KR20230041620A - 열전도성 실리콘 조성물 - Google Patents
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- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 111
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 92
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract description 50
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 20
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 35
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 27
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 14
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 7
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- CRJSCSRODDRNDN-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)silane Chemical compound C#CC(C)(C)O[Si](C)(OC(C)(C)C#C)OC(C)(C)C#C CRJSCSRODDRNDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JSAYQGVHWNBMNG-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)-prop-1-enylsilane Chemical compound CC=C[SiH](OC(C#C)(C)C)OC(C#C)(C)C JSAYQGVHWNBMNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 4
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004970 Chain extender Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003493 decenyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000005066 dodecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCC)* 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005187 nonenyl group Chemical group C(=CCCCCCCC)* 0.000 description 2
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 2
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methylphenyl) thiocyanate Chemical compound CC1=CC(SC#N)=CC=C1O WEAMLHXSIBDPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100206195 Arabidopsis thaliana TCP2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100536570 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CCT2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008458 Si—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000003060 catalysis inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005417 glycidoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APCQAQGXFFBULX-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)-phenylsilane Chemical compound C#CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C#C)(OC(C)(C)C#C)C1=CC=CC=C1 APCQAQGXFFBULX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005065 undecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021355 zirconium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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-
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- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
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Abstract
본 발명은 높은 함유량으로 충전제를 포함하고, 경화 전에 점도가 낮고, 경화 후에 높은 접착 강도를 달성하는 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명에 따른 열전도성 실리콘 조성물은 (A) 규소 원자 결합 알케닐기를 2개 이상 가지는 오르가노폴리실록산, (B) 규소 원자 결합 수소 원자를 2개 이상 가지는 오르가노하이드로겐폴리실록산, (C) 열전도성 충전제: 조성물의 전체 질량을 기준으로 85 내지 95 질량%, (D) 백금족 금속계 촉매: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, 백금족 금속 원소가 50 질량부 이상, (E) 특정 구조를 가지는 경화 억제제: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여 0.3 내지 1 질량부, 및 (F) (MeViSiO2/2)의 구조 단위, 규소 원자 결합 알콕시기 및 에폭시기 함유 유기기를 가지는 폴리실록산: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여 5 내지 20 질량부를 포함한다.
본 발명에 따른 열전도성 실리콘 조성물은 (A) 규소 원자 결합 알케닐기를 2개 이상 가지는 오르가노폴리실록산, (B) 규소 원자 결합 수소 원자를 2개 이상 가지는 오르가노하이드로겐폴리실록산, (C) 열전도성 충전제: 조성물의 전체 질량을 기준으로 85 내지 95 질량%, (D) 백금족 금속계 촉매: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, 백금족 금속 원소가 50 질량부 이상, (E) 특정 구조를 가지는 경화 억제제: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여 0.3 내지 1 질량부, 및 (F) (MeViSiO2/2)의 구조 단위, 규소 원자 결합 알콕시기 및 에폭시기 함유 유기기를 가지는 폴리실록산: (A) 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여 5 내지 20 질량부를 포함한다.
Description
본 개시는 열전도성 실리콘 조성물에 관한 것이다.
최근, 고속으로 대용량의 정보를 다루는 전자 기기로부터의 발열을 효율적으로 방열하기 위해, 높은 열전도율의 서멀 인터페이스 재료가 요구되고 있다. 서멀 인터페이스 재료의 형태는 여러 가지가 있다. 접착제형의 서멀 인터페이스 재료에 있어서, 일반적으로, 높은 열전도율에 더하여, 밀착 대향하는 면에 대한 충분한 추종성을 확보하기 위해 경화 전의 저점도, 및 경화 후의 대향면 간의 높은 접착 강도를 가질 것이 동시에 요구된다. 높은 열전도율을 갖는 서멀 인터페이스 재료를 얻는 기본적인 지침 중 하나는 높은 열전도성의 충전제를 높은 함유량으로 수지 성분에 충전하는 것이다. 미세한 충전제를 높은 함유량으로 수지 성분 중에 균일하게 분산시키기 위해서는, 높은 전단력으로 수지 성분과 충전제를 혼합하는 것이 필요한 경우가 있다. 그리고, 이러한 혼합은 혼합물의 자연 발열을 일으킨다.
특허문헌 1(일본 특허공개 2015-4043호 공보)에는 하나의 분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 오르가노폴리실록산과 규소 원자에 결합된 수소 원자를 하나의 분자 중에 2개 이상 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산을 백금족 금속 촉매의 존재 하에서 히드로실릴화 반응시키는 타입의 열전도성 실리콘 조성물이 기재되어 있다. 특허문헌 1에는 열전도성 실리콘 조성물이 아세틸렌알코올류 등의 아세틸렌 화합물, 질소 화합물, 유기 인 화합물, 옥심 화합물 및 유기 클로로 화합물로부터 선택되는 억제제를 포함할 수 있는 것도 기재되어 있다. 특허문헌 1의 실시예에는, 하나의 분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 오르가노폴리실록산의 질량에 대하여, 9 ppm 이하의 백금 원소 함량의 백금족 금속 촉매가 사용된 것이 기재되어 있다. 그러나, 충전제를 높은 함유량으로 포함하는 열전도성 실리콘 조성물이 조제되는 경우에는 열전도성 실리콘 조성물 중에 경화 억제제가 존재하더라도, 혼합에 따른 자연 발열에 의해 히드로실릴화 반응이 부분적으로 진행되어, 저점도의 조성물을 얻기 어렵다는 문제가 발생하였다.
따라서, 분자 내에 에티닐기 또는 비닐기를 갖는 경화 억제제를 통상적인 양보다 많게 열전도성 실리콘 조성물에 첨가함으로써, 혼합에 따른 자연 발열에 기인하는 이 문제의 해결을 시도하였다. 분자 내에 에티닐기 또는 비닐기를 갖는 경화 억제제는 공지되어 있으며, 예를 들면, 특허문헌 2(일본 특허공고 쇼와 64-2627호 공보)에는 에티닐기를 3개 갖는 실란 화합물이 기재되어 있다. 특허문헌 3(미국 특허 제3,445,420호 명세서)에는 3-메틸-1-부틴-3-올, 및 C6H5Si(OCH2C≡CH)3 등의 화합물이 기재되어 있다. 특허문헌 4(일본 특허공고 헤이세이 1-12786호 공보)에는 1개 또는 2개의 에티닐기를 갖는 유기 규소 화합물이 기재되어 있다. 특허문헌 5(일본 특허공고 쇼와 53-35983호 공보)에는 백금 촉매 억제제로서, 아세틸렌성 실란이 기재되어 있다. 특허문헌 6(일본 특허공개 헤이세이 9-143371호 공보)에는 부가 반응 억제제로서 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란이 기재되어 있다. 특허문헌 7(일본 특허공표 2009-523856호 공보)에는 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 내지 4개 갖는 실릴화 아세틸렌 저해제의 일반식이 기재되어 있다.
그러나, 경화 억제제의 종류에 따라서는 열전도성 실리콘 조성물에 다량의 경화 억제제를 첨가할 필요가 있었다. 이 경우, 경화물의 열전도성이 저하되는 문제가 생기는 경우가 있었다. 게다가, 이 경우, 증대된 양의 경화 억제제에 따라 백금속 금속계 촉매의 양을 증대시켰다고 하더라도, 경화물의 충분한 다이 전단 강도가 얻어지지 않는 경우가 있다고 하는 문제도 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 열전도성 충전제를 높은 함유량으로 포함하고, 경화 전에 점도가 낮고, 또한 경화 후에 높은 접착 강도를 발생시키는 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시형태는 하기 (A) 내지 (F) 성분
(A) 규소 원자에 결합된 알케닐기를 하나의 분자 중에 2개 이상 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 갖지 않는 오르가노폴리실록산,
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 하나의 분자 중에 2개 이상 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산: 상기 (A) 성분 중의 규소 원자에 결합된 알케닐기 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자가 0.1 내지 2.5 몰이 되는 양,
(C) 열전도성 충전제: 열전도성 실리콘 조성물의 전체 질량을 기준으로 85 내지 95 질량%가 되는 양,
(D) 백금족 금속계 촉매: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, 이 (D) 성분 중의 백금족 금속 원소가 적어도 50 질량부가 되는 양,
(E) 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물 및 하기 일반식 (II)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 경화 억제제: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.3 내지 1 질량부가 되는 양,
(상기 일반식 (I)에서, n은 0 또는 1이고, n이 0인 경우, R1은 존재하지 않고; R1은 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R2와 R3은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있고;
상기 일반식 (II)에 있어서, R4는 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R5와 R6은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있음), 및
(F) 규소 원자에 결합된 알콕시기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, (MeViSiO2/2)(식중, Me는 메틸기를, Vi는 비닐기를 나타냄)의 구조 단위를 가지고, 하나의 분자 당 비닐기의 질량 분율 1 내지 20 질량%를 갖는 폴리실록산인 접착 부여제: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 5 내지 20 질량부가 되는 양
을 함유하는 열전도성 실리콘 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서는, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, (D) 성분 중의 백금족 금속 원소가 60 질량부 내지 420 질량부가 되는 양이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 일반식 (I)로 표시되는 화합물 및 일반식 (II)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되고, 일반식 (I)에서, R1, R2, 및 R3이 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되고, 및 일반식 (II)에 있어서, R4, R5, 및 R6이 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택된다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 -20℃ 이하의 융점을 갖는다. 이 실시형태에서는, 저온 보관 시에도 경화 억제제의 결정화에 의한 석출이 일어나지 않고, 경화 억제제가 균일하게 시스템 내에 분산 유지되게 한다는 목적도 달성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 200℃ 이상의 비점을 갖는다. 이 실시형태에서는, 경화 억제제의 휘발성이 낮기 때문에, 안정된 경화 억제 작용을 발현하고, 열전도성 충전제를 혼합한 후의 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 안정되게 한다는 목적도 달성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 및 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 열전도성 충전제가 무색 및 백색 이외의 색을 갖는다. 일반적으로, 상기 농도의 백금족 금속계 촉매와 상기 농도의 경화 억제제의 조합에서는 실리콘 성분이 갈색 내지 검은색으로 변색된다. 따라서, 이 실시형태에서는, 열전도성 충전제가 무색 및 백색 이외의 색을 가짐에 따라, 열전도성 실리콘 조성물의 색감을 안정화시킨다는 목적도 달성할 수 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 경화 전에 점도가 낮고, 또한 경화 후에 높은 접착 강도 및 높은 열전도율을 발생시키는 효과를 나타낸다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 (A) 성분은 규소 원자에 결합된 알케닐기를 하나의 분자 중에 2개 이상 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 갖지 않는 오르가노폴리실록산이다. 이러한 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기 등의 탄소수 2 내지 12의 알케닐기가 예시되고, 바람직하게는 비닐기이다. 또한, (A) 성분 중, 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합된 기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 탄소수 7 내지 12의 아랄킬기; 및, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시될 수 있다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산이, 규소 원자에 결합된 알케닐기를 하나의 분자 중에 2개 이상 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 갖지 않는 한, (A) 성분의 분자 구조는 한정되지 않고, 예를 들면, 직쇄형, 일부 분지를 갖는 직쇄형, 환형, 분지쇄형, 또는 삼차원 망형 구조일 수 있다. 일 실시형태에서는, (A) 성분의 분자 구조는 직쇄형, 또는 일부 분지를 갖는 직쇄형이고, 바람직하게는 직쇄형이다. (A) 성분은 이러한 분자 구조를 갖는 단일 중합체, 이러한 분자 구조를 포함하는 공중합체, 또는 이들 중합체의 2종 이상의 혼합물일 수 있다. 또한, 일 실시형태에서는, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위 내에서, 소량의 수산기나 알콕시기가 (A) 성분의 분자 중의 규소 원자에 결합될 수 있다. 다른 실시형태에서는, (A) 성분은 규소 원자에 결합된 수산기 및 알콕실기를 포함하지 않는다. 일 실시형태에서는, (A) 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자를 하나의 분자 중에 2개 이상 포함하지 않는다. 다른 실시형태에서는, (A) 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자를 포함하지 않는다.
직쇄형 오르가노폴리실록산으로는, 예를 들면, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 일 실시형태에서는, (A) 성분은 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산이다. 또한, 이와 같은 오르가노폴리실록산은 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 소량의 수산기나 알콕시기가 분자 중의 규소 원자에 결합될 수 있다.
일 실시형태에서는, 분지쇄형 또는 삼차원 망형 구조의 오르가노폴리실록산으로는, 예를 들면, 식: R7 3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 식: R7 2R8SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 및 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 레진을 들 수 있다.
식중, R7은 동일하거나 상이하고, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이고, 이 1가 탄화수소기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 탄소수 7 내지 12의 아랄킬기; 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시될 수 있다. 일 실시형태에서는, R7은 메틸기이다.
식중, R8은 탄소수 2 내지 12의 알케닐기이고, 이 알케닐기로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 및 도데세닐기 등이 예시될 수 있다. 일 실시형태에서는, R8은 비닐기이다.
이 오르가노폴리실록산 레진은 식: R7 3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 식: R7 2R8SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 및 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하지만, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 식: R7SiO3/2로 표시되는 실록산 단위를 포함할 수 있다. 또한, 이와 같은 오르가노폴리실록산 레진은 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위에서, 소량의 수산기나 알콕시기가 분자 중의 규소 원자에 결합될 수 있다.
(A) 성분의 점도는 특별히 한정되지 않지만, 본 조성물의 취급 작업성이 양호하다는 관점에서, (A) 성분의 25℃에서의 점도가, 바람직하게는 20 내지 2000 mPa·s의 범위 내이고, 더욱 바람직하게는 500 내지 1500 mPa·s의 범위 내이다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 (B) 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자를 하나의 분자 중에 2개 이상 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산이다. (B) 성분은 가교제 및/또는 사슬 연장제 등으로 기능할 수 있다. (B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 결합 위치는 한정되지 않고, 그 결합 위치는 오르가노하이드로겐폴리실록산의 분자쇄 말단이거나, 분자쇄 측쇄일 수 있고, 분자쇄 말단 및 분자쇄 측쇄 둘 모두일 수 있다. (B) 성분의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 직쇄형, 일부 분지를 갖는 직쇄형, 분지쇄형, 환형, 또는 삼차원 망형 구조일 수 있다. 일 실시형태에서는, (B) 성분의 분자 구조는 직쇄형, 또는 일부 분지를 갖는 직쇄형일 수 있다. (B) 성분은 이러한 분자 구조를 갖는 단일 중합체, 이러한 분자 구조를 포함하는 공중합체, 또는 이들 중합체의 2종 이상의 혼합물일 수 있다. (B) 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자에 더하여, 규소 원자에 결합된 유기기를 포함한다. 일 실시형태에서는, 본 발명의 목적을 손상하지 않는 범위 내에서, 소량의 수산기나 알콕시기가 (B) 성분의 분자 중의 규소 원자에 결합될 수 있다. 일 실시형태에서는, (B) 성분은 규소 원자에 결합된 수산기 및 알콕실기를 포함하지 않는다. 일 실시형태에서는, (B) 성분은 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 포함하지 않는다.
(B) 성분에 포함되는 규소 원자에 결합된 유기기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소수 7 내지 12의 아랄킬기; 및, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기, 예를 들면, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐으로 치환된 상기 알킬기가 예시될 수 있고, 바람직하게는 메틸기를 들 수 있다.
예를 들면, (B) 성분으로는, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, 환형 메틸하이드로겐폴리실록산, 식: R9 3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 식: R9 2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 및 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 공중합체, 식: R9 2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 및 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 공중합체, 식: R9HSiO2/2로 표시되는 실록산 단위, 및 식: R9SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 식: HSiO3/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 공중합체, 및 이들 오르가노폴리실록산의 2종 이상의 혼합물이 예시될 수 있다. 한편, 식중, R9는 탄소원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기이고, 바람직하게는 메틸기이다.
일 실시형태에서는, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물 중의 (B) 성분의 함유량은 (A) 성분 중의 규소 원자에 결합된 알케닐기 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자가, 바람직하게는 0.1 내지 2.5 몰이 되는 양이고, 더욱 바람직하게는 0.7 내지 2.5 몰이 되는 양이다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 (C) 성분은 열전도성 충전제이다. 본 발명의 일 실시형태에서는, (C) 성분으로서의 열전도성 충전제는 열전도성 실리콘 조성물의 전체 질량을 기준으로, 바람직하게는 85 내지 95 질량%가 되는 양으로, 더욱 바람직하게는 87 내지 93 질량%가 되는 양으로, 보다 바람직하게는 89 내지 91 질량%가 되는 양으로, 열전도성 실리콘 조성물에 포함될 수 있다. 본 명세서에 있어서, “열전도성 실리콘 조성물의 전체 질량을 기준으로”란 열전도성 실리콘 조성물에 포함되는 열전도성 충전제의 양을 특정할 때에, 열전도성 실리콘 조성물에 포함되는 모든 성분의 합계 질량을 기준으로, 열전도성 충전제의 질량%가 산출되는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시형태에서는, (C) 성분으로서의 열전도성 충전제는 열전도성 실리콘 조성물의 전체 부피를 기준으로, 바람직하게는 68 내지 90 부피%가 되는 양으로, 더욱 바람직하게는 73 내지 85 부피%가 되는 양으로, 보다 바람직하게는 76 내지 80 부피%가 되는 양으로, 열전도성 실리콘 조성물에 포함될 수 있다. 여기서, 부피%는 25℃에서의 부피%이다. 본 명세서에 있어서, “열전도성 실리콘 조성물의 전체 부피를 기준으로”란 열전도성 실리콘 조성물에 포함되는 열전도성 충전제의 양을 특정할 때에, 열전도성 실리콘 조성물 전체의 부피에 근거하여, 열전도성 충전제의 부피%가 산출되는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시형태에서는, (C) 성분으로서의 열전도성 충전제는 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 850 내지 2000 질량부가 되는 양이고, 더욱 바람직하게는 1000 내지 1600 질량부가 되는 양이고, 보다 바람직하게는 1100 내지 1500 질량부가 되는 양이다.
(C) 성분은 단일종의 열전도성 충전제일 수 있고, 입자 형상, 평균 입자직경, 입자직경 분포, 및 충전제의 종류 등의 적어도 하나의 특성이 상이한 2종 이상의 열전도성 충전제의 조합일 수 있다. 일 실시형태에서는, 열전도성 충전제의 혼합물이 사용될 수 있다. 이 경우, 동일한 화학 물질로 구성되거나 상이한 화학 물질로 구성될 수 있는, 평균 입자직경이 상이한 복수의 열전도성 충전제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에서는, 보다 큰 평균 입자직경을 갖는 제1 열전도성 충전제, 및 제1 충전제보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제2 열전도성 충전제가 사용될 수도 있다. 또한, 예를 들면, 일 실시형태에서는, 보다 큰 평균 입자직경을 갖는 제1 열전도성 충전제, 제1 충전제보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제2 열전도성 충전제, 및 제2 충전제보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제3 열전도성 충전제가 사용될 수도 있다. 평균 입자직경이 상이한 복수의 열전도성 충전제를 사용함에 따라, 열전도성 실리콘 조성물에서의 열전도성 충전제의 충전 효율을 향상시킬 수 있고, 점도를 저감시킬 수 있고, 열전도성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에서는, 보다 큰 평균 입자직경을 갖는 제1 알루미늄 충전제, 및 보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제2 알루미늄 충전제의 조합이 사용될 수도 있다. 일 실시형태에서는, 보다 큰 평균 입자직경을 갖는 제1 알루미늄 충전제, 보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제2 알루미늄 충전제, 및 제2 알루미늄 충전제의 평균 입자직경보다 작은 평균 입자직경을 갖는 제3 산화 아연 충전제 및/또는 산화 알루미늄 충전제의 조합이 사용될 수도 있다.
열전도성 충전제 입자의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 열전도성 충전제가 원형 또는 구형인 경우에는 높은 함유량의 열전도성 충전제에 기인하는 바람직하지 않은 수준까지의 점도의 증대가 억제될 수 있다. 열전도성 충전제의 평균 입자직경은 열전도성 충전제의 종류 및 양, 및 열전도성 실리콘 조성물의 경화물이 이용되는 디바이스의 결합부의 두께를 비롯한, 각종 요인에 의존한다. 일 실시형태에서는, 열전도성 충전제는 바람직하게는 0.1 내지 80 마이크로미터, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 50 마이크로미터, 또는 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 마이크로미터의 범위의 평균 입자직경을 가질 수 있다.
(C) 성분으로서, 본 발명의 목적에 반하지 않는 한, 임의의 공지의 열전도성 충전제가 사용될 수 있다. 열전도성 충전제를 구성하는 재료로는, 예를 들면, 이하의 재료를 들 수 있다: 금속, 예를 들면 비스무트, 납, 주석, 안티몬, 인듐, 카드뮴, 아연, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 철, 및 금속 규소; 합금, 예를 들면, 비스무트, 납, 주석, 안티몬, 인듐, 카드뮴, 아연, 은, 알루미늄, 철 및 금속 규소로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상의 금속으로 이루어지는 합금; 금속 산화물, 예를 들면, 산화 알루미늄, 실리카(SiO2), 실리카겔, 산화 아연, 산화 규소, 산화 마그네슘, 산화 베릴륨, 산화 크롬, 및 산화 티탄; 금속 수산화물, 예를 들면, 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄, 수산화 바륨, 및 수산화 칼슘; 금속 질화물, 예를 들면, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 및 질화 규소; 금속 탄화물, 예를 들면, 탄화 규소, 탄화 붕소, 및 탄화 티탄; 금속 규화물, 예를 들면, 규화 마그네슘, 규화 티탄, 규화 지르코늄, 규화 탄탈, 규화 니오브, 규화 크롬, 규화 텅스텐, 및 규화 몰리브덴; 탄소, 예를 들면, 다이아몬드, 그래파이트, 풀러렌, 카본 나노 튜브, 그래핀, 활성탄, 무정형 카본 블랙; 연자성 합금, 예를 들면, Fe-Si 합금, Fe-Al 합금, Fe-Si-Al 합금, Fe-Si-Cr 합금, Fe-Ni 합금, Fe-Ni-Co 합금, Fe-Ni-Mo 합금, Fe-Co 합금, Fe-Si-Al-Cr 합금, Fe-Si-B 합금, 및 Fe-Si-Co-B 합금; 및, 페라이트, 예를 들면, Mn-Zn 페라이트, Mn-Mg-Zn 페라이트, Mg-Cu-Zn 페라이트, Ni-Zn 페라이트, Ni-Cu-Zn 페라이트, 및 Cu-Zn 페라이트. 바람직하게는 (C) 성분은 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 산화 아연, 산화 마그네슘, 알루미늄, 은 및 구리로 이루어지는 군에서 선택되는 재료로 구성된 열전도성 충전제일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 열전도성 충전제가 무색 및 백색 이외의 색을 가질 수 있다. 무색 및 백색 이외의 색을 갖는 열전도성 충전제로는, 예를 들면, 상술한 구체적으로 열거된 재료로부터 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 무색 및 백색 이외의 색을 갖는 열전도성 충전제로는, 그래파이트, 은, 알루미늄, 질화 붕소, 및 질화 알루미늄 등을 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
(D) 성분은 백금족 금속계 촉매이다. 백금족 금속계 촉매는 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 경화를 촉진시키기 위한 히드로실릴화 반응용 촉매로서 기능한다. 성분 (D)의 백금족 금속계 촉매는 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴 및 이리듐으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 백금족 원소를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서는, (D) 성분으로는, 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 및 팔라듐계 촉매가 예시될 수 있다. 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 경화 촉진이라는 관점에서, (D) 성분으로는, 백금계 촉매가 바람직하다. 백금계 촉매로는, 백금 미분말, 염화 백금산, 염화 백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착물, 백금-올레핀 착물, 백금-카르보닐 착물이 예시될 수 있다. 백금-알케닐실록산 착물의 알케닐실록산으로는, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸기의 일부를 에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산, 이들 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산이 예시될 수 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에 있어서 (D) 성분의 함유량은 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, (D) 성분 중의 백금족 금속 원소가 적어도 50 질량부가 되는 양이고, 바람직하게는 50 질량부 내지 220 질량부가 되는 양이다. 본 발명에 있어서의 (D) 성분의 함유량은 특허문헌 1(일본 특허공개2015-4043호 공보)에 개시된 바와 같은 종래 기술의 열전도성 실리콘 조성물에서 일반적으로 사용되는 백금족 금속 촉매의 양보다 상당히 많은 양이다. 이것은 후술하는 (E) 성분의 양이, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.3 내지 1 질량부인 경우에, 적절하게 히드로실릴화 반응을 수행할 수 있는 양이다. 본 발명의 조성물에서는, (D) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 미만인 경우에는, 경화물의 충분한 다이 전단 강도가 얻어지지 않는 경우가 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에 있어서 (E) 성분은 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물 및 하기 일반식 (II)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 경화 억제제이다:
일반식 (I)에서, n은 0 또는 1이고, n이 0인 경우, R1은 존재하지 않고; R1은 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R2와 R3은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있다;
일반식 (II)에서, R4는 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R5와 R6은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있다.
일반식 (I) 및 일반식 (II)에서의 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6의 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로는, 각각 독립적으로, 예를 들면, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 및 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 일반식 (I) 및 일반식 (II)에서는, 특별히 지정되지 않는 한, R1 내지 R6의 탄화수소기로서의 알킬기, 알케닐기, 및 알키닐기는 직쇄, 분지쇄 또는 환식 구조 중 어느 것이어도 무방하고, 치환기로서 방향족 탄화수소기를 가질 수 있다. 일반식 (I) 및 일반식 (II)에서는 R1 내지 R6의 탄화수소기로서의 알킬기, 알케닐기 및 알키닐기가 치환기를 가지는 경우에는 치환기도 포함한 알킬기, 알케닐기 및 알키닐기의 탄소수가 10 이하이다. 일반식 (I) 및 일반식 (II)에서는, 특별히 지정되지 않는 한, R1 내지 R6의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는 치환기로서 알킬기, 알케닐기 및 알키닐기를 가질 수 있다. 일반식 (I) 및 일반식 (II)에서는, R1 내지 R6의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기가 치환기를 가지는 경우에는 치환기를 포함한 방향족 탄화수소기의 탄소수가 10 이하이다.
일 실시형태에서는, 일반식 (I)에서의 R1 및 일반식 (II)에서의 R4는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 페닐기, 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 에티닐기, 및 2-프로피닐기로 이루어지는 군에서 선택되고, 일반식 (I)에서의 R2 및 R3, 및 일반식 (II)에서의 R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 페닐기, 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 에티닐기, 및 2-프로피닐기로 이루어지는 군에서 선택된다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (I)에서의 R1이 알케닐기 또는 알키닐기, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 에티닐기, 및 2-프로피닐기로 이루어지는 군에서 선택되고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소, 알킬기 및 방향족 탄화수소기로부터, 바람직하게는 수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 및 페닐기로부터 선택된다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (II)에서의 R4이 알케닐기 또는 알키닐기, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 에티닐기, 및 2-프로피닐기로 이루어지는 군에서 선택되고, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소, 알킬기 및 방향족 탄화수소기로부터, 바람직하게는 수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 및 페닐기로부터 선택된다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (I)에서, R1, R2 및 R3이 각각 독립적으로, 알킬기 및 방향족 탄화수소기로부터, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 및 페닐기로부터 선택된다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (II)에서, R4, R5 및 R6이 각각 독립적으로, 알킬기 및 방향족 탄화수소기로부터, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 및 페닐기로부터 선택된다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (I)에서 R1, R2, 및 R3이 각각 메틸기이다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (II)에서 R4, R5, 및 R6이 각각 메틸기이다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (I)에서, R2와 R3은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있고, R2와 R3이 서로 연결되어 형성되는 지환식 환은 바람직하게는 5 내지 7원환이고, 더욱 바람직하게는 6원환이다. 다른 실시형태에서는, 일반식 (II)에서, R5와 R6은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있고, R5와 R6이 서로 연결되어 형성되는 지환식 환은 바람직하게는 5 내지 7원환이고, 더욱 바람직하게는 6원환이다. 또한, 일반식 (I)에서 R2와 R3이 서로 연결되어 형성되는 지환식 환, 및 일반식 (II)에서 R5와 R6이 서로 연결되어 형성되는 지환식 환은 치환기를 가질 수 있고, 이 치환기는 바람직하게는 알킬기이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제로는, 예를 들면, 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 테트라(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 디비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 에틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 에틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 프로필트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 프로필비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 페닐 트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 페닐비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 메틸트리스(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 메틸비닐비스(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 테트라(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 디비닐비스(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 에틸트리스(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 에틸비닐비스(3-메틸-1-펜틴-3-옥시)실란, 메틸트리스(시클로헥실-1-에틴-1-옥시)실란, 메틸비닐비스(시클로헥실-1-에틴-1-옥시)실란, 테트라(시클로헥실-1-에틴-1-옥시)실란, 디비닐비스(시클로헥실-1-에틴-1-옥시)실란 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 열전도성 실리콘 조성물 중의 (E) 성분의 양은 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.3 내지 1 질량부가 되는 양이고, 바람직하게는 0.5 내지 1 질량부가 되는 양이고, 더욱 바람직하게는 0.7 내지 1 질량부가 되는 양이다. (E) 성분의 양이 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.3 질량부보다 적은 경우에는 경화 억제제의 효과가 불충분하게 되고, 열전도성 충전제와 다른 성분의 혼합 시에, 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 높아지고, 또한 경화물의 충분한 다이 전단 강도가 얻어지지 않는 경우가 있다. (E) 성분의 양이 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 1 질량부보다 많은 경우에는 (D) 성분의 백금족 금속계 촉매가 실활하여, 열전도성 실리콘 조성물의 경화 불량이 발생하는 경우가 있다.
어떠한 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 본 발명에서는 (E) 성분이, 상기 일반식 (I)로 특정되는 바와 같이 하나의 분자 중에 에티닐기를 3개 이상 가짐에 따라, 또는 상기 일반식 (II)로 특정되는 바와 같이 하나의 분자 중에 에티닐기를 2개 이상 및 비닐기를 1개 이상 가짐에 따라, 열전도성 실리콘 조성물의 경화가 기대되지 않는 조건 하에서, 예를 들면, 경화 온도 미만의 조건 하에서 (E) 성분이 경화 억제제로서 기능하는 한편, 열전도성 실리콘 조성물의 경화 조건 하에서는 (E) 성분은 가교제로서 SiH 기와 반응하여, 수지 강도를 향상시키고, 또한 열전도성 실리콘 조성물의 경화물의 접착 강도를 향상시킨다고 생각된다. 그리고, 어떠한 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 경화 억제제인 (E) 성분이 가교제로서도 기능하므로, 열전도성 실리콘 조성물에 추가 성분으로서 첨가되는 가교제의 양을 저감할 수 있고, 열전도성 실리콘 조성물 중에 포함되는 열전도성 충전제의 비율을 높일 수 있고, 결과적으로 열전도성 실리콘 조성물의 경화물의 접착 강도를 유지하면서, 열전도율을 높일 수 있다고 생각된다.
본 발명의 일 실시형태에서는, (E) 성분의 하나의 분자 중에 포함되는 에티닐기 및 비닐기의 합계 질량 분율이, 에티닐기 1개를 비닐기 2개분으로 환산한 경우의 비닐기의 합계 질량 분율로서, 하나의 분자 당, 바람직하게는 45 질량% 이상, 및 보다 바람직하게는 50 질량% 이상이다. 어떠한 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 이 실시형태에서는, (E) 성분이 높은 질량 분율로 에티닐기 및 경우에 따라서는 비닐기를 가지므로, 열전도성 실리콘 조성물의 실리콘 성분 당의 가교수를 증대시킬 수 있고, 결과적으로, 본 발명이 발휘하는 상기 효과를 달성할 수 있다고 생각된다.
일반식 (I) 또는 일반식 (II)로 표시되는 화합물은 공지의 합성 방법, 예를 들면, 특허문헌 7(일본 특허공표 2009-523856호 공보), 및 특허문헌 8(유럽 특허출원공개 제0764703A2호 명세서) 등에 개시되는 방법에 따라 합성될 수 있다. 예를 들면, 일반식 (I)의 화합물의 경우에는 R1 nSiCl4-n과 HO-CR2R3-C≡CH를 반응시키는 알코올의 실릴화 반응에 의해 조제될 수 있다. 또한, 예를 들면, 일반식 (II)의 화합물의 경우에는 R4(CH2=CH-)SiCl2와 HO-CR5R6-C≡CH를 반응시키는 알코올의 실릴화 반응에 의해 조제될 수 있다. 이러한 예시의 반응에 있어서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 n은 상술한 바와 같다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 -20℃ 이하의 융점을 갖는다. -20℃ 이하의 융점을 갖는 경화 억제제로는, 예를 들면, 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란 등을 들 수 있다. 한편, 본 발명에서의 융점이란 1 기압에서의 융점이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 경화 억제제가 200℃ 이상의 비점을 갖는다. 200℃ 이상의 비점을 갖는 경화 억제제로는, 예를 들면, 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란(비점: 250℃) 등을 들 수 있다. 한편, 본 발명에서의 비점이란 1기압에서의 비점이다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 성분 (F)는 접착 부여제이다. 일 실시형태에서는, 본 발명의 접착 부여제는 규소 원자에 결합된 알콕시기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, (MeViSiO2/2)(식중, Me는 메틸기를, Vi는 비닐기를 나타냄)의 구조 단위를 가지고, 하나의 분자 당 비닐기의 질량 분율 1 내지 20 질량%를 갖는 폴리실록산이다. 성분 (F)의 폴리실록산의 하나의 분자 당 비닐기의 질량 분율은 바람직하게는 1 내지 20 질량%이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 10 질량%이다. 접착 부여제는 기재에 대한 열전도성 실리콘 조성물의 접착성을 향상시킬 수 있는 기능을 갖는다. 어떠한 이론에 구속되기를 바라는 것은 아니지만, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에서는, 접착 부여제는 비닐기를 갖는 구조 단위를 일정량 이상으로 폴리실록산 사슬 중에 가지고 있으며, 또한 접착 부여제의 사용량도 일반적인 사용량(조성물의 경화 속도에 유의미한 영향을 미치지 않는 양, 예를 들면, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량의 2 질량% 정도)보다 많으므로, Pt에 배위되는 접착 부여제의 비닐기의 수가 많아지고, 그 결과, 열전도성 실리콘 조성물의 경화 지연을 초래하는 것이라 생각된다.
성분 (F)의 폴리실록산에 포함되는 알콕시기로는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 메톡시에톡시기를 들 수 있지만, 메톡시기가 바람직하다. 본 명세서에서는, “규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기”란, 에폭시기 함유 유기기의 탄소 원자를 통해 규소 원자에 결합되어 있는 에폭시 함유 유기기를 말한다. 본 발명의 일 실시형태에 있어서, “에폭시기 함유 유기기”는 옥시란 고리를 함유하는 유기기이고, 바람직하게는 옥시란 고리를 함유하는 알킬기이다. 에폭시기 함유 유기기로는, 예를 들면, 2-글리시독시에틸기, 3-글리시독시프로필기, 및 4-글리시독시부틸기 등의 글리시독시알킬기; 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸기, 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필기 등의 에폭시시클로헥실알킬기; 및, 3,4-에폭시부틸기(4-옥시라닐부틸기라고도 함), 및 7,8-에폭시옥틸기(8-옥시라닐옥틸기라고도 함) 등의 옥시라닐알킬기를 들 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 접착 부여제로서의 폴리실록산의 규소 원자에 결합되는 알콕시기, 및 에폭시기 함유 유기기 이외의 기로는, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화 알킬기 등의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기; 3-메타크릴옥시프로필기 등의 (메타)아크릴기 함유 1가 유기기; 수소 원자가 예시될 수 있다. 접착 부여제로서의 폴리실록산의 분자 구조로는, 직쇄형, 일부 분지를 갖는 직쇄형, 분지쇄형, 환형, 망형이 예시되고, 특히, 직쇄형, 분지쇄형, 망형인 것이 바람직하다. 여기서, 본 명세서에 있어서, 용어 “(메타)아크릴”이란 아크릴 및 메타크릴 중 어느 하나, 또는 둘 모두를 의미한다. 또한, 본 명세서에서 성분 (F)에 관한 용어 “폴리실록산”은 실록산 폴리머뿐만 아니라, 실록산 올리고머도 포함한다.
접착 부여제로서의 성분 (F)의 폴리실록산은 (MeViSiO2/2)(식중, Me는 메틸기를, Vi는 비닐기를 나타냄)의 구조 단위에 더하여, 본 발명의 목적에 반하지 않는 한, 임의의 구조 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 접착 부여제로는, 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체 올리고머, 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 메틸비닐실록산 올리고머 등의 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 비닐기 및 메틸기 함유 디오르가노실록산 올리고머와, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란이나 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 알콕시실란과의 반응 혼합물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 (F) 성분은 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체 올리고머, 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 메틸비닐실록산 올리고머 등의 분자쇄 양 말단 실라놀기 봉쇄 비닐기 및 메틸기 함유 디오르가노실록산 올리고머와 에폭시기 함유 알콕시실란과의 반응 혼합물을 들 수 있다. 일 실시형태에서는, (F) 성분은 식: (MeViSiO2/2)a(Me2SiO2/2)b(GlySiO3/2)c(MeO1/2)d
(식중, Me는 메틸기를 나타내고, Vi는 비닐기를 나타내고, Gly는 3-글리시독시프로필기를 나타내고, 그리고, a, c 및 d는 양수이고, b는 0 또는 양수임)로 표시되는 실록산 화합물일 수 있다.
접착 부여제는 저점도 액상인 것이 바람직하고, 그 점도는 한정되지 않지만, 25℃에서 1 내지 500 mPa·s의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 조성물에 있어서, 이 접착 부여제의 함유량은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100 질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 20 질량부이고, 더욱 바람직하게는 8 내지 15 질량부이다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 열전도성 실리콘 조성물은 (G) 성분으로서 표면 처리제를 추가로 포함할 수 있다. 열전도성 충전제의 표면을 표면 처리제로 처리함으로써, 열전도성 충전제의 조성물 중에서의 분산성을 더욱 향상시키고, 또한 조성물의 취급성 및 성형성을 더욱 양호하게 할 수 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 표면 처리제는 특별히 한정되지 않고, 공지의 표면 처리제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 표면 처리제로는, 특허문헌 9(일본 특허공개 2001-139815호 공보)에 기재되는 올리고실록산, 및 특허문헌 10(일본 특허 제6590445호 공보)에 기재되는 하기 일반식 (III)으로 표시되는 오르가노실록산 등을 들 수 있다. 일 실시형태에서는, (G) 성분은 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 포함하지 않는다.
R10R11 2SiO-(SiR11 2O)e-(SiR11 2)-R12-SiR11 (3-f)(OR13)f (III)
식 (III)에서, R10은 비치환 또는 할로겐 치환된 1가 탄화수소기, 예를 들면, 직쇄형 알킬기, 분지쇄형 알킬기, 환형 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 또는 할로겐화 알킬기이고, R11은 서로 동일하거나 상이할 수 있는, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 1가 탄화수소기, 예를 들면, 직쇄형 알킬기, 분지쇄형 알킬기, 환형 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 또는 할로겐화 알킬기이고, R12는 산소 원자 또는 2가 탄화수소기, 예를 들면, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등의 알킬렌기, 에틸렌페닐렌에틸렌기, 에틸렌페닐렌프로필렌기 등의 알킬렌아릴렌알킬렌기이고, R13은 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기, 또는 아실기이고, e는 1 이상, 바람직하게는 1 내지 200의 정수이고, f는 1 내지 3의 정수이다. 다른 실시형태에서는, (F) 성분은 상기 식 (III)에서, -R12-SiR11 (3-f)(OR13)f가 -O-(2가 탄화수소기)-SiR11 (3-f)(OR13)f가 된 오르가노실록산일 수 있다.
표면 처리제의 양은 상기 표면 처리제의 특성을 충분히 발휘할 수 있는 양이라면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 (C) 성분 100 질량부에 대하여, 0.01 내지 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 질량부이다.
상기 성분 이외에, 본 발명의 목적이 달성되는 범위 내에서, 상기 성분 이외의 임의로 선택된 성분이 열전도성 실리콘 조성물에 포함될 수도 있다. 임의로 선택된 성분의 예로는, 안료, 염료, 형광 염료, 내열 첨가제, 트리아졸계 화합물 등의 난연성 부여제, 및 가소제 등을 들 수 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 종래의 열전도성 충전제를 포함하는 실리콘 조성물의 제조 방법에 따라서 제조될 수 있다. 열전도성 충전제를 실리콘 성분 등과 혼합할 때에는 공지의 혼합/교반 장치, 예를 들면, 니더, 로즈 믹서, 호바트 믹서, 및 덴탈 믹서 등을 사용할 수 있다. 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에서는 열전도성 충전제의 함유량이 높기 때문에, 열전도성 충전제를 효율적으로 분산시키는 것이 가능한, 높은 전단력을 제공할 수 있는 니더, 로즈 믹서, 및 덴탈 믹서 등을 사용하는 것이 바람직하다. 제조 과정에서, 히드로실릴화 반응이 진행될 우려가 있는 열전도성 충전제의 존재 하에서의 (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 혼합은 냉각하면서 수행되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 조성물의 온도가 상온이 되도록 냉각이 수행된다. 열전도성 충전제가 표면 처리제로 처리되는 경우에는 미리 표면 처리제로 처리된 열전도성 충전제가 (A) 성분을 비롯한 다른 성분과 혼합될 수도 있고, 표면 처리제로 처리되지 않은 열전도성 충전제가 (A) 성분을 비롯한 다른 성분과 혼합될 때에 동시에 표면 처리제로 처리될 수도 있다. 일례로는, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 (A) 성분을 니더에 투입하여 질소 하에서 교반하고, (C) 성분을 니더에 투입하여 교반하고, 진공 하(예를 들면, 10 mmHg 미만)에서 가열(예를 들면, 100℃ 내지 140℃)하면서 일정 시간 교반하고, 상압으로 되돌려 냉각하면서 (E) 성분을 투입하여 교반하고, (B) 성분을 니더에 투입하여 상압에서 냉각하면서 일정 시간 교반하고, (D) 성분을 니더에 투입하고 상압에서 냉각하면서 일정 시간 교반하고, 감압 및 냉각 하에서 교반을 계속하고, 이어서 교반 종료 후에 상압으로 되돌려서 얻어진 열전도성 실리콘 조성물을 회수하는 일련의 공정에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 예를 들면, 집적 회로(IC) 등의 발열 부재와 히트 스프레더 등의 방열 부재 사이에 적용될 수 있다. 적용된 조성물을 경화하여 얻어진 경화체는 발열 부재로부터의 열을 효율적으로 방열 부재에 전달할 수 있다. 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 경화 조건은 특별히 한정되는 것이 아니지만, 예를 들면, 50℃ 내지 200℃, 바람직하게는 100℃ 내지 180℃, 더욱 바람직하게는 120℃ 내지 150℃에서의 가열에 의해 경화가 수행된다.
[실시예]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물이 이하의 실시예에 의해 상세하게 설명되지만, 본 발명은 실시예의 기재에 한정되는 것이 아니다.
실시예 및 비교예에서, 열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물의 각종 특성은 이하에 나타낸 바와 같이 측정되었다.
[점도]
열전도성 실리콘 조성물의 점도는 회전 점도계(Anton Paar GmbH사, Anton Paar MCR 302)를 이용하여 25℃에서 측정되었다. 열전도성 실리콘 조성물의 각 성분을 교반하여 조제된 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 표 1에서, “믹싱 후의 점도”로 표시된다.
[다이 전단 강도]
폴리실록산 경화물의 접착성은 면적 36 mm2의 정사각형 피착 부위에 있어서, 열전도성 실리콘 조성물을 150℃에서 2시간 경화시켜서 얻어진 실리콘 경화물의, 방열 기판으로서의 알루미늄에 대한 접착 강도를 세이신 상사(SEISHIN TRADING)의 본드 테스터 Model SS-100KP에 의해 측정하였다.
[열전도율 평가]
교토 전자 공업 주식회사의 핫 디스크법 열 물성 측정 장치 TPS 2500 S를 이용하여, 열전도성 실리콘 조성물을 150℃에서 2시간 경화시켜서 얻어진 10 mm × 60 mm × 30 mm의 실리콘 경화물의 열전도율을 측정하였다.
[스코치 타임(ts1) 및 90% 가황 시간(tc(90))의 측정]
열전도성 실리콘 조성물을, JIS K 6300-2: 2001 “미가황 고무 - 물리 특성 - 제2부: 진동식 가황 시험기에 의한 가황 특성을 구하는 방법”에서 규정되는 방법에 따라서, 큐라스트 미터(알파 테크놀로지스사의 PREMIERMDR)를 이용하여, 일반적인 다이 본딩 온도(150℃)에서 600초간 가황하여, ts1 및 tc(90)을 측정하였다. 한편, 측정은 열전도성 실리콘 조성물(5 ml)을 하측 다이스에 로딩하고, 상측 다이스가 닫힌 시점에 측정을 시작하였다. 한편, 고무용 R형 다이스를 이용하여, 진폭 각도는 0.5°, 진동수는 100회/분, 토크 범위를 최대 230 kgf·cm로 하여 측정이 수행되었다.
[믹싱 중의 점도 상승]
열전도성 실리콘 조성물을 조제할 때에 얻어지는 니더 내의 재료의 점도가 300 Pa·s를 넘지 않으면, 믹싱 중의 점도 상승이 없다고 판단하고, 그 점도가 300 Pa·s를 넘으면, 믹싱 중의 점도 상승이 있다고 판단하였다. 표에서는, 점도 상승이 없는 경우에 “없음”이라고 표시되고, 점도 상승이 있는 경우는 “상승”이라고 표시된다.
실시예 및 비교예에서 사용된 성분은 이하와 같다.
(A) 성분으로서 하기의 성분이 사용되었다.
(a1) 성분: 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(수 평균 분자량(Mn) = 18000, 및 디메틸실록산 단위의 수 = 200)(분자 중의 규소 원자에 결합된 비닐기의 질량 분율은 분자의 질량을 기준으로 0.4 질량%였다).
(B) 성분으로서 하기의 성분이 사용되었다.
(b1) 성분: 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(분자 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 질량 분율은 분자의 질량을 기준으로 0.14 질량%였다). (b1) 성분은 사슬 연장제로서 기능할 수 있다.
(b2) 성분: 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 코폴리머(분자 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 질량 분율은 분자의 질량을 기준으로 1.59 질량%였다). (b2) 성분은 가교제로서 기능할 수 있다.
(C) 성분으로서 하기의 성분이 사용되었다.
(c1) 성분: 알루미늄 충전제(D50 = 17 μm; 도요 알루미늄, A19-1331)(본 명세서에서, D50이란 입자직경 분포의 빈도가 누적으로 50%가 되는 입자직경이다.)
(c2) 성분: 알루미늄 충전제(D50 = 2 μm; 도요 알루미늄, TCP2)
(c3) 성분: ZnO 충전제(D50 = 0.12 μm; ZoChem사, ZoCo102)
한편, 본 발명의 실시예에서는, 산화 아연 이외에, 산화 알루미늄 충전제(제품명 Advanced Alumina AA04(스미토모 화학))도 동일하게 사용 가능하다.
(D) 성분으로서 하기의 성분이 사용되었다.
(d1) 성분: Pt 촉매(Pt-VTSC-3.0IPA 유미 코어 재팬 주식회사; Pt 농도가 3 질량%인, 이소프로필 알코올 중의 백금 착물의 용액)
(E) 성분으로서 하기의 성분이 사용되었다.
(e1) 성분: 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란(JH-AkSi-1)((e1) 성분은 본 발명의 경화 억제제에 해당함)
(e2) 성분: 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산((e2) 성분은 본 발명의 경화 억제제에 해당하지 않는 비교예의 경화 억제제임)
(e3) 성분: 1-에티닐-1-시클로헥산올((e3) 성분은 본 발명의 경화 억제제에 해당하지 않는 비교예의 경화 억제제임)
(F) 접착 부여제로서 하기의 성분이 사용되었다.
(f1) 성분: 하기의 식으로 표시되는 실록산 화합물
(MeViSiO2/2)8(Me2SiO2/2)19(GlySiO3/2)38(MeO1/2)x
식중, Me는 메틸기를 나타내고, Vi는 비닐기를 나타내고, Gly는 3-글리시독시프로필기를 나타내고, x는 1 이상의 양수를 나타낸다. 하나의 분자 당 비닐기의 질량 분율은 5.63 질량%였다.
(G) 표면 처리제로서 하기의 성분이 사용되었다.
(g1) 성분: 하기 식을 갖는 폴리디메틸실록산:
(CH3O)3Si-(C2H4)x-(O-Si(CH3)2)n-C4H9
식중, n은 58 내지 65이고, x는 3이다.
실시예 및 비교예의 열전도성 실리콘 조성물은 이하의 순서로 조제되었다.
(i) (a1) 성분을 니더(주식회사 이리에 쇼카이, 탁상형 니더 SNV-1H)에 투입하였다.
(ii) 질소 퍼지 및 교반을 수행하면서, (g1) 성분, 및 (c1) 및 (c2) 성분을 니더에 투입하고, 교반을 계속하였다(회전수: 1/sec, 교반 시간: 0.25시간, 온도: 상온).
(iii) 질소 퍼지를 정지하고, (c3) 성분을 니더에 투입하였다.
(iv) 니더의 내용물을 120℃로 가열하고, 감압(10 mmHg 미만) 하에서 2시간 교반한 바, 온도가 140℃가 되었다.
(V) 니더 내의 압력을 상압으로 되돌리고, 경화 억제제로서 (e1), (e2) 또는 (e3) 성분을 니더에 투입하고, 상압 및 실온에서 내용물을 0.5시간 교반하였다. 이 공정에서는 니더의 내용물이 실온이 되도록, 냉각하면서 교반이 수행되었다.
(vi) (b1) 성분, (b2) 성분, (d1) 성분, 및 (f1) 성분을 니더에 투입하였다. 사용되는 경우에는 (f2) 성분도 니더에 투입하였다.
(vii) 상압 및 실온에서 내용물을 0.5시간 교반하였다. 이 공정에서는 니더의 내용물이 실온이 되도록, 냉각하면서 교반이 수행되었다.
(viii) 감압(10 mmHg 미만) 하에서, 실온에서 내용물을 0.5시간 교반하였다. 이 공정에서는 니더의 내용물이 실온이 되도록, 냉각하면서 교반이 수행되었다.
(ix) 교반 종료 후, 상압으로 되돌려서, 니더로부터 열전도성 실리콘 조성물을 꺼냈다.
실시예 및 비교예의 열전도성 실리콘 조성물을 제조하는데 사용된 각 성분의 질량부, 각 성분의 여러 가지 양 및 비율, 및 얻어진 열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물의 여러 가지 특성이 표 1에 표시된다.
표 1에서, H/Vi는 [(B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자의 총 수] / [((A) 성분 중의 규소 원자에 결합된 비닐기의 총 수) + ((E) 성분 중의 에티닐기의 총 수 × 2 + 비닐기의 총 수)]를 나타낸다. 본원 발명의 경화 억제제(실시예 1)를 비교예의 경화 억제제(비교예 1 및 2)와 비교하는 경우에, 이 H/Vi 값이 같아지도록 각각의 경화 억제제의 양이 결정되었다. 한편, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에 있어서, (A) 성분 중의 규소 원자에 결합된 알케닐기 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자는 2.1 몰이었다.
표 1에서의 Pt(ppm) / [(A)(B)]는 조성물 중의 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대한, (D) 성분 중의 백금 원소의 질량부를 나타낸다.(본 명세서에서, 용어 “ppm”은 100만 당 부수를 나타내고, 1 ppm은 100만분의 1을 나타냄)
표 1에서 Pt(ppm) / [(A)(B)(E)(F)(G)]는 조성물 중의 (A) 성분, (B) 성분, (E) 성분, (F) 성분, 및 (G) 성분의 합계량 100만 질량부에 대한, (D) 성분 중의 백금 원소의 질량부를 나타낸다.
표 1에서 “충전제 함유량(부피%)”은 25℃에서의 열전도성 실리콘 조성물의 전체 부피를 기준으로 한, (c1), (c2) 및 (c3) 성분의 전체 부피의 비율을 나타낸다.
표 1에서의 “충전제 함유량(질량%)”은 열전도성 실리콘 조성물의 전체 질량을 기준으로 한, (c1), (c2) 및 (c3) 성분의 전체 질량의 비율을 나타낸다.
실시예 1 내지 3의 결과로부터, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 3.0 W/m·K를 넘는 높은 열전도율, 각 성분을 혼합한 후의 조성물의 낮은 점도(150 Pa·s 미만), 및 300 N/cm2를 넘는 높은 다이 전단 강도를 달성할 수 있는 유리한 효과를 발휘하였다.
한편, 경화 억제제가 본 발명에서 특정되는 화합물이 아닌 경우(비교예 1 및 2)에는, 얻어진 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 너무 높고, 또한 경화물의 다이 전단 강도도 낮아, 이 조성물은 서멀 인터페이스 재료로 사용하기에 바람직하지 않았다.
백금족 금속계 촉매의 양이, 본 발명에서 특정되는 범위의 하한을 밑도는 경우(비교예 3), 경화물의 다이 전단 강도가 낮아, 이 조성물은 서멀 인터페이스 재료로 사용하기에 바람직하지 않았다.
경화 억제제의 양이, 본 발명에서 특정되는 범위의 하한을 밑도는 경우(비교예 4), 얻어진 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 너무 높고, 또한 경화물의 다이 전단 강도도 낮아, 이 조성물은 서멀 인터페이스 재료로 사용하기에 바람직하지 않았다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 서멀 인터페이스 재료 등으로 사용 가능하다.
Claims (7)
- 하기 (A) 내지 (F) 성분
(A) 규소 원자에 결합된 알케닐기를 하나의 분자 중에 2개 이상 가지고, 및 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 갖지 않는 오르가노폴리실록산,
(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 하나의 분자 중에 2개 이상 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산: 상기 (A) 성분 중의 규소 원자에 결합된 알케닐기 1 몰에 대하여, (B) 성분 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자가 0.1 내지 2.5 몰이 되는 양,
(C) 열전도성 충전제: 열전도성 실리콘 조성물의 전체 질량을 기준으로 85 내지 95 질량%가 되는 양,
(D) 백금족 금속계 촉매: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, 이 (D) 성분 중의 백금족 금속 원소가 적어도 50 질량부가 되는 양,
(E) 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물 및 하기 일반식 (II)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 경화 억제제: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.3 내지 1 질량부가 되는 양,
(상기 일반식 (I)에서, n은 0 또는 1이고, n이 0인 경우, R1은 존재하지 않고; R1은 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R2와 R3은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있고;
상기 일반식 (II)에서, R4는 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기이고, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 및 탄소수 1 내지 10개의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되고, 다만, R5와 R6은 서로 연결되어 지환식 환을 형성할 수 있음), 및
(F) 규소 원자에 결합된 알콕시기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, 규소 원자에 결합된 에폭시기 함유 유기기를 하나의 분자 중에 적어도 1개 가지고, (MeViSiO2/2)(식중, Me는 메틸기, Vi는 비닐기를 나타낸다)의 구조 단위를 가지고, 하나의 분자 당 비닐기의 질량 분율 1 내지 20 질량%를 갖는 폴리실록산인 접착 부여제: 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100 질량부에 대하여, 5 내지 20 질량부가 되는 양;
을 함유하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 합계량 100만 질량부에 대하여, 상기 (D) 성분 중의 백금족 금속 원소가 60 질량부 내지 420 질량부가 되는 양인, 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 일반식 (I)에서, R1, R2, 및 R3이 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되고, 상기 일반식 (II)에서, R4, R5, 및 R6이 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 페닐기 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되는, 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 경화 억제제가 -20℃ 이하의 융점을 갖는, 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 경화 억제제가 200℃ 이상의 비점을 갖는, 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 경화 억제제가 메틸트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 및 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물인, 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 열전도성 충전제가 무색 및 백색 이외의 색을 갖는, 열전도성 실리콘 조성물.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021152521A JP2023044473A (ja) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
| JPJP-P-2021-152521 | 2021-09-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230041620A true KR20230041620A (ko) | 2023-03-24 |
Family
ID=85523543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220115209A KR20230041620A (ko) | 2021-09-17 | 2022-09-13 | 열전도성 실리콘 조성물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230104725A1 (ko) |
| JP (1) | JP2023044473A (ko) |
| KR (1) | KR20230041620A (ko) |
| CN (1) | CN115820223A (ko) |
| TW (1) | TW202313855A (ko) |
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- 2022-09-08 TW TW111134020A patent/TW202313855A/zh unknown
- 2022-09-09 CN CN202211103113.5A patent/CN115820223A/zh active Pending
- 2022-09-12 US US17/931,376 patent/US20230104725A1/en active Pending
- 2022-09-13 KR KR1020220115209A patent/KR20230041620A/ko unknown
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|---|---|---|---|---|
| US3445420A (en) | 1966-06-23 | 1969-05-20 | Dow Corning | Acetylenic inhibited platinum catalyzed organopolysiloxane composition |
| JPH09143371A (ja) | 1995-09-21 | 1997-06-03 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 剥離性硬化皮膜形成性オルガノポリシロキサン組成物 |
| JP2001139815A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP2009523856A (ja) | 2006-01-17 | 2009-06-25 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 熱安定性の透明なシリコーン樹脂組成物、並びにその調製方法及び使用 |
| JP2015004043A (ja) | 2013-05-24 | 2015-01-08 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
| JP6590445B2 (ja) | 2014-09-10 | 2019-10-16 | ダウ・東レ株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230104725A1 (en) | 2023-04-06 |
| TW202313855A (zh) | 2023-04-01 |
| JP2023044473A (ja) | 2023-03-30 |
| CN115820223A (zh) | 2023-03-21 |
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