KR20220151639A - 전기 스트립 또는 전기 철판으로부터 형성되는 판금 부품들을 판금 패킷으로 패킷화하는 방법 - Google Patents
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Abstract
전기 스트립(3) 또는 전기 철판으로부터 형성되는 판금 부품들(4)을 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에서 패킷 높이(hp)를 각각 가지는 판금 패킷(2)으로 패킷화하는 방법이 개시된다.
Description
본 발명은 전기 스트립 또는 전기 철판으로부터 제조되고, 적어도 하나의 평평한 면에 핫멜트 접착 래커층, 특히, 베이킹 래커층을 포함하는 판금 부품들을 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에서 패킷 높이(hp)를 각각 가지는 판금 패킷으로 패킷화하는 방법에 관한 것이다.
전기 스트립 또는 전기 철판으로 제조되고 핫멜트 접착층이 코팅된 판금 부품들을 판금 패킷으로 제조 할 시, 패킷 높이는 일반적으로 베이킹 후, 즉, 적당히 충분한 베이킹 시간 동안 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도 이상으로 가열한 후 검출한다. 이어서 패킷 높이에 부적합한 판금 패킷을 분류해낸다. 또는, 상기 높이는 적층 전 및 가열 전에 베이킹 목적으로 파악하여, 패킷 높이에 못 미치는 판금 패킷들을 베이킹 전에 분류해내거나 높이를 조정하여 판금 패킷의 불량을 줄일 수 있다. 그러나 이 방법도 베이킹 후 판금 패킷이 가지게 될 패킷 높이를 확실하게 예측할 수 없다는 단점이 있다. 이러한 단점에 대해서는 수많은 용인이 영향을 끼친다. 한편으로 각각의 개별 판금 부품의 높이는 예를 들어 수 μm 범위로 다양할 수 있고, 다른 한편으로 핫멜트 접착 래커층의 높이도 마찬가지일 수 있다. 최악의 경우 이러한 요인이 모두 작용할 수 있으며, 이로 인해 베이킹된 판금 패킷의 패킷 높이가 상당히 달라지게 될 수 있다. 이에 따라 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에서 패킷 높이(hp)를 가지는 판금 패킷을 제조하는 방법의 재현 가능성이 감소된다.
이에 US 2017/001258 A1에는 판금 패킷을 베이킹할 때 공정 매개변수를 조절하는 방법을 제안한다. 이를 위해 예를 들어 시간에 따른 온도 곡선, 판금 패킷의 축방향 압력 및 검출된 판금 패킷의 패킷 높이 등의 매개변수가 패킷 높이에 작용하도록 함께 포함된다.
패킷 높이를 줄이는데 있어서 판금 패킷에 대한 축방향 압력을 무제한으로 증가시킬 수 없다는 단점이 있는데, 그 이유는 가열된 핫멜트 접착 래커의 압착의 위험이 존재하고, 이로 인해 판금 패킷의 단락 보호가 불가능하게 될 수 있기 때문이다. 또한 상기 방법의 경우 패킷 높이가 공차 범위 미만이면 조정이 불가능하기 때문에 원칙적으로 패킷 높이를 줄이는 경우에만 적합하다. 따라서 상기한 방법은 보편적으로 적용할 수 없으며 또한 패킷 높이를 약간만 조정하는 경우에만 적합하다.
따라서, 본 발명의 과제는 도입부에서 언급한 종류의 판금 패킷의 제조 시 매우 유연한 방식으로 그리고 높은 재현성으로 정확한 판금 패킷을 생산할 수 있도록 판금 패킷의 제조 방법을 변형하는 것이다. 또한, 본 방법에 따르면 판금 패킷을 지속적이고 에너지 효율적으로 패킷화하는 것이 보장된다.
본 발명은 상기 과제를 청구항 1항의 특징에 의해 해결한다.
서로 적층된 판금 부품들의 핫멜트 접착 래커층들이 핫멜트 접착 래커의 유리 전이 온도(Tg)보다 높고 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도보다 낮은 제1 온도로 예열되고, 이러한 예열 상태에서 가압됨으로써, 본 발명에 따른 패킷화 방법에서는 패킷 높이를 유연하면서 정확하게 조정할 수 있는 방법이 얻어진다. 압력과 열에 의한 이러한 층 연결을 통해서 개별 판금 부품들 간의 불균일이 줄어들 수 있고, 이에 따라, 판금 패킷이 판금 패킷에 핫멜트 접착 래커층이 베이킹된 후 형성되는 상태로 훨씬 더 정확하게 이동될 수 있다.
따라서, 서로 적층된 판금 부품들로 형성되는 개별적인 판금 패킷들의 패킷 높이(hp)를 검출하는 이후의 단계는 측정 방법을 사용하여 매우 정확하게 수행될 수 있다.
이때 경우에 따라 검출된 패킷 높이(hpm)가 공차 범위에 못 미칠 경우 적어도 하나의 추가적인 판금 부품이 해당 판금 패킷의 전면에 장착되어 패킷 높이(hp)를 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)내의 높이로 조정할 수 있는 방법이 마련된다. 이는 핫멜트 접착 래커층이 베이킹 온도보다 높은 온도로 가열되지 않았기 때문에 가능하며, 품질 손실 없이 하나 이상의 판금 부품이 각각의 판금 패킷에 장착될 수 있다. 정확한 모양을 가지는 이러한 판금 패킷들은 이후 패킷 높이를 고정하여 그에 포함된 핫멜트 접착 래커층을 경화하기 위해 베이킹 공정에 공급될 수 있다.
이를 위하여 각 판금 패킷의 핫멜트 접착 래커층들은 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도 이상인 제2 온도로 최종 가열되고 그에 따라 판금 패킷의 판금 부품들이 핫멜트 접착 래커층에 의해 서로 함께 베이킹된다.
또한, 패킷화 공정 후에도 판금 패킷을 증가시킬 수 있는 이러한 방법은 제조 방법을 단순화하는데도 기여할 수 있는데, 예를 들어 패킷화되는 판금 부품들의 수를 패킷 높이가 언더사이즈(undersize)가 되도록하는 방향으로 설정함으로써 도움이 될 수 있다. 이러한 방식으로 오버사이즈(oversize)를 확실하게 방지할 수 있으며, 공지된 바와 같이 일반적으로 판금 패킷에 대한 압력으로는 오버사이즈를 대부분 충분히 감소시킬 수 없는데, 특히 기능의 약화 또는 저하를 유발하는 핫멜트 접착 래커의 압착을 수용하지 않고서는 불가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 방법은 판금 부품으로부터 형성하는 판금 패킷을 높이 측면에서 정확하게 제조할 때 높은 재현성으로 제조하는 것을 특징으로 한다.
또한 최종 가열 시 예열 단계의 열 에너지를 사용함으로써 판금 패킷의 연속적인 제조에서 에너지 효율을 향상시킬 수도 있다.
적어도 하나의 판금 부품은 판금 패킷의 핫멜트 접착 래커층에 장착되는 것이 바람직하다. 이에 따라 판금 부품이 열기가 있는 핫멜트 접착 래커층 상에 장착됨으로써 추가적인 판금 부품의 연결성을 향상시킬 수 있다.
적어도 하나의 판금 부품이 판금 패킷에 장착되기 전에 상기 적어도 하나의 판금 부품을 가열하면 온도 저하를 방지할 수 있다. 이러한 방식으로 추가 판금 부품의 연결성을 개선할 수 있다. 추가 판금 부품은 제1 온도로 가열되는 것이 바람직하다.
패킷 높이를 조정할 때, 적어도 하나의 판금 부품이 압력을 가하여 판금 패킷의 전면 단부에 장착되는 것이 바람직하다. 이에 따라 판금 패킷에 대한 판금 부품의 연결성이 더욱 개선될 수 있다.
일반적으로, 공지된 바로는 장착되는 판금 부품이 서로 적층된 판금 부품과 동일할 수 있는데, 즉, 판금 부품의 평평한 면 중 적어도 하나에 핫멜트 접착 래커층, 특히 베이킹된 래커층을 포함할 수 있다.
간단한 공정 조건은 제1 온도가 90°C 내지 150°C, 특히 100°C 내지 120°C 의 범위이고 그리고/또는 제2 온도가 180°C 내지 250°C, 특히 180°C 내지 220°C 의 범위인 경우 얻어질 수 있다.
핫멜트 접착 래커층들이 예열된 상태에서 패킷 높이의 검출 및/또는 패킷 높이의 조정이 수행될 경우 적은 사이클 시간이 보장될 수 있다.
핫멜트 접착 래커층들을 제1 온도로 가열하는 단계를 펀칭 도구에 연결된 적층 장치에서 수행할 경우 방법을 연속적으로 진행하는것이 가능하다. 상기 적층 장치는 펀칭 도구에 연결되고, 펀칭 도구는 적층 장치에서 핫멜트 접착 래커층들을 가압한다.
또는, 연속적인 진행 방법은, 핫멜트 접착 래커층들이 제1 오븐에서 제1 온도로 가열되는 경우에 가능하며, 서로 적층된 판금 부품들로부터 형성된 판금 패킷들이 상기 오븐에 투입된다.
또한, 이러한 방법의 실시예에 따르면 예를 들어 패킷 조절 장치에서 패킷 높이를 조정하고 그리고/또는 판금 부품들을 제 2 오븐에서 베이킹함으로써 하나의 장치에서 다음 장치로 이동하는 단계를 원활하게 할 수 있다.
판금 패킷들 전체에 동일한 고압을 가하면 공정 재현성이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 판금 패킷의 패킷 높이의 경향 분석을 재현 가능한 방식으로 수행할 수 있다. 압력은 2 내지 10 N/mm2, 특히 3 내지 5 N/mm2의 범위인 것이 바람직하다.
각 판금 부품의 두께는 0.1 내지 0.5 mm, 특히 0.1 내지 0.3 mm 이고 그리고/또는 각 판금 부품의 핫멜트 접착 래커층의 두께는 2 내지 12 μm, 특히 4 내지 8 μm 인 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 높은 방법 재현성을 위한 매우 유리한 전제 조건이 달성될 수 있다.
상기 방법은 예를 들어 각 판금 패킷이 100개를 초과하는 판금 부품을 가지는 경우 등 높이가 비교적 큰 판금 패킷에 특히 적합할 수 있다.
판금 부품의 적층 시 검출된 판금 패킷의 패킷 높이가 목표 패킷 높이를 초과하는 경우, 각 판금 패킷에 대하여 그 수량이 적어도 하나의 판금 부품만큼 감소되는데, 이는 판금 패킷의 패킷화 시 패킷 높이가 언더사이즈인 것이 선호되는 것에 도움이 될 수 있으며, 이로 인해 적어도 공정 중 오버사이즈를 방지할 수 있다. 따라서 방법의 재현성을 더욱 높일 수 있다.
특히, 판금 패킷의 검출된 패킷 높이가 목표 패킷 높이에 못 미치는 경우에도 판금 부품들을 서로 적층할 때 각각의 판금 패킷에 대하여 수량을 적어도 하나의 판금 부품만큼 증가시킬 수도 있다.
서로 적층되어 하나의 판금 패킷을 형성하는 판금 부품들의 수량은, 검출되는 패킷 높이가 판금 패킷의 목표 패킷 높이보다 적어도 서로 적층되는 판금 부품들 중 하나의 판금 부품의 두께만큼 작도록 항상 결정된다.
판금 패킷의 전면 단부에 1개 내지 5개의 판금 부품, 특히 1개 내지 3개의 판금 부품을 장착하여 패킷 높이를 조정하면 패킷 높이를 충분히 증가시킬 수 있다. 또한, 이렇게 판금 부품의 수량을 비교적 적게 조정함으로써 기타 다른 부정확도가 판금 패킷의 치수 정확성에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
추가적으로 장착되는 판금 부품에 대한 높은 맞춤 정확성(accuracy of fit)은 판금 패킷으로 패킷화하기 전에 적어도 하나의 판금 부품이 적층 단계 전에 제거되어 패킷 높이를 조정하는 데 사용되는 경우 얻어진다.
서로 적층된 판금 부품들의 핫멜트 접착 래커층들이 핫멜트 접착 래커의 유리 전이 온도(Tg)보다 높고 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도보다 낮은 제1 온도로 예열되고, 이러한 예열 상태에서 가압됨으로써, 본 발명에 따른 패킷화 방법에서는 패킷 높이를 유연하면서 정확하게 조정할 수 있는 방법이 얻어진다. 압력과 열에 의한 이러한 층 연결을 통해서 개별 판금 부품들 간의 불균일이 줄어들 수 있고, 이에 따라, 판금 패킷이 판금 패킷에 핫멜트 접착 래커층이 베이킹된 후 형성되는 상태로 훨씬 더 정확하게 이동될 수 있다.
따라서, 서로 적층된 판금 부품들로 형성되는 개별적인 판금 패킷들의 패킷 높이(hp)를 검출하는 이후의 단계는 측정 방법을 사용하여 매우 정확하게 수행될 수 있다.
도면에는 본 발명이 예시적으로 다수의 실시예를 참조하여 상세히 도시되어 있다. 도면은 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 수행하는 제1 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 방법을 수행하는 제2 장치를 개략적으로 도시한다.
도 3a는 종래 기술에 따른 방법에 따라 서로 적층된 판금 부품들을 도시한다.
도 3b 는 본 발명에 따른 방법에서 서로 적층된 판금 부품들을 도시한다.
도 4a 는 종래 기술에 따른 방법으로 패킷화된 판금 패킷들의 높이 변화를 나타낸다.
도 4b 는 본 발명에 따른 방법으로 패킷화된 판금 패킷들의 높이 변화를 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 수행하는 제1 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 방법을 수행하는 제2 장치를 개략적으로 도시한다.
도 3a는 종래 기술에 따른 방법에 따라 서로 적층된 판금 부품들을 도시한다.
도 3b 는 본 발명에 따른 방법에서 서로 적층된 판금 부품들을 도시한다.
도 4a 는 종래 기술에 따른 방법으로 패킷화된 판금 패킷들의 높이 변화를 나타낸다.
도 4b 는 본 발명에 따른 방법으로 패킷화된 판금 패킷들의 높이 변화를 나타낸다.
도 1 및 2에 따르면 장치(1a, 1b)가 도시되는데, 이 장치들을 이용하여 소정의 목표 패킷 높이(h2)에 대한 공차 범위에서 패킷 높이(hp)를 가지는 판금 패킷들(2)이 제조된다. 판금 패킷들(2)은 전자기 부품, 예를 들어 전기 기기에 사용되는 것이 바람직하다.
이를 위해, 장치(1a)에 의해서, 도 1에 도시된 바와 같이, 전기 스트립(3)으로부터 복수의 판금 부품(4)이 분리된다.
전기 스트립(3)은 에폭시 수지 기반의, 열경화성 핫멜트 접착 래커층(7), 예를 들어 베이킹된 래커 층으로 코팅된다. 상기 열경화성(thermosetting or heat curing) 핫멜트 접착 래커층(7)은 베이킹 래커로 형성될 수 있다. 예를 들어, 촉매화된 베이킹 래커를 사용할 수도 있다(예: 더 빠른 반응을 위해 데포 코팅(depot coating)이 된 베이킹 래커).
판금 부품들(4)의 분리는 단계적 펀칭 도구(미도시)의 일부일 수도 있는 펀칭 도구(5)로 수행된다. 예를 들어 레이저 등 판금 부품들(4)을 분리하기 위한 다른 장치도 고려할 수 있다.
각 판금 부품(4)의 두께는 0.1 내지 0.5 mm이고, 각 핫멜트 접착 래커층(7)의 두께는 2 내지 12 μm 인 것이 바람직하다.
판금 부품들(4)은 펀칭 도구(5)의 펀칭 다이(5a)에 의해 적층 장치(6) 안으로 밀어 넣어진다. 상기 적층 장치(6)에서, 평평한 측면(4a) 중 적어도 하나에 핫멜트 접착 래커층(7), 즉 베이킹 래커 층을 포함하는 판금 부품들(4)이 서로 적층된다. 상기 적층된 판금 부품들(4) 중 2개가 도 3a에 도시되어 있다. 서로 적층된 판금 부품들(4) 전체는 판금 패킷(2)이 되어 적층 장치(6)를 빠져 나가거나, 또는 적층 장치(6)를 빠져 나가면서 판금 패킷(2)으로 분리되며, 이에 대해서는 상세히 도시하지 않았다.
그 후 판금 패킷들(2)은 추가 공정 단계를 거치게 되는데, 즉 판금 패킷들(2)은 제1 오븐(8)에 투입되어, 적층된 판금 부품들(4)의 핫멜트 접착 래커층들(7)이, 핫멜트 접착 래커(7)의 유리 전이 온도(Tg)보다 높고 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도보다 낮은 제1 온도(t1)로 예열된다. 제1 온도(t1)는 90°C(섭씨 90도)인 것이 바람직하다.
다음 단계에서, 상기 판금 패킷(2)이 프레스(9)에 투입되고, 상기 프레스는 프레스 펀치(9a)로 판금 패킷(2)에 축방향의 누르는 힘(P)을 가한다(도 3a의 누르는 힘(P) 참조).
이 누르는 힘(P)에 의해 예를 들어 핫멜트 접착 래커(7)를 판금 부품(4)에 연결할 때 또는 후속하는 판금 부품(4)의 핫멜트 접착 래커(7)에도 연결할 때 발생하는 불균일성이 보상된다(도 3b 참조).
상기 프레스(9)는 판금 패킷들(2) 전체에 2 내지 10 N/mm2, 바람직하게는 3 내지 5 N/mm2 범위, 즉 4 N/mm2 에 있는, 동일한 고압을 가한다. 이러한 누르는 힘(P)은 예를 들어 핫멜트 접착 래커층들(7)을 완전하게 연결함으로써, 도 3a에 도시된 바와 같이 상기 핫멜트 접착 래커층들(7) 사이의 자유 영역들을 제거하는데 충분할 수 있다. 판금 부품들(4)의 연결성이 이러한 방식으로 상당히 개선될 수 있으며, 이로 인해 본 발명에 따른 방법에 의해 제조된 판금 패킷들(2)의 안정성이 더욱 향상된다.
또한 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 판금 패킷(2) 또는 판금 패킷의 핫멜트 접착 래커층(7)은 가압되는 동안 제1 온도(t1)로 유지된다.
이에 따라 패킷 높이(hp)의 정확한 측정을 위한 모든 전제 조건이 마련된다. 이를 위해, 판금 패킷(2)은 프레스(9) 이후 또다른 단계에서 패킷 높이(hpm)를 검출하는 측정 장치(10)로 공급된다. 이를 위해 다양한 측정 방법, 예를 들어 광학적 방법, 수동적 방법, 또는 판금 패킷(2)을 가압하는 동안 또는 가압한 이후에 프레스(9)의 프레스 펀치(9a)의 위치에 의해 패킷 높이(hpm)가 도출되는 방법이 사용될 수 있다.
패킷 높이(hpm)는 핫멜트 접착 래커층이 예열된 상태에 있는 판금 패킷(2)에서 검출되며, 이에 따라 측정 방법의 정확도가 더욱 향상될 수 있다.
이러한 검출된 패킷 높이(hpm)에 기초하여, 패킷 높이(hp)가 선택적으로 조정된다. 즉, 상기 검출된 패킷 높이(hpm)가 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에 못 미치는 경우에 조정된다.
이러한 경우, 측정 장치(10)에 후속하는 패킷 조절 장치(11)에서 패킷 높이(hp)를 공차 범위(△h)의 높이로 맞추기 위하여 해당 판금 패킷(2)의 전면(2a)에 추가적인 판금 부품(4)이 장착된다. 예시들에서, 공차 범위(△h)는 전체적으로(즉, +/-) 판금 부품(4)의 두께(d), 즉 목표 패킷 높이(hs) 기준으로 +d/2 및 -d/2에 해당한다.
이러한 방법에 의해 더욱 정확한 판금 패킷들(2)이 생산될 수 있다.
핫멜트 접착 래커층들(7)이 예열된 상태에 있는 판금 패킷(2)의 패킷 높이(hp)를 조정하는 것이 바람직하며, 이에 따라 판금 부품(4)을 판금 패킷(2)에 접합하는 것이 용이해진다.
후속하는 단계에서, 판금 패킷(2)은 제2 오븐(12)에 투입되고, 상기 오븐에서 판금 패킷(2)의 핫멜트 접착 래커층들(7)이 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도 이상인 제2 온도(t2)로 최종 가열되어, 오븐 펀치(12a)에 의해 가해지는 압력에서 상기 판금 패킷(2)의 판금 부품들(4)이 충분히 긴 베이킹 시간 동안 베이킹된다. 예를 들어, 제2 온도(t2)는 190°C (섭씨 190도)이고 베이킹 시간은 15분이다.
따라서, 본 발명에 따른 방법에 따르면, 매우 유연하게 그리고 높은 재현성으로 정확한 판금 패킷들(2)이 제조된다.
상기 방법은 특히 언더사이즈가 되도록 하는 경향을 가지고 판금 부품들(4)로부터 형성되는 판금 패킷들(2)이 적층될 수 있는 것을 특징으로 하는데, 이러한 언더사이즈의 판금 패킷들(2)을 추가적인 판금 부품(4)으로 보완할 수 있는 방법이 존재하기 때문이다. 따라서 압력에 의해 베이킹하는 동안 오버사이즈인 판금 패킷들(2)의 크기를 조정할 필요가 없으며, 한다 해도 이는 미미한 정도만 가능하다. 따라서 도 3b에 도시된 바와 같이 판금 부품들(4) 내지 판금 패킷들(2) 사이의 단락 안전성을 저해할 수 있는 핫멜트 접착 래커의 압착(13)이 방지될 수 있다.
도 2에 따른 장치(1b)는 핫멜트 접착 래커층들(7)의 예열과 가압이 판금 패킷(2)에서 수행되는 것이 아니라 적층 장치(6)에서 수행된다는 점에서 도 1의 장치(1a)와 실질적으로 차이가 있다.
이를 위해, 적층 장치(6)에는 핫멜트 접착 래커층들(7)을 제1 온도(t1)로 가열하는 벽 히터(6a)가 구비된다. 반면 펀칭 다이(5a)는 분리된 판금 부품들(4)을 카운터홀더(6b)의 저항력에 대항하여 적층 장치(6)로 밀어 넣는데, 이로 인해 축방향의 힘이 상기 서로 적층된 판금 부품들(4) 상에 가해져서 그에 따라 예열된 핫멜트 접착 래커층들(7)이 가압된다.
이 방법의 특징은 공정의 수가 더 적다는 것이므로, 이에 따라 높이가 정확한 패킷 높이(hp)의 판금 패킷들(2)을 패킷화할 때 사이클 시간이 단축된다.
도 4a는 20개의 판금 패킷에 대해 도시된, 높이(H)에 대한 경향 분석이 수행된, 종래 기술에 따른 판금 패킷의 패킷화 방법을 개시한다. 도시된 바와 같이, 7번부터 13번까지 번호가 매겨진 판금 패킷들에는 오버사이즈가 존재하며, 이들은 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)의 상한을 벗어나 있다. 위와 같은 경향은 경향 분석으로부터 알 수 있으며, 패킷 높이(hp)가 다시 목표 패킷 높이(hs)에 대해 요구되는 공차 범위(△h) 내에 있도록 서로 적층된 판금 부품들의 수를 상당히 감소시킨다. 기존 판금 패킷들에 비해 경향 내의 패킷 높이가 낮아져 16번의 판금 패킷에서 갑자기 언더사이즈가 발생한다. 종래 기술에서 이는 수정될 수 없는 것으로, 불량을 의미한다. 핫멜트 접착 래커의 압착으로 인한 단락에 대한 우려 없이 오버사이즈 발생을 더 이상 압력에 의해 보상할 수 없는, 적어도 7번에서 13번까지의 판금 패킷도 마찬가지이다.
도 4b는 필요한 경우 판금 부품들(4)이 적층되어 형성되는 판금 패킷들(2)을 적어도 하나의 추가 판금 부품(4)으로 보완할 수 있는 방안을 구비하는, 본 발명에 따른 방법을 개시한다. 따라서, 본 발명에 따른 방법은 서로 적층된 판금 부품(4)의 수를 공차 범위(△h)에 대하여 언더사이즈로 설정하는 쪽으로 수행될 수 있다. 이에 따라 공지의 경향 분석들은 무시할 수 있다. 왜냐하면 상술한 바와 같이 판금 부품들을 장착함으로써 패킷 높이(hp)를 항상 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에 맞추어 조정할 수 있기 때문이다.
장착되는 판금 부품들(4)의 수는 적은 수로 유지될 수 있으며, 방법 재현성을 보장하기 위해 1개 내지 5개의 판금 부품(4)인 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 4b에 따르면, 1, 2, 3, 4, 5, 15, 19번의 판금 패킷에는 2개로 적층된 판금 부품(4)이 빠져 있고, 16번 판금 패킷에는 3개로 적층된 판금 부품(4)이 빠져 있으며, 나머지 다른 판금 패킷 각각에는 1개가 적층된 판금 부품(4)이 빠져 있고, 이는 검출된 패킷 높이(hpm)로부터 알 수 있다.
각각의 빠진 판금 부품들(4)은 적층 장치(6)에 의해 장착되며, 제조된 패킷 높이(hp)가 이에 따라 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h) 내에 있는 것이 보장된다. 따라서, 본 발명에 따른 방법으로 불량 없이 정확한 형상을 가지는 판금 패킷(2)을 제조할 수 있다.
적층 후에 수행되도록 배치되는 이러한 패킷 높이(hp)의 조정은 비교적 어려움 없이 공정에 통합될 수 있다. 이는 실제적으로 이미 사이클 시간이 최종 가열 시 더 긴 경화 시간에 의해 미리 결정된다는 점 때문에 가능하다.
Claims (15)
- 전기 스트립(3) 또는 전기 철판으로부터 형성된 판금 부품들(4)을 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)에서 패킷 높이(hp)를 각각 가지는 판금 패킷(2)으로 패킷화하는 방법으로서,
상기 판금 부품들(4)의 평평한 면(4a) 중 적어도 하나에는 핫멜트 접착 래커층(7), 구체적으로 베이킹 래커층이 포함되며, 상기 판금 부품들(4)은 서로 적층되고,
서로 적층된 판금 부품들(4)의 핫멜트 접착 래커층들(7)은 핫멜트 접착제의 유리 전이 온도(Tg)보다 높고 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도보다 낮은 제1 온도(t1)로 예열되고, 이러한 예열 상태에서 가압된 후,
서로 적층된 판금 부품들(4)로 형성되는 개별 판금 패킷(2)에 대하여 측정 방법을 사용하여 패킷 높이(hpm)를 검출하며, 검출된 패킷 높이(hpm)가 공차 범위(△h)에 못 미칠 경우 적어도 하나의 추가적인 판금 부품(4)이 해당 판금 패킷(2)의 전면에 장착되어, 상기 패킷 높이(hp)를 소정의 목표 패킷 높이(hs)에 대한 공차 범위(△h)내의 높이로 조정하고, 이어서,
각 판금 패킷(2)의 핫멜트 접착 래커층들(7)은 핫멜트 접착 래커의 베이킹 온도 이상인 제2 온도(t2)로 최종 가열되고 그에 따라 판금 패킷의 판금 부품들(4)이 핫멜트 접착 래커층(7)에 의해 서로 함께 베이킹되는, 방법. - 제1항에 있어서, 적어도 하나의 판금 부품(4)이 판금 패킷(2) 상에 장착되기 전에, 그리고/또는 가압되기 전에, 상기 적어도 하나의 판금 부품(4)이 판금 패킷(2)의 핫멜트 접착 래커층에 장착되고 그리고/또는 가열되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 온도(t1)는 90℃ 내지 150℃, 특히 100℃ 내지 120℃의 범위이고 그리고/또는 제2 온도(t2)는 180℃ 내지 250℃, 특히 180℃ 내지 220℃ 의 범위인 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 핫멜트 접착 래커층(7)이 예열된 상태에서 패킷 높이(hpm)의 검출 및/또는 패킷 높이(hp)의 조정이 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 핫멜트 접착 래커층(7)을 제1 온도(t1)로 가열하는 단계는 펀칭 도구에 연결된 적층 장치에서 수행되고, 상기 펀칭 도구는 적층 장치에서 핫멜트 접착 래커층 (7)을 가압하는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 핫멜트 접착 래커층(7)을 제1 온도(t1)로 가열하는 단계는 제1 오븐(8)에서 수행되고, 서로 적층된 판금 부품(4)으로 형성된 판금 패킷(2)이 상기 오븐(8)에 투입되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 패킷 높이(hp)의 조정은 패킷 조절 장치(11)에서 수행되고 그리고/또는 판금 부품들(4)의 베이킹은 제2 오븐(12)에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 판금 패킷들(2) 전체는 동일한 고압으로 가압되고 그리고/또는 상기 압력은 2 내지 10 N/mm2의 범위, 특히 3 내지 5 N/mm2 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 각 판금 부품(4)의 두께는 0.1 내지 0.5 mm, 특히 0.1 내지 0.3 mm이고 그리고/또는 각 판금 부품(4)의 핫멜트 접착 래커층(7)의 두께는 2 내지 12 μm, 특히 4 내지 8 μm 인 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 각 판금 패킷(2)은 100개가 넘는 판금 부품(4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 판금 부품(4)의 적층 시 검출된 판금 패킷(2)의 패킷 높이(hpm)가 목표 패킷 높이(hs)를 초과하는 경우, 각 판금 패킷(2)에 대하여 수량을 적어도 하나의 판금 부품(4)만큼 감소시키는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 판금 부품(4)의 적층 시 검출된 판금 패킷(2)의 패킷 높이(hpm)가 목표 패킷 높이(hs)에 못 미치는 경우, 각 판금 패킷(2)에 대하여 수량을 적어도 하나의 판금 부품(4)만큼 증가시키는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 서로 적층되어 하나의 판금 패킷(2)을 형성하는 판금 부품들(4)의 수량은, 검출되는 패킷 높이(hpm)가 판금 패킷(2)의 목표 패킷 높이(hs)보다 적어도 서로 적층되는 판금 부품들(4) 중 하나의 판금 부품(4)의 두께만큼 작도록 항상 결정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 패킷 높이(hp)의 조정은 1개 내지 5개의 판금 부품(4), 특히 1개 내지 3개의 판금 부품(4)을 판금 패킷(2)의 전면 단부에 장착함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 판금 패킷(2)으로 패킷화하기 전에, 적어도 하나의 판금 부품(4)이 적층 전에 제거되어 패킷 높이(hp)를 조정하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는, 방법.
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