KR20220043477A - 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기 - Google Patents

광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20220043477A
KR20220043477A KR1020200126912A KR20200126912A KR20220043477A KR 20220043477 A KR20220043477 A KR 20220043477A KR 1020200126912 A KR1020200126912 A KR 1020200126912A KR 20200126912 A KR20200126912 A KR 20200126912A KR 20220043477 A KR20220043477 A KR 20220043477A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base
component
test device
inspection
optical communication
Prior art date
Application number
KR1020200126912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102440328B1 (ko
Inventor
안동훈
권효택
Original Assignee
포톤데이즈(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포톤데이즈(주) filed Critical 포톤데이즈(주)
Priority to KR1020200126912A priority Critical patent/KR102440328B1/ko
Publication of KR20220043477A publication Critical patent/KR20220043477A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102440328B1 publication Critical patent/KR102440328B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2632Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2644Adaptations of individual semiconductor devices to facilitate the testing thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889Interfaces, e.g. between probe and tester

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 광통신 모듈용 측정 지그에 관한 것이다. 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기는 부품 베이스(11); 부품 베이스(11)에 형성되고, 테스트가 되는 부품이 고정되는 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k); 부품 베이스(11)의 위쪽 부분에 결합되어 고정되는 프로브 베이스(21); 프로브 베이스(21)에 형성되고, 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)으로 연장되어 부품에 접촉 가능한 다수 개의 프로브(22a 내지 22k); 및 부품 베이스(11) 및 프로브 베이스(21)의 결합 위치를 결정하면서 서로 결합된 상태에서 상대적이 이동을 제한하는 고정 핀 모듈(14a, 14b, 24a, 24b)을 포함한다.

Description

광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기{A Test Device for a Laser Diode of an Optical Communication}
본 발명은 광통신 모듈용 측정 지그에 관한 것이고, 구체적으로 초고속 광통신을 위한 광 트랜시버의 통신 특성의 측정이 가능한 광통신 모듈용 측정 지그에 관한 것이다.
반도체 레이저(Laser Diode: LD)는 광 통신 설비에 적용되는 신호를 송신하는 핵심 부품에 해당한다. 통신 산업의 발달에 따라 LD 기술이 비약적으로 발전하면서 LD 단품 또는 모듈의 특성 또는 양부를 평가할 수 있으면서 LD 바(bar), LD 칩(Chip) 또는 LD CoC(Chip on Carrier)와 LD를 포함한 광 통신 부품의 테스트를 위한 기기가 개발될 필요성이 커지고 있다. 반도체 분야의 경우 테스터 산업 생태계가 발달되어 있고 예를 들어 반도체 번인/테스트기술 및 이를 위한 장비가 널리 사용되고 있다. 이에 비하여 광통신용 반도체 레이저의 경우 LD 테스트를 위한 기술이 반도체와 같이 표준화가 안되어 있고 다양한 형태의 개발이 진행되고 있다. 향후 5G 또는 6G에 적용되는 LD 또는 LD 모듈의 수요 증가를 고려하면 정확도와 생산성을 갖춘 테스트 기술에 대한 요구가 더욱 커질 것으로 예상된다. 특허등록번호 10-1486008은 단말기의 검사 장치 및 이를 이용하는 검사 지그에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 10-2016-0145957은 다채널 광수신 모듈에 대하여 개시한다. 5G 이동통신에서 효율적이고 융통성 있는 망을 설계, 운용하기 위해 25Gbps급 이상의 반도체 레이저의 필요성이 증대되고 있다 또한 통신 기술의 발달에 따라 5G를 비롯하여 6G이상의 통신망에서도 적용되는 LD 또는 LD 모듈이 개발 및 적용이 될 수 있으므로 이와 같은 소자의 테스트가 가능한 기기가 개발될 필요가 있다. 이와 동시에 최근 사용이 증가되고 있는 CoC (Chip On Carrier) 형태의 반도체 레이저 제품의 테스트가 가능한 기기가 만들어질 필요가 있다. 그리고 테스트 기기는 특성 및 신뢰성 평가를 위한 정상 또는 불량 판정을 위한 CoC 소자의 특성 측정 테스트 및 번인(burn-in) 테스트가 가능한 구조를 가질 필요가 있다. 그러나 공지 기술 또는 선행기술은 이와 같은 조건을 가진 테스트 기기에 대하여 개시하지 않는다.
본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
선행기술 1: 특허등록번호 10-1486008((주)청공정밀, 2015.01.26. 공고) 이동통신 단말기 성능 검사 장치 및 이에 이용되는 검사 지그 선행기술 2: 특허공개번호 10-2016-0145957(주식회사 지피, 2016.12.21. 공개) 다채널 광수신 모듈 및 다채널 광수신 모듈의 광정렬 방법
본 발명의 목적은 10~25Gbps급 또는 그 이상의 CoC(Chip on Carrier) 형태의 반도체 레이저 소자의 전기 특성 테스트 및 번인 테스트가 가능한 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기를 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기는 부품 베이스; 부품 베이스에 형성되고, 테스트가 되는 부품이 고정되는 다수 개의 검사 포켓; 부품 베이스의 위쪽 부분에 결합되어 고정되는 프로브 베이스; 프로브 베이스에 형성되고, 다수 개의 검사 포켓으로 연장되어 부품에 접촉 가능한 다수 개의 프로브; 및 부품 베이스 및 프로브 베이스의 결합 위치를 결정하면서 서로 결합된 상태에서 상대적이 이동을 제한하는 고정 핀 모듈을 포함한다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 프로브 베이스는 한 쌍의 래치 모듈에 의하여 부품 베이스에 결합된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 검사 포켓의 위쪽 테두리는 경사 유도 면을 형성한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 부품은 광통신용 CoC(Chip on Carrier) 형태의 LD(Laser Diode)가 된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 번인 테스트가 된 이후 부품 베이스에 부품이 유지되어 특성 측정 장치로 이동되어 부품에 대한 특성 측정이 된다.
본 발명에 따른 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기는 5G 이동통신의 10~25Gbps급 이상의 CoC (Chip on Carrier) 형태의 반도체 레이저 소자의 특성 평가와 번인 테스트가 가능하도록 한다. 본 발명에 따른 테스트 기기는 5G 또는 향후 적용되는 그 이상 급의 반도체 레이저의 테스트에 적용될 수 있고 적절한 구조 변경에 의하여 CoC 형태의 반도체레이저를 비롯하여 TO package, Chip bar, Chip 또는 이와 유사한 다양한 형태의 LD 부품에 적용될 수 있다. 본 발명에 따른 테스트 기기는 신호 전달 또는 처리를 위한 수단이 포함되어 측정 안정성이 확보되도록 하면서 번인 후 CoC를 테스트 기기로부터 언로딩하지 않고 곧바로 테스트기기 자체를 특성 평가 장치에 로딩을 하여 CoC 특성의 테스트가 가능하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 부품의 소자를 위하여 본 발명에 따른 테스트 기기가 결합된 형태의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 테스트 기기에 형성되는 검사 포켓의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 테스트 기기에 의하여 부품이 시험되는 과정의 실시 예를 도시한 것이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 테스트 기기가 적용되는 테스트 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기는 부품 베이스(11); 부품 베이스(11)에 형성되고, 테스트가 되는 부품이 고정되는 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k); 부품 베이스(11)의 위쪽 부분에 결합되어 고정되는 프로브 베이스(21); 프로브 베이스(21)에 형성되고, 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)으로 연장되어 부품에 접촉 가능한 다수 개의 프로브(22a 내지 22k); 및 부품 베이스(11) 및 프로브 베이스(21)의 결합 위치를 결정하면서 서로 결합된 상태에서 상대적 이동을 제한하는 고정 핀 모듈(14a, 14b, 24a, 24b)을 포함한다.
테스트 기기는 부품이 고정되는 부품 고정 모듈(10)과 부품 고정 모듈(10)의 위쪽에 결합되면서 부품을 안정적으로 고정시키면서 부품의 특성을 시험하는 다수 개의 프로브(22a 내지 22k)를 가진 프로브 모듈(20)로 이루어질 수 있다. 부품은 예를 들어 사각 판 형상의 CoC(Chip on Carrier) 형태의 LD(Laser Diode)가 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 부품 고정 모듈(10)은 아래쪽 면이 다른 테스트 관련 장치에 접촉될 수 있는 형상을 가진 부품 베이스(11); 부품 베이스(11)에 한쪽 가장자리를 따라 형성되어 각각의 부품이 고정되는 검사 포켓(12a 내지 12k); 서로 마주보는 위치에 배치된 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b); 및 프로브 베이스(21)와 부품 베이스(11)의 결합 위치를 결정하는 고정 핀(14a, 14b)을 포함한다. 부품 베이스(11)은 다른 시험 관련 장치에 안정적으로 고정되도록 하는 균형 블록과 균형 블록의 위쪽에 형성되는 고정 블록으로 이루어질 수 있고 위쪽에서 본 형상이 직사각형이 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 부품 베이스(11)의 모서리 부분에 볼트 또는 핀이 결합될 수 있는 고정 홀이 형성될 수 있다. 부품 베이스(11)의 한쪽 테두리를 따라 선형으로 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)이 형성될 수 있고, 각각의 검사 포켓(12a 내지 12,k)은 전체적으로 사각형 홈 형상이 될 수 있다. CoC 형태의 LD와 같은 부품은 사각 판 형상이 될 수 있고, 각각의 검사 포켓(12a 내지 12k)은 부품의 수용되어 고정될 수 있는 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한 검사 포켓(12a 내지 12k)의 형성 위치 또는 검사 포켓(12a 내지 12k)의 수는 검사 조건에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 부품 베이스(11)의 서로 마주보는 위치에 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)이 설치될 수 있고, 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)에 의하여 프로브 모듈(20)이 부품 고정 모듈(10)에 안정적으로 고정될 수 있다. 래치 유닛(13a, 13b)은 탄성 힌지 구조로 작동될 수 있고, 사각 판 형상의 가압 패드를 포함할 수 있다. 가압 패드는 프로브 모듈(20)에 형성된 접촉 래치 유닛(23a, 23b)에 접촉되어 프로브 베이스(21)을 아래쪽 방향으로 가압하면서 고정시키는 기능을 가진다. 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)은 탄성력에 의하여 접촉 래치 유닛(23a, 23b)을 가압시키는 것에 의하여 부품 베이스(11)와 프로브 베이스(21)의 접촉에 따른 손상이 방지되도록 하면서 안정적으로 고정되도록 한다. 프로브 모듈(20)은 부품 고정 모듈(10)의 정해진 위치에 고정되면서 고정된 상태가 안정적으로 유지되도록 결합되어야 한다. 이와 같은 프로브 모듈(20)의 결합 위치를 결정하면서 이와 동시에 결합된 상태를 안정적으로 유지시키기 위하여 부품 베이스(11)에 고정 핀(14a, 14b)이 형성될 수 있다. 고정 핀(14a, 14b)은 부품 베이스(11)의 위쪽 평면에 대하여 수직이 되는 방향으로 연장되는 구조를 가질 수 있고, 부품 베이스(11)의 길이 방향으로 중심이 되는 위치를 기준으로 한 쌍의 고정 핀(14a, 14b)이 대칭이 되도록 배치될 수 있다. 한 쌍의 고정 핀(14a, 14b)에 결합되는 맞춤 핀 유닛(24a, 24b)이 프로브 베이스(21)에 형성될 수 있고, 맞춤 핀 유닛(24a, 24b)은 예를 들어 고정 핀(14a, 14b)이 삽입되어 고정되는 실린더 형상 또는 홀 형상을 가질 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 부품 고정 모듈(10)과 프로브 모듈(20)은 검사 과정에서 프로브 베이스(21)의 서로 다른 위치에 배치된 다수 개의 프로브(22a, 22b)의 접촉 상태가 안정적으로 유지되도록 결합될 필요가 있다. 그리고 테스트 과정에 다수 개의 프로브(22a 내지 22k)가 정해진 위치에 유지되고 있는지 여부가 확인될 수 있다. 이와 같은 프로브(22a 내지 22k)의 검사 포켓(12a 내지 12k)에 대한 상대적인 위치의 확인을 위하여 부품 베이스(11)와 프로브 베이스(21)에 각각 위치 탐지 유닛(15a, 15b) 및 접촉 탐지 유닛(25a, 25b)가 형성될 수 있다. 위치 탐지 유닛(15a, 15b)은 서로 인접하는 검사 포켓(12a 내지 12k)의 사이에 형성될 수 있고, 예를 들어 원형의 점 형태가 될 수 있다. 서로 다른 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)의 사이에 다수 개의 위치 탐지 유닛(15a, 15b)이 형성될 수 있고, 부품 베이스(11)와 프로브 베이스(21)가 서로 정상적으로 결합된 상태에서 각각의 위치 탐지 유닛(15a, 15b)과 접촉되는 프로브 베이스(21)의 위치에 접촉 탐지 유닛(25a, 25b)이 형성될 수 있다. 이와 같은 위치 탐지 유닛(15a, 15b) 및 접촉 탐지 유닛(25a, 25b)에 의하여 테스트 과정에서 각각의 검사 포켓(12a 내지 12k)에 대한 각각의 프로브(22a 내지 22k)의 위치가 확인될 수 있다. 위치 탐지 유닛(15a, 15b) 또는 접촉 탐지 유닛(25a, 25b)은 다양한 위치에 다양한 구조로 형성될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. 선택적으로 부품 베이스(11) 또는 프로브 베이스(21)의 서로 접촉되는 면에 이동 제한 블록(26a, 26b)이 형성될 수 있다. 부품 베이스(11) 또는 프로브 베이스(21)는 길이가 폭에 비하여 상대적으로 큰 직사각형 구조가 될 수 있다. 그리고 테스트 대상이 되는 부품은 밀리미터 단위가 될 수 있고, 프로브(22a 내지 22k)는 이와 같은 크기를 가지는 부품의 표면에 안정적으로 접촉될 필요가 있다. 그리고 외부에서 가해지는 진동 또는 충격에 대한 위치 안정성이 확보될 필요가 있다. 이와 같은 위치 안정성의 확보를 위하여 부품 베이스(11) 또는 프로브 베이스(21)에 이동 제한 유닛(26a, 26b)이 형성될 수 있다. 예를 들어 이동 제한 유닛(26a, 26b)은 다수 개의 프로브(22a 내지 22k)가 형성된 부분의 양쪽 바깥쪽에 프로브 베이스(21)의 연장 방향에 대하여 수직이 되는 방향으로 연장되는 띠 형상이 될 수 있다. 이동 제한 유닛(26a, 26b)은 부품 베이스(11)와 프로브 베이스(21)가 서로 접촉되는 접촉면에 비하여 상대적으로 큰 마찰력을 가지면 큰 신축성 또는 탄성을 가진 소재로 형성될 수 있다. 이동 제한 유닛(26a, 26b)에 의하여 부품 고정 모듈(10)과 프로브 모듈(20)이 서로 결합된 상태가 안정적으로 유지되도록 하면서 이와 동시에 외부에서 인가되는 진동 또는 충격에 의하여 테스트가 영향을 받는 것이 제한될 수 있다. 부품 고정 모듈(10)과 프로브 모듈(20)의 결합 위치의 설정 또는 결합 상태의 안정성을 유지하기 위한 다양한 수단이 설치될 수 있고 이에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 2는 부품의 소자를 위하여 본 발명에 따른 테스트 기기가 결합된 형태의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 부품 고정 모듈의 위쪽에 프로브 모듈이 결합될 수 있고, 부품 베이스(11)의 위쪽 면이 프로브 베이스(21)의 아래쪽 면과 접촉될 수 있다. 부품 베이스(11)는 사각 블록 형상의 검사 스테이지(26)에 체결 볼트(28)에 의하여 고정될 수 있고, 검사 스테이지(26)는 부품 고정 모듈과 프로브 모듈을 안정적으로 고정시키는 균형 블록의 기능을 할 수 있다. 또한 검사 스테이지(26)는 검사 조건을 형성하는 기능을 가질 수 있고, 예를 들어 검사 온도를 조절하는 기능을 가질 수 있다. 프로브 베이스(21)는 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)에 의하여 부품 베이스(11)에 고정되거나, 분리 가능한 상태가 될 수 있고, 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)은 회전축을 기준으로 회전되면서 프로브 베이스(21)의 위쪽 면을 탄성 가압하는 구조를 가질 수 있다. 프로브 베이스(21)의 위쪽 면에 인터페이스 커넥터(27)가 설치되어 예를 들어 퍼스널 컴퓨터와 같은 제어 수단과 연결될 수 있다. 또는 커넥터(27)를 통하여 테스트를 위한 다양한 테스트 조건 설정 수단과 연결될 수 있다. 각각의 검사 포켓(12a 내지 12k)에 부품이 수용되면, 프로브 베이스(21)가 부품 베이스(11)의 위쪽에 결합되고 래치 유닛(13a, 13b)에 의하여 고정될 수 있다. 각각의 프로브(22a 내지 22k)가 부품의 위쪽 면에 접촉될 수 있고, 인터페이스 커넥터(27)를 통하여 테스트 기기와 연결된 제어 수단으로부터 테스트 조건이 설정되어 검사가 진행될 수 있다. 검사를 위하여 부품이 안정적으로 검사 포켓(12a 내지 12k)에 고정될 필요가 있다.
도 3은 본 발명에 따른 테스트 기기에 형성되는 검사 포켓의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 검사 포켓(12k)의 위쪽 테두리는 경사 유도 면(32)을 형성한다. 검사 포켓(12k)은 위쪽 면이 열린 박스 형상이 될 수 있지만 검사 포켓(12k)은 부품의 형상에 따라 적절한 형상을 가질 수 있고 이에 제한되지 않는다. 검사 포켓(12k)은 부품을 안정적으로 고정시켜 테스트 과정에서 부품의 이동을 제한하면서 이와 동시에 부품의 고정 및 분리가 용이한 구조를 가질 필요가 있다. 그리고 부품의 고정 또는 분리 과정에서 부품의 손상이 방지되도록 하는 구조를 가질 수 있다. 검사 포켓(12)은 바닥 면과 둘레 벽으로 이루어진 수용 몸체(31); 수용 몸체(31)의 위쪽 테두리에 형성된 경사 유도 면(32); 및 수용 몸체(31)의 바깥쪽 둘레 부분에 형성된 보호 블록(33a 내지 33d)으로 이루어질 수 있다. 경사 유도 면(32)은 바깥쪽으로부터 안쪽으로 경사진 형상을 가질 수 있고, 안쪽으로 경사진 끝 부분은 수직 방향으로 연장되는 둘레 벽과 연결될 수 있다. 경사 유도 면(32)은 수용 몸체(31)의 위쪽 테두리의 적어도 일부에 형성될 수 있고, 다양한 경사각을 형성할 수 있다. 수용 몸체(31)의 둘레 부분에 형성되는 보호 블록(33a 내지 33d)은 수용 몸체(31)를 보호하는 기능을 가질 수 있다. 보호 블록(33a 내지 33d)은 반원 홈 형상이 되면서 수용 몸체(31)의 양쪽 면의 뒤쪽 부분 및 앞쪽 부분에 형성될 수 있다. 보호 블록(33a 내지 33d)은 수용 몸체(31)의 열린 위쪽 면의 둘레 부분의 부품 베이스(11)와 분리시키는 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 보호 블록(33a 내지 33d)은 부품 베이스(11)와 다른 소재로 만들어질 수 있고, 수용 몸체(31)의 내부가 부품 베이스(11)로부터 영향을 받는 것을 제한하는 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 수용 몸체(31)의 내부가 정해진 온도 범위로 유지되도록 하는 기능을 가질 수 있다. 도 3의 오른쪽을 참조하면, 프로브(22k)를 형성하는 다수 개의 프로브 핀(22_1 내지 22_L)이 수용 몸체(31)의 내부로 유도되어 부품의 표면에 접촉될 수 있다. 각각의 프로브 핀(22_1 내지 22_L)에 의하여 부품의 전기 특성 또는 광학 특성이 시험될 수 있고 각각의 프로브 핀(22_1 내지 22_L)은 탄성 수단에 의하여 부품의 표면에 탄성 접촉이 될 수 있다. 프로브 핀(22_1 내지 22_L)은 부품의 특성 시험에 적합한 다양한 구조를 가질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 테스트 기기에 의하여 부품이 시험되는 과정의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 부품은 광통신용 CoC(Chip on Carrier) 형태의 LD(Laser Diode)가 될 수 있다.
CoC 타입의 광통신 모듈은 특성과 기능에 따라 레이저다이오드, 포토다이오드 또는 모듈레이터와 같은 다양한 소자를 포함할 수 있다. 그러므로 CoC용 테스트 기기는 서로 다른 크기를 가진 소자 사이의 간섭을 비롯하여 와이어 본딩의 형성에 따른 간섭이 회피될 수 있는 구조로 만들어질 필요가 있다. 또한 테스트 과정에서 소자에 직접 접촉되거나, 서로 전기적으로 연결된 패드에 접촉되어 전기 신호의 전달이 가능하면서 이와 동시에 소자의 손상이 방지될 수 있는 구조로 만들어질 필요가 있다. 또한 테스트가 되는 동일 소자에 대하여 동일한 위치에 프로브(22a 내지 22k)가 접촉이 되는 구조를 가질 필요가 있다. 본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 검사 프로브 베이스(21b)에 스프링 핀(28)이 설치되어 각각의 프로브(22a 내지 22k)의 접촉 신뢰성이 향상될 수 있다. 스프링 핀(28)은 각각의 프로브(22a 내지 22k)의 위쪽 부분과 결합되도록 길이 방향으로 연장되는 판 형상이 될 수 있고, 각각의 프로브(22k 내지 22k)에 결합된 탄성 유닛과 연동되어 작동될 수 있다. 구체적으로 스프링 핀(28)은 프로브(22k 내지 22k)의 검사 대상이 되는 CoC 타입의 LD(Laser Diode)의 표면 접촉 압력에 따라 탄성 유닛과 함께 프로브(22k 내지 22k)의 상하 이동을 조절하는 기능을 가진다.
검사 스테이지(26)의 위쪽에 결합되는 부품 베이스는 홈 형상으로 만들어진 결합 부위에 결합되는 고정 부품 베이스(11a); 및 고정 부품 베이스(11a)의 위쪽에 형성되어 검사 포켓(12a 내지 12k)을 형성하는 검사 부품 베이스(11b)로 이루어질 수 있다. 검사 부품 베이스(11b)는 열전도율이 큰 구리와 같은 소재로 만들어지면서 부식 방지를 위하여 금과 같은 소재로 표면 코팅이 될 수 있다. 그리고 검사 부품 베이스(11b)의 위쪽 면의 한쪽 가장자리 부분에 가장자리의 연장 방향을 따라 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)이 형성될 수 있다. 부품 베이스에 결합되는 프로브 베이스는 검사 부품 베이스(11b)와 한쪽 면이 접촉되는 접촉 프로브 베이스(21a); 및 접촉 프로브 베이스(21a)와 위쪽 면에 결합되면서 각각의 프로브(22a 내지 22k)의 한쪽 끝이 고정되는 검사 프로브 베이스(21b)로 이루어질 수 있다. 접촉 프로브 베이스(21a)는 한 쌍의 래치 유닛(13a, 13b)에 의하여 검사 부품 베이스(11b)의 위쪽에 결합되어 고정될 수 있고, 검사 프로브 베이스(21b)는 각각의 프로브(22a 내지 22k)를 전기적으로 인터페이스 커넥터(27)와 연결시키는 회로 패턴 또는 검사의 진행을 위하여 필요한 다양한 전기 또는 전자 소자를 포함할 수 있고, 인쇄 회로 기판과 유사한 구조를 가질 수 있다. 도 4의 오른쪽 아래에 도시된 것처럼, 검사 포켓(12a 내지 12k)에 예를 들어 CoC 타입 LD 모듈이 고정되고, 각각의 프로브(22a 내지 22k)의 끝 부분이 LD 모듈에 접촉되어 번인 테스트 또는 특성 시험이 이루어질 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 테스트 기기가 적용되는 테스트 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 5a를 참조하면, 테스트 기기(50)는 번인 챔버(C)에서 번인 테스트가 되거나, 특성 측정 장치(P)에서 LD 모듈의 특성 측정에 적용될 수 있다. 테스트 기기(50)는 검사 스테이지(26)에 고정될 수 있고, 부품 베이스(11)에 LD 모듈이 고정되고, 부품 베이스(11)에 프로브 베이스(21)가 결합될 수 있다. 프로브 베이스(21)에 인터페이스 커넥터(27)가 결합되어 외부 검사 장치와 테스트 기기(50)가 전기적으로 서로 연결될 수 있다. 다수 개의 테스트 기기(50)가 번인 챔버(C)의 내부에 배치되고, 번인 드라이버(D)의 작동에 의하여 번인 시험이 될 수 있다. 또한 테스트 기기(50)에 고정된 예를 들어 LD 모듈과 같은 광통신 모듈에 대한 전기적 또는 광학적 특성이 특성 측정 장치(P)에 의하여 시험될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 챔버 공간(CI)에 다수 개의 테스트 기기(50a 내지 50k)가 배치될 수 있고, 각각의 테스트 기기(50a 내지 50k)에 다수 개의 LD 모듈이 고정될 수 있다. 각각의 테스트 기기(50a 내지 50k)가 구동 드라이버(51)에 인가될 수 있고, 구동 드라이버(51)가 작동 조절을 위한 컴퓨터(52)와 연결될 수 있다. 컴퓨터(52)의 챔버 공간(C1)을 조절하는 장치와 통신하면서 챔버 공간(CI)의 조건을 설정할 수 있고, 구동 드라이버(51)와 통신하면서 작동을 제어할 수 있다. 구동 드라이버(51)에 의하여 전류 인가가 조절되면서 각각의 테스트 기기(50a 내지 50k)에 대한 번인 테스트가 진행될 수 있다.
특성 측정 장치(P)는 CoC 타입 LD 모듈의 반도체 레이저에서 요구되는 다양한 전기적 또는 광학적 특성 계측을 위한 요소를 포함할 수 있다. 또한 온도 변화에 따른 특성 변화의 탐지를 위하여 온도 스테이지(53)가 설치될 수 있다. 특성 측정 장치는 예를 들어 변조기(modulator)의 작동에 따른 광량의 변화 또는 파장의 변화를 측정하기 위한 장치를 포함할 수 있다. 또한 튜너블 반도체 레이저의 경우 인가되는 전류 또는 전압에 따른 파장의 변화를 탐지할 수 있는 수단을 포함할 수 있다. 구체적으로 특성 측정 장치(P)는 L-I-V(Light Current Voltage) 측정 수단, 파장 측정 수단 또는 FFP(Far Field Pattern) 측정 수단(55_1 내지 56_K)를 포함할 수 있다. 또한 특성 측정 장치(P)는 전력미터기(power meter), OSA(Optical Spectrum Analyser), 스윙 암(swing arm)(55_1 내지 55_K)과 같은 작동 수단을 포함할 수 있다. 컴퓨터(52)에 의하여 작동 수단이 조절될 수 있고, 컴퓨터(52)는 테스트 기기(50k)가 위치하는 온도 스테이지(53)의 온도를 조절하는 온도 컨트롤러, LD 드라이버, 모션 컨트롤러 또는 A/D 컨버터(54_1 내지 54_K)의 작동을 제어할 수 있다. 본 발명에 따른 테스트 기기(50k)에 의하여 번인 테스트가 된 이후 LD 모듈이 동일하게 유지된 상태에서 특성 측정 테스트가 가능하다. 다양한 특성 측정에 테스트 기기(50k)가 적용될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 부품 베이스 12a 내지 12k: 검사 포켓
13a, 13b: 래치 유닛 14a, 14b: 고정 핀 유닛
21: 프로브 베이스 22a 내지 22k: 프로브
23a, 23b: 래치 유닛 24a, 24b: 맞춤 핀 유닛
32: 경사 유도 면

Claims (5)

  1. 부품 베이스(11);
    부품 베이스(11)에 형성되고, 테스트가 되는 부품이 고정되는 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k);
    부품 베이스(11)의 위쪽 부분에 결합되어 고정되는 프로브 베이스(21);
    프로브 베이스(21)에 형성되고, 다수 개의 검사 포켓(12a 내지 12k)으로 연장되어 부품에 접촉 가능한 다수 개의 프로브(22a 내지 22k); 및
    부품 베이스(11) 및 프로브 베이스(21)의 결합 위치를 결정하면서 서로 결합된 상태에서 상대적이 이동을 제한하는 고정 핀 모듈(14a, 14b, 24a, 24b)을 포함하는 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기.
  2. 청구항 1에 있어서, 프로브 베이스(21)는 한 쌍의 래치 모듈(13a, 13b, 23a, 23b)에 의하여 부품 베이스(11)에 결합되는 것을 특징으로 하는 광통신용 레이저다이오드 테스트 기기.
  3. 청구항 1에 있어서, 검사 포켓(12k)의 위쪽 테두리는 경사 유도 면(32)을 형성하는 것을 특징으로 하는 광통신용 레이저다이오드 테스트 기기.
  4. 청구항 1에 있어서, 부품은 광통신용 CoC(Chip on Carrier) 형태의 LD(Laser Diode)가 되는 것을 특징으로 하는 광통신용 레이저다이오드 테스트 기기.
  5. 청구항 1에 있어서, 번인 테스트가 된 이후 부품 베이스(11)에 부품이 유지되어 특성 측정 장치로 이동되어 부품에 대한 특성 측정이 되는 것을 특징으로 하는 광통신용 레이저다이오드 테스트 기기.
KR1020200126912A 2020-09-29 2020-09-29 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기 KR102440328B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200126912A KR102440328B1 (ko) 2020-09-29 2020-09-29 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200126912A KR102440328B1 (ko) 2020-09-29 2020-09-29 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220043477A true KR20220043477A (ko) 2022-04-05
KR102440328B1 KR102440328B1 (ko) 2022-09-05

Family

ID=81181764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200126912A KR102440328B1 (ko) 2020-09-29 2020-09-29 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102440328B1 (ko)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883658A (ja) * 1994-07-27 1996-03-26 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ベアダイのテスト及びバーンイン用の仮パッケージ
JPH10260220A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Nec Eng Ltd Icモジュール試験用ボード
KR19990013617A (ko) * 1997-07-09 1999-02-25 바우만러셀이. 번-인 테스트 소켓 장치
JP2002043007A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Kazuhisa Ozawa Icソケット
JP2002525832A (ja) * 1998-09-23 2002-08-13 ウェルス−シーティーアイ, インコーポレーテッド 垂直駆動bgaソケット
KR20080009233A (ko) * 2004-11-22 2008-01-25 가부시키가이샤 어드밴티스트 전자 부품 핸들링 장치용 인서트, 푸셔, 테스트 헤드용소켓 가이드 및 전자 부품 핸들링 장치
KR20130033108A (ko) * 2011-09-26 2013-04-03 강의병 발광 다이오드 테스트 장치
KR20140128900A (ko) * 2014-08-06 2014-11-06 (주)에이젯 교체 가능한 블레이드를 갖는 반도체 디바이스 테스트용 핸들러장치
KR101486008B1 (ko) 2014-08-12 2015-01-26 (주)청공정밀 이동통신 단말기 성능 검사 장치 및 이에 이용되는 검사 지그
KR20160145957A (ko) 2015-06-11 2016-12-21 주식회사 지피 다채널 광수신 모듈 및 다채널 광수신 모듈의 광정렬 방법
KR101926387B1 (ko) * 2018-10-10 2018-12-10 황동원 반도체 소자 테스트용 소켓장치
KR102139584B1 (ko) * 2019-03-07 2020-07-30 (주)티에스이 반도체 소자 테스트용 소켓 장치
US20200303895A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing edge-emitting laser diodes and testing apparatus having the same
US20200303894A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing surface emitting laser diodes and testing apparatus having the same

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883658A (ja) * 1994-07-27 1996-03-26 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ベアダイのテスト及びバーンイン用の仮パッケージ
JPH10260220A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Nec Eng Ltd Icモジュール試験用ボード
KR19990013617A (ko) * 1997-07-09 1999-02-25 바우만러셀이. 번-인 테스트 소켓 장치
JP2002525832A (ja) * 1998-09-23 2002-08-13 ウェルス−シーティーアイ, インコーポレーテッド 垂直駆動bgaソケット
JP2002043007A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Kazuhisa Ozawa Icソケット
KR20080009233A (ko) * 2004-11-22 2008-01-25 가부시키가이샤 어드밴티스트 전자 부품 핸들링 장치용 인서트, 푸셔, 테스트 헤드용소켓 가이드 및 전자 부품 핸들링 장치
KR20130033108A (ko) * 2011-09-26 2013-04-03 강의병 발광 다이오드 테스트 장치
KR20140128900A (ko) * 2014-08-06 2014-11-06 (주)에이젯 교체 가능한 블레이드를 갖는 반도체 디바이스 테스트용 핸들러장치
KR101486008B1 (ko) 2014-08-12 2015-01-26 (주)청공정밀 이동통신 단말기 성능 검사 장치 및 이에 이용되는 검사 지그
KR20160145957A (ko) 2015-06-11 2016-12-21 주식회사 지피 다채널 광수신 모듈 및 다채널 광수신 모듈의 광정렬 방법
KR101926387B1 (ko) * 2018-10-10 2018-12-10 황동원 반도체 소자 테스트용 소켓장치
KR102139584B1 (ko) * 2019-03-07 2020-07-30 (주)티에스이 반도체 소자 테스트용 소켓 장치
US20200303895A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing edge-emitting laser diodes and testing apparatus having the same
US20200303894A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing surface emitting laser diodes and testing apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102440328B1 (ko) 2022-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101421051B1 (ko) 반도체 검사장치
KR102623549B1 (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
US11327093B2 (en) Interposer, socket, socket assembly, and wiring board assembly
KR100518546B1 (ko) 집적회로 패키지를 테스트하기 위한 테스트 보드 및 이를이용한 테스터 보정방법
US20140327462A1 (en) Test socket providing mechanical stabilization for pogo pin connections
JPWO2009025070A1 (ja) 試験システムおよびドーターユニット
JP2014515095A (ja) 無線プローブカード検証システム及び方法
KR101798440B1 (ko) 반도체 장치의 검사 장치 및 반도체 장치의 검사 방법
KR101108481B1 (ko) 반도체칩패키지 검사용 소켓
KR102440328B1 (ko) 광통신용 레이저다이오드의 테스트 기기
KR102093573B1 (ko) 기판 검사 장치
KR20040090164A (ko) 전기 부품 테스트장치
KR100799128B1 (ko) 전기 검사 장치
KR20180012423A (ko) 테스트 장치
KR102646621B1 (ko) 고주파 부품, 특히, 검사 대상 실리콘 포토닉 디바이스 검사를 위한 검사 배열체
KR20020025786A (ko) 반도체 시험장치용 캘리브레이션 장치, 캘리브레이션 방법및 반도체시험장치
KR101421048B1 (ko) 능동소자 칩이 탑재된 반도체 검사 장치
CN105445501A (zh) 用于环境测试的电性检测装置
JP4556023B2 (ja) システムインパッケージ試験検査装置および試験検査方法
KR102466458B1 (ko) 반도체 칩 테스트 소켓
US11761983B2 (en) Probe card integrated with a hall sensor
WO2023243019A1 (ja) 光半導体集積回路
KR101171959B1 (ko) 온-웨이퍼 측정 장치
KR20040018871A (ko) 수직식 프로브 장치
US7236676B2 (en) High frequency test fixture

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant