KR20220031889A - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the organic light emitting display device that can prevent damage to or corrosion of a pad electrode. According to an embodiment of the present invention, the organic light emitting display device is provided. The organic light emitting display device comprises: a substrate defined by a display area and pad area; a thin film transistor positioned on the substrate in a display area, and including an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode; an anode electrically connected to the thin film transistor and comprising at least two conductive layers; and a pad electrode positioned on the substrate in the pad area and comprising a plurality of conductive layers. A first conductive layer of the pad electrode is made of the same material as the source electrode and the drain electrode, and a second conductive layer of the pad electrode and a third conductive layer of the pad electrode are formed to cover the first conductive layer.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Organic light emitting display device and organic light emitting display manufacturing method

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 개선된 신뢰성을 갖는 패드 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device including a pad electrode having improved reliability and a method of manufacturing the organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.The organic light emitting diode display (OLED) is a self-emission type display device, and unlike a liquid crystal display device (LCD), it does not require a separate light source, so it can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, the organic light emitting diode display is being studied as a next-generation display because it is advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, and has excellent color realization, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR).

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에서 발광된 광의 방출 방향에 따라 탑 에미션(top emission) 방식의 유기 발광 표시 장치, 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 발광 표시 장치 및 양면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치로 구분된다. The organic light emitting display device includes a top emission type organic light emitting display device, a bottom emission type organic light emitting display device, and a double-sided emission type organic light emitting diode display according to the emission direction of light emitted from the organic light emitting device. It is classified as a display device.

탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에 있어서 애노드는 반사 특성이 우수하고 적절한 일함수를 가지는 도전 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 그러나, 이러한 특성들을 동시에 만족하는 적용가능한 단일 물질이 현재 존재하지 않기 때문에, 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 애노드는 도전층의 다층 구조로 구성되며, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)층, 은 합금(Ag alloy)층 및 ITO층이 적층된 구조로 구성된다. 따라서, 유기 발광 소자의 유기 발광층으로부터 발광된 광이 은 합금층에서 반사됨으로써, 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치가 구현된다.In a top-emission organic light emitting diode display, the anode is preferably formed of a conductive material having excellent reflection characteristics and an appropriate work function. However, since there is currently no single applicable material that satisfies these characteristics at the same time, the anode of the top emission type organic light emitting display device is composed of a multilayer structure of conductive layers, for example, indium tin oxide (ITO). The layer, the silver alloy (Ag alloy) layer, and the ITO layer is configured in a stacked structure. Accordingly, the light emitted from the organic light emitting layer of the organic light emitting device is reflected by the silver alloy layer, thereby realizing a top emission type organic light emitting display device.

한편, 일반적인 유기 발광 표시 장치의 패드 전극은 외부 모듈과 본딩되어(bonded) 외부 모듈로부터 전기적 신호가 입력되거나 외부 모듈로 전기적 신호가 출력되는 전극이다. 일반적인 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 패드 전극의 최상층은 애노드와 동일한 물질로 형성된다. 구체적으로, 패드 전극은 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성된 전극 상에 애노드와 동일한 물질로 형성된 전극이 형성된 구조로 이루어진다. Meanwhile, a pad electrode of a typical organic light emitting diode display is an electrode that is bonded to an external module to receive an electrical signal from the external module or output an electrical signal to the external module. The uppermost layer of the pad electrode of a typical top emission type organic light emitting diode display is formed of the same material as the anode. Specifically, the pad electrode has a structure in which an electrode formed of the same material as the anode is formed on an electrode formed of the same material as the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor.

여기서, 패드 전극의 최상층인 애노드와 동일한 물질로 형성된 층은 애노드 형성 시에 동시에 형성된다. 구체적으로, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질이 적층된 상태에서 일괄 식각 공정을 진행하여 애노드 및 패드 전극의 최상층이 형성된다. 따라서, 패드 전극의 최상층도 ITO층, 은 합금층 및 ITO층이 적층된 구조로 구성되며, 은 합금층의 경우 측면이 외부에 노출된 상태가 되며, 측면이 노출된 은 합금층에 데미지가 발생하여 유기 발광 표시 장치의 구동 불량이 발생될 수 있다.Here, a layer formed of the same material as the anode, which is the uppermost layer of the pad electrode, is formed at the same time as the anode is formed. Specifically, the top layer of the anode and the pad electrode is formed by performing a batch etching process in a state in which the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are stacked. Therefore, the uppermost layer of the pad electrode also has a structure in which an ITO layer, a silver alloy layer, and an ITO layer are stacked. Accordingly, a driving failure of the organic light emitting diode display may occur.

구체적으로, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 검사를 위해, 유기 발광 소자들이 형성된 패널을 고온 챔버에 일정 시간 보관한다. 이 경우, 챔버 내의 고온에 기인하여 패드 전극의 은 합금 층에 데미지가 발생하고, 패드 전극이 외부 모듈과 접촉되지 않아 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다. Specifically, in order to test the reliability of the organic light emitting diode display, the panel on which the organic light emitting diodes are formed is stored in a high temperature chamber for a certain period of time. In this case, due to the high temperature in the chamber, damage may occur to the silver alloy layer of the pad electrode, and the organic light emitting diode display may not be driven normally because the pad electrode does not come in contact with the external module.

또한, 패드 전극의 은 합금층이 외부에 노출되게 되면, 은 합금층은 수분 및 공기와 반응할 수 있다. 이러한 경우, 은 합금층과 ITO층 사이에 갈바닉 현상(galvanic effect)이 발생하게 되는데, 갈바닉 현상은 기전력의 차이가 나는 두 물질이 동시에 부식성 용액(corrosive solution)에 노출될 때 나타나는 현상으로 기전력(electromotive force: EMF)이 큰 물질이 부식되어 패드 전극이 절연성을 갖게 된다. 따라서, 패드 전극이 외부 모듈과 접촉되지 않아 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다. In addition, when the silver alloy layer of the pad electrode is exposed to the outside, the silver alloy layer may react with moisture and air. In this case, a galvanic effect occurs between the silver alloy layer and the ITO layer. The galvanic effect is a phenomenon that occurs when two materials having a difference in electromotive force are simultaneously exposed to a corrosive solution. The material with high force: EMF) corrodes, and the pad electrode has insulation. Accordingly, a driving failure phenomenon in which the organic light emitting display device is not driven normally may occur because the pad electrode does not come into contact with the external module.

또한, 모듈 공정에서 패드 전극이 고온 고압의 조건 하에 있을 수 있는데, 이러한 고온 고압의 조건 하에서 외부로 노출된 은 합금층의 측면에 수분이 가해지면 은 합금층에 마이그레이션(migration) 현상이 발생하게 된다. 이에 따라 은 합금층 중 일부가 성장하게 되고, 인접하는 패드 전극들이 단락(short)되어 유기 발광 표시 장치가 정상적으로 구동되지 않는 구동 불량 현상이 발생할 수 있다.In addition, in the module process, the pad electrode may be under a high temperature and high pressure condition. When moisture is applied to the side of the silver alloy layer exposed to the outside under this high temperature and high pressure condition, a migration phenomenon occurs in the silver alloy layer. . Accordingly, a portion of the silver alloy layer may grow, and adjacent pad electrodes may be shorted, resulting in a driving failure phenomenon in which the organic light emitting diode display is not normally driven.

이에 따라, 패드 전극의 최상층인 애노드와 동일한 물질로 형성된 층을 사용하지 않고, 패드 전극을 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로만 구성하는 방식도 고려되었다. 그러나, 일반적으로 소스 전극 및 드레인 전극으로 사용되는 금속 물질들은 애노드를 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 에천트(etchant)에 의해 유실될 수 있다는 문제가 있다. Accordingly, a method of configuring the pad electrode only with the same material as the source electrode and the drain electrode was considered without using a layer formed of the same material as the anode, which is the uppermost layer of the pad electrode. However, there is a problem that metal materials generally used as a source electrode and a drain electrode may be lost by an etchant used in an etching process for forming the anode.

이에, 본 발명의 발명자들은 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 패드 전극에 발생될 수 있는 데미지를 방지하기 위한 새로운 패드 전극 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention have invented an organic light emitting diode display having a new pad electrode structure for preventing damage that may be caused to the pad electrode in a top emission organic light emitting display device, and a method for manufacturing the same.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 패드 전극에 데미지가 발생하거나 부식 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing an organic light emitting display device capable of preventing damage or corrosion to a pad electrode.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 개선된 신뢰성을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display having improved reliability and a method of manufacturing the organic light emitting display device.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하 현상을 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of minimizing a voltage drop that may occur in a top emission type organic light emitting display device.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 패드 영역으로 정의된 기판, 표시 영역에서 기판 상에 위치하고, 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 적어도 2개의 층의 도전층으로 이루어진 애노드 및 패드 영역에서 기판 상에 위치하고, 복수의 도전층으로 구성된 패드 전극을 포함하며, 패드 전극의 제1 도전층은 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 구성되며, 패드 전극의 제2 도전층 및 패드 전극의 제3 도전층은 제1 도전층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided. An organic light emitting diode display includes a substrate defined by a display area and a pad area, a thin film transistor positioned on the substrate in the display area, and an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode, and electrically connected to the thin film transistor, and at least It is positioned on the substrate in an anode and a pad region comprising two conductive layers, and includes a pad electrode comprising a plurality of conductive layers, wherein the first conductive layer of the pad electrode is made of the same material as the source electrode and the drain electrode, The second conductive layer of the pad electrode and the third conductive layer of the pad electrode are formed to cover the first conductive layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제3 도전층은 패드 전극의 제2 도전층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the third conductive layer of the pad electrode is formed to cover the second conductive layer of the pad electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 ITO(Indium Tin Oxide)층, 은 합금(Ag alloy)층 및 상부 ITO층이 적층된 구조로 형성된 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode is characterized in that it comprises a lower ITO (Indium Tin Oxide) layer, a silver alloy (Ag alloy) layer and an upper ITO layer formed in a stacked structure.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 ITO층의 배면에 접하여 하부 ITO층과 전기적으로 연결된 더미(dummy)층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode further comprises a dummy layer electrically connected to the lower ITO layer in contact with the rear surface of the lower ITO layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미층은 복수의 층으로 구성되며, 복수의 층 중 하부층은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조이고, 복수의 층 중 상부층은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성되고 하부층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the dummy layer is composed of a plurality of layers, and the lower layer of the plurality of layers has a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer, and among the plurality of layers, a copper (Cu) layer is laminated. The upper layer is formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy and is formed to cover the lower layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미층은 패드 전극의 제2 도전층 및 패드 전극의 제3 도전층과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the dummy layer is formed of the same material as the second conductive layer of the pad electrode and the third conductive layer of the pad electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 소스 전극 및 드레인 전극은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the source electrode and the drain electrode have a structure in which a copper (Cu) layer is laminated on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 제1 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting diode display further includes a first planarization layer formed to cover the thin film transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 제1 평탄화층 상면에 형성되며 애노드와 동일 평면 상에 위치하는 제1 보조 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting diode display further includes a first auxiliary wiring formed on the upper surface of the first planarization layer and positioned on the same plane as the anode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제2 도전층 및 패드 전극의 제3 도전층은 제1 보조 배선과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the second conductive layer of the pad electrode and the third conductive layer of the pad electrode are formed of the same material as the first auxiliary wiring.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치가 제공된다. 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 패드 영역으로 정의된 기판, 표시 영역에서 기판 상에 위치하고, 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터, 표시 영역에서 기판 상에 위치하고, 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 제1 평탄화층 및 제2 평탄화층, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 제2 평탄화층 상면에 형성된 애노드, 제1 평탄화층 상면에 형성되고 박막 트래지스터와 애노드를 전기적으로 연결시키는 더미(dummy) 전극, 더미 전극과 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성된 제1 보조 배선 및 패드 영역 기판 상에 위치하고, 복수의 도전층으로 구성된 패드 전극을 포함하며, 패드 전극의 제1 도전층은 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 구성되며, 패드 전극의 제2 도전층 및 패드 전극의 제3 도전층은 제1 도전층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is provided. An organic light emitting diode display includes a substrate defined by a display area and a pad area, a thin film transistor positioned on the substrate in the display area, and including an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode, located on the substrate in the display area, and a thin film A first planarization layer and a second planarization layer formed to cover the transistor, electrically connected to the thin film transistor, an anode formed on the upper surface of the second planarization layer, formed on the upper surface of the first planarization layer, and electrically connecting the thin film transistor and the anode A dummy electrode, a first auxiliary wiring formed of the same material on the same plane as the dummy electrode, and a pad electrode positioned on a pad area substrate and composed of a plurality of conductive layers, wherein the first conductive layer of the pad electrode is a source electrode and the same material as the drain electrode, wherein the second conductive layer of the pad electrode and the third conductive layer of the pad electrode are formed to cover the first conductive layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제3 도전층은 패드 전극의 제2 도전층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the third conductive layer of the pad electrode is formed to cover the second conductive layer of the pad electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 소스 전극 및 드레인 전극은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the source electrode and the drain electrode have a structure in which a copper (Cu) layer is laminated on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미 전극은 복수의 전극으로 구성되고, 복수의 전극 중 상부 전극은 하부 전극을 덮도록 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the dummy electrode is composed of a plurality of electrodes, and an upper electrode of the plurality of electrodes is formed to cover the lower electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제2 도전층은 더미 전극의 하부 전극과 동일한 물질로 형성되고, 패드 전극의 제3 도전층은 더미 전극의 상부 전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the second conductive layer of the pad electrode is formed of the same material as the lower electrode of the dummy electrode, and the third conductive layer of the pad electrode is formed of the same material as the upper electrode of the dummy electrode. do.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미 전극은 단일의 전극으로 구성되고, 더미 전극은 패드 전극의 제2 도전층과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the dummy electrode is composed of a single electrode, and the dummy electrode is formed of the same material as the second conductive layer of the pad electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 1항에 있어서, 유기 발광 표시 장치는 제2 평탄화층 상면에 형성되며 제1 보조 배선과 전기적으로 연결된 제2 보조 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting diode display further comprises a second auxiliary line formed on the upper surface of the second planarization layer and electrically connected to the first auxiliary line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 보조 배선은 애노드와 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the second auxiliary wiring is characterized in that it is formed of the same material on the same plane as the anode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 ITO(Indium Tin Oxide)층, 은 합금(Ag alloy)층 및 상부 ITO층이 적층된 구조로 형성된 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode is characterized in that it comprises a lower ITO (Indium Tin Oxide) layer, a silver alloy (Ag alloy) layer and an upper ITO layer formed in a stacked structure.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 애노드는 하부 ITO층의 배면에 접하여 더미 전극과 전기적으로 연결된 더미(dummy)층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the anode further comprises a dummy layer electrically connected to the dummy electrode in contact with the rear surface of the lower ITO layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 더미층은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the dummy layer is formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법이 제공된다. 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 표시 영역과 패드 영역으로 정의된 기판을 제공하는 단계, 기판의 표시 영역 상에 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터 및 기판의 패드 영역 상에 패드 전극의 제1 도전층을 동시에 형성하는 단계, 박막 트랜지스터를 덮도록 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 제1 평탄화층 상면에 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 애노드의 더미(dummy)층 및 패드 전극의 제1 도전층을 덮는 패드 전극의 제2 도전층 및 제3 도전층을 동시에 형성하는 단계 및 애노드의 더미층 상에 애노드의 나머지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is provided. A method of manufacturing an organic light emitting display device includes: providing a substrate defined by a display region and a pad region; a thin film transistor including an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode on the display region of the substrate; and a pad region of the substrate Simultaneously forming a first conductive layer of a pad electrode on and simultaneously forming a second conductive layer and a third conductive layer of the pad electrode covering the first conductive layer of

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치 제조 방업은 제1 평탄화층 상에 제1 보조 배선을 형성하는 단계를 더 포함하고, 제1 보조 배선은 더미층 및 애노드와 동일한 물질로 동시에 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the manufacturing of an organic light emitting display device further includes forming a first auxiliary line on the first planarization layer, wherein the first auxiliary line is simultaneously formed of the same material as the dummy layer and the anode. characterized.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법이 제공된다. 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 표시 영역과 패드 영역으로 정의된 기판을 제공하는 단계, 기판의 표시 영역 상에 액티브층, 게이트 전극, 및 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터 및 기판의 패드 영역 상에 패드 전극의 제1 도전층을 동시에 형성하는 단계, 박막 트랜지스터를 덮도록 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 제1 평탄화층 상면에 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 더미(dummy) 전극 및 제1 보조 배선을 동시에 형성하는 단계, 패드 전극의 제1 도전층을 덮는 패드 전극의 제2 도전층 및 제3 도전층을 형성하는 단계, 더미 전극 및 제1 보조 배선을 덮도록 제2 평탄화층을 형성하는 단계 및 제2 평탄화층 상면에 더미 전극과 전기적으로 연결된 애노드, 제1 보조 배선과 전기적으로 연결된 제2 보조 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is provided. A method of manufacturing an organic light emitting display device includes: providing a substrate defined by a display region and a pad region; a thin film transistor including an active layer, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode on the display region of the substrate; and a pad region of the substrate Simultaneously forming a first conductive layer of the pad electrode on the pad electrode, forming a first planarization layer to cover the thin film transistor, a dummy electrode electrically connected to the thin film transistor and first auxiliary wiring on the upper surface of the first planarization layer simultaneously forming, forming a second conductive layer and a third conductive layer of the pad electrode covering the first conductive layer of the pad electrode, and forming a second planarization layer to cover the dummy electrode and the first auxiliary wiring and forming an anode electrically connected to the dummy electrode and a second auxiliary line electrically connected to the first auxiliary line on an upper surface of the second planarization layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제2 도전층 및 제3 도전층을 형성하는 단계는 더미 전극 및 제1 보조 배선을 동시에 형성하는 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the step of forming the second conductive layer and the third conductive layer of the pad electrode is performed simultaneously with the step of simultaneously forming the dummy electrode and the first auxiliary wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패드 전극의 제2 도전층은 더미 전극 및 제1 보조 배선과 동일한 물질로 형성되고, 패드 전극의 제3 도전층은 제2 보조 배선의 일부와 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.According to another feature of the present invention, the second conductive layer of the pad electrode is formed of the same material as the dummy electrode and the first auxiliary wiring, and the third conductive layer of the pad electrode is formed of the same material as a part of the second auxiliary wiring. characterized in that

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 패드 전극의 은 합금층이 외부에 노출되어 패드 전극이 데미지를 입거나 부식되는 것을 최소화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to minimize damage or corrosion of the pad electrode by exposing the silver alloy layer of the pad electrode to the outside.

또한, 본 발명은 패드 전극의 신뢰성을 개선하고, 나아가 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.Also, the present invention can improve the reliability of the pad electrode and further improve the reliability of the organic light emitting diode display.

또한, 본 발명은 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치, 특히, 대면적의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서 휘도 불균일 현상이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Also, according to the present invention, occurrence of a luminance non-uniformity phenomenon in a top emission type organic light emitting diode display device, particularly, a large area top emission type organic light emitting display device can be minimized.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effect according to the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II', II''-II'''에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다.
1 is a schematic plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display taken along lines II-II' and II''-II'' of FIG. 1 .
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
6A to 6D are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment.
8A to 8C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
9A to 9C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. Reference to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of the other device or layer.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II', II''-II'''에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 유기 발광 소자(130), 패드 전극(150) 및 제1 보조 배선(140)을 포함한다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 기판(110)의 패드 영역(PA) 및 표시 영역(DA)만을 개략화하여 도시하였다. 본 명세서에서 유기 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 것으로 설명한다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display taken along lines II-II' and II''-II'' of FIG. 1 . 1 and 2 , the organic light emitting diode display 100 includes a substrate 110 , a thin film transistor 120 , an organic light emitting diode 130 , a pad electrode 150 , and a first auxiliary wire 140 . do. In FIG. 1 , only the pad area PA and the display area DA of the substrate 110 are schematically illustrated for convenience of description. In this specification, the organic light emitting display device 100 will be described as a top emission type organic light emitting display device.

기판(110)은 유기 발광 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판(110)이다. 기판(110)은 절연 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다양한 물질로 형성될 수 있다. The substrate 110 is a substrate 110 for supporting and protecting various components of the organic light emitting diode display 100 . The substrate 110 may be formed of an insulating material, for example, glass or plastic, but is not limited thereto, and may be formed of various materials.

기판(110)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)으로 정의된다. 즉, 기판(110)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA)을 갖는다. 표시 영역(DA)은 유기 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(DA)에는 유기 발광 소자(130) 및 유기 발광 소자(130)를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 다양한 구동 소자 중 구동 박막 트랜지스터(120)만을 도시하였다. 패드 영역(PA)은 패드 전극(150)이 형성되는 영역으로서, 패드 전극(150)과 외부 모듈, 예를 들어, FPCB(Flexible Printed Circuit Board), COF(Chip On Film) 등이 접촉하는 영역이다. 패드 영역(PA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA) 일 측에 정의될 수도 있고, 표시 영역(DA)의 양 측에 정의될 수도 있다.The substrate 110 is defined by a display area DA and a pad area PA. That is, the substrate 110 has a display area DA and a pad area PA. The display area DA is an area in which an image is displayed in the organic light emitting diode display 100 , and the organic light emitting device 130 and various driving devices for driving the organic light emitting device 130 are disposed in the display area DA. . In FIG. 2 , only the driving thin film transistor 120 is shown among various driving elements for convenience of explanation. The pad area PA is an area in which the pad electrode 150 is formed, and is an area in which the pad electrode 150 and an external module, for example, a flexible printed circuit board (FPCB), a chip on film (COF), etc. are in contact. . As shown in FIG. 1 , the pad area PA may be defined on one side of the display area DA or on both sides of the display area DA.

기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 기판(110)의 표시 영역(DA)에 박막 트랜지스가 형성된다. 구체적으로, 기판(110) 상에 버퍼층(111)이 형성되고, 버퍼층(111) 상에 박막 트랜지스터(120)의 채널이 형성되는 액티브층(122)이 형성된다. 액티브층(122)은 도 2에 도시된 바와 같이 버퍼층(111) 상에 형성될 수도 있고, 버퍼층(111)이 사용되지 않는 경우 기판(110) 상에 바로 형성될 수도 있다. 액티브층(122) 상에 액티브층(122)과 게이트 전극(121)을 절연시키기 위하여 게이트 절연층(112)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 상에는 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 전극(121) 상에 층간 절연층(113)이 형성된다. 층간 절연층(113)은 기판(110) 전면에 형성되고, 액티브층(122)의 일부 영역을 개구시키는 컨택홀을 갖도록 형성된다. 층간 절연층(113) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성되고, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 각각은 컨택홀을 통해 액티브층(122)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 상에 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 형성된다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 박막 트랜지스터(120)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 박막 트랜지스터(120)는 인버티드 스태거드(inverted staggered) 구조로 형성될 수도 있다.The thin film transistor 120 is formed on the substrate 110 . A thin film transistor is formed in the display area DA of the substrate 110 . Specifically, the buffer layer 111 is formed on the substrate 110 , and the active layer 122 in which the channel of the thin film transistor 120 is formed is formed on the buffer layer 111 . The active layer 122 may be formed on the buffer layer 111 as shown in FIG. 2 , or may be directly formed on the substrate 110 when the buffer layer 111 is not used. A gate insulating layer 112 is formed on the active layer 122 to insulate the active layer 122 and the gate electrode 121 . A gate electrode 121 is formed on the gate insulating layer 112 . An interlayer insulating layer 113 is formed on the gate electrode 121 . The interlayer insulating layer 113 is formed on the entire surface of the substrate 110 and has a contact hole for opening a partial region of the active layer 122 . A source electrode 123 and a drain electrode 124 are formed on the interlayer insulating layer 113 , and each of the source electrode 123 and the drain electrode 124 is electrically connected to the active layer 122 through a contact hole. . The source electrode 123 and the drain electrode 124 may be formed of various conductive materials. For example, a copper (Cu) layer may be stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer. A passivation layer 114 for protecting the thin film transistor 120 is formed on the source electrode 123 and the drain electrode 124 . In FIG. 2 , for convenience of explanation, the thin film transistor 120 is illustrated as having a coplanar structure, but the present invention is not limited thereto, and the thin film transistor 120 may be formed in an inverted staggered structure. .

박막 트랜지스터(120) 상에 제1 평탄화층(115)이 형성된다. 제1 평탄화층(115)은 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화하기 위한 절연층이다. 제1 평탄화층(115)은 표시 영역(DA)에만 형성되고, 패드 영역(PA)에는 형성되지 않는다.A first planarization layer 115 is formed on the thin film transistor 120 . The first planarization layer 115 is an insulating layer for planarizing an upper portion of the thin film transistor 120 . The first planarization layer 115 is formed only in the display area DA and is not formed in the pad area PA.

제1 평탄화층(115) 상에 유기 발광 소자(130)가 형성된다. 유기 발광 소자(130)는 애노드(137), 유기 발광층(138) 및 캐소드(139)를 포함한다. The organic light emitting diode 130 is formed on the first planarization layer 115 . The organic light emitting diode 130 includes an anode 137 , an organic light emitting layer 138 , and a cathode 139 .

애노드(137)는 적어도 2개의 도전층으로 이루어진다. 도 2를 참조하면, 애노드(137)는 하부 ITO층(131), 은 합금층(132) 및 상부 ITO층(133)이 적층된 구조를 포함한다. 상부 ITO층(133)은 애노드(137) 상에 형성되는 유기 발광층(138)에 정공(hole)을 전달하는 역할을 하며, 은 합금층(132)은 유기 발광층(138)에서 발광된 광을 상부로 반사시키는 반사판으로 기능한다. 은 합금층(132)으로는 다양한 은 합금 도전성 물질이 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 반사성이 우수한 다른 도전성 물질도 상부 ITO층(133)과 하부 ITO층(131) 사이에 형성될 수 있다.The anode 137 is made of at least two conductive layers. Referring to FIG. 2 , the anode 137 includes a structure in which a lower ITO layer 131 , a silver alloy layer 132 , and an upper ITO layer 133 are stacked. The upper ITO layer 133 serves to transfer holes to the organic light emitting layer 138 formed on the anode 137 , and the silver alloy layer 132 transmits the light emitted from the organic light emitting layer 138 to the upper portion. It functions as a reflector that reflects the Various silver alloy conductive materials may be used as the silver alloy layer 132 , but the present invention is not limited thereto, and other conductive materials having excellent reflectivity may be formed between the upper ITO layer 133 and the lower ITO layer 131 .

애노드(137)는 하부 ITO층(131)의 배면에 접하여 하부 ITO층(131)과 전기적으로 연결된 더미(dummy) 층을 포함한다. 더미층(134)은 제1 평탄화층(115)의 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된다. 즉, 더미층(134)은 박막 트랜지스터(120)와 하부 ITO층(131)을 전기적으로 연결시킨다.The anode 137 is in contact with the rear surface of the lower ITO layer 131 and includes a dummy layer electrically connected to the lower ITO layer 131 . The dummy layer 134 is electrically connected to the thin film transistor 120 through a contact hole of the first planarization layer 115 . That is, the dummy layer 134 electrically connects the thin film transistor 120 and the lower ITO layer 131 .

더미층(134)은 복수의 층으로 구성된다. 도 2를 참조하면, 더미층(134)은 하부층(135) 및 상부층(136)을 포함한다. 하부층(135)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있고, 하부층(135)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 상부층(136)은 하부층(135) 상에 형성되고, 도 2에 도시된 바와 같이 하부층(135)을 덮도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 상부층(136)은 하부층(135)의 상면 상에만 형성될 수도 있다. 상부층(136)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성될 수 있다.The dummy layer 134 is composed of a plurality of layers. Referring to FIG. 2 , the dummy layer 134 includes a lower layer 135 and an upper layer 136 . The lower layer 135 may be formed in a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer, and the lower layer 135 is made of the same material as the source electrode 123 and the drain electrode 124 . may be formed. The upper layer 136 is formed on the lower layer 135 and may be formed to cover the lower layer 135 as shown in FIG. 2 . However, the present invention is not limited thereto, and the upper layer 136 may be formed only on the upper surface of the lower layer 135 . The upper layer 136 may be formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy.

제1 보조 배선(140)이 제1 평탄화층(115) 상에 형성된다. 구체적으로 제1 보조 배선(140)은 제1 평탄화층(115) 상에서 애노드(137)와 동일 평면 상에 위치한다. 도 2를 참조하면, 제1 보조 배선(140)은 제1 층(141), 제1 층(141) 상의 제2 층(142), 제2 층(142) 상의 제3 층(143), 제3층 상의 제4 층(144) 및 제4 층(144) 상의 제5 층(145)으로 구성된다. 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141)은 애노드(137)의 더미층(134)의 하부층(135)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보조 배선(140)의 제2 층(142)은 애노드(137)의 더미층(134)의 상부층(136)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보조 배선(140)의 제3 층(143)은 애노드(137)의 하부 ITO층(131)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보조 배선(140)의 제4 층(144)은 애노드(137)의 은 합금층(132)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보조 배선(140)의 제5 층(145)은 애노드(137)의 상부 ITO층(133)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The first auxiliary wiring 140 is formed on the first planarization layer 115 . Specifically, the first auxiliary wiring 140 is positioned on the same plane as the anode 137 on the first planarization layer 115 . Referring to FIG. 2 , the first auxiliary wiring 140 includes a first layer 141 , a second layer 142 on the first layer 141 , a third layer 143 on the second layer 142 , and a second It consists of a fourth layer 144 on three layers and a fifth layer 145 on the fourth layer 144 . The first layer 141 of the first auxiliary wiring 140 is formed of the same material as the lower layer 135 of the dummy layer 134 of the anode 137 , and the second layer 142 of the first auxiliary wiring 140 is formed of the same material. ) is formed of the same material as the upper layer 136 of the dummy layer 134 of the anode 137 , and the third layer 143 of the first auxiliary wiring 140 is the lower ITO layer 131 of the anode 137 . The fourth layer 144 of the first auxiliary wiring 140 is formed of the same material as the silver alloy layer 132 of the anode 137 , and the fifth layer 144 of the first auxiliary wiring 140 is formed of the same material as Layer 145 may be formed of the same material as upper ITO layer 133 of anode 137 .

탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로서 투명 특성의 전극 또는 반투과 특성의 전극을 사용한다. 캐소드를 통과하는 충분한 광 투과율을 획득하기 위해, 캐소드는 매우 얇게 형성될 필요가 있다. 따라서, 캐소드가 투명하도록, 캐소드는 충분히 얇은 두께를 갖는 ITO, 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로 제조된다. 그러나, 캐소드의 두께 감소는 캐소드 전극의 전기적 저항을 증가시킨다. 이로 인해, 캐소드의 두께 감소는 유기 발광 표시 장치의 일부 부분, 특히, 중앙 부분에서의 전압 강하(즉, IR drop)를 야기하고, 화면에 걸쳐 비-균일 휘도를 야기한다. 특히, 전압 강하 현상은 표시 장치의 크기가 증가할수록 심화된다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 캐소드(139)와 전기적으로 연결되는 제1 보조 배선(140)을 채용하여 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(100)에서의 전압 강하 현상을 최소화할 수 있다.In the case of a top emission type organic light emitting diode display, a transparent electrode or a transflective electrode is used as a cathode to emit light emitted from the organic light emitting layer upward. In order to obtain sufficient light transmittance through the cathode, the cathode needs to be formed very thin. Therefore, so that the cathode is transparent, the cathode is made of ITO having a sufficiently thin thickness, or an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg), or the like. However, decreasing the thickness of the cathode increases the electrical resistance of the cathode electrode. Due to this, the reduction in the thickness of the cathode causes a voltage drop (ie, IR drop) in some portions of the organic light emitting display device, particularly, in the central portion, and causes non-uniform luminance across the screen. In particular, the voltage drop intensifies as the size of the display device increases. Accordingly, in the organic light emitting diode display 100 according to an embodiment of the present invention, the first auxiliary wiring 140 electrically connected to the cathode 139 is employed in the top emission type organic light emitting diode display 100 . voltage drop can be minimized.

제1 평탄화층(115) 상에 뱅크층(116)이 형성된다. 뱅크층(116)은 애노드(137) 및 제1 보조 배선(140)의 가장 자리를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크층(116)에 의해 오픈된 애노드(137)의 일부 영역은 발광 영역으로 정의될 수 있다. A bank layer 116 is formed on the first planarization layer 115 . The bank layer 116 may be formed to cover the edges of the anode 137 and the first auxiliary wiring 140 . A partial region of the anode 137 opened by the bank layer 116 may be defined as a light emitting region.

애노드(137) 상에 유기 발광층(138)이 형성된다. 유기 발광층(138)은 뱅크층(116)에 의해 오픈된 애노드(137)의 일부 영역 상에 형성될 수있다. 이 경우, 유기 발광층(138)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층 중 하나일 수 있다. 도 2에 도시되지는 않았으나, 유기 발광층(138)은 백색 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 백색 유기 발광층은 표시 영역(DA)에서 기판(110) 전면 상에 형성될 수도 있다.An organic light emitting layer 138 is formed on the anode 137 . The organic emission layer 138 may be formed on a partial region of the anode 137 opened by the bank layer 116 . In this case, the organic emission layer 138 may be one of a red organic emission layer, a green organic emission layer, and a blue organic emission layer. Although not shown in FIG. 2 , the organic emission layer 138 may be a white organic emission layer. In this case, the white organic emission layer may be formed on the entire surface of the substrate 110 in the display area DA.

유기 발광층(138) 상에 캐소드(139)가 형성된다. 캐소드(139)는 일함수가 높은 물질로 형성되고, 표시 영역(DA)에서 기판(110) 전면 상에 형성된다. 캐소드(139)는 제1 보조 배선(140)과 전기적으로 연결된다. 도 2에서는 뱅크층(116)에 의해 제1 보조 배선(140)의 일부 영역이 오픈되고, 해당 영역을 통해 캐소드(139)와 제1 보조 배선(140)이 전기적으로 연결되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 캐소드(139)와 제1 보조 배선(140)은 다양한 방식으로 전기적으로 연결될 수 있다.A cathode 139 is formed on the organic emission layer 138 . The cathode 139 is formed of a material having a high work function, and is formed on the entire surface of the substrate 110 in the display area DA. The cathode 139 is electrically connected to the first auxiliary wiring 140 . In FIG. 2 , a partial region of the first auxiliary wiring 140 is opened by the bank layer 116 and the cathode 139 and the first auxiliary wiring 140 are electrically connected to each other through the corresponding region. Without limitation, the cathode 139 and the first auxiliary wiring 140 may be electrically connected to each other in various ways.

도 2를 참조하면, 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 버퍼층(111) 및 층간 절연층(113)이 형성된다. 버퍼층(111)이 생략되는 경우, 기판(110) 상에 층간 절연층(113)이 바로 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 2 , a buffer layer 111 and an interlayer insulating layer 113 are formed on the substrate 110 in the pad area PA. When the buffer layer 111 is omitted, the interlayer insulating layer 113 may be directly formed on the substrate 110 .

패드 전극(150)은 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 형성된다. 구체적으로, 패드 전극(150)은 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 패드 전극(150)은 복수의 도전층으로 구성된다. 도 2를 참조하면, 패드 전극(150)은 제1 도전층(151), 제1 도전층(151) 상의 제2 도전층(152) 및 제2 도전층(152) 상의 제3 도전층(153)으로 형성된다. The pad electrode 150 is formed on the substrate 110 in the pad area PA. Specifically, the pad electrode 150 is formed on the interlayer insulating layer 113 . The pad electrode 150 includes a plurality of conductive layers. Referring to FIG. 2 , the pad electrode 150 includes a first conductive layer 151 , a second conductive layer 152 on the first conductive layer 151 , and a third conductive layer 153 on the second conductive layer 152 . ) is formed from

패드 전극(150)의 제1 도전층(151)은 표시 영역(DA)에 형성된 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 형성된다. 즉, 제1 도전층(151)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 제1 도전층(151) 상에는 패시베이션층(114)이 형성된다. 패시베이션층(114)은 개구부를 포함하고, 패시베이션층(114)의 개구부는 제1 도전층(151)의 일부 영역 상에 위치한다. The first conductive layer 151 of the pad electrode 150 is formed of the same material as the source electrode 123 and the drain electrode 124 of the thin film transistor 120 formed in the display area DA. That is, the first conductive layer 151 may be formed in a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer. A passivation layer 114 is formed on the first conductive layer 151 . The passivation layer 114 includes an opening, and the opening of the passivation layer 114 is located on a partial region of the first conductive layer 151 .

패드 영역(PA)의 제2 도전층(152)은 패드 영역(PA)의 제1 도전층(151)을 덮도록 형성된다. 제2 도전층(152)은 패시베이션층(114)의 개구부를 통해 제1 도전층(151)과 전기적으로 연결된다. 제2 도전층(152)은 애노드(137)의 더미층(134)의 하부층(135) 및 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제2 도전층(152)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있다.The second conductive layer 152 of the pad area PA is formed to cover the first conductive layer 151 of the pad area PA. The second conductive layer 152 is electrically connected to the first conductive layer 151 through the opening of the passivation layer 114 . The second conductive layer 152 may be formed of the same material as the lower layer 135 of the dummy layer 134 of the anode 137 and the first layer 141 of the first auxiliary wiring 140 . That is, the second conductive layer 152 may be formed in a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

패드 영역(PA)의 제3 도전층(153)은 패드 영역(PA)의 제1 도전층(151)을 덮도록 형성된다. 또한, 패드 영역(PA)의 제3 도전층(153)은 패드 영역(PA)의 제2 도전층(152)도 덮도록 형성된다. 도 2를 참조하면, 제3 도전층(153)은 제2 도전층(152)의 측면을 감싸도록 형성되어, 제2 도전층(152)이 외부로 노출되지 않게 한다. 제3 도전층(153)은 애노드(137)의 더미층(134)의 상부층(136) 및 제1 보조 배선(140)의 제2 층(142)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제3 도전층(153)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층으로 형성될 수 있다.The third conductive layer 153 of the pad area PA is formed to cover the first conductive layer 151 of the pad area PA. Also, the third conductive layer 153 of the pad area PA is formed to cover the second conductive layer 152 of the pad area PA. Referring to FIG. 2 , the third conductive layer 153 is formed to surround the side surface of the second conductive layer 152 so that the second conductive layer 152 is not exposed to the outside. The third conductive layer 153 may be formed of the same material as the upper layer 136 of the dummy layer 134 of the anode 137 and the second layer 142 of the first auxiliary wiring 140 . That is, the third conductive layer 153 may be formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 애노드(137)에서 사용되는 은 합금층 및 ITO층을 패드 전극(150)으로 사용하지 않고, 패드 전극(150)은 소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 제1 보조 배선(140)으로 사용되는 도전성 물질을 패드 전극(150)으로 사용한다. 또한, 패드 전극(150)의 최상층인 제3 도전층(153)이 패드 전극(150)의 제1 도전층(151) 및 제2 도전층(152)을 덮도록 형성되고, 특히, 제3 도전층(153)은 제2 도전층(152)의 상면 및 측면 모두를 덮도록 형성된다. 여기서, 제3 도전층(153)으로 사용되는 물질인 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금이 구리(Cu)가 최상층으로 형성되는 제2 도전층(152)을 모두 덮음으로써, 제2 도전층(152)이 애노드(137)의 상부 ITO층(133), 은 합금층(132) 및 하부 ITO층(131)의 일괄 식각 공정에서 유실되지 않도록 하고, 제2 도전층(152)이 수분 등과 반응하여 불량한 패드 전극(150)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 패드 전극(150)의 제2 도전층(152) 및 제3 도전층(153)을 제1 보조 배선(140)과 동일한 물질로 형성하여, 보다 용이하게 패드 전극(150)을 형성할 수 있다.In the organic light emitting diode display 100 according to an embodiment of the present invention, the silver alloy layer and the ITO layer used in the anode 137 are not used as the pad electrode 150 , and the pad electrode 150 is the source electrode 123 . ), a conductive material used as the drain electrode 124 and the first auxiliary wiring 140 is used as the pad electrode 150 . In addition, the third conductive layer 153 , which is the uppermost layer of the pad electrode 150 , is formed to cover the first conductive layer 151 and the second conductive layer 152 of the pad electrode 150 , and in particular, the third conductive layer 153 . The layer 153 is formed to cover both the top surface and the side surface of the second conductive layer 152 . Here, a molybdenum-titanium (MoTi) alloy, which is a material used as the third conductive layer 153, covers all of the second conductive layer 152 in which copper (Cu) is formed as the uppermost layer, thereby forming the second conductive layer 152 . The upper ITO layer 133, the silver alloy layer 132, and the lower ITO layer 131 of the anode 137 are not lost in the batch etching process, and the second conductive layer 152 reacts with moisture, etc. to form a poor pad It is possible to prevent the electrode 150 from being formed. In addition, since the second conductive layer 152 and the third conductive layer 153 of the pad electrode 150 are formed of the same material as the first auxiliary wiring 140 , the pad electrode 150 can be more easily formed. there is.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 애노드(337), 더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340)이 상이하고, 제2 보조 배선(370) 및 제2 평탄화층(317)이 추가된 것만이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. Compared to the organic light emitting diode display 100 illustrated in FIGS. 1 and 2 , the organic light emitting diode display 300 illustrated in FIG. 3 includes an anode 337 , a dummy electrode 360 , and a first auxiliary wire 340 . It is different, except that the second auxiliary wiring 370 and the second planarization layer 317 are added, and other components are substantially the same, and thus a redundant description thereof will be omitted.

도 3을 참조하면, 제1 평탄화층(115) 상에 더미 전극(360)이 형성된다. 더미 전극(360)은 제1 평탄화층(315) 상면에 형성되어 박막 트랜지스터(120)와 애노드(337)를 전기적으로 연결시킨다. 더미 전극(360)은 복수의 전극으로 구성된다. 도 3을 참조하면, 더미 전극(360)은 하부 전극(361) 및 상부 전극(362)을 포함한다. 하부 전극(361)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 상에 구리(Cu)층이 적층된 구조로 형성될 수 있고, 하부 전극(361)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 상부 전극(362)은 하부 전극(361) 상에 형성되고, 도 3에 도시된 바와 같이 하부 전극(361)을 덮도록 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 상부 전극(362)은 하부 전극(361)의 상면 상에만 형성될 수도 있다. 상부 전극(362)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , a dummy electrode 360 is formed on the first planarization layer 115 . The dummy electrode 360 is formed on the upper surface of the first planarization layer 315 to electrically connect the thin film transistor 120 and the anode 337 . The dummy electrode 360 includes a plurality of electrodes. Referring to FIG. 3 , the dummy electrode 360 includes a lower electrode 361 and an upper electrode 362 . The lower electrode 361 may be formed in a structure in which a copper (Cu) layer is stacked on a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer, and the lower electrode 361 is the same as the source electrode 123 and the drain electrode 124 . It may be formed of a material. The upper electrode 362 may be formed on the lower electrode 361 and may be formed to cover the lower electrode 361 as shown in FIG. 3 . However, the present invention is not limited thereto, and the upper electrode 362 may be formed only on the upper surface of the lower electrode 361 . The upper electrode 362 may be formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy.

제1 평탄화층(115) 상에 제1 보조 배선(340)이 형성된다. 제1 보조 배선(340)은 제1 평탄화층(115) 상면에 형성되어 더미 전극(360)과 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성된다. 제1 보조 배선(340)은 제1 층(341) 및 제1 층(341) 상의 제2 층(342)으로 구성된다. 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341)은 더미 전극(360)의 하부 전극(361)과 동일한 물질로 형성되고, 제1 보조 배선(340)의 제2 층(342)은 더미 전극(360)의 상부 전극(362)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. A first auxiliary wiring 340 is formed on the first planarization layer 115 . The first auxiliary wiring 340 is formed on the upper surface of the first planarization layer 115 and is formed of the same material on the same plane as the dummy electrode 360 . The first auxiliary wiring 340 includes a first layer 341 and a second layer 342 on the first layer 341 . The first layer 341 of the first auxiliary line 340 is formed of the same material as the lower electrode 361 of the dummy electrode 360 , and the second layer 342 of the first auxiliary line 340 is a dummy electrode. The upper electrode 362 of 360 may be formed of the same material.

더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340) 상에 제2 평탄화층(317)이 형성된다. 제2 평탄화층(317)은 더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340) 상부를 평탄화하기 위한 절연층이다. 제2 평탄화층(317)은 제1 평탄화층(315)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 제2 평탄화층(317)은 표시 영역(DA)에만 형성되고, 패드 영역(PA)에는 형성되지 않는다. A second planarization layer 317 is formed on the dummy electrode 360 and the first auxiliary wiring 340 . The second planarization layer 317 is an insulating layer for planarizing upper portions of the dummy electrode 360 and the first auxiliary wiring 340 . The second planarization layer 317 may be formed of the same material as the first planarization layer 315 . The second planarization layer 317 is formed only in the display area DA and is not formed in the pad area PA.

제2 평탄화층(317) 상에 유기 발광 소자(330)의 애노드(337)가 형성된다. 애노드(337)는 제2 평탄화층(317) 상면에 형성되고, 더미 전극(360)을 통해 박막 트랜지스터(320)와 전기적으로 연결된다. 애노드(337)는 하부 ITO층(331), 은 합금층(332) 및 상부 ITO층(333)이 적층된 구조를 포함한다. The anode 337 of the organic light emitting device 330 is formed on the second planarization layer 317 . The anode 337 is formed on the upper surface of the second planarization layer 317 , and is electrically connected to the thin film transistor 320 through the dummy electrode 360 . The anode 337 includes a structure in which a lower ITO layer 331 , a silver alloy layer 332 , and an upper ITO layer 333 are stacked.

제2 보조 배선(370)이 제2 평탄화층(317) 상에 형성된다. 구체적으로, 제2 보조 배선(370)은 제2 평탄화층(317) 상면에 형성되며 제1 보조 배선(340)과 전기적으로 연결된다. 제2 보조 배선(370)은 제1 층(371), 제1 층(371) 상의 제2 층(372) 및 제2 층(372) 상의 제3 층(373)으로 구성된다. 제2 보조 배선(370)은 애노드(337)와 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제2 보조 배선(370)의 제1 층(371)은 애노드(337)의 하부 ITO층(331)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 보조 배선(370)의 제2 층(372)은 애노드(337)의 은 합금층(332)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 보조 배선(370)의 제3 층(373)은 애노드(337)의 상부 ITO층(333)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 캐소드(339)와 전기적으로 연결되는 제1 보조 배선(340) 및 제2 보조 배선(370)을 채용하여 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(300)에서의 캐소드(339) 저항을 보다 감소시킬 수 있고, 이에 따라 균일한 화질 특성이 확보될 수 있다.A second auxiliary wiring 370 is formed on the second planarization layer 317 . Specifically, the second auxiliary line 370 is formed on the upper surface of the second planarization layer 317 and is electrically connected to the first auxiliary line 340 . The second auxiliary wiring 370 includes a first layer 371 , a second layer 372 on the first layer 371 , and a third layer 373 on the second layer 372 . The second auxiliary wiring 370 may be formed of the same material on the same plane as the anode 337 . That is, the first layer 371 of the second auxiliary wiring 370 is formed of the same material as the lower ITO layer 331 of the anode 337 , and the second layer 372 of the second auxiliary wiring 370 is formed of the same material as the lower ITO layer 331 of the anode 337 . The silver alloy layer 332 of the anode 337 is formed of the same material, and the third layer 373 of the second auxiliary wiring 370 is formed of the same material as the upper ITO layer 333 of the anode 337 . can In the organic light emitting diode display 300 according to another exemplary embodiment of the present invention, the first auxiliary wiring 340 and the second auxiliary wiring 370 electrically connected to the cathode 339 are employed to emit a top emission type organic light emitting diode. The resistance of the cathode 339 in the display device 300 may be further reduced, and thus uniform image quality characteristics may be secured.

제2 평탄화층(317) 상에 뱅크층(316)이 형성되고, 뱅크층(316)에 의해 오픈된 애노드(337)의 일부 영역 상에 유기 발광 소자(330)의 유기 발광층(338)이 형성된다. 유기 발광층(338) 상에 유기 발광 소자(330)의 캐소드(339)가 형성되고, 캐소드(339)는 뱅크층(316)에 의해 오픈된 제2 보조 배선(370)의 일부 영역을 통해 제2 보조 배선(370)과 전기적으로 연결된다. A bank layer 316 is formed on the second planarization layer 317 , and an organic emission layer 338 of the organic light emitting diode 330 is formed on a partial region of the anode 337 opened by the bank layer 316 . do. The cathode 339 of the organic light emitting device 330 is formed on the organic light emitting layer 338 , and the cathode 339 passes through a partial region of the second auxiliary wiring 370 opened by the bank layer 316 . It is electrically connected to the auxiliary wiring 370 .

패드 전극(350)은 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 형성된다. 구체적으로, 패드 전극(350)은 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 패드 전극(350)은 복수의 도전층으로 구성된다. 도 3을 참조하면, 패드 전극(350)은 제1 도전층(351), 제1 도전층(351) 상의 제2 도전층(352) 및 제2 도전층(352) 상의 제3 도전층(353)으로 형성된다. 패드 전극(350)의 제1 도전층(351)은 표시 영역(DA)에 형성된 박막 트랜지스터(320)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질로 형성된다. 패드 영역(PA)의 제2 도전층(352)은 더미 전극(360)의 하부 전극(361) 및 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341)과 동일한 물질로 형성되고, 패드 영역(PA)의 제3 도전층(353)은 더미 전극(360)의 상부 전극(362) 및 제1 보조 배선(340)의 제2 층(342)과 동일한 물질로 형성된다. 도 3의 패드 전극(350)은 도 2의 패드 전극(350)과 비교하여, 패드 전극(350)의 제2 도전층(352) 및 제3 도전층(353)과 동일한 물질로 형성된 구성요소만이 상이할 뿐이므로 중복 설명을 생략한다.The pad electrode 350 is formed on the substrate 110 in the pad area PA. Specifically, the pad electrode 350 is formed on the interlayer insulating layer 113 . The pad electrode 350 includes a plurality of conductive layers. Referring to FIG. 3 , the pad electrode 350 includes a first conductive layer 351 , a second conductive layer 352 on the first conductive layer 351 , and a third conductive layer 353 on the second conductive layer 352 . ) is formed from The first conductive layer 351 of the pad electrode 350 is formed of the same material as the source electrode 123 and the drain electrode 124 of the thin film transistor 320 formed in the display area DA. The second conductive layer 352 of the pad area PA is formed of the same material as the lower electrode 361 of the dummy electrode 360 and the first layer 341 of the first auxiliary wiring 340, and the pad area ( The third conductive layer 353 of the PA) is formed of the same material as the upper electrode 362 of the dummy electrode 360 and the second layer 342 of the first auxiliary wiring 340 . Compared to the pad electrode 350 of FIG. 2 , the pad electrode 350 of FIG. 3 includes only the components formed of the same material as the second conductive layer 352 and the third conductive layer 353 of the pad electrode 350 . Since these are only different, duplicate description is abbreviate|omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)에서는 애노드(337)에서 사용되는 은 합금층 및 ITO층을 패드 전극(350)으로 사용하지 않고, 패드 전극(350)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 물질 및 제1 보조 배선(340)으로 사용되는 도전성 물질을 패드 전극(350)으로 사용한다. 또한, 패드 전극(350)의 최상층인 제3 도전층(353)이 패드 전극(350)의 제1 도전층(351) 및 제2 도전층(352)을 덮도록 형성되고, 특히, 제3 도전층(353)은 제2 도전층(352)의 상면 및 측면 모두를 덮도록 형성된다. 여기서, 제3 도전층(353)으로 사용되는 물질인 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금이 구리(Cu)가 최상층으로 형성되는 제2 도전층(352)을 모두 덮음으로써, 제2 도전층(352)이 애노드(337)의 상부 ITO층(333), 은 합금층(332) 및 하부 ITO층(331)의 일괄 식각 공정에서 유실되지 않도록 하고, 제2 도전층(352)이 수분 등과 반응하여 불량한 패드 전극(350)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 패드 전극(350)의 제2 도전층(352) 및 제3 도전층(353)을 제1 보조 배선(340)과 동일한 물질로 형성하여, 보다 용이하게 패드 전극(350)을 형성할 수 있다.In the organic light emitting diode display 300 according to another embodiment of the present invention, the silver alloy layer and the ITO layer used in the anode 337 are not used as the pad electrode 350 , and the pad electrode 350 is the source electrode 123 . ) and the same material as the drain electrode 124 and a conductive material used for the first auxiliary wiring 340 are used as the pad electrode 350 . In addition, a third conductive layer 353 , which is the uppermost layer of the pad electrode 350 , is formed to cover the first conductive layer 351 and the second conductive layer 352 of the pad electrode 350 , and in particular, the third conductive layer 353 . The layer 353 is formed to cover both the top surface and the side surface of the second conductive layer 352 . Here, a molybdenum-titanium (MoTi) alloy, which is a material used as the third conductive layer 353, covers all of the second conductive layer 352 in which copper (Cu) is formed as the uppermost layer, so that the second conductive layer 352 is The upper ITO layer 333, the silver alloy layer 332, and the lower ITO layer 331 of the anode 337 are not lost in the batch etching process, and the second conductive layer 352 reacts with moisture, etc. to form a poor pad. It is possible to prevent the electrode 350 from being formed. In addition, since the second conductive layer 352 and the third conductive layer 353 of the pad electrode 350 are formed of the same material as the first auxiliary wiring 340 , the pad electrode 350 can be more easily formed. there is.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(400)는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)와 비교하여 애노드(437), 더미 전극(360), 제1 보조 배선(440) 및 제2 보조 배선(470)이 상이할 뿐, 다른 구성요소들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. The organic light emitting diode display 400 shown in FIG. 4 has an anode 437 , a dummy electrode 360 , a first auxiliary line 440 , and a second auxiliary line 440 compared to the organic light emitting diode display 300 shown in FIG. 3 . Although the wiring 470 is different, other components are substantially the same, and thus a redundant description will be omitted.

도 4를 참조하면, 제1 평탄화층(115) 상에 더미 전극(460)이 형성된다. 더미 전극(460)은 제1 평탄화층(115) 상면에 형성되어 박막 트랜지스터(120)와 애노드(437)를 전기적으로 연결시킨다. 더미 전극(460)은 단일의 전극으로 구성된다. 더미 전극(460)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층, 구리(Cu)층 및 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층이 적층된 구조로 형성될 수 있고, 더미 전극(460)은 소스 전극(423) 및 드레인 전극(424)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 4 , a dummy electrode 460 is formed on the first planarization layer 115 . The dummy electrode 460 is formed on the upper surface of the first planarization layer 115 to electrically connect the thin film transistor 120 and the anode 437 . The dummy electrode 460 is configured as a single electrode. The dummy electrode 460 may be formed in a structure in which a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer, a copper (Cu) layer, and a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer are stacked, and the dummy electrode 460 is a source electrode 423 . And it may be formed of the same material as the drain electrode 424 .

제1 평탄화층(115) 상에 제1 보조 배선(440)이 형성된다. 제1 보조 배선(440)은 제1 평탄화층(115) 상면에 형성되어 더미 전극(460)과 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성된다. 제1 보조 배선(440)은 단일층으로 구성된다. 제1 보조 배선(440)은 더미 전극(460)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. A first auxiliary wiring 440 is formed on the first planarization layer 115 . The first auxiliary wiring 440 is formed on the upper surface of the first planarization layer 115 and is formed of the same material on the same plane as the dummy electrode 460 . The first auxiliary wiring 440 is configured as a single layer. The first auxiliary wiring 440 may be formed of the same material as the dummy electrode 460 .

더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440) 상에 제2 평탄화층(417)이 형성된다. 제2 평탄화층(417)은 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440) 상부를 평탄화하기 위한 절연층이다. 제2 평탄화층(417)은 제1 평탄화층(415)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 제2 평탄화층(417)은 표시 영역(DA)에만 형성되고, 패드 영역(PA)에는 형성되지 않는다. A second planarization layer 417 is formed on the dummy electrode 460 and the first auxiliary line 440 . The second planarization layer 417 is an insulating layer for planarizing upper portions of the dummy electrode 460 and the first auxiliary line 440 . The second planarization layer 417 may be formed of the same material as the first planarization layer 415 . The second planarization layer 417 is formed only in the display area DA and is not formed in the pad area PA.

제2 평탄화층(417) 상에 유기 발광 소자(430)의 애노드(437)가 형성된다. 애노드(437)는 제2 평탄화층(417) 상면에 형성되고, 더미 전극(460)을 통해 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. 애노드(437)는 더미층(434), 하부 ITO층(431), 은 합금층(432) 및 상부 ITO층(433)이 적층된 구조를 포함한다. 애노드(437)의 더미층(434)은 하부 ITO층(431)의 배면에 접하도록 형성되고, 더미 전극(460)과 전기적으로 연결된다. 애노드(437)의 더미층(434)은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성될 수 있다.The anode 437 of the organic light emitting device 430 is formed on the second planarization layer 417 . The anode 437 is formed on the upper surface of the second planarization layer 417 , and is electrically connected to the thin film transistor 420 through the dummy electrode 460 . The anode 437 includes a structure in which a dummy layer 434 , a lower ITO layer 431 , a silver alloy layer 432 , and an upper ITO layer 433 are stacked. The dummy layer 434 of the anode 437 is formed to be in contact with the rear surface of the lower ITO layer 431 and is electrically connected to the dummy electrode 460 . The dummy layer 434 of the anode 437 may be formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy.

제2 보조 배선(470)이 제2 평탄화층(417) 상에 형성된다. 구체적으로, 제2 보조 배선(470)은 제2 평탄화층(417) 상면에 형성되며 제1 보조 배선(440)과 전기적으로 연결된다. 제2 보조 배선(470)은 제1 층(471), 제1 층(471) 상의 제2 층(472), 제2 층(472) 상의 제3 층(473) 및 제3 층(473) 상의 제4 층(474)으로 구성된다. 제2 보조 배선(470)은 애노드(437)와 동일 평면 상에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제2 보조 배선(470)의 제1 층(471)은 애노드(437)의 하부 ITO층(431)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 보조 배선(470)의 제2 층(472)은 애노드(437)의 은 합금층(432)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 보조 배선(470)의 제3 층(473)은 애노드(437)의 상부 ITO층(433)과 동일한 물질로 형성되고, 제2 보조 배선(470)의 제4 층(474)은 애노드(437)의 더미층(434)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서는 캐소드(439)와 전기적으로 연결되는 제1 보조 배선(440) 및 제2 보조 배선(470)을 채용하여 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치(400)에서 발생할 수 있는 휘도 불균일 문제를 해결할 수 있다.A second auxiliary wiring 470 is formed on the second planarization layer 417 . Specifically, the second auxiliary wiring 470 is formed on the upper surface of the second planarization layer 417 and is electrically connected to the first auxiliary wiring 440 . The second auxiliary wiring 470 is formed on the first layer 471 , the second layer 472 on the first layer 471 , the third layer 473 on the second layer 472 , and the third layer 473 on the third layer 473 . Consists of a fourth layer (474). The second auxiliary wiring 470 may be formed of the same material on the same plane as the anode 437 . That is, the first layer 471 of the second auxiliary wiring 470 is formed of the same material as the lower ITO layer 431 of the anode 437 , and the second layer 472 of the second auxiliary wiring 470 is The silver alloy layer 432 of the anode 437 is formed of the same material, and the third layer 473 of the second auxiliary wiring 470 is formed of the same material as the upper ITO layer 433 of the anode 437 and , the fourth layer 474 of the second auxiliary wiring 470 may be formed of the same material as the dummy layer 434 of the anode 437 . In the organic light emitting diode display 400 according to another embodiment of the present invention, the first auxiliary wiring 440 and the second auxiliary wiring 470 electrically connected to the cathode 439 are employed to employ a top emission type organic light emitting diode display. It is possible to solve a luminance non-uniformity problem that may occur in the light emitting display device 400 .

제2 평탄화층(417) 상에 뱅크층(416)이 형성되고, 뱅크층(416)에 의해 오픈된 애노드(437)의 일부 영역 상에 유기 발광 소자(430)의 유기 발광층(438)이 형성된다. 유기 발광층(438) 상에 유기 발광 소자(430)의 캐소드(439)가 형성되고, 캐소드(439)는 뱅크층(416)에 의해 오픈된 제2 보조 배선(470)의 일부 영역을 통해 제2 보조 배선(470)과 전기적으로 연결된다. A bank layer 416 is formed on the second planarization layer 417 , and an organic light emitting layer 438 of the organic light emitting device 430 is formed on a partial region of the anode 437 opened by the bank layer 416 . do. A cathode 439 of the organic light emitting device 430 is formed on the organic light emitting layer 438 , and the cathode 439 is formed through a partial region of the second auxiliary wiring 470 opened by the bank layer 416 . It is electrically connected to the auxiliary wiring 470 .

패드 전극(450)은 패드 영역(PA)에서 기판(110) 상에 형성된다. 구체적으로, 패드 전극(450)은 층간 절연층(113) 상에 형성된다. 패드 전극(450)은 제1 도전층(451), 제1 도전층(451) 상의 제2 도전층(452) 및 제2 도전층(452) 상의 제3 도전층(453)으로 형성된다. 패드 전극(450)의 제1 도전층(451)은 표시 영역(DA)에 형성된 박막 트랜지스터(420)의 소스 전극(423) 및 드레인 전극(424)과 동일한 물질로 형성된다. 패드 영역(PA)의 제2 도전층(452)은 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440)과 동일한 물질로 형성되고, 패드 영역(PA)의 제3 도전층(453)은 애노드(437)의 더미층(434) 및 제2 보조 배선(470)의 제4 층(474)과 동일한 물질로 형성된다. 도 4의 패드 전극(450)은 도 3의 패드 전극(350)과 비교하여, 패드 전극(450)의 제2 도전층(452) 및 제3 도전층(453)과 동일한 물질로 형성된 구성요소만이 상이할 뿐이므로 중복 설명을 생략한다.The pad electrode 450 is formed on the substrate 110 in the pad area PA. Specifically, the pad electrode 450 is formed on the interlayer insulating layer 113 . The pad electrode 450 is formed of a first conductive layer 451 , a second conductive layer 452 on the first conductive layer 451 , and a third conductive layer 453 on the second conductive layer 452 . The first conductive layer 451 of the pad electrode 450 is formed of the same material as the source electrode 423 and the drain electrode 424 of the thin film transistor 420 formed in the display area DA. The second conductive layer 452 of the pad area PA is formed of the same material as the dummy electrode 460 and the first auxiliary wiring 440 , and the third conductive layer 453 of the pad area PA is formed of an anode ( The dummy layer 434 of 437 and the fourth layer 474 of the second auxiliary wiring 470 are formed of the same material. Compared to the pad electrode 350 of FIG. 3 , the pad electrode 450 of FIG. 4 includes only the components formed of the same material as the second conductive layer 452 and the third conductive layer 453 of the pad electrode 450 . Since these are only different, duplicate description is abbreviate|omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(400)에서는 애노드(437)에서 사용되는 은 합금층(432) 및 ITO층을 패드 전극(450)으로 사용하지 않고, 패드 전극(450)은 소스 전극(423) 및 드레인 전극(424)과 동일한 물질 및 제1 보조 배선(440)으로 사용되는 도전성 물질을 패드 전극(450)으로 사용한다. 또한, 패드 전극(450)의 최상층인 제3 도전층(453)이 패드 전극(450)의 제1 도전층(451) 및 제2 도전층(452)을 덮도록 형성되고, 특히, 제3 도전층(453)은 제2 도전층(452)의 상면 및 측면 모두를 덮도록 형성된다. 여기서, 제3 도전층(453)으로 사용되는 물질인 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금이 구리(Cu)가 최상층으로 형성되는 제2 도전층(452)을 모두 덮음으로써, 제2 도전층(452)이 애노드(437)의 상부 ITO층(433), 은 합금층(432) 및 하부 ITO층(431)의 일괄 식각 공정에서 유실되지 않도록 하고, 제2 도전층(452)이 수분 등과 반응하여 불량한 패드 전극(450)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 패드 전극(450)의 제2 도전층(452) 및 제3 도전층(453)을 제1 보조 배선(440) 및 제2 보조 배선(470)과 동일한 물질로 형성하여, 보다 용이하게 패드 전극(450)을 형성할 수 있다.In the organic light emitting diode display 400 according to another embodiment of the present invention, the silver alloy layer 432 and the ITO layer used in the anode 437 are not used as the pad electrode 450 , and the pad electrode 450 is a source. The same material as the electrode 423 and the drain electrode 424 and a conductive material used as the first auxiliary wiring 440 are used as the pad electrode 450 . In addition, a third conductive layer 453 , which is the uppermost layer of the pad electrode 450 , is formed to cover the first conductive layer 451 and the second conductive layer 452 of the pad electrode 450 , and in particular, the third conductive layer 453 . The layer 453 is formed to cover both the top surface and the side surface of the second conductive layer 452 . Here, a molybdenum-titanium (MoTi) alloy, which is a material used as the third conductive layer 453, covers all of the second conductive layer 452 in which copper (Cu) is formed as the uppermost layer, so that the second conductive layer 452 is To prevent loss in the batch etching process of the upper ITO layer 433, the silver alloy layer 432, and the lower ITO layer 431 of the anode 437, the second conductive layer 452 reacts with moisture, etc. to cause poor pad It is possible to prevent the electrode 450 from being formed. In addition, the second conductive layer 452 and the third conductive layer 453 of the pad electrode 450 are formed of the same material as the first auxiliary wiring 440 and the second auxiliary wiring 470 to facilitate padding. An electrode 450 may be formed.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다. 도 6a 내지 도 6d는 도 1 및 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment. 6A to 6D are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment. 6A to 6D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting display device 100 illustrated in FIGS. 1 and 2 , and redundant descriptions of components described with reference to FIGS. 1 and 2 are omitted. do.

먼저, 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA)으로 정의된 기판(110)을 제공하고(S50), 기판(110)의 표시 영역(DA) 상에 액티브층(122), 게이트 전극(121), 및 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 구비하는 박막 트랜지스터(120) 및 기판(110)의 패드 영역(PA) 상에 패드 전극(150)의 제1 도전층(151)을 동시에 형성한다(S51).First, a substrate 110 defined by a display area DA and a pad area PA is provided ( S50 ), and an active layer 122 and a gate electrode 121 are provided on the display area DA of the substrate 110 . , and simultaneously forming the first conductive layer 151 of the pad electrode 150 on the thin film transistor 120 including the source electrode 123 and the drain electrode 124 and the pad area PA of the substrate 110 . do (S51).

도 6a를 참조하면, 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA)이 정의된 기판(110) 상에 버퍼층(111)을 형성한다. 버퍼층(111)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA) 상에 형성된다.Referring to FIG. 6A , the buffer layer 111 is formed on the substrate 110 in which the display area DA and the pad area PA are defined. The buffer layer 111 is formed on the display area DA and the pad area PA.

기판(110)의 표시 영역(DA) 상에 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. 버퍼층(111) 상에 액티브층(122)이 형성되고, 액티브층(122) 상에 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121) 형성 시 기판(110) 전면 상에 게이트 절연층용 물질 및 게이트 전극용 물질이 형성되고, 그 후 절연층용 물질 및 게이트 전극용 물질을 동시에 패터닝하여 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121)이 형성된다. 게이트 절연층(112) 및 게이트 전극(121) 상에 층간 절연층(113)이 형성된다. 층간 절연층(113)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA) 상에 형성된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 액티브층(122)과 전기적으로 연결되기 위한 컨택홀이 층간 절연층(113)에 형성된다. 그 후, 소스 전극 및 드레인 전극용 물질이 기판(110) 전면 상에 형성되고, 소스 전극 및 드레인 전극용 물질을 패터닝하여 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성된다. 이 때, 기판(110)의 패드 영역(PA) 상에 패드 전극(150)의 제1 도전층(151)이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극용 물질을 패터닝할 때에, 패드 영역(PA)에 패드 전극(150)의 제1 도전층(151)이 남도록 하여, 소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 패드 전극(150)의 제1 도전층(151)이 동시에 동일한 물질로 형성될 수 있다.The thin film transistor 120 is formed on the display area DA of the substrate 110 . An active layer 122 is formed on the buffer layer 111 , and a gate insulating layer 112 and a gate electrode 121 are formed on the active layer 122 . When the gate insulating layer 112 and the gate electrode 121 are formed, the material for the gate insulating layer and the material for the gate electrode are formed on the entire surface of the substrate 110 , and thereafter, the material for the insulating layer and the material for the gate electrode are simultaneously patterned to insulate the gate. A layer 112 and a gate electrode 121 are formed. An interlayer insulating layer 113 is formed on the gate insulating layer 112 and the gate electrode 121 . The interlayer insulating layer 113 is formed on the display area DA and the pad area PA. A contact hole for electrically connecting the source electrode 123 and the drain electrode 124 to the active layer 122 is formed in the interlayer insulating layer 113 . Thereafter, a material for a source electrode and a drain electrode is formed on the entire surface of the substrate 110 , and a source electrode 123 and a drain electrode 124 are formed by patterning the material for the source electrode and the drain electrode. In this case, the first conductive layer 151 of the pad electrode 150 is formed on the pad area PA of the substrate 110 . That is, when the material for the source electrode and the drain electrode formed on the entire surface of the substrate 110 is patterned, the first conductive layer 151 of the pad electrode 150 is left in the pad area PA, so that the source electrode 123, The first conductive layer 151 of the drain electrode 124 and the pad electrode 150 may be simultaneously formed of the same material.

이어서, 박막 트랜지스터(120)를 덮도록 제1 평탄화층(115)을 형성하고(S52), 제1 평탄화층(115) 상면에 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된 애노드(137)의 더미층(134) 및 패드 전극(150)의 제1 도전층(151)을 덮는 패드 전극(150)의 제2 도전층(152) 및 제3 도전층(153)을 동시에 형성한다(S53).Next, a first planarization layer 115 is formed to cover the thin film transistor 120 ( S52 ), and a dummy layer of the anode 137 electrically connected to the thin film transistor 120 is formed on the upper surface of the first planarization layer 115 ( S52 ). 134) and the second conductive layer 152 and the third conductive layer 153 of the pad electrode 150 covering the first conductive layer 151 of the pad electrode 150 are simultaneously formed (S53).

도 6b를 참조하면, 박막 트랜지스터(120) 상에 박막 트랜지스터(120)를 보호하기 위한 패시베이션층(114)이 형성된다. 패시베이션층(114)은 표시 영역(DA) 및 패드 영역(PA) 모두에 형성된다.Referring to FIG. 6B , a passivation layer 114 for protecting the thin film transistor 120 is formed on the thin film transistor 120 . The passivation layer 114 is formed in both the display area DA and the pad area PA.

이어서, 박막 트랜지스터(120) 상에 박막 트랜지스터(120) 상부를 평탄화하기 위한 제1 평탄화층(115)이 형성된다. 제1 평탄화층(115)은 기판(110)의 표시 영역(DA)에만 형성된다.Next, a first planarization layer 115 for planarizing an upper portion of the thin film transistor 120 is formed on the thin film transistor 120 . The first planarization layer 115 is formed only in the display area DA of the substrate 110 .

이어서, 표시 영역(DA)에서 제1 평탄화층(115) 상에 애노드(137)의 더미층(134)의 하부층(135) 및 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141)이 형성되고, 패드 영역(PA)에서 층간 절연층(113) 상에 패드 전극(150)의 제2 도전층(152)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제1 평탄화층(115) 및 패드 영역(PA)의 층간 절연층(113) 상에 더미층(134)의 하부층용 물질이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면 상에 더미층(134)의 하부층용 물질이 형성된다. 그 후, 더미층(134)의 하부층용 물질을 패터닝하여 더미층(134)의 하부층(135), 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141) 및 패드 전극(150)의 제2 도전층(152)이 동시에 동일한 물질로 형성된다.Subsequently, the lower layer 135 of the dummy layer 134 of the anode 137 and the first layer 141 of the first auxiliary wiring 140 are formed on the first planarization layer 115 in the display area DA. , the second conductive layer 152 of the pad electrode 150 is formed on the interlayer insulating layer 113 in the pad area PA. Specifically, a material for the lower layer of the dummy layer 134 is formed on the first planarization layer 115 of the display area DA and the interlayer insulating layer 113 of the pad area PA. That is, the material for the lower layer of the dummy layer 134 is formed on the entire surface of the substrate 110 . Thereafter, the material for the lower layer of the dummy layer 134 is patterned to form the lower layer 135 of the dummy layer 134 , the first layer 141 of the first auxiliary wiring 140 , and the second conductivity of the pad electrode 150 . Layer 152 is simultaneously formed of the same material.

이어서, 도 6c를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 더미층(134)의 하부층(135) 상에 더미층(134)의 상부층(136)이 형성되고, 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141) 상에 제2 층(142)이 형성된다. 또한, 패드 영역(PA)에서 패드 전극(150)의 제2 도전층(152) 상에 제3 도전층(153)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제1 평탄화층(115), 더미층(134)의 하부층(135), 제1 보조 배선(140)의 제1 층(141), 패드 영역(PA)의 패시베이션층(114) 및 패드 전극(150)의 제2 도전층(152) 상에 더미층(134)의 상부층용 물질이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면 상에 더미층(134)의 상부층용 물질이 형성된다. 그 후, 더미층(134)의 상부층용 물질을 패터닝하여 더미층(134)의 상부층(136), 제1 보조 배선(140)의 제2 층(142) 및 패드 전극(150)의 제3 도전층(153)이 동시에 동일한 물질로 형성된다. 패드 전극(150)의 제3 도전층(153)은 패드 전극(150)의 제2 도전층(152)을 덮도록 형성된다.Subsequently, referring to FIG. 6C , an upper layer 136 of the dummy layer 134 is formed on the lower layer 135 of the dummy layer 134 in the display area DA, and the first auxiliary line 140 is A second layer 142 is formed on the layer 141 . In addition, a third conductive layer 153 is formed on the second conductive layer 152 of the pad electrode 150 in the pad area PA. Specifically, passivation of the first planarization layer 115 of the display area DA, the lower layer 135 of the dummy layer 134 , the first layer 141 of the first auxiliary wiring 140 , and the pad area PA A material for an upper layer of the dummy layer 134 is formed on the layer 114 and the second conductive layer 152 of the pad electrode 150 . That is, the material for the upper layer of the dummy layer 134 is formed on the entire surface of the substrate 110 . Thereafter, a material for the upper layer of the dummy layer 134 is patterned to form the upper layer 136 of the dummy layer 134 , the second layer 142 of the first auxiliary wiring 140 , and the third conductivity of the pad electrode 150 . Layer 153 is simultaneously formed of the same material. The third conductive layer 153 of the pad electrode 150 is formed to cover the second conductive layer 152 of the pad electrode 150 .

이어서, 애노드(137)의 더미층(134) 상에 애노드(137)의 나머지층을 형성한다(S54).Next, the remaining layers of the anode 137 are formed on the dummy layer 134 of the anode 137 (S54).

도 6d를 참조하면, 애노드(137)의 더미층(134) 및 제1 보조 배선(140)의 제2 층(142) 상에 ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 순차적으로 형성한다. 여기서, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질은 기판(110)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 기판(110)의 패드 영역(PA)에도 형성된다. 그 후, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 일괄 식각하여 애노드(137)의 더미층(134) 상에 애노드(137)의 나머지층인 하부 ITO층(131), 은 합금층(132) 및 상부 ITO층(133)이 형성된다. 또한, 일괄 식각 과정에서 제1 보조 배선(140)의 제3 층(143), 제4 층(144) 및 제5 층(145)이 애노드(137)의 하부 ITO층(131), 은 합금층(132) 및 상부 ITO층(133)과 동시에 형성된다.Referring to FIG. 6D , an ITO material, a silver alloy material, and an ITO material are sequentially formed on the dummy layer 134 of the anode 137 and the second layer 142 of the first auxiliary wiring 140 . Here, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are formed not only in the display area DA of the substrate 110 but also in the pad area PA of the substrate 110 . Then, the lower ITO layer 131, the silver alloy layer 132 and the remaining layer of the anode 137 on the dummy layer 134 of the anode 137 by batch etching the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material. An upper ITO layer 133 is formed. In addition, in the batch etching process, the third layer 143 , the fourth layer 144 , and the fifth layer 145 of the first auxiliary wiring 140 are formed by the lower ITO layer 131 and the silver alloy layer of the anode 137 . 132 and the upper ITO layer 133 are formed at the same time.

이어서, 애노드(137) 및 제1 보조 전극의 가장자리를 덮도록 뱅크층(116)이 형성되고, 유기 발광층(138) 및 캐소드(139)가 순차적으로 형성된다.Next, the bank layer 116 is formed to cover the edges of the anode 137 and the first auxiliary electrode, and the organic emission layer 138 and the cathode 139 are sequentially formed.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 제1 보조 배선(140) 형성 시 패드 전극(150)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 패드 전극(150)을 형성하기 위한 별도의 공정이 추가됨이 없이 패드 전극(150)이 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(150)으로 은 합금층(132)을 사용하지 않고 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성된 패드 전극(150)의 제3 도전층(153)이 패드 전극(150)의 제2 도전층(152)을 덮도록 형성되어, 개선된 신뢰성을 갖는 패드 전극(150) 확보가 가능하다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the pad electrode 150 may be simultaneously formed when the first auxiliary wiring 140 is formed. Accordingly, the pad electrode 150 may be formed without adding a separate process for forming the pad electrode 150 . In addition, the third conductive layer 153 of the pad electrode 150 formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy without using the silver alloy layer 132 as the pad electrode 150 is the second conductive layer of the pad electrode 150 . It is formed to cover the layer 152 , and it is possible to secure the pad electrode 150 having improved reliability.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다. 도 8a 내지 도 8c는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(300)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 3을 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment. 8A to 8C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. 8A to 8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 300 illustrated in FIG. 3 , and redundant descriptions of components described with reference to FIG. 3 will be omitted.

먼저, 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA)으로 정의된 기판(110)을 제공하고(S70), 기판(110)의 표시 영역(DA) 상에 액티브층(122), 게이트 전극(121), 및 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 구비하는 박막 트랜지스터(120) 및 기판(110)의 패드 영역(PA) 상에 패드 전극(350)의 제1 도전층(351)을 동시에 형성하고(S71), 박막 트랜지스터(120)를 덮도록 제1 평탄화층(115)을 형성한다(S72). 단계 S70, S71 및 S72는 단계 S60, S61 및 S62와 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.First, a substrate 110 defined by a display area DA and a pad area PA is provided ( S70 ), and an active layer 122 and a gate electrode 121 are provided on the display area DA of the substrate 110 . , and simultaneously forming the first conductive layer 351 of the pad electrode 350 on the thin film transistor 120 including the source electrode 123 and the drain electrode 124 and the pad area PA of the substrate 110 . and (S71), a first planarization layer 115 is formed to cover the thin film transistor 120 (S72). Steps S70, S71 and S72 are substantially the same as steps S60, S61 and S62, and thus redundant descriptions are omitted.

이어서, 제1 평탄화층(115) 상면에 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된 더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340)을 동시에 형성하고(S73), 패드 전극(350)의 제1 도전층(351)을 덮는 패드 전극(350)의 제2 도전층(352) 및 제3 도전층(353)을 형성한다(S74).Subsequently, the dummy electrode 360 and the first auxiliary wiring 340 electrically connected to the thin film transistor 120 are simultaneously formed on the upper surface of the first planarization layer 115 ( S73 ), and the first conductivity of the pad electrode 350 is performed ( S73 ). A second conductive layer 352 and a third conductive layer 353 of the pad electrode 350 covering the layer 351 are formed (S74).

도 8a를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 제1 평탄화층(115) 상에 더미 전극(360)의 하부 전극(361) 및 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341)이 형성되고, 패드 영역(PA)에서 층간 절연층(113) 상에 패드 전극(350)의 제2 도전층(352)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제1 평탄화층(115) 및 패드 영역(PA)의 층간 절연층(113) 상에 더미 전극(360)의 하부 전극용 물질이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면 상에 더미 전극(360)의 하부 전극용 물질이 형성된다. 그 후, 더미 전극(360)의 하부 전극용 물질을 패터닝하여 더미 전극(360)의 하부 전극(361), 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341) 및 패드 전극(350)의 제2 도전층(352)이 동시에 동일한 물질로 형성된다.Referring to FIG. 8A , the lower electrode 361 of the dummy electrode 360 and the first layer 341 of the first auxiliary wiring 340 are formed on the first planarization layer 115 in the display area DA. , a second conductive layer 352 of the pad electrode 350 is formed on the interlayer insulating layer 113 in the pad area PA. Specifically, a material for the lower electrode of the dummy electrode 360 is formed on the first planarization layer 115 of the display area DA and the interlayer insulating layer 113 of the pad area PA. That is, a material for the lower electrode of the dummy electrode 360 is formed on the entire surface of the substrate 110 . Thereafter, the material for the lower electrode of the dummy electrode 360 is patterned to form the lower electrode 361 of the dummy electrode 360 , the first layer 341 of the first auxiliary wiring 340 , and the first layer of the pad electrode 350 . Two conductive layers 352 are simultaneously formed of the same material.

이어서, 도 8b를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 더미 전극(360)의 하부 전극(361) 상에 상부 전극(362)이 형성되고, 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341) 상에 제2 층(342)이 형성된다. 또한, 패드 영역(PA)에서 패드 전극(350)의 제2 도전층(352) 상에 제3 도전층(353)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제1 평탄화층(115), 더미 전극(360)의 하부 전극(361), 제1 보조 배선(340)의 제1 층(341), 패드 영역(PA)의 패시베이션층(114) 및 패드 전극(350)의 제2 도전층(352) 상에 더미 전극(360)의 상부 전극용 물질이 형성된다. 즉, 기판(110) 전면 상에 더미 전극(360)의 상부 전극용 물질이 형성된다. 그 후, 더미 전극(360)의 상부 전극용 물질을 패터닝하여 더미 전극(360)의 상부 전극(362), 제1 보조 배선(340)의 제2 층(342) 및 패드 전극(350)의 제3 도전층(353)이 동시에 동일한 물질로 형성된다. 패드 전극(350)의 제3 도전층(353)은 패드 전극(350)의 제2 도전층(352)을 덮도록 형성된다.Subsequently, referring to FIG. 8B , an upper electrode 362 is formed on the lower electrode 361 of the dummy electrode 360 in the display area DA, and the first layer 341 of the first auxiliary line 340 is formed. A second layer 342 is formed thereon. Also, a third conductive layer 353 is formed on the second conductive layer 352 of the pad electrode 350 in the pad area PA. Specifically, the first planarization layer 115 of the display area DA, the lower electrode 361 of the dummy electrode 360, the first layer 341 of the first auxiliary wiring 340, and the pad area PA A material for the upper electrode of the dummy electrode 360 is formed on the passivation layer 114 and the second conductive layer 352 of the pad electrode 350 . That is, the material for the upper electrode of the dummy electrode 360 is formed on the entire surface of the substrate 110 . Thereafter, the material for the upper electrode of the dummy electrode 360 is patterned to form the second layer 342 of the upper electrode 362 of the dummy electrode 360 , the second layer 342 of the first auxiliary wiring 340 , and the pad electrode 350 . Three conductive layers 353 are simultaneously formed of the same material. The third conductive layer 353 of the pad electrode 350 is formed to cover the second conductive layer 352 of the pad electrode 350 .

이어서, 더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340)을 덮도록 제2 평탄화층(317)을 형성하고(S75), 제2 평탄화층(317) 상면에 더미 전극(360)과 전기적으로 연결된 애노드(337), 제1 보조 배선(340)과 전기적으로 연결된 제2 보조 배선(370)을 형성한다(S76).Next, a second planarization layer 317 is formed to cover the dummy electrode 360 and the first auxiliary wiring 340 ( S75 ), and is electrically connected to the dummy electrode 360 on the upper surface of the second planarization layer 317 . A second auxiliary line 370 electrically connected to the anode 337 and the first auxiliary line 340 is formed (S76).

도 8c를 참조하면, 더미 전극(360) 및 제1 보조 배선(340) 상부를 평탄화하도록 제2 평탄화층(317)이 형성된다. 제2 평탄화층(317)은 표시 영역(DA)에만 형성된다.Referring to FIG. 8C , a second planarization layer 317 is formed to planarize upper portions of the dummy electrode 360 and the first auxiliary wiring 340 . The second planarization layer 317 is formed only in the display area DA.

이어서, 제2 평탄화층(317) 상에 ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 순차적으로 형성한다. 여기서, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질은 기판(110)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 기판(110)의 패드 영역(PA)에도 형성된다. 그 후, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 일괄 식각하여, 제2 평탄화층(317) 상에 애노드(337)의 하부 ITO층(331), 은 합금층(332) 및 상부 ITO층(333)이 형성되고, 일괄 식각 과정에서 제2 보조 배선(370)의 제1 층(371), 제2 층(372) 및 제3 층(373)이 애노드(337)의 하부 ITO층(331), 은 합금층(332) 및 상부 ITO층(333)과 동시에 형성된다.Subsequently, an ITO material, a silver alloy material, and an ITO material are sequentially formed on the second planarization layer 317 . Here, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are formed not only in the display area DA of the substrate 110 but also in the pad area PA of the substrate 110 . Thereafter, the ITO material, the silver alloy material and the ITO material are batch etched, and the lower ITO layer 331 , the silver alloy layer 332 and the upper ITO layer 333 of the anode 337 on the second planarization layer 317 . ) is formed, and in the batch etching process, the first layer 371 , the second layer 372 and the third layer 373 of the second auxiliary wiring 370 are formed on the lower ITO layer 331 of the anode 337 , The silver alloy layer 332 and the upper ITO layer 333 are simultaneously formed.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 제1 보조 배선(340) 형성 시 패드 전극(350)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 패드 전극(350)을 형성하기 위한 별도의 공정이 추가됨이 없이 패드 전극(350)이 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(350)으로 은 합금층(332)을 사용하지 않고 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성된 패드 전극(350)의 제3 도전층(353)이 패드 전극(350)의 제2 도전층(352)을 덮도록 형성되어, 개선된 신뢰성을 갖는 패드 전극(350) 확보가 가능하다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, the pad electrode 350 may be simultaneously formed when the first auxiliary wiring 340 is formed. Accordingly, the pad electrode 350 may be formed without adding a separate process for forming the pad electrode 350 . In addition, the third conductive layer 353 of the pad electrode 350 formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy without using the silver alloy layer 332 as the pad electrode 350 is the second conductive layer of the pad electrode 350 . It is formed to cover the layer 352 , and it is possible to secure the pad electrode 350 having improved reliability.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 단면도들이다. 도 9a 내지 도 9c는 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(400)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들로서, 도 4를 참조하여 설명된 구성요소에 대한 중복 설명을 생략한다.9A to 9C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. 9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting diode display 400 illustrated in FIG. 4 , and a redundant description of components described with reference to FIG. 4 will be omitted.

먼저, 표시 영역(DA)과 패드 영역(PA)으로 정의된 기판(110)을 제공하고(S70), 기판(110)의 표시 영역(DA) 상에 액티브층(122), 게이트 전극(121), 및 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 구비하는 박막 트랜지스터(120) 및 기판(110)의 패드 영역(PA) 상에 패드 전극(450)의 제1 도전층(451)을 동시에 형성하고(S71), 박막 트랜지스터(120)를 덮도록 제1 평탄화층(115)을 형성한다(S72). 단계 S70, S71 및 S72는 단계 S60, S61 및 S62와 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략한다.First, the substrate 110 defined by the display area DA and the pad area PA is provided ( S70 ), and the active layer 122 and the gate electrode 121 are provided on the display area DA of the substrate 110 . , and simultaneously forming the first conductive layer 451 of the pad electrode 450 on the thin film transistor 120 including the source electrode 123 and the drain electrode 124 and the pad area PA of the substrate 110 . and (S71), a first planarization layer 115 is formed to cover the thin film transistor 120 (S72). Steps S70, S71 and S72 are substantially the same as steps S60, S61 and S62, and thus redundant descriptions are omitted.

이어서, 제1 평탄화층(115) 상면에 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440)을 동시에 형성하고(S73), 패드 전극(450)의 제1 도전층(451)을 덮는 패드 전극(450)의 제2 도전층(452) 및 제3 도전층(453)을 형성하고(S74), 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440)을 덮도록 제2 평탄화층(417)을 형성하고(S75), 제2 평탄화층(417) 상면에 더미 전극(460)과 전기적으로 연결된 애노드(437), 제1 보조 배선(440)과 전기적으로 연결된 제2 보조 배선(470)을 형성한다(S76).Subsequently, a dummy electrode 460 electrically connected to the thin film transistor 120 and a first auxiliary wiring 440 are simultaneously formed on the upper surface of the first planarization layer 115 ( S73 ), and the first conductivity of the pad electrode 450 is performed ( S73 ). The second conductive layer 452 and the third conductive layer 453 of the pad electrode 450 covering the layer 451 are formed (S74), and the dummy electrode 460 and the first auxiliary wiring 440 are covered. A second planarization layer 417 is formed ( S75 ), and an anode 437 electrically connected to the dummy electrode 460 and a second electrically connected to the first auxiliary wire 440 are formed on the upper surface of the second planarization layer 417 . An auxiliary wiring 470 is formed (S76).

도 9a를 참조하면, 표시 영역(DA)에서 제1 평탄화층(115) 상에 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440)이 형성되고, 패드 영역(PA)에서 층간 절연층(113) 상에 패드 전극(450)의 제2 도전층(452)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제1 평탄화층(115) 및 패드 영역(PA)의 층간 절연층(113) 상에 더미 전극용 물질이 형성된다. 즉, 기판(410) 전면 상에 더미 전극용 물질이 형성된다. 그 후, 더미 전극용 물질을 패터닝하여 더미 전극(460), 제1 보조 배선(440) 및 패드 전극(450)의 제2 도전층(452)이 동시에 동일한 물질로 형성된다.Referring to FIG. 9A , the dummy electrode 460 and the first auxiliary wiring 440 are formed on the first planarization layer 115 in the display area DA, and the interlayer insulating layer 113 in the pad area PA. A second conductive layer 452 of the pad electrode 450 is formed thereon. In detail, a material for a dummy electrode is formed on the first planarization layer 115 of the display area DA and the interlayer insulating layer 113 of the pad area PA. That is, a material for a dummy electrode is formed on the entire surface of the substrate 410 . Thereafter, the dummy electrode material is patterned to simultaneously form the dummy electrode 460 , the first auxiliary wiring 440 , and the second conductive layer 452 of the pad electrode 450 using the same material.

이어서, 도 9b를 참조하면, 더미 전극(460) 및 제1 보조 배선(440) 상부를 평탄화하도록 제2 평탄화층(417)이 형성된다. 제2 평탄화층(417)은 표시 영역(DA)에만 형성된다.Next, referring to FIG. 9B , a second planarization layer 417 is formed to planarize upper portions of the dummy electrode 460 and the first auxiliary wiring 440 . The second planarization layer 417 is formed only in the display area DA.

이어서, 표시 영역(DA)에서 제2 평탄화층(417) 상에 애노드(437)의 더미층(434) 및 제2 보조 배선(470)의 제4 층(474)이 형성된다. 또한, 패드 영역(PA)에서 패드 전극(450)의 제2 도전층(452) 상에 제3 도전층(453)이 형성된다. 구체적으로, 표시 영역(DA)의 제2 평탄화층(417), 패드 영역(PA)의 패시베이션층(414) 및 패드 전극(450)의 제2 도전층(452) 상에 애노드(437)의 더미층용 물질이 형성된다. 즉, 기판(410) 전면 상에 애노드(437)의 더미층용 물질이 형성된다. 그 후, 더미층용 물질을 패터닝하여 애노드(437)의 더미층(434), 제2 보조 배선(470)의 제4 층(474) 및 패드 전극(450)의 제3 도전층(453)이 동시에 동일한 물질로 형성된다. 패드 전극(450)의 제3 도전층(453)은 패드 전극(450)의 제2 도전층(452)을 덮도록 형성된다.Subsequently, the dummy layer 434 of the anode 437 and the fourth layer 474 of the second auxiliary wiring 470 are formed on the second planarization layer 417 in the display area DA. In addition, a third conductive layer 453 is formed on the second conductive layer 452 of the pad electrode 450 in the pad area PA. Specifically, a dummy of the anode 437 is formed on the second planarization layer 417 of the display area DA, the passivation layer 414 of the pad area PA, and the second conductive layer 452 of the pad electrode 450 . A layered material is formed. That is, the material for the dummy layer of the anode 437 is formed on the entire surface of the substrate 410 . Then, the dummy layer 434 of the anode 437, the fourth layer 474 of the second auxiliary wiring 470, and the third conductive layer 453 of the pad electrode 450 are simultaneously formed by patterning the material for the dummy layer. formed of the same material. The third conductive layer 453 of the pad electrode 450 is formed to cover the second conductive layer 452 of the pad electrode 450 .

이어서, 제2 평탄화층(417) 상에 ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 순차적으로 형성한다. 여기서, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질은 기판(410)의 표시 영역(DA)뿐만 아니라 기판(110)의 패드 영역(PA)에도 형성된다. 그 후, ITO 물질, 은 합금 물질 및 ITO 물질을 일괄 식각하여, 애노드(437)의 더미층(434) 상에 애노드(437)의 하부 ITO층(431), 은 합금층(432) 및 상부 ITO층(433)이 형성되고, 일괄 식각 과정에서 제2 보조 배선(470)의 제4층 상에 제2 보조 배선(470)의 제1 층(371), 제2 층(372) 및 제3 층(373)이 애노드(437)의 하부 ITO층(431), 은 합금층(432) 및 상부 ITO층(433)과 동시에 형성된다.Subsequently, an ITO material, a silver alloy material, and an ITO material are sequentially formed on the second planarization layer 417 . Here, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are formed not only in the display area DA of the substrate 410 but also in the pad area PA of the substrate 110 . Then, the ITO material, the silver alloy material, and the ITO material are batch etched, and the lower ITO layer 431 of the anode 437, the silver alloy layer 432 and the upper ITO on the dummy layer 434 of the anode 437. A layer 433 is formed, and the first layer 371 , the second layer 372 , and the third layer of the second auxiliary line 470 are on the fourth layer of the second auxiliary line 470 in a batch etching process. 373 is formed simultaneously with the lower ITO layer 431 , the silver alloy layer 432 , and the upper ITO layer 433 of the anode 437 .

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서는 제1 보조 배선(440) 형성 시 패드 전극(450)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 패드 전극(450)을 형성하기 위한 별도의 공정이 추가됨이 없이 패드 전극(450)이 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(450)으로 은 합금층(432)을 사용하지 않고 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금으로 형성된 패드 전극(450)의 제3 도전층(453)이 패드 전극(450)의 제2 도전층(452)을 덮도록 형성되어, 개선된 신뢰성을 갖는 패드 전극(450) 확보가 가능하다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention, the pad electrode 450 may be simultaneously formed when the first auxiliary wiring 440 is formed. Accordingly, the pad electrode 450 may be formed without adding a separate process for forming the pad electrode 450 . In addition, the third conductive layer 453 of the pad electrode 450 formed of a molybdenum-titanium (MoTi) alloy without using the silver alloy layer 432 as the pad electrode 450 is the second conductive layer of the pad electrode 450 . It is formed to cover the layer 452 , and it is possible to secure the pad electrode 450 having improved reliability.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 300, 400: 유기 발광 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 제1 평탄화층
116, 316, 416: 뱅크층
317, 417: 제2 평탄화층
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130, 330, 430: 유기 발광 소자
131, 331, 431: 하부 ITO층
132, 332, 432: 은 합금층
133, 333, 433: 상부 ITO층
134, 434: 더미층
135: 하부층
136: 상부층
137, 337, 437: 애노드
138, 338, 438: 유기 발광층
139, 339, 439: 캐소드
140, 340, 440: 제1 보조 배선
141, 341: 제1 보조 배선의 제1 층
142, 342: 제1 보조 배선의 제2 층
143: 제1 보조 배선의 제3 층
144: 제1 보조 배선의 제4 층
145: 제1 보조 배선의 제5 층
150, 350, 450: 패드 전극
151, 351, 451: 제1 도전층
152, 352, 452: 제2 도전층
153, 353, 453: 제3 도전층
360, 460: 더미 전극
361: 하부 전극
362: 상부 전극
370, 470: 제2 보조 배선
371, 471: 제2 보조 배선의 제1 층
372, 472: 제2 보조 배선의 제2 층
373, 473: 제2 보조 배선의 제3 층
474: 제2 보조 배선의 제4 층
DA: 표시 영역
PA: 패드 영역
100, 300, 400: organic light emitting display device
110: substrate
111: buffer layer
112: gate insulating layer
113: interlayer insulating layer
114: passivation layer
115: first planarization layer
116, 316, 416: bank layer
317, 417: second planarization layer
120: thin film transistor
121: gate electrode
122: active layer
123: source electrode
124: drain electrode
130, 330, 430: organic light emitting device
131, 331, 431: lower ITO layer
132, 332, 432: silver alloy layer
133, 333, 433: upper ITO layer
134, 434: dummy layer
135: lower layer
136: upper layer
137, 337, 437: anode
138, 338, 438: organic light emitting layer
139, 339, 439: cathode
140, 340, 440: first auxiliary wiring
141, 341: a first layer of a first auxiliary wiring
142, 342: second layer of first auxiliary wiring
143: third layer of first auxiliary wiring
144: fourth layer of first auxiliary wiring
145: fifth layer of first auxiliary wiring
150, 350, 450: pad electrode
151, 351, 451: first conductive layer
152, 352, 452: second conductive layer
153, 353, 453: third conductive layer
360, 460: dummy electrode
361: lower electrode
362: upper electrode
370, 470: second auxiliary wiring
371, 471: the first layer of the second auxiliary wiring
372, 472: second layer of second auxiliary wiring
373, 473: a third layer of the second auxiliary wiring
474: fourth layer of second auxiliary wiring
DA: display area
PA: pad area

Claims (15)

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치된 패시베이션층;
상기 패시베이션층 상에 배치된 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층 상에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결된 더미 전극;
상기 더미 전극 상에 배치된 제2 평탄화층; 및
상기 제2 평탄화층 상에 배치되고, 상기 더미 전극과 전기적으로 연결된 애노드 및 상기 애노드 상에 배치된 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
Board;
a thin film transistor disposed on the substrate and including a source electrode and a drain electrode;
a passivation layer disposed on the source electrode and the drain electrode;
a first planarization layer disposed on the passivation layer;
a dummy electrode disposed on the first planarization layer and electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode;
a second planarization layer disposed on the dummy electrode; and
and an organic light emitting diode disposed on the second planarization layer and including an anode electrically connected to the dummy electrode and a cathode disposed on the anode.
제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 유기 발광 소자는 상기 더미 전극을 통해 서로 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
and the thin film transistor and the organic light emitting device are electrically connected to each other through the dummy electrode.
제1항에 있어서,
상기 제2 평탄화층 상에 배치되고, 상기 애노드와 동일 평면 상에서 동일 물질로 이루어진 보조 배선을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
The organic light emitting diode display device of claim 1 , further comprising an auxiliary wire formed of the same material on the same plane as the anode, disposed on the second planarization layer.
제3항에 있어서,
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치된 뱅크층을 더 포함하고,
상기 캐소드는 상기 뱅크층으로부터 오픈된 상기 보조 배선의 일부 영역을 통해 상기 보조 배선과 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Further comprising a bank layer disposed between the anode and the cathode,
and the cathode is electrically connected to the auxiliary line through a partial region of the auxiliary line opened from the bank layer.
제1항에 있어서,
상기 제1 평탄화층의 상면 및 상기 제2 평탄화층의 상면 중 적어도 어느 하나에 배치된 복수의 보조 배선을 더 포함하고,
상기 복수의 보조 배선의 적어도 일부는 상기 애노드와 동일 물질로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
a plurality of auxiliary wirings disposed on at least one of an upper surface of the first planarization layer and an upper surface of the second planarization layer;
At least a portion of the plurality of auxiliary wirings is made of the same material as the anode.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치된 패드 전극을 더 포함하고,
상기 패드 전극은,
상기 기판과 상기 패시베이션층 사이에 배치된 제1 도전층; 및
상기 패시베이션층 상에 배치된 제2 도전층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
Further comprising a pad electrode disposed on the substrate,
The pad electrode is
a first conductive layer disposed between the substrate and the passivation layer; and
and a second conductive layer disposed on the passivation layer.
제6항에 있어서,
상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 중 어느 하나는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 물질로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
7. The method of claim 6,
one of the first conductive layer and the second conductive layer is made of the same material as the source electrode and the drain electrode.
제7항에 있어서,
상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 중 어느 하나와 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금층 및 상기 몰리브덴-티타늄 합금층 상에 배치된 구리(Cu)층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Any one of the first conductive layer and the second conductive layer and the source electrode and the drain electrode include a molybdenum-titanium (MoTi) alloy layer and a copper (Cu) layer disposed on the molybdenum-titanium alloy layer , an organic light emitting display device.
제6항에 있어서,
상기 제1 평탄화층과 상기 제2 평탄화층 사이에 배치되고, 최상층이 상기 애노드와 다른 물질로 이루어진 제1 보조 배선; 및
상기 제2 평탄화층 상에 배치되고, 상기 애노드와 동일 물질로 이루어진 제2 보조 배선을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
7. The method of claim 6,
a first auxiliary wiring disposed between the first planarization layer and the second planarization layer, the uppermost layer being made of a material different from that of the anode; and
and a second auxiliary wiring disposed on the second planarization layer and made of the same material as the anode.
제9항에 있어서,
상기 패드 전극은, 상기 제2 도전층 상에 배치되고, 상기 제2 도전층의 상면과 측면을 덮도록 구성된 제3 도전층을 더 포함하고,
상기 패드 전극의 상기 제3 도전층 및 상기 제1 보조 배선의 최상층은 상기 애노드와 다른 물질로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치.
10. The method of claim 9,
The pad electrode further includes a third conductive layer disposed on the second conductive layer and configured to cover an upper surface and a side surface of the second conductive layer,
and the third conductive layer of the pad electrode and the uppermost layer of the first auxiliary wiring are made of a material different from that of the anode.
기판;
상기 기판 상에 배치되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 패시베이션층;
상기 패시베이션층 상에 배치되어, 상기 박막 트랜지스터 상부를 평탄화하도록 구성된 제1 평탄화층;
상기 제1 평탄화층의 상면에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결된 더미 전극;
상기 더미 전극 상에 배치되어, 상기 더미 전극 상부를 평탄화하도록 구성된 제2 평탄화층;
상기 제2 평탄화층의 상면에 배치된 애노드, 상기 애노드 상의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 제2 평탄화층의 상면에 배치되고, 상기 애노드와 동일 물질로 이루어진 보조 배선을 포함하고,
상기 애노드는 상기 더미 전극을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 캐소드는 상기 보조 배선과 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
Board;
a thin film transistor disposed on the substrate and including a source electrode and a drain electrode;
a passivation layer covering the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor;
a first planarization layer disposed on the passivation layer and configured to planarize an upper portion of the thin film transistor;
a dummy electrode disposed on the first planarization layer and electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode;
a second planarization layer disposed on the dummy electrode and configured to planarize an upper portion of the dummy electrode;
an organic light emitting device including an anode disposed on the second planarization layer, an organic light emitting layer on the anode, and a cathode disposed on the organic light emitting layer; and
and an auxiliary wire disposed on the second planarization layer and made of the same material as the anode;
and the anode is electrically connected to the thin film transistor through the dummy electrode, and the cathode is electrically connected to the auxiliary line.
제11항에 있어서,
상기 애노드 및 상기 보조 배선 각각의 가장자리를 덮는 뱅크층을 더 포함하고,
상기 유기 발광층은 상기 뱅크층으로부터 노출된 상기 애노드의 일부 영역 상에 배치되고,
상기 캐소드는 상기 뱅크층으로부터 노출된 상기 보조 배선의 일부 영역을 통해 상기 보조 배선에 전기적으로 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
12. The method of claim 11,
Further comprising a bank layer covering the edges of each of the anode and the auxiliary wiring,
The organic light emitting layer is disposed on a portion of the anode exposed from the bank layer,
and the cathode is electrically connected to the auxiliary line through a partial region of the auxiliary line exposed from the bank layer.
제12항에 있어서,
상기 뱅크층으로부터 노출된 상기 애노드의 일부 영역은 발광 영역이고,
상기 보조 배선은 상기 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
13. The method of claim 12,
A partial region of the anode exposed from the bank layer is a light emitting region,
and the auxiliary wiring is disposed in an area other than the light emitting area.
제11항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 복수의 도전층으로 이루어진 패드 전극을 더 포함하고,
상기 패드 전극의 상기 복수의 도전층 중 최상층은 상기 애노드와 다른 물질로 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
12. The method of claim 11,
It is disposed on the substrate, further comprising a pad electrode made of a plurality of conductive layers,
An uppermost layer of the plurality of conductive layers of the pad electrode is made of a material different from that of the anode.
제14항에 있어서,
상기 애노드는 은 합금층을 포함하고,
상기 패드 전극의 상기 최상층은 몰리브덴-티타늄(MoTi) 합금을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
15. The method of claim 14,
The anode comprises a silver alloy layer,
and the uppermost layer of the pad electrode includes a molybdenum-titanium (MoTi) alloy.
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