KR20220135643A - 활물질이 없는 전고체 전지용 음극 및 이를 포함하는 전고체 전지 - Google Patents

활물질이 없는 전고체 전지용 음극 및 이를 포함하는 전고체 전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 활물질을 포함하지 않는 전고체 전지용 음극에 관한 것이다. 구체적으로 상기 음극은 음극 집전체; 및 상기 음극 집전체 상에 위치하고, 탄소재 및 리튬과 합금 가능한 금속을 포함하는 복합층;을 포함하고, 상기 탄소재는 서로 응집되지 않은 복수 개의 1차 입자를 포함한다.

Description

활물질이 없는 전고체 전지용 음극 및 이를 포함하는 전고체 전지{ANODE FOR ALL SOLID STATE BATTERY WITHOUT ACTIVE MATERIAL AND ALL SOLID STATE BATTERY COMPRISING THE SAME}
본 발명은 활물질을 포함하지 않는 전고체 전지용 음극에 관한 것이다.
전고체 전지는 양극 집전체에 접합된 양극 활물질층과 음극 집전체에 접합된 음극 활물질층, 그리고 양극 활물질층과 음극 활물질층 사이에 고체전해질이 배치된 3단 적층체로 구성된다.
일반적으로 전고체 전지의 음극 활물질층은 활물질과 이온 전도도의 확보를 위한 고체전해질을 혼합하여 형성한다. 고체전해질은 액체전해질과 비교하여 비중이 크기 때문에 위와 같은 종래의 전고체 전지는 리튬이온 전지에 비해 에너지 밀도가 낮았다.
전고체 전지의 에너지 밀도를 높이기 위해 음극으로 리튬 금속을 적용하는 연구가 진행되었다. 그러나 계면 접합, 덴드라이트의 성장, 가격, 대면적화의 어려움 등의 문제가 있다.
최근에는 전고체 전지의 음극을 삭제하고 리튬을 음극 집전체 측에 직접 석출시키는 저장형 방식의 무음극(Anodeless) 타입에 대해 연구가 진행되고 있다. 그러나 위와 같은 전지는 리튬의 불균일 석출로 인해 비가역성 반응이 점점 증가하여 수명 및 내구성이 매우 떨어진다는 문제가 있다.
한국공개특허 제10-2018-0091678호
본 발명은 무음극 타입의 전고체 전지의 수명을 늘릴 수 있는 음극 소재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않는다. 본 발명의 목적은 이하의 설명으로 더욱 분명해질 것이며, 특허청구범위에 기재된 수단 및 그 조합으로 실현될 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전고체 전지용 음극은 음극 집전체; 및 상기 음극 집전체 상에 위치하고, 탄소재 및 리튬과 합금 가능한 금속을 포함하는 복합층;을 포함하고, 상기 탄소재는 서로 응집되지 않은 복수 개의 1차 입자를 포함할 수 있다.
상기 탄소재는 구형의 입자를 포함할 수 있다.
상기 탄소재의 평균 입경은 250 ㎚ 내지 350 ㎚일 수 있다.
상기 탄소재의 전기 전도도는 30 S/m 이하일 수 있다.
상기 탄소재의 패킹 밀도(Packing density)는 1.5 g/cc 이상일 수 있다.
상기 탄소재의 BET 비표면적은 25 m2/g 이하일 수 있다.
질소 흡착 등온선 측정에서 구해지는 상기 탄소재의 전체 기공 부피는 0.001 cm3/g 내지 0.4 cm3/g일 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 은(Ag), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 복합층은 바인더를 더 포함하고, 상기 탄소재 50중량% 내지 70중량%; 상기 금속 20중량% 내지 40중량%; 및 상기 바인더 1중량% 내지 10중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전고체 전지는 양극; 음극; 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 고체전해질층을 포함하고, 상기 고체전해질층이 상기 음극의 복합층과 접하도록 적층될 수 있다.
본 발명은 전고체 전지용 음극의 복합층을 구성하는 탄소재의 형상을 구형으로 조절하여 상기 복합층 내의 기공을 최소화한 것으로써, 이에 따라 복합층 내에서 리튬이온의 이동 경로가 원활하게 형성된다.
본 발명은 전고체 전지용 음극의 복합층을 구성하는 탄소재의 평균 입경을 250 ㎚ 내지 350 ㎚로 조절하여 복합층 내의 기공을 최소화하고 리튬의 이동 거리를 단축시킨 것으로써, 이에 따라 리튬이 보다 빠르게 전달될 수 있다.
본 발명은 전고체 전지용 음극의 복합층을 구성하는 탄소재의 전기 전도도를 30 S/m 이하로 조절하여 리튬이 복합층과 고체전해질층 사이가 아니라 복합층과 음극 집전체 사이에서 형성될 수 있도록 유도한 것으로써, 이에 따라 전고체 전지를 안정적으로 충방전할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 한정되지 않는다. 본 발명의 효과는 이하의 설명에서 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 전고체 전지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전고체 전지가 충전된 상태를 도시한 단면도이다.
도 3a는 실시예에 따른 탄소재에 대한 주사전자 현미경 분석 결과이다.
도 3b는 비교예1에 따른 탄소재에 대한 주사전자 현미경 분석 결과이다.
도 3c는 비교예2에 따른 탄소재에 대한 주사전자 현미경 분석 결과이다.
도 3d는 비교예3에 따른 탄소재에 대한 주사전자 현미경 분석 결과이다.
도 3e는 비교예4에 따른 탄소재에 대한 주사전자 현미경 분석 결과이다.
도 4는 실시예 및 비교예1 내지 비교예4에 따른 복합층에 대한 질소 가스의 등온 흡착-탈착 특성을 분석한 결과이다.
도 5는 도 4의 결과를 바탕으로 Barrett-Joyner-Halenda (BJH) 방법을 이용하여 도출해낸 기공 크기 분포 그래프이다.
도 6은 실시예 및 비교예1 내지 비교예4에 따른 전고체 전지의 충방전 효율과 수명을 측정한 결과이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 성분, 반응 조건, 폴리머 조성물 및 배합물의 양을 표현하는 모든 숫자, 값 및/또는 표현은, 이러한 숫자들이 본질적으로 다른 것들 중에서 이러한 값을 얻는 데 발생하는 측정의 다양한 불확실성이 반영된 근사치들이므로, 모든 경우 "약"이라는 용어에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 기재에서 수치범위가 개시되는 경우, 이러한 범위는 연속적이며, 달리 지적되지 않는 한 이러한 범 위의 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지의 모든 값을 포함한다. 더 나아가, 이러한 범위가 정수를 지칭하는 경우, 달리 지적되지 않는 한 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지를 포함하는 모든 정수가 포함된다.
도 1은 본 발명에 따른 전고체 전지를 도시한 단면도이다. 이를 참조하면, 상기 전고체 전지는 양극 집전체(11)와 양극 활물질층(12)을 포함하는 양극(10); 음극 집전체(21)와 복합층(22)을 포함하는 음극(20); 및 양극(10)과 음극(20) 사이에 위치하는 고체전해질층(30)을 포함한다. 이때, 상기 음극(20)과 고체전해질층(30)은 상기 복합층(22)과 고체전해질층(30)이 접하도록 적층한다.
상기 양극 집전체(11)는 전기 전도성이 있는 판상의 기재일 수 있다. 상기 양극 집전체(11)는 알루미늄 박판(Aluminium foil)을 포함할 수 있다.
상기 양극 활물질층(12)은 양극 활물질, 고체전해질, 도전재, 바인더 등을 포함할 수 있다.
상기 양극 활물질은 산화물 활물질 또는 황화물 활물질일 수 있다.
상기 산화물 활물질은 LiCoO2, LiMnO2, LiNiO2, LiVO2, Li1 + xNi1 / 3Co1 / 3Mn1 / 3O2 등의 암염층형 활물질, LiMn2O4, Li(Ni0.5Mn1.5)O4 등의 스피넬형 활물질, LiNiVO4, LiCoVO4 등의 역스피넬형 활물질, LiFePO4, LiMnPO4, LiCoPO4, LiNiPO4 등의 올리빈형 활물질, Li2FeSiO4, Li2MnSiO4 등의 규소 함유 활물질, LiNi0 . 8Co(0.2-x)AlxO2(0＜x＜0.2)과 같이 천이 금속의 일부를 이종 금속으로 치환한 암염층형형 활물질, Li1+xMn2-x-yMyO4(M은 Al, Mg, Co, Fe, Ni, Zn 중 적어도 일종이며 0＜x+y＜2)와 같이 천이 금속의 일부를 이종 금속으로 치환한 스피넬형 활물질, Li4Ti5O12 등의 티탄산 리튬일 수 있다.
상기 황화물 활물질은 구리 쉐브렐, 황화철, 황화 코발트, 황화 니켈 등일 수 있다.
상기 고체전해질은 산화물 고체전해질 또는 황화물 고체전해질일 수 있다. 다만, 리튬이온 전도도가 높은 황화물계 고체전해질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 황화물계 고체전해질은 특별히 제한되지 않으나, Li2S-P2S5, Li2S-P2S5-LiI, Li2S-P2S5-LiCl, Li2S-P2S5-LiBr, Li2S-P2S5-Li2O, Li2S-P2S5-Li2O-LiI, Li2S-SiS2, Li2S-SiS2-LiI, Li2S-SiS2-LiBr, Li2S-SiS2-LiCl, Li2S-SiS2-B2S3-LiI, Li2S-SiS2-P2S5-LiI, Li2S-B2S3, Li2S-P2S5-ZmSn(단, m, n는 양의 수, Z는 Ge, Zn, Ga 중 하나), Li2S-GeS2, Li2S-SiS2-Li3PO4, Li2S-SiS2-LixMOy(단, x, y는 양의 수, M은 P, Si, Ge, B, Al, Ga, In 중 하나), Li10GeP2S12 등일 수 있다.
상기 도전재는 카본블랙(Carbon black), 전도성 흑연(Conducting graphite), 에틸렌 블랙(Ethylene black), 그래핀(Graphene) 등일 수 있다.
상기 바인더는 BR(Butadiene rubber), NBR(Nitrile butadiene rubber), HNBR(Hydrogenated nitrile butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene difluoride), PTFE(polytetrafluoroethylene), CMC(carboxymethylcellulose) 등일 수 있다.
상기 음극(20)은 음극 집전체(21) 및 상기 음극 집전체(21) 상에 위치하는 복합층(22)을 포함한다.
상기 음극 집전체(21)는 전기 전도성이 있는 판상의 기재일 수 있다. 상기 음극 집전체(21)는 니켈(Ni), 스테인리스 스틸(SUS) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 음극 집전체(21)는 공극률이 약 1% 미만인 고밀도(High density)의 금속 박막일 수 있다.
상기 음극 집전체(21)는 두께가 1㎛ 내지 20㎛, 또는 5㎛ 내지 15㎛인 것일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 전고체 전지가 충전된 상태를 도시한 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 전지의 충전시 양극(10)으로부터 이동한 리튬 이온은 복합층(22)과 음극 집전체(21) 사이에서 리튬 금속(Li)의 형태로 석출되어 저장된다.
상기 복합층(22)은 탄소재 및 리튬과 합금 가능한 금속을 포함할 수 있다.
상기 탄소재는 서로 응집되지 않은 복수 개의 1차 입자를 포함할 수 있다. 여기서 "탄소재가 1차 입자를 포함한다"는 것은 상기 탄소재가 1차 입자가 응집하여 형성되는 2차 입자가 아님을 의미한다.
상기 탄소재는 구형의 입자를 포함할 수 있다. 상기 탄소재로 구형의 입자를 사용함으로써 복합층(22)의 패킹 밀도(Packing density)를 높이고 복합층(22) 내의 기공을 최소화할 수 있다. 이에 따라 상기 복합층(22) 내에서 리튬이온의 이동 경로가 원활하게 형성된다.
상기 탄소재의 평균 입경은 250 ㎚ 내지 350 ㎚일 수 있다. 상기 평균 입경은 레이저 광 산란법으로 측정한 중앙 입경(D50)일 수 있다. 상기 탄소재의 평균 입경이 350 ㎚를 초과하면 상기 복합층(22) 내의 리튬이온의 이동 경로가 증가하여 리튬이온의 수송 운동(Transport kinetics)이 저하될 수 있다.
상기 탄소재의 전기 전도도는 30 S/m 이하일 수 있다. 상기 전기 전도도의 하한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 0.1 S/m 이상, 또는 1 S/m 이상, 또는 10 S/m 이상일 수 있다. 상기 탄소재의 전기 전도도가 30 S/m를 초과하면 복합층(22)과 고체전해질층(30) 사이에서 리튬이온의 전착이 유도되어 덴드라이트가 발생하거나 리튬이 불균일하게 석출될 수 있다.
상기 탄소재의 패킹 밀도는 1.5 g/cc 이상일 수 있다. 상기 패킹 밀도의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 8 g/cc 이하, 또는 5 g/cc 이하, 또는 3 g/cc 이하일 수 있다. 상기 패킹 밀도가 1.5 g/cc 미만이면 복합층(22) 내에 기공이 너무 많이 존재하여 리튬이온의 이동이 원활하지 않을 수 있다.
상기 탄소재의 BET 비표면적은 25 m2/g 이하일 수 있다. 상기 BET 비표면적의 하한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 10 m2/g 이상, 또는 15 m2/g 이상일 수 있다. 상기 BET 비표면적은 탄소재의 평균 입경, 형상과 밀접한 관련이 있는 물성으로 상기 탄소재의 평균 입경이 작고 기공이 많을수록 BET 비표면적이 증가한다. 따라서 상기 BET 비표면적이 25 m2/g를 초과하면 탄소재의 패킹 밀도가 낮아져 복합층(22) 내에서의 리튬이온의 이동이 원활하지 않을 수 있다.
상기 탄소재에 대한 질소 흡착 등온선 측정에서 구해지는 상기 탄소재의 전체 기공 부피는 0.001cm3/g 내지 0.4cm3/g일 수 있다. 상기 탄소재의 전체 기공 부피가 0.4cm3/g을 초과하면 복합층(22) 내에 기공이 너무 많아 리튬이온의 이동이 원활하지 않을 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 은(Ag), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 복합층(22) 내에 상기 금속을 첨가하면 도 2의 리튬 금속(Li)이 더 매끄럽고 평탄하게 형성될 수 있다.
상기 복합층(22)은 바인더를 더 포함할 수 있다. 상기 바인더는 상기 탄소재, 금속 등의 성분을 서로 접합하기 위한 구성이다.
상기 바인더의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 폴리비닐리덴 플로라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF)를 포함할 수 있다.
상기 복합층(22)은 상기 탄소재 50중량% 내지 70중량%, 상기 금속 20중량% 내지 40중량% 및 상기 바인더 1중량% 내지 10중량%를 포함할 수 있다.
상기 고체전해질층(30)은 상기 양극(10)과 음극(20) 사이에 위치하여 리튬 이온이 양 구성 간을 이동할 수 있도록 하는 구성이다.
상기 고체전해질층(30)은 산화물계 고체전해질 또는 황화물계 고체전해질을 포함할 수 있다. 다만, 리튬 이온 전도도가 높은 황화물계 고체전해질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 황화물계 고체전해질은 특별히 제한되지 않으나, Li2S-P2S5, Li2S-P2S5-LiI, Li2S-P2S5-LiCl, Li2S-P2S5-LiBr, Li2S-P2S5-Li2O, Li2S-P2S5-Li2O-LiI, Li2S-SiS2, Li2S-SiS2-LiI, Li2S-SiS2-LiBr, Li2S-SiS2-LiCl, Li2S-SiS2-B2S3-LiI, Li2S-SiS2-P2S5-LiI, Li2S-B2S3, Li2S-P2S5-ZmSn(단, m, n는 양의 수, Z는 Ge, Zn, Ga 중 하나), Li2S-GeS2, Li2S-SiS2-Li3PO4, Li2S-SiS2-LixMOy(단, x, y는 양의 수, M은 P, Si, Ge, B, Al, Ga, In 중 하나), Li10GeP2S12 등일 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명의 다른 형태를 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예1 내지 비교예4
하기 표 1과 같은 물성의 탄소재를 준비하였다. 상기 탄소재 65중량%, 은(Ag) 분말 30중량% 및 폴리비닐리덴 플로라이드 5중량%를 포함하는 복합층을 음극 집전체 상에 형성하여 음극을 얻었다.
구분 형상 평균 입경
[㎚]		 전기 전도도
[S/m]		 패킹 밀도
[g/cc]		 BET 비표면적
[m2/g]
실시예 구형 250~300 27.5 1.86 24
비교예1 응집 30 미만 79.5 1.14 61
비교예2 응집 30~50 52.6 1.21 182
비교예3 응집 30 미만 49.5 1.21 91.1
비교예4 응집 70~200 36.1 1.59 32.7
양극 활물질, 고체전해질, 도전재, 바인더, 분산재 및 용매를 혼합하여 슬러리를 얻었다. 상기 슬러리를 양극 집전체 상에 도포하고 건조하여 양극을 제조하였다.
고체전해질, 바인더 및 용매를 혼합한 뒤, 상기 양극 상에 도포 및 건조하여 고체전해질층을 얻었다.
상기 양극, 고체전해질층 및 음극을 도 1과 같이 적층하여 전고체 전지를 제조하였다.
실험예1 - 주사전자 현미경 분석
상기 실시예 및 비교예1 내지 비교예4에서 사용한 탄소재에 대한 주사전자 현미경(Scanning electron microscope, SEM) 분석을 하였다. 그 결과는 각각 도 3a 내지 도 3e와 같다.
실시예(도 3a)는 탄소재가 구형의 1차 입자 형태로 존재하는 반면에, 비교예1 내지 비교예4(도 3b 내지 도 3e)는 탄소재가 응집된 형태이다.
실험예2 - 질소 흡탈착 특성 분석
실시예 및 비교예1 내지 비교예4의 복합층에 대한 질소 가스의 등온 흡착-탈착 특성을 분석하였다. 구체적으로 질소 가스의 끓는 점인 77 K를 유지하면서 질소 가스를 흡착시키고 탈착시키면서, 상대 압력에 따른 상기 복합층에 흡착된 질소 기체의 양을 측정하였다. 그 결과는 도 4와 같다.
또한, 도 5는 상기 질소 가스의 등온 탈착 데이터를 바탕으로 Barrett-Joyner-Halenda (BJH) 방법을 이용하여 도출해낸 기공 크기 분포 그래프이다.
이를 참조하면, 실시예에 흡착된 질소의 부피 및 기공 부피가 가장 적은데, 이는 실시예의 복합층의 BET 비표면적 및 기공부피가 가장 적음을 의미한다. 결과적으로 실시예가 비교예1 내지 비교예4에 비해 복합층 내의 리튬이온의 이동이 원활하다고 할 수 있다.
실험예3 - 충방전 특성 분석
실시예 및 비교예1 내지 비교예4의 전고체 전지에 대한 충방전 효율(Coulombic efficiency) 및 수명을 측정하였다. 그 결과는 도 6과 같다.
이를 참조하면, 비교예1 내지 비교예4는 충방전 초기부터 열화되는 거동을 보이고 15회를 넘기지 못한 반면에 실시예는 50회 이상의 충방전 횟수를 나타냈다. 또한, 실시예는 평균적으로 약 95%의 충방전 효율을 보였다.
이상으로 본 발명의 실험예 및 실시예에 대해 상세히 설명하였는바, 본 발명의 권리범위는 상술한 실험예 및 실시예에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.
10: 양극 11: 양극 집전체 12: 양극 활물질층
20: 음극 21: 음극 집전체 22: 복합층 30: 고체전해질층

Claims (10)

  1. 음극 집전체; 및
    상기 음극 집전체 상에 위치하고, 탄소재 및 리튬과 합금 가능한 금속을 포함하는 복합층;을 포함하고,
    상기 탄소재는 서로 응집되지 않은 복수 개의 1차 입자를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재는 구형의 입자를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재의 평균 입경은 250 ㎚ 내지 350 ㎚인 전고체 전지용 음극.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재의 전기 전도도는 30 S/m 이하인 전고체 전지용 음극.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재의 패킹 밀도(Packing density)는 1.5 g/cc 이상인 전고체 전지용 음극.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 탄소재의 BET 비표면적은 25 m2/g 이하인 전고체 전지용 음극.
  7. 제1항에 있어서,
    질소 흡착 등온선 측정에서 구해지는 상기 탄소재의 전체 기공 부피는 0.001 cm3/g 내지 0.4 cm3/g인 전고체 전지용 음극.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 은(Ag), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 전고체 전지용 음극.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복합층은 바인더를 더 포함하고,
    상기 탄소재 50중량% 내지 70중량%; 상기 금속 20중량% 내지 40중량%; 및 상기 바인더 1중량% 내지 10중량%를 포함하는 전고체 전지용 음극.
  10. 양극; 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 음극; 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 고체전해질층을 포함하고,
    상기 고체전해질층이 상기 음극의 복합층과 접하도록 적층되는 것인 전고체 전지.
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