JP2024022853A - Method for processing workpiece and workpiece processing device - Google Patents

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雅之 山本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a workpiece and a workpiece processing device which can prevent generation of a defect in a workpiece and can easily separate the workpiece from a supporting body in a configuration of performing various different types of processing while supporting the workpiece by the supporting body.
SOLUTION: The present invention includes the steps of: placing, on a supporting table, a film laminate body 5 in which a holding film 3 for holding a workpiece W is deposited on a carrier 1; placing the workpiece W on the side of the holding film 3 of the film laminate body 5 and causing the holding film 3 to hold the workpiece W; performing predetermined processing to the workpiece W; and separating the workpiece W from the film laminate body 5. The holding film 3 is made of a porous body including a silicone compound, a fluorine compound, or polyimide.
SELECTED DRAWING: Figure 26
COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板または半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)を例とするワークに対して半導体素子の実装処理、金属蒸着処理、またはバックグラインド処理を例とする各種処理を実行ためのワーク処理方法およびワーク処理装置に関する。 The present invention relates to a workpiece for performing various processes such as semiconductor element mounting processing, metal vapor deposition processing, or backgrinding processing on a workpiece such as a substrate or a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer" as appropriate). The present invention relates to a processing method and a workpiece processing device.

近年ではスマートフォン、ICカードを例とする電子機器について薄型化および軽量化が急速に進められており、このような電子機器に組み込まれる半導体チップの小型化が求められている。半導体チップの小型化に伴い、ベースとなるウエハや基板(一例としてフレキシブル基板)について、より薄板化されたものが用いられる。 In recent years, electronic devices such as smartphones and IC cards have been rapidly becoming thinner and lighter, and there is a demand for smaller semiconductor chips that are incorporated into such electronic devices. As semiconductor chips become smaller, thinner base wafers and substrates (for example, flexible substrates) are used.

薄板化されたウエハや基板は強度が低減するため、破損しやすくなり取り扱いが困難となる。そのため従来では薄板化の対象となるワークに対してサポートプレートと呼ばれる金属板または硬質プラスチック板などを貼り合わせた後にワークを研削する。ワークにサポートプレート(支持体)を貼り合わせることにより、研削過程後であってもワークの強度を保持できる。そのため、ダイシング処理や半導体パッケージ処理を例とする後の各種処理過程において、ワークを取り扱う際にワークの損傷が発生することを回避できる。 Wafers and substrates that have been made thinner have reduced strength, making them more susceptible to damage and difficult to handle. Therefore, conventionally, a metal plate or a hard plastic plate called a support plate is bonded to the workpiece to be thinned, and then the workpiece is ground. By attaching a support plate (supporting body) to the workpiece, the strength of the workpiece can be maintained even after the grinding process. Therefore, damage to the workpiece can be avoided when the workpiece is handled in various subsequent processing steps such as dicing processing and semiconductor packaging processing.

サポートプレートにワークを貼り合わせてワークを支持させる過程は、熱等に起因するワークの反りを防止するという点でも重要である。すなわちワークに対して金属蒸着処理、洗浄処理、樹脂成形処理などを行う場合、ワークが熱によって変形し、基板に反りが発生するという問題が発生しやすい。サポートプレートにワークを貼り合わせることによりワークの平坦性が担保されるので、各種処理工程においてワークが熱などに起因して反ることを防止できる。よって、半導体チップを例とする半導体装置の製造不良を回避できる。 The process of bonding the workpiece to the support plate and supporting the workpiece is also important in terms of preventing the workpiece from warping due to heat or the like. That is, when a workpiece is subjected to a metal vapor deposition process, a cleaning process, a resin molding process, or the like, the workpiece is likely to be deformed by heat and the substrate may be warped. Since the flatness of the workpiece is ensured by bonding the workpiece to the support plate, it is possible to prevent the workpiece from warping due to heat or the like during various processing steps. Therefore, manufacturing defects of semiconductor devices such as semiconductor chips can be avoided.

従来ではワークとサポートプレートとの間に接着剤の層を形成させて両者を貼り合わせ、ワークに対して必要な処理が行われた後は接着剤層で貼り合わされているサポートプレートをワークから剥離させる。サポートプレートをワークから剥離させる従来の方法としては、サポートプレートに貫通孔を予め形成させておき、サポートプレートの貫通孔に溶剤を注入して接着剤層へ溶剤を到達させ、接着剤を溶剤で溶解させることによりサポートプレートをワークから剥離する方法が挙げられる(特許文献1を参照)。 Conventionally, a layer of adhesive is formed between the workpiece and the support plate to bond them together, and after the necessary processing has been performed on the workpiece, the support plate bonded with the adhesive layer is peeled off from the workpiece. let The conventional method for peeling a support plate from a workpiece is to form a through hole in the support plate in advance, inject a solvent into the through hole of the support plate, and allow the solvent to reach the adhesive layer. One example is a method of peeling the support plate from the workpiece by dissolving it (see Patent Document 1).

また従来の剥離方法の他の例として、貫通孔が形成されたサポートプレートのうち接着剤層が形成されていない側を板状の封鎖部材で封止した状態でサポートプレートを加熱する方法が挙げられる。当該方法では加熱によりサポートプレートの貫通孔内の空気が膨張し、膨張した空気が接着剤層に進入して接着剤層が変形するため、溶剤を用いることなくサポートプレートをワークから剥離できる(特許文献2を参照)。 Another example of the conventional peeling method is a method of heating the support plate while sealing the side of the support plate with a through hole on which the adhesive layer is not formed with a plate-shaped sealing member. It will be done. In this method, the air in the through holes of the support plate expands due to heating, and the expanded air enters the adhesive layer and deforms the adhesive layer, so the support plate can be peeled off from the workpiece without using a solvent (patented) (See Reference 2).

特開2006-135272号公報Japanese Patent Application Publication No. 2006-135272 特開2008-034644号公報Japanese Patent Application Publication No. 2008-034644

しかしながら、上記従来方法では次のような問題がある。すなわち、ワークをサポートプレートから剥離する際に接着剤層の少なくとも一部がワークに残存する、いわゆる糊残りの問題が懸念される。ワークに接着剤が残存すると、残存する接着剤によってワークにおいて接続不良などが発生するため、不良品が発生する頻度が高くなる。また接着剤を用いてワークをサポートプレートに貼り合わせる操作には接着剤液の塗布および乾燥など多数の工程が必要となるので、半導体製品の生産効率が低下する。 However, the above conventional method has the following problems. That is, there is a concern about the problem of so-called adhesive residue, in which at least a portion of the adhesive layer remains on the workpiece when the workpiece is peeled off from the support plate. If adhesive remains on the workpiece, the remaining adhesive will cause connection failures and the like in the workpiece, increasing the frequency of defective products. Furthermore, the operation of bonding a workpiece to a support plate using an adhesive requires a number of steps such as applying and drying an adhesive liquid, which reduces the production efficiency of semiconductor products.

また従来の方法のうち溶剤を用いてワークを剥離する場合、溶剤が接着剤層に浸透するために長時間を要するため半導体製品の生産効率がさらに低下する。また、封鎖部材でサポートプレートを封止して加熱することでワークを剥離する従来方法では、空気が膨張して接着剤層を剥離させる程度に加熱を制御することが難しく、また封鎖部材とサポートプレートとの密着性を担保することも困難である。そのため、加熱によってワークをサポートプレートから剥離させる効率を向上させることが困難である。 Furthermore, in the conventional method of peeling off a workpiece using a solvent, it takes a long time for the solvent to penetrate into the adhesive layer, further reducing the production efficiency of semiconductor products. In addition, with the conventional method of separating the workpiece by sealing the support plate with a sealing member and heating it, it is difficult to control the heating to the extent that the air expands and peels off the adhesive layer. It is also difficult to ensure adhesion to the plate. Therefore, it is difficult to improve the efficiency of peeling the workpiece from the support plate by heating.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ワークを支持体で支持した状態で各種処理を行う構成において、ワークに不良が発生することを防止しつつワークを容易に支持体から離脱できるワーク処理方法およびワーク処理装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a configuration in which various treatments are performed while the workpiece is supported by a support body, and the present invention allows the workpiece to be easily transferred to the support body while preventing defects from occurring in the workpiece. The main purpose is to provide a workpiece processing method and a workpiece processing device that can be separated from the workpiece.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係るワーク処理方法は、ワークを保持する保持フィルムが支持体の上に積層されたフィルム積層体を支持テーブルに載置する積層体載置過程と、
前記フィルム積層体のうち前記保持フィルムの側に前記ワークを載置して前記保持フィルムに前記ワークを保持させるワーク保持過程と、
前記ワークに対して所定の処理を行うワーク処理過程と、
前記ワークを前記フィルム積層体から離脱させるワーク離脱過程と、
を備え、
前記保持フィルムは、シリコーン化合物、フッ素化合物、またはポリイミドを含む多孔質体で構成されている
ことを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the workpiece processing method according to the present invention includes a laminate mounting step of placing a film laminate in which a holding film holding the workpiece is laminated on a support on a support table;
a work holding step of placing the work on the holding film side of the film laminate and causing the holding film to hold the work;
a workpiece processing step of performing a predetermined process on the workpiece;
a work separation step of separating the work from the film laminate;
Equipped with
The holding film is characterized in that it is made of a porous material containing a silicone compound, a fluorine compound, or a polyimide.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク保持過程において、保持フィルムにワークを載置させることにより、多孔質体で構成されている保持フィルムがワークを保持する。 (Operation/Effect) According to this configuration, in the workpiece holding process, by placing the workpiece on the holding film, the holding film made of a porous body holds the workpiece.

保持フィルムはワークを保持するものであり、フィルム積層体のうち保持フィルムの側にワークを載置させることによってワークの平坦性が担保される。すなわちワークに半導体素子を実装させる過程を例とするワーク処理過程において、ワークに反りなどの変形が発生することを保持フィルムによって防止できる。よって、ワーク処理過程において不良品が発生することをより確実に防止できる。 The holding film holds the workpiece, and by placing the workpiece on the holding film side of the film laminate, the flatness of the workpiece is ensured. In other words, the holding film can prevent deformation such as warpage from occurring in the workpiece during a workpiece processing process, for example the process of mounting a semiconductor element on the workpiece. Therefore, generation of defective products during the work processing process can be more reliably prevented.

また保持フィルムは多孔質体で構成されている。そのため保持フィルムにワークを保持させる際に、保持フィルムは気泡を咬み込むことなく、ワーク表面における微細な凹凸に応じて精度良く変形し、ワークの広い範囲に保持フィルムが密着する。そのためワークに対する保持フィルムの保持力を向上できる。そしてワーク離脱過程においてワークをフィルム積層体から離脱させる際に、保持フィルムの一部が剥がれてワークの表面に残留することを回避できる。そのため、保持フィルムに起因する残留物によってワークの表面が汚染されて不良が発生するという事態を防止できる。 Further, the holding film is made of a porous material. Therefore, when the workpiece is held by the holding film, the holding film deforms with high accuracy according to minute irregularities on the workpiece surface without trapping air bubbles, and the holding film closely contacts a wide range of the workpiece. Therefore, the holding force of the holding film against the workpiece can be improved. Then, when the workpiece is separated from the film laminate in the workpiece separation process, it is possible to avoid part of the holding film from peeling off and remaining on the surface of the workpiece. Therefore, it is possible to prevent the surface of the workpiece from being contaminated by residue caused by the holding film, thereby preventing defects from occurring.

そして、フィルム積層体の保持フィルムの側にワークを載置するという単純な操作によって、ワークの変形を防止する保持力がワークに対して作用する。すなわち、ワークの変形を防止する工程に要する時間を大きく短縮できる。よって、ワークの処理効率を向上させつつワークの変形を防止することができる。 A holding force that prevents deformation of the workpiece acts on the workpiece by a simple operation of placing the workpiece on the holding film side of the film laminate. That is, the time required for the process of preventing deformation of the workpiece can be greatly reduced. Therefore, deformation of the workpiece can be prevented while improving the processing efficiency of the workpiece.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱過程は、前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給することによって前記保持フィルムの保持力を低減させる気体供給過程と、前記気体供給過程によって保持力が低減した前記保持フィルムから前記ワークを離間させるワーク離間過程と、を備えることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment process includes a gas supply process of reducing the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film, and a holding force caused by the gas supply process. It is preferable to include a work separation step of separating the work from the holding film in which the retention film is reduced.

(作用・効果)この構成によれば、ワークと保持フィルムとの間に気体を供給することにより、ワークと保持フィルムを構成する多孔質体とワークとの接触が気体によって妨げられるので、保持フィルムの保持力が低減される。すなわち気体供給過程を行った後にワーク離間過程を行うことにより、ワークを保持フィルムから離間させる動作が保持フィルムの保持力によって妨げられることを防止できるので、より好適にワークをフィルム積層体から離脱させることができる。 (Function/Effect) According to this configuration, by supplying gas between the workpiece and the holding film, the contact between the workpiece and the porous body that constitutes the holding film is prevented by the gas, so that the holding film holding force is reduced. That is, by performing the workpiece separation process after performing the gas supply process, it is possible to prevent the operation of separating the workpiece from the holding film from being hindered by the holding force of the holding film, so that the workpiece can be separated from the film laminate more appropriately. be able to.

また、上述した発明において、前記フィルム積層体は、前記支持テーブルに載置される面から前記ワークを保持する面まで連通する1または2以上の通気孔を有しており、
前記気体供給過程は、
前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。
Further, in the above-described invention, the film laminate has one or more ventilation holes communicating from the surface placed on the support table to the surface holding the workpiece,
The gas supply process includes:
It is preferable that the holding force of the holding film is reduced by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table via the ventilation hole.

(作用・効果)この構成によれば、フィルム積層体を構成する支持体および保持フィルムの各々は、連通する1または2以上の通気孔を有している。そのため、支持テーブルに気体を供給されることにより、当該気体は通気孔を経由してワークと保持フィルムとの間の空間に供給される。従って、支持テーブルに気体供給機構を配設することにより、ワークと保持フィルムとの間へ確実に気体を供給するシステムを容易に実現することができる。 (Function/Effect) According to this configuration, each of the support body and the holding film constituting the film laminate has one or more vent holes that communicate with each other. Therefore, by supplying gas to the support table, the gas is supplied to the space between the workpiece and the holding film via the ventilation hole. Therefore, by disposing the gas supply mechanism on the support table, it is possible to easily realize a system that reliably supplies gas between the workpiece and the holding film.

また、上述した発明において、ワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接過程を備え、前記気体供給過程は、前記近接過程の後、前記ワークを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。 Further, in the above-mentioned invention, the workpiece restraining member is provided with an approaching process of bringing the workpiece restraining member into contact with or close to an outer peripheral portion of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film, and After the approach step, the holding film is stopped by supplying gas from the support table through the ventilation hole between the workpiece and the holding film while the workpiece is restrained by the workpiece restraining member. It is preferable to reduce the holding force of.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク抑止部材をワークの外周部に当接または近接させた状態で、気体供給過程によって保持力が低減した保持フィルムからワークを離間させる。ワーク抑止部材をワークに当接または近接させた状態とすることにより、気体供給過程においてワークが過度に浮き上がることをワーク抑止部材で抑止できる。すなわち気体供給によってワークが過度に浮き上がって水平方向におけるワークの位置がずれる事態などを回避できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the workpiece is separated from the holding film whose holding force has been reduced by the gas supply process while the workpiece restraining member is in contact with or close to the outer peripheral portion of the workpiece. By bringing the workpiece restraining member into contact with or close to the workpiece, the workpiece restraining member can prevent the workpiece from rising excessively during the gas supply process. In other words, it is possible to avoid a situation where the workpiece is excessively lifted up by the gas supply and the position of the workpiece is shifted in the horizontal direction.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱過程は、中央部に凹部を有しているワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接過程を備え、 前記気体供給過程は、前記近接過程の後、前記ワークの外周部を前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment process includes moving a workpiece restraining member having a recessed portion in the center to the outer periphery of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film. The gas supplying step includes a step of bringing the workpiece into contact with or close to the workpiece, and the gas supplying step includes, after the approaching step, the gas supplying the workpiece from the support table through the ventilation hole while restraining the outer circumference of the workpiece with the workpiece restraining member. It is preferable to reduce the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film.

(作用・効果)この構成によれば、中央部に凹部を有しているワーク抑止部材をワークの外周部に当接または近接させた状態で、気体供給過程によって保持力が低減した保持フィルムからワークを離間させる。ワーク抑止部材をワークに当接または近接させた状態とすることにより、気体供給過程においてワークが過度に浮き上がることをワーク抑止部材で抑止できる。すなわち気体供給によってワークが過度に浮き上がって水平方向におけるワークの位置がずれる事態などを回避できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, when the workpiece restraining member having a recessed portion in the center is in contact with or close to the outer circumference of the workpiece, the holding film whose holding force has been reduced due to the gas supply process is removed. Separate the workpieces. By bringing the workpiece restraining member into contact with or close to the workpiece, the workpiece restraining member can prevent the workpiece from rising excessively during the gas supply process. In other words, it is possible to avoid a situation where the workpiece is excessively lifted up by the gas supply and the position of the workpiece is shifted in the horizontal direction.

また、ワーク抑止部材はワークのうち外周部を抑止する。すなわちワークの中央部はワーク抑止部材による抑止を受けないので、ワークの中央部にデバイスなどが配設される場合、当該デバイスにワーク抑止部材が接触することを回避しつつワークを抑止することができる。 Further, the workpiece restraining member restrains the outer peripheral portion of the workpiece. In other words, since the central part of the workpiece is not restrained by the workpiece restraining member, if a device or the like is disposed at the central part of the workpiece, it is possible to restrain the workpiece while avoiding contact of the workpiece restraining member with the device. can.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱過程は、前記保持フィルムが前記ワークを保持している面のうち一部の領域において前記ワークと前記保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、前記一部の領域において前記ワークを前記保持フィルムから離脱させる第1離脱過程と、前記間隙部を前記一部の領域から前記一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる第2離脱過程と、を備えることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment process includes forming a gap between the workpiece and the holding film in a part of the surface of the holding film holding the workpiece, and forming a gap between the workpiece and the holding film. The entire surface of the workpiece is covered with the holding film by a first detachment step of separating the workpiece from the holding film in a region of It is preferable to include a second detachment step of detaching from the base.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク離脱過程は少なくとも2つの段階を経てワークを保持フィルムから離脱させる。すなわち、まずは第1離脱過程においてワークの一部において保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、当該一部の領域においてワークを保持フィルムから離脱させる。そして第1離脱過程を行った後、第2離脱過程において間隙部を当該一部の領域から当該一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、ワークの全面を保持フィルムから離脱させる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the workpiece detachment process involves at least two stages in which the workpiece is detached from the holding film. That is, first, in the first detachment process, a gap is formed between the workpiece and the holding film in a part of the workpiece, and the workpiece is separated from the holding film in that part of the area. After performing the first detachment process, the entire surface of the workpiece is detached from the holding film by widening the gap from the part of the area to the area other than the part of the workpiece in the second detachment process.

この場合、第1離脱過程および第2離脱過程の各々において、ワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークWの一部に対する保持フィルムの保持力と対抗する。すなわちワークの全面にわたって同時に保持フィルムから離脱させる場合は比較的大きな力が必要になる一方、ワークの一部を保持フィルムから離脱させるために必要な力は比較的小さい。よって、より容易にワークWを保持フィルムから離脱できることができる。 In this case, in each of the first detachment process and the second detachment process, the force for detaching the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against a part of the workpiece W. That is, while a relatively large force is required to simultaneously separate the entire surface of the work from the holding film, a relatively small force is required to separate part of the work from the holding film. Therefore, the workpiece W can be more easily removed from the holding film.

また、上述した発明において、前記支持テーブルは中央部に凹部を有しており前記フィルム積層体の外周部のみを支持するように構成されており、前記第1離脱過程は、前記支持テーブルの前記凹部に気体を供給して前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、前記第2離脱過程は、前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-mentioned invention, the support table has a recessed portion in the center and is configured to support only the outer peripheral portion of the film laminate, and the first detachment process includes the recess of the support table. The outer peripheral part of the workpiece is separated from the holding film by supplying gas to the recessed part to deform the central part of the film laminate into a convex shape, and the second separating process is to separate the gap part from the outer peripheral part. It is preferable that the entire surface of the workpiece be separated from the holding film by expanding it toward the center.

(作用・効果)この構成によれば、支持テーブルは中央部に凹部を有しておりフィルム積層体の外周部を支持するように構成されている。そして第1離脱過程において、当該支持テーブルの凹部に気体を供給してフィルム積層体の中央部を凸状に変形させる。当該凸状の変形によって、外周部におけるワークとフィルム積層体との距離は、中央部におけるワークとフィルム積層体との距離よりも離れることとなる。その結果、ワークの全面のうち外周部において保持フィルムとの間に間隙部が形成され、ワークの外周部が中央部より左記に保持フィルムから離脱される。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち外周部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの外周部のみを保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the support table has a recessed portion in the center and is configured to support the outer peripheral portion of the film laminate. In the first detachment process, gas is supplied to the recessed portion of the support table to deform the central portion of the film laminate into a convex shape. Due to the convex deformation, the distance between the workpiece and the film laminate at the outer periphery becomes greater than the distance between the workpiece and the film laminate at the center. As a result, a gap is formed between the outer circumferential portion of the entire surface of the workpiece and the holding film, and the outer circumferential portion of the workpiece is separated from the holding film from the center portion as shown on the left. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film is opposed to the holding force of the holding film on the outer peripheral part of the entire workpiece W, so it is easier to separate the workpiece compared to the case where it is opposed to the holding force of the holding film on the entire workpiece. Only the outer periphery of the workpiece can be removed from the holding film.

そして第2離脱過程では、第1離脱過程においてワークの外周部と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの中央部と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱過程では、ワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち中央部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの中央部を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 In the second detachment process, the entire surface of the workpiece is held by expanding the gap formed between the outer circumference of the workpiece and the holding film in the first detachment process to between the center of the workpiece and the holding film. Remove from film. In the second separation process, the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against the central part of the entire workpiece W, so it is compared to the case where it opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece W. The central part of the workpiece can be more easily removed from the holding film. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

また、上述した発明において、前記第1離脱過程は、前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材で前記ワークを吸着保持した状態で、前記部分吸着部材を前記フィルム積層体から離間させることによって前記ワークのうち前記一端側を前記保持フィルムから離脱させ、前記第2離脱過程は、前記間隙部を前記ワークのうち前記一端側から他端側へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the first detachment step is performed in a state where the workpiece is suctioned and held by a partial suction member that suctions one end side of the surface of the workpiece that is not held by the holding film, and the partial suction member is separated from the film laminate to cause the one end of the workpiece to separate from the holding film, and in the second separation process, the gap portion is expanded from the one end side to the other end of the workpiece. It is preferable that the entire surface of the workpiece be separated from the holding film.

(作用・効果)この構成によれば、まず第1離脱過程において、ワークのうち保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材で前記ワークを吸着保持した状態で、当該部分吸着部材をフィルム積層体から離間させることによってワークのうち一端側の部分を保持フィルムから離脱させる。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち一端側の部分に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの一端側の部分を保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, first, in the first detachment process, with the workpiece being suctioned and held by the partial suction member that suctions one end side of the surface of the workpiece that is not held by the holding film, the part of the workpiece is suctioned and held. By separating the suction member from the film laminate, one end of the workpiece is separated from the holding film. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film on one end side of the entire workpiece W, so it is stronger than when it opposes the holding force of the holding film on the entire workpiece. One end of the workpiece can be easily removed from the holding film.

そして第2離脱過程では、第1離脱過程においてワークの一端側と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの他端側と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱過程では、ワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち他端側の部分に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの他端側を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 In the second detachment process, the entire surface of the workpiece is covered by expanding the gap formed between one end of the workpiece and the holding film in the first detachment process to between the other end of the workpiece and the holding film. Remove from the holding film. In the second detachment process, the force for detaching the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film on the other end side of the entire workpiece W, so it opposes the holding force of the holding film on the entire workpiece. The other end of the workpiece can be separated from the holding film more easily than in the case where the other end of the workpiece is removed from the holding film. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

また、上述した発明において、前記第1離脱過程は、前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、前記第2離脱過程は、前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the first detachment step deforms the central portion of the film laminate into a convex shape to detach the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film, and the second detachment step includes: It is preferable that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap portion from the outer peripheral portion to the center portion.

(作用・効果)この構成によれば、まず第1離脱過程において、フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによってワーク全体のうち外周部を保持フィルムから離脱させる。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち外周部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの一端側の部分を保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, first, in the first detachment process, the central portion of the film laminate is deformed into a convex shape, thereby causing the outer peripheral portion of the entire workpiece to be detached from the holding film. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against the outer periphery of the entire workpiece, so it is easier to remove the workpiece than when it opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece. One end of the can be removed from the holding film.

そして第2離脱過程では、第1離脱過程においてワークの外周部と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの中央部と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱過程では、ワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち中央部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの中央部を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 In the second detachment process, the entire surface of the workpiece is held by expanding the gap formed between the outer circumference of the workpiece and the holding film in the first detachment process to between the center of the workpiece and the holding film. Remove from film. In the second separation process, the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against the central part of the entire workpiece, so the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece. The central part of the workpiece can be more easily removed from the holding film. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとってもよい。
すなわち、本発明に係るワーク処理装置は、ワークを保持する保持フィルムが支持体の上に積層されたフィルム積層体を支持する支持テーブルと、
前記フィルム積層体を前記支持テーブルに載置する積層体載置機構と、
前記フィルム積層体のうち前記保持フィルムの側に前記ワークを載置して前記保持フィルムに前記ワークを保持させるワーク載置機構と、
前記ワークに対して所定の処理を行うワーク処理機構と、
前記ワークを前記フィルム積層体から離脱させるワーク離脱機構と、
を備え、
前記保持フィルムはシリコーン化合物、フッ素化合物、またはポリイミドを含む多孔質体で構成されている、
ことを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention may have the following configuration.
That is, the workpiece processing apparatus according to the present invention includes: a support table that supports a film laminate in which a holding film that holds a workpiece is laminated on a support;
a laminate placement mechanism that places the film laminate on the support table;
a workpiece mounting mechanism that places the workpiece on the holding film side of the film laminate and causes the holding film to hold the workpiece;
a work processing mechanism that performs predetermined processing on the work;
a work separation mechanism for separating the work from the film laminate;
Equipped with
The holding film is made of a porous material containing a silicone compound, a fluorine compound, or a polyimide.
It is characterized by this.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク載置機構によって保持フィルムにワークを載置させることにより、多孔質体で構成されている保持フィルムがワークを保持する。 (Operations/Effects) According to this configuration, the workpiece is placed on the holding film by the workpiece placement mechanism, so that the holding film made of a porous body holds the workpiece.

保持フィルムはワークを保持するものであり、フィルム積層体のうち保持フィルムの側にワークを載置させることによってワークの平坦性が担保される。すなわちワークに半導体素子を実装させる過程を例とするワーク処理過程において、ワークに反りなどの変形が発生することを保持フィルムによって防止できる。よって、ワーク処理過程において不良品が発生することをより確実に防止できる。 The holding film holds the workpiece, and by placing the workpiece on the holding film side of the film laminate, the flatness of the workpiece is ensured. In other words, the holding film can prevent deformation such as warpage from occurring in the workpiece during a workpiece processing process, for example the process of mounting a semiconductor element on the workpiece. Therefore, generation of defective products during the work processing process can be more reliably prevented.

また保持フィルムは多孔質体で構成されている。そのため保持フィルムにワークを保持させる際に、保持フィルムは気泡を咬み込むことなく、ワーク表面における微細な凹凸に応じて精度良く変形し、ワークの広い範囲に保持フィルムが密着する。そのためワークに対する保持フィルムの保持力を向上できる。そしてワーク離脱過程においてワークをフィルム積層体から離脱させる際に、保持フィルムの一部が剥がれてワークの表面に残留することを回避できる。そのため、保持フィルムに起因する残留物によってワークの表面が汚染されて不良が発生するという事態を防止できる。 Further, the holding film is made of a porous material. Therefore, when the workpiece is held by the holding film, the holding film deforms with high accuracy according to minute irregularities on the workpiece surface without trapping air bubbles, and the holding film closely contacts a wide range of the workpiece. Therefore, the holding force of the holding film against the workpiece can be improved. Then, when the workpiece is separated from the film laminate in the workpiece separation process, it is possible to avoid part of the holding film from peeling off and remaining on the surface of the workpiece. Therefore, it is possible to prevent the surface of the workpiece from being contaminated by residue caused by the holding film, thereby preventing defects from occurring.

そして、フィルム積層体の保持フィルムの側にワークを載置するという単純な操作によって、ワークの変形を防止する保持力がワークに対して作用する。すなわち、ワークの変形を防止する工程に要する時間を大きく短縮できる。よって、ワークの処理効率を向上させつつワークの変形を防止することができる。 A holding force that prevents deformation of the workpiece acts on the workpiece by a simple operation of placing the workpiece on the holding film side of the film laminate. That is, the time required for the process of preventing deformation of the workpiece can be greatly reduced. Therefore, deformation of the workpiece can be prevented while improving the processing efficiency of the workpiece.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱機構は、前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給することによって前記保持フィルムの保持力を低減させる気体供給機構と、前記気体供給機構によって保持力が低減した前記保持フィルムから前記ワークを離間させるワーク離間機構と、を備えることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment mechanism includes a gas supply mechanism that reduces the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film, and a holding force provided by the gas supply mechanism. It is preferable to include a workpiece separation mechanism that separates the workpiece from the holding film in which the amount of the workpiece is reduced.

(作用・効果)この構成によれば、ワークと保持フィルムとの間に気体を供給することにより、ワークと保持フィルムを構成する多孔質体とワークとの接触が気体によって妨げられるので、保持フィルムの保持力が低減される。すなわち気体供給機構による気体供給処理を行った後にワーク離間機構を作動させることにより、ワークを保持フィルムから離間させる動作が保持フィルムの保持力によって妨げられることを防止できるので、より好適にワークをフィルム積層体から離脱させることができる。 (Function/Effect) According to this configuration, by supplying gas between the workpiece and the holding film, the contact between the workpiece and the porous body that constitutes the holding film is prevented by the gas, so that the holding film holding force is reduced. In other words, by activating the workpiece separation mechanism after the gas supplying process is performed by the gas supply mechanism, it is possible to prevent the operation of separating the workpiece from the holding film from being hindered by the holding force of the holding film. It can be separated from the laminate.

また、上述した発明において、前記フィルム積層体は、前記支持テーブルに載置される面から前記ワークを保持する面まで連通する1または2以上の通気孔を有しており、
前記気体供給機構は、
前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。
Further, in the above-described invention, the film laminate has one or more ventilation holes communicating from the surface placed on the support table to the surface holding the workpiece,
The gas supply mechanism includes:
Preferably, the holding force of the holding film is reduced by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole.

(作用・効果)この構成によれば、フィルム積層体を構成する支持体および保持フィルムの各々は、連通する1または2以上の通気孔を有している。そのため、支持テーブルに気体を供給されることにより、当該気体は通気孔を経由してワークと保持フィルムとの間の空間に供給される。従って、支持テーブルに気体供給機構を配設することにより、ワークと保持フィルムとの間へ確実に気体を供給するシステムを容易に実現することができる。 (Function/Effect) According to this configuration, each of the support body and the holding film constituting the film laminate has one or more vent holes that communicate with each other. Therefore, by supplying gas to the support table, the gas is supplied to the space between the workpiece and the holding film via the ventilation hole. Therefore, by disposing the gas supply mechanism on the support table, it is possible to easily realize a system that reliably supplies gas between the workpiece and the holding film.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱機構は、ワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接機構を備え、前記気体供給機構は、前記ワークの外周部の浮き上がりを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece removal mechanism is a proximity mechanism that brings the workpiece restraining member into contact with or close to an outer peripheral portion of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film. The gas supply mechanism supplies gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole while suppressing lifting of the outer peripheral part of the workpiece with the workpiece suppressing member. It is preferable to reduce the holding force of the holding film by doing so.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク抑止部材をワークの外周部に当接または近接させた状態で、気体供給機構によって保持力が低減した保持フィルムからワークを離間させる。ワーク抑止部材をワークに当接または近接させた状態とすることにより、気体供給機構に起因してワークが過度に浮き上がることをワーク抑止部材で抑止できる。すなわち気体供給によってワークが過度に浮き上がって水平方向におけるワークの位置がずれる事態などを回避できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the workpiece is separated from the holding film whose holding force is reduced by the gas supply mechanism while the workpiece restraining member is in contact with or close to the outer peripheral portion of the workpiece. By bringing the workpiece restraining member into contact with or in close proximity to the workpiece, the workpiece restraining member can prevent the workpiece from rising excessively due to the gas supply mechanism. In other words, it is possible to avoid a situation where the workpiece is excessively lifted up by the gas supply and the position of the workpiece is shifted in the horizontal direction.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱機構は、中央部に凹部を有しており、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部の浮き上がりを抑止するワーク抑止部材と、前記ワーク抑止部材を前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接機構と、を備え、前記気体供給機構は、前記ワークの外周部の浮き上がりを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment mechanism has a recessed portion in the center, and prevents lifting of the outer peripheral portion of the surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film. The gas supply mechanism includes a workpiece restraining member that restrains the workpiece, and a proximity mechanism that brings the workpiece restraining member into contact with or close to the outer peripheral portion of the surface of the workpiece that is not held by the holding film, and the gas supply mechanism Reducing the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole while suppressing lifting of the outer peripheral part with the workpiece suppressing member. is preferred.

(作用・効果)この構成によれば、中央部に凹部を有しているワーク抑止部材をワークの外周部に当接または近接させた状態で、気体供給機構によって保持力が低減した保持フィルムからワークを離間させる。ワーク抑止部材をワークに当接または近接させた状態とすることにより、気体供給機構に起因してワークが過度に浮き上がることをワーク抑止部材で抑止できる。すなわち気体供給によってワークが過度に浮き上がって水平方向におけるワークの位置がずれる事態などを回避できる。 (Function/Effect) According to this configuration, when the workpiece restraining member having a recessed portion in the center is brought into contact with or close to the outer circumference of the workpiece, the holding film whose holding force is reduced by the gas supply mechanism is released. Separate the workpieces. By bringing the workpiece restraining member into contact with or in close proximity to the workpiece, the workpiece restraining member can prevent the workpiece from rising excessively due to the gas supply mechanism. In other words, it is possible to avoid a situation where the workpiece is excessively lifted up by the gas supply and the position of the workpiece is shifted in the horizontal direction.

また、ワーク抑止部材はワークのうち外周部を抑止する。すなわちワークの中央部はワーク抑止部材による抑止を受けないので、ワークの中央部にデバイスなどが配設される場合、当該デバイスにワーク抑止部材が接触することを回避しつつワークを抑止することができる。 Further, the workpiece restraining member restrains the outer peripheral portion of the workpiece. In other words, since the central part of the workpiece is not restrained by the workpiece restraining member, if a device or the like is disposed at the central part of the workpiece, it is possible to restrain the workpiece while avoiding contact of the workpiece restraining member with the device. can.

また、上述した発明において、前記ワーク離脱機構は、前記保持フィルムが前記ワークを保持している面のうち一部の領域において前記ワークと前記保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、前記一部の領域において前記ワークを前記保持フィルムから離脱させる第1離脱機構と、前記間隙部を前記一部の領域から前記一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる第2離脱機構と、を備えることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the workpiece detachment mechanism forms a gap between the workpiece and the holding film in a part of the surface on which the holding film holds the workpiece; a first detachment mechanism that detaches the workpiece from the holding film in a region of the holding film; and a first detachment mechanism that separates the workpiece from the holding film in a region of the holding film; It is preferable to include a second detachment mechanism for detaching from the second detachment mechanism.

(作用・効果)この構成によれば、ワーク離脱機構は少なくとも2つの機構を用いてワークを保持フィルムから離脱させる。すなわち、まずは第1離脱機構がワークの一部において保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、当該一部の領域においてワークを保持フィルムから離脱させる。その後、第2離脱機構が間隙部を当該一部の領域から当該一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、ワークの全面を保持フィルムから離脱させる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the workpiece detachment mechanism uses at least two mechanisms to detach the workpiece from the holding film. That is, first, the first detachment mechanism forms a gap between the workpiece and the holding film in a part of the workpiece, and separates the workpiece from the holding film in that part of the area. After that, the second detachment mechanism expands the gap from the part of the area to the other area, thereby removing the entire surface of the workpiece from the holding film.

この場合、第1離脱機構および第2離脱機構の各々において、ワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークWの一部に対する保持フィルムの保持力と対抗する。すなわちワークの全面にわたって同時に保持フィルムから離脱させる場合は比較的大きな力が必要になる一方、ワークの一部を保持フィルムから離脱させるために必要な力は比較的小さい。よって、より容易にワークWを保持フィルムから離脱できることができる。 In this case, in each of the first detachment mechanism and the second detachment mechanism, the force for detaching the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against a part of the workpiece W. That is, while a relatively large force is required to simultaneously separate the entire surface of the work from the holding film, a relatively small force is required to separate part of the work from the holding film. Therefore, the workpiece W can be more easily removed from the holding film.

また、上述した発明において、前記支持テーブルは中央部に凹部を有しており前記フィルム積層体の外周部を支持するように構成されており、前記第1離脱機構は、前記支持テーブルの前記凹部に気体を供給して前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、前記第2離脱機構は、前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-mentioned invention, the support table has a recess in the center and is configured to support the outer peripheral part of the film laminate, and the first detachment mechanism is arranged in the recess of the support table. The outer circumferential portion of the workpiece is separated from the holding film by supplying gas to deform the central portion of the film laminate into a convex shape, and the second detachment mechanism separates the gap portion from the outer circumferential portion to the center. It is preferable that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by spreading the workpiece into sections.

(作用・効果)この構成によれば、支持テーブルは中央部に凹部を有しておりフィルム積層体の外周部を支持するように構成されている。そして第1離脱機構は、当該支持テーブルの凹部に気体を供給してフィルム積層体の中央部を凸状に変形させる。当該凸状の変形によって、外周部におけるワークとフィルム積層体との距離は、中央部におけるワークとフィルム積層体との距離よりも離れることとなる。その結果、ワークの全面のうち外周部において保持フィルムとの間に間隙部が形成され、ワークの外周部が中央部より左記に保持フィルムから離脱される。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち外周部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの外周部のみを保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, the support table has a recessed portion in the center and is configured to support the outer peripheral portion of the film laminate. The first detachment mechanism deforms the center portion of the film stack into a convex shape by supplying gas to the recessed portion of the support table. Due to the convex deformation, the distance between the workpiece and the film laminate at the outer periphery becomes greater than the distance between the workpiece and the film laminate at the center. As a result, a gap is formed between the outer circumferential portion of the entire surface of the workpiece and the holding film, and the outer circumferential portion of the workpiece is separated from the holding film from the center portion as shown on the left. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film is opposed to the holding force of the holding film on the outer peripheral part of the entire workpiece W, so it is easier to separate the workpiece compared to the case where it is opposed to the holding force of the holding film on the entire workpiece. Only the outer periphery of the workpiece can be removed from the holding film.

そして第2離脱機構は、第1離脱機構によってワークの外周部と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの中央部と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱機構がワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち中央部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの中央部を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 The second detachment mechanism holds the entire surface of the workpiece by expanding the gap formed between the outer circumference of the workpiece and the holding film by the first detachment mechanism to between the center of the workpiece and the holding film. Remove from film. The force for the second detachment mechanism to separate the workpiece from the holding film is stronger than when it opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece because it opposes the holding force of the holding film against the central part of the entire workpiece. The center part of the workpiece can be easily removed from the holding film. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

また、上述した発明において、前記第1離脱機構は、前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材と、前記部分吸着部材が前記ワークの一端側を吸着した状態で、前記部分吸着部材を前記フィルム積層体から離間させることによって前記ワークのうち前記一端側を前記保持フィルムから離脱させる吸着部材離間機構と、を備え、前記第2離脱機構は、前記間隙部を前記ワークのうち前記一端側から他端側へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the first detachment mechanism includes a partial suction member that suctions one end side of a surface of the workpiece that is not held by the holding film, and a partial suction member that suctions one end side of the workpiece. an adsorption member separating mechanism that separates the one end side of the workpiece from the holding film by separating the partial adsorption member from the film laminate in a state in which the partial adsorption member separates from the film laminate; It is preferable that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by expanding the part from the one end side to the other end side of the workpiece.

(作用・効果)この構成によれば、まず第1離脱機構が、ワークのうち保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材で前記ワークを吸着保持した状態で、当該部分吸着部材をフィルム積層体から離間させることによってワークのうち一端側の部分を保持フィルムから離脱させる。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち一端側の部分に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの一端側の部分を保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, first, the first detachment mechanism holds the workpiece by suction with the partial suction member that suctions one end side of the surface of the workpiece that is not held by the holding film, and then By separating the suction member from the film laminate, one end of the workpiece is separated from the holding film. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film is opposed to the holding force of the holding film on one end of the whole workpiece, so it is easier than when it is opposed to the holding force of the holding film on the whole workpiece. One end of the workpiece can be removed from the holding film.

そして第2離脱機構は、第1離脱機構によってワークの一端側と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの他端側と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱機構がワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワークW全体のうち他端側の部分に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの他端側を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 The second detachment mechanism spreads the gap formed between one end of the workpiece and the holding film by the first detachment mechanism to between the other end of the workpiece and the holding film, thereby removing the entire surface of the workpiece. Remove from the holding film. The force for the second detachment mechanism to detach the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film on the other end side of the entire workpiece W, so when it opposes the holding force of the holding film on the entire workpiece. The other end of the workpiece can be more easily removed from the holding film compared to the above. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

また、上述した発明において、前記第1離脱機構は、前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、前記第2離脱機構は、前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させることが好ましい。 Further, in the above-described invention, the first detachment mechanism detaches the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film by deforming the central portion of the film laminate into a convex shape, and the second detachment mechanism includes: It is preferable that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap portion from the outer peripheral portion to the center portion.

(作用・効果)この構成によれば、まず第1離脱機構が、フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによってワーク全体のうち外周部を保持フィルムから離脱させる。このときワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち外周部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの一端側の部分を保持フィルムから離脱できる。 (Operation/Effect) According to this configuration, first, the first detachment mechanism deforms the central portion of the film laminate into a convex shape, thereby detaching the outer peripheral portion of the entire workpiece from the holding film. At this time, the force for separating the workpiece from the holding film opposes the holding force of the holding film against the outer periphery of the entire workpiece, so it is easier to remove the workpiece than when it opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece. One end of the can be removed from the holding film.

そして第2離脱機構は、第1離脱機構によってワークの外周部と保持フィルムとの間に形成された間隙部を、ワークの中央部と保持フィルムとの間へと拡げることによってワークの全面を保持フィルムから離脱させる。第2離脱機構がワークを保持フィルムから離脱させるための力は、ワーク全体のうち中央部に対する保持フィルムの保持力と対抗するので、ワーク全体に対する保持フィルムの保持力と対抗する場合と比べてより容易にワークの中央部を保持フィルムから離脱できる。従って、ワークに対する保持フィルムの保持力がワークを保持フィルムから離脱させるための力を上回って離脱エラーが発生する事態を回避できる。 The second detachment mechanism holds the entire surface of the workpiece by expanding the gap formed between the outer circumference of the workpiece and the holding film by the first detachment mechanism to between the center of the workpiece and the holding film. Remove from film. The force for the second detachment mechanism to separate the workpiece from the holding film is stronger than when it opposes the holding force of the holding film against the entire workpiece because it opposes the holding force of the holding film against the central part of the entire workpiece. The center part of the workpiece can be easily removed from the holding film. Therefore, it is possible to avoid a situation where the holding force of the holding film against the workpiece exceeds the force for separating the workpiece from the holding film and a separation error occurs.

本発明に係るワーク処理方法およびワーク処理装置によれば、ワーク保持過程において、保持フィルムにワークを載置させることにより、多孔質体で構成されている保持フィルムがワークを保持する。 According to the work processing method and work processing apparatus according to the present invention, in the work holding process, by placing the work on the holding film, the holding film made of a porous body holds the work.

保持フィルムはワークを保持するものであり、フィルム積層体のうち保持フィルムの側にワークを載置させることによってワークの平坦性が担保される。すなわちワークに半導体素子を実装させる過程を例とするワーク処理過程において、ワークに反りなどの変形が発生することを保持フィルムによって防止できる。よって、ワーク処理過程において不良品が発生することをより確実に防止できる。 The holding film holds the workpiece, and by placing the workpiece on the holding film side of the film laminate, the flatness of the workpiece is ensured. In other words, the holding film can prevent deformation such as warpage from occurring in the workpiece during a workpiece processing process, for example the process of mounting a semiconductor element on the workpiece. Therefore, generation of defective products during the work processing process can be more reliably prevented.

また保持フィルムは多孔質体で構成されている。そのため保持フィルムにワークを保持させる際に、保持フィルムは気泡を咬み込むことなく、ワーク表面における微細な凹凸に応じて精度良く変形し、ワークの広い範囲に保持フィルムが密着する。そのためワークに対する保持フィルムの保持力を向上できる。そしてワーク離脱過程においてワークをフィルム積層体から離脱させる際に、保持フィルムの一部が剥がれてワークの表面に残留することを回避できる。そのため、保持フィルムに起因する残留物によってワークの表面が汚染されて不良が発生するという事態を防止できる。 Further, the holding film is made of a porous material. Therefore, when the workpiece is held by the holding film, the holding film deforms with high accuracy according to minute irregularities on the workpiece surface without trapping air bubbles, and the holding film closely contacts a wide range of the workpiece. Therefore, the holding force of the holding film against the workpiece can be improved. Then, when the workpiece is separated from the film laminate in the workpiece separation process, it is possible to avoid part of the holding film from peeling off and remaining on the surface of the workpiece. Therefore, it is possible to prevent the surface of the workpiece from being contaminated by residue caused by the holding film, thereby preventing defects from occurring.

そして、フィルム積層体の保持フィルムの側にワークを載置するという単純な操作によって、ワークの変形を防止する保持力がワークに対して作用する。すなわち、ワークの変形を防止する工程に要する時間を大きく短縮できる。よって、ワークの処理効率を向上させつつワークの変形を防止することができる。 A holding force that prevents deformation of the workpiece acts on the workpiece by a simple operation of placing the workpiece on the holding film side of the film laminate. That is, the time required for the process of preventing deformation of the workpiece can be greatly reduced. Therefore, deformation of the workpiece can be prevented while improving the processing efficiency of the workpiece.

実施例1に係るワーク処理装置における工程を説明するフローチャートである。3 is a flowchart illustrating steps in the workpiece processing apparatus according to the first embodiment. 実施例1に係るワーク処理方法の各ステップにおける半導体装置の構成を示す断面図である。 (a)はステップS1の完了後における状態を示しており、(b)はステップS2の完了後における状態を示しており、(c)はステップS3の完了後における状態を示しており、(d)はステップS4の完了後における状態を示しており、(e)はステップS5の完了後における状態を示している。1 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device at each step of the workpiece processing method according to Example 1. FIG. (a) shows the state after the completion of step S1, (b) shows the state after the completion of step S2, (c) shows the state after the completion of step S3, and (d) shows the state after the completion of step S3. ) shows the state after the completion of step S4, and (e) shows the state after the completion of step S5. 実施例1に係るフィルム積層体の構成を説明する図である。(a)はキャリアの平面図であり、(b)は保持フィルムの平面図であり、(c)はフィルム積層体の縦断面図である。1 is a diagram illustrating the structure of a film laminate according to Example 1. FIG. (a) is a plan view of the carrier, (b) is a plan view of the holding film, and (c) is a longitudinal cross-sectional view of the film laminate. 実施例1に係るワーク着装機構の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the workpiece mounting mechanism according to the first embodiment. 実施例1に係るチャンバの縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a chamber according to Example 1. 実施例1に係る封止機構の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the sealing mechanism according to Example 1. 実施例1に係るワーク離脱機構の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the workpiece removal mechanism according to the first embodiment. 実施例1に係る支持テーブルの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the support table according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS1を説明する図である。(a)は支持ピンが搬送アームからフィルム積層体を受け取る状態を示す図であり、(b)はフィルム積層体が支持テーブルに載置された状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S1 according to the first embodiment. (a) is a diagram showing a state in which a support pin receives a film stack from a transport arm, and (b) is a diagram showing a state in which the film stack is placed on a support table. 実施例1に係るステップS2を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S2 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS2を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S2 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS2を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S2 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS2を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S2 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS2を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S2 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS3を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S3 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS4を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S4 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS4を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S4 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS4を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S4 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS4を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S4 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS4を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating step S4 according to the first embodiment. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例1に係るステップS5を説明する図である。5 is a diagram illustrating step S5 according to the first embodiment. FIG. 実施例2に係るワーク離脱機構の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of a workpiece removal mechanism according to a second embodiment. 実施例2に係る支持テーブルの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a support table according to a second embodiment. 実施例2に係るステップS5を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating step S5 according to the second embodiment. 実施例2に係るステップS5を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating step S5 according to the second embodiment. 実施例2に係るステップS5を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating step S5 according to the second embodiment. 実施例2に係るステップS5を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating step S5 according to the second embodiment. 実施例2に係るステップS5を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating step S5 according to the second embodiment. 実施例3に係るワーク離脱機構の縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view of a workpiece detachment mechanism according to a third embodiment. 実施例3に係る支持テーブルの平面図である。FIG. 7 is a plan view of a support table according to Example 3; 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 変形例に係る吸着プレートを示す縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing a suction plate according to a modified example. 実施例3に係るステップS5を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating step S5 according to the third embodiment. 実施例3に係るフィルム積層体を作成する工程を説明する図である。(a)はキャリアに保持フィルムを載置してフィルム積層体を作成する工程を示す図であり(b)は塗布部材を用いてキャリア上に保持フィルムの層を形成させてフィルム積層体を作成する工程を示す図であり、(c)は穿孔部材を用いてフィルム積層体に貫通孔を形成させる工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a process of creating a film laminate according to Example 3. (a) is a diagram showing the process of creating a film laminate by placing a holding film on a carrier, and (b) is a diagram showing a process of creating a film laminate by forming a layer of the holding film on a carrier using a coating member. (c) is a diagram showing a step of forming a through hole in a film laminate using a punching member.

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。まず、図1および図2を用いて実施例1に係るワーク処理装置1の概要を説明する。ワーク処理装置1は、ワークWに所定の処理を行うことを目的とする。実施例1ではワーク処理過程として、ワークWに半導体素子7を実装させて半導体装置11を製造する工程を説明する。図1は、本実施例に係るワーク処理装置1を用いてワークWを処理する一連の工程を説明するフローチャートであり、図2は各ステップにおける半導体装置の構成を示す断面図である。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, an overview of the workpiece processing apparatus 1 according to the first embodiment will be explained using FIGS. 1 and 2. The purpose of the workpiece processing apparatus 1 is to perform predetermined processing on a workpiece W. In the first embodiment, as a workpiece processing process, a process of manufacturing a semiconductor device 11 by mounting a semiconductor element 7 on a workpiece W will be described. FIG. 1 is a flowchart illustrating a series of steps for processing a workpiece W using a workpiece processing apparatus 1 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device at each step.

本発明に係るワーク処理装置1では、まず図2(a)に示されるキャリア1の上に保持フィルム3が積層された構成を有する、フィルム積層体5を支持テーブル21に載置させる(ステップS1)。次に、図2(b)に示すようにワークWを保持フィルム3に保持させる(ステップS2)。そして、ワークWの接続用導体部(図示しない)と半導体素子7のバンプ8とを接続し、図2(c)に示すようにワークWに半導体素子7を実装させる(ステップS3)。 In the workpiece processing apparatus 1 according to the present invention, first, a film laminate 5 having a structure in which a holding film 3 is laminated on a carrier 1 shown in FIG. 2(a) is placed on a support table 21 (step S1 ). Next, as shown in FIG. 2(b), the workpiece W is held by the holding film 3 (step S2). Then, the connecting conductor portion (not shown) of the workpiece W and the bumps 8 of the semiconductor element 7 are connected, and the semiconductor element 7 is mounted on the workpiece W as shown in FIG. 2(c) (step S3).

半導体素子7を実装させた後、図2(d)に示すように半導体素子7を封止体9によって封止する(ステップS4)。半導体素子7が封止体9によって封止された後、フィルム積層体5からワークWを離脱させることにより図2(e)に示される半導体装置11が製造される(ステップS5)。なお本実施例において、半導体装置11はワークWの上に実装された1または2以上の半導体素子7の各々が、封止体9によって封止された構造体を指す。 After mounting the semiconductor element 7, the semiconductor element 7 is sealed with the sealing body 9 as shown in FIG. 2(d) (step S4). After the semiconductor element 7 is sealed with the sealing body 9, the workpiece W is removed from the film laminate 5, thereby manufacturing the semiconductor device 11 shown in FIG. 2(e) (step S5). Note that in this embodiment, the semiconductor device 11 refers to a structure in which one or more semiconductor elements 7 mounted on a workpiece W are each sealed with a sealing body 9.

ここで、フィルム積層体5を構成するキャリア1および保持フィルム3について説明する。キャリア1は金属または硬質プラスチックなどで構成される板状部材であり、ワークWを支持する。キャリア1の具体例として矩形状のステンレス鋼板またはガラス板が挙げられる。キャリア1の厚みは一例として100μm~1mm程度であり、500μm程度であることがより好ましい。キャリア1の厚みは、ワークWの厚みを例とする諸条件に応じて適宜変更してよい。キャリア1は本発明における支持体に相当する。 Here, the carrier 1 and the holding film 3 that constitute the film laminate 5 will be explained. The carrier 1 is a plate-like member made of metal or hard plastic, and supports the workpiece W. A specific example of the carrier 1 is a rectangular stainless steel plate or a glass plate. The thickness of the carrier 1 is, for example, about 100 μm to 1 mm, and more preferably about 500 μm. The thickness of the carrier 1 may be changed as appropriate depending on various conditions, for example the thickness of the workpiece W. Carrier 1 corresponds to the support in the present invention.

実施例1において、キャリア1は図3(a)に示すように、表面側から裏面側に貫通する貫通孔81が分散形成されている。貫通孔81が形成されている位置は、後述する支持テーブル61において流通孔65が形成される位置と対応するように予め定められる。 In the first embodiment, as shown in FIG. 3(a), the carrier 1 has through holes 81 distributed therethrough penetrating from the front side to the back side. The position where the through hole 81 is formed is determined in advance so as to correspond to the position where the communication hole 65 is formed in the support table 61, which will be described later.

保持フィルム3は、キャリア1の上に形成される薄層状の部材であり、ワークWを平坦な状態で保持する。保持フィルム3は、多孔質体を主な構成材料としている。保持フィルム3を構成する材料の好ましい一例として、シリコーン化合物、フッ素化合物、またはポリイミドを含む多孔質体が挙げられる。また、保持フィルム3を構成する材料のさらに好ましい一例として、シリコーンを含んでおり連続気泡構造を有する多孔質体、フッ素化合物を含んでおり連続気泡構造を有する多孔質体、またはポリイミドを含んでおり連続気泡構造を有する多孔質体が挙げられる。すなわち当該構成材料は、隣接するセル間に貫通孔を有する連続気泡構造を有する。本発明において、シリコーンはケイ素を含む高分子化合物であるものとする。本発明において、フッ素化合物はフッ素を含む高分子化合物であるものとする。フッ素化合物の一例として、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)が挙げられる。本実施例ではシリコーンを含んでおり連続気泡構造を有する多孔質体を、保持フィルム3の材料(フィルム材)として用いるものとする。 The holding film 3 is a thin layer-like member formed on the carrier 1, and holds the workpiece W in a flat state. The main constituent material of the holding film 3 is a porous body. A preferable example of the material constituting the holding film 3 is a porous body containing a silicone compound, a fluorine compound, or a polyimide. Further, as a more preferable example of the material constituting the holding film 3, a porous material containing silicone and having an open cell structure, a porous material containing a fluorine compound and having an open cell structure, or a porous material containing polyimide. Examples include porous bodies having an open cell structure. That is, the constituent material has an open cell structure with through holes between adjacent cells. In the present invention, silicone is a polymer compound containing silicon. In the present invention, the fluorine compound is a polymer compound containing fluorine. An example of a fluorine compound is polytetrafluoroethylene (PTFE). In this embodiment, a porous material containing silicone and having an open cell structure is used as the material for the holding film 3 (film material).

保持フィルム3が多孔質体であることにより、保持フィルム3の表面に配置されるワークWに対して、保持フィルム3は高い吸着性を発揮する。すなわち保持フィルム3の吸着性に起因して、ワークWに対する保持フィルム3の保持力を向上させることができる。特にワークWに微細な凹凸が形成されている場合、保持フィルム3が多孔質体であることによって、ワークWの凹凸が保持フィルム3の表面に形成されている孔部に入り込む。そのため、保持フィルム3とワークWとの密着性を向上させることができる。 Since the holding film 3 is a porous body, the holding film 3 exhibits high adsorption to the workpiece W placed on the surface of the holding film 3. That is, due to the adsorption properties of the holding film 3, the holding force of the holding film 3 with respect to the workpiece W can be improved. In particular, when the workpiece W has fine irregularities formed therein, the irregularities of the workpiece W enter the holes formed in the surface of the holding film 3 because the holding film 3 is a porous body. Therefore, the adhesion between the holding film 3 and the workpiece W can be improved.

保持フィルム3が連続気泡構造を有する多孔質体であることにより、保持フィルム3の表面に配置されるワークWに対して、保持フィルム3はさらに高い吸着性を発揮する。すなわち連続気泡構造によって優れた気泡抜け性が発揮されるので、保持フィルム3は気泡を咬み込むことなくワークW表面の形状に応じてさらに精度よく変形する。そのため、保持フィルム3とワークWとの密着性をさらに向上させることができる。 Since the holding film 3 is a porous body having an open-cell structure, the holding film 3 exhibits even higher adsorption properties to the workpiece W placed on the surface of the holding film 3. In other words, since the open cell structure exhibits excellent air bubble release properties, the holding film 3 deforms more precisely according to the shape of the surface of the workpiece W without trapping air bubbles. Therefore, the adhesion between the holding film 3 and the workpiece W can be further improved.

実施例1において、保持フィルム3は図3(b)に示すように、表面側から裏面側に貫通する貫通孔83が分散形成されている。保持フィルム3において貫通孔83が形成されている位置は、キャリア1に形成されている貫通孔81の位置および支持テーブル61において流通孔65が形成される位置と対応するように予め定められる。 In Example 1, as shown in FIG. 3(b), the holding film 3 has through holes 83 distributed therethrough that penetrate from the front side to the back side. The position where the through hole 83 is formed in the holding film 3 is determined in advance so as to correspond to the position where the through hole 81 is formed in the carrier 1 and the position where the communication hole 65 is formed in the support table 61.

そのため、キャリア1に保持フィルム3を積層させてフィルム積層体5を形成させた場合、貫通孔81の各々と貫通孔83の各々とが連通され、図3(c)に示すようにキャリア1の下面から保持フィルム3の上面にわたって貫通する1または2以上の貫通孔85がフィルム積層体5に分散形成されることとなる。貫通孔85は本発明における通気孔に相当する。 Therefore, when the holding film 3 is laminated on the carrier 1 to form the film laminate 5, each of the through holes 81 and each of the through holes 83 are communicated with each other, and as shown in FIG. One or more through holes 85 penetrating from the bottom surface to the top surface of the holding film 3 are formed in a distributed manner in the film laminate 5 . The through hole 85 corresponds to a ventilation hole in the present invention.

半導体素子7は、ワークWに実装されて配線回路を形成する素子である。図2(c)ではワークWに2個の半導体素子7が実装されているが、ワークWに実装する半導体素子7の数は適宜変更してよい。半導体素子7の例として、シリコーン半導体が用いられているIC、有機半導体が用いられた有機EL素子、種々の演算回路が集積されたプロセッサまたはメモリなどが挙げられる。半導体素子7の下面にはハンダボールを含むバンプ8が形成されている。半導体素子7はバンプ8を介してワークWに接続される。 The semiconductor element 7 is an element that is mounted on the workpiece W to form a wiring circuit. Although two semiconductor elements 7 are mounted on the workpiece W in FIG. 2C, the number of semiconductor elements 7 mounted on the workpiece W may be changed as appropriate. Examples of the semiconductor device 7 include an IC using a silicone semiconductor, an organic EL device using an organic semiconductor, a processor or a memory in which various arithmetic circuits are integrated, and the like. Bumps 8 including solder balls are formed on the lower surface of the semiconductor element 7. The semiconductor element 7 is connected to the workpiece W via bumps 8.

ワークWは一例として、ガラス基板、有機基板、回路基板、シリコンウエハなどが挙げられる。実施例1ではワークWは略矩形状のフレキシブル基板を用いるものとする。ワークWの形状は略矩形状に限ることはなく、矩形状、円形状、多角形状などを例とする任意の形状に適宜変更してよい。ワークWの厚みは適宜変更できるが、一例として厚みが100μm以下である。 Examples of the workpiece W include a glass substrate, an organic substrate, a circuit board, and a silicon wafer. In the first embodiment, it is assumed that the workpiece W is a substantially rectangular flexible substrate. The shape of the workpiece W is not limited to a substantially rectangular shape, and may be appropriately changed to any shape including a rectangular shape, a circular shape, a polygonal shape, and the like. Although the thickness of the workpiece W can be changed as appropriate, the thickness is, for example, 100 μm or less.

封止材9は半導体素子7を封止するものであり、構成材料の例としてはエポキシ樹脂またはフェノール樹脂などが挙げられるが、半導体素子7の封止に利用できる材料であれば特に限定されない。本実施例では封止材9として固形の熱硬化性樹脂を用いるものとする。 The sealing material 9 seals the semiconductor element 7, and examples of the constituent material include epoxy resin and phenol resin, but there are no particular limitations as long as the material can be used for sealing the semiconductor element 7. In this embodiment, a solid thermosetting resin is used as the sealing material 9.

<全体構成の説明>
ここで、実施例1に係るワーク処理装置1を構成する各機構について説明する。図5は、実施例1に係るワーク処理装置1の基本構成を示す正面図である。なおワーク処理装置1を示す図において、各種構成を支持する支持機構、および各種構成を駆動させる駆動機構などについては適宜図示を省略している。
<Explanation of overall configuration>
Here, each mechanism constituting the workpiece processing apparatus 1 according to the first embodiment will be explained. FIG. 5 is a front view showing the basic configuration of the workpiece processing apparatus 1 according to the first embodiment. In the diagram showing the workpiece processing apparatus 1, illustrations of support mechanisms that support various components, drive mechanisms that drive various components, etc. are omitted as appropriate.

ワーク処理装置1は、積層体載置機構13と、ワーク着装機構15と、半導体実装機構17と、封止機構19と、ワーク離脱機構20とを備えている。積層体載置機構13は、図示しない積層体供給部と、馬蹄形の搬送アーム21とを備えている。積層体供給部には、キャリア1に保持フィルム3が積層された構成を有するフィルム積層体5が予め多段に収納されている。 The workpiece processing apparatus 1 includes a stacked body mounting mechanism 13, a workpiece mounting mechanism 15, a semiconductor mounting mechanism 17, a sealing mechanism 19, and a workpiece removal mechanism 20. The stacked body mounting mechanism 13 includes a stacked body supply section (not shown) and a horseshoe-shaped transport arm 21. In the laminate supply section, film laminates 5 having a configuration in which a holding film 3 is laminated on a carrier 1 are stored in advance in multiple stages.

搬送アーム21は、フィルム積層体5を搬送するとともに、後述する支持テーブル31にフィルム積層体5を載置させる。搬送アーム21の保持面には、僅かに突出した複数個の吸着パッドが設けられており、当該吸着パッドを介してフィルム積層体5を吸着保持する。本実施例において、搬送アーム21は上面に吸着パッドが設けられており、フィルム積層体5のうちキャリア1の下面周縁部を吸着保持する構成であるものとする。 The transport arm 21 transports the film laminate 5 and places the film laminate 5 on a support table 31, which will be described later. A plurality of slightly protruding suction pads are provided on the holding surface of the transport arm 21, and the film laminate 5 is suction-held via the suction pads. In this embodiment, the transport arm 21 is provided with a suction pad on its upper surface, and is configured to suction and hold the peripheral edge of the lower surface of the carrier 1 of the film laminate 5.

ワーク着装機構15は図4に示すように、ワーク供給部25と、ワーク搬送機構27と、チャンバ29とを備えている。ワーク供給部25の内部には、半導体素子7を実装させる面を上向きにした状態のワークWが多段に収納されている。 As shown in FIG. 4, the workpiece mounting mechanism 15 includes a workpiece supply section 25, a workpiece transport mechanism 27, and a chamber 29. Inside the work supply unit 25, workpieces W are stored in multiple stages with the surface on which the semiconductor element 7 is mounted facing upward.

ワーク搬送機構27は、馬蹄形の保持アーム28を備えている。保持アーム28の保持面には、僅かに突出した複数個の吸着パッドが設けられており、当該吸着パッドを介してワークWを吸着保持する。また、保持アーム28は、その内部に形成された流路と、この流路の基端側で連接された接続流路を介して圧空装置に連通接続されている。本実施例において、保持アーム28は下面に吸着パッドが設けられており、ワークWの上面周縁部を吸着保持する構成であるものとする。ワーク搬送機構27には図示しない移動可動台が配設されており、当該移動可動台によってワーク搬送機構27はワークWを保持した状態で水平移動および昇降移動可能に構成される。上述したワーク搬送機構27の構成は一例であり、ワークWを搬送する構成であればこれに限ることはない。 The workpiece transfer mechanism 27 includes a horseshoe-shaped holding arm 28. A plurality of slightly protruding suction pads are provided on the holding surface of the holding arm 28, and the workpiece W is suctioned and held via the suction pads. Further, the holding arm 28 is connected to the compressed air device through a flow path formed inside the holding arm 28 and a connecting flow path connected to the base end side of the flow path. In this embodiment, the holding arm 28 is provided with a suction pad on its lower surface, and is configured to suction and hold the peripheral edge of the upper surface of the workpiece W. The workpiece transport mechanism 27 is provided with a movable table (not shown), and the movable table allows the workpiece transport mechanism 27 to move horizontally and vertically while holding the workpiece W. The configuration of the workpiece transport mechanism 27 described above is an example, and the structure is not limited to this as long as it transports the workpiece W.

チャンバ29は、下ハウジング29Aと上ハウジング29Bとによって構成される。下ハウジング29Aの内部には支持テーブル31が収納されている。支持テーブル31はフィルム積層体5を保持するものであり、一例として金属製のチャックテーブルである。支持テーブル31はフィルム積層体5を吸着保持する構成であることが好ましい。 The chamber 29 is composed of a lower housing 29A and an upper housing 29B. A support table 31 is housed inside the lower housing 29A. The support table 31 holds the film laminate 5, and is, for example, a metal chuck table. The support table 31 is preferably configured to suction and hold the film laminate 5.

図4などに示すように、支持テーブル31の内部には支持ピン32が配設されている。支持ピン32は、シリンダを例とする図示しないアクチュエータによって支持テーブル31の支持面で出退昇降可能に構成されている。また支持テーブル31から突出した支持ピン32がフィルム積層体5を下方から支持できるように、支持ピン32の位置が調整される。 As shown in FIG. 4 and the like, support pins 32 are provided inside the support table 31. As shown in FIG. The support pin 32 is configured to be movable up and down on the support surface of the support table 31 by an actuator (not shown), for example a cylinder. Further, the position of the support pin 32 is adjusted so that the support pin 32 protruding from the support table 31 can support the film laminate 5 from below.

下ハウジング29Aは支持テーブル31とともに、y方向に延びるレール30に沿ってセット位置P1と着装位置P2との間を往復移動可能に構成される。下ハウジング29Aの上面には接合部33が形成されている。 The lower housing 29A is configured to be able to reciprocate between the set position P1 and the mounting position P2 along the rail 30 extending in the y direction together with the support table 31. A joint portion 33 is formed on the upper surface of the lower housing 29A.

上ハウジング29Bは着装位置P2の上方に配置されており、図示しない昇降台によって昇降移動可能に構成される。上ハウジング29Bの下面には接合部34が形成されている。すなわち下ハウジング29Aが着装位置P2へ移動した状態で上ハウジング29Bが下降することにより、接合部33と接合部34を介して下ハウジング29Aと上ハウジング29Bとが接合されてチャンバ29が形成される。接合部33および接合部34の接合面は、フッ素加工を一例とする離型処理が施されていることが好ましい。接合部33および接合部34が接合されることにより、チャンバ29は内部空間が密閉状態となるように構成されている。 The upper housing 29B is disposed above the mounting position P2, and is configured to be movable up and down by a lifting platform (not shown). A joint portion 34 is formed on the lower surface of the upper housing 29B. That is, by lowering the upper housing 29B with the lower housing 29A moved to the mounting position P2, the lower housing 29A and the upper housing 29B are joined via the joints 33 and 34, and the chamber 29 is formed. . The bonding surfaces of the bonding portions 33 and 34 are preferably subjected to mold release treatment, for example, fluorine treatment. By joining the joint portion 33 and the joint portion 34, the chamber 29 is configured such that the internal space is in a sealed state.

上ハウジング29Bの内部には、押圧部材35が設けられている。押圧部材35の上部にはシリンダ37が連結されており、シリンダ37の動作によって押圧部材35はチャンバ29の内部で昇降できる。押圧部材35の下面は扁平状であり、当該下面のサイズはワークWのサイズより大きくなるように構成されている。押圧部材35がチャンバ29の内部で下降することにより、支持テーブル31に積層載置されているフィルム積層体5およびワークWが押圧される。当該押圧により、ワークWはフィルム積層体5の保持フィルム3に密着し、保持フィルム3によってワークWが保持される。 A pressing member 35 is provided inside the upper housing 29B. A cylinder 37 is connected to the upper part of the pressing member 35, and the pressing member 35 can be moved up and down inside the chamber 29 by the operation of the cylinder 37. The lower surface of the pressing member 35 is flat, and the size of the lower surface is larger than the size of the workpiece W. As the pressing member 35 descends inside the chamber 29, the film laminate 5 and the workpiece W stacked on the support table 31 are pressed. Due to this pressing, the workpiece W is brought into close contact with the holding film 3 of the film laminate 5, and the workpiece W is held by the holding film 3.

チャンバ29は図5に示すように、減圧用の流路38を介して真空装置39と連通接続されている。流路38には電磁バルブ40が配設されている。またチャンバ29には、大気開放用の電磁バルブ41を備えた流路42が連通接続されている。真空装置39が作動することにより、チャンバ29の内部空間は脱気されて減圧する。すなわち、ワーク着装機構15は、チャンバ29の内部において真空減圧状態でワークWをフィルム積層体5に向けて押圧するように構成される。なお、電磁バルブ40および電磁バルブ41の開閉操作、並びに真空装置39の動作は制御部43によって制御されている。 As shown in FIG. 5, the chamber 29 is connected to a vacuum device 39 via a pressure reducing channel 38. A solenoid valve 40 is provided in the flow path 38 . Further, a flow path 42 equipped with an electromagnetic valve 41 for opening to the atmosphere is connected to the chamber 29 . By operating the vacuum device 39, the internal space of the chamber 29 is evacuated and the pressure is reduced. That is, the workpiece mounting mechanism 15 is configured to press the workpiece W toward the film laminate 5 in a vacuum state inside the chamber 29 . Note that the opening and closing operations of the electromagnetic valves 40 and 41 and the operation of the vacuum device 39 are controlled by a control unit 43.

半導体実装機構17は、載置テーブル45と、図示しないフラックス塗布機構、半導体搬送機構、および加熱機構とを備えている。載置テーブル45は、フィルム積層体5に吸着保持されているワークWを載置させる。フラックス塗布機構は、図13に示すようにワークWにフラックスFSを塗布する。半導体搬送機構は、フラックスFSが塗布されたワークWに半導体素子7を搬送して載置させる。加熱機構は一例としてリフロー炉であり、半導体素子7が載置されたワークWを加熱することにより半導体素子7をワークWに実装させる。 The semiconductor mounting mechanism 17 includes a mounting table 45, a flux coating mechanism, a semiconductor transport mechanism, and a heating mechanism (not shown). The work W held by suction on the film laminate 5 is placed on the mounting table 45 . The flux application mechanism applies flux FS to the workpiece W as shown in FIG. The semiconductor transport mechanism transports and places the semiconductor element 7 on the workpiece W coated with flux FS. The heating mechanism is, for example, a reflow oven, and the semiconductor element 7 is mounted on the work W by heating the work W on which the semiconductor element 7 is mounted.

封止機構19は図6に示すように、上部金型47と下部金型49とを備えている。上部金型47は流路51を介して封止材供給部53と連通接続されている。封止材供給部53は、流路51を介して上部金型47の内部空間に封止材9を供給する。上部金型47は図示しない昇降台によって昇降移動可能に構成される。上部金型47が下降することにより、上部金型47および下部金型49は図18に示すように、ワークWのうちフィルム積層体5から外側にはみ出た部分(外周部WS)を挟み込んで金型50を形成する。 As shown in FIG. 6, the sealing mechanism 19 includes an upper mold 47 and a lower mold 49. The upper mold 47 is communicatively connected to a sealing material supply section 53 via a flow path 51. The sealing material supply unit 53 supplies the sealing material 9 to the internal space of the upper mold 47 via the flow path 51. The upper mold 47 is configured to be movable up and down by a lifting platform (not shown). As the upper mold 47 descends, the upper mold 47 and the lower mold 49 sandwich the portion of the workpiece W that protrudes outward from the film laminate 5 (outer peripheral portion WS) and mold the workpiece W, as shown in FIG. A mold 50 is formed.

下部金型49の内部には保持テーブル55が収納されている。保持テーブル55は、半導体素子7が実装されたワークWをフィルム積層体5とともに載置保持するものであり、一例として金属製のチャックテーブルである。保持テーブル55は、下部金型49を貫通するロッド57と連結されている。ロッド57の他端はモータなどを備えるアクチュエータ59に駆動連結されている。そのため、保持テーブル55は下部金型49の内部で昇降移動が可能となっている。 A holding table 55 is housed inside the lower mold 49. The holding table 55 is for mounting and holding the work W on which the semiconductor element 7 is mounted together with the film laminate 5, and is, for example, a metal chuck table. The holding table 55 is connected to a rod 57 that passes through the lower mold 49. The other end of the rod 57 is drivingly connected to an actuator 59 including a motor or the like. Therefore, the holding table 55 can be moved up and down inside the lower mold 49.

ワーク離脱機構20は図7に示すように、支持テーブル61と吸着プレート63とを備えている。支持テーブル61の中央部には、図7および図8に示すように、フィルム積層体5に保持されている状態のワークWを支持するワーク支持部64が設けられている。図8に示すように、ワーク支持部64の上面には複数の流通孔65および吸着孔67が分散形成されている。流通孔65の各々は、ワーク支持部64の内部に形成された流路68に接続されており、電磁バルブ69を介して気体供給装置70に連通されている。流路68は気体供給用の通路として機能する。 As shown in FIG. 7, the workpiece removal mechanism 20 includes a support table 61 and a suction plate 63. At the center of the support table 61, as shown in FIGS. 7 and 8, a workpiece support section 64 is provided that supports the workpiece W held by the film laminate 5. As shown in FIG. 8, a plurality of communication holes 65 and suction holes 67 are formed in a distributed manner on the upper surface of the workpiece support portion 64. As shown in FIG. Each of the flow holes 65 is connected to a flow path 68 formed inside the workpiece support section 64 and communicated with a gas supply device 70 via an electromagnetic valve 69 . The flow path 68 functions as a gas supply passage.

平面視において流通孔65が配設される位置は、フィルム積層体5に形成されている貫通孔85の位置と対応するように予め定められる。そのため図21に示すように、ワークWを保持しているフィルム積層体5を支持テーブル61に支持させた場合、貫通孔85の各々と流路68の各々とが連通される。すなわち気体供給装置70から供給される気体は、流路68および貫通孔85を経由してワークWと保持フィルム3との間に放出される。 The position where the communication hole 65 is arranged in plan view is determined in advance so as to correspond to the position of the through hole 85 formed in the film laminate 5. Therefore, as shown in FIG. 21, when the film laminate 5 holding the workpiece W is supported on the support table 61, each of the through holes 85 and each of the channels 68 are communicated with each other. That is, the gas supplied from the gas supply device 70 is released between the workpiece W and the holding film 3 via the flow path 68 and the through hole 85.

またワーク支持部64に設けられている吸着孔67の各々は、ワーク支持部64の内部に形成された流路71に接続されており、電磁バルブ72を介して真空装置73に連通されている。流路71は、気体排出用の通路として機能する。真空装置73の作動によりワーク支持部64の上面でフィルム積層体5とともにワークWを吸着保持することができるようになっている。 Further, each of the suction holes 67 provided in the workpiece support section 64 is connected to a flow path 71 formed inside the workpiece support section 64 and communicated with a vacuum device 73 via an electromagnetic valve 72. . The flow path 71 functions as a gas discharge passage. By operating the vacuum device 73, the workpiece W can be suctioned and held on the upper surface of the workpiece support section 64 together with the film laminate 5.

電磁バルブ69はその開閉により流路68の内部の圧力を調整する。電磁バルブ72はその開閉により流路71の内部の圧力を調整する。気体供給装置70および真空装置73の作動、並びに電磁バルブ69および電磁バルブ72の開閉は、制御部79によってそれぞれ制御される。気体供給装置70は本発明における気体供給機構に相当する。 The electromagnetic valve 69 adjusts the pressure inside the flow path 68 by opening and closing it. The electromagnetic valve 72 adjusts the pressure inside the flow path 71 by opening and closing it. The operation of the gas supply device 70 and the vacuum device 73 and the opening and closing of the electromagnetic valve 69 and electromagnetic valve 72 are respectively controlled by the control unit 79. The gas supply device 70 corresponds to a gas supply mechanism in the present invention.

吸着プレート63は、可動台75と接続されており昇降移動および水平移動可能に構成される。吸着プレート63の下面には複数の吸着孔76が分散形成されており、流通孔76の各々は吸着プレート63の内部に形成された流路77に接続されている。流路77は電磁バルブ78を介して真空装置80に連通されており、気体排出用の通路として機能する。真空装置80の作動により、吸着プレート63はワークWを吸着保持できるようになっている。真空装置80の作動は、制御部79によって制御される。 The suction plate 63 is connected to a movable table 75 and is configured to be movable up and down and horizontally. A plurality of suction holes 76 are distributed and formed on the lower surface of the suction plate 63, and each of the circulation holes 76 is connected to a flow path 77 formed inside the suction plate 63. The flow path 77 is communicated with a vacuum device 80 via an electromagnetic valve 78, and functions as a gas discharge path. By operating the vacuum device 80, the suction plate 63 is able to suction and hold the workpiece W. The operation of the vacuum device 80 is controlled by the control section 79.

また吸着プレート63は全体として扁平であり、ワーク処理過程が完了した後のワークWを保持するように構成される。実施例1では実装過程および封止過程の完了後、半導体装置11において半導体素子7を封止している封止材9の層を吸着プレート63が吸着保持するように構成されている。すなわち、吸着プレート63は封止材9の層を吸着することによって半導体装置11を吸着保持し、保持した半導体装置11を図示しない半導体装置収納部へと搬送するように構成される。 Further, the suction plate 63 is flat as a whole, and is configured to hold the workpiece W after the workpiece processing process is completed. In the first embodiment, after the mounting process and the sealing process are completed, the suction plate 63 is configured to suction and hold the layer of the sealing material 9 that seals the semiconductor element 7 in the semiconductor device 11. That is, the suction plate 63 is configured to suction and hold the semiconductor device 11 by suctioning the layer of the sealing material 9, and to transport the held semiconductor device 11 to a semiconductor device storage section (not shown).

<動作の概要>
ここで、実施例1に係るワーク処理装置1の動作について、図1に示すフローチャートに沿って詳細に説明する。
<Overview of operation>
Here, the operation of the workpiece processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described in detail along the flowchart shown in FIG.

ステップS1(フィルム積層体の載置)
半導体装置の製造指令が出されると、まずは積層体載置機構13によってフィルム積層体5が載置される。すなわち、図示しないフィルム積層体供給部に搬送アーム21が差し込まれ、搬送アーム21によってフィルム積層体5が吸着保持される。フィルム積層体5は、保持フィルム3を下向きにした姿勢でワーク着装機構15に搬入される。なおこのときワーク着装機構15において、下ハウジング29Aはセット位置P1に予め移動している。
Step S1 (placing film laminate)
When a command to manufacture a semiconductor device is issued, the film laminate 5 is first placed by the laminate placement mechanism 13 . That is, the transport arm 21 is inserted into a film laminate supply section (not shown), and the film laminate 5 is sucked and held by the transport arm 21. The film laminate 5 is carried into the workpiece mounting mechanism 15 with the holding film 3 facing downward. Note that at this time, in the workpiece mounting mechanism 15, the lower housing 29A has been moved to the set position P1 in advance.

搬送アーム21によってフィルム積層体5がワーク着装機構15に搬入されると、図9(a)に示すように支持ピン32を支持テーブル31から突出させる。フィルム積層体5を保持している搬送アーム21が支持テーブル31の上方から下降することにより、フィルム積層体5は支持ピン32に受け取られる。その後、図9(b)に示すように、支持ピン32が下降し、フィルム積層体5は支持テーブル31の支持面に載置される。支持テーブル31は図示しない真空装置などを作動させることによりフィルム積層体5のキャリア1側を吸着保持する。 When the film laminate 5 is carried into the workpiece mounting mechanism 15 by the transport arm 21, the support pins 32 are made to protrude from the support table 31, as shown in FIG. 9(a). When the transport arm 21 holding the film laminate 5 descends from above the support table 31, the film laminate 5 is received by the support pins 32. Thereafter, as shown in FIG. 9(b), the support pin 32 is lowered and the film laminate 5 is placed on the support surface of the support table 31. The support table 31 attracts and holds the carrier 1 side of the film laminate 5 by operating a vacuum device (not shown) or the like.

ステップS2(ワークをフィルムに保持)
フィルム積層体5が支持テーブル31に載置された後、ワークWを保持フィルム3に保持させる工程を開始する。すなわち、ワーク搬送機構27はワーク供給部25の内部で多段に収納されているワークW同士の間に保持アーム28を挿入する。保持アーム28はワークWの上面外周部を吸着保持して搬出し、ワーク搬送機構27は支持テーブル31の上方へと移動する。その後、ワーク搬送機構27が下降するとともに保持アーム28によるワークWの吸着が解除され、図10に示すように、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWが載置される。なお説明の便宜上、図10ないし図20においてフィルム積層体5における貫通孔85の記載を省略している。
Step S2 (holding workpiece on film)
After the film laminate 5 is placed on the support table 31, the process of holding the workpiece W on the holding film 3 is started. That is, the work transport mechanism 27 inserts the holding arm 28 between the works W stored in multiple stages inside the work supply section 25. The holding arm 28 suction-holds the outer circumference of the upper surface of the workpiece W and carries it out, and the workpiece transport mechanism 27 moves above the support table 31. Thereafter, the work transport mechanism 27 descends and the holding arm 28 releases the work W from adsorption, and the work W is placed on the holding film 3 side of the film laminate 5, as shown in FIG. For convenience of explanation, the through holes 85 in the film laminate 5 are omitted in FIGS. 10 to 20.

保持フィルム3にワークWが載置されると、図11に示すように下ハウジング29Aはレール30に沿ってセット位置P1から着装位置P2へと移動する。下ハウジング29Aが着装位置P2へ移動すると、図12に示すように上ハウジング29Bが下降を開始する。上ハウジング29Bが下降することによって下ハウジング29Aと上ハウジング29Bとが接合されてチャンバ29が形成される。 When the workpiece W is placed on the holding film 3, the lower housing 29A moves along the rail 30 from the set position P1 to the mounting position P2, as shown in FIG. When the lower housing 29A moves to the mounting position P2, the upper housing 29B starts to descend as shown in FIG. By lowering the upper housing 29B, the lower housing 29A and the upper housing 29B are joined to form a chamber 29.

チャンバ29を形成させた後、リーク用の電磁バルブ41を閉じるとともに電磁バルブ40を開いて真空装置39を作動させ、チャンバ29の内部空間の減圧を行う。チャンバ29の内部が所定の気圧(一例として、真空状態または100Pa程度の減圧状態)に減圧されると、制御部43は電磁バルブ40を閉じるとともに真空装置39の作動を停止させる。チャンバ29の内部が減圧されることにより、ワークWと保持フィルム3との間に存在している空気はチャンバ29の外部へと脱気される。 After forming the chamber 29, the electromagnetic valve 41 for leakage is closed, the electromagnetic valve 40 is opened, and the vacuum device 39 is operated to reduce the pressure in the internal space of the chamber 29. When the pressure inside the chamber 29 is reduced to a predetermined pressure (for example, a vacuum state or a reduced pressure state of about 100 Pa), the control unit 43 closes the electromagnetic valve 40 and stops the operation of the vacuum device 39. By reducing the pressure inside the chamber 29, the air existing between the workpiece W and the holding film 3 is evacuated to the outside of the chamber 29.

チャンバ29の内部を減圧させた後、制御部43はシリンダ37を作動させて押圧部材35を下降させる。図13に示されるように押圧部材35が下降することによって、支持テーブル31に支持されているフィルム積層体5へとワークWは押圧される。 After reducing the pressure inside the chamber 29, the control unit 43 operates the cylinder 37 to lower the pressing member 35. As the pressing member 35 descends as shown in FIG. 13, the workpiece W is pressed against the film laminate 5 supported by the support table 31.

ワークWがフィルム積層体5へと押圧(加圧)されることにより、ワークWと保持フィルム3との密着性が高くなりワークWがフィルム積層体5に着装される。すなわち、多孔質体である保持フィルム3にワークWが押圧されることによって、ワークWの下面の凹凸に応じて保持フィルム3の上面が精度よく変形し、ワークWの下面と保持フィルム3の上面とがより広い範囲で接触する。ワークWと保持フィルム3とが接触することによってファンデルワールス力が発生する。そして当該ファンデルワールス力に起因してワークWに対する保持フィルム3の吸着力が発生し、当該吸着力によってワークWは保持フィルム3に吸着保持される。なお、ワークWが保持フィルム3に吸着保持されることによってワークWがフィルム積層体5に着装された構造体については「ワーク着装体WF」とする。 By pressing (pressurizing) the workpiece W onto the film laminate 5, the adhesion between the workpiece W and the holding film 3 increases, and the workpiece W is attached to the film laminate 5. That is, when the workpiece W is pressed against the holding film 3 which is a porous body, the upper surface of the holding film 3 is deformed with precision according to the unevenness of the lower surface of the workpiece W, and the lower surface of the workpiece W and the upper surface of the holding film 3 are and come into contact with each other over a wider range. Van der Waals force is generated by contact between the workpiece W and the holding film 3. Then, an adsorption force of the holding film 3 to the workpiece W is generated due to the van der Waals force, and the workpiece W is adsorbed and held by the holding film 3 by the adsorption force. Note that a structure in which the workpiece W is attached to the film laminate 5 by being sucked and held by the holding film 3 will be referred to as a "workpiece attachment body WF."

減圧下で押圧部材35が押圧することによってワーク着装体WFが作成された後、チャンバ29の減圧を解除する。すなわち制御部43は真空装置39の作動を停止させるとともに、リーク用の電磁バルブ41を開いてチャンバ29の内部の気圧を大気圧に戻す。その後、図14に示すように上ハウジング29Bを上昇させてチャンバ29を大気開放する。チャンバ29が大気開放されると、下ハウジング29Aはレール30Aに沿って着装位置P2からセット位置P1へと復帰する。下ハウジング29Aがセット位置P1へ復帰することにより、ワーク着装体WFは搬出可能となる。 After the workpiece mounting body WF is created by pressing with the pressing member 35 under reduced pressure, the reduced pressure in the chamber 29 is released. That is, the control unit 43 stops the operation of the vacuum device 39 and opens the electromagnetic valve 41 for leakage to return the pressure inside the chamber 29 to atmospheric pressure. Thereafter, as shown in FIG. 14, the upper housing 29B is raised to open the chamber 29 to the atmosphere. When the chamber 29 is opened to the atmosphere, the lower housing 29A returns from the mounting position P2 to the set position P1 along the rail 30A. By returning the lower housing 29A to the set position P1, the workpiece mounting body WF can be carried out.

ステップS3(半導体素子の装着)
ワークWが保持フィルム3に着装されてワーク着装体WFが作成された後、半導体素子7を装着させる工程を開始する。まず、図示しない搬送機構によってワーク着装体WFが支持テーブル31から搬出され、半導体実装機構17の載置テーブル45へと搬送される。ワーク着装体WFは載置テーブル45に載置され、載置テーブル45はワーク着装体WFを吸着保持する。そして図示しないフラックス塗布機構によってワークWの上面にフラックスが塗布される。
Step S3 (attachment of semiconductor element)
After the workpiece W is mounted on the holding film 3 and the workpiece mounting body WF is created, a step of mounting the semiconductor element 7 is started. First, the workpiece mounting body WF is carried out from the support table 31 by a transport mechanism (not shown), and is transported to the mounting table 45 of the semiconductor mounting mechanism 17. The workpiece mounting body WF is placed on the mounting table 45, and the mounting table 45 holds the workpiece mounting body WF by suction. Then, flux is applied to the upper surface of the workpiece W by a flux application mechanism (not shown).

フラックスの塗布を行う間、半導体搬送機構は半導体素子7をワーク着装体WFの上方へ搬送する。そして、図示しないワークWの接続用導体部と半導体素子7のバンプ8とが対向するように、半導体素子7の位置合わせを行う。位置合わせが完了すると、半導体搬送機構は半導体素子7を下降させ、図15に示すようにフラックスを介して半導体素子7とワークWとを接触させる。 While applying the flux, the semiconductor transport mechanism transports the semiconductor element 7 above the workpiece mounting body WF. Then, the semiconductor element 7 is aligned so that the connection conductor part of the workpiece W (not shown) and the bumps 8 of the semiconductor element 7 face each other. When the alignment is completed, the semiconductor transport mechanism lowers the semiconductor element 7 and brings the semiconductor element 7 and workpiece W into contact with each other via flux, as shown in FIG.

半導体素子7とワークWとを接触させた後、加熱機構はワークWおよび半導体素子7を加熱する。当該加熱によってバンプ8に含まれているハンダボールが加熱溶融されるので、半導体素子7はバンプ8を介してワークWに固着される。加熱溶融が完了すると、半導体実装機構17は溶剤をワークWの上面に供給してフラックスを除去する。フラックス除去用の溶剤としては一例としてグリコールエーテル系の溶剤が用いられる。 After the semiconductor element 7 and the workpiece W are brought into contact, the heating mechanism heats the workpiece W and the semiconductor element 7. As the solder balls contained in the bumps 8 are heated and melted by the heating, the semiconductor element 7 is fixed to the workpiece W via the bumps 8. When heating and melting is completed, the semiconductor mounting mechanism 17 supplies a solvent to the upper surface of the workpiece W to remove the flux. As an example of a solvent for removing flux, a glycol ether solvent is used.

半導体素子7がワークWに実装されると、半導体素子7が実装されたワーク着装体WFをプラズマ処理装置へと搬送する。そしてプラズマ処理装置が備えるプラズマ洗浄室の内部において、半導体素子7が実装されているワークWの上面に対してプラズマ放電を行う。ワークWに対してプラズマ放電による処理を行うことにより、ワークWの上面において有機系汚染物およびフラックス残渣などが除去される。プラズマ処理が行われることによりステップS3に係る半導体素子7の実装工程が完了する。 After the semiconductor element 7 is mounted on the workpiece W, the workpiece mounting body WF on which the semiconductor element 7 is mounted is transported to a plasma processing apparatus. Then, inside a plasma cleaning chamber provided in the plasma processing apparatus, plasma discharge is performed on the upper surface of the workpiece W on which the semiconductor element 7 is mounted. By performing plasma discharge treatment on the workpiece W, organic contaminants, flux residues, and the like are removed from the upper surface of the workpiece W. By performing the plasma treatment, the mounting process of the semiconductor element 7 according to step S3 is completed.

ステップS4(半導体素子の封止)
半導体素子7がワークWに実装されると、ワークWに実装された半導体素子7を封止する工程が開始される。まず、封止機構19に配設されている保持テーブル55を上昇させ、半導体素子7が実装されたワーク着装体WFを載置テーブル45から保持テーブル55に搬送する。このとき、図16に示すように保持テーブル55は下部金型49の上面より高い位置へと上昇移動している。
Step S4 (sealing of semiconductor element)
When the semiconductor element 7 is mounted on the workpiece W, a process of sealing the semiconductor element 7 mounted on the workpiece W is started. First, the holding table 55 disposed in the sealing mechanism 19 is raised, and the workpiece mounting body WF on which the semiconductor element 7 is mounted is conveyed from the mounting table 45 to the holding table 55. At this time, as shown in FIG. 16, the holding table 55 has moved upward to a position higher than the upper surface of the lower mold 49.

半導体素子7が実装されたワーク着装体WFを保持テーブル55に載置させた後、制御部43はアクチュエータ59を作動させて保持テーブル55を下降させる。このとき図17に示すように、保持フィルム3の上面と下部金型49の上面とが面一になるように保持テーブル55の高さが調整される。言い換えると、ワークWの下面が下部金型49の上面に当接または近接する程度に保持テーブル55の高さが調整される。 After placing the workpiece mounting body WF on which the semiconductor element 7 is mounted on the holding table 55, the control unit 43 operates the actuator 59 to lower the holding table 55. At this time, as shown in FIG. 17, the height of the holding table 55 is adjusted so that the upper surface of the holding film 3 and the upper surface of the lower mold 49 are flush with each other. In other words, the height of the holding table 55 is adjusted to such an extent that the lower surface of the workpiece W contacts or approaches the upper surface of the lower mold 49.

保持テーブル55を下降させて高さを調整した後、図18に示すように上部金型47を下降させる。上部金型47の下降により、ワークWのうちフィルム積層体5から外側にはみ出ている部分、すなわちワークWの外周部WSが上部金型47と下部金型49とによって挟み込まれて金型50が形成される。すなわち金型50の内部空間は、ワークWを境界として上部金型47側の上空間H1と下部金型49側の下空間H2とに分画される。 After lowering the holding table 55 to adjust the height, the upper mold 47 is lowered as shown in FIG. As the upper mold 47 descends, the portion of the work W that protrudes outward from the film laminate 5, that is, the outer peripheral portion WS of the work W, is sandwiched between the upper mold 47 and the lower mold 49, and the mold 50 is It is formed. That is, the internal space of the mold 50 is divided into an upper space H1 on the upper mold 47 side and a lower space H2 on the lower mold 49 side, with the work W as a boundary.

ワークWの外周部WSを上下から挟み込んで金型50を形成させた後、制御部43は封止材供給部53を作動させ、図19に示すように、上部金型47に配設されている流路51を介して封止材9を金型50の内部に供給する。金型50の内部空間はワークWによって分画されているため、供給された封止材9は、半導体素子7が配置されている上空間H1に充填される。 After sandwiching the outer circumferential portion WS of the workpiece W from above and below to form the mold 50, the control unit 43 operates the sealing material supply unit 53, and as shown in FIG. The sealing material 9 is supplied into the mold 50 through the flow path 51. Since the internal space of the mold 50 is divided by the workpiece W, the supplied sealing material 9 fills the upper space H1 where the semiconductor element 7 is placed.

上空間H1に封止材9が充填されると、図示しない加熱機構が作動して封止材9を加熱させる。半導体素子7の周囲を覆う封止材9が加熱されることにより、ワークWに実装されている半導体素子7の各々は封止材9によって封止される。すなわち、加熱によって固形の封止材9が加熱溶融して流動性が高い状態となる。流動性が高い状態となっている封止材9が、半導体素子7が実装されたワークWの凹凸に追従するように変形し、半導体素子7の周囲は精度よく封止材9によって充填される。そして熱硬化性樹脂である封止材9はさらなる加熱によって硬化され、当該硬化によって半導体素子7の周囲が封止材9によって封止される。なお図1ないし図33では説明の便宜上、半導体素子7を実際より大きく図示するとともに封止材9の層を実際より厚く図示している。 When the upper space H1 is filled with the sealing material 9, a heating mechanism (not shown) is activated to heat the sealing material 9. By heating the sealing material 9 surrounding the semiconductor elements 7, each of the semiconductor elements 7 mounted on the workpiece W is sealed with the sealing material 9. That is, the solid sealing material 9 is heated and melted, and becomes highly fluid. The highly fluid encapsulant 9 deforms to follow the irregularities of the workpiece W on which the semiconductor element 7 is mounted, and the periphery of the semiconductor element 7 is filled with the encapsulant 9 with high precision. . The encapsulant 9, which is a thermosetting resin, is further cured by heating, and the area around the semiconductor element 7 is sealed by the encapsulant 9 by the curing. Note that in FIGS. 1 to 33, for convenience of explanation, the semiconductor element 7 is shown larger than it actually is, and the layer of the sealing material 9 is shown thicker than it actually is.

半導体素子7が封止されることにより、ワークWに実装された半導体素子7が封止材9によって封止された構成を有する半導体装置11が、フィルム積層体5の上に形成される。その後、図20に示すように、上部金型47を上昇させて上部金型47と下部金型49とを分離させる。上部金型47を上昇させることによってワークWから上部金型47が分離され、半導体装置11における封止材9の層が外部に露出される。所定時間加熱して封止材9を熱硬化させることによりステップS4の過程は完了する。実施例1において、ステップS3に係る半導体素子7をワークWに実装させる過程およびステップS4に係る封止材9で半導体素子7を封止する過程は、本発明に係るワーク処理過程に相当する。すなわち実施例1において、半導体装置11は所定の処理が行われたワークWに相当する。 By sealing the semiconductor element 7, a semiconductor device 11 having a configuration in which the semiconductor element 7 mounted on the workpiece W is sealed with the sealant 9 is formed on the film laminate 5. Thereafter, as shown in FIG. 20, the upper mold 47 is raised to separate the upper mold 47 and the lower mold 49. By raising the upper mold 47, the upper mold 47 is separated from the workpiece W, and the layer of the sealing material 9 in the semiconductor device 11 is exposed to the outside. The process of step S4 is completed by heat-curing the sealing material 9 by heating for a predetermined period of time. In the first embodiment, the process of mounting the semiconductor element 7 on the workpiece W in step S3 and the process of sealing the semiconductor element 7 with the sealing material 9 in step S4 correspond to the workpiece processing process according to the present invention. That is, in the first embodiment, the semiconductor device 11 corresponds to the workpiece W that has been subjected to a predetermined process.

ステップS5(ワークの離脱)
半導体素子7が封止されて半導体装置11の作成が完了した後、ワークWをフィルム積層体5から離脱させる工程を開始する。実施例1に係るワーク離脱過程の詳細について、以下に説明する。
Step S5 (removal of workpiece)
After the semiconductor element 7 is sealed and the production of the semiconductor device 11 is completed, a step of separating the workpiece W from the film laminate 5 is started. Details of the workpiece detachment process according to the first embodiment will be described below.

まず、図示しない搬送機構によって半導体装置11をワーク離脱機構20へ搬送する。すなわち図21に示すように、半導体装置11はワーク離脱機構20が備える支持テーブル61のワーク支持部64に載置される。このとき図21に示すように、ワーク支持部64に配備されている流通孔65の各々が、フィルム積層体5に配設されている貫通孔85の各々と連通するように、ワーク支持部64上における半導体装置11の位置が調整される。またこのとき、吸着プレート63は支持テーブル61の上方に配置されている。 First, the semiconductor device 11 is transported to the work removal mechanism 20 by a transport mechanism (not shown). That is, as shown in FIG. 21, the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support portion 64 of the support table 61 included in the workpiece removal mechanism 20. At this time, as shown in FIG. 21, the workpiece support part 64 is arranged such that each of the communication holes 65 provided in the workpiece support part 64 communicates with each of the through holes 85 provided in the film laminate 5. The position of the semiconductor device 11 above is adjusted. Also, at this time, the suction plate 63 is placed above the support table 61.

半導体装置11がワーク支持部64に載置されると、制御部79は電磁バルブ72を開いて真空装置73を作動させ、吸着孔67を介して半導体装置11のキャリア1側を吸着保持する。半導体装置11を吸着保持することにより、ワークWは支持テーブル61によって支持される。 When the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support 64 , the control section 79 opens the electromagnetic valve 72 and operates the vacuum device 73 to suction and hold the semiconductor device 11 on the carrier 1 side through the suction hole 67 . By suctioning and holding the semiconductor device 11, the workpiece W is supported by the support table 61.

半導体装置11を吸着保持した後、実施例1ではワークWと保持フィルム3との接触面に気体を供給する工程を行う。すなわち制御部79は電磁バルブ69を開いて気体供給装置70を作動させ、気体の供給を開始する。フィルム積層体5をキャリア1側から保持フィルム3側まで貫通している貫通孔85と、支持テーブル61に設けられている流通孔65の各々とは連通するように位置合わせが行われているので、気体供給装置70から供給された気体Arは図22に示すように、流路68および流通孔65を経由して貫通孔85の外部へ排出される。 After holding the semiconductor device 11 by suction, in the first embodiment, a step of supplying gas to the contact surface between the workpiece W and the holding film 3 is performed. That is, the control unit 79 opens the electromagnetic valve 69 and operates the gas supply device 70 to start supplying gas. The through holes 85 passing through the film laminate 5 from the carrier 1 side to the holding film 3 side are aligned so that they communicate with each of the communication holes 65 provided in the support table 61. As shown in FIG. 22, the gas Ar supplied from the gas supply device 70 is discharged to the outside of the through hole 85 via the flow path 68 and the communication hole 65.

流通孔65から排出される気体Arは、保持フィルム3に密着保持されているワークWを支持テーブル61の上方へ押し上げる。そのため図23に示すように、流通孔65の近傍において保持フィルム3とワークWとの間に間隙部Hbが形成される。気体供給装置70から気体Arの供給を続けていくと、図24に示すように当該間隙部Hbは保持フィルム3とワークWとの接触面に沿って拡がっていく。その結果、保持フィルム3とワークWとが密着している領域の面積は気体Arの供給によって減少していく。すなわち、気体供給装置70から気体Arを供給させることによって、ワークWに対する保持フィルム3の保持力が低減する。 The gas Ar discharged from the circulation hole 65 pushes the workpiece W closely held by the holding film 3 upwardly onto the support table 61. Therefore, as shown in FIG. 23, a gap Hb is formed between the holding film 3 and the work W in the vicinity of the communication hole 65. As the gas supply device 70 continues to supply the gas Ar, the gap Hb expands along the contact surface between the holding film 3 and the workpiece W, as shown in FIG. As a result, the area of the region where the holding film 3 and the workpiece W are in close contact with each other decreases due to the supply of gaseous Ar. That is, by supplying the gas Ar from the gas supply device 70, the holding force of the holding film 3 with respect to the workpiece W is reduced.

気体供給装置70からワークWと保持フィルム3との間に気体Arを供給させて保持フィルム3の保持力を低減させた後、吸着プレート63を用いて半導体装置11を搬送させる。すなわち図25に示すように、吸着プレート63を下降させて半導体装置11に接触させる。そして、制御部79は電磁バルブ78を開放するとともに真空装置80を作動させ、流路77の内部を排気させる。流路77の内部が排気されると、吸着プレート63は吸着孔76を介して封止材9の上面を吸着する。このように、真空装置80が作動することによって吸着プレート63は半導体装置11を吸着保持する。言い換えると、真空装置80の作動によって吸着プレート63はワークWを吸着保持する。 After gas Ar is supplied from the gas supply device 70 between the workpiece W and the holding film 3 to reduce the holding force of the holding film 3, the semiconductor device 11 is transported using the suction plate 63. That is, as shown in FIG. 25, the suction plate 63 is lowered and brought into contact with the semiconductor device 11. Then, the control unit 79 opens the electromagnetic valve 78 and operates the vacuum device 80 to evacuate the inside of the flow path 77 . When the inside of the flow path 77 is evacuated, the suction plate 63 suctions the upper surface of the sealing material 9 through the suction holes 76 . In this manner, the suction plate 63 suction-holds the semiconductor device 11 by operating the vacuum device 80. In other words, the suction plate 63 suctions and holds the workpiece W by the operation of the vacuum device 80 .

吸着プレート63で半導体装置11を保持した後、図26に示すように吸着プレート63を上昇させる。すなわち吸着プレート63は、保持フィルム3の保持面に垂直な方向へワークWを移動させる。気体供給装置70から気体Arを供給させることによってワークWに対する保持フィルム3の保持力は低減されているので、ワークWに対する吸着プレート63の保持力(吸着力)は確実にワークWに対する保持フィルム3の保持力より大きくなる。そのため、ワークWは全面にわたって保持フィルム3から容易に離脱され、半導体装置11は吸着プレート63とともに上昇する。 After the semiconductor device 11 is held by the suction plate 63, the suction plate 63 is raised as shown in FIG. That is, the suction plate 63 moves the workpiece W in a direction perpendicular to the holding surface of the holding film 3. Since the holding force of the holding film 3 on the workpiece W is reduced by supplying the gas Ar from the gas supply device 70, the holding force (adsorption force) of the suction plate 63 on the workpiece W is reliably maintained by the holding film 3 on the workpiece W. The holding force is greater than that of . Therefore, the entire surface of the workpiece W is easily separated from the holding film 3, and the semiconductor device 11 rises together with the suction plate 63.

フィルム積層体5から離脱された半導体装置11は吸着プレート63によってワーク離脱機構20から搬出され、図示しない半導体装置収納部へと収納される。ワークWがフィルム積層体5から離脱されて半導体装置11が半導体装置収納部へと収納されることにより、ステップS5の工程は完了する。 The semiconductor device 11 separated from the film laminate 5 is carried out from the workpiece removal mechanism 20 by the suction plate 63 and stored in a semiconductor device storage section (not shown). The process of step S5 is completed by separating the work W from the film laminate 5 and storing the semiconductor device 11 in the semiconductor device storage section.

このように、ステップS1からステップS5までの一連の工程により、半導体装置11が作成される。その後、規定枚数の半導体装置11が作成されたか否かによって工程が分岐される。規定枚数の半導体装置11が作成された場合は半導体装置の製造装置の動作は完了する。一方、さらに半導体装置11を作成する必要がある場合、ステップS6へと進む。 In this way, the semiconductor device 11 is created through a series of steps from step S1 to step S5. Thereafter, the process branches depending on whether a specified number of semiconductor devices 11 have been created. When the specified number of semiconductor devices 11 have been produced, the operation of the semiconductor device manufacturing apparatus is completed. On the other hand, if it is necessary to create more semiconductor devices 11, the process advances to step S6.

ステップS6(フィルム積層体の再利用)
さらに半導体装置11を作成する場合、ステップS5において用いられたフィルム積層体5を封止機構19からワーク着装機構15へと搬送する。すなわち図22に示すように、封止機構19の保持テーブル55に載置されていたフィルム積層体5は、図示しない搬送機構によってワーク着装機構15へと搬送され、支持テーブル31に再び載置される。
Step S6 (Reuse of film laminate)
Furthermore, when producing the semiconductor device 11, the film laminate 5 used in step S5 is conveyed from the sealing mechanism 19 to the workpiece mounting mechanism 15. That is, as shown in FIG. 22, the film laminate 5 placed on the holding table 55 of the sealing mechanism 19 is conveyed to the workpiece mounting mechanism 15 by a conveyance mechanism (not shown), and placed on the support table 31 again. Ru.

フィルム積層体5が支持テーブル31に再び載置された後、再びステップS2ないしS5の工程を行うことによって半導体装置11が再び作成される。以後、ステップS6を経由してステップS2ないしS5の工程を規定回数繰り返し行うことにより、所定の枚数の半導体装置11が作成される。すなわち本発明に係る半導体装置の製造工程では、1枚目の半導体装置11を作成する際に形成されたフィルム積層体5を、2枚目以降の半導体装置11を作成する際に再利用することができる。言い換えると、半導体装置11の作成に用いられたフィルム積層体5を、次回に行われるステップS2の工程に再利用できる。 After the film laminate 5 is placed on the support table 31 again, the semiconductor device 11 is created again by performing steps S2 to S5 again. Thereafter, a predetermined number of semiconductor devices 11 are produced by repeating steps S2 to S5 a predetermined number of times via step S6. That is, in the manufacturing process of the semiconductor device according to the present invention, the film laminate 5 formed when creating the first semiconductor device 11 is reused when creating the second and subsequent semiconductor devices 11. Can be done. In other words, the film laminate 5 used to create the semiconductor device 11 can be reused in the next step S2.

<実施例1の構成による効果>
実施例1に係るワーク処理装置1によれば、ワークWをフィルム積層体5に積層させた状態で、ワークを処理する工程すなわち半導体素子7をワークWに実装させる工程と半導体素子7を封止材9で封止して半導体装置11を製造する工程とを行う(ステップS3、S4)。すなわちワークWに対して所定の処理を行う前段階として、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置させる工程を行う(ステップS2)。
<Effects of the configuration of Example 1>
According to the workpiece processing apparatus 1 according to the first embodiment, with the workpiece W stacked on the film laminate 5, the process of processing the workpiece, that is, the process of mounting the semiconductor element 7 on the workpiece W, and the sealing of the semiconductor element 7 are performed. A step of manufacturing the semiconductor device 11 by sealing with the material 9 is performed (steps S3 and S4). That is, as a step before performing a predetermined process on the workpiece W, a step of placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 is performed (step S2).

保持フィルム3はワークWを保持するものであり、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置して密着させることによってワークWの平坦性が担保される。すなわち半導体素子7を実装させる工程などにおいてワークWが加熱される際に、ワークWが変形してワークWの一部がフィルム積層体5から浮き上がることを保持フィルム3によって防止できる。また保持フィルム3は強い剪断接着力を有する材料で構成されているので、保持フィルム3の表面(ここではxy平面)に沿う方向へワークWがずれることを確実に防止できる。 The holding film 3 holds the workpiece W, and by placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 and bringing it into close contact, the flatness of the workpiece W is ensured. That is, when the workpiece W is heated in the process of mounting the semiconductor element 7 or the like, the holding film 3 can prevent the workpiece W from being deformed and a part of the workpiece W from lifting off from the film laminate 5 . Furthermore, since the holding film 3 is made of a material having strong shear adhesive strength, it is possible to reliably prevent the workpiece W from shifting in the direction along the surface of the holding film 3 (here, the xy plane).

また保持フィルム3はワークWの略全面に対して接触する。言い換えると、保持フィルムはワークWの略全面を保持する。よって、保持フィルム3はワークWの略全面に対して平坦性を維持する力を作用させるので、ワークWの変形をより確実に防止できる。特にワークWのうち、半導体素子7を実装させる領域は確実にフィルム積層体5の保持フィルム3に接触して保持される。すなわち、半導体素子7を実装させる領域(ワークWの処理を行う領域)において特にワークWの変形を防止する効果が発生するので、半導体素子7の実装不良すなわちワークWの処理不良が発生することをより確実に防止できる。 Further, the holding film 3 is in contact with substantially the entire surface of the workpiece W. In other words, the holding film holds substantially the entire surface of the workpiece W. Therefore, the holding film 3 exerts a force to maintain flatness on substantially the entire surface of the workpiece W, so that deformation of the workpiece W can be more reliably prevented. In particular, the area of the workpiece W on which the semiconductor element 7 is to be mounted is securely held in contact with the holding film 3 of the film laminate 5. That is, since the effect of preventing the deformation of the workpiece W in particular occurs in the area where the semiconductor element 7 is mounted (the area where the workpiece W is processed), it is possible to prevent the occurrence of defective mounting of the semiconductor element 7, that is, defective processing of the workpiece W. This can be prevented more reliably.

本実施例では、フィルム積層体5の保持フィルム3の側にワークWを載置するという単純な操作によって、ワークWの変形を防止する保持力がワークに対して作用する。すなわち従来の構成とは異なり、実施例に係る半導体装置11の製造工程ではワークWの変形を防止する工程に要する時間を大きく短縮できる。よって、ワークWの処理効率を向上させつつワークWの変形を防止することができる。 In this embodiment, a holding force that prevents deformation of the workpiece W is applied to the workpiece by a simple operation of placing the workpiece W on the side of the holding film 3 of the film laminate 5. That is, unlike the conventional configuration, in the manufacturing process of the semiconductor device 11 according to the embodiment, the time required for the process of preventing deformation of the workpiece W can be greatly reduced. Therefore, deformation of the work W can be prevented while improving processing efficiency of the work W.

そして保持フィルム3の構成材料は連続気泡構造を備える多孔質体であるので、保持フィルム3の内部に含まれている気体は連続気泡構造によって好適に保持フィルム3の外部へ抜けることができる。言い換えると、保持フィルム3は優れた気泡抜け性を有している。そのため保持フィルム3にワークWを着装させる際に、保持フィルム3は気泡を咬み込むことなく柔軟に変形する。よって、保持フィルム3の表面はワークWの表面の形状に応じて精度よく変形し、保持フィルム3とワークWとはより広い範囲で接触する。そのため、保持フィルム3をワークWとの間に発生するファンデルワールス力がより大きくなるので、ワークWに対する保持フィルム3の保持力を向上できる。 Since the constituent material of the holding film 3 is a porous body having an open cell structure, the gas contained inside the holding film 3 can suitably escape to the outside of the holding film 3 due to the open cell structure. In other words, the holding film 3 has excellent bubble removal properties. Therefore, when mounting the workpiece W on the holding film 3, the holding film 3 deforms flexibly without trapping air bubbles. Therefore, the surface of the holding film 3 deforms with high precision according to the shape of the surface of the work W, and the holding film 3 and the work W come into contact over a wider range. Therefore, the Van der Waals force generated between the holding film 3 and the workpiece W becomes larger, so that the holding force of the holding film 3 with respect to the workpiece W can be improved.

また、保持フィルム3を用いてワークWを保持する実施例1の構成では、ワークWに残渣が発生することを好適に回避できる。従来のように接着剤を用いて支持体にワークを保持させた場合、エポキシ系樹脂を例とする接着剤は過度に強い垂直接着力を有するので、ワークを支持体から剥離するためには非常に大きな剥離力を必要とするので、過度な剥離力を作用させることによってワークなどが損傷する事態が懸念される。そして接着力を低減すべく接着剤を溶剤または加熱などで軟化または液状化させた場合、軟化または液状化した接着剤の層は容易に剪断されて一部の接着剤がワークに残留する。このような糊残りに起因する接着剤の残渣はワークに対して悪影響を及ぼすので、ワーク処理効率およびワーク処理精度を大きく低下させる。 Further, in the configuration of the first embodiment in which the workpiece W is held using the holding film 3, generation of residue on the workpiece W can be suitably avoided. When holding a workpiece to a support using an adhesive as in the past, the adhesive, such as epoxy resin, has an excessively strong vertical adhesion force, so it is extremely difficult to peel the workpiece from the support. Since a large peeling force is required, there is a concern that the workpiece may be damaged by applying excessive peeling force. When the adhesive is softened or liquefied using a solvent or heating to reduce adhesive strength, the softened or liquefied adhesive layer is easily sheared and some of the adhesive remains on the workpiece. Adhesive residue caused by such adhesive residue has an adverse effect on the workpiece, greatly reducing workpiece processing efficiency and workpiece processing accuracy.

一方、保持フィルム3を構成するシリコーンまたはフッ素化合物を含む連続気泡構造の多孔質体は、面方向に作用する剪断接着力と比べて面と垂直な方向に作用する保持力は小さい。そのため、吸着プレート63などを用いてワークWを保持した状態でワークWを保持フィルム3の面に垂直な方向へ移動させることにより、ワークWに対する吸着プレート63の保持力および引っ張り力を過度に大きくすることなく、容易にワークWを保持フィルム3から離脱させることができる。すなわちワークWを保持フィルム3から離脱させる際にワークWまたは保持フィルム3などに損傷が発生することをより確実に回避できる。 On the other hand, the open-cell porous body containing silicone or a fluorine compound constituting the holding film 3 has a smaller holding force acting in a direction perpendicular to the plane than the shear adhesive force acting in the plane direction. Therefore, by moving the work W in a direction perpendicular to the surface of the holding film 3 while holding the work W using the suction plate 63 or the like, the holding force and pulling force of the suction plate 63 against the work W may be excessively increased. The workpiece W can be easily removed from the holding film 3 without having to do so. In other words, damage to the workpiece W or the holding film 3 when the workpiece W is separated from the holding film 3 can be more reliably avoided.

また、ワークWを保持フィルム3から離脱させるために必要な引っ張り力は小さいので、保持フィルム3の層の一部が剪断されてワークWに残留する事態を好適に回避できる。さらに保持フィルム3は固体状であり、保持力を低下させるために保持フィルム3を軟化させる必要がないので、保持フィルム3が剪断させることをより確実に回避できる。 Furthermore, since the tensile force required to separate the workpiece W from the holding film 3 is small, a situation in which a part of the layer of the holding film 3 is sheared and remains on the workpiece W can be suitably avoided. Furthermore, since the holding film 3 is solid and there is no need to soften the holding film 3 in order to reduce the holding force, shearing of the holding film 3 can be more reliably avoided.

そして実施例1では保持フィルム3とワークWとの間に気体を供給する工程を行った後にワークWを保持フィルム3から離脱させる。保持フィルム3とワークWとの間に気体を供給することによって保持フィルム3とワークWとの間に間隙部Hbが形成されて保持フィルム3とワークWとの間に作用するファンデルワールス力が低下し、結果としてワークWに対する保持フィルム3の保持力が低減される。保持フィルム3の保持力を低減させる工程を行った後に、ワークWを保持フィルム3の面に垂直な方向へ移動させてワークWを保持フィルム3から離脱させるので、保持フィルム3の保持力に起因して離脱エラーや残渣が発生する事態をより確実に回避できる。 In the first embodiment, the workpiece W is separated from the holding film 3 after the step of supplying gas between the holding film 3 and the workpiece W is performed. By supplying gas between the holding film 3 and the workpiece W, a gap Hb is formed between the holding film 3 and the workpiece W, and the Van der Waals force acting between the holding film 3 and the workpiece W is reduced. As a result, the holding force of the holding film 3 against the workpiece W is reduced. After performing the step of reducing the holding force of the holding film 3, the workpiece W is moved in a direction perpendicular to the surface of the holding film 3 to separate the workpiece W from the holding film 3. This makes it possible to more reliably avoid situations in which detachment errors and residue occur.

また本発明に係るワーク処理装置1では、ワークWを保持フィルム3から離脱させる際に保持フィルム3の構成材料の一部が剥がれてワークWに残渣として付着する事態を回避できる。そのため、1回目の半導体装置11の製造工程(ワーク処理工程)において使用されたフィルム積層体5を、2回目以降の半導体装置11の製造工程に再度利用することが可能となる。すなわち2回目以降の半導体装置11の製造工程ではステップS1に係るフィルム積層体5の生成工程を省略できるので、半導体装置11の大量生産に要する時間を短縮できるとともにコストを大きく低減できる。また、キャリア1および保持フィルム3の廃棄量を削減できるので環境に対する負荷も低減できる。 Further, in the workpiece processing apparatus 1 according to the present invention, when the workpiece W is separated from the holding film 3, it is possible to avoid a situation in which part of the constituent material of the holding film 3 is peeled off and attached to the workpiece W as a residue. Therefore, the film laminate 5 used in the first manufacturing process (work processing process) of the semiconductor device 11 can be reused in the second and subsequent manufacturing processes of the semiconductor device 11. That is, in the second and subsequent manufacturing steps of the semiconductor device 11, the step S1 of producing the film laminate 5 can be omitted, so that the time required for mass production of the semiconductor device 11 can be shortened and the cost can be significantly reduced. Further, since the amount of waste of the carrier 1 and the holding film 3 can be reduced, the load on the environment can also be reduced.

そして実施例1では気体供給装置70によって気体Arを供給する工程とワークWを保持フィルム3から離反させる工程とによって容易かつ確実にワークWを保持フィルム3から離脱できる。すなわち接着剤を用いる従来の構成と異なり接着剤の塗布乾燥、接着剤の溶解、封鎖部材による封止および加熱といった多数かつ複雑な工程を行う必要がないので、ワーク処理効率を大きく向上させることができる。 In the first embodiment, the work W can be easily and reliably separated from the holding film 3 by the step of supplying gas Ar using the gas supply device 70 and the step of separating the work W from the holding film 3. In other words, unlike conventional configurations that use adhesives, there is no need to perform multiple and complicated processes such as applying and drying the adhesive, melting the adhesive, sealing with a sealing member, and heating, so work processing efficiency can be greatly improved. can.

また実施例1において、フィルム積層体5にワークWを密着させる工程はチャンバ29を用いて減圧状態で行われる。すなわち保持フィルム3とワークWとの間の空間を抜気させた状態でフィルム積層体5にワークWを密着させるので、保持フィルム3とワークWとの間に巻き込まれた空気に起因してワークWに対する保持フィルム3の保持力が低下することを回避できる。 Further, in Example 1, the step of bringing the workpiece W into close contact with the film laminate 5 is performed in a reduced pressure state using the chamber 29. In other words, since the workpiece W is brought into close contact with the film laminate 5 while the space between the holding film 3 and the workpiece W is vented, the workpiece is It is possible to avoid a decrease in the holding force of the holding film 3 for W.

また本実施例では、フィルム積層体5は平面視においてワークWより小さくなるように構成されており、ワークWの外周部がフィルム積層体5の外側に突出するように、ワークWがフィルム積層体5に載置される。この場合、ステップS5において半導体素子7を封止材9で封止する際に、フィルム積層体5の外側に突出したワークWの外周部WSを上下から上部金型47および下部金型49などで挟み込むことで、半導体素子7の周囲を密閉状態とすることができる。そのため、半導体素子7またはワークWの中央部に圧力を加えることなく半導体素子7の周囲に封止材9を充填できる。よって、半導体装置11を製造する際に、半導体素子7またはワークW上の回路において、圧力の作用に起因して損傷が発生することを確実に回避できる。 Further, in this embodiment, the film laminate 5 is configured to be smaller than the workpiece W in a plan view, and the workpiece W is configured to be smaller than the workpiece W in a plan view, and the workpiece W is arranged so that the outer peripheral part of the workpiece W protrudes outside the film laminate 5. It is placed on 5. In this case, when sealing the semiconductor element 7 with the sealing material 9 in step S5, the outer peripheral part WS of the workpiece W protruding to the outside of the film laminate 5 is covered with the upper mold 47, the lower mold 49, etc. from above and below. By sandwiching them, the area around the semiconductor element 7 can be sealed. Therefore, the sealing material 9 can be filled around the semiconductor element 7 without applying pressure to the central part of the semiconductor element 7 or the workpiece W. Therefore, when manufacturing the semiconductor device 11, damage to the semiconductor element 7 or the circuit on the workpiece W due to the action of pressure can be reliably avoided.

また、ワークWの外周部WSを把持することで、半導体素子7またはワーク上の回路に圧力を加えることなく半導体装置11を搬送できる。よって、半導体装置11の搬送を行う際に半導体素子7またはワークW上の回路に損傷が発生することも回避できる。 Furthermore, by gripping the outer peripheral portion WS of the workpiece W, the semiconductor device 11 can be transported without applying pressure to the semiconductor element 7 or the circuits on the workpiece. Therefore, damage to the semiconductor element 7 or the circuits on the workpiece W can be avoided when the semiconductor device 11 is transported.

次に、本発明の実施例2を説明する。なお、実施例1で説明したワーク処理装置1と同一構成については同一符号を付すに留め、異なる構成部分について詳述する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. Note that the same components as the work processing apparatus 1 described in Example 1 are given the same reference numerals, and different components will be described in detail.

実施例1と実施例2は、主にフィルム積層体5およびワーク離脱機構20の構成が相違する。実施例1ではフィルム積層体5に貫通孔85が形成されている。すなわち貫通孔81が形成されているキャリア1と貫通孔83が形成されている保持フィルム3とを積層させることにより、下面から上面にわたって貫通する貫通孔85を備えるフィルム積層体5が形成される。また実施例1に係るワーク離脱機構20は支持テーブル61に気体供給装置70が設けられている。気体供給装置70から支持テーブル61および貫通孔85を経由してワークWと保持フィルム3との間に気体を供給した後、ワークWの全面にわたってワークWを保持フィルム3から離脱させる。 Example 1 and Example 2 differ mainly in the configurations of the film laminate 5 and the workpiece release mechanism 20. In Example 1, through holes 85 are formed in the film laminate 5. That is, by laminating the carrier 1 in which the through-hole 81 is formed and the holding film 3 in which the through-hole 83 is formed, the film laminate 5 having the through-hole 85 penetrating from the bottom surface to the top surface is formed. Further, in the workpiece removal mechanism 20 according to the first embodiment, a gas supply device 70 is provided on the support table 61. After gas is supplied between the work W and the holding film 3 from the gas supply device 70 via the support table 61 and the through hole 85, the work W is separated from the holding film 3 over the entire surface of the work W.

一方、実施例2に係るワーク離脱装置20Aは吸着プレート63と支持テーブル61Aを備えている。支持テーブル61Aは図27および図28に示すように、中央部に凹部91が形成されており全体として中空となっている。すなわち支持テーブル61Aは外周部93が凸状となっている。凹部91の大きさは、ワークWよりやや小さくなるように構成されている。すなわち図27に示すように、外周部93のうち凹部91の近傍であり凹部91を囲繞する領域が、ワーク支持部64AとしてワークWの外周部を支持する。 On the other hand, the workpiece removal device 20A according to the second embodiment includes a suction plate 63 and a support table 61A. As shown in FIGS. 27 and 28, the support table 61A has a recess 91 formed in the center and is hollow as a whole. That is, the support table 61A has a convex outer peripheral portion 93. The size of the recess 91 is configured to be slightly smaller than the workpiece W. That is, as shown in FIG. 27, a region of the outer peripheral portion 93 that is near the recess 91 and surrounds the recess 91 supports the outer peripheral portion of the work W as the work support portion 64A.

ワーク支持部64Aの上面には吸着孔67Aが分散形成されている。吸着孔67Aは図27に示すように、支持テーブル61Aに設けられている流路71に接続されており、電磁バルブ72を介して真空装置73に連通されている。流路71は、気体排出用の通路として機能する。真空装置73の作動により、ワーク支持部64Aの上面でフィルム積層体5の外周部とともにワークWの外周部を吸着保持することができるようになっている。 Suction holes 67A are formed in a distributed manner on the upper surface of the workpiece support portion 64A. As shown in FIG. 27, the suction hole 67A is connected to a flow path 71 provided in the support table 61A, and communicated with a vacuum device 73 via an electromagnetic valve 72. The flow path 71 functions as a gas discharge passage. By operating the vacuum device 73, the outer circumferential portion of the workpiece W can be suctioned and held together with the outer circumferential portion of the film laminate 5 on the upper surface of the workpiece support portion 64A.

凹部91の底面には気体流通孔95が形成されている。気体流通孔95は支持テーブル61Aに設けられている気体供給用の流路96に接続されており、電磁バルブ97を介して気体供給装置98に連通されている。気体供給装置98は、流路96および気体流通孔95を介して凹部91の内部空間Rへ気体を供給する。電磁バルブ97の開閉および気体供給装置98の動作は、制御部79によって制御される。また図29などに示すように、実施例2はフィルム積層体5に貫通孔85を要しない構成となっている点で実施例1と相違する。 A gas flow hole 95 is formed in the bottom surface of the recess 91 . The gas flow hole 95 is connected to a gas supply flow path 96 provided in the support table 61A, and communicated with a gas supply device 98 via an electromagnetic valve 97. The gas supply device 98 supplies gas to the internal space R of the recess 91 via the flow path 96 and the gas distribution hole 95. The opening and closing of the electromagnetic valve 97 and the operation of the gas supply device 98 are controlled by a control unit 79. Further, as shown in FIG. 29 and the like, the second embodiment differs from the first embodiment in that the film laminate 5 does not require a through hole 85.

ここで、実施例2に係るワーク処理装置1Aを用いてワークWの処理を行う一連の工程を説明する。なおステップS1ないしステップS4の工程については実施例1と実施例2は共通するため説明を省略し、実施例2に係るステップS5の工程について説明する。 Here, a series of steps for processing a workpiece W using the workpiece processing apparatus 1A according to the second embodiment will be described. Note that since the steps S1 to S4 are common to the first embodiment and the second embodiment, their explanation will be omitted, and the step S5 according to the second embodiment will be explained.

ステップS5(ワークの離脱)
実施例2においてステップS5の工程が開始されると、図示しない搬送機構によって半導体装置11をワーク離脱機構20へ搬送する。すなわち図29に示すように、半導体装置11は支持テーブル61Aのワーク支持部64Aに載置される。このとき、支持テーブル61Aはワーク支持部64Aを介して半導体装置11の外周部を支持する一方、中空となっている支持テーブル61Aは半導体装置11の中央部を支持しない状態となっている。
Step S5 (removal of workpiece)
In the second embodiment, when the step S5 is started, the semiconductor device 11 is transported to the work removal mechanism 20 by a transport mechanism (not shown). That is, as shown in FIG. 29, the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support portion 64A of the support table 61A. At this time, the support table 61A supports the outer peripheral portion of the semiconductor device 11 via the workpiece support portion 64A, while the hollow support table 61A does not support the center portion of the semiconductor device 11.

半導体装置11がワーク支持部64に載置されると、制御部79は電磁バルブ72を開いて真空装置73を作動させ、吸着孔67Aを介して半導体装置11の外周部(具体的にはキャリア1の外周部)を吸着保持する。半導体装置11を吸着保持することにより、ワークWの外周部は支持テーブル61によって支持される。 When the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support portion 64, the control portion 79 opens the electromagnetic valve 72 to operate the vacuum device 73, and the outer peripheral portion of the semiconductor device 11 (specifically, the carrier) is removed through the suction hole 67A. 1) is held by suction. By suctioning and holding the semiconductor device 11, the outer peripheral portion of the workpiece W is supported by the support table 61.

支持テーブル61Aが半導体装置11を吸着保持した後、吸着プレート63で半導体装置11を保持する操作を行う。すなわち図30に示すように吸着プレート63を下降させて半導体装置11に接触させる。そして、制御部79は電磁バルブ78を開放するとともに真空装置80を作動させ、流路77の内部を排気させる。流路77の内部が排気されると、吸着プレート63は吸着孔76を介して封止材9の上面を吸着する。このように、真空装置80が作動することによって吸着プレート63は半導体装置11を吸着保持する。 After the support table 61A suction-holds the semiconductor device 11, the suction plate 63 is operated to hold the semiconductor device 11. That is, as shown in FIG. 30, the suction plate 63 is lowered and brought into contact with the semiconductor device 11. Then, the control unit 79 opens the electromagnetic valve 78 and operates the vacuum device 80 to evacuate the inside of the flow path 77 . When the inside of the flow path 77 is evacuated, the suction plate 63 suctions the upper surface of the sealing material 9 through the suction holes 76 . In this manner, the suction plate 63 suction-holds the semiconductor device 11 by operating the vacuum device 80.

真空装置73および真空装置80を作動させた後、実施例2では気体供給装置98を用いることにより、まずはワークWのうち一部をフィルム積層体5から離脱させる。すなわち図31に示すように、制御部79は電磁バルブ97を開いて気体供給装置98を作動させ、気体Arの供給を開始する。気体Arは流路96および気体流通孔95を経由し、中空となっている支持テーブル61Aの内部の空間Rに供給される。 After operating the vacuum device 73 and the vacuum device 80, in the second embodiment, a part of the workpiece W is first separated from the film laminate 5 by using the gas supply device 98. That is, as shown in FIG. 31, the control unit 79 opens the electromagnetic valve 97 and operates the gas supply device 98 to start supplying the gas Ar. The gas Ar is supplied to the space R inside the hollow support table 61A via the flow path 96 and the gas flow hole 95.

支持テーブル61Aは半導体装置11の外周部を吸着保持しているので、凹部91の内部の空間Rは支持テーブル61Aとキャリア1とによって密閉状態となっている。そのため、空間Rに供給された気体Arは外部へ逃げることなくキャリア1を上方へ押圧する。キャリア1の外周部は支持テーブル61Aによって吸着保持されている一方、キャリア1の中央部は支持テーブル61による支持を受けていない。そのため図32に示すように、気体Arの圧力によってキャリア1は保持フィルム3とともに中央部が上向き凸状に湾曲していく。 Since the support table 61A attracts and holds the outer peripheral portion of the semiconductor device 11, the space R inside the recess 91 is sealed by the support table 61A and the carrier 1. Therefore, the gas Ar supplied to the space R presses the carrier 1 upward without escaping to the outside. While the outer peripheral portion of the carrier 1 is suction-held by the support table 61A, the center portion of the carrier 1 is not supported by the support table 61. Therefore, as shown in FIG. 32, the center of the carrier 1 is curved upwardly in a convex shape together with the holding film 3 due to the pressure of the gas Ar.

このとき、キャリア1および保持フィルム3の中央部が上向きに突出する長さLに応じて吸着プレート63を僅かに上昇させる。すなわち、ワークWは全面にわたって、吸着プレート63とともに僅かに上昇する。吸着プレート63を上昇させることにより、フィルム積層体5のうち上方へ突出する中央部においてはワークWと保持フィルム3とが密着している状態が維持される。 At this time, the suction plate 63 is slightly raised according to the length L by which the center portions of the carrier 1 and the holding film 3 protrude upward. That is, the workpiece W is slightly raised along with the suction plate 63 over the entire surface. By raising the suction plate 63, the state in which the workpiece W and the holding film 3 are in close contact with each other is maintained in the upwardly projecting central portion of the film laminate 5.

一方、キャリア1の外周部は支持テーブル61Aによって吸着保持されており上方へ移動しないので、フィルム積層体5のうち外周部においてはワークWから剥離される力が作用する。その結果、ワークWのうち中央部は保持フィルム3と密着している状態が維持される一方、ワークWの外周部は保持フィルム3から離脱する。言い換えると、空間Rに気体を供給させつつ吸着プレート63を上昇させることにより、図32に示すようにワークWの一部(ここでは外周部)において、保持フィルム3との間に間隙部Hcが形成される。間隙部Hcは、ワークWが保持フィルム3から離脱する切っ掛け(離脱切っ掛け)となる部分である。ワークW全面のうち一部を保持フィルム3から離脱させる過程は、本発明における第1離脱過程に相当する。 On the other hand, since the outer circumferential portion of the carrier 1 is suction-held by the support table 61A and does not move upward, a force that causes the outer circumferential portion of the film laminate 5 to be peeled off from the workpiece W acts. As a result, the central portion of the workpiece W remains in close contact with the holding film 3, while the outer peripheral portion of the workpiece W separates from the holding film 3. In other words, by raising the suction plate 63 while supplying gas to the space R, a gap Hc is created between a part of the workpiece W (here, the outer periphery) and the holding film 3, as shown in FIG. It is formed. The gap portion Hc is a portion that serves as a trigger for separating the workpiece W from the holding film 3 (removal trigger). The process of separating a part of the entire surface of the workpiece W from the holding film 3 corresponds to the first separating process in the present invention.

ワークWのうち外周部を保持フィルム3から離脱させた後、図33に示すように吸着プレート63をさらに上昇させる。吸着プレート63をさらに上昇させることによって、吸着プレート63が保持しているワークWは、保持フィルム3との距離が大きくなる。そしてワークWおよび保持フィルム3に対してさらに剥離力が作用する。そのため、間隙部Hcが形成される領域はワークWの外周部から中央部に向かって徐々に拡がっていき、最終的にワークWは全面にわたって保持フィルム3から離脱される。ワークWが全面にわたって保持フィルム3から離脱されることにより、半導体装置11は吸着プレート63とともに支持テーブル61Aから完全に離脱される。 After the outer peripheral portion of the workpiece W is separated from the holding film 3, the suction plate 63 is further raised as shown in FIG. By further raising the suction plate 63, the distance between the workpiece W held by the suction plate 63 and the holding film 3 increases. Further, a peeling force acts on the workpiece W and the holding film 3. Therefore, the area in which the gap Hc is formed gradually expands from the outer periphery toward the center of the workpiece W, and finally the entire surface of the workpiece W is separated from the holding film 3. By removing the entire surface of the workpiece W from the holding film 3, the semiconductor device 11, together with the suction plate 63, is completely removed from the support table 61A.

ワークWの全面にわたって保持フィルム3から離脱されると、フィルム積層体5から離脱された半導体装置11は吸着プレート63によってワーク離脱機構20から搬出され、図示しない半導体装置収納部へと収納される。ワークWがフィルム積層体5から離脱されて半導体装置11が半導体装置収納部へと収納されることにより、ステップS5の工程は完了する。なおステップS6の工程は実施例1と共通するので説明を省略する。 When the entire surface of the workpiece W is detached from the holding film 3, the semiconductor device 11 detached from the film stack 5 is carried out from the workpiece detachment mechanism 20 by the suction plate 63 and stored in a semiconductor device storage section (not shown). The process of step S5 is completed by separating the work W from the film laminate 5 and storing the semiconductor device 11 in the semiconductor device storage section. Note that the process of step S6 is the same as in the first embodiment, so the description thereof will be omitted.

<実施例2の構成による効果>
実施例2に係るワーク処理装置1Aでは実施例1と同様に、ワークWに対して所定の処理を行う前段階として、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置させる工程を行う。保持フィルム3はワークWを平坦な状態で保持するので、半導体素子7を実装させる工程を例とするワークを処理する工程においてワークWの変形またはワークWの位置ズレが発生することを防止できる。
<Effects of the configuration of Example 2>
In the workpiece processing apparatus 1A according to the second embodiment, as in the first embodiment, a step of placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 is performed as a pre-stage to perform a predetermined process on the workpiece W. I do. Since the holding film 3 holds the workpiece W in a flat state, it is possible to prevent deformation of the workpiece W or displacement of the workpiece W in a process of processing the workpiece, for example, a process of mounting the semiconductor element 7.

保持フィルム3はワークWを保持するものであり、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置して密着させることによってワークWの平坦性が担保される。すなわち半導体素子7を実装させる工程などにおいてワークWが加熱される際に、ワークWが変形してワークWの一部がフィルム積層体5から浮き上がることを保持フィルム3によって防止できる。また保持フィルム3は強い剪断接着力を有する材料で構成されているので、保持フィルム3の表面(ここではxy平面)に沿う方向へワークWがずれることを確実に防止できる。 The holding film 3 holds the workpiece W, and by placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 and bringing it into close contact, the flatness of the workpiece W is ensured. That is, when the workpiece W is heated in the process of mounting the semiconductor element 7 or the like, the holding film 3 can prevent the workpiece W from being deformed and a part of the workpiece W from lifting off from the film laminate 5 . Furthermore, since the holding film 3 is made of a material having strong shear adhesive strength, it is possible to reliably prevent the workpiece W from shifting in the direction along the surface of the holding film 3 (here, the xy plane).

そして保持フィルム3の構成材料は連続気泡構造を備える多孔質体であるので、保持フィルム3にワークWを着装させる際に、保持フィルム3は気泡を咬み込むことなく柔軟に変形する。よって、保持フィルム3の表面はワークWの表面の形状に応じて精度よく変形し、保持フィルム3とワークWとはより広い範囲で接触するので、ワークWに対する保持フィルム3の保持力を向上できる。また、保持フィルム3の構成材料は連続気泡構造を備える多孔質体であるので、ワークWを保持フィルム3から離脱させる際に保持フィルム3の一部がワークWに残留することを好適に回避できる。そして保持フィルム3の一部がワークW上に残渣となることを防止できるので、フィルム積層体5の再利用が可能となりワークの処理効率向上および処理コスト低下が可能となる。 Since the constituent material of the holding film 3 is a porous body having an open cell structure, when the workpiece W is attached to the holding film 3, the holding film 3 deforms flexibly without trapping air bubbles. Therefore, the surface of the holding film 3 is deformed with high accuracy according to the shape of the surface of the workpiece W, and the holding film 3 and the workpiece W are in contact with each other over a wider range, so that the holding force of the holding film 3 with respect to the workpiece W can be improved. . Furthermore, since the constituent material of the holding film 3 is a porous body with an open cell structure, it is possible to suitably avoid a portion of the holding film 3 remaining on the workpiece W when the workpiece W is separated from the holding film 3. . Since a part of the holding film 3 can be prevented from becoming a residue on the workpiece W, the film laminate 5 can be reused, making it possible to improve workpiece processing efficiency and reduce processing costs.

そして実施例2では気体供給装置98を用いて保持フィルム3を変形させ、まずはワークWの一部において保持フィルム3との間に間隙部Hcを形成させる。そして間隙部HcをワークWの他の部分へと拡げていく。言い換えると、ワークWのうち一部を保持フィルム3から離脱させた後、徐々にワークWの残りの部分を保持フィルム3から離脱させていくことによってワークWの全面を保持フィルム3から離脱させる。 In the second embodiment, the holding film 3 is deformed using the gas supply device 98, and a gap Hc is first formed between the holding film 3 and a part of the workpiece W. Then, the gap Hc is expanded to other parts of the workpiece W. In other words, after a part of the workpiece W is separated from the holding film 3, the remaining part of the workpiece W is gradually removed from the holding film 3, thereby causing the entire surface of the workpiece W to be separated from the holding film 3.

この場合、ワークWを保持フィルム3から離脱させるための力(一例としてワークWを保持した吸着プレート63を上昇させる力)は、ワークWの一部に対する保持フィルム3の保持力と対抗する。すなわちワークWの全面にわたって同時に保持フィルム3から離脱させる場合は比較的大きな力が必要になる一方、ワークWの一部を保持フィルム3から離脱させるために必要な力は比較的小さい。よって、ワークWに作用させる力を低減させつつ容易にワークWを保持フィルム3から離脱できるとともに、保持フィルム3の保持力に起因してワークに損傷が発生する事態やワークに残渣が発生する事態をより確実に回避できる。 In this case, the force for separating the workpiece W from the holding film 3 (for example, the force for raising the suction plate 63 holding the workpiece W) opposes the holding force of the holding film 3 on a part of the workpiece W. That is, while a relatively large force is required to simultaneously separate the entire surface of the workpiece W from the holding film 3, the force required to separate part of the workpiece W from the holding film 3 is relatively small. Therefore, the workpiece W can be easily separated from the holding film 3 while reducing the force acting on the workpiece W, and a situation where the workpiece is damaged or a residue is generated on the workpiece due to the holding force of the holding film 3 can be avoided. can be avoided more reliably.

また、実施例2ではワークWと保持フィルム3との間に気体を供給させる必要がないので、フィルム積層体5に貫通孔85を形成させる必要がない。そのため、ワークWをフィルム積層体5から離脱させる工程をより単純化および短縮化させることができる。 Further, in the second embodiment, since there is no need to supply gas between the workpiece W and the holding film 3, there is no need to form the through holes 85 in the film laminate 5. Therefore, the process of separating the workpiece W from the film laminate 5 can be further simplified and shortened.

次に、本発明の実施例3を説明する。なお実施例3は実施例2と同様に、フィルム積層体5に貫通孔85を要しない構成となっている。実施例3は、ワーク離脱装置20の構成が他の実施例と相違する。実施例3に係るワーク離脱装置20Bは図34および図35に示すように、支持テーブル61Bと吸着プレート63Bとを備えている。 Next, Example 3 of the present invention will be described. Note that, similarly to Example 2, Example 3 has a configuration in which the through hole 85 is not required in the film laminate 5. The third embodiment differs from the other embodiments in the configuration of the workpiece removal device 20. As shown in FIGS. 34 and 35, the workpiece removal device 20B according to the third embodiment includes a support table 61B and a suction plate 63B.

支持テーブル61Bは中央部にワーク支持部64Bを備えており、ワーク支持部64Bはフィルム積層体5とともにワークWを保持するための吸着孔67を備えている。すなわち支持テーブル61Bは気体を供給する機構を備えていないという点において実施例1および実施例2と相違する。よって実施例3では流通孔65、流路68、電磁バルブ69、および気体供給装置70を例とする、気体の供給に要する構成を省略できる。 The support table 61B is provided with a workpiece support part 64B in the center, and the workpiece support part 64B is provided with a suction hole 67 for holding the workpiece W together with the film laminate 5. That is, the support table 61B is different from the first and second embodiments in that it does not have a mechanism for supplying gas. Therefore, in the third embodiment, the configuration required for supplying gas, such as the communication hole 65, the flow path 68, the electromagnetic valve 69, and the gas supply device 70, can be omitted.

吸着プレート63Bは、回転軸99を備えている。回転軸99は可動台75と接続されており、水平軸の軸周りに回転可能に構成される。実施例3において、回転軸99はy方向の軸周りに回動する。回転軸99が回転することにより、水平面(xy平面)に対する吸着プレート63Bの角度を適宜調整できる。図34は、吸着プレート63Bが水平である状態を示している。 The suction plate 63B includes a rotating shaft 99. The rotating shaft 99 is connected to the movable base 75 and is configured to be rotatable around the horizontal axis. In the third embodiment, the rotating shaft 99 rotates around an axis in the y direction. By rotating the rotating shaft 99, the angle of the suction plate 63B with respect to the horizontal plane (xy plane) can be adjusted as appropriate. FIG. 34 shows a state in which the suction plate 63B is horizontal.

吸着プレート63Bの下面101は、全体として凸状に湾曲している。当該下面101には、他の実施例と同様に吸着孔76が分散配置されている。ここで吸着孔76のうち、x方向について吸着プレート63Bの一端側(図34では左側)に配置されているものを吸着孔76aとする。また吸着プレート63Bの中央側に配置されている吸着孔76を吸着孔76bとし、吸着プレート63Bの他端側(図34では右側)に配置されている吸着孔76を吸着孔76cとして各々を区別する。 The lower surface 101 of the suction plate 63B is curved in a convex shape as a whole. On the lower surface 101, suction holes 76 are arranged in a dispersed manner as in other embodiments. Here, among the suction holes 76, those arranged on one end side (on the left side in FIG. 34) of the suction plate 63B in the x direction are referred to as suction holes 76a. In addition, the suction hole 76 located at the center of the suction plate 63B is referred to as a suction hole 76b, and the suction hole 76 located at the other end of the suction plate 63B (on the right side in FIG. 34) is referred to as a suction hole 76c. do.

実施例3では吸着プレート63Bが湾曲した下面101を備えることにより、吸着プレート63BはワークWのうち一部に接触できるように構成されている。そして吸着プレート63Bを傾斜させる回転軸99を備えることにより、吸着プレート63BがワークWに接触する領域をワークWの一端側から他端側へと順次変更できるように構成される。 In the third embodiment, the suction plate 63B has a curved lower surface 101, so that the suction plate 63B can contact a part of the workpiece W. By providing a rotating shaft 99 that tilts the suction plate 63B, the area in which the suction plate 63B contacts the workpiece W can be sequentially changed from one end of the workpiece W to the other end.

すなわち図37に示すように吸着プレート63Bの一端側が他端側より低くなるように傾斜している状態(以下、「左傾斜状態」とする)では、下面101のうち一端側がワークWに接触できるようになる。当該左傾斜状態では吸着孔76のうち吸着孔76aがワークW(半導体装置11)の一端側を吸着保持することができる。そして図34に示すように吸着プレート63Bが水平状態である場合、下面101の中央部がワークWに接触できるようになる。また図39に示すように吸着プレート63Bの他端側が一端側より低くなるように傾斜している状態(以下、「右傾斜状態」とする)では、下面101のうち他端側がワークWに接触できるようになる。当該右傾斜状態では吸着孔76のうち吸着孔76cがワークW(半導体装置11)の他端側を吸着保持することができる。 That is, in a state where one end of the suction plate 63B is inclined to be lower than the other end as shown in FIG. 37 (hereinafter referred to as a "leftward inclined state"), one end of the lower surface 101 can come into contact with the workpiece W. It becomes like this. In the leftward tilted state, the suction hole 76a of the suction holes 76 can suction and hold one end side of the workpiece W (semiconductor device 11). When the suction plate 63B is in a horizontal state as shown in FIG. 34, the central portion of the lower surface 101 can come into contact with the workpiece W. Further, as shown in FIG. 39, in a state where the other end of the suction plate 63B is inclined to be lower than the one end (hereinafter referred to as a "rightward inclined state"), the other end of the lower surface 101 comes into contact with the workpiece W. become able to. In the rightward tilted state, the suction hole 76c of the suction holes 76 can suction and hold the other end side of the workpiece W (semiconductor device 11).

ここで、実施例3に係るワーク処理装置1Bを用いてワークWの処理を行う一連の工程を説明する。なおステップS1ないしステップS4の工程について、実施例3は実施例1と共通するため説明を省略し、実施例3に係るステップS5の工程について説明する。なお説明の便宜上、半導体装置11において半導体素子7およびバンプ8の記載を省略している。 Here, a series of steps for processing a workpiece W using the workpiece processing apparatus 1B according to the third embodiment will be described. Note that the steps S1 to S4 in the third embodiment are the same as those in the first embodiment, so the explanation thereof will be omitted, and the step S5 according to the third embodiment will be explained. Note that for convenience of explanation, description of the semiconductor element 7 and bumps 8 in the semiconductor device 11 is omitted.

ステップS5(ワークの離脱)
実施例3においてステップS5の工程が開始されると、図示しない搬送機構によって半導体装置11をワーク離脱機構20Bへ搬送する。すなわち図36に示すように、半導体装置11は支持テーブル61Bのワーク支持部64Bに載置される。 半導体装置11がワーク支持部64Bに載置されると、制御部79は電磁バルブ72を開いて真空装置73を作動させ、吸着孔67を介して半導体装置11の外周部(具体的にはキャリア1の外周部)を吸着保持する。半導体装置11を吸着保持することにより、ワークWは支持テーブル61Bによって支持される。
Step S5 (removal of workpiece)
When the process of step S5 is started in the third embodiment, the semiconductor device 11 is transported to the work removal mechanism 20B by a transport mechanism (not shown). That is, as shown in FIG. 36, the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support portion 64B of the support table 61B. When the semiconductor device 11 is placed on the workpiece support portion 64B, the control portion 79 opens the electromagnetic valve 72 to operate the vacuum device 73, and the outer peripheral portion of the semiconductor device 11 (specifically, the carrier) is removed through the suction hole 67. 1) is held by suction. By suctioning and holding the semiconductor device 11, the workpiece W is supported by the support table 61B.

半導体装置11を吸着保持した後、実施例3では吸着プレート63Bを用いてワークWの一部を保持フィルム3から離脱させる操作を行う。まずは図37に示すように、回転軸99を左回りに回転させて吸着プレート63Bを左傾斜状態となるように変更させつつ、吸着プレート63Bを下降させて半導体装置11に接触させる。このとき、半導体装置11のうち一端側が吸着プレート63Bと接触する。すなわち吸着孔76のうち、下面101の一端側に配置されている吸着孔76aが半導体装置11の一端側に接触する。 After holding the semiconductor device 11 by suction, in the third embodiment, a part of the workpiece W is detached from the holding film 3 using the suction plate 63B. First, as shown in FIG. 37, the rotating shaft 99 is rotated counterclockwise to tilt the suction plate 63B to the left, and the suction plate 63B is lowered to contact the semiconductor device 11. At this time, one end of the semiconductor device 11 comes into contact with the suction plate 63B. That is, among the suction holes 76 , the suction holes 76 a disposed on one end side of the lower surface 101 come into contact with one end side of the semiconductor device 11 .

左傾斜状態となっている吸着プレート63Bを半導体装置11に接触させた後、制御部79は電磁バルブ78を開放するとともに真空装置80を作動させ、流路77の内部を排気させる。流路77の内部が排気されると、吸着プレート63Bは吸着孔76aを介して半導体装置11の上面のうち一端側の部分を吸着保持する。 After bringing the suction plate 63B, which is tilted to the left, into contact with the semiconductor device 11, the control unit 79 opens the electromagnetic valve 78 and operates the vacuum device 80 to evacuate the inside of the flow path 77. When the inside of the flow path 77 is evacuated, the suction plate 63B suction-holds a portion of the upper surface of the semiconductor device 11 on one end side through the suction hole 76a.

吸着プレート63Bが半導体装置11の一端側を吸着保持した後、制御部79は真空装置80を作動させつつ回転軸99を右回りに回転させる。回転軸99の回転により、図38に示すように吸着プレート63Bの姿勢は左傾斜状態から水平状態へ変更される。水平状態となることにより、吸着プレート63Bの中央部分に配置されている吸着孔76bが半導体装置11の中央部に接触して吸着する。すなわち吸着プレート63Bの姿勢を水平状態にすることで、新たにワークWの中央部分が吸着プレート63Bによって保持される。 After the suction plate 63B suction-holds one end of the semiconductor device 11, the control unit 79 rotates the rotating shaft 99 clockwise while operating the vacuum device 80. By the rotation of the rotating shaft 99, the attitude of the suction plate 63B is changed from the leftward tilted state to the horizontal state, as shown in FIG. By being in the horizontal state, the suction hole 76b arranged in the center of the suction plate 63B contacts and suctions the central part of the semiconductor device 11. That is, by setting the attitude of the suction plate 63B to a horizontal state, the central portion of the workpiece W is newly held by the suction plate 63B.

ここで回転軸99を回転させて吸着プレート63Bの姿勢を左傾斜状態から水平状態へ変更することにより、下面101の一端側は上昇する。このとき、下面101の一端側に設けられている吸着孔76aが半導体装置11の一端側を吸引保持している状態で下面101の一端側が上昇されるため、ワークWの一端側において保持フィルム3から離反させる力が作用する。 By rotating the rotating shaft 99 and changing the attitude of the suction plate 63B from the leftward tilted state to the horizontal state, one end side of the lower surface 101 is raised. At this time, since the one end side of the lower surface 101 is raised while the suction hole 76a provided on the one end side of the lower surface 101 is sucking and holding the one end side of the semiconductor device 11, the holding film 3 A force is applied to move the object away from the object.

保持フィルム3がワークWを保持する力は当該離反させる力と比べて弱いため、ワークW全面のうち一端側の部分は吸着プレート63Bの吸引力によって引き上げられ、保持フィルム3から離脱する。すなわちワークWのうち一端側の部分において保持フィルム3との間に間隙部Hcが形成される。実施例3において、間隙部Hcは実施例2と同様に離脱切っ掛けとなる。実施例3においてワークW全面のうち一端側を保持フィルム3から離脱させる過程は、本発明における第1離脱過程に相当する。実施例3において、吸着プレート63Bは本発明における部分吸着部材に相当する。 Since the force with which the holding film 3 holds the workpiece W is weaker than the force with which the workpiece W is separated, a portion of the entire surface of the workpiece W on one end side is pulled up by the suction force of the suction plate 63B and separated from the holding film 3. That is, a gap Hc is formed between the workpiece W and the holding film 3 at one end side. In the third embodiment, the gap Hc serves as a trigger for detachment as in the second embodiment. In Example 3, the process of separating one end of the entire surface of the workpiece W from the holding film 3 corresponds to the first separating process of the present invention. In the third embodiment, the suction plate 63B corresponds to a partial suction member in the present invention.

このとき、吸着プレート63BがワークWを保持フィルム3から離脱させる力は、ワークWの一部(ワークWの一端側部分)に対する保持フィルム3の保持力と対抗する。すなわちワークWの全面を同時に保持フィルム3から離脱させる構成に比べて、ワークWを保持フィルム3から離脱させる力が対抗する力の大きさは小さくなる。よって、ワークWに作用させる力を低減させつつ容易にワークWを保持フィルム3から離脱できるとともに、保持フィルム3の保持力に起因してワークに損傷が発生する事態やワークに残渣が発生する事態をより確実に回避できる。 At this time, the force by which the suction plate 63B causes the workpiece W to separate from the holding film 3 opposes the holding force of the holding film 3 against a portion of the workpiece W (one end side portion of the workpiece W). That is, compared to a configuration in which the entire surface of the workpiece W is removed from the holding film 3 at the same time, the magnitude of the force opposed by the force for separating the workpiece W from the holding film 3 is smaller. Therefore, the workpiece W can be easily separated from the holding film 3 while reducing the force acting on the workpiece W, and a situation where the workpiece is damaged or a residue is generated on the workpiece due to the holding force of the holding film 3 can be avoided. can be avoided more reliably.

吸着プレート63BがワークWの一端側を保持フィルム3から離脱させた後、制御部79はさらに回転軸99を右回りに回転させる。回転軸99の回転により、図39に示すように吸着プレート63Bの姿勢は水平状態から右傾斜状態へ変更される。右傾斜状態となることにより、吸着プレート63Bの他端側に配置されている吸着孔76cが半導体装置11の他端側に接触して吸着する。すなわち吸着プレート63Bの姿勢を右傾斜状態にすることで新たにワークWの他端側が吸着プレート63Bによって保持される。すなわち、ワークWの全面が吸着プレート63Bによって保持される。 After the suction plate 63B separates one end of the workpiece W from the holding film 3, the control unit 79 further rotates the rotation shaft 99 clockwise. By rotating the rotating shaft 99, the attitude of the suction plate 63B is changed from a horizontal state to a rightward tilted state, as shown in FIG. By being tilted to the right, the suction hole 76c disposed on the other end side of the suction plate 63B contacts and suctions the other end side of the semiconductor device 11. That is, by changing the posture of the suction plate 63B to the rightward tilted state, the other end side of the workpiece W is newly held by the suction plate 63B. That is, the entire surface of the workpiece W is held by the suction plate 63B.

回転軸99を回転させて吸着プレート63Bの姿勢を水平状態から右傾斜状態へ変更することにより、下面101の中央部は上昇する。このとき、下面101の中央部に設けられている吸着孔76bが半導体装置11の中央部を吸引保持している状態で下面101の中央部が上昇されるため、新たにワークWの中央部において保持フィルム3から離反させる力が作用する。その結果、ワークWの一端側に加えて新たにワークWの中央部が保持フィルム3から離脱される。すなわち間隙部Hcが形成される領域はワークWの一端側から中央部へと拡がっていく。 By rotating the rotating shaft 99 and changing the attitude of the suction plate 63B from a horizontal state to a rightward tilted state, the central portion of the lower surface 101 is raised. At this time, since the center of the lower surface 101 is raised while the suction hole 76b provided at the center of the lower surface 101 is sucking and holding the center of the semiconductor device 11, the center of the workpiece W is newly moved. A force is applied to separate the holding film 3. As a result, in addition to the one end side of the workpiece W, the central part of the workpiece W is newly detached from the holding film 3. That is, the region where the gap Hc is formed expands from one end of the workpiece W to the center.

吸着プレート63BがワークWの一端側および中央部を保持フィルム3から離脱させた後、図40に示すように吸着プレート63Bを上昇させる。吸着プレート63Bを上昇させることにより、ワークWの他端側部分も新たに保持フィルム3から離脱される。すなわち間隙部Hcが形成される領域はワークWの一端側から他端側まで拡がっていき、ワークWの全面が保持フィルム3から離脱される。 After the suction plate 63B separates one end side and the center portion of the workpiece W from the holding film 3, the suction plate 63B is raised as shown in FIG. By raising the suction plate 63B, the other end side portion of the workpiece W is also newly detached from the holding film 3. That is, the area where the gap Hc is formed expands from one end of the workpiece W to the other end, and the entire surface of the workpiece W is separated from the holding film 3.

このとき、吸着プレート63Bの上昇によってワークWを保持フィルム3から離脱させる力は、ワークWの一部(ワークWの他端側部分)に対する保持フィルム3の保持力と対抗する。すなわちワークWの全面を同時に保持フィルム3から離脱させる構成に比べて、ワークWを保持フィルム3から離脱させる力が対抗する力の大きさは小さくなるので、容易にワークWを保持フィルム3から離脱できる。 At this time, the force that causes the workpiece W to separate from the holding film 3 due to the rise of the suction plate 63B opposes the holding force of the holding film 3 against a portion of the workpiece W (the other end side portion of the workpiece W). That is, compared to a configuration in which the entire surface of the workpiece W is separated from the holding film 3 at the same time, the magnitude of the force that opposes the force for separating the workpiece W from the holding film 3 is smaller, so the workpiece W can be easily removed from the holding film 3. can.

ワークWの全面にわたって保持フィルム3から離脱されると、フィルム積層体5から離脱された半導体装置11は吸着プレート63Bによってワーク離脱機構20から搬出され、図示しない半導体装置収納部へと収納される。ワークWがフィルム積層体5から離脱されて半導体装置11が半導体装置収納部へと収納されることにより、ステップS5の工程は完了する。なおステップS6の工程は実施例1と共通するので説明を省略する。 When the entire surface of the workpiece W is detached from the holding film 3, the semiconductor device 11 detached from the film stack 5 is carried out from the workpiece detachment mechanism 20 by the suction plate 63B and stored in a semiconductor device storage section (not shown). The process of step S5 is completed by separating the work W from the film laminate 5 and storing the semiconductor device 11 in the semiconductor device storage section. Note that the process of step S6 is the same as in the first embodiment, so the description thereof will be omitted.

<実施例3の構成による効果>
実施例3に係るワーク処理装置1Bでは実施例1と同様に、ワークWに対して所定の処理を行う前段階として、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置させる工程を行う。保持フィルム3はワークWを平坦な状態で保持するので、半導体素子7を実装させる工程を例とするワークを処理する工程においてワークWの変形またはワークWの位置ズレが発生することを防止できる。
<Effects of the configuration of Example 3>
In the workpiece processing apparatus 1B according to the third embodiment, as in the first embodiment, a step of placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 is performed as a pre-stage to perform a predetermined process on the workpiece W. I do. Since the holding film 3 holds the workpiece W in a flat state, it is possible to prevent deformation of the workpiece W or displacement of the workpiece W in a process of processing the workpiece, for example, a process of mounting the semiconductor element 7.

保持フィルム3はワークWを保持するものであり、フィルム積層体5のうち保持フィルム3の側にワークWを載置して密着させることによってワークWの平坦性が担保される。すなわち半導体素子7を実装させる工程などにおいてワークWが加熱される際に、ワークWが変形してワークWの一部がフィルム積層体5から浮き上がることを保持フィルム3によって防止できる。また保持フィルム3は強い剪断接着力を有する材料で構成されているので、保持フィルム3の表面(ここではxy平面)に沿う方向へワークWがずれることを確実に防止できる。 The holding film 3 holds the workpiece W, and by placing the workpiece W on the holding film 3 side of the film laminate 5 and bringing it into close contact, the flatness of the workpiece W is ensured. That is, when the workpiece W is heated in the process of mounting the semiconductor element 7 or the like, the holding film 3 can prevent the workpiece W from being deformed and a part of the workpiece W from lifting off from the film laminate 5 . Furthermore, since the holding film 3 is made of a material having strong shear adhesive strength, it is possible to reliably prevent the workpiece W from shifting in the direction along the surface of the holding film 3 (here, the xy plane).

そして保持フィルム3の構成材料は連続気泡構造を備える多孔質体であるので、保持フィルム3にワークWを着装させる際に、保持フィルム3は気泡を咬み込むことなく柔軟に変形する。よって、保持フィルム3の表面はワークWの表面の形状に応じて精度よく変形し、保持フィルム3とワークWとはより広い範囲で接触するので、ワークWに対する保持フィルム3の保持力を向上できる。また、保持フィルム3の構成材料は連続気泡構造を備える多孔質体であるので、ワークWを保持フィルム3から離脱させる際に保持フィルム3の一部がワークWに残留することを好適に回避できる。そして保持フィルム3の一部がワークW上に残渣となることを防止できるので、フィルム積層体5の再利用が可能となりワークの処理効率向上および処理コスト低下が可能となる。 Since the constituent material of the holding film 3 is a porous body having an open cell structure, when the workpiece W is attached to the holding film 3, the holding film 3 deforms flexibly without trapping air bubbles. Therefore, the surface of the holding film 3 is deformed with high accuracy according to the shape of the surface of the workpiece W, and the holding film 3 and the workpiece W are in contact with each other over a wider range, so that the holding force of the holding film 3 with respect to the workpiece W can be improved. . Furthermore, since the constituent material of the holding film 3 is a porous body with an open cell structure, it is possible to suitably avoid a portion of the holding film 3 remaining on the workpiece W when the workpiece W is separated from the holding film 3. . Since a part of the holding film 3 can be prevented from becoming a residue on the workpiece W, the film laminate 5 can be reused, making it possible to improve workpiece processing efficiency and reduce processing costs.

そして実施例3では実施例2と同様に、まずはワークWの一部において保持フィルム3との間に間隙部Hcを形成させる。そして間隙部HcをワークWの他の部分へと拡げていく。すなわち回転軸99および湾曲した下面101を備える吸着プレート63Bを用いることにより、ワークWの全面のうち吸着プレート63Bによって保持される部分を適宜変更できる。当該構成により、ワークWのうち一端側の部分を保持フィルム3から離脱させた後、一端側から他端側に向かって徐々にワークWを保持フィルム3から離脱させていくことによってワークWの全面を保持フィルム3から離脱させる。 In Example 3, as in Example 2, first, a gap Hc is formed between a part of the workpiece W and the holding film 3. Then, the gap Hc is expanded to other parts of the workpiece W. That is, by using the suction plate 63B having the rotating shaft 99 and the curved lower surface 101, the portion of the entire surface of the workpiece W that is held by the suction plate 63B can be changed as appropriate. With this configuration, after one end of the workpiece W is separated from the holding film 3, the entire surface of the workpiece W is removed by gradually separating the workpiece W from the holding film 3 from one end to the other end. is separated from the holding film 3.

この場合、ワークWを保持フィルム3から離脱させるための力は、ワークWの一部に対する保持フィルム3の保持力と対抗する。すなわちワークWの全面にわたって同時に保持フィルム3から離脱させる場合と比べて、ワークWの一部を保持フィルム3から離脱させるために必要な力を小さくできる。よって、ワークWに作用させる力を低減させつつ容易にワークWを保持フィルム3から離脱できるとともに、保持フィルム3の保持力に起因してワークに損傷が発生する事態やワークに残渣が発生する事態をより確実に回避できる。 In this case, the force for separating the workpiece W from the holding film 3 opposes the holding force of the holding film 3 on a part of the workpiece W. That is, the force required to separate part of the workpiece W from the holding film 3 can be reduced compared to the case where the entire surface of the workpiece W is removed from the holding film 3 at the same time. Therefore, the workpiece W can be easily separated from the holding film 3 while reducing the force acting on the workpiece W, and a situation where the workpiece is damaged or a residue is generated on the workpiece due to the holding force of the holding film 3 can be avoided. can be avoided more reliably.

また、実施例3では実施例2と同様にワークWと保持フィルム3との間に気体を供給させる必要がないので、フィルム積層体5に貫通孔85を形成させる必要がない。そのため、ワークWをフィルム積層体5から離脱させる工程をより単純化および短縮化させることができる。そして実施例3では支持テーブル61Bに気体を供給する必要もないので、気体を供給する機構を省略できる。そのため、支持テーブル61Bなどの構成をより単純化できる。 Further, in the third embodiment, as in the second embodiment, there is no need to supply gas between the workpiece W and the holding film 3, so there is no need to form the through holes 85 in the film laminate 5. Therefore, the process of separating the workpiece W from the film laminate 5 can be further simplified and shortened. In the third embodiment, there is no need to supply gas to the support table 61B, so the mechanism for supplying gas can be omitted. Therefore, the configuration of the support table 61B and the like can be further simplified.

<他の実施形態>
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。例として、本発明は下記のように変形実施することができる。
<Other embodiments>
Note that the embodiments disclosed herein are illustrative in all respects and are not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims rather than the description of the embodiments described above, and further includes all changes (modifications) within the meaning and range equivalent to the claims. By way of example, the present invention can be modified as follows.

(1)実施例1において、ステップS5において気体供給装置70を作動させてワークWと保持フィルム3との間に気体Arを供給する前に、吸着プレート63を下降させて半導体装置11の上面に当接または近接させてもよい。ステップS5において気体供給装置70を作動させることにより、気体ArがワークWと保持フィルム3との間に供給されて半導体装置11が過度に浮き上がって水平方向における位置がずれる場合がある。また、半導体装置11のうち流通孔65の周囲の部分が他の部分に比べて大きく浮き上がり、半導体装置11が変形する事態も懸念される。 (1) In Embodiment 1, before operating the gas supply device 70 to supply gas Ar between the workpiece W and the holding film 3 in step S5, the suction plate 63 is lowered to the upper surface of the semiconductor device 11. They may be in contact with or close to each other. By activating the gas supply device 70 in step S5, gas Ar is supplied between the workpiece W and the holding film 3, and the semiconductor device 11 may be lifted up excessively and the position in the horizontal direction may be shifted. There is also a concern that the portion of the semiconductor device 11 around the communication hole 65 may be lifted up more than other portions, causing the semiconductor device 11 to deform.

そこで吸着プレート63を半導体装置11に当接または近接させた状態で気体供給装置70を作動させることにより、下方から供給される気体Arによって半導体装置11の全部または一部が一定以上浮き上がることを吸着プレート63によって抑止できる。そのため、気体を供給する過程において半導体装置11の位置ズレまたは変形が発生する事態を好適に回避できる。 Therefore, by operating the gas supply device 70 with the suction plate 63 in contact with or close to the semiconductor device 11, the gas Ar supplied from below can adsorb all or part of the semiconductor device 11 from rising above a certain level. This can be suppressed by the plate 63. Therefore, it is possible to suitably avoid a situation in which the semiconductor device 11 is displaced or deformed during the gas supply process.

(2)実施例1において、吸着プレート63は下面が扁平である構成に限られない。すなわち図41に示すように、吸着プレート63は中央部に凹部103を備えるとともに外周部に環状の凸部105を備える構成であってもよい。この場合、吸着プレート63は凸部105に吸着孔76を備えており、当該吸着孔76を介して半導体装置11の外周部を吸着保持する。一方、半導体装置11の中央部は吸着プレート63によって保持されない。 (2) In the first embodiment, the suction plate 63 is not limited to having a flat bottom surface. That is, as shown in FIG. 41, the suction plate 63 may have a concave portion 103 at the center and an annular convex portion 105 at the outer periphery. In this case, the suction plate 63 has a suction hole 76 in the convex portion 105 and suctions and holds the outer peripheral portion of the semiconductor device 11 through the suction hole 76 . On the other hand, the central portion of the semiconductor device 11 is not held by the suction plate 63.

このように凹部103を備える吸着プレート63を用いる変形例では、ステップS5において図42に示すように、吸着プレート63を下降させて半導体装置11の外周部に凸部105を当接または近接させた状態で気体供給装置70を作動させる。この場合、貫通孔85を経由してワークWと保持フィルム3との間に気体Arが供給されることによって、ワークWと保持フィルム3との間に間隙部Hbが形成される。 In the modified example using the suction plate 63 having the concave portion 103, the suction plate 63 is lowered in step S5 to bring the convex portion 105 into contact with or close to the outer periphery of the semiconductor device 11, as shown in FIG. In this state, the gas supply device 70 is operated. In this case, gas Ar is supplied between the workpiece W and the holding film 3 via the through hole 85, thereby forming a gap Hb between the workpiece W and the holding film 3.

このとき半導体装置11の外周部は、吸着プレート63の凸部105によって一定以上に浮き上がることを抑止される。一方、吸着プレート63の凹部103は半導体装置11から離れた位置にあるので、半導体装置11の中央部は吸着プレート63による抑止を受けない。このような凹部103を備える吸着プレート63を用いる場合、気体の供給によって半導体装置11(すなわちワークW)が過度に浮き上がることを抑止しつつ、半導体装置11の中央部に過度なストレスが加わることを防止できる。 At this time, the outer peripheral portion of the semiconductor device 11 is prevented from rising above a certain level by the convex portion 105 of the suction plate 63. On the other hand, since the recess 103 of the suction plate 63 is located away from the semiconductor device 11, the central portion of the semiconductor device 11 is not restrained by the suction plate 63. When using the suction plate 63 having such a concave portion 103, it is possible to prevent the semiconductor device 11 (that is, the workpiece W) from being lifted up excessively by supplying gas, and to prevent excessive stress from being applied to the central portion of the semiconductor device 11. It can be prevented.

すなわち流通孔65の配置によっては、気体供給装置70によって供給される気体Arが半導体装置11の全面のうち特に中央部に集中しやすいことがある。そのため、半導体装置11の外周部に比べて中央部は浮き上がりやすい場合がある。この場合に扁平な下面を有する吸着プレート63で半導体装置11の浮き上がりを抑止した場合、外周部と比べて比較的浮き上がりやすい中央部は吸着プレート63によって速やかに抑止される一方で気体Arによって比較的大きい上向きの力を受け続けることとなる。その結果、半導体装置11の中央部に強いストレスが加わることが懸念される。 That is, depending on the arrangement of the communication holes 65, the gas Ar supplied by the gas supply device 70 may be likely to concentrate particularly in the central portion of the entire surface of the semiconductor device 11. Therefore, the central portion of the semiconductor device 11 may be more likely to rise than the outer peripheral portion. In this case, if the lifting of the semiconductor device 11 is suppressed by the suction plate 63 having a flat lower surface, the central part, which is relatively easy to lift compared to the outer periphery, is quickly suppressed by the suction plate 63, while being relatively It will continue to receive a large upward force. As a result, there is a concern that strong stress may be applied to the central portion of the semiconductor device 11.

これに対し、中央部に凹部103を有する吸着プレート63を用いることにより、半導体装置11の外周部は好適に浮き上がりを抑止できる一方、中央部については浮き上がりを抑止させないためストレスが発生することを回避できる。そしてワークWの外周部は吸着プレート63による抑止を受けて浮き上がりが防止されるので、ワークWの位置が水平方向にずれることも回避できる。当該変形例において、吸着プレート63は本発明におけるワーク抑止部材に相当する。 On the other hand, by using the adsorption plate 63 having the recess 103 in the center part, the outer peripheral part of the semiconductor device 11 can be suitably prevented from lifting up, but the central part is not prevented from lifting up, thereby avoiding the occurrence of stress. can. The outer periphery of the workpiece W is restrained by the suction plate 63 and is prevented from floating, so that the position of the workpiece W can be prevented from shifting in the horizontal direction. In this modification, the suction plate 63 corresponds to the workpiece restraining member in the present invention.

(3)各実施例において、すでにフィルム積層体供給部にフィルム積層体5が収納されている状態でワークWの処理を行う構成を例示したがこれに限られない。すなわちワーク処理装置1において、キャリア1と保持フィルム3とを積層させてフィルム積層体5を作成してもよい。 (3) In each of the embodiments, a configuration is illustrated in which the workpiece W is processed in a state where the film laminate 5 is already stored in the film laminate supply unit, but the present invention is not limited to this. That is, in the workpiece processing apparatus 1, the carrier 1 and the holding film 3 may be laminated to form the film laminate 5.

このような変形例では、ワーク処理装置1はフィルム積層機構111をさらに備えている。フィルム積層機構111は図43(a)などに示すようにキャリア1を支持する載置テーブル113を備えており、キャリア1と保持フィルム3とを積層させてフィルム積層体5を作成する。載置テーブル113は図示しない真空装置と接続されており、キャリア1を吸着保持する構成であることが好ましい。 In such a modification, the workpiece processing apparatus 1 further includes a film lamination mechanism 111. The film stacking mechanism 111 includes a mounting table 113 that supports the carrier 1, as shown in FIG. Preferably, the mounting table 113 is connected to a vacuum device (not shown) and is configured to attract and hold the carrier 1.

フィルム積層機構111を備える変形例では、ステップS1の前工程として、フィルム積層体5を作成する工程を実行する。フィルム積層機構111を用いてフィルム積層体5を作成する工程の一例を図43(a)に示す。当該工程では、図示しないキャリア供給部からキャリア1がフィルム積層機構111へ搬送され、キャリア1が載置テーブル113に載置される。載置テーブル113は真空装置によってキャリア1を吸着保持する。その後、図示しないフィルム供給部から保持フィルム3がフィルム積層機構111へ搬送され、キャリア1の上に保持フィルム3を積層させることによってフィルム積層体5が形成される。 In a modified example including the film stacking mechanism 111, a step of creating the film laminate 5 is performed as a pre-process of step S1. An example of the process of creating the film laminate 5 using the film lamination mechanism 111 is shown in FIG. 43(a). In this step, the carrier 1 is transported from a carrier supply section (not shown) to the film stacking mechanism 111, and is placed on the mounting table 113. The mounting table 113 attracts and holds the carrier 1 using a vacuum device. Thereafter, the holding film 3 is conveyed from a film supply section (not shown) to the film lamination mechanism 111, and the holding film 3 is laminated on the carrier 1, thereby forming the film laminate 5.

フィルム積層体5は、液状のフィルム材をキャリア1の表面に塗布して保持フィルム3の層を形成させることで作成してもよい。当該別の変形例において、フィルム積層機構111は図43(b)に示すように、載置テーブル113に加えて塗布部材115を備えている。塗布部材115は一例としてダイコーターまたはハケなどを用いることができるが、キャリア1の上面に保持フィルム3の層を形成させるものであれば特に限定されない。 The film laminate 5 may be created by applying a liquid film material to the surface of the carrier 1 to form a layer of the holding film 3. In this other modification, the film laminating mechanism 111 includes a coating member 115 in addition to the mounting table 113, as shown in FIG. 43(b). For example, a die coater or a brush can be used as the coating member 115, but there is no particular limitation as long as the coating member 115 forms a layer of the holding film 3 on the upper surface of the carrier 1.

塗布部材115を備えるフィルム積層機構111を用いてフィルム積層体5を作成する工程は図43(b)に示す通りである。すなわちキャリア1を載置テーブル113に吸着保持させた後、塗布部材115はキャリア1の上面に液状のフィルム材(一例として液状のシリコーン多孔質体)を塗布する。液状のフィルム材が塗布されることにより、キャリア1の層の上に保持フィルム3の層が形成される。液状のフィルム材が塗布された後、当該フィルム材を乾燥させことにより当該フィルム材は固形のシート状となり、キャリア1の層と固形のシート状になっている保持フィルム3の層とが積層されたフィルム積層体5が作成される。 The process of creating the film laminate 5 using the film laminate mechanism 111 equipped with the coating member 115 is as shown in FIG. 43(b). That is, after the carrier 1 is adsorbed and held on the mounting table 113, the coating member 115 coats the upper surface of the carrier 1 with a liquid film material (for example, a liquid silicone porous material). A layer of holding film 3 is formed on the layer of carrier 1 by applying the liquid film material. After the liquid film material is applied, the film material becomes a solid sheet by drying, and the layer of the carrier 1 and the layer of the holding film 3, which is in the form of a solid sheet, are laminated. A film laminate 5 is produced.

また、フィルム積層機構111はフィルム積層体5に貫通孔85を形成させることにより、実施例1などに用いられるフィルム積層体5を作成してもよい。フィルム積層体5に貫通孔85を形成させる変形例では図43(c)に示すように、フィルム積層機構111は穿孔部材117をさらに備えている。またフィルム積層体5に貫通孔85を形成させる数および位置に応じて、載置テーブル113の上面に凹部119が設けられている。 Further, the film stacking mechanism 111 may create the film stack 5 used in Example 1 and the like by forming the through holes 85 in the film stack 5. In a modified example in which through-holes 85 are formed in the film laminate 5, the film laminate mechanism 111 further includes a perforation member 117, as shown in FIG. 43(c). Further, recesses 119 are provided on the upper surface of the mounting table 113 depending on the number and position of the through holes 85 formed in the film laminate 5 .

穿孔部材117を備えるフィルム積層機構111を用いて、貫通孔85を有するフィルム積層体5を作成する場合、図43(a)または図43(b)に示されるような工程でキャリア1に保持フィルム3を積層させた後、穿孔部材117を用いて貫通孔85を形成させる。すなわち図43(c)に示すように、穿孔部材117をz方向の軸周りに回転させつつフィルム積層体5に向けて下降させる。穿孔部材117は保持フィルム3の層に貫通孔83を形成させるとともにキャリア1の層に貫通孔81を形成させる。その結果、フィルム積層体5にはキャリア1の下面から保持フィルム3の上面にわたって貫通する貫通孔85が形成される。フィルム積層機構111において所望の構成を有するフィルム積層体5が作成されると、フィルム積層体5は積層体載置機構13へ搬送されてステップS1の工程が行われる。 When creating a film laminate 5 having through-holes 85 using the film stacking mechanism 111 equipped with the perforation member 117, a holding film is attached to the carrier 1 in a process as shown in FIG. 43(a) or FIG. 43(b). 3 are stacked, a through hole 85 is formed using a punching member 117. That is, as shown in FIG. 43(c), the perforating member 117 is lowered toward the film laminate 5 while being rotated around the axis in the z direction. The perforation member 117 forms the through holes 83 in the layer of the holding film 3 and the through holes 81 in the layer of the carrier 1. As a result, a through hole 85 is formed in the film laminate 5 , penetrating from the bottom surface of the carrier 1 to the top surface of the holding film 3 . When the film laminate 5 having a desired configuration is created in the film stacking mechanism 111, the film laminate 5 is conveyed to the laminate mounting mechanism 13 and the process of step S1 is performed.

(4)各実施例において、ステップS3に係る半導体素子7をワークWに実装させる過程、およびステップS4に係る封止材9で封止する過程をワークW処理過程として例示したが、ワークWを処理する過程はこれに限られない。ワークWを処理する過程の他の例として、支持用の粘着テープ(ダイシングテープ)または回路保護用の粘着テープを例とするシート材をワークWに貼り付ける過程、ワークWに対して金属など蒸着させる過程、ワークWを研削する過程などが挙げられる。 (4) In each embodiment, the process of mounting the semiconductor element 7 on the workpiece W in step S3 and the process of sealing it with the sealing material 9 in step S4 are illustrated as the workpiece W processing process. The processing process is not limited to this. Other examples of the process of processing the workpiece W include the process of attaching a sheet material, such as a support adhesive tape (dicing tape) or a circuit protection adhesive tape, to the workpiece W, and the process of depositing metal, etc. on the workpiece W. Examples include the process of grinding the workpiece W, and the process of grinding the workpiece W.

(5)各実施例において、ワーク処理過程としてワークWに半導体素子7を実装させて半導体装置11を製造する過程を用いたため、ステップS1においてフィルム積層体5を載置させる際に用いられる支持テーブル21とステップS5においてワークWを離脱させる際に用いられる支持テーブル61とは別のテーブルである構成を例示したがこれに限られない。すなわちワークWを処理する過程によっては、ステップS1の過程とステップS5の過程とを同一の支持テーブル(一例として支持テーブル61)の上で行ってもよい。 (5) In each example, since the process of manufacturing the semiconductor device 11 by mounting the semiconductor element 7 on the workpiece W was used as the workpiece processing process, the support table used when placing the film laminate 5 in step S1 21 and step S5 in which the support table 61 used for detaching the workpiece W is used as a separate table, the present invention is not limited to this. That is, depending on the process of processing the workpiece W, the process of step S1 and the process of step S5 may be performed on the same support table (for example, the support table 61).

1 … キャリア
3 … 保持フィルム
5 … フィルム積層体
7 … 半導体素子
8 … バンプ
9 … 封止材
11 … 半導体装置
13 … 積層体載置機構
15 … ワーク着装機構
17 … 半導体実装機構
19 … 封止機構
20 … ワーク離脱機構
21 … 搬送アーム
25 … ワーク供給部
27 … ワーク搬送機構
29 … チャンバ
30 … レール
31 … 支持テーブル
35 … 押圧部材
37 … シリンダ
39 … 真空装置
40 … 電磁バルブ
41 … 電磁バルブ
43 … 制御部
47 … 上部金型
49 … 上部金型
50 … 金型
53 … 封止材供給部
55 … 保持テーブル
59 … アクチュエータ
61 … 支持テーブル
63 … 吸着プレート
64 … ワーク支持部
65 … 流通孔
67 … 吸着孔
68 … 流路
69 … 電磁バルブ
70 … 気体供給装置
71 … 流路
72 … 電磁バルブ
73 … 真空装置
75 … 可動台
76 … 吸着孔
77 … 流路
78 … 電磁バルブ
79 … 制御部
80 … 真空装置
81 … 貫通孔
83 … 貫通孔
85 … 貫通孔
91 … 凹部
93 … 外周部
95 … 気体流通孔
96 … 流路
97 … 電磁バルブ
98 … 気体供給装置
99 … 回転軸
101 … 下面
103 … 凹部
105 … 凸部
107 … 下面
111 … フィルム積層機構
113 … 載置テーブル
115 … 塗布部材
117 … 穿孔部材
W … ワーク
Hb … 間隙部
Hc … 間隙部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Carrier 3... Holding film 5... Film laminate 7... Semiconductor element 8... Bump 9... Sealing material 11... Semiconductor device 13... Laminate mounting mechanism 15... Workpiece mounting mechanism 17... Semiconductor mounting mechanism 19... Sealing mechanism 20... Work removal mechanism 21... Transfer arm 25... Work supply unit 27... Work transfer mechanism 29... Chamber 30... Rail 31... Support table 35... Pressing member 37... Cylinder 39... Vacuum device 40... Solenoid valve 41... Solenoid valve 43... Control part 47... Upper mold 49... Upper mold 50... Mold 53... Sealing material supply part 55... Holding table 59... Actuator 61... Support table 63... Suction plate 64... Work support part 65... Distribution hole 67... Adsorption Hole 68... Channel 69... Electromagnetic valve 70... Gas supply device 71... Channel 72... Electromagnetic valve 73... Vacuum device 75... Movable table 76... Adsorption hole 77... Channel 78... Electromagnetic valve 79... Control unit 80... Vacuum device 81...Through hole 83...Through hole 85...Through hole 91...Recess 93...Outer periphery 95...Gas flow hole 96...Flow path 97...Solenoid valve 98...Gas supply device 99...Rotary shaft 101...Lower surface 103...Recess 105...Convex Part 107... Lower surface 111... Film stacking mechanism 113... Placing table 115... Coating member 117... Punching member W... Workpiece Hb... Gap portion Hc... Gap portion

Claims (18)

ワークを保持する保持フィルムが支持体の上に積層されたフィルム積層体を支持テーブルに載置する積層体載置過程と、
前記フィルム積層体のうち前記保持フィルムの側に前記ワークを載置して前記保持フィルムに前記ワークを保持させるワーク保持過程と、
前記ワークに対して所定の処理を行うワーク処理過程と、
前記ワークを前記フィルム積層体から離脱させるワーク離脱過程と、
を備え、
前記保持フィルムは、シリコーン化合物、フッ素化合物、またはポリイミドを含む多孔質体で構成されている
ことを特徴とするワーク処理方法。
a laminate placing step of placing a film laminate in which a holding film for holding a workpiece is laminated on a support on a support table;
a work holding step of placing the work on the holding film side of the film laminate and causing the holding film to hold the work;
a workpiece processing step of performing a predetermined process on the workpiece;
a work separation step of separating the work from the film laminate;
Equipped with
A method for processing a workpiece, wherein the holding film is made of a porous material containing a silicone compound, a fluorine compound, or a polyimide.
請求項1に記載のワーク処理方法において、
前記ワーク離脱過程は、
前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給することによって前記保持フィルムの保持力を低減させる気体供給過程と、
前記気体供給過程によって保持力が低減した前記保持フィルムから前記ワークを離間させるワーク離間過程と、
を備えることを特徴とするワーク処理方法。
The workpiece processing method according to claim 1,
The work separation process is
a gas supply step of reducing the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film;
a work separation process of separating the work from the holding film whose holding force has been reduced by the gas supply process;
A workpiece processing method comprising:
請求項2に記載のワーク処理方法において、
前記フィルム積層体は、前記支持テーブルに載置される面から前記ワークを保持する面まで連通する1または2以上の通気孔を有しており、
前記気体供給過程は、
前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 2,
The film laminate has one or more ventilation holes communicating from the surface placed on the support table to the surface holding the workpiece,
The gas supply process includes:
A workpiece processing method, comprising: reducing the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole.
請求項3に記載のワーク処理方法において、
前記ワーク離脱過程は、
ワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接過程を備え、
前記気体供給過程は、
前記近接過程の後、前記ワークを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 3,
The work separation process is
an approaching step of bringing the workpiece restraining member into contact with or close to the outer circumference of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film;
The gas supply process includes:
After the approach process, the holding force of the holding film is increased by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole while stopping the workpiece with the workpiece restraining member. A workpiece processing method characterized by reducing .
請求項4に記載のワーク処理方法において、
前記近接過程は、
中央部に凹部を有しているワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させ、
前記気体供給過程は、
前記近接過程の後、前記ワークの外周部を前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 4,
The proximity process is
Bringing a workpiece restraining member having a recessed portion in the center into contact with or close to an outer peripheral portion of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film,
The gas supply process includes:
After the approach process, while the outer periphery of the workpiece is restrained by the workpiece restraining member, gas is supplied between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole, thereby removing the holding film. A workpiece processing method characterized by reducing the holding force of.
請求項1に記載のワーク処理方法において、
前記ワーク離脱過程は、
前記保持フィルムが前記ワークを保持している面のうち一部の領域において前記ワークと前記保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、前記一部の領域において前記ワークを前記保持フィルムから離脱させる第1離脱過程と、
前記間隙部を前記一部の領域から前記一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる第2離脱過程と、
を備えることを特徴とするワーク処理方法。
The workpiece processing method according to claim 1,
The work separation process is
Forming a gap between the workpiece and the holding film in a part of the surface of the holding film holding the workpiece, and causing the workpiece to separate from the holding film in the part of the area. a first withdrawal process;
a second detachment step of detaching the entire surface of the workpiece from the holding film by widening the gap from the partial region to a region other than the partial region;
A workpiece processing method comprising:
請求項6に記載のワーク処理方法において、
前記支持テーブルは中央部に凹部を有しており前記フィルム積層体の外周部を支持するように構成されており、
前記第1離脱過程は、
前記支持テーブルの前記凹部に気体を供給して前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、
前記第2離脱過程は、
前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 6,
The support table has a recessed part in the center and is configured to support the outer peripheral part of the film laminate,
The first withdrawal process is
supplying gas to the recessed portion of the support table to deform the central portion of the film laminate into a convex shape, thereby separating the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film;
The second withdrawal process is
A method for processing a workpiece, characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap from the outer periphery to the center.
請求項6に記載のワーク処理方法において、
前記第1離脱過程は、
前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材で前記ワークを吸着保持した状態で、前記部分吸着部材を前記フィルム積層体から離間させることによって前記ワークのうち前記一端側を前記保持フィルムから離脱させ、
前記第2離脱過程は、
前記間隙部を前記ワークのうち前記一端側から他端側へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 6,
The first withdrawal process is
While the workpiece is being suctioned and held by a partial suction member that suctions one end side of the surface of the workpiece that is not held by the holding film, by separating the partial suction member from the film laminate, one of the workpieces is removed. separating the one end side from the holding film;
The second withdrawal process is
A method for processing a workpiece, characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap from the one end side to the other end side of the workpiece.
請求項6に記載のワーク処理方法において、
前記第1離脱過程は、
前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、
前記第2離脱過程は、
前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理方法。
In the work processing method according to claim 6,
The first withdrawal process is
deforming the central portion of the film laminate into a convex shape to separate the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film;
The second withdrawal process is
A method for processing a workpiece, characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap from the outer periphery to the center.
ワークを保持する保持フィルムが支持体の上に積層されたフィルム積層体を支持する支持テーブルと、
前記フィルム積層体を前記支持テーブルに載置する積層体載置機構と、
前記フィルム積層体のうち前記保持フィルムの側に前記ワークを載置して前記保持フィルムに前記ワークを保持させるワーク載置機構と、
前記ワークに対して所定の処理を行うワーク処理機構と、
前記ワークを前記フィルム積層体から離脱させるワーク離脱機構と、
を備え、
前記保持フィルムはシリコーン化合物、フッ素化合物、またはポリイミドを含む多孔質体で構成されている
ことを特徴とするワーク処理装置。
a support table that supports a film laminate in which a holding film that holds a workpiece is laminated on a support;
a laminate placement mechanism that places the film laminate on the support table;
a workpiece mounting mechanism that places the workpiece on the holding film side of the film laminate and causes the holding film to hold the workpiece;
a work processing mechanism that performs predetermined processing on the work;
a work separation mechanism for separating the work from the film laminate;
Equipped with
A workpiece processing apparatus, wherein the holding film is made of a porous material containing a silicone compound, a fluorine compound, or a polyimide.
請求項10に記載のワーク処理装置において、
前記ワーク離脱機構は、
前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給することによって前記保持フィルムの保持力を低減させる気体供給機構と、
前記気体供給機構によって保持力が低減した前記保持フィルムから前記ワークを離間させるワーク離間機構と、
を備えることを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 10,
The workpiece removal mechanism is
a gas supply mechanism that reduces the holding force of the holding film by supplying gas between the workpiece and the holding film;
a work separation mechanism that separates the work from the holding film whose holding force is reduced by the gas supply mechanism;
A workpiece processing device comprising:
請求項11に記載のワーク処理装置において、
前記フィルム積層体は、前記支持テーブルに載置される面から前記ワークを保持する面まで連通する1または2以上の通気孔を有しており、
前記気体供給機構は、
前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 11,
The film laminate has one or more ventilation holes communicating from the surface placed on the support table to the surface holding the workpiece,
The gas supply mechanism includes:
A workpiece processing apparatus characterized in that the holding force of the holding film is reduced by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole.
請求項12に記載のワーク処理装置において、
前記ワーク離脱機構は、
ワーク抑止部材を、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させる近接機構を備え、
前記気体供給機構は、
前記ワークの外周部の浮き上がりを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 12,
The workpiece removal mechanism is
comprising a proximity mechanism that brings the workpiece restraining member into contact with or close to an outer peripheral portion of a surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film;
The gas supply mechanism includes:
The holding force of the holding film is increased by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole while suppressing lifting of the outer circumference of the workpiece with the workpiece suppressing member. A workpiece processing device characterized by reducing
請求項13に記載のワーク処理装置において、
前記近接機構は、
中央部に凹部を有しており、前記保持フィルムに保持されている前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部の浮き上がりを抑止するワーク抑止部材を、前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の外周部に当接または近接させ、
前記気体供給機構は、
前記ワークの外周部の浮き上がりを前記ワーク抑止部材で抑止させつつ、前記支持テーブルから前記通気孔を介して前記ワークと前記保持フィルムとの間に気体を供給させることによって前記保持フィルムの保持力を低減させる
ことを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 13,
The proximity mechanism is
A workpiece restraining member, which has a recessed portion in the center and prevents the outer periphery of the surface of the workpiece held by the holding film that is not held by the holding film from rising, is attached to the workpiece held by the holding film. Bring it into contact with or close to the outer periphery of the surface that is not held by the film,
The gas supply mechanism includes:
The holding force of the holding film is increased by supplying gas between the workpiece and the holding film from the support table through the ventilation hole while suppressing lifting of the outer circumference of the workpiece with the workpiece suppressing member. A workpiece processing device characterized by reducing
請求項10に記載のワーク処理装置において、
前記ワーク離脱機構は、
前記保持フィルムが前記ワークを保持している面のうち一部の領域において前記ワークと前記保持フィルムとの間に間隙部を形成させ、前記一部の領域において前記ワークを前記保持フィルムから離脱させる第1離脱機構と、
前記間隙部を前記一部の領域から前記一部の領域以外の領域にわたって拡げることにより、前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる第2離脱機構と、
を備えることを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 10,
The workpiece removal mechanism is
Forming a gap between the workpiece and the holding film in a part of the surface of the holding film holding the workpiece, and causing the workpiece to separate from the holding film in the part of the area. a first detachment mechanism;
a second detachment mechanism that detaches the entire surface of the work from the holding film by widening the gap from the partial region to a region other than the partial region;
A workpiece processing device comprising:
請求項15に記載のワーク処理装置において、
前記支持テーブルは中央部に凹部を有しており前記フィルム積層体の外周部を支持するように構成されており、
前記第1離脱機構は、
前記支持テーブルの前記凹部に気体を供給して前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、
前記第2離脱機構は、
前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 15,
The support table has a recessed part in the center and is configured to support the outer peripheral part of the film laminate,
The first detachment mechanism is
supplying gas to the recessed portion of the support table to deform the central portion of the film laminate into a convex shape, thereby separating the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film;
The second detachment mechanism is
A workpiece processing apparatus characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap portion from an outer peripheral portion to a central portion.
請求項15に記載のワーク処理装置において、
前記第1離脱機構は、
前記ワークのうち前記保持フィルムに保持されていない面の一端側を吸着する部分吸着部材と、
前記部分吸着部材が前記ワークの一端側を吸着した状態で、前記部分吸着部材を前記フィルム積層体から離間させることによって前記ワークのうち前記一端側を前記保持フィルムから離脱させる吸着部材離間機構と、
を備え、
前記第2離脱機構は、
前記間隙部を前記ワークのうち前記一端側から他端側へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理装置。
The work processing device according to claim 15,
The first detachment mechanism is
a partial suction member that suctions one end side of a surface of the workpiece that is not held by the holding film;
an adsorption member separation mechanism that separates the one end side of the workpiece from the holding film by separating the partial adsorption member from the film laminate while the partial adsorption member adsorbs one end side of the workpiece;
Equipped with
The second detachment mechanism is
A workpiece processing apparatus characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by expanding the gap portion from the one end side to the other end side of the workpiece.
請求項15に記載のワーク処理装置において、
前記第1離脱機構は、
前記フィルム積層体の中央部を凸状に変形させることによって前記ワークのうち外周部を前記保持フィルムから離脱させ、
前記第2離脱機構は、
前記間隙部を外周部から中央部へと拡げることによって前記ワークの全面を前記保持フィルムから離脱させる
ことを特徴とするワーク処理装置。

The work processing device according to claim 15,
The first detachment mechanism is
deforming the central portion of the film laminate into a convex shape to separate the outer peripheral portion of the workpiece from the holding film;
The second detachment mechanism is
A workpiece processing apparatus characterized in that the entire surface of the workpiece is separated from the holding film by widening the gap portion from an outer peripheral portion to a central portion.

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