KR20220158895A - Nozzle for adsorbing semiconductor package and semiconductor package pick-up apparatus including the same - Google Patents

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KR20220158895A
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이용환
이제수
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Abstract

Embodiments of the present invention provide a nozzle capable of preventing a small-sized semiconductor package from being adhered, and a semiconductor package pick-up apparatus including the same. The nozzle for picking up a semiconductor package according to an embodiment of the present invention comprises: a head unit provided in a cylindrical shape; a body unit provided in a cylindrical shape having a smaller cross-sectional area than the head unit, extending from the head unit, and configured to let air flow in a central part thereof; and a contact unit formed at an end of the body unit and configured to be in contact with the semiconductor package, wherein the contact unit is surface-treated to have a roughness of a certain level or more. The contact unit configured to come in contact with semiconductor packages in the nozzle according to an embodiment of the present invention is surface-treated to have a roughness of a certain level or more, thereby preventing semiconductor packages from being attached to the contact unit.

Description

반도체 패키지를 흡착하는 노즐 및 이를 포함하는 반도체 패키지 픽업 장치{NOZZLE FOR ADSORBING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE PICK-UP APPARATUS INCLUDING THE SAME}A nozzle adsorbing a semiconductor package and a semiconductor package pick-up device including the same

본 발명은 반도체 패키지를 흡착하는 노즐 및 이를 포함하는 반도체 패키지 픽업 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 작은 사이즈를 갖는 반도체 패키지를 효과적으로 이송하기 위한 노즐 및 반도체 패키지 픽업 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle for sucking a semiconductor package and a semiconductor package pick-up device including the same, and more particularly, to a nozzle and a semiconductor package pick-up device for effectively transferring a semiconductor package having a small size.

반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정 등을 포함한다. 반도체 스트립 절단 및 분류 장비는 복수개의 패키지들이 배치된 스트립을 패키지 단위로 절단하여 개별화하고, 각 패키지에 대한 세척, 건조, 검사를 통해 정상 또는 불량 상태를 구분하여 최종적인 수납 용기인 트레이에 각각 분류하여 적재한다. A semiconductor manufacturing process is a process for manufacturing a semiconductor device on a wafer, and includes, for example, exposure, deposition, etching, ion implantation, cleaning, and the like. Semiconductor strip cutting and sorting equipment cuts and individualizes a strip in which a plurality of packages are arranged into packages, classifies normal or defective conditions through washing, drying, and inspection of each package, and classifies them into trays, which are final storage containers. and load it

여기서, 각각 개별화된 반도체 패키지들은 반도체 패키지 픽업 장치에 의해 이송되며, 반도체 패키지 픽업 장치는 각 반도체 패키지의 상부에서 진공압을 사용하여 반도체 패키지를 픽업한 이후 목표 위치로 이동한다. 이후, 반도체 패키지 픽업 장치는 목표 위치에서 진공압을 해제하고 공기압을 인가하여 반도체 패키지를 원하는 위치에 놓게 된다. Here, each individualized semiconductor package is transported by a semiconductor package pick-up device, and the semiconductor package pick-up device picks up the semiconductor package using vacuum pressure on top of each semiconductor package and then moves to a target position. Thereafter, the semiconductor package pick-up device releases the vacuum pressure at the target position and applies air pressure to place the semiconductor package at the desired position.

한편, 반도체 제조 공정의 미세화에 따라 반도체 패키지의 사이즈(너비, 두께)도 함께 감소하고 있다. 그러나, 매우 작은 반도체 패키지는 진공압이 해제되고 공압이 인가되어도 의도한 위치에 안착되지 못하고 반도체 패키지 픽업 장치에 붙어 버리는 부착 현상이 발생할 수 있다.Meanwhile, along with miniaturization of the semiconductor manufacturing process, the size (width, thickness) of the semiconductor package is also decreasing. However, a very small semiconductor package may not be seated at an intended position even when vacuum pressure is released and air pressure is applied, and sticking to the semiconductor package pick-up device may occur.

따라서, 본 발명의 실시예는 작은 사이즈의 반도체 패키지가 부착되는 것을 방지할 수 있는 노즐 및 이를 포함하는 반도체 패키지 픽업 장치를 제공한다. Accordingly, an embodiment of the present invention provides a nozzle capable of preventing a small-sized semiconductor package from being attached, and a semiconductor package pick-up device including the nozzle.

본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. The problems of the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 흡착하는 노즐은, 원통 형상으로 제공되는 헤드부와, 상기 헤드부로부터 연장되면서 상기 헤드부보다 작은 단면적을 갖는 원통 형상으로 제공되고 중심부에서 공기가 유동하도록 구성된 바디부와, 상기 바디부의 끝단에 형성되어 반도체 패키지에 접촉하도록 구성된 접촉부를 포함하고, 상기 접촉부는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리된다. A nozzle for adsorbing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention includes a head portion provided in a cylindrical shape, and a cylindrical shape extending from the head portion and having a smaller cross-sectional area than the head portion, and configured to allow air to flow in the center portion. It includes a body portion and a contact portion formed at an end of the body portion and configured to contact a semiconductor package, wherein the contact portion is surface-treated to have a roughness of a certain level or more.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접촉부는 EDM(Electrical Discharge Machining) 가공에 의해 표면 처리될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the contact portion may be surface treated by EDM (Electrical Discharge Machining) processing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접촉부는 화학적 연마(Chemical Polishing)에 의해 표면 처리될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the contact portion may be surface treated by chemical polishing.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 높이에 대한 최대 높이의 크기로 정의될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the roughness may be defined as a size of a maximum height with respect to a reference height of the contact portion.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 면에 대한 평균 높이의 크기로 정의될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the roughness may be defined as an average height of the contact portion with respect to the reference surface.

본 발명의 실시예에 따른 복수개의 반도체 패키지들을 이송하기 위한 반도체 패키지 픽업 장치는, 상기 반도체 패키지들을 흡착하기 위한 복수의 진공홀들이 형성된 제1 패널과, 상기 제1 패널의 상부에 결합되어 상기 진공홀들과 연통되는 진공 챔버가 내부에 형성된 제2 패널과, 상기 제1 패널의 진공홀들에 각각 배치되는 노즐을 포함한다. 상기 노즐은, 원통 형상으로 제공되며 상기 노즐이 하방으로 돌출되는 것을 제한하는 헤드부와, 상기 헤드부로부터 연장되면서 상기 헤드부보다 작은 단면적을 갖는 원통 형상으로 제공되고, 중심부에서 공기가 유동하도록 구성된 바디부와, 상기 바디부의 끝단에 형성되어 반도체 패키지에 접촉하도록 구성된 접촉부를 포함하고, 상기 접촉부는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리된다. A semiconductor package pick-up device for transporting a plurality of semiconductor packages according to an embodiment of the present invention is coupled to a first panel having a plurality of vacuum holes for adsorbing the semiconductor packages and an upper portion of the first panel to perform the vacuum It includes a second panel having a vacuum chamber communicating with the holes formed therein, and nozzles respectively disposed in the vacuum holes of the first panel. The nozzle is provided in a cylindrical shape and has a head portion limiting the downward protrusion of the nozzle, and a cylindrical shape extending from the head portion and having a smaller cross-sectional area than the head portion, and configured to allow air to flow in the center. It includes a body portion and a contact portion formed at an end of the body portion and configured to contact a semiconductor package, wherein the contact portion is surface-treated to have a roughness of a certain level or more.

본 발명의 실시예에 따른 노즐에서 반도체 패키지에 접촉하도록 구성된 접촉부는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리되며, 그리하여 반도체 패키지가 접촉부에 부착되는 것을 방지할 수 있다.In the nozzle according to an embodiment of the present invention, the contact portion configured to contact the semiconductor package is surface-treated to have a roughness of a certain level or more, and thus, the semiconductor package can be prevented from being attached to the contact portion.

본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 반도체 패키지 절단 및 분류 설비의 개략적인 구조를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이송 장치 및 반도체 패키지 픽업 장치를 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 픽업 장치를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 노즐을 도시한다.
도 5는 EDM(Electric Discharge Machining) 가공이 적용된 표면의 예를 도시한다.
도 6은 화학적 연마가 적용되기 이전과 이후의 표면의 예를 도시한다.
도 7은 표면 처리가 적용된 접촉부에서 최대 높이 거칠기를 계산하기 위한 방법의 예를 도시한다.
도 8은 표면 처리가 적용된 접촉부에서 평균 높이 거칠기를 계산하기 위한 방법의 예를 도시한다. 1 shows a schematic structure of a semiconductor package cutting and sorting facility to which the present invention can be applied.
2 shows a transfer device and a semiconductor package pick-up device according to an embodiment of the present invention.
3 shows a semiconductor package pick-up device according to an embodiment of the present invention.
4 shows a nozzle according to an embodiment of the present invention.
5 shows an example of a surface to which EDM (Electric Discharge Machining) processing is applied.
6 shows examples of surfaces before and after chemical polishing is applied.
Figure 7 shows an example of a method for calculating the maximum height roughness at a contact to which a surface treatment has been applied.
8 shows an example of a method for calculating average height roughness at a contact portion to which a surface treatment has been applied.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in representative embodiments using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiments will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or coupled)" to another part, this is not only the case where it is "directly connected (or coupled)", but also "indirectly connected (or coupled)" through another member. Combined)" is also included. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 반도체 패키지 절단 및 분류 설비의 개략적인 구조를 도시한다. 도 1를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 절단 및 분류 설비는 로딩부(100), 절단부(200), 및 분류부(300)를 포함한다. 1 shows a schematic structure of a semiconductor package cutting and sorting facility to which the present invention can be applied. Referring to FIG. 1 , a semiconductor package cutting and sorting facility according to an embodiment of the present invention includes a loading unit 100 , a cutting unit 200 and a classification unit 300 .

본 발명의 실시예에 따른 반도체 스트립 절단 및 분류 설비는 복수의 패키지들이 배치된 반도체 스트립(S)이 적재되는 로딩부(100)와, 반도체 스트립(S)을 절단하여 개별화된 반도체 패키지(P)를 이송하는 패키지 픽커(220)를 포함하는 절단부(200)와, 반도체 패키지(P)를 건조 및 검사하여 트레이에 수납하는 분류부(300)를 포함한다. Semiconductor strip cutting and sorting equipment according to an embodiment of the present invention includes a loading unit 100 on which a semiconductor strip (S) on which a plurality of packages are disposed is loaded, and an individualized semiconductor package (P) by cutting the semiconductor strip (S). It includes a cutting unit 200 including a package picker 220 that transports the package picker 220 and a sorting unit 300 that dries and inspects the semiconductor package P and stores it in a tray.

로딩부(100)는 외부로부터 이송된 반도체 스트립(S)을 절단부(200)의 임시 보관부(205)로 전달한다. 도 1에 상세히 도시되지 않았으나, 로딩부(100)는 반도체 스트립(S)이 적재되는 매거진과 반도체 스트립(S)을 밀어서 전달하는 푸셔를 포함할 수 있다. 로딩부(100)로 공급된 반도체 스트립(S)은 임시 보관부(205)에 위치할 수 있다.The loading unit 100 transfers the semiconductor strip S transferred from the outside to the temporary storage unit 205 of the cutting unit 200 . Although not shown in detail in FIG. 1 , the loading unit 100 may include a magazine in which the semiconductor strip S is loaded and a pusher for pushing and delivering the semiconductor strip S. The semiconductor strip S supplied to the loading unit 100 may be located in the temporary storage unit 205 .

스트립 픽커(210)는 임시 보관부(205)에 위치한 반도체 스트립(S)을 파지하여 척 테이블(240)로 이송한다. 패키지 픽커(220)는 절단부(250)에 의해 절단되어 척 테이블(240)을 통해 이송된 반도체 패키지(P)를 진공 흡착 방식으로 파지하여 세척부(260) 및 반전 테이블(310)로 이송한다. 제1 가이드 프레임(230)은 스트립 픽커(210), 패키지 픽커(220)가 X축 방향으로 이동하기 위한 경로를 제공한다. 제1 가이드 프레임(230)에 스트립 픽커(210) 및 패키지 픽커(220)를 이동시키기 위한 구동부(225)가 결합될 수 있다. The strip picker 210 grips the semiconductor strip S located in the temporary storage unit 205 and transfers it to the chuck table 240 . The package picker 220 grips the semiconductor package P, which has been cut by the cutting unit 250 and transferred through the chuck table 240 , using a vacuum suction method, and transfers the semiconductor package P to the cleaning unit 260 and the reversing table 310 . The first guide frame 230 provides a path for the strip picker 210 and the package picker 220 to move in the X-axis direction. A driving unit 225 for moving the strip picker 210 and the package picker 220 may be coupled to the first guide frame 230 .

척 테이블(240)은 스트립 픽커(210)와 절단부(250), 그리고 절단부(250)와 패키지 픽커(220) 사이에서 반도체 스트립(S)과 반도체 패키지(P)가 각각 이송되도록 할 수 있다. 척 테이블(240)은 Y축 방향으로 이동될 수 있고, Z축 방향을 중심으로 회전할 수 있으며, 반도체 스트립(S)이 안착될 수 있다. 척 테이블(240)은 스트립 픽커(210)에 의해 이송된 반도체 스트립(S)을 흡착하여 절단부(250)로 이송한다. 또한, 척 테이블(240)은 절단부(250)에 의해 절단이 완료된 복수의 반도체 패키지(P)를 패키지 픽커(220)로 전달한다. 즉, 척 테이블(240)은 절단부(250)와 제1 가이드 프레임(230) 사이를 왕복 이동할 수 있다. 패키지 픽커(220)는 세척부(260)에서 세척된 반도체 패키지(P)를 흡착하여 반전 테이블(310)로 이송하고, 반전 테이블(310)로 이송된 반도체 패키지(P)는 건조부(320)에 의해 건조될 수 있다. 반전 테이블(310)은 제2 가이드 프레임(315)을 따라 이동할 수 있다.The chuck table 240 may transfer the semiconductor strip S and the semiconductor package P between the strip picker 210 and the cutting unit 250, and between the cutting unit 250 and the package picker 220, respectively. The chuck table 240 can move in the Y-axis direction and rotate around the Z-axis direction, and the semiconductor strip S can be seated thereon. The chuck table 240 adsorbs the semiconductor strip S transported by the strip picker 210 and transfers it to the cutting unit 250 . Also, the chuck table 240 transfers the plurality of semiconductor packages P that have been cut by the cutting unit 250 to the package picker 220 . That is, the chuck table 240 may reciprocate between the cutting part 250 and the first guide frame 230 . The package picker 220 picks up the semiconductor packages P cleaned in the washing unit 260 and transfers them to the inversion table 310, and the semiconductor packages P transferred to the inversion table 310 are dried by the drying unit 320. can be dried by The inversion table 310 may move along the second guide frame 315 .

분류부(300)는 각 반도체 패키지(P)에 대한 검사 결과에 따라 반도체 패키지(P)를 각각 분류한다. 보다 구체적으로, 분류부(800)는 비전 검사부(330, 360)에 의해 검사가 완료되어 제1 팔레트 테이블(341)과 제2 팔레트 테이블(346)에 적재된 반도체 패키지(P)를 개별적으로 픽업하여 검사 결과들에 따라 순차적으로 분류하여 다른 장소로 이송한다.The classification unit 300 classifies the semiconductor packages P according to the test results of each semiconductor package P. More specifically, the classification unit 800 individually picks up the semiconductor packages P loaded on the first pallet table 341 and the second pallet table 346 after the inspection is completed by the vision inspection units 330 and 360. It is classified sequentially according to the test results and transported to another place.

이를 위한 분류부(300)는 쏘팅 픽커(370), 쏘팅 픽커 구동 부재(380), 제1 반출 트레이(351), 제2 반출 트레이(352), 제1 반출 트레이 구동 부재(350) 및 제1 반출 트레이 구동 부재(355)를 포함할 수 있다.The sorting unit 300 for this purpose includes a sorting picker 370, a sorting picker driving member 380, a first discharge tray 351, a second discharge tray 352, a first discharge tray driving member 350, and a first discharge tray 350. A discharge tray driving member 355 may be included.

쏘팅 픽커(370)는 비전 검사부(330, 360)에 의해 검사가 완료되어 제1 팔레트 테이블(341)과 제2 팔레트 테이블(346)에 각각 적재된 반도체 패키지(P)를 픽업하여 후술할 제1 반출 트레이(351), 제2 반출 트레이(356)로 이송한다.The sorting picker 370 picks up the semiconductor packages P loaded on the first pallet table 341 and the second pallet table 346 after the inspection is completed by the vision inspection units 330 and 360 and picks up the semiconductor packages P, which will be described later. It is transferred to the transport tray 351 and the second transport tray 356 .

쏘팅 픽커 구동 부재(380)는 레일 형상으로 이루어져서 X축 방향으로 설치되고, 일부분은 검사부(360)와 인접하도록 위치될 수 있다. 쏘팅 픽커 구동 부재(380)는 쏘팅 픽커(370)를 X축 방향으로 이동시킨다. 이를 위한 쏘팅 픽커 구동 부재(380)는 쏘팅 픽커(370)의 이동을 위한 구동 수단이 내장된 것일 수 있다.The sorting picker driving member 380 has a rail shape and is installed in the X-axis direction, and a portion thereof may be positioned adjacent to the inspection unit 360 . The sorting picker driving member 380 moves the sorting picker 370 in the X-axis direction. The sorting picker driving member 380 for this purpose may have a built-in driving means for moving the sorting picker 370.

제1 반출 트레이(351)와 제2 반출 트레이(356)는 각각 양품 반도체 패키지(P)와 불량품 반도체 패키지(P)를 적재하여 다른 장소로 반출할 수 있다. 이와 다르게, 제1 반출 트레이(351)와 제2 반출 트레이(356)는 제조된 상태에 따라 반도체 패키지(P)들을 등급을 매겨서 등급에 맞게 각각 적재하는 것도 가능할 수 있다. 예를 들어, 제1 반출 트레이(351)는 A등급의 반도체 패키지(P)를 적재하고, 제2 반출 트레이(356)는 A등급보다 제조된 상태가 낮은 B등급의 반도체 패키지(P)를 적재할 수 있다.The first transport tray 351 and the second transport tray 356 may carry good semiconductor packages P and defective semiconductor packages P, respectively, and transport them to different locations. Alternatively, the first transport tray 351 and the second transport tray 356 may rank the semiconductor packages P according to the manufacturing state and load them respectively according to the rank. For example, the first transport tray 351 loads semiconductor packages P of class A, and the second transport tray 356 loads semiconductor packages P of class B whose manufacturing status is lower than that of class A. can do.

쏘팅 픽커(370)가 제1 팔레트 테이블(341)과 제2 팔레트 테이블(346)로부터 반도체 패키지(P)를 픽업하여 제1 반출 트레이(351) 또는 제2 반출 트레이(356) 각각에 모두 적재시키면, 제1 반출 트레이(351) 또는 제2 반출 트레이(356)는 Y축 방향으로 이동하여 반도체 패키지(P)를 다른 장소로 전달한다.When the sorting picker 370 picks up the semiconductor packages P from the first pallet table 341 and the second pallet table 346 and loads all of them onto the first delivery tray 351 or the second delivery tray 356, respectively. , The first carrying tray 351 or the second carrying tray 356 moves in the Y-axis direction to transfer the semiconductor package P to another location.

제1 반출 트레이 구동 부재(350)는 제1 반출 트레이(351)를 이동시킨다. 제1 반출 트레이 구동 부재(355)는 제1 반출 트레이(351)의 이동을 위한 구동 수단이 내장된 것일 수 있다.The first transport tray driving member 350 moves the first transport tray 351 . The first take-out tray driving member 355 may have a built-in driving means for moving the first take-out tray 351 .

제2 반출 트레이 구동 부재(355)는 제2 반출 트레이(356)를 이동시킨다. 제2 반출 트레이 구동 부재(355)는 제2 반출 트레이(356)의 이동을 위한 구동 수단이 내장된 것일 수 있다.The second delivery tray driving member 355 moves the second delivery tray 356 . The second take-out tray driving member 355 may have a built-in driving means for moving the second take-out tray 356 .

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이송 장치 및 반도체 패키지 픽업 장치를 도시한다. 도 2는 이송 장치 및 반도체 패키지 픽업 장치의 예로서 도 1을 참조하여 설명하였던 구동부(225) 및 패키지 픽커(220)를 도시한다. 앞서 설명한 바와 같이, 패키지 픽커(220)는 복수개의 반도체 패키지(P)를 상부에서 진공 흡착 방식으로 파지하여 이송하며, 구동부(225)는 패키지 픽커(220)를 수평 또는 수직 방향을 따라 이동시킨다. 2 shows a transfer device and a semiconductor package pick-up device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows the driving unit 225 and the package picker 220 described with reference to FIG. 1 as examples of a transfer device and a semiconductor package pick-up device. As described above, the package picker 220 grips and transfers the plurality of semiconductor packages P from the top using a vacuum adsorption method, and the driver 225 moves the package picker 220 horizontally or vertically.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 픽업 장치의 예로서 패키지 픽커(220)의 구조를 개략적으로 도시한다. 본 발명의 실시예에 따른 패키지 픽커(220)(반도체 패키지 픽업 장치)는 반도체 패키지(P)들을 흡착하기 위한 복수의 진공홀(제1 진공홀(2212))들이 형성된 제1 패널(2210)과, 제1 패널(2210)의 상부에 결합되어 제1 진공홀(2212)들과 연통되는 진공 챔버(2222)가 내부에 형성된 제2 패널(2220)과, 제1 패널(2210)의 진공홀(제1 진공홀(2212))들에 각각 배치되는 노즐(2240)을 포함한다. 3 schematically illustrates the structure of a package picker 220 as an example of a semiconductor package pick-up device according to an embodiment of the present invention. The package picker 220 (semiconductor package pick-up device) according to an embodiment of the present invention includes a first panel 2210 having a plurality of vacuum holes (first vacuum holes 2212) for adsorbing semiconductor packages P and , the second panel 2220 coupled to the upper portion of the first panel 2210 and having a vacuum chamber 2222 communicating with the first vacuum holes 2212 formed therein, and the vacuum hole of the first panel 2210 ( It includes nozzles 2240 respectively disposed in the first vacuum holes 2212 .

여기서 제1 패널(2210)은 제2 패널(2220)과 결합된 베이스 패널(2214)과 베이스 패널(2214)의 하부면에 부착된 흡착 패드(2216)를 포함할 수 있다. 제1 진공홀(2212)들은 베이스 패널(2214)과 흡착 패드(2216)을 관통하여 형성될 수 있다. 흡착 패드(2216)는 반도체 패키지(P)들의 흡착을 용이하게 하기 위하여 실리콘과 같은 유연성을 갖는 물질로 구성될 수 있다. Here, the first panel 2210 may include a base panel 2214 coupled to the second panel 2220 and a suction pad 2216 attached to a lower surface of the base panel 2214 . The first vacuum holes 2212 may be formed through the base panel 2214 and the suction pad 2216 . The adsorption pad 2216 may be made of a flexible material such as silicon to facilitate adsorption of the semiconductor packages P.

노즐(2240)은 제1 진공홀(2212)에 삽입되며, 노즐(2240)의 상부에는 탄성 복원력을 인가하는 탄성 부재(2250)이 구비될 수 있다. 예를 들어, 코일 스프링과 같은 탄성 부재(2250)들이 노즐(2240)의 상부와 제2 패널(2220)의 하부면 사이에 설치될 수 있으며, 노즐(2240)에는 탄성 부재(2250)들에 의해 탄성 복원력이 인가될 수 있다. 한편, 노즐(2240)의 상부에는 노즐(2240)이 제1 패널(2210)로부터 하방으로 돌출되는 정도를 제한하기 위한 헤드부(2241)가 형성될 수 있다. The nozzle 2240 is inserted into the first vacuum hole 2212, and an elastic member 2250 for applying an elastic restoring force may be provided above the nozzle 2240. For example, elastic members 2250 such as coil springs may be installed between the upper portion of the nozzle 2240 and the lower surface of the second panel 2220, and the elastic members 2250 may be installed in the nozzle 2240. An elastic restoring force may be applied. Meanwhile, a head portion 2241 may be formed above the nozzle 2240 to limit the extent to which the nozzle 2240 protrudes downward from the first panel 2210 .

제2 패널(2220)에 진공 챔버(2222)와 연결된 복수의 제2 진공홀(2224)들이 형성될 수 있으며, 제2 패널(2220)의 상부에는 제3 패널(2230)에 형성된 제3 진공홀(2234)과 제2 진공홀(2224)들을 서로 연결하기 위한 진공 채널(2226)이 형성될 수 있다.A plurality of second vacuum holes 2224 connected to the vacuum chamber 2222 may be formed in the second panel 2220, and third vacuum holes formed in the third panel 2230 on the top of the second panel 2220. A vacuum channel 2226 may be formed to connect the 2234 and the second vacuum holes 2224 to each other.

제2 패널(2220)의 상부에는 진공압 또는 공압을 인가하는 공압 인가 장치(미도시)와 연결된 제3 패널(2230)이 구비될 수 있다. 제3 패널(2230)의 내부에는 진공 관로(2232)가 형성되며, 진공 관로(2232)를 통해 공압 인가 장치에 의해 유동하는 공기가 이동하게 된다. A third panel 2230 connected to a pneumatic application device (not shown) for applying vacuum or pneumatic pressure may be provided above the second panel 2220 . A vacuum conduit 2232 is formed inside the third panel 2230, and air flowing by a pneumatic application device moves through the vacuum conduit 2232.

앞서 설명한 바와 같이, 반도체 패키지(P)들은 노즐(2240)에 접촉한 후 진공압에 의해 노즐(2240)에 부착된 상태로 이동한 후 목표 위치에서 진공압이 해제되고 공압이 인가되어 노즐(2240)로부터 떨어지고 목표 위치에 안착된다. 그러나, 반도체 공정의 미세화 흐름에 따라 매우 작은 반도체 패키지(P)의 경우 무게가 너무 가볍기 때문에 노즐(2240)로부터 떨어지지 못하고 노즐(2240)의 끝단에 붙어버리는 부착 현상이 발생할 수 있다. As described above, after the semiconductor packages P come into contact with the nozzle 2240 and move in a state attached to the nozzle 2240 by vacuum pressure, the vacuum pressure is released at the target position and the air pressure is applied to the nozzle 2240. ) and lands on the target position. However, in the case of a very small semiconductor package P according to miniaturization of the semiconductor process, since the weight is too light, it may not be separated from the nozzle 2240 and stick to the end of the nozzle 2240.

따라서, 본 발명의 실시예는 노즐(2240)에서 반도체 패키지(P)가 부착되는 접촉부(2243)가 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 가공함으로써 반도체 패키지(P)가 접촉부(2243)에 부착되는 것을 방지한다. 이는 접촉부(2243)가 매우 평탄하게 구성될 경우 반도체 패키지(P) 주변의 수분이나 정전기로 인하여 반도체 패키지(P)가 접촉부(2243)에 쉽게 부착되므로 의도적으로 접촉부(2243)를 거칠게 가공함으로써 반도체 패키지(P)가 접촉부(2243)에 부착되지 않도록 하는 것이다. Therefore, in the embodiment of the present invention, the contact portion 2243 to which the semiconductor package P is attached in the nozzle 2240 is processed to have a roughness of a certain level or higher, thereby preventing the semiconductor package P from being attached to the contact portion 2243. . This is because when the contact portion 2243 is configured to be very flat, the semiconductor package P is easily attached to the contact portion 2243 due to moisture or static electricity around the semiconductor package P, so the contact portion 2243 is intentionally roughened. (P) is not attached to the contact portion 2243.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 노즐(2240)을 도시한다. 본 발명의 실시예에 따른 노즐(2240)은, 원통 형상으로 제공되며 노즐(2240)이 하방으로 돌출되는 것을 제한하는 헤드부(2241)와, 헤드부(2241)로부터 연장되면서 헤드부(2241)보다 작은 단면적을 갖는 원통 형상으로 제공되고 중심부에서 공기가 유동하도록 구성된 바디부(2242)와, 바디부(2242)의 끝단에 형성되어 반도체 패키지(P)에 접촉하도록 구성된 접촉부(2243)를 포함한다. 여기서 접촉부(2243)는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리된다. 4 shows a nozzle 2240 according to an embodiment of the present invention. The nozzle 2240 according to an embodiment of the present invention is provided in a cylindrical shape and includes a head portion 2241 that limits the downward protrusion of the nozzle 2240 and a head portion 2241 extending from the head portion 2241. It includes a body portion 2242 provided in a cylindrical shape having a smaller cross-sectional area and configured to allow air to flow in the center, and a contact portion 2243 formed at an end of the body portion 2242 and configured to contact the semiconductor package P. . Here, the contact portion 2243 is surface-treated to have a roughness higher than a certain level.

헤드부(2241)는 상술한 바와 같이 제1 진공홀(2212) 보다 큰 단면적을 갖도록 구성되어 노즐(2240)이 하방으로 돌출되는 것을 방지하는 역할을 한다. 바디부(2242)는 제1 진공홀(2212) 보다 작은 단면적을 갖도록 구성되어 노즐(2240)에 삽입되는 부분으로서 내부 공간(2244)을 통해 공기가 유동할 수 있다. 접촉부(2243)는 바디부(2242)의 끝단에 형성된 부분으로서 반도체 패키지(P)의 흡착을 위해 접촉하는 부분이다. As described above, the head portion 2241 is configured to have a larger cross-sectional area than the first vacuum hole 2212 and serves to prevent the nozzle 2240 from protruding downward. The body portion 2242 is configured to have a smaller cross-sectional area than the first vacuum hole 2212 and is inserted into the nozzle 2240, and air may flow through the internal space 2244. The contact portion 2243 is a portion formed at an end of the body portion 2242 and contacts the semiconductor package P for adsorption.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 접촉부(2243)는 EDM(Electrical Discharge Machining) 가공에 의해 표면 처리될 수 있다. EDM 가공은 대상물에 스파크를 인가함으로써 열 에너지에 의하여 대상물의 표면이 거칠어지도록 하는 것이다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이 EDM 가공에 의하여 접촉부(2243)는 일정 수준 이상의 거칠기를 가질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the surface of the contact portion 2243 may be treated by Electrical Discharge Machining (EDM) processing. EDM processing is to roughen the surface of an object by thermal energy by applying a spark to the object. For example, as shown in FIG. 5 , the contact portion 2243 may have a roughness higher than a certain level by EDM processing.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 접촉부(2243)는 화학적 연마(Chemical Polishing)에 의해 표면 처리될 수 있다. 화학적 연마는 금속성 물질에 대하여 반응성이 큰 화학 물질을 사용하여 대상물을 가공하는 방법으로서, 강산, 강알칼리, 산화제와 같은 용액이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 6의 (a)와 같은 표면을 갖는 물질에 대하여 화학적 연마가 적용되면 도 6의 (b)와 같이 일정 수준 이상의 거칠기는 갖는 표면이 구현될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the surface of the contact portion 2243 may be treated by chemical polishing. Chemical polishing is a method of processing an object using a chemical substance highly reactive to a metallic material, and a solution such as strong acid, strong alkali, or oxidizing agent may be used. For example, when chemical polishing is applied to a material having a surface as shown in (a) of FIG. 6 , a surface having a roughness of a certain level or higher may be implemented as shown in (b) of FIG. 6 .

한편, 각 노즐(4420)의 접촉부(4423)가 일정한 거칠기를 갖는 것이 제품의 품질 관리 측면에서 중요하다. 따라서 본 발명의 실시예는 표면 처리가 적용된 접촉부(2243)에 대하여 거칠기를 측정하기 위한 방법을 제공한다. Meanwhile, it is important in terms of product quality control that the contact portion 4423 of each nozzle 4420 has a constant roughness. Accordingly, an embodiment of the present invention provides a method for measuring the roughness of the contact portion 2243 to which the surface treatment is applied.

본 발명의 일 실시예에 따르면 접촉부(4423)의 거칠기는 접촉부(4423)의 기준 면에 대한 최대 높이의 크기로 정의될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 것과 같이 접촉부(4423)의 기준 면을 기준으로 상방으로의 최대 높이(Ra)와 하방으로의 최대 높이(Rv)를 더한 최대 높이(Rmax)가 거칠기를 측정하기 위한 변수로 정의될 수 있다. 예를 들어, 최대 높이(Rmax)가 1 마이크로 미터보다 큰 경우 기준 거칠기를 만족한다고 정의될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the roughness of the contact portion 4423 may be defined as the maximum height of the contact portion 4423 with respect to the reference surface. For example, as shown in FIG. 7 , the maximum height (Rmax) obtained by adding the maximum height (Ra) upward and the maximum height (Rv) downward relative to the reference surface of the contact portion 4423 is used to measure the roughness. can be defined as a variable for For example, it may be defined that the standard roughness is satisfied when the maximum height Rmax is greater than 1 micrometer.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 접촉부(4423)의 거칠기는 접촉부(4423)의 기준 면에 대한 평균 높이의 크기로 정의될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 것과 같이 접촉부(4423)의 기준 면을 기준으로 상방으로 돌출된 부분의 평균 높이(Ra)가 거칠기를 측정하기 위한 변수로 정의될 수 있다. 예를 들어, 평균 높이(Ra)가 0.5 마이크로 미터 보다 큰 경우 기준 거칠기를 만족한다고 정의될 수 있다.Meanwhile, the roughness of the contact portion 4423 according to another embodiment of the present invention may be defined as an average height of the contact portion 4423 with respect to the reference surface. For example, as shown in FIG. 8 , an average height Ra of a portion protruding upward from the reference surface of the contact portion 4423 may be defined as a variable for measuring roughness. For example, it may be defined that the reference roughness is satisfied when the average height (Ra) is greater than 0.5 micrometer.

상술한 바와 같이, 노즐(4420)에서 반도체 패키지(P)에 접촉하는 접촉부(4423)를 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 가공함으로써, 반도체 패키지(P)가 노즐(4420)에 부착되는 현상을 예방하고, 이에 따라 공정 에러를 방지함으로써 전반적인 설비의 효율(시간당 처리량)을 증대시킬 수 있다. As described above, the semiconductor package P is prevented from being attached to the nozzle 4420 by processing the contact portion 4423 contacting the semiconductor package P in the nozzle 4420 to have a roughness higher than a certain level, Accordingly, it is possible to increase the efficiency (throughput per hour) of the overall facility by preventing process errors.

또한, 정전기에 의하여 반도체 패키지(P)가 노즐(4420)에 부착되는 것을 방지하기 위하여 노즐(4420)의 접촉부(4423)에 전기 전도성이 낮은 물질을 적용할 수 있다. 예를 들어, 세라믹이나 플라스틱 소재가 접촉부(4423)에 적용될 수 있다. In addition, in order to prevent the semiconductor package P from being attached to the nozzle 4420 due to static electricity, a material having low electrical conductivity may be applied to the contact portion 4423 of the nozzle 4420 . For example, a ceramic or plastic material may be applied to the contact portion 4423.

본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.The present embodiment and the drawings accompanying this specification clearly represent only a part of the technical idea included in the present invention, and can be easily inferred by those skilled in the art within the scope of the technical idea included in the specification and drawings of the present invention. It will be apparent that all possible modifications and specific embodiments are included in the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and it will be said that not only the claims to be described later, but also all modifications equivalent or equivalent to these claims belong to the scope of the present invention. .

Claims (10)

반도체 패키지를 흡착하는 노즐에 있어서,
원통 형상으로 제공되는 헤드부;
상기 헤드부로부터 연장되면서 상기 헤드부보다 작은 단면적을 갖는 원통 형상으로 제공되고, 중심부에서 공기가 유동하도록 구성된 바디부;
상기 바디부의 끝단에 형성되어 반도체 패키지에 접촉하도록 구성된 접촉부를 포함하고,
상기 접촉부는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 노즐.
In the nozzle for adsorbing the semiconductor package,
A head portion provided in a cylindrical shape;
a body portion extending from the head portion and provided in a cylindrical shape having a smaller cross-sectional area than the head portion, and configured to allow air to flow in the center portion;
A contact portion formed at an end of the body portion and configured to contact a semiconductor package;
The nozzle, characterized in that the contact portion is surface-treated to have a roughness of a certain level or more.
 제1항에 있어서,
상기 접촉부는 EDM(Electrical Discharge Machining) 가공에 의해 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 노즐.
According to claim 1,
The nozzle, characterized in that the contact portion is surface treated by EDM (Electrical Discharge Machining) processing.
 제1항에 있어서,
상기 접촉부는 화학적 연마(Chemical Polishing)에 의해 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 노즐.
According to claim 1,
The nozzle, characterized in that the surface treatment of the contact portion by chemical polishing (Chemical Polishing).
 제1항에 있어서,
상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 높이에 대한 최대 높이의 크기로 정의되는 것을 특징으로 하는 노즐.
According to claim 1,
The roughness is a nozzle, characterized in that defined by the size of the maximum height with respect to the reference height of the contact portion.
 제1항에 있어서,
상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 면에 대한 평균 높이의 크기로 정의되는 것을 특징으로 하는 노즐.
According to claim 1,
The roughness is defined as the average height of the reference surface of the contact portion.
 복수개의 반도체 패키지들을 이송하기 위한 반도체 패키지 픽업 장치에 있어서,
상기 반도체 패키지들을 흡착하기 위한 복수의 진공홀들이 형성된 제1 패널;
상기 제1 패널의 상부에 결합되어 상기 진공홀들과 연통되는 진공 챔버가 내부에 형성된 제2 패널;
상기 제1 패널의 진공홀들에 각각 배치되는 노즐을 포함하고,
상기 노즐은,
원통 형상으로 제공되며 상기 노즐이 하방으로 돌출되는 것을 제한하는 헤드부;
상기 헤드부로부터 연장되면서 상기 헤드부보다 작은 단면적을 갖는 원통 형상으로 제공되고, 중심부에서 공기가 유동하도록 구성된 바디부;
상기 바디부의 끝단에 형성되어 반도체 패키지에 접촉하도록 구성된 접촉부를 포함하고,
상기 접촉부는 일정 수준 이상의 거칠기를 갖도록 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 픽업 장치.
A semiconductor package pick-up device for transferring a plurality of semiconductor packages,
a first panel having a plurality of vacuum holes for adsorbing the semiconductor packages;
a second panel coupled to an upper portion of the first panel and having a vacuum chamber therein communicating with the vacuum holes;
Includes nozzles respectively disposed in the vacuum holes of the first panel;
The nozzle is
a head portion provided in a cylindrical shape and limiting the downward protrusion of the nozzle;
a body portion extending from the head portion and provided in a cylindrical shape having a smaller cross-sectional area than the head portion, and configured to allow air to flow in the center portion;
A contact portion formed at an end of the body portion and configured to contact a semiconductor package;
The semiconductor package pick-up device, characterized in that the contact portion is surface-treated to have a roughness of a certain level or more.
 제6항에 있어서,
상기 접촉부는 EDM(Electrical Discharge Machining) 가공에 의해 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 픽업 장치.
According to claim 6,
The contact portion is a semiconductor package pick-up device, characterized in that the surface treatment by EDM (Electrical Discharge Machining) processing.
 제6항에 있어서,
상기 접촉부는 화학적 연마(Chemical Polishing)에 의해 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 픽업 장치.
According to claim 6,
The semiconductor package pick-up device, characterized in that the surface treatment of the contact portion by chemical polishing (Chemical Polishing).
 제6항에 있어서,
상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 면에 대한 최대 높이의 크기로 정의되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 픽업 장치.
According to claim 6,
The roughness is a semiconductor package pick-up device, characterized in that defined by the size of the maximum height with respect to the reference surface of the contact portion.
 제6항에 있어서,
상기 거칠기는 상기 접촉부의 기준 면에 대한 평균 높이의 크기로 정의되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 픽업 장치. According to claim 6,
The roughness is a semiconductor package pick-up device, characterized in that defined by the size of the average height with respect to the reference surface of the contact portion.
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