KR20220053978A - 감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴의 형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 쟌텐골격을 포함하는 감광성 수지 및 폴리실록산 화합물을 포함함으로써 내열성, 기판경도 및 기판 밀착성 등의 우수한 물성을 가진다.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법{photosensitive resin composition, method of forming a pattern formation using the same, and method of manufacturing a substrate protective film using the same}
본 발명은 감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 쟌텐구조를 포함하는 감광성 수지 및 폴리실록산 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용하는 패턴형성 방법 및 기판보호용 피막의 제조방법에 관한 것이다.
평판 표시장치는 스마트폰, 태블릿 PC 및 텔레비전 등에 널리 사용되고 있으며, 발광 방식에 따라 액정표시장치(Liquid crystal display; LCD), 유기발광 표시장치(Organic light emitting display; OLED), 플라즈마 표시장치(plasma display panel, PDP), 전기 영동 표시장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
평판 표시장치를 제조하는 과정에서 패턴을 형성하기 위해서 포토 공정이 적용되며, 이 때 감광성 수지 조성물이 사용된다.
감광성 수지는 각종 정밀 전자ㆍ정보 산업제품 생산에 실용화된 대표적인 기능성 고분자 재료로서, 광조사에 의하여 단시간내에 분자 구조의 화학적 변화가 일어나 특정 용매에 대한 용해도, 착색, 경화 등의 물성의 변화가 생기는 고분자 화합물을 의미한다. 감광성 수지를 이용하면 미세정밀 가공이 가능하고, 열반응 공정에 비하여 에너지 및 원료를 크게 절감할 수 있으며, 작은 설치 공간에서 신속하고 정확하게 작업을 수행할 수 있는 장점을 가진다.
이러한 감광성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물은 감광된 부분의 현상에 대한 용해도에 따라 포지티브형과 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 포토레지스트는 노광된 부분이 현상액에 녹지 않고 노광되지 아니한 부분이 용해되어 패턴이 형성되는 방식이다. 포지티브형과 네가티브형은 사용되는 바인더 수지, 가교제 등의 서로 상이하다.
한편 최근 전자 기기가 고집적화 및 미세패턴화되면서, 불량률을 극소화할 수 있고 처리 효율과 해상도를 높일 수 있는 감광성 수지가 요구되고 있다.
이에 폴리이미드를 포함하는 감광성 수지로 사용하는 방법이 소개되었다. 폴리이미드는 주쇄에 헤테로 이미드링을 가지고 있는 폴리머로서 테트라카르복실산과 디아민을 축중합시켜 제조된다. 폴리이미드는 광투과도가 우수하고 기계적 성질, 열적 특성 및 기질과의 접착력이 매우 우수하다.
그러나, 폴리아미드는 공기 중의 물 등에 의하여 쉽게 가수 분해되어 보존성 및 안정성이 충분하지 않으며, 적용되는 기판 등에 대한 밀착성이 낮고 고온의 적용에 따라 전기 배선이나 기판의 물성을 저하시키는 문제점이 있다. 또한, 다른 형태의 감광성 수지들도 최종적으로 경화된 상태에서의 내약품성, 내열성, 전기적 특성이 충분하지 않거나, 특히 금속 기판에 대한 밀착성이 충분하지 않아서 현상 또는 경화 과정에서 기판으로부터 박리되는 문제점이 있다.
또한 감광성 조성물은 광감도 뿐만 아니라 저온 경화가 가능하고 짧은 경화시간에도 신뢰성을 가지며, 광투과도가 향상되어 리소그래피 성능이 좋아야한다. 여기에 포지티브형 감광성 조성물은 노광부가 알칼리 용액에 용해되므로 현상이물이 최소한으로 발생하는 것이 바람직하다.
따라서, 종래의 단점을 극복하고 보다 향상된 효과를 발휘할 수 있는 새로운 감광성 수지 조성물이 요구된다.
한국등록특허공보 10-1392167호
본 발명은 종래의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 한계를 극복하여 탁월한 기계적 물성을 가지면서도 초미세화된 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 우수한 현상성 및 기판에 대한 밀착성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴의 형성방법 및 기판보호용 피막의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 포토레지스트막, 기판보호용 피막 및 이를 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명은 고내열성, 고투명성 및 저유전율 특성을 가지는 동시에 광범위한 파장의 광으로 노광이 가능하며 산소 장애를 받지 않아 용이하게 박막을 형성할 수 있고, 기계적 물성이 우수하고, 미세한 패턴 형성이 가능한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것으로, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은
하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 광감성 수지;
하기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물에서 선택되는 하나 이상의 화합물과 하기 화학식 4로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 폴리실록산 화합물; 및
용매;를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
R21[Si(OR22)3]y
[화학식 4]
Si(OR23)4
(상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,
R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, C1-C10알킬 또는 C1-C10알콕시이며;
R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C10알킬이며,
R13 및 R14는 서로 독립적으로 C6-C12아릴이며;
R21은 수소, 1가 내지 3가의 C1-C30알킬, 1가 내지 3가의 C6-C30아릴 또는 1가 내지 2가의 C2-C30알케닐이며;
R22 및 R23은 서로 독립적으로 C1-C30알킬이며;
p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며;
s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며;
y는 1 내지 3의 정수이다.)
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1 및 2에서 R1 내지 R4는 수소 또는 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 또는 (C6-C10)아릴이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 5의 정수일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 s 및 t는 0.6 ≤s≤0.9이며; t는 0.1 ≤t≤0.4일 수 있다.
바람직하게 본 발명의 화학식 2 내지 4에서 R21은 1가의 C1-C10알킬이며; R22 및 R23은 서로 독립적으로 C2-C10알케닐이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며; s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며; y는 1의 정수일 수 있다.
보다 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실록산 화합물은 하기 화학식 3-1, 하기 화학식 3-2 및 화학식 4의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 것 일 수 있다.
[화학식 3-1]
R31Si(OR22)3
[화학식 3-2]
R32Si(OR22)3
(상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
R22는 C1-C10알킬이며;
R31은 C1-C10알킬이며; R32는 C2-C10알케닐이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지는 중량평균분자량이 1,000 내지 200,000g/mol일 수 있으며, 폴리실록산 화합물은 중량평균분자량이 1,000 내지 5,000g/mol일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대해 감광성 수지 30 내지 70중량%, 폴리실록산 화합물 1 내지 20중량% 및 잔량의 용매를 포함할 수 있으며, 바람직하게 광감제를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하는 패턴의 형성 방법 및 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 포토레지스트막을 제공한다.
본 발명의 패턴의 형성방법은
기판상에 도포하여 포토레지스트막을 제조하는 단계;
상기 포토레지스트막을 노광하는 단계; 및
상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하는 단계;를 포함한다.
또한 본 발명은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하는 기판보호용 피막의 제조방법 및 이로부터 제조된 기판보호용 피막을 제공한다.
본 발명의 기판보호용 피막의 제조방법은
포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트 막을 제조하는 단계;
상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;
상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하여 패턴형성 필름을 제조하는 단계; 및
상기 패턴형성 필름을 후경화하여 기판보호용 피막을 제조하는 단계;를 포함하는 기판보호용 피막의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 본 발명의 기판보호용 피막을 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 쟌텐골격을 포함하는 감광성 수지 및 폴리실록산 화합물를 포함함으로써 광감도가 우수하고 광투과성이 향상되며, 기계적 물성이 우수하다.
또한 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기판에 대한 밀착성이 높고 저온경화가 가능하며, 짧은 경화시간에도 우수한 신뢰성을 가진다.
뿐만 아니라 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 현상 후 잔류물이 남지 않아 우수한 광투과도를 가지며, 광범위한 파장의 광으로 노광이 가능하여 상업적으로의 적용이 매우 용이하다.
따라서 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 포토레지스트막은 기판에 대한 밀착성이 높아 기판보호용 피막으로도 매우 유용하다.
이하 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 패턴의 형성 방법 및 이를 이용하는 기판보호용 피막의 제조방법에 대해 상세하게 설명한다.
이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가진다. 또한, 종래와 동일한 기술적 구성 및 작용에 대한 반복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에서, 용어 "CA-CB"는 "탄소수가 A 이상이고 B 이하"인 것을 의미한다.
본 명세서 내 용어 "알킬"은 탄소 및 수소 원자만으로 구성된 1가의 직쇄 또는 분쇄 포화 탄화수소 라디칼을 의미한다. 상기 알킬은 1 내지 30개의 탄소원자를 가질 수 있으며, 바람직하게 1 내지 20개의 탄소원자, 보다 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소원자를 가질 수 있다. 상기 알킬은 보다 좋기로는 1 내지 7개의 탄소원자, 더욱 좋기로는 1 내지 4개의 탄소원자를 가질 수 있다. 이러한 알킬 라디칼의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실 등을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
본 명세서 내 용어 "알콕시"는 알킬-O-* 라디칼을 의미하는 것으로, 여기서 "알킬"은 상기 정의한 바와 같다. 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시, t-부톡시 등을 포함되지만 이에 한정되지는 않는다.
본 명세서 내 용어 "아릴"은 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 각 고리에 적절하게는 4 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 다수개의 아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다. 구체적인 예로서는 페닐, 나프틸, 비페닐, 안트릴, 플루오레닐, 인데닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.
본 명세서에서 사용된 용어 "알케닐"은 2 내지 30개, 바람직하게 2 내지 20, 보다 바람직하게 2 내지 10, 보다 좋기로는 2 내지 6개, 더욱 좋기로는 2 내지 4의 탄소 원자 및 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 포화된 직쇄상 또는 분지상 비-고리 탄화수소를 의미한다. 대표적인 직쇄상 및 분지상 (C2-C10) 알케닐은 -비닐, -알릴, -1-부테닐, -2-부테닐, -이소부틸레닐, -1-펜테닐, -2-펜테닐, -3-메틸-1-부테닐, -2-메틸-2-부테닉, -2,3-디메틸-2-부테닐, -1-헥세닐(hexenyl), -2-헥세닐, -3-헥세닐, -1-헵텐닐, -2-헵텐닐, -3-헵테닐, -1-옥테닐, -2-옥테닐, -3옥테닐, -1-노네닐(nonenyl), -2-노네닐, -3-노네닐, -1-디세닐, -2-디세닐, 및 -3-디세닐을 포함한다.
본 명세서에 사용된 용어 "폴리실록산"은 Si-O-Si 결합(실록산 결합)을 주쇄에 함유하는 중합체를 의미한다.
본 발명은 종래와 대비하여 극히 향상된 물성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것으로, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은,
하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 광감성 수지,
하기 화학식 3로 표시되는 실란 화합물에서 선택되는 하나이상의 화합물과 하기 화학식 4로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 폴리실록산 화합물 및
용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00003
[화학식 2]
Figure pat00004
[화학식 3]
R21[Si(OR22)3]y
[화학식 4]
Si(OR23)4
(상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,
R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, C1-C10알킬 또는 C1-C10알콕시이며;
R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C10알킬이며,
R13 및 R14는 서로 독립적으로 C6-C12아릴이며;
R21은 수소, 1가 내지 3가의 C1-C30알킬, 1가 내지 3가의 C6-C30아릴 또는 1가 내지 2가의 C2-C30알케닐이며;
R22 및 R23은 서로 독립적으로 C1-C30알킬이며;
p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며;
s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며;
y는 1 내지 3의 정수이다.)
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 유기 실록산계 수지로 특정한 구조인 쟌텐골격을 포함하는 실록산계 수지를 사용함으로써 에칭에 대한 내성이 놀랍도록 우수하여 미세패턴을 용이하게 형성할 수 있으며, 광범위한 파장으로 노광이 가능하다.
또한 습윤성이 낮고 표면경도가 우수하며 기판에 대한 밀착성이 우수하여 기판보호용 피막으로 매우 유용하게 사용될 수 있다.
나아가 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 감광성 수지와 둘 이상의 특정한 구조의 실란 화합물의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 폴리실록산 화합물을 조합으로 포함함으로써 광감도가 우수하고 광투과성이 향상되며, 짧은 경화시간에도 우수한 신뢰성을 가진다. 뿐만 아니라 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 저온 경화가 가능하며, 현상 후에도 잔류물이 남지 않아 광투과성이 매우 우수하다.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1 및 2에서 R1 내지 R4는 수소 또는 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 (C6-C10)아릴이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 5의 정수일 수 있으며, 보다 바람직하게는 R1 내지 R4는 수소 또는 (C1-C3)알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 (C1-C3)알킬일 수 있으며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 페닐, 비페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸일 수 있으며, p 및 q는 2 내지 4의 정수일 수 있다.
우수한 물성을 가지는 포토레지스트 박막을 형성하기위한 측면에서 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 s 및 t는 0.6≤s≤0.9이며; 0.1≤t≤0.4일 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.7≤s≤0.9 이며; 0.1≤t≤0.2일 수 있으며, 보다 좋기로는 0.8≤s≤0.9 이며; 0.1≤t≤0.2일 수 있다.
바람직하게 본 발명의 화학식 2에서 R11 및 R12는 서로 독립적으로 메틸, 에틸 또는 n-프로필이며, R13 및 R14는 페닐일 수 있다.
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2 내지 4에서 R21은 1가의 C1-C10알킬이며; R22 및 R23은 서로 독립적으로 C2-C10알케닐이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며; s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며; y는 1의 정수일 수 있다.
보다 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1 내지 4에서 R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, C1-C4알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C4알킬이며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 C6-C10아릴이며; R21은 1가의 C1-C10알킬이며; R22 및 R23은 서로 독립적으로 C2-C10알케닐이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 5의 정수이며; s 및 t는 몰비로 0.6 ≤ s ≤0.9이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.4이며; y는 1 내지 2의 정수일 수 있다.
보다 좋기로는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1 내지 4에서 R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, C1-C3알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C3알킬이며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 C6-C10아릴이며; R21은 1가의 C1-C4알킬이며; R22 및 R23은 서로 독립적으로 C2-C4알케닐이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 3의 정수이며; s 및 t는 몰비로 0.7 ≤ s ≤0.9이며; t는 0.1 ≤ t ≤ 0.2이며; y는 1의 정수일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실록산 화합물은 하기 화학식 11 또는 하기 화학식 12로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00005
[화학식 12]
Figure pat00006
(상기 화학식 11 내지 12에서,
R은 C1-C10알킬, C1-C10알콕시 또는 C1-C10알케닐이며;
a 및 b는 0<a<1, 0<b<1를 만족하는 실수이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 3 내지 4의 실란 화합물은 구체적으로, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 테트라프로폭시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 부틸트리에톡시실란, 부탈트리프로폭시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리프로폭시실란, 페닐트리부톡시실란, 바이닐트리메톡시실란, 바이닐트리에톡시실란 및 바이닐트리프로폭시실란에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실록산 화합물은 하기 화학식 3-1, 하기 화학식 3-2 및 화학식 4의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 것일 수 있다.
[화학식 3-1]
R31Si(OR22)3
[화학식 3-2]
R32Si(OR22)3
(상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
R22은 C1-C10알킬이며;
R31은 C1-C10알킬이며; R32는 C2-C10알케닐이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 3-1 및 3-2에서 R22은 C1-C4알킬이며, R31은 C1-C4알킬이며; R32는 C2-C4알케닐일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 3-1은 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리부톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-프로필트리이소프로폭시실란, 이소프로필트리메톡시실란, 이소프로필트리에톡시실란 또는 이소프로필트리부톡시실란일 수 있으며, 화학식 3-2는 바이닐트리메톡시실란, 바이닐트리에톡시실란 또는 바이닐트리프로폭시실란에서 선택될 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 폴리실록산 화합물이 포함됨으로써 투명성이 높고 현상시 알칼리 수용액에 대한 용해성이 높아 용이하게 패턴형 투명막을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실록산 화합물은 화학식 3 및 화학식 4의 실란화합물을 필요에 따라 산성 촉매 또는 염기성 촉매의 존재 하에 가수분해 및 축합하여 제조할 수 있다. 폴리실록산의 제조를 위한 출발물질로서 사용되는 실란 화합물의 전체 몰수를 기준으로 해당 혼합물 내의 화학식 4의 실란 화합물의 배합 비율이 50몰% 이하인 것이 바람직하며, 25몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 폴리실록산 화합물은 상기 화학식 3 및 화학식 4의 화합물을 가수분해 축합시켜 제조될 수 있으며, 가수분해에는 물과 산 또는 염기 촉매를 사용할 수 있다. 산 촉매로 포름산, 아세트산, 트리플루오로아세트산, 질산, 황산, 염산, 플루오로화수소산, 붕산, 양이온 교환수지 등을 예로 들수 있다. 염기 촉매로서는 암모나아, 트리에틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 수산화나트룸, 난산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화칼륨, 음이온 교환수지 등을 예로 들 수 있다. 중합온도는 특별히 한정되지 않지만 통상 10 내지 150℃의 범위이다. 중합시간 또한 특별히 한정되지 않으나, 일반적으로 1 내지 48시간동안 수행될 수 있다. 또한 중합반응은 가압, 감압, 또는 대기압의 어느 압력 하에서도 수행될 수 있다. 중합 후에는 폴리실록산 화합물을 안정화시키기위해 증류에 의해 저분자량 성분을 제거할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지는 중량평균분자량이 1000 내지 200,000g/mol, 경화시 표면에 크랙이 발생하지 않고, 바람직한 경화막의 두께를 구현하기 위한 측면에서 바람직하게 5000 내지 100,000g/mol, 보다 바람직하게는 10,000 내지 100,000g/mol일 수 있으며, 폴리실록산 화합물의 분자량은 1,000 내지 5,000g/mol, 코팅에 필요한 점도를 유지하여 표면 평탄화성을 개선하기 위한 측면에서 바람직하게 1,000 내지 4,000g/mol, 보다 바람직하게는 2,000 내지 3,000g/mol일 수 있다. 본 발명의 중량평균분자량은 폴리스티렌 환산 수치로 나타내며, 폴리스티렌을 기반으로 한 겔 투과 크로마토그래피로 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지는 상기 화학식 1의 반복단위를 가질 수 있는 단량체와 상기 화학식 2의 반복단위를 가질 수 있는 단량체인 하이드로실록산류를 촉매 존재 하에 하이드록시화(hydroxylation)중합 반응으로 제조될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지는 상기 화학식 1의 반복단위를 가질 수 있는 단량체와 상기 화학 2의 반복단위를 가질 수 있는 단량체를 중합하여 제조될 수 있다.
구체적으로 하기 화학식 1-1의 단위체와 하기 화학식 2-1의 단위체를 중합하여 제조될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure pat00007
[화학식 2-1]
Figure pat00008
(상기 화학식 1-1 및 2-1에서,
R1 내지 R4, R11내지 R14, s 및 t는 화학식 1 및 화학식 2에서의 정의와 동일하며, p 및 q는 0 내지 8의 정수이다.)
바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 감광성 수지는 하기 화학식 11로 표시될 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00009
(상기 화학식 11에서,
R1 내지 R4, R11내지 R14, p, q, s 및 t는 화학식 1 및 화학식 2에서의 정의와 동일하다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 수지는 교대공중합체, 랜덤공중합체 등을 모두 포함한다.
본 발명의 감광성 수지는 촉매 존재 하에 제조될 수 있으며, 이때 사용되는 촉매는 한정이 있는 것은 아니나, 일례로 백금(백금흑을 포함), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체; H2PtCl4·nH2O, H2PtCl6·nH2O, NaHPtCl6·nH2O, KHPtCl6·nH2O, Na2PtCl6·nH2O, K2PtCl4·nH2O, PtCl4·nH2O, PtCl2, Na2HPtCl4·nH2O(식 중, n은 0∼6인 정수가 바람직하며, 특히 0 이나 6이 바람직함) 등의 염화백금, 염화백금산 및 염화백금산염; 알코올 변성 염화백금산(미국 특허 제3,220,972호 공보); 염화백금산과 올레핀의 복합체(미국 특허 제3,159,601호 공보, 미국 특허 제3,159, 662호 공보, 미국 특허 제 3,775,452호 공보); 백금흑이나 팔라듐 등의 백금족 금속을 알루미나, 실리카, 탄소 등의 담체에 담지시킨 것; 로듐-올레핀 복합체; 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐(이른바 윌킨슨 촉매);염화백금, 염화백금산이나 염화백금산염과 비닐기 함유 실록산(특히 비닐기 함유 환형 실록산)의 복합체 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지의 중합 반응에 있어서 필요에 따라 유기 용제가 사용될 수 있다. 유기 용제로서는 일례로 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소계 유기 용제가 바람직하다.
중합 조건으로서, 중합 온도는 예를 들면 40∼150℃, 특히 80∼120℃가 바람직하다. 중합 온도가 지나치게 낮으면 중합 완결까지 장시간을 요하는 경우가 있고, 반대로 중합 온도가 지나치게 높으면 촉매가 활성화되지 않을 우려가 있다. 또, 중합 시간은 중합물의 종류 및 양에도 의존하지만, 중합계 내에 습기의 개입을 방지하기 위해, 약 0.5∼10시간, 특히 0.5∼5시간 이내로 종료하는 것이 바람직하다. 또, 유기 하이드로실록산류는 부반응인 불균화 반응을 일으키기 쉽고, 또한 하이드록시화 중합 반응은 일반적으로 발열 반응이기 때문에, 상기 유기 하이드로실록산류를 적하에 의해 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지는 특정한 구조인 쟌텐을 가지는 동시에 하이드로실록산류의 치환기의 함량을 조절함으로써 보다 내성이 우수하며, 광범위한 파장으로 노광이 가능하고 기판에 대한 밀착성이 우수하여 미세패턴의 형성이 용이하면서도 상용화에 매우 유리하다.
나아가 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 쟌텐을 포함하는 감광성 수지와 폴리실록산 화합물을 포함함으로써, 보다 우수한 광감도, 내열성, 투과도를 가지며, 기계적 전기적 물성도 우수하다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 보호 피복막, 절연 피복막, 박리 도료 특히 미세 가공용 포토레지스트 재료로 매우 유용하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 감광성 수지는 30 내지 70중량%, 폴리실록산 화합물 1 내지 20중량% 및 잔량의 용매를 포함할 수 있으며, 경화막의 경도 및 기판 밀착성에서 우수한 효과를 가지기위한 측면에서 바람직하게 35 내지 65중량%, 폴리실록산 화합물 5 내지 20중량% 및 잔량의 용매를 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 감광성 수지 40 내지 60중량%, 폴리실폭산 화합물 5 내지 15중량% 및 잔량의 용매를 포함할 수 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 본 발명의 감광성 수지, 폴리실록산 및 용매를 포함하여 용이하게 미세패턴의 형성이 가능하고, 기판과의 말착성, 내열성 전기 절연성이 매우 우수하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 용매는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 각 성분들을 균일하게 용해 또는 분산시킬 수 있는 용제로부터 선택되는 유기 용매일 수 있다. 구체적인 일례로 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르와 같은 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르; 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르 및 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르와 같은 디에틸렌 글리콜 디알킬 에테르; 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트와 같은 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (PGME) 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르와 같은 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(프로필렐 글리콜-1-모노메틸 에테르-2-아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트와 같은 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트; 벤젠, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족 탄화수소류; 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 아밀 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 사이클로 헥사논과 같은 케톤류; 및 이소프로판올과 프로판디올과 같은 알코올류 등을 포함한다. 이러한 용매들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있으며, 그 함량은 코팅 방법 및 코팅막의 필요 두께에 따라 다르다. 바람직하게 20중량%이상일 수 있으며, 보다 바람직하게 20 내지 90중량%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 광감제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광감제는 일례로 1,2-퀴논디아지드 화합물(DNQ)이 가장 바람직하며, 1,2-퀴논디아지드 화합물은 예를 들면 레지스트 분야에서 광감제로서 사용되는 화합물을 이용할 수 있다. 구체적인 예로는 페놀 화합물과 １,２-벤조퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-벤조퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르; 페놀 화합물과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르; 페놀 화합물의 수산기를 아미노기로 치환한 화합물과 １,２-벤조퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-벤조퀴논디아지드-５-설폰산과의 설폰아미드; 또는 페놀 화합물의 수산기를 아미노기로 치환한 화합물과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산 또는 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 설폰아미드 등을 들 수 있다. 상기의 물질들은 단독으로 사용되거나 둘 이상을 혼합하여 사용될 수도 있다.
상기 페놀 화합물은 ２,３,４-트리히드록시벤조페논, ２,４,６-트리히드록시벤조페논, ２,２',４,４'-테트라히드록시벤조페논, ２,３,３',４-테트라히드록시벤조페논, ２,３,４,４'-테트라히드록시벤조페논, 비스(２,４-디히드록시페닐)메탄, 비스(ｐ-히드록시페닐)메탄, 트리(ｐ-히드록시페닐)메탄, １,１,１-트리(ｐ-히드록시페닐)에탄, 비스(２,３,４-트리히드록시페닐)메탄, ２,２-비스(２,３,４-트리히드록시페닐)프로판, １,１,３-트리스(２,５-디메틸-４-히드록시페닐)-３-페닐프로판, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(２,５-디메틸-４-히드록시페닐)-２-히드록시페닐메탄, ３,３,３',３'-테트라메틸-１,１'-스피로비인덴-５,６,７,５',６',７'-헥사놀, 및 ２,２,４-트리메틸-７,２',４'-트리히드록시플라반일 수 있다.
상기 １,２-퀴논디아지드 화합물은 ２,３,４-트리히드록시벤조페논과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산의 에스테르, ２,３,４-트리히드록시벤조페논과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산의 에스테르, ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-４-설폰산의 에스테르, 또는 ４,４'-[１-[４-[１-[４-히드록시페닐]-１-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 １,２-나프토퀴논디아지드-５-설폰산과의 에스테르 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 이러한 물질들은 포지티브형 감광성 수지 조성물의 투명성이 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광감제는 포지티브형 감광성 수지 조성물 총중량에 대하여 0.1 내지 20중량%, 패턴 형성이 용이하며, 도막 형성 후 도막 표면이 거칠어지지 않으며, 현상시 하단부에 스컴(scum) 등의 패턴 형상의 문제을 억제시키기위한 측면에서 바람직하게는 1 내지 20중량%, 보다 바람직하게 1 내지 10중량%를 사용할 수 있다.
본 발명에 일 실시예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상도, 도포 균일성, 현상성 또는 접착성을 향상시키기 위해서 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제의 일례로는 아크릴계, 스티렌계, 폴리에틸렌이민계 또는 우레탄계 고분자를 포함하는 분산제; 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 불소계의 계면활성제; 실리콘 수지계 등의 도포성 향상제; 실란계 커플링제 등의 밀착성 향상제(접착보조제); 알콕시벤조페논류 등의 자외선 흡수제; 폴리아크릴산나트륨 등의 응집 방지제; 에폭시 화합물, 멜라민 화합물 또는 비스아지드 화합물 등의 열가교제; 및 유기카복실산 등의 알칼리 용해성 촉진제 등을 들 수 있다.
상기 실란계 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 잔막률과 기판과의 접착성 면에서, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란 및/또는 N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란이 사용될 수 있다. 본 발명의 실란계 커플링제의 함량은 상기 폴리실록산 화합물 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.01 내지 10 중량부인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부일 수 있다. 실란계 커플링제의 함량이 0.01 중량부 이상일 때 기판에 대한 접착성이 향상되고, 10 중량부 이하일 때 고온에서 열 안정성이 개선되고, 현상 이후 얼룩이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.
상기 계면활성제는 일례로 BM-1000, BM-1100(BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, F-470, F-471, F-475, F-482, F-489(다이닛뽄잉크 가가꾸고교(주)제조), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(스미또모 스리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145, 서프론 S-382, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(아사히 가라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 에프톱 303, 에프톱 352(신아끼따 가세이(주) 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190(도레 실리콘(주) 제조), DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, GE, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233(다우코닝도레이 실리콘사(주)제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(도시바 실리콘사(주)제조), 및 BYK-333(BYK사(주) 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 및 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 및 오르가노실록산 폴리머 KP341 (신에쓰 가가꾸고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57, 95 (교에이샤유지 가가꾸고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 계면활성제는 상기 폴리실록산 화합물 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.05 내지 10 중량부를 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부를 사용할 수 있다. 상기 계면활성제의 함량이 0.05 중량부 이상일 때 도포성이 향상되고 도포된 표면에 크랙이 발생하지 않으며, 10 중량부 이하일 때 가격적 측면에서 유리하다.
본 발명에 따른 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 예를 들면, 패터닝된 투명막 및 절연막에 대하여 일반적으로 요구되는 고내용제성, 고내수성, 고내산성, 고내알칼리성, 고내열성, 고투명성 및 기판과의 높은 밀착성 등의 특성을 갖는다.
본 발명에 따른 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 내용제성, 내산성, 내알칼리성, 내열성 및 투명성이 우수하기 때문에 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 투명막, 절연막 및 표시소자 등은, 그 제조 후 공정에 있어서 용제, 산, 알칼리 용액 등을 사용하여 침지, 접촉 또는 열처리 등이 수행되어도 수지막에 표면 거침이 발생하지 않는다. 따라서 본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 투명막 등은 광의 투과율이 높기 때문에, 이를 이용한 표시소자 등은 제품의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하는 패턴의 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 포토레지스트막을 제공한다.
본 발명의 패턴의 형성방법은,
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트막을 제조하는 단계; 상기 포토레지스트막을 노광하는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴의 형성방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용함으로써 우수한 해상도, 내구성 및 내열성 우수한 패턴의 형성이 가능하다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법에 있어서 노광, 현상 및 현상액은 본 기술분야의 당업자가 인식할 수 있는 범위내에서 사용가능한 모든 물질이라면 모두 가능하다.
또한 본 발명은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하여 기판보호용 피막을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 기판보호용 피막을 제공한다.
본 발명의 기판보호용 피막의 제조방법은,
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트막을 제조하는 단계;
상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;
상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하여 패턴형성 필름을 제조하는 단계; 및
상기 패턴형성 필름을 후경화하여 기판보호용 피막을 제조하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 표면경도가 우수하고, 기판과의 밀착성이 우수하여 기판보호용 피막의 제조에 용이하게 사용될 수 있으며, 이로부터 제조된 기판보호용 피막은 우수한 물성을 가진다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 기판보호용 피막의 제조방법에 있어서 후경화의 온도 및 시간은 당업자가 인식할 수 있는 범위에서 가능한 온도 및 시간일 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 기판보호용 피막을 채용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 평판 디스플레이 장치는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 기판보호용 피막을 채용함으로써 표면경도, 내열성 및 해상도가 우수하고 투습도가 낮은 장점을 가진다.
이하, 본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대하여 합성예 및 실시예를 통하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 하기의 합성에 및 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을것이다.
[합성예 1] 디하이드로실록산 화합물 1의 합성
3000ml 삼구 라운드 플라스크에 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라페놀디실록산을 4:1의 몰비로 첨가하여 하기 화학식 2-2로 표시되며 n이 15인 디하이드로실록산 화합물 1을 제조하였다.
[화학식 2-2]
Figure pat00010
[합성예 2] 디하이드로실록산 화합물 2의 합성
상기 합성예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라페놀디실록산을 9:1의 몰비로 첨가하여 제조한 것을 제외하고 합서예 1과 동일하게 실시하여 화학식 2-2에서 n이 15인 디하이드로실록산 화합물 2를 제조하였다.
[합성예 3] 디하이드로실록산 화합물 3의 합성
상기 합성예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라페놀디실록산을 6:4의 몰비로 첨가하여 제조한 것을 제외하고 합서예 1과 동일하게 실시하여 화학식 2-2에서 n이 15인 디하이드로실록산 화합물 3을 제조하였다.
[합성예 4] 디하이드로실록산 화합물 4의 합성
상기 합성예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라페놀디실록산을 5:5의 몰비로 첨가하여 제조한 것을 제외하고 합서예 1과 동일하게 실시하여 화학식 2-2에서 n이 15인 디하이드로실록산 화합물 4를 제조하였다.
[합성예 5] 디하이드로실록산 화합물 5의 합성
상기 합성예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라페놀디실록산을 4:1의 몰비로 첨가하여 합성예 1과 동일하게 실시하여 상기 화학식 2-2에서 n이 19인 디하이드로실록산 화합물 5를 제조하였다.
[합성예 6] 폴리실록산 화합물의 합성
비닐트리에톡시실란 190.3g, 메틸트리에톡시실란 178.3g, 테트라에톡시실란 208.3g, 부틸아세테이트 1리터를 약 2리터의 용량의 3구 플라스크에 넣고, 플라스크의 내용물을 격렬하게 교반하면서, 여기에 설치한 적하 깔때기를 이용하여 1몰/리터의 농도의 질산 2ml와 순수 180ml를 혼합한 용액을 30분 동안 적하였다. 그 결과, 플라스크 내용물에서는 발열반응이 일어났고, 초기에는 백색의 탁한 용액이었지만 교반을 지속한 결과 무색 투명한 용액이 되었다. 상기 혼합물을 중화시킨 후 톨루엔 1000ml와 물 1000ml를 첨가하여 혼합물을 두층으로 분리시켰다. 분리된 유기층을 감압 하에 농축하여 용매를 제거하였다. 수득한 폴리실록산 화합물의 분자량을 측정하여 중량평균분자량이 2500g/mol임을 확인하였다.
[실시예 1] 감광성 수지 1의 합성
3000ml 삼구 라운드 플라스크에 스피로[플루오렌-9,9’-잔텐]-3’`,6’`-비스(1-프로펜)(spiro[fluorine-9,9'-xanthene]-3',6'-bis(1-propen)) 44.0g, 톨루엔 60g 및 염화백금산 0.1g을 첨가하여 80℃로 온도를 높였다.
그 후, 상기 플라스크 내에 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 13.4g을 적하하였다. 적하 후, 100℃에서 1시간 교반시킨 후, 톨루엔을 제거하여 54g의 고체 생성물을 얻었다.
상기 생성물은 IR을 확인한 결과 하이드록시기 및 알릴기로부터 유래하는 흡수 피크를 갖지 않고, 하이드록시화 반응이 완결되어 있음이 알 수 있었다. 또, 1050㎝-1에 실록산 결합으로부터 유래하는 흡수 피크를 가지고 있었다. 또한, GPC에 의해 분자량을 측정한 결과 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 12,000g/mol이었다.
[실시예 2] 감광성 수지 2의 합성
실시예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 대신 합성예 1에서 제조된 디하이드로실록산 화합물 1, 196.0g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 감광성 수지 2를 230g제조하였으며, 실시예 1과 동일한 방법으로 분자량을 측정한 중량 평균 분자량 30,000g/mol이었다.
[실시예 3 내지 6] 감광성 수지 3 내지 6의 합성
실시예 1에서 1,3-디하이드로-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 대신 합성예 2 내지 5에서 각각 제조된 디하이드로실록산 화합물 2 내지 6을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 감광성 수지 3 내지 6을 제조하였으며, 제조된 감광성 수지 3 내지 6의 중량 평균 분자량 각각, 15000g/mol, 25000g/mol, 30000g/mol, 4,0000g/mol 이었다.
[비교예 1] 비교감광성 수지의 합성
실시예 1에서 스피로[플루오렌-9,9’-잔텐]-3’`,6’`-비스(1-프로펜)대신 4,4'-(9H-플루오렌-9-일리덴)비스[(2-프로페닐)페놀] 41.8g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 비교감광성 수지를 제조하였으며, 중량 평균 분자량 40,000g/mol 인 유기 실록산계 고분자 화합물임이 판명되었다.
[실시예 7] 포지티브형 감광성 수지 조성물 1의 제조
실시예 1에서 얻어진 감광성 수지 1, 11.24g, 합성예 6에서 제조된 폴리실록산 화합물 2.46g, 미원사의 퀴논디아지드 화합물(TPPA-520) 1.5g, BYK사의 레벨링 계면활성제(BYK 333 실리콘계 계면활성제) 0.042g, 접착보조제(Shin-Etsu사 KBE-9007) 0.084g을 프로필렌 글리콜-1-모노메틸 에테르-2-아세테이트 8.2g에 첨가하고 잘 교반시켜 포지티브형 감광성 수지 조성물 1을 얻었다.
[실시예 8] 포지티브형 감광성 수지 조성물 2의 제조
실시예 2에서 얻어진 감광성 수지 2, 8.24g, 미원사의 퀴논디아지드 화합물(TPPA-520) 1.5g, BASF 사의 광개시제(TPO) 0.35g, BYK사의 레벨링 계면활성제(BYK 333 실리콘계 계면활성제) 0.042g, 접착보조제(Shin-Etsu사 KBE-9007) 0.084g을 프로필렌 글리콜-1-모노메틸 에테르-2-아세테이트 8.2g에 첨가하여 잘 교반하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 2를 얻었다.
[실시예 9 내지 12] 포지티브형 감광성 수지 조성물 3 내지 6의 제조
실시예 7에서 감광성 수지 1 대신 감광성 수지 3 내지 6을 각각 사용한 것을 제외하고 실시예 7과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 3 내지 6을 각각 얻었다.
[비교예 2] 포지티브형 비교감광성 수지 조성물의 제조
실시예 7에서 감광성 수지 1 대신 비교예 1에서 제조된 비교감광성 수지를 사용한 것을 제외하고 실시예 7과 동일하게 실시하여 포지티브형 비교감광성 수지 조성물을 얻었다.
[비교예 3] 포지티브형 비교감광성 수지 조성물의 제조
실시예 7에서 폴리실록산 화합물을 사용하지 않은 것을 제외하고 실시예 7과 동일하게 실시하여 포지티브형 비교감광성 수지 조성물을 얻었다.
상기 실시예 7 내지 12 및 비교예 2에서 얻어진 포지티브형 감광성 수지 조성물의 물성의 평가하였다.
[화상 패턴 형성]
본 발명의 실시예 7 내지 12 및 비교예 2의 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 기판상에 스핀코팅 방법을 사용하여 4㎛의 두께로 도포한 후, 90℃의 온도에서 2분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성하였다.
상기 얻어진 도막에 필요한 패턴 형성을 위해 소정 형태의 마스크를 개재한 뒤, 365nm의 활성선을 조사하였다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있으나, 본 발명에서는 고압수은등을 이용하여 노광하였으며, 노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2 (365nm 센서에 의함) 이하일 수 있으며, 본 발명에서는 30mJ/cm2으로 조사하였다.
상기 노광 단계에 이어 알칼리성 수용액을 현상액으로 이용하여 불필요한 부분을 용해, 제거함으로써 노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 형성시켰다. 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 상온까지 식힌 후에, 열풍순환식 건조로 안에서 230℃에서 20분 동안 포스트 베이크 하여 화상 패턴을 얻었다.
[해상도]
상기로부터 얻어진 화상 패턴에 대해서 해상도 측정을 위해서 마이크로 광학 현미경을 이용하여 형성된 컨택 홀의 최소 사이즈 관찰을 통해서 각 실험예들에 대한 해상도를 측정하였다.
[기판 밀착성]
상기로부터 얻어진 화상 패턴에 대해서 기판 밀착성 특성을 측정하기 위하여 ASTM D3359 에 기재된 방법에 따라 크로스-컷 테스트 (cross-cut test)를 실시하고, 이때 접착력은 하기 기준에 의해 평가하였다.
OB: 박편으로 부서지며 65% 초과 떨어져나감
1B: 자른 부위의 끝단 및 격자가 떨어져 나가면서 그 면적이 35% 초과
65% 이하
2B: 자른 부위의 교차 부분에서 작은 영역이 떨어져 나가면서 그 면적이
15% 초과 35% 이하
3B: 자른 부위의 교차 부분에서 작은 영역이 떨어져 나가면서 그 면적이
5% 초과 15% 이하
4B: 자른 부위의 교차 부분에서 그 면적이 5% 이하.
5B: 자른 부분의 끝단이 부드러우면서 떨어져 나가는 격자가 없음.
[표면 경도 평가]
상기 광 투과도 평가에서 제작한 기판을 이용하여, ASTM-D3363에 기재된 방법으로 상기 경화막의 표면 경도를 측정하였다. 연필 경도 측정기(Pencil Hardness Tester)에 미쓰비시 연필 (Mitsubish Pencil)을 기판에 접촉시킨 다음 그 위에 500g 의 추를 올려놓아 하중을 증가시킨 상태에서 50mm/sec 의 속도로 기판의 표면을 긁고 표면을 관찰하여 측정하였다. 측정 기준은 연필경도에 해당하는 수준에서 표면의 마모, 벗겨짐, 찢김, 긁힘의 형상이 관찰 되지 않을 때를 기준으로 평가하였다.
[내열성 평가]
상기 광 투과도 평가에서 제작한 기판을 이용하여, 상기 경화막에 대해서 TGA (Thermo-Gravimetric Analysis)를 통해 하기와 같이 내열성을 평가하였다. 측정 조건은 다음과 같다: 30℃ 에서 분당 10℃의 속도로 130℃까지 승온시키고, 130℃ 에서 5분간 등온 가열하여 수분을 제거한 다음 온도를 30℃까지 낮춘다. 분당 10℃의 속도로 300℃까지 승온시키고, 300℃의 온도에서 30분간 등온 가열한다. 측정온도를 30℃까지 낮춘 다음, 등온가열을 통해 손실된 경화막의 중량을 %로 분석한다. 손실량이 적을수록 내열성이 우수하다.
[평가 결과]
상기 실험의 결과를 하기 식에 표 1로 정리 하였다.
항 목 메틸 : 페닐 몰비 폴리실록산 함유 유무 n값 중량손실
(%)		 경도 해상도(μm) 감도(mJ) 기판 밀착성
실시예 7 100% 0 1.2% 6H 5 35 5B
실시예 8 8:2 0 15 0.2% 7H 2 30 5B
실시예 9 9:1 0 15 1.0% 7H 3 30 5B
실시예 10 6:4 0 15 0.6% 7H 3 30 5B
실시예 11 5:5 0 15 0.9% 6H 4 30 5B
실시예 12 8:2 0 19 0.4% 6H 3 30 5B
비교예 2 - 0 - 3.44% 5H 11 50 4B
비교예 3 - × - 2.88% 4H 6 80 5B
표 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 7 내지 실시예 12는 해상도, 감도, 열에 의한 중량 손실량 및 경도 및 기판 밀착성 등에서 비교예 2와 대비하여 모두 우수한 것을 알 수 있다.
나아가 본 발명의 감광성 수지의 실록산의 치환기로 메틸만이 존재하는 실시예 1의 감광성 수지의 실록산이 치환기로 메틸 및 페닐이 모두 존재하는 실시예 2 내지 6의 감광성 수지 보다 우수한 작용효과를 가짐을 알 수 있으며, 특히 감광성 수지의 실록산 치환기로 메틸과 페닐이 특정한 함량을 가지는 실시예 2, 실시예 4 및 실시예 6이 실시예 3 및 실시예 5와 대비하여 보다 우수한 작용효과를 가짐을 알 수 있다.
더구나 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 쟌텐골격을 포함하는 감광성 수지와 폴리실록산 화합물을 조합으로 포함하는 실시예 7이 폴리실록산 화합물을 포함하지 않은 비교예 3과 대비하여 모든 면에서 확연하게 향상된 효과를 가짐을 알 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 광감성 수지,
    하기 화학식 3 및 하기 화학식 4로 표시되는 실란 화합물에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 화합물의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 폴리실록산 화합물 및
    용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00011

    [화학식 2]
    Figure pat00012

    [화학식 3]
    R21[Si(OR22)3]y
    [화학식 4]
    Si(OR23)4
    상기 화학식 1 내지 화학식 4에서,
    R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, C1-C10알킬 또는 C1-C10알콕시이며;
    R11 및 R12는 서로 독립적으로 C1-C10알킬이며,
    R13 및 R14는 서로 독립적으로 C6-C12아릴이며;
    R21은 수소, 1가 내지 3가의 C1-C30알킬, 1가 내지 3가의 C6-C30아릴 또는 1가 내지 2가의 C1-C30알케닐이며;
    R22 및 R23은 서로 독립적으로 C1-C30알킬이며;
    p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며;
    s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며;
    y는 1 내지 3의 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1 및 2에서 R1 내지 R4는 수소 또는 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며, R13 및 R14는 서로 독립적으로 또는 (C6-C10)아릴이며; p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 5의 정수인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 화학식 2에서 s 및 t는 0.6≤s≤0.9이며; t는 0.1≤t≤ 0.4인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 3 내지 4에서 R21은 1가의 C1-C30알킬이며;
    R22 및 R23은 서로 독립적으로 C2-C10알케닐이며;
    p 및 q는 서로 독립적으로 2 내지 10의 정수이며;
    s 및 t는 몰비로 0.5 ≤ s ≤1.0이며; t는 0 ≤ t ≤ 0.5이며;
    y는 1의 정수인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리실록산 화합물은 하기 화학식 3-1, 하기 화학식 3-2 및 화학식 4의 가수분해 및 축합에 의해 제조되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 3-1]
    R31Si(OR22)3
    [화학식 3-2]
    R32Si(OR22)3
    상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
    R22는 C1-C10알킬이며;
    R31은 C1-C10알킬이며; R32는 C2-C10알케닐이다.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 수지는 중량평균분자량이 1,000 내지 200,000g/mol이며;
    상기 폴리실록산 화합물은 중량평균분자량이 1,000 내지 5,000g/mol인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물 총 중량에 대해 감광성 수지 30 내지 70중량%, 폴리실록산 화합물 1 내지 20중량% 및 잔량의 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 광감제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트막을 제조하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광하는 단계; 및
    상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하는 단계;를 포함하는 패턴의 형성 방법.
  10. 제1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하여 포토레지스트막을 제조하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;
    상기 노광된 포토레지스트막을 현상액을 이용하여 현상하여 패턴형성 필름을 제조하는 단계; 및
    상기 패턴형성 필름을 후경화하여 기판보호용 피막을 제조하는 단계;를 포함하는 기판보호용 피막의 제조방법.
  11. 제1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 포토레지스트막.
  12. 제1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 기판보호용 피막.
  13. 제12항의 기판보호용 피막을 채용한 평판 디스플레이 장치
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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