KR20220158830A - 전자장치 제조 시스템들을 위한 챔버들의 원격 플라즈마 세정 - Google Patents

전자장치 제조 시스템들을 위한 챔버들의 원격 플라즈마 세정 Download PDF

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KR20220158830A
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솅 구오
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유지 무라야마
핑핑 구오
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Abstract

전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법은 산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물을 원격 플라즈마 생성기 내로 유동시키는 단계를 포함한다. 방법은, 원격 플라즈마 생성기에 의해 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하는 단계, 및 플라즈마를 챔버의 내부 내로 유동시킴으로써 챔버의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 단계를 더 포함하며, 여기서, 플라즈마는 챔버로부터 복수의 유기 오염물질들을 제거한다.

Description

전자장치 제조 시스템들을 위한 챔버들의 원격 플라즈마 세정
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 전자장치 제조 시스템의 챔버들 및 컴포넌트들을 세정하기 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것으로, 특히, 전자장치 제조 시스템의 챔버들의 원격 플라즈마 세정에 관한 것이다.
[0002] 전자장치 제조 시스템은 일반적으로, 동작 동안 진공을 겪는 다수의 챔버들(예컨대, 이송 챔버들, 로드 록 챔버들, 프로세싱 챔버들 등)을 포함한다. 챔버들의 제조 동안, 유기 오염물질들 및/또는 공기 중 분자 오염물질(AMC; airborne molecular contaminant)들이 챔버들의 다양한 컴포넌트들 내로 도입된다. 그러한 유기 오염물질들은 컴포넌트들의 핸들링, 컴포넌트들의 기계가공, 컴포넌트들의 패키징, 밀봉제, 윤활제 및/또는 다양한 다른 원인들에 의해 도입될 수 있다. 챔버들이 초기에 제조 현장에서 진공 하에서 사용될 때, 유기 오염물질들은 기판들 상에 증착되고, 이러한 기판들은 챔버들 내에 배치되고, 챔버들에 의해 프로세싱되고 그리고/또는 챔버들을 통해 이동된다. 통상적으로, 챔버들은, 이소프로필 알코올(IPA; isopropyl alcohol)로 챔버들을 와이핑(wiping)함으로써, 챔버들의 사용 전에 제조 현장에서 세정된다. 그러나, IPA 와이프 세정 기법은 유기 오염물질들 전부를 제거하지는 않으며, 유기 오염물질들이 기판들 상에 증착되는 것을 방지하지 않는다.
[0003] 설명되는 실시예들 중 일부는 전자장치 제조 시스템을 위한 챔버의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 방법을 커버한다. 전자장치 제조 시스템을 위한 챔버의 하나 이상의 컴포넌트들이 기계가공된다. 이어서, 챔버는 하나 이상의 컴포넌트들을 사용하여 조립되며, 조립 후에 챔버는 복수의 유기 오염물질들을 포함한다. 산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물이 챔버에 연결된 원격 플라즈마 생성기 내로 유동된다. 원격 플라즈마 생성기는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성한다. 챔버의 원격 플라즈마 세정은 플라즈마를 챔버의 내부 내로 유동시킴으로써 수행되며, 플라즈마는 챔버로부터 복수의 유기 오염물질들을 제거한다.
[0005] 본 개시내용은 유사한 참조번호들이 유사한 엘리먼트들을 표시하는 첨부된 도면들의 도면들에서 제한이 아닌 예로서 예시된다. 본 개시내용에서 "일" 또는 "하나의" 실시예에 대한 상이한 언급들이 반드시 동일한 실시예에 대한 것은 아니며, 그러한 언급들은 적어도 하나를 의미한다는 것이 주목되어야 한다.
[0006] 도 1은 본 개시내용의 양상들에 따른, 원격 플라즈마 세정 프로세스를 겪는 예시적인 전자장치 제조 시스템의 개략적인 평면도이다.
[0007] 도 2는 본 개시내용의 양상들에 따른, 원격 플라즈마 세정 프로세스를 겪는 예시적인 전자장치 제조 시스템의 개략적인 평면도이다.
[0008] 도 3은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전자장치 프로세싱 시스템의 하나 이상의 챔버들의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 방법에 대한 흐름도이다.
[0009] 도 4는 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전자장치 제조 시스템의 출하(shipment) 전에 전자장치 제조 시스템의 하나 이상의 챔버들을 원격 플라즈마 세정하는 방법에 대한 흐름도이다.
[0010] 도 5는 전자장치 제조 시스템의 가능한 위치들을 예시하며, 전자장치 제조 시스템의 하나 이상의 챔버들의 원격 플라즈마 세정을 수행하기 위해 원격 플라즈마 소스가 전자장치 제조 시스템에 연결될 수 있다.
[0011] 도 6a는 예시적인 원격 플라즈마 생성기를 예시한다.
[0012] 도 6b는 원격 플라즈마 생성기를 챔버에 연결하기 위한 어댑터를 예시한다.
[0013] 도 7은 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하는 탄소 제거의 작동 원리들을 예시한다.
[0014] 도 8은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 원격 플라즈마 세정에 대한 시험 결과들을 예시한다.
[0015] 도 9는 본 개시내용의 실시예들에 따른, 원격 플라즈마 세정에 대한 시험 결과들을 예시한다.
[0016] 본원에서 설명되는 실시예들은 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 전자장치 제조 시스템의 챔버들을 세정하기 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다. 전자장치 제조 시스템의 다양한 챔버들은 일반적으로, 기계가공 및 조립된 후에 유기 오염물질들 및/또는 AMC(airborne molecular contaminant)들을 포함한다. 유기 오염물질들은 예컨대 하이드로카본 기반 유기 오염물질들, 방향족 기반 유기 오염물질들 및/또는 에스테르 기반 유기 오염물질들을 포함할 수 있다. 이들 유기 오염물질들은 컴포넌트들의 핸들링, 컴포넌트들의 기계가공 및 컴포넌트들의 패키징에 의해 챔버들의 다양한 컴포넌트들 내로 도입되었을 수 있다. 부가적으로, 컴포넌트들은 밀봉제, 윤활제, 및/또는 유기 오염물질들의 원인이 되는 다른 생성물들을 포함할 수 있다. 챔버들이 초기에 진공 하에서 사용될 때, 유기 오염물질들은 기판들 상에 증착되고, 이러한 기판들은 챔버들 내에 배치되고, 챔버들에 의해 프로세싱되고 그리고/또는 챔버들을 통해 이동된다. 제품 기판에 대한 첫 번째 사용 전에 전자장치 제조 시스템들의 챔버(들)를 세정하기 위한 통상적인 기법들은 유기 오염을 적절히 제거하기에는 불충분한 것으로 밝혀졌다. 부가적으로, 전자장치 프로세싱 시스템들의 챔버(들)를 세정하기 위한 통상적인 기법들은 수일 내지 수주가 걸릴 수 있으며, 이는 전자장치 제조 시스템들의 소유 비용을 증가시킨다.
[0017] 첫 번째 사용 전에 전자장치 프로세싱 시스템의 챔버를 세정하기 위한 예시적인 통상적인 기법에서, 챔버는 챔버의 내부가 IPA로 와이핑 다운되는 습식 세정을 겪는다. 그러한 IPA 와이프 후에, 진공 하에서 챔버 내에 배치된 기판들 상의 유기 오염의 양(amount)을 결정하기 위한 시험이 흔히 실행된다. 유기 오염의 레벨이 임계치를 초과하면, 유기 오염의 가능한 원인을 식별하기 위한 시험들이 수행될 수 있고, 이어서 유기 오염의 가능한 원인들로서 식별된 컴포넌트들이 교체될 수 있다. 이러한 프로세스는 1주 이상 걸릴 수 있으며, 흔히 비효과적이다. 새로운 전자장치 프로세싱 시스템을 사용하기 위해 준비하기 위한 다른 표준 기법은, 아웃개싱의 잔류 가스 분석기(RGA; residual gas analyzer) 모니터링과 함께 전자장치 프로세싱 시스템의 챔버들의 웨이퍼 사이클링을 수행하는 것이며, 이는 수행하는 데 수주가 걸릴 수 있고, 값비싸며, 또한 유기 오염을 효과적으로 감소시키지 못할 수 있다.
[0018] 실시예들은 전자장치 프로세싱 시스템의 하나 이상의 챔버들을 세정하기 위한 원격 플라즈마 세정 프로세스를 제시한다. 산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물이 원격 플라즈마 시스템(RPS; remote plasma system)(본원에서 원격 플라즈마 생성기로 또한 지칭됨) 내로 유동된다. 원격 플라즈마 시스템은 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하고, 플라즈마를 전자장치 프로세싱 시스템의 하나 이상의 챔버들 내로 전달한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 챔버들의 내부는, 챔버들 내부의 유기 오염물질들 및/또는 AMC(airborne molecular contaminant)들이 증발하기 시작하도록, 플라즈마가 전달될 때 가열된다. 원격 플라즈마는 챔버(들)의 내부에 있는 유기 오염물질들 및/또는 AMC들과 반응하고, 반응물들은 챔버(들) 밖으로 펌핑된다. 실시예들에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스는 다수의 상이한 챔버들에 대해 시험되었으며, 시험은 이 프로세스가 챔버들의 내부에 있는 유기 오염물질들 및/또는 AMC들 전부 또는 거의 전부를 효과적으로 제거하는 것을 보여주었다. 원격 플라즈마 세정 프로세스는 또한, 반나절 미만의 기간에 걸쳐 수행되어서, 제품에 대해 사용하기 위해 새로운 전자장치 제조 시스템을 세정하고 그리고/또는 다른 방식으로 준비하기 위한 종래의 기법들과 비교할 때, 새로운 전자장치 프로세싱 시스템을 온라인이 되게 하는 데 걸리는 시간량을 상당히 감소시킬 수 있다. 예컨대, 새로운 전자장치 제조 시스템(또는 이 전자장치 제조 시스템의 챔버)을 검증(qualify)하기 위한 시간이 며칠 또는 몇 주로부터 하루 이하로 감소될 수 있다. 부가적으로, 원격 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 비용은 웨이퍼 사이클링을 수행하는 비용 및 챔버의 컴포넌트들을 교체하는 비용보다 상당히 더 낮다. 이에 따라서, 본원의 실시예들에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스는 새로운 전자장치 제조 시스템들에 대한 종래의 세정 및 검증 기법들보다 더 효율적이고 더 견고하다(robust).
[0019] 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스는 임의의 밀봉된 또는 밀봉가능한 챔버에 대해 수행될 수 있으며, 동작 동안 진공 조건들을 겪을 챔버들에 대한 특정 이익들을 제공한다. 그러한 챔버들의 예들은 로드 록 챔버들, 이송 챔버들, 팩토리 인터페이스들, 밀폐형(enclosed) 정렬 스테이션들, 비아들, 버퍼들, 퍼지 챔버들, 및 프로세스 챔버들, 이를테면, PVD(physical vapor deposition) 프로세스 챔버들, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스 챔버들, 에칭 프로세스 챔버들 및 ALD(atomic layer deposition) 프로세스 챔버들을 포함한다. 원격 플라즈마 세정 프로세스는 또한, 유기 오염물질들 및/또는 AMC들을 제거하기 위해 디바이스 제조에서 사용되는 밀폐형 내부 볼륨들을 갖는 다른 조립체들에 대해 수행될 수 있다. 밀폐형 내부 볼륨을 갖는 그러한 조립체의 일 예는 기판 캐리어, 이를테면, FOUP(front opening unified pod) 또는 SSP(side storage pod)이다. 이에 따라서, 챔버들의 플라즈마 세정을 수행하는 것을 참조하여 본원에서 논의되는 실시예들이 또한, 밀폐형 볼륨들을 갖는 다른 조립체들의 플라즈마 세정을 수행하는 것에 적용된다는 것이 이해되어야 한다.
[0020] 도 1은 본 개시내용의 일 양상에 따른 예시적인 전자장치 제조 시스템(100)의 개략적인 평면도이다. 전자장치 제조 시스템(100)은 기판(102)에 대해 하나 이상의 프로세스들을 수행할 수 있다. 기판(102)은 전자 디바이스들 또는 이러한 전자 디바이스들 상의 회로 컴포넌트들을 제작하기에 적절한, 임의의 적절하게 강성의 고정-치수 평면 물품, 이를테면, 예컨대, 실리콘-함유 디스크 또는 웨이퍼, 패터닝된 웨이퍼, 유리 플레이트 등일 수 있다.
[0021] 전자장치 제조 시스템(100)은 메인프레임(104) 및 메인프레임(104)에 커플링된 팩토리 인터페이스(106)를 포함할 수 있다. 메인프레임(104)은 이송 챔버(110)가 내부에 있는 하우징(108)을 포함할 수 있다. 이송 챔버(110)는, 이송 챔버(110) 주위에 배치되고 이송 챔버(110)에 커플링된 하나 이상의 프로세싱 챔버들(프로세스 챔버들로 또한 지칭됨)(116a-116f)을 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버들(116a-116f)은 슬릿 밸브들 등을 포함할 수 있는 개개의 포트들(131)을 통해 이송 챔버(110)에 커플링될 수 있다.
[0022] 4 개의 측(side)들(패싯(facet)들로 또한 지칭됨)을 갖는 거의 정사각형 형상의 메인프레임이 도시되고, 다수의 프로세싱 챔버들이 각각의 패싯에 연결됨을 주목한다. 그러나, 패싯은 패싯에 커플링된 2 개 초과의 프로세싱 챔버들 또는 단일 프로세싱 챔버를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야한다. 부가적으로, 메인프레임(104)은 다른 형상들, 이를테면, 직사각형 형상(상이한 패싯들이 상이한 길이들을 가질 수 있음) 또는 4 개 초과의 패싯들을 갖는(예컨대, 5 개, 6 개, 또는 그 초과의 패싯들을 갖는) 방사상 형상을 가질 수 있다.
[0023] 프로세싱 챔버들(116a-116f)은 기판들(102)에 대해 임의의 수의 프로세스들을 수행하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서의 프로세싱 챔버들(116a-116f) 중 하나 이상은 진공 조건들(예컨대, 1 ATM 미만의 압력들, 100 mTorr 미만의 압력들 등) 하에서 동작되도록 구성된다. 동일한 또는 상이한 기판 프로세스가 각각의 프로세싱 챔버(116a-116f)에서 발생할 수 있다. 기판 프로세스는 ALD(atomic layer deposition), PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), 에칭, 어닐링, 경화, 사전-세정, 금속 또는 금속 옥사이드 제거 등을 포함할 수 있다. 일 예에서, PVD 프로세스가 프로세스 챔버들(116a-116b) 중 하나 또는 둘 모두에서 수행될 수 있고, 에칭 프로세스가 프로세스 챔버들(116c, 116d) 중 하나 또는 둘 모두에서 수행될 수 있으며, 어닐링 프로세스가 프로세스 챔버들(116e, 116f) 중 하나 또는 둘 모두에서 수행될 수 있다. 다른 프로세스들이 내부의 기판들에 대해 수행될 수 있다. 프로세싱 챔버들(116a-116f)은 각각 기판 지지 조립체를 포함할 수 있다. 기판 지지 조립체는 기판 프로세스가 수행되는 동안 기판을 제자리에 홀딩하도록 구성될 수 있다.
[0024] 이송 챔버(110)는 또한, 이송 챔버 로봇(112)을 포함할 수 있다. 이송 챔버 로봇(112)은 하나의 또는 다수의 로봇 암들을 포함할 수 있으며, 여기서, 각각의 로봇 암은 로봇 암의 단부에 하나 이상의 엔드 이펙터들(본원에서 블레이드들로 또한 지칭됨)을 포함한다. 엔드 이펙터는 웨이퍼들과 같은 특정 오브젝트들을 핸들링하도록 구성될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 엔드 이펙터는 프로세스 키트 링들과 같은 오브젝트들을 핸들링하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이송 챔버 로봇(112)은 SCARA(selective compliance assembly robot arm) 로봇, 이를테면, 2 링크 SCARA 로봇, 3 링크 SCARA 로봇, 4 링크 SCARA 로봇 등일 수 있다. 일 실시예에서의 이송 챔버(110)는 진공 조건들(예컨대, 1 ATM 미만의 압력들, 100 mTorr 미만의 압력들 등) 하에서 동작되도록 구성된다.
[0025] 하나 이상의 로드 록들(120a, 120b)(로드 록 챔버들로 또한 지칭됨)이 또한, 하우징(108) 및 이송 챔버(110)에 커플링될 수 있다. 로드 록들(120a, 120b)은, 일 측에서 이송 챔버(110)와 인터페이싱하고 이송 챔버(110)에 커플링되도록, 그리고 다른 측에서 팩토리 인터페이스(106)와 인터페이싱하고 팩토리 인터페이스(106)에 커플링되도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드 록들(120a, 120b)은 진공 환경(여기서, 기판들은 이송 챔버(110)로 그리고 이송 챔버(110)로부터 이송될 수 있음)으로부터 대기압 또는 거의 대기압(예컨대, 불활성 가스를 가짐) 환경(여기서, 기판들은 팩토리 인터페이스(106)로 그리고 팩토리 인터페이스(106)로부터 이송될 수 있음)으로 변화될 수 있는 환경 제어식 분위기(environmentally-controlled atmosphere)를 가질 수 있다.
[0026] 일부 실시예들에서, 포트들(131) 및/또는 슬릿 값들은 프로세싱 챔버들(116a-116f)과 이송 챔버(110) 사이의 인터페이스들에 있다. 실시예들에서, 포트들(133) 및/또는 슬릿 밸브들은 이송 챔버(110)를 로드 록들(120a, 120b)과 분리한다.
[0027] 팩토리 인터페이스(FI; factory interface)(106)는 임의의 적절한 인클로저, 이를테면, 예컨대, EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있다. 팩토리 인터페이스(106)는 팩토리 인터페이스(106)의 다양한 로드 포트(load port)들(124)에 도킹된 기판 캐리어들(122)(예컨대, FOUP(Front Opening Unified Pod)들)로부터 기판들(102)을 수용하도록 구성될 수 있다. 팩토리 인터페이스 로봇(126)(점선으로 도시됨)은 기판 캐리어들(컨테이너들로 또한 지칭됨)(122)과 로드 록(120) 사이에서 기판들(102)을 이송하도록 구성될 수 있다. 팩토리 인터페이스 로봇(126)은 하나 이상의 로봇 암들을 포함할 수 있고, SCARA 로봇이거나 또는 SCARA 로봇을 포함할 수 있다. 팩토리 인터페이스 로봇(126)은 각각의 로봇 암의 단부 상에 엔드 이펙터를 포함할 수 있다. 엔드 이펙터는 웨이퍼들과 같은 특정 오브젝트들을 픽업(pick up) 및 핸들링하도록 구성될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 엔드 이펙터는 프로세스 키트 링들과 같은 오브젝트들을 핸들링하도록 구성될 수 있다.
[0028] 임의의 종래의 로봇 타입이 팩토리 인터페이스 로봇(126)에 사용될 수 있다. 이송들은 임의의 순서 또는 방향으로 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 팩토리 인터페이스(106)는 예컨대 약간 양압(positive-pressure)의 비반응성 가스 환경(예컨대, 비반응성 가스로서 질소를 사용함)에서 유지될 수 있다.
[0029] 일부 실시예들에서, SSP(side storage pod)(도시되지 않음)가 FI(106)에 커플링된다.
[0030] 일부 실시예들에서, 이송 챔버(110), 프로세스 챔버들(116a-116f) 및 로드 록들(120a, 120b)은 진공 레벨로 유지될 수 있다. 전자장치 제조 시스템(100)은 전자장치 제조 시스템(100)의 하나 이상의 스테이션들에 커플링된 하나 이상의 포트들(130, 131, 133)(예컨대, 진공 포트들)을 포함할 수 있다. 예컨대, 포트들(130)(예컨대, 진공 포트들)은 팩토리 인터페이스(106)를 로드 록들(120)에 커플링할 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 부가적인 포트들(133)(예컨대, 진공 포트들)이 로드 록들(120)에 커플링될 수 있고, 로드 록들(120)과 이송 챔버(110) 사이에 배치될 수 있다. 포트들(130, 133, 131) 각각은 진공 환경을 더 높은 압력(예컨대, 대기압) 환경과 분리하는 슬릿 밸브들을 포함할 수 있다.
[0031] 일부 실시예들에서, 정렬기 스테이션(128)이 FI(106)에 커플링된다. 대안적으로, 정렬기 스테이션(128)은 FI(106)에 하우징될 수 있다. 일부 실시예들에서, 포트가 정렬기 스테이션(128)을 FI(106)와 분리한다. 정렬기 스테이션(128)은 기판들, 고정구(fixture)들 및/또는 다른 오브젝트들(예컨대, 프로세스 키트 링들)을 타깃 배향으로 정렬하도록 구성된다.
[0032] 전자장치 제조 시스템(100)은 또한, 시스템 제어기(132)를 포함할 수 있다. 시스템 제어기(132)는 컴퓨팅 디바이스, 이를테면, 개인용 컴퓨터, 서버 컴퓨터, PLC(programmable logic controller), 마이크로제어기 등이고 그리고/또는 이를 포함할 수 있다. 시스템 제어기(132)는 마이크로프로세서, 중앙 프로세싱 유닛 등과 같은 범용 프로세싱 디바이스들일 수 있는 하나 이상의 프로세싱 디바이스들을 포함할 수 있다. 더욱 상세하게는, 프로세싱 디바이스는 CISC(complex instruction set computing) 마이크로프로세서, RISC(reduced instruction set computing) 마이크로프로세서, VLIW(very long instruction word) 마이크로프로세서, 또는 다른 명령 세트들을 구현하는 프로세서 또는 명령 세트들의 조합을 구현하는 프로세서들일 수 있다. 프로세싱 디바이스는 또한, ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array), DSP(digital signal processor), 네트워크 프로세서 등과 같은 하나 이상의 특수-목적 프로세싱 디바이스들일 수 있다. 시스템 제어기(132)는 데이터 저장 디바이스(예컨대, 하나 이상의 디스크 드라이브들 및/또는 솔리드 스테이트 드라이브들), 메인 메모리, 정적 메모리, 네트워크 인터페이스 및/또는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 시스템 제어기(132)는 본원에서 설명되는 방법론들 및/또는 실시예들 중 임의의 하나 이상을 수행하기 위한 명령들을 실행할 수 있다. 명령들은 (명령들의 실행 동안) 메인 메모리, 정적 메모리, 보조 저장부 및/또는 프로세싱 디바이스를 포함할 수 있는 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장될 수 있다. 시스템 제어기(132)는 또한, 인간 오퍼레이터에 의한 데이터의 입력 및 디스플레이, 동작 커맨드(command)들 등을 허용하도록 구성될 수 있다.
[0033] 전자장치 제조 시스템(100)(또는 전자장치 제조 시스템(100)의 하나 이상의 챔버들)은 전자장치 제조 시스템(100)의 조립 후에 실시예들에서 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 세정될 수 있다. 대안적으로, 전자장치 제조 시스템(100)의 하나 이상의 챔버들은 전자장치 전체가 조립되기 전에 조립 및 세정될 수 있다. 예컨대, 이송 챔버(110)가 조립될 수 있고, 이어서, 프로세스 챔버들(116a-116c), 로드 록들(120a, 120b) 및/또는 FI(106) 중 임의의 것이 이송 챔버(110)에 연결되기 전에, 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 세정될 수 있다. 유사하게, 프로세스 챔버들(116a-116c) 중 임의의 프로세스 챔버는 이송 챔버(110)로의 연결 전에 원격 세정 프로세스를 사용하여 세정될 수 있고 그리고/또는 로드 록들(120a-120b)은 이송 챔버(110)로의 연결 전에 세정될 수 있다. 다른 예에서, 로드 록들(120a, 120b)은 이송 챔버(110)에 연결될 수 있고, 이송 챔버(110) 및 로드 록들(120a, 120b)은 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 함께 세정될 수 있다. 원격 플라즈마 세정 프로세스는 또한, 프로세스 챔버들(116a-116f) 각각에 대해 개별적으로 수행될 수 있다. 대안적으로, 프로세스 챔버들(116a-116f) 중 하나 이상이 이송 챔버(110)에 연결될 수 있고, 프로세스 챔버들(116a-116f), 이송 챔버(110) 및/또는 로드 록들(120a, 120b)을 함께 세정하기 위해 원격 플라즈마 세정 프로세스가 수행될 수 있다.
[0034] 플라즈마 세정 프로세스를 수행하기 위해, 원격 플라즈마 시스템(RPS; remote plasma system)(원격 플라즈마 생성기로 또한 지칭됨)(101)이 세정될 챔버들 중 하나에 연결된다. RPS(101)는 예컨대 챔버의 윈도우 또는 포트에서 챔버에 연결될 수 있다. 챔버의 모든 다른 윈도우들 및/또는 포트들은 밀봉될 수 있고, 챔버의 내부는 진공으로 펌핑 다운(pump down)된다. 임의의 연결된 챔버들이 동일한 세정 프로세스에서 세정되어야 하는 경우, 챔버를 다른 챔버들에 연결하는 포트들이 세정 프로세스를 위해 개방될 수 있다. 일부 실시예들에서, 다수의 RPS들(101)이 챔버에(또는 연결된 챔버들 중 하나 초과의 챔버에) 연결되고, 다수의 RPS들 각각은 원격 플라즈마를 챔버들에 전달한다.
[0035] 일부 실시예들에서, 챔버(들)의 내부는 원격 플라즈마 세정 프로세스 동안 가열된다. 실시예들에서, 그러한 가열은 챔버(들)의 빌트-인(built-in) 가열 엘리먼트들을 사용하여 수행될 수 있다. 대안적으로, 일시적인 가열 시스템이 챔버(들) 내에 삽입될 수 있고, 챔버(들)의 내부를 가열하기 위해 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 가열은 고온 가스 주입에 의해 수행된다.
[0036] 실시예들에서, RPS(101)는 세정될 챔버에(예컨대, 이송 챔버(110)에) 직접 연결되며, RPS(101)가 연결된 챔버와 RPS(101)를 분리하는 어떠한 배관(piping)도 없다. 이는 세정 프로세스의 효율을 최대화하며, 그리고 RPS가 (예컨대, 중간 배관을 통해) 챔버에 간접 연결되는 경우 발생할 수 있는 플라즈마 라디칼들의 재결합의 양을 최소화한다. 대안적으로, 최소량의 배관이 RPS(101)가 연결된 챔버와 RPS(101)를 분리할 수 있다.
[0037] RPS(101)는 세정의 효율을 최대화하는 방식으로 세정될 챔버에 포지셔닝될 수 있다. 예컨대, 이송 챔버(110) 및 연결된 로드 록 챔버들(120a, 120b)이 함께 세정되어야 하는 경우, 로드 록 챔버들(120a, 120b)이 연결된 이송 챔버(110) 측에 대향하는 이송 챔버 측에 있는 또는 그 근처에 있는, 이송 챔버(110)의 포트 또는 윈도우에 RPS(101)가 연결될 수 있다. 이는, 플라즈마 유동 방향(109)이 RPS(101)로부터 이송 챔버(110) 내부 및 로드 록 챔버(120a, 120b) 내부들 양자 모두로 (예컨대, 거의 직선으로) 직접(또는 가능한 한 가깝게) 통과하는 것을 보장할 수 있다.
[0038] 아래에서 더 상세히 논의되는 실시예들에서, 특정 범위의 가스 혼합물들, 온도들, 프로세스 시간들 및 플라즈마 전력들이 원격 플라즈마 세정 프로세스를 위해 사용될 수 있다.
[0039] 도 2는 본 개시내용의 일 양상에 따른 예시적인 전자장치 제조 시스템(200)의 개략적인 평면도이다. 전자장치 제조 시스템(200)은 기판에 대해 하나 이상의 프로세스들을 수행할 수 있다. 전자장치 제조 시스템(200)은 메인프레임(204) 및 메인프레임(204)에 커플링된 팩토리 인터페이스(206)를 포함할 수 있다. 메인프레임(204)은 제1 이송 챔버(210a), 그리고 제1 버퍼 챔버(221a) 및 제2 버퍼 챔버(221b)를 통해 제1 이송 챔버(210a)에 연결된 제2 이송 챔버(210b)를 포함할 수 있다. 메인프레임(204)은 부가적으로, 제1 이송 챔버(210a)에 연결된 한 쌍의 로드 록 챔버들(220a, 220b)을 포함할 수 있다. 이송 챔버들(210a, 210b), 버퍼 챔버들(221a, 221b) 및/또는 로드 록 챔버들(220a, 220b)은 동작 동안 진공 조건들을 겪을 수 있다.
[0040] 제1 이송 챔버(210a)는, 제1 이송 챔버(210a) 주위에 배치되고 제1 이송 챔버(210a)에 커플링된 하나 이상의 프로세싱 챔버들(프로세스 챔버들로 또한 지칭됨)(216a-216d)을 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버들(216a-216d)은 슬릿 밸브들 등을 포함할 수 있는 개개의 포트들을 통해 이송 챔버(210a)에 커플링될 수 있다.
[0041] 제2 이송 챔버(210b)는, 제2 이송 챔버(210b) 주위에 배치되고 제2 이송 챔버(210b)에 커플링된 하나 이상의 부가적인 프로세싱 챔버들(218a-218e)을 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버들(218a-218e)은 슬릿 밸브들 등을 포함할 수 있는 개개의 포트들을 통해 이송 챔버(210b)에 커플링될 수 있다.
[0042] 8 개의 측들(패싯들로 또한 지칭됨)을 갖는 이송 챔버들(210a, 210b)이 도시되고, 단일 프로세싱 챔버, 로드 록 챔버 또는 버퍼 챔버가 각각의 패싯에 연결됨을 주목한다. 그러나, 패싯은 패싯에 커플링된 2 개 이상의 프로세싱 챔버들 또는 단일 프로세싱 챔버를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 부가적으로, 이송 챔버들은 다른 형상들, 이를테면, 직사각형 형상(상이한 패싯들이 상이한 길이들을 가질 수 있는 4 개의 패싯들을 가짐), 정사각형 형상(모든 패싯들이 거의 동일한 길이를 갖는 4 개의 패싯들을 가짐), 또는 8 개와 상이한 수의 패싯들을 갖는(예컨대, 5 개, 6 개, 또는 그 초과의 패싯들을 갖는) 방사상 형상을 가질 수 있다.
[0043] 프로세싱 챔버들(216a-216d 및 218a-218e)은 프로세싱 챔버들(116a-116f)을 참조하여 위에서 설명된 바와 같이 기판들(202)에 대해 임의의 수의 프로세스들을 수행하도록 구성될 수 있으며, 진공 조건들 하에서 그러한 동작들을 수행할 수 있다.
[0044] 이송 챔버(210a) 및 이송 챔버(210b)는 각각 이송 챔버 로봇(212a, 212b)을 포함할 수 있다.
[0045] 팩토리 인터페이스(FI; factory interface)(206)는 임의의 적절한 인클로저, 이를테면, 예컨대, EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있다. 팩토리 인터페이스(206)는 팩토리 인터페이스(206)의 다양한 로드 포트들(도시되지 않음)에 도킹된 기판 캐리어들(도시되지 않음)로부터 기판들(202)을 수용하도록 구성될 수 있다. 팩토리 인터페이스 로봇(226)이 기판 캐리어들(컨테이너들로 또한 지칭됨)과 로드 록(220a, 220b) 사이에서 기판들(202)을 이송하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 팩토리 인터페이스(206)는 예컨대 약간 양압의 비반응성 가스 환경(예컨대, 비반응성 가스로서 질소를 사용함)에서 유지될 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 이송 챔버들(210a, 210b), 프로세스 챔버들(216a-116d, 218a-218e), 버퍼 챔버들(221a, 221b) 및 로드 록들(220a, 220b)은 진공 레벨로 유지될 수 있다. 전자장치 제조 시스템(200)은 이들 챔버들에 커플링된 하나 이상의 포트들(예컨대, 진공 포트들)을 포함할 수 있다. 포트들 각각은 진공 환경을 더 높은 압력(예컨대, 대기압) 환경과 분리하는 슬릿 밸브들을 포함할 수 있다.
[0047] 전자장치 제조 시스템(200)은 또한, 도 1의 시스템 제어기(132)와 유사할 수 있는 시스템 제어기(232)를 포함할 수 있다.
[0048] 전자장치 제조 시스템(200)(또는 전자장치 제조 시스템(200)의 하나 이상의 챔버들)은 전자장치 제조 시스템(100)의 조립 후에 실시예들에서 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 세정될 수 있다. 대안적으로, 전자장치 제조 시스템(200)의 하나 이상의 챔버들은 전자장치 전체가 조립되기 전에 조립 및 세정될 수 있다. 예컨대, 이송 챔버(210a) 및 로드 록 챔버들(220a, 220b)은 조립되고, 이어서, 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 함께 세정될 수 있다. 제1 RPS(101a)는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 수행하기 위해 도시된 바와 같이 제1 이송 챔버(210a)에 연결될 수 있다. 그러한 세정 프로세스를 위한 플라즈마의 예시적인 경로(209a)가 도시된다. 다른 예에서, 이송 챔버(210b) 및 버퍼 챔버들(221a, 221b)은 조립되고, 이어서, 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 함께 세정될 수 있다. 제2 RPS(101B)는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 수행하기 위해 도시된 바와 같이 제2 이송 챔버(210b)에 연결될 수 있다. 그러한 세정 프로세스를 위한 플라즈마의 예시적인 경로(209a)가 도시된다. 일 실시예에서, 제1 이송 챔버(210a)를 버퍼 챔버들(221a, 221b)과 분리하는 밸브들은 원격 플라즈마 세정 프로세스 동안 밀봉되고, 제1 RPS(101A) 및 제2 RPS(101B)를 사용하는 원격 플라즈마 세정 프로세스들이 동시에 수행된다.
[0049] 도 3은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전자장치 제조 시스템의 하나 이상의 챔버들 및/또는 다른 조립체들의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 방법(300)에 대한 흐름도이다. 방법(300)은 챔버들을 참조하여 논의되지만, 논의된 동작들은 또한, FOUP들, SSP들 등과 같은 다른 밀봉가능 조립체들에 대해 수행될 수 있다. 방법(300)의 블록(305)에서, 전자장치 제조 시스템의 챔버의(또는 다수의 챔버들의) 하나 이상의 컴포넌트들이 기계가공된다. 그러한 기계가공은 예컨대 컴포넌트들의 밀링(milling) 및/또는 연마(polishing)를 포함할 수 있다. 블록(310)에서, 챔버(또는 챔버들)는 하나 이상의 컴포넌트들을 사용하여 조립된다. 컴포넌트들 중 일부 또는 전부는 유기 오염물질들 및/또는 AMC들, 이를테면, 방향족들, 에스테르들, 프탈레이트들, 실록산, 플라스틱들, 고무들, 폴리머들 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 챔버의 하나 이상의 컴포넌트들은, 컴포넌트들의 패키징, 밀봉, 윤활, 보호, 연마, 밀링 등을 위해 그리고/또는 그 동안 사용되는 접착제들, 윤활제들, 코팅들, 폴리머들(예컨대, 폴리머 기반 윤활제들), 휘발성 유기 화합물들 및/또는 플라스틱들에 의해 도입될 수 있는 방향족 폴리에스테르, 다른 폴리머들 및/또는 에스테르들, 및/또는 다른 프탈레이트들을 포함할 수 있다. 존재할 수 있는 일부 유기 오염물질들의 특정 예들은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 디부틸 프탈레이트, 실록산, 벤조산, 하이드록실-에스테르, 하이드로카본, 케톤, 알데히드, 알코올, 에테르 및 디옥틸 프탈레이트이다. 이에 따라서, 조립된 챔버는 이들 유기 오염물질들 중 하나 이상도 또한 포함할 수 있다.
[0050] 블록(315)에서, 챔버의 조립 후에, 원격 플라즈마 소스/생성기(RPS)가 챔버에 연결된다. RPS는 챔버의 개구에 대해 밀봉된다. 일 실시예에서, 원격 플라즈마 생성기(RPS)는, 어떠한 배관도 플라즈마를 출력하는 원격 플라즈마 생성기의 출구와 챔버 사이에 배치되지 않고, 챔버에 직접 연결된다. 다른 실시예들에서, 원격 플라즈마 생성기와 챔버 사이에 짧은 커넥터 또는 배관이 연결된다. RPS는 예컨대 챔버의 포트 또는 윈도우에서 챔버에 연결될 수 있다. 챔버의 다른 포트들 및/또는 윈도우들은 밀봉 폐쇄(sealed close)될 수 있다. 일부 사례들에서, 다른 챔버들이 하나 이상의 포트들을 통해 챔버에 연결된다. 그러한 포트들은 원격 플라즈마 세정 프로세스 동안 개방된 상태로 유지될 수 있다.
[0051] 블록(320)에서, 챔버(및 선택적으로, 챔버에 연결된 임의의 다른 챔버들)의 내부의 압력은 진공을 달성하도록 감소될 수 있다. 예에서, 챔버는 약 20 내지 40 mTorr, 또는 약 10 내지 50 mTorr의 진공 압력으로 감소된다. 대안적으로, 챔버(들)는 대기압으로 또는 대략 대기압(예컨대, 약 80 내지 100 Torr의 압력)으로 유지될 수 있다. 다른 실시예들에서, 챔버의 내부는 10 mTorr 내지 100 Torr의 어느 압력으로든 감소될 수 있다.
[0052] 블록(325)에서, 챔버(또는 다수의 챔버들)의 내부는 타깃 온도로 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 타깃 온도는 30 내지 120 ℃이다. 추가적인 실시예에서, 타깃 온도는 40 내지 80 ℃이다. 40 ℃를 초과하는 온도들은 유기 오염물질들 및/또는 AMC들의 아웃개싱을 가능하게 하여서 세정 프로세스를 가속시키는 것으로 나타났다. 그러나, 챔버들 내부의 o-링들 또는 개스킷들(예컨대, 내열 및/또는 내플라즈마 o-링들 또는 개스킷들)과 같은 일부 재료들은, o-링들 또는 개스킷들 내의 다른 재료들과 결합되는 유기 재료들(예컨대, 첨가제들)을 포함할 수 있다. 그러나, 온도를 약 100 ℃ 초과로 증가시키는 것은 유기 재료들이 o-링들 또는 개스킷들로부터 방출되게 하여서, 유기 오염물질들의 양을 증가시킨다. 이에 따라서, 그러한 o-링들 또는 개스킷들이 사용되는 사례에서, 온도들은 100 ℃ 미만, 그리고 일 실시예에서 80 ℃ 미만으로 유지된다. 일 실시예에서, 제1 시간 기간 동안, 온도는 세팅 온도로 램핑 업(ramp up)된다. 온도는 제2 시간 기간 동안 세팅 온도로 유지된다. 제2 시간 기간 후에, 온도는 제3 시간 기간 동안 예컨대 실온으로 램핑 다운(ramp down)된다. 일부 실시예들에서, 챔버(또는 다수의 챔버들)의 내부는 가열되지 않는다.
[0053] 일부 실시예들에서, 챔버는, 플라즈마를 생성하기 시작하기 전에 일 지속기간 동안 (예컨대, 약 30 내지 120 ℃의) 상승(elevated) 온도로 유지된다. 이는 플라즈마의 사용 전에 챔버 내의 수분이 증발되게 할 수 있다. 일 실시예에서, 챔버는, 플라즈마를 챔버 내로 유동시키기 전에, 약 4 내지 12 시간(예컨대, 약 8 시간) 동안 상승 온도로 유지된다. 일부 실시예들에서, 챔버의 가열은 (예컨대, 블록(320)의 동작을 수행하기 전에) 대기압 하에서 수행된다.
[0054] 블록(330)에서, RPS의 전력이 세팅된다. RPS가 세팅되는 전력은 챔버(들)의 내부의 볼륨 및/또는 챔버(들)의 내부의 압력에 따라 좌우된다. 실시예들에서, RPS는 약 50 내지 500 와트의 전력으로 세팅된다. 일 실시예에서, 챔버의 내부가 진공(예컨대, 20 내지 40 mTorr 또는 10 내지 50 mTorr)인 경우, 약 50 내지 약 110 와트(예컨대, 대략 80 와트)의 저전력 세팅이 RPS에 사용된다. 일 실시예에서, 챔버의 내부가 대기압에 있거나 또는 대기압에 가까운 경우(예컨대, 대략 80 내지 100 Torr인 경우), 대략 400 내지 600 와트(예컨대, 대략 500 와트)의 더 높은 전력 세팅이 사용된다.
[0055] 블록(335)에서, 산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물이 원격 플라즈마 생성기 내로 유동된다. 실시예들에서, 가스 혼합물은 약 5 sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 약 100 sccm의 유량으로 RPS 내로 유동될 수 있다. 일 실시예에서, 유량은 약 5 sccm 내지 약 50 sccm이다. RPS는 혼합된 가스를 포함하는 단일 저장소에 연결될 수 있거나 또는 다수의 상이한 가스 저장소들에 연결될 수 있고, 다수의 저장소들로부터의 가스들은 RPS에서 또는 RPS로의 전달 라인에서 혼합될 수 있다. 일 실시예에서, 가스 혼합물은 약 10 내지 30 mol%의 산소 및 약 70 내지 90 mol%의 캐리어 가스를 포함한다. 캐리어 가스는 비반응성 가스, 이를테면, 질소, 아르곤, 헬륨, 또는 이들의 조합이거나 또는 이를 포함한다. 일 실시예에서, 가스 혼합물은 약 20 mol%의 산소 및 약 80 mol%의 캐리어 가스를 함유한다. 일 실시예에서, 혼합된 가스는 청정 공기(clean air)(예컨대, 이는 약 20 mol%의 O2, 약 79 내지 80 mol%의 N2, 및 선택적으로는 약 1 mol%의 다른 가스들을 포함할 수 있음)이다.
[0056] 실험은, 최대 약 30 mol%의 산소를 갖는 가스 혼합물을 사용하는 것이 더 높은 레벨들의 산소를 갖는 가스 혼합물들과 비교할 때 개선된 세정 성능을 야기했다는 예상치 못한 결과들을 나타내었다. 이론적으로, 순수 산소(pure oxygen) 또는 높은 몰 퍼센티지의 산소에 기반하는 플라즈마는, 오염물질들과 상호작용하는 데 이용가능한 더 많은 산소 라디칼들이 있기 때문에 세정 효율을 개선해야 한다. 그러나, 실험은 세정 효율이 놀랍게도 약 30 몰 퍼센트의 산소 농도들을 초과하여 감소되었음을 나타내었다.
[0057] 블록(340)에서, RPS는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성한다. 블록(345)에서, 챔버(들)의 내부의 원격 플라즈마 세정을 수행하기 위해 플라즈마가 챔버(들)의 내부 내로 전달된다. 실시예들에서, 원격 세정 프로세스는 약 5 내지 15 시간의 지속기간 동안 수행된다. 다른 실시예들에서, 원격 세정 프로세스는 적게는 3 시간 동안 또는 많게는 24 시간 동안 수행될 수 있다. 플라즈마는 위에서 설명된 제1 시간 기간, 제2 시간 기간 및 제3 시간 기간 중 하나 이상 동안 전달될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 챔버가 가열된 상태로 유지되는 동안 전달된다. 챔버는, 플라즈마를 챔버 내로 유동시키기 전에 사용된 온도와 동일한 온도로 가열될 수 있다. 대안적으로, 챔버는, 플라즈마를 도입하기 전에 챔버가 가열되었던 온도와 상이한 온도로 가열될 수 있다. 예컨대, 베이크아웃(bakeout)이 블록(325)에서는 제1 온도로 수행될 수 있고, 블록(345)에서는 제2 온도가 사용될 수 있다. 챔버의 내부가 가열되지 않으면, 원격 플라즈마 세정 프로세스는 증가된 시간량, 이를테면, 16 내지 24 시간, 36 시간, 이틀 또는 다른 지속기간 동안 수행된다. 일단 원격 플라즈마 프로세스가 완료되면, 플라즈마가 턴 오프되고, 임의의 잔류 플라즈마, 가스들 및/또는 반응물들이 챔버(들)의 내부로부터 배출(evacuate)된다. 부가적으로, 챔버(들)는 실온으로 냉각된다.
[0058] 방법(300)은, 고객으로의 출하 전에 전자장치 제조 시스템의(예컨대, 챔버(들)의) 제조자의 현장에서 수행될 수 있다. 방법(300)은 부가적으로 또는 대안적으로, 전자장치 제조 시스템이 설치될 현장에서(예컨대, 고객 위치에서) 수행될 수 있다. 방법(300)은, 전자장치 제조 시스템이 고객 위치에서 완전히 조립되기 전에 또는 후에(예컨대, FI, 로드 록들, 이송 챔버 및 프로세스 챔버들이 함께 연결되기 전에 또는 후에) 수행될 수 있다. 전자장치 제조 시스템이 설치될 현장에서 방법(300)이 수행되는 실시예들에서, 블록들(305 및 310)의 동작들은 생략될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 3의 동작들은 동일한 또는 상이한 순서로 수행될 수 있다.
[0059] 도 4는 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전자장치 제조 시스템의 출하 전에 전자장치 제조 시스템의 하나 이상의 챔버들을 원격 플라즈마 세정하는 다른 방법(400)에 대한 흐름도이다. 방법(400)은 챔버들을 참조하여 논의되지만, 논의된 동작들은 또한, FOUP들, SSP들 등과 같은 다른 밀봉가능 조립체들에 대해 수행될 수 있다. 방법(400)의 블록(405)에서, 플라즈마의 유동이 챔버의 내부에 진입하는 것을 가능하게 하기 위해 개구가 챔버에 생성된다. 개구는, 챔버로부터 윈도우 또는 슬릿 밸브를 제거함으로써 생성될 수 있다. 대안적으로, 개구는, 챔버의 슬릿 밸브를 개방함으로써 생성될 수 있다.
[0060] 블록(410)에서, 챔버의 조립 후에, 원격 플라즈마 소스/생성기(RPS)가 챔버에 연결된다. RPS는 생성된 개구에서(예컨대, 슬릿 밸브가 개방된 또는 제거된 포트의 위치에서, 또는 제거된 윈도우의 위치에서) 챔버의 개구에 대해 밀봉된다. 일 실시예에서, 원격 플라즈마 생성기(RPS)는, 어떠한 배관도 플라즈마를 출력하는 원격 플라즈마 생성기의 출구와 챔버 사이에 배치되지 않고, 챔버에 직접 연결된다. 다른 실시예들에서, 원격 플라즈마 생성기와 챔버 사이에 짧은 커넥터 또는 배관이 연결된다.
[0061] 블록(415)에서, 챔버의 내부는 타깃 온도로 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 타깃 온도는 30 내지 120 ℃이다. 추가적인 실시예에서, 타깃 온도는 40 내지 80 ℃이다. 일 실시예에서, 제1 시간 기간 동안, 온도는 세팅 온도로 램핑 업된다. 온도는 제2 시간 기간 동안 세팅 온도로 유지된다. 제2 시간 기간 후에, 온도는 제3 시간 기간 동안 예컨대 실온으로 램핑 다운된다.
[0062] 일부 실시예들에서, 챔버는, 플라즈마를 생성하기 시작하기 전에 일 지속기간 동안 (예컨대, 약 30 내지 120 ℃의) 상승 온도로 유지된다. 이는 플라즈마의 사용 전에 챔버 내의 수분이 증발되게 할 수 있다. 일 실시예에서, 챔버는, 플라즈마를 챔버 내로 유동시키기 전에, 약 4 내지 12 시간(예컨대, 약 8 시간) 동안 상승 온도로 유지된다. 일부 실시예들에서, 챔버의 가열은 블록(420)의 동작들을 시작하기 전에 (예컨대, 블록(320)의 동작을 수행하기 전에) 대기압 하에서 수행된다. 대안적으로, 블록(420)의 동작들은 블록(415)의 동작들과 병렬로 수행될 수 있다.
[0063] 블록(420)에서, 챔버(및 선택적으로, 챔버에 연결된 임의의 다른 챔버들)의 내부의 압력은 진공을 달성하도록 감소될 수 있다. 예에서, 챔버는 약 20 내지 40 mTorr, 또는 약 10 내지 50 mTorr의 진공 압력으로 감소된다. 대안적으로, 챔버(들)는 대기압으로 또는 대략 대기압(예컨대, 약 80 내지 100 Torr의 압력)으로 유지될 수 있다. 다른 실시예들에서, 챔버의 내부는 10 mTorr 내지 100 Torr의 어느 압력으로든 감소될 수 있다.
[0064] 블록(425)에서, RPS는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하고, 플라즈마는 챔버(들)의 내부의 원격 플라즈마 세정을 수행하기 위해 챔버(들)의 내부 내로 전달된다. 실시예들에서, 원격 세정 프로세스는 약 5 내지 15 시간의 지속기간 동안 수행된다. 다른 실시예들에서, 원격 세정 프로세스는 적게는 3 시간 동안 또는 많게는 24 시간 동안 수행될 수 있다. 플라즈마는 위에서 설명된 제1 시간 기간, 제2 시간 기간 및 제3 시간 기간 중 하나 이상 동안 전달될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 챔버가 가열된 상태로 유지되는 동안 전달된다. 챔버는, 플라즈마를 챔버 내로 유동시키기 전에 사용된 온도와 동일한 온도로 가열될 수 있다. 대안적으로, 챔버는, 플라즈마를 도입하기 전에 챔버가 가열되었던 온도와 상이한 온도로 가열될 수 있다. 챔버의 내부가 가열되지 않으면, 원격 플라즈마 세정 프로세스는 증가된 시간량, 이를테면, 16 내지 24 시간, 36 시간, 이틀 또는 다른 지속기간 동안 수행된다.
[0065] 일 실시예에서, 블록(430)에서, 프로세스 챔버는, 원격 플라즈마 세정을 계속 수행하면서 냉각된다. 일 실시예에서, 이는 약 1 내지 3 시간(예컨대, 약 2 시간)의 지속기간 동안 수행된다. 대안적으로, 블록(430)은 스킵(skip)될 수 있다. 블록(435)에서, 원격 플라즈마 세정이 정지되고, RPS가 챔버로부터 연결해제되며, 챔버가 실온으로 냉각된다.
[0066] 블록(440)에서, 이전에 제거된 슬릿 밸브 또는 윈도우가 챔버 상에 다시 설치된다. 대안적으로, 개방된 슬릿 밸브가 폐쇄될 수 있다. 블록(445)에서, 챔버는 (예컨대, 고객으로의) 출하를 위해 준비된다.
[0067] 도 5는 전자장치 제조 시스템(500)의 다수의 가능한 위치들을 예시하며, 전자장치 제조 시스템(500)의 하나 이상의 챔버들의 원격 플라즈마 세정을 수행하기 위해 원격 플라즈마 소스(501)가 전자장치 제조 시스템(500)에 연결될 수 있다. 도 5의 전자장치 프로세싱 시스템(500)은 도 2의 전자장치 프로세싱 시스템(200)에 대응한다. 도시된 바와 같이, 전자장치 제조 시스템(500)의 이송 챔버들(510A-510B)은 각각 다수의 윈도우들(503)을 포함한다. 이들 윈도우들(503) 중 임의의 윈도우가 일시적으로 제거되어 이송 챔버(510A-510B)의 내부로의 액세스를 제공할 수 있고, RPS 모듈(501)은 윈도우(503)에 연결될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 이송 챔버들(510A-510B)은 다수의 포트들(505)을 포함하고, RPS 모듈(501)은 포트들(505) 중 임의의 포트를 통해 이송 챔버(510A-510B)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, RPS 모듈(501)을 포트(505)에 연결하기 전에 그 포트(505)로부터 슬릿 밸브가 제거된다. 다른 실시예들에서, 포트(505)는 (예컨대, 슬릿 밸브를 개방함으로써) 개방되어 펌핑 경로를 제공하고, RPS 모듈(501)은 개방 포트를 통해 연결된다. 다수의 RPS 모듈들(501)이 플라즈마 세정을 수행하기 위해 이송 챔버들(510A-510B) 중 하나에 또는 둘 모두에 동시에 연결될 수 있다. 대안적으로, 단일 RPS 모듈(501)이 이송 챔버들(510A-510B) 중 하나에 또는 둘 모두에 연결될 수 있다.
[0068] 전자장치 제조 시스템의 하나 이상의 챔버들에 대한 원격 플라즈마 세정 프로세스의 시뮬레이션을 위해 다수의 유동 시뮬레이션 조건들이 시험되었다. 시뮬레이션 조건들 하에서, 챔버의 임의의 챔버 포트 또는 윈도우가 RPS 모듈을 챔버에 장착하는 데 이용가능하다. 10 sccm의 청정 건조 공기(CDA; clean dry air) 유량, 약 80%의 O2 해리 레이트, 및 1E-2 Torr의 압력의 시뮬레이션 경계 조건들이 시험되었다. 청정 건조 공기의 조성(composition)은 약 20.95%의 O2 및 79.05%의 N2인 것으로 측정되었다. 1e-4의 점착 계수를 갖는 O+O = O2의 반응 모델이 시험되었다. 경계 조건들에 대해, 0.01 Torr의 동작 압력, 3.5e-6의 점도, 130만 개의 노드들의 메시 크기, 및 N2, O2 및 O의 시뮬레이팅된 케미스트리(chemistry)를 갖는 정상 상태 시뮬레이션이 사용되었다. 시뮬레이팅된 반응들은 다음을 포함한다:
예컨대,
Figure pct00001
의 경우,
Figure pct00002
예컨대,
Figure pct00003
의 경우,
Figure pct00004
예컨대,
Figure pct00005
의 경우,
Figure pct00006
예컨대, α=0.1-0.002의 경우,
Figure pct00007
여기서, k는 반응 레이트 상수이고, α는 점착 계수이다. 부가적으로, 예컨대 α=0.1-0.002의 경우 수학식
Figure pct00008
에 대해, W는 벽 또는 표면을 표현하고, 이 수학식은, O 라디칼이 벽에 충돌할 때 이러한 O 라디칼은 O2로 변환될 10% 내지 0.2%의 기회를 갖는다는 것을 의미한다.
[0069] 시뮬레이션은 유기 오염물질들의 완전한 제거를 나타내었다.
[0070] 도 6a는 위에서 설명된 RPS(101, 101a, 101b, 501)에 대응할 수 있는 예시적인 원격 플라즈마 소스/생성기(RPS) 모듈(600)을 예시한다. RPS 모듈(600)은 플라즈마 전력을 조정하기 위한 노브(615), 챔버의 포트 또는 윈도우에 대해 밀봉될 수 있는 포트(예컨대, KF40 포트), 가스 피드 라인(필터를 포함할 수 있음)(610), 및 RPS 모듈(600) 내로의 가스 유량을 제어할 수 있는 가스 유동 제어부(620)를 포함한다. 일 실시예에서, RPS 모듈(600)은 1 내지 100 와트의 전력들을 달성할 수 있는 저전력 유닛이다. RPS 모듈(600) 및 포트(605)의 작은 크기는 RPS 모듈(600)이 임의의 메인프레임(예컨대, 이송 챔버) 또는 챔버 바디에 부착되는 것을 가능하게 한다. 가스 피드 라인 및 필터(610)는 상이한 플라즈마 케미스트리들의 사용을 가능하게 한다.
[0071] 도 6b는 RPS 모듈을 챔버에 연결하기 위한 어댑터(650)를 예시한다. 어댑터(650)는 챔버에 연결되는 베이스(652), RPS 모듈에 연결되는 링 또는 플랜지(654), 및 베이스(652)를 링(654)에 연결하는 튜브 또는 실린더(656)를 포함할 수 있다. 베이스(652)는 디스크 형상일 수 있으며, 실시예들에서 이송 챔버 윈도우의 직경에 대응하는 외경을 포함하고, 튜브 또는 실린더(656)의 내경에 대응하는 내경을 포함할 수 있다. 실시예들에서, 링 또는 플랜지(654)는 베이스(652)보다 더 작은 외경을 가질 수 있다. 튜브 또는 실린더(656)는 라디칼 컨덕턴스 튜브일 수 있고, RPS 모듈로부터 챔버에 도달하는 라디칼들의 레이트를 제어하는 직경 및 길이를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 튜브 또는 실린더(656)는 원격 플라즈마 생성기(RPS 모듈)와 원격 플라즈마 생성기(RPS 모듈)가 연결된 챔버 사이의 분리를 최소화하기 위해 약 1 인치의 길이를 갖는다. 약 1 인치 이하의 짧은 길이는, 튜브 또는 실린더(656)의 더 긴 길이와 대조적으로, 증가된 컨덕턴스 및 더 높은 세정 레이트들을 제공한다. 실시예들에서, 어댑터(650)는 RPS 모듈이 챔버의 윈도우 포트 또는 로드 포트에 연결되는 것을 가능하게 한다.
[0072] 도 7은 산소와 캐리어 가스의 가스 혼합물을 이용한 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하는 탄소 제거의 작동 원리들을 예시한다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 생성기(704)는 O2 분자들(706)의 유동(O2를 함유하는 청정 건조 공기와 같은 가스)을 수용하고, O+ 이온들(708), 전자들(710) 및 O 라디칼들(712)을 포함하는 플라즈마를 생성한다. 플라즈마는 챔버(702) 내로 펌핑되고, O 라디칼들(712)은 챔버의 표면들 상의 탄소(714)와 상호작용하여 수학식 2O+C→CO2에 따라 CO2를 형성한다. 이어서, CO2 가스는 챔버 밖으로 펌핑된다. 챔버의 표면들은 부가적으로, 장쇄(long chain) 하이드로카본들의 오염을 포함할 수 있으며, 장쇄 하이드로카본들은 수학식 CxHy+O →CO2+H2O에 따라 산소 플라즈마의 O 라디칼들과 반응할 수 있다. 챔버가 가열되는 경우, H2O는 증발될 수 있다. CO2 및 증발된 H2O는 이어서, 챔버(702) 밖으로 펌핑될 수 있다.
[0073] 일 실시예에서, 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 유기 오염물질들의 세정을 측정하기 위해 시험 셋업이 사용되었다. 시험 셋업의 경우, 비정질 탄소로 증착된 석영 결정 모니터(QCM; quartz crystal monitor)가 플라즈마 전력의 함수로써 탄소(C) 제거 레이트를 측정하기 위해 사용되었다. 사우어브레이(Sauerbrey) 질문이 다음과 같이 주파수 대 질량/면적(두께) 관계를 결정하기 위해 사용되었다:
Figure pct00009
여기서, f0는 기본 모드의 공진 주파수(Hz 단위)이고, Δf는 정규화된 주파수 변화(Hz 단위)이고, Δm은 질량 변화(g 단위)이고, A는 석영 결정 모니터의 전극들 사이의 압전 활성 결정 면적(㎠ 단위)이고, ρq는 석영의 밀도(2.648 g/㎤)이고, 그리고 μq는 AT-컷 결정에 대한 석영들의 전단 계수(2.947x1011 gcm-1s-2)이다. 일 실시예에서, 시험 조건들은 석영 결정 모니터를 위한 Au 및 Ag 전극들, 500 옹스트롬의 초기 탄소 두께, 공기의 구동 가스(driving gas), 및 5E-3 Torr의 압력을 포함하였다. 시험 결과들은 도 8 및 도 9에 도시된 제거 레이트들에 상응하는 제거 레이트들을 나타내었다.
[0074] 일 실시예에서, 이송 챔버에서 오염된 쿠폰들을 사용하여 시험이 수행되었다. RPS 모듈이 이송 챔버의 포트에 부착되었다. 유기 오염을 포함한 제1 오염된 쿠폰은 RPS 모듈이 부착되어 있는 포트 근처에 배치되었다. 유기 오염을 포함한 제2 오염된 쿠폰은 RPS 모듈이 부착되어 있는 포트로부터 가능한 한 멀리 배치되었다. 본원에서 설명되는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하는 세정 전에, 제1 쿠폰 오염 레벨들은 200,000 개의 입자들을 초과하는 것으로 측정되었고, 제2 쿠폰 오염 레벨들은 포화 시험 장비(측정하기에 너무 많은 입자들)로 인해 측정될 수 없었다. 78%의 N2, 21%의 O2 및 1%의 부가적인 가스들을 포함하는 가스, 80 W의 플라즈마 전력, 24 시간의 세정 시간, 실온, 및 2 내지 4 mTorr의 압력 범위를 사용하여 원격 플라즈마 세정 프로세스가 수행되었다. 원격 플라즈마 세정 프로세스 후에, 제1 쿠폰 상에서 제로 유기 오염이 측정되었고, 제2 쿠폰 상에서 2 개의 입자들이 측정되었다. 이에 따라서, 유기 오염은 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 본질적으로 완전히 제거되었다. 시험들은 또한, 80 W의 플라즈마 전력, 30 분의 지속기간, 청정 공기로부터 생성된 플라즈마, 및 다양한 온도들을 이용한 원격 플라즈마 세정 프로세스를 사용하여 실행되어, 99% 초과의 세정 효율을 산출하였다(초기 오염의 99% 초과가 제거됨).
[0075] 반복된 시험들 후에, 실험은, 실시예들에서 설명된 원격 플라즈마 세정 프로세스가 50 ℃의 온도 및 8 내지 14 시간의 세정 지속기간을 사용하여, 시험되는 챔버들에 배치된 웨이퍼들 상의 모든 웨이퍼 상 유기 오염물질(on-wafer organic contaminant)들을 제거했다는 것을 나타내었다. 시험들은 도 2에 도시된 전자장치 제조 시스템(200)뿐만 아니라 본원에서 예시되지 않은 다른 전자장치 제조 시스템들에 대해 수행되었다. 로드 록(220a), 로드 록(220b), 이송 챔버(210a), 이송 챔버(210b), 제1 버퍼(221a) 및 제2 버퍼(221b)에서 측정된 오염물질들은 전부, 0의 검출 입자들 또는 오염 영역들의 측정가능 오염으로 감소되었다. 측정된 오염의 시작 범위는, 약 몇 개의 오염 영역들/입자들로부터 서로 구별하기에는 너무 많은 수의 오염 영역들/입자들까지 다양했다.
[0076] 도 8은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 원격 플라즈마 세정에 대한 시험 결과들을 예시한다. 도 8에서, x-축은 시간 단위의 RPS 세정 시간을 표현하고, y-축은 50 개의 사이클들 당 유기 입자들에 대한 평균 입자 카운트를 표현한다. 초기에, 입자 카운트는 대략 66이었고, 8 시간 후에 입자들의 100% 감소가 달성되었을 때까지 입자 카운트는 거의 선형으로 감소하였다. 도시된 바와 같이, 검출된 검출 유기 입자들의 총 수는 8 시간의 세정 시간 후에 0으로 감소되었다. 시험을 위해, 플라즈마를 생성하기 위해 사용된 가스는 주변 청정실 공기였고, 80 W의 플라즈마 전력이 사용되었으며, 20 내지 40 mTorr의 압력 범위가 사용되었다. 예시된 차트는 y-축 상에 평균 입자 카운트를 그리고 x-축 상에 원격 플라즈마 세정 시간을 도시한다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 세정은 8 시간에 유기 오염을 완전히 제거하였다. 시험을 위해, 챔버는 원격 플라즈마 세정 프로세스를 수행하기 전에 8 시간 동안 상승 온도로 가열되었다. 예시적인 표준 세정 레시피는 대략 10 시간 동안 실행될 수 있다. 따라서, 8 시간의 입자들의 완전한 제거의 검출은, 세정이 2 시간 더 일찍 종료될 수 있었다는 것을 나타낸다.
[0077] 도 9는 본 개시내용의 실시예들에 따른, 원격 플라즈마 세정에 대한 시험 결과들을 예시한다. 예시된 차트는 y-축 상에 (50 개의 사이클들 당) 평균 입자 카운트를 그리고 x-축 상에 (시간 단위의) 원격 플라즈마 세정 시간을 도시한다. 도시된 바와 같이, 검출된 검출 유기 입자들의 총 수는 10 시간의 세정 시간 후에 0으로 감소되었다. 초기에, 약 80 개의 결함들이 검출되었다. 10 시간의 세정 후에, 0 개의 결함들이 검출되었다.
[0078] 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 장소들에서 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"란 문구의 출현들이 반드시 모두가 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 부가하여, "또는"이란 용어는 배타적인 "또는"이 아닌, 포함적인 "또는"을 의미하는 것으로 의도된다. "약" 또는 "대략"이란 용어가 본원에서 사용되는 경우, 이는 제시된 공칭 값이 ± 10% 이내에서 정확함을 의미하는 것으로 의도된다.
[0079] 본원의 방법들의 동작들이 특정 순서로 도시 및 설명되지만, 특정 동작들이 적어도 부분적으로 다른 동작들과 동시에 수행될 수 있게 특정 동작들이 역순으로 수행될 수 있도록, 각각의 방법의 동작들의 순서는 변경될 수 있다. 다른 실시예에서, 별개의 동작들의 하위-동작들 또는 명령들은 간헐적 및/또는 교대 방식으로 이루어질 수 있다.
[0080] 전술한 설명은 본 개시내용의 여러 실시예들의 우수한 이해를 제공하기 위해서 특정 시스템들, 컴포넌트들, 방법들 등의 예들과 같은 많은 특정 세부사항들을 제시한다. 그러나, 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들이 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 다른 사례들에서, 잘 알려진 컴포넌트들 또는 방법들은 본 개시내용을 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위해서 상세하게 설명되지 않거나 또는 간단한 블록 다이어그램 형식으로 제시된다. 따라서, 제시된 특정 세부사항들은 단지 예시적일 뿐이다. 특정 구현들은 이들 예시적인 세부사항들로부터 변할 수 있으며, 여전히 본 개시내용의 범위 내에 있는 것으로 고려될 수 있다.
[0081] 위의 설명은 제한이 아닌 예시적인 것으로 의도된다는 것이 이해된다. 위의 설명을 읽고 이해할 때, 많은 다른 실시예들이 당업자들에게 자명할 것이다. 그러므로, 본 개시내용의 범위는, 첨부된 청구항들이 권리를 가지는 등가물들의 전체 범위와 함께 그러한 청구항들을 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (20)

  1. 전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법으로서,
    상기 전자장치 제조 시스템을 위한 상기 챔버의 하나 이상의 컴포넌트들을 기계가공하는 단계;
    상기 하나 이상의 컴포넌트들을 사용하여 상기 챔버를 조립하는 단계 ―상기 조립하는 단계 후에 상기 챔버는 복수의 유기 오염물질들을 포함함―;
    산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물을 원격 플라즈마 생성기 내로 유동시키는 단계;
    상기 원격 플라즈마 생성기에 의해 상기 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하는 단계; 및
    상기 플라즈마를 상기 챔버의 내부 내로 유동시킴으로써 상기 챔버의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 플라즈마는 상기 챔버로부터 상기 복수의 유기 오염물질들을 제거하는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력을 약 10 내지 50 mTorr의 진공 압력으로 감소시키는 단계 ―상기 원격 플라즈마 세정은 약 10 내지 50 mTorr의 압력에서 수행됨―; 및
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 50 내지 110 와트로 세팅하는 단계
    를 더 포함하며,
    상기 플라즈마는 약 50 내지 110 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 50 내지 500 와트로 세팅하는 단계를 더 포함하며, 상기 플라즈마는 약 50 내지 500 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력이 약 80 내지 100 Torr에 도달하게 하는 단계 ―상기 원격 플라즈마 세정은 약 80 내지 100 Torr의 압력에서 수행됨―; 및
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 400 내지 600 와트로 세팅하는 단계
    를 더 포함하며,
    상기 플라즈마는 약 400 내지 600 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부를 약 30 내지 120 ℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하며, 상기 원격 플라즈마 세정은 약 30 내지 120 ℃의 온도에서 수행되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 원격 플라즈마 세정은 약 5 내지 15 시간의 지속기간 동안 수행되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버는 이송 챔버, 프로세스 챔버 또는 로드 록 챔버 중 하나인,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 청정 공기(clean air)인,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 약 10 내지 30 mol%의 산소 및 약 70 내지 90 mol%의 캐리어 가스를 포함하는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 캐리어 가스는 아르곤, 질소 및 헬륨으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 비반응성 가스인,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버를 조립하는 단계 후에 상기 원격 플라즈마 생성기를 상기 챔버에 직접 연결하는 단계를 더 포함하며, 상기 원격 플라즈마 생성기를 상기 챔버와 분리하는 어떠한 중간 배관도 없는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버는 로드 록 챔버에 커플링된 이송 챔버이고, 상기 이송 챔버를 상기 로드 록 챔버와 분리하는 게이트가 상기 원격 플라즈마 세정 동안 개방되며, 상기 원격 플라즈마 세정은 부가적으로, 상기 로드 록 챔버에 대해 상기 플라즈마를 상기 챔버의 내부 내로 유동시킴으로써 수행되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 약 5 sccm 내지 약 100 sccm의 유량으로 상기 원격 플라즈마 생성기 내로 유동되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  14. 전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법으로서,
    산소 및 캐리어 가스를 포함하는 가스 혼합물을 원격 플라즈마 생성기 내로 유동시키는 단계 ―상기 캐리어 가스는 아르곤, 질소 또는 헬륨 중 적어도 하나를 포함함―;
    상기 원격 플라즈마 생성기에 의해 상기 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하는 단계; 및
    상기 플라즈마를 상기 챔버의 내부 내로 유동시킴으로써 상기 챔버의 원격 플라즈마 세정을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 플라즈마는 상기 챔버로부터 복수의 유기 오염물질들을 제거하는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력을 약 10 내지 50 mTorr의 진공 압력으로 감소시키는 단계 ―상기 원격 플라즈마 세정은 약 10 내지 50 mTorr의 압력에서 수행됨―; 및
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 50 내지 110 와트로 세팅하는 단계
    를 더 포함하며,
    상기 플라즈마는 약 50 내지 110 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 50 내지 500 와트로 세팅하는 단계를 더 포함하며, 상기 플라즈마는 약 50 내지 500 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력이 약 80 내지 100 Torr에 도달하게 하는 단계 ―상기 원격 플라즈마 세정은 약 80 내지 100 Torr의 압력에서 수행됨―; 및
    상기 원격 플라즈마 생성기의 전력을 약 400 내지 600 와트로 세팅하는 단계
    를 더 포함하며,
    상기 플라즈마는 약 400 내지 600 와트의 전력으로 생성되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부를 약 30 내지 120 ℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하며, 상기 원격 플라즈마 세정은 약 30 내지 120 ℃의 온도에서 수행되며, 상기 원격 플라즈마 세정은 약 5 내지 15 시간의 지속기간 동안 수행되는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 청정 공기인,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 약 10 내지 30 mol%의 산소 및 약 70 내지 90 mol%의 캐리어 가스를 포함하는,
    전자장치 제조 시스템을 위한 챔버를 세정하는 방법.
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