KR20220162992A

KR20220162992A - 대전방지 이형필름

Info

Publication number: KR20220162992A
Application number: KR1020210071299A
Authority: KR
Inventors: 권지웅
Original assignee: 도레이첨단소재 주식회사
Priority date: 2021-06-02
Filing date: 2021-06-02
Publication date: 2022-12-09
Also published as: KR102486716B1

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름은 기재, 기재의 적어도 일면에 위치하는 대전방지층 및 대전방지층 상에 위치하며 실리콘 이형제와 실리콘 수지를 포함하는 실리콘 이형 조성물의 경화층인 이형층을 포함한다. 이와 같은 대전방지 이형필름은 대전방지성을 가지고 있어 MLCC 세라믹 그린시트 성형 공정에서 정전기에 의한 이물이 제품에 달라붙는 현상을 방지할 수 있으며, 동시에 대전방지 코팅층에 의한 이형층 물성 변화를 최소화하여 우수한 이형 물성을 가지는 이형필름을 제공할 수 있다.

Description

대전방지 이형필름{ANTI-STATIC RELEASE FILM}

본 발명은 이형필름에 관한 것으로, 보다 구체적으로 MLCC 세라믹 그린시트 성형 공정에서 정전기에 의한 오염을 방지하고 동시에 대전방지 코팅층에 의한 이형층의 물성 변화를 최소화할 수 있는 대전방지 이형필름에 관한 것이다.

일반적으로, MLCC 세라믹 그린시트 성형 공정용 이형필름은 기재 상에 형성된 이형층이 구비된 구조로서, 점착제 보호용 필름으로 사용되며, MLCC를 구성하는 그린시트에 있어서 세라믹 슬러리를 얇고 균일하게 도포하기 위한 캐리어 필름 용도로 사용된다.

한편, 적층 세라믹 커패시터(MLCC)는 전기를 축적하거나 전류를 안정시키기 위하여 사용되는 커패시터(축전지)의 한 종류로서, 그 크기가 작고 정전용량이 커서 휴대용 전자기기에 널리 사용되고 있으며, 특히 최근 스마트폰 및 태블릿 PC의 보급으로 그 수요가 크게 증가하고 있다. 이러한 MLCC는 그린시트와 내부 금속 전극을 수십 또는 수백 층 교대로 적층한 후 외부전극을 연결함으로써 완성되며, 그 크기는 1mm 이하부터 수nm까지 다양하나 점차 소형화, 박형화되는 추세이다.

이와 같은 MLCC에 사용되는 그린시트는 지지체인 캐리어 필름 상에 세라믹 슬러리가 균일하게 도포된 후 소성하여 형성된다. 그린시트를 성형하기 위한 캐리어 필름은 기계적 강도, 치수 안정성, 내열성, 가격 경쟁력 등이 우수한 2축 연신 폴리에스테르 필름이 기재로 사용되며, 그 일면에 고분자 실리콘 이형층이 도포된 이형필름이 사용되고 있다. 최근 MLCC의 소형화 및 고용량화 경향에 따라, 그린시트 두께를 보다 박막화하고 다층으로 적층하는 것이 요구되고 있으며, 구체적으로 그린시트는 1~30㎛ 수준의 두께로 제작된다.

또한, MLCC 세라믹 그린시트의 성형 공정에 사용되는 이형필름의 이형층은, 예를 들어, 오르가노폴리실록산 (organopolysiloxane), 오르가노하이드로전폴리실록산 (organohydrogenpolysiloxane) 및 백금 촉매로 구성된 실리콘 이형 조성물에 의해 형성될 수 있으며, 슬러리 건조 후 형성된 그린시트의 경우 이형필름과의 점착(tack)성이 낮아 무거운 박리력이 요구되고 있으나 일반적인 이형필름으로는 경박리 또는 선박리가 발생하고 이로 인해 공정 수율 저하 등의 문제가 발생되므로, 중박리 이상의 무거운 박리력을 갖는 이형필름이 요구되고 있다.

또한, 그린시트 성형 공정 중 잔존하는 이물은 슬러리 층에 손상을 주어, 제품 수율에 지대한 영향을 끼치게 된다. 특히, MLCC 세라믹 그린시트 가공 중 발생하는 마찰에 의한 정전기로 잔존 이물이 슬러리 층이나 이형필름 이형면에 달라붙은 상태에서 슬러리 층이 경화될 때, 달라붙은 이물이 혼입되어 결함을 유발하게 된다. 이러한 이물에 의한 결함은 MLCC 제품 수율 저하에 지대한 영향을 끼치게 되므로, 이물 개선을 위한 대전방지(정전기 방지) 필름이 요구되는 상황이다. 이와 같은 정전기 문제에 대한 해결방법의 하나로 이형필름에서 대전방지 코팅층을 실리콘 이형 코팅층과 다른 면에 코팅하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 이와 같이 대전방지 코팅층과 실리콘 이형 코팅층이 서로 다른 기재면에 위치하게 되는 경우, 필름을 권취 시 대전방지 코팅층과 실리콘 이형 코팅층이 서로 맞닿게 되며, 이때 대전방지 코팅층의 특정 성분이 실리콘 이형 코팅층으로 전사하게 되어 이형필름 물성이 변하는 문제가 발생한다.

한국등록특허공보 제10-1522942호

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 대전방지층을 구성하여 정전기 발생을 완화시켜 이물이 제품에 달라붙는 현상을 방지하고, 대전방지층에 의한 이형층의 물성 변화를 최소화하여 우수한 이형 물성을 가지는 대전방지 이형필름을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 분명해질 것이다.

상기 목적은, 기재, 기재의 적어도 일면에 위치하는 대전방지층 및 대전방지층 상에 위치하며 실리콘 이형제와 실리콘 수지를 포함하는 실리콘 이형 조성물의 경화층인 이형층을 포함하는 대전방지 이형필름에 의해 달성된다.

여기서, 기재는 두께 20 내지 130㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트일 수 있다.

바람직하게는, 기재는 평균입경이 0.1 내지 5.0㎛인 무기입자를 포함하고, 기재 전체 100 중량%에 대비 0.01 내지 5 중량%의 무기입자를 포함하는 것일 수 있다.

바람직하게는, 이형층은 표면에서 상기 기재 깊이 방향으로 X선 광전자 분광(XPS) 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합이 분포하는 면적비율이 감소하고, Si-Me(메틸기) 결합이 분포하는 면적비율이 일정한 것일 수 있다.

바람직하게는, 이형층은 하기 수학식 1 및 3을 동시에 만족하는 것일 수 있다.

(수학식 1)

0.1 ≤ F1 ≤ 5

F1: 그린시트를 이용하여 측정한 박리력

(수학식 3)

1 ≤ RB ≤ 2

RB = B0/B1

B0: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 0.3mpm, gf/in)

B1: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 10mpm, gf/in)

바람직하게는, 이형층은 하기 수학식 2 및 4를 동시에 만족하는 것일 수 있다.

(수학식 2)

0 < RA ≤ 1

RA = A0/A1

A0: 그린시트 박리 후 이형층 표면에너지(dyne/cm)

A1: 슬러리(그린시트) 코팅 전 이형층 표면에너지(dyne/cm)

(수학식 4)

0 ≤ T ≤ 0.005

T: 액상 XRF 측정값으로, 용매에 이형필름을 넣고 48시간 교반 후, 용매로 용출되는 Si 함량(g/㎡)이다.

바람직하게는, 이형층은 IR 스펙트럼에서 1430cm^-1내지 1578cm^-1 위치(P1) 및 1020cm^-1내지 1100cm^-1 위치(P2)에서의 피크 강도의 비 (P2/P1)가 10 내지 30일 수 있다.

바람직하게는, 실리콘 이형 조성물은 Si-Me 결합 대 Si-Ph 결합의 몰비가 100:30 내지 100:60일 수 있다.

바람직하게는, 실리콘 이형제는 페닐기의 함량 비율이 10% 내지 30%일 수 있다.

바람직하게는, 실리콘 이형 조성물은 실리콘 이형제 100 중량부에 대해 실리콘 수지 30 내지 50 중량부를 포함하는 것일 수 있다.

바람직하게는, 실리콘 이형제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이고, 실리콘 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.

(화학식 1)

화학식 1에서 x, y, z는 1 이상의 정수이며;

R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합이며;

R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉,R₁₁은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기이며; R₈은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 이들의 조합이고,

(화학식 2)

화학식 2에서 m, n, o는 1 이상의 정수이며;

R_a,R_b,R_c,R_d는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합이다.

바람직하게는, 화학식 1의 R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 -H, -CH=CH₂,-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-CH=CH₂및 -CH₃중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.

바람직하게는, 화학식 1의 R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉,R₁₁은 서로 독립적으로 -CH₃기이고, R₈은 Ph기 혹은 -CH₃기 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.

바람직하게는, 화학식 2의 Ra, Rd는 서로 독립적으로 -CH₃기이고, Rb, Rc는 -H 혹은 -CH=CH₂중 선택되는 어느 하나일 수 있다.

바람직하게는, 이형층의 두께는 10nm 내지 2㎛일 수 있다.

바람직하게는, 실리콘 이형 조성물은 건조 후 함량이 0.01 내지 2 g/m²일 수 있다.

바람직하게는, 대전방지층의 두께는 10nm 내지 2㎛ 일 수 있다.

바람직하게는, 대전방지층의 표면저항값은 9.99 x 10^11 Ω/□ 이하일 수 있다.

또한 상기 목적은 세라믹 그린 시트의 제조 공정용으로 사용되는 상술한 대전방지 이형필름에 의해 달성된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름은 대전방지층을 구비함으로써 MLCC 세라믹 그린시트 성형 공정에서 정전기에 의한 이물이 제품에 달라붙는 현상을 방지할 수 있으며, 동시에 대전방지층에 의한 이형층의 물성 변화를 최소화하여 우수한 이형 물성을 가지는 이형필름을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름은 동일면에 대전방지층과 실리콘 이형층을 구성하여 권취 시 각 층에 있는 성분의 전사 문제를 줄일 수 있고, 권취 후 실리콘 이형층이 대전방지층에 의한 영향을 덜 받게 되어 이형필름의 물성을 안정하게 유지할 수 있도록 하는 효과가 있다.

또한, 실리콘 이형층과 기재 사이에 대전방지층을 추가하게 되면 물리적인 코팅 두께 증가로 인하여 슬러리 박리력과 테이프 박리력이 증가하게 되므로, 실리콘 이형층과 대전방지층의 두께를 줄여 총 두께를 종래의 실리콘 이형필름과 동일하게 유지하여 우수한 이형 물성을 갖는 효과가 있다.

다만, 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름의 개략 단면도이다.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다. 또한 본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름(10)은 기재(13), 기재(13)의 적어도 일면에 위치하는 대전방지층(12) 및 대전방지층(12) 상에 위치하는 이형층(11)을 포함한다. 이하 구성요소에 대해 상세히 설명한다.

기재(13)

본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름(10)에 사용되는 기재(13)는 폴리에스테르계 기재를 사용하는 것일 수 있으며, 폴리에스테르계 기재(13)는 폴리에스테르계 필름 또는 시트 형태일 수 있다. 그러나 폴리에스테르계 기재(13)의 형상은 이에 한정되지 않고 당해 기술분야에서 사용가능한 폴리에스테르계 기재의 모든 형상을 이용할 수 있다.

일 실시예에서, 기재(13)는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 등을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 폴리에스테르계 기재(13)는 방향족 디카르복실산과 지방족 글리콜을 중축합시켜 얻은 폴리에스테르 수지일 수 있다. 방향족 디카르복실산의 예로는 이소프탈산, 프탈산, 테레프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 아디프산, 세바스산, 또는 옥시카르복실산 등을 사용할 수 있다. 그리고 지방족 글리콜의 예로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부타디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 또는 네오펜틸글리콜 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에스테르 수지는 상기 방향족 디카르복실산 및 지방족 글리콜의 예들 중에서 2종 이상을 병용할 수 있으며, 제3성분을 함유한 공중합체도 사용할 수 있다.

일 실시예에서, 폴리에스테르계 기재(13)는 높은 투명성을 갖는 동시에 생산성 및 가공성이 우수한 일축 또는 이축 배향 필름을 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 또는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트 (PEN) 등을 사용할 수 있다.

본 발명에서 기재(13)는 무기입자를 더 포함할 수 있다. 기재(13)에 포함되는 무기입자는 우수한 롤 간 주행 특성을 부여할 수 있다.

이러한 무기입자의 예로는 실리카, 산화실리콘, 탄산칼슘, 황산칼슘, 인산칼슘, 탄산마그네슘, 탄산바륨, 카올린, 산화알루미늄, 또는 산화티탄 등의 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 다만, 기재(13)에 포함되는 무기입자의 종류는 이에 제한되지 않으며, 우수한 미끄러짐 특성을 나타낼 수 있는 다양한 종류의 무기입자를 사용할 수 있다.

무기입자의 형상은 구상, 괴상, 봉상 또는 판상 등의 형상을 가지는 것이 바람직하다. 다만, 무기입자의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양한 임의의 형상을 가질 수 있다.

또한, 기재(13)에 포함되는 무기입자의 경도, 비중 및 색상에 대해 한정되지 않는다. 필요에 따라 상기 무기입자는 2종 이상을 병행하여 사용할 수 있다.

또한, 무기입자의 평균입경은 0.1 내지 5.0㎛인 것이 바람직하고, 0.1 내지 2.0 ㎛인 것이 더욱 바람직하다. 무기입자의 평균입경이 0.1㎛ 미만이면 입자간 응집현상이 발생하여, 분산 불량이 발생할 수 있고 무기입자의 평균입경이 5.0㎛를 초과하면 기재필름 또는 기재시트의 표면조도 특성이 나빠져 후가공시 코팅 불량이 발생될 수 있다.

또한, 무기입자의 함량은 기재(13) 전체 100 중량%에 대비 0.01 내지 5 중량%인 것이 바람직하고, 0.01 내지 3 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 무기입자의 함량이 기재 전체 100 중량%를 기준으로 하여 0.01 중량% 미만이면 폴리에스테르계 기재 필름 또는 시트의 주행 특성이 나빠질 수 있으며, 5 중량%를 초과하면 폴리에스테르계 기재 필름 또는 시트의 표면 평활성이 나빠질 수 있다.

또한, 기재(13)의 두께는 20 내지 130㎛인 것이 바람직하고, 30 내지 125 ㎛인 것이 더욱 바람직하다. 기재(13)의 두께가 20㎛ 미만이면 건조 과정 중에 열에 의해 변형될 우려가 있으며, 기재(13)의 두께가 130㎛를 초과한다면 열이 충분히 전달되지 않아 경화되지 않을 우려가 있다.

대전방지층(12)

대전방지층(12)은 기재(13)의 적어도 일면에 형성된다. 대전방지층(12)은 기재(13)의 일면에 대전방지제와 바인더 수지를 포함하는 대전방지 조성물을 도포하여 형성된다.

대전방지층(12)에 포함되는 대전방지제는 카본블랙, 도전성폴리머, 계면활성제 및 탄소나노튜브 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 대전방지층(12)은 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 또는 영구 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으며, 필요에 따라 수지층 및 경화제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 대전방지층의 표면저항 값은 9.99 x 10^11 Ω/□ 이하인 것이 바람직하다. 대전방지층의 표면저항 값이 9.99 x 10^11 Ω/□ 를 초과하는 경우 전기전도성이 낮아져 정전기 방지 성능이 떨어지게 된다.

일 실시예에서, 대전방지층의 두께는 10nm 내지 2㎛인 것이 바람직하다. 대전방지층의 두께가 10nm 미만인 경우 대전방지층의 목표 표면저항 값인 9.99x10^11 Ω/□를 초과하여 정전기 방지 성능이 떨어지는 문제를 가지며, 2㎛ 초과인 경우 슬러리 박리력과 테이프 박리력이 증가하게 되므로 실리콘 이형층의 물성이 저하되는 문제가 발생한다.

이형층(11)

이형층(11)은 대전방지층(12) 상에 위치한다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름(10)은 기재(13)와 이형층(11) 사이에 대전방지층(12)이 위치하는 구조를 가진다.

이형층(11)은 실리콘 이형제와 실리콘 수지를 포함하는 실리콘 이형 조성물이 경화되어 형성된다.

일 실시예에서, 실리콘 이형제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

(화학식 1)

상기 화학식 1에서, x, y, z는 1 이상의 정수이며, R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합이며, R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉,R₁₁은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기이며; R₈은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있다.

일 실시예에서, 상기 화학식 1의 R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 -H, -CH=CH₂,-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-CH=CH₂및 -CH₃중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.

일 실시예에서, 화학식 1의 R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉,R₁₁은 서로 독립적으로 -CH₃기이고, R₈은 Ph기 혹은 -CH₃기 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.

일 실시예에서 화학식 1로 표시되는 실리콘 이형제는 10% 내지 30%의 페닐기를 포함하는 것이 바람직하다. 이때 페닐기 함량이 10% 미만인 경우 표면 Si-Ph(페닐기) 결합 분포가 낮아 중박리력 구현이 어려워 그린시트 선박리가 일어나는 단점이 있고, 30%를 초과하는 경우 표면 Si-Ph(페닐기) 결합 분포가 높아 박리력이 상승하거나 박리력이 높아 박리 시 그린시트가 손상되는 단점이 있기 때문이다.

일 실시예에서, 실리콘 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

(화학식 2)

화학식 2에서, m, n, o는 1 이상의 정수이며, Ra, Rb, Rc, Rd는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.

일 실시예에서, 화학식 2의 Ra, Rd는 서로 독립적으로 -CH₃기이고, Rb, Rc는 -H 혹은 -CH=CH₂중 선택되는 어느 하나일 수 있다.

일 실시예에서, 실리콘 이형 조성물은 화학식 1로 표시되는 실리콘 이형제 100 중량부에 대해 화학식 2로 표시되는 실리콘 수지 30 내지 50 중량부를 포함하는 것이 바람직하다. 이때 화학식 2로 표시되는 실리콘 수지의 함량이 30 중량부 미만인 경우 이형층 경화도가 부족한 단점이 있고, 50 중량부를 초과하는 경우 표면 Si-Ph(페닐기) 결합 분포 감소로 중박리력 구현이 어려운 단점이 있기 때문이다.

일 실시예에서, 실리콘 이형 조성물은 백금 촉매를 더 포함할 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 유기 용매에 혼합한 혼합물 100중량부를 기준으로 4 내지 6중량부의 백금 촉매를 첨가하는 것이 바람직하다.

일 실시예에서, 이형층(11)을 형성하는 실리콘 이형 조성물은 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비는 100:30 내지 100:60인 것이 바람직하다. Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:30 미만이면 이형층(11) 표면에서의 XPS 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적비가 낮아서 중박리력 구현이 어려울 수 있고, Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:60을 초과하면 이형층(11) 표면에서의 XPS 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적비 증가로 이형층(11)에 대한 박리력이 과도하게 높아질 수 있기 때문에 위 범위로 하는 것이 바람직하다.

일 실시예에서, 이형층(11)은 IR 스펙트럼에서 1430cm^-1내지 1578cm^-1위치(P1) 및 1020cm^-1내지 1100cm^-1위치(P2)에서의 피크 강도의 비 (P2/P1)가 10 내지 30일 수 있다. 피크 강도의 비가 10 미만인 경우 표면 Si-Ph(페닐기) 결합 분포가 높아 이형성을 구현하기 어려워 그린시트가 손상되는 단점이 있고, 30을 초과하는 경우 표면 Si-Ph(페닐기) 결합 분포가 낮아 중박리력 구현이 어려워 그린시트 선박리가 일어나는 단점이 있기 때문이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 대전방지 이형필름은 이형층(11)의 표면에서 기재 깊이(두께) 방향으로 X선 광전자 분광(XPS) 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합이 분포하는 면적비율과 Si-Me(메틸기) 결합이 분포하는 면적 비율을 조절함으로써 향상된 이형층의 내용제성, 경화도 및 중박리력과 감소된 Si 전사율을 달성할 수 있다.

일 실시예에서, 이형층(11)은 그 표면에서 기재 깊이 방향으로 X선 광전자 분광(XPS) 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합이 분포하는 면적비율이 감소하는 것이 바람직하며, 또한 Si-Me(메틸기) 결합이 분포하는 면적비율은 동일한 것이 바람직하다. 만일, 기재 깊이 방향으로 Si-Ph(페닐기) 결합이 분포하는 면적비율이 일정하거나 증가하는 경우, 표면 Si-Me(메틸기) 결합 분포 비율이 상대적으로 높아 충분한 중박리력 구현이 어려울 수 있다. 또한 표면 Si-Me(메틸기) 결합이 분포하는 면적 비율이 증가하거나 감소하는 경우 원하는 박리력 구현이 어렵다.

일 실시예에서, 이형층(11)의 두께가 10nm 내지 2㎛일 수 있다. 이형층(11)의 두께가 10nm 미만이면 이형성이 미미할 수 있고, 2㎛를 초과하면 경화 시 많은 열이 요구되어 기재의 열변형이 유발되거나, 충분히 경화되지 못하여 Si 전사 문제가 발생할 수 있다.

일 실시예에서, 이형층(11)에서 실리콘 이형 조성물은 건조 후 함량이 0.01 내지 2 g/m²일 수 있다. 건조 후 함량이 0.01 g/m² 미만인 경우 이형층의 탄성이 부족하여 박리력이 너무 커지게 되고, 2 g/m²을 초과하는 경우 블로킹이나 이형 조성물의 경화가 부족하여 이형층의 실리콘이 전사되기 때문이다.

일 실시예에서, 이형층(11)은 하기 수학식 1 내지 4를 동시에 만족하는 것이 바람직하다.

(수학식 1)

0.1 ≤ F1 ≤ 5

F1: 그린시트를 이용하여 측정한 박리력

(수학식 2)

0 < RA ≤ 1

RA = A0/A1

A0: 그린시트 박리 후 이형층 표면에너지(dyne/cm)

A1: 슬러리(그린시트) 코팅 전 이형층 표면에너지(dyne/cm)

(수학식 3)

1 ≤ RB ≤ 2

RB = B0/B1

B0: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 0.3mpm, gf/in)

B1: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 10mpm, gf/in)

(수학식 4)

0 ≤ T ≤ 0.005

이때, 수학식 1에서 그린시트를 이용하여 측정한 박리력(F1)이 0.1 미만인 경우 이형필름이 그린시트 표면에 점착상태를 유지하기 어려우며, 5 초과 시 이형필름 제거할 때 그린시트 표면에 손상이 발생될 수 있다.

또한, 수학식 2에서 그린시트 코팅 전후의 이형층 표면에너지 비율(RA)이 1 초과인 경우 이형층 표면에너지의 변화가 과도하여 그린시트 표면 물성을 저해하여 적층 공정에서 불량을 발생시킨다.

또한, 수학식 3에서 박리 속도에 따른 박리력 비율(RB)가 1 미만이면 이형층의 기재 밀착력이 낮아 이형층이 탈락하는 문제를 가지며, 2 초과 시 그린시트 표면에 손상이 발생된다.

또한, 수학식 4에서 용출되는 Si 함량(T)이 0.005 초과시 과도한 Si 용출로 인해 이형층의 실리콘이 인접한 다른 층으로 전사되어 이형필름의 물성이 저하되거나 인접한 층을 오염시키는 문제가 생긴다.

상술한 실리콘 이형 조성물의 성분 및 제조 조건을 한정한 이형층(11) 및 대전방지층(12)을 포함하는 본 발명에 따른 대전방지 이형필름(10)은 이형층(11) 표면에서 기재 두께방향으로 XPS 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 및 Si-Me(메틸기) 결합 분포비를 조절함으로써, 이형층의 내용제성, 경화도 및 중박리력을 향상시키고, 감소된 Si 전사율을 갖는 이형필름을 구현하여, 이형층(11)을 포함하는 이형필름(10)은 내용제성, 이형층 경화도 및 중박리력이 향상되고, 감소된 Si 전사율을 가질 수 있다. 이로 인해, 중박리의 무거운 박리력이 요구되거나 그린시트 핀홀 방지 개선이 요구되는 용도의 이형필름에 사용될 수 있다.

이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[실시예]

[실시예 1]

폴리에스테르 기재필름(두께: 30㎛, 도레이첨단소재, Excell)의 일 면에 바인더 수지로 수용성의 수산기 함유 폴리에스테르 수지((B) 성분) 1 중량부와 PEDOT-PSS((A) 성분) 10 중량부를 물 95 중량부로 희석하여 이루어지는 희석액 A(HERAEUS 社 제조, Clevios: 고형분 4.5 중량%) 100 중량부에 대하여, 수용성 멜라민((C) 성분) 70 중량부와 물 30 중량부를 포함하는 멜라민 화합물 용액(주쿄 유시 가부시키가이샤 제조, P-795: 고형분 70.0 중량%)을 1.7 중량부 혼합하고, 거기에 물과 IPA의 혼합 용매(중량비 1:1)를 더 첨가하여 고형분 0.6 중량%가 되도록 희석하여, 열경화성 수지 조성물의 도공액을 얻었다. 이 열경화성 수지 조성물의 도공액을, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 31㎛)을 포함하는 기재에, 건조 후의 막 두께가 10 내지 15 ㎚가 되도록 균일하게 도공하고 130℃에서 30초 건조시켜, 대전 방지층을 형성하였다.

다음으로, 실리콘 이형제로 화학식 1의 페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 화학식 2의 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:30이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene:MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 다음 이 혼합물 100 중량부를 기준으로 하여 백금촉매(Shinetsu사 제조, PL-50T) 5 중량부를 첨가하여 실리콘 이형 조성물을 제조하였다.

다음으로, 제조된 실리콘 이형 조성물을 대전방지층 상에 건조 후 함량이 0.08 g/m²가 되도록 도포하고 150℃의 열풍 건조기에서 1분간 열처리로 경화시켜 이형층(두께: 1.0㎛)을 형성함으로써 대전방지 이형필름을 제조하였다.

[실시예 2]

페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:40이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene: MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 대전방지 이형필름을 제조하였다.

[실시예 3]

페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:50이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene: MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.

[실시예 4]

페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:60이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene: MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.

[실시예 5]

실리콘 이형 조성물을 대전방지층 상에 건조 후 함량이 0.01 g/m²가 되도록 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 대전방지 이형필름을 제조하였다.

[실시예 6]

실리콘 이형 조성물을 대전방지층 상에 건조 후 함량이 2 g/m²가 되도록 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 대전방지 이형필름을 제조하였다.

[비교예]

[비교예 1]

페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:20이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene: MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.

[비교예 2]

페닐기가 도입된 실리콘 수지(Shinetsu社, X-62-9201A) 및 실리콘 수지(Shinetsu사 제조, X-62-1387)를 Si-Me(메틸기) 결합 대 Si-Ph(페닐기) 결합의 몰비가 100:70이 되도록 화학양론적으로 칭량한 후 유기용매(Toluene: MEK= 1:1의 부피비)에 첨가하여 혼합물을 제조한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 이형필름을 제조하였다.

[비교예 3]

상기 실리콘 이형 조성물을 건조 후 함량이 0.005 g/m²가 되도록 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 대전방지 이형필름을 제조하였다.

[비교예 4]

상기 실리콘 이형 조성물을 건조 후 함량이 2.1 g/m²가 되도록 도포한 것을 도포한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 대전방지 이형필름을 제조하였다.

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 따른 대전방지 이형필름을 사용하여 다음과 같은 실험예를 통해 물성을 측정하고 그 결과를 다음 표 1 내지 표 4에 나타냈다.

[실험예]

(1) X선 광전자 분광(XPS) 분석

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 대전방지 이형필름을 XPS 분석하여 표면에서 기재 두께방향으로 Si-Ph(페닐기) 결합 및 Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적비를 분석하고 그 결과를 표 1에 기재하였다.

	이형층 표면		이형층 표면에서 기재 두께방향으로 0.5 ㎛		이형층 표면에서 기재 깊이(두께)방향으로 1.0 ㎛
	Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적(%)	Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적(%)	Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적(%)	Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적(%)	Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적(%)	Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적(%)
실시예 1	50	40	48	40	46	40
실시예 2	52	38	50	38	48	38
실시예 3	54	36	52	36	50	36
실시예 4	56	34	54	34	52	34
실시예 5	50	40	48	40	46	40
실시예 6	50	40	48	40	46	40
비교예 1	40	50	42	48	44	46
비교예 2	60	33	62	31	64	29
비교예 3	43	45	35	42	28	55
비교예 4	50	43	55	40	60	35

* 표 1에서, 전체 결합 분포 면적 100% 기준으로 나머지 면적비는 기타 결합 구성 분포 면적의 합을 의미함

위 표 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 6의 대전방지 이형필름은 이형층 표면에서 기재 깊이(두께) 방향으로 Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적이 감소하고 Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적이 일정한 것을 알 수 있다. 반면에, 비교예 1 내지 4에 따른 대전방지 이형필름은 이형층 표면에서 기재 깊이(두께) 방향으로 Si-Ph(페닐기) 결합 분포 면적이 오히려 증가하거나 Si-Me(메틸기) 결합 분포 면적이 일정하지 않고 변화하는 것을 알 수 있다.

(2) 그린시트 및 TESA7475 Tape 박리력

<세라믹 조성물 제조>

타이탄산바륨 300nm 분체 100 중량부에 대하여, 폴리비닐부티랄 수지(Sekisui社, BL-10) 10 중량부, 디옥틸프탈레이트(애경유화社, DOP) 5 중량부, 분산제(BYK社, 103) 1중량부를 에탄올과 톨루엔 1:1 혼합 용매 10 중량부에 희석한다.

<그린시트 코팅>

상기 세라믹 조성물을 실시예 1 내지 6과 비교예 1 내지 4의 이형층 표면에 두께 20㎛로 코팅 및 건조하여, 이형층 포면에 그린시트가 형성된 그린시트 코팅 샘플을 제조하였다.

<그린시트를 이용한 이형층에 대한 박리력>

- 상기 제작된 그린시트 코팅 샘플을 가로 25mm, 세로 150mm 크기로 준비

- 측정 기기: AR-1000

- 측정 방법: 박리각도 90°, 박리속도 15mpm의 조건으로 이형필름을 박리

- 측정 데이터: 박리력 단위는 gf/in, 측정값은 5회 측정 평균값 산출

<TESA7475 Tape를 이용한 박리속도별 박리력 비>

- 실시예 1~6, 비교예 1~4 샘플 가로 25mm, 세로 150mm 크기로 준비하여 TESA7475 테이프에 접착

- 측정 기기: AR-1000

- 측정 방법: 박리각도 180°, 박리속도 0.3mpm 및 10mpm의 조건으로 이형필름을 박리

실시예 1 내지 6과 비교예 1 내지 4에 대해 측정된 박리력 측정 결과를 표 2에 기재하였다.

	F₁ 그린시트를 이용한 이형층에 대한 박리력(gf/in)	R_B TESA7475 Tape를 이용한 박리속도별 박리력 비
	F₁ 그린시트를 이용한 이형층에 대한 박리력(gf/in)	B₀ 0.3mpm 박리력(gf/in)	B₁ 10mpm 박리력(gf/in)	R_B(=B₀/B₁) 박리력 비
실시예 1	3.0	50.0	46.0	1.1
실시예 2	3.5	53.0	45.0	1.2
실시예 3	4.0	55.0	44.0	1.3
실시예 4	4.5	60.0	43.0	1.4
실시예 5	4.9	100.0	50.0	2.0
실시예 6	0.1	40.0	40.0	1.0
비교예 1	0.05	25.0	35.0	0.7
비교예 2	10.0	100.0	40.0	2.5
비교예 3	15.0	150.0	70.0	2.1
비교예 4	0.005	35.0	65.0	0.5

위 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 6은 상술한 수학식 1 및 수학식 3의 박리력 조건을 모두 만족하는 반면에, 비교예 1 내지 4는 수학식 1 및 수학식 3를 모두 만족시키지 않는 것을 알 수 있다.

(3) 그린시트 코팅 전, 코팅-박리 후 이형층 표면에너지

- 실험예 2의 그린시트 코팅 전, 코팅-박리 후 샘플에서 이형층 표면에너지를 측정

- 측정 기기: Lauda scientific社 LSA100

- 측정 방법: 용매 물, 디요오드화메탄

- 측정 데이터: 측정값은 5회 측정 평균값 산출

실시예 1 내지 6과 비교예 1 내지 4에 대해 측정된 이형층 표면에너지를 표 3에 기재하였다.

	그린시트 코팅 전, 코팅-박리 후 이형층 표면에너지 비
	A₀ 그린시트 코팅-박리 후 이형층 표면에너지(dyne/cm)	A₁ 그린시트(슬러리) 코팅 전 이형층 표면에너지(dyne/cm)	R_A(=(A₀/A₁) 표면에너지 비
실시예 1	17	17	1
실시예 2	18	18	1
실시예 3	19	19	1
실시예 4	20	20	1
실시예 5	17	17	1
실시예 6	17	17	1
비교예 1	35	17	2.1
비교예 2	30	25	1.2
비교예 3	35	18	1.9
비교예 4	50	30	1.7

위 표 3에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 6은 모두 그린시트 코팅 전의 이형층 표면에너지와 그린시트를 코팅-박리 후 이형층의 표면에너지 비가 수학식 2를 만족하여, 표면에너지 변화가 거의 없는 것을 확인할 수 있다. 반면에 비교예 1 내지 4는 그린시트 코팅 전의 이형층 표면에너지와 그린시트를 코팅-박리 후 이형층의 표면에너지 변화가 크게 발생하여 수학식 2를 만족하지 못하므로, 이형층의 이형력이 저하되는 것을 예상할 수 있다.

(4) 액상 XRF 분석을 통한 Si 용출량

- 실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 4 샘플, 크기 가로 25mm, 세로 75mm

- 측정 기기: Rigaku社 ZSX 100E

- 측정 방법: Toluene 용매에 이형필름을 넣고 48시간 교반 후, 용매의 XRF 분석을 통해 Si 용출량 측정

- 측정 데이터: 측정값은 5회 측정 평균값 산출

실시예 1 내지 6과 비교예 1 내지 4에 대해 측정된 Si 용출량을 표 4에 기재하였다.

	Si 용출량(g/㎡)
실시예 1	0.001
실시예 2	0.001
실시예 3	0.001
실시예 4	0.001
실시예 5	0.001
실시예 6	0.001
비교예 1	0.030
비교예 2	0.050
비교예 3	0.010
비교예 4	0.100

위 표 4에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 6은 모두 Si 용출량이 0.005g/m²이하인 반면에, 비교예 1 내지 4는 모두 Si 용출량이 0.005g/m²를 초과하는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 비교예 1 내지 4는 Si 용출량이 과도하여 이형층의 물성 저하가 발생하거나 이형층에 인접한 다른 층에 실리콘이 전사되어 오염이 발생할 수 있다.

(5) IR 스펙트럼 피크 강도 분석

실시예 1~6 및 비교예 1~4에서 제조한 대전방지 이형필름의 이형층에 대해 측정기기(Bruker社 Vertex70)를 이용하여 1430cm^-1내지 1578cm^-1위치(P1) 및 1020cm^-1내지 1100cm^-1 위치(P2)에서의 피크 강도를 측정하고 둘 사이의 피크 강도의 비(P2/P1)를 산출하여 표 5에 기재하였다.

	실시예 1	실시예 2	실시예 3	실시예 4	실시예 5	실시예 6	비교예 1	비교예 2	비교예 3	비교예 4
IR 스펙트럼 피크 강도의 비 (P2/P1)	19	21	23	25	19	19	8	37	9	40

위 표 5에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 6은 1430cm^-1내지 1578cm^-1 위치(P1) 및 1020cm^-1내지 1100cm^-1 위치(P2)에서의 피크 강도의 비 (P2/P1)가 10 내지 30을 만족하는 반면에, 비교예 1 내지 4는 피크 강도의 비 (P2/P1)가 10 내지 30을 만족하지 못하여 이형층이 이형성을 구현하기 어려워 그린시트가 손상되거나 중박리력 구현이 어려워 그린시트 선박리가 일어나는 문제가 발생하는 것을 알 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

10: 대전방지 이형필름
11: 이형층
12: 대전방지층
13: 기재

Claims

기재;
상기 기재의 적어도 일면에 위치하는 대전방지층; 및
상기 대전방지층 상에 위치하며, 실리콘 이형제와 실리콘 수지를 포함하는 실리콘 이형 조성물의 경화층인 이형층;
을 포함하는, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 기재는 두께 20 내지 130㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 기재는 평균입경이 0.1 내지 5.0㎛인 무기입자를 포함하고,
상기 기재 전체 100 중량%에 대비 0.01 내지 5 중량%의 무기입자를 포함하는, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 이형층은 그 표면에서 상기 기재 깊이 방향으로 X선 광전자 분광(XPS) 분석에 의한 Si-Ph(페닐기) 결합이 분포하는 면적비율은 감소하고, Si-Me(메틸기) 결합이 분포하는 면적비율은 일정한, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 이형층은 하기 수학식 1 및 3을 동시에 만족하는, 대전방지 이형필름.
(수학식 1)
0.1 ≤ F1 ≤ 5
F1: 그린시트를 이용하여 측정한 박리력
(수학식 3)
1 ≤ RB ≤ 2
RB = B0/B1
B0: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 0.3mpm, gf/in)
B1: TESA7475 Tape 박리력(AR-1000 10mpm, gf/in)
제1항에 있어서,
상기 이형층은 하기 수학식 2 및 4를 동시에 만족하는, 대전방지 이형필름.
(수학식 2)
0 < RA ≤ 1
RA = A0/A1
A0: 그린시트 박리 후 이형층 표면에너지(dyne/cm)
A1: 슬러리(그린시트) 코팅 전 이형층 표면에너지(dyne/cm)
(수학식 4)
0 ≤ T ≤ 0.005
T: 액상 XRF 측정값으로, 용매에 이형필름을 넣고 48시간 교반 후, 용매로 용출되는 Si 함량(g/㎡)이다.
제1항에 있어서,
상기 이형층은 IR 스펙트럼에서 1430cm^-1내지 1578cm^-1 위치(P1) 및 1020cm^-1내지 1100cm^-1 위치(P2)에서의 피크 강도의 비 (P2/P1)가 10 내지 30인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 이형 조성물은 Si-Me 결합 대 Si-Ph 결합의 몰비가 100:30 내지 100:60인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 이형제는 페닐기의 함량 비율이 10% 내지 30%인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 이형 조성물은 상기 실리콘 이형제 100 중량부에 대해 상기 실리콘 수지 30 내지 50 중량부를 포함하는, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 이형제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이고, 상기 실리콘 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물이며,
(화학식 1)

화학식 1에서 x, y, z는 1 이상의 정수이며;
R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합이며;
R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉, R₁₁은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기이며; R₈은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C20의 아릴기, 또는 이들의 조합이고,
(화학식 2)

화학식 2에서 m, n, o는 1 이상의 정수이며;
R_a,R_b,R_c,R_d는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐렌기, 또는 이들의 조합인, 대전방지 이형필름.
제11항에 있어서,
상기 화학식 1의 R₁,R₆,R₁₀은 서로 독립적으로 -H, -CH=CH₂,-CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-CH=CH₂및 -CH₃중에서 선택되는 1종 이상인, 대전방지 이형필름.
제11항에 있어서,
상기 화학식 1의 R₂,R₃,R₄,R₅,R₇,R₉,R₁₁은 서로 독립적으로 -CH₃기이고, R₈은 Ph기 혹은 -CH₃기 중에서 선택되는 1종 이상인, 대전방지 이형필름.
제11항에 있어서,
상기 화학식 2의 Ra, Rd는 서로 독립적으로 -CH₃기이고, Rb, Rc는 -H 혹은 -CH=CH₂중 선택되는 어느 하나인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 이형층의 두께는 10nm 내지 2㎛인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 실리콘 이형 조성물은 건조 후 함량이 0.01 내지 2 g/m²인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 대전방지층의 두께는 10nm 내지 2㎛인, 대전방지 이형필름.
제1항에 있어서,
상기 대전방지층의 표면저항값은 9.99 x 10^11 Ω/□ 이하인, 대전방지 이형필름.
세라믹 그린 시트의 제조 공정용으로 사용되는 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 대전방지 이형필름.