KR20220123577A - Method for integrating work and sheet material, apparatus for integrating work and sheet material, and manufacturing method of semiconductor products - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 반도체 칩 또는 전자 부품 등이 탑재되어 있는, 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라 함) 또는 기판을 예로 하는 워크에 대하여, 테이프상의 점착재를 예로 하는 시트재를 첩부하여 일체화시켜, 반도체 제품을 제조하기 위해 사용하는 워크와 시트재의 일체화 방법, 워크와 시트재의 일체화 장치, 및 반도체 제품의 제조 방법에 관한 것이다.According to the present invention, a semiconductor wafer (hereinafter, appropriately referred to as "wafer") or a substrate on which a semiconductor chip or electronic component is mounted is integrated by attaching a sheet material such as a tape-like adhesive material as an example. , a method for integrating a work and a sheet material used for manufacturing a semiconductor product, an apparatus for integrating a work and a sheet material, and a method for manufacturing a semiconductor product.
웨이퍼의 표면에 회로 패턴이 형성된 후, 백그라인드 공정에 의해 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 또한 다이싱 공정에 의해 당해 웨이퍼를 다수의 칩 부품으로 분단한다.After a circuit pattern is formed on the surface of the wafer, the back surface of the wafer is ground by a backgrind process, and the wafer is divided into a plurality of chip components by a dicing process.
이면 연삭의 공정에서는, 웨이퍼의 이면 외주를 남기고 중앙 부분만을 연삭하고, 백그라인드 영역을 둘러싸도록 웨이퍼의 이면 외주에 환상 볼록부를 형성시키는 경우가 있다.In the process of back surface grinding, in some cases, an annular convex portion is formed on the outer periphery of the back surface of the wafer so as to surround the backgrind region by grinding only the central portion while leaving the outer periphery of the back surface of the wafer.
이 경우, 웨이퍼의 중앙부를 박형화한 경우라도 환상 볼록부에 의해 보강되므로 취급 시에 변형 등이 발생하는 것을 피할 수 있다. 백그라인드 공정 후, 링 프레임의 중앙에 환상 볼록부를 갖는 웨이퍼를 적재시키고, 링 프레임과 웨이퍼의 이면에 걸쳐 지지용의 점착 테이프(다이싱 테이프)를 첩부한다. 다이싱 테이프를 첩부하여 웨이퍼와 다이싱 테이프를 일체화시킴으로써 마운트 프레임이 작성되어, 다이싱 공정으로 제공된다.In this case, even when the central portion of the wafer is reduced in thickness, since it is reinforced by the annular convex portion, it is possible to avoid occurrence of deformation or the like during handling. After the backgrinding step, a wafer having an annular convex portion is placed in the center of the ring frame, and an adhesive tape (dicing tape) for support is affixed over the ring frame and the back surface of the wafer. A mount frame is created by affixing a dicing tape and integrating a wafer and a dicing tape, and it is provided in a dicing process.
환상 볼록부에 의해 단차가 형성된 웨이퍼에 대해, 다이싱 테이프를 예로 하는 점착 시트를 첩부하는 방법의 일례로서는, 다음과 같은 것이 제안되어 있다. 즉, 상하 한 쌍의 하이징으로 이루어지는 챔버의 접합 부분에 점착 시트를 끼워 넣는다. 그리고 챔버 내를 감압하여, 당해 점착 시트에 의해 칸막이된 2개의 공간에 차압을 발생시킴과 함께, 당해 점착 테이프를 요입 만곡시켜 웨이퍼 이면에 점착 시트를 첩부하는 처리를 행한다. 또한 챔버에 있어서의 차압을 해소시킨 후, 환상 볼록부의 내측 코너부에서 다 접착되지 않고 들떠 있는 점착 시트에 제1 압박 부재로부터 기체를 공급함으로써 2회째의 첩부 처리를 행하고 있다(특허문헌 1을 참조).The following is proposed as an example of the method of sticking the adhesive sheet using the dicing tape as an example with respect to the wafer in which the level|step difference was formed by the annular convex part. That is, the pressure-sensitive adhesive sheet is sandwiched in the joint portion of the chamber formed of a pair of upper and lower hyging. And while pressure-reducing the inside of a chamber and generating a differential pressure|voltage in the two spaces partitioned by the said adhesive sheet, the said adhesive tape is concave-shaped, and the process which affixes an adhesive sheet on the wafer back surface is performed. Further, after relieving the pressure differential in the chamber, the second sticking process is performed by supplying a gas from the first pressing member to the adhesive sheet floating without being fully adhered at the inner corner of the annular convex portion (refer to Patent Document 1). ).
또한, 점착 시트를 첩부하는 처리를 디바이스 밀봉 공정으로 전용하는 시도가 이루어지고 있다. 즉, BGA(Ball grid array) 패키지를 예로 하는 전자 제품의 제조 공정에 있어서는, 웨이퍼 또는 기판을 예로 하는 워크의 표면에 탑재되어 있는, 반도체 칩을 예로 하는 디바이스를, 수지 조성물 등의 밀봉 재료에 의해 밀봉하여 패키지화하는 공정이 행해진다.Moreover, the trial which diverts the process of affixing an adhesive sheet to a device sealing process is made|formed. That is, in the manufacturing process of an electronic product such as a BGA (Ball grid array) package, a device such as a semiconductor chip mounted on the surface of a work such as a wafer or a substrate as an example is made of a sealing material such as a resin composition. The process of sealing and packaging is performed.
종래는, 디바이스가 탑재되어 있는 워크를 배치시킨 금형의 내부에 액체 상태의 수지를 유입한 후, 수지를 열경화시켜 디바이스를 밀봉하는 방법 등이 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 2를 참조). 이에 반해, 점착력을 갖는 시트상의 디바이스 밀봉재를 상하 한 쌍의 하우징에 의해 사이에 끼워 넣음으로써 형성된 챔버의 내부에 워크를 배치하고, 챔버의 내부에 차압을 발생시킴으로써 워크상의 디바이스를 디바이스 밀봉재의 점착 시트로 밀봉하여 양자를 일체화하는 방법이 본 출원인에 의해 별도로 제안되어 있다.Conventionally, a method in which a liquid resin is poured into a mold in which a workpiece on which a device is mounted is placed, then thermosets the resin to seal the device, etc. (for example, refer to Patent Document 2) . On the other hand, the workpiece is placed inside a chamber formed by sandwiching a sheet-like device sealing material having an adhesive force by a pair of upper and lower housings, and a differential pressure is generated inside the chamber to convert the device on the workpiece into an adhesive sheet of a device sealing material. A method of integrating both by sealing with a , has been separately proposed by the present applicant.
그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다. 즉, 종래의 방법에서는, 점착 시트 또는 시트상 밀봉재를 예로 하는 시트재를 워크에 첩부하고 나서 시간이 경과함에 따라, 밀착성이 저하되어, 워크로부터 시트재가 박리될 우려가 발생한다. 또한, 시트재를 워크에 첩부할 때에 있어서 워크에 균열, 결함 또는 변형 등의 손상이 발생한다는 과제도 새롭게 발생한다.However, the conventional method has the following problems. That is, in the conventional method, as time elapses after affixing the sheet|seat material which makes an adhesive sheet or a sheet-like sealing material as an example to a work, adhesiveness falls and a possibility arises that a sheet|seat material may peel from a work. Moreover, when affixing a sheet|seat material to a workpiece|work, the subject that damage, such as a crack, a defect, or deformation|transformation, generate|occur|produces in a workpiece|work also arises newly.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 워크에 시트재를 첩부하여 일체화시켜 반도체 제품을 제조시킬 때에 있어서, 워크에 손상이 발생하는 것을 보다 확실하게 피하면서, 시트재와 워크의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있는 워크와 시트재의 일체화 방법, 워크와 시트재의 일체화 장치, 및 반도체 제품의 제조 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and in manufacturing a semiconductor product by attaching and integrating the sheet material to the work, while more reliably avoiding the occurrence of damage to the work, the adhesion between the sheet material and the work is improved. A main object is to provide a method for integrating a work and a sheet material that can be improved, an apparatus for integrating a work and a sheet material, and a method for manufacturing a semiconductor product.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
즉, 본 발명은, 상부 챔버와 하부 챔버를 구비한 챔버의 내부 공간에서, 워크와 시트재를 일체화시키는 워크와 시트재의 일체화 방법이며,That is, the present invention is a method for integrating a work and a sheet material for integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어, 상기 챔버의 내부 공간을 상기 워크가 배치되는 하부 공간과, 상기 시트재를 개재하여 상기 하부 공간과 대향하는 상부 공간으로 구획하는 상하 공간 형성 과정과,By sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the inner space of the chamber is divided into a lower space in which the work is disposed and an upper space facing the lower space through the sheet material. The process of forming upper and lower space,
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 과정과,By depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, the sheet material is brought into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber, so that the sheet material is removed from the sheet material. A first integration process of attaching to the work;
제1 일체화 과정 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차를 조정하는 압력차 조정 과정과,After the first integration process, a pressure difference adjustment process for adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber;
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 과정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.and a second integration process of bringing the sheet material into close contact with the work by raising the pressure of the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure in a state in which the pressure difference is adjusted.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 상하 공간 형성 과정에서 시트재에 의해 챔버의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 구획한 후, 제1 일체화 과정에 있어서 시트재를 워크에 접촉시킨다. 제1 일체화 과정에서는 챔버의 내부를 감압시키므로, 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압을 사용하여 시트재를 워크에 접촉시킬 때 시트재와 워크 사이에 기포가 혼입되는 것을 피할 수 있다.(Operation/Effect) According to this structure, after dividing the inner space of a chamber into a lower space and an upper space by a sheet|seat material in the up-and-down space formation process, in a 1st integration process, the sheet|seat material is made to contact a workpiece|work. Since the inside of the chamber is depressurized in the first integration process, it is possible to avoid mixing of air bubbles between the sheet material and the work when the sheet material is brought into contact with the work using the differential pressure formed between the upper space and the lower space.
또한, 제2 일체화 과정에서는 챔버의 내부 공간을 대기압 이상의 압력으로 높이므로, 워크에 접촉한 시트재와 워크 사이에 강한 압박력이 작용한다. 그 결과, 시트재와 워크의 밀착성을 크게 향상시킬 수 있으므로, 시트재를 워크에 첩부하고 나서 시간이 경과해도 워크로부터 시트재가 박리된다는 사태는 방지된다.In addition, in the second integration process, since the internal space of the chamber is raised to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure, a strong pressing force acts between the sheet material in contact with the work and the work. As a result, since the adhesiveness of a sheet|seat material and a workpiece|work can be improved significantly, even if time passes after sticking a sheet|seat material to a workpiece|work, the situation in which a sheet|seat material peels from a workpiece|work is prevented.
그리고, 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정하는 압력차 조정 과정이 제2 일체화 과정 전에 행해진다. 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 일체화 과정에서는 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정되어 있는 상태에서 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높일 수 있다. 그 때문에, 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압함으로써 상부 공간과 하부 공간 사이에 큰 압력차가 발생하고, 당해 압력차에 기인하여 균열, 결함 또는 변형을 예로 하는 손상이 워크에 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재를 일체화시키는 과정에 있어서, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다.Then, a pressure difference adjustment process of adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space to be less than or equal to a predetermined value is performed before the second integration process. By performing the pressure difference adjustment process, in the second integration process, the pressure in the internal space of the chamber can be increased to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference between the upper space and the lower space is adjusted to be less than or equal to a predetermined value. Therefore, it is possible to avoid a situation in which a large pressure difference is generated between the upper space and the lower space by pressurizing the inner space of the chamber to atmospheric pressure or higher, and damage such as cracks, defects or deformation occurs in the workpiece due to the pressure difference. have. Accordingly, in the process of integrating the work and the sheet material, damage to the work can be avoided while increasing the adhesion between the work and the sheet material.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 압력차 조정 과정은, 상기 시트재에 관통 구멍을 형성시킴으로써, 상기 관통 구멍을 통해 상기 상부 공간과 상기 하부 공간을 연통시키는 것이 바람직하다.Further, in the above-described invention, in the pressure difference adjustment process, it is preferable that the upper space and the lower space communicate through the through hole by forming a through hole in the sheet material.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 압력차 조정 과정에 있어서 시트재에 관통 구멍을 형성시킨다. 즉 압력차 조정 과정이 행해짐으로써, 관통 구멍을 통해 상부 공간과 하부 공간이 연통되므로, 상부 공간의 기압과 하부 공간의 기압 사이에 치우침이 발생하였다고 해도 관통 구멍을 통해 상부 공간과 하부 공간 사이에서 기체가 유통됨으로써 당해 치우침은 빠르게 해소된다. 제2 일체화 과정에서는 관통 구멍이 형성된 상태에서 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압하므로, 보다 확실하게 상부 공간과 하부 공간 사이에 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키면서 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압할 수 있다.(Action/Effect) According to this structure, a through hole is formed in a sheet|seat material in a pressure difference adjustment process. That is, as the pressure difference adjustment process is performed, the upper space and the lower space communicate through the through hole, so even if a bias occurs between the atmospheric pressure in the upper space and the lower space, the gas is transferred between the upper space and the lower space through the through hole. This bias is quickly resolved by the distribution of In the second integration process, since the internal space of the chamber is pressurized to atmospheric pressure or higher while the through-hole is formed, the pressure difference occurring between the upper space and the lower space is more reliably suppressed to a predetermined value or less and the internal space of the chamber is lowered to atmospheric pressure or higher. can be pressurized.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 압력차 조정 과정은, 적어도 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간 중 한쪽의 압력을 단계적으로 상승시키도록 제어함으로써 상기 압력차를 유지시키는 것이 바람직하다.Further, in the above-described invention, it is preferable that the pressure difference adjustment process maintains the pressure difference by controlling at least one of the upper space and the lower space to increase the pressure in stages.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 일체화 과정에서는 적어도 상부 공간 및 하부 공간 중 한쪽의 압력을 단계적으로 상승시키도록 제어하면서, 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압한다. 적어도 상부 공간 및 하부 공간 중 한쪽의 압력을 단계적으로 상승시킴으로써, 상부 공간과 하부 공간 사이에 발생하는 압력차가 소정값보다 커지는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 보다 확실하게 상부 공간과 하부 공간 사이에 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키면서 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압할 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, by performing the pressure difference adjustment process, in the second integration process, the internal space of the chamber is raised to atmospheric pressure or higher while controlling to increase the pressure of at least one of the upper space and the lower space in stages. pressurize By increasing the pressure of at least one of the upper space and the lower space in stages, it is possible to prevent the pressure difference occurring between the upper space and the lower space from becoming larger than a predetermined value. Accordingly, it is possible to pressurize the inner space of the chamber to atmospheric pressure or more while more reliably suppressing the pressure difference generated between the upper space and the lower space to a predetermined value or less.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 챔버는, 상기 상부 공간의 압력을 조정하는 제1 변압 기구와, 상기 하부 공간의 압력을 조정하는 제2 변압 기구와, 상기 제1 변압 기구 및 상기 제2 변압 기구를 독립적으로 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 압력차 조정 과정은, 상기 제어부가 상기 제1 변압 기구 및 상기 제2 변압 기구를 독립적으로 제어함으로써, 상기 압력차를 유지시키면서 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간의 압력을 상승시키는 것이 바람직하다.Further, in the above-described invention, the chamber includes a first transforming mechanism for adjusting the pressure in the upper space, a second transforming mechanism for adjusting the pressure in the lower space, and the first transforming mechanism and the second transforming mechanism. and a control unit for independently controlling a mechanism, wherein the pressure difference adjustment process includes the control unit independently controlling the first and second transformation mechanisms, thereby maintaining the pressure difference while maintaining the pressure difference between the upper space and the lower portion. It is desirable to increase the pressure in the space.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 상부 공간의 압력을 조정하는 제1 변압 기구와 하부 공간의 압력을 조정하는 제2 변압 기구를 구비한다. 그리고 제어부는 제1 변압 기구 및 제2 변압 기구를 독립적으로 제어함으로써, 상부 공간의 압력과 하부 공간의 압력을 독립적으로 조정할 수 있다. 그 때문에, 압력차 조정 과정에 있어서 제어부가 제1 변압 기구 및 제2 변압 기구를 독립적으로 제어함으로써, 제2 일체화 과정에서는 보다 확실하게 상부 공간과 하부 공간 사이에 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키면서 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압할 수 있다.(Action/Effect) According to this structure, the 1st pressure-transformation mechanism which adjusts the pressure of an upper space, and the 2nd pressure-transformation mechanism which adjusts the pressure of the lower space are provided. In addition, the control unit may independently control the pressure of the upper space and the pressure of the lower space by independently controlling the first and second transforming mechanisms. Therefore, in the process of adjusting the pressure difference, the control unit independently controls the first and second transforming mechanisms, thereby more reliably reducing the pressure difference between the upper space and the lower space to a predetermined value or less in the second integration process. It is possible to pressurize the inner space of the chamber above atmospheric pressure while suppressing it.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 제1 일체화 과정에서는, 상기 시트재를 상기 워크를 향하여 볼록상으로 변형시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시키는 것이 바람직하다.Further, in the invention described above, in the first integration process, it is preferable to make the sheet material contact the work by deforming the sheet material in a convex shape toward the work.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 시트재를 워크를 향하여 볼록상으로 변형시키므로, 시트재는 1점으로부터 방사상으로 확대되도록 워크에 접촉시킬 수 있다. 그 때문에, 시트재를 워크에 접촉시킬 때 기포가 혼입되는 것을 피할 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, since the sheet material is deformed convexly toward the work, the sheet material can be brought into contact with the work so as to expand radially from one point. Therefore, it is possible to avoid mixing of air bubbles when the sheet material is brought into contact with the work.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 시트재는, 상기 워크에 따른 소정 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, it is preferable that the said sheet|seat material has a predetermined shape according to the said workpiece|work.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 시트재는, 워크에 따른 소정 형상을 미리 갖고 있다. 그 때문에, 워크의 형상에 따라서 시트재를 적절하게 워크에 접촉시킬 수 있다. 또한, 시트재를 적절한 소정 형상으로 절단하는 등의 공정이 불필요하게 되므로, 시트재와 워크를 일체화시키는 공정을 단축화할 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, the sheet material has a predetermined shape corresponding to the work in advance. Therefore, according to the shape of a workpiece|work, a sheet|seat material can be made to contact a workpiece|work appropriately. Moreover, since the process of cutting|disconnecting a sheet material into an appropriate predetermined shape becomes unnecessary, the process of integrating a sheet|seat material and a workpiece|work can be shortened.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 시트재는 긴 반송용 시트에 보유 지지되어 있고, 상기 상부 하우징의 내부에 배치되어 있는 시트상의 탄성체를 구비하고, 상기 상하 공간 형성 과정에 있어서 상기 상부 하우징과 상기 하부 하우징에 의해 상기 반송용 시트를 사이에 끼워 넣음으로써, 상기 반송용 시트 중 상기 시트재를 보유 지지하고 있지 않은 면에 상기 시트상의 탄성체가 맞닿도록, 상기 시트상의 탄성체는 배치되는 것이 바람직하다.Further, in the above-described invention, the sheet material is held by a long conveyance sheet and includes a sheet-like elastic body disposed inside the upper housing, and in the upper and lower space forming process, the upper housing and the lower part Preferably, the sheet-like elastic body is arranged so that the sheet-like elastic body is in contact with a surface of the conveying sheet that does not hold the sheet material by sandwiching the conveying sheet with a housing.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 제1 일체화 과정에 있어서, 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성되는 차압에 의해 시트상의 탄성체는 전체에 걸쳐, 보다 균일한 만곡율로 볼록상으로 변형된다. 그 때문에, 시트재는 워크의 면의 형상에 따라서 변형되기 쉬워지므로, 워크에 대한 시트재의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다. 따라서, 워크와 일체화시킨 시트재가 시간의 경과와 함께 워크로부터 박리되는 사태를 보다 확실하게 피할 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, in the first integration process, the sheet-like elastic body is deformed convexly with a more uniform curvature over the whole by the differential pressure formed between the upper space and the lower space. Therefore, since a sheet material becomes easy to deform|transform according to the shape of the surface of a workpiece|work, the adhesiveness of the sheet|seat material with respect to a workpiece|work can be improved more. Therefore, the situation in which the sheet|seat material integrated with the workpiece|work peels from a workpiece|work over time can be avoided more reliably.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 워크는 한쪽의 면의 외주에 환상 볼록부를 갖고, 상기 시트재는 상기 워크 중 상기 환상 볼록부가 형성되어 있는 면에 밀착되는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, it is preferable that the said work has an annular convex part on the outer periphery of one surface, and the said sheet|seat material is closely_contact|adhered to the surface in which the said cyclic|annular convex part is formed among the said workpiece|work.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 한쪽의 면의 외주에 환상 볼록부를 갖는 워크 중 환상 볼록부가 형성되어 있는 면에 대해 시트재를 밀착시킴으로써 워크와 시트재를 일체화시킨다. 일반적으로 환상 볼록부를 갖는 워크에 시트재를 일체화시키는 경우, 환상 볼록부의 내측 코너부는 압력이 집중되기 쉬운 부분이므로 파손이 발생하기 쉽고, 또한 시트재는 환상 볼록부의 내측 코너부로부터 박리되기 쉽다.(Operation and Effect) According to this configuration, the work and the sheet material are integrated by bringing the sheet material into close contact with the surface on which the annular convex portion is formed among the workpieces having the annular convex portion on the outer periphery of one surface. In general, when a sheet material is integrated into a work having an annular convex portion, the inner corner portion of the annular convex portion is a portion where pressure is likely to be concentrated, and thus breakage is likely to occur, and the sheet material is liable to peel from the inner corner portion of the annular convex portion.
본 발명에서는 제1 일체화 과정, 압력차 조정 과정 및 제2 일체화 과정을 행하므로, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다. 그 때문에, 외주에 환상 볼록부를 갖는 워크에 시트재를 일체화시키는 경우에도, 워크에 손상이 발생하는 사태와 시트재가 워크로부터 박리되는 사태의 양쪽을 방지할 수 있다. 따라서, 한쪽의 면의 외주에 환상 볼록부를 갖는 워크에 대해 보다 적합하게 시트재를 일체화시킬 수 있다.In the present invention, since the first integration process, the pressure difference adjustment process, and the second integration process are performed, damage to the workpiece can be avoided while increasing the adhesion between the workpiece and the sheet material. Therefore, even when the sheet material is integrated into the work having the annular convex portion on the outer periphery, both the situation in which the work is damaged and the situation in which the sheet material peels from the work can be prevented. Therefore, the sheet material can be more suitably integrated with the workpiece which has an annular convex part on the outer periphery of one surface.
또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 워크는 광학 소자를 탑재한 기판이며, 상기 시트재는 상기 워크 중 상기 광학 소자가 탑재된 면에 밀착되는 것이 바람직하다.Further, in the above invention, it is preferable that the work is a substrate on which the optical element is mounted, and the sheet material is in close contact with the surface on which the optical element is mounted among the work.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 광학 소자를 탑재한 기판의 광학 소자 탑재면에 대해 시트재를 밀착시킴으로써, 워크와 시트재를 일체화시킨다. 본 발명에서는 제1 일체화 과정, 압력차 조정 과정 및 제2 일체화 과정을 행하므로, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다. 따라서, 광학 소자를 탑재한 기판에 대해 보다 적합하게 시트재를 일체화시킬 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, the work and the sheet material are integrated by bringing the sheet material into close contact with the optical element mounting surface of the substrate on which the optical element is mounted. In the present invention, since the first integration process, the pressure difference adjustment process, and the second integration process are performed, damage to the workpiece can be avoided while increasing the adhesion between the workpiece and the sheet material. Therefore, the sheet material can be more suitably integrated with respect to the board|substrate on which the optical element is mounted.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취해도 된다.In order to achieve such an object, this invention may take the following structure.
즉, 본 발명은, 상부 챔버와 하부 챔버를 구비한 챔버의 내부 공간에서, 워크와 시트재를 일체화시키는 워크와 시트재의 일체화 장치이며,That is, the present invention is an apparatus for integrating a work and a sheet material for integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
상기 워크를 보유 지지하는 보유 지지 테이블과,a holding table for holding the work;
상기 보유 지지 테이블을 수납하고, 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어 형성되는, 상기 시트재를 통해 상부 공간과 하부 공간으로 구획되는 챔버와,a chamber accommodating the holding table and formed by sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the chamber being divided into an upper space and a lower space through the sheet material;
상기 시트재를 공급하는 공급 기구와,a supply mechanism for supplying the sheet material;
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트상 밀봉재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 기구와,The sheet material is formed by depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, and bringing the sheet-like sealing material into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber. a first integration mechanism attached to the work;
상기 시트재가 상기 워크에 부착된 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차를 조정하는 차압 조정 기구와,a differential pressure adjusting mechanism for adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber after the sheet material is attached to the work;
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.and a second integration mechanism for bringing the sheet material into close contact with the work by raising the pressure in the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure in a state where the pressure difference is adjusted.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 시트재에 의해 하부 공간과 상부 공간으로 구획된 챔버에 있어서, 제1 일체화 기구는 시트재를 워크에 접촉시킨다. 이때 챔버의 내부가 감압되므로, 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압을 사용하여 시트재를 워크에 접촉시킬 때 시트재와 워크 사이에 기포가 혼입되는 것을 피할 수 있다.(Operation/Effect) According to this configuration, in the chamber divided into the lower space and the upper space by the sheet material, the first integration mechanism brings the sheet material into contact with the work. At this time, since the inside of the chamber is depressurized, it is possible to avoid mixing of air bubbles between the sheet material and the work when the sheet material is brought into contact with the work using the differential pressure formed between the upper space and the lower space.
또한, 제2 일체화 기구는 챔버의 내부 공간을 대기압 이상의 압력으로 높여 시트재와 워크를 일체화시키므로, 워크에 접촉한 시트재와 워크 사이에 강한 압박력이 작용한다. 그 결과, 시트재와 워크의 밀착성을 크게 향상시킬 수 있으므로, 시트재를 워크에 첩부하고 나서 시간이 경과해도 워크로부터 시트재가 박리된다는 사태가 방지된다.In addition, since the second integration mechanism raises the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure to integrate the sheet material and the work, a strong pressing force acts between the sheet material and the work in contact with the work. As a result, since the adhesiveness of a sheet|seat material and a work can be improved significantly, even if time passes after sticking a sheet|seat material to a work, the situation that a sheet|seat material peels from a work is prevented.
그리고, 차압 조정 기구가 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정한다. 즉, 차압 조정 기구가 미리 작동함으로써, 제2 일체화 기구는 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정되어 있는 상태에서 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 상승시킨다. 그 때문에, 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압함으로써 상부 공간과 하부 공간 사이에 큰 압력차가 발생하고, 당해 압력차에 기인하여 균열, 결함 또는 변형을 예로 하는 손상이 워크에 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재를 일체화시키는 과정에 있어서, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다.Then, the differential pressure adjusting mechanism adjusts the pressure difference between the upper space and the lower space to be less than or equal to a predetermined value. That is, when the differential pressure adjusting mechanism operates in advance, the second integrated mechanism increases the pressure in the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference between the upper space and the lower space is adjusted to be equal to or less than a predetermined value. Therefore, it is possible to avoid a situation in which a large pressure difference is generated between the upper space and the lower space by pressurizing the inner space of the chamber to atmospheric pressure or higher, and damage such as cracks, defects or deformation occurs in the workpiece due to the pressure difference. have. Accordingly, in the process of integrating the work and the sheet material, damage to the work can be avoided while increasing the adhesion between the work and the sheet material.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취해도 된다.In order to achieve such an object, this invention may take the following structure.
즉, 본 발명은, 상부 챔버와 하부 챔버를 구비한 챔버의 내부 공간에서, 워크와 시트재를 일체화시킴으로써 반도체 제품을 제조하는 반도체 제품의 제조 방법이며,That is, the present invention is a method of manufacturing a semiconductor product for manufacturing a semiconductor product by integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어, 상기 챔버의 내부 공간을 상기 워크가 배치되는 하부 공간과, 상기 시트재를 개재하여 상기 하부 공간과 대향하는 상부 공간으로 구획하는 상하 공간 형성 과정과,By sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the inner space of the chamber is divided into a lower space in which the work is disposed and an upper space facing the lower space through the sheet material. The process of forming upper and lower space,
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 과정과,By depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, the sheet material is brought into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber, so that the sheet material is removed from the sheet material. A first integration process of attaching to the work;
제1 일체화 과정 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 저감되도록 상기 챔버 내의 압력을 조정하는 압력차 조정 과정과,After the first integration process, a pressure difference adjustment process of adjusting the pressure in the chamber so that the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber is reduced;
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 과정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.and a second integration process of bringing the sheet material into close contact with the work by raising the pressure of the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure in a state in which the pressure difference is adjusted.
(작용·효과) 이 구성에 의하면, 상하 공간 형성 과정에서 시트재에 의해 챔버의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 구획한 후, 제1 일체화 과정에 있어서 시트재를 워크에 접촉시킨다. 제1 일체화 과정에서는 챔버의 내부를 감압시키므로, 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압을 사용하여 시트재를 워크에 접촉시킬 때 시트재와 워크 사이에 기포가 혼입되는 것을 피할 수 있다.(Operation/Effect) According to this structure, after dividing the inner space of a chamber into a lower space and an upper space by a sheet|seat material in the up-and-down space formation process, in a 1st integration process, the sheet|seat material is made to contact a workpiece|work. Since the inside of the chamber is depressurized in the first integration process, it is possible to avoid mixing of air bubbles between the sheet material and the work when the sheet material is brought into contact with the work using the differential pressure formed between the upper space and the lower space.
또한, 제2 일체화 과정에서는 챔버의 내부 공간을 대기압 이상의 압력으로 높이므로, 워크에 접촉한 시트재와 워크 사이에 강한 압박력이 작용한다. 그 결과, 시트재와 워크의 밀착성을 크게 향상시킬 수 있으므로, 시트재를 워크에 첩부하고 나서 시간이 경과해도 워크로부터 시트재가 박리된다는 사태는 방지된다.In addition, in the second integration process, since the internal space of the chamber is raised to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure, a strong pressing force acts between the sheet material in contact with the work and the work. As a result, since the adhesiveness of a sheet|seat material and a workpiece|work can be improved significantly, even if time passes after sticking a sheet|seat material to a workpiece|work, the situation in which a sheet|seat material peels from a workpiece|work is prevented.
그리고, 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정하는 압력차 조정 과정이 제2 일체화 과정 전에 행해진다. 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 일체화 과정에서는 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 소정값 이하가 되도록 조정되어 있는 상태에서 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높일 수 있다. 그 때문에, 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압함으로써 상부 공간과 하부 공간 사이에 큰 압력차가 발생하고, 당해 압력차에 기인하여 균열, 결함 또는 변형을 예로 하는 손상이 워크에 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재를 일체화시키는 과정에 있어서, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재가 일체화된 반도체 제품을 제조할 때에 있어서 워크가 손상된 불량품이 발생하는 것을 방지할 수 있음과 함께, 제조되는 반도체 제품의 품질을 보다 향상시킬 수 있다.Then, a pressure difference adjustment process of adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space to be less than or equal to a predetermined value is performed before the second integration process. By performing the pressure difference adjustment process, in the second integration process, the pressure in the internal space of the chamber can be increased to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference between the upper space and the lower space is adjusted to be less than or equal to a predetermined value. Therefore, it is possible to avoid a situation in which a large pressure difference is generated between the upper space and the lower space by pressurizing the inner space of the chamber to atmospheric pressure or higher, and damage such as cracks, defects or deformation occurs in the workpiece due to the pressure difference. have. Accordingly, in the process of integrating the work and the sheet material, damage to the work can be avoided while increasing the adhesion between the work and the sheet material. Therefore, when manufacturing the semiconductor product in which the workpiece|work and the sheet|seat material were integrated, while being able to prevent generation|occurrence|production of the defective product with which a workpiece|work was damaged, the quality of the semiconductor product manufactured can be improved more.
본 발명에 관한 워크와 시트재의 일체화 방법, 워크와 시트재의 일체화 장치, 및 반도체 제품의 제조 방법에 의하면, 상하 공간 형성 과정에서 시트재에 의해 챔버의 내부 공간을 하부 공간과 상부 공간으로 구획한 후, 제1 일체화 과정에 있어서 시트재를 워크에 접촉시킨다. 제1 일체화 과정에서는 챔버의 내부를 감압시키므로, 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압을 사용하여 시트재를 워크에 접촉시킬 때 시트재와 워크 사이에 기포가 혼입되는 것을 피할 수 있다.According to the method for integrating a work and a sheet material, an apparatus for integrating a work and a sheet material, and a method for manufacturing a semiconductor product according to the present invention, after dividing the inner space of the chamber into the lower space and the upper space by the sheet material in the process of forming the upper and lower spaces , the sheet material is brought into contact with the work in the first integration process. Since the inside of the chamber is depressurized in the first integration process, it is possible to avoid mixing of air bubbles between the sheet material and the work when the sheet material is brought into contact with the work using the differential pressure formed between the upper space and the lower space.
또한, 제2 일체화 과정에서는 챔버의 내부 공간을 대기압 이상의 압력으로 높이므로, 워크에 접촉한 시트재와 워크 사이에 강한 압박력이 작용한다. 그 결과, 시트재와 워크의 밀착성을 크게 향상시킬 수 있으므로, 시트재를 워크에 첩부하고 나서 시간이 경과해도 워크로부터 시트재가 박리된다는 사태는 방지된다.In addition, in the second integration process, since the internal space of the chamber is raised to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure, a strong pressing force acts between the sheet material in contact with the work and the work. As a result, since the adhesiveness of a sheet|seat material and a workpiece|work can be improved significantly, even if time passes after sticking a sheet|seat material to a workpiece|work, the situation in which a sheet|seat material peels from a workpiece|work is prevented.
그리고, 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차를 조정하는 압력차 조정 과정이 제2 일체화 과정 전에 행해진다. 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 일체화 과정에서는 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 조정되어 있는 상태에서 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높일 수 있다.Then, a pressure difference adjustment process for adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space is performed before the second integration process. By performing the pressure difference adjustment process, in the second integration process, the pressure in the internal space of the chamber can be increased to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference between the upper space and the lower space is adjusted.
그 때문에, 챔버의 내부 공간을 대기압 이상으로 가압함으로써 상부 공간과 하부 공간 사이에 큰 압력차가 발생하고, 당해 압력차에 기인하여 균열, 결함 또는 변형을 예로 하는 손상이 워크에 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재를 일체화시키는 과정에 있어서, 워크와 시트재의 밀착성을 높이면서 워크의 손상을 피할 수 있다. 따라서, 워크와 시트재가 일체화된 반도체 제품을 제조할 때에 있어서 워크가 손상된 불량품이 발생하는 것을 방지할 수 있음과 함께, 제조되는 반도체 제품의 품질을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, it is possible to avoid a situation in which a large pressure difference is generated between the upper space and the lower space by pressurizing the inner space of the chamber to atmospheric pressure or higher, and damage such as cracks, defects or deformation occurs in the workpiece due to the pressure difference. have. Accordingly, in the process of integrating the work and the sheet material, damage to the work can be avoided while increasing the adhesion between the work and the sheet material. Therefore, when manufacturing the semiconductor product in which the workpiece|work and the sheet|seat material were integrated, while being able to prevent generation|occurrence|production of the defective product with which a workpiece|work was damaged, the quality of the semiconductor product manufactured can be improved more.
도 1은 실시예 1에 관한 반도체 웨이퍼의 구성을 도시하는 도면이며, (a)는 반도체 웨이퍼의 일부 파단 사시도이고, (b)는 반도체 웨이퍼의 이면측의 사시도이며, (c)는 반도체 웨이퍼의 부분 종단면도이다.
도 2는 실시예 1에 관한 점착 시트의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3은 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치의 평면도이다.
도 4는 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치의 정면도이다.
도 5는 실시예 1에 관한 첩부 유닛의 정면도이다.
도 6은 실시예 1에 관한 챔버의 종단면도이다.
도 7은 실시예 1에 관한 시트 천공부의 사시도이다.
도 8은 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치의 동작을 설명하는 흐름도이다.
도 9는 실시예 1에 관한 마운트 프레임의 사시도이다.
도 10은 실시예 1에 관한 스텝 S2를 설명하는 도면이다.
도 11은 실시예 1에 관한 스텝 S3을 설명하는 도면이다.
도 12는 실시예 1에 관한 스텝 S3을 설명하는 도면이다.
도 13은 실시예 1에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 14는 실시예 1에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 15는 실시예 1에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 16은 실시예 1에 관한 스텝 S5를 설명하는 도면이다.
도 17은 실시예 1에 관한 스텝 S5에 있어서, 시트 천공부가 하강함으로써 형성된 관통 구멍의 위치를 설명하는 평면도이다.
도 18은 실시예 1에 관한 스텝 S5를 설명하는 도면이다.
도 19는 실시예 1에 관한 스텝 S5에 있어서, 시트 천공부가 회동함으로써 형성된 관통 구멍의 위치를 설명하는 평면도이다.
도 20은 실시예 1에 관한 스텝 S5를 설명하는 도면이다.
도 21은 실시예 1에 관한 스텝 S6을 설명하는 도면이다.
도 22는 실시예 1에 관한 스텝 S7을 설명하는 도면이다.
도 23은 실시예 1에 관한 스텝 S7을 설명하는 도면이다.
도 24는 실시예 1에 관한 스텝 S8을 설명하는 도면이다.
도 25는 비교예에 관한 챔버 내부의 가압 제어 패턴을 설명하는 그래프도이다.
도 26은 실시예 2에 관한 챔버 내부의 가압 제어 패턴을 설명하는 그래프도이다.
도 27은 실시예 3에 관한 챔버의 종단면도이다.
도 28은 실시예 3에 관한 스텝 S6을 설명하는 도면이다.
도 29는 실시예 3에 관한 챔버 내부의 압력의 변화를 설명하는 그래프도이다.
도 30은 실시예 4에 관한 챔버의 종단면도이다.
도 31은 실시예 5에 관한 밀봉 부재의 구성을 도시하는 도면이며, (a)는 밀봉 부재의 이면측의 사시도이고, (b)는 밀봉 부재의 종단면도이다.
도 32는 실시예 5에 관한 기판 및 링 프레임의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 33은 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치의 평면도이다.
도 34는 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치의 정면도이다.
도 35는 실시예 5에 관한 밀봉 유닛의 정면도이다.
도 36은 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치의 동작을 설명하는 흐름도이다.
도 37은 실시예 5에 관한 스텝 S2를 설명하는 도면이다.
도 38은 실시예 5에 관한 스텝 S2를 설명하는 도면이다.
도 39는 실시예 5에 관한 스텝 S3을 설명하는 도면이다.
도 40은 실시예 5에 관한 스텝 S3을 설명하는 도면이다.
도 41은 실시예 5에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 42는 실시예 5에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 43은 실시예 5에 관한 스텝 S5를 설명하는 도면이다.
도 44는 실시예 5에 관한 스텝 S5를 설명하는 도면이다.
도 45는 실시예 5에 관한 스텝 S5에 있어서, 시트 천공부가 회동함으로써 형성된 관통 구멍의 위치를 설명하는 평면도이다.
도 46은 실시예 5에 관한 스텝 S6을 설명하는 도면이다.
도 47은 실시예 5에 관한 스텝 S7을 설명하는 도면이다.
도 48은 실시예 5에 관한 스텝 S7을 설명하는 도면이다.
도 49는 실시예 5에 관한 스텝 S8을 설명하는 도면이다.
도 50은 실시예 5의 효과를 설명하는 도면이며, (a)는 챔버 내를 감압하여 밀봉을 행할 때 간극부가 형성되는 경우의 구성을 설명하는 종단면도이고, (b)는 챔버 내를 가압하여 밀봉을 행함으로써, 간극부가 충전되어 가는 상태를 설명하는 종단면도이다.
도 51은 변형예에 관한 스텝 S4를 설명하는 도면이다.
도 52는 변형예에 관한 구성을 설명하는 도면이며, (a)는 탄성체를 구비하는 변형예에 관한 챔버의 구성을 도시하는 종단면도이고, (b)는 탄성체를 갖지 않는 비교예에 있어서 발생할 수 있는 문제점을 설명하는 도면이며, (c)는 탄성체를 갖는 변형예에 있어서의 이점을 설명하는 도면이다.
도 53은 변형예에 관한 구성을 설명하는 도면이며, (a)는 가온 기구를 구비하는 변형예의 구성을 도시하는 도면이고, (b)는 가온 기구를 점착 테이프에 근접시키는 변형예의 구성을 도시하는 도면이다.
도 54는 변형예에 관한 구성을 설명하는 도면이며, (a)는 변형예에 관한 기판의 구성을 도시하는 종단면도이고, (b)는 변형예에 관한 보유 지지 테이블의 구성을 설명하는 종단면도이다.
도 55는 변형예에 관한 스텝 S3의 공정을 설명하는 도면이다.
도 56은 변형예에 관한 스텝 S2의 공정을 설명하는 도면이다.
도 57은 변형예에 관한 스텝 S3의 공정을 설명하는 도면이다.
도 58은 실시예 2에 관한 챔버의 종단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure of the semiconductor wafer which concerns on Example 1, (a) is a partially broken perspective view of a semiconductor wafer, (b) is a perspective view of the back side of a semiconductor wafer, (c) is a perspective view of a semiconductor wafer It is a partial longitudinal section.
2 is a cross-sectional view showing the configuration of the pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 1. FIG.
It is a top view of the adhesive sheet pasting apparatus which concerns on Example 1. FIG.
It is a front view of the adhesive sheet sticking apparatus which concerns on Example 1. FIG.
It is a front view of the sticking unit which concerns on Example 1. FIG.
Fig. 6 is a longitudinal sectional view of the chamber according to the first embodiment.
7 is a perspective view of a sheet perforation part according to Example 1. FIG.
It is a flowchart explaining the operation|movement of the adhesive sheet sticking apparatus which concerns on Example 1. FIG.
Fig. 9 is a perspective view of a mount frame according to the first embodiment.
Fig. 10 is a diagram for explaining step S2 according to the first embodiment.
11 is a diagram for explaining step S3 according to the first embodiment.
12 is a diagram for explaining step S3 according to the first embodiment.
13 is a diagram for explaining step S4 according to the first embodiment.
14 is a diagram for explaining step S4 according to the first embodiment.
15 is a diagram for explaining step S4 according to the first embodiment.
16 is a diagram for explaining step S5 according to the first embodiment.
Fig. 17 is a plan view for explaining the position of a through hole formed when the sheet perforation portion descends in step S5 according to the first embodiment.
18 is a diagram for explaining step S5 according to the first embodiment.
It is a top view explaining the position of the through-hole formed by the sheet|seat perforation part rotating in step S5 which concerns on Example 1. FIG.
20 is a diagram for explaining step S5 according to the first embodiment.
21 is a diagram for explaining step S6 according to the first embodiment.
22 is a diagram for explaining step S7 according to the first embodiment.
23 is a diagram for explaining step S7 according to the first embodiment.
24 is a diagram for explaining step S8 according to the first embodiment.
25 is a graph for explaining a pressure control pattern inside a chamber according to a comparative example.
26 is a graph for explaining the pressure control pattern inside the chamber according to the second embodiment.
Fig. 27 is a longitudinal sectional view of the chamber according to the third embodiment.
28 is a diagram for explaining step S6 according to the third embodiment.
29 is a graph for explaining a change in pressure inside a chamber according to Example 3. FIG.
Fig. 30 is a longitudinal sectional view of the chamber according to the fourth embodiment.
Fig. 31 is a diagram showing the configuration of a sealing member according to Example 5, wherein (a) is a perspective view of the back side of the sealing member, and (b) is a longitudinal sectional view of the sealing member.
Fig. 32 is a perspective view showing the configuration of a substrate and a ring frame according to Example 5;
33 is a plan view of the device sealing apparatus according to the fifth embodiment.
34 is a front view of the device sealing apparatus according to the fifth embodiment.
Fig. 35 is a front view of the sealing unit according to the fifth embodiment.
Fig. 36 is a flowchart for explaining the operation of the device sealing apparatus according to the fifth embodiment.
Fig. 37 is a diagram for explaining step S2 according to the fifth embodiment.
Fig. 38 is a diagram for explaining step S2 according to the fifth embodiment.
Fig. 39 is a diagram for explaining step S3 according to the fifth embodiment.
Fig. 40 is a diagram for explaining step S3 according to the fifth embodiment.
Fig. 41 is a diagram for explaining step S4 according to the fifth embodiment.
42 is a diagram for explaining step S4 according to the fifth embodiment.
Fig. 43 is a diagram for explaining step S5 according to the fifth embodiment.
44 is a diagram for explaining step S5 according to the fifth embodiment.
It is a top view explaining the position of the through-hole formed by rotation of a sheet|seat perforation part in step S5 which concerns on Example 5. FIG.
Fig. 46 is a diagram for explaining step S6 according to the fifth embodiment.
47 is a diagram for explaining step S7 according to the fifth embodiment.
Fig. 48 is a diagram for explaining step S7 according to the fifth embodiment.
49 is a diagram for explaining step S8 according to the fifth embodiment.
Fig. 50 is a view for explaining the effect of the fifth embodiment, (a) is a longitudinal sectional view for explaining the configuration in the case where a gap is formed when sealing is performed by depressurizing the inside of the chamber; It is a longitudinal sectional view explaining the state in which a clearance gap part is filled by sealing.
It is a figure explaining step S4 which concerns on a modification.
52 is a view for explaining the configuration according to the modified example, (a) is a longitudinal sectional view showing the configuration of the chamber according to the modified example having an elastic body, (b) is a comparative example without the elastic body It is a figure explaining the problem which exists, and (c) is a figure explaining the advantage in the modified example which has an elastic body.
53 is a view for explaining a configuration according to a modified example, (a) is a diagram showing the configuration of a modified example including a heating mechanism, (b) is a diagram showing a configuration of a modified example in which the heating mechanism is brought close to the adhesive tape It is a drawing.
Fig. 54 is a diagram for explaining the configuration according to the modification, (a) is a vertical sectional view showing the configuration of the substrate according to the modification, (b) is a vertical sectional view for explaining the configuration of the holding table according to the modification to be.
It is a figure explaining the process of step S3 which concerns on a modification.
It is a figure explaining the process of step S2 which concerns on a modification.
57 is a view for explaining the process of step S3 according to the modification.
58 is a longitudinal sectional view of the chamber according to Example 2. FIG.
[실시예 1][Example 1]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다. 실시예 1은 워크와 시트재를 일체화시키는 구성의 예로서, 워크에 대해 점착 시트를 첩부하는 점착 시트 첩부 장치(1)를 사용하여 설명한다.Hereinafter,
실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는, 지지용의 점착 테이프 DT(다이싱 테이프)를 점착 시트로서 사용하고, 점착 시트를 첩부하는 대상인 워크로서 반도체 웨이퍼 W(이하, 「웨이퍼 W」라 함), 및 링 프레임 f를 사용하는 것으로 한다. 즉 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는, 웨이퍼 W 및 링 프레임 f에 걸쳐 점착 테이프 DT를 첩부함으로써, 마운트 프레임 MF가 작성된다. 마운트 프레임 MF는, 웨이퍼 W 및 링 프레임 f에 대해 점착 테이프 DT가 일체화되어 있는 반도체 제품이다. 실시예 1에 있어서, 마운트 프레임 MF는 본 발명에 있어서의 반도체 제품에 상당한다.In the adhesive
웨이퍼 W는 도 1의 (a) 내지 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 회로 패턴이 형성된 표면에, 회로 보호용의 보호 테이프 PT가 첩부되어 있는 상태에서 백그라인드 처리된 것이다. 웨이퍼 W의 이면은, 외주부를 직경 방향으로 약 3㎜를 남기고 연삭(백그라인드)되어 있다. 즉, 이면에 편평 오목부 He가 형성됨과 함께, 그 외주를 따라서 환상 볼록부 Ka가 잔존된 형상으로 가공된 것이 사용된다. 일례로서, 편평 오목부 He에 있어서 연삭되는 깊이 d가 수백㎛, 편평 오목부 He의 웨이퍼 두께 J가 30㎛ 내지 50㎛로 되도록 가공되어 있다. 따라서, 이면 외주에 형성된 환상 볼록부 Ka는, 웨이퍼 W의 강성을 높이는 환상 리브로서 기능하여, 핸들링이나 그 밖의 처리 공정에서의 웨이퍼 W의 휨 변형을 억제한다. 또한, 환상 볼록부 Ka의 내측 코너부에 대하여, 부호 Kf를 사용하여 나타내고 있다. 내측 코너부 Kf는, 환상 볼록부 Ka와 편평 오목부 He의 경계에 상당한다. 웨이퍼 W의 이면은, 본 발명에 있어서의 워크의 환상 볼록부 형성면에 상당한다.As shown in Figs. 1(a) to 1(c), the wafer W was subjected to a backgrind treatment in a state in which the circuit protection protective tape PT was affixed to the surface on which the circuit pattern was formed. The back surface of the wafer W is ground (background) leaving about 3 mm of the outer periphery in the radial direction. That is, while the flat recessed part He is formed in the back surface, what was processed into the shape in which the annular convex part Ka remained along the outer periphery is used. As an example, it is processed so that the depth d ground in the flat recessed part He may become several hundred micrometers, and the wafer thickness J of the flat recessed part He may be 30 micrometers - 50 micrometers. Accordingly, the annular convex portion Ka formed on the outer periphery of the back surface functions as an annular rib that increases the rigidity of the wafer W, and suppresses bending deformation of the wafer W in handling and other processing steps. In addition, it has shown using the code|symbol Kf about the inner corner part of the annular convex part Ka. The inner corner portion Kf corresponds to the boundary between the annular convex portion Ka and the flat concave portion He. The back surface of the wafer W corresponds to the annular convex portion formation surface of the workpiece in the present invention.
본 실시예에 사용되는 점착 테이프 DT는 도 2에 도시한 바와 같이, 비점착성의 기재 Ta와, 점착성을 갖는 점착재 Tb가 적층된 긴 형상의 구조를 구비하고 있다. 점착재 Tb에는 세퍼레이터 S가 첨설되어 있다. 즉 점착 테이프 DT의 점착면에 세퍼레이터 S가 첨설되어 있고, 세퍼레이터 S를 점착 테이프 DT로부터 박리함으로써 점착 테이프 DT의 점착면이 노출된다.As shown in Fig. 2, the adhesive tape DT used in the present embodiment has an elongate structure in which a non-adhesive base material Ta and an adhesive material Tb are laminated. A separator S is added to the adhesive material Tb. That is, the separator S is attached to the adhesive surface of the adhesive tape DT, and the adhesive surface of the adhesive tape DT is exposed by peeling the separator S from the adhesive tape DT.
기재 Ta를 구성하는 재료의 예로서, 폴리올레핀, 폴리에틸렌, 에틸렌-비닐 아세트산 공중합체, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리우레탄, 염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리염화비닐리덴, 폴리에틸렌메타아크릴산 공중합체, 폴리프로필렌, 메타아크릴산테레프탈레이트, 폴리아미드이미드, 폴리우레탄 엘라스토머 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 재료를 복수 조합한 것을 기재 Ta로서 사용해도 된다. 또한, 기재 Ta는 단층이어도 되고, 복수의 층을 적층시킨 구성이어도 된다.Examples of the material constituting the substrate Ta include polyolefin, polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyester, polyimide, polyurethane, vinyl chloride, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride Leadene, polyethylene methacrylic acid copolymer, polypropylene, methacrylic acid terephthalate, polyamideimide, polyurethane elastomer, etc. are mentioned. Moreover, what combined two or more of the above-mentioned materials may be used as base material Ta. In addition, a single layer may be sufficient as the base material Ta, and the structure which laminated|stacked several layers may be sufficient as it.
점착재 Tb는, 점착 테이프 DT가 웨이퍼 W 및 링 프레임 f에 점착하는 상태를 유지할 수 있는 기능과, 후의 다이싱 공정에 있어서 칩 부품의 비산을 방지하는 기능을 담보할 수 있는 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 점착재 Tb를 구성하는 재료의 예로서, 아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 세퍼레이터 S의 예로서, 긴 형상의 종이재나 플라스틱 등을 들 수 있다. 또한, 점착재 Tb 대신에 접착재 또는 점접착재를 사용해도 된다.The adhesive material Tb is composed of a material that can ensure the function of maintaining the state in which the adhesive tape DT adheres to the wafer W and the ring frame f and the function of preventing the chip components from scattering in the subsequent dicing process. desirable. An acrylic acid ester copolymer etc. are mentioned as an example of the material which comprises the adhesive material Tb. As an example of the separator S, an elongate paper material, plastic, etc. are mentioned. In addition, you may use an adhesive material or an adhesive agent instead of the adhesive material Tb.
<전체 구성의 설명><Description of the overall configuration>
여기서, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 전체 구성에 대해 설명한다. 도 3은 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 기본 구성을 도시하는 평면도이다. 점착 시트 첩부 장치(1)는, 가로로 긴 직사각형부(1a)와, 돌출부(1b)를 구비한 구성으로 되어 있다. 돌출부(1b)는, 직사각형부(1a)의 중앙부에서 연접하여 상측으로 돌출되는 구성으로 되어 있다. 또한, 이후의 설명에 있어서, 직사각형부(1a)의 긴 변 방향을 좌우 방향(x 방향), 이것과 직교하는 수평 방향(y 방향)을 전후 방향이라 호칭한다.Here, the whole structure of the adhesive
직사각형부(1a)의 우측에는 웨이퍼 반송 기구(3)가 배치되어 있다. 직사각형부(1a)의 하측 우측 근방의 위치에는, 웨이퍼 W를 수용한 2개의 용기(5)가 병렬로 적재되어 있다. 용기(5)의 내부에는, 표면에 보호 테이프 PT가 첩부되어 있는 웨이퍼 W가, 표면측을 하향으로 한 상태에서 다단으로 수납되어 있다. 직사각형부(1a)의 좌측 단부에는, 웨이퍼 W의 마운트를 완료한 도 9에 도시한 마운트 프레임 MF를 회수하는 프레임 회수부(6)가 배치되어 있다.A
직사각형부(1a)의 상측의 우측으로부터 얼라이너(7), 보유 지지 테이블(9), 및 프레임 공급부(12)의 순으로 배치되어 있다. 돌출부(1b)에는, 지지용의 점착 테이프 DT(다이싱 테이프)를 웨이퍼 W의 이면과 링 프레임 f에 걸쳐 첩부하는 첩부 유닛(13)이 배치되어 있다.From the upper right side of the rectangular part 1a, the
웨이퍼 반송 기구(3)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 직사각형부(1a)의 상부에 좌우 수평으로 가설된 안내 레일(15)의 우측에 좌우 왕복 이동 가능하게 지지된 웨이퍼 반송 장치(16)가 구비되어 있다. 또한, 안내 레일(15)의 좌측에는 좌우 이동 가능하게 지지된 프레임 반송 장치(17)가 구비되어 있다.As shown in FIG. 4 , the
웨이퍼 반송 장치(16)는, 용기(5)의 어느 한쪽으로부터 취출한 웨이퍼 W를 좌우 및 전후로 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(16)는, 좌우 이동 가동대(18)와 전후 이동 가동대(19)가 장비되어 있다.The
좌우 이동 가동대(18)는, 안내 레일(15)을 따라서 좌우 방향으로 왕복 이동 가능하게 되도록 구성되어 있다. 전후 이동 가동대(19)는, 좌우 이동 가동대(18)에 구비된 안내 레일(20)을 따라서 전후 방향으로 왕복 이동 가능하게 되도록 구성되어 있다.The left-right
또한, 전후 이동 가동대(19)의 하부에는, 웨이퍼 W를 보유 지지하는 보유 지지 유닛(21)이 장비되어 있다. 보유 지지 유닛(21)은 세로 방향으로 연신되는 승강 레일(22)을 따라서 상하 방향(z 방향)으로 왕복 이동 가능하게 되도록 구성되어 있다. 또한 보유 지지 유닛(21)은 도시하지 않은 회전축에 의해, z 방향의 축 둘레로 선회 가능하게 되어 있다.Further, a holding
보유 지지 유닛(21)의 하부에는, 말굽형 보유 지지 암(23)이 장비되어 있다. 보유 지지 암(23)의 보유 지지면에는, 약간 돌출된 복수개의 흡착 패드가 마련되어 있고, 당해 흡착 패드를 통해 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한다. 또한, 보유 지지 암(23)은, 그 내부에 형성된 유로와, 이 유로의 기단측에서 연접된 접속 유로를 통해 압축 공기 장치에 연통 접속되어 있다.The lower part of the holding
상기한 가동 구조를 이용함으로써, 흡착 보유 지지한 웨이퍼 W를 보유 지지 암(23)에 의해 전후 이동, 좌우 이동, 및, z 방향 축 둘레의 선회 이동을 행할 수 있도록 되어 있다.By using the above movable structure, the wafer W held by suction can be moved back and forth, left and right, and pivotally around the z-direction axis by the holding
프레임 반송 장치(17)는, 좌우 이동 가동대(24)와, 전후 이동 가동대(25)와, 좌우 이동 가동대(24)의 하부에 연결된 굴신 링크 기구(26)와, 굴신 링크 기구(26)의 하단에 장비된 흡착 플레이트(27) 등을 구비하고 있다. 흡착 플레이트(27)는 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한다. 흡착 플레이트(27)의 둘레에는, 링 프레임 f를 흡착 보유 지지하는 복수개의 흡착 패드(28)가 배치되어 있다. 따라서, 프레임 반송 장치(17)는, 보유 지지 테이블(9)에 적재 보유 지지된 링 프레임 f 또는 마운트 프레임 MF를 흡착 보유 지지하여, 승강 및 전후 좌우로 반송할 수 있다. 흡착 패드(28)는, 링 프레임 f의 사이즈에 대응하여 수평 방향으로 슬라이드 조절 가능하게 되어 있다.The
보유 지지 테이블(9)은, 도 5 및 도 6 등에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W와 동일 형상 이상의 크기를 갖는 금속제의 척 테이블이며, 외부에 배치되어 있는 진공 장치(31) 및 가압 장치(32)의 각각과 연통 접속되어 있다. 진공 장치(31) 및 가압 장치(32)의 동작은, 제어부(33)에 의해 제어된다.As shown in FIGS. 5 and 6 , the holding table 9 is a metal chuck table having the same shape or larger size as the wafer W, and a
실시예 1에 있어서, 보유 지지 테이블(9)은 외주부에 환상의 돌기부(9a)를 구비하고 있고 전체로서 중공으로 되어 있다. 돌기부(9a)는 평면으로 보아 웨이퍼 W의 환상 볼록부 Ka의 배치와 대략 일치하는 위치에 구성되어 있고, 돌기부(9a)가 웨이퍼 W의 환상 볼록부 Ka를 지지함으로써, 보유 지지 테이블(9)은 얇은 편평 오목부 He에 접촉하지 않고 웨이퍼 W를 보유 지지할 수 있다.In Example 1, the holding table 9 is provided with the
또한 도 5에 도시한 바와 같이, 보유 지지 테이블(9)은, 챔버(29)를 구성하는 하부 하우징(29A)에 수납되어 있고, 하부 하우징(29A)을 관통하는 로드(35)의 일단과 연결되어 있다. 로드(35)의 타단은 모터 등을 구비하는 액추에이터(37)에 구동 연결되어 있다. 그 때문에, 보유 지지 테이블(9)은 챔버(29)의 내부에서 승강 이동이 가능하게 되어 있다.5, the holding table 9 is accommodated in the
하부 하우징(29A)은, 당해 하부 하우징(29A)을 외위하는 프레임 보유 지지부(38)를 구비하고 있다. 프레임 보유 지지부(38)는, 링 프레임 f를 적재하였을 때, 링 프레임 f의 상면과 하부 하우징(29A)의 원통 정상부가 동일한 높이가 되도록 구성되어 있다. 또한, 하부 하우징(29A)의 원통 정상부는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다.The
또한 도 3에 도시한 바와 같이, 보유 지지 테이블(9)은 하부 하우징(29A)과 함께, 전후 방향으로 부설되어 있는 레일(40)을 따라서, 초기 위치와 첩부 위치 사이를 왕복 이동 가능하게 구성되어 있다. 초기 위치는 직사각형부(1a)의 내부에 있고, 도 3에 있어서 보유 지지 테이블(9)이 실선으로 나타내어져 있는 위치이다. 당해 초기 위치에 있어서, 웨이퍼 W 및 링 프레임 f가 보유 지지 테이블(9)에 적재된다.Further, as shown in Fig. 3, the holding table 9, together with the
첩부 위치는 돌출부(1b)의 내부에 있고, 도 3에 있어서 보유 지지 테이블(9)이 점선으로 나타내어져 있는 위치이다. 첩부 위치로 보유 지지 테이블(9)이 이동함으로써, 보유 지지 테이블(9)에 적재되어 있는 웨이퍼 W에 대해 점착 테이프 DT를 첩부하는 첩부 공정을 실행하는 것이 가능해진다.The affixing position exists in the inside of the
프레임 공급부(12)는, 소정 매수의 링 프레임 f를 적층 수납한 인출식의 카세트를 수납한다.The
첩부 유닛(13)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 시트 공급부(71), 세퍼레이터 회수부(72), 시트 첩부부(73), 시트 회수부(74), 및 시트 천공부(76) 등으로 구성되어 있다. 시트 공급부(71)는, 지지용의 점착 테이프 DT가 권회된 원단 롤이 장전된 공급 보빈을 구비하고 있다. 그리고, 시트 공급부(71)의 공급 보빈으로부터 점착 테이프 DT를 첩부 위치에 공급하는 과정에서 박리 롤러(75)에 의해 세퍼레이터 S를 박리하도록 구성되어 있다. 또한, 시트 공급부(71)에 마련되어 있는 공급 보빈은, 전자 브레이크에 연동 연결되어 적합한 회전 저항이 가해지고 있다. 따라서, 공급 보빈으로부터 과잉의 테이프의 조출이 방지되고 있다.As shown in FIG. 5 , the
세퍼레이터 회수부(72)는, 점착 테이프 DT로부터 박리된 세퍼레이터 S를 권취하는 회수 보빈이 구비되어 있다. 이 회수 보빈은, 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되도록 되어 있다.The
시트 첩부부(73)는, 챔버(29), 시트 첩부 기구(81) 및 시트 절단 기구(82) 등으로 구성되어 있다.The
챔버(29)는, 하부 하우징(29A)과 상부 하우징(29B)에 의해 구성된다. 하부 하우징(29A)은, 보유 지지 테이블(9)을 위요하도록 배치되어 있고, 보유 지지 테이블(9)과 함께 초기 위치와 첩부 위치 사이를 전후 방향으로 왕복 이동한다. 상부 하우징(29B)은 돌출부(1b)에 배치되어 있으며, 승강 가능하게 구성된다.The
도 6에 도시한 바와 같이, 하부 하우징(29A)은 감압용의 유로(201)와 연통 접속되어 있고, 상부 하우징(29B)은 감압용의 유로(202)와 연통 접속되어 있다. 유로(201) 및 유로(202)는, 모두 감압용의 유로(101)를 통해 진공 장치(31)와 연통 접속되어 있다. 즉, 하부 하우징(29A)은 유로(101) 및 유로(201)를 통해 감압용의 진공 장치(31)와 연통 접속되어 있다. 그리고 상부 하우징(29B)은 유로(101) 및 유로(202)를 통해 감압용의 진공 장치(31)와 연통 접속되어 있다.As shown in Fig. 6, the
또한, 하부 하우징(29A)은 가압용의 유로(203)와 연통 접속되어 있고, 상부 하우징(29B)은 가압용의 유로(204)와 연통 접속되어 있다. 유로(203) 및 유로(204)는, 모두 가압용의 유로(102)를 통해 가압 장치(32)와 연통 접속되어 있다. 즉, 하부 하우징(29A)은 유로(102) 및 유로(203)를 통해 가압 장치(32)와 연통 접속되어 있다. 그리고 상부 하우징(29B)은 유로(102) 및 유로(204)를 통해 가압 장치(32)와 연통 접속되어 있다.Further, the
또한, 유로(101)에는 전자 밸브(103)가 구비되어 있고, 유로(102)에는 전자 밸브(104)가 구비되어 있다. 또한, 양쪽 하우징(29A, 29B)에는, 대기 개방용의 전자 밸브(105, 107)를 구비한 유로(109)가 각각 연통 접속되어 있다. 그리고, 유로(201)에는 전자 밸브(113)가 구비되어 있고, 유로(203)에는 전자 밸브(114)가 구비되어 있다.In addition, the
또한, 상부 하우징(29B)에는, 일단 감압한 내압을 누설에 의해 조정하는 전자 밸브(110)를 구비한 유로(111)가 연통 접속되어 있다. 전자 밸브(110)에는, 개방도 조절 밸브(112)가 마련되어 있다. 개방도 조절 밸브(112)는, 전자 밸브(110)의 개방도를 적절히 조절함으로써, 유로(111)를 통해 누설되는 기체의 양을 조절한다. 또한, 이들 전자 밸브(103, 104, 105, 107, 113, 114)의 개폐 조작, 전자 밸브(110)의 개방도 조절, 진공 장치(31)의 작동, 가압 장치(32)의 작동은, 제어부(33)에 의해 행해지고 있다.Moreover, the
즉 진공 장치(31)는, 하부 하우징(29A)측의 공간의 기압과 상부 하우징(29B)측의 공간의 기압을 감압 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고 가압 장치(32)는, 하부 하우징(29A)측의 공간의 기압과 상부 하우징(29B)측의 공간의 기압을 가압 조절할 수 있도록 구성되어 있다.That is, the
또한 실시예 1에 있어서, 전자 밸브(103)가 유로(101)에 배치되어 있는 경우, 전자 밸브(113)는 유로(201) 대신에 유로(202)에 배치되어도 된다. 전자 밸브(113)가 유로(201)에 배치되어 있는 경우, 전자 밸브(103)는 유로(101) 대신에 유로(202)에 배치되어 있어도 된다. 전자 밸브(104)가 유로(102)에 배치되어 있는 경우, 전자 밸브(114)는 유로(203) 대신에 유로(204)에 배치되어도 된다. 전자 밸브(114)가 유로(203)에 배치되어 있는 경우, 전자 밸브(104)는 유로(102) 대신에 유로(204)에 배치되어 있어도 된다.Further, in the first embodiment, when the
시트 첩부 기구(81)는, 가동대(84), 첩부 롤러(85), 닙 롤러(86) 등을 구비하고 있다. 가동대(84)는, 좌우 방향으로 가설된 안내 레일(88)을 따라서 좌우 수평으로 이동한다. 첩부 롤러(85)는, 가동대(84)에 구비된 실린더의 선단에 연결된 브래킷에 축지지되어 있다. 닙 롤러(86)는 시트 회수부(74)측에 배치되어 있고, 모터에 의해 구동하는 이송 롤러(89)와 실린더에 의해 승강하는 핀치 롤러(90)를 구비하고 있다.The
시트 절단 기구(82)는, 상부 하우징(29B)을 승강시키는 승강 구동대(91)에 배치되어 있고, z 방향으로 연장되는 지지축(92)과, 지지축(92)의 둘레로 회전하는 보스부(93)를 구비하고 있다. 보스부(93)는, 직경 방향으로 연신되는 복수의 지지 암(94)을 구비하고 있다. 적어도 하나의 지지 암(94)의 선단에는, 점착 테이프 DT를 링 프레임 f를 따라서 절단하는 원판형 커터(95)가 상하 이동 가능하게 되도록 배치되어 있다. 다른 지지 암(94)의 선단에는, 압박 롤러(96)가 상하 이동 가능하게 되도록 배치되어 있다.The
시트 회수부(74)는, 절단 후에 박리된 불필요한 점착 테이프 DT를 권취하는 회수 보빈을 구비하고 있다. 이 회수 보빈은, 도시되어 있지 않은 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되도록 되어 있다.The
프레임 회수부(6)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF를 적재하여 회수하는 카세트(41)가 배치되어 있다. 이 카세트(41)는, 장치 프레임(43)에 연결 고정된 세로 레일(45)과, 이 세로 레일(45)을 따라서 모터(47)에 의해 나사 이송 승강되는 승강대(49)가 구비되어 있다. 따라서, 프레임 회수부(6)는, 마운트 프레임 MF를 승강대(49)에 적재하여 피치 이송 하강하도록 구성되어 있다.In the
시트 천공부(76)는, 상부 하우징(29B)의 내부에 배치되어 있다. 시트 천공부(76)는 도 7에 도시한 바와 같이, 승강 구동대(97)와, 회전축부(99)를 구비하고 있다. 승강 구동대(97)는, 상부 하우징(29B)의 내부에 있어서 z 방향으로 승강 이동 가능하게 구성되어 있다. 회전축부(99)는, z 방향으로 연장되어 있으며, 승강 구동대(97)의 하부에 접속되어 있다. 회전축부(99)는, 도시하지 않은 모터에 의해 z 방향의 축 둘레로 회동 가능하게 구성되어 있다.The
회전축부(99)의 측면에는, 회전축부(99)의 직경 방향으로 연신되는 지지 암(127)이 구비되어 있다. 각각의 지지 암(127)의 기단측은 회전축부(99)에 접속되어 있다. 각각의 지지 암(127)의 선단측에는 커터 홀더(128)에 지지된 커터(129)가 배치되어 있다. 실시예 1에 있어서, 시트 천공부(76)는 4개의 지지 암(127)을 구비하고 있지만, 지지 암(127)의 수는 적절히 변경해도 된다.A
커터(129)는 챔버(29)의 내부에 있어서 점착 테이프 DT에 관통 구멍을 형성시키는 것이며, 커터날을 하향으로 한 상태에서 커터 홀더(128)의 하부에 배치되어 있다. 즉 승강 구동대(97)가 z 방향으로 승강 이동함으로써, 각각의 지지 암(127)에 지지되어 있는 커터(129)는 승강 구동대(97)와 함께 z 방향으로 승강 이동한다. 또한, 회전축부(99)가 회전함으로써, 커터(129)의 각각은 지지 암(127)과 함께 회전축부(99)를 중심으로 하는 원 궤도 L1을 따라서 이동한다.The
<동작의 개요><Outline of action>
여기서, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 기본 동작을 설명한다. 도 8은 점착 시트 첩부 장치(1)를 사용하여, 웨이퍼 W에 점착 테이프 DT를 첩부하는 일련의 공정을 설명하는 흐름도이다.Here, the basic operation|movement of the adhesive
스텝 S1(워크의 공급)Step S1 (workpiece supply)
첩부 지령이 내려지면, 프레임 공급부(12)로부터 하부 하우징(29A)의 프레임 보유 지지부(38)로 링 프레임 f가 반송됨과 함께, 용기(5)로부터 보유 지지 테이블(9)로 웨이퍼 W가 반송된다.When a sticking command is given, the ring frame f is conveyed from the
즉, 프레임 반송 장치(17)는 프레임 공급부(12)로부터 링 프레임 f를 흡착하여 프레임 보유 지지부(38)에 이동 탑재한다. 프레임 반송 장치(17)가 링 프레임 f의 흡착을 해제하여 상승하면, 링 프레임 f의 위치 정렬을 행한다. 당해 위치 정렬은, 일례로서 프레임 보유 지지부(38)를 위요하도록 기립 설치된 복수의 지지 핀을 중앙 방향으로 동기적으로 이동시킴으로써 행해진다. 링 프레임 f는, 프레임 보유 지지부(38)에 세트된 상태에서, 웨이퍼 W가 반송되어 올 때까지 대기하고 있다.That is, the
프레임 반송 장치(17)가 링 프레임 f를 반송하는 한편, 웨이퍼 반송 장치(16)는 용기(5)의 내부에서 다단으로 수납되어 있는 웨이퍼 W끼리의 사이에 보유 지지 암(23)을 삽입한다. 보유 지지 암(23)은, 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하여 반출하여, 얼라이너(7)로 반송한다. 얼라이너(7)는, 그 중앙으로부터 돌출된 흡착 패드에 의해 웨이퍼 W의 중앙을 흡착한다. 동시에, 웨이퍼 반송 장치(16)는, 웨이퍼 W의 흡착을 해제하여 상방으로 퇴피한다. 얼라이너(7)는, 흡착 패드로 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키면서 노치 등에 기초하여 위치 정렬을 행한다.While the
위치 정렬이 완료되면, 웨이퍼 W를 흡착한 흡착 패드를 얼라이너(7)의 면으로부터 돌출시킨다. 그 위치로 웨이퍼 반송 장치(16)가 이동하여, 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한다. 흡착 패드는, 흡착을 해제하여 하강한다.When the alignment is completed, the suction pad on which the wafer W is adsorbed is protruded from the surface of the
웨이퍼 반송 장치(16)는 보유 지지 테이블(9)의 상방으로 이동하여, 보호 테이프 PT가 첩부되어 있는 표면측을 하향으로 한 상태에서, 웨이퍼 W를 보유 지지 테이블(9)에 적재시킨다. 보유 지지 테이블(9)이 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하고, 프레임 보유 지지부(38)가 링 프레임 f를 흡착 보유 지지하면, 하부 하우징(29A)은 레일(40)을 따라서 초기 위치로부터 시트 첩부 기구(81)측의 첩부 위치로 이동한다. 보유 지지 테이블(9)에 웨이퍼 W가 공급되어, 첩부 위치로 이동한 상태는 도 10에 도시되어 있다.The
스텝 S2(점착 시트의 공급)Step S2 (supply of the adhesive sheet)
웨이퍼 반송 장치(16) 등에 의한 워크의 공급이 행해지면, 첩부 유닛(13)에 있어서 점착 테이프 DT의 공급을 행한다. 즉, 시트 공급부(71)로부터 소정량의 점착 테이프 DT가 세퍼레이터 S가 박리되면서 조출된다. 전체로서 긴 형상인 점착 테이프 DT는, 소정의 반송 경로를 따라서 첩부 위치의 상방으로 안내된다.When the workpiece is supplied by the
스텝 S3(챔버의 형성)Step S3 (formation of chamber)
워크 및 점착 테이프 DT가 공급되면, 도 11에 도시한 바와 같이, 첩부 롤러(85)가 하강한다. 그리고, 점착 테이프 DT 상을 구름 이동하면서 링 프레임 f와 하부 하우징(29A)의 정상부에 걸쳐 점착 테이프 DT를 첩부한다. 이 첩부 롤러(85)의 이동에 연동하여, 시트 공급부(71)로부터 소정량의 점착 테이프 DT가 세퍼레이터 S가 박리되면서 조출된다.When the work and the adhesive tape DT are supplied, the sticking
링 프레임 f에 점착 테이프 DT가 첩부되면, 첩부 롤러(85)를 초기 위치로 복귀시킴과 함께, 상부 하우징(29B)을 하강시킨다. 상부 하우징(29B)의 하강에 수반하여, 도 12에 도시한 바와 같이, 하부 하우징(29A)의 정상부에 첩부되어 있는 부분의 점착 테이프 DT는 상부 하우징(29B)과 하부 하우징(29A)에 의해 끼움 지지되어, 챔버(29)가 구성된다.When the adhesive tape DT is affixed to the ring frame f, while returning the sticking
이때, 점착 테이프 DT가 시일재로서 기능함과 함께, 챔버(29)는 점착 테이프 DT에 의해 2개의 공간으로 분할된다. 즉, 점착 테이프 DT를 사이에 두고 하부 하우징(29A)측의 하부 공간 H1과 상부 하우징(29B)측의 상부 공간 H2로 분할된다. 하부 하우징(29A) 내에 위치하는 웨이퍼 W는, 점착 테이프 DT와 소정의 클리어런스를 두고 근접 대향하고 있다.At this time, while the adhesive tape DT functions as a sealing material, the
스텝 S4(제1 첩부 과정)Step S4 (first pasting process)
챔버(29)를 형성시킨 후, 제1 첩부 과정을 개시한다. 먼저, 제어부(33)는, 도 6에 도시한 전자 밸브(104, 105, 107, 110, 114)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(103 및 113)를 개방한다. 그리고 제어부(33)는 진공 장치(31)를 작동시켜 하부 공간 H1 내의 기압과 상부 공간 H2 내의 기압을 소정값까지 감압한다. 소정값의 예로서, 10Pa 내지 100Pa를 들 수 있다.After forming the
하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압이 소정값까지 감압되면, 제어부(33)는 전자 밸브(103)를 폐쇄함과 함께, 진공 장치(31)의 작동을 정지한다. 그리고 제어부(33)는 하부 공간 H1의 기압보다 상부 공간 H2의 기압쪽이 높아지도록, 하부 공간 H1에 접속되어 있는 전자 밸브(103, 105, 107, 113)를 폐쇄한 채로, 상부 공간 H2에 접속되어 있는 전자 밸브(110)의 개방도를 조정하여 누설시키도록 제어한다.When the atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 is reduced to a predetermined value, the
하부 공간 H1의 기압보다 상부 공간 H2의 기압쪽이 높아짐으로써, 도 13에 도시한 바와 같이, 양쪽 공간의 사이에 차압 Fa가 발생한다. 차압 Fa가 발생함으로써, 점착 테이프 DT는 중심 부분으로부터 하부 하우징(29A)의 측으로 인입되어 가, 볼록상으로 변형되어 간다. 본 실시예에서는 스텝 S4에 있어서, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 10Pa로 조정한 후, 상부 공간 H2의 기압을 10Pa로부터 100Pa로 조정함으로써 차압 Fa를 발생시킨다.When the atmospheric pressure side of the upper space H2 becomes higher than the atmospheric pressure of the lower space H1, as shown in FIG. 13, the differential pressure Fa generate|occur|produces between both spaces. When the differential pressure Fa is generated, the pressure-sensitive adhesive tape DT is drawn in from the center portion toward the
차압 Fa를 발생시킨 후, 도 14에 도시한 바와 같이, 액추에이터(37)를 구동시켜 보유 지지 테이블(9)을 상승시킨다. 차압 Fa에 의한 점착 테이프 DT의 변형과 보유 지지 테이블(9)의 상승에 의해, 기체 제거되어 있는 하부 공간 H1의 내부에 있어서 점착 테이프 DT는 중심부로부터 외주부를 향하여 방사상으로 웨이퍼 W의 이면에 접촉되어 간다. 당해 접촉에 의해, 웨이퍼 W의 이면은 점착 테이프 DT에 의해 덮인다. 도 15는 웨이퍼 W의 이면이 점착 테이프 DT에 의해 덮인 상태를 도시하고 있다.After generating the differential pressure Fa, as shown in FIG. 14 , the
웨이퍼 W의 이면이 점착 테이프 DT에 의해 덮이면, 제어부(33)는 전자 밸브(105, 107)를 개방한 상태로 하여 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기 개방시킨다. 당해 대기 개방에 의해, 제1 첩부 과정은 완료된다. 이와 같이, 제1 첩부 과정에서는 챔버(29)의 내부 공간을 감압한 상태에서 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W의 이면에 접촉시킴으로써 점착 테이프 DT로 웨이퍼 W의 이면측을 덮게 하는 조작을 행한다. 또한, 실시예 1에 있어서 제1 첩부 과정은 본 발명에 관한 제1 일체화 과정에 상당한다.When the back surface of the wafer W is covered with the adhesive tape DT, the
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
차압 Fa를 사용한 제1 첩부 과정이 완료된 후, 압력차 조정 과정을 개시한다. 압력차 조정 과정은, 이후에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차가 소정값 이하로 억제되도록 하는 처리를 행하는 과정이다. 실시예 1에서는, 시트 천공부(76)를 사용하여 점착 테이프 DT에 관통 구멍을 형성시킴으로써 이후에 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시킨다. 소정값의 일례로서, 8000Pa 내지 10000Pa를 들 수 있다. 당해 소정값은, 시트재와 워크를 일체화시키는 공정에서의 다양한 조건에 따라서 적절히 변경된다. 조건의 일례로서, 웨이퍼 W의 재료 또는 웨이퍼 W의 두께 등을 들 수 있다.After the first sticking process using the differential pressure Fa is completed, the pressure differential adjustment process is started. The pressure difference adjustment process is a process of performing a process for suppressing the pressure difference generated between the upper space H2 and the lower space H1 to a predetermined value or less in the following. In Example 1, the pressure difference generated later between the upper space H2 and the lower space H1 is suppressed to a predetermined value or less by forming a through hole in the adhesive tape DT using the
스텝 S5가 개시되면 도 16에 도시한 바와 같이, 제어부(33)는 승강 구동대(97)를 구동시켜 시트 천공부(76)를 하강시킨다. 시트 천공부(76)가 하강함으로써, 지지 암(127)의 각각에 배치되어 있는 커터(129)의 각각이 점착 테이프 DT에 관통된다. 커터(129)가 점착 테이프 DT에 관통됨으로써, 도 17에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 DT 중 웨이퍼 W와 링 프레임 f 사이의 부분에 있어서 관통 구멍 PH가 형성된다. 실시예 1에서는 회전축부(99)를 둘러싸도록 4개의 커터(129)가 배치되어 있으므로, 웨이퍼 W를 둘러싸도록 관통 구멍 PH가 4개소에 형성된다.When step S5 is started, as shown in FIG. 16 , the
관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통되는 통기 구멍이 형성된다. 즉 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 챔버(29)의 내부에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1로 구획된 상태가 해소된다. 관통 구멍 PH를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능하게 됨으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 할 수 있다. 또한 설명의 편의상, 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH가 형성된 후에도, 점착 테이프 DT를 경계로 하여 웨이퍼 W가 배치되는 측의 공간을 하부 공간 H1로 한다. 그리고 점착 테이프 DT를 사이에 두고 하부 공간 H1과 반대측의 공간을 상부 공간 H2로 하여 설명을 계속한다.By forming the through hole PH, a ventilation hole through which gas flows is formed between the upper space H2 and the lower space H1. That is, by forming the through hole PH in the adhesive tape DT, the state divided into the upper space H2 and the lower space H1 inside the
시트 천공부(76)를 하강시켜 점착 테이프 DT에 커터(129)를 관통시킨 후, 도 18에 도시한 바와 같이, 회전축부(99)를 z 방향의 축 둘레로 회전시킨다. 회전축부(99)가 회전함으로써, 지지 암(127)의 선단측에 배치되어 있는 커터(129)의 각각은, 원 궤도 L1을 따라서 이동하면서 점착 테이프 DT를 절단해 간다. 원 궤도 L1은, 회전축부(99)를 중심으로 하여 지지 암(127)의 길이를 직경으로 하는 원의 궤도이다. 바꾸어 말하면, 원 궤도 L1은 도 19에 도시된 웨이퍼 W의 중심 Q를 중심으로 하여 지지 암(127)의 길이를 직경으로 하는 원의 궤도이다.After the
커터(129)가 원 궤도 L1을 따라서 이동함으로써, 관통 구멍 PH의 각각은 도 19에 도시한 바와 같이, 원 궤도 L1을 따른 원호상으로 확대된다. 스텝 S5에 있어서의 회전축부(99)의 회전 각도 θ는, 스텝 S8에 있어서의 마운트 프레임 MF를 반송하는 공정을 적절하게 실행할 수 있을 정도의 각도로 정해진다. 관통 구멍 PH가 확대됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 보다 많은 기체가 유통 가능하게 되므로, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 보다 작게 할 수 있다.As the
시트 천공부(76)의 하강 및 회전에 의해 관통 구멍 PH가 형성된 후, 제어부(33)는 승강 구동대(97)를 구동시켜, 도 20에 도시한 바와 같이 시트 천공부(76)를 초기 위치로 상승시킨다. 시트 천공부(76)를 상승시킴과 함께, 제어부(33)는 액추에이터(37)를 제어하여 보유 지지 테이블(9)을 초기 위치로 하강시킨다. 미리 정해진 위치에 관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 실시예 1에 관한 압력차 조정 과정은 완료된다.After the through hole PH is formed by the lowering and rotation of the
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
시트 천공부(76)에 의해 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH가 형성된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 실시예 1에 있어서, 제2 첩부 과정은 본 발명에 있어서의 제2 일체화 과정에 상당한다. 제2 첩부 과정이 개시되면, 먼저 제어부(33)는 도 6에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104 및 114)를 개방시킨다. 그리고 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체 Ar을 공급하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 가압한다. 특정값 PN의 예로서 0.3㎫ 내지 0.6㎫를 들 수 있다. 가압 장치(32)가 가압 조작을 행함으로써, 하부 공간 H1의 기압 및 상부 공간 H2의 기압은 모두 대기압보다 높아진다.After the through-hole PH is formed in the adhesive tape DT by the
상부 공간 H2의 가압에 의해, 도 21에 도시한 바와 같이, 상부 공간 H2로부터 점착 테이프 DT를 향하여 압박력 V1이 작용한다. 또한, 상부 공간 H2의 전체가 가압되므로, 압박력 V1은 점착 테이프 DT의 전체에 걸쳐 균일하게 작용한다. 또한, 하부 공간 H1의 전체가 가압됨으로써, 하부 공간 H1로부터 웨이퍼 W의 하향의면에 대해 압박력 V2가 균일하게 작용한다. 즉, 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압함으로써, 압박력 V1 및 압박력 V2가 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W 사이에 작용한다. 즉 대기압보다 큰 힘을 균일하게 작용시킴으로써, 점착 테이프 DT는 웨이퍼 W의 이면에 고정밀도로 첩부되어 간다. 그 결과, 웨이퍼 W와 점착 테이프 DT의 밀착성이 향상되므로, 시간의 경과에 의해 점착 테이프 DT가 웨이퍼 W의 이면으로부터 박리된다고 하는 사태가 발생하는 것을 피할 수 있다.By pressurizing the upper space H2, as shown in FIG. 21, the pressing force V1 acts toward the adhesive tape DT from the upper space H2. Further, since the entire upper space H2 is pressed, the pressing force V1 acts uniformly over the entire adhesive tape DT. In addition, since the entire lower space H1 is pressed, the pressing force V2 uniformly acts on the downward surface of the wafer W from the lower space H1. That is, by pressing with a specific value PN higher than atmospheric pressure, the pressing force V1 and the pressing force V2 act between the adhesive tape DT and the wafer W. That is, the adhesive tape DT is affixed to the back surface of the wafer W with high precision by making the force larger than atmospheric pressure act uniformly. As a result, since the adhesiveness of the wafer W and the adhesive tape DT improves, it can avoid that the situation that the adhesive tape DT peels from the back surface of the wafer W with progress of time arises.
실시예 1에서는 스텝 S5에 있어서 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH가 형성된 후에 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN까지 가압한다. 그 때문에, 하부 공간 H1의 넓이와 상부 공간 H2의 넓이의 차를 예로 하는 요인에 의해 하부 공간 H1의 기압 Ph2와 상부 공간 H2의 기압 Ph1 사이에 압력차가 발생하였다고 해도, 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 즉, 관통 구멍 PH를 통해 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에서 기체가 유통 가능하므로, 기압 Ph1과 기압 Ph2 사이에 치우침이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에 발생하는 압력차는 소정값 이하로 억제된다. 실질적으로, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이의 압력차는 제로에 가까운 값이 된다.In Example 1, after the through-hole PH is formed in the adhesive tape DT in step S5, the lower space H1 and the upper space H2 are pressed to the specific value PN. Therefore, even if a pressure difference is generated between the atmospheric pressure Ph2 of the lower space H1 and the atmospheric pressure Ph1 of the upper space H2 due to a factor such as the difference between the area of the lower space H1 and the area of the upper space H2, the pressure difference is quickly resolved. That is, since the gas can flow between the lower space H1 and the upper space H2 through the through hole PH, it is possible to prevent a bias from occurring between the atmospheric pressure Ph1 and the atmospheric pressure Ph2. Accordingly, the pressure difference generated between the lower space H1 and the upper space H2 is suppressed to a predetermined value or less. Practically, the pressure difference between the lower space H1 and the upper space H2 becomes close to zero.
압박력 V1의 크기는 기압 Ph1에 의존하고 있고, 압박력 V2의 크기는 기압 Ph2에 의존한다. 그 때문에, 기압 Ph1과 기압 Ph2의 차를 소정값 이하로 억제함으로써, 웨이퍼 W에 대해 상부 공간 H2의 측으로부터 작용하는 압박력 V1과 웨이퍼 W에 대해 하부 공간 H1의 측으로부터 작용하는 압박력 V2의 차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이의 압력차가 작아짐으로써, 당해 압력차에 기인하여 웨이퍼 W에 균열 또는 결함이 발생한다는 사태를 피할 수 있다.The magnitude of the pressing force V1 depends on the atmospheric pressure Ph1, and the magnitude of the pressing force V2 depends on the atmospheric pressure Ph2. Therefore, by suppressing the difference between the atmospheric pressure Ph1 and the atmospheric pressure Ph2 to a predetermined value or less, the difference between the pressing force V1 acting on the wafer W from the side of the upper space H2 and the pressing force V2 acting on the wafer W from the side of the lower space H1 is reduced It can be suppressed below a predetermined value. Accordingly, when the pressure difference between the lower space H1 and the upper space H2 becomes small, it is possible to avoid a situation in which cracks or defects occur in the wafer W due to the pressure difference.
하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 기압으로 가압한 상태에서, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W 사이에 압박력을 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105) 및 전자 밸브(107)를 개방 상태로 하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(9)을 상승시켜 웨이퍼 W의 표면을 보유 지지 테이블(9)의 웨이퍼 보유 지지면에 맞닿게 한다.In a state in which the lower space H1 and the upper space H2 are pressurized to an atmospheric pressure higher than atmospheric pressure, after a pressing force is applied between the adhesive tape DT and the wafer W for a predetermined time, the
스텝 S7(시트의 절단)Step S7 (cutting the sheet)
또한, 챔버(29) 내에 있어서 스텝 S4 내지 스텝 S6에 관한 공정을 행하고 있는 동안에, 시트 절단 기구(82)를 작동시켜 점착 테이프 DT의 절단을 행한다. 이때, 도 22에 도시한 바와 같이, 링 프레임 f에 첩부된 점착 테이프 DT를 커터(95)가 링 프레임 f의 형상으로 절단함과 함께, 압박 롤러(96)가 커터(95)에 추종하여 링 프레임 f 상의 시트 절단 부위를 구름 이동하면서 압박해 간다.Moreover, while performing the process regarding step S4 - step S6 in the
상부 하우징(29B)을 상승시킨 시점에서 스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정 및 스텝 S5에 관한 제2 첩부 과정은 완료되어 있으므로, 핀치 롤러(90)를 상승시켜 점착 테이프 DT의 닙을 해제한다. 그 후, 도 23에 도시한 바와 같이, 닙 롤러(86)를 이동시켜 시트 회수부(74)를 향하여 절단 후의 불필요한 점착 테이프 DT를 권취하여 회수해 감과 함께, 시트 공급부(71)로부터 소정량의 점착 테이프 DT를 조출한다. 스텝 S6까지의 각 공정에 의해, 점착 테이프 DT를 개재하여 링 프레임 f 및 웨이퍼 W가 일체화된 마운트 프레임 MF가 형성된다.Since the 1st sticking process about step S4 and the 2nd sticking process about step S5 are completed at the time of raising the
불필요한 점착 테이프 DT가 권취되어 회수되면, 닙 롤러(86) 및 첩부 롤러(85)는 초기 위치로 복귀한다. 그리고 마운트 프레임 MF를 보유 지지하고 있는 상태에서 보유 지지 테이블(9)은 첩부 위치로부터 초기 위치로 이동한다.When the unnecessary adhesive tape DT is wound up and recovered, the
스텝 S8(마운트 프레임의 회수)Step S8 (number of mount frames)
보유 지지 테이블(9)이 초기 위치로 복귀하면, 도 24에 도시한 바와 같이, 프레임 반송 장치(17)에 마련되어 있는 흡착 패드(28)가 마운트 프레임 MF를 흡착 보유 지지하고, 하부 하우징(29A)으로부터 마운트 프레임 MF를 이탈시킨다. 마운트 프레임 MF를 흡착 보유 지지한 프레임 반송 장치(17)는, 마운트 프레임 MF를 프레임 회수부(6)로 반송한다. 반송된 마운트 프레임 MF는, 카세트(41)에 적재 수납된다.When the holding table 9 returns to the initial position, as shown in FIG. 24 , the
이상에서, 웨이퍼 W에 점착 테이프 DT를 첩부하는 일순의 동작이 종료된다. 이후, 마운트 프레임 MF가 소정수에 도달할 때까지 상기 처리가 반복된다.In the above, the operation of one sequence of affixing the adhesive tape DT to the wafer W is completed. Thereafter, the above processing is repeated until the number of mount frames MF reaches a predetermined number.
<실시예 1의 구성에 의한 효과><Effect by the configuration of Example 1>
상기 실시예 1에 관한 장치에 의하면, 챔버를 사용하여 제1 첩부 과정 및 제2 첩부 과정을 행한다. 즉, 제1 첩부 과정에 의해 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 첩부한 후, 제2 첩부 과정을 행함으로써, 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 대해 더욱 고정밀도로 밀착하도록 첩부한다. 이와 같은 구성에 의해, 환상 볼록부 Ka를 한쪽의 면에 갖는 웨이퍼 W에 대해, 웨이퍼 W가 파손되는 사태를 피하면서, 점착 테이프 DT를 고정밀도로 첩부할 수 있다.According to the apparatus according to the first embodiment, the first sticking process and the second sticking process are performed using the chamber. That is, after affixing adhesive tape DT to the wafer W by a 1st sticking process, by performing a 2nd sticking process, adhesive tape DT is affixed so that it may closely_contact|adhere with respect to the wafer W more precisely. With such a structure, the adhesive tape DT can be affixed with high precision with respect to the wafer W which has annular convex part Ka on one surface, avoiding the situation where the wafer W is damaged.
본 발명에 관한 제1 첩부 과정에서는, 챔버(29)의 내부에 있어서, 웨이퍼 W가 배치되는 하부 공간 H1의 내부가 감압된다. 즉 점착 테이프 DT 및 웨이퍼 W의 주변 공간은 감압에 의해 기체 제거되므로, 점착 테이프 DT가 웨이퍼 W에 접촉하여 웨이퍼 W의 이면을 덮을 때, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W 사이에 기체가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 기체의 혼입에 기인하는 밀착력의 저하를 피할 수 있다.In the 1st sticking process which concerns on this invention, the inside of the lower space H1 in which the wafer W is arrange|positioned inside the
또한, 본 발명에 관한 제2 첩부 과정에서는, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압을 대기압보다 커지도록 가압시킴으로써, 점착 테이프 DT를 고정밀도로 웨이퍼 W의 이면에 첩부한다.Moreover, in the 2nd sticking process which concerns on this invention, the adhesive tape DT is affixed on the back surface of the wafer W with high precision by pressurizing the atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 so that it may become larger than atmospheric pressure.
진공 장치를 사용하여 챔버의 내부를 감압함으로써 차압 Fa를 발생시키는 경우, 대기압 상태로부터의 감압에 의해 발생하는 차압 Fa의 크기는, 대기압 이하가 된다. 즉 차압 Fa를 사용하여 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 압박시키는 경우, 웨이퍼 W의 이면에 대해 점착 테이프 DT를 압박시키는 힘의 크기에 상한이 존재한다.When the differential pressure Fa is generated by depressurizing the inside of the chamber using a vacuum device, the magnitude of the differential pressure Fa generated by the decompression from the atmospheric pressure is equal to or less than atmospheric pressure. That is, when the pressure-sensitive adhesive tape DT is pressed against the wafer W using the differential pressure Fa, there is an upper limit on the magnitude of the force for pressing the pressure-sensitive adhesive tape DT against the back surface of the wafer W.
따라서, 감압에 의한 차압 Fa에 의해 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 접촉시킨 상태에 있어서, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 밀착성은 낮다. 또한, 제1 압박 부재를 사용하는 종래의 구성에서는, 점착 테이프 DT 중 한정된 부분에만 압박력을 작용시킬 수 있다. 또한, 당해 압박력의 크기도 불충분하므로, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 밀착성을 향상시키는 것이 곤란하다.Therefore, in the state in which the adhesive tape DT was made to contact the wafer W by the differential pressure Fa by pressure_reduction|reduced_pressure, the adhesiveness of the adhesive tape DT and the wafer W is low. Further, in the conventional configuration using the first pressing member, the pressing force can be applied only to a limited portion of the adhesive tape DT. Moreover, since the magnitude|size of the said pressing force is also insufficient, it is difficult to improve the adhesiveness of the adhesive tape DT and the wafer W.
이에 반해, 본 발명에서는 가압 장치(32)를 사용하여 챔버(29) 내의 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 큰 기압이 되도록 가압한다. 즉 제2 첩부 과정에서는 차압 Fa보다 충분히 큰 압박력 V1, V2를 점착 테이프 DT 및 웨이퍼 W에 작용시킬 수 있다. 또한, 압박력 V1, V2는 웨이퍼 W에 첩부되는 점착 테이프 DT의 전체면에 걸쳐 작용한다. 따라서, 제2 첩부 과정을 행함으로써, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 밀착성을 크게 향상시킬 수 있으므로, 일련의 첩부 처리가 완료된 후에 시간이 경과해도, 점착 테이프 DT가 웨이퍼 W로부터 박리되는 것을 피할 수 있다.On the other hand, in the present invention, the upper space H2 and the lower space H1 in the
또한, 제2 첩부 과정에서는 가압 장치(32)를 적절히 제어함으로써, 압박력 V1 및 V2의 크기를 임의의 값으로 조절할 수 있다. 따라서, 점착재 Tb의 구성 재료, 또는 웨이퍼 W의 사이즈 및 환상 볼록부 Ka의 두께를 예로 하는 각종 조건이 변경되는 경우에도, 압박력 V1 및 V2의 크기를 적절히 조절함으로써, 확실하게 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W의 환상 볼록부 형성면에 첩부할 수 있다.Moreover, in a 2nd sticking process, the magnitude|size of the pressing force V1 and V2 can be adjusted to arbitrary values by controlling the
실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는, 제2 첩부 과정 전에 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 첩부 과정에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 기압의 차를 소정값 이하로 저감시킨다. 압력차 조정 과정을 행함으로써, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 밀착성을 높이면서, 웨이퍼 W에 균열 또는 결함 등의 파손이 발생하는 것을 보다 확실하게 피할 수 있다.In the adhesive
여기서 압력차 조정 과정에 의한 효과에 대해 설명한다. 발명자의 예의 검토에 의해, 챔버(29)의 내부가 점착 테이프 DT에 의해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1로 구획된 상태에서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1을 대기압 이상으로 가압하면, 웨이퍼 W에 균열 또는 결함 등의 파손이 발생한다는 문제를 알아냈다.Here, the effect of the pressure difference adjustment process will be described. According to the inventor's diligent examination, when the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized to atmospheric pressure or higher in a state in which the interior of the
발명자가 더 예의 검토를 진행시킨 결과, 이하와 같은 가설을 알아냈다. 즉, 챔버(29)의 내부를 대기압 이상으로 가압함으로써, 상부 공간 H2에 있어서 발생하는 압박력 V1과 하부 공간 H1에 있어서 발생하는 압박력 V2 사이에 큰 압력차가 발생한다. 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1은 모두 유로(102)를 통해 가압 장치(32)에 접속되어 있으므로, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 공급되는 기체의 양은 동등하다.As a result of the inventor further earnestly examining, the following hypotheses were discovered. That is, by pressurizing the inside of the
그러나, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 용적의 차 등에 기인하여, 기체의 공급량이 동등해도 상부 공간 H2의 기압(압박력 V1)이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압(압박력 V2)이 상승하는 속도가 다른 경우가 있다. 그 결과, 스텝 S6에 있어서 압박력 V1과 압박력 V2의 압력차에 기인하여 웨이퍼 W에 균열 또는 결함 등의 파손이 발생한다고 생각된다.However, due to the difference in the volumes of the upper space H2 and the lower space H1, the speed at which the atmospheric pressure (compression force V1) in the upper space H2 rises and the speed at which the atmospheric pressure (compression force V2) in the lower space H1 rises even if the gas supply amounts are equal. may be different. As a result, in step S6, it is considered that the wafer W is damaged such as cracks or defects due to the pressure difference between the pressing force V1 and the pressing force V2.
그래서, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는, 제2 첩부 과정 전에 시트 천공부(76)를 사용하여 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH를 형성시킨다. 관통 구멍 PH를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능해짐으로써, 압박력 V1과 압박력 V2 사이에서 압력차가 발생한 경우라도, 기체의 유통에 의해 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 따라서, 스텝 S6에 있어서 챔버(29)의 내부를 가압할 때, 압박력 V1과 압박력 V2 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 저감한 상태를 유지할 수 있으므로, 높은 압박력 V1 및 압박력 V2에 의해 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 밀착성을 높이면서, 압박력 V1과 압박력 V2의 압력차에 기인하여 웨이퍼 W에 파손이 발생하는 것을 피할 수 있다.Then, in the adhesive
[실시예 2][Example 2]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 실시예 1에서는 시트 천공부(76)를 사용하여 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH를 형성시킴으로써, 스텝 S6에 관한 제2 첩부 과정에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 저감시키는 구성을 예로 들어 설명하였다. 이에 대해 실시예 2에서는, 제어부(33)가 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각을 단계적으로 가압함으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 저감시킨다. 또한, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 동일 구성에 대해서는 동일 번호를 부여하는 것에 그치고, 다른 구성 부분에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter,
실시예 2에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)는, 챔버(29)를 제외하고 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 구성이 공통된다. 단, 실시예 2에서는 제어부(33)가 설정하는 제어 패턴에 따라, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 저감시킨다. 그 때문에, 실시예 2에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는 시트 천공부(76)를 생략할 수 있다.The adhesive
도 58은 실시예 2에 관한 챔버의 종단면도이다. 실시예 2에서는, 전자 밸브(104)는 유로(204)에 배치되어 있고, 전자 밸브(114)는 유로(203)에 배치된다. 즉 제어부(33)가 전자 밸브(104) 및 전자 밸브(114)의 개폐 동작을 독립 제어함으로써, 실시예 2에서는 하부 공간 H1에 대한 기체의 공급의 온/오프와 상부 공간 H2에 대한 기체의 공급의 온/오프를 독립 제어할 수 있도록 구성되어 있다.58 is a longitudinal sectional view of the chamber according to Example 2. FIG. In the second embodiment, the
<실시예 2에 관한 가압 제어><Pressure control according to Example 2>
실시예 2에 있어서 제어부(33)가 상부 공간 H2와 하부 공간 H1을 가압하는 제어의 상세에 대해, 실시예 1에 있어서의 가압 제어와 비교하면서 설명한다. 도 25는 제어부(33)가 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 초깃값 PS로부터 특정값 PN으로 가압하는 일반적인 제어 방법을 설명하는 그래프이다. 또한, 초깃값 PS는 1기압, 특정값 PN은 6기압인 경우를 예로서 설명한다. 또한, 상부 공간 H2와 비교하여 하부 공간 H1의 용적이 넓어, 하부 공간 H1에 있어서의 가압 속도가 상부 공간 H2에 있어서의 가압 속도보다 낮은 것으로 한다.The detail of the control by which the
일반적으로, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 기압으로 가압하는 경우, 1회의 가압 스텝에 의해, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각의 기압을 초깃값 PS로부터 미리 정해진 특정값 PN으로 상승시킨다. 즉 제어부(33)는 1기압의 상태인 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 대해, 특정값 PN인 6기압을 목표값으로 하여 가압을 행한다.In general, when pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 to an atmospheric pressure higher than atmospheric pressure, the respective atmospheric pressures of the upper space H2 and the lower space H1 are raised from the initial value PS to the predetermined specific value PN by one pressurization step. make it That is, the
상부 공간 H2 및 하부 공간 H1은 모두 동일한 유로(102)를 통해 가압 장치(32)와 접속되어 있으므로, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에는 단위 시간당으로 등량의 기체가 공급된다. 그러나, 도 25에 있어서 실선으로 나타내어지는 상부 공간 H2의 기압 Ph1이 상승하는 속도와, 도 25에 있어서 점선으로 나타내어지는 하부 공간 H1의 기압 Ph2가 상승하는 속도는 다르다. 즉, 상부 공간 H2의 용적은 하부 공간 H1의 용적보다도 작으므로, 기압 Ph1의 상승 속도는 기압 Ph2의 상승 속도보다 크다. 따라서, 기압 Ph1은 시각 ta에 있어서 빠르게 목표값인 6기압에 도달한 후, 당해 목표값을 유지한다. 한편, 기압 Ph2는 상승 속도가 느리므로 시각 ta의 시점에서는 목표값인 6기압에는 도달하지 않고, 시각 ta보다 느린 시각 tb에 있어서 6기압에 도달한다.Since both the upper space H2 and the lower space H1 are connected to the pressurizing
이와 같이, 1회의 가압 스텝 Rv에 의해 특정값 PN으로 가압하는 일반적인 가압 제어 패턴에서는, 기압 Ph1과 기압 Ph2의 압력차 Ds가 매우 커진다. 즉 도 25에 도시한 바와 같이, 시각 ta에 있어서 압력차 Ds가 커진다. 그리고 도 25에서 도시한 바와 같은 가압 속도로 가압을 행하는 경우, 시각 ta에 있어서의 압력차 Ds는 2기압보다 크다. 그 결과, 매우 큰 압력차 Ds에 기인하여 스텝 S6에 있어서 큰 차압이 웨이퍼 W에 작용하므로 웨이퍼 W에 파손이 발생하기 쉬워진다.In this way, in a general pressurization control pattern of pressurizing to a specific value PN by one pressurization step Rv, the pressure difference Ds between the atmospheric pressure Ph1 and the atmospheric pressure Ph2 becomes very large. That is, as shown in FIG. 25, the pressure difference Ds becomes large at time ta. And when pressurization is performed at the pressurization speed|rate as shown in FIG. 25, the pressure difference Ds in time ta is larger than 2 atmospheres. As a result, since a large differential pressure acts on the wafer W in step S6 due to the very large pressure difference Ds, damage to the wafer W tends to occur.
한편, 실시예 2에 관한 가압 제어에서는 도 26에 도시한 바와 같이, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압하는 공정을 n회의 가압 스텝 R1 내지 Rn으로 분할하여, 단계적으로 양쪽 공간을 가압한다. 또한, n의 값에 대해서는 2 이상의 정수이면 적절히 변경해도 된다.On the other hand, in the pressurization control according to the second embodiment, as shown in FIG. 26 , the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 is divided into n pressurization steps R1 to Rn, and both spaces are pressurized step by step. In addition, about the value of n, if it is an integer of 2 or more, you may change suitably.
분할된 가압 스텝 R1 내지 Tn의 각각에서는, 전자 밸브(104 및 114)를 개방하여 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압 스텝마다 정해진 목표값 M으로 가압하는 제어가 행해진다. 그리고, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1 중에 먼저 목표값 M에 도달한 쪽은 다른 쪽의 공간이 당해 목표값 M에 도달할 때까지 기압의 값을 당해 목표값 M으로 유지하도록 제어된다.In each of the divided pressurization steps R1 to Tn, control is performed to open the
일례로서 상부 공간 H2의 기압이 먼저 목표값 M에 도달한 경우, 상부 공간 H2의 기압이 목표값 M에 도달한 시점에 있어서 제어부(33)는 전자 밸브(104)를 폐쇄함으로써 상부 공간 H2에 대한 기체의 공급을 정지시킨다. 한편, 제어부(33)는 전자 밸브(114)를 개방한 상태로 유지하여 하부 공간 H1에 대한 기체의 공급을 속행시킨다. 당해 제어에 의해, 상부 공간 H2의 기압은 목표값 M으로 유지되는 한편, 하부 공간 H1의 기압은 목표값 M을 향하여 상승한다. 하부 공간 H1의 기압이 먼저 목표값 M에 도달한 경우, 제어부(33)는 전자 밸브(104)를 개방한 상태로 유지하면서, 전자 밸브(114)를 폐쇄하는 제어를 행한다. 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압이 모두 목표값 M에 도달하면, 다음 가압 스텝 R을 개시하여 전자 밸브(104 및 114)를 모두 개방시켜, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 가압시킨다.As an example, when the atmospheric pressure in the upper space H2 first reaches the target value M, when the atmospheric pressure in the upper space H2 reaches the target value M, the
또한, 가압 스텝 R1 내지 Rn의 각각에 정해져 있는 목표값 M의 각각에 대해서는, 목표값 M1 내지 Mn으로서 구별한다. 일례로서, 가압 스텝 R1에 정해져 있는 목표값 M에 대해서는 목표값 M1로 하여 다른 가압 스텝 R2 내지 Rn이 갖는 목표값 M과 구별한다. 목표값 M1 내지 Mn은, 단계적으로 높아지도록 미리 정해진다. 즉 목표값 M1과 비교하여 목표값 M2쪽이 높아지도록 정해지고, 목표값 Mn이 가장 높아지도록 정해진다.In addition, about each of the target values M determined in each of press step R1 - Rn, it distinguishes as target values M1 - Mn. As an example, about the target value M determined in the pressurization step R1, it is set as the target value M1, and it distinguishes from the target value M which other press steps R2 to Rn have. The target values M1 to Mn are predetermined so as to increase step by step. That is, compared with the target value M1, the target value M2 is determined to be higher, and the target value Mn is determined to be the highest.
상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압하는 공정의 분할에 의해 발생하는 가압 스텝의 수, 즉 n의 값은 적절히 변경해도 된다. 즉, 가압 스텝 R1 내지 Rn의 수 n은, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 압력차가 소정값 이하로 유지되도록 미리 정해진다.You may change the number of pressurization steps which generate|occur|produce by division|segmentation of the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1, ie, the value of n suitably. That is, the number n of the pressurization steps R1 to Rn is predetermined so that the pressure difference between the upper space H2 and the lower space H1 is maintained at a predetermined value or less.
도 26에서는, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압하는 공정을 5회의 가압 스텝 R1 내지 T5로 분할하고, 양쪽 공간을 1기압으로부터 6기압으로 가압하는 제어를 행하는 구성을 예시하고 있다. 이 경우, 먼저 제1 가압 스텝 R1에 있어서 목표값 M1이 2기압으로 정해진다. 즉 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 개시값인 1기압으로부터 목표값 M1인 2기압으로 가압되도록, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 제어한다.In FIG. 26, the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 is divided|segmented into 5 pressurization steps R1 - T5, and the structure which performs control which pressurizes both spaces from 1 atmosphere to 6 atmospheres is illustrated. In this case, first, the target value M1 is set to 2 atmospheres in 1st pressurization step R1. That is, the
제1 가압 스텝 R1이 시각 t0에 있어서 개시되면, 상부 공간 H2의 기압 Ph1은 시각 t1에 있어서 빠르게 목표값인 2기압에 도달한다. 상부 공간 H2의 기압 Ph1이 목표값에 도달하면, 제어부(33)는 전자 밸브(114)를 개방한 상태로 유지하면서 전자 밸브(104)를 개방한 상태로부터 폐쇄한 상태로 전환한다. 당해 제어에 의해, 상부 공간 H2에 대한 기체의 공급이 정지되는 한편 하부 공간 H1에 대한 기체의 공급이 계속된다. 그리고 하부 공간 H1의 기압 Ph2가 2기압에 도달하는 시각 t2까지, 기압 Ph1은 상승하지 않고 목표값 M1인 2기압의 상태를 유지한다.When the first pressurization step R1 is started at the time t0, the atmospheric pressure Ph1 of the upper space H2 will quickly reach the target value of 2 atmospheric pressure at the time t1. When the atmospheric pressure Ph1 of the upper space H2 reaches the target value, the
상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 양쪽이 목표값 M1인 2기압에 도달함으로써, 제2 가압 스텝 R2를 개시한다. 제2 가압 스텝 R2가 개시되면, 제어부(33)는 전자 밸브(104 및 114)를 모두 개방한 상태가 되도록 제어하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급시킨다.When both the upper space H2 and the lower space H1 reach the 2 atmospheric pressure which is the target value M1, 2nd pressurization step R2 is started. When the 2nd pressurization step R2 is started, the
제2 가압 스텝 R2에서는, 목표값 M2는 목표값 M1보다 높은 3기압으로 정해진다. 즉 제2 가압 스텝 R2에서는, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 개시값인 2기압으로부터 목표값 M2인 3기압으로 가압된다. 상부 공간 H2의 기압 Ph1은 시각 t3에 목표값 M2인 3기압에 도달하고, 시각 t4까지 3기압인 상태를 유지한다. 그리고 시각 t4에 있어서 기압 Ph2가 3기압(목표값 M2)에 도달함으로써, 제2 가압 스텝 R2로부터 제3 가압 스텝 R3으로 이행한다.In the second pressurization step R2, the target value M2 is determined to be 3 atmospheres higher than the target value M1. That is, in the second pressurization step R2, the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized from the starting value of 2 atm to the target value M2 of 3 atm. Atmospheric pressure Ph1 of upper space H2 reaches 3 atm which is the target value M2 at time t3, and maintains the state of 3 atm until time t4. And when atmospheric pressure Ph2 reaches 3 atmospheric|air pressure (target value M2) in time t4, it transfers to 3rd pressurization step R3 from 2nd pressurization step R2.
제3 가압 스텝 R3에서는 목표값 M3이 목표값 M2보다 높은 4기압으로 정해져 있고, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 3기압으로부터 4기압으로 가압된다. 시각 t4에 있어서 제3 가압 스텝 R3이 개시되고, 시각 t5에 있어서 기압 Ph1이 목표값 M3인 4기압에 도달한다. 그리고 시각 t6에 있어서 기압 Ph2가 4기압에 도달하고, 제3 가압 스텝 R3으로부터 제4 가압 스텝 R4로 이행한다.In the third pressurization step R3, the target value M3 is set to 4 atm higher than the target value M2, and the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized from 3 atm to 4 atm. At time t4, 3rd pressurization step R3 is started, and atmospheric|air pressure Ph1 reaches 4 atmospheric pressure which is target value M3 in time t5. And atmospheric pressure Ph2 reaches 4 atmospheric pressure in time t6, and it transfers to 4th pressurization step R4 from 3rd pressurization step R3.
제4 가압 스텝 R4에서는 목표값 M4가 목표값 M3보다 높은 값인 5기압으로 정해져 있고, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 4기압으로부터 5기압으로 가압된다. 시각 t6에 있어서 제4 가압 스텝 R4가 개시되고, 시각 t7에 있어서 기압 Ph1이 5기압에 도달한다. 그리고 시각 t8에 있어서 기압 Ph2가 5기압에 도달하고, 제4 가압 스텝 R4로부터 제5 가압 스텝 R5로 이행한다.In the fourth pressurization step R4, the target value M4 is set to 5 atm which is a value higher than the target value M3, and the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized from 4 atm to 5 atm. At time t6, the 4th pressurization step R4 is started, and atmospheric|air pressure Ph1 reaches 5 atmospheric pressure at time t7. And atmospheric pressure Ph2 reaches 5 atmospheric|air pressure in time t8, and it transfers to 5th pressurization step R5 from 4th pressurization step R4.
제5 가압 스텝 R5에서는 목표값 M5가 최종적인 목표인 6기압(특정값 PN)으로 정해져 있고, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 5기압으로부터 6기압으로 가압된다. 시각 t8에 있어서 제5 가압 스텝 R5가 개시되고, 시각 t9에 있어서 기압 Ph1이 6기압에 도달한다. 그리고 시각 t10에 있어서 기압 Ph2가 6기압에 도달하여, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 초깃값 PS로부터 특정값 PN으로 가압하는 전체 과정이 완료된다.In the fifth pressurization step R5, the target value M5 is set to a final target of 6 atm (specific value PN), and the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized from 5 atm to 6 atm. At time t8, 5th pressurization step R5 is started, and atmospheric|air pressure Ph1 reaches 6 atmospheres at time t9. And the atmospheric pressure Ph2 reaches 6 atmospheres at time t10, and the whole process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 from the initial value PS to the specific value PN is completed.
이와 같이, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 초깃값 PS로부터 특정값 PN으로 가압하는 과정을 복수의 스텝으로 분할하고, 단계적으로 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압하는 구성으로 함으로써, 실시예 2에서는 기압 Ph1과 기압 Ph2의 압력차 Ds를 저감할 수 있다. 도 26에 도시된 실시예 2의 구성에 있어서 압력차 Ds가 최대가 되는 시각은, 각각의 가압 스텝 R1 내지 R5에 있어서 기압 Ph1이 목표값에 도달하는 시각 t1, t3, t5, t7, t9이다. 도 26에 도시한 실시예 2에 있어서의 압력차 Ds의 최댓값은, 도 25에 도시한 바와 같은 1회의 가압 스텝 Rv에서 특정값 PN으로 가압하는 구성에 있어서의 압력차 Ds의 최댓값과 비교하여 매우 작아진다.In this way, by dividing the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 from the initial value PS to the specific value PN into a plurality of steps, and having a configuration in which the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized step by step, in Example 2 The pressure difference Ds between atmospheric pressure Ph1 and atmospheric pressure Ph2 can be reduced. The time at which the pressure difference Ds becomes the maximum in the configuration of Example 2 shown in Fig. 26 is the time t1, t3, t5, t7, t9 at which the atmospheric pressure Ph1 reaches the target value in each of the pressurization steps R1 to R5. . The maximum value of the pressure difference Ds in Example 2 shown in FIG. 26 is very high compared with the maximum value of the pressure difference Ds in the structure pressurized to the specific value PN in one pressurization step Rv as shown in FIG. gets smaller
즉, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 특정값 PN으로 가압하는 과정을 복수의 가압 스텝 T1 내지 Tn으로 분할하여 단계적으로 가압함으로써, 압력차 Ds의 최댓값을 작게 할 수 있다. 바꾸어 말하면, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 각각의 가압 스텝 R1 내지 Rn에 있어서 설정된 목표값으로 상승시킨다는 동작을 반복함으로써, 압력차 Ds의 최댓값을 작게 할 수 있다.That is, the maximum value of the pressure difference Ds can be made small by dividing the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 to the specific value PN into a plurality of pressurization steps T1 to Tn and pressurizing it step by step. In other words, the maximum value of the pressure difference Ds can be made small by repeating the operation|movement of raising the atmospheric pressure of the upper space H2 and the lower space H1 to the target value set in each pressurization step R1 - Rn.
압력차 Ds의 최댓값을 작게 할 수 있는 이유로서, 복수의 가압 스텝 R1 내지 Rn으로 분할함으로써, 각각의 가압 스텝에 있어서의 개시값과 목표값의 차를 작게 할 수 있는 것을 들 수 있다. 구체적으로, 도 25에 도시한 구성에서는 1회의 가압 스텝에 있어서, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 개시값(초깃값 PS)인 1기압으로부터 목표값(특정값 PN)인 6기압까지 가압한다. 즉, 당해 1회의 가압 스텝에 있어서의 기압의 상승량(개시값과 목표값의 차)은 5기압이 된다. 따라서, 1회의 가압 스텝에서 5기압 상승시키는 경우, 압력차 Ds는 최대로 5기압으로 될 수 있다.The reason that the maximum value of the pressure difference Ds can be made small is that the difference between the start value and the target value in each pressurization step can be made small by dividing into a plurality of pressurization steps R1 to Rn. Specifically, in the configuration shown in Fig. 25, in one pressurization step, the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized from 1 atm as the starting value (initial value PS) to 6 atm as the target value (specific value PN). That is, the increase amount (difference between the start value and the target value) of the atmospheric pressure in the one pressurization step is 5 atmospheres. Accordingly, in the case of raising the pressure by 5 atmospheres in one pressurization step, the pressure difference Ds can be at most 5 atmospheres.
한편 도 26에 도시한 구성에서는, 1기압으로부터 6기압으로 가압하는 공정을 5개의 가압 스텝 T1 내지 T5로 분할하기 때문에, 가압 스텝 T1 내지 T5의 각각에 있어서의 기압의 상승량은 1기압이 된다. 따라서, 각각의 가압 스텝 T1 내지 T5에 있어서, 압력차 Ds의 최댓값은 1기압 이하로 억제할 수 있다.On the other hand, in the structure shown in FIG. 26, since the process of pressurizing from 1 atm to 6 atm is divided into five pressurization steps T1 to T5, the amount of increase in atmospheric pressure in each of the pressurization steps T1 to T5 becomes 1 atm. Therefore, in each pressurization step T1 - T5, the maximum value of the pressure difference Ds can be suppressed to 1 atmosphere or less.
<실시예 2에 있어서의 동작><Operation in Example 2>
여기서, 실시예 2에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작을 설명한다. 실시예 2에 관한 흐름도의 개요는 도 8에 도시한 실시예 1에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S5 및 스텝 S6에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation|movement of the adhesive
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정이 완료되면, 제어부(33)는 스텝 S6에 있어서의 가압 제어 패턴을 설정한다. 바꾸어 말하면, 제어부(33)는 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 기압이 되도록 가압하는 제어 패턴을 설정한다. 구체적으로는, 단계적으로 높아지는 목표값 M1 내지 M5가 정해져 있는 5개의 가압 스텝 R1 내지 R5를 실행함으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 기압이 되도록 가압하는 제어 패턴을 제어부(33)는 설정한다.When the 1st sticking process concerning step S4 is completed, the
각각의 가압 스텝 R1 내지 R5는, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을, 가압 스텝마다 정해진 목표값 M으로 상승시키는 스텝이다. 제어부(33)가 가압 스텝 R1 내지 R5를 갖는 가압 제어 패턴을 설정함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키는 처리, 즉 압력차 조정 과정은 완료된다.Each of the pressurization steps R1 to R5 is a step of raising the atmospheric pressure of the upper space H2 and the lower space H1 to the target value M determined for each pressurization step. The process for suppressing the pressure difference generated between the upper space H2 and the lower space H1 to a predetermined value or less, that is, the pressure difference adjustment process, is completed by the
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
복수의 가압 스텝 R1 내지 R5를 사용한 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 가압 제어 패턴이 설정된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 제어부(33)는, 도 6에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104 및 114)를 개방시킨다. 그리고 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급하고, 전자 밸브(104 및 114)의 개폐를 독립 제어함으로써, 스텝 S5에 있어서 설정된 가압 제어 패턴에 따라서 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 단계적으로 가압한다. 실시예 2에서는 5개로 분할된 가압 스텝 R1 내지 R5의 각각에 있어서, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압을 1기압씩 상승시킨다.After the press control pattern of the upper space H2 and lower space H1 using several press step R1 - R5 is set, a 2nd sticking process is started. The
가압 스텝 R1 내지 R5의 각각에서는, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 한쪽의 기압이 목표값 M에 도달한 경우, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 다른 쪽의 기압이 당해 목표값 M에 도달할 때까지, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 한쪽의 기압은 목표값 M을 유지하도록 제어부(33)는 가압 장치(32)를 제어한다.In each of the pressurization steps R1 to R5, when one atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 reaches the target value M, when the other atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 reaches the target value M Until then, the air pressure in one of the lower space H1 and the upper space H2 maintains the target value M, the
일례로서 목표값 M1을 갖는 가압 스텝 R1에 있어서 상부 공간 H2의 기압 Ph1이 하부 공간 H1의 기압 Ph2보다 먼저 목표값 M1에 도달한 경우, 전자 밸브(114)를 개방 상태로 하면서 전자 밸브(104)를 폐쇄 상태로 함으로써, 기압 Ph2가 목표값 M1에 도달할 때까지 기압 Ph1은 목표값 M1을 유지한다. 바꾸어 말하면, 기압 Ph2가 목표값 M1에 도달할 때까지는 기압 Ph1을 목표값 M1보다 높게 하는 일이 없다. 따라서, 가압 스텝 R1에 있어서 발생하는 하부 공간 H1과 상부 공간 H2의 압력차 Ds는, 가압 스텝 R1에 있어서의 기압의 상승량 이하(실시예 2에서는 1기압 이하)로 억제된다.As an example, when the atmospheric pressure Ph1 in the upper space H2 reaches the target value M1 before the atmospheric pressure Ph2 in the lower space H1 in the pressurization step R1 having the target value M1, the
상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압이 모두 목표값 M1에 도달하면, 가압 스텝 R1을 완료시켜 다음 가압 스텝 R2를 개시한다. 가압 스텝 R2에서는, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 목표값 M2로 가압한다. 상부 공간 H2의 기압 Ph1이 하부 공간 H1의 기압 Ph2보다 먼저 목표값 M2에 도달한 경우, 기압 Ph2가 목표값 M2에 도달할 때까지 기압 Ph1은 목표값 M2를 유지한다. 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압이 모두 목표값 M2에 도달하면, 가압 스텝 R2를 완료시켜 다음 가압 스텝 R3을 개시한다. 이하, 가압 스텝 R3 내지 R5를 순서대로 실행시킴으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 단계적으로 가압시킨다.When both the atmospheric pressures of the upper space H2 and the lower space H1 reach the target value M1, the pressurization step R1 is completed and the next pressurization step R2 is started. In pressurization step R2, the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized to the target value M2. When the atmospheric pressure Ph1 in the upper space H2 reaches the target value M2 before the atmospheric pressure Ph2 in the lower space H1, the atmospheric pressure Ph1 maintains the target value M2 until the atmospheric pressure Ph2 reaches the target value M2. When both the atmospheric pressures of the upper space H2 and the lower space H1 reach the target value M2, the pressurization step R2 is completed and the next pressurization step R3 is started. Hereinafter, the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized in stages by executing the pressurization steps R3 to R5 in order.
이와 같이, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 목표값 M1 내지 M5로 가압시키는 가압 스텝 R1 내지 R5를 순서대로 실행시킴으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 초깃값 PS로부터 특정값 PN으로 단계적으로 상승시킨다. 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 초깃값 PS로부터 특정값 PN으로 가압하는 과정을 복수의 가압 스텝 R1 내지 R5로 분할시킴으로써, 각각의 가압 스텝 R1 내지 R5에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차의 상한이 가압 스텝 R1 내지 R5의 수에 따라서 저감된다.In this way, by sequentially executing the pressurization steps R1 to R5 for pressurizing the atmospheric pressures in the upper space H2 and the lower space H1 to the target values M1 to M5, the atmospheric pressures in the upper space H2 and the lower space H1 are changed from the initial value PS to the specific value PN. rise step by step. By dividing the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 from the initial value PS to the specific value PN into a plurality of pressurization steps R1 to R5, the upper space H2 and the lower space H1 generated in each pressurization step R1 to R5 The upper limit of the pressure difference is reduced according to the number of pressurization steps R1 to R5.
따라서, 가압 스텝 R1 내지 R5를 순차적으로 실행함으로써 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 단계적으로 가압시킴으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 가압시키는 과정에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제시킬 수 있다. 따라서, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 대기압보다 높은 압력이 되도록 가압한 상태여도 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차에 기인하여 웨이퍼 W에 손상이 발생하는 것을 피할 수 있다.Accordingly, the pressure difference between the upper space H2 and the lower space H1 generated in the process of pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 by stepwise pressurizing the upper space H2 and the lower space H1 by sequentially executing the pressurization steps R1 to R5. can be suppressed below a predetermined value. Accordingly, it is possible to avoid damage to the wafer W due to the pressure difference between the upper space H2 and the lower space H1 even when the upper space H2 and the lower space H1 are pressurized to a pressure higher than atmospheric pressure.
가압 스텝 R1 내지 R5가 완료되고, 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압한 상태에서 압박력 V1 및 V2를 웨이퍼 W에 소정 시간 작용시킴으로써, 점착 테이프 DT는 웨이퍼 W에 대해 보다 밀착되도록 첩부된다. 압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105, 107)를 완전 개방으로 하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(9)을 상승시켜 웨이퍼 W의 표면을 보유 지지 테이블(9)의 웨이퍼 보유 지지면에 맞닿게 함으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 1과 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써 마운트 프레임 MF가 작성된다.By completing the pressing steps R1 to R5 and applying the pressing forces V1 and V2 to the wafer W for a predetermined period of time in a state pressurized to a specific value PN higher than atmospheric pressure, the adhesive tape DT is affixed so as to be more closely adhered to the wafer W. After applying the pressing forces V1 and V2 for a predetermined time, the
실시예 2에서는, 제어부(33)에 의한 가압 제어 패턴을 설정함으로써 압력차 조정 과정을 실행한다. 즉, 제어부(33)가 설정하는 가압 제어 패턴을 복수의 가압 스텝 R1 내지 R5에 의해 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 단계적으로 가압시키는 제어 패턴으로 함으로써, 제2 첩부 과정에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 그 때문에, 시트 천공부(76)를 예로 하는 새로운 기구를 점착 테이프 첩부 장치(1)에 포함시키지 않더라도, 가압 제어 패턴에 관한 제어부(33)의 프로그램을 갱신함으로써, 웨이퍼 W에 손상이 발생하는 것을 피하면서, 웨이퍼 W와 점착 테이프 DT의 밀착성을 향상시킬 수 있다.In the second embodiment, the pressure difference adjustment process is executed by setting the pressure control pattern by the
[실시예 3][Example 3]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 3을 설명한다. 실시예 3에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)는, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 구성이 공통된다. 실시예 3에서는 가압 장치(32)에 접속되는 유로 및 전자 밸브의 구성이, 도 6에 도시한 실시예 1 또는 실시예 2의 구성과 다르다. 또한 실시예 3에서는 실시예 2와 마찬가지로, 시트 천공부(76)를 생략할 수 있다.Hereinafter,
도 27은 실시예 3에 관한 챔버의 종단면도이다. 실시예 1 및 실시예 2에서는, 전자 밸브(104) 및 전자 밸브(114)는 완전히 개방된 상태와 완전히 폐쇄된 상태를 전환하는 구성으로 되어 있다. 즉, 전자 밸브(104) 및 전자 밸브(114)를 개방된 상태로 하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급하는 경우, 단위 시간에 있어서 하부 공간 H1에 공급되는 기체의 양과 상부 공간 H2에 공급되는 기체의 양은 동등한 구성으로 되어 있다.Fig. 27 is a longitudinal sectional view of the chamber according to the third embodiment. In Examples 1 and 2, the
한편, 실시예 3에 관한 챔버(29)는, 단위 시간에 있어서 하부 공간 H1에 공급되는 기체의 양과, 단위 시간에 있어서 상부 공간 H2에 공급되는 기체의 양을 각각 독립적으로 조절할 수 있는 구성으로 되어 있다. 바꾸어 말하면, 기체의 공급에 의해 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도와, 기체의 공급에 의해 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도를 각각 독립적으로 조절할 수 있는 구성으로 되어 있다.On the other hand, the
실시예 3에서는 실시예 2와 마찬가지로, 전자 밸브(104)는 유로(204)에 배치되어 있고, 전자 밸브(114)는 유로(203)에 배치된다. 단 실시예 3에 관한 챔버(29)에서는 도 27에 도시한 바와 같이, 전자 밸브(104)에는 개폐 조절 밸브(115)가 마련되어 있고, 전자 밸브(114)에는 개폐 조절 밸브(116)가 마련되어 있다. 개방도 조절 밸브(115)는, 전자 밸브(104)의 개방도를 적절히 조절함으로써, 유로(204)를 통해 상부 공간 H2에 공급되는 기체의 양을 조절한다. 개방도 조절 밸브(116)는, 전자 밸브(114)의 개방도를 적절히 조절함으로써, 유로(203)를 통해 하부 공간 H1에 공급되는 기체의 양을 조절한다.In Example 3, similarly to Example 2, the
전자 밸브(104 및 114)의 개폐 조작에 더하여, 개방도 조절 밸브(115)를 통한 전자 밸브(104)의 개방도의 조절, 및 개방도 조절 밸브(116)를 통한 전자 밸브(114)의 개방도의 조절은, 모두 제어부(33)에 의해 행해진다. 즉 실시예 3에서는 개방도 조절 밸브(115) 및 개방도 조절 밸브(116)를 마련함으로써, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 대한 기체의 공급의 온/오프를 독립 제어할 뿐만 아니라, 상부 공간 H2에 대한 기체 공급 속도와 하부 공간 H1에 대한 기체 공급 속도를 독립적으로 조절할 수도 있다.In addition to the opening/closing operation of the
이와 같이, 실시예 3에서는 가압 장치(32)를 작동시킨 경우, 전자 밸브(104)의 개방도를 조절함으로써 상부 공간 H2에 있어서의 기압의 상승 속도를 조절할 수 있다. 그리고 전자 밸브(114)의 개방도를 조절함으로써, 하부 공간 H1에 있어서의 기압의 상승 속도를 조절할 수 있다. 즉 실시예 3에서는, 제어부(33)가 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도를 독립적으로 제어함으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도를 독립적으로 제어할 수 있는 구성으로 되어 있다. 그리고 제어부(33)는 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도가 동등해지도록 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도를 각각 제어함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시킨다.Thus, in Example 3, when the
가압 장치(32), 유로(204), 전자 밸브(104), 및 개방도 조절 밸브(115)를 구비하고, 상부 공간 H2의 압력을 조정하는 기구는 본 발명에 있어서의 제1 변압 기구에 상당한다. 가압 장치(32), 유로(203), 전자 밸브(114), 및 개방도 조절 밸브(116)를 구비하고, 하부 공간 H1의 압력을 조정하는 기구는 본 발명에 있어서의 제2 변압 기구에 상당한다.The mechanism for adjusting the pressure of the upper space H2 including the
<실시예 3에 있어서의 동작><Operation in Example 3>
여기서, 실시예 3에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작을 설명한다. 실시예 3에 관한 흐름도의 개요는 도 8에 도시된 실시예 1에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S5 및 스텝 S6에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation|movement of the adhesive
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
실시예 3에서는 스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정이 완료되면, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키는 처리를 개시한다. 즉, 제어부(33)는 하부 공간 가압용의 유로(203)에 구비되어 있는 전자 밸브(114)의 개방도와, 상부 공간 가압용의 유로(204)에 구비되어 있는 전자 밸브(104)의 개방도를 독립적으로 제어한다. 이때, 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도가 동등해지도록 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도를 각각 제어한다.In Example 3, when the 1st sticking process concerning step S4 is completed, the process of suppressing the pressure difference which generate|occur|produces between the upper space H2 and the lower space H1 to a predetermined value or less is started. That is, the
실시예 3에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)에서는 다른 실시예와 마찬가지로, 상부 공간 H2의 용적이 하부 공간 H1의 용적보다 작다. 그 때문에, 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도가 동등한 경우, 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도는 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도보다 커진다. 그래서 제어부(33)는 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압 상승 속도가 동등해지도록, 전자 밸브(114)의 개방도를 전자 밸브(104)의 개방도보다 크게 한다. 제어부(33)가 전자 밸브(114) 및 전자 밸브(104)의 개방도를 조절함으로써, 압력차 조정 과정은 완료된다.In the adhesive
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
제어부(33)에 의해 전자 밸브(114 및 104)의 개방도가 조절된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 즉 도 28에 도시한 바와 같이, 전자 밸브(114)의 개방도가 전자 밸브(104)의 개방도보다 커지도록 제어된 상태에서, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 기체를 공급한다. 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 기체를 공급함으로써, 제어부(33)는 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 압력을 대기압보다 높은 압력으로 상승시킨다.After the opening degree of the
일례로서 전자 밸브(114)의 개방도가 전자 밸브(104)의 개방도와 동등한 상태에서 가압 장치(32)를 작동시킨 경우, 하부 공간 H1의 기압 Ph2의 상승 속도는 상부 공간 H2의 기압 Ph1의 상승 속도보다 작으므로, 기압 Ph1과 기압 Ph2 사이에서 큰 압력차 Ds가 발생한다(도 25를 참조).As an example, when the pressurizing
한편, 실시예 3에서는 전자 밸브(114)의 개방도가 전자 밸브(104)의 개방도보다 커지도록 제어된 상태에서 가압 장치(32)를 작동시키므로, 상부 공간 H2에 공급되는 기체 Ar1과 비교하여, 하부 공간 H1에 공급되는 기체 Ar2는 단위 시간당의 기체 공급량이 많아진다. 따라서, 실시예 3에서는 도 29에 도시한 바와 같이 기압 Ph2의 상승 속도는 기압 Ph1의 상승 속도와 동등해진다. 즉, 기압 Ph2의 상승 속도는 도 29에 있어서 이점쇄선으로 나타내어지는 속도로부터, 실선으로 나타내어지는 속도로 높아진다.On the other hand, in Example 3, since the pressurizing
기압 Ph2의 상승 속도를 높여 기압 Ph1의 상승 속도와 동등하게 함으로써, 기압 Ph1과 기압 Ph2의 차는 소정값 이하로 억제된다. 따라서, 웨이퍼 W에 대해 상부 공간 H2의 측으로부터 작용하는 압박력 V1과, 웨이퍼 W에 대해 하부 공간 H1의 측으로부터 작용하는 압박력 V2의 차는 소정값 이하로 억제되므로, 스텝 S6에 있어서 웨이퍼 W에 파손이 발생하는 것을 피할 수 있다.By increasing the rate of increase of atmospheric pressure Ph2 and making it equal to the rate of increase of atmospheric pressure Ph1, the difference between atmospheric pressure Ph1 and atmospheric pressure Ph2 is suppressed to a predetermined value or less. Therefore, since the difference between the pressing force V1 acting on the wafer W from the side of the upper space H2 and the pressing force V2 acting on the wafer W from the side of the lower space H1 is suppressed to a predetermined value or less, damage to the wafer W is not caused in step S6. can be avoided from occurring.
대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압한 상태에서 압박력 V1 및 V2를 웨이퍼 W에 소정 시간 작용시킴으로써, 점착 테이프 DT는 웨이퍼 W에 대해 보다 밀착되도록 첩부된다. 압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105 및 107)를 완전 개방으로 하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다.By applying the pressing forces V1 and V2 to the wafer W for a predetermined period of time in a state pressurized with a specific value PN higher than atmospheric pressure, the adhesive tape DT is affixed to be more closely adhered to the wafer W. After applying the pressing forces V1 and V2 for a predetermined time, the
그 후, 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(9)을 상승시켜 웨이퍼 W의 표면을 보유 지지 테이블(9)의 웨이퍼 보유 지지면에 맞닿게 함으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 1과 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써, 웨이퍼 W와 점착 테이프 DT가 일체화된 마운트 프레임 MF가 작성된다.Thereafter, the
실시예 3에서는 전자 밸브(104)에 개방도 조절 밸브(115)를 배치하고, 전자 밸브(114)에 개방도 조절 밸브(116)를 배치함으로써, 상부 공간 H2의 기압 상승 속도와 하부 공간 H1의 기압 상승 속도의 각각을 독립적으로 제어하는 구성을 갖고 있다. 그리고 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 각각을 독립적으로 가압 제어하는 구성에 의해, 스텝 S6에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차는 소정값 이하로 억제된다. 이와 같은 실시예 3에서는 시트 천공부(76)가 불필요하므로, 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH를 형성시키는 위치 및 면적을 고려할 필요가 없다.In the third embodiment, by arranging the opening
또한, 상부 공간 H2에 있어서의 기압 상승 속도와 하부 공간 H1에 있어서의 기압 상승 속도를 동등하게 함으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1 중 한쪽의 기압이 특정값 PN에 도달한 후, 다른 쪽의 기압이 특정값 PN에 도달할 때까지 대기하는 시간의 발생을 피할 수 있다. 도 29에 도시한 바와 같이, 하부 공간 H1의 기압 Ph2의 상승 속도를 들어 상부 공간 H2의 기압 Ph1의 상승 속도와 동등하게 함으로써, 기압 Ph2가 특정값 PN에 도달하는 시각은 tb로부터 ta로 빨라진다. 그 결과, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 양쪽이 특정값 PN에 도달하는 시각을 빠르게 할 수 있으므로, 스텝 S6의 공정에 요하는 시간을 단축할 수 있다.Moreover, after the atmospheric pressure of one of the upper space H2 and the lower space H1 reaches the specific value PN by making equal the atmospheric|air pressure rising speed in upper space H2 and the atmospheric|air pressure rising speed in lower space H1, the other atmospheric pressure The occurrence of a waiting time until this specific value PN is reached can be avoided. As shown in FIG. 29, the time at which the atmospheric pressure Ph2 reaches the specific value PN is accelerated from tb to ta by making the rising rate of atmospheric pressure Ph2 in the lower space H1 equal to the rising rate of atmospheric pressure Ph1 in the upper space H2. As a result, since the time at which both the upper space H2 and the lower space H1 reach the specific value PN can be made faster, the time required for the process of step S6 can be shortened.
[실시예 4][Example 4]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 4를 설명한다. 실시예 4에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)는, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 구성이 공통된다. 단, 실시예 4에서는 챔버(29)의 구성이, 다른 실시예의 구성과 다르다.Hereinafter,
도 30은 실시예 4에 관한 챔버(29)의 단면도이다. 실시예 4에 관한 챔버(29)는, 하부 하우징(29A) 및 상부 하우징(29B)을 연통 접속시키는 유로(135)를 구비하고 있다. 유로(135)에는 전자 밸브(137)가 구비되어 있고, 전자 밸브(137)의 개폐 동작은 제어부(33)에 의해 제어된다. 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능해진다. 즉 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 유로(135)는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통되는 통기 구멍으로서 기능한다.30 is a cross-sectional view of the
<실시예 4에 있어서의 동작><Operation in Example 4>
여기서, 실시예 4에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작을 설명한다. 실시예 4에 관한 흐름도는 도 8에 도시된 실시예 1에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S5 및 스텝 S6에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation|movement of the adhesive
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
실시예 4에서는 스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정이 완료되면, 압력차 조정 과정으로서, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능하게 되는 처리를 행한다. 즉 스텝 S5가 개시되면, 제어부(33)는 전자 밸브(137)를 개방시키는 제어를 행한다. 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 유로(135)를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능해진다. 제어부(33)가 전자 밸브(137)를 개방시킴으로써, 압력차 조정 과정은 완료된다.In Example 4, when the 1st sticking process concerning step S4 is completed, as a pressure difference adjustment process, the process which enables gas to flow between the upper space H2 and the lower space H1 is performed. That is, when step S5 is started, the
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
제어부(33)에 의해 전자 밸브(137)가 개방된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 먼저 제어부(33)는, 도 6에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104, 114)를 개방시킨다. 그리고 전자 밸브(137)가 개방된 상태를 유지하면서, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 가압한다.After the
상부 공간 H2의 가압에 의해, 상부 공간 H2로부터 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 표면측을 향하여 압박력 V1이 작용함과 함께, 하부 공간 H1로부터 웨이퍼 W의 이면측을 향하여 압박력 V2가 작용한다(도 21을 참조). 대기압보다 높은 압력인 압박력 V1 및 압박력 V2가 작용함으로써, 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W 사이의 밀착성이 높아진다.By pressing the upper space H2, the pressing force V1 acts from the upper space H2 toward the front side of the adhesive tape DT and the wafer W, and the pressing force V2 acts from the lower space H1 toward the back side of the wafer W (FIG. 21). see). When the pressing force V1 and the pressing force V2, which are pressures higher than atmospheric pressure, act, the adhesiveness between the adhesive tape DT and the wafer W increases.
실시예 4에서는 스텝 S5에 있어서 전자 밸브(137)를 개방시킨 후에 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 특정값 PN까지 가압한다. 그 때문에, 하부 공간 H1의 기압 Ph2와 상부 공간 H2의 기압 Ph1 사이에 압력차가 발생하였다고 해도, 유로(135)를 통해 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에서 기체가 유통함으로써, 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에 발생하는 압력차가 소정값 이하로 억제된 상태에서, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압할 수 있다.In Example 4, after opening the
압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105) 및 전자 밸브(107)를 완전 개방으로 하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(9)을 상승시켜 웨이퍼 W의 표면을 보유 지지 테이블(9)의 웨이퍼 보유 지지면에 맞닿게 함으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 1과 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써 마운트 프레임 MF가 작성된다.After applying the pressing forces V1 and V2 for a predetermined time, the
실시예 4에서는 유로(135)와 전자 밸브(137)를 구비함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체를 유통 가능하게 하는 구성을 갖고 있다. 그리고 전자 밸브(137)를 개방한 상태에서 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 압력으로 가압함으로써, 스텝 S6에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 이와 같은 실시예 4에서는, 점착 테이프 DT에 관통 구멍 PH를 형성시키지 않더라도 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체를 유통 가능하게 할 수 있으므로, 시트 천공부(76)를 생략할 수 있다.In the fourth embodiment, the
[실시예 5][Example 5]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 5를 설명한다. 실시예 1 내지 실시예 4에서는, 환상 볼록부 Ka를 갖는 웨이퍼 W를 워크로 하여 점착 테이프 DT를 첩부하는 점착 시트 첩부 장치(1)를 사용하여 본 발명의 구성을 설명하였다. 이에 대해 실시예 5에서는, 워크와 시트재를 일체화시키는 구성의 예로서, 워크에 탑재되어 있는 디바이스에 대해 점착력을 갖는 시트상 밀봉재를 첩부하여 워크와 시트재를 일체화시키는 디바이스 밀봉 장치(301)를 사용하여 본 발명의 구성을 설명한다.Hereinafter,
또한 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 구성은, 기본적으로 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)의 구성과 공통된다. 그 때문에, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 동일 구성에 대해서는 동일 번호를 부여하는 것에 그치고, 다른 구성 부분에 대해 상세하게 설명한다.Moreover, the structure of the
디바이스 밀봉 장치(301)는, 워크에 탑재된 디바이스를 시트재로 밀봉하는 것이며, 본 실시예에서는 LED(311)가 탑재된 기판(310)에 대해 시트상의 밀봉 부재 BP를 첩부함으로써 LED(311)를 밀봉한다.The
<워크 및 시트재의 구성><Composition of work and sheet material>
먼저, 본 실시예에 관한 워크 및 시트재의 구성에 대해 설명한다. 도 31의 (a)는 밀봉 부재 BP의 이면측을 도시하는 사시도이고, 도 31의 (b)는 밀봉 부재 BP의 종단면도이다. 도 32는 밀봉 부재 BP에 의한 밀봉의 대상이 되는 기판(310), 및 링 프레임 f의 구성을 도시하는 사시도이다.First, the structure of the work and the sheet|seat material which concerns on this Example is demonstrated. Fig. 31(a) is a perspective view showing the back side of the sealing member BP, and Fig. 31(b) is a longitudinal sectional view of the sealing member BP. Fig. 32 is a perspective view showing the configuration of the
본 실시예에 관한 밀봉 부재 BP는, 도 31의 (a)에 도시한 바와 같이, 밀봉 시트 BS와 반송용 시트 BT를 구비하고 있다. 밀봉 시트 BS는 기판(310)의 형상에 따른 소정의 형상으로 미리 절단되어 있다. 본 실시예에 있어서, 밀봉 시트 BS는 미리 대략 직사각 형상으로 절단되어 있는 것으로 한다. 여기서, 대략 직사각 형상이란 도 31의 (a)에 도시한 바와 같이, 직사각형의 각 코너부가 둥그스름하게 되어 있는 형상을 의미한다. 또한 본 실시예에 있어서, 밀봉 시트 BS의 크기는 기판(310)보다 크고, 또한 후술하는 하부 하우징(29A)의 내경보다 작아지도록 설정되어 있다.The sealing member BP which concerns on this Example is equipped with the sealing sheet BS and the sheet|seat BT for conveyance, as shown to Fig.31 (a). The sealing sheet BS is cut in advance into a predetermined shape according to the shape of the
반송용 시트 BT는 긴 형상이며, 밀봉 시트 BS는 소정의 피치로 반송용 시트 BT에 첩부되어 보유 지지되어 있다. 실시예 5에 있어서, 밀봉 시트 BS는 본 발명에 있어서의 시트재에 상당한다.The sheet|seat BT for conveyance is elongate, and sealing sheet BS is affixed and hold|maintained by the sheet|seat BT for conveyance at predetermined pitch. In Example 5, sealing sheet BS corresponds to the sheet|seat material in this invention.
반송용 시트 BT는 도 31의 (b)에 도시한 바와 같이, 비점착성의 기재 BTa와, 점착성을 갖는 점착재 BTb가 적층된 구조를 구비하고 있다. 기재 BTa를 구성하는 재료의 예로서, 폴리올레핀, 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 점착재 BTb를 구성하는 재료의 예로서, 아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 31(b), the sheet|seat BT for conveyance is equipped with the structure in which the non-adhesive base material BTa and the adhesive material BTb which have adhesiveness were laminated|stacked. Polyolefin, polyethylene, etc. are mentioned as an example of the material which comprises base material BTa. An acrylic acid ester copolymer etc. are mentioned as an example of the material which comprises the adhesive material BTb.
밀봉 시트 BS는 도 31의 (b)에 도시한 바와 같이, 비점착성의 기재 BSa와, 점착성을 갖는 밀봉재 BSb가 적층된 구조를 구비하고 있다. 기재 BSa가 반송용 시트 BT의 점착재 BTb에 첩부됨으로써, 반송용 시트 BT는 밀봉 시트 BS를 보유 지지한다. 기재 BSa를 구성하는 재료의 예로서, 폴리올레핀, 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 본 실시예에 있어서 밀봉 시트 BS의 형상은 대략 직사각 형상이지만, 기판(310)의 형상에 따라서 적절히 변경 가능하다.As shown in Fig. 31(b), the sealing sheet BS has a structure in which a non-adhesive base material BSa and an adhesive sealing material BSb are laminated. When the base material BSa is affixed to the adhesive material BTb of the sheet BT for conveyance, the sheet BT for conveyance holds the sealing sheet BS. Polyolefin, polyethylene, etc. are mentioned as an example of the material which comprises base material BSa. Although the shape of sealing sheet BS is a substantially rectangular shape in a present Example, it can change suitably according to the shape of the board|
밀봉재 BSb에는 도시하지 않은 세퍼레이터 BS가 첨설되어 있고, 세퍼레이터 BS가 박리됨으로써 밀봉재 BSb의 점착면이 노출된다. 본 실시예에 있어서, 밀봉재 BSb를 구성하는 재료로서, 광학적으로 투명한 점착재인 OCA(Optical Clear Adhesive)를 사용하는 것으로 한다.A separator BS (not shown) is added to the sealing material BSb, and the adhesive surface of the sealing material BSb is exposed when the separator BS is peeled off. In this embodiment, it is assumed that OCA (Optical Clear Adhesive), which is an optically transparent adhesive, is used as a material constituting the sealing material BSb.
도 32에 도시한 바와 같이, 기판(310)의 표면 중앙부에는 복수의 LED(311) 및 TFT(도시 생략)가, 이차원 매트릭스상으로 병렬 탑재되어 있다. 즉 LED(311)에 의해, 기판(310)의 표면은 요철이 형성된 상태로 되어 있다. LED(311)는, TFT나 범프(도시 생략) 등을 통해 기판(310)과 접속되어 있다. 기판(310)의 예로서, 유리 기판, 유기 기판, 회로 기판, 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있다. 본 실시예에서는 기판(310)은 대략 직사각 형상으로 되어 있지만, 기판(310)의 형상은 직사각 형상, 원 형상, 다각 형상 등을 예로 하는 임의의 형상으로 적절히 변경해도 된다. 실시예 5에 있어서, 기판(310)은 본 발명에 있어서의 워크에 상당한다. LED(311)는, 본 발명에 있어서의 디바이스에 상당한다.As shown in FIG. 32 , a plurality of
링 프레임 f는, 기판(310)을 둘러싸는 크기 및 형상으로 되어 있다. 실시예에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)는, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)를 밀봉 시트 BS로 밀봉함으로써, 기판(310) 및 링 프레임 f가 밀봉 시트 BS에 의해 일체화된 구성을 갖는 밀봉체 BMF가 작성된다. 실시예 5에 있어서, 밀봉체 BMF는 본 발명에 있어서의 반도체 제품에 상당한다.The ring frame f has a size and shape surrounding the
<전체 구성의 설명><Description of the overall configuration>
여기서, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 전체 구성에 대해 설명한다. 도 33은 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 기본 구성을 도시하는 평면도이다. 디바이스 밀봉 장치(301)는, 가로로 긴 직사각형부(301a)와, 돌출부(301b)를 구비한 구성으로 되어 있다. 돌출부(301b)는, 직사각형부(301a)의 중앙부에서 연접하여 상측으로 돌출되는 구성으로 되어 있다.Here, the whole structure of the
직사각형부(301a)의 우측에는 기판 반송 기구(303)가 배치되어 있다. 직사각형부(301a)의 하측 우측 근방의 위치에는, 기판(310)을 수용한 2개의 용기(305)가 병렬로 적재되어 있다. 직사각형부(301a)의 좌측 단부에는, 밀봉체 BMF를 회수하는 밀봉체 회수부(306)가 배치되어 있다.A
직사각형부(301a)의 상측의 우측으로부터 얼라이너(7), 보유 지지 테이블(309), 및 프레임 공급부(12)의 순으로 배치되어 있다. 돌출부(301b)에는, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)의 각각을 밀봉 시트 BS에 의해 밀봉시키는 밀봉 유닛(313)이 배치되어 있다.The
기판 반송 기구(303)는, 도 34에 도시한 바와 같이, 직사각형부(301a)의 상부에 좌우 수평으로 가설된 안내 레일(15)의 우측에 좌우 왕복 이동 가능하게 지지된 기판 반송 장치(316)가 구비되어 있다. 또한, 안내 레일(15)의 좌측에는 좌우 이동 가능하게 지지된 프레임 반송 장치(17)가 구비되어 있다.As shown in FIG. 34, the board|
기판 반송 장치(316)는, 용기(5)의 어느 한쪽으로부터 취출한 기판(310)을 좌우 및 전후로 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 기판 반송 장치(16)는, 좌우 이동 가동대(18)와 전후 이동 가동대(19)가 장비되어 있다. 전후 이동 가동대(19)의 하부에는, 기판(310)을 보유 지지하는 보유 지지 유닛(21)이 장비되어 있다. 보유 지지 유닛(21)의 하부에는, 말굽형 보유 지지 암(23)이 장비되어 있다. 보유 지지 암(23)은 보유 지지면에 마련된 흡착 패드를 통해 기판(310)을 흡착 보유 지지한다. 보유 지지 암(23)은 기판(310)을 흡착 보유 지지한 상태에서 전후 이동, 좌우 이동, 및, z 방향 축 둘레의 선회 이동을 행할 수 있도록 구성되어 있다.The
보유 지지 테이블(309)은, 도 35 등에 도시한 바와 같이, 기판(310)과 동일 형상 이상의 크기를 갖는 금속제의 척 테이블이며, 외부에 배치되어 있는 진공 장치(31) 및 가압 장치(32)의 각각과 연통 접속되어 있다. 진공 장치(31) 및 가압 장치(32)의 동작은, 제어부(33)에 의해 제어된다. 보유 지지 테이블(309)은, 챔버(29)를 구성하는 하부 하우징(29A)에 수납되어 있고, 챔버(29)의 내부에서 승강 이동이 가능하게 되어 있다.The holding table 309 is a metal chuck table having the same shape or larger size as that of the
또한 실시예 5에 있어서 보유 지지 테이블(309)은 환상의 돌기부(9a)를 구비하고 있지 않다고 하는 점에서 실시예 1에 관한 보유 지지 테이블(9)과 다르다. 즉 기판(310)은 환상 볼록부 Ka 및 편평 오목부 He를 갖고 있지 않으므로, 실시예 5에 관한 보유 지지 테이블(309)은 환상의 돌기부(9a)를 구비할 필요가 없다. 따라서, 보유 지지 테이블(309)은 전체로서 편평하게 되어 있다.Moreover, in Example 5, the holding table 309 differs from the holding table 9 concerning Example 1 in that it is not provided with the
하부 하우징(29A)은, 당해 하부 하우징(29A)을 외위하는 프레임 보유 지지부(38)를 구비하고 있다. 프레임 보유 지지부(38)는, 링 프레임 f를 적재하였을 때, 링 프레임 f의 상면과 하부 하우징(29A)의 원통 정상부가 동일한 높이가 되도록 구성되어 있다. 또한, 하부 하우징(29A)의 원통 정상부는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다.The
또한 도 33에 도시한 바와 같이, 보유 지지 테이블(309)은 전후 방향으로 부설되어 있는 레일(40)을 따라서, 초기 위치와 밀봉 위치 사이를 왕복 이동 가능하게 구성되어 있다. 초기 위치는 직사각형부(1a)의 내부에 있고, 도 33에 있어서 보유 지지 테이블(309)이 실선으로 나타내어져 있는 위치이다. 당해 세트 위치에 있어서, 기판(310)이 보유 지지 테이블(309)에 적재된다.Moreover, as shown in FIG. 33, the holding table 309 is comprised so that reciprocating movement between an initial stage position and a sealing position is possible along the
밀봉 위치는 돌출부(301b)의 내부에 있고, 도 33에 있어서 보유 지지 테이블(309)이 점선으로 나타내어져 있는 위치이다. 밀봉 위치로 보유 지지 테이블(309)이 이동함으로써, 보유 지지 테이블(309)에 적재되어 있는 기판(310)에 대해, 밀봉 부재 BP를 사용한 밀봉 공정을 실행하는 것이 가능해진다. 프레임 공급부(12)는, 소정 매수의 링 프레임 f를 적층 수납한 인출식의 카세트를 수납한다.The sealing position is inside the
밀봉 유닛(313)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 시트 공급부(371), 세퍼레이터 회수부(72), 디바이스 밀봉부(373) 및 시트 회수부(374) 등으로 구성되어 있다. 시트 공급부(371)는, 세퍼레이터 부착 밀봉 부재 BPS(세퍼레이터 S가 첨설된 밀봉 부재 BP)가 권회된 원단 롤이 장전된 공급 보빈으로부터 밀봉 부재 BP를 밀봉 위치에 공급하는 과정에서, 세퍼레이터 박리 롤러(75)에 의해 세퍼레이터 S를 박리하도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 5 , the sealing
세퍼레이터 회수부(72)는, 밀봉 부재 BP로부터 박리된 세퍼레이터 S를 권취하는 회수 보빈이 구비되어 있다. 이 회수 보빈은, 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되도록 되어 있다.The
디바이스 밀봉부(373)는, 챔버(29), 디바이스 밀봉 기구(381) 및 시트 절단 기구(82) 등으로 구성되어 있다.The
챔버(29)는, 하부 하우징(29A)과 상부 하우징(29B)에 의해 구성된다. 하부 하우징(29A)은 보유 지지 테이블(309)을 위요하도록 배치되어 있고, 보유 지지 테이블(9)과 함께 초기 위치와 밀봉 위치 사이를 전후 방향으로 왕복 이동한다. 상부 하우징(29B)은 돌출부(301b)에 배치되어 있으며, 승강 가능하게 구성된다. 실시예 5에 있어서, 챔버(29)의 구성은 도 6에 도시한 실시예 1의 구성과 공통되므로 상세는 생략한다.The
디바이스 밀봉 기구(381)는, 가동대(84), 첩부 롤러(85), 닙 롤러(86) 등을 구비하고 있다. 시트 절단 기구(82)는, 상부 하우징(29B)을 승강시키는 승강 구동대(91)에 배치되어 있고, z 방향으로 연장되는 지지축(92)과, 지지축(92)의 둘레로 회전하는 보스부(93)를 구비하고 있다. 보스부(93)는, 직경 방향으로 연신되는 복수의 지지 암(94)을 구비하고 있다. 적어도 하나의 지지 암(94)의 선단에는, 밀봉 부재 BP의 반송용 시트 BT를 링 프레임 f를 따라서 절단하는 원판형 커터(95)가 상하 이동 가능하게 되도록 배치되어 있다.The
시트 회수부(374)는, 절단 후에 박리된 불필요한 반송용 시트 BT를 권취하는 회수 보빈을 구비하고 있다. 이 회수 보빈은, 도시되어 있지 않은 모터에 의해 정역으로 회전 구동 제어되도록 되어 있다. 밀봉체 회수부(306)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 밀봉체 BMF를 적재하여 회수하는 카세트(41)가 배치되어 있다. 이 카세트(41)는, 장치 프레임(43)에 연결 고정된 세로 레일(45)과, 이 세로 레일(45)을 따라서 모터(47)에 의해 나사 이송 승강되는 승강대(49)가 구비되어 있다. 따라서, 밀봉체 회수부(306)는, 밀봉체 BMF를 승강대(49)에 적재하여 피치 이송 하강하도록 구성되어 있다.The sheet collection|
실시예 5에 있어서, 상부 하우징(29B)의 내부에는 실시예 1과 마찬가지로 시트 천공부(76)가 배치되어 있다. 실시예 5에 있어서, 시트 천공부(76)는 반송용 시트 BT에 관통 구멍 PH를 형성시킨다. 실시예 5에 관한 시트 천공부(76)의 구성은, 도 7에 도시된 실시예 1의 구성과 마찬가지이다.In the fifth embodiment, a
<동작의 개요><Outline of action>
여기서, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 기본 동작을 설명한다. 도 36은 디바이스 밀봉 장치(301)를 사용하여, 기판(310)에 탑재된 LED(311)를 밀봉 시트 BS로 밀봉하여 밀봉체 BMF를 제조하는 일련의 공정을 설명하는 흐름도이다.Here, the basic operation of the
스텝 S1(워크의 공급)Step S1 (workpiece supply)
밀봉 지령이 내려지면, 프레임 공급부(12)로부터 하부 하우징(29A)의 프레임 보유 지지부(38)에 링 프레임 f가 반송됨과 함께, 용기(305)로부터 보유 지지 테이블(309)에 기판(310)이 반송된다.When a sealing command is given, the ring frame f is conveyed from the
즉, 프레임 반송 장치(17)는 프레임 공급부(12)로부터 링 프레임 f를 흡착하여 프레임 보유 지지부(38)에 이동 탑재한다. 프레임 반송 장치(17)가 링 프레임 f의 흡착을 해제하여 상승하면, 링 프레임 f의 위치 정렬을 행한다. 당해 위치 정렬은, 일례로서 프레임 보유 지지부(38)를 위요하도록 기립 설치된 복수의 지지 핀을 중앙 방향으로 동기적으로 이동시킴으로써 행해진다. 링 프레임 f는, 프레임 보유 지지부(38)에 세트된 상태에서, 기판(310)이 반송되어 올 때까지 대기하고 있다.That is, the
프레임 반송 장치(17)가 링 프레임 f를 반송하는 한편, 기판 반송 장치(316)는 다단으로 수납된 기판(310)끼리의 사이에 보유 지지 암(23)을 삽입한다. 보유 지지 암(23)은, 기판(310)의 표면 중, LED(311)가 탑재되어 있지 않은 부분(주연측의 부분)을 흡착 보유 지지하여 반출하여, 얼라이너(7)로 반송한다. 얼라이너(7)는, 그 중앙으로부터 돌출된 흡착 패드에 의해 기판(310)의 이면 중앙을 흡착한다. 동시에, 기판 반송 장치(316)는, 기판(310)의 흡착을 해제하여 상방으로 퇴피한다. 얼라이너(7)는, 흡착 패드로 기판(310)을 보유 지지하여 회전시키면서 노치 등에 기초하여 위치 정렬을 행한다.While the
위치 정렬이 완료되면, 기판(310)을 흡착한 흡착 패드를 얼라이너(7)의 면으로부터 돌출시킨다. 그 위치로 기판 반송 장치(316)가 이동하고, 기판(310)을 표면측으로부터 흡착 보유 지지한다. 흡착 패드는, 흡착을 해제하여 하강한다.When the alignment is completed, the suction pad on which the
기판 반송 장치(316)는 보유 지지 테이블(309)의 상방으로 이동하여, LED(311)가 탑재되어 있는 표면측을 상향으로 한 상태에서, 보유 지지 테이블(309)에 기판(310)을 적재시킨다. 보유 지지 테이블(309)이 기판(310)을 흡착 보유 지지하고, 프레임 보유 지지부(38)가 링 프레임 f를 흡착 보유 지지하면, 하부 하우징(29A)은 레일(40)을 따라서 초기 위치로부터 디바이스 밀봉 기구(381)측의 밀봉 위치로 이동한다. 보유 지지 테이블(309)에 기판(310)이 공급되어, 밀봉 위치로 이동한 상태는 도 37에 도시되어 있다.The
스텝 S2(밀봉 시트의 공급)Step S2 (supply of sealing sheet)
기판 반송 장치(316) 등에 의한 워크의 공급이 행해지면, 밀봉 유닛(313)에 있어서 밀봉 시트 BS의 공급을 행한다. 즉, 시트 공급부(371)로부터 소정량의 밀봉 부재 BP가 세퍼레이터 S가 박리되면서 조출된다. 전체로서 긴 형상인 밀봉 부재 BP는, 소정의 반송 경로를 따라서 밀봉 위치의 상방으로 안내된다. 이때 도 38에 도시한 바와 같이, 반송용 시트 BT에 보유 지지되어 있는 밀봉 시트 BS는, 보유 지지 테이블(309)에 적재되어 있는 기판(310)의 상방에 위치하도록 포지셔닝이 행해진다.When supply of the workpiece|work by the board|
스텝 S3(챔버의 형성)Step S3 (formation of chamber)
워크 및 밀봉 시트 BS가 공급되면, 도 39에 도시한 바와 같이, 첩부 롤러(85)가 하강한다. 그리고, 첩부 롤러(85)는 반송용 시트 BT 상을 구름 이동하면서 링 프레임 f와 하부 하우징(29A)의 정상부에 걸쳐 반송용 시트 BT를 첩부한다. 이 첩부 롤러(85)의 이동에 연동하여, 시트 공급부(371)로부터 소정량의 밀봉 부재 BP가 세퍼레이터 S가 박리되면서 조출된다.When the work and sealing sheet BS are supplied, as shown in FIG. 39, the sticking
링 프레임 f에 반송용 시트 BT가 첩부되면, 첩부 롤러(85)를 초기 위치로 복귀시킴과 함께, 상부 하우징(29B)을 하강시킨다. 상부 하우징(29B)의 하강에 수반하여, 도 40에 도시한 바와 같이, 하부 하우징(29A)의 정상부에 첩부되어 있는 부분의 반송용 시트 BT는 상부 하우징(29B)과 하부 하우징(29A)에 의해 끼움 지지되어, 챔버(29)가 구성된다.When the sheet BT for conveyance is affixed to the ring frame f, while returning the sticking
이때, 반송용 시트 BT가 시일재로서 기능함과 함께, 챔버(29)는 점착 테이프 DT에 의해 2개의 공간으로 분할된다. 즉, 반송용 시트 BT를 사이에 두고 하부 하우징(29A)측의 하부 공간 H1과 상부 하우징(29B)측의 상부 공간 H2로 분할된다. 하부 하우징(29A) 내에 위치하는 기판(310)은, 밀봉 시트 BS와 소정의 클리어런스를 두고 근접 대향하고 있다.At this time, while the sheet|seat BT for conveyance functions as a sealing material, the
스텝 S4(제1 밀봉 과정)Step S4 (first sealing process)
챔버(29)를 형성시킨 후, 제1 밀봉 과정을 개시한다. 실시예 5에 있어서, 제1 밀봉 과정은 본 발명에 있어서의 제1 일체화 과정에 상당한다. 제1 밀봉 과정이 개시되면, 먼저 제어부(33)는, 전자 밸브(104, 105, 107, 110, 114)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(103 및 113)를 개방한다. 그리고 제어부(33)는 진공 장치(31)를 작동시켜 하부 공간 H1 내의 기압과 상부 공간 H2 내의 기압을 소정값까지 감압한다. 소정값의 예로서, 10Pa 내지 100Pa를 들 수 있다.After forming the
하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압이 소정값까지 감압되면, 제어부(33)는, 전자 밸브(103)를 폐쇄함과 함께, 진공 장치(31)의 작동을 정지한다. 그리고 제어부(33)는, 하부 공간 H1의 기압보다 상부 공간 H2의 기압쪽이 높아지도록, 하부 공간 H1에 접속되어 있는 전자 밸브(103, 105, 107, 113)를 폐쇄한 채로, 상부 공간 H2에 접속되어 있는 전자 밸브(110)의 개방도를 조정하여 누설시키도록 제어한다.When the atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 is reduced to a predetermined value, the
하부 공간 H1의 기압보다 상부 공간 H2의 기압쪽이 높아짐으로써, 도 41에 도시한 바와 같이, 양쪽 공간의 사이에 차압 Fa가 발생한다. 차압 Fa가 발생함으로써, 점착 테이프 DT는 중심 부분으로부터 하부 하우징(29A)의 측으로 인입되어 가, 볼록상으로 변형되어 간다. 실시예 5에서는 실시예 1과 마찬가지로, 스텝 S4에 있어서 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 10Pa로 조정한 후, 상부 공간 H2의 기압을 10Pa로부터 100Pa로 조정함으로써 차압 Fa를 발생시킨다.When the atmospheric pressure side of the upper space H2 becomes higher than the atmospheric pressure of the lower space H1, as shown in FIG. 41, the differential pressure Fa generate|occur|produces between both spaces. When the differential pressure Fa is generated, the pressure-sensitive adhesive tape DT is drawn in from the center portion toward the
차압 Fa를 발생시킨 후, 도 42에 도시한 바와 같이, 액추에이터(37)를 구동시켜 보유 지지 테이블(309)을 상승시킨다. 차압 Fa에 의한 밀봉 부재 BP의 변형과 보유 지지 테이블(309)의 상승에 의해, 기체 제거되어 있는 하부 공간 H1의 내부에 있어서 밀봉 시트 BS는 중심부로부터 외주부를 향하여 방사상으로 기판(310)의 표면에 접촉되어 간다. 당해 접촉에 의해, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)의 각각은 밀봉 시트 BS에 의해 덮인다.After generating the differential pressure Fa, as shown in FIG. 42 , the
LED(11)가 밀봉 시트 BS에 의해 덮이면, 제어부(33)는 전자 밸브(105, 107)를 개방하여 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기 개방시킨다. 당해 대기 개방에 의해, 제1 밀봉 과정은 완료된다. 이와 같이, 제1 밀봉 과정에서는 챔버(29)의 내부 공간을 감압한 상태에서 밀봉 시트 BS를 기판(310)의 표면에 접촉시킴으로써 밀봉 시트 BS로 LED(311)를 덮게 하는 조작을 행한다. 당해 조작에 의해, 기판(310)에 밀봉 시트 BS가 부착된 상태가 된다.When the LED 11 is covered by the sealing sheet BS, the
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
차압 Fa를 사용한 제1 밀봉 과정이 완료된 후, 압력차 조정 과정을 개시한다. 실시예 5에서는, 실시예 1과 마찬가지로 시트 천공부(76)를 사용함으로써, 이후에 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시키는 처리를 행한다. 즉, 시트 천공부(76)를 사용하여 반송용 시트 BT에 관통 구멍을 형성시킴으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 억제시킨다.After the first sealing process using the differential pressure Fa is completed, the pressure differential adjustment process is started. In Example 5, by using the
스텝 S5가 개시되면 도 43에 도시한 바와 같이, 제어부(33)는 승강 구동대(97)를 구동시켜 시트 천공부(76)를 하강시킨다. 시트 천공부(76)가 하강함으로써, 반송용 시트 BT 중 링 프레임 f와 밀봉 시트 BS 사이의 부분에 대해 커터(129)의 각각이 관통된다. 커터(129)가 반송용 시트 BT에 관통됨으로써, 반송용 시트 BT 중 링 프레임 f와 밀봉 시트 BS 사이의 부분에 있어서 관통 구멍 PH가 형성된다.When step S5 is started, as shown in FIG. 43 , the
관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통되는 통기 구멍이 형성된다. 즉 반송용 시트 BT에 관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 챔버(29)의 내부에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1로 구획된 상태가 해소된다. 관통 구멍 PH를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능하게 됨으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 할 수 있다. 또한 설명의 편의상, 반송용 시트 BT에 관통 구멍 PH가 형성된 후에도, 반송용 시트 BT를 경계로 하여 기판(310)이 배치되는 측의 공간을 하부 공간 H1로 한다. 그리고 반송용 시트 BT를 사이에 두고 하부 공간 H1과 반대측의 공간을 상부 공간 H2로 하여 설명을 계속한다.By forming the through hole PH, a ventilation hole through which gas flows is formed between the upper space H2 and the lower space H1. That is, when the through-hole PH is formed in the sheet|seat BT for conveyance, the state divided into the upper space H2 and the lower space H1 inside the
시트 천공부(76)를 하강시켜 반송용 시트 BT에 커터(129)를 관통시킨 후, 도 44에 도시한 바와 같이, 회전축부(99)를 z 방향의 축 둘레로 회전시킨다. 회전축부(99)가 회전함으로써, 지지 암(127)의 선단측에 배치되어 있는 커터(129)의 각각은, 회전축부(99)를 중심으로 하는 원 궤도 L1을 따라서 이동하면서 반송용 시트 BT를 절단해 간다.After the
커터(129)가 원 궤도 L1을 따라서 이동함으로써, 관통 구멍 PH의 각각은 도 45에 도시한 바와 같이, 원 궤도 L1을 따른 원호상으로 확대된다. 스텝 S5에 있어서의 회전축부(99)의 회전 각도 θ는, 스텝 S8에 있어서의 밀봉체 BMF를 반송하는 공정을 적절하게 실행할 수 있을 정도의 각도로 정해진다. 관통 구멍 PH가 확대됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 보다 많은 기체가 유통 가능하게 되므로, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 보다 작게 할 수 있다.As the
시트 천공부(76)의 하강 및 회전에 의해 관통 구멍 PH가 형성된 후, 제어부(33)는 승강 구동대(97)를 구동시켜, 시트 천공부(76)를 초기 위치로 상승시킨다. 시트 천공부(76)를 상승시킴과 함께, 제어부(33)는 액추에이터(37)를 제어하여 보유 지지 테이블(309)을 초기 위치로 하강시킨다. 미리 정해진 위치에 관통 구멍 PH가 형성됨으로써, 실시예 5의 스텝 S5에 관한 압력차 조정 과정은 완료된다.After the through hole PH is formed by the lowering and rotation of the
스텝 S6(제2 밀봉 과정)Step S6 (second sealing process)
시트 천공부(76)에 의해 반송용 시트 BT에 관통 구멍 PH가 형성된 후, 제2 밀봉 과정을 개시한다. 실시예 5에 있어서, 제2 밀봉 과정은 본 발명에 있어서의 제2 일체화 과정에 상당한다. 제2 밀봉 과정이 개시되면, 먼저 제어부(33)는 도 6에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104 및 114)를 개방시킨다. 그리고 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체 Ar을 공급하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 가압한다. 특정값 PN의 예로서 0.3㎫ 내지 0.6㎫를 들 수 있다. 가압 장치(32)가 가압 조작을 행함으로써, 하부 공간 H1의 기압 및 상부 공간 H2의 기압은 모두 대기압보다 높아진다.After the through hole PH is formed in the conveyance sheet BT by the
상부 공간 H2의 가압에 의해, 도 46에 도시한 바와 같이, 상부 공간 H2로부터 밀봉 시트 BS를 향하여 압박력 V1이 작용한다. 또한, 상부 공간 H2의 전체가 가압되므로, 압박력 V1은 밀봉 시트 BS의 전체에 걸쳐 균일하게 작용한다. 또한, 하부 공간 H1의 전체가 가압됨으로써, 하부 공간 H1로부터 기판(310)의 하향의 면에 대해 압박력 V2가 균일하게 작용한다. 즉, 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압함으로써, 압박력 V1 및 압박력 V2가 밀봉 시트 BS와 기판(310) 사이에 작용한다.By pressing of the upper space H2, as shown in FIG. 46, the pressing force V1 acts toward the sealing sheet BS from the upper space H2. Moreover, since the whole upper space H2 is pressed, the pressing force V1 acts uniformly over the whole sealing sheet BS. Moreover, since the whole of the lower space H1 is pressed, the pressing force V2 acts uniformly with respect to the downward surface of the board|
그리고, 대기압보다 큰 힘인 압박력 V1 및 압박력 V2를 균일하게 작용시킴으로써, LED(311)끼리의 간극에 밀봉 시트 BS의 밀봉재 BSb가 충전되어 간다. 그 결과, 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성이 향상되므로, 시간의 경과에 의해 밀봉 시트 BS가 기판(310)으로부터 박리된다고 하는 사태가 발생하는 것을 피할 수 있다. 그 결과, 기판(310)과 밀봉 시트 BS가 보다 밀착됨과 함께, LED(311)는 밀봉 시트 BS에 의해 밀봉된다.And the sealing material BSb of sealing sheet BS is filling in the clearance gap between LED311 comrades by making the pressing force V1 and the pressing force V2 which are a force larger than atmospheric pressure act uniformly. As a result, since the adhesiveness of sealing sheet BS and the board|
실시예 5에서는 스텝 S5에 있어서 반송용 시트 BT에 관통 구멍 PH가 형성된 후에 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN까지 가압한다. 그 때문에, 하부 공간 H1의 넓이와 상부 공간 H2의 넓이의 차를 예로 하는 요인에 의해 하부 공간 H1의 기압 Ph2와 상부 공간 H2의 기압 Ph1 사이에 압력차가 발생하였다고 해도, 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 즉, 관통 구멍 PH를 통해 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에서 기체가 유통 가능하므로, 기압 Ph1과 기압 Ph2 사이에 치우침이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에 발생하는 압력차는 소정값 이하로 억제된다.In Example 5, after the through hole PH is formed in the sheet|seat BT for conveyance in step S5, the lower space H1 and the upper space H2 are pressed to the specific value PN. Therefore, even if a pressure difference is generated between the atmospheric pressure Ph2 of the lower space H1 and the atmospheric pressure Ph1 of the upper space H2 due to a factor such as the difference between the area of the lower space H1 and the area of the upper space H2, the pressure difference is quickly resolved. That is, since the gas can flow between the lower space H1 and the upper space H2 through the through hole PH, it is possible to prevent a bias from occurring between the atmospheric pressure Ph1 and the atmospheric pressure Ph2. Accordingly, the pressure difference generated between the lower space H1 and the upper space H2 is suppressed to a predetermined value or less.
압박력 V1의 크기는 기압 Ph1에 의존하고 있고, 압박력 V2의 크기는 기압 Ph2에 의존한다. 그 때문에, 기압 Ph1과 기압 Ph2의 차를 소정값 이하로 억제함으로써, 웨이퍼 W에 대해 상부 공간 H2의 측으로부터 작용하는 압박력 V1과 웨이퍼 W에 대해 하부 공간 H1의 측으로부터 작용하는 압박력 V2의 차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이의 압력차가 작아짐으로써, 당해 압력차에 기인하여 균열, 결함 또는 변형을 예로 하는 손상이 기판(310)에 발생한다는 사태를 피할 수 있다.The magnitude of the pressing force V1 depends on the atmospheric pressure Ph1, and the magnitude of the pressing force V2 depends on the atmospheric pressure Ph2. Therefore, by suppressing the difference between the atmospheric pressure Ph1 and the atmospheric pressure Ph2 to a predetermined value or less, the difference between the pressing force V1 acting on the wafer W from the side of the upper space H2 and the pressing force V2 acting on the wafer W from the side of the lower space H1 is reduced It can be suppressed below a predetermined value. Accordingly, as the pressure difference between the lower space H1 and the upper space H2 becomes smaller, it is possible to avoid a situation in which damage such as cracks, defects or deformation occurs in the
하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 기압으로 가압한 상태에서, 밀봉 시트 BS와 기판(310) 사이에 압박력을 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105) 및 전자 밸브(107)를 개방하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(309)을 상승시켜 기판(310)의 이면을 보유 지지 테이블(309)의 기판 지지면에 맞닿게 한다.In a state in which the lower space H1 and the upper space H2 are pressurized to an atmospheric pressure higher than atmospheric pressure, after a pressing force is applied between the sealing sheet BS and the
스텝 S7(시트의 절단)Step S7 (cutting the sheet)
또한, 챔버(29) 내에 있어서 스텝 S4 내지 스텝 S6에 관한 공정을 행하고 있는 동안에, 시트 절단 기구(82)를 작동시켜 밀봉 부재 BP의 절단을 행한다. 이때, 도 47에 도시한 바와 같이, 링 프레임 f에 첩부된 밀봉 부재 BP(구체적으로는, 반송용 시트 BT)를 커터(95)가 링 프레임 f의 형상으로 절단함과 함께, 압박 롤러(96)가 커터(95)에 추종하여 링 프레임 f 상의 시트 절단 부위를 구름 이동하면서 압박해 간다.Moreover, in the
상부 하우징(29B)을 상승시킨 시점에서 스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정 및 스텝 S5에 관한 제2 첩부 과정은 완료되어 있으므로, 핀치 롤러(90)를 상승시켜 반송용 시트 BT의 닙을 해제한다. 그 후, 도 48에 도시한 바와 같이, 닙 롤러(86)를 이동시켜 시트 회수부(374)를 향하여 절단 후의 불필요한 반송용 시트 BT를 권취하여 회수해 감과 함께, 시트 공급부(371)로부터 소정량의 밀봉 부재 BP를 조출한다. 스텝 S7까지의 각 공정에 의해, 밀봉 부재 BP를 통해 링 프레임 f 및 기판(310)이 일체화된 밀봉체 BMF가 형성된다.Since the 1st sticking process about step S4 and the 2nd sticking process about step S5 are completed at the time of raising the
불필요한 반송용 시트 BT가 권취되어 회수되면, 닙 롤러(86) 및 첩부 롤러(85)는 초기 위치로 복귀한다. 그리고 밀봉체 BMF를 보유 지지하고 있는 상태에서 보유 지지 테이블(309)은 첩부 위치로부터 초기 위치로 이동한다.When the unnecessary sheet BT for conveyance is wound up and collect|recovered, the
스텝 S8(밀봉체의 회수)Step S8 (recovery of sealing body)
보유 지지 테이블(309)이 초기 위치로 복귀하면, 도 49에 도시한 바와 같이, 프레임 반송 장치(17)에 마련되어 있는 흡착 패드(28)가 밀봉체 BMF를 흡착 보유 지지하고, 하부 하우징(29A)으로부터 밀봉체 BMF를 이탈시킨다. 밀봉체 BMF를 흡착 보유 지지한 프레임 반송 장치(17)는, 밀봉체 BMF를 밀봉체 회수부(306)로 반송한다. 반송된 밀봉체 BMF는, 카세트(41)에 적재 수납된다.When the holding table 309 returns to the initial position, as shown in Fig. 49, the
이상에서, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)를 밀봉 시트 BS에 의해 밀봉하는 일순의 동작이 종료된다. 이후, 밀봉체 BMF가 소정수에 도달할 때까지 상기 처리가 반복된다.As mentioned above, the operation|movement of a sequence of sealing the LED311 mounted on the board|
<실시예 5의 구성에 의한 효과><Effect by the configuration of Example 5>
상기 실시예 5에 관한 장치에 의하면, 챔버(29)의 내부의 기압을 조절함으로써, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)를 시트상 밀봉재인 밀봉 시트 BS로 밀봉한다. 액상의 밀봉재를 디바이스 주변에 충전시킨 후에 당해 밀봉재를 경화시킨다고 하는 특허문헌 1에 관한 디바이스 밀봉 방법에서는, 미경화 상태의 수지에 기포가 혼입되는 등의 원인에 의해, 밀봉재의 표면에 있어서의 평탄성이 저하된다.According to the apparatus according to the fifth embodiment, the
한편 본 발명의 구성에 있어서, 밀봉 시트 BS가 구비하는 기재 BSa 및 밀봉재 BSb의 각각은, 미리 평탄한 시트상으로 되어 있다. 따라서, 밀봉 시트 BS에 의한 밀봉이 완료된 상태에 있어서, 밀봉 시트 S의 표면에 있어서의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 또한, 챔버(29)의 내부에 기판(310) 및 밀봉 시트 BS를 배치한 상태에서, 챔버(29)의 내부의 기압을 조절함으로써 밀봉을 행하므로, 밀봉 시트 BS의 전체에 걸쳐 차압 Fa, 또는 압박력 V1 및 V2가 균일하게 작용한다. 따라서, 밀봉 시트 BS에 작용하는 힘의 치우침에 기인하여 밀봉 시트 BS의 표면에 요철이 발생하는 것을 확실하게 피할 수 있으므로, 밀봉 시트 BS의 평탄성을 보다 확실하게 향상시킬 수 있다.On the other hand, the structure of this invention WHEREIN: Each of the base material BSa and sealing material BSb with which sealing sheet BS is equipped is made into the sheet shape flat previously. Therefore, the sealing by sealing sheet BS is completed WHEREIN: The flatness in the surface of sealing sheet S can be improved. Further, in a state in which the
상기 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 의하면, 실시예 1에 관한 점착 시트 첩부 장치(1)와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 챔버(29)를 사용하여 제1 밀봉 과정, 압력차 조정 과정 및 제2 밀봉 과정을 행함으로써, LED(311)가 탑재되어 있는 기판(310)에 대해 밀봉 시트 BS를 밀봉시킬 때에 있어서, 기판(310)이 파손되는 사태를 피하면서, 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.According to the
스텝 S4에 관한 제1 밀봉 과정에서는, 챔버(29)의 내부에 있어서, 기판(310)이 배치되는 하부 공간 H1의 내부가 감압된다. 즉 밀봉 시트 BS 및 기판(310)의 주변 공간은 감압에 의해 기체 제거되므로, 밀봉 시트 BS가 LED(11)에 접촉하여 LED(11)를 덮을 때, 밀봉 시트 BS와 LED(311) 사이에 기체가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 기체의 혼입에 기인하는 밀착력의 저하를 피할 수 있다.In the 1st sealing process concerning step S4, the inside of the lower space H1 in which the board|
또한, 스텝 S6에 관한 제2 밀봉 과정에서는, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압을 대기압보다 커지도록 가압시킴으로써, 밀봉 시트 BS의 밀봉재 BSb를 고정밀도로 LED(11)의 간극에 충전시킨다.Moreover, in the 2nd sealing process concerning step S6, the sealing material BSb of sealing sheet BS is filled in the clearance gap of LED11 with high precision by pressurizing the atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 so that it may become larger than atmospheric pressure.
진공 장치를 사용하여 챔버의 내부를 감압함으로써 차압 Fa를 발생시키는 경우, 대기압 상태로부터의 감압에 의해 발생하는 차압 Fa의 크기는, 대기압 이하가 된다. 즉 차압 Fa만을 사용하여 밀봉 시트 BS를 LED(311)에 압박시키는 경우, 밀봉 시트 BS에 LED(311)를 압박시키는 힘의 크기에 상한이 존재한다. 따라서 도 50의 (a)에 도시한 바와 같이, 감압에 의한 차압 Fa에 의해 밀봉 시트 BS의 밀봉재 BSb가 LED(11)를 덮은 상태에 있어서, LED(311)의 주위의 공간을 밀봉재 BSb가 완전히 다 충전할 수 없어, 간극부 J가 발생하는 경우가 있다.When the differential pressure Fa is generated by depressurizing the inside of the chamber using a vacuum device, the magnitude of the differential pressure Fa generated by the decompression from the atmospheric pressure is equal to or less than atmospheric pressure. That is, when pressing sealing sheet BS to LED311 using only differential pressure Fa, there exists an upper limit in the magnitude|size of the force which presses LED311 to sealing sheet BS. Therefore, as shown in Fig. 50(a), in a state in which the sealing material BSb of the sealing sheet BS covers the LED 11 by the differential pressure Fa due to reduced pressure, the sealing material BSb completely fills the space around the
이에 반해, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에서는 가압 장치(32)를 사용하여 챔버(29) 내의 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 큰 기압이 되도록 가압한다. 즉 제2 밀봉 과정에서는 차압 Fa보다 큰 압박력 V1, V2를 밀봉 시트 BS 및 LED(311)에 작용시킬 수 있다. 따라서 도 50의 (b)에 도시한 바와 같이, 미경화 상태의 밀봉재 BSb가 압박력 V1 및 V2의 작용에 의해 더 압박 변형되어, 간극부 J를 확실하게 충전해 간다. 그 때문에, 제2 밀봉 과정을 행함으로써 LED(311)를 보다 고정밀도로 밀봉할 수 있으므로, 기판(310)과 밀봉 시트 BS의 밀착성을 보다 높인 상태에서 기판(310)과 밀봉 시트 BS를 일체화할 수 있다.On the other hand, in the
또한, 제2 밀봉 과정에서는 가압 장치(32)를 적절히 제어함으로써, 압박력 V1 및 V2의 크기를 임의의 값으로 조절할 수 있다. 따라서, 점착재 BTb의 구성 재료, 또는 기판(310)의 사이즈 및 LED(311)의 사이즈를 예로 하는 각종 조건이 변경되는 경우에도, 압박력 V1 및 V2의 크기를 적절히 조절함으로써, 확실하게 LED(311)를 밀봉할 수 있다.In addition, in the second sealing process, by appropriately controlling the
실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(1)에서는, 제2 밀봉 과정 전에 압력차 조정 과정을 행함으로써, 제2 첩부 과정에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 기압의 차를 소정값 이하로 저감시킨다. 압력차 조정 과정을 행함으로써, 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성을 높이면서, 기판(310)에 균열, 결함, 또는 변형 등의 파손이 발생하는 것을 보다 확실하게 피할 수 있다.In the
구체적으로는, 제2 첩부 과정 전에 시트 천공부(76)를 사용하여 밀봉 부재 BP에 관통 구멍 PH를 형성시킨다. 관통 구멍 PH를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능하게 됨으로써, 압박력 V1과 압박력 V2 사이에서 압력차가 발생한 경우에도, 기체의 유통에 의해 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 따라서, 스텝 S6에 있어서 챔버(29)의 내부를 가압할 때, 압박력 V1과 압박력 V2 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 저감한 상태를 유지할 수 있으므로, 높은 압박력 V1 및 압박력 V2에 의해 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성을 높이면서, 압박력 V1과 압박력 V2의 압력차에 기인하여 기판(310) 또는 LED(311)에 파손이 발생하는 것을 피할 수 있다.Specifically, a through hole PH is formed in the sealing member BP using the
[실시예 6][Example 6]
다음에, 본 발명의 실시예 6을 설명한다. 실시예 6은, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 있어서, 실시예 2에 관한 압력차 조정 과정을 행하는 것이다. 즉, 실시예 6에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 구성은, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)로부터 시트 천공부(76)가 생략된 구성이 된다.Next, Example 6 of the present invention will be described. In Example 6, in the
그리고 실시예 6에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)를 사용하여 기판(301)에 탑재된 LED(311)를 밀봉 시트 BS로 밀봉하는 경우, 제어부(33)가 설정하는 제어 패턴에 의해, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 저감시킨다. 실시예 6에 관한 스텝 S5에 있어서 제어부(33)가 설정하는 제어 패턴은, 도 26에 도시된 실시예 2의 제어 패턴과 공통되므로 설명은 생략한다.And when the
실시예 6에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작은 이하와 같다. 실시예 6에 관한 일련의 조작은, 스텝 S1 내지 S4의 공정이 실시예 5와 공통되어 있고, 스텝 S5 내지 S6의 공정이 실시예 5와 상이하다. 스텝 S4에 관한 제1 첩부 과정이 완료되면, 스텝 S5에 관한 압력차 조정 과정을 개시한다. 즉, 제어부(33)는 스텝 S6에 있어서의 가압 제어 패턴을 설정한다. 구체적으로는, 단계적으로 높아지는 목표값 M1 내지 M5가 정해져 있는 5개의 가압 스텝 R1 내지 R5를 실행함으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 기압이 되도록 가압하는 제어 패턴을 제어부(33)는 설정한다.The operation of the
각각의 가압 스텝 R1 내지 R5는, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을, 가압 스텝마다 정해진 목표값 M으로 상승시키는 스텝이다. 제어부(33)가 가압 스텝 R1 내지 R5를 갖는 가압 제어 패턴을 설정함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 저감시키는 처리, 즉 압력차 조정 과정은 완료된다.Each of the pressurization steps R1 to R5 is a step of raising the atmospheric pressure of the upper space H2 and the lower space H1 to the target value M determined for each pressurization step. The process for reducing the pressure difference generated between the upper space H2 and the lower space H1 to a predetermined value or less, that is, the pressure difference adjustment process, is completed by the
그리고 복수의 가압 스텝 R1 내지 R5를 사용한 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 가압 제어 패턴이 설정된 후, 스텝 S6에 관한 제2 밀봉 과정을 개시한다. 제어부(33)는, 도 58에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104, 114)를 개방시킨다. 그리고 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급하여, 스텝 S5에 있어서 설정된 가압 제어 패턴에 따라서 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 단계적으로 가압한다. 실시예 6에서는 5개로 분할된 가압 스텝 R1 내지 R5의 각각에 있어서, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압을 1기압씩 상승시킨다.And after the press control pattern of the upper space H2 and the lower space H1 using several press step R1-R5 is set, the 2nd sealing process concerning step S6 is started. The
가압 스텝 R1 내지 R5의 각각에서는, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 한쪽의 기압이 목표값 M에 도달한 경우, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 다른 쪽의 기압이 당해 목표값 M에 도달할 때까지, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2 중 한쪽의 기압은 목표값 M을 유지하도록 제어부(33)는 가압 장치(32)를 제어한다. 가압 스텝 R1 내지 R5를 순서대로 실행시킴으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차가 저감된 상태를 유지하면서, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 단계적으로 가압된다. 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차가 저감되어 있으므로, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1이 대기압보다 높은 압력이 되도록 가압한 상태여도 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차에 기인하여 기판(310)에 손상이 발생하는 것을 피할 수 있다.In each of the pressurization steps R1 to R5, when one atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 reaches the target value M, when the other atmospheric pressure of the lower space H1 and the upper space H2 reaches the target value M Until then, the air pressure in one of the lower space H1 and the upper space H2 maintains the target value M, the
가압 스텝 R1 내지 R5가 완료되고, 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압한 상태에서 압박력 V1 및 V2를 기판(310) 및 밀봉 부재 BP에 소정 시간 작용시킴으로써, 밀봉 시트 BS는 기판(310) 및 LED(311)에 대해 보다 밀착되도록 밀봉된다. 압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킴과 함께 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 또한 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방시키고, 보유 지지 테이블(309)을 상승시킴으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 5와 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써 밀봉체 BMF가 작성된다.When the pressing steps R1 to R5 are completed and the pressing forces V1 and V2 are applied to the
이와 같이, 실시예 6에서는 디바이스 밀봉 장치(301)를 사용하여, 실시예 2에 관한 압력차 조정 과정 및 제2 밀봉 과정을 행함으로써, LED(311)를 밀봉 시트 BS로 밀봉하여 밀봉체 BMF를 제조하는 공정에 있어서, 실시예 2와 마찬가지의 유리한 효과를 얻을 수 있다. 즉, 제어부(33)가 설정하는 가압 제어 패턴을 복수의 가압 스텝 R1 내지 R5에 의해 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 단계적으로 가압시키는 제어 패턴으로 함으로써, 제2 밀봉 과정에 있어서 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 그 때문에, 시트 천공부(76)를 예로 하는 기계적인 기구를 디바이스 밀봉 장치(301)에 새롭게 포함시키지 않더라도, 가압 제어 패턴에 관한 제어부(33)의 프로그램을 갱신함으로써, 기판(310)의 손상을 피하면서 기판(310)과 밀봉 시트 BS의 밀착성을 향상시킬 수 있다.Thus, in Example 6, using the
[실시예 7][Example 7]
다음에, 본 발명의 실시예 7을 설명한다. 실시예 7은, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 있어서, 실시예 3에 관한 압력차 조정 과정을 행하는 것이다. 즉, 실시예 7에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 구성은, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 대해 도 27에 기재되어 있는 챔버(29)가 배치된 구성이 된다.Next, Example 7 of the present invention will be described. In the seventh embodiment, in the
즉, 실시예 7에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 있어서, 유로(204)에 배치되는 전자 밸브(104)에는 개방도 조절 밸브(115)가 구비되어 있고, 유로(203)에 배치되는 전자 밸브(114)에는 개방도 조절 밸브(116)가 구비되어 있다. 즉 실시예 7에서는 실시예 3과 마찬가지로, 제어부(33)가 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도를 독립적으로 제어함으로써, 스텝 S6에 있어서 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도를 독립적으로 제어할 수 있는 구성으로 되어 있다.That is, in the
<실시예 7에 있어서의 동작><Operation in Example 7>
여기서, 실시예 7에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작을 설명한다. 실시예 7에 관한 흐름도는 도 37에 도시된 실시예 5에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S5 및 스텝 S6에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation of the
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
실시예 7에서는 스텝 S4에 관한 제1 밀봉 과정이 완료되면, 이후에 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 발생하는 압력차를 소정값 이하로 저감시키는 처리를 개시한다. 즉, 제어부(33)는 하부 공간 가압용의 유로(203)에 구비되어 있는 전자 밸브(114)의 개방도와, 상부 공간 가압용의 유로(204)에 구비되어 있는 전자 밸브(104)의 개방도를 독립적으로 제어한다. 이때, 상부 공간 H2의 기압이 상승하는 속도와 하부 공간 H1의 기압이 상승하는 속도가 동등하게 되도록 전자 밸브(114)의 개방도와 전자 밸브(104)의 개방도를 각각 제어한다. 일례로서 상부 공간 H2의 용적이 하부 공간 H1의 용적보다 작은 경우, 전자 밸브(114)의 개방도를 전자 밸브(104)의 개방도보다 크게 한다. 제어부(33)가 전자 밸브(114) 및 전자 밸브(104)의 개방도를 조절함으로써, 압력차 조정 과정은 완료된다.In the seventh embodiment, when the first sealing process related to step S4 is completed, a process for reducing the pressure difference generated between the upper space H2 and the lower space H1 thereafter to a predetermined value or less is started. That is, the
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
제어부(33)에 의해 전자 밸브(114 및 134)의 개방도가 조절된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 즉 도 28에 도시한 바와 같이, 전자 밸브(114)의 개방도가 전자 밸브(104)의 개방도보다 커지도록 제어된 상태에서, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 기체를 공급한다. 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 각각에 기체를 공급함으로써, 제어부(33)는 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 압력을 대기압보다 높은 압력으로 상승시킨다.After the opening degree of the
실시예 7에서는 전자 밸브(114)의 개방도가 전자 밸브(104)의 개방도보다 커지도록 제어된 상태에서 가압 장치(32)를 작동시키므로, 기압 Ph2의 상승 속도는 기압 Ph1의 상승 속도와 동등하게 된다(도 29를 참조). 즉 실시예 3과 마찬가지로, Ph2의 상승 속도는 도 29에 있어서 이점쇄선으로 나타내어지는 속도로부터, 실선으로 나타내어지는 속도로 높아진다. 그 결과, 기압 Ph1과 기압 Ph2의 차는 소정값 이하로 억제된다. 즉, 기판(310)에 대해 상부 공간 H2의 측으로부터 작용하는 압박력 V1과, 기판(310)에 대해 하부 공간 H1의 측으로부터 작용하는 압박력 V2의 차는 소정값 이하로 억제되므로, 스텝 S6에 있어서 기판(310) 또는 LED(311)에 파손이 발생하는 것을 피할 수 있다.In Example 7, since the pressurizing
대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압한 상태에서 압박력 V1 및 V2를 웨이퍼 W에 소정 시간 작용시킴으로써, 밀봉 시트 BS는 기판(310) 및 LED(311)에 대해 보다 밀착하도록 밀봉되고, LED(311)의 주위의 공간은 밀봉재 BSb에 의해 충전된다.By applying the pressing forces V1 and V2 to the wafer W for a predetermined period of time while being pressurized to a specific value PN higher than atmospheric pressure, the sealing sheet BS is sealed so as to be more closely attached to the
압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105, 107)를 개방하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(309)을 상승시켜 기판(310)의 이면을 보유 지지 테이블(309)의 기판 지지면에 맞닿게 함으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 3과 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써 밀봉체 BMF가 작성된다.After applying the pressing forces V1 and V2 for a predetermined time, the
실시예 7에서는 실시예 3과 마찬가지로 개방도 조절 밸브(115) 및 개방도 조절 밸브(116)를 구비함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 각각을 독립적으로 가압 제어하는 구성을 갖고 있다. 그리고 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 각각을 독립적으로 가압 제어하는 구성에 의해, 스텝 S6에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제한다. 이와 같은 실시예 3에서는 시트 천공부(76)가 불필요하므로, 밀봉 부재 BP에 관통 구멍 PH를 형성시키는 위치 및 면적을 고려할 필요가 없다.In Example 7, similarly to Example 3, by providing the opening
또한, 상부 공간 H2에 있어서의 기압 상승 속도와 하부 공간 H1에 있어서의 기압 상승 속도를 동등하게 함으로써, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1 중 한쪽의 기압이 특정값 PN에 도달한 후, 다른 쪽의 기압이 특정값 PN에 도달할 때까지 대기하는 시간의 발생을 피할 수 있다. 도 29에 도시한 바와 같이, 하부 공간 H1의 기압 Ph2의 상승 속도를 들어 상부 공간 H2의 기압 Ph1의 상승 속도와 동등하게 함으로써, 기압 Ph2가 특정값 PN에 도달하는 시각은 tb로부터 ta로 빨라진다. 그 결과, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 양쪽이 특정값 PN에 도달하는 시각을 빠르게 할 수 있으므로, 스텝 S6의 공정에 요하는 시간을 단축할 수 있다.Moreover, after the atmospheric pressure of one of the upper space H2 and the lower space H1 reaches the specific value PN by making equal the atmospheric|air pressure rising speed in upper space H2 and the atmospheric|air pressure rising speed in lower space H1, the other atmospheric pressure The occurrence of a waiting time until this specific value PN is reached can be avoided. As shown in FIG. 29, the time at which the atmospheric pressure Ph2 reaches the specific value PN is accelerated from tb to ta by making the rising rate of atmospheric pressure Ph2 in the lower space H1 equal to the rising rate of atmospheric pressure Ph1 in the upper space H2. As a result, since the time at which both the upper space H2 and the lower space H1 reach the specific value PN can be made faster, the time required for the process of step S6 can be shortened.
[실시예 8][Example 8]
다음에, 본 발명의 실시예 8을 설명한다. 실시예 8에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)는, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(31)에 있어서, 실시예 4에 관한 압력차 조정 과정을 행하는 것이다. 즉, 실시예 8에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 구성은, 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 대해 도 30에 기재되어 있는 챔버(29)가 배치된 구성이 된다.Next, Example 8 of the present invention will be described. The
실시예 8에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)에 있어서, 챔버(29)는 하부 하우징(29A) 및 상부 하우징(29B)을 연통 접속시키는 유로(135)를 구비하고 있다. 유로(135)에는 전자 밸브(137)가 구비되어 있고, 전자 밸브(137)의 개폐 동작은 제어부(33)에 의해 제어된다. 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능해진다. 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 유로(135)는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통되는 통기 구멍으로서 기능한다.In the
<실시예 8에 있어서의 동작><Operation in Example 8>
여기서, 실시예 8에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작을 설명한다. 실시예 8에 관한 흐름도의 개요는 도 37에 도시된 실시예 5에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S5 및 스텝 S6에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation of the
스텝 S5(압력차 조정 과정)Step S5 (pressure difference adjustment process)
실시예 8에서는 스텝 S4에 관한 제1 밀봉 과정이 완료되면, 압력차 조정 과정으로서, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능하게 되는 처리를 행한다. 즉 스텝 S5가 개시되면, 제어부(33)는 전자 밸브(137)를 개방시키는 제어를 행한다. 전자 밸브(137)가 개방됨으로써, 유로(135)를 통해 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체가 유통 가능해진다. 제어부(33)가 전자 밸브(137)를 개방시킴으로써, 압력차 조정 과정은 완료된다.In the eighth embodiment, when the first sealing process related to step S4 is completed, a process for enabling gas to flow between the upper space H2 and the lower space H1 is performed as a pressure difference adjustment process. That is, when step S5 is started, the
스텝 S6(제2 첩부 과정)Step S6 (second sticking process)
제어부(33)에 의해 전자 밸브(137)가 개방된 후, 제2 첩부 과정을 개시한다. 먼저 제어부(33)는, 도 6에 도시한 전자 밸브(103, 105, 107, 110, 113)를 폐쇄함과 함께, 전자 밸브(104, 114)를 개방시킨다. 그리고 전자 밸브(137)가 개방된 상태를 유지하면서, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 작동시켜 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2에 기체를 공급하여, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 특정값 PN으로까지 가압한다.After the
상부 공간 H2의 가압에 의해, 상부 공간 H2로부터 점착 테이프 DT와 웨이퍼 W의 표면측을 향하여 압박력 V1이 작용함과 함께, 하부 공간 H1로부터 기판(310)의 이면측을 향하여 압박력 V2가 작용한다(도 46을 참조). 대기압보다 높은 압력인 압박력 V1 및 압박력 V2가 작용함으로써, LED(311)가 탑재되어 있는 기판(310)과 밀봉 시트 BS 사이의 밀착성이 높아진다.By pressing the upper space H2, the pressing force V1 acts from the upper space H2 toward the front side of the adhesive tape DT and the wafer W, and the pressing force V2 acts from the lower space H1 toward the back side of the substrate 310 ( see Figure 46). When the pressing force V1 and the pressing force V2 which are pressures higher than atmospheric pressure act, the adhesiveness between the board|
실시예 8에서는 실시예 4와 마찬가지로, 스텝 S5에 있어서 전자 밸브(137)를 개방시킨 상태에서 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 특정값 PN까지 가압한다. 그 때문에, 하부 공간 H1의 기압 Ph2와 상부 공간 H2의 기압 Ph1 사이에 압력차가 발생하였다고 해도, 유로(135)를 통해 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에서 기체가 유통됨으로써, 당해 압력차는 빠르게 해소된다. 따라서, 하부 공간 H1과 상부 공간 H2 사이에 발생하는 압력차가 소정값 이하로 억제된 상태에서, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기압보다 높은 특정값 PN으로 가압할 수 있다.In Example 8, similarly to Example 4, in the state which opened the
압박력 V1 및 V2를 소정 시간 작용시킨 후, 제어부(33)는 가압 장치(32)를 정지시킨다. 그리고 제어부(33)는 전자 밸브(105, 107)를 개방하여 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2를 대기 개방시킨다. 제어부(33)는 상부 하우징(29B)을 상승시켜 챔버(29)를 개방함과 함께, 보유 지지 테이블(309)을 상승시켜 기판(310)에 맞닿게 함으로써 스텝 S6에 관한 공정은 완료된다. 스텝 S6이 완료된 후, 실시예 4와 마찬가지로 스텝 S7 및 스텝 S8의 공정을 실행함으로써 밀봉체 BMF가 작성된다.After the pressing forces V1 and V2 are applied for a predetermined time, the
실시예 8에서는 유로(135)와 전자 밸브(137)를 구비함으로써, 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체를 유통 가능하게 하는 구성을 갖고 있다. 그리고 전자 밸브(137)를 개방한 상태에서 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1을 대기압보다 높은 압력으로 가압함으로써, 스텝 S6에 있어서 발생하는 상부 공간 H2와 하부 공간 H1의 압력차를 소정값 이하로 억제할 수 있다. 이와 같은 실시예 4에서는, 밀봉 부재 BP에 관통 구멍 PH를 형성시키지 않아도 상부 공간 H2와 하부 공간 H1 사이에서 기체를 유통 가능하게 할 수 있으므로, 시트 천공부(76)를 생략할 수 있다.In Example 8, by providing the
<다른 실시 형태><Other embodiment>
또한, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니다. 본 발명의 범위는, 상기한 실시 형태의 설명이 아니라 특허 청구 범위에 의해 나타내어지고, 또한 특허 청구 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경(변형예)이 포함된다. 예로서, 본 발명은 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.In addition, embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and is not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims rather than the description of the above-described embodiments, and all changes (modifications) within the meaning and scope equivalent to the claims are included. For example, the present invention may be modified as follows.
(1) 각 실시예에 관한 스텝 S4에 있어서, 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압을 10Pa로 조정한 후, 상부 공간 H2의 기압을 10Pa로부터 100Pa로 조정함으로써 차압 Fa를 발생시키지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉 상부 공간 H2의 기압을 하부 공간 H1의 기압보다 높게 조절하는 한에 있어서, 스텝 S4에 있어서의 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 기압은 적절히 변경해도 된다. 일례로서, 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 기압을 소정값으로까지 감압시킨 후, 상부 공간 H2의 기압을 대기압으로 복귀시킴으로써 차압 Fa를 발생시켜도 된다. 상부 공간 H2의 기압을 대기압으로까지 복귀시켜 차압 Fa를 발생시키는 구성에서는, 차압 Fa를 보다 크게 할 수 있으므로, 점착 테이프 DT를 변형시켜 웨이퍼 W의 환상 볼록부 형성면을 점착 테이프 DT로 덮게 하는 과정을 보다 빠르게 완료할 수 있다.(1) In step S4 related to each example, after adjusting the atmospheric pressures in the upper space H2 and the lower space H1 to 10 Pa, the differential pressure Fa is generated by adjusting the atmospheric pressure in the upper space H2 from 10 Pa to 100 Pa, but limited to this doesn't happen That is, as long as the atmospheric pressure of the upper space H2 is adjusted to be higher than the atmospheric pressure of the lower space H1, the atmospheric pressure of the upper space H2 and the lower space H1 in step S4 may be changed appropriately. As an example, after reducing the atmospheric pressure in the lower space H1 and the upper space H2 to a predetermined value, the pressure difference Fa may be generated by returning the atmospheric pressure in the upper space H2 to atmospheric pressure. In the configuration in which the atmospheric pressure in the upper space H2 is returned to atmospheric pressure to generate the differential pressure Fa, the differential pressure Fa can be made larger. can be completed more quickly.
(2) 각 실시예에 관한 스텝 S6에 있어서, 가압 장치(32)는 하부 공간 H1 및 상부 공간 H2의 양쪽의 내부를 가압하였지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 가압 장치(32)는 상부 공간 H2만을 대기압보다 높은 기압이 될 때까지 가압하고, 압박력 V1에 의해 점착 테이프 DT를 보다 고정밀도로 첩부해도 된다.(2) In step S6 concerning each embodiment, although the
상부 공간 H2만을 가압하는 구성의 또 다른 변형예로서, 하부 공간 H1의 내부를 대기압보다 낮은 기압이 되도록 감압한 상태를 유지하면서, 상부 공간 H2의 내부를 대기압보다 높은 기압이 되도록 가압함으로써 점착 테이프 DT를 첩부하는 구성이어도 된다. 당해 구성에서는, 스텝 S4에 있어서 차압 Fa에 의한 제1 첩부 과정을 행한 후, 하부 공간 H1의 기압이 소정값으로 감압된 상태를 유지하면서, 상부 공간 H2에 접속되어 있는 전자 밸브(105)를 개방하여 상부 공간 H2만을 대기 개방한다. 그리고 스텝 S5에 있어서, 가압 장치(32)를 작동시켜, 상부 공간 H2의 내부를 가압하여 대기압보다 높게 한다.As another modified example of the configuration in which only the upper space H2 is pressurized, the pressure-sensitive adhesive tape DT by pressurizing the inside of the upper space H2 to an atmospheric pressure higher than atmospheric pressure while maintaining the pressure-reduced state of the inside of the lower space H1 to an atmospheric pressure lower than atmospheric pressure The structure may be affixed. In the said structure, after performing the 1st sticking process by the differential pressure Fa in step S4, the
당해 변형예에서는, 스텝 S5에 있어서, 보유 지지 테이블(9)을 상승시켜 웨이퍼 W의 이면에 보유 지지 테이블(9)을 맞닿게 한 상태에서, 상부 공간 H2의 내부를 가압하여 제2 첩부 과정을 행한다. 보유 지지 테이블(9)에 의해 웨이퍼 W를 보유 지지한 상태에서 상부 공간 H2를 가압하여 압박력 V1을 발생시킴으로써, 하부 공간 H1이 대기압보다 낮게 감압되어 있는 상태라도 압박력 V1을 점착 테이프 DT 및 웨이퍼 W의 전체면에 걸쳐 균등하게 작용시킬 수 있다.In the modified example, in step S5, in a state in which the holding table 9 is raised and the holding table 9 is brought into contact with the back surface of the wafer W, the inside of the upper space H2 is pressed to perform the second sticking process. do By pressing the upper space H2 while holding the wafer W by the holding table 9 to generate a pressing force V1, the pressing force V1 is applied to the pressure-sensitive adhesive tape DT and the wafer W even when the lower space H1 is depressurized to be lower than atmospheric pressure. It can be applied evenly over the entire surface.
(3) 각 실시예에 관한 스텝 S4에 있어서, 진공 장치(31)를 사용하여 챔버(29)의 내부에 차압 Fa를 발생시킴으로써, 점착 테이프 DT를 볼록상으로 변형시켜 웨이퍼 W의 환상 볼록부 형성면에 접촉시키고 있지만, 점착 테이프 DT를 볼록상으로 변형시키는 방법은 차압 Fa를 발생시키는 구성에 한정되지 않는다. 즉 도 51에 도시한 바와 같이, 상부 하우징(29B)의 내부에 압박 부재(141)를 구비하는 구성이어도 된다.(3) In step S4 according to each embodiment, by generating a differential pressure Fa inside the
압박 부재(141)는, 저면이 볼록상(일례로서 반구상)으로 되어 있고, 점착 테이프 DT의 상방에 위치하도록 배치된다. 그 때문에, 압박 부재(141)를 하강시킴으로써, 볼록상으로 되어 있는 압박 부재(141)의 저면이 점착 테이프 DT를 압박하고, 점착 테이프 DT는 볼록상으로 변형되어 웨이퍼 W에 접촉할 수 있다. 이 경우, 차압 Fa의 발생에 필요한 구성을 생략할 수 있다. 또한, 점착 테이프 DT를 볼록상으로 변형시키는 다른 구성으로서, 롤러 등을 사용하여 점착 테이프 DT를 상방으로부터 압박시키는 구성 등도 들 수 있다.The pressing
(4) 각 실시예에 있어서, 지지용의 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W에 첩부하는 구성을 예로서 설명하였지만, 웨이퍼 W에 첩부하는 점착 시트는 이것에 한정되는 것은 아니다. 회로 보호용의 점착 테이프를 예로 하는 시트상의 점착재를 첩부하는 구성이면, 각 실시예에 관한 구성을 적용할 수 있다.(4) In each Example, although the structure of sticking the adhesive tape DT for support to the wafer W was demonstrated as an example, the adhesive sheet sticking to the wafer W is not limited to this. As long as it is a structure which sticks the sheet-form adhesive material using the adhesive tape for circuit protection as an example, the structure concerning each Example is applicable.
(5) 실시예 1 내지 실시예 4에 있어서, 점착 시트를 첩부하는 대상이 되는 워크로서, 웨이퍼 W 및 링 프레임 f를 예시하였지만, 워크는 이것에 한정되지 않는다. 일례로서, 링 프레임 f를 생략하고, 웨이퍼 W에만 점착 시트(점착 테이프 DT)를 첩부해도 된다. 링 프레임 f를 생략하는 경우, 제2 첩부 과정이 완료되어 점착 테이프 DT가 밀착되어 첩부된 상태로 되어 있는 웨이퍼 W가 본 발명에 있어서의 반도체 제품에 상당한다. 또한, 실시예 5 내지 실시예 8에 있어서도 링 프레임 f를 생략하고, 기판(310)에만 밀봉 부재 BP를 첩부해도 된다. 링 프레임 f를 생략하는 경우, 제2 밀봉 과정이 완료되어 밀봉 시트 BS가 밀착되어 첩부된 상태로 되어 있는 기판(310)이 본 발명에 있어서의 반도체 제품에 상당한다.(5) In Examples 1 to 4, the wafer W and the ring frame f were exemplified as the work to be adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet, but the work is not limited thereto. As an example, the ring frame f may be omitted and the adhesive sheet (adhesive tape DT) may be affixed only to the wafer W. When the ring frame f is abbreviate|omitted, the wafer W in which the 2nd sticking process is completed and the adhesive tape DT is closely_contact|adhered and is in the stuck state corresponds to the semiconductor product in this invention. In addition, also in Examples 5-8, the ring frame f may be abbreviate|omitted and the sealing member BP may be affixed only to the board|
(6) 각 실시예에 있어서, 웨이퍼, 기판, 패널 등 각종 반도체용 부재를 워크로서 적용할 수 있다. 또한 워크의 형상으로서는 원 형상 외에, 직사각 형상, 다각 형상, 대략 원 형상 등이어도 된다.(6) In each embodiment, various semiconductor members such as wafers, substrates, and panels can be applied as work pieces. Moreover, as a shape of a workpiece|work, other than a circular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, a substantially circular shape, etc. may be sufficient.
(7) 각 실시예에 있어서, 보유 지지 테이블(9) 또는 보유 지지 테이블(309)을 소정의 타이밍에 승강 이동시켜 워크와 시트재를 일체화시키고 있지만, 보유 지지 테이블(9) 또는 보유 지지 테이블(309)의 승강 이동은 적절히 변경해도 된다. 일례로서, 스텝 S6에 관한 가압 처리는 보유 지지 테이블(9)을 하강시킨 후에 행하는 구성에 한정되지 않고, 상승 상태를 유지하면서 가압 처리를 행해도 된다.(7) In each embodiment, although the holding table 9 or the holding table 309 is moved up and down at a predetermined timing to integrate the work and the sheet material, the holding table 9 or the holding table ( 309) may be appropriately changed. As an example, the pressing process concerning step S6 is not limited to the structure performed after lowering|falling the holding table 9, You may perform a press process, maintaining a raised state.
(8) 각 실시예에 있어서, 프레임 보유 지지부(38)는 하부 하우징(29A)의 외부에 배치되어 있지만, 하부 하우징(29A)의 내부에 프레임 보유 지지부(38)를 마련해도 된다. 이 경우, 스텝 S4 이후의 과정은, 링 프레임 f 및 웨이퍼 W의 각각을 챔버(29)의 내부에 수납한 상태에서 행해진다.(8) In each embodiment, the
(9) 각 실시예에 있어서, 도 52의 (a)에 도시한 바와 같이, 챔버(29)는 시트상의 탄성체 Gs를 구비하고 있어도 된다. 이하, 실시예 6의 구성을 예시하여 본 변형예에 대해 설명한다.(9) In each embodiment, as shown in Fig. 52(a), the
탄성체 Gs는 상부 하우징(29B)의 내부에 배치되어 있고, 상부 하우징(29B)의 내경에 접하도록 구성되어 있다. 또한, 탄성체 Gs의 하면과 상부 하우징(29B)의 원통 저부가 동일한 높이가 되도록 구성된다. 따라서, 하부 하우징(29A)과 상부 하우징(29B)이 반송용 시트 P를 사이에 끼워 넣어 챔버(29)를 형성하면, 탄성체 Gs는 반송용 시트 P와 맞닿는다. 구체적으로는, 반송용 시트 P에 있어서, 점착 테이프 DT를 보유 지지하는 면과는 반대의 측(도면에서는 상면측)에 탄성체 Gs가 맞닿게 된다. 탄성체 Gs를 하부 하우징(29A)의 내경에 접하도록 배치함으로써, 챔버(29)를 형성할 때 탄성체 Gs가 끼워 넣어지는 일이 없으므로, 챔버(29)의 밀폐성이 탄성체 Gs에 의해 저하되는 것을 방지할 수 있다. 탄성체 Gs를 구성하는 재료의 예로서, 고무, 엘라스토머 또는 겔상의 고분자 재료 등을 들 수 있다.The elastic body Gs is arranged inside the
챔버(29)가 탄성체 Gs를 구비함으로써, 스텝 S4에 있어서 밀봉 부재 BP를 볼록상으로 변형시킬 때, 밀봉 부재 BP의 굴곡률을 보다 균일하게 할 수 있다. 여기서 탄성체 Gs를 구비하는 구성의 효과에 대해 설명한다. 일례로서, 밀봉 시트 BS가 비교적 단단한 재료로 구성되어 있는 경우, 도 52의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀봉 부재 BP의 굴곡률이 불균일하게 되기 쉽다.When the
즉, 반송용 시트 BT 중, 밀봉 시트 BS가 반송용 시트 BT에 보유 지지되어 있는 영역 P1에 있어서는, 단단한 밀봉 시트 BS가 존재하고 있으므로 차압 Fa에 의한 반송용 시트 BT의 굴곡률이 작다. 한편, 반송용 시트 BT 중 밀봉 시트 BS가 반송용 시트 BT에 보유 지지되어 있지 않은 영역 P2에 있어서는, 차압 Fa에 의한 반송용 시트 BT의 굴곡률이 비교적 크다. 즉 차압 Fa에 의해 영역 P2쪽이 용이하게 변형됨으로써, 영역 P1에 있어서의 반송용 시트 BT의 굴곡률이 더욱 저하된다.That is, in the area|region P1 by which sealing sheet BS is hold|maintained by sheet|seat BT for conveyance among sheet|seat BT for conveyance, since hard sealing sheet BS exists, the bending rate of sheet|seat BT for conveyance by differential pressure Fa is small. On the other hand, in the area|region P2 by which sealing sheet BS is not hold|maintained by sheet|seat BT for conveyance among sheet|seat BT for conveyance, the bending rate of sheet|seat BT for conveyance by differential pressure Fa is comparatively large. That is, the bending rate of the sheet|seat BT for conveyance in the area|region P1 further falls because the area|region P2 side deform|transforms easily with the differential pressure Fa.
또한, 밀봉 시트 BS 중 영역 P2에 가까운 측은 밀봉 시트 BS의 굴곡률이 크고, 밀봉 시트 BS의 중앙부에서는 밀봉 시트 BS의 굴곡률이 작아진다. 이와 같이, 밀봉 시트 BS 및 반송용 시트 BT의 각각에 있어서, 차압 Fa에 의한 굴곡률이 불균일해진다. 그 결과, 기판(310)에 첩부된 밀봉 시트 BS에 대해, 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성이 저하된다.Moreover, the side close|similar to the area|region P2 among sealing sheet BS has a large curvature rate of sealing sheet BS, and the curvature rate of sealing sheet BS becomes small in the center part of sealing sheet BS. Thus, each of sealing sheet BS and sheet|seat BT for conveyance WHEREIN: The bending rate by differential pressure Fa becomes non-uniform|heterogenous. As a result, with respect to the sealing sheet BS affixed on the board|
한편 탄성체 Gs를 구비하는 경우, 도 52의 (c)에 도시한 바와 같이, 차압 Fa에 의해 탄성체 Gs의 전체가 균일하게 볼록상 변형된다. 그 때문에, 영역 P1에 있어서의 반송용 시트 BT의 굴곡률이 향상되어 영역 P2에 있어서의 굴곡률과의 차가 작아지므로, 반송용 시트 BT 및 밀봉 시트 BS의 굴곡률은 전체적으로 균일해진다. 즉, 밀봉 시트 BS는 기판(310)의 디바이스 형성면의 형상에 따라서 변형되기 쉬워지므로, 밀봉 시트 BS와 기판(310)의 밀착성을 더욱 향상시킬 수 있다.On the other hand, when the elastic body Gs is provided, the entire elastic body Gs is uniformly convexly deformed by the differential pressure Fa, as shown in Fig. 52(c). Therefore, since the curvature rate of sheet|seat BT in the area|region P1 improves and the difference with the curvature rate in area|region P2 becomes small, the curvature rate of sheet|seat BT for conveyance and sealing sheet BS becomes uniform as a whole. That is, since the sealing sheet BS becomes easy to deform|transform according to the shape of the device formation surface of the board|
(10) 각 실시예에 있어서, 점착 테이프 DT 또는 밀봉 부재 BP를 가온하는 구성을 더 구비해도 된다. 점착 테이프 DT 등을 가온하는 구성의 일례로서, 시트 첩부 기구(81)는, 도 53의 (a)에 도시한 바와 같이, 상부 하우징(29B)의 내부에 가온 기구(120)를 갖고 있다. 도 53의 (a)는 실시예 2의 구성에 가온 기구(120)를 구비한 구성을 본 변형예의 일례로서 나타내고 있다.(10) In each Example, you may further provide the structure which heats the adhesive tape DT or the sealing member BP. As an example of a configuration for heating the adhesive tape DT or the like, the
가온 기구(120)는, 실린더(121) 및 가온 부재(123)를 구비하고 있다. 실린더(121)는 가온 부재(123)의 상부에 연결되어 있고, 실린더(121)의 동작에 의해 가온 부재(123)는 챔버(29)의 내부에서 승강할 수 있다. 또한, 가온 부재(123)는 점착 테이프 DT를 가온 가능하면, 승강 이동 가능한 구성이 아니어도 된다.The
가온 부재(123)의 내부에는 점착 테이프 DT를 가온하는 히터(125)가 매설되어 있다. 히터(125)에 의한 가온의 온도는 점착 테이프 DT가 유연해지는 온도가 되도록 조정된다. 당해 가온의 온도의 일례로서, 50℃ 내지 70℃ 정도를 들 수 있다. 가온 부재(123)의 저면의 형상은 웨이퍼 W의 형상에 따라서 변경해도 된다. 일례로서, 가온 부재(123)는 전체로서 원주상으로 되어 있다.A
또한, 스텝 S4를 개시하기 전에 미리, 가온 기구(120)를 사용하여 상부 공간 H2를 가온시켜 두는 것이 바람직하다. 즉, 제어부(33)는 히터(125)를 작동시켜 가온 장치(123)를 소정의 온도로 가온시킨다. 가온 장치(123)가 가온됨으로써, 열전도 효과에 의해 상부 공간 H2가 가온되고, 또한 점착 테이프 DT가 가온된다.In addition, before starting step S4, it is preferable to heat the upper space H2 using the
점착 테이프 DT는 가온됨으로써 유연해지므로, 차압 Fa에 의한 점착 테이프 DT의 변형성이 향상된다. 즉, 점착 테이프 DT로 웨이퍼 W를 덮게 할 때, 웨이퍼 W에 대한 점착 테이프 DT의 추종성을 보다 높일 수 있다. 또한 도 53의 (b)에 도시한 바와 같이, 점착 테이프 DT에 근접 또는 맞닿도록 가온 부재(123)를 하강시켜, 점착 테이프 DT를 가온 부재(123)로 직접 가온해도 된다.Since the adhesive tape DT becomes soft by being heated, the deformability of the adhesive tape DT by the differential pressure Fa improves. That is, when covering the wafer W with the adhesive tape DT, the followability|trackability of the adhesive tape DT with respect to the wafer W can be improved more. Moreover, as shown in (b) of FIG. 53, the
또한, 가온 기구(120)는 챔버(29)에 있어서의 상부 공간 H2의 측에 배치되어, 상부 공간 H2를 가온하는 구성에 한정되지 않는다. 즉 가온 기구(120)는, 하부 공간 H1을 가온하는 구성이어도 된다. 일례로서, 히터(125)를 보유 지지 테이블(9)의 내부에 배치하고, 히터(125)가 하부 공간 H1을 가온함으로써 점착 테이프 DT를 가온하는 구성을 들 수 있다. 또한, 가온 기구(120)는 상부 공간 H2 및 하부 공간 H1의 양쪽을 가온하는 구성이어도 된다.In addition, the
(11) 실시예 5 내지 실시예 8에 관한 워크로서, 표면측에 LED(311)가 탑재되어 있고 이면측이 평탄한 기판(310)을 사용하여 설명하였지만, 워크의 이면측은 평탄한 구성에 한정되지 않는다. 즉 도 54의 (a)에 도시한 바와 같이, 표면측에 LED(311)가 탑재되어 있고 이면측에 볼록상 부재(330)를 구비하는 기판(331)을 워크로서 사용해도 된다. 볼록상 부재(330)는, LED를 예로 하는 전자 부품 외에, 기판(331)의 구성 재료인 경우 등을 들 수 있다. 즉 이면측에 요철이 존재하는 기판(331)으로서, 기판(331) 자체의 이면에 요철이 형성되어 있는 구성도 포함하는 것으로 한다.(11) As the work according to Examples 5 to 8, a
이면측에 볼록상 부재(330)를 구비하는 기판(331)에 대해, 표면측에 탑재되어 있는 LED(311)를 밀봉 시트 S로 밀봉하는 경우, 디바이스 밀봉 장치(301)는 보유 지지 테이블(309) 대신에 도 54의 (b)에 도시한 바와 같은 보유 지지 테이블(335)을 구비한다.When sealing the
보유 지지 테이블(335)은 외주부에 환상의 돌기부(337)를 구비하고 있고, 중앙부에 오목부(339)를 구비하고 있다. 즉 보유 지지 테이블(335)은 전체로서 중공으로 되어 있다. 오목부(339)는 평면으로 보아, 기판(331)에 있어서 볼록상 부재(330)가 배치되어 있는 영역을 포함하는 위치에 구성되어 있다. 기판(331)의 이면 중 볼록상 부재(330)가 배치되어 있지 않은 부분을 돌기부(337)가 지지함으로써, 보유 지지 테이블(335)은 볼록상 부재(330)에 접촉하지 않고 기판(331)을 보유 지지할 수 있다.The holding table 335 has an
도 55는 하부 하우징(29A)이 보유 지지 테이블(335)을 구비하는 구성에 있어서, 보유 지지 테이블(335)이 기판(331)을 지지하고 있는 상태를 도시하고 있다. 당해 상태는, 스텝 S3에 있어서 챔버(29)를 형성시키는 공정에 상당한다. 보유 지지 테이블(335)을 구비하는 구성에 있어서 기판(310) 상의 LED(311)를 밀봉 시트 BS로 밀봉하는 각 공정은, 이미 설명한 실시예와 마찬가지이므로 상세한 설명을 생략한다.55 shows a state in which the holding table 335 is supporting the
(13) 실시예 5 내지 실시예 8에 있어서, 밀봉 시트 BS에 의한 밀봉의 대상이 되는 디바이스로서, LED(311)를 예로서 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 디바이스의 다른 예로서는, LED(311)를 예로 하는 광학 소자 외에, 반도체 소자, 전자 부품 등을 들 수 있다.(13) In Examples 5-8, although LED311 was demonstrated as an example as a device used as the object of sealing by sealing sheet BS, it is not limited to this. As another example of the device, a semiconductor element, an electronic component, etc. are mentioned in addition to the optical element which takes the
(14) 실시예 5 내지 실시예 8에 있어서, 밀봉 시트 BS에 의해 LED(311)를 밀봉한 후, 밀봉 시트 BS의 밀봉재 BSb를 경화시키는 공정을 행해도 된다. 밀봉재 BSb를 경화시키는 공정은 밀봉재 BSb의 재료에 따라 적절히 변경할 수 있지만, 일례로서 열처리에 의한 경화, 자외선 처리에 의한 경화 등을 들 수 있다.(14) In Examples 5-8, after sealing LED311 with sealing sheet BS, you may perform the process of hardening sealing material BSb of sealing sheet BS. Although the process of hardening the sealing material BSb can be changed suitably according to the material of the sealing material BSb, hardening by heat processing, hardening by ultraviolet treatment, etc. are mentioned as an example.
(15) 실시예 5 내지 실시예 8에 있어서, 밀봉재 BSb로서 OCA를 사용하고 있지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 밀봉재 Sb는 광학적으로 투명한 재료 외에, 광학적으로 불투명한 재료를 사용해도 되고, 무색 또는 유색의 재료를 사용해도 된다.(15) In Examples 5-8, although OCA is used as sealing material BSb, it is not limited to this. That is, the sealing material Sb may use an optically opaque material other than an optically transparent material, and may use a colorless or colored material.
(16) 실시예 및 변형예의 각각에 있어서, 제1 첩부 과정 또는 제1 밀봉 과정은 챔버(29)의 내부에서 행하는 구성에 한정되는 것은 아니다. 즉 챔버(29)의 외부에 있어서 미리 시트재를 워크에 접촉시켜 시트재를 워크 부착시키는 공정을 행해도 된다. 이하, 디바이스 밀봉 장치(301)에 있어서 챔버(29)의 외부에서 제1 밀봉 과정을 행하는 구성을 예로서 당해 변형예를 설명한다.(16) In each of the embodiment and the modification, the first sticking process or the first sealing process is not limited to the configuration performed inside the
챔버(29)의 외부에서 제1 밀봉 과정을 행하는 변형예에 있어서, 디바이스 밀봉 장치(301)는 챔버(29)의 외부에 승강 테이블(338)을 구비하고 있다. 승강 테이블(338)은 일례로서 직사각형부(301a)에 배치되어 있고, 직사각형부(1a)의 상측의 우측으로부터 얼라이너(7), 승강 테이블(338), 보유 지지 테이블(309), 및 프레임 공급부(12)의 순으로 배치되어 있다.In a modified example in which the first sealing process is performed outside the
승강 테이블(338)은 전후 방향(y 방향)으로 부설되어 있는 레일(54)을 따라서, 초기 위치와 밀봉 위치 사이를 왕복 이동 가능하게 구성되어 있다. 초기 위치는 직사각형부(1a)의 내부에 있고, 당해 초기 위치에 있어서 기판(310)이 승강 테이블(338)에 적재된다. 밀봉 위치는 돌출부(301b)의 내부에 있고, 밀봉 위치로 승강 테이블(8)이 이동함으로써, 승강 테이블(338)에 적재되어 있는 기판(310)을 밀봉 부재 BP에 접촉시키는 것이 가능해진다.The raising/lowering table 338 is comprised so that a reciprocating movement between an initial stage position and a sealing position is possible along the rail 54 laid in the front-back direction (y direction). The initial position is inside the rectangular part 1a, and the board|
승강 테이블(338)은 기판(310)을 보유 지지하는 것이며, 일례로서 기판(310)과 동일 형상 이상의 크기를 갖는 금속제의 척 테이블이다. 승강 테이블(338)의 바람직한 구성으로서, 내부에 마련되어 있는 흡인 장치에 의해 기판(310)을 흡착 보유 지지하도록 구성되어 있다. 승강 테이블(338)은, 도 56 및 도 57 등에 도시한 바와 같이, 승강 테이블(338)을 지지하는 지지대(351)를 관통하는 로드(352)의 일단과 연결되어 있다. 로드(352)의 타단은 모터 등을 구비하는 액추에이터(353)에 구동 연결되어 있다. 로드(352) 및 액추에이터(353)에 의해, 승강 테이블(338)은 승강 이동이 가능하게 되어 있다.The lifting table 338 holds the
<변형예에 있어서의 동작><Operation in Modified Example>
여기서, 변형예에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작을 설명한다. 변형예에 관한 흐름도의 개요는 도 37에 도시된 실시예 5에 관한 흐름도와 공통된다. 실시예 5에 관한 디바이스 밀봉 장치(301)의 동작과 동일한 공정에 대해서는 설명을 간략화하고, 다른 공정인 스텝 S1 내지 스텝 S4에 대해 상세하게 설명한다.Here, the operation of the
스텝 S1(워크의 공급)Step S1 (workpiece supply)
밀봉 지령이 내려지면, 프레임 공급부(12)로부터 하부 하우징(29A)의 프레임 보유 지지부(38)에 링 프레임 f가 반송됨과 함께, 용기(305)로부터 승강 테이블(338)에 기판(310)이 반송된다. 프레임 보유 지지부(38)가 링 프레임 f를 보유 지지하면, 하부 하우징(29A)은 보유 지지 테이블(309)과 함께, 레일(40)을 따라서 초기 위치로부터 디바이스 밀봉 기구(81)측의 밀봉 위치로 이동한다.When a sealing command is given, the ring frame f is conveyed from the
프레임 반송 장치(17)가 링 프레임 f를 반송하는 한편, 기판 반송 장치(316)는 보유 지지 암(23)을 사용하여 기판(310)을 흡착 보유 지지하여 반출하여, 얼라이너(7)로 반송한다. 얼라이너(7)는 흡착 패드로 기판(310)을 보유 지지하여 회전시키면서 노치 등에 기초하여 위치 정렬을 행한다. 위치 정렬이 완료되면, 기판 반송 장치(316)는 얼라이너(7)로부터 기판(310)을 반출시켜, 승강 테이블(338)에 기판(310)을 적재시킨다. 승강 테이블(8)이 기판(10)을 흡착 보유 지지하면, 승강 테이블(338)은 레일(54)을 따라서 초기 위치로부터 디바이스 밀봉 기구(381)측의 밀봉 위치로 이동한다. 승강 테이블(338) 및 보유 지지 테이블(309)의 각각이 밀봉 위치로 이동한 상태가, 도 56에 도시되어 있다.While the
스텝 S2(밀봉 시트의 공급)Step S2 (supply of sealing sheet)
기판 반송 장치(316) 등에 의한 워크의 공급이 행해지면, 밀봉 유닛(313)에 있어서 밀봉 시트 BS의 공급을 행한다. 즉, 시트 공급부(371)로부터 소정량의 밀봉 부재 BP가 세퍼레이터 S가 박리되면서 조출된다. 전체로서 긴 형상인 밀봉 부재 BP는, 소정의 반송 경로를 따라서 밀봉 위치의 상방으로 안내된다. 이때 도 56에 도시한 바와 같이, 반송용 시트 BT에 보유 지지되어 있는 밀봉 시트 BS는, 승강 테이블(338)에 적재되어 있는 기판(310)의 상방에 위치하도록 포지셔닝이 행해진다.When supply of the workpiece|work by the board|
스텝 S3(제1 밀봉 과정)Step S3 (first sealing process)
워크 및 밀봉 시트 BS가 공급되면, 제1 밀봉 과정을 개시한다. 즉, 제어부(33)는 액추에이터(353)를 구동시켜 승강 테이블(338)을 상승시킨다. 승강 테이블(338)의 상승에 의해, 도 57에 도시한 바와 같이, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)의 상면이 밀봉 시트 BS에 접촉한다. 당해 접촉에 의해, 밀봉 시트 BS가 기판(310)에 부착되어 양자가 일체화된다.When the work and the sealing sheet BS are supplied, the first sealing process is started. That is, the
당해 접촉에 의해, 점착력을 갖는 밀봉층 BSb에 LED(311)가 부착되고, LED(311)를 통해 기판(310)이 밀봉 시트 BS에 의해 보유 지지된다. 밀봉 시트 BS를 통해 기판(10)과 밀봉 부재 BP가 일체화된 것을 이하, 밀봉재 복합체 BM으로 한다. 밀봉재 복합체 BM이 형성된 후, 밀봉 부재 BP를 소정량 조출함으로써, 밀봉재 복합체 BM은 보유 지지 테이블(309)의 상방으로 반송된다. 밀봉재 복합체 BM이 반송됨과 함께, 승강 테이블(338)은 하강하여 초기 상태로 복귀된다. 밀봉재 복합체 BM이 형성되어 보유 지지 테이블(309)로 반송됨으로써, 스텝 S3에 관한 제1 밀봉 과정은 완료된다.By this contact, the
스텝 S4(챔버의 형성)Step S4 (formation of chamber)
밀봉재 복합체 M이 보유 지지 테이블(309)의 상방으로 반송되면, 첩부 롤러(85)가 하강한다. 그리고 반송용 시트 BT 상을 구름 이동하면서 링 프레임 f와 하부 하우징(29A)의 정상부에 걸쳐 반송용 시트 BT를 첩부한다.When the sealing material composite M is conveyed above the holding table 309 , the attaching
링 프레임 f에 반송용 시트 BT가 첩부되면, 첩부 롤러(85)를 초기 위치로 복귀시킴과 함께, 상부 하우징(29B)을 하강시킨다. 상부 하우징(29B)의 하강에 수반하여, 하부 하우징(29A)의 정상부에 첩부되어 있는 부분의 반송용 시트 T는 상부 하우징(29B)과 하부 하우징(29A)에 의해 끼움 지지되어, 챔버(29)가 구성된다. 이후, 실시예 5 내지 8의 구성과 마찬가지로 스텝 S5 내지 S8의 공정을 행하여, 밀봉체 BMF를 작성한다.When the sheet BT for conveyance is affixed to the ring frame f, while returning the sticking
제1 밀봉 과정에 있어서 기판(310)에 부착되어 있던 밀봉 시트 BS는, 제2 밀봉 과정에 있어서 기판(310)과의 밀착성이 보다 높은 상태가 된다. 제2 밀봉 과정에 있어서 대기압보다 높은 압력이 기판(310)과 밀봉 시트 BS 사이에서 작용함으로써, 기판(310)과 밀봉 시트 BS의 밀착성이 높아져, 기판(310)에 탑재되어 있는 LED(311)가 밀봉 시트 BS에 의해 강고하게 밀봉된다.The sealing sheet BS adhered to the board|
(17) 실시예 1 내지 실시예 4에 있어서, 긴 형상의 점착 테이프 DT를 웨이퍼 W의 이면과 링 프레임 f에 걸쳐 첩부한 후, 워크의 형상(여기서는, 웨이퍼 W 또는 링 프레임 f의 형상)에 따른 소정의 형상으로 절단하는 구성을 예로 들어 설명하였지만 이것에 한정되지 않는다. 즉, 미리 워크의 형상에 따른 소정의 형상을 갖는 점착 테이프를, 당해 워크에 첩부해도 된다.(17) In Examples 1 to 4, the elongated adhesive tape DT was pasted over the back surface of the wafer W and the ring frame f, and then applied to the shape of the work (here, the shape of the wafer W or the ring frame f). Although the configuration for cutting into a predetermined shape has been described as an example, the present invention is not limited thereto. That is, an adhesive tape having a predetermined shape according to the shape of the work may be affixed to the work in advance.
당해 변형예에 관한 점착 테이프 DT의 구성은, 도 31의 (a)에 도시된 밀봉 부재 BP의 구성과 마찬가지이다. 즉, 긴 형상의 반송용 시트 BT의 한쪽의 면에, 소정 형상의 점착 테이프 DT가 소정의 피치로 첩부되어 보유 지지된다. 점착 테이프 DT는 웨이퍼 W에 있어서의 환상 볼록부 Ka의 형성면(본 실시예에서는 이면)의 형상에 따른 소정의 형상으로 미리 절단되어 있다. 당해 변형예에서는, 스텝 S3에 있어서 상부 하우징(29B) 및 하부 하우징(29A)이 반송용 시트 BT를 사이에 끼워 넣음으로써 챔버(29)가 형성된다.The configuration of the adhesive tape DT according to the modified example is the same as that of the sealing member BP shown in FIG. 31A . That is, the adhesive tape DT of a predetermined shape is affixed by predetermined pitch on one surface of the sheet|seat BT for elongate shape, and is hold|maintained. The adhesive tape DT is cut beforehand into a predetermined shape according to the shape of the formation surface (the back surface in this embodiment) of the annular convex part Ka in the wafer W. In the said modification, the
(18) 실시예 1 또는 실시예 5에 있어서, 시트 천공부(76)는 승강 이동 및 회전 이동에 의해 원호상의 관통 구멍 PH를 형성시키는 구성이지만, 관통 구멍 PH를 형성시키는 한에 있어서 시트 천공부(76)의 동작은 적절히 변경해도 된다. 일례로서, 시트 천공부(76)는 승강 이동에 의해서만 관통 구멍 PH를 형성시켜도 된다. 구체적으로, 시트 천공부(76)가 하강함으로써 커터(129)를 점착 테이프 DT에 관통시켜 관통 구멍 PH를 형성시킨 후, 시트 천공부(76)를 상승시켜 초기 위치로 복귀시킨다.(18) In the first embodiment or the fifth embodiment, the sheet perforated
(19) 실시예 1 또는 실시예 5에 있어서, 시트 천공부(76)는 커터날을 갖는 커터(129)를 사용하여 관통 구멍 PH를 형성시키는 구성에 한정되는 것은 아니고, 커터(129) 대신에 바늘상 부재 또는 원추형 부재를 구비해도 된다. 이 경우, 바늘상 부재 또는 원추형 부재의 선단부를 점착 테이프 DT에 관통시킴으로써 관통 구멍 PH를 형성시킨다.(19) In
1: 점착 시트 첩부 장치
3: 웨이퍼 반송 기구
5: 용기
6: 프레임 회수부
7: 얼라이너
9: 보유 지지 테이블
12: 프레임 공급부
13: 첩부 유닛
16: 웨이퍼 반송 장치
17: 프레임 반송 장치
23: 보유 지지 암
31: 진공 장치
32: 가압 장치
33: 제어부
38: 프레임 보유 지지부
71: 시트 공급부
72: 세퍼레이터 회수부
73: 시트 첩부부
74: 시트 회수부
76: 시트 천공부
81: 시트 첩부 기구
82: 시트 절단 기구
85: 첩부 롤러
86: 닙 롤러
95: 커터
97: 승강 구동대
99: 회전축부
101: 유로
102: 유로
103: 전자 밸브
104: 전자 밸브
120: 가온 기구
127: 지지 암
128: 커터 홀더
129: 커터
131: 유로
132: 전자 밸브
133: 유로
134: 전자 밸브
135: 유로
137: 전자 밸브
141: 압박 부재
301: 디바이스 밀봉 장치
309: 보유 지지 테이블
310: 기판
311: LED
f: 링 프레임
DT: 점착 테이프
MF: 마운트 프레임
BT: 반송용 시트
BS: 밀봉 시트
BP: 밀봉 부재
BMF: 밀봉체
PH: 관통 구멍
Ka: 환상 볼록부
Kf: 내측 코너부
He: 편평 오목부1: Adhesive sheet pasting device
3: Wafer transfer mechanism
5: Courage
6: Frame recovery unit
7: Aligner
9: Holding table
12: frame supply
13: affixing unit
16: wafer transfer device
17: frame conveying device
23: holding arm
31: vacuum device
32: pressurization device
33: control unit
38: frame holding part
71: sheet supply unit
72: separator recovery unit
73: sheet pasting
74: sheet recovery unit
76: sheet perforation
81: sheet attaching mechanism
82: sheet cutting mechanism
85: sticking roller
86: nip roller
95: cutter
97: elevating drive
99: rotation shaft part
101: Euro
102: Euro
103: solenoid valve
104: solenoid valve
120: warming mechanism
127: support arm
128: cutter holder
129: cutter
131: Euro
132: solenoid valve
133: Euro
134: solenoid valve
135: Euro
137: solenoid valve
141: no pressure
301: device sealing device
309: holding table
310: substrate
311: LED
f: ring frame
DT: adhesive tape
MF: mount frame
BT: sheet for transport
BS: sealing sheet
BP: sealing member
BMF: Seal
PH: through hole
Ka: annular convex
Kf: inner corner
He: flat concave
Claims (11)
상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어, 상기 챔버의 내부 공간을 상기 워크가 배치되는 하부 공간과, 상기 시트재를 개재하여 상기 하부 공간과 대향하는 상부 공간으로 구획하는 상하 공간 형성 과정과,
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 과정과,
제1 일체화 과정 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차를 조정하는 압력차 조정 과정과,
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 과정을, 구비하는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.A method of unifying a work and a sheet material for integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
By sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the inner space of the chamber is divided into a lower space in which the work is disposed and an upper space facing the lower space through the sheet material. The process of forming upper and lower space,
By depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, the sheet material is brought into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber, so that the sheet material is removed from the sheet material. A first integration process of attaching to the work;
After the first integration process, a pressure difference adjustment process for adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber;
A method for integrating a work and a sheet material comprising: a second integration process of bringing the sheet material into close contact with the work by increasing the pressure in the inner space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure in a state where the pressure difference is adjusted; .
상기 압력차 조정 과정은,
상기 시트재에 관통 구멍을 형성시킴으로써, 상기 관통 구멍을 통해 상기 상부 공간과 상기 하부 공간을 연통시키는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.The method of claim 1,
The pressure difference adjustment process is
A method for integrating a work and a sheet material, characterized in that by forming a through hole in the sheet material, the upper space and the lower space are communicated through the through hole.
상기 압력차 조정 과정은,
적어도 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간 중 한쪽의 압력을 단계적으로 상승시키도록 제어함으로써 상기 압력차를 유지시키는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.The method of claim 1,
The pressure difference adjustment process is
The method for integrating a work and a sheet material according to claim 1, wherein the pressure difference is maintained by controlling the pressure of at least one of the upper space and the lower space to increase in stages.
상기 챔버는,
상기 상부 공간의 압력을 조정하는 제1 변압 기구와,
상기 하부 공간의 압력을 조정하는 제2 변압 기구와,
상기 제1 변압 기구 및 상기 제2 변압 기구를 독립적으로 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 압력차 조정 과정은,
상기 제어부가 상기 제1 변압 기구 및 상기 제2 변압 기구를 독립적으로 제어함으로써, 상기 압력차를 유지시키면서 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간의 압력을 상승시키는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.The method of claim 1,
The chamber is
a first transforming mechanism for adjusting the pressure of the upper space;
a second transformation mechanism for adjusting the pressure of the lower space;
a control unit for independently controlling the first transformer mechanism and the second transformation mechanism;
The pressure difference adjustment process is
The method for integrating a work and a sheet material, wherein the control unit independently controls the first and second transforming mechanisms to increase the pressures in the upper space and the lower space while maintaining the pressure difference.
상기 제1 일체화 과정에서는, 상기 시트재를 상기 워크를 향하여 볼록상으로 변형시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
In the first integration process, the sheet material is brought into contact with the work by deforming the sheet material in a convex shape toward the work.
상기 시트재는, 상기 워크에 따른 소정 형상을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The method for integrating a work and a sheet material, wherein the sheet material has a predetermined shape corresponding to the work.
상기 시트재는 긴 반송용 시트에 보유 지지되어 있고,
상기 상부 챔버의 내부에 배치되어 있는 시트상의 탄성체를 구비하고,
상기 상하 공간 형성 과정에 있어서 상기 상부 챔버과 상기 하부 챔버에 의해 상기 반송용 시트를 사이에 끼워 넣음으로써, 상기 반송용 시트 중 상기 시트재를 보유 지지하고 있지 않은 면에 상기 시트상의 탄성체가 맞닿도록, 상기 시트상의 탄성체는 배치되는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The sheet material is held by a long conveyance sheet,
and a sheet-like elastic body disposed inside the upper chamber,
In the process of forming the vertical space, the sheet-like elastic body is in contact with a surface of the conveying sheet that does not hold the sheet material by sandwiching the conveying sheet between the upper chamber and the lower chamber, The method for integrating the work and the sheet material, characterized in that the sheet-like elastic body is arranged.
상기 워크는 한쪽의 면의 외주에 환상 볼록부를 갖고,
상기 시트재는 상기 워크 중 상기 환상 볼록부가 형성되어 있는 면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The work has an annular convex portion on the outer periphery of one surface,
The method for integrating a work and a sheet material, wherein the sheet material is in close contact with a surface of the work on which the annular convex portion is formed.
상기 워크는 광학 소자를 탑재한 기판이며,
상기 시트재는 상기 워크 중 상기 광학 소자가 탑재된 면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The work is a substrate on which an optical element is mounted,
The method for integrating the work and the sheet material, characterized in that the sheet material is in close contact with a surface on which the optical element is mounted among the work.
상기 워크를 보유 지지하는 보유 지지 테이블과,
상기 보유 지지 테이블을 수납하고, 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어 형성되는, 상기 시트재를 통해 상부 공간과 하부 공간으로 구획되는 챔버와,
상기 시트재를 공급하는 공급 기구와,
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 기구와,
상기 시트재가 상기 워크에 부착된 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차를 조정하는 차압 조정 기구와,
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 워크와 시트재의 일체화 장치.An apparatus for integrating a work and a sheet material for integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
a holding table for holding the work;
a chamber accommodating the holding table and formed by sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the chamber being divided into an upper space and a lower space through the sheet material;
a supply mechanism for supplying the sheet material;
By depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, the sheet material is brought into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber, so that the sheet material is removed from the sheet material. a first integration mechanism attached to the work;
a differential pressure adjusting mechanism for adjusting the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber after the sheet material is attached to the work;
and a second integration mechanism for bringing the sheet material into close contact with the work by raising the pressure in the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference is adjusted.
상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버에 의해 상기 시트재를 사이에 끼워 넣어, 상기 챔버의 내부 공간을 상기 워크가 배치되는 하부 공간과, 상기 시트재를 개재하여 상기 하부 공간과 대향하는 상부 공간으로 구획하는 상하 공간 형성 과정과,
상기 하부 공간의 압력이 상기 상부 공간의 압력보다 낮아지도록 상기 챔버의 내부를 감압시켜, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이에 형성된 차압에 의해 상기 시트재를 상기 워크에 접촉시킴으로써 상기 시트재를 상기 워크에 부착시키는 제1 일체화 과정과,
제1 일체화 과정 후에, 상기 챔버 내의 상부 공간과 하부 공간 사이의 압력차가 저감되도록 상기 챔버 내의 압력을 조정하는 압력차 조정 과정과,
상기 압력차가 조정되어 있는 상태에서, 상기 챔버의 내부 공간의 압력을 대기압 이상의 압력으로 높임으로써 상기 시트재를 상기 워크에 밀착시키는 제2 일체화 과정을, 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제품의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor product for manufacturing a semiconductor product by integrating a work and a sheet material in an internal space of a chamber having an upper chamber and a lower chamber,
By sandwiching the sheet material by the upper chamber and the lower chamber, the inner space of the chamber is divided into a lower space in which the work is disposed and an upper space facing the lower space through the sheet material. The process of forming upper and lower space,
By depressurizing the inside of the chamber so that the pressure of the lower space becomes lower than the pressure of the upper space, the sheet material is brought into contact with the work by the differential pressure formed between the upper space and the lower space in the chamber, so that the sheet material is removed from the sheet material. A first integration process of attaching to the work;
After the first integration process, a pressure difference adjustment process of adjusting the pressure in the chamber so that the pressure difference between the upper space and the lower space in the chamber is reduced;
and a second integration step of bringing the sheet material into close contact with the work by raising the pressure in the internal space of the chamber to a pressure equal to or higher than atmospheric pressure while the pressure difference is adjusted.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2021-031743 | 2021-03-01 | ||
JP2021031743A JP2022132971A (en) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | Integration method for work and sheet material, integration device for work and sheet material, and manufacturing method of semiconductor product |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220123577A true KR20220123577A (en) | 2022-09-08 |
Family
ID=83023611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220020025A KR20220123577A (en) | 2021-03-01 | 2022-02-16 | Method for integrating work and sheet material, apparatus for integrating work and sheet material, and manufacturing method of semiconductor products |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022132971A (en) |
KR (1) | KR20220123577A (en) |
CN (1) | CN114999986A (en) |
TW (1) | TW202236495A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013232582A (en) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Nitto Denko Corp | Method of applying adhesive tape and adhesive tape applying apparatus |
JP2017087551A (en) | 2015-11-09 | 2017-05-25 | Towa株式会社 | Resin sealing device and resin sealing method |
-
2021
- 2021-03-01 JP JP2021031743A patent/JP2022132971A/en active Pending
-
2022
- 2022-01-28 TW TW111103875A patent/TW202236495A/en unknown
- 2022-02-16 KR KR1020220020025A patent/KR20220123577A/en unknown
- 2022-03-01 CN CN202210192940.XA patent/CN114999986A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013232582A (en) | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Nitto Denko Corp | Method of applying adhesive tape and adhesive tape applying apparatus |
JP2017087551A (en) | 2015-11-09 | 2017-05-25 | Towa株式会社 | Resin sealing device and resin sealing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202236495A (en) | 2022-09-16 |
CN114999986A (en) | 2022-09-02 |
JP2022132971A (en) | 2022-09-13 |
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