KR20220144631A - 연마 슬러리 조성물 - Google Patents
연마 슬러리 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220144631A KR20220144631A KR1020210051181A KR20210051181A KR20220144631A KR 20220144631 A KR20220144631 A KR 20220144631A KR 1020210051181 A KR1020210051181 A KR 1020210051181A KR 20210051181 A KR20210051181 A KR 20210051181A KR 20220144631 A KR20220144631 A KR 20220144631A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- acid
- hydroxide
- slurry composition
- propanol
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 28
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 42
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 35
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 25
- -1 hexafluorophosphate Chemical compound 0.000 claims description 24
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 claims description 9
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 8
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims description 8
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 7
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- KUEDAAUECWBMLW-AATRIKPKSA-N (e)-n,n,n',n'-tetramethylbut-2-ene-1,4-diamine Chemical compound CN(C)C\C=C\CN(C)C KUEDAAUECWBMLW-AATRIKPKSA-N 0.000 claims description 6
- NCXUNZWLEYGQAH-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)propan-2-ol Chemical compound CC(O)CN(C)C NCXUNZWLEYGQAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RUACIFFMSHZUKZ-UHFFFAOYSA-O 3-Acrylamidopropyl trimethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)CCCNC(=O)C=C RUACIFFMSHZUKZ-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 6
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000691 Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea] Polymers 0.000 claims description 6
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 6
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- FQDIANVAWVHZIR-OWOJBTEDSA-N trans-1,4-Dichlorobutene Chemical compound ClC\C=C\CCl FQDIANVAWVHZIR-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 6
- IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethanol Chemical compound CC(C)(C)NCCO IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JEUXZUSUYIHGNL-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylethanamine;hydrate Chemical compound O.CCN(CC)CC JEUXZUSUYIHGNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(tripropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCO ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 claims description 4
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 4
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 4
- YOUBLKPZGAHMAH-UHFFFAOYSA-N azane;butan-2-ol Chemical compound N.CCC(C)O YOUBLKPZGAHMAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 claims description 4
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 4
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HHKUQCFQGCCLGA-UHFFFAOYSA-N 1-[2-hydroxyethyl(2-hydroxypropyl)amino]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CN(CCO)CC(C)O HHKUQCFQGCCLGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 1-hydroxypropyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC(O)[N+](C)(C)C FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- GBURUDXSBYGPBL-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trimethylhexanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)C(C)CCC(O)=O GBURUDXSBYGPBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WKRCUUPMCASSBN-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylbutanedioic acid Chemical compound CCC(CC)(C(O)=O)CC(O)=O WKRCUUPMCASSBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FBJITINXSJWUMT-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)propan-1-ol Chemical compound CCN(CC)C(C)CO FBJITINXSJWUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)CO XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PBKGYWLWIJLDGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)propan-1-ol Chemical compound OCC(C)N(C)C PBKGYWLWIJLDGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SWKPGMVENNYLFK-UHFFFAOYSA-N 2-(dipropylamino)ethanol Chemical compound CCCN(CCC)CCO SWKPGMVENNYLFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MVVQNBYRSDXHRF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(2-methylpropyl)amino]ethanol Chemical compound CC(C)CN(CCO)CCO MVVQNBYRSDXHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HHRGNKUNRVABBN-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(propan-2-yl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(C(C)C)CCO HHRGNKUNRVABBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(propyl)amino]ethanol Chemical compound CCCN(CCO)CCO OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMLXIWSIHVYORC-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]-2-methylpropan-1-ol Chemical compound OCC(C)(C)N(CCO)CCO AMLXIWSIHVYORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PPBKULZMJLREBJ-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propan-2-ol Chemical compound OCCN(C(C)(O)C)CCO PPBKULZMJLREBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HHPDFYDITNAMAM-UHFFFAOYSA-N 2-[cyclohexyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)C1CCCCC1 HHPDFYDITNAMAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940058020 2-amino-2-methyl-1-propanol Drugs 0.000 claims description 3
- LKKSQKCFEJEJOG-UHFFFAOYSA-N 2-aminopentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)(N)O LKKSQKCFEJEJOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-1-ol Chemical compound CC(N)CO BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940013085 2-diethylaminoethanol Drugs 0.000 claims description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 claims description 3
- PYSGFFTXMUWEOT-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propan-1-ol Chemical compound CN(C)CCCO PYSGFFTXMUWEOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DCPSTLZVUJTDTC-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxycadaverine Chemical compound NCCC(O)CCN DCPSTLZVUJTDTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CC1CCCCNC1=O MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N Acetoacetic acid Natural products CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 claims description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 3
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N diafenthiuron Chemical compound CC(C)C1=C(NC(=S)NC(C)(C)C)C(C(C)C)=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N dimethylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)C(O)=O OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MBABOKRGFJTBAE-UHFFFAOYSA-N methyl methanesulfonate Chemical compound COS(C)(=O)=O MBABOKRGFJTBAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OQNCIVCOTSERAJ-UHFFFAOYSA-N methyl(2,2,2-trihydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[NH2+]CC(O)(O)O OQNCIVCOTSERAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 claims description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYFNFZLMMGXBMT-UHFFFAOYSA-M tributyl(ethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CC)(CCCC)CCCC FYFNFZLMMGXBMT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VZTGWJFIMGVKSN-UHFFFAOYSA-O trimethyl-[3-(2-methylprop-2-enoylamino)propyl]azanium Chemical compound CC(=C)C(=O)NCCC[N+](C)(C)C VZTGWJFIMGVKSN-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- UZNHKBFIBYXPDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[3-(2-methylprop-2-enoylamino)propyl]azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC(=C)C(=O)NCCC[N+](C)(C)C UZNHKBFIBYXPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- STGNLGBPLOVYMA-TZKOHIRVSA-N (z)-but-2-enedioic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O.OC(=O)\C=C/C(O)=O STGNLGBPLOVYMA-TZKOHIRVSA-N 0.000 claims description 2
- BTUDGPVTCYNYLK-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylglutaric acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)CCC(O)=O BTUDGPVTCYNYLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- YKEKYBOBVREARV-UHFFFAOYSA-N pentanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCC(O)=O.OC(=O)CCCC(O)=O YKEKYBOBVREARV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- ZGKZQHAYPIDZLW-UHFFFAOYSA-M triethyl(1-hydroxypropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC(O)[N+](CC)(CC)CC ZGKZQHAYPIDZLW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NBCKLVQYHZCNJZ-UHFFFAOYSA-L [OH-].C(CCCC)[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC.[OH-].C(CCCC)[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC Chemical compound [OH-].C(CCCC)[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC.[OH-].C(CCCC)[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC NBCKLVQYHZCNJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- YVSCCMNRWFOKDU-UHFFFAOYSA-N hexanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O.OC(=O)CCCCC(O)=O YVSCCMNRWFOKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OZVGVRNUXRBFMZ-UHFFFAOYSA-N oxaldehydic acid Chemical compound OC(=O)C=O.OC(=O)C=O OZVGVRNUXRBFMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 1
- HJSRRUNWOFLQRG-UHFFFAOYSA-N propanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O.OC(=O)CC(O)=O HJSRRUNWOFLQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 229920000371 poly(diallyldimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 4
- JIDDFPFGMDDOLO-UHFFFAOYSA-N 5-fluoro-1-(1-oxothiolan-2-yl)pyrimidine-2,4-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(F)=CN1C1S(=O)CCC1 JIDDFPFGMDDOLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- JZUMVFMLJGSMRF-UHFFFAOYSA-N 2-Methyladipic acid Chemical compound OC(=O)C(C)CCCC(O)=O JZUMVFMLJGSMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 2
- 229910020486 P2VP Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- XEBWQGVWTUSTLN-UHFFFAOYSA-M phenylmercury acetate Chemical compound CC(=O)O[Hg]C1=CC=CC=C1 XEBWQGVWTUSTLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000885 poly(2-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SXFBQAMLJMDXOD-UHFFFAOYSA-N (+)-hydrogentartrate bitartrate salt Chemical compound OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O.OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O SXFBQAMLJMDXOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSDVLBQVWYFSNQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpentanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)CCC(O)=O.OC(=O)C(C)(C)CCC(O)=O NSDVLBQVWYFSNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVZLHPXEUGJPAH-UHFFFAOYSA-N 2-oxidanylpropanoic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O.CC(O)C(O)=O KVZLHPXEUGJPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000707 Poly(2-dimethylamino)ethyl methacrylate) methyl chloride Polymers 0.000 description 1
- AEHWFHJBKUJHDL-UHFFFAOYSA-L [OH-].[OH-].C(CC)[N+](CCO)(CCC)CCC.C(CC)[N+](CCC)(CCC)CCO Chemical compound [OH-].[OH-].C(CC)[N+](CCO)(CCC)CCC.C(CC)[N+](CCC)(CCC)CCO AEHWFHJBKUJHDL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- OVYQSRKFHNKIBM-UHFFFAOYSA-N butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CCC(O)=O OVYQSRKFHNKIBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PASOAYSIZAJOCT-UHFFFAOYSA-N butanoic acid Chemical compound CCCC(O)=O.CCCC(O)=O PASOAYSIZAJOCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- DLNOIRAFPPLAPE-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C DLNOIRAFPPLAPE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명은, 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 콜로이달 실리카 연마 입자; 4급 암모늄 양이온성 중합체; 및 산성 물질;을 포함하는, 다결정실리콘 연마를 위한, 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은, 다결정실리콘 막의 CMP(Chemical mechanical polishing) 공정을 위한, 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.
화학기계적 연마(CMP) 공정은 반도체 웨이퍼 표면을 연마 패드에 접촉하여 회전 운동을 하면서 연마제와 각종 화합물들이 함유된 슬러리를 이용하여 평탄하게 연마하는 공정을 말한다. 일반적으로 금속의 연마 공정은 산화제에 의하여 금속 산화물(MOx)이 형성되는 과정과 형성된 금속 산화물을 연마입자가 제거하는 과정이 반복하여 일어나는 것으로 알려져 있다.
반도체 소자가 다양해지고 고집적화됨에 따라 더욱 미세한 패턴 형성 기술이 사용되고 있으며, 그에 따라 반도체 소자의 표면 구조가 더욱 복잡해지고 표면 막들의 단차도 더욱 커지고 있다. 반도체 소자를 제조하는 데 있어서 웨이퍼 상에 형성된 특정한 막에서의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 CMP(chemical mechanical polishing) 공정이 이용된다. CMP 조성물은 한 유형의 집적 회로 성분을 또 다른 성분에 대해 제거하는데 있어서 선택적이다. 웨이퍼 표면의 CMP를 위한 조성물 및 방법은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 반도체 웨이퍼 표면의 연마를 위한 CMP 슬러리 조성물은 전형적으로 연마입자, 다양한 첨가 화합물 등을 포함한다. 3차원 트랜지스터 적층을 갖는 플래시 메모리 장치(3D 플래시 메모리)가 점점 더 인기있다. 3D 플래시 응용을 위한 연마 슬러리는 일반적으로 다결정실리콘의 높은 연마율, 산화실리콘의 연마선택비, 뿐만 아니라 양호한 표면 토포그래피 및 낮은 결함 수준 등을 제공해야한다. 또한, 알칼리 영역에서만 가능한 다결정실리콘 막질의 고연마율이 확보되는 연마 슬러리 조성물의 한계를 극복해야한다.
본 발명은 상기 언급한 문제점을 해결하기 위해서, 다결정실리콘의 높은 연마 성능, 예를 들어, 산성 영역에서 높은 연마 성능을 구현할 수 있는, 다결정실리콘 막 연마를 위한, 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 분야 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 콜로이달 실리카 연마 입자; 4급 암모늄 양이온성 중합체; 및 산성 물질;을 포함하는, 다결정실리콘 연마를 위한, 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 양이온성 표면 전하를 갖고, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 10 nm 내지 200 nm인 단일 사이즈 입자이거나 10 nm 내지 200 nm의 2종 이상의 상이한 사이즈를 가지는 혼합 입자를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 입자는, 상기 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 하기의 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 1]
(여기서, R1 및 R2는, 각각 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기에서 선택되고, n은 10 이상의 정수이고, 상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO₄³-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -), 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택된다.)
[화학식 2]
(여기서, R은, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택되고, R1은, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기 및 
(R5 및 R7은, 각각, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기이고, R6는, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 또는 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기이고, n은 0 또는 1이다)에서 선택되고, R2 내지 R4는, 각각, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택되고, n은 10 이상의 정수이고, 상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO₄³-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -) 또는 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택된다.)
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 화학식 1의 화합물의 분자량은, 100,000 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 화학식 2의 화합물의 분자량은, 50,000 이상이고, 상기 화학식 1의 화합물의 분자량 보다 낮은 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 상기 조성물 중 0.0001 중량% 내지 0.5 중량%인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 폴리[비스(2-클로로에틸)에테르-알트-1,3-비스[3 (디메틸아미노)프로필]우레아](Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea]); 1,4-디클로로-2-부텐 및 N,N,N',N'-테트라메틸-2-부텐-1,4-디아민을 가지는 2,2',2''-니트릴로트리스 에탄올 폴리머(Ethanol, 2,2',2''-nitrilotris-, polymer with 1,4-dichloro-2-butene and N,N,N',N'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine); 히드록시에틸 셀루로오스 디메틸 디알릴암모늄 클로라이드 코폴리머(Hydroxyethyl cellulose dimethyl diallylammonium chloride copolymer); 아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylamide and diallyldimethylammonium chloride); 아크릴아미드/4급화 디메틸암모늄에틸 메타크릴레이트(Copolymer of acrylamide and quaternized dimethylammoniumethyl methacrylate); 아크릴산/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylic acid and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴아미드/디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 메틸 클로라이드 코폴리머(Acrylamide-dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride copolymer); 4급화 히드록시에틸 셀룰로오스(Quaternized hydroxyethyl cellulose); 비닐피롤리돈/4급화 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 코폴리머(Copolymer ofvinylpyrrolidone and quaternized dimethylaminoethyl methacrylate); 비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸의 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized vinylimidazole); 비닐피롤리돈/메타크릴아미도프로필 드리메틸암모늄 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and methacrylamidopropyl trimethylammonium); 폴리[옥시에틸렌(디메틸이미노)에틸렌(디메틸이미노)에틸렌 디클로라이드](Poly[oxyethylene(dimethylimino)ethylene (dimethylimino)ethylene dichloride]); 아크릴산/아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, acrylamide and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴산/메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드/메틸 아크릴레이트 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride, and methyl acrylate); 비닐카프로락탐/비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸 터폴리머(Terpolymer of vinylcaprolactam, vinylpyrrolidone, and quaternized vinylimidazole); 폴리(2-메타크릴옥시에틸)포스포릴클로린-코-엔-부틸 메타크릴레이트(Poly(2-methacryloxyethylphosphorylcholine-co-n-butyl methacrylate)); 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 벤질 클로라이드 4차염](PDMAEA BCQ) 및 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 메틸 클로라이드 4차염](PDMAEA MCQ); 폴리(아크릴아미드 2-메타크릴옥시에틸트리메틸 암모늄 클로라이드(Poly(acrylamide 2-methacryloxyethyltrimethyl ammonium chloride)); 폴리[3-아크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](poly[3-acrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 폴리[3-메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](poly[3-methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 및 폴리디알릴디메틸 암모늄 클로라이드(Poly(diallyldimethylammonium chloride))로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 산성 물질은, 무기산, 유기산 또는 이 둘을 포함하고, 상기 산성 물질은, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 무기산은, 황산, 질산, 인산, 규산, 불산, 붕산, 브롬산, 요오드산, 염산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 유기산은, 모노카르복실산, 디카르복실산 또는 이 둘을 포함하고, 상기 유기산은, 시트르산(Citric acid), 옥살산(Oxalic acid), 프로피온산(Propionic acid), 스테아린산(Stearic acid), 피루브산(Pyruvic acid), 아세트산(Acetic acid), 아세토아세트산(Acetoacetic acid), 글리옥실산(Glyoxylic acid), 말산(Malic acid), 말론산(Malonic acid), 디메틸말론산, 말레산(Maleic acid), 글루타르산(Glutaric acid), 아디프산(Adipic acid), 2-메틸아디프산, 트리메틸아디프산, 피메린산(pimelic acid), 프탈산(Phthalic acid), 트리멜리트산(Trimellitic acid), 타르타르산(Tartaric acid), 글리콜산(Glycollic acid), 2,2-디메틸글루타르산, 락트산(Lactic acid), 이소루신(Isoleucine), 글루타르산(Glutaric acid), 뷰티르산(Butyric acid), 숙신산(Succinic acid), 3,3-디에틸숙신산 및 아스코르빈산(Ascorbic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 산성 물질은, 2종 이상의 산성 물질의 적용 시, 제1 산성 물질 대 나머지 산성 물질의 질량비는, 9 : 1 내지 1 : 9인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 염기성 화합물을 더 포함하고, 상기 염기성 화합물은, 암모니아, 암모늄메틸프로판올(Ammonium methyl propanol; AMP), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra methyl ammonium hydroxide; TMAH), 수산화암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 이미다졸, 모노에탄올아민(Monoethanolamine, MEA), 다이에탄올아민(Diethanol amine, DEA), 트리에탄올아민(TEA), 1,5-디아미노-3-펜탄올, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 1,3-디아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에탄올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(Tetraethyl ammonium hydroxide, TEAH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(Tetrapropylammonium hydroxide, TPAH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(Tetrabutylammonium hydroxide), 테트라펜틸암모늄(Tetrapentylammonium hydroxide, TBAH), 메틸(트리하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드(Methyl(trishydroxyethyl)ammonium hydroxide), 트리부틸에틸암모늄하이드록사이드(Tributylethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl),triethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide) 및 (1-하이드록시프로필)트리에틸암모늄하이드록사이드((1- hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 슬러리 조성물의 pH는, 2 내지 11인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 다결정실리콘 막에 대한 연마속도는, 2000 Å/min 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물의 pH 3 내지 5 또는 pH 9 내지 11에서 다결정실리콘 막 대 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 막의 선택비는, 10 : 1 내지 1000 : 1인 것일 수 있다.
본 발명은, 다결정실리콘 막에 대한 고연마율 확보 및 연마 성능을 개선시킬 수 있는 연마 슬러리 조성물을 제공하는 것으로, 예를 들어, 염기성 영역뿐만 아니라 산성 영역에서도 다결정성 실리콘막의 고연마율 확보가 가능하고, 질화막, 산화막 등의 다른 막에 대한 양호한 연마 선택비를 구현시킬 수 있다.
이하 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명은, 연마 슬러리 조성물에 대하여 실시예를 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예에 제한되는 것은 아니다.
본 발명은, 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 콜로이달 실리카 연마 입자; 4급 암모늄 양이온성 중합체; 및 산성 물질;을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 10 nm 내지 200 nm; 또는 20 nm 내지 200 nm의 사이즈 입자를 포함할 수 있다. 상기 연마 입자의 사이즈 범위 내에 포함되면 목적하는 연마율 확보와 사이즈 증가에 의한 과연마를 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 입자는, 10 nm 내지 200 nm인 단일 사이즈 입자이거나 10 nm 내지 200 nm의 2종 이상의 상이한 사이즈를 가지는 혼합 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 입자는, 10 nm 내지 50 nm 크기의 제1 입자 및 50 nm 초과 내지 100 nm의 제2 입자를 포함하고, 제1 입자 대 제2 입자의 혼합비(질량비)는 1 : 0.1 내지 10일 수 있다. 상기 사이즈는, 입자의 형태에 따라 직경, 길이, 두께 등을 의미할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 30 내지 150(m2/g)의 단일 비표면적 입자이거나 또는 30 내지 150(m2/g)의 2종 이상의 상이한 비표면적을 가지는 혼합 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 입자는, 30 내지 80 비표면적(m2/g)의 제1 입자 및 80 초과 내지 150 비표면적(m2/g)의 제2 입자를 포함하고, 제1 입자 대 제2 입자의 혼합비(질량비)는 1 : 0.1 내지 10일 수 있다. 상기 비표면적은, 예를 들어, 기공분포 측정기(Porosimetry analyzer; Bell Japan Inc, Belsorp-II mini)를 사용하여 질소 가스 흡착 유통법에 의해 BET 6 점법으로 측정할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 구형, 각형, 침상(針狀) 형상 및 판상(板狀) 형상으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 유기물 및/또는 무기물로 코팅, 표면 치환 또는 이 둘에 의해서 양이온성 표면 전하를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 실리카 입자 표면의 치환기의 종류, 예를 들어, NH3 + 등의 양이온 등의 치환, 치환기 밀도(또는, 개수)의 제어 등을 통해 실리카 표면 전하를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자의 양이온성 표면 전하는, 액체 담체 내에서 pH 1 내지 6에서 8 mV 이상; 10 mV 이상; 15 mV 이상; 또는 40 mV 이상의 양전하 제타전위를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 상기 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 10 중량%%; 0.001 중량% 내지 10 중량%; 또는 0.1 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에 포함되면 연마 대상막(예를 들어, 다결정실리콘 막)에 따라 목적하는 연마율 구현 및/또는 연마율을 조절하여 목적하는 선택비의 구현이 가능하고, 연마 입자의 함량 증가에 따른 연마 대상막(예를 들어, 다결정실리콘 막) 표면에 잔류하는 연마 입자 수를 줄이고, 낮은 함량에 따른 연마 속도의 감소 및 과연마로 인한 패턴에서의 디싱 또는 이로젼 같은 2차 결함의 초래를 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 하기의 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 중합체일 수 있다. 예를 들어, 상기 언급한 화합물 중 1종으로 구성된 단일 중합체, 2종 이상의 혼합 중합체 또는 상기 언급한 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 블록 유닛을 포함하는 공중합체일 수 있다. 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 지방족 탄화수소 사슬(C-Chain)에 의한 소수성기와 친수성기의 구성으로 다결정실리콘의 연마 시 높은 연마율 구현에 도움을 줄 수 있다.
[화학식 1]
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 1에서 R1 및 R2는, 각각 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기에서 선택될 수 있다.
n은 10 이상; 50 이상; 또는 100 이상의 정수일 수 있다.
상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO₄³-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -), 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택될 수 있다. 상기 알콕실기는, -O-R'로 표시되고, R'는 각각 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기 및 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2에서 알킬의 “탄소수” 각각 1 내지 50; 1 내지 30; 1 내지 20; 또는 1 내지 10에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 1을 포함하는 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체의 분자량(중량평균 분자량 또는 수평균 분자량)은, 100,000 이상이고, 예를 들어, 100,000 내지 400,000일 수 있다. 상기 분자량 범위 내에 포함되면 다결정실리콘 막의 높은 연마 속도 및 연마 성능의 개선에 도움을 줄 수 있다.
[화학식 2]
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 2에서 R은, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택되고, 상기 알콕실기는, -O-R'로 표시되고, R'는 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기 및 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 2에서 R1은, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기 및 
(R5 및 R7은, 각각, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기이고, R6는, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 또는 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기;이고, n은 0 또는 1이다)에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 2에서 R2 내지 R4는, 각각, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택될 수 있다.
n은 10 이상; 50 이상; 또는 100 이상의 정수일 수 있다.
상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO₄³-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -) 또는 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2에서 알킬의 “탄소수” 각각 1 내지 50; 1 내지 30; 1 내지 20; 또는 1 내지 10;에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 화학식 2의 화합물을 포함하는 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체의 분자량(중량평균 분자량 또는 수평균 분자량)은, 50,000 이상이고, 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 보다 낮은 분자량일 수 있다. 상기 분자량 범위 내에 포함되면 다결정실리콘 막의 높은 연마 속도 및 연마 성능의 개선에 도움을 줄 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 폴리[비스(2-클로로에틸)에테르-알트-1,3-비스[3-(디메틸아미노)프로필]우레아](Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea]); 1,4-디클로로-2-부텐 및 N,N,N',N'-테트라메틸-2-부텐-1,4-디아민을 가지는 2,2',2''-니트릴로트리스 에탄올 폴리머(Ethanol, 2,2',2''-nitrilotris-, polymer with 1,4-dichloro-2-butene and N,N,N',N'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine); 히드록시에틸 셀루로오스 디메틸 디알릴암모늄 클로라이드 코폴리머(Hydroxyethyl cellulose dimethyl diallylammonium chloride copolymer); 아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylamide and diallyldimethylammonium chloride); 아크릴아미드/4급화 디메틸암모늄에틸 메타크릴레이트(Copolymer of acrylamide and quaternized dimethylammoniumethyl methacrylate); 아크릴산/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylic acid and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴아미드/디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 메틸 클로라이드 코폴리머(Acrylamide-dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride copolymer); 4급화 히드록시에틸 셀룰로오스(Quaternized hydroxyethyl cellulose); 비닐피롤리돈/4급화 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 코폴리머(Copolymer ofvinylpyrrolidone and quaternized dimethylaminoethyl methacrylate); 비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸의 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized vinylimidazole); 비닐피롤리돈/메타크릴아미도프로필 드리메틸암모늄 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and methacrylamidopropyl trimethylammonium); 폴리[옥시에틸렌(디메틸이미노)에틸렌(디메틸이미노)에틸렌 디클로라이드](Poly[oxyethylene(dimethylimino)ethylene (Dimethylimino)ethylene dichloride]); 아크릴산/아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, acrylamide and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴산/메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드/메틸 아크릴레이트 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride, and methyl acrylate); 비닐카프로락탐/비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸 터폴리머(Terpolymer of vinylcaprolactam, vinylpyrrolidone, and quaternized vinylimidazole); 폴리(2-메타크릴옥시에틸)포스포릴클로린-코-엔-부틸 메타크릴레이트(Poly(2-methacryloxyethylphosphorylcholine-co-n-butyl methacrylate)); 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 벤질 클로라이드 4차염](PDMAEA BCQ) 및 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 메틸 클로라이드 4차염](PDMAEA MCQ); 폴리(아크릴아미드 2-메타크릴옥시에틸트리메틸 암모늄 클로라이드(Poly(acrylamide 2-methacryloxyethyltrimethyl ammonium chloride)); 폴리[3-아크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](Poly[3-acrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 폴리[3-메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](Poly[3-methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 및 폴리디알릴디메틸 암모늄 클로라이드(Poly(diallyldimethylammonium chloride))으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 0.5 중량%이고, 상기 범위 내에 포함되면 다결정성 실리콘막의 연마 시 높은 연마율 구현, 예를 들어, 산성 영역에서 다결정성 실리콘막에 대한 높은 연마율 구현 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 산성 물질은, 상기 연마 슬러리 조성물의 pH 조절제의 기능과 콜로이달 실리카 입자의 분산 안정성 및 다결정실리콘의 연마 성능 개선에 도움을 줄 수 있으며, 예를 들어, 무기산, 유기산 또는 이 둘을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 무기산은, 황산, 질산, 인산, 규산, 불산, 붕산, 브롬산, 요오드산, 염산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 유기산은, 모노카르복실산, 디카르복실산 또는 이 둘을 포함하고, 상기 유기산은, 시트르산(citric acid), 옥살산(oxalic acid), 프로피온산(propionic acid), 스테아린산(stearic acid), 피루브산(pyruvic acid), 아세트산(acetic acid), 아세토아세트산(acetoacetic acid), 글리옥실산(glyoxylic acid), 말산(malic acid), 말론산(malonic acid), 디메틸말론산, 말레산(maleic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 2-메틸아디프산, 트리메틸아디프산, 피메린산(pimelic acid), 프탈산(phthalic acid), 트리멜리트산(trimellitic acid), 타르타르산(tartaric acid), 글리콜산(glycollic acid), 2,2-디메틸글루타르산(2,2-dimethylglutaric acid), 락트산(lactic acid), 이소루신(isoleucine), 글루타르산(glutaric acid), 뷰티르산(butyric acid), 숙신산(succinic acid), 3,3-디에틸숙신산 및 아스코르빈산(ascorbic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 산성 물질은, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 3 중량%; 0.001 중량% 내지 1 중량%; 또는 0.01 중량% 내지 1 중량%이고, 상기 범위 내에 포함되면 산성 물질의 함량의 증가에 따른 다결정실리콘의 CMP 연마량의 상승 효과를 얻는데 유리하고, 상기 산성 물질은, 2종 이상의 산성 물질의 적용 시 제1 산성 물질 대 나머지 산성 물질의 질량비는, 9 : 1 내지 1 : 9로 포함되어 다결정실리콘의 연마 선택비 개선에 도움을 줄 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 염기성 화합물을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 상기 염기성 화합물은, pH 조절제의 기능과 콜로이달 실리카 입자의 분산 안정성 및 다결정실리콘의 연마 성능 개선에 도움을 줄 수 있으며, 상기 염기성 화합물은, 암모니아, 암모늄메틸프로판올(Ammonium methyl propanol; AMP), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra methyl ammonium hydroxide; TMAH), 수산화암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 이미다졸, 모노에탄올아민(Monoethanolamine, MEA), 다이에탄올아민(Diethanol amine, DEA), 트리에탄올아민(TEA), 1,5-디아미노-3-펜탄올, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 1,3-디아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에탄올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(Tetraethyl ammonium hydroxide, TEAH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(Tetrapropylammonium hydroxide, TPAH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(Tetrabutylammonium hydroxide), 테트라펜틸암모늄(Tetrapentylammonium hydroxide, TBAH), 메틸(트리하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드(Methyl(trishydroxyethyl)ammonium hydroxide), 트리부틸에틸암모늄하이드록사이드(Tributylethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl),triethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide) 및 (1-하이드록시프로필)트리에틸암모늄하이드록사이드((1- hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 염기성 화합물은, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 3 중량%; 0.001 중량% 내지 1 중량% 또는 0.01 중량% 내지 1.0 중량%이고, 상기 범위 내에 포함되면 다결정실리콘의 CMP 연마량의 상승 효과를 얻는데 유리할 수 있다.
본 발의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물의 pH는, 2 내지 11이고, 예를 들어, pH 3 내지 5 또는 pH 9 내지 11일 수 있다. 상기 연마 슬러리 조성물은, pH 3 내지 5의 산성 영역에서 분산 안정성과 다결정실리콘 막의 높은 연마 성능을 구현할 수 있다. 또한, 상기 pH 범위를 벗어나 높은 염기성 영역을 형성할 경우에, 연마 후 반도체 재료의 탈락이 크게 발생하게 될 수 있어, 연마 대상 기재, 예를 들어, 웨이퍼 표면의 거칠기(roughness)가 일정하지 않고, 디싱, 침식, 침식, 부식 및 표면 불균형과 같은 결함을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 다결정실리콘 막을 포함하는 기재의 연마에 적용되고, 예를 들어, 다결정실리콘 막을 포함하는 기재의 화학적-기계적 연마 공정(CMP)에 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 양의 제타전위을 가지며, 예를 들어, 1 mV 내지 100 mV; 10 mV 내지 80 mV; 또는 20 mV 내지 60 mV의 제타전위를 가질 수 있다. 상기 제타전위 범위 내에 포함되면, 소수성의 다결정실리콘 막의 연마속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시에에 따라, 상기 연마 슬러리 조성물은, 알칼리 영역에서 음의 제타전위를 나타낼 수 있으며, -1 mV 이하; -10 mV 이하; -30 mV 이하; 또는 -30 mV 내지 -100 mV일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 다결정실리콘 막을 포함하는 기재에 상기 연마 슬러리 조성물로 연마 공정을 진행할 경우에, 상기 다결정실리콘 막에 대한 연마속도는 2000 Å/min 이상; 3000 Å/min 이상이고, 예를 들어, 2000 Å/min 내지 5000 Å/min일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 다결정실리콘 막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 막을 포함하는 기재에 상기 연마 슬러리 조성물로 연마 공정을 진행할 경우에, 상기 다결정성실리콘 막의 높은 연마 선택비를 구현할 수 있으며, 예를 들어, 상기 연마 슬러리 조성물의 pH 3 내지 5 또는 pH 9 내지 11에서 다결정실리콘 막 대 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 막의 선택비는, 10 : 1 내지 3000 : 1인 것일 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDADMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 2
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 3
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 4
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 5
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 6
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 7
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(30 nm 내지 40 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 8
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(10 nm 내지 20 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
실시예 9
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(10 nm 내지 20 nm의 사이즈), 4급 암모늄 양이온성 중합체(PDAMAC) 및 pH 조절제로 수산화칼륨(KOH)을 pH 11이 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 1
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 양이온성 중합체(P2VP, Poly(2-vinylpyridine) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 2
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 양이온성 중합체(PEI, Polyethyleneimine) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 3
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 양이온성 중합체(Mirapol WT) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 4
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 음이온성 중합체(PAA, Polyacrylic acid) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 5
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(60 nm 내지 80 nm의 사이즈), 비이온성 중합체(PEG, Polyethylene glycol)) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 6
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(30 nm 내지 40 nm의 사이즈), 비이온성 중합체(PEG, Polyethylene glycol)) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
비교예 7
하기의 표 1에 따라 양이온성 표면 전하를 갖는 콜로이달 실리카(30 nm 내지 40 nm의 사이즈), 4급화 비이온성 중합체(QHEC, Quanternized Hydroxyethylcelluse) 및 pH 조절제로 질산(Nitric acid)을 pH 4가 될 때까지 혼합하여 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
연마 특성 평가
실시예 및 비교예의 연마 슬러리 조성물을 이용하여 하기와 같은 연마 조건으로 폴리실리콘막 함유 기판을 연마하였다.
[연마 조건]
(1) 연마장비 : ST#01(KCT)
(2) Carrier rpm/Platen rpm : 87/93
(3) Wafer Pressure : 3 psi
(4) Surry Flow rate(ml/min) : 250 ml/min
(5) 패드 : IC 1000
(6) 시간 : 60s
(7) R-ring pressure : 6 psi
연마 특성을 평가하기 위하여, 실시예 및 비교예에 따른 연마 슬러리 조성물을 이용하여 폴리 실리콘 웨이퍼 기판 연마 후 연마속도 및 연마 이후에 패턴 표면의 recess를 측정하였으며, 그 결과는, 표 1에 나타내었다.
| 콜로이달 실리카 입자 | 첨가제-1 | pH | Poly-Si 연마량 (Å/min) |
Nitride 연마량 (Å/min) |
Oxide 연마량 (Å/min) |
|||
| 종류 | Wt% | 종류 | Wt% | |||||
| 실시예 1 | F-1 | 1 | A-1 | 0.3 | 4 | 2892 | 8.2 | 1.5 |
| 실시예 2 | F-1 | 1 | A-1 | 0.1 | 4 | 4011 | 7 | 4 |
| 실시예 3 | F-1 | 1 | A-1 | 0.03 | 4 | 4411 | 6.2 | 8.3 |
| 실시예 4 | F-1 | 1 | A-1 | 0.01 | 4 | 3387 | 5.9 | 9 |
| 실시예 5 | F-1 | 1 | A-2 | 0.01 | 4 | 2366 | 5.8 | 5.2 |
| 실시예 6 | F-1 | 2 | A-1 | 0.03 | 4 | 4652 | 10.8 | 14.2 |
| 실시예 7 | F-2 | 1 | A-1 | 0.03 | 4 | 5349 | 7.3 | 3 |
| 실시예 8 | G-1 | 1 | A-1 | 0.03 | 4 | 4635 | 6.1 | 4.2 |
| 실시예 9 | G-1 | 1 | A-1 | 0.01 | 11 | 4989 | 8.4 | 6.8 |
| 비교예 1 | F-1 | 1 | B-1 | 0.01 | 4 | 1038 | 4.7 | 1.8 |
| 비교예 2 | F-1 | 1 | B-2 | 0.01 | 4 | 1108 | 4.5 | 2.1 |
| 비교예 3 | F-1 | 1 | B-3 | 0.01 | 4 | 45 | 4.9 | 2 |
| 비교예 4 | F-1 | 1 | C | 0.1 | 4 | 12 | 5.2 | 2 |
| 비교예 5 | F-1 | 1 | D | 0.1 | 4 | 6 | 4.8 | 2.1 |
| 비교예 6 | F-2 | 1 | D | 0.1 | 4 | 7 | 5.6 | 4 |
| 비교예 7 | F-2 | 1 | E | 0.1 | 4 | 10 | 5.6 | 4 |
A-1 : Quaternary Ammonium Cation polymer, PDADMAC (Polydiallyldimethylammonium chloride), 분자량: 100 K~200 K
A-2 : Quaternary Ammonium Cation polymer, PMAC(Poly(2-methacryloxyethyltrimethylammonium chloride)), 분자량: 50 K
B-1 : Cation polymer, P2VP(Poly(2-vinylpyridine))
B-2 : Cation polymer, PEI(Polyethyleneimine)
B-3 : Cation polymer, Mirapol WT
C : Anion polymer, PAA(Polyacrylic acid)
D : Nonion polymer, PEG(Polyethylene glycol)
E : Quanternized nonion polymer, QHEC(Quanternized Hydroxyethylcelluse)
F-1 : PL-3C(FUSO, cation type)
F-2 : PL-1C(FUSO, cation type)
G-1 : BS-1 LC(FUSO)
pH 조절제 : 질산, KOH 및 TEA(Triethanolamine)에서 선택하고, 각각 0.03 내지 0.1 중량%로 투입함.
표 1을 살펴보면, 본 발명에 의한 연마 슬러리 조성물은, 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 4급 암모늄 양이온성 중합체의 첨가 시 산성 영역에서 다결정실리콘 막에 대한 고연마율의 연마 성능을 확보할 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 연마 슬러리 조성물은, 비교예의 비이온성 중합체, 음이온성 중합체 및 양이온성 중합체의 적용에 비하여 다결정실리콘 막에 대한 높은 연마율과, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 질화막에 대한 높은 연마 선택비를 구현할 수 있음을 확인할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (16)
- 콜로이달 실리카 연마 입자;
4급 암모늄 양이온성 중합체; 및
산성 물질;
을 포함하는,
다결정실리콘 연마를 위한, 연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 콜로이달 실리카 연마 입자는 양이온성 표면 전하를 갖고,
상기 콜로이달 실리카 연마 입자는, 10 nm 내지 200 nm인 단일 사이즈 입자이거나 10 nm 내지 200 nm의 2종 이상의 상이한 사이즈를 가지는 혼합 입자를 포함하는 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마 입자는,
상기 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 10 중량%인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는,
하기의 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물:
[화학식 1]
(여기서, R1 및 R2는, 각각, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기에서 선택되고,
n은 10 이상의 정수이고,
상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO₄³-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -), 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택된다.)
[화학식 2]
(여기서, R은, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알콕실기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택되고,
R1은, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기 및(R5 및 R7은, 각각, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기이고, R6는, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기; 또는 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기이고, n은 0 또는 1이다)에서 선택되고,
R2 내지 R4는, 각각, 수소, 직쇄 또는 분지형 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 직쇄 또는 분지형의 탄소수 2 내지 50의 알케닐기 및 탄소수 6 내지 30의 방향족 고리에서 선택되고,
n은 10 이상의 정수이고,
상기 X는, 반대 이온이며, 하이드록사이드(OH-), 할로겐, 설페이트(SO₄²-), 포스페이트(PO4 3-), 나이트레이트(NO3 -), 하이드로겐설페이트(HSO4 -) 또는 메틸 메테인설포네이트(CH3SO3 -), 퍼클로레이트ClO4 -) 및 헥사플루오로 포스페이트(PF6 -)에서 선택된다.)
- 제4항에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물의 분자량은,
100,000 이상인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제4항에 있어서,
상기 화학식 2의 화합물의 분자량은,
50,000 이상이고,
상기 화학식 1의 화합물의 분자량보다 낮은 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는,
상기 조성물 중 0.0001 중량% 내지 0.5 중량%인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 4급 암모늄 양이온성 중합체는,
폴리[비스(2-클로로에틸)에테르-알트-1,3-비스[3-(디메틸아미노)프로필]우레아](Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea]); 1,4-디클로로-2-부텐 및 N,N,N',N'-테트라메틸-2-부텐-1,4-디아민을 가지는 2,2',2''-니트릴로트리스 에탄올 폴리머(Ethanol, 2,2',2''-nitrilotris-, polymer with 1,4-dichloro-2-butene and N,N,N',N'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine); 히드록시에틸 셀루로오스 디메틸 디알릴암모늄 클로라이드 코폴리머(Hydroxyethyl cellulose dimethyl diallylammonium chloride copolymer); 아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylamide and diallyldimethylammonium chloride); 아크릴아미드/4급화 디메틸암모늄에틸 메타크릴레이트(Copolymer of acrylamide and quaternized dimethylammoniumethyl methacrylate); 아크릴산/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 코폴리머(Copolymer of acrylic acid and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴아미드/디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 메틸 클로라이드 코폴리머(Acrylamide-dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride copolymer); 4급화 히드록시에틸 셀룰로오스(Quaternized hydroxyethyl cellulose); 비닐피롤리돈/4급화 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 코폴리머(Copolymer ofvinylpyrrolidone and quaternized dimethylaminoethyl methacrylate); 비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸의 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized vinylimidazole); 비닐피롤리돈/메타크릴아미도프로필 드리메틸암모늄 코폴리머(Copolymer of vinylpyrrolidone and methacrylamidopropyl trimethylammonium); 폴리[옥시에틸렌(디메틸이미노)에틸렌(디메틸이미노)에틸렌 디클로라이드](Poly[oxyethylene(dimethylimino)ethylene (dimethylimino)ethylene dichloride]); 아크릴산/아크릴아미드/디알릴디메틸암모늄 클로라이드 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, acrylamide and diallyldimethylammonium Chloride); 아크릴산/메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드/메틸 아크릴레이트 터폴리머(Terpolymer of acrylic acid, methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride, and methyl acrylate); 비닐카프로락탐/비닐피롤리돈/4급화 비닐이미다졸 터폴리머(Terpolymer of vinylcaprolactam, vinylpyrrolidone, and quaternized vinylimidazole); 폴리(2-메타크릴옥시에틸)포스포릴클로린-코-엔-부틸 메타크릴레이트(Poly(2-methacryloxyethylphosphorylcholine-co-n-butyl methacrylate)); 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 벤질 클로라이드 4차염](PDMAEA BCQ) 및 폴리[(디메틸아미노)에틸아크릴레이트 메틸 클로라이드 4차염](PDMAEA MCQ); 폴리(아크릴아미드 2-메타크릴옥시에틸트리메틸 암모늄 클로라이드(Poly(acrylamide 2-methacryloxyethyltrimethyl ammonium chloride)); 폴리[3-아크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](poly[3-acrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 폴리[3-메타크릴아미도프로필 트리메틸암모늄 클로라이드](poly[3-methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride]); 및 폴리디알릴디메틸 암모늄 클로라이드(Poly(diallyldimethylammonium chloride))으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산성 물질은, 무기산, 유기산 또는 이 둘을 포함하고,
상기 산성 물질은, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0.0001 중량% 내지 1 중량%인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제9항에 있어서,
상기 무기산은,
황산, 질산, 인산, 규산, 불산, 붕산, 브롬산, 요오드산, 염산 및 과염소산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제9항에 있어서,
상기 유기산은, 모노카르복실산, 디카르복실산 또는 이 둘을 포함하고,
상기 유기산은, 시트르산(citric acid), 옥살산(oxalic acid), 프로피온산(propionic acid), 스테아린산(stearic acid), 피루브산(pyruvic acid), 아세트산(acetic acid), 아세토아세트산(acetoacetic acid), 글리옥실산(glyoxylic acid), 말산(malic acid), 말론산(malonic acid), 디메틸말론산, 말레산(maleic acid), 글루타르산(glutaric acid), 아디프산(adipic acid), 2-메틸아디프산, 트리메틸아디프산, 피메린산(pimelic acid), 프탈산(phthalic acid), 트리멜리트산(trimellitic acid), 타르타르산(tartaric acid), 글리콜산(glycollic acid), 2,2-디메틸글루타르산, 락트산(lactic acid), 이소루신(isoleucine), 글루타르산(glutaric acid), 뷰티르산(butyric acid), 숙신산(succinic acid), 3,3-디에틸숙신산 및 아스코르빈산(ascorbic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제9항에 있어서,
상기 산성 물질은,
2종 이상의 산성 물질의 적용 시, 제1 산성 물질 대 나머지 산성 물질의 질량비는 9 : 1 내지 1 : 9인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마 슬러리 조성물은 염기성 화합물을 더 포함하고,
상기 염기성 화합물은, 암모니아, 암모늄메틸프로판올(Ammonium methyl propanol; AMP), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra methyl ammonium hydroxide; TMAH), 수산화암모늄, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 이미다졸, 모노에탄올아민(Monoethanolamine, MEA), 다이에탄올아민(Diethanol amine, DEA), 트리에탄올아민(TEA), 1,5-디아미노-3-펜탄올, 2-디메틸아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸아미노-2-프로판올, 1,3-디아미노-2-프로판올, 3-디메틸아미노-1-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 2-디메틸아미노-1-프로판올, 2-디에틸아미노-1-프로판올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노-1-에탄올, 2-에틸아미노-1-에탄올, 1-(디메틸아미노)2-프로판올, N-메틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-이소프로필디에탄올아민, N-(2-메틸프로필)디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-시아클로헥실디에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 2-디프로필아미노에탄올, 2-브틸아미노에탄올, 2-t-부틸아미노에탄올, 2-사이클로아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(Tetraethyl ammonium hydroxide, TEAH), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(Tetrapropylammonium hydroxide, TPAH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(Tetrabutylammonium hydroxide), 테트라펜틸암모늄(Tetrapentylammonium hydroxide, TBAH), 메틸(트리하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드(Methyl(trishydroxyethyl)ammonium hydroxide), 트리부틸에틸암모늄하이드록사이드(Tributylethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl),triethylammonium hydroxide), (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄하이드록사이드((2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide) 및 (1-하이드록시프로필)트리에틸암모늄하이드록사이드((1- hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 조성물의 pH는 2 내지 11인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제14항에 있어서,
다결정실리콘 막에 대한 연마속도는,
2000 Å/min 이상인 것인,
연마 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마 슬러리 조성물의 pH 3 내지 5 또는 pH 9 내지 11에서, 다결정실리콘 막 대 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 막의 선택비는,
10 : 1 내지 1000 : 1인 것인,
연마 슬러리 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210051181A KR102638342B1 (ko) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 연마 슬러리 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210051181A KR102638342B1 (ko) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 연마 슬러리 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220144631A true KR20220144631A (ko) | 2022-10-27 |
| KR102638342B1 KR102638342B1 (ko) | 2024-02-21 |
Family
ID=83810276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210051181A KR102638342B1 (ko) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 연마 슬러리 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102638342B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070075075A (ko) * | 2006-01-12 | 2007-07-18 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
| JP2016531429A (ja) * | 2013-07-22 | 2016-10-06 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 酸化ケイ素、窒化ケイ素及びポリシリコン材料のｃｍｐ用組成物及び方法 |
| KR20170128925A (ko) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 주식회사 케이씨 | 고단차 연마용 슬러리 조성물 |
| KR20180071631A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물 |
| JP2020158752A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
| US20210108106A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
-
2021
- 2021-04-20 KR KR1020210051181A patent/KR102638342B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070075075A (ko) * | 2006-01-12 | 2007-07-18 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
| JP2016531429A (ja) * | 2013-07-22 | 2016-10-06 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 酸化ケイ素、窒化ケイ素及びポリシリコン材料のｃｍｐ用組成物及び方法 |
| KR20170128925A (ko) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 주식회사 케이씨 | 고단차 연마용 슬러리 조성물 |
| KR20180071631A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물 |
| JP2020158752A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
| US20210108106A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102638342B1 (ko) | 2024-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102094559B1 (ko) | 높은 제거율 및 낮은 결함을 갖는 산화물 및 질화물에 대해 선택적인 cmp 조성물 | |
| TWI537370B (zh) | 用於二氧化矽、氮化矽、以及多晶矽材料之化學機械拋光之組合物及方法 | |
| KR101726486B1 (ko) | 화학 기계 연마용 슬러리 및 화학 기계 연마 방법 | |
| US7736530B2 (en) | CMP slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same | |
| KR20040038882A (ko) | 화학 기계 연마용 수계 분산체, 화학 기계 연마 방법 및반도체 장치의 제조 방법 및 화학 기계 연마용 수계분산체 제조용 재료 | |
| KR102316237B1 (ko) | 멀티선택비 구현이 가능한 연마용 슬러리 조성물 | |
| KR101827366B1 (ko) | 고단차 연마용 슬러리 조성물 | |
| KR20040058083A (ko) | 연마액 조성물 | |
| WO2015141687A1 (ja) | スラリー組成物および基板研磨方法 | |
| KR20190074597A (ko) | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 | |
| KR20200112708A (ko) | 화학적 기계 연마 조성물 및 비정질 실리콘의 제거 속도를 억제하는 방법 | |
| KR20180071631A (ko) | 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물 | |
| KR102185070B1 (ko) | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 | |
| KR101737943B1 (ko) | 질화막 연마용 슬러리 조성물 | |
| KR102638342B1 (ko) | 연마 슬러리 조성물 | |
| US20220064488A1 (en) | Polishing slurry composition | |
| KR20200056808A (ko) | 연마 첨가제 조성물, 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 절연막의 연마 방법 | |
| KR20230096741A (ko) | 연마 슬러리 조성물 | |
| WO2020262234A1 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| KR20230161169A (ko) | 연마 슬러리 조성물 | |
| JPWO2008117593A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法 | |
| KR102656513B1 (ko) | Cmp 슬러리 조성물 | |
| KR20190071268A (ko) | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 | |
| KR102533088B1 (ko) | 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물 | |
| KR20210119180A (ko) | 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) |