KR20230040871A - 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물 - Google Patents
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- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
- C23F11/18—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using inorganic inhibitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
Abstract
본 발명은 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물에 관한 것으로, 상기 식각액 첨가제는 Au, Ag, Al, Cu, Fe, Mo, Zn, Mg, Ni, Co K, Na, Ca 및 Bi 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 금속 화합물을 포함한다.
Description
본 발명은 회로기판의 회로패턴 과정에서 잔여 금속 시드층(metal seed layer)를 식각하기 위한 식각액 조성물 및 상기 식각액 조성물에 포함되는 식각액 첨가제에 관한 것이다.
전기/전자장치 제조 시 사용되는 회로기판은 일반적으로 기판 상의 금속막을 미세구조로 패터닝하는 과정을 거쳐 제조된다. 상기 미세구조로 패터닝하는 기술로는 광경화 수지를 이용한 리소그래피 공정을 들 수 있다. 그러나 리소그래피 공정은 구현할 수 있는 피치가 최소 35 ㎛로, 고기능 및 고집적 회로 요구 증가에 맞춰 보다 미세구조를 갖는 회로패턴을 형성하는데 한계가 있었다.
이에 리소그래피 공정을 개선하여 미세구조 회로패턴을 형성할 수 있도록 한 SAP(Semi Additive Process) 공정, mSAP(Modified Semi-Additive Process) 공정 등이 도입된 바 있다. 이들 공정은 금속 시드층이 얇게 형성되어 있는 기판 상에 광경화 수지를 이용하여 패턴을 형성하고, 형성된 패턴에 금속 성분을 도금한 후, 광경화 수지 제거 및 금속 시드층 식각 등의 과정을 거쳐 미세구조 회로패턴을 형성하는 것이다.
이러한 SAP 공정, mSAP 공정 등을 통해 미세구조 회로패턴의 구현이 어느 정도 실현되고 있으나, 금속 시드층의 불균일한 식각에 의해 언더컷(under cut)이 발생하거나 금속 시드층 탈락에 의해 회로 들뜸이 발생하는 문제가 나타나고 있다. 또한 금속 시드층을 식각하는 식각액으로 인산, 질산, 아세트산, 염산, 황산, 또는 과산화수소를 함유하는 식각액이 사용되고 있는데, 이러한 식각액은 금속 시드층을 식각하는 과정에서 회로패턴의 과식각이 이루어져 회로패턴의 균일성(직각도)을 저하시키는 문제도 나타나고 있다.
본 발명은 잔여 금속 시드층의 식각 과정에서, 형성되어 있는 회로패턴의 직각도를 높이면서 언더컷(under cut), 회로 들뜸 등의 현상이 유발되는 것을 방지할 수 있는 식각액 첨가제를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기 식각액 첨가제를 포함하는 식각액 조성물을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은 Au, Ag, Al, Cu, Fe, Mo, Zn, Mg, Ni, Co, K, Na, Ca 및 Bi로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 함유하는 금속 화합물을 포함하는 식각액 첨가제를 제공한다.
상기 금속 화합물은 황산구리(Copper Sulfate), 산화구리(Copper oxide), 염화아연(Zinc chloride), 황화아연(Zinc sulfide), 질산아연(Zinc nitrate), 아세트산아연(Zinc acetate), 몰리브덴산암모늄(Ammonium molybdate), 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide), 질화몰리브덴(Molybdenum nitride), 산화몰리브덴(Molybdenum oxide), 탄산마그네슘(Magnesium carbonate), 황화마그네슘(Magnesium sulfide), 염화마그네슘(Magnesium chloride), 옥살산칼륨(Potassium oxalate), 염화칼륨(Potassium chloride), 구연산칼륨(Potassium citrate), 구연산나트륨(Sodium citrate), 염화나트륨(Sodium chloride), 인산나트륨(Sodium phosphate), 도데실 황산나트륨(Sodium dodecyl sulfate), 탄산나트륨(Sodium carbonate), 중탄산나트륨(Sodium bicarbonate) 및 아세트산나트륨(Sodium acetate)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
이러한 본 발명의 식각액 첨가제는 유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 유기산은 옥살산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 아세트산, 말레익산, 프로피온산, 글리콘산 및 글리콜릭산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 알코올계 화합물은 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 프로필알콜 (Propyl alcohol), 아이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), 부틸 알코올(Butyl alcohol), 에틸렌글리콜(Ethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(Polypropylene glycol) 및 EO-PO 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 질소 함유 화합물은 5-아미노-1H-테트라졸, 1H-테트라졸, 1-메틸테트라졸, 1,5-디에틸테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 벤조티아졸, 소듐 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸설파싸이아졸 및 카복시트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 금속 화합물(a)과 상기 유기산(b)과 상기 알코올계 화합물(c)과 상기 질소 함유 화합물(d)의 혼합비율(a:b:c:d)은 1:10 내지 20:10 내지 20:0.5 내지 1의 중량비일 수 있다.
한편 본 발명은 상기 식각액 첨가제를 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명은 잔여 금속 시드층의 식각 과정에서, 형성되어 있는 회로패턴의 직각도를 높이면서 언더컷(under cut), 회로 들뜸 등의 현상이 유발되는 것을 방지할 수 있는 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 식각액 첨가제의 작용기작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명에 따른 실험예 1을 설명하기 위한 이미지이다.
도 3은 본 발명에 따른 실험예 2를 설명하기 위한 이미지이다.
도 2는 본 발명에 따른 실험예 1을 설명하기 위한 이미지이다.
도 3은 본 발명에 따른 실험예 2를 설명하기 위한 이미지이다.
본 발명의 설명 및 청구범위에서 사용된 용어나 단어는, 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명은 잔여 금속 시드층을 식각하는 과정에서 회로패턴이 과식각되는 것을 방지하면서 금속 시드층을 선택적으로 식각할 수 있도록 하는 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물에 관한 것으로, 이에 대해 도 1을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제는 금속 화합물을 포함한다. 이러한 본 발명에 따른 식각액 첨가제는 유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제에 포함되는 금속 화합물은 식각액 조성물에 금속 이온을 제공하여, 제공된 금속 이온이 회로패턴의 표면을 보호함으로써 회로패턴의 과식각을 방지하게 되는 식각억제제(Inhibitor) 기능을 할 수 있다.
이러한 금속 화합물은 Au, Ag, Al, Cu, Fe, Mo, Zn, Mg, Ni, Co, K, Na, Ca 및 Bi로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 함유하는 것일 수 있다. 구체적으로 금속 화합물은 Cu, Mo, Zn, Mg, K 및 Na로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속이 이온화된 금속 이온을 함유하는 것일 수 있다. 여기서 금속 화합물에 함유된 상기 금속(금속 이온)의 함유량은 상술한 식각억제제 기능을 고려할 때, 금속 화합물 전체 농도를 기준으로 0.1 ~ 3.0 g/L, 구체적으로는 0.1 ~ 1.0 g/L일 수 있다.
보다 구체적으로 상기 금속 화합물은 황산구리(Copper Sulfate), 산화구리(Copper oxide), 염화아연(Zinc chloride), 황화아연(Zinc sulfide), 질산아연(Zinc nitrate), 아세트산아연(Zinc acetate), 몰리브덴산암모늄(Ammonium molybdate), 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide), 질화몰리브덴(Molybdenum nitride), 산화몰리브덴(Molybdenum oxide), 탄산마그네슘(Magnesium carbonate), 황화마그네슘(Magnesium sulfide), 염화마그네슘(Magnesium chloride), 옥살산칼륨(Potassium oxalate), 염화칼륨(Potassium chloride), 구연산칼륨(Potassium citrate), 구연산나트륨(Sodium citrate), 염화나트륨(Sodium chloride), 인산나트륨(Sodium phosphate), 도데실 황산나트륨(Sodium dodecyl sulfate), 탄산나트륨(Sodium carbonate), 중탄산나트륨(Sodium bicarbonate) 및 아세트산나트륨(Sodium acetate)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 금속 화합물이 상기 화합물임에 따라 금속 성분으로 이루어진 회로패턴의 표면보호가 효율적으로 이루어져 회로패턴의 직각도를 높일 수 있고, 이로 인해 피치 간격이 30 ㎛ 이하(구체적으로 20 ㎛ 이하)인 미세구조의 회로패턴을 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제에 더 포함되는 유기산은 잔여 금속 시드층의 식각속도를 제어하는 식각속도조절제(Accelerator) 기능을 할 수 있다. 구체적으로 유기산은 회로패턴에 비해 잔여 금속 시드층의 식각이 빠르게 이루어질 수 있도록 금속 시드층의 식각속도를 높이는 기능을 할 수 있다.
이러한 유기산은 식각효율을 고려할 때, 구체적으로 옥살산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 아세트산, 말레익산, 프로피온산, 글리콘산 및 글리콜릭산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제에 더 포함되는 알코올계 화합물은 금속 시드층 내로 식각액 조성물의 침투력을 높여 금속 시드층 잔사가 기판 상에 남지 않도록 하는 식각침투제 기능을 할 수 있다. 구체적으로 알코올계 화합물은 기판과 금속 시드층 간의 계면을 활성화시켜(계면활성제 기능) 금속 시드층의 식각속도를 높임에 따라 기판 표면 상에 잔여 금속 시드층 성분이 잔류하는 것을 최소화시킬 수 있다.
이러한 알코올계 화합물은 금속 시드층에 대한 침투력을 고려할 때, 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 프로필알콜(Propyl alcohol), 아이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), 부틸 알코올(Butyl alcohol), 에틸렌글리콜(Ethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(Polypropylene glycol) 및 EO-PO 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제에 더 포함되는 질소 함유 화합물은 금속 시드층의 식각속도를 높이면서 회로패턴을 보호하는 보조 기능을 할 수 있다. 구체적으로 질소 함유 화합물은 금속 시드층의 식각속도를 높이면서 전기도금을 통해 형성된 회로패턴의 표면 식각속도를 감소시키는 것으로, 이로 인해 기판 표면 상에 잔여 금속 시드층 성분이 잔류하는 것을 최소화할 수 있다.
이러한 질소 함유 화합물은 5-아미노-1H-테트라졸, 1H-테트라졸, 1-메틸테트라졸, 1,5-디에틸테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 벤조티아졸, 소듐 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸설파싸이아졸 및 카복시트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 첨가제에 포함되는 금속 화합물, 유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물의 혼합비율은 금속 시드층의 식각효율을 고려할 때, 1:10 내지 20:10 내지 20:0.5 내지 1의 중량비(구체적으로 1:10:10:1, 1:10:20:0.5, 1:15:20:0.5, 또는 1:20:20:0.5)일 수 있다.
본 발명은 상기 식각액 첨가제를 포함함에 따라 피치 간격이 30 ㎛ 이하(구체적으로 20 ㎛ 이하)인 미세구조의 회로패턴 형성이 가능하면서 90% 이상의 직각도를 갖는 회로패턴이 형성되도록 할 수 있는 식각액 조성물을 제공한다. 이러한 식각액 조성물은 상기 식각액 첨가제를 포함함에 따라 회로패턴의 언더컷 발생 및 회로 들뜸 현상도 최소화할 수 있는데, 이에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 금속 화합물과, 선택적으로 유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 식각액 첨가제를 포함한다. 여기서 금속 화합물, 유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물에 대한 구체적인 설명은 상술한 바와 동일하므로 생략하도록 한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 포함된 금속 화합물의 농도는 0.1 내지 2 g/L(구체적으로 0.1 내지 1.0 g/L)일 수 있다. 금속 화합물의 농도가 0.1 g/L 미만일 경우에는 금속이온에 의한 회로패턴의 표면보호가 원활하지 않아 회로패턴의 과식각 유발 및 직각도 저하가 일어날 수 있고, 2 g/L를 초과할 경우에는 금속 시드층의 식각속도가 감소되어 금속 시드층이 잔류될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 포함된 유기산의 농도는 5 내지 15 g/L(구체적으로 7 내지 12 g/L)일 수 있다. 유기산의 농도가 5 g/L 미만일 경우에는 금속 시드층의 식각속도를 높이는 기능이 저하될 수 있고, 15 g/L를 초과할 경우에는 금속 시드층의 식각속도가 과도하게 높아져 회로 들뜸 현상이 발생될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 포함된 알코올계 화합물의 농도는 10 내지 20 g/L(구체적으로 12 내지 18 g/L)일 수 있다. 알코올계 화합물의 농도가 10 g/L 미만일 경우에는 식각액 조성물이 금속 시드층 내로 침투하는 침투력이 저하될 수 있고, 20 g/L를 초과할 경우에는 금속 시드층의 식각량이 과도하게 높아져 언더컷이 발생될 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물에 포함된 질소 함유 화합물의 농도는 0.05 내지 0.5 g/L(구체적으로 0.05 내지 0.2 g/L)일 수 있다. 질소 함유 화합물의 농도가 0.05 g/L 미만일 경우에는 금속 시드층이 잔류하여 회로패턴의 균일성(회로패턴 Top 부위의 평탄도 감소)이 저하될 수 있고, 0.5 g/L를 초과할 경우에는 금속 시드층의 식각량이 과도하게 높아져 언더컷이 발생될 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 식각액 조성물은 통상적으로 공지된 식각제를 더 포함할 수 있다. 구체적으로 본 발명에 따른 식각액 조성물은 인산, 질산, 아세트산, 염산, 황산 및 과산화수소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 식각액 조성물은 통상적으로 공지된 첨가제(예를 들어, 식각안정제)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 주로 기판 상에 회로패턴 형성을 위한 SAP 공정 또는 mSAP 공정에서, 금속 시드층을 식각하는 과정에 사용될 수 있으나, 이에 한정하지 않고 금속 성분의 식각이 필요한 공정이라면 다방면으로 사용될 수 있다. 또한 식각의 대상이 되는 금속 시드층 또는 금속 성분은 구리, 금, 은 및 니켈로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
한편 본 발명에 따른 식각액 조성물로 금속 시드층을 식각하는 식각 조건은 특별히 한정되지 않으나, SAP 공정의 경우 30 ℃에서 식각량 0.5 ~ 0.8 ㎛/min이 적용될 수 있고, mSAP 공정의 경우 35 ℃에서 식각량 3.0 ~ 4.0 ㎛/min이 적용될 수 있다.
이하, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어서 명백한 것이며, 이들 만으로 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
Mo 함유 금속 화합물 0.1 내지 2.0 g/L와, 시트르산 5 내지 15 g/L와, 폴리에틸렌글리콜 10 내지 20 g/L와, 5-아미노-1H-테트라졸 0.05 내지 0.5 g/L가 혼합된 식각액 첨가제, 95% 황산 30 내지 60 g/L 및 35% 과산화수소 20 내지 40 g/L의 조성을 갖는 식각액 조성물을 준비하였다.
[비교예 1]
95% 황산 40 g/L 및 35% 과산화수소 30 g/L의 조성을 갖는 식각액 조성물을 준비하였다.
[실험예 1]
통상적으로 공지된 SAP 공정을 적용하여 하부 절연층에 0.3 내지 0.6 ㎛ 두께의 화학동을 도금하여 구리 시드층을 형성한 후, 패턴 전기도금을 하여 회로패턴(Bare)을 형성하였다.
다음, 실시예 1 및 비교예 1의 식각액 조성물로 회로패턴이 형성된 기판을 1.4 ㎛ 식각(식각 온도 30 ℃) 후 회로패턴을 FE-SEM으로 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 1 및 도 2에 나타내었다.
| 구분 | Top 길이 (㎛) | Bottom 길이(㎛) | 회로층 두께 | 직각도(%) |
| 식각전(Bare) | 14.9 | 17.9 | 17.2 | 83.2 |
| 비교예 1 | 12.3 | 15.3 | 15.5 | 80.4 |
| 실시예 1 | 11.5 | 12.6 | 15.3 | 91.3 |
상기 표 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 식각액 조성물인 실시예 1로 구리 시드층을 식각함에 따라 직각도가 높아 균일하면서 패턴 간의 간격이 미세한 회로패턴이 형성됨을 확인할 수 있었다.
[실험예 2]
식각량(식각 두께)을 0.5 ㎛, 1.0 ㎛ 및 2.0 ㎛로 각각 식각한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 과정으로 회로패턴을 식각하였으며, 식각 후 Under cut에 대한 결과를 하기 표 2 및 도 3에 나타내었다.
| 식각량 | 0.5 ㎛ | 1.0 ㎛ | 2.0 ㎛ |
| 식각전(Bare) Under cut 길이 |
0.9 ㎛ | 0.9 ㎛ | 0.9 ㎛ |
| 비교예 1 Under cut 길이 |
0.9 ㎛ | 1.4 ㎛ | 2.1 ㎛ |
| 실시예 1 Under cut 길이 |
0.7 ㎛ | 0.3 ㎛ | 0.1 ㎛ |
상기 표 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 식각액 조성물인 실시예 1을 적용할 경우, 식각량이 늘어나더라도 under cut이 제어되는 것을 확인할 수 있었다.
[실험예 3]
식각량(식각 두께)을 0.6 ㎛, 0.8 ㎛, 1.0 ㎛, 1.2 ㎛, 1.4 ㎛ 및 1.6 ㎛로 각각 식각한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 과정으로 회로패턴을 식각하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
| 식각량 | 0.6 ㎛ | 0.8 ㎛ | 1.0 ㎛ | 1.2 ㎛ | 1.4 ㎛ | 1.6 ㎛ | |
| 구리 시드층 제거 |
비교예 1 | 잔동 有 | 잔동 有 | 잔동 無 | 잔동 無 | 잔동 無 | 잔동 無 |
| 실시예 1 | 잔동 有 | 잔동 有 | 잔동 有 | 잔동 無 | 잔동 無 | 잔동 無 | |
| 회로 들뜸 발생 |
비교예 1 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | 들뜸 有 | 들뜸 有 | 들뜸 有 | 들뜸 有 |
| 실시예 1 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | 들뜸 無 | |
상기 표 3을 참조하면, 본 발명에 따른 식각액 조성물인 실시예 1을 적용할 경우, 식각량이 늘어나더라도 구리 시드층이 잔류하지 않으면서 회로 들뜸 현상도 발생하지 않는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (11)
- Au, Ag, Al, Cu, Fe, Mo, Zn, Mg, Ni, Co, K, Na, Ca 및 Bi로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 금속 화합물을 포함하는 식각액 첨가제.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 화합물은 황산구리, 산화구리, 염화아연, 황화아연, 질산아연, 아세트산아연, 몰리브덴산암모늄, 이황화몰리브덴, 질화몰리브덴, 산화몰리브덴, 탄산마그네슘, 황화마그네슘, 염화마그네슘, 옥살산칼륨, 염화칼륨, 구연산칼륨, 구연산나트륨, 염화나트륨, 인산나트륨, 도데실 황산나트륨, 탄산나트륨, 중탄산나트륨 및 아세트산나트륨으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 식각액 첨가제. - 제1항에 있어서,
유기산, 알코올계 화합물 및 질소 함유 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 것인 식각액 첨가제. - 제3항에 있어서,
상기 유기산은 옥살산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 아세트산, 말레익산, 프로피온산, 글리콘산 및 글리콜릭산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 식각액 첨가제. - 제3항에 있어서,
상기 알코올계 화합물은 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 프로필알콜 (Propyl alcohol), 아이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), 부틸 알코올 (Butyl alcohol), 에틸렌글리콜(Ethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(Polypropylene glycol) 및 EO-PO 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 식각액 첨가제. - 제3항에 있어서,
상기 질소 함유 화합물은 5-아미노-1H-테트라졸, 1H-테트라졸, 1-메틸테트라졸, 1,5-디에틸테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 벤조티아졸, 소듐 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸설파싸이아졸 및 카복시트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 식각액 첨가제. - 제3항에 있어서,
상기 금속 화합물과, 상기 유기산과, 상기 알코올계 화합물과, 상기 질소 함유 화합물의 혼합비율이 1:10 내지 20:10 내지 20:0.5 내지 1의 중량비인 것인 식각액 첨가제. - 제1항에 있어서,
상기 금속 화합물은 금속층의 표면을 보호하여 금속층의 과식각을 방지하는 것인 식각액 첨가제. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 식각액 첨가제를 포함하는 식각액 조성물.
- 제9항에 있어서,
상기 금속 화합물의 농도가 0.1 내지 2 g/L인 것인 식각액 조성물. - 제9항에 있어서,
세미 애디티브법(Semi Additive Process) 또는 모디파이드 세미 애디티브법(Modified Semi-Additive Process)에서 형성된 금속 시드층을 식각하는 것인 식각액 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220092530A KR102584044B1 (ko) | 2021-09-16 | 2022-07-26 | 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210123777A KR102456623B1 (ko) | 2021-09-16 | 2021-09-16 | 식각액 첨가제 및 이를 포함하는 식각액 조성물 |
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