KR20070075075A - 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 - Google Patents
다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070075075A KR20070075075A KR1020060003406A KR20060003406A KR20070075075A KR 20070075075 A KR20070075075 A KR 20070075075A KR 1020060003406 A KR1020060003406 A KR 1020060003406A KR 20060003406 A KR20060003406 A KR 20060003406A KR 20070075075 A KR20070075075 A KR 20070075075A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slurry composition
- polishing
- cmp slurry
- polycrystalline silicon
- poly
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
- C01G25/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 다음의 성분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물;(a) 금속산화물,(b) 4급암모늄염기화합물, 및(c) 이온성 고분자.
- 제 1항에 있어서, 상기 이온성 고분자를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 내지 1중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 이온성 고분자는 폴리아크릴산(Polyacrylic acid), 폴리아크릴산-코-말레산(Poly(acrylic acid-co-maleic acid)), 폴리아크릴아마이드-코-아크릴릭산 (poly(acylamide-co-acrylic acid)) 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 4급암모늄염기화합물은 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetramethylammoniumhydroxide), 테트라에틸암모늄하이드록사이드(Tetraethylammoniumhydroxide), 테트라프로필암모늄하이드록사이드(Tetrapropylammoniumhydroxide), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(Tetrabutylammoniumhydroxide) 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 4급암모늄염기화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 내지 5중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물은 SiO2, Al2O3, CeO2, ZrO2 및 TiO2 중의 하나 이상이고, 금속산화물의 일차입자크기는 10 내지 200nm, 비표면적은 10 내지 300㎡/g인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 내지 30중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060003406A KR100746917B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060003406A KR100746917B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070075075A true KR20070075075A (ko) | 2007-07-18 |
KR100746917B1 KR100746917B1 (ko) | 2007-08-07 |
Family
ID=38500277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060003406A KR100746917B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100746917B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190063678A (ko) | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 김성호 | 기능성 아스콘 플랜트 시스템 |
KR20220144631A (ko) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 슬러리 조성물 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005382B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
KR100582771B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2006-05-22 | 한화석유화학 주식회사 | 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 |
-
2006
- 2006-01-12 KR KR1020060003406A patent/KR100746917B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190063678A (ko) | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 김성호 | 기능성 아스콘 플랜트 시스템 |
KR20220144631A (ko) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 슬러리 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100746917B1 (ko) | 2007-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6030703B2 (ja) | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 | |
JP4537010B2 (ja) | 化学機械的ポリシングスラリー及びこれを用いた化学機械的研磨方法 | |
US8314028B2 (en) | Slurry compositions and methods of polishing a layer using the slurry compositions | |
KR100643628B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 | |
TW201943810A (zh) | 研磨用組成物 | |
TWI488952B (zh) | Cmp研磿液以及使用此cmp研磨液的研磨方法以及半導體基板的製造方法 | |
KR100827594B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 | |
US8512593B2 (en) | Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same | |
KR100746917B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 | |
JP7160570B2 (ja) | シャロートレンチアイソレーション用の水性シリカスラリー組成物とその使用方法 | |
KR100660767B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 및 이의 제조 방법 | |
KR20200132756A (ko) | 강화된 결함 억제를 나타내고 산성 환경에서 실리콘 이산화물 위의 실리콘 질화물을 선택적으로 연마하는 화학 기계적 연마 조성물 및 방법 | |
KR100497410B1 (ko) | 연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물 | |
KR100627589B1 (ko) | 결함 발생률이 낮은 cmp 슬러리 조성물 및 그 제조방법 | |
KR20150053048A (ko) | 연마 슬러리용 첨가제 및 이를 포함하는 슬러리 조성물 | |
KR101178716B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 | |
KR101178717B1 (ko) | 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 | |
KR100367830B1 (ko) | Cmp용 조성물 | |
JP2008182181A (ja) | 研磨用組成物 | |
KR100740898B1 (ko) | 절연막 연마 속도를 증가시킨 cmp 연마용 슬러리 조성물 | |
KR100565419B1 (ko) | 연마용 조성물 | |
JP4878728B2 (ja) | Cmp研磨剤および基板の研磨方法 | |
KR100366304B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 절연층의 화학적 기계적 연마용 조성물 | |
KR100561568B1 (ko) | Cmp용 조성물 | |
KR20020004425A (ko) | Cmp용 슬러리 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130607 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140605 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150721 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160721 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170720 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180718 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 13 |