KR20090012702A - Substrate transfering apparatus and facility for treating with the same, and method for trasfering substrate with the apparatus - Google Patents

Substrate transfering apparatus and facility for treating with the same, and method for trasfering substrate with the apparatus Download PDF

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Abstract

A substrate transferring apparatus and a facility for treating with the same, and a method for transferring a substrate with the apparatus are provided to increase the throughput of substrate and prevent the contamination of substrate. A substrate transport apparatus(100) comprises a blade(110). The plurality of blades are successively integrated on the substrate transport apparatus. The substrate is settled in the blade. The blade has a substrate support member. The substrate support member is arranged in a plurality of locations on the blade. The substrate support member has the first support block(114), the second support block(116) and a driver. The first support block is arranged in the shear of blade. The second support block is arranged in the backend of blade. The first and second support blocks contact with the substrate.

Description

기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기 장치의 기판 이송 방법{SUBSTRATE TRANSFERING APPARATUS AND FACILITY FOR TREATING WITH THE SAME, AND METHOD FOR TRASFERING SUBSTRATE WITH THE APPARATUS}SUBSTRATE TRANSFERING APPARATUS AND FACILITY FOR TREATING WITH THE SAME, AND METHOD FOR TRASFERING SUBSTRATE WITH THE APPARATUS

본 발명은 반도체 기판을 이송하는 장치 및 이를 구비하여 기판을 처리하는 설비, 그리고 상기 기판 이송 장치의 기판 이송 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for transferring a semiconductor substrate, a facility for processing the substrate with the same, and a substrate transfer method of the substrate transfer apparatus.

일반적인 반도체 제조 공정에 있어서, 각각의 단위공정들을 진행하기 위해서는 각각의 공정 특성에 맞는 복수의 설비들을 구비하게 된다. 그리고, 이들 설비에는 각각의 설비로 웨이퍼를 이송하기 위한 장치가 구비된다.In a general semiconductor manufacturing process, in order to proceed with each unit process, a plurality of facilities for each process characteristic is provided. And these facilities are equipped with the apparatus for conveying a wafer to each facility.

이러한 웨이퍼 이송 장치들 중 로봇암은 보통 블레이드 및 다수의 아암들, 그리고 구동기로 이루어진다. 블레이드는 웨이퍼를 안착시키기 위한 플레이트이다. 아암들은 블레이드를 동작시키기 위해 제공된다. 구동기는 아암들은 유기적으로 동작시켜 블레이드에 놓여진 웨이퍼를 각각의 설비로 이송시킨다.Of these wafer transfer devices, the robot arm usually consists of a blade, a plurality of arms, and a driver. The blade is a plate for seating the wafer. Arms are provided for operating the blade. The actuators operate organically to transfer the wafers placed on the blades to their respective facilities.

그러나, 일반적인 웨이퍼 이송 장치는 기판 이송시, 기판에 잔류하는 이물질에 의해 블레이드가 오염되어 이후에 처리되는 기판들이 블레이드에 남아있는 이물질에 의해 오염되는 현상이 발생된다. 특히, 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 설비에 구비되는 로봇암은 공정이 완료된 기판을 공정챔버로부터 반출시킬 때, 웨이퍼에 남아 있는 처리액들에 의해 블레이드가 오염된다. 따라서, 이후에 처리되는 웨이퍼는 블레이드에 잔류하는 처리액에 의해 오염되므로, 기판 처리 공정 효율이 저하된다.However, in a typical wafer transfer apparatus, when the substrate is transferred, the blade is contaminated by the foreign matter remaining on the substrate, and the substrates processed afterwards are contaminated by the foreign matter remaining on the blade. In particular, the robot arm provided in the facility for processing the substrate using the processing liquid is contaminated by the processing liquids remaining on the wafer when the substrate having been processed is taken out of the processing chamber. Therefore, the wafer to be processed afterwards is contaminated by the processing liquid remaining in the blade, so that the substrate processing process efficiency is lowered.

또한, 일반적인 웨이퍼 이송 장치는 웨이퍼 처리량이 적었다. 즉, 일반적인 웨이퍼 이송 장치는 한번에 한장의 웨이퍼를 이송하므로, 단위 시간당 웨이퍼를 처리하는 양이 적었다.In addition, the general wafer transfer apparatus has a low wafer throughput. That is, the general wafer transfer device transfers one wafer at a time, so the amount of wafer processing per unit time is small.

또한, 일반적인 웨이퍼 이송 장치는 공정시 웨이퍼의 안착이 불안정하여 공정 효율이 저하되는 현상이 발생된다. 즉, 블레이드에 안착된 웨이퍼의 안착 상태가 불안정하면, 웨이퍼 이송시에 웨이퍼가 블레이드로부터 이탈되어 웨이퍼가 손상되거나, 공정시 요구되는 위치에 웨이퍼가 정확히 놓여지지 않는 현상이 발생되어 공정 효율이 저하된다.In addition, in the general wafer transfer apparatus, a phenomenon in which processing efficiency is lowered due to unstable mounting of the wafer during the process occurs. In other words, if the seating state of the wafer seated on the blade is unstable, the wafer may be detached from the blade during the wafer transfer and the wafer may be damaged, or the wafer may not be correctly placed at the required position in the process. .

본 발명은 기판 이송시 기판에 잔류하는 이물질에 의해 블레이드가 오염되어 기판 처리 공정 효율이 저하되는 것을 방지하는 기판 이송 장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus for preventing a blade from being contaminated by debris remaining on the substrate during substrate transfer, thereby reducing the efficiency of the substrate processing process, and a substrate processing apparatus and method including the same.

본 발명은 기판 처리량을 향상시키는 기판 이송 장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus for improving substrate throughput, and a substrate processing equipment and method having the same.

본 발명은 웨이퍼를 안정적으로 이송하여 공정 효율을 향상시키는 기판 이송 장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus for stably transferring wafers to improve process efficiency, and a substrate processing apparatus and method having the same.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 이송 장치는 기판을 안착시키는 블레이드를 구비하여 기판을 이송하는 장치에 있어서, 상기 블레이드는 상기 블레이드 상의 복수의 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지 수단을 포함하되, 상기 기판 지지 수단은 상기 블레이드의 전단에 배치되는 제1 지지블럭, 상기 블레이드의 후방에 배치되는 제2 지지블럭, 그리고 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하도록, 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭 중 적어도 어느 하나를 구동시키는 구동기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus including a blade for mounting a substrate, wherein the blade includes substrate support means for supporting the substrate at a plurality of positions on the blade. The substrate supporting means may adjust a first support block disposed at the front end of the blade, a second support block disposed at the rear of the blade, and a relative distance between the first support block and the second support block. And a driver for driving at least one of the first support block and the second support block.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 지지블럭은 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고, 상기 제2 지지블럭 은 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가진다.According to an embodiment of the present invention, the first support block has a stepped inner surface whose height decreases toward the rear end of the blade, and the second support block has a lower height toward the front end of the blade. Lost slopes.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 지지블럭은 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고, 상기 제2 지지블럭은 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가진다.According to another embodiment of the present invention, the first support block has a stepped inner surface that is lower in height toward the rear end of the blade, the second support block is lower in height toward the front end of the blade Losing has a stepped inner surface.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 지지블럭은 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고, 상기 제2 지지블럭은 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가진다.According to another embodiment of the present invention, the first support block has an inclined surface that is lower in height toward the rear end of the blade, the second support block has an inclined surface that is lower in height toward the front end of the blade Have

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 설비는 기판상에 처리공정을 수행하는 복수의 공정챔버들, 복수의 기판들을 수납하는 수납부재를 로드시키는 로드포트, 그리고 상기 공정챔버들과 상기 로드포트에 놓여진 수납부재 상호간에 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 포함하되, 상기 기판 이송 장치는 공정시 기판이 놓여지는 적어도 하나의 블레이드를 포함하고, 상기 블레이드는 상기 블레이드의 전단에 배치되며 상기 공정챔버로 기판 반입시 기판이 놓여지는 제1 지지부 및 상기 공정챔버로부터 기판 반출시 기판이 놓여지는 제2 지지부를 가지는 제1 지지블럭, 그리고 상기 블레이드의 후방에 배치되며, 상기 공정챔버로 기판 반입시 기판이 놓여지는 제1 안착부 및 상기 공정챔버로부터 기판 반출시 기판이 놓여지는 제2 안착부를 가지는 제2 지지블럭을 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a plurality of process chambers for performing a processing process on a substrate, a load port for loading an accommodating member for accommodating a plurality of substrates, and the process chambers and the And a substrate transfer device for transferring a substrate between the receiving members placed in the load port, wherein the substrate transfer device includes at least one blade on which the substrate is placed during the process, and the blade is disposed at the front end of the blade and the process is performed. A first support block having a first support portion on which the substrate is placed when the substrate is brought into the chamber and a second support portion on which the substrate is placed when the substrate is removed from the process chamber, and disposed at the rear of the blade; A first seating portion on which the substrate is placed and a second seating portion on which the substrate is placed upon removal of the substrate from the process chamber; Which includes a second support block.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 블레이드는 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하도록, 상기 제1 지지블럭 또는 상기 제2 지지블럭 중 적어도 어느 하나를 구동시키는 구동기를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the blade further comprises a driver for driving at least one of the first support block or the second support block to adjust the relative distance between the first support block and the second support block. Include.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 지지블럭은 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 상기 내측면의 서로 다른 높이에 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the first support block has a stepped inner surface that is lower in height toward the rear end of the blade, wherein the first support portion and the second support portion are different from each other on the inner surface. Is provided in height.

본 발명의 또 실시예에 따르면, 상기 제1 지지블럭은 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 상기 경사면의 서로 다른 높이에 제공된다.According to another embodiment of the present invention, the first support block has an inclined surface that is lower in height toward the rear end of the blade, the first support and the second support is provided at different heights of the inclined surface.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 지지블럭은 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고, 상기 제1 안착부와 상기 제2 안착부는 상기 경사면의 서로 다른 높이에 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the second support block has an inclined surface that is lower in height toward the front end of the blade, and the first seating portion and the second seating portion are provided at different heights of the inclined surface. .

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 지지블럭은 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고, 상기 제1 안착부와 상기 제2 안착부는 상기 내측면의 서로 다른 높이에 제공된다.According to another embodiment of the present invention, the second support block has a stepped inner surface that is lower in height toward the front end of the blade, wherein the first seating portion and the second seating portion are mutually It is provided at different heights.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판 처리 공정이 수행되는 공정챔버로 기판을 반입하는 경우에 기판과 접촉하는 상기 블레이드의 제1 부분과 상기 공정챔버로부터 기판을 반출하는 경우에 기판과 접촉하는 상기 블레이드의 제2 부분을 서로 상이하게 하여 이루어진다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is a case where the substrate is removed from the process chamber and the first portion of the blade in contact with the substrate when the substrate is brought into the process chamber where the substrate processing process is performed The second portions of the blades in contact with the substrate are made different from each other.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송 방법은 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 상대 높이를 조절하여 이루어지되, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 상대 높이 조절은 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer method is performed by adjusting the relative height of the first portion and the second portion, the relative height adjustment of the first portion and the second portion is the first support block And a relative distance between the second support block and the second support block.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송 방법은 상기 블레이드에 계단형상의 내측면을 가지는 지지블럭을 제공하여, 상기 경우에 따라 상기 내측면의 서로 다른 높이의 수평면에 기판이 놓여지도록 하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer method is provided by providing a support block having a stepped inner surface on the blade, so that the substrate is placed on a horizontal plane of a different height of the inner surface in some cases.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송 방법은 상기 블레이드에 경사면을 가지는 지지블럭을 제공하여, 상기 경우에 따라 상기 경사면의 서로 다른 높이에 기판이 놓여지도록 하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer method is provided by providing a support block having an inclined surface on the blade, so that the substrate is placed at different heights of the inclined surface in some cases.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 블레이드는 상하로 적어도 두 개가 적층되도록 배치되고, 상기 기판 이송 방법은 복수의 기판들을 수납하는 수납부재로부터 기판을 반출시키는 단계, 상기 수납부재로부터 반출된 기판들을 블레이드들 각각에 기판을 안착시키는 단계, 상기 블레이드들 중 어느 하나에 기판을 안착시킨 후 상기 공정챔버들 중 어느 하나로 기판을 이송하는 단계, 그리고 상기 블레이드들 중 다른 하나에 놓여진 기판을 상기 공정챔버들 중 다른 하나로 기판을 이송하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the blade is arranged so that at least two blades are stacked up and down, and the substrate transfer method comprises the steps of: transporting a substrate from an accommodating member accommodating a plurality of substrates; Mounting a substrate on each of the blades, placing the substrate on one of the blades, transferring the substrate to one of the process chambers, and placing the substrate on the other one of the blades among the process chambers. Transferring the substrate to another.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 이송 방법은 상기 공정챔버들 중 어느 하나에 위치된 기판을 상기 블레이드들 중 어느 하나에 안착시키는 단계, 상기 공정챔버들 중 다른 하나에 위치된 기판을 상기 블레이드들 중 다른 하나에 안착시키는 단계, 그리고 상기 수납부재로 기판을 반입시키는 단계를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer method comprises seating a substrate located in any one of the process chambers to any one of the blades, the substrate located in the other one of the process chambers the blade The method further includes the step of seating on the other one of the two, and bringing the substrate into the receiving member.

본 발명에 따른 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기 장치의 기판 이송 방법은 공정챔버로 기판을 반입하는 경우와 공정챔버로부터 기판을 반출하는 경우를 구분하여 블레이드의 서로 다른 부분에 의해 지지되도록 함으로써, 공정챔버에서 공정이 완료된 기판에 남아있는 이물질에 의해 이후에 실시되는 기판이 오염되는 것을 방지한다.The substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus having the same according to the present invention, and the substrate transfer method of the apparatus is divided by the different parts of the blade to distinguish the case of carrying the substrate into the process chamber and the case of carrying out the substrate from the process chamber By being supported, the substrate subsequently prevented from being contaminated by foreign matter remaining in the substrate on which the process is completed in the process chamber.

본 발명에 따른 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기 장치의 기판 이송 방법은 복수의 기판들을 동시에 이송함으로써 기판 처리량을 향상시킨다.The substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus having the same according to the present invention, and the substrate transfer method of the apparatus improve the substrate throughput by simultaneously transferring a plurality of substrates.

본 발명에 따른 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기 장치의 기판 이송 방법은 기판 이송시 기판을 안정적으로 안착시키므로 기판 처리 공정 효율을 향상시킨다.The substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus having the same according to the present invention, and the substrate transfer method of the apparatus stably seats the substrate during substrate transfer, thereby improving substrate processing process efficiency.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공된다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.

또한, 본 실시예에서는 반도체 집적회로 칩 제조를 위한 웨이퍼를 세정하는 기판 처리 설비를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 설비 에 적용이 가능할 수 있다.In addition, in the present embodiment, a substrate processing facility for cleaning a wafer for manufacturing a semiconductor integrated circuit chip has been described as an example, but the present invention may be applied to all facilities for processing a substrate.

또한, 본 실시예에서는 공정챔버가 세정액으로 기판을 세정하는 공정을 수행하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 설비에 적용이 가능할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the case where the process chamber performs the process of cleaning the substrate with the cleaning solution has been described as an example, but the present invention may be applied to all the facilities for processing the substrate.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 공정챔버의 구성들을 보여주는 도면이다. 도 3은 도 1에 도시된 기판 이송 장치의 블레이드 및 아암부를 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 블레이드의 측면도이다. 그리고, 도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 제2 지지블럭의 동작 과정을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a view showing a substrate processing facility according to the present invention, Figure 2 is a view showing the configuration of the process chamber shown in FIG. 3 is a perspective view showing the blade and the arm portion of the substrate transfer apparatus shown in Figure 1, Figure 4 is a side view of the blade shown in FIG. 5A and 5B are diagrams for describing an operation process of the second support block according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 설비(1)는 공정실(process room)(10), 로드포트(load port)(20), 그리고 제1 이송실(first transfer room)(30), 그리고 제2 이송실(second trasfer room)(40)을 포함한다. 공정실(10)은 복수의 공정챔버(12)들을 가진다. 공정챔버(12)들은 제2 이송실(40) 양측에 일렬로 배치된다. 로드포트(20)는 제1 이송실(30)의 전방에 배치되고, 공정실(10) 및 제2 이송실(40)은 제1 이송실(30)의 후방에 배치된다. Referring to FIG. 1, a substrate processing facility 1 according to the present invention includes a process room 10, a load port 20, and a first transfer room 30. And a second trasfer room 40. The process chamber 10 has a plurality of process chambers 12. The process chambers 12 are arranged in a row on both sides of the second transfer chamber 40. The load port 20 is disposed in front of the first transfer chamber 30, and the process chamber 10 and the second transfer chamber 40 are disposed behind the first transfer chamber 30.

공정실(10)은 반도체 기판(이하, 웨이퍼)(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 공정실(10)은 다수의 공정챔버(12)들을 포함한다. 공정챔버(12)들 각각은 동일한 반도체 공정을 수행한다. 또는, 선택적으로 각각의 공정챔버(12)들은 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다. 공정챔버(12)는 제2 이송실(40)의 양측에 두 개가 나란히 배치된다.The process chamber 10 performs a process of processing a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) W. FIG. The process chamber 10 includes a plurality of process chambers 12. Each of the process chambers 12 performs the same semiconductor process. Alternatively, each of the process chambers 12 may optionally perform different processes. Two process chambers 12 are arranged side by side on both sides of the second transfer chamber 40.

로드포트(20)는 복수의 웨이퍼(W)들을 수납하는 수납부재(22)를 로드/언로드(load/unload)시킨다. 수납부재(22)로는 카세트(cassette) 및 푸웁(FOUP) 등이 사용된다. 로드포트(20)는 세 개가 이에프이엠(30)의 전방에 나란히 배치된다. The load port 20 loads / unloads the housing member 22 accommodating the plurality of wafers W. As the housing member 22, a cassette, a FOUP, and the like are used. Three load ports 20 are arranged side by side in front of the YFM 30.

제1 이송실(30)은 공정시 로드포트(20)에 안착된 수납부재(22)와 제2 이송실(40) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제1 이송실(30)은 적어도 하나의 로봇암(robot arm)(미도시됨)을 가진다. 제1 이송실(30)은 공정설비의 전방 또는 후방에 설치되어, 공정설비와 공정설비 외부 상호간에 웨이퍼를 이송시키는 설비전방종단모듈(EFEM:Equipment Front End Module)일 수 있다.The first transfer chamber 30 transfers the wafer W between the accommodating member 22 and the second transfer chamber 40 seated in the load port 20 during the process. The first transfer chamber 30 has at least one robot arm (not shown). The first transfer chamber 30 may be an equipment front end module (EFEM) installed in front of or behind the process equipment to transfer wafers between the process equipment and the outside of the process equipment.

제2 이송실(40)은 공정실(10)과 제1 이송실(30) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 제2 이송실(40)은 적어도 하나의 기판 이송 장치(100)를 가진다. 기판 이송 장치(100)는 세정 공정시 제1 이송실(30)로부터 이송받은 웨이퍼(W)들을 각각의 공정챔버(12)로 이송시킨다. 또한, 기판 이송 장치(100)는 세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)들을 각각의 공정챔버(12)로부터 제1 이송실(30)로 반송시킨다. 기판 이송 장치(100)의 구성들에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The second transfer chamber 40 transfers the wafers W between the process chamber 10 and the first transfer chamber 30. The second transfer chamber 40 has at least one substrate transfer apparatus 100. The substrate transfer apparatus 100 transfers the wafers W transferred from the first transfer chamber 30 to each process chamber 12 during the cleaning process. In addition, the substrate transfer apparatus 100 transfers the wafers W on which the cleaning process has been completed from the respective process chambers 12 to the first transfer chamber 30. Details of the configurations of the substrate transfer apparatus 100 will be described later.

계속해서, 본 발명에 따른 공정챔버(12)를 상세히 설명한다. 본 실시예에서는 각각의 공정챔버(12)는 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 세정하는 세정 공정을 수행하는 경우를 예로 들어 설명한다. Subsequently, the process chamber 12 according to the present invention will be described in detail. In this embodiment, each process chamber 12 will be described by taking an example of performing a cleaning process for cleaning foreign matter remaining on the wafer surface.

도 2를 참조하면, 공정챔버(12)는 하우징(12a), 척(12b), 그리고 노즐(12c)을 가진다. 하우징(12a)은 내부에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(12a)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(12a)의 개방된 상부(12a')는 공정시 웨이퍼(W)가 출입되는 통로로 사용된다. 척(12b)은 공정시 하우징(12a) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전한다. 그리고, 노즐(12c)은 공정시 척(12b)에 놓여진 웨이퍼(W)로 세정액을 분사한다.Referring to FIG. 2, the process chamber 12 has a housing 12a, a chuck 12b, and a nozzle 12c. The housing 12a provides a space for performing a process of cleaning the wafer W therein. The housing 12a has a cylindrical shape with an open top. The open upper portion 12a 'of the housing 12a serves as a passage through which the wafer W enters and exits during the process. The chuck 12b supports and rotates the wafer W inside the housing 12a during the process. The nozzle 12c sprays the cleaning liquid onto the wafer W placed on the chuck 12b during the process.

계속해서, 본 발명에 따른 기판 이송 장치(100)를 상세히 설명한다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판 이송 장치(100)는 블레이드(blade)(110), 아암부(arm member)(120), 구동부(driving part)(130), 그리고 가이드레일(guide rail)(140)을 포함한다.Subsequently, the substrate transfer apparatus 100 according to the present invention will be described in detail. 3 and 4, the substrate transfer apparatus 100 includes a blade 110, an arm member 120, a driving part 130, and a guide rail. 140.

블레이드(110)는 웨이퍼(W)를 안착시켜 지지한다. 블레이드(110)는 두 개가 상하로 적층되도록 배치된다. 각각의 블레이드(110)는 서로 동일한 구성 및 구조를 가진다. 블레이드(110)는 공정시 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 기판 지지수단(substrate support method)을 구비한다. 기판 지지수단은 지지부(support member)(112), 제1 지지블럭(first support block)(114), 그리고 제2 지지블럭(second support block)(116)을 포함한다. The blade 110 mounts and supports the wafer (W). The blades 110 are arranged such that two are stacked up and down. Each blade 110 has the same configuration and structure as each other. The blade 110 has a substrate support means for supporting the wafer W during the process. The substrate support means includes a support member 112, a first support block 114, and a second support block 116.

지지부(112)는 기판 이송시 웨이퍼(W)가 안착되는 면을 제공한다. 지지부(112)는 두 개의 핑거(finger)(112a)를 가진다. 핑거(112a)는 두 개가 일정 간격 이격되어 나란히 배치된다. 기판 이송시 웨이퍼(W)는 각각의 핑거(112a)에 놓여져 지지된다.The support part 112 provides a surface on which the wafer W is seated during substrate transfer. The support 112 has two fingers 112a. Two fingers 112a are arranged side by side spaced apart at regular intervals. The wafer W is placed and supported on each finger 112a during substrate transfer.

제1 지지블럭(114)은 웨이퍼(W)의 일측부를 안착시킨다. 제1 지지블럭(114)은 각각의 핑거(112a) 전단에 제공된다. 제1 지지블럭(114)은 핑거(112a)의 상부면으로부터 상방향으로 돌출된다. 제1 지지블럭(114)은 공정시 웨이퍼(W)의 일측부와 접촉하여 지지하는 내측면을 가진다. 상기 내측면은 핑거(112a)의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상을 가진다. The first support block 114 seats one side of the wafer (W). The first support block 114 is provided in front of each finger 112a. The first support block 114 protrudes upward from the upper surface of the finger 112a. The first support block 114 has an inner side surface which contacts and supports one side of the wafer W during the process. The inner side surface has a step shape in which the height decreases toward the rear end direction of the finger 112a.

일 실시예로서, 안착블럭(114)의 내측면은 도 4에 도시된 바와 같이, 핑거부(112)의 후단 방향(이하, 제1방향)(X1)으로 갈수록 높이가 낮아지도록 단차지는 계단형상을 가진다. 내측면에는 제1 지지부(114a) 및 제2 지지부(114b)가 제공된다. 제1 지지부(114a) 및 제2 지지부(114b)는 기판 이송시 웨이퍼(W)의 하부면 일부가 놓여지도록 제공되는 부분이다. 제1 지지부(114a)의 높이는 제2 지지부(114a)의 높이보다 낮은 높이에 위치된다. 제1 지지부(114a)는 이에프이엠(30)으로부터 각각의 공정챔버(12)로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W) 전단의 하부면 일부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 제2 지지부(114b)는 각각의 공정챔버(12)로부터 이에프이엠(30)으로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W) 전단의 하부면 일부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 따라서, 기판 이송 장치(100)는 공정에 따라 선택적으로 제1 지지부(114a) 또는 제2 지지부(114b)에 웨이퍼(W)가 안착되도록 함으로써, 제1 지지블럭(114)의 서로 다른 부분에 웨이퍼(W)가 지지되도록 한다. As an example, the inner surface of the seating block 114 is stepped so that the height becomes lower toward the rear end direction (hereinafter, the first direction) X1 of the finger portion 112 as shown in FIG. 4. Has The inner side surface is provided with a first support 114a and a second support 114b. The first support part 114a and the second support part 114b are portions provided so that a portion of the lower surface of the wafer W is placed during substrate transfer. The height of the first support 114a is located at a height lower than the height of the second support 114a. When the first support part 114a transfers the wafers W from the EMP 30 to each process chamber 12, the first support part 114a contacts a portion of the lower surface of the front end of the wafer W to support the wafers W. When the second support part 114b transfers the wafer W from each process chamber 12 to the EMP 30, the second support part 114b comes in contact with a portion of the lower surface of the front end of the wafer W to support the wafer W. Accordingly, the substrate transfer device 100 selectively allows the wafer W to be seated on the first support part 114a or the second support part 114b according to the process, so that the wafers are provided on different portions of the first support block 114. Make sure that (W) is supported.

제2 지지블럭(116)은 기판 이송시 웨이퍼(W) 후단의 하부면 일부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지시킨다. 제2 지지블럭(116)은 각각의 핑거(112a) 후측에서 제1 지 지블럭(114)과 대향되도록 배치된다. 제2 지지블럭(116)은 핑거부(112)의 상부면으로부터 상방향으로 돌출된다. 제2 지지블럭(116)은 핑거부(112)의 전단 방향(이하, 제2 방향)(X2)으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가진다. 제2 지지블럭(116)의 경사면에는 제1 안착부(116a) 및 제2 안착부(116b)가 제공된다. 제1 안착부(116a) 및 제2 안착부(116b)는 웨이퍼(W) 타측의 하부면 일부가 놓여지도록 제공되는 부분이다. 제1 안착부(116a)의 높이는 제2 안착부(116b)의 높이보다 낮은 높이에 위치된다. 제1 안착부(116a)는 기판 이송 장치(100)가 이에프이엠(30)으로부터 각각의 공정챔버(12)로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W) 후단의 하부면 일부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 제2 안착부(116b)는 기판 이송 장치(100)가 각각의 공정챔버(12)로부터 이에프이엠(30)으로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W) 후단의 하부면 일부와 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지한다.The second support block 116 contacts the lower surface of the rear end of the wafer W to support the wafer W during substrate transfer. The second support block 116 is disposed to face the first support block 114 at the rear side of each finger 112a. The second support block 116 protrudes upward from the upper surface of the finger portion 112. The second support block 116 has an inclined surface whose height decreases toward the front end direction (hereinafter, the second direction) X2 of the finger part 112. The inclined surface of the second support block 116 is provided with a first seating portion 116a and a second seating portion 116b. The first seating portion 116a and the second seating portion 116b are portions provided so that a portion of the lower surface of the other side of the wafer W is placed. The height of the first seating portion 116a is located at a height lower than the height of the second seating portion 116b. The first seating portion 116a is in contact with a portion of the lower surface of the rear end of the wafer W when the substrate transfer device 100 transfers the wafer W from the EMP 30 to each process chamber 12. The wafer W is supported. The second seating portion 116b is in contact with a portion of the lower surface of the rear end of the wafer W when the substrate transfer device 100 transfers the wafer W from each process chamber 12 to the EMP 30. The wafer W is supported.

여기서, 제2 지지블럭(116)은 전후로 직선왕복 이동가능하도록 제공된다. 예컨대, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제2 지지블럭(116)은 제1 위치(L1) 및 제2 위치(L2) 상호간에 위치된다. 제1 위치(L1)는 기판 이송 장치(100)가 이에프이엠(30)으로부터 각각의 공정챔버(12)로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W)가 제1 지지블럭(114)의 제1 지지부(114a)와 제2 지지블럭(116)의 제1 안착부(116a)에 접촉하여 지지되도록 하기 위한 제2 지지블럭(116)의 위치이다. 또한, 제2 위치(L2)는 기판 이송 장치(100)가 각각의 공정챔버(12)로부터 이에프이엠(30)으로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 웨이퍼(W)가 제1 지지블럭(114)의 제2 지지부(114b)와 제2 지지블럭(116)의 제2 안착부(116b)에 접촉하여 지지되도록 하기 위한 제2 지지블럭(116)의 위치 이다. 이러한 제2 지지블럭(116)의 이동을 위해 블레이드(110)에는 에어 실린더( air cylinder)와 같은 구동기(driving part)(미도시됨)가 제공된다. 상기 구동기는 제1 지지블럭(114)과 제2 지지블럭(116)의 상대 거리가 조절되도록, 제1 지지블럭(114) 또는 제2 지지블럭(116) 중 적어도 어느 하나를 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)으로 직선 왕복 이동시킨다. 따라서, 제2 지지블럭(116)은 공정에 따라 선택적으로 제1 위치(L1) 및 제2 위치(L2)에 위치됨으로써, 제2 지지블럭(116)의 경사면의 서로 다른 부분에 웨이퍼(W)가 지지되도록 한다.Here, the second support block 116 is provided to be linearly movable back and forth. For example, referring to FIGS. 5A and 5B, the second support block 116 is positioned between the first position L1 and the second position L2. In the first position L1, when the substrate transfer apparatus 100 transfers the wafers W from the EPMS 30 to the respective process chambers 12, the wafers W may be disposed in the first support block 114. The second support block 116 is positioned to be supported in contact with the first seating part 116a of the first support part 114a and the second support block 116. In addition, the second position L2 is the wafer W when the substrate transfer device 100 transfers the wafer W from each of the process chambers 12 from the process chamber 12 to the first support block 114. Position of the second support block 116 to be supported in contact with the second support part 114b and the second seating part 116b of the second support block 116. The blade 110 is provided with a driving part (not shown) such as an air cylinder to move the second support block 116. The driver may move at least one of the first support block 114 and the second support block 116 in the first direction X1 such that a relative distance between the first support block 114 and the second support block 116 is adjusted. ) And the linear reciprocating movement in the second direction X2. Accordingly, the second support block 116 is selectively positioned at the first position L1 and the second position L2 according to the process, so that the wafers W are provided at different portions of the inclined surface of the second support block 116. To be supported.

아암부(120)는 블레이드(110)의 동작을 위해 제공된다. 아암부(120)는 다관절의 구성으로 동작되는 아암(arm)들로 이루어진다. 구동부(130)는 각각의 아암들을 유기적으로 동작시켜, 공정시 블레이드(110)에 놓여진 웨이퍼(W)가 이에프이엠(30)과 공정실(10) 상호간에 이동되도록 한다. 그리고, 가이드 레일(140)은 구동부(130)가 제2 이송실(40) 내부에서 직선 왕복 이동되도록 구동부(130)를 안내한다.Arm portion 120 is provided for operation of blade 110. Arm portion 120 is composed of arms (arms) operated in the configuration of the articulated joints. The driving unit 130 operates each of the arms organically to allow the wafer W placed on the blade 110 to move between the EFM 30 and the process chamber 10 during the process. The guide rail 140 guides the driving unit 130 such that the driving unit 130 linearly reciprocates in the second transfer chamber 40.

본 실시예에서는 기판 이송 장치(100)가 단차지는 현상의 안착블럭(114) 및 경사면을 가지는 제2 지지블럭(116)을 구비하여 웨이퍼(W)를 지지하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 기판 이송 장치(100)는 다양한 방식으로 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 이송 장치(100')는 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 방향(X2)으로 갈수록 높이가 낮아지도록 단차지는 계단형상의 제2 지지블럭(116')을 가진다. 이때, 제2 지지블럭(116')의 제1 안착부(116a') 및 제2 안착부(116b')는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 지지블럭(116)의 제1 안착 부(116) 및 제2 안착부(116)와 동일한 기능을 수행한다. In the present exemplary embodiment, the substrate transfer apparatus 100 includes a mounting block 114 having a stepped phenomenon and a second support block 116 having an inclined surface to support the wafer W. Device 100 may support wafer W in a variety of ways. That is, as shown in FIG. 6, the substrate transfer apparatus 100 ′ according to another embodiment of the present invention has a stepped second support block 116 ′ which is stepped so that its height becomes lower toward the second direction X2. ) In this case, the first seating portion 116a 'and the second seating portion 116b' of the second support block 116 'may include a first seating portion (2) of the second support block 116 according to an embodiment of the present invention. 116 and the second mounting portion 116 to perform the same function.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 이송 장치(100'')는 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 방향(X1)으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지는 제1 지지블럭(114')을 가진다. 이때, 제1 지지블럭(114')의 제1 지지부(114a') 및 제2 지지부(114b')는 본 발명의 일 실시예에 따른 안착블럭(114)의 제1 지지부(114a) 및 제2 지지부(114b)와 동일한 기능을 수행한다.In addition, the substrate transport apparatus 100 ″ according to another exemplary embodiment of the present invention may have a first support block 114 ′ having an inclined surface having a lower height toward the first direction X1 as shown in FIG. 7. ) In this case, the first support part 114a ′ and the second support part 114 b ′ of the first support block 114 ′ may include the first support part 114 a and the second support part 114 of the seating block 114 according to an exemplary embodiment of the present invention. It performs the same function as the support part 114b.

또한, 상술한 일 실시예에 따른 기판 이송 장치(100)는 공정실(10)로 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에는 웨이퍼(W)가 제1 및 제2 지지블럭(114, 116) 각각의 제1 지지부(114a) 및 제1 안착부(116a)에 의해 지지되고, 공정실(10)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 경우에는 웨이퍼(W)가 제2 지지부(114b) 및 제2 안착부(116b)에 의해 지지되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 선택적으로 공정실(10)로 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에는 웨이퍼(W)가 제1 및 제2 지지블럭(114, 116) 각각의 제2 지지부(114b) 및 제2 안착부(116b)에 의해 지지되고, 공정실(10)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 경우에는 웨이퍼(W)가 제1 지지부(114a) 및 제1 안착부(116a)에 의해 지지되도록 변경될 수 있다.In addition, in the substrate transfer apparatus 100 according to the above-described embodiment, when the wafer W is brought into the process chamber 10, the wafer W may be formed in each of the first and second support blocks 114 and 116. When the wafer W is supported by the first support part 114a and the first seating part 116a, and the wafer W is carried out from the process chamber 10, the wafer W is the second support part 114b and the second seating part. Although described as an example of being supported by 116b, in the case of selectively loading the wafer W into the process chamber 10, the wafer W is formed of each of the first and second support blocks 114 and 116. When the wafer W is supported by the second support part 114b and the second seating part 116b, and the wafer W is carried out from the process chamber 10, the wafer W is the first support part 114a and the first seating part ( Can be modified to be supported by 116a).

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 그리고, 도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 기판 이송시 블레이드의 모습을 보여주는 도면들이다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 1 according to the present invention will be described in detail. 8A to 8D are views for explaining a process of a substrate processing facility according to the present invention. 9A and 9B are views illustrating a state of a blade during substrate transfer according to the present invention.

공정이 개시되면, 로드 포트(20)에 수납부재(22)가 로딩되고, 이에프이엠(30)은 수납부재(22)로부터 웨이퍼(W)를 반출한다. 그리고, 제2 이송실(40)의 기판 이송 장치(100)는 이에프이엠(30)으로부터 공정실(10)의 각각의 공정챔버(12)의 스핀척(12b)에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 스핀척(12b)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 스핀척(12b)은 웨이퍼(W)를 회전시키고, 노즐(12c)은 회전되는 웨이퍼(W)로 세정액을 분사한다. 분사된 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 각각의 공정챔버(12)의 웨이퍼(W) 세정 공정이 완료되면, 기판 이송 장치(100)는 각각의 공정챔버(12)의 스핀척(12b)으로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한 후 이에프이엠(30)으로 반출한다. 그리고, 이에프이엠(30)은 수납부재(22)로 웨이퍼(W)를 반입시킨다. 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 모두 수납부재(22)로 반입되면, 수납부재(22)는 후속 공정이 수행되는 설비로 이송된다.When the process starts, the accommodating member 22 is loaded into the load port 20, and the EMP 30 carries the wafer W from the accommodating member 22. Subsequently, the substrate transfer device 100 of the second transfer chamber 40 seats the wafer W from the EP 30 to the spin chucks 12b of the respective process chambers 12 of the process chamber 10. . When the wafer W is seated on the spin chuck 12b, the spin chuck 12b rotates the wafer W, and the nozzle 12c sprays the cleaning liquid onto the rotated wafer W. The sprayed cleaning liquid removes foreign substances remaining on the wafer W surface. When the wafer W cleaning process of each process chamber 12 is completed, the substrate transfer device 100 unloads the wafer W from the spin chuck 12b of each process chamber 12, and thereafter, Exported to (30). Then, the EMP 30 carries the wafer W into the housing member 22. When all of the wafers W completed in the process are brought into the accommodating member 22, the accommodating member 22 is transferred to a facility where a subsequent process is performed.

계속해서, 기판 이송 장치(100)의 웨이퍼(W) 이송 과정을 상세히 설명한다. 도 8a를 참조하면, 먼저, 기판 이송 장치(100)는 두 개의 블레이드(110) 모두에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 이때, 도 9a에 도시된 바와 같이, 제2 지지블럭(116)은 제1 위치(L1)에 위치된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 제1 지지블럭(114)의 제1 지지부(114a) 및 제2 지지블럭(116)의 제1 안착부(116a)에 접촉되어 지지된다. 기판 이송 장치(100)는 제1 공정챔버(12A)의 스핀척(12b)에 블레이드(110)들 중 어느 하나에 놓여진 웨이퍼(W)를 안착시킨다(①). 그리고, 기판 이송 장치(100)는 블레이드(110)들 중 다른 하나에 놓여진 웨이퍼(W)를 제2 공정챔버(12B)의 스핀척(12b)에 안착시킨다(②).Subsequently, the wafer W transfer process of the substrate transfer apparatus 100 will be described in detail. Referring to FIG. 8A, first, the substrate transfer apparatus 100 seats the wafer W on both blades 110. In this case, as shown in FIG. 9A, the second support block 116 is positioned at the first position L1. Therefore, the wafer W is supported in contact with the first support part 114a of the first support block 114 and the first seating part 116a of the second support block 116. The substrate transfer apparatus 100 seats the wafer W placed on any one of the blades 110 on the spin chuck 12b of the first process chamber 12A (①). Subsequently, the substrate transfer apparatus 100 mounts the wafer W placed on the other one of the blades 110 to the spin chuck 12b of the second process chamber 12B (2).

제1 및 제2 공정챔버(12A, 12B)에 웨이퍼(W)를 로딩시킨 후 기판 이송 장치(100)는 다시 이에프이엠(30)으로부터 제3 및 제4 공정챔버(12C, 12D)로 웨이퍼(W)를 이송한다. 즉, 먼저, 기판 이송 장치(100)는 각각의 블레이드(110)에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 이때, 웨이퍼(W)는 도 9a에 도시된 바와 같이, 제1 지지블럭(114)의 제1 지지부(114a) 및 제2 지지블럭(116)의 제1 안착부(116a)에 접촉되어 지지된다. 기판 이송 장치(100)는 제3 공정챔버(12C)의 스핀척(12b)에 블레이드(110)들 중 어느 하나에 놓여진 웨이퍼(W)를 안착시킨다(③). 그리고, 기판 이송 장치(100)는 다른 하나의 블레이드(110)에 놓여진 웨이퍼(W)를 제4 공정챔버(12C)의 스핀척(12b)에 안착시킨다(④).After loading the wafers W into the first and second process chambers 12A and 12B, the substrate transfer apparatus 100 again transfers the wafers from the EPM 30 to the third and fourth process chambers 12C and 12D. Transfer W). That is, first, the substrate transfer apparatus 100 seats the wafer W on each blade 110. In this case, as shown in FIG. 9A, the wafer W is supported by being in contact with the first support part 114a of the first support block 114 and the first seating part 116a of the second support block 116. . The substrate transfer apparatus 100 seats the wafer W placed on any one of the blades 110 in the spin chuck 12b of the third process chamber 12C (③). Subsequently, the substrate transfer device 100 mounts the wafer W placed on the other blade 110 to the spin chuck 12b of the fourth process chamber 12C (4).

웨이퍼(W)의 세정 공정이 완료되면, 기판 이송 장치(100)는 각각의 공정챔버(12A, 12B, 12C, 12D)들로부터 웨이퍼(W)를 반출한 후 이에프리엠(30)으로 이송한다. 즉, 먼저, 기판 이송 장치(100)는 제1 공정챔버(12A)의 스핀척(12a)에 놓여진 웨이퍼(W)를 어느 하나의 블레이드(110)에 안착시킨다(⑤). 그리고, 기판 이송 장치(100)는 제2 공정챔버(12B)의 스핀척(12a)에 놓여진 웨이퍼(W)를 다른 하나의 블레이드(110)에 안착시킨다(⑥). 이때, 제2 지지블럭(116)은 제1 위치(L1)로부터 제2 위치(L2)로 이동된다. 따라서, 각각의 블레이드(110)에 놓여지는 웨이퍼(W)는 도 9b에 도시된 바와 같이, 제1 지지블럭(114)의 제2 지지부(114b) 및 제2 지지블럭(116)의 제2 안착부(116b)에 접촉되어 지지된다. 기판 이송 장치(100)는 각각의 블레이드(110)에 놓여진 웨이퍼(W)를 이에프이엠(30)으로 반출한다.When the cleaning process of the wafer W is completed, the substrate transfer apparatus 100 transports the wafer W from the respective process chambers 12A, 12B, 12C, and 12D and transfers the wafer W to the primer M 30. . That is, first, the substrate transfer apparatus 100 seats the wafer W placed on the spin chuck 12a of the first process chamber 12A on one of the blades 110 (5). Subsequently, the substrate transfer apparatus 100 mounts the wafer W placed on the spin chuck 12a of the second process chamber 12B on the other blade 110 (6). At this time, the second support block 116 is moved from the first position L1 to the second position L2. Thus, as shown in FIG. 9B, the wafer W placed on each of the blades 110 has a second seating portion 114b of the first support block 114 and a second seating of the second support block 116. It contacts and is supported by the part 116b. The substrate transfer device 100 carries the wafers W placed on the respective blades 110 to the EMP 30.

제1 및 제2 공정챔버(12A, 12B)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한 후 기판 이송 장치(100)는 계속해서 제3 및 제4 공정챔버(12C, 12D)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한다. 즉, 기판 이송 장치(100)는 제3 공정챔버(12C)의 스핀척(12b)에 놓여진 웨이퍼(W)를 어느 하나의 블레이드(110)에 안착시킨다(⑦). 그리고, 기판 이송 장치(100)는 제4 공정챔버(12D)의 스핀척(12a)에 놓여진 웨이퍼(W)를 다른 하나의 블레이드(110)에 안착시킨다(⑧). 이때, 각각의 블레이드(110)에 놓여지는 웨이퍼(W)는 도 9b에 도시된 바와 같이, 제1 지지블럭(114)의 제2 지지부(114b) 및 제2 지지블럭(116)의 제2 안착부(116b)에 접촉되어 지지된다. 기판 이송 장치(100)는 각각의 블레이드(110)에 놓여진 웨이퍼(W)를 이에프이엠(30)으로 반출한다.After unloading the wafer W from the first and second process chambers 12A and 12B, the substrate transfer device 100 continues to free the wafer W from the third and fourth process chambers 12C and 12D. Load. That is, the substrate transfer apparatus 100 mounts the wafer W placed on the spin chuck 12b of the third process chamber 12C on one of the blades 110 (7). Subsequently, the substrate transfer apparatus 100 mounts the wafer W placed on the spin chuck 12a of the fourth process chamber 12D on the other blade 110 (8). At this time, as shown in FIG. 9B, the wafer W placed on each of the blades 110 has a second support part 114b of the first support block 114 and a second seating of the second support block 116. It contacts and is supported by the part 116b. The substrate transfer device 100 carries the wafers W placed on the respective blades 110 to the EMP 30.

상술한 바와 같이, 본 발명은 이에프이엠(30)으로부터 공정실(10)로 웨이퍼(W)를 이송하는 경우와 공정실(10)로부터 이에프이앰(30)으로 웨이퍼(W)를 이송하는 경우를 구분하여 블레이드(110)의 서로 다른 부분에 의해 웨이퍼(W)가 지지되도록 함으로써, 세정 공정이 완료된 웨이퍼(W)에 잔류하는 처리액이 후에 처리되는 웨이퍼(W)에 영향을 주는 것을 방지한다. 특히, 공정챔버(12)가 습식 처리 공정을 수행하는 경우에는 기판 이송 장치(100)가 공정에 사용되는 처리액(본 실시예에서는 세정액)이 남아있는 웨이퍼(W)를 이송함으로써, 웨이퍼(W)에 남아있는 처리액에 의해 블레이드(110)가 오염되게 된다. 그러므로, 본 발명은 공정챔버(12)로 웨이퍼(W)를 이송하는 경우와 공정챔버(12)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 경우 각각에 있어서, 블레이드(110)의 서로 다른 부분에 의해 웨이퍼(W)가 지지되도록 함으로써, 웨이퍼(W)에 남아있는 처리액에 의해 블레이드(110)가 오염되는 것을 방지한 다.As described above, the present invention relates to a case where the wafer W is transferred from the EEP 30 to the process chamber 10 and a case where the wafer W is transferred from the process chamber 10 to the EEP 30. By separating and supporting the wafers W by different portions of the blades 110, it is possible to prevent the processing liquid remaining on the wafers W on which the cleaning process is completed from affecting the wafers W to be processed later. In particular, when the process chamber 12 performs a wet treatment process, the substrate transfer device 100 transfers the wafer W in which the treatment liquid (the cleaning liquid in this embodiment) used in the process remains. Blade 110 is contaminated by the treatment liquid remaining in the). Therefore, according to the present invention, when the wafer W is transferred to the process chamber 12 and when the wafer W is taken out from the process chamber 12, the wafers may be formed by different portions of the blades 110, respectively. By supporting W), the blade 110 is prevented from being contaminated by the processing liquid remaining on the wafer W.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 한번에 두 장의 웨이퍼(W)를 동시에 이송함으로써, 기판 처리 장치(100)의 기판 처리량을 향상시킨다.In addition, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention improves the substrate throughput of the substrate processing apparatus 100 by simultaneously transferring two wafers W at a time.

또한, 본 발명은 기판 이송시 웨이퍼(W)를 안정적으로 안착시켜 지지하는 지지블럭(114, 116)들을 구비함으로써, 공정시 웨이퍼(W)가 블레이드(110)로부터 이탈되어 손상되는 것을 방지한다.In addition, the present invention includes support blocks 114 and 116 for stably seating and supporting the wafer W during substrate transfer, thereby preventing the wafer W from being separated from the blade 110 and being damaged during the process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes required are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.1 shows a substrate processing facility according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 공정챔버의 구성들을 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a view showing the configuration of the process chamber shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 기판 이송 장치의 블레이드 및 아암부를 보여주는 사시도이다.FIG. 3 is a perspective view illustrating a blade and an arm of the substrate transport apparatus illustrated in FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시된 블레이드의 측면도이다.4 is a side view of the blade shown in FIG.

도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 제2 지지블럭의 동작 과정을 설명하기 위한 도면들이다.5A and 5B are diagrams for describing an operation process of the second support block according to the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 블레이드를 보여주는 도면이다.6 is a view showing a blade according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 블레이드를 보여주는 도면이다.7 is a view showing a blade according to another embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.8A to 8D are views for explaining a process of a substrate processing facility according to the present invention.

도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 기판 이송시 블레이드의 모습을 보여주는 도면들이다.9a and 9b are views showing the appearance of the blade when transferring the substrate according to the present invention.

Claims (12)

기판을 안착시키는 블레이드를 구비하여 기판을 이송하는 장치에 있어서,An apparatus for transporting a substrate having a blade for seating the substrate, 상기 블레이드는,The blade, 상기 블레이드 상의 복수의 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지 수단을 포함하되,Substrate support means for supporting a substrate at a plurality of locations on the blade, 상기 기판 지지 수단은,The substrate support means, 상기 블레이드의 전단에 배치되는 제1 지지블럭과,A first support block disposed at the front end of the blade; 상기 블레이드의 후방에 배치되는 제2 지지블럭, 그리고A second support block disposed behind the blade, and 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하도록, 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭 중 적어도 어느 하나를 구동시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.And a driver for driving at least one of the first support block and the second support block to adjust a relative distance between the first support block and the second support block. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 지지블럭은,The first support block, 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고,It has a stepped inner surface that is lower in height toward the rear end of the blade, 상기 제2 지지블럭은,The second support block, 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.Substrate transport apparatus characterized in that it has an inclined surface which is lower in height toward the front end of the blade. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 지지블럭은,The first support block, 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고,It has a stepped inner surface that is lower in height toward the rear end of the blade, 상기 제2 지지블럭은,The second support block, 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.Substrate transport apparatus, characterized in that it has a stepped inner surface that is lower in height toward the front end of the blade. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 지지블럭은,The first support block, 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고,It has an inclined surface that is lower in height toward the rear end of the blade, 상기 제2 지지블럭은,The second support block, 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 이송 장치.Substrate transport apparatus characterized in that it has an inclined surface which is lower in height toward the front end of the blade. 기판을 처리하는 설비에 있어서,In a facility for processing a substrate, 기판상에 처리공정을 수행하는 복수의 공정챔버들와,A plurality of process chambers for performing a treatment process on a substrate; 복수의 기판들을 수납하는 수납부재를 로드시키는 로드포트와,A load port for loading an accommodating member accommodating a plurality of substrates; 상기 공정챔버들과 상기 로드포트에 놓여진 수납부재 상호간에 기판을 이송 하는 기판 이송 장치를 포함하되,It includes a substrate transfer device for transferring a substrate between the process chambers and the receiving member placed in the load port, 상기 기판 이송 장치는,The substrate transfer device, 공정시 기판이 놓여지는 적어도 하나의 블레이드를 포함하고,At least one blade on which the substrate is placed during processing, 상기 블레이드는,The blade, 상기 블레이드의 전단에 배치되며, 상기 공정챔버로 기판 반입시 기판이 놓여지는 제1 지지부 및 상기 공정챔버로부터 기판 반출시 기판이 놓여지는 제2 지지부를 가지는 제1 지지블럭과,A first support block disposed at a front end of the blade and having a first support portion on which the substrate is placed when the substrate is brought into the process chamber and a second support portion on which the substrate is placed when the substrate is taken out from the process chamber; 상기 블레이드의 후방에 배치되며, 상기 공정챔버로 기판 반입시 기판이 놓여지는 제1 안착부 및 상기 공정챔버로부터 기판 반출시 기판이 놓여지는 제2 안착부를 가지는 제2 지지블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.A second support block disposed behind the blade and having a first seating portion on which the substrate is placed when the substrate is brought into the process chamber and a second seating portion on which the substrate is placed when the substrate is taken out from the process chamber; Substrate processing equipment. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 블레이드는,The blade, 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하도록, 상기 제1 지지블럭 또는 상기 제2 지지블럭 중 적어도 어느 하나를 구동시키는 구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And a driver for driving at least one of the first support block and the second support block to adjust a relative distance between the first support block and the second support block. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 제1 지지블럭은,The first support block, 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면 을 가지고, It has a stepped inner surface that is lower in height toward the rear end of the blade, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는,The first support portion and the second support portion, 상기 내측면의 서로 다른 높이에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Substrate processing equipment, characterized in that provided at different heights of the inner surface. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 제1 지지블럭은,The first support block, 상기 블레이드의 후단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고, It has an inclined surface that is lower in height toward the rear end of the blade, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는,The first support portion and the second support portion, 상기 경사면의 서로 다른 높이에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Substrate processing equipment, characterized in that provided at different heights of the inclined surface. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 제2 지지블럭은,The second support block, 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 경사면을 가지고,It has a slope in which the height is lowered toward the shear direction of the blade, 상기 제1 안착부와 상기 제2 안착부는,The first seating portion and the second seating portion, 상기 경사면의 서로 다른 높이에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Substrate processing equipment, characterized in that provided at different heights of the inclined surface. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 제2 지지블럭은,The second support block, 상기 블레이드의 전단 방향으로 갈수록 높이가 낮아지는 계단형상의 내측면을 가지고,It has a stepped inner surface that is lower in height toward the shear direction of the blade, 상기 제1 안착부와 상기 제2 안착부는,The first seating portion and the second seating portion, 상기 내측면의 서로 다른 높이에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Substrate processing equipment, characterized in that provided at different heights of the inner surface. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 상기 기판 이송 장치를 사용하여 기판을 이송하되,The substrate is transferred using the substrate transfer apparatus of any one of claims 1 to 4, 기판 처리 공정이 수행되는 공정챔버로 기판을 반입하는 경우에 기판과 접촉하는 상기 블레이드의 제1 부분과 상기 공정챔버로부터 기판을 반출하는 경우에 기판과 접촉하는 상기 블레이드의 제2 부분을 서로 상이하게 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.The first portion of the blade in contact with the substrate when the substrate is brought into the process chamber where the substrate treatment process is performed and the second portion of the blade in contact with the substrate when the substrate is removed from the process chamber are different from each other. The substrate transfer method characterized by the above-mentioned. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 기판 이송 방법은,The substrate transfer method, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 상대 높이를 조절하여 이루어지되,By adjusting the relative height of the first portion and the second portion, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 상대 높이 조절은,Relative height adjustment of the first portion and the second portion, 상기 제1 지지블럭과 상기 제2 지지블럭의 상대 거리를 조절하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.And a relative distance between the first support block and the second support block.
KR1020070076748A 2007-07-31 2007-07-31 Substrate transfering apparatus and facility for treating with the same, and method for trasfering substrate with the apparatus KR100921519B1 (en)

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