KR20220082872A - 반도체 가공용 테이프 - Google Patents
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Abstract
충분한 요철 흡수성, 적당한 점착력, 대전 방지 성능을 갖고, 또한 반도체 가공용 테이프를 박리한 후에 접착제 잔여물이 발생하기 어렵고, 게다가 적은 제조 공정으로 제조 가능한 반도체 가공용 테이프를 제공한다. 반도체 가공용 테이프가, 기재 본체의 적어도 편면에 마련된 대전 방지층을 갖는 시트 형상의 기재와, 점착제층을 갖는다. 대전 방지층은 폴리피롤 화합물을 함유한다. 점착제층은, 점착제 조성물의 경화물이고, 두께가 50 내지 500㎛이다. 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 포함하는 (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함한다. 폴리우레탄(A)이, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a1)을 함유한다.
Description
본 발명은, 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 박형화의 요구에 수반하여, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정이 행하여지고 있다. 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 표면을 백그라인드 테이프로 보호한 상태에서, 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 박형화하고 있다.
본원은, 2019년 12월 17일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2019-227280호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래, 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여 사용되는 백그라인드 테이프로서, 다양한 것이 제안되어 있다. 근년, 백그라인드 테이프로서, 땜납 등을 포함하는 범프(전극)가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 등, 표면에 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼에 대해서도, 충분한 요철 흡수성을 가질 것이 요구되고 있다.
또한, 종래, 백그라인드 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에, 박리 대전이라고 불리는 정전기가 발생하여, 반도체 웨이퍼의 회로가 파괴되거나, 반도체 웨이퍼에 이물이 부착되거나 하는 경우가 있었다. 이 때문에, 백그라인드 테이프에 있어서는, 충분한 대전 방지 성능을 가질 것이 요구되고 있다.
박리 대전을 방지하기 위한 처리는, 점착제측에 실시하는 것이 효과적이라고 생각되고 있다. 그러나, 점착제 자체에 계면 활성제, 도전성 필러 및 카본 블랙과 같은 대전 방지 효과가 있는 재료를 첨가하면, 점착제의 물성이 바뀌어 버린다. 또한, 점착 물성이나 그 경시 변화의 조정 내지는 억제가 곤란해진다. 또한, 점착 테이프를 박리할 때에, 점착제나 첨가한 대전 방지 재료 자체가 피착체로 이행하여 피착체가 오염될 우려가 있다. 이 경우, 피착체의 표면에는 목시 가능한 접착제 잔여물이나 현미경 레벨의 파티클 형상물의 부착, 혹은 광학적으로 관측 불능인 액상물의 부착이 일어나, 이후의 공정에 있어서 부품의 접착 불량 등의 악영향을 미칠 가능성이 있다.
그와 같은 배경으로부터, 예를 들어 특허문헌 1에는, 요철 흡수성과 대전 방지 성능의 양쪽 성능을 겸비하는 백그라인드 테이프로서, 기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 대전 방지층과, 점착성 수지층을 이 차례로 구비하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착성 필름이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 점착성 필름은, 각 층을 각각 시트화한 후에 접합하여 제조할 필요가 있기 때문에, 제조 수순이 번잡하다. 또한, 백그라인드 테이프에 있어서는, 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 백그라인드 테이프에 충분한 강도로 고정할 수 있는 점착력을 가질 것이 요구된다. 그러나, 점착력이 높은 백그라인드 테이프를 피착체에 첩부하고 나서 피착체를 가공하고, 그 후에 백그라인드 테이프를 박리하면, 백그라인드 테이프의 점착제층이 피착체에 전사되는 접착제 잔여물이 발생하는 경우가 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 충분한 요철 흡수성, 적당한 점착력, 대전 방지 성능을 갖고, 또한 반도체 가공용 테이프를 박리한 후에 접착제 잔여물이 발생하기 어렵고, 게다가 적은 제조 공정으로 제조 가능한 반도체 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이하의 양태를 포함한다.
[1] 기재 본체와 상기 기재 본체의 적어도 편면에 마련된 대전 방지층을 갖는 시트 형상의 기재와, 상기 대전 방지층 상에 형성된 점착제층을 갖는 반도체 가공용 테이프이며,
상기 대전 방지층은 폴리피롤 화합물을 함유하고,
상기 점착제층은, 점착제 조성물의 경화물이고,
상기 점착제층의 두께가 50 내지 500㎛이고,
상기 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함하고,
상기 폴리우레탄(A)이, 폴리우레탄(a1)을 함유하고,
상기 폴리우레탄(a1)이, 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖고, 또한, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖고,
상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)가, 단관능 (메트)아크릴레이트와 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
[2] 상기 점착제층이, 단층 구조인 [1]에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[3] 상기 연쇄 이동제(C)가, 다관능 티올인 [1] 또는 [2]에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[4] 상기 점착제층의 겔 분율이 50 내지 65질량％인, [1] 내지 [3]의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[5] 상기 점착제층의 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 미만인, [1] 내지 [4]의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[6] 상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)가, 상기 단관능 (메트)아크릴레이트를 85 내지 99몰％, 상기 다관능 (메트)아크릴레이트를 1 내지 15몰％ 함유하는, [1] 내지 [5]의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[7] 상기 점착제 조성물이,
상기 폴리우레탄(A)을 20 내지 50질량％,
상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)를 35 내지 79질량％,
상기 연쇄 이동제(C)를 0.5 내지 8질량％,
상기 광중합 개시제(D)를 0.01 내지 5질량％ 포함하는, [1] 내지 [6]의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 테이프.
[8] 상기 점착제 조성물이, 지방산에스테르(E)를 더 함유하는, [1] 내지 [7]의 어느 것에 기재된 반도체 가공용 테이프.
본 발명에 따르면, 충분한 요철 흡수성, 적당한 점착력, 대전 방지 성능을 갖고, 또한 반도체 가공용 테이프를 박리한 후에 접착제 잔여물이 발생하기 어려운 반도체 가공용 테이프를 제공할 수 있다.
게다가, 본 발명의 반도체 가공용 테이프는, 점착제층이 점착제 조성물의 경화물이고, 충분한 요철 흡수성, 점착력을 갖기 때문에, 요철 흡수성을 갖는 층과 점착력을 갖는 층을 따로따로 마련하지 않아도 되고, 적은 제조 공정으로 제조 가능하다. 또한 대전 방지층을 갖는 기재 상에 점착제층을 형성함으로써 충분한 대전 방지 성능을 갖는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명의 반도체 가공용 테이프는, 표면에 범프가 형성된 반도체 웨이퍼 등, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체의 백그라인드 공정을 행할 때에, 표면을 보호하기 위하여 사용되는 백그라인드 테이프로서 적합하다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 기재하는 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
<반도체 가공용 테이프>
본 실시 형태에 있어서의 반도체 가공용 테이프는, 시트 형상의 기재와, 상기 기재의 편면에 형성된 점착제층을 갖는다. 상기 기재는, 기재 본체와, 상기 기재 본체의 적어도 편면에 마련된 대전 방지층을 갖는다. 상기 대전 방지층은 폴리피롤 화합물을 함유한다. 상기 점착제층은, 후술하는 점착제 조성물의 경화물이다. 상기 점착제층의 두께가 50 내지 500㎛이다. 상기 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함한다. 상기 폴리우레탄(A)이, 폴리우레탄(a1)을 함유한다. 상기 폴리우레탄(a1)이, 폴리옥시알킬렌 폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖고, 또한, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는다. 상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)가, 단관능 (메트)아크릴레이트와 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유한다.
또한, 여기에서 말하는 「테이프」에는 띠 형상의 것에 한하지 않고, 직사각형이나 원판 상의 시트도 포함된다.
(기재 본체)
기재 본체의 재질은, 적절히 선택 가능하고, 예를 들어 수지 재료 등을 들 수 있다. 수지 재료로서는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 시트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리이미드(PI); 폴리페닐렌술피드(PPS); 에틸렌아세트산비닐(EVA); 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등을 들 수 있다. 이들의 수지 재료 중에서도, 적당한 가요성을 갖는 시트가 얻어지기 때문에, PE, PP, PET를 사용하는 것이 바람직하다. 수지 재료는, 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
기재 본체로서 수지 재료를 포함하는 수지 시트를 사용하는 경우, 수지 시트는, 단층이어도 되고, 2층 이상의 다층 구조(예를 들어 3층 구조)여도 된다. 다층 구조를 갖는 수지 시트에 있어서, 각 층을 구성하는 수지 재료는, 1종만을 단독으로 포함하는 수지 재료여도 되고, 2종 이상을 포함하는 수지 재료여도 된다.
또한, 기재 본체의 대전 방지층이 형성되는 면에는, 필요에 따라, 산 처리, 알칼리 처리, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 자외선 처리, 오존 처리 등의 접착 용이화 처리가 실시되어 있어도 된다.
기재 본체의 두께는, 기재 본체의 재질 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 반도체 가공용 테이프가, 표면에 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼에 첩부되고, 그 후에 박리되는 용도에 사용되는 것인 경우, 또한, 반도체 가공용 테이프가 기재 본체로서 수지 시트를 사용하는 경우, 기재 본체의 두께는, 예를 들어 10 내지 1000㎛인 것이 바람직하고, 50 내지 300㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재 본체의 두께가 10㎛ 이상이면, 반도체 가공용 테이프의 강성(빳빳함)이 높아진다. 그 때문에, 반도체 가공용 테이프를, 피착체인 반도체 웨이퍼에 첩부하거나 박리하거나 할 때에 반도체 가공용 테이프에 주름 및 들뜸이 발생하기 어려워지는 경향이 있다. 또한, 기재 본체의 두께가 1000㎛ 이하이면, 반도체 웨이퍼에 첩부한 반도체 가공용 테이프를, 반도체 웨이퍼로부터 박리하기 쉬워지고, 작업성(취급성, 핸들링)이 양호해진다.
(대전 방지층)
기재 본체의 적어도 편면은 대전 방지층을 갖는다. 상기 대전 방지층은 폴리피롤 화합물을 함유한다. 상기 폴리피롤 화합물은, 피롤 및/또는 피롤 유도체의 중합체라면 특별히 한정되지 않고, 중합 성분으로서 피롤 및 피롤 유도체 이외의 다른 모노머를 소량 포함해도 된다. 피롤 유도체로서는, N-알킬피롤, 3-알킬피롤, 3,4-디알킬피롤, 3-알콕시피롤, 3,4-디알콕시피롤, 3-클로로피롤, 3,4-디클로로피롤 등을 들 수 있다. 폴리피롤 화합물을 함유하는 대전 방지층을 가짐으로써, 반도체 가공용 테이프의 대전 방지 효과의 경시 안정성 및 비오염성이 양호해진다.
대전 방지층을 마련하는 수단은, 특별히 한정되지 않고, 여러가지 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 이하의 방법 (i) 내지 (vi)을 들 수 있다.
(i) 피롤 및/또는 피롤 유도체를 디에틸에테르, 메탄올, 테트라히드로푸란(THF) 등의 유기 용매에 용해하고, 기재 본체에 도포한 후, 유기 용매를 건조 제거시키는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 평3-122115호);
(ii) 피롤 및/또는 피롤 유도체를 기재 본체에 도포한 후에, 염 또는 산의 유기 용매, 물 또는 그 혼합액 중에 침지하여 도핑한 후, 용매를 건조 제거시키는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 평4-285626호 공보);
(iii) 화학 산화 중합법에 따라 기재 본체를 넣은 처리액 중에 있어서, 화학 산화 중합 촉매와 도펀트의 존재 하, 피롤모노머의 중합을 행함으로써 기재 본체의 표면을 폴리피롤로 피복하는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 제2000-280335호 공보);
(iv) 피롤 및/또는 피롤 유도체로 표면 피복한 미립자를 함유하는 수용액을 기재 본체 표면에 도포하고, 건조 후 연신하는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 평8-58044호);
(v) 폴리피롤 및/또는 폴리피롤 유도체와, 유기 전자 수용체, 열가소성 수지를 함유하는 층을 기재 본체 표면에 적층시키는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 평10-278188호);
(vi) 폴리피롤 및/또는 폴리피롤 유도체의 미립자를, 고분자 분산제 및/또는 도펀트를 사용하여 친수성 용매에 분산하고, 또한 친수성 바인더 수지와 혼합하여 수지 조성물을 조제하고; 그 수지 조성물을 폴리머 필름 등의 기재 본체 상에 도포 후, 용매를 건조 제거하여 형성시키는 방법(예를 들어 일본 특허 공개 제2001-334598).
그 중에서도 기재 본체와의 밀착성, 점착층과의 밀착성의 관점에서 「(vi) 폴리피롤 및/또는 폴리피롤 유도체의 미립자를, 고분자 분산제 및/또는 도펀트를 사용하여 친수성 용매에 분산하고, 또한 수용성 또는 수분산성의 바인더 수지와 혼합하여 수지 조성물을 조제하고; 그 수지 조성물을 기재 본체 상에 도포 후, 용매를 건조 제거하여 형성시키는 방법」이 바람직하다. 예를 들어 바 코터, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 그라비아 코터, 사이즈 프레스 코터, 게이트 롤 코터 등의 공지된 도공 방법을 채용하면 된다.
대전 방지층의 막 두께로서는, 0.1 내지 20㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10㎛인 것이 보다 바람직하다. 대전 방지층의 두께가 이 범위라면, 충분한 대전 방지 성능이 발휘된다. 대전 방지층에 있어서의 폴리피롤 화합물의 함유량은, 바람직하게는 5 내지 80질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 70질량％이다. 5질량％ 이상이면, 충분한 대전 방지 성능이 얻어지고, 80질량％ 이하이면 경제성도 양호하다.
고분자 분산제로서는, 구체적으로는, 고분자산, 이들의 고분자산의 염, 및 이들 고분자산의 에스테르화물 등을 들 수 있고, 이들은 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다. 고분자산의 구체예는, 폴리스티렌술폰산, 폴리아크릴산, 폴리알릴술폰산, 알긴산 등의 고분자산을 포함한다. 고분자산의 염의 구체예는, 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등의 중화 염류를 포함한다.
도펀트로서는, 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 분자 형상의 요오드 및/또는 요오드 이온을 사용하는 것이 좋다. 요오드 이온을 사용하는 경우, 요오드 이온가는 특별히 규정되지 않는다. 요오드 및/또는 요오드 이온을 사용함으로써, 보다 도전성 및 기재 본체에 대한 밀착성이 향상된다.
수용성 또는 수분산성의 바인더 수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르, 폴리우레탄, 아크릴 수지, 비닐 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 각각의 골격 구조가 공중합 등에 의해 실질적으로 복합 구조를 갖고 있어도 된다. 복합 구조를 갖는 바인더 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지 그래프트 폴리에스테르, 아크릴 수지 그래프트 폴리우레탄, 비닐 수지 그래프트 폴리에스테르, 비닐 수지 그래프트 폴리우레탄 등을 들 수 있다. 이들의 수지를 함유함으로써, 대전 방지층의 강도나 기재 본체에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다. 수용성 또는 수분산성의 바인더 수지는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 수지 조성물에는, 필요에 따라, 가교 반응성 화합물을 포함하고 있어도 된다. 가교 반응성 화합물은 주로, 다른 수지나 화합물에 포함되는 관능기와의 가교 반응이나, 자기 가교에 의해, 도포층의 응집성, 표면 경도, 내찰상성, 내용제성, 내수성을 개량할 수 있다. 사용할 수 있는 가교 반응성 화합물로서는, 멜라민계, 벤조구아나민계, 요소계 등의 아미노 수지나, 옥사졸린계, 에폭시계, 글리옥살계 등이 적합하게 사용된다. 다른 폴리머 골격에 반응성 기를 갖게 한, 폴리머형 가교 반응성 화합물도 포함된다.
수지 조성물에는, 계면 활성제, 소포제, 도포성 개량제, 증점제, 유기계 윤활제, 유기 입자, 무기 입자, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 염료, 안료 등의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 이들의 첨가제는 단독으로 사용해도 되지만, 필요에 따라 2종 이상을 병용해도 된다.
(점착제층)
점착제층은, 기재의 대전 방지층 상에 형성되어 있다.
기재 본체의 양면에 대전 방지층이 형성되어 있는 경우에는, 그 어느 쪽인가 한쪽 면에 점착제층이 형성되어 있다.
점착제층은, 후술하는 점착제 조성물의 경화물이다. 점착제층은, 특히 후술하는 점착제 조성물의 광경화물이다. 반도체 가공용 테이프가, 표면에 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 첩부되고, 그 후에 박리되는 용도로 사용되는 경우가 있다. 그 경우, 점착제층은, 반도체 가공용 테이프를 피착체의 표면에 충분한 접착력으로 고정함으로써, 백그라인드 공정 중의 피착체의 표면을 보호하는 역할을 갖는다. 또한, 점착제층은, 피착체 표면의 요철을 흡수하여 평활하게 함으로써, 백그라인드 공정의 정밀도를 높이는 역할을 갖는다. 또한, 점착제층은, 반도체 가공용 테이프를 피착체로부터 박리할 때에 발생하는 박리 대전을 저감시킨다. 또한, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프가 갖는 점착제층은, 반도체 가공용 테이프를 박리할 때에 접착제 잔여물이 발생하지 않는다.
본 실시 형태의 점착제층 두께는, 50 내지 500㎛이고, 60 내지 400㎛인 것이 바람직하고, 70 내지 300㎛인 것이 보다 바람직하다. 점착제층의 두께가 50㎛ 이상이면, 반도체 가공용 테이프의 요철 흡수성 및 점착력이 양호해진다. 또한, 점착제층의 두께가 500㎛ 이하이면, 점착제층의 막 두께 제어가 용이하게 된다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프가, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체에 첩부되는 것인 경우, 점착제층의 두께는, 피착체 표면의 요철 부분의 높이에 크게 의존한다. 점착제층의 두께는, 충분한 요철 흡수성이 얻어지도록, 표면의 요철 부분의 높이 이상으로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 예를 들어 표면의 요철이 반도체 웨이퍼에 형성된 범프인 경우, 점착제층의 두께를 범프의 높이 치수의 2배 이상으로 하는 것이 바람직하다. 범프의 높이는 통상 30 내지 200㎛이고, 예를 들어 범프의 높이가 100㎛인 경우에는, 점착제층의 두께를 200㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 범프의 높이가 200㎛인 경우에는, 점착제층의 두께를 400㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
점착제층은, 단층 구조여도 되고, 본 실시 형태의 점착제층과, 본 실시 형태의 점착제층과는 다른 1층 이상의 다른 점착제층을 적층한 다층 구조여도 된다. 다른 점착제층으로서는, 종래 공지된 점착제층을 사용할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서, 점착제층이 다층 구조인 경우, 본 실시 형태의 점착제층이 최표면에 존재할 필요가 있다. 또한, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프에 있어서는, 점착제층의 경화를 저해하지 않는 범위 내에서, 점착제층과 기재 사이에 점착제층 이외의 층이 존재하고 있어도 된다. 공정 단축의 면에서, 점착제층은 단층 구조인 것이 바람직하다.
점착제층의 겔 분율은, 50 내지 65질량％인 것이 바람직하다. 겔 분율이 50질량％ 이상이면, 피착체에 첩부한 반도체 가공용 테이프를 박리하는 것에 의한 접착제 잔여물의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 겔 분율이 65질량％ 이하이면, 점착제층이 충분한 유동성을 갖는 것이 되고, 반도체 가공용 테이프의 요철 흡수성이 보다 한층 양호해진다. 점착제층의 겔 분율은, 52질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층의 겔 분율은, 63질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착제층의 겔 분율의 바람직한 범위는, 예를 들어 후술하는 점착제 조성물의 조성을 바람직한 범위로 조정함으로써 달성할 수 있다.
(점착제층의 겔 분율의 측정)
점착제층의 겔 분율의 측정은, 이하의 방법으로 행한다. 먼저, 반도체 가공용 테이프로부터 약 1g이 되는 사이즈로 시트를 잘라내고, 기재로부터 점착제층을 박리하여 측정용 샘플로서 그 질량을 측정한다. 계속해서, 측정용 샘플을 50ml의 톨루엔에 침지하고, 실온에서 72시간 정치한다. 그 후, 측정용 샘플을 톨루엔 중으로부터 취출하고, 80℃에서 5시간 건조시키고, 다시 질량을 측정한다. 그리고, 하기 식에 기초하여, 겔 분율을 계산한다.
겔 분율(％)=[A/B]×100
A: 톨루엔에 침지한 후의 측정용 샘플의 질량(톨루엔의 질량은 포함하지 않는다)
B: 톨루엔에 침지하기 전의 측정용 샘플의 질량
점착제층의 표면 저항률은, 1×1012Ω/□ 미만인 것이 바람직하고, 1×1011Ω/□ 미만인 것이 보다 바람직하다. 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 미만이면, 피착체에 첩부한 반도체 가공용 테이프를 박리했을 때의 박리 대전이 저감되어, 보다 한층 대전 방지 성능이 우수한 반도체 가공용 테이프가 된다.
반도체 가공용 테이프에는, 점착제층을 보호할 목적으로, 점착제층의 표면에, 투명한 세퍼레이터가 마련되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 점착제층의 표면에 라미네이트되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터의 재료로서는, 예를 들어 종이, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있고, 표면 평활성이 우수한 점에서 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 세퍼레이터로서 사용되는 플라스틱 필름으로서는, 상기한 점착제층을 보호할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부텐 등을 들 수 있다.
<점착제 조성물>
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프가 갖는 점착제층은, 점착제 조성물의 경화물이다. 이하, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프에 있어서, 점착제층의 재료로서 사용한 점착제 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 실시 형태의 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함한다.
(폴리우레탄(A))
폴리우레탄(A)은, 후술하는 폴리우레탄(a1)을 포함한다. 폴리우레탄(A)에는, 폴리우레탄(a1) 뿐만 아니라, 점착제 조성물의 경화물에 있어서의 응집력을 조절할 목적으로, 후술하는 폴리우레탄(a2)이 포함되어 있어도 된다. 폴리우레탄(A)에는, 폴리우레탄(a1)과, 필요에 따라 함유되는 폴리우레탄(a2) 이외의 성분은 포함되지 않는 것이 바람직하다.
[폴리우레탄(a1)]
폴리우레탄(a1)은, 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖는다. 또한, 폴리우레탄(a1)은, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는다. 폴리우레탄(a1)이 갖는 말단의 (메트)아크릴로일기는, (메트)아크릴로일옥시기의 일부인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 폴리우레탄의 「복수의 말단」이란, 폴리우레탄이 직쇄 폴리머인 경우, 2개의 말단이고, 폴리우레탄이 분지 폴리머인 경우, 각 분지쇄의 개수와 동일 수의 말단 중 2개 이상의 말단이다.
또한, 본 발명에 있어서, (메트)아크릴로일기란, 화학식 CH2=CH-CO-로 표시되는 관능기 및 화학식 CH2=C(CH3)-CO-로 표시되는 관능기로부터 선택되는 1종 이상을 의미한다.
[폴리우레탄(a2)]
폴리우레탄(a2)은, 폴리우레탄(a1)과 마찬가지로, 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖는다. 폴리우레탄(a2)은, 폴리우레탄(a1)과 달리, 1개의 말단에만 (메트)아크릴로일기를 갖는다. 폴리우레탄(a2)이 갖는 말단의 (메트)아크릴로일기는, (메트)아크릴로일옥시기의 일부인 것이 바람직하다. 폴리우레탄(a2)에 있어서 (메트)아크릴로일기를 갖지 않는 말단은, 이소시아나토기, 알킬알코올 유래의 구조 및 알킬이소시아네이트 유래의 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 1종을 갖는 것이 바람직하고, 알킬알코올 유래의 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.
「폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조」
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조가 되는 폴리옥시알킬렌폴리올로서는, 탄소수 2 내지 4의 알킬렌쇄를 갖는 것인 것이 바람직하다. 구체예로서는, 폴리옥시에틸렌폴리올, 폴리옥시프로필렌폴리올, 폴리옥시부틸렌폴리올 등을 들 수 있다.
폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조가 되는 폴리옥시알킬렌폴리올은, 1종의 알킬렌쇄를 포함하는 것이어도 되고, 2종류 이상의 알킬렌쇄를 포함하는 것이어도 된다.
폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조가 되는 폴리옥시알킬렌폴리올은, 말단에 2개 또는 3개의 수산기를 갖는 것(디올형 또는 트리올형의 폴리옥시알킬렌폴리올)인 것이 바람직하고, 폴리옥시알킬렌글리콜(디올형)인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 3의 알킬렌쇄를 갖는 폴리프로필렌글리콜인 것이 특히 바람직하다.
예를 들어, 폴리옥시알킬렌폴리올이, 폴리프로필렌글리콜인 경우, 수산기가는 20 내지 120mgKOH/g인 것이 바람직하고, 30 내지 100mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 40 내지 80mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하다. 폴리프로필렌글리콜의 구체예로서는, 예를 들어 수산기가가 56mgKOH/g인 수산기(히드록시기)를 말단에 갖는 폴리프로필렌글리콜(액트콜 D-2000; 미쓰이 가가꾸제, 수 평균 분자량 2000, 디올형) 등을 들 수 있다.
여기서, 폴리옥시알킬렌폴리올의 수산기가란, JISK0070에 따라서 측정된 폴리옥시알킬렌폴리올의 수산기가이다. 즉, 폴리옥시알킬렌폴리올 1g을 아세틸화시켰을 때의 유리 아세트산을 중화하는 데 필요로 하는 수산화칼륨의 mg 수를 의미한다. 구체적으로는, 무수 아세트산을 사용하여 시료(폴리옥시알킬렌폴리올) 중의 수산기를 아세틸화하고, 그 때에 발생하는 유리 아세트산을 수산화칼륨 용액으로 적정함으로써 구할 수 있다.
폴리옥시알킬렌폴리올의 수 평균 분자량은, 500 내지 5,000인 것이 바람직하고, 800 내지 4,000인 것이 보다 바람직하고, 1,000 내지 3,000인 것이 더욱 바람직하다. 폴리옥시알킬렌폴리올의 수 평균 분자량이 500 이상이면, 이것을 사용하여 합성한 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물의 경화물인 점착제층을 갖는 반도체 가공용 테이프가, 박리 강도가 높은 것이 된다. 또한, 폴리옥시알킬렌폴리올의 수 평균 분자량이 5,000 이하이면, 이것을 사용하여 합성한 폴리우레탄(A)이 충분한 양의 우레탄 결합을 포함하는 것이 된다. 이 때문에, 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물을 경화시킨 경화물은, 응집력이 양호한 것이 된다.
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조는, 각각 1종만이어도 되고, 2종류 이상을 포함하는 구조여도 된다.
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)은, 2종 이상의 다른 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조가, 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 사이에 두고 결합된 구조를 갖고 있어도 된다.
폴리우레탄(a1)의 골격에 포함되는 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조와, 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조는, 동일해도 되고, 달라도 된다.
「폴리이소시아네이트 유래의 구조」
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리이소시아네이트 유래의 구조가 되는 폴리이소시아네이트로서는, 이소시아나토기를 복수 갖는 화합물이 사용되고, 디이소시아네이트를 사용하는 것이 바람직하다.
디이소시아네이트로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트 및 그 수소 첨가물, 크실릴렌디이소시아네이트 및 그 수소 첨가물, 디페닐메탄디이소시아네이트 및 그 수소 첨가물, 1,5-나프틸렌디이소시아네이트 및 그 수소 첨가물, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이토메틸)시클로헥산, 노르보르난디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
이들의 폴리이소시아네이트 중에서도, 이것을 사용하여 합성한 폴리우레탄(A)의 내광성 및 폴리옥시알킬렌폴리올과의 반응성의 제어의 점에서, 이소포론디이소시아네이트 또는 디페닐메탄디이소시아네이트의 수소 첨가물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 폴리옥시알킬렌폴리올과의 반응성의 점에서, 디페닐메탄디이소시아네이트의 수소 첨가물을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
폴리이소시아네이트 유래의 구조가 되는 폴리이소시아네이트의 구체예로서는, 디페닐메탄디이소시아네이트의 수소 첨가물(데스모듈 W, 스미카 코베스트로 우레탄제), 이소포론디이소시아네이트(데스모듈 I, 스미카 코베스트로 우레탄제) 등을 들 수 있다.
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리이소시아네이트 유래의 구조는, 각각 1종만이어도 되고, 2종류 이상을 포함하는 구조여도 된다.
또한, 폴리우레탄(a1)의 골격에 포함되는 폴리이소시아네이트 유래의 구조와, 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리이소시아네이트 유래의 구조는, 동일해도 되고, 달라도 된다.
폴리우레탄(a1) 및 폴리우레탄(a2)의 골격에 포함되는 폴리이소시아네이트 유래의 구조 및 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조가 동일한 것이 바람직하다. 이 경우, 폴리우레탄(a1)과 폴리우레탄(a2)을 동시에 합성할 수 있고, 폴리우레탄(A)을 효율적으로 제조할 수 있기 때문이다.
폴리우레탄(A)에 포함되는 폴리우레탄(a1)의 비율은, 분자수 기준으로 폴리우레탄(A)의 80 내지 100％인 것이 바람직하고, 90 내지 100％가 보다 바람직하고, 100％가 더욱 바람직하다.
폴리우레탄(A)에 포함되는 폴리우레탄(a2)의 비율은, 분자수 기준으로 폴리우레탄(A)의 0 내지 20％인 것이 바람직하고, 0 내지 10％가 보다 바람직하고, 0％가 더욱 바람직하다.
폴리우레탄(A)에 포함되는 폴리우레탄(a1)의 비율이 80％ 이상이면, 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물의 경화물이, 충분히 응집력이 큰 것이 되어, 바람직하다.
폴리우레탄(A)에 포함되는 모든 말단수(폴리우레탄(a1)의 말단수와, 필요에 따라 함유되는 폴리우레탄(a2)의 말단수의 합계수) 중, 분자수 기준으로 90 내지 100％로 (메트)아크릴로일기가 도입되어 있는 것이 바람직하고, 95 내지 100％가 보다 바람직하고, 100％가 더욱 바람직하다. 폴리우레탄(A)에 포함되는 모든 말단수 중, (메트)아크릴로일기의 도입량이 분자수 기준으로 90％ 이상이면, 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 응집력이 충분히 높은 것이 된다.
폴리우레탄(A)에 포함되는 모든 말단수 중, 분자수 기준으로 (메트)아크릴로일기가 도입되어 있는 말단수의 비율은, 폴리우레탄(A)을 분석한 결과를 사용하여 산출할 수 있다. 그 분석 방법으로서는, 예를 들어 적외선 흡수 스펙트럼(IR)법, 핵자기 공명 스펙트럼(NMR)법 등을 들 수 있다.
폴리우레탄(A)에 포함되어 있는 폴리우레탄(a1)과 폴리우레탄(a2)의 함유량의 비율, 즉, 폴리우레탄(A)에 포함되는 모든 말단수 중, 분자수 기준으로 (메트)아크릴로일기가 도입되어 있는 말단수의 비율은, 후술하는 폴리우레탄(A)의 제조 방법에 의해 조정할 수 있다.
폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량은, 30,000 내지 200,000인 것이 바람직하고, 50,000 내지 150,000인 것이 보다 바람직하고, 60,000 내지 100,000인 것이 더욱 바람직하다. 폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량이 30,000 이상이면, 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물이, 양호한 유연성을 갖는 것이 된다. 또한, 폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량이 200,000 이하이면, 폴리우레탄(A)을 포함하는 점착제 조성물은, 취급이 용이하고, 작업성이 양호한 것이 된다.
(폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량의 측정 방법)
폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량은, 겔·투과·크로마토그래피(GPC-101; 쇼와 덴코 가부시키가이샤제 Shodex(등록 상표))(이하, GPC라고 함)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산의 값이다. GPC의 측정 조건은 이하와 같다.
칼럼: LF-804(쇼와 덴코 가부시키가이샤제)
칼럼 온도: 40℃
시료: 폴리우레탄(A)의 0.2질량％ 테트라히드로푸란 용액
유량: 1ml/분
용리액: 테트라히드로푸란
검출기: RI 검출기(시차 굴절률 검출기)
본 실시 형태의 점착제 조성물 중에 있어서의 폴리우레탄(A)의 함유량은, 20 내지 50질량％인 것이 바람직하고, 25 내지 45질량％인 것이 보다 바람직하고, 30 내지 40질량％인 것이 더욱 바람직하다. 폴리우레탄(A)의 함유량이 20질량％ 이상이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물은, 충분한 응집력을 갖는 것이 되고, 우수한 점착력이 얻어진다. 또한, 이 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프는, 점착제층의 유연함이 적정 범위가 되고, 점착제층과 피착체 사이로의 기포의 혼입이 발생하기 어렵다. 또한, 폴리우레탄(A)의 함유량이 50질량％ 이하이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물은, 충분한 유연성을 갖는 것이 된다. 따라서, 이 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프는, 피착체에 대한 습윤성이 양호하다.
((메트)아크릴레이트 모노머(B))
(메트)아크릴레이트 모노머(B)는 폴리우레탄(A) 이외이며, 단관능 (메트)아크릴레이트와 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유한다.
본 발명에 있어서, 단관능 (메트)아크릴레이트에 있어서의 「단관능」이란, (메트)아크릴로일옥시기의 수가, 1개뿐인 (메트)아크릴레이트를 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서, 다관능 (메트)아크릴레이트에 있어서의 「다관능」이란, (메트)아크릴로일옥시기의 수가, 2개 이상인 (메트)아크릴레이트를 의미한다.
(메트)아크릴레이트 모노머(B)로서는, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 응집력 및 점착제 조성물의 경화성 관점에서, 단관능 (메트)아크릴레이트와 다관능 (메트)아크릴레이트를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 단관능 (메트)아크릴레이트와 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 특히, 단관능 (메트)아크릴레이트와, 3개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 3관능 (메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 가장 바람직하다.
단관능 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 알킬(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 환상 알킬(메트)아크릴레이트, 알콕시알킬(메트)아크릴레이트, 알콕시(폴리)알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트, 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트, 카르복시기 함유 (메트)아크릴레이트, 불소화 알킬(메트)아크릴레이트, 디알킬아미노알킬(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴아미드, 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일모르폴린 등을 들 수 있다. 이들은, 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
이들의 단관능 (메트)아크릴레이트 중에서도, 알킬(메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 바람직하다. 점착제 조성물을 경화시켜서 얻어지는 경화물의 점착력(박리력) 및 겔 분율이, 경화물을 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로서 사용한 경우에, 보다 적정한 범위가 되기 쉽기 때문이다. 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 탄소수 4 내지 10의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 알킬(메트)아크릴레이트로서, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 및/또는 n-부틸(메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
다관능 (메트)아크릴레이트는, 폴리우레탄(A) 이외이며, (메트)아크릴로일옥시기를 복수 갖고 있는 화합물이다. 다관능 (메트)아크릴레이트로서는, 폴리올 화합물의 폴리(메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
다관능 (메트)아크릴레이트로서는, 구체적으로는, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 히드록시피발산에스테르네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,3-비스(히드록시에틸)-5,5-디메틸히단토인디(메트)아크릴레이트, α,ω-디(메트)아크릴비스디에틸렌글리콜프탈레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 디아크릴옥시에틸포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 다관능 (메트)아크릴레이트로서, 점착제 조성물의 경화성 관점에서, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다. 이들의 다관능 (메트)아크릴레이트는, 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
단관능 (메트)아크릴레이트 및 다관능 (메트)아크릴레이트의 비율은, (메트)아크릴레이트 모노머(B)의 합계를 100몰％이라 했을 때에, 단관능 (메트)아크릴레이트를 85 내지 99몰％, 다관능(메트)아크릴레이트를 1 내지 15몰％ 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우, 단관능 (메트)아크릴레이트의 함유량은, 90 내지 99몰％인 것이 보다 바람직하고, 95 내지 98몰％인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 다관능 (메트)아크릴레이트의 함유량은, 1 내지 10몰％인 것이 보다 바람직하고, 2 내지 5몰％인 것이 더욱 바람직하다.
단관능 (메트)아크릴레이트의 함유량이 85몰％ 이상이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 유동성이, 경화물을 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로서 사용한 경우에 바람직한 범위가 된다. 따라서, 이 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프는, 충분한 요철 흡수성이 얻어지고, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체에 첩부한 경우에, 피착체의 요철 부분 사이에 공극이 발생하기 어려워, 바람직하다. 또한, 단관능 (메트)아크릴레이트의 함유량이 99몰％ 이하이면, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프를, 피착체로부터 박리했을 때에 접착제 잔여물로 되기 어려워, 바람직하다.
다관능 (메트)아크릴레이트의 함유량이 1몰％ 이상이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 유동성이 너무 커지지 않아 바람직하다. 또한, 다관능 (메트)아크릴레이트의 함유량이 15몰％ 이하이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 유동성이, 경화물을 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로서 사용한 경우에 바람직한 범위가 된다. 따라서, 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프가, 충분한 요철 흡수성을 갖는 것이 되고, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체에 첩부한 경우에, 피착체의 요철 부분 사이에 공극이 발생하기 어려워, 바람직하다.
본 실시 형태의 점착제 조성물 중에 있어서의 (메트)아크릴레이트 모노머(B)의 함유량은, 35 내지 79질량％인 것이 바람직하고, 40 내지 73질량％인 것이 보다 바람직하고, 45 내지 66질량％인 것이 더욱 바람직하다. (메트)아크릴레이트 모노머(B)의 함유량이 35질량％ 이상이면, 점착제 조성물의 점도가 너무 높아지는 일이 없고, 도공성이 우수하기 때문에 바람직하다. 또한, (메트)아크릴레이트 모노머(B)의 함유량이 79질량％ 이하이면, 점착제 조성물의 점도가 너무 낮아지는 일이 없고, 점착제 조성물을 포함하는 도막의 두께를 제어하기 쉬워, 바람직하다.
(연쇄 이동제(C))
연쇄 이동제(C)는, 점착제 조성물을 경화시킨 경화물의 요철 흡수성 및 겔 분율을 제어할 목적으로, 점착제 조성물 중에 함유시킨다.
연쇄 이동제(C)로서는, 티올 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 다관능 티올을 바람직하게 사용할 수 있다. 다관능 티올은, 분자 내에 2개 이상의 머캅토기를 갖는 화합물이다.
다관능 티올로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1,2-에탄디티올, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트), 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리스-[(3-머캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트, 디펜타에티트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있다. 연쇄 이동제(C)로서는, 상기한 것 중에서도, 점착제 조성물의 반응성의 관점에서, 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)를 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 점착제 조성물 중에 있어서의 연쇄 이동제(C)의 함유량은, 0.5 내지 8질량％인 것이 바람직하고, 1 내지 5질량％인 것이 보다 바람직하고, 3 내지 4.5질량％인 것이 더욱 바람직하다. 연쇄 이동제(C)의 함유량이 0.5질량％ 이상이면, 점착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 유동성이, 경화물을 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로서 사용한 경우에 바람직한 범위가 된다. 따라서, 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프가, 충분한 요철 흡수성을 갖는 것이 되고, 피착체의 요철 부분 사이에 공극이 발생하기 어려워, 바람직하다. 함유량이 8질량％ 이하이면, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프를, 피착체로부터 박리했을 때에 접착제 잔여물로 되기 어려워, 바람직하다.
(광중합 개시제(D))
광중합 개시제(D)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 광 라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 광중합 개시제(D)로서는, 예를 들어 카르보닐계 광중합 개시제, 술피드계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 퀴논계 광중합 개시제, 술포클로라이드계 광중합 개시제, 티오크산톤계 광중합 개시제 등을 사용할 수 있다. 이들의 광중합 개시제(D) 중에서도, 점착제 조성물을 광경화시켜서 얻어지는 경화물의 투명성의 관점에서, 카르보닐계 광중합 개시제 및/또는 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드제 및/또는 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태의 점착제 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제(D)의 함유량은, 0.01 내지 5질량％인 것이 바람직하고, 0.05 내지 3질량％인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 2질량％인 것이 더욱 바람직하다. 광중합 개시제(D)의 함유량이 0.01질량％ 이상이면, 점착제 조성물의 광경화가 충분히 진행된다. 또한, 광중합 개시제(D)의 함유량이 5질량％ 이하이면, 점착제 조성물의 광경화 시에 저분자량 성분이 너무 많아지는 일이 없다. 이 때문에, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프를, 피착체로부터 박리했을 때에 접착제 잔여물로 되기 어려워, 바람직하다.
(지방산에스테르(E))
본 실시 형태의 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함하고, 또한 필요에 따라, 지방산에스테르(E)를 함유해도 된다.
지방산에스테르(E)는, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프에 있어서의 점착력을 제어함과 함께, 점착제층의 라미네이트성(습윤성) 및 기포 배출성(피착체에 반도체 가공용 테이프를 접합 시에 끼어든 기포가 빠지기 쉬운 정도)을 향상시킬 목적으로 점착제 조성물 중에 함유시킨다.
지방산에스테르(E)로서는, 지방산과 알킬알코올의 에스테르를 사용할 수 있다. 또한, 다른 성분과의 상용성의 관점에서, 탄소수 8 내지 18의 지방산과 탄소수 3 내지 18의 분지 탄화수소기를 갖는 단관능 알코올과의 에스테르 및 탄소수 14 내지 18의 불포화 지방산과 2 내지 4관능의 알코올의 에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 지방산에스테르를 사용하는 것이 바람직하다.
탄소수 8 내지 18의 지방산과 탄소수 3 내지 18의 분지 탄화수소기를 갖는 단관능 알코올의 에스테르로서는, 라우르산이소스테아릴, 미리스트산이소프로필, 미리스트산이소세틸, 미리스트산옥틸도데실, 팔미트산이소프로필, 팔미트산이소스테아릴, 스테아르산이소세틸, 스테아르산2-에틸헥실, 올레산옥틸도데실, 아디프산디이소스테아릴, 세바스산디이소세틸, 트리멜리트산트리올레일 및 트리멜리트산트리이소세틸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 미리스트산이소프로필, 팔미트산이소프로필, 스테아르산2-에틸헥실을 사용하는 것이 바람직하고, 미리스트산이소프로필 및/또는 스테아르산2-에틸헥실을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
탄소수 14 내지 18의 불포화 지방산과 2 내지 4관능의 알코올의 에스테르로서는, 미리스트올레산, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 이소팔미트산 및 이소스테아르산 등의 불포화 지방산과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 및 소르비탄 등의 알코올의 에스테르를 들 수 있다.
본 실시 형태의 점착제 조성물 중에 있어서의 지방산에스테르(E)의 함유량은, 3 내지 18질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 15질량％인 것이 보다 바람직하다.
지방산에스테르(E)의 함유량이 3질량％ 이상이면, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프에 있어서의 점착력이 바람직한 범위가 됨과 함께, 점착제층의 라미네이트성 및 기포 배출성이 양호해진다. 지방산에스테르(E)의 함유량이 18질량％ 이하이면, 점착제 조성물의 경화물을 점착제층으로서 사용한 반도체 가공용 테이프를, 피착체로부터 박리했을 때에 지방산에스테르(E)를 포함하는 접착제 잔여물이 발생하기 어려워, 바람직하다.
(용제)
본 실시 형태의 점착제 조성물은, 용제를 포함해도 되지만, 용제를 실질적으로 포함하지 않는 무용제의 것인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태의 점착제 조성물이 용제를 포함하는 경우, 예를 들어 레벨링제 및/또는 연화제로서 용제를 사용할 수 있다.
본 실시 형태의 점착제 조성물이 무용제인 경우, 이것을 사용하여 반도체 가공용 테이프의 점착제층을 형성할 때에, 용매를 가열 건조하는 공정을 생략할 수 있기 때문에, 우수한 생산성이 얻어진다. 특히, 본 실시 형태의 점착제 조성물을 사용하여, 두께가 50㎛를 초과하는 점착제층을 갖는 반도체 가공용 테이프를 제조하는 경우에는, 용매를 가열 건조하는 공정을 생략하는 것에 의한 생산성 향상 효과가 현저해지기 때문에, 무용제인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 점착제 조성물이 「용제를 실질적으로 포함하지 않는다」라는 의미는, 점착제 조성물 중에 있어서의 용제의 함유량이 0 내지 1질량％인 것을 의미하고, 바람직하게는 0 내지 0.5질량％이고, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1질량％이다.
(기타)
본 실시 형태의 점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라, 기타의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로서는, 예를 들어 가소제, 표면 윤활제, 산화 방지제, 노화 방지제, 광안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제, 벤조트리아졸계 등의 광안정제, 인산에스테르계 및 기타의 난연제, 염료 등을 들 수 있다.
<점착제 조성물의 제조 방법>
이어서, 본 실시 형태의 점착제 조성물의 제조 방법에 대해서, 예를 들어서 상세하게 설명한다. 이하, 본 실시 형태의 점착제 조성물에 포함되는 성분 중, 폴리우레탄(A)에 대해서는, 바람직한 합성 방법에 대하여 예를 들어서 설명한다. 본 실시 형태의 점착제 조성물에 포함되는 성분 중, (메트)아크릴레이트 모노머(B), 연쇄 이동제(C), 광중합 개시제(D), 지방산에스테르(E) 등, 폴리우레탄(A)을 제외한 각 성분에 대해서는, 시판품을 용이하게 구입할 수 있다. 또한, 각 성분으로서 사용하는 화합물의 종류에 따라 각각 합성 방법이 다르다. 그 때문에, 합성 방법의 설명을 생략한다.
<폴리우레탄(A)의 합성 방법>
이하, 본 실시 형태의 점착제 조성물에 포함되는 폴리우레탄(A)의 바람직한 합성 방법의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 폴리우레탄(A)의 합성 방법은, 이하에 나타내는 합성 방법에 한정되는 것은 아니고, 합성에 사용하는 원료 및 설비 등의 조건에 의해, 적절히 변경 가능하다.
이하에 나타내는 폴리우레탄(A)의 합성 방법에 있어서, 히드록시기와 이소시아나토기의 반응은, 어느 공정에 있어서도, 이소시아나토기에 불활성의 유기 용매의 존재 하에서, 우레탄화 촉매를 사용하여 행한다. 이 우레탄화 촉매는, 예를 들어 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석디에틸헥소에이트, 디옥틸주석디라우레이트 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기와 이소시아나토기의 반응은, 어느 공정에 있어서도, 30 내지 100℃에서 1 내지 5시간 계속하여 행하는 것이 바람직하다. 우레탄화 촉매의 사용량은, 반응물(원료)의 총 질량에 대하여, 50 내지 500질량ppm인 것이 바람직하다.
폴리우레탄(A)을 합성하기 위해서는, 먼저, 폴리옥시알킬렌폴리올과 폴리이소시아네이트를, 이소시아나토기량(분자수 기준, 이하 동일)이 히드록시기량(분자수 기준, 이하 동일)보다 많아지는 비율로 투입한다. 그 후, 폴리옥시알킬렌폴리올과 폴리이소시아네이트를 반응시켜서, 폴리우레탄(A)의 전구체로서, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄을 합성한다. 원료로서 사용할 수 있는 폴리옥시알킬렌폴리올 및 폴리이소시아네이트의 구체적인 예는, 폴리우레탄(A)의 항에서 예시한 바와 같다.
이때, 원료 중에 포함되는 히드록시기량에 대한 이소시아나토기량의 비를 조정함으로써, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄의 분자량(중합도)을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 히드록시기량에 대한 이소시아나토기량의 과잉량이 적을수록, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄의 분자량은 커진다. 또한, 히드록시기량에 대한 이소시아나토기량의 과잉량이 많을수록, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄의 분자량은 작아진다. 본 실시 형태에서는, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄의 분자량을 조정함으로써, 목적물인 폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량을 조정한다.
이어서, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄과, 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 반응시켜서, 폴리우레탄(a1)을 포함하는 폴리우레탄(A)을 생성한다. 폴리우레탄(a1)이 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖고, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는다. 생성된 폴리우레탄(A)이 갖는 말단의 (메트)아크릴로일기는, (메트)아크릴로일옥시기의 일부인 것이 바람직하다.
히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; 1,3-부탄디올모노(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올모노(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올모노(메트)아크릴레이트, 3-메틸펜탄디올모노(메트)아크릴레이트 등의 각종 폴리올 유래의 (메트)아크릴로일기를 갖는 모노올 등을 들 수 있다. 이들의 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들의 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물 중에서도, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄의 이소시아나토기와의 반응성 및 점착제 조성물의 광경화성의 점에서, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 폴리우레탄(A)은, 히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물과 함께, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 히드록시기를 1개 갖는 알킬알코올을 병용하여, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄과 반응시킴으로써, 생성해도 된다.
알킬알코올로서는, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 히드록시기를 1개 갖는 것이면 되고, 직쇄형, 분지형, 지환형의 알킬알코올 등을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 상기 알킬알코올은, 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.
히드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물과, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 히드록시기를 1개 갖는 알킬알코올과, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄을 반응시켜서, 폴리우레탄(A)을 생성시킴으로써, 말단에 이소시아나토기를 갖는 폴리우레탄에 대한 (메트)아크릴로일기의 도입량을 조정할 수 있다.
보다 상세하게는, 상기 반응에 의하면, 폴리우레탄(A)으로서, 말단의 (메트)아크릴로일기의 도입량이 다른 복수종의 폴리우레탄을 포함하는 것이 생성된다. 복수종의 폴리우레탄 중에는, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a1)이 포함된다. 또한, 복수종의 폴리우레탄 중에는, 폴리우레탄(a1) 뿐만 아니라, 복수의 말단 가운데 적어도 일부의 말단이 상기 알킬알코올 유래의 구조를 갖고 있는 폴리우레탄이 포함된다. 따라서, 생성한 복수종의 폴리우레탄 중에는, 복수의 말단 중 적어도 일부의 말단이 (메트)아크릴로일기를 갖지 않는 폴리우레탄이 포함된다. 또한, 생성한 복수종의 폴리우레탄 중에는, 1개의 말단에만 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a2)도 포함될 수 있다.
<폴리우레탄(A)의 합성 방법의 다른 예>
이어서, 폴리우레탄(A)의 바람직한 합성 방법의 다른 예에 대하여 설명한다.
이하에 나타내는 폴리우레탄(A)의 합성 방법에 있어서도 상기의 합성 방법의 예와 마찬가지로, 히드록시기와 이소시아나토기의 반응은, 어느 공정에 있어서도, 이소시아나토기에 불활성의 유기 용매의 존재 하에서, 우레탄화 촉매를 사용하여 행한다. 우레탄화 촉매로서는, 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석디에틸헥소에이트, 디옥틸주석디라우레이트 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기와 이소시아나토기의 반응은, 어느 공정에 있어서도, 30 내지 100℃에서 1 내지 5시간 계속하여 행하는 것이 바람직하다. 우레탄화 촉매의 사용량은, 반응물(원료)의 총 질량에 대하여, 50 내지 500질량ppm인 것이 바람직하다.
이 합성 방법을 사용하여 폴리우레탄(A)을 합성하는 경우, 상기의 합성 방법의 예와 달리, 폴리우레탄(A)의 전구체로서, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄을 합성한다.
구체적으로는, 먼저, 폴리옥시알킬렌폴리올과 폴리이소시아네이트를, 히드록시기량(분자수 기준, 이하 동일)이 이소시아나토기량(분자수 기준, 이하 동일)보다 많아지는 비율로 투입한다. 그 후, 폴리옥시알킬렌폴리올과 폴리이소시아네이트를 반응시켜서, 폴리우레탄(A)의 전구체로서, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄을 합성한다.
이때, 원료 중에 포함되는 이소시아나토기량에 대한 히드록시기량의 비를 조정함으로써, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄의 분자량(중합도)을 조정할 수 있다. 구체적으로는, 이소시아나토기량에 대한 히드록시기량의 과잉량이 적을수록, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄의 분자량은 커진다. 또한, 이소시아나토기량에 대한 히드록시기량의 과잉량이 많을수록, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄의 분자량은 작아진다. 본 실시 형태에서는, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄의 분자량을 조정함으로써, 목적물인 폴리우레탄(A)의 질량 평균 분자량을 조정한다.
이어서, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄과, 이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 반응시켜서, 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖고, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a1)을 포함하는 폴리우레탄(A)을 생성한다. 생성된 폴리우레탄(A)이 갖는 말단의 (메트)아크릴로일기는, (메트)아크릴로일옥시기의 일부인 것이 바람직하다.
이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필이소시아네이트, 1,1-비스(아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들어 쇼와 덴코 가부시키가이샤제의 카렌즈 MOI(등록 상표), 카렌즈 AOI(등록 상표) 등을 예시할 수 있다. 이들의 이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들의 이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물 중에서도, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄의 히드록시기와의 반응성 및 점착제 조성물의 광경화성의 점에서, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 폴리우레탄(A)은, 이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물과 함께, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 이소시아나토기를 1개 갖는 알킬이소시아네이트를 병용하여, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄과 반응시킴으로써, 생성해도 된다.
알킬이소시아네이트로서는, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 이소시아나토기를 1개 갖는 것이면 되고, 직쇄형, 분지형, 지환형의 알킬이소시아네이트 등을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 상기 알킬이소시아네이트는, 1종만 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이소시아나토기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물과, (메트)아크릴로일기를 갖지 않고, 이소시아나토기를 1개 갖는 알킬이소시아네이트와, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄을 반응시켜서, 폴리우레탄(A)을 생성시킴으로써, 말단에 히드록시기를 갖는 폴리우레탄에 대한 (메트)아크릴로일기의 도입량을 조정할 수 있다.
보다 상세하게는, 상기 반응에 의하면, 폴리우레탄(A)으로서, 말단의 (메트)아크릴로일기의 도입량이 다른 복수종의 폴리우레탄을 포함하는 것이 생성된다. 복수종의 폴리우레탄 중에는, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a1)이 포함된다. 또한, 복수종의 폴리우레탄 중에는, 폴리우레탄(a1) 뿐만 아니라, 복수의 말단 중 적어도 일부의 말단이 상기 알킬이소시아네이트 유래의 구조를 갖고 있는 폴리우레탄이 포함된다. 따라서, 생성한 복수종의 폴리우레탄 중에는, 복수의 말단 중 적어도 일부의 말단이 (메트)아크릴로일기를 갖지 않는 폴리우레탄이 포함된다. 또한, 생성한 복수종의 폴리우레탄 중에는, 1개의 말단에만 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리우레탄(a2)도 포함될 수 있다.
<점착제 조성물에 포함되는 각 성분의 혼합 방법>
본 실시 형태의 점착제 조성물은, 상기의 합성 방법에 의해 얻어진 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)와, 필요에 따라서 첨가되는 지방산에스테르(E) 및 기타의 첨가제를 혼합하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 실시 형태의 점착제 조성물에 포함되는 각 성분을 혼합하는 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 호모 디스퍼, 패들 날개 등의 교반 날개를 설치한 교반 장치를 사용하여 행할 수 있다.
<반도체 가공용 테이프의 제조 방법>
이어서, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프의 제조 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 공지된 방법을 사용하여 제조할 수 있다.
예를 들어, 폴리피롤 및/또는 폴리피롤 유도체의 미립자를, 고분자 분산제 및/또는 도펀트를 사용하여 친수성 용매에 분산하고, 또한 수용성 또는 수분산성의 바인더 수지와 혼합하여 수지 조성물을 조제하고; 이 수지 조성물을 폴리머 필름 등의 기재 본체 상에 도포 후, 용매를 건조 제거하여 대전 방지층을 형성시킨 기재를 얻는다. 이어서, 기재의 대전 방지층 상에 점착제 조성물을 도포하고, 투명한 세퍼레이터 필름을 라미네이트하여 적층체로 한다. 그 후, 세퍼레이터를 개재하여 점착제 조성물에 자외선을 조사하여, 점착제 조성물을 광경화시킨다. 이것에 의해, 대전 방지층을 가진 기재 상에, 점착제 조성물의 경화물인 점착제층이 형성된 반도체 가공용 테이프가 얻어진다.
기재에 점착제 조성물을 도포하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택 가능하다. 예를 들어, 기재에 점착제 조성물을 도포하는 방법으로서, 그라비아 롤 코터, 리버스 롤 코터, 키스 롤 코터, 딥 롤 코터, 바 코터, 나이프 코터, 스프레이 코터, 콤마 코터, 다이렉트 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법, 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다.
점착제 조성물을 광경화시킬 때의 광원으로서는, 블랙 라이트, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프 등을 들 수 있다.
광의 조사 강도는, 점착제 조성물을 충분히 경화시킬 수 있고, 또한 경화물의 겔 분율이 50 내지 65질량％의 범위 내가 되는 것과 같은 조건인 것이 바람직하고, 예를 들어 50 내지 3000mW/㎠인 것이 바람직하다. 또한, 광의 조사 강도가 약하면 경화에 시간이 걸리고, 생산성이 저하된다.
본 실시 형태에서는, 투명한 세퍼레이터를 개재하여 점착제 조성물에 자외선을 조사했지만, 기재가 투명한 경우, 기재측으로부터 자외선을 조사해도 되고, 세퍼레이터로서 불투명한 것을 사용해도 된다.
<반도체 가공용 테이프의 용도 및 요구되는 성능>
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 예를 들어 표면에 요철 부분을 갖는 피착체에 첩부되고, 그 후에 박리되는 용도로 사용할 수 있다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 면에 첩부하여, 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하고, 소정의 웨이퍼 가공 공정 후에 박리되는 반도체 웨이퍼 가공용의 백그라인드 테이프로서 적합하게 사용할 수 있다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프를, 표면에 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하는 용도로 사용하는 경우, 반도체 가공용 테이프의 박리 강도(점착력)는, 예를 들어 반도체 디바이스의 가공 공정에서의 백그라인드 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼에 반도체 가공용 테이프가 확실히 고정되는 박리 강도(점착력)를 가질 필요가 있다. 한편, 반도체 가공용 테이프의 박리 강도는, 소정의 가공 공정의 후, 반도체 가공용 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에, 반도체 디바이스의 부품을 파손시키지 않을 정도의 강도일 필요가 있다.
이들의 관점에서, 상기의 용도에 사용되는 반도체 가공용 테이프의 박리 강도는, 박리 속도가 0.3m/min.이며, 점착제층의 두께가 50 내지 200㎛인 경우, 10 내지 300gf/25mm인 것이 바람직하고, 15 내지 200gf/25mm인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 150gf/25mm인 것이 더욱 바람직하다. 점착제층의 두께가 200 내지 500㎛인 경우, 50 내지 500gf/25mm인 것이 바람직하고, 60 내지 400gf/25mm인 것이 보다 바람직하고, 70 내지 300gf/25mm인 것이 더욱 바람직하다. 반도체 가공용 테이프의 박리 강도의 구체적인 측정 방법은, 실시예에 있어서 후술한다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 대전 방지층을 형성시킨 기재의 편면에, 본 실시 형태의 점착제 조성물의 경화물인 점착제층을 갖는다. 이 때문에, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 충분한 점착력을 갖고, 또한 반도체 가공용 테이프를 박리한 후의 피착체에 점착제층이 전사되는 접착제 잔여물이 발생하기 어렵고, 게다가 요철 흡수성 및 대전 방지 성능이 우수하다. 따라서, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체에 첩부되고, 그 후에 박리되는 용도에 적합하다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 예를 들어 표면이 범프를 포함하는 요철 부분을 갖는 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정을 행할 때에 첩부되고, 백그라인드 공정 후에 박리되는 반도체 가공용 테이프로서, 적합하게 사용할 수 있다. 이 경우, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프에 의해 반도체 웨이퍼가 충분한 점착력으로 고정된다. 게다가, 반도체 가공용 테이프가 충분한 요철 흡수성을 갖고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 테이프와 범프 주변 사이에 공극이 발생하기 어렵다. 따라서, 백그라인드 공정에서 사용하는 물이, 반도체 가공용 테이프와 범프 주변 사이의 공극에 침입하여, 반도체 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 충분한 대전 방지 성능을 갖고 있기 때문에, 백그라인드 공정 후, 반도체 웨이퍼에 첩부한 반도체 가공용 테이프를 박리했을 때에 있어서의 박리 대전을 억제할 수 있다. 또한, 백그라인드 공정 후, 반도체 가공용 테이프를 박리한 반도체 웨이퍼의 범프 주변에, 접착제 잔여물이 발생하기 어려워, 바람직하다.
본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 점착제층이 점착제 조성물의 경화물인 단층 구조로 할 수 있다. 이 경우, 1개의 층을 형성하는 공정을 행하는 것만으로 점착제층을 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 반도체 가공용 테이프는, 예를 들어 요철 흡수성을 갖는 층과 점착력을 갖는 층이 구비된 반도체 가공용 테이프를 형성하는 경우와 비교하여, 적은 제조 공정으로 용이하게 제조할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(제조예 1)
<대전 방지층을 갖는 시트 형상 기재 1의 제조>
폴리피롤 분산액(마루비시 유카 고교 가부시키가이샤제 PPY-12, 고형분 8％) 9.4질량부, 폴리에스테르계 바인더(마루비시 유카 고교 가부시키가이샤제 BI-12, 고형분 30％) 5.0질량부, 멜라민계 가교제(마루비시 유카 고교 가부시키가이샤제 CL-12, 고형분 25％) 2.6질량부, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르 0.05질량부, 물 830.0질량부를 혼합하여 수분산액을 제작하였다. 이어서, 기재 본체로서 두께 50㎛의 PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 상품명: 에스테르(상표) 필름 E5100)의 편면에, 해당 수지 조성물을 가열 경화 후의 막 두께가 1.0㎛가 되도록 그라비아 코터로 도포하였다. 이어서, 130℃, 1분간의 경화를 행하여 시트 형상 기재 1을 얻었다. 저저항율계(가부시키가이샤 미쯔비시 가가꾸 아날리텍사제 로레스타-AX)로 측정한 기재 1의 전기 저항은 8×105Ω·cm였다.
(비교 제조예 1)
<대전 방지층을 갖는 시트 형상 기재 2의 제조>
폴리티오펜(에이치·씨·스탁사제 Clevios(상표) P 고형분 1％) 93.0질량부, 폴리에스테르 수지(도요보사제 바이로날(상표) MD-1930, 고형분 31％) 6.8질량부, 멜라민계 가교제(마루비시 유카 고교 가부시키가이샤제 CL-12, 고형분 25％) 2.4질량부, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르 0.05질량부, 물 900.0질량부를 혼합하여 수분산액을 제작하였다. 이어서, 기재 본체로서 두께 50㎛의 PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 상품명: 에스테르(상표) 필름 E5100)의 편면에, 해당 수지 조성물을 가열 경화 후의 막 두께가 1.0㎛가 되도록 그라비아 코터로 도포하였다. 이어서, 130℃, 1분간의 경화를 행하여 시트 형상 기재 2를 얻었다. 저저항율계(가부시키가이샤 미쯔비시 가가꾸 아날리텍사제 로레스타-AX)로 측정한 기재 2의 전기 저항은 4×105Ω·cm였다.
(합성예 1)
<폴리우레탄(A-1)의 합성>
온도계, 교반기, 적하 깔때기, 건조관 구비 냉각관을 구비한 반응기에, 디페닐메탄디이소시아네이트의 수소 첨가물(데스모듈 W, 스미카 코베스트로 우레탄제)을 0.55kg(2.1mol)과, 수산기가가 56mgKOH/g의 히드록시기를 말단에 갖는 폴리프로필렌글리콜(액트콜 D-2000; 미쓰이 가가쿠제, 수 평균 분자량 2000)을 4.01kg(2.0mol)과, 우레탄화 촉매인 디옥틸주석(네오스탄 U-810, 닛토카세이사제)을 0.8g을 투입하였다.
그 후, 반응기를 60℃까지 승온하여 4시간 반응시켜, 폴리우레탄(A)의 전구체로서, 이소시아나토기를 양쪽 말단에 갖는 폴리우레탄을 얻었다. 계속해서, 반응기에 2-히드록시에틸아크릴레이트 23.22g(0.2mol)을 첨가하고, 70℃까지 승온하여 2시간 반응시켜, 질량 평균 분자량 67,000의 폴리우레탄(A-1)을 4.58kg 얻었다.
얻어진 폴리우레탄(A-1)을 적외선 흡수 스펙트럼(IR)법을 사용하여 분석하였다. 그 결과, 이소시아나토기 유래의 피크가 관찰되지 않았다. 따라서, 폴리우레탄(A-1)은, 모든 말단에 아크릴로일옥시기가 도입되어 있는 폴리우레탄(a1)인 것을 확인할 수 있었다.
(합성예 2)
<폴리우레탄(A-2)의 합성>
디페닐메탄디이소시아네이트의 수소 첨가물 대신에, 이소포론디이소시아네이트(데스모듈 I, 스미카 코베스트로 우레탄제) 2.1mol을 사용한 것 이외에는, 폴리우레탄(A-1)의 합성법과 마찬가지로 하여, 질량 평균 분자량 66,000의 폴리우레탄(A-2)을 얻었다.
얻어진 폴리우레탄(A-2)을 적외선 흡수 스펙트럼(IR)법을 사용하여 분석하였다. 그 결과, 이소시아나토기 유래의 피크가 관찰되지 않았다. 따라서, 폴리우레탄(A-2)은, 모든 말단에 아크릴로일옥시기가 도입되어 있는 폴리우레탄(a1)인 것을 확인할 수 있었다.
(배합예 1 내지 3, 비교 배합예 1 내지 4)
<점착제 조성물의 조제>
상기 합성 방법에 의해 얻어진 폴리우레탄(A)과, 표 1에 나타내는 (메트)아크릴레이트 모노머(B)와 연쇄 이동제(C)와 광중합 개시제(D)와 지방산에스테르(E)를 표 1에 기재된 비율로 배합하고, 25℃에서 디스퍼를 사용하여 혼합하고, 배합예 1 내지 3, 비교 배합예 1 내지 4의 점착제 조성물 c1 내지 c7을 얻었다.
표 1 중에 기재된 하기 기호는, 이하에 나타내는 화합물이다.
2EHA: 2-에틸헥실아크릴레이트(도아 고세 가부시키가이샤제)
BUA: n-부틸아크릴레이트(도아 고세 가부시키가이샤제)
ACMO: 아크릴로일모르폴린(신나까무라 가가꾸 고교 가부시키가이샤제)
TMPTA: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(도아 고세 가부시키가이샤제)
PE1: 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)(쇼와 덴코 가부시키가이샤제)
NR1: 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온(쇼와 덴코 가부시키가이샤제)
TPO(Omnirad TPO H): 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드(IGM Resins B.V.사제)
184(Omnirad 184): 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤(IGM Resins B.V.사제)
엑세팔 IPM: 미리스트산이소프로필(가오 가부시키가이샤제)
엑세팔 EH-S: 스테아르산2-에틸헥실(가오 가부시키가이샤제)
(실시예 1)
기재 1의 대전 방지층측의 면에 애플리케이터를 사용하여 표 1의 배합예 1의 점착제 조성물 c1을, 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포하였다.
이어서, 점착제 조성물의 도포면에, 세퍼레이터로서, 두께 75㎛의 실리콘계의 초경 박리 PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 품명: E7006)을 고무 롤러를 사용하여 접합하였다.
그 후, 세퍼레이터를 개재하여 점착제 조성물에, 자외선 조사 장치(아이 그래픽스 가부시키가이샤제, UV 조사 장치 3kW, 고압 수은 램프)를 사용하여, 조사 거리 25cm, 램프 이동 속도 1.0m/분, 조사량 1000mJ/㎠의 조건에서 자외선을 조사하여, 점착제 조성물을 광경화시켰다. 이것에 의해, 기재 상에, 점착제 조성물의 경화물인 점착제층과, 세퍼레이터가 적층된 실시예 1의 반도체 가공용 테이프를 얻었다.
(실시예 2 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 6)
표 2에 기재된 기재와 점착제 조성물 c2 내지 c7을 사용하고, 점착제층을 표 2에 기재된 막 두께로 하는 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 반도체 가공용 테이프를 제작하였다. 그 결과, 실시예 2 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 6의 반도체 가공용 테이프가 얻어졌다.
이어서, 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 4의 반도체 가공용 테이프에 대해서, 이하에 나타내는 항목의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
<표면 저항률의 측정>
반도체 가공용 테이프를 세로 120mm, 가로 120mm의 크기로 절취하고, 온도 23℃, 상대 습도 50％ RH의 환경 하에 3시간 방치하여 조습하였다. 그 후, 박리 PET 필름을 박리하여 점착제층을 노출시키고, 인가 전압 100V×60초의 조건에서, 고저항율계(가부시키가이샤 미쯔비시 가가꾸 애널리텍제, 하이레스타-UX)를 사용하여, 점착제층측의 표면 저항률을 측정하였다. 그리고, 이하의 기준으로 평가하였다. 표면 저항률이 작을수록, 반도체 웨이퍼에 첩부한 반도체 가공용 테이프를 박리했을 때의 박리 대전이 발생하기 어려워, 대전 방지 성능이 우수한 반도체 가공용 테이프라고 할 수 있다.
평가 기준
◎: 표면 저항률이 1×1011Ω/□ 미만
○: 표면 저항률이 1×1011Ω/□ 이상이고 1×1012Ω/□ 미만
△: 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이상이고 1×1013Ω/□ 미만
×: 표면 저항률이 1×1013Ω/□ 이상
<박리력(박리 강도)>
반도체 가공용 테이프를 세로 25mm, 가로 150mm의 크기로 절취하고, 세퍼레이터를 박리하여 점착제층을 노출시켰다. 그 후, 노출한 점착제층의 전체 면을, 유리판에 라미네이트하고, 질량 2kg(하중 19.6N)의 고무 롤러(직경: 85mm, 폭: 50mm)를 1 왕복시킴으로써, 측정용 샘플을 얻었다. 얻어진 측정용 샘플을, 온도 23℃ 및 상대 습도 50％ RH의 환경 하에 30분간 방치하였다. 그 후, JIS K 6854-2에 준하여, 박리 속도 0.3m/min.으로 180° 방향의 인장 시험을 행하여, 유리판에 대한 박리 강도(gf/25mm)를 측정하였다.
<요철 흡수성>
반도체 가공용 테이프를 세로 25mm, 가로 50mm의 크기로 절취하고, 세퍼레이터를 박리하여 점착제층을 노출시켰다. 그 후, 노출한 점착제층의 표면과, 범프 구비 웨이퍼(왈츠사제, WALTS-TEG FC150SCJY LF(PI), 범프 높이: 75㎛, 범프 사이즈: 직경 90㎛)의 범프를 대향시켜서 설치하였다. 그리고, 반도체 가공용 테이프의 기재 상에, 질량 2kg(하중 19.6N)의 고무 롤러(직경: 85mm, 폭: 50mm)를 속도 10mm/sec로 3 왕복시켜서, 반도체 가공용 테이프와 범프 구비 웨이퍼를 접합하였다.
반도체 가공용 테이프와 접합한 범프 구비 웨이퍼를, 반도체 가공용 테이프의 기재측으로부터 디지털 광학 현미경(가부시키가이샤 배합 하이록스사제, RH-2000)에 의해 관찰하고, 이하의 기준에 의해, 범프에 대한 요철 흡수성을 평가하였다.
「기준」
○: 반도체 가공용 테이프의 점착제층과 범프 구비 웨이퍼의 범프 주변 사이에 공극이 없다.
×: 반도체 가공용 테이프의 점착제층과 범프 구비 웨이퍼의 범프 주변 사이에 공극이 있다.
<접착제 잔여물에 의한 오염>
반도체 가공용 테이프를 세로 25mm, 가로 50mm의 크기로 절취하고, 세퍼레이터를 박리하여 점착제층을 노출시켰다. 그 후, 노출한 점착제층의 표면과, 범프 구비 웨이퍼(왈츠사제, WALTS-TEG FC150SCJY LF(PI), 범프 높이: 75㎛, 범프 사이즈: 직경 90㎛)의 범프와 대향시켜서 설치하였다. 그리고, 반도체 가공용 테이프의 기재 상에, 질량 2kg(하중 19.6N)의 고무 롤러(직경: 85mm, 폭: 50mm)를 속도 10mm/sec로 3 왕복시켜서, 반도체 가공용 테이프와 범프 구비 웨이퍼를 접합하였다.
반도체 가공용 테이프와 접합된 범프 구비 웨이퍼를, 23℃에서 24시간 방치한 후, 반도체 가공용 테이프를 약 2m/min. 정도의 속도로 손으로 박리하였다. 그리고, 범프 구비 웨이퍼의 표면을 디지털 광학 현미경(가부시키가이샤 하이록스사제, RH-2000)에 의해 관찰하고, 접착제 잔여물에 의한 오염의 유무를, 이하의 기준으로 평가하였다. 또한, 「접착제 잔여물」이란, 점착제층 자체가 웨이퍼 표면에 부착된 상태로 남아, 웨이퍼 표면이 끈적거리고 있는 상태인 것을 의미한다.
「기준」
○: 범프 주변에 접착제 잔여물에 의한 오염이 없다.
×: 범프 주변에 접착제 잔여물에 의한 오염이 있다.
<겔 분율의 측정>
두께 75㎛의 박리 PET 필름(히가시야마 필름 가부시키가이샤제, 상품명: 크린세퍼(상표) HY-S10-2) 상에, 애플리케이터를 사용하여 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록, 점착제 조성물을 도포하였다. 또한, 비교예 4에 대해서는 경화 후의 두께가 30㎛가 되도록 조정하였다. 이어서, 점착제 조성물의 도포면을, 두께 75㎛의 실리콘계의 초경 박리 PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 품명: E7006)으로 덮었다.
계속해서, 자외선 조사 장치(아이그래픽스 가부시키가이샤제, UV 조사 장치 3kW, 고압 수은 램프)를 사용하여, 조사 거리 25cm, 램프 이동 속도 1.0m/분, 조사량 1000mJ/㎠의 조건에서, 초경 박리 PET 필름을 개재하여 자외선을 조사하여, 점착제 조성물을 경화시켜서 경화물(점착제층)을 얻었다.
이어서, 경화물(점착제층)을 약 1g이 되는 사이즈로 잘라내고, 양면의 PET 필름을 박리하여 측정용 샘플로 하고, 그 질량을 측정하였다. 계속해서, 측정용 샘플을 50ml의 톨루엔에 침지하고, 실온에서 72시간 정치하였다. 그 후, 측정용 샘플을 톨루엔 중으로부터 취출하고, 80℃에서 5시간 건조시키고, 다시 질량을 측정하였다. 그리고, 하기 식에 기초하여, 겔 분율을 측정하였다.
겔 분율(％)=[A/B]×100
A: 톨루엔에 침지한 후의 측정용 샘플의 질량(톨루엔의 질량은 포함하지 않는다)
B: 톨루엔에 침지하기 전의 측정용 샘플의 질량
표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 3의 반도체 가공용 테이프는, 표면 저항률이 낮고 대전 방지 성능이 우수하다는 것을 보여준다. 또한, 박리력(점착력)이 높고, 요철 흡수성이 우수하고, 범프 구비 웨이퍼로부터 박리했을 때에 접착제 잔여물에 의한 오염이 발생하지 않았다.
이에 비하여, 대전 방지층에 폴리피롤 화합물을 함유하지 않는 기재 2를 사용한 비교예 1에서는, 표면 저항률이 높고 대전 방지 성능이 떨어진다는 것을 보여준다. 점착제 조성물로서 연쇄 이동제(C)를 사용하지 않은 비교예 2, 3 및 6은, 점착제층의 겔 분율을 적정 범위로 제어할 수 없고, 박리력, 요철 흡수성, 접착제 잔여물의 어느 것이 뒤떨어지는 결과가 되었다. 점착제층의 두께가 얇은 비교예 4는, 충분한 요철 흡수성이 얻어지지 않았다. 비교예 5는, 점착제 조성물 c1과 비교하여, 연쇄 이동제(C)를 사용하지 않고 광중합 개시제(D)를 증량한 점착제 조성물 c6을 사용하였다. 그 결과, 겔 분율은 실시예 1과 동등한 것이 얻어졌지만, 요철 흡수성이 불충분하고, 접착제 잔여물에 의한 오염도 발생하였다.
본 발명에 따르면, 충분한 요철 흡수성, 대전 방지 성능, 점착력을 갖고, 또한 접착제 잔여물이 발생하기 어렵고, 게다가 적은 제조 공정으로 제조 가능한 반도체 가공용 테이프가 제공된다. 해당 반도체 가공용 테이프는, 반도체 웨이퍼 가공 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼 표면을 보호하고, 가공 공정 후에 박리하는 용도로서, 바람직하게 사용할 수 있다. 특히, 표면에 범프가 형성된 반도체 웨이퍼 등, 표면에 요철 부분을 갖는 피착체의 백그라인드 공정을 행할 때에, 표면을 보호하기 위하여 사용되는 백그라인드 테이프로서 적합하다.
Claims (8)
- 기재 본체와 상기 기재 본체의 적어도 편면에 마련된 대전 방지층을 갖는 시트 형상의 기재와,
상기 대전 방지층 상에 형성된 점착제층
을 갖는 반도체 가공용 테이프이며,
상기 대전 방지층은 폴리피롤 화합물을 함유하고,
상기 점착제층은, 점착제 조성물의 경화물이고,
상기 점착제층의 두께가 50 내지 500㎛이고,
상기 점착제 조성물은, 폴리우레탄(A)과, (메트)아크릴레이트 모노머(B)와, 연쇄 이동제(C)와, 광중합 개시제(D)를 포함하고,
상기 폴리우레탄(A)이, 폴리우레탄(a1)을 함유하고,
상기 폴리우레탄(a1)이, 폴리옥시알킬렌폴리올 유래의 구조 및 폴리이소시아네이트 유래의 구조를 포함하는 골격을 갖고, 또한, 복수의 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖고,
상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)가, 단관능 (메트)아크릴레이트와 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프. - 제1항에 있어서, 상기 점착제층이, 단층 구조인 반도체 가공용 테이프.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연쇄 이동제(C)가, 다관능 티올인, 반도체 가공용 테이프.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층의 겔 분율이 50 내지 65질량％인, 반도체 가공용 테이프.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층의 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 미만인, 반도체 가공용 테이프.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)가, 상기 단관능 (메트)아크릴레이트를 85 내지 99몰％, 상기 다관능 (메트)아크릴레이트를 1 내지 15몰％ 함유하는, 반도체 가공용 테이프.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제 조성물이,
상기 폴리우레탄(A)을 20 내지 50질량％,
상기 (메트)아크릴레이트 모노머(B)를 35 내지 79질량％,
상기 연쇄 이동제(C)를 0.5 내지 8질량％,
상기 광중합 개시제(D)를 0.01 내지 5질량％ 포함하는, 반도체 가공용 테이프. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제 조성물이, 지방산에스테르(E)를 더 함유하는, 반도체 가공용 테이프.
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