KR20220075332A - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자라고 한다)에 관한 것이다. 상세하게는 올리고피리딘 화합물로 이루어지는 유기 전계 발광 소자용 재료와 그것을 사용한 유기 EL 소자에 관한 것이다.
유기 EL 소자에 전압을 인가함으로써 양극으로부터 정공이, 음극으로부터는 전자가 각각 발광층에 주입된다. 그리고 발광층에 있어서, 주입된 정공과 전자가 재결합하여 여기자가 생성된다. 이 때, 전자스핀의 통계칙에 의해 일중항 여기자 및 삼중항 여기자가 1:3의 비율로 생성된다. 일중항 여기자에 의한 발광을 사용하는 형광 발광형의 유기 EL 소자는, 내부 양자 효율은 25%가 한계라고 말해지고 있다. 한편으로 삼중항 여기자에 의한 발광을 사용하는 인광 발광형의 유기 EL 소자는, 일중항 여기자로부터 항간 교차가 효율적으로 행하여졌을 경우에는, 내부 양자 효율이 100%까지 높여지는 것이 알려져 있다.
그러나, 인광 발광형의 유기 EL 소자에 관해서는, 장수명화가 기술적인 과제가 되고 있다.
최근에는, 지연 형광을 이용한 고효율의 유기 EL 소자의 개발이 이루어져 있다. 예를 들면 특허문헌 1에는, 지연 형광의 메커니즘의 하나인 TTF(Triplet-Triplet Fusion) 기구를 이용한 유기 EL 소자가 개시되어 있다. TTF 기구는 2개의 삼중항 여기자의 충돌에 의해 일중항 여기자가 생성되는 현상을 이용하는 것이며, 이론상 내부 양자 효율을 40%까지 높일 수 있다고 여겨지고 있다. 그러나, 인광 발광형의 유기 EL 소자와 비교하면 효율이 낮기 때문에, 추가적인 효율의 개량이 요구되고 있다.
특허문헌 2에서는, TADF(Thermally Activated Delayed Fluorescence) 기구를 이용한 유기 EL 소자가 개시되어 있다. TADF 기구는 일중항 준위와 삼중항 준위의 에너지 차가 작은 재료에 있어서 삼중항 여기자로부터 일중항 여기자로의 역항간 교차가 생기는 현상을 이용하는 것이며, 이론상 내부 양자 효율을 100%까지 높일 수 있다고 여겨지고 있다. 그러나, 인광 발광형 소자와 마찬가지로 수명특성의 추가적인 개선이 요구되고 있다.
특허문헌 3, 4, 5에서는 비피리딘 화합물에 대해서 호스트 재료로서의 사용을 개시하고 있다.
특허문헌 6에서는 터피리딘 화합물에 대해서 호스트 재료로서의 사용을 개시하고 있다. 특허문헌 7에서는 쿼터피리딘 화합물에 대해서 호스트 재료로서의 사용을 개시하고 있다. 그러나, 어느 것이나 충분한 것이라고는 말할 수 없고, 추가적인 개량이 요구되고 있다.
유기 EL 소자를 플랫 패널 디스플레이 등의 표시 소자에 응용하기 위해서는, 소자의 발광 효율을 개선함과 동시에 구동시의 안정성을 충분하게 확보할 필요가 있다. 본 발명은, 상기 현상을 감안하여 고효율 또한 높은 구동 안정성을 가진 실용상 유용한 유기 EL 소자 및 그것에 적합한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 적어도 4개 이상의 피리딘환이 연결된 올리고피리딘 화합물을 유기 EL 소자에 사용함으로써 뛰어난 특성을 나타내는 것을 찾아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은, 하기 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물로 이루어지는 유기 전계 발광 소자용 재료이다.
여기에서, R, R'는 독립적으로, 수소, 중수소, 탄소수 1∼10의 지방족 탄화수소기, 치환 혹은 미치환의 탄소수 6∼10의 방향족 탄화수소기 또는 치환 혹은 미치환의 탄소수 3∼12의 방향족 복소환기이며, 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기일 때는 인접환과 축환을 형성해도 좋다. 단, R'는 9-카르바졸환기를 포함할 일은 없다. X는 독립적으로 N, C-R' 또는 C-를 나타내고, 적어도 하나는 N이다. a, b, c는 반복수를 나타내고, 각각 독립적으로 0∼3의 정수를 나타내고, a+b+c≥3이다. p, q, r, s, t, u, v는 치환수를 나타내고, 각각 독립적으로 1∼3의 정수를 나타낸다.
일반식 (1)로 나타내어지는 유기 전계 발광 소자용 화합물에는, 식 (2)∼(4)로 나타내어지는 화합물이 있다.
식 (2)∼(4)에 있어서, X, R, R', a∼c, p∼v는 일반식 (1)과 같은 뜻이다.
일반식 (1), 식 (2)∼(4)에 있어서 a+b=3인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 기판 상에, 양극, 유기층 및 음극이 적층되어서 이루어지는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층 중 적어도 1층이 상기 유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자이다.
유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 유기층이, 발광층, 전자 수송층, 및 정공 저지층으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 층일 수 있다. 바람직하게는, 이 유기층이 호스트 재료와 발광성 도펀트 재료를 포함하는 발광층이다.
상기 유기 전계 발광 소자의 바람직한 양태를 다음에 나타낸다.
제 1 호스트와 제 2 호스트의 합계에 대하여, 제 1 호스트의 비율이 20wt%를 초과하고, 55wt% 미만인 것.
발광성 도펀트 재료가, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 유기 금속 착체인 것, 또는 열활성화 지연 형광 발광 도펀트 재료인 것.
발광층과 인접해서 정공 저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 중에 일반식 (1)로 나타내어지는 화합물을 함유시키는 것.
본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료는, 적어도 3개 이상의 피리딘환을 포함하는 4개 이상의 함질소 6원환, 및 2개 이상의 카르바졸환이 결합한 구조를 갖는다. 이러한 구조적 특징을 갖는 올리고피리딘 화합물은, 전자 주입 수송성에 영향을 주는 최저 공궤도(LUMO)가 피리딘환 전체에 널리 분포되기 때문에, 피리딘환의 수나 연결 양식, 부가하여 피리딘환에 결합시킨 치환기의 종류·수를 바꿈으로써 소자의 전자 주입 수송성을 높은 레벨로 제어할 수 있다. 한편으로, 카르바졸환 상에는, 정공 주입 수송성에 영향을 주는 최저 피점 궤도(HOMO)가 널리 분포되어 있고, 카르바졸기 상의 치환기의 종류·수를 바꿈으로써 소자의 정공 주입 수송성이 높은 레벨로 제어할 수 있다. 이러한 특성을 갖기 때문에, 본 발명의 재료는 양 전하(정공·전자)주입 수송 특성에 있어서 밸런스가 취해진 호스트 재료 등으로서 뛰어난 것이며, 이것을 유기 EL 소자에 사용함으로써 소자의 구동 전압의 저감 및 높은 발광 효율을 달성할 수 있다.
도 1은 유기 EL 소자의 일구조예를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료는, 상기 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물이다. 바람직하게는, 상기 식 (2)∼(4)로 나타내어지는 화합물이다. 이 올리고피리딘 화합물은, 3개 이상의 피리딘환을 포함하는 4개 이상의 함질소 6원환과, 2개 이상의 카르바졸환이 결합한 구조를 갖는다.
일반식 (1)과 식 (2)∼(4)에 있어서, 공통되는 기호는 같은 의미를 갖는다.
R, R'는 독립적으로, 수소, 중수소, 탄소수 1∼10의 지방족 탄화수소기, 탄소수 6∼10의 방향족 탄화수소기 또는 탄소수 3∼12의 방향족 복소환기를 나타낸다. 바람직하게는, 탄소수 1∼8의 지방족 탄화수소기, 페닐기, 또는 탄소수 3∼12의 방향족 복소환기이다. 단, R'는 9-카르바졸환기를 포함할 일은 없고, 유리하게는 카르바졸환 구조를 갖는 기를 포함할 일은 없다.
또한, R, R'가 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기일 때는 R 및 R'가 치환하는 함질소 6원환 혹은 벤젠환과 축환을 형성해도 좋다.
보다 바람직하게는, R은 수소, 탄소수 1∼6의 지방족 탄화수소기, 페닐기, 또는 카르바졸환기이며, R'는 수소, 탄소수 1∼6의 지방족 탄화수소기, 또는 페닐기이다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소기, 방향족 복소환기 또는 지방족 탄화수소기는, 특단의 언급이 없는 한 치환기를 가져도 좋다고 이해된다.
상기 지방족 탄화수소기의 구체예로서는, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸,헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1∼4의 알킬기이다.
상기 방향족 탄화수소기, 또는 방향족 복소환기의 구체예로서는, 벤젠, 나프탈렌, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 티오펜, 이소티아졸, 티아졸, 피리다진, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 피라진, 푸란, 이소옥사졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 옥사디아졸, 티아디아졸, 벤조트리아진, 프탈라진, 테트라졸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조이소티아졸, 벤조티아디아졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조셀레노펜, 또는 카르바졸로부터 1개의 H를 취하여 생성하는 방향족기를 들 수 있다. 바람직하게는, 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 티오펜, 이소티아졸, 티아졸, 피리다진, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 피라진, 푸란, 이소옥사졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 옥사디아졸, 티아디아졸, 벤조트리아진, 프탈라진, 테트라졸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 인다졸, 벤즈이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조이소티아졸, 또는 벤조티아디아졸로부터 생기는 방향족기를 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 티오펜, 이소티아졸, 티아졸, 피리다진, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 피라진, 푸란, 이소옥사졸, 옥사졸, 또는 옥사디아졸로부터 생성되는 방향족기를 들 수 있다.
a, b, c는 반복수를 나타내고, 0∼3의 정수이다. a+b+c는 3 이상이며, 바람직하게는 2이다. 또한, 바람직하게는 a+b는 2이다.
X는 독립적으로, N, C-R' 또는 C-를 나타내지만, 적어도 하나의 X는 N이다. 그리고, 하나의 X만이 N인 것이 바람직하다.
또한, X의 하나만이 N일 경우, 일반식 (1)로 나타내어지는 화합물은 4개 이상의 피리딘환을 갖게 된다.
일반식 (1)로 나타내어지는 화합물의 바람직한 형태로서, 상기 식 (2)∼(4) 중 어느 하나로 나타내어지는 화합물이 있다.
일반식 (1)로 나타내어지는 화합물의 구체적인 예를 이하에 나타내지만, 이들 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료(본 발명의 화합물 또는 일반식 (1)로 나타내어지는 화합물 또는 올리고피리딘 화합물이라고도 한다.)는, 기판 상에 양극, 복수의 유기층 및 음극이 적층되어서 이루어지는 유기 EL 소자 중 적어도 1개의 유기층에 함유시킴으로써, 뛰어난 유기 전계 발광 소자를 부여한다. 함유시키는 유기층으로서는, 발광층, 전자 수송층 또는 정공 저지층이 적합하다. 여기에서, 발광층에 사용하는 경우에는, 형광 발광, 지연 형광 발광 또는 인광 발광성의 도펀트를 함유하는 발광층의 호스트 재료로서 사용할 수 있는 외에, 본 발명의 화합물을 형광 및 지연 형광을 방사하는 유기 발광 재료로서 사용할 수 있다. 본 발명의 화합물은, 인광 발광 도펀트를 함유하는 발광층의 호스트 재료로서 함유시키는 것이 특히 바람직하다.
형광 및 지연 형광을 방사하는 유기 발광 재료(열활성화 지연 형광 발광 도펀트 재료라고도 한다)로서 사용할 경우, 여기 일중항 에너지, 여기 삼중항 에너지의 적어도 어느 한쪽이 본 발명의 화합물보다 높은 값을 갖는 다른 유기 화합물을 호스트 재료로서 사용하는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료를 사용한 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 기판 상에 적층된 양극과 음극의 사이에 적어도 하나의 발광층을 갖는 유기층을 갖고, 또한 적어도 하나의 유기층은 본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료를 포함한다. 유리하게는, 인광 발광 도펀트와 함께 본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료를 발광층 중에 포함한다.
다음에, 본 발명의 유기 EL 소자의 구조에 대해서 도면을 참조하면서 설명하지만, 본 발명의 유기 EL 소자의 구조는 조금도 도시의 것에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 사용되는 일반적인 유기 EL 소자의 구조예를 나타내는 단면도이며, 1은 기판, 2는 양극, 3은 정공 주입층, 4는 정공 수송층, 5는 발광층, 6은 전자 수송층, 7은 음극을 각각 나타낸다. 본 발명의 유기 EL 소자에서는 발광층과 인접해서 여기자 저지층을 가져도 좋고, 또한, 발광층과 정공 주입층 사이에 전자 저지층을 가져도 좋다. 여기자 저지층은 발광층의 양극측, 음극측의 어느 쪽에도 삽입할 수 있고, 양쪽 동시에 삽입하는 것도 가능하다. 본 발명의 유기 EL 소자에서는, 기판, 양극, 발광층 및 음극을 필수적인 층으로서 갖지만, 필수적인 층 이외의 층에, 정공 주입 수송층, 전자 주입 수송층을 갖는 것이 좋고, 또한 발광층과 전자 주입 수송층의 사이에 정공 저지층을 갖는 것이 좋다. 또, 정공 주입 수송층은 정공 주입층과 정공 수송층의 어느 한쪽 또는 양자를 의미하고, 전자 주입 수송층은, 전자 주입층과 전자 수송층의 어느 한쪽 또는 양자를 의미한다.
또, 도 1과는 반대의 구조, 즉, 기판(1) 상에 음극(7), 전자 수송층(6), 발광층(5), 정공 수송층(4), 양극(2)의 순서로 적층하는 것도 가능하고, 이 경우도, 필요에 ㄸ라 층을 추가하거나, 생략하거나 하는 것이 가능하다.
-기판-
본 발명의 유기 EL 소자는 기판에 지지되어 있는 것이 바람직하다. 이 기판에 대해서는 특별히 제한은 없고, 종래부터 유기 EL 소자에 관용되고 있는 것이면 좋고, 예를 들면 유리, 투명 플라스틱, 석영 등으로 이루어지는 것을 사용할 수 있다.
-양극-
유기 EL 소자에 있어서의 양극으로서는, 일함수가 큰(4eV 이상) 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이것들의 혼합물을 전극물질로 하는 것이 바람직하게 사용된다. 이러한 전극물질의 구체예로서는 Au 등의 금속, CuI, 인듐틴옥사이드(ITO), SnO2, ZnO 등의 도전성 투명재료를 들 수 있다. 또한, IDIXO(In2O3-ZnO) 등 비정질로 투명 도전막을 제작 가능한 재료를 사용해도 좋다. 양극은 이들 전극물질을 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막을 형성시켜, 포토리소그래피법으로 소망의 형상의 패턴을 형성해도 좋고, 혹은 패턴 정밀도를 그다지 필요로 하지 않는 경우에는(100㎛ 이상 정도), 상기 전극물질의 증착이나 스퍼터링시에 소망의 형상의 마스크를 통해서 패턴을 형성해도 좋다. 또는, 유기 도전성 화합물과 같이 도포 가능한 물질을 사용할 경우에는, 인쇄 방식, 코팅 방식 등 습식 성막법을 사용할 수도 있다. 이 양극으로부터 발광을 꺼낼 경우에는, 투과율을 10%보다 크게 하는 것이 바람직하고, 또한 양극으로서의 시트 저항은 수백Ω/□ 이하가 바람직하다. 또한 막두께는 재료에도 의하지만, 통상 10∼1000㎚, 바람직하게는 10∼200㎚의 범위에서 선택된다.
-음극-
한편, 음극으로서는, 일함수가 작은(4eV 이하) 금속(전자 주입성 금속이라고 칭한다), 합금, 전기전도성 화합물 및 이것들의 혼합물을 전극물질로 하는 것이 사용된다. 이러한 전극물질의 구체예로서는, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘/구리 혼합물, 마그네슘/은 혼합물, 마그네슘/알루미늄 혼합물, 마그네슘/인듐 혼합물, 알루미늄/산화알루미늄(Al2O3) 혼합물, 인듐, 리튬/알루미늄 혼합물, 희토류 금속 등을 들 수 있다. 이것들 중에서, 전자 주입성 및 산화 등에 대한 내구성의 점으로부터, 전자 주입성 금속과 이것보다 일함수의 값이 크고 안정된 금속인 제2금속의 혼합물, 예를 들면, 마그네슘/은 혼합물, 마그네슘/알루미늄 혼합물, 마그네슘/인듐 혼합물, 알루미늄/산화알루미늄(Al2O3) 혼합물, 리튬/알루미늄 혼합물, 알루미늄 등이 적합하다. 음극은 이들 전극물질을 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다. 또한, 음극으로서의 시트저항은 수백Ω/□ 이하가 바람직하고, 막두께는 통상 10㎚∼5㎛, 바람직하게는 50∼200㎚의 범위에서 선택된다. 또, 발광한 광을 투과시키기 위해서 유기 EL 소자의 양극 또는 음극의 어느 한쪽이, 투명 또는 반투명하면 발광 휘도가 향상해 형편이 좋다.
또한, 음극에 상기 금속을 1∼20㎚의 막두께로 제작한 후에, 양극의 설명에서 예시한 도전성 투명 재료를 그 위에 제작함으로써 투명 또는 반투명의 음극을 제작할 수 있고, 이것을 응용함으로써 양극과 음극의 양쪽이 투과성을 갖는 소자를 제작할 수 있다.
-발광층-
발광층은, 양극 및 음극의 각각으로부터 주입된 정공 및 전자가 재결합함으로써 여기자가 생성된 후 발광하는 층이며, 발광층에는 유기 발광 재료와 호스트 재료를 포함한다.
발광층이 형광 발광층일 경우, 형광 발광 재료는 적어도 1종의 형광 발광 재료를 단독으로 사용해도 관계 없지만, 형광 발광 재료를 형광 발광 도펀트로서 사용하고, 호스트 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
발광층에 있어서의 형광 발광 재료로서는, 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물을 사용할 수 있는 외에, 다수의 특허문헌 등에 의해 알려져 있으므로 그것들로부터 선택할 수도 있다. 예를 들면, 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 스티릴벤젠 유도체, 폴리페닐 유도체, 디페닐부타디엔 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 나프탈이미드 유도체, 쿠마린 유도체, 축합 방향족 화합물, 페리논 유도체, 옥사디아졸 유도체, 옥사진 유도체, 알다진 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 스티릴아민 유도체, 디케토피롤로피롤 유도체, 방향족 디메틸리딘 화합물, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착체나 피로메텐 유도체의 금속 착체, 희토류 착체, 전이금속 착체로 대표되는 각종 금속 착체 등, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌 등의 폴리머 화합물, 유기 실란 유도체 등을 들 수 있다. 바람직하게는 축합 방향족 화합물, 스티릴 화합물, 디케토피롤로피롤 화합물, 옥사진 화합물, 피로메텐 금속 착체, 전이금속 착체, 란타노이드 착체를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 나프타센, 피렌, 크리센, 트리페닐렌, 벤조[c]페난트렌, 벤조[a]안트라센, 펜타센, 페릴렌, 플루오란텐, 아세나프토플루오란텐, 디벤조[a,j]안트라센, 디벤조[a,h]안트라센, 벤조[a]나프타센, 헥사센, 안탄트렌, 나프토[2,1-f]이소퀴놀린, α-나프타페난트리딘, 페탄트로옥사졸, 퀴놀리노[6,5-f]퀴놀린, 벤조티오판트렌 등을 들 수 있다. 이것들은 치환기로서 알킬기, 아릴기, 방향족 복소환기, 디아릴아미노기를 갖고 있어도 좋다.
발광층에 있어서의 형광 호스트 재료로서는, 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물을 사용할 수 있는 외에, 다수의 특허문헌 등에 의해 알려져 있으므로, 그것들로부터 선택할 수도 있다. 예를 들면, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 나프타센, 트리페닐렌, 페릴렌, 플루오란텐, 플루오렌, 인덴 등의 축합 아릴환을 갖는 화합물이나 그 유도체, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민 등의 방향족 아민 유도체, 트리스(8-퀴놀리나토)알루미늄(III)을 비롯한 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 인덴 유도체, 쿠마린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 페리논 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 피롤로피롤 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 디벤조푸란 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 트리아진 유도체, 폴리머계에서는 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 폴리티오펜 유도체 등을 사용할 수 있지만 특별히 한정되는 것은 아니다.
상기 형광 발광 재료를 형광 발광 도펀트로서 사용하고, 호스트 재료를 포함할 경우, 형광 발광 도펀트가 발광층 중에 함유되는 양은 0.01∼20중량%, 바람직하게는 0.1∼10중량%의 범위에 있는 것이 좋다.
통상, 유기 EL 소자는 양극, 음극의 양 전극으로부터 발광 물질에 전하를 주입하고, 여기 상태의 발광 물질을 생성하고, 발광시킨다. 전하 주입형의 유기 EL 소자의 경우, 생성한 여기자 중, 일중항 여기 상태로 여기되는 것은 25%이며, 나머지 75%는 삼중항 여기 상태로 여기된다고 말해지고 있다. Advanced Materials 2009, 21, 4802-4806.에 나타내어져 있는 바와 같이, 특정의 형광 발광 물질은 항간 교차 등에 의해 삼중항 여기 상태로 에너지가 전이한 후, 삼중항-삼중항소멸 혹은 열에너지의 흡수에 의해, 일중항 여기 상태로 역항간 교차되어 형광을 방사하고, 열활성화 지연 형광을 발현하는 것이 알려져 있다. 본 발명의 유기 EL 소자에서도 지연 형광을 발현할 수 있다. 이 경우, 형광 발광 및 지연 형광 발광의 양쪽을 포함할 수도 있다. 단, 발광의 일부 또는 부분적으로 호스트 재료로부터의 발광이 있어도 된다.
발광층이 지연 형광 발광층일 경우, 지연 발광 재료는 적어도 1종의 지연 발광 재료를 단독으로 사용해도 관계 없지만, 지연 형광 재료를 지연 형광 발광 도펀트로서 사용하고, 호스트 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
발광층에 있어서의 지연 형광 발광 재료로서는, 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물이 일중항 준위와 삼중항 준위의 에너지 차가 작은 재료인 경우에는 이것을 사용할 수 있지만, 공지의 지연 형광 발광 재료로부터 선택할 수도 있다. 예를 들면, 주석 착체, 인돌로카르바졸 유도체, 구리 착체, 카르바졸 유도체 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 이하의 비특허문헌, 특허문헌에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있지만, 이들 화합물에 한정되는 것은 아니다.
1) Adv. Mater. 2009, 21, 4802-4806, 2) Appl. Phys. Lett. 98, 083302(2011), 3) 일본 특허공개 2011-213643호 공보, 4) J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709.
지연 발광 재료의 구체적인 예를 나타내지만, 하기의 화합물에 한정되는 것은 아니다.
상기 지연 형광 발광 재료를 지연 형광 발광 도펀트로서 사용하고, 호스트 재료를 포함할 경우, 지연 형광 발광 도펀트가 발광층 중에 함유되는 양은 0.01∼50중량%, 바람직하게는 0.1∼20중량%, 보다 바람직하게는 0.01∼10중량%의 범위에 있는 것이 좋다.
발광층에 있어서의 지연 형광 호스트 재료로서는, 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물을 사용할 수 있지만, 올리고피리딘 이외의 화합물로부터 선택할 수도 있다. 예를 들면, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 나프타센, 트리페닐렌, 페릴렌, 플루오란텐, 플루오렌, 인덴 등의 축합 아릴환을 갖는 화합물이나 그 유도체, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민 등의 방향족 아민 유도체, 트리스(8-퀴놀리나토)알루미늄(III)을 비롯한 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 인덴 유도체, 쿠마린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 페리논 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 피롤로피롤 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 디벤조푸란 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 트리아진 유도체, 폴리머계에서는 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 폴리티오펜 유도체, 아릴실란 유도체 등을 사용할 수 있지만 특별히 한정되는 것은 아니다.
발광층이 인광 발광층일 경우, 발광층은 인광 발광 도펀트와 호스트 재료를 포함한다. 인광 발광 도펀트 재료로서는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 유기 금속 착체를 함유하는 것이 좋다.
바람직한 인광 발광 도펀트로서는, Ir 등의 귀금속 원소를 중심금속으로서 갖는 Ir(ppy)3 등의 착체류, Ir(bt)2·acac3 등의 착체류, PtOEt3 등의 착체류를 들 수 있다. 이들 착체류의 구체예를 이하에 나타내지만, 하기의 화합물에 한정되지 않는다.
상기 인광 발광 도펀트가 발광층 중에 함유되는 양은, 2∼40중량%, 바람직하게는 5∼30중량%의 범위에 있는 것이 좋다.
발광층이 인광 발광층일 경우, 발광층에 있어서의 호스트 재료로서는 본 발명의 올리고피리딘 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 올리고피리딘 화합물을 발광층 이외의 다른 어느 하나의 유기층에 사용하는 경우에는, 발광층에 사용하는 재료는 올리고피리딘 화합물 이외의 다른 호스트 재료라도 좋다. 또한, 올리고피리딘 화합물과 다른 호스트 재료를 병용해도 좋다. 또한, 공지의 호스트 재료를 복수 종류 병용해서 사용해도 좋다.
사용할 수 있는 공지의 호스트 화합물로서는, 정공 수송능, 전자 수송능을 갖고, 또한 발광의 장파장화를 막고, 또 또한 높은 유리전이온도를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
이러한 다른 호스트 재료는, 다수의 특허문헌 등에 의해 알려져 있으므로, 그것들로부터 선택할 수 있다. 호스트 재료의 구체예로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 인돌 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체, 파라졸론 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루올레논 유도체, 히드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 제3아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 디메틸리덴계 화합물, 포르피린계 화합물, 안트라퀴노디메탄 유도체, 안트론 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 티오피란디옥사이드 유도체, 나프탈렌페릴렌 등의 복소환 테트라카르복실산 무수물, 프탈로시아닌 유도체, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착체나 메탈프탈로시아닌, 벤조옥사졸이나 벤조티아졸 유도체의 금속 착체로 대표되는 각종 금속 착체, 폴리실란계 화합물, 폴리(N-비닐카르바졸) 유도체, 아닐린계 공중합체, 티오펜 올리고머, 폴리티오펜 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체 등의 고분자 화합물 등을 들 수 있다.
발광층은 형광 발광층, 지연 형광 발광층 혹은 인광 발광층의 어느 것이라도 좋지만, 인광 발광층인 것이 바람직하다.
-주입층-
주입층이란, 구동전압 저하나 발광 휘도 향상을 위해서 전극과 유기층 사이에 형성되는 층이며, 정공 주입층과 전자 주입층이 있고, 양극과 발광층 또는 정공 수송층 사이, 및 음극과 발광층 또는 전자 수송층 사이에 존재시켜도 좋다. 주입층은 필요에 따라서 형성할 수 있다.
-정공 저지층-
정공 저지층이란 넓은 의미에서는 전자 수송층의 기능을 갖고, 전자를 수송하는 기능을 가지면서 정공을 수송하는 능력이 현저하게 작은 정공 저지 재료로 이루어지고, 전자를 수송하면서 정공을 저지함으로써 전자와 정공의 재결합 확률을 향상시킬 수 있다.
정공 저지층에는 본 발명의 올리고피리딘 화합물을 사용하는 것이 바람직하지만, 올리고피리딘 화합물을 다른 어느 하나의 유기층에 사용하는 경우에는, 공지의 정공 저지층 재료를 사용해도 좋다. 또한, 정공 저지층 재료로서는, 후술하는 전자 수송층의 재료를 필요에 따라서 사용할 수 있다.
-전자 저지층-
전자 저지층이란, 정공을 수송하는 기능을 가지면서 전자를 수송하는 능력이 현저하게 작은 재료로 이루어지고, 정공을 수송하면서 전자를 저지함으로써 전자와 정공이 재결합하는 확률을 향상시킬 수 있다.
전자 저지층의 재료로서는, 후술하는 정공 수송층의 재료를 필요에 따라서 사용할 수 있다. 전자 저지층의 막두께는 바람직하게는 3∼100㎚이며, 보다 바람직하게는 5∼30㎚이다.
-여기자 저지층-
여기자 저지층이란, 발광층 내에서 정공과 전자가 재결합함으로써 생긴 여기자가 전하 수송층에 확산하는 것을 저지하기 위한 층이며, 본층의 삽입에 의해 여기자를 효율적으로 발광층 내에 가두는 것이 가능져서, 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 여기자 저지층은 발광층에 인접해서 양극측, 음극측의 어느 쪽에도 삽입할 수 있고, 양쪽 동시에 삽입하는 것도 가능하다.
여기자 저지층의 재료로서는, 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물을 사용할 수 있지만, 다른 재료로서, 예를 들면, 1,3-디카르바졸릴벤젠(mCP)이나, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)-4-페닐페노라토알루미늄(III)(BAlq)을 들 수 있다.
-정공 수송층-
정공 수송층이란 정공을 수송하는 기능을 갖는 정공 수송 재료로 이루어지고, 정공 수송층은 단층 또는 복수층 형성할 수 있다.
정공 수송 재료로서는, 정공의 주입 또는 수송, 전자의 장벽성 중 어느 하나를 갖는 것이며, 유기물, 무기물의 어느 것이라도 좋다. 사용할 수 있는 공지의 정공 수송 재료로서는 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물을 사용하는 것이 바람직하지만, 종래 공지의 화합물 중에서 임의의 것을 선택해서 사용할 수 있다. 사용할 수 있는 공지의 정공 수송 재료로서는, 예를 들면, 트리아졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체 및 파라졸론 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루올레논 유도체, 히드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 아닐린계 공중합체, 또한 도전성 고분자 올리고머, 특히 티오펜 올리고머 등을 들 수 있지만, 포르피린 화합물, 방향족 제3급 아민 화합물 및 스티릴아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 방향족 제3급 아민 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
-전자 수송층-
전자 수송층이란 전자를 수송하는 기능을 갖는 재료로 이루어지고, 전자 수송층은 단층 또는 복수층 형성할 수 있다.
전자 수송 재료(정공 저지 재료를 겸할 경우도 있다)로서는, 음극으로부터 주입된 전자를 발광층에 전달하는 기능을 갖고 있으면 좋다. 전자 수송층에는 본 발명의 올리고피리딘 화합물을 사용하는 것이 바람직하지만, 종래 공지의 화합물 중에서 임의의 것을 선택해서 사용할 수 있고, 예를 들면, 니트로 치환 플루오렌 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 티오피란디옥사이드 유도체, 카르보디이미드, 플루올레닐리덴메탄 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 안트론 유도체, 옥사디아졸 유도체 등을 들 수 있다. 또한, 상기 옥사디아졸 유도체에 있어서, 옥사디아졸환의 산소원자를 황원자로 치환한 티아디아졸 유도체, 전자 흡인기로서 알려져 있는 퀴녹살린환을 갖는 퀴녹살린 유도체도 전자 수송 재료로서 사용할 수 있다. 또한 이들 재료를 고분자쇄에 도입하거나, 또는 이들 재료를 고분자의 주쇄로 한 고분자 재료를 사용할 수도 있다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 물론, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 넘지 않는 한에 있어서 여러 가지 형태로 실시하는 것이 가능하다.
이하에 나타내는 루트에 의해 유기 전계 발광 소자용 재료로 되는 올리고피리딘 화합물을 합성했다. 또, 화합물 번호는 상기 화학식에 붙인 번호에 대응한다.
실시예 1(합성예)
다음 반응식에 따라 화합물 1-1을 합성했다.
질소분위기 하, 6,6'-디브로모-2,2'-비피리딘 5.0g(0.0159mol), 카르바졸 2.6g(0.0159mol), 요오드화구리 1.5g(7.95mmol), 인산 3칼륨 10.1g(0.0477mol), trans-1,2-시클로헥산디아민 1.9mL(0.0159mol), 1,4-디옥산을 100mL 첨가하고, 115℃에서 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후에, 석출한 결정을 여과채취하여 용매를 감압 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하고, 중간체(A)를 3.0g(7.49mmol, 수율 47%) 얻었다(APCI-TOFMS, m/z 401[M+H]+).
염화니켈(II) 6수화물 1.8g(7.49mmol), 트리페닐포스핀 9.0g(34.4mmol), DMF를 100mL 첨가하고, 용해시킨 후에 감압 하에서 충분하게 탈기했다. 그 후, 용기 내를 질소치환하여 60℃에서 1시간 교반했다. 여기에서, 아연 분말을 0.7g(10.5mmol) 첨가하고, 다시 60℃에서 1시간 교반하여, 얻어진 갈색 용액에 중간체(A) 3.0g(7.49mmol) 첨가하여 90℃에서 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후에, 25% 암모니아수 500mL를 첨가하여 석출한 회색 고체를 여과 채취했다. 얻어진 회색 고체를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하고, 화합물 1-1을 2.8g(4.49mmol, 수율 60%) 얻었다(APCI-TOFMS, m/z 641[M+H]+).
실시예 2(합성예)
다음 반응식에 따라 화합물 1-35를 합성했다.
질소분위기 하, 6-브로모-2-피리딘카르복시알데히드를 2.6g(14.1mmol), 페닐보론산을 1.7g(14.1mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)을 0.407g(0.352mmol), 탄산나트륨 13.7g(42.3mmol) 1,4-디옥산을 100ml 첨가하고, 115℃에서 가열하면서 1시간 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후에, 석출한 결정을 여과 채취하고, 용매를 감압 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하여 중간체(B)를 2.0g(10.9mmol, 수율 77%) 얻었다(APCI-TOFMS, m/z 184[M+H]+).
질소분위기 하, 중간체(B)를 7.0g(38.2mmol), 6-브로모-2-아세틸피리딘을 15.3g(76.4mmol), 수산화칼륨을 2.14g(38.2mmol), 25% 암모니아수를 250mL 및 에탄올 764mL를 85℃에서 가열하면서 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후, 석출한 고체를 여과 채취하고, 얻어진 고체를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하여 중간체(C)를 3.6g(6.61mmol, 수율 17%) 얻었다(APCI-TOFMS, m/z 545[M+H]+).
질소분위기 하, 중간체(C) 3.6g(6.61mmol), 카르바졸 2.7g(15.9mmol), 요오드화구리 0.3g(1.59mmol), 인산 3칼륨 5.61g(26.4mmol), trans-1,2-시클로헥산디아민 2.0mL(15.9mmol), 1,4-디옥산을 100mL 첨가하고, 115℃에서 하룻밤 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각한 후에, 석출한 결정을 여과 채취하고, 용매를 감압 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제를 행하여 화합물 1-35를 3.2g(4.46mmol, 수율 67%) 얻었다(APCI-TOFMS, m/z 717[M+H]+).
상기 합성예에 준하여, 화합물 1-1, 1-35 이외에, 화합물 1-32, 1-33, 1-34, 1-36, 1-70, 1-83 및 1-84를 합성했다. 또한, 비교를 위한 화합물 H-1, H-2 및 H-3을 합성했다.
실시예 3
막두께 110㎚의 ITO로 이루어지는 양극이 형성된 유리 기판 상에, 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 4.0×10-5Pa로 적층했다. 우선, ITO 상에 정공 주입층으로서 HAT-CN을 25㎚의 두께로 형성하고, 다음에 정공 수송층으로서 NPD를 30㎚의 두께로 형성했다. 다음에 전자 저지층으로서 HT-1을 10㎚의 두께로 형성했다. 다음에, 호스트 재료로서의 화합물 1-1과 발광 도펀트로서 Ir(ppy)3을 각각 다른 증착원으로부터 공증착하고, 40㎚의 두께로 발광층을 형성했다. 이 때, Ir(ppy)3의 농도가 10wt%이었다. 또한 정공 저지층으로서 ET-2를 5㎚의 두께로 형성했다. 다음에 전자 수송층으로서 ET-1을 15㎚의 두께로 형성했다. 또한 전자 수송층 상에 전자 주입층으로서 LiF를 1㎚의 두께로 형성했다. 최후에, 전자 주입층 상에 음극으로서 Al을 70㎚의 두께로 형성하고, 유기 EL 소자를 제작했다.
얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 517㎚의 발광 스펙트럼이 관측되어, Ir(PPy)3으로부터의 발광이 얻어지고 있는 것을 알 수 있었다.
실시예 4∼10
실시예 3에 있어서의 발광층의 호스트 재료로서, 화합물 1-1 대신에, 화합물 1-32, 1-33, 1-34, 1-35, 1-36, 1-70, 및 1-83을 사용한 이외는 실시예 3과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다. 얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 517㎚의 발광 스펙트럼이 관측되어, Ir(PPy)3으로부터의 발광이 얻어지고 있는 것을 알 수 있었다.
비교예 1∼3
실시예 3에 있어서의 발광층의 호스트 재료로서 H-1, H-2, H-3을 사용한 이외는 실시예 3과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다. 얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 517㎚의 발광 스펙트럼이 관측되었다.
제작한 유기 EL 소자의 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 표 중에서 휘도, 구동전압, 발광효율은 구동전류 20mA/㎠시의 값이며, 초기 특성이다. LT70은 초기휘도가 70%까지 감쇠할 때까지 걸리는 시간이며, 수명특성을 나타낸다.
실시예 11
막두께 110㎚의 ITO로 이루어지는 양극이 형성된 유리 기판 상에, 각 박막을 진공증착법으로 진공도 4.0×10-5Pa로 적층했다. 우선, ITO 상에 정공 주입층으로서 HAT-CN을 25㎚의 두께로 형성하고, 다음에 정공 수송층으로서 NPD를 45㎚의 두께로 형성했다. 다음에, 전자 저지층으로서 HT-1을 10㎚의 두께로 형성했다. 그리고, 호스트 재료로서의 화합물 1-1과 도펀트로서의 Ir(piq)2acac를 다른 증착원으로부터 공증착하고, 40㎚의 두께로 발광층을 형성했다. 이 때, Ir(piq)2acac의 농도가 6.0wt%이었다. 또한, 정공 저지층으로서 ET-2를 10㎚의 두께로 형성했다. 다음에 전자 수송층으로서 ET-1을 27.5㎚의 두께로 형성했다. 그리고 전자 수송층 상에 전자 주입층으로서 LiF를 1㎚의 두께로 형성했다. 최후에, 전자 주입층 상에 음극으로서 Al을 70㎚의 두께로 형성하고, 유기 EL 소자를 제작했다. 얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 620㎚의 발광 스펙트럼이 관측되어, Ir(piq)2acac로부터의 발광이 얻어지고 있는 것을 알 수 있었다.
실시예 12∼18
실시예 11에 있어서의 발광층의 호스트 재료로서, 화합물 1-1 대신에, 화합물 1-32, 1-33, 1-34, 1-35, 1-36, 1-70, 및 1-83을 사용한 이외는 실시예 11과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다. 얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 620㎚의 발광 스펙트럼이 관측되어, Ir(piq)2acac로부터의 발광이 얻어지고 있는 것을 알 수 있었다.
비교예 4∼6
실시예 11에 있어서의 발광층의 호스트 재료로서 H-1, H-2, H-3을 사용한 이외는 실시예 11과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다. 얻어진 유기 EL 소자에 외부전원을 접속해 직류전압을 인가한 결과, 극대파장 620㎚의 발광 스펙트럼이 관측되었다.
제작한 유기 EL 소자의 평가 결과를 표 2에 나타낸다. 여기에서, LT95는 초기휘도가 95%까지 감쇠할 때까지 걸리는 시간이며, 수명특성을 나타낸다.
표 1, 표 2로부터 실시예 3∼18은, 전력효율 및 수명특성이 향상하고, 양호한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
실시예 19
막두께 110㎚의 ITO로 이루어지는 양극이 형성된 유리 기판 상에, 각 박막을 진공증착법으로 진공도 4.0×10-5Pa로 적층했다. 우선, ITO 상에 정공 주입층으로서 HAT-CN을 25㎚의 두께로 형성하고, 다음에 정공 수송층으로서 NPD를 30㎚의 두께로 형성했다. 다음에, 전자 저지층으로서 HT-1을 10㎚의 두께로 형성했다. 다음에 호스트 재료로서의 H-2와 발광 도펀트로서 Ir(ppy)3을 각각 다른 증착원으로부터 공증착하고, 40㎚의 두께로 발광층을 형성했다. 이 때, Ir(ppy)3의 농도가 10wt%이었다. 또한 정공 저지층으로서 화합물 1-1을 5㎚의 두께로 형성했다. 다음에 전자 수송층으로서 ET-1을 15㎚의 두께로 형성했다. 또한 전자 수송층 상에 전자 주입층으로서 LiF를 1㎚의 두께로 형성했다. 최후에, 전자 주입층 상에, 음극으로서 Al을 70㎚의 두께로 형성하고, 유기 EL 소자를 제작했다.
실시예 20∼26
실시예 19에 있어서의 정공 저지층으로서, 화합물 1-1 대신에, 화합물 1-32, 1-33, 1-34, 1-35, 1-36, 1-70, 및 1-83을 사용한 이외는 실시예 19와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다.
비교예 7∼9
실시예 19에 있어서의 정공 저지층으로서 H-1, H-2, H-3을 사용한 이외는 실시예 19와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 작성했다.
제작한 유기 EL 소자의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예에서 사용한 화합물을 다음에 나타낸다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자용 재료는, 양호한 아모르포스 특성과 높은 열안정성을 나타냄과 동시에 여기 상태에서 매우 안정적이기 때문에, 이것을 사용한 유기 EL 소자는 구동수명이 길고 실용 레벨의 내구성을 갖는다.
Claims (9)
- 일반식 (1)로 나타내어지는 올리고피리딘 화합물로 이루어지는 유기 전계 발광 소자용 재료.
여기에서, R, R'는 독립적으로, 수소, 중수소, 탄소수 1∼10의 지방족 탄화수소기, 치환 혹은 미치환의 탄소수 6∼10의 방향족 탄화수소기 또는 치환 혹은 미치환의 탄소수 3∼12의 방향족 복소환기이며, 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기일 때는 이것들이 치환하는 환과 축환을 형성해도 좋다. 단, R'는 9-카르바졸환기를 포함할 일은 없다. X는 독립적으로 N, C-R' 또는 C-를 나타내고, 적어도 하나는 N이다. a, b, c는 반복수를 나타내고, a, b, c는 각각 독립적으로 0∼3의 정수를 나타내고, a+b+c≥3이다. p, q, r, s, t, u, v는 치환수를 나타내고, 각각 독립적으로 1∼3의 정수를 나타낸다. - 제 2 항에 있어서,
식 (2)∼(4)에 있어서 a+b=3인 유기 전계 발광 소자용 재료. - 기판 상에, 양극, 유기층 및 음극이 적층되어서 이루어지는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기층 중 적어도 1층이 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 유기층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 4 항에 있어서,
유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 유기층이, 발광층, 전자 수송층, 및 정공 저지층으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 층인 유기 전계 발광 소자. - 제 4 항에 있어서,
유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 유기층이 호스트 재료와 발광성 도펀트 재료를 포함하는 발광층인 유기 전계 발광 소자. - 제 6 항에 있어서,
발광성 도펀트 재료가, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 유기 금속 착체인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. - 제 6 항에 있어서,
발광성 도펀트 재료가 열활성화 지연 형광 발광 도펀트 재료인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. - 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
발광층과 인접해서 정공 저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 중에 상기 유기 전계 발광 소자용 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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