KR20230041556A - 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치 - Google Patents

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한민석
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Abstract

개시된 본 발명의 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치는, 반도체 칩 패키지가 장착되는 소켓 본체, 소켓 본체 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드 및 소켓보드를 관통하여 전기적 선로가 형성되는 소켓솔더부를 보드접속핀부 및 보드접속핀부와 반도체 접속부가 전기적으로 접속되는 소켓솔더부가 구비되는 번인 테스트 소켓, 번인 테스트 소켓이 복수개 안착되며, 소켓솔더부와 전기적으로 접속되며 하부 양측에서 돌출되게 형성되는 보드접속핀부를 포함하는 더트 보드, 더트보드가 복수개 장착되며, 상호 격자 모양을 형성하는 열전도 프레임 및 열전도 프레임의 교차부에 부착되어 소켓솔더부와 접촉되는 열전도 패드를 포함하는 열 분산 시트 및 열 분산 시트가 장착되어 더트 보드의 보드접속핀부가 전기 접속되는 보드 소켓을 구비하는 테스트 메인 보드를 포함한다. 이로써, 특정 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우에도 열전도 패드 및 열전도 프레임으로 열이 신속하게 전도되면서 열이 분산됨으로써 열폭풍 현상을 방지하고 정션 온도(junction temperature)를 안정화 시킬 수 있다.

Description

열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치 {SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST DEVICE WITH HEAT SPREADING STRUCTURE}
본 발명은 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 번인 테스트시 반도체 소자의 발열 문제를 최소화하여 신뢰성있는 테스트 환경을 유지할 수 있는 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 번인 테스트 장치는 제조된 반도체를 제품으로서 출하하기 전에 가혹한 환경으로 온도 및 전기적 조건으로 테스트하여 제품의 불량을 검출하거나 최소화하도록 하는 것이다.
소정의 집적회로가 형성된 웨이퍼로부터 반도체 칩이 분리되어 조립공정을 거쳐 완성된 반도체 칩 패키지는 대부분 일정 시간안에 불량이 발생될 확률이 높으며 일정 시간이 경과하면 그 불량 발생의 가능성이 희박해지는 특성을 나타낸다.
이와 같은 이유로 반도체 생산라인에서는 조립 공정을 거쳐 제조가 완료된 반도체 칩 패키지에 대하여 전기적, 열적 스트레스(stress)를 일정 시간 인가하여 초기 불량품을 미리 선별하는데 이를 번인 테스트(Burn-In Test)라 한다.
번인 테스트에서는 약 80~125℃의 고온으로 반도체 제품에 열적 스트레스를 가하는데 번인 테스트가 진행되면서 일정 시간안에 불량이 발생되는 반도체 칩의 환경을 짧은 시간에 가속화하여 구현시켜 불량을 발생시킨다.
이러한 번인 테스트에서 발생된 불량품을 선별하여 최종적으로 양품을 제품으로서 출하할 수 있게 된다.
그러나, 정해진 가혹한 조건에서 번인 테스트가 진행되어야 하는데 특정 더트(DUT)에서 이상 발열이 발생되고 이상 발열이 점진적으로 주변 더트에 영향을 주어 열폭풍이 발생되거나 그로 인한 번트(Burnt)가 발생되어 정확한 조건에서의 테스트가 불가능해 지거나 번인 테스트 장치가 파손되는 문제가 발생된다.
그로 인해, 반도체 칩 패키지 생산 수율이 감소하고, 정확한 번인 테스트로 불량을 선별할 수 없고, 번인 테스트 장치가 파손되어 유지/보수에도 시간 및 비용이 증가되는 문제가 발생된다.
(특허문헌 1) KR 20-2009-0002372 U
'반도체 번인 테스트 보드'
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 버닝 테스트 과정에서 반도체 칩에서 발생되는 열을 효과적으로 분산시켜 테스트 조건의 신뢰성을 확보할 수 있는 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치는, 반도체 칩 패키지가 장착되는 소켓 본체, 상기 소켓 본체 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드 및 상기 소켓보드를 관통하여 전기적 선로가 형성되는 소켓솔더부를 보드접속핀부 및 상기 보드접속핀부와 상기 반도체 접속부가 전기적으로 접속되는 소켓솔더부가 구비되는 번인 테스트 소켓; 상기 번인 테스트 소켓이 복수개 안착되며, 상기 소켓솔더부와 전기적으로 접속되며 하부 양측에서 돌출되게 형성되는 보드접속핀부를 포함하는 더트 보드; 상기 더트보드가 복수개 장착되며, 상호 격자 모양을 형성하는 열전도 프레임 및 상기 열전도 프레임의 교차부에 부착되어 상기 소켓솔더부와 접촉되는 열전도 패드를 포함하는 열 분산 시트; 및 상기 열 분산 시트가 장착되어 상기 더트 보드의 보드접속핀부가 전기 접속되는 보드 소켓을 구비하는 테스트 메인 보드;를 포함한다.
이로써, 특정 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우에도 열전도 패드 및 열전도 프레임으로 열이 신속하게 전도되면서 열이 분산됨으로써 열폭풍 현상을 방지하고 정션 온도(junction temperature)를 안정화 시킬 수 있다.
따라서, 기존 특정 더트의 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우 점진적으로 인접하는 더트에 영향을 주게 되면서 열폭풍 현상이 발생되어 제어하에 있는 열 조건 값이 변화되어 신뢰성 있는 번인 테스트를 담보하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 번트(Burnt) 발생으로 장치 모듈이 타거나 전기적 접속이 불안정해지는 문제를 해결할 수 있다.
결과적으로 신뢰성있는 번인 테스트 환경이 구축됨으로써 반도체 칩 패키지의 생산수율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 열 전도 패드는, 열전도율이 5 W/m.K 이상이고, 절연강도가 20kV/mm 이상이며, 체적저항이 1013 Ω.cm이고, 유전율은 5.0 ＠ 1MHz 이하이다.
또한, 상기 열전도 프레임은, 알루미늄으로 형성되며, 열전도율은 237W/m.k 인 것이 바람직하다.
이로써, 열 분산 효과를 극대화시킬 수 있어 번인 테스트의 신뢰성을 높일 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 반도체 번인 테스트 장치는, 반도체 칩 패키지가 장착되는 소켓 본체, 상기 소켓 본체 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드, 상기 소켓보드를 관통하여 전기적 선로가 형성되는 소켓 접속핀이 구비되는 번인 테스트 소켓; 상기 번인 테스트 소켓이 복수개 안착되며, 상기 소켓 접속핀이 관통하여 저면에서 노출되며, 상기 소켓 접속핀과 전기적으로 접속되는 테스트 메인 보드; 및 상기 테스트 메인 보드의 소켓 접속핀이 노출되는 위치에 배열되어, 상기 소켓 접속핀과 접촉되는 열전도 패드, 및 상기 열전도 패드가 배치되어 열을 분산시키는 히트씽크를 포함하는 열분산 시트;를 포함한다.
이로써, 특정 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우에도 열전도 패드 및 히트씽크에 의해 열이 신속하게 전도되면서 열이 분산됨으로써 열폭풍 현상을 방지하고 정션 온도(junction temperature)를 안정화 시킬 수 있다.
따라서, 기존 소켓의 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우 점진적으로 인접하는 소켓에 영향을 주게 되면서 열폭풍 현상이 발생되어 제어하에 있는 열 조건 값이 변화되어 신뢰성 있는 번인 테스트를 담보하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 번트(Burnt) 발생으로 장치 모듈이 타거나 전기적 접속이 불안정해지는 문제를 해결할 수 있다.
결과적으로 신뢰성있는 번인 테스트 환경이 구축됨으로써 반도체 칩 패키지의 생산수율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 상기 열전도 패드는, 열전도율이 5 W/m.K 이상이고, 절연강도가 20kV/mm 이상이며, 체적저항이 1013 Ω.cm이고, 유전율은 5.0 ＠1MHz 이하인 것이 바람직하다. 또한 상기 히트싱크는 알루미늄으로 형성하며 상기 히트씽크의 열전도율은 237W/m.k 인것이 바람직하다.
이로써, 열 분산 효과를 극대화시킬 수 있어 번인 테스트의 신뢰성을 높일 수 있다.
또한, 상기 히트씽크는, 하부에 히트씽크가 설치되는 면과 공간을 확보하기 위하여 복수의 돌출부가 형성되고, 상기 열전도 패드와 접하는 위치에는 홈이 형성되는 것이 바람직하다.
이로써, 히트씽크와 설치면의 공간으로 공기가 유동되어 흐르면서 방열효과를 얻을 수 있으며 홈 부분에서 공기의 와류가 형성되어 열전도 패드의 열이 전도된 부분에서 방열효과를 극대화시킬 수 있다.
본 발명에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치에 의하면, 특정 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우에도 열전도 패드 및 열전도 프레임으로 열이 신속하게 전도되면서 열이 분산됨으로써 열폭풍 현상을 방지하고 정션 온도(junction temperature)를 안정화 시킬 수 있다.
따라서, 기존 특정 더트의 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우 점진적으로 인접하는 더트에 영향을 주게 되면서 열폭풍 현상이 발생되어 제어하에 있는 열 조건 값이 변화되어 신뢰성 있는 번인 테스트를 담보하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 번트(Burnt) 발생으로 장치 모듈이 타거나 전기적 접속이 불안정해지는 문제를 해결할 수 있다.
결과적으로 신뢰성있는 번인 테스트 환경이 구축됨으로써 반도체 칩 패키지의 생산수율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 열 분산 효과를 극대화시킬 수 있어 번인 테스트의 신뢰성을 높일 수 있다.
또한, 특정 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우에도 열전도 패드 및 히트씽크에 의해 열이 신속하게 전도되면서 열이 분산됨으로써 열폭풍 현상을 방지하고 정션 온도(junction temperature)를 안정화 시킬 수 있다.
따라서, 기존 소켓의 반도체 칩 패키지에서 이상 과열 현상이 벌어지는 경우 점진적으로 인접하는 소켓에 영향을 주게 되면서 열폭풍 현상이 발생되어 제어하에 있는 열 조건 값이 변화되어 신뢰성 있는 번인 테스트를 담보하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 번트(Burnt) 발생으로 장치 모듈이 타거나 전기적 접속이 불안정해지는 문제를 해결할 수 있다.
결과적으로 신뢰성있는 번인 테스트 환경이 구축됨으로써 반도체 칩 패키지의 생산수율을 극대화시킬 수 있다.
또한, 히트씽크와 설치면의 공간으로 공기가 유동되어 흐르면서 방열효과를 얻을 수 있으며 홈 부분에서 공기의 와류가 형성되어 열전도 패드의 열이 전도된 부분에서 방열효과를 극대화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 개념적으로 설명하기 위한 도면,
도 2는 도 1에 도시된 주요부를 확대하여 나타낸 도면,
도 3은 도 1에 도시된 반도체 번인 테스트 장치를 확대하여 나타낸 도면,
도 4는 종래 반도체 번인 테스트 장치의 열 해석을 설명하기 위한 도면,
도 5는 도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 개념적으로 설명하기 위한 도면,
도 7은 도 6에 도시된 주요부를 확대하여 나타낸 도면,
도 8은 도 6에 도시된 반도체 번인 테스트 장치의 측면도를 나타낸 도면,
도 9는 도 6에 도시된 반도체 번인 테스트 장치의 히트씽크를 설명하기 위한 도면,
도 10은 도 6에 도시된 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 의한 열분산 효과를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 개념적으로 설명하기 위한 도면, 도 2는 도 1에 도시된 주요부를 확대하여 나타낸 도면, 도 3은 도 1의 반도체 번인 테스트 장치를 확대하여 나타낸 도면이다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치(100)는, 번인 테스트 소켓(110), 더트 보드(130), 열 분산 시트(150) 및 테스트 메인 보드(170)를 포함한다.
번인 테스트 소켓(110)은, 반도체 칩 패키지가 수납되어 안착되는 안착부(111a)가 형성되게 박스 형상으로 형성되는 소켓본체(111), 소켓본체(111)의 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드(113), 소켓보드(113)의 상면에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 반도체접속부(114), 반도체접속부(114)와 더트 보드(130)에 구비된 보드접속핀부(131)가 전기적으로 접속되게 소켓보드(113)를 관통하여 보드접속핀부(131)로 전기적 접속이 이루어지게 선로가 형성된 소켓솔더부(117)를 포함한다.
더트 보드(130)는, 번인 테스트 소켓(110)이 모듈 단위로 복수개가 안착되어 고정되고, 번인 테스트 소켓(110)의 소켓솔더부(117)와 전기적으로 접속되며 하부 양측에서 돌출되어 테스트 메인 보드(170)와 전기적 접속되는 보드접속핀부(131)를 포함한다.
열 분산 시트(150)는, 더트 보드(130)와 테스트 메인 보드(170) 사이에 위치되는 것으로서, 열 전도 프레임(151) 및 열전도 패드(155)를 포함한다.
열전도 프레임(151)은 바(bar)타입의 프레임이 가로로 배열되는 제1 프레임(151a) 및 세로로 배열되는 제2 프레임(151b)이 상호 격자 모양을 형성하며, 격자 모양의 빈 공간인 통공(157)으로 공기 흐름이 형성되어 과도한 열 상승을 방지한다. 열전도 프레임(151)은 반도체 칩 패키지 즉, 열원으로부터 전달되는 열이 신속하게 전도될 수 있는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
바람직하게는 열전도 프레임(151)은 알루미늄으로 형성되여 열전도율은 237W/m.k이다.
열전도 패드(155)는 열전도 프레임(151)의 교차부에 고정되어 번인 테스트 소켓(110)의 소켓솔더부(117)와 접촉되어 열원인 반도체 칩 패키지로부터 열을 직접적으로 전달받아서 열전도 프레임(151)으로 전달한다.
이러한 열전도 패드(155)는 열원인 반도체 칩 패키지로부터 전달되는 열이 신속하게 전도될 수 있는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
바람직하게는 열전도율이 5 W/m.K 이상이고, 절연강도가 5kV/mm 이상이며, 체적저항이 1013 Ω.cm이고, 유전율은 5.0 ＠1MHz 이하인 재질로 형성된다.
테스트 메인 보드(170)는 번인 테스트 소켓(110)이 장착되는 더트 보드(130)가 소정 간격으로 전기적 접촉 안착되여 수납된 반도체 칩 패키지가 테스트되는 것으로서, 보드 소켓(171)이 구비된다.
더트 보드(130)의 보드접속핀부(131)가 보드 소켓(171)과 결합되어 전기적으로 접속되어 테스트가 수행된다.
도 4는 열 분산 시트(150)가 구비되지 않은 종래 반도체 번인 테스트 장치의 열 해석을 개념적으로 설명하기 위한 도면이다.
열원인 반도체 칩 패키지 및 더트 보드로부터 이상 과열 현상이 벌어지는 경우 특정 스팟에서 이상 발열이 발생되고 이상 발열이 점진적으로 주변 더트에 영향을 주어 열폭풍이 발생되거나 그로 인한 번트(Burnt)가 발생되어 정확한 조건에서의 테스트가 불가능해 지거나 번인 테스트 장치가 파손되는 문제가 발생될 수 있다.
또한, 열적으로 반도체 칩 패키지가 균일한 온도 조건에서 테스트가 진행되지 못하고 발열량이 달리(Q1 및 Q2) 적용되어 테스트의 신뢰성을 담보할 수 없게 된다.
그러나, 도 5에 도시된 바와 같이 열전도 패드(155) 및 열전도 프레임(151)으로 열전도 현상이 벌어지게 되어 특정 스팟에서 열이 과도하게 증폭되면서 퍼지는 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 열전도 현상으로 인하여 열이 균일하게 열 분산 시트(150)로 분산되면서 일정 시간이 경과된 후에는 테스트되고 있는 반도체 칩 패키지가 동일한 테스트 환경이 구축되면서 테스트의 신뢰성을 담보할 수 있게 된다.
한편, 도 6 내지 도 10은 은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치를 나타낸 것으로서 이하에서 자세하게 설명한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의한 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치(200)는, 번인 테스트 소켓(210), 테스트 메인 보드(270) 및 열분산 시트(250)를 포함한다.
번인 테스트 소켓(210)은, 반도체 칩 패키지가 수납되어 안착되는 안착부(211a)가 형성되게 박스 형상으로 형성되는 소켓본체(211), 소켓본체(211)의 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드(213), 소켓보드(213)의 상면에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 반도체접속부(214), 반도체접속부(214)와 전기적으로 접속되게 소켓보드(213)를 관통하는 소켓 접속핀(215)을 포함한다.
테스트 메인 보드(270)는, 번인 테스트 소켓(210)이 소정 간격으로 전기적 접촉되게 장착되어 수납된 반도체 칩 패키지가 테스트되는 것으로서, 소켓 접속핀(215)이 저면에서 노출되게 관통되어 전기적으로 번인 테스트 소켓(210)과 접속되어 테스트가 수행된다.
열 분산 시트(250)는, 위 테스트 메인 보드(270)의 하부에 위치되어 열을 분산시키는 것으로서, 열전도 히트씽크(251)) 및 열전도 패드(255)를 포함한다.
열전도 패드(255)는 상기 테스트 메인 보드(270)의 하부에서 노출되는 소켓 접속핀(215)의 위치에 접촉되게 배열되어 반도체 칩 패키지 즉, 열원으로부터 직접적으로 열을 전달받아서 히트씽크(251)로 전달한다.
이때, 열전도 패드(255)는 전달되는 열이 신속하게 전도될 수 있는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
보다 바람직하게는 열전도율이 5 W/m.K 이상이고, 절연강도가 20kV/mm 이상이며, 체적저항이 1013 Ω.cm이고, 유전율은 5.0 ＠1MHz 이하가 되는 재질로 형성한다.
열전도 히트씽크(251)는 열전도 패드(255)가 장착되어 열전도 패드(255)로부터의 열을 전달받아 전도시켜 열을 분산시켜 특정 소켓에서 과도한 열 상승을 방지하게 하는 것으로서, 열전도 패드(255)로부터 전달되는 열이 신속하게 전도될 수 있는 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 열전도율이 237W/m.k 인 재질로 형성한다.
또한, 보다 바람직하게는 도 9에 도시된 바와 같이 히트씽크(251)가 설치되는 면과 공간을 확보하기 위하여 복수의 돌출부(251a)가 형성되고, 상기 열전도 패드(255)와 접하는 위치에는 홈(251b)이 형성된다.
이러한 구조에 의해, 히트씽크(251)와 설치면의 공간으로 공기가 유동되어 흐르면서 방열효과를 얻을 수 있어, 균일한 분산된 열을 식힐 수 있으며, 또한 열이 포컹싱되는 열전도 패드(255)에 대응되는 위치에 형성된 홈(251b) 부분에서 공기의 와류가 형성되어 열전도 패드(255)의 열이 전도된 부분에서 방열효과를 극대화시킬 수 있다.
도 10은 열전도 패드(255) 및 열전도 히트씽크(251)에 의해 열전도 현상이 벌어지게 되어 특정 스팟에서 열이 과도하게 증폭되면서 퍼지는 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 열전도 현상(Q3)으로 인하여 열이 균일하게 열분산 시트(250)로 분산되면서 일정 시간이 경과된 후에는 테스트되고 있는 반도체 칩 패키지가 동일한 테스트 환경이 구축되면서 테스트의 신뢰성을 담보할 수 있게 된다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상기에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100, 200 : 반도체 번인 테스트 장치 110, 210 : 번인 테스트 소켓
111, 211 : 소켓본체 111a, 211a : 안착부
113, 213 : 소켓보드 114, 214 : 반도체접속부
117 : 소켓솔더부 130 : 더트 보드
131 : 보드접속핀부 150, 250 : 열 분산 시트
151a : 제1 프레임 151b : 제2 프레임
251 : 열전도 히트씽크 155, 255 : 열전도 패드
157 : 통공 170, 270 : 테스트 메인 보드
171 : 보드접속핀부

Claims (2)

  1. 반도체 칩 패키지가 장착되는 소켓 본체, 상기 소켓 본체 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드, 상기 소켓보드를 관통하여 전기적 선로가 형성되는 소켓솔더부가 구비되는 번인 테스트 소켓;
    상기 번인 테스트 소켓이 복수개 안착되며, 상기 소켓솔더부와 전기적으로 접속되며 하부 양측에서 돌출되게 형성되는 보드접속핀부를 포함하는 더트 보드;
    상기 더트보드가 복수개 장착되며, 상호 격자 모양을 형성하는 열전도 프레임 및 상기 열전도 프레임의 교차부에 부착되어 상기 소켓솔더부와 접촉되는 열전도 패드를 포함하는 열 분산 시트; 및
    상기 열 분산 시트가 장착되어 상기 더트 보드의 보드접속핀부가 전기 접속되는 보드 소켓을 구비하는 테스트 메인 보드;를 포함하는 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치.
  2. 반도체 칩 패키지가 장착되는 소켓 본체, 상기 소켓 본체 내부에 안착된 반도체 칩 패키지와 전기적 접속되는 소켓보드, 상기 소켓보드를 관통하여 전기적 선로가 형성되는 소켓 접속핀이 구비되는 번인 테스트 소켓;
    상기 번인 테스트 소켓이 복수개 안착되며, 상기 소켓 접속핀이 관통하여 저면에서 노출되며, 상기 소켓 접속핀과 전기적으로 접속되는 테스트 메인 보드; 및
    상기 테스트 메인 보드의 소켓 접속핀이 노출되는 위치에 배열되어, 상기 소켓 접속핀과 접촉되는 열전도 패드, 및 상기 열전도 패드가 배치되어 열을 분산시키는 히트씽크를 포함하는 열분산 시트;를 포함하는 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치.
KR1020210179335A 2021-09-17 2021-12-15 열분산 구조를 가지는 반도체 번인 테스트 장치 KR20230041556A (ko)

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