KR20220131723A - 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정가스에 의한 세정이 용이하며 metal 계열의 박막과 동일한 물질을 포함하는 시즈닝박막을 형성하는 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막에 관한 것이다.
본 발명은, 기판처리공정 중 상기 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200)를 포함하는 챔버 시즈닝 방법으로서, 상기 시즈닝단계(S200)는, 세정가스에 의하여 제거가 용이한 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 제1시즈닝단계(S210)와; 상기 제1시즈닝박막(210)상에 상기 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 제2시즈닝단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법을 개시한다.

Description

챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막{Chamber seasoning method and substrate processing method having the same and seasoning thin film manufactured using the same}
본 발명은, 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정가스에 의한 세정이 용이하며 metal 계열의 박막과 동일한 물질을 포함하는 시즈닝박막을 형성하는 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막에 관한 것이다.
반도체, LCD 기판, OLED 기판 등의 소자는, 하나 이상의 증착공정 및 식각공정을 포함하는 반도체 공정에 의하여 제조된다.
최근, 반도체 소자의 미세화 및 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 Design Rule이 급격하게 감소하고 있으며, 이에 기존 증착공정 및 식각공정의 해상 한계 내에서 미세패턴을 형성할 수 있는 DPT(Double Patterning Technology) 공정 또한 진화하고 있다.
특히, 차세대 DPT공정은, 하드마스크 막질을 더욱 dense한 막질로 개선하려는 노력이 있었으며, 이 과정에서 Titanium oxide, Tin oxide와 같은 metal oxide film들이 대두되고 있다.
다만, TiO2, TiON 및 TiOCN과 같은 metal oxide film을 챔버 시즈닝에 사용하는 경우, 챔버의 건식세정이 용이하게 진행되지 않아 습식세정을 이용해야 했으며, 동시에 챔버의 세정주기가 매우 짧아지게 되어 장치의 성능이 저하되고 반도체 소자의 신뢰성이 감소하는 등의 문제가 발생하고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 세정가스에 의한 세정이 용이하며 metal 계열의 박막과 동일한 물질을 포함하는 시즈닝박막을 형성하는 챔버 시즈닝 방법, 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝박막을 개시한다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판처리공정 중 상기 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200)를 포함하는 챔버 시즈닝 방법으로서, 상기 시즈닝단계(S200)는, 상기 세정가스에 의하여 제거가 용이한 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 제1시즈닝단계(S210)와; 상기 제1시즈닝박막(210) 상에 상기 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 제2시즈닝단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법을 개시한다.
상기 제1시즈닝단계(S210)는, 제1소스가스 및 제1반응가스를 공급하여 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성하며; 상기 제2시즈닝단계(S220)는, 제2소스가스 및 제2반응가스를 공급하여 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성할 수 있다.
일례로, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, CVD 공정으로 수행되며, 상기 챔버(10) 내부에 상기 제1소스가스 및 상기 제1반응가스를 동시에 공급함으로써 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성할 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, CVD 공정으로 수행되며, 상기 챔버(10) 내부에 상기 제2소스가스 및 상기 제2반응가스를 동시에 공급함으로써 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, ALD 공정으로 수행되며, 상기 챔버(10) 내부에 상기 제1소스가스를 공급하는 제1소스가스 공급단계(S211)와; 상기 제1소스가스를 퍼지하는 제1소스가스 퍼지단계(S212)와; 상기 챔버(10) 내부에 상기 제1반응가스를 공급하는 제1반응가스 공급단계(S213)와; 상기 제1반응가스를 퍼지하는 제1반응가스 퍼지단계(S214)를 포함하는 단계로서, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, N회(N≥1)이상 반복수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, ALD 공정으로 수행되며, 상기 제1시즈닝박막(210)이 형성된 상기 챔버(10) 내부에 상기 제2소스가스를 공급하는 제2소스가스 공급단계(S221)와; 상기 제2소스가스를 퍼지하는 제2소스가스 퍼지단계(S222)와; 상기 챔버(10) 내부에 상기 제2반응가스를 공급하는 제2반응가스 공급단계(S223)와; 상기 제2반응가스를 퍼지하는 제2반응가스 퍼지단계(S224)를 포함하는 단계로서, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, M회(M≥1)이상 반복수행될 수 있다.
상기 제1반응가스 및 상기 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는 산소(O)를 포함할 수 있다.
상기 제1소스가스, 제2소스가스, 제1반응가스 및 상기 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는, RF전원이 인가되어 플라즈마 상태로 활성화될 수 있다.
상기 RF전원은, HF전원일 수 있다.
상기 제1시즈닝단계(S210) 및 상기 제2시즈닝단계(S220) 중 적어도 어느 하나는, 1 Torr 내지 10 Torr의 압력에서 수행될 수 있다.
상기 제1소스가스는, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다.
상기 제1소스가스는, DIPAS(Diisoprophylamino Silane), BDEAS(Bis-Diethylamino Silane) 및 DDS(Dichloro dimethyl silane) 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제2소스가스는, 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다.
상기 제2소스가스는, TDMAT(Tetrakis-dimethylamino Titanium), TiCl4 중 어느 하나일 수 있다.
그리고, 본 발명은, 상술한 챔버 시즈닝 방법에 의하여 형성되는 시즈닝박막(200)에 있어서, 상기 시즈닝박막(200)은, 실리콘(Si)을 포함하는 제1시즈닝박막(210)과; 제1시즈닝박막(210)상에 형성되며, 티타늄(Ti)을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시즈닝박막(200)을 개시한다.
상기 제1시즈닝박막(210)은, SiO2, SiON 및 a-Si 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2시즈닝박막(220)은, TiO2, Ta2O3 및 TiN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하여 반도체 소자를 제조하는 기판처리방법에 있어서, 상기 기판처리방법은, 챔버(10) 내부에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S10)와; 상기 챔버(10) 내부에 배치된 기판상에 박막을 형성하는 기판처리단계(S20)와; 상기 기판처리단계(S20)를 미리 설정된 설정횟수만큼 수행한 후 상기 챔버(10) 내부를 세정하는 세정단계(S30)를 포함하며; 상기 시즈닝단계(S10)는, 상술한 챔버 시즈닝 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.
상기 세정단계(S30)는, 상기 챔버(10)의 내부에 플라즈마 활성화된 세정가스를 공급할 수 있다.
상기 세정가스는, 할로겐 원소를 포함할 수 있다.
상기 기판처리단계(S20)는, 상기 챔버(10) 내부로 기판을 로딩하는 기판로딩단계(S21)와; 상기 기판상에 박막을 증착하기 위하여 하나 이상의 가스를 공급하는 가스 공급단계(S22)와; 상기 기판을 상기 챔버(10) 내부로부터 언로딩하는 기판언로딩단계(S23)를 포함하는 단계로서, 상기 기판처리단계(S20)는, 적어도 K(K≥1)회 이상 반복수행될 수 있다.
본 발명은, 세정가스로 용이하게 제거되는 제1시즈닝박막(210) 상에 기판상에 형성되는 박막과 동일한 물질을 가지는 제2시즈닝박막(220)을 형성함으로써 건식세정공정을 용이하게 수행할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은, 세정가스로 용이하게 제거되는 제1시즈닝박막(210) 상에 기판상에 형성되는 박막과 동일한 물질을 가지는 제2시즈닝박막(220)을 형성함으로써 챔버의 세정주기를 단축시킬 수 있어, 장비의 성능저하를 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은, 기판상에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 형성함으로써 TiO2, TiON 및 TiOCN과 같은 물질이 기판상에 형성되는 박막의 파티클 소스로 작용함을 방지할 수 있으며, 이에 반도체 소자의 품질저하를 예방할 수 있는 이점이 있다.
도 1a은, 본 발명에 따른 시즈닝 방법을 포함하는 기판처리방법의 흐름을 보여주는 흐름도이다.
도 1b는, 본 발명에 따른 시즈닝단계의 흐름을 보다 구체적으로 보여주는 흐름도이다.
도 2a는, 본 발명에 따른 시즈닝 방법에 있어서, 제1시즈닝단계가 ALD공정으로 수행되는 경우 제1시즈닝단계의 흐름을 보다 구체적으로 보여주는 흐름도이다.
도 2b는, 본 발명에 따른 시즈닝 방법에 있어서, 제2시즈닝단계가 ALD공정으로 수행되는 경우 제2시즈닝단계의 흐름을 보다 구체적으로 보여주는 흐름도이다.
도 3a는, 종래 시즈닝 방법에 의하여 시즈닝 된 기판처리장치의 단면을 보여주는 단면도이다.
도 3b는, 본 발명에 따른 시즈닝 방법에 의하여 시즈닝 된 기판처리장치의 단면을 보여주는 단면도이다.
도 4은, 본 발명에 따른 시즈닝 방법의 수행을 위하여 공정수행시간 대비 가스들의 공급량, RF전원 등을 보여주는 그래프이다.
도 5a 내지 도 7b는, 기판처리장치를 구성하는 장치들에 있어서, 각각 종래의 시즈닝 방법 및 본 발명에 따른 시즈닝 방법을 이용하여 시즈닝한 경우의 세정 효과의 차이를 보여주는 이미지이다.
도 8은, 챔버의 시즈닝박막이 제1시즈닝박막으로만 구성된 경우 기판에 증착되는 박막의 Thickness drop 및 파티클 발생현상을 보여주는 그래프이다.
도 9a는, 본 발명에 따른 기판처리방법의 흐름을 보여주는 흐름도이다.
도 9b는, 본 발명에 따른 기판처리방법에 있어서, 기판처리단계의 흐름을 보다 구체적으로 보여주는 흐름도이다.
이하에서 본 발명에 따른 챔버 시즈닝 방법 및 이를 포함하는 기판처리방법 및 이를 이용하여 제조된 시즈닝 박막에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명은, 기판처리공정 중 상기 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200)를 포함하는 챔버 시즈닝 방법을 개시한다.
여기서 챔버(10) 내부란, 챔버 본체(11)의 내부면에 한정되지 않으며, 기판처리공정 중 공정가스가 노출되는 상부리드(12), 기판지지부(20), 샤워헤드조립체(30)의 표면 등을 모두 포함하는 용어로 이해될 수 있다.
먼저, 본 발명의 핵심내용인 시즈닝단계(S200)를 설명하기에 앞서 세정가스로 챔버(10) 내부를 세정하는 세정단계(S100)에 대하여 간단하게 설명한다.
기판에 박막을 형성하는 기판처리공정은, 반도체 박막의 표면뿐만 아니라, 챔버(10) 내부에도 퇴적되는 반응 생성물을 생성하며, 이때, 챔버(10) 내부에 퇴적된 반응 생성물은 증착공정의 불량을 야기한다.
이에, 일반적으로 일정시간 또는 일정 매수의 반도체 기판 증착 공정이 종료된 후에는, 세정단계(S100)를 수행함으로써 챔버(10) 내부 표면에 퇴적되는 반응 생성물을 세정하게 된다.
여기서, 세정단계(S100)는, 세정가스 및 세정방법에 따라 습식세정(Wet cleaning) 또는 건식세정(Dry cleaning)으로 나뉠 수 있다.
이때, 세정단계(S100)가 습식세정방법으로 진행될 경우, 습식세정의 특성상 챔버(10) 분리하여 세정한 후 다시 챔버(10)를 체결해야 하므로 세정시간이 길어지는 문제가 발생하므로, 근래에는 건식세정방법으로써 세정시간이 짧은 불소(F)를 이용한 인-시튜(in-situ) 세정방법이 일반적으로 사용되고 있다.
한편, 세정단계(S100)를 수행하여 챔버(10) 내부를 세정한 이후에는 기판처리공정에서 기판상에 형성되는 박막의 성장속도를 정상상태로 끌어올리고, 세정 및 퍼지 이후에도 챔버(10) 내부에 잔존하는 파티클을 챔버(10) 내부로부터 쉽게 떨어지지 않는 상태로 고착시킬 수 있도록 챔버(10) 내부의 분위기를 조성할 필요가 있다.
상기 챔버(10) 내부의 분위기는, 기판처리공정 수행 전 챔버(10) 내부에 시즈닝박막을 형성함으로써 달성될 수 있으며, 이에 도 1a에 도시된 바와 같이, 세정단계(S100)의 수행 후, 챔버(10) 내부에 시즈닝박막을 형성하는 시즈닝단계(S200)가 수행될 수 있다.
이때, 종래의 시즈닝박막은, 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질, 즉 기판처리공정 수행 시 파티클(Particle)이 발생된다 하더라도 증착 될 박막에 크게 영향을 미치지 않는 물질로 구성되었으나, 최근 차세대 DPT공정 등으로 Titanium oxide, Tin oxide와 같은 metal oxide film 등의 박막의 사용이 증가하면서 종래의 시즈닝방법으로 생성된 시즈닝박막으로 인한 문제가 발생하였다.
즉, 종래에는 기판상에 TiO2, TiON 및 TiOCN과 같은 metal oxide film 형성 시, 도 3a에 도시된 바와 같이, 시즈닝박막으로 metal 계열의 시즈닝 박막, 즉 본 발명의 제2시즈닝박막(220)에 대응되는 박막만을 증착하였는데, 이때 챔버(10)가 metal 계열(ex.AlN)의 재질을 가짐에 따라 시즈닝박막과 챔버(10)의 접착성이 강해져 도 5a, 도 6a 및 도 7a에 도시된 바와 같이, 건식 세정으로 시즈닝박막을 제거하기 어려워졌다.
이에 챔버(10)와 접착성이 높은 metal 계열의 시즈닝박막을 제거하기 위하여 세정시간이 긴 습식세정을 수행해야만 했으며, 동시에 세정주기가 짧아져 인건비가 높아지고, 기판처리장치의 성능이 저하되며 생산성이 낮아지는 문제가 발생하였다.
본 발명의 발명자들은, 상기와 같은 문제를 인식하고 이를 해결하고자, 챔버(10)에 metal 계열의 시즈닝박막을 형성함에 있어서, 세정가스로 용이하게 제거할 수 있으며, 기판에 증착되는 박막에 파티클 영향을 미치지 않는 시즈닝박막(200), 상기 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200) 및 이를 포함하는 기판처리방법을 발명하였다.
이하 본 발명의 시즈닝박막(200), 상기 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200) 및 이를 포함하는 기판처리방법에 대하여 보다 자세하게 설명한다.
본 발명은 기판처리공정 중 상기 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200)를 포함하는 챔버 시즈닝 방법으로서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 세정가스에 의하여 제거가 용이한 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 제1시즈닝단계(S210)와; 상기 제1시즈닝박막(210)상에 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 제2시즈닝단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법을 개시한다.
여기서 상기 시즈닝박막(200)은, 기판처리공정 중 상기 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 형성되는 구성으로서, 실리콘(Si)을 포함하는 제1시즈닝박막(210)과; 제1시즈닝박막(210)상에 형성되며, 티타늄(Ti)을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 포함할 수 있다.
이때 상기 시즈닝박막(200)에 포함되는 제1시즈닝박막(210) 및 제2시즈닝박막(220)에 대해서는 각 제1시즈닝단계(S210) 및 제2시즈닝단계(S220)에서 보다 자세하게 설명한다.
상기 제1시즈닝단계(S210)는, 세정가스에 의하여 제거가 용이한 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
여기서, 상기 제1시즈닝박막(210)은, 후술하는 세정가스에 대하여 높은 식각률(Etch rate)을 가짐으로써 시즈닝박막(100)을 건식세정공정으로 용이하게 제거될 수 있게 하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 제1시즈닝박막(210)은, 실리콘(Si)이 함유된 절연박막으로써 세정가스에 의한 세정이 용이한 박막이라면 어떠한 박막이나 가능하며, 예를 들어, SiO2, SiON 및 a-Si 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
이렇게 상기 제1시즈닝박막(210)이 후술하는 제2시즈닝박막(220)의 형성 전 미리 챔버(10) 내부에 형성되면, 세정공정 시 시즈닝박막(200)을 용이하게 제거할 수 있게 되므로, 챔버(10)의 세정주기를 연장할 수 있으며, 기판처리장치의 휴지(休止)시간을 줄여 기판처리장치의 성능저하를 막고 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
상기와 같은 제1시즈닝박막(210)은, 제1시즈닝단계(S210)에서 상기 챔버(10) 내부에 제1소스가스 및 제1반응가스를 공급함으로써 형성될 수 있다.
여기서 제1소스가스는, 상기 챔버(10) 내부에 흡착되는 전구체를 포함하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 제1소스가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 실리콘(Si), 보다 구체적으로 아민(Amin)계열의 DIPAS(Diisoprophylamino Silane), BDEAS(Bis-Diethylamino Silane) 및 DDS(Dichloro dimethyl silane) 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
또한, 상기 제1반응가스는, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있다.
이때, 상기 제1반응가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 산소(O)를 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
한편, 상기 제1소스가스 및 제1반응가스 중 적어도 어느 하나는 RF전력이 인가되어 플라즈마에 의해 활성화될 수 있다.
즉, 상기 제1소스가스 및 제1반응가스 중 적어도 어느 하나는, 기판처리장치의 상부전극(예를 들어, 샤워헤드) 및 하부전극(예를 들어, 스테이지 히터) 중 적어도 어느 하나에 RF전원이 인가됨으로써 플라즈마 활성화될 수 있다.
이때, 상기 RF전원은, 다양한 방식, 주파수 및 파워 등으로 공급될 수 있다.
예를 들어, 상기 RF전원은, 챔버 내부에 직접 인가되어 챔버 내에서 가스가 활성화되도록 하는 다이렉트 플라즈마 방식 또는 외부에 마련된 리모트 플라즈마 발생기(RPG, Remote Plasma Generator)에서 가스를 플라즈마 상태로 활성화시킨 뒤, 활성화된 가스를 챔버 내부에 공급하는 RPG 방식 등 다양한 방식으로 공급될 수 있다.
또한, 상기 RF전원은, 다양한 주파수 대역의 RF전력을 인가할 수 있으며, 상기 주파수는 20MHz 내지 60MHz 대역의 VHF(Very High Frequency), 10MHz 내지 20MHz 대역의 HF(High Frequency), 250KHz 내지 400KHz 대역의 LF(Low Frequency)로 나뉠 수 있고, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
추가로, 상기 RF전원은, 서로 다른 대역의 주파수를 동시에 공급(듀얼 주파수)하거나, 하나의 대역의 주파수를 공급(싱글 주파수)하는 등 다양한 방식으로 RF전력을 인가할 수 있다.
예를 들어, 상기 RF전원은, 싱글 주파수의 HF전원으로 구성되어 제1소스가스 및 제1반응가스 중 적어도 어느 하나를 활성화시킬 수 있다.
이때, 상기 RF전원은, 제1시즈닝박막(210)의 특성에 따라 다양한 파워로 공급될 수 있으며, 싱글 주파수 및 듀얼 주파수에 따라 서로 다른 파워로 공급될 수 있다.
한편, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, 다양한 공정으로 수행될 수 있으며, 예를 들어, CVD공정 또는 ALD공정 중 어느 하나에 의하여 수행될 수 있다.
일례로서, 상기 제1시즈닝단계(S210)가 CVD공정을 이용하여 수행되는 경우, 제1소스가스 및 제1반응가스는 챔버(10) 내부에 동시에 공급될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1시즈닝단계(S210)가 ALD공정을 이용하여 수행되는 경우, 제1소스가스 및 제1반응가스는 챔버(10) 내부에 교대로 공급될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1시즈닝단계(S210)가 ALD공정을 이용하여 수행되는 경우, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, 도 2a 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10) 내부에 제1소스가스를 공급하는 제1소스가스 공급단계(S211)와; 상기 제1소스가스를 퍼지하는 제1소스가스 퍼지단계(S212)와; 상기 챔버(10) 내부에 제1반응가스를 공급하는 제1반응가스 공급단계(S213)와; 상기 제1반응가스를 퍼지하는 제1반응가스 퍼지단계(S214)를 포함하며, N회(N≥1)이상 반복수행 될 수 있다.
이때, 상기 제1시즈닝단계(S210)는, 상기 제1시즈닝박막(210)을 미리 설정된 두께로 형성하기 위하여 N회(N≥1)이상 반복수행 될 수 있다.
여기서, 제1소스가스 공급단계(S211)는, 상기 챔버(10) 내부에 제1소스가스를 공급하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 제1소스가스 공급단계(S211)는, 상기 챔버(10) 내부에 제1소스가스를 노출시킴으로써 상기 챔버(10) 내부에 상기 제1소스가스 중 적어도 일부를 흡착시킬 수 있다.
한편, 제1소스가스 퍼지단계(S212)는, 상기 제1소스가스를 퍼지하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
여기서 퍼지가스는, 상기 제1소스가스를 퍼지하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 퍼지가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 아르곤(Ar)을 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
다만, 상기 퍼지가스는, 제1소스가스 퍼지단계(S212) 및 후술하는 상기 제1반응가스 퍼지단계(S214)에서만 한정되어 공급되는 것은 아니며, 상기 제1소스가스 공급단계(S211), 제1소스가스 퍼지단계(S212), 제1반응가스 공급단계(S213) 및 상기 제1반응가스 퍼지단계(S214)에서 연속적으로 공급될 수 있음은 물론이다.
그리고, 제1반응가스 공급단계(S213)는, 상기 챔버(10) 내부에 제1반응가스를 공급하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 제1반응가스 공급단계(S213)는, 상기 챔버(10) 내부에 흡착된 제1소스가스의 전구체와 반응하여 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 반응물질을 포함하는 제1반응가스를 공급할 수 있다.
이때, 상기 제1반응가스 공급단계(S213)에서 공급되는 제1반응가스는 상술한 바와 같이 RF전력이 인가되어 플라즈마에 의해 활성화될 수 있음은 물론이다.
여기서, 제1반응가스 퍼지단계(S214)는, 상기 제1반응가스를 퍼지하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
여기서 퍼지가스는, 상기 제1반응가스를 퍼지하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 퍼지가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 아르곤(Ar)을 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
그리고, 제1시즈닝단계(S210)는, 다양한 압력조건에서 수행될 수 있으며, 예를 들어, 1 Torr 내지 10 Torr의 압력에서 수행될 수 있다.
한편, 기판상에 metal 계열의 박막을 형성함에 있어서, 상기 챔버(10) 내부에 실리콘이 함유된 절연 박막인 제1시즈닝박막(210)만이 형성되는 경우에는 기판상에 형성되는 박막과 챔버(10) 내부에 형성된 박막의 물성이 달라 thickness 및 particle issue가 발생할 수 있다.
도 8은, 챔버(10) 내부에 SiO2의 단일한 시즈닝박막이 형성된 후, 기판상에 TiO2 박막을 형성하기 위한 Batch to Batch 공정 진행 시, TiO2 박막의 Thickness 및 박막 내부 particle의 변화를 보여주는 그래프이다.
먼저, 도 8에서 파란색으로 표시된 thickness의 값의 변화를 보면, 2nd batch에서의 값은 54.5Å, 3rd batch는 55.2Å, 누적 1kÅ은 54.8Å, 누적2kÅ은 55.0Å, 누적 3kÅ은 54.5Å, 누적 4kÅ는 54.8Å으로 55.0Å 내외의 값을 유지하는 반면, 1st batch에서의 thickness 값은 53.6Å으로서, 초기에 Thickness drop 현상이 발생함을 확인할 수 있었다.
그리고, 도 8에서 빨간색으로 표시된 particle의 값의 변화를 보면, 3rd batch는 25ea, 누적 1kÅ은 12ea, 누적2kÅ은 21ea, 누적 3kÅ은 20ea, 누적 4kÅ는 24ea로, 25ea이하의 particle을 유지하는 반면, 1st batch 및 2nd batch의 경우 particle이 각각 49ea, 52ea으로 확인되어 초기에 Particle issue가 발생함을 확인할 수 있었다.
이를 통하여 SiO2의 단일한 시즈닝박막만을 형성한 후, 기판상에 TiO2 박막 형성하는 경우에는 초기 thickness drop 현상 및 초기 particle issue가 발생하게 되며, 이를 방지하기 위하여, 챔버(10) 내부에 형성되는 시즈닝 박막은 제1시즈닝박막(210) 및 기판에 형성되는 박막과 동일 물질을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 포함하는 복합막으로 구성함이 바람직함을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 발명자들은 기판상에 형성되는 박막의 초기 thickness drop 현상 및 초기 particle issue과 같은 문제를 방지하고자, 제1시즈닝박막(210)상에 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 제2시즈닝단계(S220)를 구성한 바, 이하에서 제2시즈닝단계(S220)에 대하여 자세하게 설명한다.
상기 제2시즈닝단계(S220)는 상기 제1시즈닝박막(210)상에 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로 상기 제2시즈닝단계(S220)는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제1시즈닝박막(210)상에 제2시즈닝박막(220)을 형성함으로써 세정이 용이하며, 기판처리공정 시 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 챔버(10) 내부에 형성함으로써 파티클 발생을 방지할 수 있다.
여기서 제2시즈닝박막(220)은, 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막과 동일 물질을 포함하는 박막으로서, 제1시즈닝박막(210) 상에 형성되며 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 제2시즈닝박막(220)은, 기판에 형성되는 박막과 동일 물질을 포함함으로써 기판에 증착되는 박막 안으로의 불순물 유입을 방지하며 막두께의 균일성을 개선할 수 있다.
또한, 상기 제2시즈닝박막(220)은, 기판에 형성되는 박막과 동일 물질을 포함하는 박막이라면 어떠한 박막이나 가능하며, 예를 들어, TiO2, Ta2O3 및 TiN 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기와 같은 제2시즈닝박막(220)은, 제2시즈닝단계(S220)에서 상기 챔버(10) 내부에 제2소스가스 및 제2반응가스를 공급함으로써 형성될 수 있다.
여기서 제2소스가스는, 상기 제1시즈닝박막(210) 내부에 흡착되는 전구체를 포함하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 제2소스가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2소스가스는, Metal 계열이 함유된 가스, 구체적으로 티타늄(Ti)을 포함하는 가스일 수 있으며, 보다 구체적으로, TDMAT(Tetrakis-dimethylamino Titanium), TiCl4 중 어느 하나일 수 있다.
여기서, 상기 제2반응가스는 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들어, 상기 제2반응가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 산소(O)를 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
한편, 상기 제2소스가스 및 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는 RF전력이 인가되어 플라즈마에 의해 활성화될 수 있다.
즉, 상기 제2소스가스 및 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는, 기판처리장치의 상부전극(예를 들어, 샤워헤드) 및 하부전극(예를 들어, 스테이지 히터) 중 적어도 어느 하나에 RF전원이 인가됨으로써 플라즈마 활성화될 수 있다.
이때, 상기 RF전원은, 다양한 방식, 주파수 및 파워 등으로 공급될 수 있다.
예를 들어, 상기 RF전원은, 챔버 내부에 직접 인가되어 챔버 내에서 가스가 활성화되도록 하는 다이렉트 플라즈마 방식 또는 외부에 마련된 리모트 플라즈마 발생기(RPG, Remote Plasma Generator)에서 가스를 플라즈마 상태로 활성화시킨 뒤, 활성화된 가스를 챔버 내부에 공급하는 RPG 방식 등 다양한 방식으로 공급될 수 있다.
또한, 상기 RF전원은, 다양한 주파수 대역의 RF전력을 인가할 수 있으며, 상기 주파수는 20MHz 내지 60MHz 대역의 VHF(Very High Frequency), 10MHz 내지 20MHz 대역의 HF(High Frequency), 250KHz 내지 400KHz 대역의 LF(Low Frequency)로 나뉠 수 있고, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
추가로, 상기 RF전원은, 서로 다른 대역의 주파수를 동시에 공급(듀얼 주파수)하거나, 하나의 대역의 주파수를 공급(싱글 주파수)하는 등 다양한 방식으로 RF전력을 인가할 수 있다.
예를 들어, 상기 RF전원은, 싱글 주파수의 HF전원으로 구성되어 제2소스가스 및 제2반응가스 중 적어도 어느 하나를 활성화시킬 수 있다.
이때, 상기 RF전원은, 제2시즈닝박막(220)의 특성에 따라 다양한 파워로 공급될 수 있으며, 싱글 주파수 및 듀얼 주파수에 따라 서로 다른 파워로 공급될 수 있다.
한편, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, 다양한 공정으로 수행될 수 있으며, 예를 들어, CVD공정 또는 ALD공정 중 어느 하나에 의하여 수행될 수 있다.
일례로서, 상기 제2시즈닝단계(S220)가 CVD공정을 이용하여 수행되는 경우, 제2소스가스 및 제2반응가스는 챔버(10) 내부에 동시에 공급될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2시즈닝단계(S220)가 ALD공정을 이용하여 수행되는 경우, 제2소스가스 및 제2반응가스는 챔버(10) 내부에 교대로 공급될 수 있다.
구체적으로, 상기 제2시즈닝단계(S220)가 ALD공정을 이용하여 수행되는 경우, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제1시즈닝박막(210)이 형성된 상기 챔버(10) 내부에 상기 제2소스가스를 공급하는 제2소스가스 공급단계(S221)와; 상기 제2소스가스를 퍼지하는 제2소스가스 퍼지단계(S222)와; 상기 챔버(10) 내부에 제2반응가스를 공급하는 제2반응가스 공급단계(S223)와; 상기 제2반응가스를 퍼지하는 제2반응가스 퍼지단계(S224)를 포함하며, M회(M≥1)이상 반복수행 될 수 있다.
여기서, 제2소스가스 공급단계(S221)는, 상기 챔버(10) 내부에 제2소스가스를 공급하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 제2소스가스 공급단계(S221)는, 상기 제1시즈닝박막(210)이 형성된 상기 챔버(10) 내부에 제2소스가스를 노출시킴으로써 상기 제1시즈닝박막(210)상에 제2소스가스 중 적어도 일부를 흡착시킬 수 있다.
한편, 제2소스가스 퍼지단계(S222)는, 상기 제2소스가스를 퍼지하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
여기서 퍼지가스는, 상기 제2소스가스를 퍼지하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 퍼지가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 아르곤(Ar)을 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
다만, 상기 퍼지가스는, 제2소스가스 퍼지단계(S222) 및 후술하는 상기 제2반응가스 퍼지단계(S224)에서만 한정되어 공급되는 것은 아니며, 상기 제2소스가스 공급단계(S221), 제2소스가스 퍼지단계(S222), 제2반응가스 공급단계(S223) 및 상기 제2반응가스 퍼지단계(S224)는, 퍼지가스가 연속적으로 공급될 수 있음은 물론이다.
그리고, 제2반응가스 공급단계(S223)는, 상기 챔버(10) 내부에 제2반응가스를 공급하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 제2반응가스 공급단계(S223)는, 상기 제1시즈닝박막(210)상에 흡착된 제2소스가스의 전구체와 반응하여 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 반응물질을 포함하는 제2반응가스를 공급할 수 있다.
이때, 상기 제2반응가스 공급단계(S223)에서 공급되는 제2반응가스는 상술한 바와 같이 RF전력이 인가되어 플라즈마에 의해 활성화될 수 있음은 물론이다.
제2반응가스 퍼지단계(S224)는, 상기 제2반응가스를 퍼지하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
여기서 퍼지가스는, 상기 제2반응가스를 퍼지하는 구성으로서, 다양한 시간 및 공급량으로 공급될 수 있으며, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 퍼지가스는, 다양한 가스가 사용될 수 있으며, 예를 들어 아르곤(Ar)을 포함하는 가스가 사용될 수 있다.
그리고, 상기 제2시즈닝단계(S220)는, 다양한 압력조건에서 수행될 수 있으며, 예를 들어, 1 Torr 내지 10 Torr의 압력에서 수행될 수 있다.
한편, 본 발명의 챔버 시즈닝 방법에 의하여 형성된 시즈닝박막(200)이 건식세정으로 용이하게 세정됨은 도 5a 내지 도 7b의 이미지를 통하여 보다 명확하게 확인할 수 있다.
여기서, 도 5a 및 도 5b는 샤워헤드를, 도 6a 및 도 6b는 챔버 내부면을, 도 7a 및 도 7b는 pumping line의 shaft의 건식세정이후의 모습을 보여주는 이미지로서, 이때 도 5a, 도 6a 및 도 7a는 종래 시즈닝박막(TiO2)이 증착 된 경우이며, 도 5b, 도 6b 및 도 7b는 본 발명의 챔버 시즈닝 방법을 사용하여 형성된 시즈닝박막(SiO2+TiO2)이 증착 된 경우이다.
즉, 도 5a, 도 6a 및 도 7a에서는 샤워헤드, 챔버 내부면 및 pumping line의 shaft 표면에 깨끗하게 세정되지 않아 고착화된 TiO2 박막이 검게 남아있는 반면, 도 5b, 도 6b 및 도 7b에서는 고착화된 SiO2 및 TiO2 박막이 보이지 않으므로 본 발명에 따른 시즈닝단계(S200)로 형성된 시즈닝박막(200)이 세정이 용이함을 확인할 수 있었다.
한편, 본 발명은 도 9a에 도시된 바와 같이, 기판상에 박막을 형성하여 반도체 소자를 제조하는 기판처리방법에 있어서, 챔버(10) 내부에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S10)와; 상기 챔버(10) 내부에 배치된 기판상에 박막을 형성하는 기판처리단계(S20)와; 상기 기판처리단계(S20)를 미리 설정된 설정횟수만큼 수행한 후 상기 챔버(10) 내부를 세정하는 세정단계(S30)를 포함하며; 상기 시즈닝단계(S10)는, 상술한 챔버 시즈닝 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.
이때, 상기 기판처리방법은, Z(Z≥1)회 이상 반복수행 될 수 있으며, 예를 들어, 상기 시즈닝단계(S10), 상기 기판처리단계(S20) 및 상기 세정단계(S30)가 순차적으로 진행된 후 다시 시즈닝단계(S10)로 돌아가 Z(Z≥1)회 이상 반복수행 될 수 있음은 물론이다.
여기서 시즈닝단계(S10)는, 세정된 상기 챔버(10) 내부에 시즈닝박막(200)을 형성하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 시즈닝단계(S10)는, 건식세정이 용이한 제1시즈닝박막(210) 및 제2시즈닝박막(220)을 포함하는 시즈닝박막(200)을 형성하는 단계로서 앞서 설명한 다양한 실시예들을 이용할 수 있다.
여기서 기판처리단계(S20)는, 상기 챔버(10) 내부에 배치된 기판상에 박막을 형성하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들어, 상기 기판처리단계(S20)는, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10) 내부로 기판을 로딩하는 기판로딩단계(S21)와; 상기 기판상에 박막을 증착하기 위하여 하나 이상의 가스를 공급하는 가스 공급단계(S22)와; 상기 기판을 상기 챔버(10) 내부로부터 언로딩하는 기판언로딩단계(S23)를 포함할 수 있으며, 적어도 K(K≥1)회 이상 반복수행 될 수 있다.
즉, 상기 기판처리단계(S20)는, 상기 시즈닝단계(S10) 및 상기 세정단계(S30) 사이에서, 박막이 형성된 일정매수의 기판을 생성하기 위하여 미리 설정된 설정횟수, 즉 K(K≥1)회 이상 반복수행 될 수 있다.
여기서, 기판처리공정의 대상인 기판은 식각, 증착 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
특히 상기 기판은, 증착공정에 의하여 박막이 표면에 형성된 후 박막 특성의 개선을 요하는 기판이면 어떠한 기판도 가능하다.
또한, 상기 기판에 형성된 박막의 종류는 다양할 수 있으며, 예를 들어, 금속을 포함하는 박막일 경우, Ti, TiN, W, WN 및 Ru 등을 포함할 수 있다.
여기서 상기 박막은, PVD, CVD, PECVD, ALD 및 PEALD 등 다양한 증착공정을 통해 수행될 수 있으며, 바람직하게는 PEALD 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 기판로딩단계(S21)는, 상기 챔버(10) 내부로 기판을 로딩하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉 상기 기판로딩단계(S21)는, 상기 챔버(10) 외부로부터 상기 챔버(10) 내부로 기판을 로딩하는 단계로서, 이때 기판은 챔버(10)의 종류에 따라 1개 또는 복수개 로딩될 수 있다.
상기 가스 공급단계(S22)는, 상기 기판상에 박막을 증착하기 위하여 하나 이상의 가스를 공급하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 가스 공급단계(S22)는, ALD, CVD 등 다양한 공정방식에 의하여 수행될 수 있으며, 예를 들어 ALD공정으로 수행되는 경우, 상기 가스는 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스가 사용될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급단계(S22)는, 공정방식에 따라 W(W≥1)회 이상 반복수행 될 수도 있으며, 예를 들어 ALD 공정으로 수행되는 경우, 소스가스 공급, 소스가스 퍼지, 반응가스 공급 및 반응가스 퍼지를 포함하는 단계가 W(W≥1)회 이상 반복수행 될 수 있음은 물론이다.
상기 기판언로딩단계(S23)는, 상기 기판을 상기 챔버(10) 내부로부터 언로딩하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉 상기 기판언로딩단계(S23)는, 상기 챔버(10) 내부로부터 상기 챔버(10) 외부로 기판을 언로딩하는 단계로서, 이때 기판은 챔버(10)의 종류에 따라 1개 또는 복수개 언로딩될 수 있다.
여기서 세정단계(S30)는, 상기 기판처리단계(S20)를 미리 설정된 설정횟수만큼 수행한 후 세정가스를 이용하여 챔버(10) 내부를 세정하는 단계로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들어, 상기 세정단계(S100)는, 기판처리장치를 분해 및 결합시킴 없이, 부식성 세정가스를 이용하여 챔버(10) 내부의 반응 생성물을 제거하는 건식세정(Dry cleaning)방법과 기판처리장치를 분해 및 결합시키며 알코올과 같은 휘발성 물질을 사용하여 챔버(10) 내부에 증착된 반응 생성물을 세정하는 습식세정(Wet cleaning)방법으로 나뉠 수 있다.
여기서 건식세정(Dry cleaning)의 경우, 상기 세정가스는 다양한 가스가 사용될 수 있다.
예를 들어 상기 세정가스는, 할로겐 원소(F,Cl,Br,I,At)를 포함하는 가스일 수 있다.
구체적으로, 상기 세정가스는, 불소(F)를 함유하는 가스일 수 있고, 보다 구체적으로 NF3, C2F6, CF4, F2, CHF3 , SF6 및 ClF3 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 세정가스는, 플라즈마 활성화될 수 있으며, 예를 들어, 외부에 마련된 리모트 플라즈마 발생기(RPG, Remote Plasma Generator)에서 세정가스를 플라즈마 상태로 활성화시킨 뒤, 챔버 내부에 공급될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시 예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시 예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
S210 : 제1시즈닝 단계 S220 : 제2시즈닝 단계

Claims (21)

  1. 기판처리공정 중 챔버(10) 내부에서 공정가스에 노출되는 부분에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S200)를 포함하는 챔버 시즈닝 방법으로서,
    상기 시즈닝단계(S200)는,
    세정가스에 의하여 제거가 용이한 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 제1시즈닝단계(S210)와;
    상기 제1시즈닝박막(210) 상에 상기 기판처리공정 수행에 의하여 기판에 형성되는 박막의 물질과 동일한 물질을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 제2시즈닝단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1시즈닝단계(S210)는, 제1소스가스 및 제1반응가스를 공급하여 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성하며;
    상기 제2시즈닝단계(S220)는, 제2소스가스 및 제2반응가스를 공급하여 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1시즈닝단계(S210)는, CVD 공정으로 수행되며,
    상기 챔버(10) 내부에 상기 제1소스가스 및 상기 제1반응가스를 동시에 공급함으로써 상기 제1시즈닝박막(210)을 형성하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2시즈닝단계(S220)는, CVD 공정으로 수행되며,
    상기 챔버(10) 내부에 상기 제2소스가스 및 상기 제2반응가스를 동시에 공급함으로써 상기 제2시즈닝박막(220)을 형성하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1시즈닝단계(S210)는, ALD 공정으로 수행되며,
    상기 챔버(10) 내부에 상기 제1소스가스를 공급하는 제1소스가스 공급단계(S211)와;
    상기 제1소스가스를 퍼지하는 제1소스가스 퍼지단계(S212)와;
    상기 챔버(10) 내부에 상기 제1반응가스를 공급하는 제1반응가스 공급단계(S213)와;
    상기 제1반응가스를 퍼지하는 제1반응가스 퍼지단계(S214)를 포함하는 단계로서,
    상기 제1시즈닝단계(S210)는, N회(N≥1)이상 반복수행되는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2시즈닝단계(S220)는, ALD 공정으로 수행되며,
    상기 제1시즈닝박막(210)이 형성된 상기 챔버(10) 내부에 상기 제2소스가스를 공급하는 제2소스가스 공급단계(S221)와;
    상기 제2소스가스를 퍼지하는 제2소스가스 퍼지단계(S222)와;
    상기 챔버(10) 내부에 상기 제2반응가스를 공급하는 제2반응가스 공급단계(S223)와;
    상기 제2반응가스를 퍼지하는 제2반응가스 퍼지단계(S224)를 포함하는 단계로서,
    상기 제2시즈닝단계(S220)는, M회(M≥1)이상 반복수행되는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1반응가스 및 상기 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는 산소(O)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1소스가스, 제2소스가스, 제1반응가스 및 상기 제2반응가스 중 적어도 어느 하나는, RF전원이 인가되어 플라즈마 상태로 활성화되는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 RF전원은, HF전원인 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1시즈닝단계(S210) 및 상기 제2시즈닝단계(S220) 중 적어도 어느 하나는, 1 Torr 내지 10 Torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  11. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1소스가스는, 실리콘(Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1소스가스는, DIPAS(Diisoprophylamino Silane), BDEAS(Bis-Diethylamino Silane) 및 DDS(Dichloro dimethyl silane) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  13. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2소스가스는, 티타늄(Ti)을 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2소스가스는, TDMAT(Tetrakis-dimethylamino Titanium), TiCl4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 챔버 시즈닝 방법.
  15. 청구항 제1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 따른 챔버 시즈닝 방법에 의하여 형성되는 시즈닝박막(200)에 있어서,
    상기 시즈닝박막(200)은,
    실리콘(Si)을 포함하는 제1시즈닝박막(210)과;
    제1시즈닝박막(210)상에 형성되며, 티타늄(Ti)을 포함하는 제2시즈닝박막(220)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시즈닝박막(200).
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제1시즈닝박막(210)은, SiO2, SiON 및 a-Si 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 시즈닝박막(200).
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 제2시즈닝박막(220)은, TiO2, Ta2O3 및 TiN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 시즈닝박막(200).
  18. 기판상에 박막을 형성하여 반도체 소자를 제조하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 기판처리방법은,
    챔버(10) 내부에 시즈닝박막(200)을 형성하는 시즈닝단계(S10)와;
    상기 챔버(10) 내부에 배치된 기판상에 박막을 형성하는 기판처리단계(S20)와;
    상기 기판처리단계(S20)를 미리 설정된 설정횟수만큼 수행한 후 상기 챔버(10) 내부를 세정하는 세정단계(S30)를 포함하며;
    상기 시즈닝단계(S10)는,
    청구항 제1항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 따른 챔버 시즈닝 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 세정단계(S30)는,
    상기 챔버(10)의 내부에 플라즈마 활성화된 세정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 세정가스는, 할로겐 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 기판처리단계(S20)는,
    상기 챔버(10) 내부로 기판을 로딩하는 기판로딩단계(S21)와;
    상기 기판상에 박막을 증착하기 위하여 하나 이상의 가스를 공급하는 가스 공급단계(S22)와;
    상기 기판을 상기 챔버(10) 내부로부터 언로딩하는 기판언로딩단계(S23)를 포함하는 단계로서,
    상기 기판처리단계(S20)는, 적어도 K(K≥1)회 이상 반복수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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