-부티로락톤
GMA: 메타크릴산 글리시딜
MAA: 메타크릴산
MAP: 3-아미노페놀; 메타아미노페놀
MeTMS: 메틸트리메톡시실란
NMP: N-메틸-2-피롤리돈
ODPA: 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2무수물; 옥시디프탈산 2무수물
PGME: 프로필렌글리콜모노메틸에테르
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
PhTMS: 페닐트리메톡시실란
PI: 폴리이미드
SiDA: 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산
STR: 스티렌
TCDM: 메타크릴산 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일; 디메틸올-트리시클로데칸디메타아크릴레이트
TMSSucA: 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물
<폴리실록산 용액(PS-1)의 합성>
3구 플라스크에, MeTMS를 28.95g(42.5mol%), PhTMS를 49.57g(50mol%), PGMEA를 74.01g 투입했다. 플라스크 내에 공기를 0.05L/min으로 흘리고, 혼합 용액을 교반하면서 오일배스에서 40℃로 가열했다. 혼합 용액을 더욱 교반하면서, 물 27.71g에 인산 0.442g을 녹인 인산 수용액을 10분 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 40℃에서 30분간 교반하여 실란 화합물을 가수분해시켰다. 가수분해 종료 후, PGMEA 8.22g에 TMSSucA 9.84g(7.5mol%)을 녹인 용액을 첨가했다. 그 후, 배스온을 70℃로 해서 1시간 교반한 후, 계속해서 배스온을 115℃까지 승온했다. 승온 개시 후, 약 1시간 후에 용액의 내온이 100℃에 도달하고, 거기에서 2시간 가열 교반했다(내온 100∼110℃). 2시간 가열 교반해서 얻어진 수지 용액을 빙욕에서 냉각한 후, 음이온 교환 수지 및 양이온 교환 수지를, 각각 수지 용액에 대하여 2질량% 첨가해서 12시간 교반했다. 교반 후, 음이온 교환 수지 및 양이온 교환 수지를 여과해서 제거하고, 폴리실록산 용액(PS-1)을 얻었다. 얻어진 폴리실록산의 Mw는 4,000이며, 카르복실산 당량은 910이었다.
<아크릴 수지 용액(AC-1)의 합성>
3구 플라스크에, AIBN을 0.821g(1mol%), PGMEA를 29.29g 투입했다. 다음에, MAA를 21.52g(50mol%), TCDM을 22.03g(20mol%), STR을 15.62g(30mol%) 투입하고, 실온에서 잠시동안 교반하여 플라스크 내를 버블링에 의해서 충분히 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 교반했다. 다음에, 얻어진 용액에, PGMEA를 59.47g에 GMA를 14.22g(20mol%), DBA를 0.676g(1mol%), 4-MOP를 0.186g(0.3mol%) 용해한 용액을 첨가하고, 90℃에서 4시간 교반하여 아크릴 수지 용액(AC-1)을 얻었다. 얻어진 아크릴 수지의 Mw는 15,000, 카르복실산 당량은 490이며, 이중결합 당량은 730이었다.
<폴리이미드 전구체(PIP-1)의 합성>
건조 질소기류 하, 3구 플라스크에, ODPA를 31.02g(0.10mol; 전체 카르복실산 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 100mol%), NMP를 150g 칭량해서 용해시켰다. 여기에, NMP 50g에 BAHF를 25.64g(0.070mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 56.0mol%), SiDA를 6.21g(0.0050mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 4.0mol%) 녹인 용액을 첨가하고, 20℃에서 1시간 교반하고, 이어서 50℃에서 2시간 교반했다. 다음에, 말단 밀봉제로서 NMP 15g에 MAP를 5.46g(0.050mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 40.0mol%) 녹인 용액을 첨가하고, 50℃에서 2시간 교반했다. 그 후, NMP 15g에 DFA를 23.83g(0.20mol)을 녹인 용액을 투입했다. 투입 후, 50℃에서 3시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 실온으로 냉각한 후, 반응 용액을 물 3L에 투입하고, 석출된 고체 침전을 여과해서 얻었다. 얻어진 고체를 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공건조기에서 24시간 건조하고, 폴리이미드 전구체(PIP-1)를 얻었다.
<폴리이미드(PI-1)의 합성>
건조 질소기류 하, 3구 플라스크에, BAHF를 31.13g(0.085mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 77.3mol%), SiDA를 6.21g(0.0050mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 4.5mol%), 말단 밀봉제로서 MAP를 2.18g(0.020mol; 전체 아민 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 9.5mol%), NMP를 150.00g 칭량해서 용해시켰다. 여기에, NMP 50.00g에 ODPA를 31.02g(0.10mol; 전체 카르복실산 및 그 유도체에 유래하는 구조단위에 대하여 100mol%) 녹인 용액을 첨가하고, 20℃에서 1시간 교반하고, 이어서 50℃에서 4시간 교반했다. 그 후, 크실렌 15g을 첨가하고, 물을 크실렌과 함께 공비하면서 150℃에서 5시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 용액을 물 3L에 투입하고, 석출된 고체 침전을 여과해서 얻었다. 얻어진 고체를 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공건조기에서 24시간 건조하여 폴리이미드(PI-1)를 얻었다.
<폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)의 합성>
건조 질소기류 하, 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산 41.3g(0.16몰)과, 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 43.2g(0.32몰)을 반응시켜서 디카르복실산 유도체의 혼합물을 얻었다. 얻어진 디카르복실산 유도체의 혼합물 0.16몰과 BAHF 73.3g(0.20몰)을 NMP 570g에 용해시키고, 그 후 75℃에서 12시간 반응시켰다. 다음에 NMP 70g에 용해시킨 5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물 13.1g(0.08몰)을 첨가하고, 12시간 더 교반해서 반응을 종료했다. 반응 혼합물을 여과한 후, 반응 혼합물을 물/메탄올=3/1(용적비)의 용액에 투입해서 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모아서 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공건조기에서 24시간 건조하여, 목적의 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)를 얻었다.
<감광제(B-1)의 합성>
건조 질소기류 하, TrisP-PA(상품명, 혼슈 카가쿠 고교(주) 제품) 21.22g(0.05몰)과 5-나프토퀴논디아지드술포닐산 클로라이드 36.27g(0.135몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시켜 실온으로 했다. 여기에, 1,4-디옥산 50g과 혼합한 트리에틸아민 15.18g을, 계내가 35℃ 이상으로 되지 않도록 적하했다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반했다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여과액을 물에 투입했다. 그 후, 석출한 침전을 여과로 모았다. 이 침전을 진공건조기로 건조시켜, 하기 식으로 나타내어지는 퀴논디아지드 화합물인 감광제(B-1)를 얻었다.
<감광성 수지 조성물 R-1의 조제>
황색등 아래, 산성기를 갖는 (A) 알칼리 가용성 수지로서 PI-1(10.0g), (B) 감광제로서 B-1(1.2g)을 (C) 유기용제인 PGME(32.0g)와 GBL(8.0g)에 첨가했다. 그 후, 얻어진 용액을 0.45㎛φ의 필터로 여과하고, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시인 감광성 수지 조성물 R-1을 얻었다.
<감광성 수지 조성물 R-2의 조제>
황색등 아래, 산성기를 갖는 (A) 알칼리 가용성 수지로서 PIP-1(10.0g), (B) 감광제로서 B-1(1.2g)을 (C) 유기용제인 PGME(32.0g)와 GBL(8.0g)에 첨가했다. 그 후, 얻어진 용액을 0.45㎛φ의 필터로 여과하고, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시인 감광성 수지 조성물 R-2를 얻었다.
<감광성 수지 조성물 R-3의 조제>
황색등 아래, 산성기를 갖는 (A) 알칼리 가용성 수지로서 PBO-1(10.0g), (B) 감광제로서 B-1(1.2g)을 (C) 유기용제인 PGME(32.0g)와 GBL(8.0g)에 첨가했다. 그 후, 얻어진 용액을 0.45㎛φ의 필터로 여과하고, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시인 감광성 수지 조성물 R-3을 얻었다.
<감광성 수지 조성물 R-4의 조제>
황색등 아래, 산성기를 갖는 (A) 알칼리 가용성 수지로서 PS-1(10.0g), (B) 감광제로서 B-1(1.2g)을 (C) 유기용제인 PGME(32.0g)와 GBL(8.0g)에 첨가했다. 그 후, 얻어진 용액을 0.45㎛φ의 필터로 여과하고, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시인 감광성 수지 조성물 R-4를 얻었다.
<감광성 수지 조성물 R-5의 조제>
황색등 아래, 산성기를 갖는 (A) 알칼리 가용성 수지로서 AC-1(10.0g), (B) 감광제로서 B-1(1.2g)을 (C) 유기용제인 PGME(32.0g)와 GBL(8.0g)에 첨가했다, 그 후, 얻어진 용액을 0.45㎛φ의 필터로 여과하고, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시인 감광성 수지 조성물 R-5를 얻었다.
<실시예 1∼19, 비교예 1∼7>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 투명전극의 시트 저항의 측정은, 도 4의 A∼F를 참조해서 순서를 설명한다. 또, 절연층 재료와 보조전극 재료의 조합은, 정리해서 표 3에 나타낸다. 비교예 1은 보조전극이 없는 예이다.
우선, 5cm□의 유리의 기판(1)(도 4의 A) 상에, 반사전극(2)으로서 AgPdCu(100㎚)를 스퍼터로 성막하고, 단부 각 2.5㎜를 남기도록 4.5×5㎝로 웨트 에칭으로 패터닝했다(도 4의 B). 그 후, 반사전극(2)의 공극을 메우도록 4.6×5㎝의 절연층(3)을 형성했다(도 4의 C). 이 때에는, 장래의 단락이나 단선을 막을 목적으로, 각 반사전극(2) 상 0.5㎜가 절연층(3)과 겹치는 형태로 했다. 또한, 표 2에 나타낸 방법으로 기판 상의 전면에 보조전극(4)을 막두께 500㎚로 성막했다. 또, 스퍼터용의 가스는 Ar을 사용하고, 성막 개시시의 가스압은 0.1Pa로 했다. 또한, 성막 중에 압력상승을 확인할 수 있었던 것은, 절연층의 내열성이 부족하다고 판단해서 표 2의 「스퍼터 중의 진공도」에 B라고 기재했다. 성막 중의 압력상승을 확인할 수 없었던 것은, 충분한 내열성을 갖고 있다고 해서 A라고 기재했다.
그 후, 감광성 레지스트로 레지스트 패턴을 형성하고, 웨트 에칭(조건은 표 4에 나타낸다)함으로써, 4×5㎝의 보조전극(4)을 형성한 기판(1)을 얻었다(도 4의 D). 또, 실시예 14에 대해서는, 감광성 도전성 수지 조성물인 보조전극 재료에 대하여 포토리소그래피법으로 패터닝을 행했다. 또한, 단면관찰에 의한 언더컷 유무의 확인 결과를 표 4에 병기했다. 언더컷의 원인으로서는, 절연층의 내에천트성 부족으로 판단했다.
다음에, 산소 플라즈마에 의한 조화 처리를 행했다. 조건과 처리 후의 최대높이(Rz)를 표 5에 나타낸다. 또, 비교예 1은 보조전극이 없고 조화 처리도 없을 경우, 비교예 2∼6은 보조전극이 있고 조화 처리가 없을 경우의 예이다.
이 후, 유기 EL층(5)으로서 하기 화학식으로 나타내어지는 유기 화합물(HT-1)을, 표 6에 나타낸 두께로 기판 전면에 증착했다(도 4의 E).
또한 투명전극(6)으로서 Mg 및 Ag를 체적비 9:1로, 기판(1) 전면에 20㎚ 증착했다(도 4의 F). 최후에, 절연층(3)과 같은 영역에 밀봉층으로서 SiO2를 500㎚ 증착했다. 또, 증착막의 막두께는 수정 발진식 막두께 모니터에 있어서의 표시값이다.
도 4의 F에 나타낸 바와 같이 투명전극의 대변간의 전기저항값을, 테스터(12)를 사용해서 시트 저항으로서 측정하고, 저항값이 10옴 이하로 충분히 작은 것은 보조전극과의 전기접속에 의해 특성 (A), 저항값이 10옴을 초과하고 30옴 이하인 것은 특성 (B), 저항값이 30옴을 초과하고 100옴 이하인 것은 특성 (C), 저항값이 100옴을 초과하는 것은 특성 (D)라고 판단하고, 표 6의 시트 저항의 란에 기재했다. 또한, 실시예 15에 있어서는, 보조전극 단부에서 투명전극이 일부 단선하고 있는 것을 확인했다. 또한 24시간 방치 후의 결함 관찰의 결과도 표 6의 「결함」에 병기했다. 투명전극에 결함없음을 A, 부분적으로 결함 있음을 B, 전면에 결함 있음을 C라고 했다.
1 : 기판
2 : 반사전극
3 : 절연층
4 : 보조전극
5 : 유기 EL층
6 : 투명전극
7 : 구동회로
8 : 평탄화층
9 : 밀봉층
10 : 편광층
11 : 자외선 흡수층
12 : 테스터
13 : 기재
2 : 반사전극
3 : 절연층
4 : 보조전극
5 : 유기 EL층
6 : 투명전극
7 : 구동회로
8 : 평탄화층
9 : 밀봉층
10 : 편광층
11 : 자외선 흡수층
12 : 테스터
13 : 기재
Claims (11)
- 기판, 및 당해 기판 상에 반사전극, 절연층, 보조전극, 유기 EL층, 및 투명전극을 갖고,
상기 절연층 상에 보조전극과, 유기 EL층과, 투명전극을 이 순서로 갖고,
상기 유기 EL층이, 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 갖고,
유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하인 유기 EL 표시 장치. - 기판, 유기 EL층, 및 투명전극을 이 순서로 갖고, 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극, 상기 반사전극의 공극에 형성된 절연층 및 당해 절연층 상에 보조전극이 있고, 유기 EL층 및 투명전극은 표시 에리어 전면을 덮고, 유기 EL층과 접하는 측의 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)가 30㎚ 이상 500㎚ 이하인 유기 EL 표시 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 30㎚ 이상 500㎚ 이하인 유기 EL 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
보조전극 상의 유기 EL층의 두께가 상기 보조전극의 표면조도에 있어서의 최대높이(Rz)보다 작은 유기 EL 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보조전극의 단부가 순테이퍼 형상인 유기 EL 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보조전극이 Ag, Al, Cu, Mo, 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기 EL 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보조전극이 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물의 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치. - 기판 상에 패터닝 가공된 반사전극을 형성하는 공정과, 당해 반사전극의 공극에 절연층을 형성하는 공정과, 당해 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정과, 당해 보조전극에 조화 처리를 실시하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 유기 EL층을 형성하는 공정과, 표시 에리어 전면을 덮는 투명전극을 형성하는 공정을 이 순서로 갖는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 조화 처리가 플라즈마 처리인 유기 EL 표시 장치의 제조 방법. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 절연층 상에 보조전극을 형성하는 공정이, 도포법에 의해 보조전극을 형성하는 공정인 유기 EL 표시 장치의 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 도포법에 의해 보조전극을 형성하는 공정이, 도전성 미립자를 함유하는 수지 조성물을 도포함으로써 보조전극을 형성하는 공정인 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
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