KR20220080941A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20220080941A
KR20220080941A KR1020200170240A KR20200170240A KR20220080941A KR 20220080941 A KR20220080941 A KR 20220080941A KR 1020200170240 A KR1020200170240 A KR 1020200170240A KR 20200170240 A KR20200170240 A KR 20200170240A KR 20220080941 A KR20220080941 A KR 20220080941A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
stage
gas
unit
vacuum pressure
Prior art date
Application number
KR1020200170240A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김용원
성보람찬
윤홍섭
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200170240A priority Critical patent/KR20220080941A/en
Publication of KR20220080941A publication Critical patent/KR20220080941A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 부상시키는 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 노즐, 상기 스테이지에 형성된 가스홀을 통해 상기 기판에 가스압을 제공하는 가스 제공부, 상기 스테이지에 형성된 흡기홀을 통해 상기 기판에 진공압을 제공하는 가스 흡기부, 및 상기 진공압을 제어하는 가스 흡기 밸브를 포함하되, 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되지 않은 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 차단하고, 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되는 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 개방하여 상기 진공압을 상기 기판에 제공하는 것을 포함한다.A substrate processing apparatus is provided. A substrate processing apparatus includes a stage for levitating a substrate, a nozzle disposed on the stage and providing a chemical solution to the substrate, a gas supply unit providing gas pressure to the substrate through a gas hole formed in the stage, and intake air formed in the stage a gas intake unit providing a vacuum pressure to the substrate through a hole, and a gas intake valve controlling the vacuum pressure, wherein when the substrate is not loaded on the stage, the gas intake valve is blocked; and providing the vacuum pressure to the substrate by opening the gas intake valve when the substrate is loaded on the stage.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판 상으로 약액을 공급하는 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning for supplying a chemical solution onto a substrate are performed. Among these processes, a photolithography process forms a desired pattern on a substrate.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에서 특정 영역을 제거하는 현상공정을 포함한다. 이러한 공정들 중에 도포 공정은 기판이 일방향으로 반송하는 도중에 노즐로부터 기판으로 약액이 토출된다.The photolithography process includes a coating process of applying a photoresist such as a photoresist on a substrate, an exposure process of forming a specific pattern on the applied photoresist film, and a developing process of removing a specific region from the exposed photoresist film. Among these processes, in the coating process, the chemical is discharged from the nozzle to the substrate while the substrate is transported in one direction.

기판의 이동은 지지부재가 기판의 저면으로 가스압과 진공압을 제공하여 그 기판을 공중 부양시킨 상태에서 이루어진다. 기판의 저면에 가스압 및 진공압을 제공하는 경우 급격한 압력의 변화로 인하여 기판이 흔들릴 수 있다. 도포 공정 중에 기판이 흔들리게 되면 도포된 약액으로부터 기판에 얼룩이 생기는 등의 문제가 발생할 수 있다.The movement of the substrate is performed in a state in which the support member provides gas pressure and vacuum pressure to the bottom surface of the substrate to levitate the substrate. When gas pressure and vacuum pressure are applied to the bottom surface of the substrate, the substrate may be shaken due to a sudden change in pressure. If the substrate is shaken during the application process, problems such as staining of the substrate from the applied chemical may occur.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판이 스테이지 상에 로딩된 상태에서만 흡기홀을 통해 진공압을 스테이지 상에 제공함으로써, 흡기홀에 유입되는 약액 또는 이물질을 양을 감소시켜 기판의 안정적인 부상량을 유지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a vacuum pressure on the stage through the intake hole only when the substrate is loaded on the stage, thereby reducing the amount of chemical or foreign substances flowing into the intake hole, thereby stably floating the substrate. It is to provide a substrate processing apparatus for holding.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 부상시키는 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 노즐, 상기 스테이지에 형성된 가스홀을 통해 상기 기판에 가스압을 제공하는 가스 제공부, 상기 스테이지에 형성된 흡기홀을 통해 상기 기판에 진공압을 제공하는 가스 흡기부, 및 상기 진공압을 제어하는 가스 흡기 밸브를 포함하되, 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되지 않은 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 차단하고, 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되는 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 개방하여 상기 진공압을 상기 기판에 제공하는 것을 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is through a stage for levitating a substrate, a nozzle disposed on the stage and providing a chemical solution to the substrate, and a gas hole formed in the stage a gas supply unit providing a gas pressure to the substrate, a gas intake unit providing a vacuum pressure to the substrate through an intake hole formed in the stage, and a gas intake valve controlling the vacuum pressure, wherein the substrate is disposed on the stage and shutting off the gas intake valve when not loaded on the stage, and opening the gas intake valve when the substrate is loaded on the stage to provide the vacuum pressure to the substrate.

상기 가스압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되기 전부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공될 수 있다.The gas pressure may be provided from before the substrate is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage.

상기 스테이지는, 상기 기판이 로딩되는 반입부와, 상기 기판에 상기 약액이 제공되는 도포부와, 상기 기판이 언로딩되는 반출부를 포함하되, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 도포부 상에 제공되는 상기 진공압을 제어할 수 있다.The stage includes a loading part on which the substrate is loaded, an application part providing the chemical solution to the substrate, and an unloading part on which the substrate is unloaded, wherein the gas intake valve is provided on the application part. You can control the pneumatic pressure.

상기 기판이 상기 반입부 상에 로딩된 후부터 상기 반출부로부터 언로딩될 때까지, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 제공되도록 제어할 수 있다.From the time the substrate is loaded onto the carrying-in part until it is unloaded from the carrying-out part, the gas intake valve may control the vacuum pressure to be provided.

상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 후부터 상기 반출부에 위치되기 전까지, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 제공되도록 제어할 수 있다.The gas intake valve may control the vacuum pressure to be provided after the substrate is placed on the application unit until the substrate is placed on the carrying unit.

상기 기판의 상기 도포부 상에 위치된 상태에서, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 상기 기판과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에만 제공되도록 제어할 수 있다.In a state in which it is positioned on the application part of the substrate, the gas intake valve may control the vacuum pressure to be provided only to a region overlapping the substrate in a vertical direction.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판이 로딩되는 반입부, 상기 기판에 약액이 제공되는 도포부 및 상기 기판이 언로딩되는 반출부를 포함하고, 상기 기판을 부상시키는 스테이지, 상기 도포부 상에 배치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 노즐, 상기 반입부, 상기 도포부 및 상기 반출부 각각에 형성된 가스홀을 통해 상기 기판에 가스압을 제공하는 가스 제공부, 및 상기 도포부에 형성된 흡기홀을 통해 상기 기판에 진공압을 제공하는 가스 흡기부를 포함하되, 상기 가스압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되기 전부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공되고, 상기 진공압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩된 후부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공된다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object includes a loading part on which a substrate is loaded, an application part on which a chemical solution is provided to the substrate, and a unloading part on which the substrate is unloaded, and the substrate is floated a stage, a gas supply unit disposed on the application unit and providing a gas pressure to the substrate through a nozzle for providing a chemical solution to the substrate, a gas hole formed in each of the carry-in unit, the application unit, and the discharge unit; A gas intake unit providing a vacuum pressure to the substrate through an intake hole formed in the application unit, wherein the gas pressure is provided from before the substrate is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage, and the vacuum pressure is The substrate is provided from after it is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage.

상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 후부터 상기 반출부에 위치되기 전까지, 상기 진공압이 제공될 수 있다.The vacuum pressure may be provided after the substrate is placed on the application unit until the substrate is placed on the carrying unit.

상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 상태에서, 상기 진공압은 상기 기판과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에만 제공될 수 있다.In a state in which the substrate is positioned on the applicator, the vacuum pressure may be applied only to a region overlapping the substrate in a vertical direction.

각각이 상기 진공압을 독립적으로 제어하는 복수의 가스 흡기 밸브를 더 포함할 수 있다.It may further include a plurality of gas intake valves each independently controlling the vacuum pressure.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
2 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 2 .
4 to 6 are views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.
7 to 9 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to some other exemplary embodiments of the present invention.
10 is a cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
11 to 13 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to still another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참고하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참고 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments published below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the publication of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe the correlation between an element or components and other elements or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, when an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.It should be understood that although first, second, etc. are used to describe various elements, components, and/or sections, these elements, components, and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component, or sections from another. Accordingly, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be the second element, the second element, or the second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements mentioned. or addition is not excluded.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.

이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참고하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참고번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A description will be omitted.

이하에서, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6 .

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절단한 단면도이다. 도 4 내지 도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. 2 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 2 . 4 to 6 are views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스테이지(100), 복수의 홀(110), 파지부(120), 제1 가이드 레일(125), 노즐(130), 제2 가이드 레일(131), 수직 프레임(132), 지지대(133), 가스 제공부(140), 가스 제공 라인(145), 가스 제공 밸브(150), 가스 흡기부(160), 가스 흡기 라인(165) 및 가스 흡기 밸브(170)를 포함한다.1 to 6 , a substrate processing apparatus according to some embodiments of the present disclosure includes a stage 100 , a plurality of holes 110 , a gripper 120 , a first guide rail 125 , and a nozzle 130 . ), the second guide rail 131 , the vertical frame 132 , the support 133 , the gas supply unit 140 , the gas supply line 145 , the gas supply valve 150 , the gas intake unit 160 , and the gas It includes an intake line 165 and a gas intake valve 170 .

스테이지(100)는 제1 수평 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 기판(W)은 스테이지(100) 상에 제공될 수 있다. 스테이지(100)는 기판(W)을 부상시킬 수 있다.The stage 100 may extend in the first horizontal direction DR1 . The substrate W may be provided on the stage 100 . The stage 100 may levitate the substrate W.

스테이지(100)는 예를 들어, 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103)를 포함할 수 있다. 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103)는 제1 수평 방향(DR1)으로 순차적으로 인접하도록 배치될 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 몇몇 실시예에서, 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각은 별도의 스테이지로 구성될 수 있다.The stage 100 may include, for example, a carry-in unit 101 , an application unit 102 , and a carry-out unit 103 . The carry-in unit 101 , the application unit 102 , and the take-out unit 103 may be sequentially disposed adjacent to each other in the first horizontal direction DR1 . However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In some other embodiments, each of the carrying-in unit 101 , the applying unit 102 , and the carrying-out unit 103 may be configured as a separate stage.

반입부(101)에는 기판(W)이 로딩될 수 있다. 도포부(102)에서는 기판(W)에 약액(10)을 제공할 수 있다. 기판(W)은 반출부(103)를 통해 스테이지(100)로부터 언로딩될 수 있다. 반출부(103)로 이동된 기판(W)은 별도의 반송 유닛을 이용하여 이동될 수 있다.A substrate W may be loaded in the carry-in unit 101 . In the applicator 102 , the chemical solution 10 may be provided to the substrate W . The substrate W may be unloaded from the stage 100 through the unloading unit 103 . The substrate W moved to the carrying unit 103 may be moved using a separate transfer unit.

스테이지(100)에는 그 내부를 관통하는 복수의 홀(110)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각에는 그 내부를 관통하는 복수의 홀(110)이 형성될 수 있다. 복수의 홀(110) 각각은 제1 수평 방향(DR1) 및 제1 수평 방향(DR1)과 수직인 제2 수평 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면 상에서 서로 이격되어 배열될 수 있다.A plurality of holes 110 penetrating the inside of the stage 100 may be formed. For example, a plurality of holes 110 penetrating the inside may be formed in each of the carrying-in unit 101 , the applying unit 102 , and the carrying-out unit 103 . Each of the plurality of holes 110 may be arranged to be spaced apart from each other on a plane defined by the first horizontal direction DR1 and the second horizontal direction DR2 perpendicular to the first horizontal direction DR1 .

복수의 홀(110)은 가스홀(111), 흡기홀(112) 및 배기홀(113)을 포함할 수 있다. 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부를 향해 가스압이 제공될 수 있다. 흡기홀(112)을 통해 스테이지(100)의 상부에 진공압을 제공할 수 있다. 즉, 흡기홀(112)을 통해 스테이지(100)의 상부에 존재하는 가스가 흡기될 수 있다. 배기홀(113)을 통해 스테이지(100)의 상부에 존재하는 가스가 스테이지(100)의 하부로 배기될 수 있다.The plurality of holes 110 may include a gas hole 111 , an intake hole 112 , and an exhaust hole 113 . A gas pressure may be provided toward the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 . A vacuum pressure may be provided to the upper portion of the stage 100 through the intake hole 112 . That is, the gas present in the upper portion of the stage 100 may be sucked in through the intake hole 112 . The gas present in the upper part of the stage 100 may be exhausted to the lower part of the stage 100 through the exhaust hole 113 .

가스홀(111)은 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각에 형성될 수 있다. 기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되기 전부터 스테이지(100)로부터 언로딩될 때까지 가스홀(111)을 통해 지속적으로 가스압이 스테이지(100)의 상부를 향해 제공될 수 있다.The gas hole 111 may be formed in each of the carrying-in unit 101 , the applying unit 102 , and the carrying-out unit 103 . From before the substrate W is loaded onto the stage 100 until it is unloaded from the stage 100 , a gas pressure may be continuously provided toward the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 .

흡기홀(112)은 도포부(102)에 형성될 수 있다. 흡기홀(112)은 예를 들어, 반입부(101) 및 반출부(103) 각각에는 형성되지 않을 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 몇몇 실시예에서, 흡기홀(112)은 반입부(101) 및 반출부(103) 각각에도 형성될 수 있다.The intake hole 112 may be formed in the application unit 102 . The intake hole 112 may not be formed in each of the carrying-in unit 101 and the carrying-out unit 103 , for example. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In some other embodiments, the intake hole 112 may also be formed in each of the carry-in part 101 and the carry-out part 103 .

기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩된 후부터 스테이지(100)로부터 언로딩될 때까지 흡기홀(112)을 통해 진공압이 스테이지(100)의 상부에 제공될 수 있다. 즉, 기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩된 후부터 스테이지(100)로부터 언로딩될 때까지 흡기홀(112)을 통해 스테이지(100)의 상부에 존재하는 가스가 흡기될 수 있다.From the time the substrate W is loaded onto the stage 100 until it is unloaded from the stage 100 , a vacuum pressure may be applied to the upper portion of the stage 100 through the intake hole 112 . That is, from the time the substrate W is loaded onto the stage 100 until it is unloaded from the stage 100 , the gas present in the upper portion of the stage 100 may be absorbed through the intake hole 112 .

배기홀(113)은 반입부(101) 및 반출부(103) 각각에 형성될 수 있다. 기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되기 전부터 스테이지(100)로부터 언로딩될 때까지 배기홀(113)을 통해 지속적으로 스테이지(100)의 상부에 존재하는 가스가 스테이지(100)의 하부로 배기될 수 있다.The exhaust hole 113 may be formed in each of the carry-in part 101 and the carry-out part 103 . From before the substrate W is loaded onto the stage 100 until it is unloaded from the stage 100 , the gas present in the upper part of the stage 100 continuously flows through the exhaust hole 113 to the lower part of the stage 100 . can be exhausted.

제1 가이드 레일(125)은 스테이지(100)의 제2 수평 방향(DR2)의 양 측에 배치될 수 있다. 제1 가이드 레일(125)은 제1 수평 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.The first guide rails 125 may be disposed on both sides of the stage 100 in the second horizontal direction DR2 . The first guide rail 125 may extend in the first horizontal direction DR1 .

파지부(120)는 제1 가이드 레일(125)에 연결될 수 있다. 파지부(120)는 스테이지(100)의 제2 수평 방향(DR2)의 양 측에 배치될 수 있다. 파지부(120)는 제1 가이드 레일(125)을 따라 제1 수평 방향(DR1)으로 이동될 수 있다. 파지부(120)는 스테이지(100)의 제2 수평 방향(DR2)의 양 측에 배치될 수 있다.The grip part 120 may be connected to the first guide rail 125 . The grippers 120 may be disposed on both sides of the stage 100 in the second horizontal direction DR2 . The gripper 120 may be moved in the first horizontal direction DR1 along the first guide rail 125 . The grippers 120 may be disposed on both sides of the stage 100 in the second horizontal direction DR2 .

파지부(120)는 제1 가이드 레일(125)에 연결된 제1 부분(121) 및 제1 부분(121)으로부터 스테이지(100)를 향해 돌출된 제2 부분(122)을 포함할 수 있다. 스테이지(100) 상에 로딩된 기판(W)은 파지부(120)에 의해 스테이지(100) 상에 파지될 수 있다. 기판(W)은 파지부(120)에 의해 파지된 상태로 제1 수평 방향(DR1)으로 이동될 수 있다.The gripper 120 may include a first portion 121 connected to the first guide rail 125 and a second portion 122 protruding from the first portion 121 toward the stage 100 . The substrate W loaded on the stage 100 may be held on the stage 100 by the holding unit 120 . The substrate W may be moved in the first horizontal direction DR1 while being held by the gripper 120 .

제2 가이드 레일(131)은 스테이지(100)의 제2 수평 방향(DR2)의 양 측에 배치될 수 있다. 제1 가이드 레일(125)은 제2 가이드 레일(131)과 스테이지(100) 사이에 배치될 수 있다. 제2 가이드 레일(131)은 제1 수평 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.The second guide rails 131 may be disposed on both sides of the stage 100 in the second horizontal direction DR2 . The first guide rail 125 may be disposed between the second guide rail 131 and the stage 100 . The second guide rail 131 may extend in the first horizontal direction DR1 .

수직 프레임(132)은 스테이지(100)의 제2 수평 방향(DR2)의 양 측에 배치될 수 있다. 수직 프레임(132)은 제2 가이드 레일(131)에 연결될 수 있다. 수직 프레임(132)은 제2 가이드 레일(131)을 따라 제1 수평 방향(DR1)으로 이동될 수 있다. 지지대(133)는 2개의 수직 프레임(132) 사이를 연결할 수 있다. 지지대(133)는 스테이지(100) 상에서 제2 수평 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.The vertical frames 132 may be disposed on both sides of the stage 100 in the second horizontal direction DR2 . The vertical frame 132 may be connected to the second guide rail 131 . The vertical frame 132 may move in the first horizontal direction DR1 along the second guide rail 131 . The support 133 may connect between the two vertical frames 132 . The support 133 may extend in the second horizontal direction DR2 on the stage 100 .

노즐(130)은 스테이지(100) 상에 수직 방향(DR3)으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 노즐(130)은 도포부(102) 상에 배치될 수 있다. 노즐(130)은 예를 들어, 제2 수평 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 노즐(130)은 지지대(133)에 연결될 수 있다. 노즐(130)은 지지대(133)에 연결되어 제2 가이드 레일(131)을 따라 제1 수평 방향(DR1)으로 이동될 수 있다.The nozzles 130 may be disposed to be spaced apart from each other in the vertical direction DR3 on the stage 100 . For example, the nozzle 130 may be disposed on the applicator 102 . The nozzle 130 may extend, for example, in the second horizontal direction DR2 . The nozzle 130 may be connected to the support 133 . The nozzle 130 may be connected to the support 133 and move in the first horizontal direction DR1 along the second guide rail 131 .

노즐(130)은 도포부(102) 상에 위치된 기판(W)에 약액(10)을 제공할 수 있다. 약액(10)은 예를 들어, 포토 레지스트 공정에 이용되는 감광액일 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.The nozzle 130 may provide the chemical solution 10 to the substrate W positioned on the application unit 102 . The chemical solution 10 may be, for example, a photoresist used in a photoresist process. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

가스 제공부(140)는 가스 제공 라인(145)을 통해 가스홀(111)에 연결될 수 있다. 가스 제공부(140)는 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부에 가스압을 제공할 수 있다.The gas providing unit 140 may be connected to the gas hole 111 through the gas providing line 145 . The gas providing unit 140 may provide a gas pressure to the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 .

가스 흡기부(160)는 가스 흡기 라인(165)을 통해 흡기홀(112)에 연결될 수 있다. 가스 흡기부(160)는 흡기홀(112)을 통해 스테이지(100)의 상부에 진공압을 제공할 수 있다.The gas intake unit 160 may be connected to the intake hole 112 through a gas intake line 165 . The gas intake unit 160 may provide a vacuum pressure to the upper portion of the stage 100 through the intake hole 112 .

가스 제공 밸브(150)는 가스 제공 라인(145)에 설치될 수 있다. 가스 제공 밸브(150)를 이용하여 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부에 제공되는 가스압을 제어할 수 있다.The gas providing valve 150 may be installed in the gas providing line 145 . The gas pressure provided to the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 may be controlled by using the gas supply valve 150 .

가스 흡기 밸브(170)는 가스 흡기 라인(165)에 설치될 수 있다. 가스 흡기 밸브(170)를 이용하여 흡기홀(112)을 통해 도포부(102)의 상부에 제공되는 진공압을 제어할 수 있다.The gas intake valve 170 may be installed in the gas intake line 165 . The vacuum pressure provided to the upper portion of the application unit 102 through the intake hole 112 may be controlled by using the gas intake valve 170 .

이하에서, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, an operation of a substrate processing apparatus according to some exemplary embodiments will be described with reference to FIGS. 3 to 6 .

도 3을 참조하면, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되기 전부터 가스홀(111)을 통해 가스압이 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 가스압은 기판(W)이 반출부(103)로부터 언로딩될 때까지 지속적으로 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 가스압은 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각에 형성된 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 3 , a gas pressure may be provided to the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 before the substrate W is loaded onto the carry-in unit 101 . For example, the gas pressure may be continuously provided to the upper portion of the stage 100 until the substrate W is unloaded from the unloading unit 103 . The gas pressure may be provided to the upper portion of the stage 100 through the gas holes 111 formed in each of the carry-in unit 101 , the application unit 102 , and the discharge unit 103 .

기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되지 않은 경우, 가스 흡기 밸브(170)가 차단될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되지 않은 경우, 가스 흡기 밸브(170)는 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.When the substrate W is not loaded on the stage 100 , the gas intake valve 170 may be blocked. For example, when the substrate W is not loaded on the carry-in unit 101 , the gas intake valve 170 may be blocked to control so that a vacuum pressure is not provided to the upper portion of the application unit 102 .

도 4 내지 도 6을 참조하면, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩된 후부터 흡기홀(112)을 통해 진공압이 도포부(102)의 상부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 진공압은 기판(W)이 반출부(103)로부터 언로딩될 때까지 지속적으로 도포부(102)의 상부로 제공될 수 있다.4 to 6 , after the substrate W is loaded on the carry-in unit 101 , a vacuum pressure may be provided to the upper portion of the application unit 102 through the intake hole 112 . For example, the vacuum pressure may be continuously provided to the upper portion of the application unit 102 until the substrate W is unloaded from the unloading unit 103 .

기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되는 경우, 가스 흡기 밸브(170)가 개방될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되는 경우, 가스 흡기 밸브(170)는 개방되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되도록 제어할 수 있다.When the substrate W is loaded on the stage 100 , the gas intake valve 170 may be opened. For example, when the substrate W is loaded on the carry-in unit 101 , the gas intake valve 170 may be opened to control vacuum pressure to be provided to the upper portion of the application unit 102 .

본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩된 상태에서만 흡기홀(112)을 통해 진공압을 스테이지(100) 상에 제공함으로써, 흡기홀(112)에 유입되는 약액 또는 이물질을 양을 감소시켜 기판(W)의 안정적인 부상량을 유지할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention, vacuum pressure is applied to the stage 100 through the intake hole 112 only in a state in which the substrate W is loaded on the stage 100 , thereby providing the intake hole 112 . ), it is possible to maintain a stable amount of floating of the substrate (W) by reducing the amount of the chemical or foreign substances flowing into it.

이하에서, 도 3, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, an operation of a substrate processing apparatus according to some other exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 7 to 9 .

도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.7 to 9 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to some other exemplary embodiments of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되기 전부터 가스홀(111)을 통해 가스압이 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 가스압은 기판(W)이 반출부(103)로부터 언로딩될 때까지 지속적으로 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 가스압은 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각에 형성된 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the substrate processing apparatus according to some embodiments of the present invention, before the substrate W is loaded onto the loading unit 101 , the gas pressure is transferred to the upper portion of the stage 100 through the gas hole 111 . can be provided. For example, the gas pressure may be continuously provided to the upper portion of the stage 100 until the substrate W is unloaded from the unloading unit 103 . The gas pressure may be provided to the upper portion of the stage 100 through the gas holes 111 formed in each of the carry-in unit 101 , the application unit 102 , and the discharge unit 103 .

기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되지 않은 경우, 가스 흡기 밸브(270)가 차단될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되지 않은 경우, 가스 흡기 밸브(270)는 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.When the substrate W is not loaded on the stage 100 , the gas intake valve 270 may be blocked. For example, when the substrate W is not loaded on the carry-in unit 101 , the gas intake valve 270 may be blocked to control so that vacuum pressure is not provided to the upper portion of the application unit 102 .

도 7을 참조하면, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩될 수 있다. 이 경우, 가스 흡기 밸브(270)는 여전히 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the substrate W may be loaded on the carry-in unit 101 . In this case, the gas intake valve 270 is still blocked, so that the vacuum pressure is not provided to the upper portion of the applicator 102 .

도 8을 참조하면, 기판(W)이 도포부(102) 상으로 위치될 수 있다. 기판(W)이 도포부(102) 상에 위치된 후부터 흡기홀(112)을 통해 진공압이 도포부(102)의 상부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 진공압은 기판(W)이 반출부(103)에 위치되기 전까지 지속적으로 도포부(102)의 상부로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the substrate W may be positioned on the application unit 102 . After the substrate W is positioned on the applicator 102 , a vacuum pressure may be provided to the upper portion of the applicator 102 through the intake hole 112 . For example, the vacuum pressure may be continuously provided to the upper portion of the application unit 102 until the substrate W is positioned on the discharge unit 103 .

도 9를 참조하면, 기판(W)이 반출부(103) 상으로 위치될 수 있다. 기판(W)이 반출부(103) 상에 위치된 후부터 가스 흡기 밸브(270)는 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the substrate W may be positioned on the carry-out part 103 . After the substrate W is positioned on the discharging unit 103 , the gas intake valve 270 may be blocked so that vacuum pressure is not provided to the upper portion of the application unit 102 .

이하에서, 도 10 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다. 도 1 내지 도 6에 도시된 기판 처리 장치와의 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 13 . Differences from the substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 to 6 will be mainly described.

도 10은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 11 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.10 is a cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention. 11 to 13 are diagrams for explaining an operation of a substrate processing apparatus according to still another exemplary embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가스 흡기 라인(165)에 복수의 가스 흡기 밸브가 설치될 수 있다.Referring to FIG. 10 , in the substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention, a plurality of gas intake valves may be installed in a gas intake line 165 .

예를 들어, 가스 흡기 라인(165)에 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)가 설치될 수 있다. 도 10에는 가스 흡기 라인(165)에 6개의 가스 흡기 밸브가 설치되는 것으로 도시되어 있지만, 이는 예시적인 것이고, 가스 흡기 라인(165)에 설치되는 가스 흡기 밸브의 개수는 도포부(102)에 형성되는 흡기홀(112)의 개수와 동일하기만 하면 제한되지 않는다.For example, first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may be installed in the gas intake line 165 . Although it is shown that six gas intake valves are installed in the gas intake line 165 in FIG. 10 , this is exemplary, and the number of gas intake valves installed in the gas intake line 165 is formed in the application unit 102 . It is not limited as long as it is the same as the number of intake holes 112 to be used.

제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376) 각각은 흡기홀들(112) 각각에 연결된 가스 흡기 라인들(165)을 독립적으로 개폐시킬 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 도포부(102) 상에 위치된 상태에서, 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376) 각각은 기판(W)과 수직 방향(DR3)으로 오버랩되는 영역에만 진공압이 제공되도록 독립적으로 제어될 수 있다.Each of the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may independently open and close the gas intake lines 165 connected to each of the intake holes 112 . For example, in a state in which the substrate W is positioned on the application unit 102 , each of the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , 376 is perpendicular to the substrate W It can be independently controlled so that the vacuum pressure is applied only to the area overlapping in the direction DR3.

이하에서, 도 10 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, an operation of a substrate processing apparatus according to still another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 13 .

도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되기 전부터 가스홀(111)을 통해 가스압이 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 예를 들어, 가스압은 기판(W)이 반출부(103)로부터 언로딩될 때까지 지속적으로 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다. 가스압은 반입부(101), 도포부(102) 및 반출부(103) 각각에 형성된 가스홀(111)을 통해 스테이지(100)의 상부로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 10 , in the substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention, before the substrate W is loaded onto the loading unit 101 , the gas pressure is increased through the gas hole 111 at the upper portion of the stage 100 . can be provided as For example, the gas pressure may be continuously provided to the upper portion of the stage 100 until the substrate W is unloaded from the unloading unit 103 . The gas pressure may be provided to the upper portion of the stage 100 through the gas holes 111 formed in each of the carry-in unit 101 , the application unit 102 , and the discharge unit 103 .

기판(W)이 스테이지(100) 상에 로딩되지 않은 경우, 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)가 모두 차단될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩되지 않은 경우, 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)는 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.When the substrate W is not loaded on the stage 100 , all of the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may be blocked. For example, when the substrate W is not loaded on the loading unit 101 , the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , 376 are blocked so that the vacuum pressure is applied to the application unit 101 . It can be controlled so that it is not provided on top of (102).

도 11을 참조하면, 기판(W)이 반입부(101) 상에 로딩될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)는 여전히 차단되어 진공압이 도포부(102)의 상부에 제공되지 않도록 제어할 수 있다.Referring to FIG. 11 , a substrate W may be loaded on the carry-in unit 101 . In this case, the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 are still blocked, so that vacuum pressure is not provided to the upper portion of the applicator 102 .

도 12를 참조하면, 기판(W)이 도포부(102) 상으로 위치될 수 있다. 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376) 중에서 기판(W)과 수직 방향(DR3)으로 오버랩되는 영역의 흡기홀(112)을 제어하는 가스 흡기 밸브가 개방될 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(W)과 수직 방향(DR3)으로 오버랩되는 영역의 흡기홀(112)을 제어하는 제3 가스 흡기 밸브(373) 및 제4 가스 흡기 밸브(374)만이 개방되어 기판(W)에 진공압을 제공할 수 있다. 이 경우, 기판(W)과 수직 방향(DR3)으로 오버랩되지 않는 흡기홀(112)을 제어하는 제1 가스 흡기 밸브(371), 제2 가스 흡기 밸브(372), 제5 가스 흡기 밸브(375) 및 제6 가스 흡기 밸브(376)는 폐쇄될 수 있다.Referring to FIG. 12 , the substrate W may be positioned on the application unit 102 . Among the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 , the gas intake valve for controlling the intake hole 112 in a region overlapping the substrate W in the vertical direction DR3 is opened. can be For example, as shown in FIG. 12 , a third gas intake valve 373 and a fourth gas intake valve ( Only 374 can be opened to provide vacuum pressure to the substrate W. In this case, the first gas intake valve 371 , the second gas intake valve 372 , and the fifth gas intake valve 375 control the intake hole 112 that does not overlap the substrate W in the vertical direction DR3 . ) and the sixth gas intake valve 376 may be closed.

기판(W)이 도포부(102) 상에서 제1 수평 방향(DR1)으로 이동함에 따라 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)는 순차적으로 개방될 수 있다. 또한, 기판(W)이 제1 수평 방향(DR1)으로 지나간 후에는 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)이 순차적으로 폐쇄될 수 있다.As the substrate W moves in the first horizontal direction DR1 on the application unit 102 , the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may be sequentially opened. . Also, after the substrate W passes in the first horizontal direction DR1 , the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may be sequentially closed.

도 13을 참조하면, 기판(W)이 반출부(103) 상으로 위치될 수 있다. 기판(W)이 반출부(103) 상에 위치된 후에는 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)가 모두 차단될 수 있다.Referring to FIG. 13 , the substrate W may be positioned on the carry-out part 103 . After the substrate W is positioned on the discharge unit 103 , all of the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 may be blocked.

본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치는 제1 내지 제6 가스 흡기 밸브(371, 372, 373, 374, 375, 376)를 독립적으로 제어함으로써, 흡기홀(112)에 유입되는 약액 또는 이물질을 양을 최소화시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention, the chemical liquid introduced into the intake hole 112 by independently controlling the first to sixth gas intake valves 371 , 372 , 373 , 374 , 375 , and 376 . Alternatively, the amount of foreign substances may be minimized.

이상과 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can practice the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

100: 스테이지 101: 반입부
102: 도포부 103: 반출부
111: 가스홀 112: 흡기홀
113: 배기홀 120: 파지부
125: 제1 가이드 레일 130: 노즐
131: 제2 가이드 레일 140: 가스 제공부
145: 가스 제공 라인 150: 가스 제공 밸브
160: 가스 흡기부 165: 가스 흡기 라인
170: 가스 흡기 밸브100: Stage 101: Carry-In
102: applicator 103: carry out part
111: gas hole 112: intake hole
113: exhaust hole 120: grip portion
125: first guide rail 130: nozzle
131: second guide rail 140: gas providing unit
145: gas supply line 150: gas supply valve
160: gas intake 165: gas intake line
170: gas intake valve

Claims (10)

기판을 부상시키는 스테이지;
상기 스테이지 상에 배치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 노즐;
상기 스테이지에 형성된 가스홀을 통해 상기 기판에 가스압을 제공하는 가스 제공부;
상기 스테이지에 형성된 흡기홀을 통해 상기 기판에 진공압을 제공하는 가스 흡기부; 및
상기 진공압을 제어하는 가스 흡기 밸브를 포함하되,
상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되지 않은 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 차단하고,
상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되는 경우, 상기 가스 흡기 밸브를 개방하여 상기 진공압을 상기 기판에 제공하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.a stage for levitating the substrate;
a nozzle disposed on the stage and configured to provide a chemical solution to the substrate;
a gas providing unit providing a gas pressure to the substrate through a gas hole formed in the stage;
a gas intake unit providing a vacuum pressure to the substrate through an intake hole formed in the stage; and
Including a gas intake valve for controlling the vacuum pressure,
shut off the gas intake valve when the substrate is not loaded on the stage;
and providing the vacuum pressure to the substrate by opening the gas intake valve when the substrate is loaded on the stage. 제 1항에 있어서,
상기 가스압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되기 전부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The gas pressure is provided from before the substrate is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage. 제 1항에 있어서,
상기 스테이지는,
상기 기판이 로딩되는 반입부와,
상기 기판에 상기 약액이 제공되는 도포부와,
상기 기판이 언로딩되는 반출부를 포함하되,
상기 가스 흡기 밸브는 상기 도포부 상에 제공되는 상기 진공압을 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The stage is
a loading unit on which the substrate is loaded;
an applicator provided with the chemical solution to the substrate;
Comprising a carrying-out part from which the substrate is unloaded,
The gas intake valve controls the vacuum pressure provided on the application unit. 제 3항에 있어서,
상기 기판이 상기 반입부 상에 로딩된 후부터 상기 반출부로부터 언로딩될 때까지, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 제공되도록 제어하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus controls the gas intake valve to provide the vacuum pressure from the time the substrate is loaded onto the carrying-in part until it is unloaded from the carrying-out part. 제 3항에 있어서,
상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 후부터 상기 반출부에 위치되기 전까지, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 제공되도록 제어하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus controls the gas intake valve to provide the vacuum pressure after the substrate is placed on the application unit until the substrate is placed on the unloading unit. 제 3항에 있어서,
상기 기판의 상기 도포부 상에 위치된 상태에서, 상기 가스 흡기 밸브는 상기 진공압이 상기 기판과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에만 제공되도록 제어하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
In a state in which the gas intake valve is positioned on the application portion of the substrate, the substrate processing apparatus controls so that the vacuum pressure is provided only to a region overlapping the substrate in a vertical direction. 기판이 로딩되는 반입부, 상기 기판에 약액이 제공되는 도포부 및 상기 기판이 언로딩되는 반출부를 포함하고, 상기 기판을 부상시키는 스테이지;
상기 도포부 상에 배치되고, 상기 기판에 약액을 제공하는 노즐;
상기 반입부, 상기 도포부 및 상기 반출부 각각에 형성된 가스홀을 통해 상기 기판에 가스압을 제공하는 가스 제공부; 및
상기 도포부에 형성된 흡기홀을 통해 상기 기판에 진공압을 제공하는 가스 흡기부를 포함하되,
상기 가스압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩되기 전부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공되고,
상기 진공압은 상기 기판이 상기 스테이지 상에 로딩된 후부터 상기 스테이지로부터 언로딩될 때까지 제공되는 기판 처리 장치.a stage including a loading part on which a substrate is loaded, an application part providing a chemical solution to the substrate, and a unloading part on which the substrate is unloaded, the stage for levitating the substrate;
a nozzle disposed on the applicator and providing a chemical solution to the substrate;
a gas providing unit for providing a gas pressure to the substrate through a gas hole formed in each of the carrying in part, the applying part, and the carrying out part; and
A gas intake unit for providing a vacuum pressure to the substrate through an intake hole formed in the application unit,
the gas pressure is provided from before the substrate is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage;
The vacuum pressure is provided from after the substrate is loaded onto the stage until it is unloaded from the stage. 제 7항에 있어서,
상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 후부터 상기 반출부에 위치되기 전까지, 상기 진공압이 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
A substrate processing apparatus in which the vacuum pressure is provided from after the substrate is placed on the application unit until it is placed on the unloading unit. 제 7항에 있어서,
상기 기판이 상기 도포부 상에 위치된 상태에서, 상기 진공압은 상기 기판과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에만 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
In a state in which the substrate is positioned on the application unit, the vacuum pressure is applied only to a region overlapping the substrate in a vertical direction. 제 9항에 있어서,
각각이 상기 진공압을 독립적으로 제어하는 복수의 가스 흡기 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
and a plurality of gas intake valves, each of which independently controls the vacuum pressure.
KR1020200170240A 2020-12-08 2020-12-08 Apparatus for treating substrate KR20220080941A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200170240A KR20220080941A (en) 2020-12-08 2020-12-08 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200170240A KR20220080941A (en) 2020-12-08 2020-12-08 Apparatus for treating substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220080941A true KR20220080941A (en) 2022-06-15

Family

ID=81987498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200170240A KR20220080941A (en) 2020-12-08 2020-12-08 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220080941A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101061611B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method and substrate processing program
US7284917B2 (en) Coating and developing system and coating and developing method
JP4571525B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6432199B1 (en) Apparatus and method for processing a substrate
JP4272230B2 (en) Vacuum dryer
KR101085191B1 (en) Apparatus and method for treating substrates
JP4319175B2 (en) Vacuum dryer
KR20060051463A (en) Substrate processing system
US7578304B2 (en) Cleaning and drying apparatus for substrate holder chuck and method thereof
US11927886B2 (en) Substrate treating method
KR102172073B1 (en) Substrate storing apparatus, and apparatus for treating substrate using the same
KR20070065811A (en) Coating drying processing system and coating drying processing method
TWI681491B (en) Substrate treating apparatus
KR20220080941A (en) Apparatus for treating substrate
KR20140071039A (en) Substrate treating apparatus
KR100542630B1 (en) Semiconductor device fabrication installation
JP3840388B2 (en) Substrate processing equipment
KR102099882B1 (en) Apparatus and method fdr treating substrates
KR20220085471A (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR20200143538A (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP4488965B2 (en) Substrate processing equipment
KR102081707B1 (en) Valve unit and liquid supplying unit
KR102162260B1 (en) Guide pin, unit for supporting photo mask with the guide pin, and apparatus for cleaning photo mask with the guide pin
KR20240107746A (en) standby port and substrate processing apparatus having the same
JP2021111786A (en) Method for processing substrate and apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination